JPS6320302B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6320302B2 JPS6320302B2 JP10913783A JP10913783A JPS6320302B2 JP S6320302 B2 JPS6320302 B2 JP S6320302B2 JP 10913783 A JP10913783 A JP 10913783A JP 10913783 A JP10913783 A JP 10913783A JP S6320302 B2 JPS6320302 B2 JP S6320302B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- zno
- sio
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 28
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
- C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/544—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/548—Controlling the composition
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、ZnOとSiO2の任意の混合比の膜
を得ることができるようにした薄膜の製造方法に
関する。
を得ることができるようにした薄膜の製造方法に
関する。
（従来技術）
従来、スパツタ装置によりZnOとSiO2の混合
膜を作成する場合第１図に示すように、アルゴン
プラズマ（以下Ar+プラズマ）１１が任意の混合
比のZnOとSiO2からなるターゲツト１２に衝突
し、その際、生じるスパツタ効果により、ターゲ
ツト物質であるZnO，SiO2がターゲツト１２よ
り放出され、基板１３上に付着して、ZnOと
SiO2の混合膜１４が作成される。
膜を作成する場合第１図に示すように、アルゴン
プラズマ（以下Ar+プラズマ）１１が任意の混合
比のZnOとSiO2からなるターゲツト１２に衝突
し、その際、生じるスパツタ効果により、ターゲ
ツト物質であるZnO，SiO2がターゲツト１２よ
り放出され、基板１３上に付着して、ZnOと
SiO2の混合膜１４が作成される。
この際基板１３上に付着するZnOとSiO2の混
合膜１４はターゲツト１２の混合比と関係があ
り、種々の混合比（ZnO／SiO2）の薄膜を作成
するには、それぞれの混合比に対応するターゲツ
ト１２を用意しなければならず、多数のターゲツ
トを用意するために、多額な費用がかかり、さら
に、それらのターゲツトを交換するために多額の
工数が必要であるという欠点があつた。
合膜１４はターゲツト１２の混合比と関係があ
り、種々の混合比（ZnO／SiO2）の薄膜を作成
するには、それぞれの混合比に対応するターゲツ
ト１２を用意しなければならず、多数のターゲツ
トを用意するために、多額な費用がかかり、さら
に、それらのターゲツトを交換するために多額の
工数が必要であるという欠点があつた。
（発明の目的）
この発明は、上記従来の欠点を解決するために
なされたもので、１種類の混合比の（ZnO／
SiO2）ターゲツトから任意の混合比の薄膜が作
成でき、工数の簡略と費用の削減を期することの
できる薄膜の製造方法を提供することを目的とす
る。
なされたもので、１種類の混合比の（ZnO／
SiO2）ターゲツトから任意の混合比の薄膜が作
成でき、工数の簡略と費用の削減を期することの
できる薄膜の製造方法を提供することを目的とす
る。
（発明の構成）
この発明の薄膜の製造方法は、酸化亜鉛と酸化
硅素を任意の混合比で混合したターゲツトと基板
間に高周波電圧を印加してこの両者間にAr+プラ
ズマを発生させ、このAr+プラズマにより上記タ
ーゲツトから酸化亜鉛と酸化硅素を放出させて上
記基板に酸化亜鉛と酸化硅素の混合薄膜を形成す
るとともに、Ar+プラズマに対してマイナスの直
流バイアス電圧を上記基板に印加して上記Ar+プ
ラズマにより上記混合薄膜を再スパツタリングす
ることにより、該混合薄膜の酸化亜鉛と酸化硅素
の混合比を制御することを特徴とするものであ
る。
硅素を任意の混合比で混合したターゲツトと基板
間に高周波電圧を印加してこの両者間にAr+プラ
ズマを発生させ、このAr+プラズマにより上記タ
ーゲツトから酸化亜鉛と酸化硅素を放出させて上
記基板に酸化亜鉛と酸化硅素の混合薄膜を形成す
るとともに、Ar+プラズマに対してマイナスの直
流バイアス電圧を上記基板に印加して上記Ar+プ
ラズマにより上記混合薄膜を再スパツタリングす
ることにより、該混合薄膜の酸化亜鉛と酸化硅素
の混合比を制御することを特徴とするものであ
る。
（実施例）
以下、この発明の薄膜の製造方法の実施例につ
いて図面に基づき説明する。第２図はその一実施
に適用されるスパツタ装置を示す図である。この
第２図において、２１は高周波電源であり、その
一方の電極はアースされ、他方の電極はターゲツ
ト２３に接続されている。
いて図面に基づき説明する。第２図はその一実施
に適用されるスパツタ装置を示す図である。この
第２図において、２１は高周波電源であり、その
一方の電極はアースされ、他方の電極はターゲツ
ト２３に接続されている。
ターゲツト２３はZnOとSiO2で構成され、基
板２４上に対向しており、この基板２４とターゲ
ツト２３間にAr+プラズマ２２が発生するように
なつている。基板２４上にZnOとSiO2の混合薄
膜２５が形成されるようになつている。
板２４上に対向しており、この基板２４とターゲ
ツト２３間にAr+プラズマ２２が発生するように
なつている。基板２４上にZnOとSiO2の混合薄
膜２５が形成されるようになつている。
基板２４はインダクタンス要素子L1を介して
直流バイアス電源２６の負極に接続されていると
ともに、コンデンサＣ１を介してアースされてい
る。直流バイアス電源２６の正極はアースされて
いる。このインダクタンス要素子Ｌ１とコンデン
サＣ１は高周波電源２１の高周波成分が直流バイ
アス電圧に印加するのを阻止するためのフイルタ
である。
直流バイアス電源２６の負極に接続されていると
ともに、コンデンサＣ１を介してアースされてい
る。直流バイアス電源２６の正極はアースされて
いる。このインダクタンス要素子Ｌ１とコンデン
サＣ１は高周波電源２１の高周波成分が直流バイ
アス電圧に印加するのを阻止するためのフイルタ
である。
次に、この第２図に示すスパツタ装置により、
この発明の薄膜の製造方法について説明する。
ZnOとSiO2の混合薄膜２５を基板２４上に作成
させるためにはまず高周波電源２１によりAr+プ
ラズマ２２を発生させる。そのAr+プラズマ２２
はターゲツト２３と衝突する際に生じるスパツタ
効果により、ターゲツト２３の構成物質である
ZnOとSiO2を放出する。
この発明の薄膜の製造方法について説明する。
ZnOとSiO2の混合薄膜２５を基板２４上に作成
させるためにはまず高周波電源２１によりAr+プ
ラズマ２２を発生させる。そのAr+プラズマ２２
はターゲツト２３と衝突する際に生じるスパツタ
効果により、ターゲツト２３の構成物質である
ZnOとSiO2を放出する。
次に放出されたZnOとSiO2はAr+プラズマ２２
中を通過した後、基板２４の表面に付着しZnOと
SiO2の混合薄膜２５を形成する。
中を通過した後、基板２４の表面に付着しZnOと
SiO2の混合薄膜２５を形成する。
また、Ar+プラズマ２２のAr+イオンは基板２
４に印加した負の直流バイアス電圧により、基板
２４の表面にも入射し、基板２４の表面に付着し
た混合薄膜（ZnO／SiO2）２５を再びスパツタ
効果により放出する。この効果をここでは再スパ
ツタ効果と定義する。
４に印加した負の直流バイアス電圧により、基板
２４の表面にも入射し、基板２４の表面に付着し
た混合薄膜（ZnO／SiO2）２５を再びスパツタ
効果により放出する。この効果をここでは再スパ
ツタ効果と定義する。
この再スパツタ効果が生じる割合、すなわち一
定量のAr+プラズマ２２が基板２４の表面に単位
エネルギで入射した場合の基板表面の薄膜構成物
質が再スパツタされる割合は、物質により異な
り、その物質特有のものである。
定量のAr+プラズマ２２が基板２４の表面に単位
エネルギで入射した場合の基板表面の薄膜構成物
質が再スパツタされる割合は、物質により異な
り、その物質特有のものである。
第３図はターゲツト２３にZnOを用いた場合の
基板２４の表面に付着するZnO薄膜の膜厚と付着
時間の関係の一例を示すものである。同図より、
ZnOの付着する速度は約145Å／分である。
基板２４の表面に付着するZnO薄膜の膜厚と付着
時間の関係の一例を示すものである。同図より、
ZnOの付着する速度は約145Å／分である。
第４図は第３図と同条件でターゲツトにSiO2
を用いた場合のSiO2膜の膜厚と付着時間の関係
の一例を示すものである。同図より、SiO2の付
着する速度は約66Å／分である。なお、第４図で
はスパツタ電源としての高周波電源２１は、
13.56MHz，250Wのものを使用した場合を示して
いる。
を用いた場合のSiO2膜の膜厚と付着時間の関係
の一例を示すものである。同図より、SiO2の付
着する速度は約66Å／分である。なお、第４図で
はスパツタ電源としての高周波電源２１は、
13.56MHz，250Wのものを使用した場合を示して
いる。
第３図、第４図より、ZnOとSiO2が付着する
割合dZnO／dSiO2＝2.2となる。この値は、同じ
エネルギ同数のAr+プラズマが入射した場合、
SiO2に比較して、ZnOが2.2倍スパツタされるこ
とを示している。また、この関係は基板２４の上
で行なわれる再スパツタ効果でも同様になりた
つ。
割合dZnO／dSiO2＝2.2となる。この値は、同じ
エネルギ同数のAr+プラズマが入射した場合、
SiO2に比較して、ZnOが2.2倍スパツタされるこ
とを示している。また、この関係は基板２４の上
で行なわれる再スパツタ効果でも同様になりた
つ。
さらに、同一物質が再スパツタされる割合は、
基板に印加する直流バイアス電圧の大きさに比例
することは明白である。したがつて再スパツタ効
果の大きさは基板に印加するバイアス電圧によつ
て制御できることが明白である。
基板に印加する直流バイアス電圧の大きさに比例
することは明白である。したがつて再スパツタ効
果の大きさは基板に印加するバイアス電圧によつ
て制御できることが明白である。
これにより、基板２４上に形成される混合薄膜
２５の混合比（ZnO／SiO2）は基板２４に印加
するバイアス電圧により制御が可能となる。
２５の混合比（ZnO／SiO2）は基板２４に印加
するバイアス電圧により制御が可能となる。
以上のように、第１の実施例では、基板２４に
印加するバイアス電圧により基板２４上に形成さ
れる混合薄膜２５の混合比（ZnO／SiO2）が任
意に制御できるため、次のように利点がある。
印加するバイアス電圧により基板２４上に形成さ
れる混合薄膜２５の混合比（ZnO／SiO2）が任
意に制御できるため、次のように利点がある。
(1) 混合薄膜２５の混合比（ZnO／SiO2）がバ
イアス電圧により制御できるため、従来のよう
に要求される混合比の種類だけターゲツト２３
を用意する必要がなくなり、費用の面で有利と
なる。
イアス電圧により制御できるため、従来のよう
に要求される混合比の種類だけターゲツト２３
を用意する必要がなくなり、費用の面で有利と
なる。
(2) 要求される混合薄膜２５の混合比に対応する
ターゲツト２３を作る必要がないため、ターゲ
ツト２３を作る工数が省略できる。
ターゲツト２３を作る必要がないため、ターゲ
ツト２３を作る工数が省略できる。
(3) ターゲツト２３により混合薄膜の混合比
（ZnO／SiO2）が決定されていた従来法は混合
比がデイジタルで変化したのに対して、この発
明では、アナログで混合比の制御が可能とな
り、より精密な制御が可能となる。
（ZnO／SiO2）が決定されていた従来法は混合
比がデイジタルで変化したのに対して、この発
明では、アナログで混合比の制御が可能とな
り、より精密な制御が可能となる。
なお、基板温度により再スパツタリング条件が
異なるが、基板を積極的に加熱する場合を除い
て、基板表面の温度はArプラズマの副射熱によ
りほぼ決定される。Arプラズマを発生させるの
に必要な高周波電流を任意の値に決めれば、基板
表面温度はバイアス電圧に関係なく一定となるた
め、バイアス電圧により膜厚（組成）を制御する
ことが可能である。
異なるが、基板を積極的に加熱する場合を除い
て、基板表面の温度はArプラズマの副射熱によ
りほぼ決定される。Arプラズマを発生させるの
に必要な高周波電流を任意の値に決めれば、基板
表面温度はバイアス電圧に関係なく一定となるた
め、バイアス電圧により膜厚（組成）を制御する
ことが可能である。
本発明者は、上記この発明について実験を行つ
ている。すなわち、高周波電源13.56MHz，250W
で、ターゲツトにZnO／SiO2＝１：３の焼結体
を用いてスパツタを行つた。基板は加熱せずにお
き、通常のスパツタ装置による基板の水冷のみ行
つた。
ている。すなわち、高周波電源13.56MHz，250W
で、ターゲツトにZnO／SiO2＝１：３の焼結体
を用いてスパツタを行つた。基板は加熱せずにお
き、通常のスパツタ装置による基板の水冷のみ行
つた。
また、基板にGaAs基板を用い、基板へのバイ
アス電圧のみをパラメータとして膜形成を行つ
た。膜厚は5000Å、基板とターゲツト間隔は250
mm、基板の大きさは２インチ径の円形、ターゲツ
トは約10cmの円形であり、チエンバ内圧力は2.5
×10-3torrである。膜を形成したGaAs基板をN2
雰囲気の電気炉により加熱した。加熱により、膜
中のZnがGaAs基板中に拡散する。拡散する深さ
は、加熱時間と温度、膜厚が一定ならば、膜中の
Zn濃度と単純に比例する。加熱温度660℃、時間
１時間の場合、バイアス電圧を印加しない膜を用
いた基板では拡散深さ1.6μｍであつたのに対し
て、バイアス電圧を−60V印加すると拡散深さ
1.4μｍ、−90V印加すると1.3μｍであつた。したが
つて、バイアス電圧により拡散深さが制御でき、
それは膜組成を制御できていたことを示してい
る。
アス電圧のみをパラメータとして膜形成を行つ
た。膜厚は5000Å、基板とターゲツト間隔は250
mm、基板の大きさは２インチ径の円形、ターゲツ
トは約10cmの円形であり、チエンバ内圧力は2.5
×10-3torrである。膜を形成したGaAs基板をN2
雰囲気の電気炉により加熱した。加熱により、膜
中のZnがGaAs基板中に拡散する。拡散する深さ
は、加熱時間と温度、膜厚が一定ならば、膜中の
Zn濃度と単純に比例する。加熱温度660℃、時間
１時間の場合、バイアス電圧を印加しない膜を用
いた基板では拡散深さ1.6μｍであつたのに対し
て、バイアス電圧を−60V印加すると拡散深さ
1.4μｍ、−90V印加すると1.3μｍであつた。したが
つて、バイアス電圧により拡散深さが制御でき、
それは膜組成を制御できていたことを示してい
る。
（発明の効果）
以上のように、この発明の薄膜の製造方法によ
れば、酸化亜鉛と酸化硅素を任意の混合比で混合
したターゲツトと基板間に高周波電圧を印加し
て、このターゲツトと基板間にAr+プラズマを生
成させ、このプラズマによりターゲツトから酸化
亜鉛と酸化硅素を放出させて基板上に混合薄膜を
形成するとともに、この混合薄膜に上記Ar+プラ
ズマにより再スパツタリングを行なうようにした
ので、１種類の混合比（ZnO／SiO2）のターゲ
ツトから、要求される混合比（ZnO／SiO2）の
薄膜が任意に作成できる利点がある。これにより
種々な混合比が要求される製造工程に利用するこ
とができる。
れば、酸化亜鉛と酸化硅素を任意の混合比で混合
したターゲツトと基板間に高周波電圧を印加し
て、このターゲツトと基板間にAr+プラズマを生
成させ、このプラズマによりターゲツトから酸化
亜鉛と酸化硅素を放出させて基板上に混合薄膜を
形成するとともに、この混合薄膜に上記Ar+プラ
ズマにより再スパツタリングを行なうようにした
ので、１種類の混合比（ZnO／SiO2）のターゲ
ツトから、要求される混合比（ZnO／SiO2）の
薄膜が任意に作成できる利点がある。これにより
種々な混合比が要求される製造工程に利用するこ
とができる。
第１図は従来の薄膜の製造方法を説明するため
の模式図、第２図はこの発明の薄膜の製造方法の
一実施例を説明するための模式図、第３図は、タ
ーゲツトにZnOを用いた場合の基板表面に付着す
るZnO薄膜の膜厚と付着時間の関係の一例を示す
図、第４図は第３図と同条件で、ターゲツトに
SiO2を用いた場合のSiO2薄膜の膜厚と付着時間
の関係の一例を示す図である。 ２１…高周波電源、２２…Ar+プラズマ、２３
…ターゲツト、２４…基板、２５…薄膜、２６…
直流バイアス電圧。
の模式図、第２図はこの発明の薄膜の製造方法の
一実施例を説明するための模式図、第３図は、タ
ーゲツトにZnOを用いた場合の基板表面に付着す
るZnO薄膜の膜厚と付着時間の関係の一例を示す
図、第４図は第３図と同条件で、ターゲツトに
SiO2を用いた場合のSiO2薄膜の膜厚と付着時間
の関係の一例を示す図である。 ２１…高周波電源、２２…Ar+プラズマ、２３
…ターゲツト、２４…基板、２５…薄膜、２６…
直流バイアス電圧。
Claims (1)
- １ 酸化亜鉛と酸化硅素を任意の混合比で混合し
たターゲツトと基板間に高周波電圧を印加してこ
の両者間にAr+プラズマを発生させ、このAr+プ
ラズマにより上記ターゲツトから酸化亜鉛と酸化
硅素を放出させて上記基板に酸化亜鉛と酸化硅素
の混合薄膜を形成するとともに、Ar+プラズマに
対してマイナスの直流バイアス電圧を上記基板に
印加して上記Ar+プラズマにより上記混合薄膜を
再スパツタリングすることにより、該混合薄膜の
酸化亜鉛と酸化硅素の混合比を制御することを特
徴とする薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10913783A JPS602663A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10913783A JPS602663A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS602663A JPS602663A (ja) | 1985-01-08 |
| JPS6320302B2 true JPS6320302B2 (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=14502525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10913783A Granted JPS602663A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602663A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105303B2 (ja) * | 1985-02-25 | 1995-11-13 | 株式会社東芝 | 薄膜形成方法 |
| JPS62287071A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Tadahiro Omi | 薄膜の形成装置および形成方法 |
| US9051211B2 (en) | 2004-04-27 | 2015-06-09 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Effects of methods of manufacturing sputtering targets on characteristics of coatings |
| JP2007238107A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Kyodo Printing Co Ltd | 開封補助帯 |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP10913783A patent/JPS602663A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS602663A (ja) | 1985-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0255934B2 (ja) | ||
| JPS6320302B2 (ja) | ||
| JP2579470B2 (ja) | 窒化物の薄膜抵抗体製造方法 | |
| JP3639453B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造装置およびこれを用いた化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2001073131A (ja) | 銅薄膜製造方法、及びその方法に用いるスパッタ装置 | |
| JPH09302464A (ja) | 高周波スパッタ装置および複合酸化物の薄膜形成方法 | |
| JP3506782B2 (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| JPS61292817A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JP3727693B2 (ja) | ＴｉＮ膜製造方法 | |
| JPH048506B2 (ja) | ||
| JPH0314906B2 (ja) | ||
| JPH05166726A (ja) | 化合物薄膜の製造方法 | |
| JPS6021223B2 (ja) | 透明電導性プラスチツクの製造方法 | |
| JPS61294714A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JPS628408A (ja) | 改良されたスパツタリング法 | |
| JPH06158301A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS6320377B2 (ja) | ||
| JPS6277477A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0238926Y2 (ja) | ||
| JP3444621B2 (ja) | 誘電体薄膜の形成方法 | |
| JPS6016087B2 (ja) | 微粒子抵抗膜素子の製造方法 | |
| JPS59170266A (ja) | 酸化反応性スパツタ方法 | |
| JPH0373632B2 (ja) | ||
| JPH01234558A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JPH0243357A (ja) | 超伝導薄膜の製造方法 |