JPH11214951A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
- Publication number
- JPH11214951A JPH11214951A JP1584198A JP1584198A JPH11214951A JP H11214951 A JPH11214951 A JP H11214951A JP 1584198 A JP1584198 A JP 1584198A JP 1584198 A JP1584198 A JP 1584198A JP H11214951 A JPH11214951 A JP H11214951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric substrate
- acoustic wave
- insertion loss
- surface acoustic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】異物等が付着してもショートが発生しない。挿
入損失などの電気特性が劣化しない。 【解決手段】圧電体基板1上にパターニングした金属膜
3を形成し、金属膜3上のみに絶縁体膜4を形成した表
面弾性波素子。
入損失などの電気特性が劣化しない。 【解決手段】圧電体基板1上にパターニングした金属膜
3を形成し、金属膜3上のみに絶縁体膜4を形成した表
面弾性波素子。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフィルタや発振子と
して用いられる表面弾性波素子に関し、とくにリフトオ
フ法でもってインタデジタル電極上に絶縁体膜を形成
し、これによって導電性異物によるショートを防止する
ようにした表面弾性波素子に関するものである。
して用いられる表面弾性波素子に関し、とくにリフトオ
フ法でもってインタデジタル電極上に絶縁体膜を形成
し、これによって導電性異物によるショートを防止する
ようにした表面弾性波素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】リフトオフ工程により表面弾性波素子を
製造する技術が提示されている(特開平6−23713
7号および特開平8−78988号参照)。
製造する技術が提示されている(特開平6−23713
7号および特開平8−78988号参照)。
【0003】しかしながら、この技術で電極をパターニ
ングした際に、異物等の付着があるとショートが発生
し、所望の性能が得られないという問題点がある。
ングした際に、異物等の付着があるとショートが発生
し、所望の性能が得られないという問題点がある。
【0004】この問題点を解決するために、図5に示す
ように表面弾性波素子の全面にSiO2 等の絶縁体膜を
被覆することが提案されている(特開平9−15375
5号および特開平9−172349号参照)。
ように表面弾性波素子の全面にSiO2 等の絶縁体膜を
被覆することが提案されている(特開平9−15375
5号および特開平9−172349号参照)。
【0005】同図の表面弾性波素子11によれば、リフ
トオフ工程により圧電体基板12上に電極としての金属
膜13を形成し、さらに表面弾性波素子11の全面にわ
たって絶縁体膜14を形成し、これによって金属膜13
上に異物等が付着しても、絶縁体膜14があることでシ
ョートが発生しなくなった。
トオフ工程により圧電体基板12上に電極としての金属
膜13を形成し、さらに表面弾性波素子11の全面にわ
たって絶縁体膜14を形成し、これによって金属膜13
上に異物等が付着しても、絶縁体膜14があることでシ
ョートが発生しなくなった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記表
面弾性波素子11によれば、圧電体基板12上にも絶縁
体膜14が存在するために、電気特性、とくに挿入損失
が劣化していた。
面弾性波素子11によれば、圧電体基板12上にも絶縁
体膜14が存在するために、電気特性、とくに挿入損失
が劣化していた。
【0007】したがって本発明の目的は異物等が付着し
てもショートが発生しないようにして、さらに挿入損失
などの電気特性が劣化しないようにした表面弾性波素子
を提供することにある。
てもショートが発生しないようにして、さらに挿入損失
などの電気特性が劣化しないようにした表面弾性波素子
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の表面弾性波素子
は、圧電体基板上にパターニングした金属膜を形成し、
この金属膜上のみに絶縁体膜を形成したことを特徴とす
る。
は、圧電体基板上にパターニングした金属膜を形成し、
この金属膜上のみに絶縁体膜を形成したことを特徴とす
る。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図1〜図4により
詳述する。図1は本発明の表面弾性波素子の要部断面
図、図2は本発明の表面弾性波素子を製造するための工
程を示す。また、図3は本発明の表面弾性波素子の挿入
損失を示し、図4は本発明の表面弾性波素子のショート
発生率を示す。
詳述する。図1は本発明の表面弾性波素子の要部断面
図、図2は本発明の表面弾性波素子を製造するための工
程を示す。また、図3は本発明の表面弾性波素子の挿入
損失を示し、図4は本発明の表面弾性波素子のショート
発生率を示す。
【0010】図1において、1は水晶、タンタル酸リチ
ウム、ニオブ酸リチウム、四ホウ酸リチウム、セラミッ
クスなどからなる圧電体基板であり、3はアルミニウ
ム、銅、クロム、金などからなるパターニングした金属
膜であり、4はSi、SiO2、Si2 N4 などからな
る絶縁体膜である。
ウム、ニオブ酸リチウム、四ホウ酸リチウム、セラミッ
クスなどからなる圧電体基板であり、3はアルミニウ
ム、銅、クロム、金などからなるパターニングした金属
膜であり、4はSi、SiO2、Si2 N4 などからな
る絶縁体膜である。
【0011】本発明の表面弾性波素子は金属膜3上のみ
に絶縁体膜4を形成したことで、たとえば金属膜3でも
って櫛形電極を構成し、その電極間に異物が付着しても
ショートが発生しなくなった。しかも、この絶縁体膜4
が圧電体基板1上に形成されていないことから、挿入損
失などの電気特性が劣化しなくなった。
に絶縁体膜4を形成したことで、たとえば金属膜3でも
って櫛形電極を構成し、その電極間に異物が付着しても
ショートが発生しなくなった。しかも、この絶縁体膜4
が圧電体基板1上に形成されていないことから、挿入損
失などの電気特性が劣化しなくなった。
【0012】本発明においては、絶縁体膜4の厚みを5
0〜400Å、好適には100〜300Å、最適には1
00〜200Åの範囲にするとよい。この厚みが50Å
未満の場合にはショートが発生しやすくなり、400Å
を越えると挿入損失などの電気特性が劣化しやすくな
る。
0〜400Å、好適には100〜300Å、最適には1
00〜200Åの範囲にするとよい。この厚みが50Å
未満の場合にはショートが発生しやすくなり、400Å
を越えると挿入損失などの電気特性が劣化しやすくな
る。
【0013】本発明の表面弾性波素子は下記工程1〜工
程4を順次経て圧電体基板1上に金属膜3をパターニン
グする。 工程1:圧電体基板上にフォトレジストをパターン形成
する。 工程2:上記パターン形成したフォトレジスト上に金属
膜を被覆してフォトレジスト上および圧電体基板上に金
属膜を形成する。 工程3:上記金属膜上に絶縁体膜を形成する。 工程4:リフトオフにより上記フォトレジストを除去す
る。
程4を順次経て圧電体基板1上に金属膜3をパターニン
グする。 工程1:圧電体基板上にフォトレジストをパターン形成
する。 工程2:上記パターン形成したフォトレジスト上に金属
膜を被覆してフォトレジスト上および圧電体基板上に金
属膜を形成する。 工程3:上記金属膜上に絶縁体膜を形成する。 工程4:リフトオフにより上記フォトレジストを除去す
る。
【0014】各工程を図2の各工程a〜dにより説明す
る。工程1 同図aに示すとおり、圧電体基板上1の上にネガ型もし
くはポジ型のフォトレジスト2を塗布形成し、乾燥させ
た後に、フォトレジスト2に対しマスクを用いて所要の
パターンになるように露光し、ついで現像し、これによ
って同図bに示すようにパターニングしたフォトレジス
ト2aを形成する。
る。工程1 同図aに示すとおり、圧電体基板上1の上にネガ型もし
くはポジ型のフォトレジスト2を塗布形成し、乾燥させ
た後に、フォトレジスト2に対しマスクを用いて所要の
パターンになるように露光し、ついで現像し、これによ
って同図bに示すようにパターニングしたフォトレジス
ト2aを形成する。
【0015】工程2 真空蒸着、イオンビームスパッタなどの薄膜形成方法に
よって同図cに示すとおりフォトレジスト2aに対し金
属膜3を被覆させることで、フォトレジスト2a上と、
これらフォトレジスト2aが設けられていない圧電体基
板1の領域1aに金属膜3を、たとえば2000〜80
00Åの厚みで形成する。
よって同図cに示すとおりフォトレジスト2aに対し金
属膜3を被覆させることで、フォトレジスト2a上と、
これらフォトレジスト2aが設けられていない圧電体基
板1の領域1aに金属膜3を、たとえば2000〜80
00Åの厚みで形成する。
【0016】工程3 各金属膜3上に絶縁体膜4を形成する。
【0017】工程4 リフトオフにより上記フォトレジスト2aを除去する。
すなわち、同図cの構成のものをレジスト剥離液中に浸
漬し、超音波振動を印加することで、フォトレジスト2
aが圧電体基板上1から剥離し、同時にフォトレジスト
2a上の金属膜3および絶縁体膜4も除去される。
すなわち、同図cの構成のものをレジスト剥離液中に浸
漬し、超音波振動を印加することで、フォトレジスト2
aが圧電体基板上1から剥離し、同時にフォトレジスト
2a上の金属膜3および絶縁体膜4も除去される。
【0018】つぎに本発明の表面弾性波発振子におい
て、圧電体基板1として水晶基板を用いて、金属膜3と
して厚み2300Åのアルミニウム金属膜を形成し、さ
らに絶縁体膜4をSiで形成し、その絶縁体膜4の厚み
を50Å〜500Åの範囲内で幾とおりにも変えること
で、周波数fr =315MHzにおける挿入損失および
ショート発生率を測定したところ、それぞれ図3および
図4に示すような結果が得られた。
て、圧電体基板1として水晶基板を用いて、金属膜3と
して厚み2300Åのアルミニウム金属膜を形成し、さ
らに絶縁体膜4をSiで形成し、その絶縁体膜4の厚み
を50Å〜500Åの範囲内で幾とおりにも変えること
で、周波数fr =315MHzにおける挿入損失および
ショート発生率を測定したところ、それぞれ図3および
図4に示すような結果が得られた。
【0019】挿入損失の特性をあらわす図3において、
黒点は測定したプロットであり、それにもとづいてライ
ンを引いた。同図から明らかなとおり、絶縁体膜4の厚
みが400Å以下、好適には300Å以下、最適には2
00Å以下であると、挿入損失が劣化が小さいことがわ
かる。
黒点は測定したプロットであり、それにもとづいてライ
ンを引いた。同図から明らかなとおり、絶縁体膜4の厚
みが400Å以下、好適には300Å以下、最適には2
00Å以下であると、挿入損失が劣化が小さいことがわ
かる。
【0020】また、図4のショート発生率についても、
黒点は測定したプロットであり、それにもとづいてライ
ンを引いた。同図から明らかなとおり、絶縁体膜4の厚
みが50Å以上、好適には100Å以上であると、ショ
ートが発生しなくなった。
黒点は測定したプロットであり、それにもとづいてライ
ンを引いた。同図から明らかなとおり、絶縁体膜4の厚
みが50Å以上、好適には100Å以上であると、ショ
ートが発生しなくなった。
【0021】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の表面弾性波発振
子によれば、金属膜のみに絶縁体膜が形成され、絶縁体
膜が圧電体基板上に形成されないので、電極間に異物が
付着してもショートが発生しなくなり、しかも、挿入損
失などの電気特性が劣化しなくなった。
子によれば、金属膜のみに絶縁体膜が形成され、絶縁体
膜が圧電体基板上に形成されないので、電極間に異物が
付着してもショートが発生しなくなり、しかも、挿入損
失などの電気特性が劣化しなくなった。
【0022】また、ショートの発生を防止する技術とし
て、陽極酸化法によって電極表面に、その電極を構成す
る金属の酸化膜を形成する技術が提示されているが、こ
の技術と比べても、ボンディングパッド部まで酸化膜が
形成されることがなく、これによってワイヤーボンディ
ング性が損なわれなくなった。
て、陽極酸化法によって電極表面に、その電極を構成す
る金属の酸化膜を形成する技術が提示されているが、こ
の技術と比べても、ボンディングパッド部まで酸化膜が
形成されることがなく、これによってワイヤーボンディ
ング性が損なわれなくなった。
【0023】さらに本発明の表面弾性波発振子によれ
ば、それを作製するに当たって、同一の薄膜形成用バッ
チ内で、金属膜と絶縁体膜とを順次形成できるので、製
造効率が上がり、生産コストが低減できた。
ば、それを作製するに当たって、同一の薄膜形成用バッ
チ内で、金属膜と絶縁体膜とを順次形成できるので、製
造効率が上がり、生産コストが低減できた。
【図1】本発明の表面弾性波素子の断面図である。
【図2】a〜dは本発明の表面弾性波素子を作製する各
工程図である。
工程図である。
【図3】本発明の表面弾性波素子の挿入損失を示す線図
である。
である。
【図4】本発明の表面弾性波素子のショート発生率を示
す線図である。
す線図である。
【図5】従来の表面弾性波素子の断面図である。
1 圧電体基板上 2、2a フォトレジスト 3 金属膜 4 絶縁体膜
Claims (1)
- 【請求項1】圧電体基板上にパターニングした金属膜を
形成し、該金属膜上のみに絶縁体膜を形成したことを特
徴とする表面弾性波素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1584198A JPH11214951A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 表面弾性波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1584198A JPH11214951A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 表面弾性波素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11214951A true JPH11214951A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11900066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1584198A Pending JPH11214951A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 表面弾性波素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11214951A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005175927A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2017220924A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-01-28 JP JP1584198A patent/JPH11214951A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005175927A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2017220924A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3470031B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
JP4453701B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP3317274B2 (ja) | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 | |
US6661162B1 (en) | Piezoelectric resonator and method of producing the same | |
US7665196B2 (en) | Method for forming a multi-frequency surface acoustic wave device | |
JP5025963B2 (ja) | 電子部品とその製造方法及びこの電子部品を用いた電子機器 | |
US7213322B2 (en) | Method for manufacturing surface acoustic wave device | |
JP3870947B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
EP1521362B1 (en) | Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device | |
JP2002026685A (ja) | 弾性表面波素子 | |
JP3858312B2 (ja) | 表面弾性波素子およびその製造方法 | |
JPH11214951A (ja) | 表面弾性波素子 | |
JP4731026B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
JPH0998043A (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 | |
WO2002045262A1 (fr) | Dispositif a ondes sonores | |
JPH10107573A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JPH04294625A (ja) | 弾性表面波素子 | |
JPH11312942A (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
JPH11145758A (ja) | 圧電素子およびその製造方法 | |
JP2000059165A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
JPH11312943A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
JPS61117913A (ja) | 弾性表面波素子 | |
JPS598964B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
KR100568302B1 (ko) | Saw 소자의 제조방법 | |
JPS63314906A (ja) | 表面弾性波装置の製造方法 |