JP2017220924A - 弾性波装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＩＤＴ電極における電極層間の位置精度を高めることができる、弾性波装置の製造方法を提供する。【解決手段】弾性波装置の製造方法は、少なくとも第１、第２の電極層４、５を有するＩＤＴ電極を直接的または間接的に圧電基板２（圧電体）上に設ける。圧電基板２上に第１のレジストパターン６Ａを形成する工程と、圧電基板２上及び第１のレジストパターン６Ａ上に第１の電極層４用の金属膜を積層する工程と、第１の電極層４用の金属膜上に、開口部６Ｂｃを有する第２のレジストパターン６Ｂを形成する工程と、第１の電極層４用の金属膜上及び第２のレジストパターン６Ｂ上に第２の電極層５用の金属膜を積層する工程と、第１、第２のレジストパターン６Ａ、６Ｂを剥離する工程とを備える。【選択図】図５

Description

本発明は、弾性波装置の製造方法に関する。

従来、弾性波装置が携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。例えば、下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置のＩＤＴ電極は、弾性波伝搬方向から見て、隣り合う電極指同士が重なり合っている領域である、交叉領域を有する。交叉領域は、中央領域と、内縁領域とを有する。中央領域は、交叉領域において、電極指が延びる方向における中央に位置する。内縁領域は、中央励起領域の、電極指が延びる方向における両側に位置する。

ＩＤＴ電極は、圧電基板上に設けられた第１の電極層と、第１の電極層上に、内縁領域において設けられた第２の電極層とを有する。

特表２０１３−５１８４５５号公報

特許文献１のような弾性波装置におけるＩＤＴ電極を、リフトオフ法によって形成する場合、第２の電極層の位置ずれが生じることがあった。例えば、第２の電極層が第１の電極層の側面部に形成されたり、第２の電極層が圧電基板上に至るように形成されたりすることがあった。そして、第２の電極層の位置ずれが生じた場合、見かけ上の電極指の幅が広くなるため、周波数のずれが生じ、弾性波装置の特性が劣化することがあった。なお、電極指の幅とは、電極指の横断方向の寸法である。

さらに、第２の電極層の位置ずれを抑制するために、第２の電極層の幅を狭くすると、横モードスプリアスを十分に抑制できないことがあった。

本発明の目的は、ＩＤＴ電極における電極層間の位置精度を高めることができる、弾性波装置の製造方法を提供することにある。

本発明に係る弾性波装置の製造方法は、少なくとも第１，第２の電極層を有するＩＤＴ電極が直接的または間接的に圧電体上に設けられた弾性波装置の製造方法であって、前記圧電体上に第１のレジストパターンを形成する工程と、前記圧電体上及び前記第１のレジストパターン上に第１の電極層用の金属膜を積層する工程と、前記第１の電極層用の金属膜上に、開口部を有する第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第１の電極層用の金属膜上及び前記第２のレジストパターン上に第２の電極層用の金属膜を積層する工程と、前記第１，第２のレジストパターンを剥離する工程とを備える。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、前記第１の電極層用の金属膜及び前記第２の電極層用の金属膜のうち少なくとも一方が、複数の金属膜を積層することにより形成される積層金属膜である。

本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、前記第２のレジストパターンを形成する工程において、平面視したときに、前記第１のレジストパターン上に積層された前記第１の電極層用の金属膜が、前記第２のレジストパターンの前記開口部の内側に位置するように、前記第２のレジストパターンを形成する。この場合には、第２の電極層の側面部における圧電体側の端部を、第１の電極層の側面部における第２の電極層側の端部に効果的に近づけることができる。これにより、弾性波装置における横モードスプリアスの発生を効果的に抑制することができる。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記第１のレジストパターンが、ネガ型レジスト及びイメージリバーサルレジストのうち一方からなる。この場合には、第１のレジストパターンを剥離し易い。

本発明に係る弾性波装置の製造方法の別の特定の局面では、前記第２のレジストパターンが、ネガ型レジスト及びイメージリバーサルレジストのうち一方からなる。この場合には、第２のレジストパターンを剥離し易い。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記第１，第２の電極層を有するＩＤＴ電極が、対向し合っている、第１及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一端が接続されている、複数本の第１の電極指と、前記複数本の第１の電極指と間挿し合っており、かつ前記第２のバスバーに一端が接続されている、複数本の第２の電極指とを有し、前記ＩＤＴ電極において、前記第１及び第２の電極指が、弾性波伝搬方向から視たときに重なり合っている領域を交叉領域とし、前記交叉領域が、弾性波の音速が相対的に高い中央領域と、前記中央領域よりも音速が低くされており、前記中央領域の電極指の延びる方向における両端部に設けられた低音速部とを有し、前記第１の電極層用の金属膜上に前記第２の電極層用の金属膜を積層する工程において、前記低音速部における前記第１の電極層用の金属膜上に、前記第２の電極層用の金属膜を積層する。この場合には、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記第１の電極層用の金属膜を積層する工程の後であり、かつ前記第２のレジストパターンを形成する工程の前に、前記第１の電極層用の金属膜上に、前記第１の電極層用の金属よりも現像液により腐食され難い、保護膜を形成する工程がさらに備えられている。この場合には、第２の電属層の形成不良が生じ難い。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記保護膜が金属層である。この場合には、ＩＤＴ電極の電気抵抗を低くすることができる。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記保護膜がＴｉからなる。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記保護膜が酸化ケイ素からなる酸化ケイ素層である。この場合には、第２の電極層の幅のばらつきを抑制することができる。

本発明によれば、ＩＤＴ電極における電極層間の位置精度を高めることができる、弾性波装置の製造方法を提供することができる。

本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 本発明の第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の正面断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための平面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための、図３（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための、図３（ａ）中のＩＩ−ＩＩ線に沿う部分に相当する断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。

弾性波装置１は、圧電体としての圧電基板２を有する。圧電基板２はＬｉＮｂＯ_３からなる。なお、圧電基板２は、ＬｉＴａＯ_３などの、ＬｉＮｂＯ_３以外の圧電単結晶からなっていてもよく、あるいは、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＰＺＴやニオブ酸カリウムナトリウムなどの適宜の圧電材料からなっていてもよい。弾性波装置１の圧電体は、圧電薄膜であってもよい。

圧電基板２は一方主面としての主面２ａを有する。主面２ａ上には、ＩＤＴ電極３が設けられている。本実施形態では、ＩＤＴ電極３は、直接的に圧電基板２上に設けられている。なお、圧電基板２とＩＤＴ電極３との間に、ＳｉＯ_２などからなる誘電体層が設けられていてもよい。この場合には、例えば、ラブ波を用いることができる。このように、ＩＤＴ電極３は、間接的に圧電基板２上に設けられていてもよい。

ＩＤＴ電極３は、第１，第２のバスバー３ａ１，３ｂ１及び複数の第１，第２の電極指３ａ２，３ｂ２を有する。第１，第２のバスバー３ａ１，３ｂ１は対向し合っている。第１のバスバー３ａ１に複数の第１の電極指３ａ２の一端が接続されている。第２のバスバー３ｂ１に複数の第２の電極指３ｂ２の一端が接続されている。複数の第１の電極指３ａ２と複数の第２の電極指３ｂ２とは間挿し合っている。

第１の電極指３ａ２と第２の電極指３ｂ２とが弾性波伝搬方向から視たときに重なり合っている領域を交叉領域Ａとする。このとき、交叉領域Ａは、弾性波の音速が相対的に高い中央領域Ａ１を有する。交叉領域Ａは、中央領域Ａ１よりも音速が低くされており、中央領域Ａ１の第１，第２の電極指３ａ２，３ｂ２の延びる方向における両端部に設けられた第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂを有する。ＩＤＴ電極３は、中央領域Ａ１よりも音速が高くされており、交叉領域Ａの両側に位置する、第１，第２の高音速部Ｂａ，Ｂｂを有する。より具体的には、第１の高音速部Ｂａは、複数の第２の電極指３ｂ２の先端部と第１のバスバー３ａ１との間のギャップ領域である。第２の高音速部Ｂｂは、複数の第１の電極指３ａ２の先端部と第２のバスバー３ｂ１との間のギャップ領域である。

ここで、中央領域における音速をＶ１、第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける音速をＶ２、第１，第２の高音速部Ｂａ，Ｂｂにおける音速をＶ３とする。図１においては、音速を表す実線が右側に位置するほど音速が速いことを示す。図１に示すように、Ｖ３＞Ｖ１＞Ｖ２の関係が成り立っていることがわかる。

詳細は後述するが、図１中の破線Ｘは、製造工程において用いられる第２のレジストパターンの開口部に相当する位置の一例を示す。ＩＤＴ電極３において、第２のレジストパターンの開口部に重なる部分が、第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂとなる。

図２は、第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の正面断面図である。ＩＤＴ電極３は、圧電基板２の主面２ａ上に設けられている第１の電極層４を有する。本実施形態では、第１の電極層４は、圧電基板２上に、ＮｉＣｒ層、Ｐｔ層、Ｔｉ層、Ａｌ層及びＴｉ層が、圧電基板２側からこの順序に設けられた積層金属膜である。上記各層の厚みは、上記の順序で、ＮｉＣｒ層が１０ｎｍ、Ｐｔ層が２００ｎｍ、Ｔｉ層が１０ｎｍ、Ａｌ層が３００ｎｍ、Ｔｉ層が１０ｎｍである。

第１の電極指３ａ２は、第１の電極層４上に設けられている第２の電極層５を有する。第２の電極層５は、第１の電極層４上に、Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＴｉ層が、この順序で設けられた積層金属膜である。第２の電極層５における上記各層の厚みは、上記の順序で、圧電基板２側のＴｉ層が１０ｎｍ、Ｐｔ層が５０ｎｍ、Ｔｉ層が１０ｎｍである。

なお、第１，第２の電極層４，５における各層の厚みは上記に限定されない。第１，第２の電極層４，５の材料も上記に限定されない。例えば、第１の電極層４は、圧電基板２側から、Ｔｉ層、Ａｌ層及びＭｏ層が、この順序で設けられた積層金属膜であってもよい。あるいは、第１の電極層４が、圧電基板２側から、Ｔｉ層、Ｃｕ層及びＴｉ層が、この順序で設けられた積層金属膜であり、かつ第２の電極層５が、第１の電極層４側から、Ｔｉ層、Ｃｕ層及びＴｉ層が、この順序で設けられた積層金属膜であってもよい。第１，第２の電極層４，５は、それぞれ単層の金属膜からなっていてもよい。

第１，第２の電極層４，５は、それぞれ側面部４ａ，５ａを有する。各側面部４ａ，５ａは、圧電基板２の法線方向に対して傾斜している。なお、各側面部４ａ，５ａは、圧電基板２の法線方向に対して傾斜していなくともよい。

本実施形態では、第２の電極層５は、図１に示す第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂに設けられており、中央領域Ａ１には設けられていない。それによって、中央領域Ａ１における音速よりも第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂの音速が遅い。

他方、第１の高音速部Ｂａには、複数の第１の電極指３ａ２が設けられており、第２の電極指３ｂ２は設けられていない。第２の高音速部Ｂｂには、複数の第２の電極指３ｂ２が設けられており、第１の電極指３ａ２は設けられていない。図２に示した第２の電極層５は、第１，第２の外部領域Ｂａ，Ｂｂには設けられていない。よって、第１，第２の外部領域Ｂａ，Ｂｂにおける音速は、中央領域Ａ１及び第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂの音速よりも速い。中央領域Ａ１の外側に第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂが設けられており、第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂの外側に第１，第２の高音速部Ｂａ，Ｂｂが設けられている。それによって、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。

なお、第２の電極層５が設けられている位置は、上記に限定されない。第２の電極層５は、ＩＤＴ電極３の少なくとも一部に設けられていればよく、例えば、第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂ以外の部分に設けられていてもよい。

弾性波装置１は、後述するように、リフトオフ法により製造することができる。本発明に係る弾性波装置１の製造方法によれば、ＩＤＴ電極３における第１，第２の電極層４，５間の位置精度を高くすることができる。これを、以下において説明する。

図３（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための平面図である。図４（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための、図３（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する断面図である。図５（ａ）〜（ｅ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための、図３（ａ）中のＩＩ−ＩＩ線に沿う部分に相当する断面図である。なお、図３（ｂ）においては、後述する第１のレジストパターン上に積層された第１の電極層用の金属膜を斜線のハッチングで示す。

図３（ａ）、図４（ａ）及び図５（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。次に、圧電基板２の主面２ａ上に、フォトリソグラフィ法により、第１のレジストパターン６Ａを形成する。ここで、レジストパターンとは、パターニングされたレジスト層である。

第１のレジストパターン６Ａは、後述する工程において、上記第１，第２のバスバー及び上記複数の第１，第２の電極指が形成される開口部を有する。図４（ａ）には、該開口部における、各第１，第２の電極指が形成される部分が示されている。図４（ａ）中の幅Ｗは、開口部における各第１，第２の電極指が形成される部分の、横断方向に沿う寸法である。第１のレジストパターン６Ａには、ネガ型レジストやイメージリバーサルレジストを用いることが好ましい。それによって、圧電基板２に近づくほど、幅Ｗが広くなるように、第１のレジストパターン６Ａの側面部が傾斜し易い。この場合には、後述する工程において、第１のレジストパターン６Ａを圧電基板２から剥離し易い。もっとも、第１のレジストパターン６Ａには、ポジ型レジストなどを用いてもよい。

次に、図４（ｂ）及び図５（ｂ）に示すように、圧電基板２の主面２ａ上及び第１のレジストパターン６Ａ上に、第１の電極層４用の金属膜を積層する。この金属膜は、本実施形態においては、複数の金属膜を積層することにより形成される積層金属膜である。より具体的には、複数の金属膜としての、ＮｉＣｒ層、Ｐｔ層、Ｔｉ層、Ａｌ層及びＴｉ層を、圧電基板２側からこの順序で積層する。上記複数の金属膜は、例えば、真空蒸着法により積層することができる。これにより、圧電基板２上に第１の電極層４が形成される。

次に、図３（ｂ）及び図５（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、第１の電極層４用の金属膜上に、複数の開口部６Ｂｃを有する第２のレジストパターン６Ｂを形成する。より具体的には、本実施形態では、第２のレジストパターン６Ｂは、図１に示した第１，第２の低音速部Ａ２ａ，Ａ２ｂに相当する部分に、開口部６Ｂｃを１つずつ有する。なお、開口部６Ｂｃの個数及び位置は上記に限定されず、第２の電極層を設ける位置により、開口部６Ｂｃの個数や位置を決定すればよい。

図３（ｂ）では、第１の電極層４用の金属膜における、第１のレジストパターン６Ａ上に積層された部分を強調して斜線のハッチングで示している。詳細は後述するが、図３（ｂ）中の斜線のハッチングで示すように、平面視したときに、第１のレジストパターン６Ａ上に積層された第１の電極層４用の金属膜が、各開口部６Ｂｃの内側に位置するように、第２のレジストパターン６Ｂを設けることが好ましい。

第２のレジストパターン６Ｂは、第１の電極層４用の金属膜上に積層されている。なお、第２のレジストパターン６Ｂは、圧電基板２上に直接積層された部分を有していてもよい。

次に、図４（ｃ）及び図５（ｄ）に示すように、第１の電極層４用の金属膜上及び第２のレジストパターン６Ｂ上に、第２の電極層５用の金属膜を積層する。本実施形態では、第２の電極層５用の金属膜は、積層金属膜である。複数の金属膜としての、Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＴｉ層を、この順序で積層する。上記複数の金属膜は、例えば、真空蒸着法により積層することができる。これにより、第１の電極層４上に第２の電極層５が形成される。

次に、第１，第２のレジストパターン６Ａ，６Ｂを、図４（ｄ）及び図５（ｅ）に示すように、圧電基板２から剥離する。これにより、図１に示した弾性波装置１を得ることができる。

本実施形態の特徴は、第１のレジストパターン６Ａが設けられた状態において、第２のレジストパターン６Ｂを形成することにある。平面視において、圧電基板２は、第１の電極層４が形成されている部分以外の部分は、第１のレジストパターン６Ａに覆われている。それによって、第１の電極層４の圧電基板２側とは反対側の面上に、第２の電極層５をより確実に形成することができる。加えて、第２の電極層５は第１の電極層４の側面部に至り難い。このように、第１，第２の電極層４，５間の位置精度を効果的に高めることができる。

ここで、電極指の横断方向に沿う寸法を電極指の幅とする。このとき、上記のように第１，第２の電極層４，５間の位置精度を高めることができるため、電極指の見かけ上の幅の精度を効果的に高めることができる。よって、周波数のずれが生じ難く、弾性波装置の特性の劣化を抑制することができる。

上述したように、第１の電極層４用の金属膜が、上記開口部６Ｂｃの内側に位置するように、第２のレジストパターン６Ｂを設けることが好ましい。この場合には、電極指の横断方向においては、第１のレジストパターン６Ａを用いて、第２の電極層５を形成することができる。それによって、第２の電極層５の側面部５ａにおける圧電基板２側の端部を、第１の電極層４の側面部４ａにおける第２の電極層５側の端部に効果的に近づけることができる。これにより、弾性波装置における横モードスプリアスの発生を効果的に抑制することができる。

図６（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。なお、図６（ａ）〜（ｄ）は、図３（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する断面図である。

本実施形態は、図６（ａ）に示すように、第１の電極層４用の金属膜上に、第１の電極層４用の金属膜よりも現像液により腐食され難い、保護膜１７を形成する工程を有する点において、第１の実施形態と異なる。なお、第１の電極層４用の金属膜を積層する工程の後であり、かつ第２のレジストパターンを形成する工程の前に、保護膜１７を形成する。本実施形態の上記以外の工程は、第１の実施形態における工程と同様である。

より具体的には、図４（ｂ）に示す、圧電基板２の第１の主面２ａ上に第１の電極層４用の金属膜を形成する工程までは、第１の実施形態と同様に行う。なお、本実施形態においては、第１の電極層４は、ＮｉＣｒ層、Ａｌ層を圧電基板２側から積層した積層金属膜からなる。上記各層の厚みは、ＮｉＣｒ層は１０ｎｍであり、Ａｌ層は５００ｎｍである。

次に、図６（ａ）に示すように、第１の電極層４用の金属膜上に、真空蒸着法などにより保護膜１７を形成する。保護膜１７は酸化ケイ素からなる酸化ケイ素層。なお、酸化ケイ素は、ＳｉＯ_ｘにより表すことができる。本実施形態においては、保護膜１７はＳｉＯ_２からなる。

次に、第１の実施形態と同様に、第２のレジストパターンを形成する。より具体的には、第２のレジストパターンを形成するに際し、圧電基板２の第１の主面２ａ上に、保護膜１７を覆うように、レジスト層を形成する。次に、該レジスト層を露光する。しかる後、現像液を用いて現像を行う。現像液には、適宜のアルカリ液などを用いることができる。これにより、第２のレジストパターンを形成することができる。

図６（ｂ）に示すように、第２のレジストパターン６Ｂは、圧電基板２上に、第１の電極層４と第１のレジストパターン６Ａとの間に位置するように形成される。ここで、第１のレジストパターン６Ａ上に形成された第１の電極層４用の金属層が、現像液により腐食されることがある。これに対して、保護膜１７は、上記現像に際し、腐食され難い。それによって、第２の電極層を形成するためのパターンを、保護膜１７により、より一層確実に形成することができる。

次に、図６（ｃ）に示すように、第１の電極層４用の金属層上に、保護膜１７を介して第２の電極層５用の金属膜を形成する。同時に、図５（ｄ）に示した工程と同様に第２のレジストパターン６Ｂ上にも第２の電極層５用の金属膜を形成する。本実施形態においては、第２の電極層５用の金属膜は、圧電基板２側から、Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＴｉ層が積層された積層金属膜である。上記各層の厚みは、圧電基板２側から、Ｔｉ層は１０ｎｍであり、Ｐｔ層は６０ｎｍであり、Ｔｉ層は１０ｎｍである。

次に、第１のレジストパターン６Ａ及び第２のレジストパターン６Ｂを、図６（ｄ）に示すように、圧電基板２から剥離する。

ここで、上述したように、第１のレジストパターン６Ａ上の第１の電極層４用の金属膜が現像液により腐食される場合がある。このとき、保護膜１７を形成していない場合には、第２の電極層５用の金属膜は、図６（ｃ）に示す工程において、第１の電極層４上から第２のレジストパターン６Ｂ上に至るように形成される傾向がある。この場合には、第２の電極層５にバリが生じるおそれがある。あるいは、図６（ｄ）に示す工程において第２の電極層５に剥がれが生じるおそれがある。あるいは、第２のレジストパターン６Ｂが現像により図６（ｂ）に示す場合よりも減退している場合や、第１の電極層４と第１のレジストパターン６Ａとの間からほぼ全て除去されている場合は、第２の電極層５が第１の電極層４の側面部に至るおそれもある。この場合には、第２の電極層５が形成された部分における電極指間距離が短くなる。

これに対して、本実施形態においては、保護膜１７を形成するため、第２の電極層を形成するためのパターンの形成不良は生じ難い。よって、図６（ｃ）に示す工程において、第２の電極層５用の金属膜は第１のレジストパターン６Ａ上や第１の電極層４の側面部には至り難い。従って、第２の電極層５の形成不良が生じ難い。電極指間距離が短くなることも生じ難い。

本実施形態においては、保護膜１７は酸化ケイ素からなる酸化ケイ素層である。そのため、保護膜１７は、第１の電極層４用の金属膜とは反対の符号の熱膨張係数を有する。上述したように、第１の電極層４用の金属膜及び保護膜１７は真空蒸着法により形成することができる。この真空蒸着後の冷却時において、保護膜１７が形成されていることにより、第１のレジストパターン６Ａ上に形成された第１の電極層４用の金属膜が反ることを抑制することができる。それによって、第２の電極層５の幅が広くなることや、第２の電極層５の幅のばらつきを抑制することができる。

なお、保護膜１７は金属層であってもよい。この場合には、第１の電極層４と第２の電極層５とは、保護膜１７を介して電気的に接続される。それによって、ＩＤＴ電極の電気抵抗を低くすることができる。例えば、保護膜１７はＴｉからなっていてもよい。

１…弾性波装置
２…圧電基板
２ａ…主面
３…ＩＤＴ電極
３ａ１，３ｂ１…第１，第２のバスバー
３ａ２，３ｂ２…第１，第２の電極指
４，５…第１，第２の電極層
４ａ，５ａ…側面部
６Ａ…第１のレジストパターン
６Ｂ…第２のレジストパターン
６Ｂｃ…開口部
１７…保護膜

Claims (10)

1. 少なくとも第１，第２の電極層を有するＩＤＴ電極が直接的または間接的に圧電体上に設けられた弾性波装置の製造方法であって、
   前記圧電体上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
   前記圧電体上及び前記第１のレジストパターン上に第１の電極層用の金属膜を積層する工程と、
   前記第１の電極層用の金属膜上に、開口部を有する第２のレジストパターンを形成する工程と、
   前記第１の電極層用の金属膜上及び前記第２のレジストパターン上に第２の電極層用の金属膜を積層する工程と、
   前記第１，第２のレジストパターンを剥離する工程と、
   を備える、弾性波装置の製造方法。
2. 前記第１の電極層用の金属膜及び前記第２の電極層用の金属膜のうち少なくとも一方が、複数の金属膜を積層することにより形成される積層金属膜である、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
3. 前記第２のレジストパターンを形成する工程において、平面視したときに、前記第１のレジストパターン上に積層された前記第１の電極層用の金属膜が、前記第２のレジストパターンの前記開口部の内側に位置するように、前記第２のレジストパターンを形成する、請求項１または２に記載の弾性波装置の製造方法。
4. 前記第１のレジストパターンが、ネガ型レジスト及びイメージリバーサルレジストのうち一方からなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
5. 前記第２のレジストパターンが、ネガ型レジスト及びイメージリバーサルレジストのうち一方からなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
6. 前記第１，第２の電極層を有するＩＤＴ電極が、対向し合っている、第１及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一端が接続されている、複数本の第１の電極指と、前記複数本の第１の電極指と間挿し合っており、かつ前記第２のバスバーに一端が接続されている、複数本の第２の電極指とを有し、
   前記ＩＤＴ電極において、前記第１及び第２の電極指が、弾性波伝搬方向から視たときに重なり合っている領域を交叉領域とし、
   前記交叉領域が、弾性波の音速が相対的に高い中央領域と、前記中央領域よりも音速が低くされており、前記中央領域の電極指の延びる方向における両端部に設けられた低音速部とを有し、
   前記第１の電極層用の金属膜上に前記第２の電極層用の金属膜を積層する工程において、前記低音速部における前記第１の電極層用の金属膜上に、前記第２の電極層用の金属膜を積層する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
7. 前記第１の電極層用の金属膜を積層する工程の後であり、かつ前記第２のレジストパターンを形成する工程の前に、前記第１の電極層用の金属膜上に、前記第１の電極層用の金属よりも現像液により腐食され難い、保護膜を形成する工程をさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
8. 前記保護膜が金属層である、請求項７に記載の弾性波装置の製造方法。
9. 前記保護膜がＴｉからなる、請求項８に記載の弾性波装置の製造方法。
10. 前記保護膜が酸化ケイ素からなる酸化ケイ素層である、請求項７〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。

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