JP2000328240A - 光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法Info
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- JP2000328240A JP2000328240A JP11141409A JP14140999A JP2000328240A JP 2000328240 A JP2000328240 A JP 2000328240A JP 11141409 A JP11141409 A JP 11141409A JP 14140999 A JP14140999 A JP 14140999A JP 2000328240 A JP2000328240 A JP 2000328240A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリングにより希土類元素の濃度が均
一な光磁気記録媒体膜を形成するためのターゲットおよ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 中心から半径方向に向かって希土類元素
含有量が増加する濃度勾配を形成するように希土類元素
含有量の異なる燒結リング状ターゲットを同心円状に一
体的に燒結接合した希土類元素を主成分とするターゲッ
トであって、前記燒結リング状ターゲットの隣接接合部
は、相互に隣接する燒結リング状ターゲットの希土類元
素含有量の中間の含有組成を有する希土類元素を主成分
とする燒結体で構成されており、前記リング状ターゲッ
トが同心円状に燒結接合したターゲットの最外周部の希
土類元素含有量と中心部の希土類元素含有量の差は０．
３〜１．５原子％の範囲内にある光磁気記録媒体膜形成
用スパッタリングターゲット。
一な光磁気記録媒体膜を形成するためのターゲットおよ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 中心から半径方向に向かって希土類元素
含有量が増加する濃度勾配を形成するように希土類元素
含有量の異なる燒結リング状ターゲットを同心円状に一
体的に燒結接合した希土類元素を主成分とするターゲッ
トであって、前記燒結リング状ターゲットの隣接接合部
は、相互に隣接する燒結リング状ターゲットの希土類元
素含有量の中間の含有組成を有する希土類元素を主成分
とする燒結体で構成されており、前記リング状ターゲッ
トが同心円状に燒結接合したターゲットの最外周部の希
土類元素含有量と中心部の希土類元素含有量の差は０．
３〜１．５原子％の範囲内にある光磁気記録媒体膜形成
用スパッタリングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、希土類元素が膜
全体にわたって均一な組成を有する光磁気記録媒体膜を
形成することのできるスパッタリングターゲットおよび
その製造方法に関するものであり、特に希土類元素が膜
全体にわたって均一な組成を有する光磁気記録媒体膜を
パーティクルの発生を抑制しながら形成することのでき
るスパッタリングターゲットおよびその製造方法に関す
るものである
全体にわたって均一な組成を有する光磁気記録媒体膜を
形成することのできるスパッタリングターゲットおよび
その製造方法に関するものであり、特に希土類元素が膜
全体にわたって均一な組成を有する光磁気記録媒体膜を
パーティクルの発生を抑制しながら形成することのでき
るスパッタリングターゲットおよびその製造方法に関す
るものである
【０００２】
【従来の技術】従来、希土類元素を主成分として含有す
る光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットと
して、（イ）Ｔｂ，Ｇｄ，ＤｙおよびＮｄなどの希土類
元素：１０〜５０原子％を含有し、残部：遷移金属から
なる組成を有する光磁気記録媒体膜形成用スパッタリン
グターゲット、または（ロ）希土類元素：１０〜５０原
子％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，ＡｌおよびＴａ
の内の１種または２種以上：０．１〜２０原子％を含有
し、残部：遷移金属からなる組成を有する光磁気記録媒
体膜形成用スパッタリングターゲットが知られている。
る光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットと
して、（イ）Ｔｂ，Ｇｄ，ＤｙおよびＮｄなどの希土類
元素：１０〜５０原子％を含有し、残部：遷移金属から
なる組成を有する光磁気記録媒体膜形成用スパッタリン
グターゲット、または（ロ）希土類元素：１０〜５０原
子％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，ＡｌおよびＴａ
の内の１種または２種以上：０．１〜２０原子％を含有
し、残部：遷移金属からなる組成を有する光磁気記録媒
体膜形成用スパッタリングターゲットが知られている。
【０００３】これら組成を有するターゲットは、片面を
銅のバッキングプレートに接着し、この接着したターゲ
ットをスパッタ装置に設置し、プラズマを発生させつつ
スパッタリングを行い、ガラスまたは樹脂からなる基板
の表面に光磁気記録媒体膜を形成する。
銅のバッキングプレートに接着し、この接着したターゲ
ットをスパッタ装置に設置し、プラズマを発生させつつ
スパッタリングを行い、ガラスまたは樹脂からなる基板
の表面に光磁気記録媒体膜を形成する。
【０００４】この従来の希土類元素を主成分とするター
ゲットを用いてスパッタリングにより光磁気記録媒体膜
を形成すると、得られた光磁気記録媒体膜の中央部と周
辺部とでは希土類元素の含有量が相違し、光磁気記録媒
体膜の周辺部の希土類元素含有量は中央部の希土類元素
含有量に比べて大きくなり、全体が均一な希土類元素の
含有量を有する光磁気記録媒体膜は得られなかった。そ
の原因は、従来の希土類元素を含有する平面円盤状ター
ゲットを用いてスパッタリングすると、希土類元素は、
内側から外周部に向かって飛散する性質があり、そのた
めに、スパッタして得られた光磁気記録媒体膜周辺部の
希土類元素含有量は中央部の希土類元素含有量よりも多
くなると考えられている。基板に形成された光磁気記録
媒体膜の希土類元素の含有量が中央部と周辺部に±０．
５原子％以上のばらつきがあると、ディスクとしての特
性に重大な影響を及ぼすので好ましくない。かかる光磁
気記録媒体膜の希土類元素の不均一性並びにばらつきを
防止するために、ターゲットに含まれる希土類元素含有
量を場所によって増減させ、均一な光磁気記録媒体膜を
形成する方法が提案されている。例えば、特開昭６２−
８６１５９号公報には、図７の一部切欠き斜視図に示さ
れるように、それぞれ希土類元素含有量が相対的に少な
い合金円板１１および希土類元素含有量が相対的に多い
合金リング１２を同心円状に組み合わせ、これを裏板１
３に接合して一体化したターゲットおよびその製造方法
が記載されている。
ゲットを用いてスパッタリングにより光磁気記録媒体膜
を形成すると、得られた光磁気記録媒体膜の中央部と周
辺部とでは希土類元素の含有量が相違し、光磁気記録媒
体膜の周辺部の希土類元素含有量は中央部の希土類元素
含有量に比べて大きくなり、全体が均一な希土類元素の
含有量を有する光磁気記録媒体膜は得られなかった。そ
の原因は、従来の希土類元素を含有する平面円盤状ター
ゲットを用いてスパッタリングすると、希土類元素は、
内側から外周部に向かって飛散する性質があり、そのた
めに、スパッタして得られた光磁気記録媒体膜周辺部の
希土類元素含有量は中央部の希土類元素含有量よりも多
くなると考えられている。基板に形成された光磁気記録
媒体膜の希土類元素の含有量が中央部と周辺部に±０．
５原子％以上のばらつきがあると、ディスクとしての特
性に重大な影響を及ぼすので好ましくない。かかる光磁
気記録媒体膜の希土類元素の不均一性並びにばらつきを
防止するために、ターゲットに含まれる希土類元素含有
量を場所によって増減させ、均一な光磁気記録媒体膜を
形成する方法が提案されている。例えば、特開昭６２−
８６１５９号公報には、図７の一部切欠き斜視図に示さ
れるように、それぞれ希土類元素含有量が相対的に少な
い合金円板１１および希土類元素含有量が相対的に多い
合金リング１２を同心円状に組み合わせ、これを裏板１
３に接合して一体化したターゲットおよびその製造方法
が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記特開昭６
２−８６１５９号公報に記載のターゲットを用いてスパ
ッタリングすると、希土類元素含有量の場所によるばら
つきの少ない均一な光磁気記録媒体膜が得られるもの
の、パーティクルの発生が多く、実用にはならないいう
問題点があった。
２−８６１５９号公報に記載のターゲットを用いてスパ
ッタリングすると、希土類元素含有量の場所によるばら
つきの少ない均一な光磁気記録媒体膜が得られるもの
の、パーティクルの発生が多く、実用にはならないいう
問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、希土類元
素含有量が全体にわたって均一な組成の光磁気記録媒体
膜をパーティクルの発生が少なく形成することのできる
スパッタリングターゲットを製造すべく研究を行なった
ところ、（ａ） 前記従来のターゲットは、希土類元素
含有量が異なる円盤状ターゲットとリング状ターゲット
を同心円状に機械的に組み合わせたものであり、円盤状
ターゲットとリング状ターゲット相互の隣接接合部は機
械的に接触しているだけであって微小な隙間が存在し、
かかる微細な隙間の存在によりパーティクルが多く発生
する、（ｂ）したがって、隙間のないターゲットを作る
ことによりパーティクルの発生を少なくすることができ
ることがわかったが、隙間のないターゲットを作るに
は、 図１の斜視図に示されるようなホットプレスモー
ルド１およびリング枠２を用意し、リング枠２をホット
プレスモールド１内の空間の中心にセットしてホットプ
レスモールド内の空間を同心円状に区画し、ついで図２
の斜視図に示されるように、リング枠２内中心部空間２
０に希土類元素含有量の相対的に少ない原料粉末３を充
填し、一方、リング枠２とホットプレスモールド１との
間の周辺部空間１０に希土類元素含有量の相対的に多い
原料粉末４を充填し、前記リング枠２を除去し、充填し
た原料粉末の表面を平坦化したのちホットプレスするこ
とにより得られる、（ｃ）このようにして得られたター
ゲットは、中心から半径方向に向かって希土類元素含有
量が増加する濃度勾配を有しかつ隙間のない燒結一体型
のターゲットであり、このターゲットを用いてスパッタ
リングすると、希土類元素含有量が全体にわたって均一
な組成を有する光磁気記録媒体膜が得られ、かつパーテ
ィクルの発生が少ない、などのという知見を得たのであ
る。
素含有量が全体にわたって均一な組成の光磁気記録媒体
膜をパーティクルの発生が少なく形成することのできる
スパッタリングターゲットを製造すべく研究を行なった
ところ、（ａ） 前記従来のターゲットは、希土類元素
含有量が異なる円盤状ターゲットとリング状ターゲット
を同心円状に機械的に組み合わせたものであり、円盤状
ターゲットとリング状ターゲット相互の隣接接合部は機
械的に接触しているだけであって微小な隙間が存在し、
かかる微細な隙間の存在によりパーティクルが多く発生
する、（ｂ）したがって、隙間のないターゲットを作る
ことによりパーティクルの発生を少なくすることができ
ることがわかったが、隙間のないターゲットを作るに
は、 図１の斜視図に示されるようなホットプレスモー
ルド１およびリング枠２を用意し、リング枠２をホット
プレスモールド１内の空間の中心にセットしてホットプ
レスモールド内の空間を同心円状に区画し、ついで図２
の斜視図に示されるように、リング枠２内中心部空間２
０に希土類元素含有量の相対的に少ない原料粉末３を充
填し、一方、リング枠２とホットプレスモールド１との
間の周辺部空間１０に希土類元素含有量の相対的に多い
原料粉末４を充填し、前記リング枠２を除去し、充填し
た原料粉末の表面を平坦化したのちホットプレスするこ
とにより得られる、（ｃ）このようにして得られたター
ゲットは、中心から半径方向に向かって希土類元素含有
量が増加する濃度勾配を有しかつ隙間のない燒結一体型
のターゲットであり、このターゲットを用いてスパッタ
リングすると、希土類元素含有量が全体にわたって均一
な組成を有する光磁気記録媒体膜が得られ、かつパーテ
ィクルの発生が少ない、などのという知見を得たのであ
る。
【０００７】この発明は、かかる知見に基づいてなされ
たものであって、（１）中心から半径方向に向かって希
土類元素含有量が増加する濃度勾配を形成するように希
土類元素含有量の異なる燒結リング状ターゲットを同心
円状に一体的に燒結接合した希土類元素を主成分とする
ターゲットであって、前記燒結リング状ターゲットの隣
接接合部は、相互に隣接する燒結リング状ターゲットの
希土類元素含有量の中間の含有組成を有する希土類元素
を主成分とする燒結体で構成されている光磁気記録媒体
膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するも
のである。
たものであって、（１）中心から半径方向に向かって希
土類元素含有量が増加する濃度勾配を形成するように希
土類元素含有量の異なる燒結リング状ターゲットを同心
円状に一体的に燒結接合した希土類元素を主成分とする
ターゲットであって、前記燒結リング状ターゲットの隣
接接合部は、相互に隣接する燒結リング状ターゲットの
希土類元素含有量の中間の含有組成を有する希土類元素
を主成分とする燒結体で構成されている光磁気記録媒体
膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するも
のである。
【０００８】前記燒結リング状ターゲットが同心円状に
一体的に燒結接合したターゲットの最外周部の希土類元
素含有量と中心部の希土類元素含有量の差は０．３〜
１．５原子％の範囲内にあることが好ましい。その理由
はターゲットの中心部と最外周部の希土類元素含有量の
差が０．３原子％未満でもまた１．５原子％を越えても
スパッタリングしたときに光磁気記録媒体膜の中心部と
外周部との希土類元素含有量の差が０．５原子％よりも
多くなるので好ましくないからである。
一体的に燒結接合したターゲットの最外周部の希土類元
素含有量と中心部の希土類元素含有量の差は０．３〜
１．５原子％の範囲内にあることが好ましい。その理由
はターゲットの中心部と最外周部の希土類元素含有量の
差が０．３原子％未満でもまた１．５原子％を越えても
スパッタリングしたときに光磁気記録媒体膜の中心部と
外周部との希土類元素含有量の差が０．５原子％よりも
多くなるので好ましくないからである。
【０００９】したがって、この発明は、（２）中心から
半径方向に向かって希土類元素含有量が増加する濃度勾
配を形成するように希土類元素含有量の異なる燒結リン
グ状ターゲットを同心円状に一体的に燒結接合した希土
類元素を主成分とするターゲットであって、前記燒結リ
ング状ターゲットの隣接接合部は、相互に隣接する燒結
リング状ターゲットの希土類元素含有量の中間の含有組
成を有する希土類元素を主成分とする燒結体で構成され
ており、前記リング状ターゲットが同心円状に燒結接合
したターゲットの最外周部の希土類元素含有量と中心部
の希土類元素含有量の差は０．３〜１．５原子％の範囲
内にある光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲ
ット、に特徴を有するものである。
半径方向に向かって希土類元素含有量が増加する濃度勾
配を形成するように希土類元素含有量の異なる燒結リン
グ状ターゲットを同心円状に一体的に燒結接合した希土
類元素を主成分とするターゲットであって、前記燒結リ
ング状ターゲットの隣接接合部は、相互に隣接する燒結
リング状ターゲットの希土類元素含有量の中間の含有組
成を有する希土類元素を主成分とする燒結体で構成され
ており、前記リング状ターゲットが同心円状に燒結接合
したターゲットの最外周部の希土類元素含有量と中心部
の希土類元素含有量の差は０．３〜１．５原子％の範囲
内にある光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲ
ット、に特徴を有するものである。
【００１０】この発明の光磁気記録媒体膜形成用スパッ
タリングターゲットの製造方法について、図３〜５を用
いて一層具体的に説明する。図３〜５は、この発明の光
磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを製造
するための工程断面図であり、図３は図２のＡ−Ａ断面
図である。図３に示されるように、リング枠２内空間に
希土類元素含有量の相対的に少ない原料粉末３を充填
し、一方、リング枠２とホットプレスモールド１との間
の空間に希土類元素含有量の相対的に多い原料粉末４を
充填する。次に、図４に示されるように、前記リング枠
２を上方向に引き上げて除去し、空間５を形成した後、
図５に示されるように、充填した原料粉末に振動などを
与えてその表面を平坦化する。前記充填した原料粉末に
振動などを与えてその表面を平坦化すると同時に前記形
成された空間５に希土類元素含有量の相対的に少ない原
料粉末３と希土類元素含有量の相対的に多い原料粉末４
とが空間５になだれ込み、混ざり合って原料粉末３と原
料粉末４の中間の希土類元素含有量を有する境界混合粉
末域６を形成する。この状態でホットプレスすると、前
記境界混合粉末域６は燒結されて隣接接合部を形成し、
希土類元素含有量の異なる燒結リング状ターゲットを同
心円状に一体的に燒結接合した希土類元素を主成分とす
るターゲットが得られる得られる。
タリングターゲットの製造方法について、図３〜５を用
いて一層具体的に説明する。図３〜５は、この発明の光
磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを製造
するための工程断面図であり、図３は図２のＡ−Ａ断面
図である。図３に示されるように、リング枠２内空間に
希土類元素含有量の相対的に少ない原料粉末３を充填
し、一方、リング枠２とホットプレスモールド１との間
の空間に希土類元素含有量の相対的に多い原料粉末４を
充填する。次に、図４に示されるように、前記リング枠
２を上方向に引き上げて除去し、空間５を形成した後、
図５に示されるように、充填した原料粉末に振動などを
与えてその表面を平坦化する。前記充填した原料粉末に
振動などを与えてその表面を平坦化すると同時に前記形
成された空間５に希土類元素含有量の相対的に少ない原
料粉末３と希土類元素含有量の相対的に多い原料粉末４
とが空間５になだれ込み、混ざり合って原料粉末３と原
料粉末４の中間の希土類元素含有量を有する境界混合粉
末域６を形成する。この状態でホットプレスすると、前
記境界混合粉末域６は燒結されて隣接接合部を形成し、
希土類元素含有量の異なる燒結リング状ターゲットを同
心円状に一体的に燒結接合した希土類元素を主成分とす
るターゲットが得られる得られる。
【００１１】したがって、この発明は、（３）ホットプ
レスモールドにリング枠を装入してリングによりホット
プレスモールド内の空間を同心円状に区画し、この区画
されたホットプレスモールド空間内に中心から半径方向
に向かうほど希土類元素含有量の多い原料粉末を充填し
た後、前記リング枠を除去し、充填した原料粉末の表面
を平坦化したのち、ホットプレスする光磁気記録媒体膜
形成用スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を
有するものである。
レスモールドにリング枠を装入してリングによりホット
プレスモールド内の空間を同心円状に区画し、この区画
されたホットプレスモールド空間内に中心から半径方向
に向かうほど希土類元素含有量の多い原料粉末を充填し
た後、前記リング枠を除去し、充填した原料粉末の表面
を平坦化したのち、ホットプレスする光磁気記録媒体膜
形成用スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を
有するものである。
【００１２】図３において、リング枠２内の空間に希土
類元素含有量の相対的に少ない原料粉末３を充填し、一
方、リング枠２とホットプレスモールド１との間の空間
に希土類元素含有量の相対的に多い原料粉末４を充填す
るに際し、原料粉末３の希土類元素含有量と原料粉末４
の希土類元素含有量の差は、０．３〜１．５原子％の範
囲内にあることが必要である。したがって、この発明
は、（４）前記同心円状に区画されたホットプレスモー
ルド内の最外周空間に充填する原料粉末は、前記ホット
プレスモールド内の中心部空間に充填する原料粉末より
も希土類元素含有量が０．３〜１．５原子％多い組成の
原料粉末である（３）記載の光磁気記録媒体膜形成用ス
パッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するも
のである。
類元素含有量の相対的に少ない原料粉末３を充填し、一
方、リング枠２とホットプレスモールド１との間の空間
に希土類元素含有量の相対的に多い原料粉末４を充填す
るに際し、原料粉末３の希土類元素含有量と原料粉末４
の希土類元素含有量の差は、０．３〜１．５原子％の範
囲内にあることが必要である。したがって、この発明
は、（４）前記同心円状に区画されたホットプレスモー
ルド内の最外周空間に充填する原料粉末は、前記ホット
プレスモールド内の中心部空間に充填する原料粉末より
も希土類元素含有量が０．３〜１．５原子％多い組成の
原料粉末である（３）記載の光磁気記録媒体膜形成用ス
パッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するも
のである。
【００１３】この発明の光磁気記録媒体膜形成用スパッ
タリングターゲットの成分組成は、希土類元素：１０〜
５０原子％を含有し、残部がＦｅおよびＣｏなどの遷移
金属からなる組成が好ましいが、このターゲットにさら
にＣｒ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，ＡｌおよびＴａの内
の１種または２種以上：０．１〜２０原子％を添加する
ことが一層好ましく、この中でもＴｂ：２０〜２４原子
％、Ｃｒ：２〜４原子％、Ｃｏ：６〜９原子％を含有
し、残部：Ｆｅからなる組成を有することが最も好まし
い。
タリングターゲットの成分組成は、希土類元素：１０〜
５０原子％を含有し、残部がＦｅおよびＣｏなどの遷移
金属からなる組成が好ましいが、このターゲットにさら
にＣｒ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，ＡｌおよびＴａの内
の１種または２種以上：０．１〜２０原子％を添加する
ことが一層好ましく、この中でもＴｂ：２０〜２４原子
％、Ｃｒ：２〜４原子％、Ｃｏ：６〜９原子％を含有
し、残部：Ｆｅからなる組成を有することが最も好まし
い。
【００１４】この発明の光磁気記録媒体膜形成用スパッ
タリングターゲットを製造するための原料粉末は、原料
を所望の成分組成を有するように溶解し、合金化した溶
湯を不活性ガス雰囲気中でガスアトマイズするかまたは
鋳造して得られたインゴットを粉砕することにより得ら
れ、その粒径は平均粒径：５０〜１５０μｍの範囲内に
あることが好ましく、この合金粉末をホットプレスする
際のホットプレス条件は温度：９００〜１１００℃、圧
力：１００〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 、０．５〜３時間保
持の範囲内にあることが好ましい。
タリングターゲットを製造するための原料粉末は、原料
を所望の成分組成を有するように溶解し、合金化した溶
湯を不活性ガス雰囲気中でガスアトマイズするかまたは
鋳造して得られたインゴットを粉砕することにより得ら
れ、その粒径は平均粒径：５０〜１５０μｍの範囲内に
あることが好ましく、この合金粉末をホットプレスする
際のホットプレス条件は温度：９００〜１１００℃、圧
力：１００〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 、０．５〜３時間保
持の範囲内にあることが好ましい。
【００１５】なお、この発明の光磁気記録媒体膜形成用
スパッタリングターゲットおよびその製造方法におい
て、リング枠は円形リング枠を用いて説明したが、使用
するリング枠は円形リング枠に限定されるものではな
く、図６の平面図に示されるように、波形円形リング枠
２１を使用して形成される境界混合粉末域の幅を大きく
することが一層好ましい。
スパッタリングターゲットおよびその製造方法におい
て、リング枠は円形リング枠を用いて説明したが、使用
するリング枠は円形リング枠に限定されるものではな
く、図６の平面図に示されるように、波形円形リング枠
２１を使用して形成される境界混合粉末域の幅を大きく
することが一層好ましい。
【００１６】さらに、この発明の光磁気記録媒体膜形成
用スパッタリングターゲットおよびその製造方法の説明
では、ホットプレスモールドの空間に一個のリング枠を
装入しているが、ホットプレスモールド空間に装入する
リング枠は、複数使用して複数の区画されたリング状空
間をホットプレスモールド空間内に形成し、複数の希土
類元素含有量の異なる燒結リング状ターゲットを同心円
状に一体的に燒結接合する方が一層好ましい。
用スパッタリングターゲットおよびその製造方法の説明
では、ホットプレスモールドの空間に一個のリング枠を
装入しているが、ホットプレスモールド空間に装入する
リング枠は、複数使用して複数の区画されたリング状空
間をホットプレスモールド空間内に形成し、複数の希土
類元素含有量の異なる燒結リング状ターゲットを同心円
状に一体的に燒結接合する方が一層好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】実施例 図１に示される形状を有し、内径：１５４ｍｍ、深さ：
１００ｍｍの空間寸法を有する黒鉛からなるホットプレ
スモールド１および外径：７２ｍｍ、厚さ：７０ｍｍの
寸法を有するステンレス鋼からなるリング枠２を用意
し、ホットプレスモールド１の空間内の中心部に前記リ
ング枠２を設置することにより中心部空間２０および周
辺部空間１０を形成した。
１００ｍｍの空間寸法を有する黒鉛からなるホットプレ
スモールド１および外径：７２ｍｍ、厚さ：７０ｍｍの
寸法を有するステンレス鋼からなるリング枠２を用意
し、ホットプレスモールド１の空間内の中心部に前記リ
ング枠２を設置することにより中心部空間２０および周
辺部空間１０を形成した。
【００１８】前記中心部空間２０にＴｂ含有量が相対的
に少ない合金粉末を、周辺部空間１０にＴｂ含有量が相
対的に多い合金粉末をそれぞれ充填し、充填終了後、リ
ング枠を抜き取り、ついでホットプレスモールドに振動
を加えることにより、充填されたＴｂ含有量が相対的に
少ない合金粉末およびＴｂ含有量が相対的に多い合金粉
末を共にリング枠を抜き取って形成された空間になだれ
込ませ、中間のＴｂ含有量を有する境界混合粉末域を形
成し、この状態でホットプレスすることによりホットプ
レス体を作製した。このときのホットプレス条件は温
度：１０００℃、圧力：１５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、２時間
保持の条件であった。得られたホットプレス体はＴｂ含
有量が相対的に少ない中心部燒結体およびＴｂ含有量が
相対的に多い外周部燒結体とそれらが相互に隣接する燒
結体のＴｂ含有量の中間の含有組成を有する隣接接合部
とで構成されていた。このようにして得られたホットプ
レス体の表面を研削加工して直径：１５２ｍｍ、厚さ：
１０ｍｍの寸法を有し、組成式Ｔｂx（Ｆｅ80Ｃｏ20）
100-xにおいてｘが表１の値を取る組成を有する本発明
光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット（以
下、本発明ターゲットという）１〜４を作製した。
に少ない合金粉末を、周辺部空間１０にＴｂ含有量が相
対的に多い合金粉末をそれぞれ充填し、充填終了後、リ
ング枠を抜き取り、ついでホットプレスモールドに振動
を加えることにより、充填されたＴｂ含有量が相対的に
少ない合金粉末およびＴｂ含有量が相対的に多い合金粉
末を共にリング枠を抜き取って形成された空間になだれ
込ませ、中間のＴｂ含有量を有する境界混合粉末域を形
成し、この状態でホットプレスすることによりホットプ
レス体を作製した。このときのホットプレス条件は温
度：１０００℃、圧力：１５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、２時間
保持の条件であった。得られたホットプレス体はＴｂ含
有量が相対的に少ない中心部燒結体およびＴｂ含有量が
相対的に多い外周部燒結体とそれらが相互に隣接する燒
結体のＴｂ含有量の中間の含有組成を有する隣接接合部
とで構成されていた。このようにして得られたホットプ
レス体の表面を研削加工して直径：１５２ｍｍ、厚さ：
１０ｍｍの寸法を有し、組成式Ｔｂx（Ｆｅ80Ｃｏ20）
100-xにおいてｘが表１の値を取る組成を有する本発明
光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット（以
下、本発明ターゲットという）１〜４を作製した。
【００１９】従来例 さらに、比較のために、組成式Ｔｂx（Ｆｅ80Ｃｏ20）
100-xにおいてｘが表１の値を取る組成を有し、図７の
一部切欠き斜視図に示されるように、それぞれＴｂ含有
量が相対的に少ない合金円板１１およびＴｂ含有量が相
対的に多い合金リング１２を同心円状に組み合わせ、こ
れを裏板１３に接合して一体化したする従来光磁気記録
媒体膜形成用スパッタリングターゲット（以下、従来発
明ターゲットという）１を作製した。
100-xにおいてｘが表１の値を取る組成を有し、図７の
一部切欠き斜視図に示されるように、それぞれＴｂ含有
量が相対的に少ない合金円板１１およびＴｂ含有量が相
対的に多い合金リング１２を同心円状に組み合わせ、こ
れを裏板１３に接合して一体化したする従来光磁気記録
媒体膜形成用スパッタリングターゲット（以下、従来発
明ターゲットという）１を作製した。
【００２０】これら本発明ターゲット１〜４および従来
ターゲット１をスパッタリングチャンバーに装着し、 Ａｒ圧力：１Ｐａ、 ＤＣパワー：６００Ｗ、 の条件でスパッタリングすることによりガラス板に厚
さ：１μｍの円形光磁気記録媒体膜を形成し、この円形
光磁気記録媒体膜の中心部のＴｂ濃度（Ｔｂc ）および
外周部のＴｂ濃度（Ｔｂ0）をＥＰＭＡにより測定し、
さらにＴｂ0−Ｔｂc値を求め、これらの値を表１に示し
た。
ターゲット１をスパッタリングチャンバーに装着し、 Ａｒ圧力：１Ｐａ、 ＤＣパワー：６００Ｗ、 の条件でスパッタリングすることによりガラス板に厚
さ：１μｍの円形光磁気記録媒体膜を形成し、この円形
光磁気記録媒体膜の中心部のＴｂ濃度（Ｔｂc ）および
外周部のＴｂ濃度（Ｔｂ0）をＥＰＭＡにより測定し、
さらにＴｂ0−Ｔｂc値を求め、これらの値を表１に示し
た。
【００２１】さらに、前記スパッタリングに際して、発
生したパーティクルの数を測定し、その結果を表１に示
した。
生したパーティクルの数を測定し、その結果を表１に示
した。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【発明の効果】表１に示される結果から、ターゲットの
最外周部のＴｂ含有量と中心部のＴｂ含有量の差が０．
３〜１．５原子％の範囲内にある本発明ターゲット１〜
４によりスパッタリングして得られた光磁気記録媒体膜
は、０．３〜１．５原子％の範囲からはずれたＴｂ含有
量を有する従来ターゲット１によりスパッタリングして
得られた光磁気記録媒体膜に比べて、Ｔｂc−Ｔｂ0値が
小さく、±０．５原子％の範囲内にあるところからＴｂ
濃度のばらつきが小さく、さらに発生するパーティクル
の数が格段に少ないとことから不良品発生率が格段に少
なくなることが分かる。上述のように、この発明は、パ
ーティクル発生が少なくかつ希土類元素の濃度が均一な
光磁気記録媒体膜を形成することのできる光磁気記録媒
体膜形成用スパッタリングターゲットを提供することが
でき、光磁気産業の発展に大いに貢献し得るものであ
る。
最外周部のＴｂ含有量と中心部のＴｂ含有量の差が０．
３〜１．５原子％の範囲内にある本発明ターゲット１〜
４によりスパッタリングして得られた光磁気記録媒体膜
は、０．３〜１．５原子％の範囲からはずれたＴｂ含有
量を有する従来ターゲット１によりスパッタリングして
得られた光磁気記録媒体膜に比べて、Ｔｂc−Ｔｂ0値が
小さく、±０．５原子％の範囲内にあるところからＴｂ
濃度のばらつきが小さく、さらに発生するパーティクル
の数が格段に少ないとことから不良品発生率が格段に少
なくなることが分かる。上述のように、この発明は、パ
ーティクル発生が少なくかつ希土類元素の濃度が均一な
光磁気記録媒体膜を形成することのできる光磁気記録媒
体膜形成用スパッタリングターゲットを提供することが
でき、光磁気産業の発展に大いに貢献し得るものであ
る。
【図１】この発明の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリ
ングターゲットを製造するためのホットプレスモールド
空間にリング枠を装入しホットプレスモールド空間を区
画した状態の斜視説明図である。
ングターゲットを製造するためのホットプレスモールド
空間にリング枠を装入しホットプレスモールド空間を区
画した状態の斜視説明図である。
【図２】区画されたホットプレスモールド空間に原料粉
末を充填した状態の斜視図である。
末を充填した状態の斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】区画されたホットプレスモールド空間に原料粉
末を充填し、リング枠を取り出した状態の断面図であ
る。
末を充填し、リング枠を取り出した状態の断面図であ
る。
【図５】図４のリング枠を取り出した後、ホットプレス
モールドに振動を与えた状態を示す断面説明図である。
モールドに振動を与えた状態を示す断面説明図である。
【図６】この発明の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリ
ングターゲットを製造するためのホットプレスモールド
空間に波形円形リング枠を装入しホットプレスモールド
空間を区画し原料粉末を充填した状態の平面説明図であ
る。
ングターゲットを製造するためのホットプレスモールド
空間に波形円形リング枠を装入しホットプレスモールド
空間を区画し原料粉末を充填した状態の平面説明図であ
る。
【図７】従来の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリング
ターゲットの一部切欠き斜視説明図である。
ターゲットの一部切欠き斜視説明図である。
１ ホットプレスモールド ２ リング枠 ３ 希土類元素含有量の相対的に少ない原料粉末 ４ 希土類元素含有量の相対的に多い原料粉末 ５ 空間 ６ 境界混合粉末域 １０ 周辺部空間 １１ 合金円板 １２ 合金リング １３ 裏板 ２０ 中心部空間 ２１ 波形円形リング枠
Claims (4)
- 【請求項１】 中心から半径方向に向かって希土類元素
含有量が増加する濃度勾配を形成するように希土類元素
含有量の異なる燒結リング状ターゲットを同心円状に一
体的に燒結接合した希土類元素を主成分とするターゲッ
トであって、前記燒結リング状ターゲットの隣接接合部
は、相互に隣接する燒結リング状ターゲットの希土類元
素含有量の中間の含有組成を有する希土類元素を主成分
とする燒結体で構成されていることを特徴とする光磁気
記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 前記燒結リング状ターゲットが同心円状
に一体的に燒結接合したターゲットの最外周部の希土類
元素含有量と中心部の希土類元素含有量の差は０．３〜
１．５原子％の範囲内にあることを特徴とする請求項１
記載の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項３】 ホットプレスモールドにリング枠を装入
してリング枠によりホットプレスモールド内の空間を同
心円状に区画し、この区画されたホットプレスモールド
空間内に中心から半径方向に向かうほど希土類元素含有
量の多い原料粉末を充填した後、前記リング枠を除去
し、充填した原料粉末の表面を平坦化したのち、ホット
プレスすることを特徴とする光磁気記録媒体膜形成用ス
パッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項４】 前記同心円状に区画されたホットプレス
モールド内の最外周空間に充填する原料粉末は、前記ホ
ットプレスモールド内の中心部空間に充填する原料粉末
よりも希土類元素含有量が０．３〜１．５原子％多い組
成の原料粉末であることを特徴とする請求項３記載の光
磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141409A JP2000328240A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141409A JP2000328240A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000328240A true JP2000328240A (ja) | 2000-11-28 |
Family
ID=15291344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11141409A Withdrawn JP2000328240A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000328240A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011127504A1 (de) * | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Plansee Se | Beschichtungsquelle und verfahren zu deren herstellung |
| US9051211B2 (en) * | 2004-04-27 | 2015-06-09 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Effects of methods of manufacturing sputtering targets on characteristics of coatings |
| CN107246826A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-10-13 | 中国人民解放军理工大学 | 一种记录侵彻弹道的靶箱 |
| CN111349898A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-06-30 | 河南大学 | 一种应用于多脉冲激光共沉积的靶材 |
-
1999
- 1999-05-21 JP JP11141409A patent/JP2000328240A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9051211B2 (en) * | 2004-04-27 | 2015-06-09 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Effects of methods of manufacturing sputtering targets on characteristics of coatings |
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| CN102939403A (zh) * | 2010-04-14 | 2013-02-20 | 攀时欧洲公司 | 涂层源及其生产方法 |
| JP2013527315A (ja) * | 2010-04-14 | 2013-06-27 | プランゼー エスエー | コーティングソース及びその製法 |
| EP2754729A3 (de) * | 2010-04-14 | 2014-08-13 | Plansee SE | Beschichtungsquelle und Verfahren zu deren Herstellung |
| RU2564642C2 (ru) * | 2010-04-14 | 2015-10-10 | Планзее ЗЕ | Источник для нанесения покрытия и способ его изготовления |
| CN107246826A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-10-13 | 中国人民解放军理工大学 | 一种记录侵彻弹道的靶箱 |
| CN111349898A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-06-30 | 河南大学 | 一种应用于多脉冲激光共沉积的靶材 |
| CN111349898B (zh) * | 2020-05-19 | 2022-02-22 | 河南大学 | 一种应用于多脉冲激光共沉积的靶材 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060801 |