JPH10251847A - 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 - Google Patents
光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法Info
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- JPH10251847A JPH10251847A JP9070612A JP7061297A JPH10251847A JP H10251847 A JPH10251847 A JP H10251847A JP 9070612 A JP9070612 A JP 9070612A JP 7061297 A JP7061297 A JP 7061297A JP H10251847 A JPH10251847 A JP H10251847A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 希土類金属−遷移金属合金からなる光磁気記
録用合金ターゲットの透磁率を低くする。また、このよ
うなターゲットの酸素含有量を低減する。また、光磁気
記録用合金ターゲットの再生を容易にする。 【解決手段】 Ｒ（Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｈ
ｏ、Ｔｍ、Ｅｒの１種以上）とＴ（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等
の遷移金属）とを含み、実質的に均質な焼結組織からな
り、透磁率が３以下である光磁気記録用合金ターゲッ
ト。高周波炉またはるつぼ炉による溶解→急冷→粉砕→
加圧焼成の工程により製造する。このターゲットを使用
した後、機械粉砕して再生合金粉末を得、この再生合金
粉末と、前記工程における加圧焼成前の合金粉末とを混
合し、これを加圧焼成することにより再びターゲットと
する。
録用合金ターゲットの透磁率を低くする。また、このよ
うなターゲットの酸素含有量を低減する。また、光磁気
記録用合金ターゲットの再生を容易にする。 【解決手段】 Ｒ（Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｈ
ｏ、Ｔｍ、Ｅｒの１種以上）とＴ（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等
の遷移金属）とを含み、実質的に均質な焼結組織からな
り、透磁率が３以下である光磁気記録用合金ターゲッ
ト。高周波炉またはるつぼ炉による溶解→急冷→粉砕→
加圧焼成の工程により製造する。このターゲットを使用
した後、機械粉砕して再生合金粉末を得、この再生合金
粉末と、前記工程における加圧焼成前の合金粉末とを混
合し、これを加圧焼成することにより再びターゲットと
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録材料と
して使用される希土類金属−遷移金属合金からなるスパ
ッタターゲットと、その製造方法と、その再生方法とに
関する。
して使用される希土類金属−遷移金属合金からなるスパ
ッタターゲットと、その製造方法と、その再生方法とに
関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体の記録層には、Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ等の希土類金属−遷移金属合金からなる非晶質
材料が好ましく用いられている。このような記録層は、
通常、マグネトロンスパッタ法により形成される。マグ
ネトロンスパッタ法では、ターゲット裏面側に配置され
た磁界発生手段からの磁束をターゲットを通してその表
面側に漏洩させる必要がある。このため、ターゲットの
透磁率が高いと、ターゲット中を通る磁束が増えてしま
い、漏洩磁束による十分な磁界強度が得られない。した
がって、透磁率の高いターゲットでは、厚さを薄くして
漏洩磁束を確保する必要がある。
ｅ−Ｃｏ等の希土類金属−遷移金属合金からなる非晶質
材料が好ましく用いられている。このような記録層は、
通常、マグネトロンスパッタ法により形成される。マグ
ネトロンスパッタ法では、ターゲット裏面側に配置され
た磁界発生手段からの磁束をターゲットを通してその表
面側に漏洩させる必要がある。このため、ターゲットの
透磁率が高いと、ターゲット中を通る磁束が増えてしま
い、漏洩磁束による十分な磁界強度が得られない。した
がって、透磁率の高いターゲットでは、厚さを薄くして
漏洩磁束を確保する必要がある。
【０００３】しかし、ターゲットが薄いと、ターゲット
１枚当たりのスパッタ可能時間が短くなってしまう。こ
のため、スパッタ室を開放してターゲットを交換し、再
び真空引きを行う頻度が高くなり、生産性低下によるコ
ストアップを招く。また、焼結法によりターゲットを製
造する場合、製品化のためには焼結後に表面付近の酸化
領域を研削する必要がある。研削量は、ターゲットの厚
さによらず１mm程度であるため、ターゲットを薄くする
ほどスパッタに寄与せずに捨てられる領域の比率が高く
なり、これによってもコスト高となってしまう。
１枚当たりのスパッタ可能時間が短くなってしまう。こ
のため、スパッタ室を開放してターゲットを交換し、再
び真空引きを行う頻度が高くなり、生産性低下によるコ
ストアップを招く。また、焼結法によりターゲットを製
造する場合、製品化のためには焼結後に表面付近の酸化
領域を研削する必要がある。研削量は、ターゲットの厚
さによらず１mm程度であるため、ターゲットを薄くする
ほどスパッタに寄与せずに捨てられる領域の比率が高く
なり、これによってもコスト高となってしまう。
【０００４】光磁気記録媒体の記録層形成のためのター
ゲットやその製造方法に関しては、例えば以下に示すよ
うな提案がなされている。
ゲットやその製造方法に関しては、例えば以下に示すよ
うな提案がなされている。
【０００５】（ｉ）特公昭６４−２１７７号公報には、
希土類金属と遷移金属とをアーク溶解炉で溶解して合金
インゴットとし、この合金インゴットを粉砕し、得られ
た合金粉末をホットプレスにより成形することにより、
合金ターゲット材を製造する方法が記載されている。同
公報では、有機溶媒中での湿式微粉砕を行っているが、
最終的な粉末粒度が平均粒径１〜１０μmと小さいた
め、粉末の酸化が進み、特性劣化が生じてしまう。ま
た、同公報では、合金インゴットをアーク溶解により製
造しているが、アーク溶解では、アークをスキャンさせ
ることにより原料粉末の溶解を行うため、アーク通過後
に溶融金属が徐冷されることになり、この結果、Ｆｅの
析出が生じてしまう。このため、ターゲットの透磁率が
高くなるのでターゲットを厚くすることができなくな
り、ターゲット１枚あたりの寿命が短くなる。なお、同
公報の実施例では、厚さ１．２〜１．３mmのターゲット
を作製している。
希土類金属と遷移金属とをアーク溶解炉で溶解して合金
インゴットとし、この合金インゴットを粉砕し、得られ
た合金粉末をホットプレスにより成形することにより、
合金ターゲット材を製造する方法が記載されている。同
公報では、有機溶媒中での湿式微粉砕を行っているが、
最終的な粉末粒度が平均粒径１〜１０μmと小さいた
め、粉末の酸化が進み、特性劣化が生じてしまう。ま
た、同公報では、合金インゴットをアーク溶解により製
造しているが、アーク溶解では、アークをスキャンさせ
ることにより原料粉末の溶解を行うため、アーク通過後
に溶融金属が徐冷されることになり、この結果、Ｆｅの
析出が生じてしまう。このため、ターゲットの透磁率が
高くなるのでターゲットを厚くすることができなくな
り、ターゲット１枚あたりの寿命が短くなる。なお、同
公報の実施例では、厚さ１．２〜１．３mmのターゲット
を作製している。
【０００６】（ii）特公平１−１９４４８号公報には、
微細に分割された希土類金属と、微細に分割された鉄族
金属とを混合し、得られた混合物にその中の金属成分系
の液相発現温度未満の温度において熱間成形を施して緻
密な成形体を形成し、次いで、成形体中に存在する金属
成分系の液相発現温度以上の温度で短時間加熱すること
により、希土類金属と鉄族金属との金属間化合物と、鉄
族金属単体との混合組織を有するターゲット材を製造す
る方法が記載されている。このターゲット材は、希土類
金属３０〜５０重量％を含み、残部が鉄族金属である。
同公報では、組成が安定し、かつ酸素濃度の低い光磁気
記録媒体を生成する、高強度のスパッタリング用ターゲ
ット材を提供できることを効果としている。
微細に分割された希土類金属と、微細に分割された鉄族
金属とを混合し、得られた混合物にその中の金属成分系
の液相発現温度未満の温度において熱間成形を施して緻
密な成形体を形成し、次いで、成形体中に存在する金属
成分系の液相発現温度以上の温度で短時間加熱すること
により、希土類金属と鉄族金属との金属間化合物と、鉄
族金属単体との混合組織を有するターゲット材を製造す
る方法が記載されている。このターゲット材は、希土類
金属３０〜５０重量％を含み、残部が鉄族金属である。
同公報では、組成が安定し、かつ酸素濃度の低い光磁気
記録媒体を生成する、高強度のスパッタリング用ターゲ
ット材を提供できることを効果としている。
【０００７】しかし、同公報記載のターゲット材には、
鉄族金属単体からなる相が存在するため、透磁率が高く
なってしまう。このため、ターゲット材を厚くすること
ができなくなり、ターゲット材１枚あたりの寿命が短く
なる。同公報の実施例では、厚さ２mmを超えるターゲッ
ト材は作製していない。また、同公報記載の方法では希
土類金属を粉砕する必要があるが、希土類金属は展延性
が高く粉砕が困難であるため、粉砕に際して酸素が混入
しやすい。実際、同公報の実施例ではターゲット材の酸
素含有量が１．５原子％以上となっており、少ないとは
いえない。
鉄族金属単体からなる相が存在するため、透磁率が高く
なってしまう。このため、ターゲット材を厚くすること
ができなくなり、ターゲット材１枚あたりの寿命が短く
なる。同公報の実施例では、厚さ２mmを超えるターゲッ
ト材は作製していない。また、同公報記載の方法では希
土類金属を粉砕する必要があるが、希土類金属は展延性
が高く粉砕が困難であるため、粉砕に際して酸素が混入
しやすい。実際、同公報の実施例ではターゲット材の酸
素含有量が１．５原子％以上となっており、少ないとは
いえない。
【０００８】（iii）特公平２−４８６２３号公報に
は、希土類金属を１０〜５０原子％含み、残部が実質的
に遷移金属であって、少なくとも３種の相からなる混合
組織であり、各相が希土類金属と遷移金属との金属間化
合物相である光磁気記録用合金ターゲットが記載されて
いる。この合金ターゲットは、還元拡散法により製造し
た合金粉末を焼結することにより作製されたものであ
る。同公報では、割れにくい、緻密である、組成が均一
である、酸素含有量が十分低い、安価である、などの利
点を有する合金ターゲットが提供できるとしている。
は、希土類金属を１０〜５０原子％含み、残部が実質的
に遷移金属であって、少なくとも３種の相からなる混合
組織であり、各相が希土類金属と遷移金属との金属間化
合物相である光磁気記録用合金ターゲットが記載されて
いる。この合金ターゲットは、還元拡散法により製造し
た合金粉末を焼結することにより作製されたものであ
る。同公報では、割れにくい、緻密である、組成が均一
である、酸素含有量が十分低い、安価である、などの利
点を有する合金ターゲットが提供できるとしている。
【０００９】しかし、３種の相が存在するということ
は、遷移金属濃度のより高い相が存在するということで
ある。遷移金属濃度の高い相は透磁率が高いため、ター
ゲットを厚くすることができなくなり、ターゲット１枚
あたりの寿命が短くなる。同公報には３種の相の存在比
率は記載されていないが、同公報の実施例では厚さ４．
５mmを超えるターゲットは作製していないことから、透
磁率が高くなると考えられる。また、同公報では、遷移
金属単体相と、これを包囲して被覆する金属間化合物相
とからなる合金粉末を還元拡散法により製造し、これを
焼結してターゲットを作製する。この方法では、使用済
みターゲットを粉砕し、これをターゲット原料として再
度用いることができないので、原料コストの低減が難し
い。
は、遷移金属濃度のより高い相が存在するということで
ある。遷移金属濃度の高い相は透磁率が高いため、ター
ゲットを厚くすることができなくなり、ターゲット１枚
あたりの寿命が短くなる。同公報には３種の相の存在比
率は記載されていないが、同公報の実施例では厚さ４．
５mmを超えるターゲットは作製していないことから、透
磁率が高くなると考えられる。また、同公報では、遷移
金属単体相と、これを包囲して被覆する金属間化合物相
とからなる合金粉末を還元拡散法により製造し、これを
焼結してターゲットを作製する。この方法では、使用済
みターゲットを粉砕し、これをターゲット原料として再
度用いることができないので、原料コストの低減が難し
い。
【００１０】（iv）特公平３−６２１８号公報には、希
土類金属粒子と、遷移金属粒子と、両者の反応拡散層と
からなる焼結複合ターゲット材が記載されている。同公
報では、抗折力が大きく、耐衝撃性が良好であり、酸素
含有量が少なく、スパッタリング速度が大きいことを効
果としている。
土類金属粒子と、遷移金属粒子と、両者の反応拡散層と
からなる焼結複合ターゲット材が記載されている。同公
報では、抗折力が大きく、耐衝撃性が良好であり、酸素
含有量が少なく、スパッタリング速度が大きいことを効
果としている。
【００１１】しかし、同公報記載の焼結複合ターゲット
材は、遷移金属粒子を多量に含むため、透磁率が大きく
なってしまう。このため、ターゲット材を厚くすること
ができなくなり、ターゲット材１枚あたりの寿命が短く
なる。同公報の実施例では、厚さ５mmを超えるターゲッ
ト材は作製していない。また、同公報記載の製造方法で
は、希土類金属粒子を原料とするため、希土類金属を粉
砕する必要があるが、希土類金属は展延性が高く粉砕が
困難であるため、粉砕に際して酸素が混入しやすい。
材は、遷移金属粒子を多量に含むため、透磁率が大きく
なってしまう。このため、ターゲット材を厚くすること
ができなくなり、ターゲット材１枚あたりの寿命が短く
なる。同公報の実施例では、厚さ５mmを超えるターゲッ
ト材は作製していない。また、同公報記載の製造方法で
は、希土類金属粒子を原料とするため、希土類金属を粉
砕する必要があるが、希土類金属は展延性が高く粉砕が
困難であるため、粉砕に際して酸素が混入しやすい。
【００１２】（ｖ）特公平３−５４１８９号公報には、
マグネトロンスパッタ装置での使用によって形成された
ターゲット材表面の凹凸を埋めることにより、ターゲッ
ト材を再生する方法が記載されている。具体的には、ま
ず、ターゲット材と同材質の補充粉末で凹凸を充填す
る。次に、熱間静水圧プレスまたは熱間鍛造を行って補
充粉末を高密度化した成形体とする。続いて熱処理を行
うことにより、ターゲット材と前記成形体とを強固に拡
散接合する。このようにして再生されたターゲット材
は、使用済みターゲット材部分と粉末成形体部分とこれ
らの境界部に形成された拡散接合部とからなるが、同公
報では、全体として未使用のターゲット材と品質的に同
じであるとしている。
マグネトロンスパッタ装置での使用によって形成された
ターゲット材表面の凹凸を埋めることにより、ターゲッ
ト材を再生する方法が記載されている。具体的には、ま
ず、ターゲット材と同材質の補充粉末で凹凸を充填す
る。次に、熱間静水圧プレスまたは熱間鍛造を行って補
充粉末を高密度化した成形体とする。続いて熱処理を行
うことにより、ターゲット材と前記成形体とを強固に拡
散接合する。このようにして再生されたターゲット材
は、使用済みターゲット材部分と粉末成形体部分とこれ
らの境界部に形成された拡散接合部とからなるが、同公
報では、全体として未使用のターゲット材と品質的に同
じであるとしている。
【００１３】しかし、同公報記載の方法では、実際には
各部における組成のばらつきに起因するスパッタ膜の組
成ずれが生じやすい。
各部における組成のばらつきに起因するスパッタ膜の組
成ずれが生じやすい。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、希土
類金属−遷移金属合金からなる光磁気記録用合金ターゲ
ットの透磁率を低くすることである。本発明の他の目的
は、このような光磁気記録用合金ターゲットの酸素含有
量を低減することである。本発明の他の目的は、光磁気
記録用合金ターゲットの再生を容易にすることである。
類金属−遷移金属合金からなる光磁気記録用合金ターゲ
ットの透磁率を低くすることである。本発明の他の目的
は、このような光磁気記録用合金ターゲットの酸素含有
量を低減することである。本発明の他の目的は、光磁気
記録用合金ターゲットの再生を容易にすることである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（９）のいずれかの構成により達成される。 （１） 光磁気記録用の記録材料をマグネトロンスパッ
タ法により形成するときに用いられるターゲットであっ
て、Ｒ（Ｒは、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｈｏ、
ＴｍおよびＥｒの少なくとも１種から選択される希土類
金属元素である）を２０〜３０原子％含み、残部が実質
的にＴ（Ｔは、遷移金属元素であり、Ｆｅ、Ｃｏおよび
Ｎｉの少なくとも１種を必ず含む）であり、実質的に均
質な焼結組織からなり、透磁率が３以下である光磁気記
録用合金ターゲット。 （２） 前記Ｔ中にＣｒが含まれる上記（１）の光磁気
記録用合金ターゲット。 （３） 板状体であって、厚さが８mm以上である上記
（１）または（２）の光磁気記録用合金ターゲット。 （４） 酸素含有量が１０００ppm以下である上記
（１）〜（３）のいずれかの光磁気記録用合金ターゲッ
ト。 （５） Ｆｅ3Ｔｂ型結晶相が結晶相全体の９０％以上
を占める上記（１）〜（４）のいずれかの光磁気記録用
合金ターゲット。 （６） 上記（１）〜（５）のいずれかの光磁気記録用
合金ターゲットを製造する方法であって、前記Ｒと前記
Ｔとを、Ｒ／（Ｒ＋Ｔ）が２０〜３０原子％となるよう
に調合し、得られた調合物を高周波炉またはるつぼ炉で
溶解し、次いで急冷して急冷合金を得、この急冷合金を
非酸化性雰囲気中において機械粉砕して合金粉末を得、
この合金粉末を不活性ガス雰囲気中または真空中で加圧
焼成することにより焼結する光磁気記録用合金ターゲッ
トの製造方法。 （７） 前記合金粉末の９０重量％以上が粒径４５〜４
２５μmである上記（６）の光磁気記録用合金ターゲッ
トの製造方法。 （８） 上記（１）〜（５）のいずれかの光磁気記録用
合金ターゲットを使用した後、非酸化性雰囲気中におい
て機械粉砕して再生合金粉末を得、一方、前記Ｒと前記
Ｔとを調合し、得られた調合物を高周波炉またはるつぼ
炉で溶解し、次いで急冷して急冷合金を得、この急冷合
金を非酸化性雰囲気中において機械粉砕して合金粉末を
得、この合金粉末と前記再生合金粉末との混合物を不活
性ガス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより
焼結する工程を有する光磁気記録用合金ターゲットの再
生方法。 （９） 前記調合物のＲ／（Ｒ＋Ｔ）が、前記再生合金
粉末のＲ／（Ｒ＋Ｔ）の１．０２〜１．０８倍である上
記（８）の光磁気記録用合金ターゲットの再生方法。
（１）〜（９）のいずれかの構成により達成される。 （１） 光磁気記録用の記録材料をマグネトロンスパッ
タ法により形成するときに用いられるターゲットであっ
て、Ｒ（Ｒは、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｈｏ、
ＴｍおよびＥｒの少なくとも１種から選択される希土類
金属元素である）を２０〜３０原子％含み、残部が実質
的にＴ（Ｔは、遷移金属元素であり、Ｆｅ、Ｃｏおよび
Ｎｉの少なくとも１種を必ず含む）であり、実質的に均
質な焼結組織からなり、透磁率が３以下である光磁気記
録用合金ターゲット。 （２） 前記Ｔ中にＣｒが含まれる上記（１）の光磁気
記録用合金ターゲット。 （３） 板状体であって、厚さが８mm以上である上記
（１）または（２）の光磁気記録用合金ターゲット。 （４） 酸素含有量が１０００ppm以下である上記
（１）〜（３）のいずれかの光磁気記録用合金ターゲッ
ト。 （５） Ｆｅ3Ｔｂ型結晶相が結晶相全体の９０％以上
を占める上記（１）〜（４）のいずれかの光磁気記録用
合金ターゲット。 （６） 上記（１）〜（５）のいずれかの光磁気記録用
合金ターゲットを製造する方法であって、前記Ｒと前記
Ｔとを、Ｒ／（Ｒ＋Ｔ）が２０〜３０原子％となるよう
に調合し、得られた調合物を高周波炉またはるつぼ炉で
溶解し、次いで急冷して急冷合金を得、この急冷合金を
非酸化性雰囲気中において機械粉砕して合金粉末を得、
この合金粉末を不活性ガス雰囲気中または真空中で加圧
焼成することにより焼結する光磁気記録用合金ターゲッ
トの製造方法。 （７） 前記合金粉末の９０重量％以上が粒径４５〜４
２５μmである上記（６）の光磁気記録用合金ターゲッ
トの製造方法。 （８） 上記（１）〜（５）のいずれかの光磁気記録用
合金ターゲットを使用した後、非酸化性雰囲気中におい
て機械粉砕して再生合金粉末を得、一方、前記Ｒと前記
Ｔとを調合し、得られた調合物を高周波炉またはるつぼ
炉で溶解し、次いで急冷して急冷合金を得、この急冷合
金を非酸化性雰囲気中において機械粉砕して合金粉末を
得、この合金粉末と前記再生合金粉末との混合物を不活
性ガス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより
焼結する工程を有する光磁気記録用合金ターゲットの再
生方法。 （９） 前記調合物のＲ／（Ｒ＋Ｔ）が、前記再生合金
粉末のＲ／（Ｒ＋Ｔ）の１．０２〜１．０８倍である上
記（８）の光磁気記録用合金ターゲットの再生方法。
【００１６】
【作用および効果】本発明では、希土類金属と遷移金属
とを高周波溶解により溶湯とし、これを急冷した後、粉
砕し、次いで、加圧しながら焼成することにより焼結
し、ターゲットを得る。本発明では希土類金属と遷移金
属との溶解に高周波炉またはるつぼ炉を利用するため、
アーク溶解を利用する従来の方法と異なり、遷移金属単
体の析出は実質的に認められない。また、合金化の際に
急冷するため、遷移金属相の析出やその成長がほとんど
ない。このため、本発明のターゲットは希土類金属−遷
移金属合金の単一焼結組織となり、透磁率が低くなる。
とを高周波溶解により溶湯とし、これを急冷した後、粉
砕し、次いで、加圧しながら焼成することにより焼結
し、ターゲットを得る。本発明では希土類金属と遷移金
属との溶解に高周波炉またはるつぼ炉を利用するため、
アーク溶解を利用する従来の方法と異なり、遷移金属単
体の析出は実質的に認められない。また、合金化の際に
急冷するため、遷移金属相の析出やその成長がほとんど
ない。このため、本発明のターゲットは希土類金属−遷
移金属合金の単一焼結組織となり、透磁率が低くなる。
【００１７】また、本発明では粉砕時に大径の粒子とす
るため、酸素の混入が少なくなるので、酸素含有量の少
ないターゲットが実現する。
るため、酸素の混入が少なくなるので、酸素含有量の少
ないターゲットが実現する。
【００１８】また、加圧焼成の条件を適宜選択すること
により、焼成による透磁率上昇および酸素含有量増加を
抑え、かつ焼結密度を高くできるので、低透磁率、低酸
素含有量で、しかも割れにくいターゲットが実現する。
により、焼成による透磁率上昇および酸素含有量増加を
抑え、かつ焼結密度を高くできるので、低透磁率、低酸
素含有量で、しかも割れにくいターゲットが実現する。
【００１９】本発明のターゲット再生方法では、本発明
のターゲットを使用した後、まず、粉砕し、再生合金粉
末を得る。この再生合金粉末を、上述した本発明のター
ゲットの製造工程に投入し、急冷合金を粉砕して得られ
た新規な合金粉末と再生合金粉末とを混合する。以降は
上述した製造工程にしたがって加圧焼成を行い、再生タ
ーゲットを得る。本発明のターゲットは実質的に均質な
焼結組織からなるため、使用済ターゲットの粉砕により
得られた合金粉末と新規な合金粉末とが実質的に同一の
組織構造を有する。このため、ターゲットの再生が極め
て容易であり、再生による特性の劣化や変化もほとんど
ない。
のターゲットを使用した後、まず、粉砕し、再生合金粉
末を得る。この再生合金粉末を、上述した本発明のター
ゲットの製造工程に投入し、急冷合金を粉砕して得られ
た新規な合金粉末と再生合金粉末とを混合する。以降は
上述した製造工程にしたがって加圧焼成を行い、再生タ
ーゲットを得る。本発明のターゲットは実質的に均質な
焼結組織からなるため、使用済ターゲットの粉砕により
得られた合金粉末と新規な合金粉末とが実質的に同一の
組織構造を有する。このため、ターゲットの再生が極め
て容易であり、再生による特性の劣化や変化もほとんど
ない。
【００２０】
【発明の実施の形態】ターゲット 本発明のターゲットは、光磁気記録用の記録材料をマグ
ネトロンスパッタ法により形成する際に用いられるもの
である。
ネトロンスパッタ法により形成する際に用いられるもの
である。
【００２１】本発明のターゲットは、Ｒ（Ｒは、Ｔｂ、
Ｄｙ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｈｏ、ＴｍおよびＥｒの少な
くとも１種から選択された希土類金属元素である）を２
０〜３０原子％、好ましくは２０〜２６原子％含む。残
部は、実質的にＴ（Ｔは、遷移金属元素であり、Ｆｅ、
ＣｏおよびＮｉの少なくとも１種を必ず含む）である。
希土類金属の含有量が多すぎると、粉砕しにくいため製
造工程において酸化されやすくなり、光磁気記録媒体の
記録層としたときの特性が低くなってしまう。一方、希
土類金属の含有量が少なすぎると、光磁気記録材料とし
て良好な特性が得られなくなり、また、遷移金属の比率
が高くなるので、透磁率上昇を招く。
Ｄｙ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｈｏ、ＴｍおよびＥｒの少な
くとも１種から選択された希土類金属元素である）を２
０〜３０原子％、好ましくは２０〜２６原子％含む。残
部は、実質的にＴ（Ｔは、遷移金属元素であり、Ｆｅ、
ＣｏおよびＮｉの少なくとも１種を必ず含む）である。
希土類金属の含有量が多すぎると、粉砕しにくいため製
造工程において酸化されやすくなり、光磁気記録媒体の
記録層としたときの特性が低くなってしまう。一方、希
土類金属の含有量が少なすぎると、光磁気記録材料とし
て良好な特性が得られなくなり、また、遷移金属の比率
が高くなるので、透磁率上昇を招く。
【００２２】Ｔ中のＦｅ＋Ｃｏ＋Ｎｉの比率は、好まし
くは８５原子％以上、より好ましくは９０原子％以上で
ある。この比率が低すぎると、光磁気記録材料としての
特性が低くなる。また、Ｔ中のＦｅの比率は、好ましく
は８０原子％以上である。この比率が低すぎても、光磁
気記録材料としての特性が低くなる。Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
以外の遷移金属元素としては、Ｃｒが好ましい。Ｃｒは
耐食性向上および粉砕性向上に有効なので、Ｔは、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｒからなることが好ましい。
くは８５原子％以上、より好ましくは９０原子％以上で
ある。この比率が低すぎると、光磁気記録材料としての
特性が低くなる。また、Ｔ中のＦｅの比率は、好ましく
は８０原子％以上である。この比率が低すぎても、光磁
気記録材料としての特性が低くなる。Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
以外の遷移金属元素としては、Ｃｒが好ましい。Ｃｒは
耐食性向上および粉砕性向上に有効なので、Ｔは、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｒからなることが好ましい。
【００２３】また、ターゲット中には、不可避的不純物
として例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃ、Ｓ等の少な
くとも１種が含まれていてもよい。これらの元素の合計
含有量は、０．１原子％以下であることが好ましい。
として例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃ、Ｓ等の少な
くとも１種が含まれていてもよい。これらの元素の合計
含有量は、０．１原子％以下であることが好ましい。
【００２４】本発明のターゲットは、希土類金属相およ
び遷移金属相は実質的に含まず、希土類金属−遷移金属
合金の結晶粒からなる単一組織の焼結体である。
び遷移金属相は実質的に含まず、希土類金属−遷移金属
合金の結晶粒からなる単一組織の焼結体である。
【００２５】ターゲットを構成する希土類金属−遷移金
属合金は、主としてＦｅ3Ｔｂ型結晶相である。このほ
か、ターゲット中には、通常、Ｆｅ23Ｔｂ6型結晶相ま
たはＦｅ2Ｔｂ型結晶相が含まれる。Ｆｅ23Ｔｂ6型結晶
相は、一般にＴｂ含有量が少ない場合（２５原子％程度
以下）に出現し、Ｆｅ2Ｔｂ型結晶相は、一般にＴｂ含
有量が多い場合（２５原子％程度以上）に出現する。全
結晶相中のＦｅ3Ｔｂ型結晶相の比率は、好ましくは８
８体積％以上であり、より好ましくは９２体積％以上で
ある。ターゲット断面を走査型電子顕微鏡により観察す
ると、Ｆｅ3Ｔｂ型結晶相からなるマトリックス相中
に、Ｆｅ23Ｔｂ6型結晶相またはＦｅ2Ｔｂ型結晶相が分
散した組織構造が認められる。これらの相の同定および
定量は、Ｘ線回折およびターゲット断面のＥＰＭＡ（電
子線プローブマイクロアナリシス）によって行うことが
できる。Ｘ線回折では、Ｆｅ3Ｔｂ型、Ｆｅ23Ｔｂ6型、
Ｆｅ2Ｔｂ型以外の結晶相は、実質的に認められない。
属合金は、主としてＦｅ3Ｔｂ型結晶相である。このほ
か、ターゲット中には、通常、Ｆｅ23Ｔｂ6型結晶相ま
たはＦｅ2Ｔｂ型結晶相が含まれる。Ｆｅ23Ｔｂ6型結晶
相は、一般にＴｂ含有量が少ない場合（２５原子％程度
以下）に出現し、Ｆｅ2Ｔｂ型結晶相は、一般にＴｂ含
有量が多い場合（２５原子％程度以上）に出現する。全
結晶相中のＦｅ3Ｔｂ型結晶相の比率は、好ましくは８
８体積％以上であり、より好ましくは９２体積％以上で
ある。ターゲット断面を走査型電子顕微鏡により観察す
ると、Ｆｅ3Ｔｂ型結晶相からなるマトリックス相中
に、Ｆｅ23Ｔｂ6型結晶相またはＦｅ2Ｔｂ型結晶相が分
散した組織構造が認められる。これらの相の同定および
定量は、Ｘ線回折およびターゲット断面のＥＰＭＡ（電
子線プローブマイクロアナリシス）によって行うことが
できる。Ｘ線回折では、Ｆｅ3Ｔｂ型、Ｆｅ23Ｔｂ6型、
Ｆｅ2Ｔｂ型以外の結晶相は、実質的に認められない。
【００２６】なお、ＥＰＭＡによる測定結果から、ター
ゲット中に含まれるＣｏ、Ｎｉ、Ｃｒは、上記各結晶相
のＦｅサイトを置換していると考えられる。
ゲット中に含まれるＣｏ、Ｎｉ、Ｃｒは、上記各結晶相
のＦｅサイトを置換していると考えられる。
【００２７】本発明のターゲットでは、Ｘ線回折におい
てα−Ｆｅ相の存在が認められないことが好ましい。
てα−Ｆｅ相の存在が認められないことが好ましい。
【００２８】本発明では、後述するように粒成長が生じ
ない程度の温度で焼成することが好ましいので、ターゲ
ットの平均結晶粒径は、原料として用いる合金粉末の径
を反映したものとなる。
ない程度の温度で焼成することが好ましいので、ターゲ
ットの平均結晶粒径は、原料として用いる合金粉末の径
を反映したものとなる。
【００２９】なお、本発明のターゲットには、結晶粒界
はほとんど存在しない。
はほとんど存在しない。
【００３０】本発明のターゲットの透磁率は、３以下、
好ましくは２．５以下である。透磁率が高すぎると、マ
グネトロンスパッタの際にターゲット表面から漏洩する
磁束が少なくなってしまうので、ターゲットを厚くでき
なくなり、その結果、前述したように光磁気記録媒体の
生産性を低下させてしまう。現在、市販されているター
ゲットは、最小のものでも透磁率が５程度であるが、本
発明のターゲットでは透磁率が３以下なので、本発明の
ターゲットでは厚さを従来の２倍以上としたときにも、
マグネトロンスパッタの際にターゲット上において同等
以上の磁界強度を得ることができる。
好ましくは２．５以下である。透磁率が高すぎると、マ
グネトロンスパッタの際にターゲット表面から漏洩する
磁束が少なくなってしまうので、ターゲットを厚くでき
なくなり、その結果、前述したように光磁気記録媒体の
生産性を低下させてしまう。現在、市販されているター
ゲットは、最小のものでも透磁率が５程度であるが、本
発明のターゲットでは透磁率が３以下なので、本発明の
ターゲットでは厚さを従来の２倍以上としたときにも、
マグネトロンスパッタの際にターゲット上において同等
以上の磁界強度を得ることができる。
【００３１】なお、本発明のターゲットの透磁率は１以
上であり、通常は１．５以上である。
上であり、通常は１．５以上である。
【００３２】本発明のターゲットは板状体であり、その
厚さは特に限定されないが、本発明のターゲットは透磁
率が低いので、厚くすることができる。具体的には、厚
さ８mm以上であってもマグネトロンスパッタ時にターゲ
ット上の漏洩磁界強度を大きくでき、厚さ１０mm以上で
あっても十分な漏洩磁界強度が得られる。ただし、十分
な漏洩磁界強度を得るためには、ターゲット厚さを１２
mm以下とすることが好ましい。ターゲットの平面形状
は、円、楕円、方形等のいずれであってもよい。ターゲ
ットの直径ないし短径は、通常、１２０〜２６０mm程度
である。
厚さは特に限定されないが、本発明のターゲットは透磁
率が低いので、厚くすることができる。具体的には、厚
さ８mm以上であってもマグネトロンスパッタ時にターゲ
ット上の漏洩磁界強度を大きくでき、厚さ１０mm以上で
あっても十分な漏洩磁界強度が得られる。ただし、十分
な漏洩磁界強度を得るためには、ターゲット厚さを１２
mm以下とすることが好ましい。ターゲットの平面形状
は、円、楕円、方形等のいずれであってもよい。ターゲ
ットの直径ないし短径は、通常、１２０〜２６０mm程度
である。
【００３３】本発明のターゲットは、後述する方法によ
り製造されるので、製造工程における酸素の混入が少な
い。このため、酸素含有量を１０００ppm以下にでき、
６００ppm以下にすることも容易である。
り製造されるので、製造工程における酸素の混入が少な
い。このため、酸素含有量を１０００ppm以下にでき、
６００ppm以下にすることも容易である。
【００３４】ターゲットの焼結密度は、好ましくは９５
％以上、より好ましくは９８％以上である。後述する製
造方法によれば、このように高い焼結密度が容易に得ら
れる。本発明のターゲットは焼結密度が高いことから十
分な機械的強度が得られるので、スパッタ装置に設置す
る際のターゲットボンディング工程において割れにく
い。なお、この場合の焼結密度とは、理論密度に対する
焼結体の密度の比率である。
％以上、より好ましくは９８％以上である。後述する製
造方法によれば、このように高い焼結密度が容易に得ら
れる。本発明のターゲットは焼結密度が高いことから十
分な機械的強度が得られるので、スパッタ装置に設置す
る際のターゲットボンディング工程において割れにく
い。なお、この場合の焼結密度とは、理論密度に対する
焼結体の密度の比率である。
【００３５】ターゲットの製造方法 次に、本発明のターゲットを製造する方法について説明
する。
する。
【００３６】合金化工程 まず、希土類金属と遷移金属とを、これらの比率が上記
したターゲット組成となるように調合する。
したターゲット組成となるように調合する。
【００３７】次いで、調合物を高周波炉またはるつぼ炉
（反射炉）で溶解する。本発明では、高周波炉を用いる
ことがより好ましい。高周波炉では、コイル内に金属を
入れ、コイルに高周波電流を流すことにより金属に渦電
流を発生させる。金属はその電気抵抗によって発熱して
溶解し、金属溶湯となる。一方、前述したアーク溶解で
は、アークをスキャンすることにより加熱するため金属
全体を溶湯状とすることはできない。高周波溶解では金
属全体を溶融させることができ、このため急冷が可能で
あり、また、金属溶湯が自然に攪拌されることになるの
で、異相の析出の少ない均質な合金が得られる。るつぼ
炉では、ヒータにより金属全体を加熱するため、高周波
炉に近い均質な合金が得られる。高周波炉およびるつぼ
炉における金属の溶解は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸
化性雰囲気中で行う。
（反射炉）で溶解する。本発明では、高周波炉を用いる
ことがより好ましい。高周波炉では、コイル内に金属を
入れ、コイルに高周波電流を流すことにより金属に渦電
流を発生させる。金属はその電気抵抗によって発熱して
溶解し、金属溶湯となる。一方、前述したアーク溶解で
は、アークをスキャンすることにより加熱するため金属
全体を溶湯状とすることはできない。高周波溶解では金
属全体を溶融させることができ、このため急冷が可能で
あり、また、金属溶湯が自然に攪拌されることになるの
で、異相の析出の少ない均質な合金が得られる。るつぼ
炉では、ヒータにより金属全体を加熱するため、高周波
炉に近い均質な合金が得られる。高周波炉およびるつぼ
炉における金属の溶解は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸
化性雰囲気中で行う。
【００３８】次に、金属溶湯を急冷する。急冷方法とし
ては、例えば鋳造法や噴霧法（ガスアトマイズ法、単ロ
ール法、遠心ディスク法等）などを利用すればよいが、
これらのうちでは、低コスト化が容易な鋳造法が好まし
い。鋳造法では、上部が開放された冷却可能なセラミッ
ク製るつぼ、または水平割型、垂直割型に金属溶湯を流
し込み、金属溶湯を急冷する。るつぼや割型内の空間
は、厚さが１０〜５０mm程度の薄板状であることが好ま
しい。急冷速度は、鋳造物にクラックが入って薄板状が
維持できない程度に高速であることが好ましい。
ては、例えば鋳造法や噴霧法（ガスアトマイズ法、単ロ
ール法、遠心ディスク法等）などを利用すればよいが、
これらのうちでは、低コスト化が容易な鋳造法が好まし
い。鋳造法では、上部が開放された冷却可能なセラミッ
ク製るつぼ、または水平割型、垂直割型に金属溶湯を流
し込み、金属溶湯を急冷する。るつぼや割型内の空間
は、厚さが１０〜５０mm程度の薄板状であることが好ま
しい。急冷速度は、鋳造物にクラックが入って薄板状が
維持できない程度に高速であることが好ましい。
【００３９】急冷は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性
雰囲気中で行う。本発明では金属溶湯を急冷して合金化
するので、α−Ｆｅ相の生成およびその成長が抑えら
れ、透磁率の極めて低い合金が得られる。
雰囲気中で行う。本発明では金属溶湯を急冷して合金化
するので、α−Ｆｅ相の生成およびその成長が抑えら
れ、透磁率の極めて低い合金が得られる。
【００４０】なお、急冷合金の酸素含有量を低減するた
めに、急冷合金表面に存在する酸素含有量の多い領域
を、研削により除去することが好ましい。研削深さは、
表面から深さ１mm程度以下で十分である。
めに、急冷合金表面に存在する酸素含有量の多い領域
を、研削により除去することが好ましい。研削深さは、
表面から深さ１mm程度以下で十分である。
【００４１】粉砕工程 次いで、急冷合金を機械的に粉砕し、合金粉末とする。
粉砕は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行
う。粉砕は、粒径が好ましくは４５〜４２５μm、より
好ましくは１００〜２００μmの合金粉末が全体の９０
重量％以上、好ましくは９５重量％以上を占めるように
行う。粒径が小さすぎると粉砕時の酸化によりターゲッ
ト中の酸素含有量が多くなりすぎる。一方、粒径が大き
すぎると焼結しにくくなるので、後述する焼成工程にお
いて焼成温度を高くする必要が生じ、これによりα−Ｆ
ｅ相の析出が生じて透磁率が高くなってしまい、好まし
くない。粉砕手段は特に限定されず、ジョークラッシャ
ー、ロールクラッシャー、コーンクラッシャー、ハンマ
ーミル、スタンプミル等の粗粉砕機、およびディスクミ
ル、ブラウンミル、ボールミル、アトライター、ジェッ
トミル等の微粉砕機等のいずれを用いてもよい。粉砕
後、必要に応じ、ふるい等により分級する。
粉砕は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行
う。粉砕は、粒径が好ましくは４５〜４２５μm、より
好ましくは１００〜２００μmの合金粉末が全体の９０
重量％以上、好ましくは９５重量％以上を占めるように
行う。粒径が小さすぎると粉砕時の酸化によりターゲッ
ト中の酸素含有量が多くなりすぎる。一方、粒径が大き
すぎると焼結しにくくなるので、後述する焼成工程にお
いて焼成温度を高くする必要が生じ、これによりα−Ｆ
ｅ相の析出が生じて透磁率が高くなってしまい、好まし
くない。粉砕手段は特に限定されず、ジョークラッシャ
ー、ロールクラッシャー、コーンクラッシャー、ハンマ
ーミル、スタンプミル等の粗粉砕機、およびディスクミ
ル、ブラウンミル、ボールミル、アトライター、ジェッ
トミル等の微粉砕機等のいずれを用いてもよい。粉砕
後、必要に応じ、ふるい等により分級する。
【００４２】焼成工程 次に、合金粉末をＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中また
は真空中で加圧焼成することにより、焼結体を得る。加
圧焼成には、ホットプレス法や熱間静水圧プレス法を用
いることが好ましい。加圧焼成の際の圧力および温度
は、緻密な焼結体が得られ、しかもα−Ｆｅ相の生成や
その成長が抑えられるように決定すればよい。焼成温度
は、液相焼結が生じない温度とすることが好ましい。ま
た、ターゲットの割れを防ぐために、粒成長が生じない
温度で焼成することが好ましい。
は真空中で加圧焼成することにより、焼結体を得る。加
圧焼成には、ホットプレス法や熱間静水圧プレス法を用
いることが好ましい。加圧焼成の際の圧力および温度
は、緻密な焼結体が得られ、しかもα−Ｆｅ相の生成や
その成長が抑えられるように決定すればよい。焼成温度
は、液相焼結が生じない温度とすることが好ましい。ま
た、ターゲットの割れを防ぐために、粒成長が生じない
温度で焼成することが好ましい。
【００４３】具体的には、ホットプレス法を用いる場合
には、加圧力は好ましくは４００kgf/cm2以上であり、
焼成温度は好ましくは９００〜１２００℃であり、前記
焼成温度に保持する時間は好ましくは５〜６０分間であ
り、焼成温度まで昇温するときの速度は好ましくは１０
℃/分間以上である。また、熱間静水圧プレス法を用い
る場合には、加圧力は好ましくは５００kgf/cm2以上で
あり、焼成温度は好ましくは６００〜１０００℃であ
り、前記焼成温度に保持する時間は好ましくは２０〜６
０分間であり、焼成温度まで昇温するときの速度は好ま
しくは２０℃/分間以上である。加圧力が小さすぎる
と、焼結密度が低くなってしまう。このとき、焼結密度
を確保しようとして焼成温度を高くしすぎると、ターゲ
ットの酸素含有量が増えてしまい、また、α−Ｆｅの析
出により透磁率の上昇を招く。一方、焼成温度が低すぎ
ると焼結密度が低くなってしまい、ターゲットの機械的
強度が不十分となる。昇温速度および焼成時間を上記範
囲とするのは、焼結密度を高くしてターゲットを割れに
くくするためである。なお、加圧力の上限は特にない
が、ホットプレス法において成形用型枠として一般的な
カーボン型を用いる場合には、通常、６００kgf/cm2以
下とすることが好ましい。また、熱間静水圧プレス法で
は、２０００kgf/cm2以下とすることが好ましい。
には、加圧力は好ましくは４００kgf/cm2以上であり、
焼成温度は好ましくは９００〜１２００℃であり、前記
焼成温度に保持する時間は好ましくは５〜６０分間であ
り、焼成温度まで昇温するときの速度は好ましくは１０
℃/分間以上である。また、熱間静水圧プレス法を用い
る場合には、加圧力は好ましくは５００kgf/cm2以上で
あり、焼成温度は好ましくは６００〜１０００℃であ
り、前記焼成温度に保持する時間は好ましくは２０〜６
０分間であり、焼成温度まで昇温するときの速度は好ま
しくは２０℃/分間以上である。加圧力が小さすぎる
と、焼結密度が低くなってしまう。このとき、焼結密度
を確保しようとして焼成温度を高くしすぎると、ターゲ
ットの酸素含有量が増えてしまい、また、α−Ｆｅの析
出により透磁率の上昇を招く。一方、焼成温度が低すぎ
ると焼結密度が低くなってしまい、ターゲットの機械的
強度が不十分となる。昇温速度および焼成時間を上記範
囲とするのは、焼結密度を高くしてターゲットを割れに
くくするためである。なお、加圧力の上限は特にない
が、ホットプレス法において成形用型枠として一般的な
カーボン型を用いる場合には、通常、６００kgf/cm2以
下とすることが好ましい。また、熱間静水圧プレス法で
は、２０００kgf/cm2以下とすることが好ましい。
【００４４】なお、加圧焼成に際しては、加圧した後、
昇温し、焼成温度に所定時間保持した後、圧力を解放し
て冷却することが好ましい。
昇温し、焼成温度に所定時間保持した後、圧力を解放し
て冷却することが好ましい。
【００４５】焼成後、焼結体表面付近に存在する組成的
および組織的に不均質な領域を研削により除去し、スパ
ッタ用ターゲットを完成させる。このときの研削深さ
は、１mm程度以下で十分である。
および組織的に不均質な領域を研削により除去し、スパ
ッタ用ターゲットを完成させる。このときの研削深さ
は、１mm程度以下で十分である。
【００４６】ターゲット再生方法 本発明のターゲットを再生する方法を説明する。
【００４７】まず、使用済のターゲットから、ボンディ
ング材を除去し、ターゲットだけの状態とする。
ング材を除去し、ターゲットだけの状態とする。
【００４８】粉砕工程 次いで、使用済ターゲットを粉砕し、合金粉末とする。
以下、この合金粉末を再生合金粉末という。この粉砕
は、ターゲット製造の際の粉砕工程と同様にして行う。
すなわち、粉砕雰囲気や好ましい粒径範囲などの各種条
件は、ターゲット製造の際の粉砕工程と同様である。
以下、この合金粉末を再生合金粉末という。この粉砕
は、ターゲット製造の際の粉砕工程と同様にして行う。
すなわち、粉砕雰囲気や好ましい粒径範囲などの各種条
件は、ターゲット製造の際の粉砕工程と同様である。
【００４９】混合工程 次いで、再生合金粉末を、ターゲット製造の際の粉砕工
程において得られた合金粉末（以下、新規合金粉末とい
う）と混合し、混合物を得る。再生合金粉末と新規合金
粉末との混合比率は特に限定されないが、通常、混合物
中における新規合金粉末の比率を１０〜８０重量部とす
ることが好ましい。再生合金粉末は新規合金粉末に比べ
希土類金属の酸化度が高いため、再生合金粉末の比率が
高すぎるとターゲットとして特性が不十分となる。な
お、再生合金粉末の酸化による影響を軽減するため、新
規合金粉末における希土類金属の比率を、ターゲットの
目標組成よりも高くしておくことが好ましい。具体的に
は、新規合金粉末のＲ／（Ｒ＋Ｔ）を、再生合金粉末の
Ｒ／（Ｒ＋Ｔ）の１．０２〜１．０８倍とすることが好
ましい。
程において得られた合金粉末（以下、新規合金粉末とい
う）と混合し、混合物を得る。再生合金粉末と新規合金
粉末との混合比率は特に限定されないが、通常、混合物
中における新規合金粉末の比率を１０〜８０重量部とす
ることが好ましい。再生合金粉末は新規合金粉末に比べ
希土類金属の酸化度が高いため、再生合金粉末の比率が
高すぎるとターゲットとして特性が不十分となる。な
お、再生合金粉末の酸化による影響を軽減するため、新
規合金粉末における希土類金属の比率を、ターゲットの
目標組成よりも高くしておくことが好ましい。具体的に
は、新規合金粉末のＲ／（Ｒ＋Ｔ）を、再生合金粉末の
Ｒ／（Ｒ＋Ｔ）の１．０２〜１．０８倍とすることが好
ましい。
【００５０】焼成工程 混合後、加圧焼成し、焼結体を得る。加圧焼成の際の好
ましい条件は、ターゲット製造の際の焼成工程における
ものと同様である。最後に焼結体表面を研削し、再生タ
ーゲットを完成させる。
ましい条件は、ターゲット製造の際の焼成工程における
ものと同様である。最後に焼結体表面を研削し、再生タ
ーゲットを完成させる。
【００５１】
【実施例】実施例１ Ｔｂ２５原子％、Ｆｅ６５原子％、、Ｃｏ５原子％およ
びＣｒ５原子％を調合して、合計２kgの原料とした。こ
の原料を高周波溶解した後、平面寸法が２００mm×２０
０mmのセラミック製鋳型に流し込んで急冷し、急冷合金
を得た。高周波溶解および急冷は、窒素ガスフロー雰囲
気中で行った。
びＣｒ５原子％を調合して、合計２kgの原料とした。こ
の原料を高周波溶解した後、平面寸法が２００mm×２０
０mmのセラミック製鋳型に流し込んで急冷し、急冷合金
を得た。高周波溶解および急冷は、窒素ガスフロー雰囲
気中で行った。
【００５２】次に、急冷合金の表面を０．５mmの深さま
で研削して除去した。この結果、急冷合金全体の酸素含
有量は、２００ppm以下となった。
で研削して除去した。この結果、急冷合金全体の酸素含
有量は、２００ppm以下となった。
【００５３】次いで、急冷合金をスタンプミルで３mm以
下の径まで粉砕した後、ディスクミルのＷＣ製回転円盤
の隙間を０．４mmとし、その隙間に急冷合金を投入して
粉砕を行った。この粉砕により、粒径１０〜５００μm
の合金粉末が得られた。これを目の開きが４５μmのふ
るいと４２５μmのふるいとで分級した。なお、粉砕
は、窒素ガスフロー雰囲気中で行った。
下の径まで粉砕した後、ディスクミルのＷＣ製回転円盤
の隙間を０．４mmとし、その隙間に急冷合金を投入して
粉砕を行った。この粉砕により、粒径１０〜５００μm
の合金粉末が得られた。これを目の開きが４５μmのふ
るいと４２５μmのふるいとで分級した。なお、粉砕
は、窒素ガスフロー雰囲気中で行った。
【００５４】合金粉末の粒度分布と、対応する酸素量お
よびＴｂ量との測定結果を、表１に示す。
よびＴｂ量との測定結果を、表１に示す。
【００５５】
【表１】
【００５６】表１から、合金粉末のＴｂ含有量は粒径に
依存せず、極めて安定していることがわかる。また、４
５μmを下回る合金粉末では、酸素量が多すぎることが
わかる。
依存せず、極めて安定していることがわかる。また、４
５μmを下回る合金粉末では、酸素量が多すぎることが
わかる。
【００５７】次に、カーボン型に合金粉末を充填し、５
００kgf/cm2で加圧しながら１５℃／分間の速度で昇温
し、Ａｒ雰囲気中において１０５０℃で２０分間ホット
プレスした。加圧を解除した後、冷却し、焼結体を得
た。
００kgf/cm2で加圧しながら１５℃／分間の速度で昇温
し、Ａｒ雰囲気中において１０５０℃で２０分間ホット
プレスした。加圧を解除した後、冷却し、焼結体を得
た。
【００５８】この焼結体の外周面および表裏面を１mmの
深さまで研削して除去し、ターゲットを得た。このター
ゲットは、直径１２７mm、厚さ１０mmであった。
深さまで研削して除去し、ターゲットを得た。このター
ゲットは、直径１２７mm、厚さ１０mmであった。
【００５９】このターゲットは、透磁率が２．３であ
り、酸素含有量が５５０ppmであり、焼結密度が９５％
であった。また、このターゲットでは、スパッタターゲ
ットのボンディング工程における成膜に際し、割れ等の
問題は発生しなかった。
り、酸素含有量が５５０ppmであり、焼結密度が９５％
であった。また、このターゲットでは、スパッタターゲ
ットのボンディング工程における成膜に際し、割れ等の
問題は発生しなかった。
【００６０】このターゲットを、走査型電子顕微鏡、Ｘ
線回折およびＥＰＭＡにより分析した結果、走査型電子
顕微鏡写真においてマトリックス相として観察される相
対的に暗い領域がＦｅ3Ｔｂ型結晶相であり、マトリッ
クス相中に分散されている相対的に明るい領域がＦｅ2
Ｔｂ型結晶相であることがわかった。これらの結晶相の
うちＦｅ3Ｔｂ型結晶相の比率は、９７体積％であっ
た。ＥＰＭＡによる分析では、Ｆｅ3Ｔｂ型結晶相にお
いて（Ｆｅ＋Ｃｏ＋Ｃｒ）：Ｔｂはほぼ３：１であっ
た。この結果から、ＣｏおよびＣｒがＦｅサイトを置換
していると考えられる。
線回折およびＥＰＭＡにより分析した結果、走査型電子
顕微鏡写真においてマトリックス相として観察される相
対的に暗い領域がＦｅ3Ｔｂ型結晶相であり、マトリッ
クス相中に分散されている相対的に明るい領域がＦｅ2
Ｔｂ型結晶相であることがわかった。これらの結晶相の
うちＦｅ3Ｔｂ型結晶相の比率は、９７体積％であっ
た。ＥＰＭＡによる分析では、Ｆｅ3Ｔｂ型結晶相にお
いて（Ｆｅ＋Ｃｏ＋Ｃｒ）：Ｔｂはほぼ３：１であっ
た。この結果から、ＣｏおよびＣｒがＦｅサイトを置換
していると考えられる。
【００６１】このターゲットのＸ線回折チャートを図１
に示す。図１において、２θ＝４１°と２θ＝４２°と
の間に存在する回折ピークが、Ｆｅ3Ｔｂ結晶に由来す
るものである。なお、Ｘ線回折による分析では、α−Ｆ
ｅ相の存在は認められなかった。
に示す。図１において、２θ＝４１°と２θ＝４２°と
の間に存在する回折ピークが、Ｆｅ3Ｔｂ結晶に由来す
るものである。なお、Ｘ線回折による分析では、α−Ｆ
ｅ相の存在は認められなかった。
【００６２】このターゲットの面内方向および厚さ方向
における均質性を調べた。面内方向では、断面を２０mm
角の３２領域に分割して組成を測定し、各領域間でのＴ
ｂ含有量のばらつきを調べた。また、厚さ方向では、厚
さ１mmごとの１０領域に分割して組成を測定し、各領域
間でのＴｂ含有量のばらつきを調べた。この結果、面内
方向３２領域のＴｂ含有量は２４．８６４〜２５．０８
５原子％の範囲にあり、厚さ方向１０領域のＴｂ含有量
は２４．８４７〜２５．０８０原子％の範囲にあった。
すなわち、Ｔｂ含有量はいずれも２５．０±０．２原子
％の範囲に収まっており、極めて均質であることがわか
った。また、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒについても同様な測
定を行った結果、これらの元素についても同等の結果が
得られた。
における均質性を調べた。面内方向では、断面を２０mm
角の３２領域に分割して組成を測定し、各領域間でのＴ
ｂ含有量のばらつきを調べた。また、厚さ方向では、厚
さ１mmごとの１０領域に分割して組成を測定し、各領域
間でのＴｂ含有量のばらつきを調べた。この結果、面内
方向３２領域のＴｂ含有量は２４．８６４〜２５．０８
５原子％の範囲にあり、厚さ方向１０領域のＴｂ含有量
は２４．８４７〜２５．０８０原子％の範囲にあった。
すなわち、Ｔｂ含有量はいずれも２５．０±０．２原子
％の範囲に収まっており、極めて均質であることがわか
った。また、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒについても同様な測
定を行った結果、これらの元素についても同等の結果が
得られた。
【００６３】このターゲットを用いたマグネトロンスパ
ッタにより、直径６３．５mmの基板上に光磁気記録膜を
形成してミニディスクを作製したところ、ターゲットを
交換することなく１５万枚以上のミニディスクの製造が
可能であった。しかも、初期に形成された膜と末期に形
成された膜とで組成に変化はみられず、かつ、各膜はい
ずれも面内方向において均質であった。
ッタにより、直径６３．５mmの基板上に光磁気記録膜を
形成してミニディスクを作製したところ、ターゲットを
交換することなく１５万枚以上のミニディスクの製造が
可能であった。しかも、初期に形成された膜と末期に形
成された膜とで組成に変化はみられず、かつ、各膜はい
ずれも面内方向において均質であった。
【００６４】実施例２ 原料組成を、Ｔｂ２２原子％、Ｆｅ６８原子％、、Ｃｏ
５原子％およびＣｒ５原子％としたほかは実施例１と同
様にして、ターゲットを作製した。
５原子％およびＣｒ５原子％としたほかは実施例１と同
様にして、ターゲットを作製した。
【００６５】このターゲットは、透磁率が２．５であ
り、酸素含有量が５００ppmであり、焼結密度が９６％
であった。また、このターゲットでは、スパッタターゲ
ットのボンディング工程における成膜に際し、割れ等の
問題は発生しなかった。
り、酸素含有量が５００ppmであり、焼結密度が９６％
であった。また、このターゲットでは、スパッタターゲ
ットのボンディング工程における成膜に際し、割れ等の
問題は発生しなかった。
【００６６】このターゲットの面内方向断面の走査型電
子顕微鏡写真を図２に、厚さ方向断面の走査型電子顕微
鏡写真を図３に示す。Ｘ線回折およびＥＰＭＡによる分
析の結果、マトリックス相として観察される相対的に明
るい領域がＦｅ3Ｔｂ型結晶相であり、マトリックス相
中に分散されている相対的に暗い領域がＦｅ23Ｔｂ6型
結晶相であることがわかった。これらの結晶相のうちＦ
ｅ3Ｔｂ型結晶相の比率は、９４体積％であった。ＥＰ
ＭＡによる分析では、Ｆｅ3Ｔｂ型結晶相において（Ｆ
ｅ＋Ｃｏ＋Ｃｒ）：Ｔｂはほぼ３：１であった。この結
果から、ＣｏおよびＣｒがＦｅサイトを置換していると
考えられる。
子顕微鏡写真を図２に、厚さ方向断面の走査型電子顕微
鏡写真を図３に示す。Ｘ線回折およびＥＰＭＡによる分
析の結果、マトリックス相として観察される相対的に明
るい領域がＦｅ3Ｔｂ型結晶相であり、マトリックス相
中に分散されている相対的に暗い領域がＦｅ23Ｔｂ6型
結晶相であることがわかった。これらの結晶相のうちＦ
ｅ3Ｔｂ型結晶相の比率は、９４体積％であった。ＥＰ
ＭＡによる分析では、Ｆｅ3Ｔｂ型結晶相において（Ｆ
ｅ＋Ｃｏ＋Ｃｒ）：Ｔｂはほぼ３：１であった。この結
果から、ＣｏおよびＣｒがＦｅサイトを置換していると
考えられる。
【００６７】なお、Ｘ線回折による分析では、α−Ｆｅ
相の存在は認められなかった。
相の存在は認められなかった。
【００６８】このターゲットの面内方向および厚さ方向
における均質性を、実施例１と同様にして調べた。この
結果、Ｔｂ含有量はいずれも２２．０±０．２原子％の
範囲に収まっており、極めて均質であることがわかっ
た。また、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒについても同様な測定
を行った結果、これらの元素についても同等の結果が得
られた。
における均質性を、実施例１と同様にして調べた。この
結果、Ｔｂ含有量はいずれも２２．０±０．２原子％の
範囲に収まっており、極めて均質であることがわかっ
た。また、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒについても同様な測定
を行った結果、これらの元素についても同等の結果が得
られた。
【００６９】このターゲットを用いたマグネトロンスパ
ッタにより、直径６３．５mmの基板上に光磁気記録膜を
形成してミニディスクを作製したところ、ターゲットを
交換することなく１５万枚以上のミニディスクの製造が
可能であった。しかも、初期に形成された膜と末期に形
成された膜とで組成に変化はみられず、かつ、各膜はい
ずれも面内方向において均質であった。
ッタにより、直径６３．５mmの基板上に光磁気記録膜を
形成してミニディスクを作製したところ、ターゲットを
交換することなく１５万枚以上のミニディスクの製造が
可能であった。しかも、初期に形成された膜と末期に形
成された膜とで組成に変化はみられず、かつ、各膜はい
ずれも面内方向において均質であった。
【００７０】比較例 比較のために、高周波溶解に替えてアーク溶解を利用し
て急冷合金を作製し、このほかは実施例１と同様にして
比較ターゲットを作製した。
て急冷合金を作製し、このほかは実施例１と同様にして
比較ターゲットを作製した。
【００７１】このターゲットでは、Ｘ線回折およびＥＰ
ＭＡでの分析によりα−Ｆｅ相の存在が認められ、透磁
率が５と大きかった。
ＭＡでの分析によりα−Ｆｅ相の存在が認められ、透磁
率が５と大きかった。
【００７２】このターゲットについても、面内方向およ
び厚さ方向における均質性を実施例１と同様にして調べ
た。この結果、厚さ方向に分割された領域には２４〜２
６原子％の範囲に収まらないものが存在し、ばらつきが
大きいことがわかった。これは、アーク溶解によりα−
Ｆｅ相が生成し、α−Ｆｅ相は粉砕されにくいため大径
のＦｅリッチ粉が粉砕時に生じ、加圧成型の際に型に投
入するとき大径のＦｅリッチ粉が下部に集まったためと
考えられる。
び厚さ方向における均質性を実施例１と同様にして調べ
た。この結果、厚さ方向に分割された領域には２４〜２
６原子％の範囲に収まらないものが存在し、ばらつきが
大きいことがわかった。これは、アーク溶解によりα−
Ｆｅ相が生成し、α−Ｆｅ相は粉砕されにくいため大径
のＦｅリッチ粉が粉砕時に生じ、加圧成型の際に型に投
入するとき大径のＦｅリッチ粉が下部に集まったためと
考えられる。
【００７３】このターゲットをマグネトロンスパッタに
使用したときに、上記実施例で作製した厚さ１０mmの本
発明ターゲットと同等の漏洩磁界強度を得るためには、
ターゲットの厚さを６mmまで薄くする必要があった。
使用したときに、上記実施例で作製した厚さ１０mmの本
発明ターゲットと同等の漏洩磁界強度を得るためには、
ターゲットの厚さを６mmまで薄くする必要があった。
【００７４】実施例３ 実施例１において１５万枚のミニディスク製造に使用し
たターゲットを粉砕し、再生合金粉末とした。
たターゲットを粉砕し、再生合金粉末とした。
【００７５】一方、原料組成を、Ｔｂ２６原子％、Ｆｅ
６４．２原子％、Ｃｏ４．９原子％およびＣｒ４．９原
子％としたほかは実施例１と同様にして合金粉末を得、
これを実施例１と同様にして分級して、新規合金粉末と
した。
６４．２原子％、Ｃｏ４．９原子％およびＣｒ４．９原
子％としたほかは実施例１と同様にして合金粉末を得、
これを実施例１と同様にして分級して、新規合金粉末と
した。
【００７６】再生合金粉末と新規合金粉末とを重量比で
１：１となるように混合し、得られた混合物を実施例１
と同様にしてホットプレスした後、研削し、ターゲット
とした。
１：１となるように混合し、得られた混合物を実施例１
と同様にしてホットプレスした後、研削し、ターゲット
とした。
【００７７】このターゲットを用いてミニディスクの製
造を行ったところ、実施例１と同様に、初期に形成され
た膜と末期に形成された膜とで組成に変化はみられず、
かつ、各膜はいずれも面内方向において均質であった。
造を行ったところ、実施例１と同様に、初期に形成され
た膜と末期に形成された膜とで組成に変化はみられず、
かつ、各膜はいずれも面内方向において均質であった。
【図１】ターゲットのＸ線回折チャートである。
【図２】結晶構造を示す図面代用写真であって、本発明
のターゲットの面内方向断面の走査型電子顕微鏡写真で
ある。
のターゲットの面内方向断面の走査型電子顕微鏡写真で
ある。
【図３】結晶構造を示す図面代用写真であって、本発明
のターゲットの厚さ方向断面の走査型電子顕微鏡写真で
ある。
のターゲットの厚さ方向断面の走査型電子顕微鏡写真で
ある。
Claims (9)
- 【請求項１】 光磁気記録用の記録材料をマグネトロン
スパッタ法により形成するときに用いられるターゲット
であって、Ｒ（Ｒは、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｎｄ、
Ｈｏ、ＴｍおよびＥｒの少なくとも１種から選択される
希土類金属元素である）を２０〜３０原子％含み、残部
が実質的にＴ（Ｔは、遷移金属元素であり、Ｆｅ、Ｃｏ
およびＮｉの少なくとも１種を必ず含む）であり、実質
的に均質な焼結組織からなり、透磁率が３以下である光
磁気記録用合金ターゲット。 - 【請求項２】 前記Ｔ中にＣｒが含まれる請求項１の光
磁気記録用合金ターゲット。 - 【請求項３】 板状体であって、厚さが８mm以上である
請求項１または２の光磁気記録用合金ターゲット。 - 【請求項４】 酸素含有量が１０００ppm以下である請
求項１〜３のいずれかの光磁気記録用合金ターゲット。 - 【請求項５】 Ｆｅ3Ｔｂ型結晶相が結晶相全体の９０
％以上を占める請求項１〜４のいずれかの光磁気記録用
合金ターゲット。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかの光磁気記録用
合金ターゲットを製造する方法であって、 前記Ｒと前記Ｔとを、Ｒ／（Ｒ＋Ｔ）が２０〜３０原子
％となるように調合し、得られた調合物を高周波炉また
はるつぼ炉で溶解し、次いで急冷して急冷合金を得、こ
の急冷合金を非酸化性雰囲気中において機械粉砕して合
金粉末を得、この合金粉末を不活性ガス雰囲気中または
真空中で加圧焼成することにより焼結する光磁気記録用
合金ターゲットの製造方法。 - 【請求項７】 前記合金粉末の９０重量％以上が粒径４
５〜４２５μmである請求項６の光磁気記録用合金ター
ゲットの製造方法。 - 【請求項８】 請求項１〜５のいずれかの光磁気記録用
合金ターゲットを使用した後、非酸化性雰囲気中におい
て機械粉砕して再生合金粉末を得、一方、前記Ｒと前記
Ｔとを調合し、得られた調合物を高周波炉またはるつぼ
炉で溶解し、次いで急冷して急冷合金を得、この急冷合
金を非酸化性雰囲気中において機械粉砕して合金粉末を
得、この合金粉末と前記再生合金粉末との混合物を不活
性ガス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより
焼結する工程を有する光磁気記録用合金ターゲットの再
生方法。 - 【請求項９】 前記調合物のＲ／（Ｒ＋Ｔ）が、前記再
生合金粉末のＲ／（Ｒ＋Ｔ）の１．０２〜１．０８倍で
ある請求項８の光磁気記録用合金ターゲットの再生方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09070612A JP3098204B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
| US09/033,173 US6071323A (en) | 1997-03-07 | 1998-03-02 | Alloy target, its fabrication, and regeneration processes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09070612A JP3098204B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000141291A Division JP2001011616A (ja) | 2000-01-01 | 2000-05-15 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10251847A true JPH10251847A (ja) | 1998-09-22 |
| JP3098204B2 JP3098204B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=13436604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09070612A Expired - Lifetime JP3098204B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6071323A (ja) |
| JP (1) | JP3098204B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011026702A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-02-10 | Hitachi Metals Ltd | Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材 |
| JP2012207274A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Hitachi Metals Ltd | 永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2013127102A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Fujikura Ltd | 再生ターゲットの製造方法、超電導線材の製造方法 |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4240679B2 (ja) * | 1999-09-21 | 2009-03-18 | ソニー株式会社 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
| US6506289B2 (en) | 2000-08-07 | 2003-01-14 | Symmorphix, Inc. | Planar optical devices and methods for their manufacture |
| TWI232241B (en) * | 2001-03-13 | 2005-05-11 | Ind Tech Res Inst | Method of regenerating a phase change sputtering target for optical storage media |
| US7469558B2 (en) * | 2001-07-10 | 2008-12-30 | Springworks, Llc | As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture |
| US7404877B2 (en) | 2001-11-09 | 2008-07-29 | Springworks, Llc | Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD |
| US7378356B2 (en) | 2002-03-16 | 2008-05-27 | Springworks, Llc | Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films |
| US6884327B2 (en) * | 2002-03-16 | 2005-04-26 | Tao Pan | Mode size converter for a planar waveguide |
| US20070264564A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-11-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
| US8394522B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Robust metal film encapsulation |
| US8445130B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-05-21 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
| US8236443B2 (en) | 2002-08-09 | 2012-08-07 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
| US7993773B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-08-09 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| US8431264B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-04-30 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
| US8404376B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-26 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
| US8021778B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-09-20 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| US7826702B2 (en) | 2002-08-27 | 2010-11-02 | Springworks, Llc | Optically coupling into highly uniform waveguides |
| US8728285B2 (en) | 2003-05-23 | 2014-05-20 | Demaray, Llc | Transparent conductive oxides |
| US7504008B2 (en) * | 2004-03-12 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Refurbishment of sputtering targets |
| KR101021536B1 (ko) | 2004-12-08 | 2011-03-16 | 섬모픽스, 인코포레이티드 | ＬｉＣｏＯ２의 증착 |
| US7959769B2 (en) | 2004-12-08 | 2011-06-14 | Infinite Power Solutions, Inc. | Deposition of LiCoO2 |
| US7838133B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-11-23 | Springworks, Llc | Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications |
| US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
| US7488526B2 (en) | 2005-11-22 | 2009-02-10 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target and manufacturing method therefor, and optical recording medium and manufacturing method therefor |
| US8790499B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-07-29 | Applied Materials, Inc. | Process kit components for titanium sputtering chamber |
| US8062708B2 (en) | 2006-09-29 | 2011-11-22 | Infinite Power Solutions, Inc. | Masking of and material constraint for depositing battery layers on flexible substrates |
| US8197781B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-06-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same |
| US20080145688A1 (en) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | H.C. Starck Inc. | Method of joining tantalum clade steel structures |
| US8197894B2 (en) | 2007-05-04 | 2012-06-12 | H.C. Starck Gmbh | Methods of forming sputtering targets |
| US8968536B2 (en) | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
| US7901552B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
| US8118906B2 (en) * | 2007-10-29 | 2012-02-21 | Heraeus Inc. | Methodology for recycling Ru and Ru-alloy deposition targets and targets made of recycled Ru and Ru-based alloy powders |
| TWI441937B (zh) | 2007-12-21 | 2014-06-21 | Infinite Power Solutions Inc | 形成用於電解質薄膜之濺鍍靶材的方法 |
| US8268488B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-09-18 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film electrolyte for thin film batteries |
| KR101606183B1 (ko) | 2008-01-11 | 2016-03-25 | 사푸라스트 리써치 엘엘씨 | 박막 배터리 및 기타 소자를 위한 박막 캡슐화 |
| EP2266183B1 (en) | 2008-04-02 | 2018-12-12 | Sapurast Research LLC | Passive over/under voltage control and protection for energy storage devices associated with energy harvesting |
| EP2319101B1 (en) | 2008-08-11 | 2015-11-04 | Sapurast Research LLC | Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof |
| US8246903B2 (en) | 2008-09-09 | 2012-08-21 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| KR101613671B1 (ko) | 2008-09-12 | 2016-04-19 | 사푸라스트 리써치 엘엘씨 | 전자기 에너지에 의해 데이터 통신을 하는 통합 도전성 표면을 가진 에너지 장치 및 그 통신 방법 |
| US8508193B2 (en) | 2008-10-08 | 2013-08-13 | Infinite Power Solutions, Inc. | Environmentally-powered wireless sensor module |
| EP2474056B1 (en) | 2009-09-01 | 2016-05-04 | Sapurast Research LLC | Printed circuit board with integrated thin film battery |
| WO2011156392A1 (en) | 2010-06-07 | 2011-12-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Rechargeable, high-density electrochemical device |
| JP5290468B2 (ja) * | 2010-12-20 | 2013-09-18 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Ｃ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲット |
| US8734896B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-05-27 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing high-strength large-area sputtering targets |
| CN103456452B (zh) * | 2013-09-12 | 2016-03-23 | 南京理工大学 | 低镝耐腐蚀烧结钕铁硼制备方法 |
| CN104124052A (zh) * | 2014-07-25 | 2014-10-29 | 安徽大地熊新材料股份有限公司 | 一种高性能稀土－铁－硼系烧结永磁体的制备方法 |
| KR102195573B1 (ko) * | 2019-04-22 | 2020-12-28 | (주)해영이엔지 | 텐트형 인공어초 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4752300A (en) * | 1986-06-06 | 1988-06-21 | Burlington Industries, Inc. | Dyeing and fire retardant treatment for nomex |
| US4848804A (en) * | 1987-04-03 | 1989-07-18 | Cajon Company | Dielectric coupling |
| JPH0768612B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1995-07-26 | 日立金属株式会社 | 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法 |
| JPS63274764A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
| JPS63274763A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
| JPH0784656B2 (ja) * | 1988-10-15 | 1995-09-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット |
| DE3935698C2 (de) * | 1988-10-26 | 1995-06-22 | Sumitomo Metal Mining Co | Legierungstarget für die Herstellung eines magneto-optischen Aufzeichnungsmediums |
| JPH0822796B2 (ja) * | 1989-07-20 | 1996-03-06 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体単結晶引上装置用断熱材 |
| JPH0355547A (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Sharp Corp | シルク印刷用製版装置 |
| JPH0355548A (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 感光性樹脂複合版 |
| JPH0826636B2 (ja) * | 1989-08-11 | 1996-03-13 | 株式会社ノダ | 建築用板材の連接施工用止め金具及びその止め金具を用いて行う連接施工方法 |
| JPH0459075A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤付積層板の製造における積層板の接着剤浸漬方法 |
| JPH06184740A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-05 | Hitachi Metals Ltd | 光磁気記録媒体用ターゲットおよびその製造方法 |
| JP2988021B2 (ja) * | 1991-06-12 | 1999-12-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 透磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材 |
| JPH0548281A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Hitachi Ltd | 電子機器装置の筺体構造 |
| EP0535314A1 (en) * | 1991-08-30 | 1993-04-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Platinum-cobalt alloy sputtering target and method for manufacturing same |
| JPH0630660B2 (ja) * | 1991-12-28 | 1994-04-27 | 株式会社三共 | 弾球遊技機 |
| JPH0626171A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-01 | Ig Tech Res Inc | 外壁構造 |
| JPH0790567A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-04-04 | Hitachi Metals Ltd | 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法 |
| US5439500A (en) * | 1993-12-02 | 1995-08-08 | Materials Research Corporation | Magneto-optical alloy sputter targets |
| US5710384A (en) * | 1995-03-08 | 1998-01-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Magneto-optical recording medium target and manufacture method of same |
-
1997
- 1997-03-07 JP JP09070612A patent/JP3098204B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-02 US US09/033,173 patent/US6071323A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011026702A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-02-10 | Hitachi Metals Ltd | Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材 |
| JP2012207274A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Hitachi Metals Ltd | 永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2013127102A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Fujikura Ltd | 再生ターゲットの製造方法、超電導線材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JP3098204B2 (ja) | 2000-10-16 |
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