JPH11214951A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
- Publication number
- JPH11214951A JPH11214951A JP1584198A JP1584198A JPH11214951A JP H11214951 A JPH11214951 A JP H11214951A JP 1584198 A JP1584198 A JP 1584198A JP 1584198 A JP1584198 A JP 1584198A JP H11214951 A JPH11214951 A JP H11214951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric substrate
- acoustic wave
- insertion loss
- surface acoustic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】異物等が付着してもショートが発生しない。挿
入損失などの電気特性が劣化しない。 【解決手段】圧電体基板１上にパターニングした金属膜
３を形成し、金属膜３上のみに絶縁体膜４を形成した表
面弾性波素子。
入損失などの電気特性が劣化しない。 【解決手段】圧電体基板１上にパターニングした金属膜
３を形成し、金属膜３上のみに絶縁体膜４を形成した表
面弾性波素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフィルタや発振子と
して用いられる表面弾性波素子に関し、とくにリフトオ
フ法でもってインタデジタル電極上に絶縁体膜を形成
し、これによって導電性異物によるショートを防止する
ようにした表面弾性波素子に関するものである。
して用いられる表面弾性波素子に関し、とくにリフトオ
フ法でもってインタデジタル電極上に絶縁体膜を形成
し、これによって導電性異物によるショートを防止する
ようにした表面弾性波素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リフトオフ工程により表面弾性波素子を
製造する技術が提示されている（特開平６−２３７１３
７号および特開平８−７８９８８号参照）。
製造する技術が提示されている（特開平６−２３７１３
７号および特開平８−７８９８８号参照）。
【０００３】しかしながら、この技術で電極をパターニ
ングした際に、異物等の付着があるとショートが発生
し、所望の性能が得られないという問題点がある。
ングした際に、異物等の付着があるとショートが発生
し、所望の性能が得られないという問題点がある。
【０００４】この問題点を解決するために、図５に示す
ように表面弾性波素子の全面にＳｉＯ2 等の絶縁体膜を
被覆することが提案されている（特開平９−１５３７５
５号および特開平９−１７２３４９号参照）。
ように表面弾性波素子の全面にＳｉＯ2 等の絶縁体膜を
被覆することが提案されている（特開平９−１５３７５
５号および特開平９−１７２３４９号参照）。
【０００５】同図の表面弾性波素子１１によれば、リフ
トオフ工程により圧電体基板１２上に電極としての金属
膜１３を形成し、さらに表面弾性波素子１１の全面にわ
たって絶縁体膜１４を形成し、これによって金属膜１３
上に異物等が付着しても、絶縁体膜１４があることでシ
ョートが発生しなくなった。
トオフ工程により圧電体基板１２上に電極としての金属
膜１３を形成し、さらに表面弾性波素子１１の全面にわ
たって絶縁体膜１４を形成し、これによって金属膜１３
上に異物等が付着しても、絶縁体膜１４があることでシ
ョートが発生しなくなった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記表
面弾性波素子１１によれば、圧電体基板１２上にも絶縁
体膜１４が存在するために、電気特性、とくに挿入損失
が劣化していた。
面弾性波素子１１によれば、圧電体基板１２上にも絶縁
体膜１４が存在するために、電気特性、とくに挿入損失
が劣化していた。
【０００７】したがって本発明の目的は異物等が付着し
てもショートが発生しないようにして、さらに挿入損失
などの電気特性が劣化しないようにした表面弾性波素子
を提供することにある。
てもショートが発生しないようにして、さらに挿入損失
などの電気特性が劣化しないようにした表面弾性波素子
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の表面弾性波素子
は、圧電体基板上にパターニングした金属膜を形成し、
この金属膜上のみに絶縁体膜を形成したことを特徴とす
る。
は、圧電体基板上にパターニングした金属膜を形成し、
この金属膜上のみに絶縁体膜を形成したことを特徴とす
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図１〜図４により
詳述する。図１は本発明の表面弾性波素子の要部断面
図、図２は本発明の表面弾性波素子を製造するための工
程を示す。また、図３は本発明の表面弾性波素子の挿入
損失を示し、図４は本発明の表面弾性波素子のショート
発生率を示す。
詳述する。図１は本発明の表面弾性波素子の要部断面
図、図２は本発明の表面弾性波素子を製造するための工
程を示す。また、図３は本発明の表面弾性波素子の挿入
損失を示し、図４は本発明の表面弾性波素子のショート
発生率を示す。
【００１０】図１において、１は水晶、タンタル酸リチ
ウム、ニオブ酸リチウム、四ホウ酸リチウム、セラミッ
クスなどからなる圧電体基板であり、３はアルミニウ
ム、銅、クロム、金などからなるパターニングした金属
膜であり、４はＳｉ、ＳｉＯ2、Ｓｉ2 Ｎ4 などからな
る絶縁体膜である。
ウム、ニオブ酸リチウム、四ホウ酸リチウム、セラミッ
クスなどからなる圧電体基板であり、３はアルミニウ
ム、銅、クロム、金などからなるパターニングした金属
膜であり、４はＳｉ、ＳｉＯ2、Ｓｉ2 Ｎ4 などからな
る絶縁体膜である。
【００１１】本発明の表面弾性波素子は金属膜３上のみ
に絶縁体膜４を形成したことで、たとえば金属膜３でも
って櫛形電極を構成し、その電極間に異物が付着しても
ショートが発生しなくなった。しかも、この絶縁体膜４
が圧電体基板１上に形成されていないことから、挿入損
失などの電気特性が劣化しなくなった。
に絶縁体膜４を形成したことで、たとえば金属膜３でも
って櫛形電極を構成し、その電極間に異物が付着しても
ショートが発生しなくなった。しかも、この絶縁体膜４
が圧電体基板１上に形成されていないことから、挿入損
失などの電気特性が劣化しなくなった。
【００１２】本発明においては、絶縁体膜４の厚みを５
０〜４００Å、好適には１００〜３００Å、最適には１
００〜２００Åの範囲にするとよい。この厚みが５０Å
未満の場合にはショートが発生しやすくなり、４００Å
を越えると挿入損失などの電気特性が劣化しやすくな
る。
０〜４００Å、好適には１００〜３００Å、最適には１
００〜２００Åの範囲にするとよい。この厚みが５０Å
未満の場合にはショートが発生しやすくなり、４００Å
を越えると挿入損失などの電気特性が劣化しやすくな
る。
【００１３】本発明の表面弾性波素子は下記工程１〜工
程４を順次経て圧電体基板１上に金属膜３をパターニン
グする。 工程１：圧電体基板上にフォトレジストをパターン形成
する。 工程２：上記パターン形成したフォトレジスト上に金属
膜を被覆してフォトレジスト上および圧電体基板上に金
属膜を形成する。 工程３：上記金属膜上に絶縁体膜を形成する。 工程４：リフトオフにより上記フォトレジストを除去す
る。
程４を順次経て圧電体基板１上に金属膜３をパターニン
グする。 工程１：圧電体基板上にフォトレジストをパターン形成
する。 工程２：上記パターン形成したフォトレジスト上に金属
膜を被覆してフォトレジスト上および圧電体基板上に金
属膜を形成する。 工程３：上記金属膜上に絶縁体膜を形成する。 工程４：リフトオフにより上記フォトレジストを除去す
る。
【００１４】各工程を図２の各工程ａ〜ｄにより説明す
る。工程１ 同図ａに示すとおり、圧電体基板上１の上にネガ型もし
くはポジ型のフォトレジスト２を塗布形成し、乾燥させ
た後に、フォトレジスト２に対しマスクを用いて所要の
パターンになるように露光し、ついで現像し、これによ
って同図ｂに示すようにパターニングしたフォトレジス
ト２ａを形成する。
る。工程１ 同図ａに示すとおり、圧電体基板上１の上にネガ型もし
くはポジ型のフォトレジスト２を塗布形成し、乾燥させ
た後に、フォトレジスト２に対しマスクを用いて所要の
パターンになるように露光し、ついで現像し、これによ
って同図ｂに示すようにパターニングしたフォトレジス
ト２ａを形成する。
【００１５】工程２ 真空蒸着、イオンビームスパッタなどの薄膜形成方法に
よって同図ｃに示すとおりフォトレジスト２ａに対し金
属膜３を被覆させることで、フォトレジスト２ａ上と、
これらフォトレジスト２ａが設けられていない圧電体基
板１の領域１ａに金属膜３を、たとえば２０００〜８０
００Åの厚みで形成する。
よって同図ｃに示すとおりフォトレジスト２ａに対し金
属膜３を被覆させることで、フォトレジスト２ａ上と、
これらフォトレジスト２ａが設けられていない圧電体基
板１の領域１ａに金属膜３を、たとえば２０００〜８０
００Åの厚みで形成する。
【００１６】工程３ 各金属膜３上に絶縁体膜４を形成する。
【００１７】工程４ リフトオフにより上記フォトレジスト２ａを除去する。
すなわち、同図ｃの構成のものをレジスト剥離液中に浸
漬し、超音波振動を印加することで、フォトレジスト２
ａが圧電体基板上１から剥離し、同時にフォトレジスト
２ａ上の金属膜３および絶縁体膜４も除去される。
すなわち、同図ｃの構成のものをレジスト剥離液中に浸
漬し、超音波振動を印加することで、フォトレジスト２
ａが圧電体基板上１から剥離し、同時にフォトレジスト
２ａ上の金属膜３および絶縁体膜４も除去される。
【００１８】つぎに本発明の表面弾性波発振子におい
て、圧電体基板１として水晶基板を用いて、金属膜３と
して厚み２３００Åのアルミニウム金属膜を形成し、さ
らに絶縁体膜４をＳｉで形成し、その絶縁体膜４の厚み
を５０Å〜５００Åの範囲内で幾とおりにも変えること
で、周波数ｆr ＝３１５ＭＨｚにおける挿入損失および
ショート発生率を測定したところ、それぞれ図３および
図４に示すような結果が得られた。
て、圧電体基板１として水晶基板を用いて、金属膜３と
して厚み２３００Åのアルミニウム金属膜を形成し、さ
らに絶縁体膜４をＳｉで形成し、その絶縁体膜４の厚み
を５０Å〜５００Åの範囲内で幾とおりにも変えること
で、周波数ｆr ＝３１５ＭＨｚにおける挿入損失および
ショート発生率を測定したところ、それぞれ図３および
図４に示すような結果が得られた。
【００１９】挿入損失の特性をあらわす図３において、
黒点は測定したプロットであり、それにもとづいてライ
ンを引いた。同図から明らかなとおり、絶縁体膜４の厚
みが４００Å以下、好適には３００Å以下、最適には２
００Å以下であると、挿入損失が劣化が小さいことがわ
かる。
黒点は測定したプロットであり、それにもとづいてライ
ンを引いた。同図から明らかなとおり、絶縁体膜４の厚
みが４００Å以下、好適には３００Å以下、最適には２
００Å以下であると、挿入損失が劣化が小さいことがわ
かる。
【００２０】また、図４のショート発生率についても、
黒点は測定したプロットであり、それにもとづいてライ
ンを引いた。同図から明らかなとおり、絶縁体膜４の厚
みが５０Å以上、好適には１００Å以上であると、ショ
ートが発生しなくなった。
黒点は測定したプロットであり、それにもとづいてライ
ンを引いた。同図から明らかなとおり、絶縁体膜４の厚
みが５０Å以上、好適には１００Å以上であると、ショ
ートが発生しなくなった。
【００２１】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の表面弾性波発振
子によれば、金属膜のみに絶縁体膜が形成され、絶縁体
膜が圧電体基板上に形成されないので、電極間に異物が
付着してもショートが発生しなくなり、しかも、挿入損
失などの電気特性が劣化しなくなった。
子によれば、金属膜のみに絶縁体膜が形成され、絶縁体
膜が圧電体基板上に形成されないので、電極間に異物が
付着してもショートが発生しなくなり、しかも、挿入損
失などの電気特性が劣化しなくなった。
【００２２】また、ショートの発生を防止する技術とし
て、陽極酸化法によって電極表面に、その電極を構成す
る金属の酸化膜を形成する技術が提示されているが、こ
の技術と比べても、ボンディングパッド部まで酸化膜が
形成されることがなく、これによってワイヤーボンディ
ング性が損なわれなくなった。
て、陽極酸化法によって電極表面に、その電極を構成す
る金属の酸化膜を形成する技術が提示されているが、こ
の技術と比べても、ボンディングパッド部まで酸化膜が
形成されることがなく、これによってワイヤーボンディ
ング性が損なわれなくなった。
【００２３】さらに本発明の表面弾性波発振子によれ
ば、それを作製するに当たって、同一の薄膜形成用バッ
チ内で、金属膜と絶縁体膜とを順次形成できるので、製
造効率が上がり、生産コストが低減できた。
ば、それを作製するに当たって、同一の薄膜形成用バッ
チ内で、金属膜と絶縁体膜とを順次形成できるので、製
造効率が上がり、生産コストが低減できた。
【図１】本発明の表面弾性波素子の断面図である。
【図２】ａ〜ｄは本発明の表面弾性波素子を作製する各
工程図である。
工程図である。
【図３】本発明の表面弾性波素子の挿入損失を示す線図
である。
である。
【図４】本発明の表面弾性波素子のショート発生率を示
す線図である。
す線図である。
【図５】従来の表面弾性波素子の断面図である。
１ 圧電体基板上 ２、２ａ フォトレジスト ３ 金属膜 ４ 絶縁体膜
Claims (1)
- 【請求項１】圧電体基板上にパターニングした金属膜を
形成し、該金属膜上のみに絶縁体膜を形成したことを特
徴とする表面弾性波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1584198A JPH11214951A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 表面弾性波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1584198A JPH11214951A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 表面弾性波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214951A true JPH11214951A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11900066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1584198A Pending JPH11214951A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 表面弾性波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214951A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175927A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP2017220924A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-01-28 JP JP1584198A patent/JPH11214951A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175927A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP2017220924A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
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