JPH0248623B2 - - Google Patents
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気記録媒体スパツタリング法を
用いて製造するのに好適な合金ターゲツトに関す
る。 〔従来の技術〕 近年、情報の消去、再記録が容易にできる光磁
気メモリーが注目されているが、この光磁気メモ
リーの材料として、ガーネツトなどの単結晶材
料、MnBi、PtCoなどの多結晶材料および希土類
元素と遷移金属との合金などの非晶質材料が知ら
れている。 これらの中でも希土類元素と遷移金属からなる
非晶質合金(Tb−Fe−Co、Gb−Tb−Feなど)
は、記録に必要なエネルギーが少なくてすむこ
と、粒界ノイズが現われないこと、さらに比較的
容易に大型のものが作成できること等の多くの利
点を持つ。この非晶質合金の薄膜を作成する方法
として、イオンをターゲツトに衝突させてターゲ
ツト近くにおかれた基板の上に薄膜を作成するス
パツタリング法がよく用いられる。このスパツタ
ング法に使用されるターゲツト材料は、(1)鉄など
の板の上に希土類元素のチツプを張りつけたり埋
め込んだりした複合型材料、(2)予め希土類元素と
遷移金属とをアーク放電等によて溶解させて合金
化した合金型材料、(3)希土類元素と遷移金属を溶
解して得られた合金塊を粉砕して製造した合金粉
末と遷移金属粉末とを混合し、その混合粉末を粉
末冶金法により焼結した合金焼結型材料(特開昭
60−230903号)などがある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、これらのターゲツト材料は、そ
の具備すべき性能である(a)割れ難いこと、(b)薄膜
を作成する際、スパツタリングが安定して行なえ
るように、充分、緻密であること、(c)均一な組成
の薄膜が作成できるように、組成が充分均一であ
ること、(d)光磁気特性の良好な薄膜が作成できる
ように、酸素含有量が充分低いこと、および(e)安
価であること、のすべてを満足するものではな
い。即ち、前記(1)は(c)、(e)に、前記(2)は(a)、(b)、
(e)に、前記(3)は(b)、(c)、(e)に問題を抱えている。 本出願人は、上記事情に鑑み、前記性能をすべ
て満足するターゲツトを提供すべく、まずこのよ
うなターゲツトの製造方法を既に提案した(特願
昭61−99808号)が、その後、本発明者は引続き
この方法によつて得られたターゲツトについて鋭
意検討を加えた結果、このターゲツトが新規な成
分、組成および組織を有していることを見出し、
本発明に到達した。即ち、従来の合金焼結型材料
は、金属間化合物相に起因する材の脆い性質を遷
移金属の微細粒子を結合相として介在させること
により改良するものであるのに対して、金属間化
合物相が少なくとも3種存在すれば、金属間化合
物相のみで、金属単体粒子が結合相として存在し
ていなくても、その材料は充分靭性を有するとい
う知見を得たものである。 〔問題点を解決するための手段および作用〕 本発明は、前記目的を達成するものとして、成
分、組成が、Sm、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、
Tm、Erの中の少なくとも1種の希土類元素10〜
50原子%、残部実質的にCo、Fe、Niの中の少な
くとも1種の遷移金属であり、組織が少なくとも
3種の、該希土類元素と該遷移金属との金属間化
合物相からなる混合組織である光磁気記録用合金
ターゲツトを提供するものである。 本発明の合金ターゲツトの成分、組成は、Sm、
Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Tm、Erの中の少なく
とも1種の希土類元素10〜50原子%、残部実質的
にCo、Fe、Niの中の少なくとも1種の遷移金属
である必要がある。希土類元素の量が10原子%未
満になつたり、50原子%を超えると、スパツタリ
ング法により得られる薄膜の光磁気特性が充分な
ものとならない。 本発明の合金ターゲツトは、製造上不可避的に
混入する不純物、例えば、Ca、Si、C、P、S、
Mnなどを含んでいてもよい。 また、本発明の合金ターゲツトの組織は、少な
くとも3種の、該希土類元素と該遷移金属との金
属間化合物相からなる混合組織を呈する。この金
属間化合物相が2相以下では、合金ターゲツトの
靭性が充分なものとならない。少なくとも3種の
金属間化合物相各々の量は、5容量%以上あれば
よく、また各々の大きさは、500μm以下が好ま
しい。更にこれらの相の形状は、粒状、角状、栓
状などでよく、特に制限はない。 次に、本発明の合金ターゲツトの製造方法例を
説明する。 Sm酸化物粉、Nd酸化物粉、Gd酸化物粉、Tb
酸化物粉、Dy酸化物粉、Ho酸化物粉、Tm酸化
物粉、Er酸化物粉の中の少なくとも1種の希土
類酸化物粉、Co粉、Fe粉、Ni粉の中の少なくと
も1種の遷移金属粉および金属カルシウムのよう
な還元剤を混合し、該混合物を容器に充填して、
常圧の不溶性ガス雰囲気中または真空下900〜
1300℃で加熱した後、得られた反応生成物を水中
に投入しスラリー状に、該スラリーを水および酸
水溶液で処理する、いわゆる還元拡散法により、
まず好ましくは粒度100メツシユ(Tyler、以下
同じ)以下の希土類−遷移金属合金粉末を製造す
る。 こうして得られた合金粉末は、次に、粉末冶金
法による焼結に供され、焼結体である合金ターゲ
ツトが製造される。即ち、例えば、合金粉末を、
常温で0.5〜5t/cm2の圧力で単純圧縮するか、0.5
〜2t/cm2の圧力で静水圧プレスにて成形した後、
真空あるいはAr雰囲気中、900〜1300℃の温度で
1〜5時間焼結する常圧焼結法、真空中、0.1〜
0.5t/cm2の圧力で800〜1200℃の温度で1〜5時
間焼結する熱間加圧法、更には弾性体中に封入
後、800〜1200℃の温度、0.1〜2t/cm2の圧力で1
〜5時間焼結する熱間静水圧加圧法等により焼結
を行なう。 以上のような方法で製造された合金ターゲツト
は、還元拡散法により得られた合金粉末が中心部
に位置する遷移金属単体相と該単体相を包囲して
被覆する希土類元素と遷移金属との金属間化合物
相とからなつているので、このような合金粉末を
前記粉末冶金法に供することにより遷移金属単体
相が拡散、反応して消失し、その組織を少なくと
も3種の、希土類元素と遷移金属との金属間化合
物相からなる混合組織とすることができる。 以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。 〔実施例〕 実施例 1 Tb−Fe−Co合金ターゲツトの製造を目的とし
て、それぞれ純度が99.9重量%以上の、Tb4O7
(平均粒径3μm以下)407.4g、鉄粉末(粒度200
メツシユ以下)250.6g、コバルト粉末(粒度200
メツシユ以下)20.4g、金属カルシウム(粒度4
メツシユ以下)305.1g、および無水塩化カルシ
ウム(粒度100メツシユ以下)40.7gを配合し、
十分に混合した。混合物をステンレススチール製
の反応容器に入れ、高純度アルゴンガスの気流中
で1000℃まで約1時間で昇温し、その温度で5時
間保持した後室温まで冷却した。生成した塊状の
混合物1012.3gを5の水に投入した。塊状の混
合物が崩壊後、生じたスラリーから上層のCa
(OH)2懸濁物をデカンテーシヨンによつて分離
し注入した後、スラリーを5分間撹拌し、再びデ
カンテーシヨンを行つた。この注水−撹拌−デカ
ンテーシヨンの操作を繰り返して合金粉末から酸
化カルシウムを十分に分離した。合金粉末に水を
加えたスラリーに、PH4.5になるように撹拌しな
がら希酢酸を滴下し、これを20分間保持した。こ
れを濾過して、得られた合金粉末を水洗後エタノ
ールで数回洗浄し、50℃、1×10-2Torrで12時
間真空乾燥した。得られた合金粉末の540gを内
径130mmの黒鉛製の成形器の装入し熱間加圧した。
熱間加圧の条件として、真空度を5×10-5Torr
とし、粉末を加圧するために、0.15t/cm2の圧力
を1000℃に昇温するまで加え、昇温後は圧力を
0.25t/cm2としその温度を1時間保持した。得ら
れた焼結体を室温まで冷却した後、成形器から取
り出した。目視にて、合金ターゲツトである焼結
体のヒビ、割れを観察したが全く見あたらず、透
過X線を照射して内部を検査したがヒビ、割れは
観測されなかつた。また、この焼結体の組成(重
量%)は、Tb:55.4%、Co:3.4%、Fe:41.0%
であり、不純物であるO2、Caは夫々0.10%、0.02
%であり、相対密度は100%であつた。更に、こ
の焼結体の組織を金属顕微鏡、EPMAなどによ
り検査した結果、Tb10Fe88Co2、Tb40Fe50Co10、
Tb57Fe23Co20、Tb32Fe68などの大きさ10〜60μm
の粒状金属間化合物相の混合組織であり、希土類
元素単体および遷移金属単体の相は認められなか
つた。 このような合金ターゲツト(直径130mm、厚さ
4.5mm)を使用し、スパツタリング法(アルゴン
ガス圧:6×10-5Torr、スパツタリング電力:
4W/cm2、基板:ソーダガラス)により薄膜(膜
厚3000Å)を作成した。作成中スパツタリングは
充分安定していた。得られた薄膜の光磁気特性は
極磁気カー回転角(θk):0.30゜、保磁力(Hc):
1100kA/mであつた。また、スパツタリング中、
スパツタ時間が5、20、40および60時間経過した
時点で得られた薄膜表面のTb成分を分析してTb
成分のバラツキ(範囲)を算出すると0.6重量%
であつた。なお、この薄膜を作成後の合金ターゲ
ツトのヒビ、割れを前記と同様に観察、検査した
が、観測されなかつた。 実施例 2 合金ターゲツトの種類、混合した原料粉末を第
1表のようにした以外は、実施例1と同様にして
合金ターゲツトである焼結体を製造し、このター
ゲツトを使用して薄膜を作成した。
用いて製造するのに好適な合金ターゲツトに関す
る。 〔従来の技術〕 近年、情報の消去、再記録が容易にできる光磁
気メモリーが注目されているが、この光磁気メモ
リーの材料として、ガーネツトなどの単結晶材
料、MnBi、PtCoなどの多結晶材料および希土類
元素と遷移金属との合金などの非晶質材料が知ら
れている。 これらの中でも希土類元素と遷移金属からなる
非晶質合金(Tb−Fe−Co、Gb−Tb−Feなど)
は、記録に必要なエネルギーが少なくてすむこ
と、粒界ノイズが現われないこと、さらに比較的
容易に大型のものが作成できること等の多くの利
点を持つ。この非晶質合金の薄膜を作成する方法
として、イオンをターゲツトに衝突させてターゲ
ツト近くにおかれた基板の上に薄膜を作成するス
パツタリング法がよく用いられる。このスパツタ
ング法に使用されるターゲツト材料は、(1)鉄など
の板の上に希土類元素のチツプを張りつけたり埋
め込んだりした複合型材料、(2)予め希土類元素と
遷移金属とをアーク放電等によて溶解させて合金
化した合金型材料、(3)希土類元素と遷移金属を溶
解して得られた合金塊を粉砕して製造した合金粉
末と遷移金属粉末とを混合し、その混合粉末を粉
末冶金法により焼結した合金焼結型材料(特開昭
60−230903号)などがある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、これらのターゲツト材料は、そ
の具備すべき性能である(a)割れ難いこと、(b)薄膜
を作成する際、スパツタリングが安定して行なえ
るように、充分、緻密であること、(c)均一な組成
の薄膜が作成できるように、組成が充分均一であ
ること、(d)光磁気特性の良好な薄膜が作成できる
ように、酸素含有量が充分低いこと、および(e)安
価であること、のすべてを満足するものではな
い。即ち、前記(1)は(c)、(e)に、前記(2)は(a)、(b)、
(e)に、前記(3)は(b)、(c)、(e)に問題を抱えている。 本出願人は、上記事情に鑑み、前記性能をすべ
て満足するターゲツトを提供すべく、まずこのよ
うなターゲツトの製造方法を既に提案した(特願
昭61−99808号)が、その後、本発明者は引続き
この方法によつて得られたターゲツトについて鋭
意検討を加えた結果、このターゲツトが新規な成
分、組成および組織を有していることを見出し、
本発明に到達した。即ち、従来の合金焼結型材料
は、金属間化合物相に起因する材の脆い性質を遷
移金属の微細粒子を結合相として介在させること
により改良するものであるのに対して、金属間化
合物相が少なくとも3種存在すれば、金属間化合
物相のみで、金属単体粒子が結合相として存在し
ていなくても、その材料は充分靭性を有するとい
う知見を得たものである。 〔問題点を解決するための手段および作用〕 本発明は、前記目的を達成するものとして、成
分、組成が、Sm、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、
Tm、Erの中の少なくとも1種の希土類元素10〜
50原子%、残部実質的にCo、Fe、Niの中の少な
くとも1種の遷移金属であり、組織が少なくとも
3種の、該希土類元素と該遷移金属との金属間化
合物相からなる混合組織である光磁気記録用合金
ターゲツトを提供するものである。 本発明の合金ターゲツトの成分、組成は、Sm、
Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Tm、Erの中の少なく
とも1種の希土類元素10〜50原子%、残部実質的
にCo、Fe、Niの中の少なくとも1種の遷移金属
である必要がある。希土類元素の量が10原子%未
満になつたり、50原子%を超えると、スパツタリ
ング法により得られる薄膜の光磁気特性が充分な
ものとならない。 本発明の合金ターゲツトは、製造上不可避的に
混入する不純物、例えば、Ca、Si、C、P、S、
Mnなどを含んでいてもよい。 また、本発明の合金ターゲツトの組織は、少な
くとも3種の、該希土類元素と該遷移金属との金
属間化合物相からなる混合組織を呈する。この金
属間化合物相が2相以下では、合金ターゲツトの
靭性が充分なものとならない。少なくとも3種の
金属間化合物相各々の量は、5容量%以上あれば
よく、また各々の大きさは、500μm以下が好ま
しい。更にこれらの相の形状は、粒状、角状、栓
状などでよく、特に制限はない。 次に、本発明の合金ターゲツトの製造方法例を
説明する。 Sm酸化物粉、Nd酸化物粉、Gd酸化物粉、Tb
酸化物粉、Dy酸化物粉、Ho酸化物粉、Tm酸化
物粉、Er酸化物粉の中の少なくとも1種の希土
類酸化物粉、Co粉、Fe粉、Ni粉の中の少なくと
も1種の遷移金属粉および金属カルシウムのよう
な還元剤を混合し、該混合物を容器に充填して、
常圧の不溶性ガス雰囲気中または真空下900〜
1300℃で加熱した後、得られた反応生成物を水中
に投入しスラリー状に、該スラリーを水および酸
水溶液で処理する、いわゆる還元拡散法により、
まず好ましくは粒度100メツシユ(Tyler、以下
同じ)以下の希土類−遷移金属合金粉末を製造す
る。 こうして得られた合金粉末は、次に、粉末冶金
法による焼結に供され、焼結体である合金ターゲ
ツトが製造される。即ち、例えば、合金粉末を、
常温で0.5〜5t/cm2の圧力で単純圧縮するか、0.5
〜2t/cm2の圧力で静水圧プレスにて成形した後、
真空あるいはAr雰囲気中、900〜1300℃の温度で
1〜5時間焼結する常圧焼結法、真空中、0.1〜
0.5t/cm2の圧力で800〜1200℃の温度で1〜5時
間焼結する熱間加圧法、更には弾性体中に封入
後、800〜1200℃の温度、0.1〜2t/cm2の圧力で1
〜5時間焼結する熱間静水圧加圧法等により焼結
を行なう。 以上のような方法で製造された合金ターゲツト
は、還元拡散法により得られた合金粉末が中心部
に位置する遷移金属単体相と該単体相を包囲して
被覆する希土類元素と遷移金属との金属間化合物
相とからなつているので、このような合金粉末を
前記粉末冶金法に供することにより遷移金属単体
相が拡散、反応して消失し、その組織を少なくと
も3種の、希土類元素と遷移金属との金属間化合
物相からなる混合組織とすることができる。 以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。 〔実施例〕 実施例 1 Tb−Fe−Co合金ターゲツトの製造を目的とし
て、それぞれ純度が99.9重量%以上の、Tb4O7
(平均粒径3μm以下)407.4g、鉄粉末(粒度200
メツシユ以下)250.6g、コバルト粉末(粒度200
メツシユ以下)20.4g、金属カルシウム(粒度4
メツシユ以下)305.1g、および無水塩化カルシ
ウム(粒度100メツシユ以下)40.7gを配合し、
十分に混合した。混合物をステンレススチール製
の反応容器に入れ、高純度アルゴンガスの気流中
で1000℃まで約1時間で昇温し、その温度で5時
間保持した後室温まで冷却した。生成した塊状の
混合物1012.3gを5の水に投入した。塊状の混
合物が崩壊後、生じたスラリーから上層のCa
(OH)2懸濁物をデカンテーシヨンによつて分離
し注入した後、スラリーを5分間撹拌し、再びデ
カンテーシヨンを行つた。この注水−撹拌−デカ
ンテーシヨンの操作を繰り返して合金粉末から酸
化カルシウムを十分に分離した。合金粉末に水を
加えたスラリーに、PH4.5になるように撹拌しな
がら希酢酸を滴下し、これを20分間保持した。こ
れを濾過して、得られた合金粉末を水洗後エタノ
ールで数回洗浄し、50℃、1×10-2Torrで12時
間真空乾燥した。得られた合金粉末の540gを内
径130mmの黒鉛製の成形器の装入し熱間加圧した。
熱間加圧の条件として、真空度を5×10-5Torr
とし、粉末を加圧するために、0.15t/cm2の圧力
を1000℃に昇温するまで加え、昇温後は圧力を
0.25t/cm2としその温度を1時間保持した。得ら
れた焼結体を室温まで冷却した後、成形器から取
り出した。目視にて、合金ターゲツトである焼結
体のヒビ、割れを観察したが全く見あたらず、透
過X線を照射して内部を検査したがヒビ、割れは
観測されなかつた。また、この焼結体の組成(重
量%)は、Tb:55.4%、Co:3.4%、Fe:41.0%
であり、不純物であるO2、Caは夫々0.10%、0.02
%であり、相対密度は100%であつた。更に、こ
の焼結体の組織を金属顕微鏡、EPMAなどによ
り検査した結果、Tb10Fe88Co2、Tb40Fe50Co10、
Tb57Fe23Co20、Tb32Fe68などの大きさ10〜60μm
の粒状金属間化合物相の混合組織であり、希土類
元素単体および遷移金属単体の相は認められなか
つた。 このような合金ターゲツト(直径130mm、厚さ
4.5mm)を使用し、スパツタリング法(アルゴン
ガス圧:6×10-5Torr、スパツタリング電力:
4W/cm2、基板:ソーダガラス)により薄膜(膜
厚3000Å)を作成した。作成中スパツタリングは
充分安定していた。得られた薄膜の光磁気特性は
極磁気カー回転角(θk):0.30゜、保磁力(Hc):
1100kA/mであつた。また、スパツタリング中、
スパツタ時間が5、20、40および60時間経過した
時点で得られた薄膜表面のTb成分を分析してTb
成分のバラツキ(範囲)を算出すると0.6重量%
であつた。なお、この薄膜を作成後の合金ターゲ
ツトのヒビ、割れを前記と同様に観察、検査した
が、観測されなかつた。 実施例 2 合金ターゲツトの種類、混合した原料粉末を第
1表のようにした以外は、実施例1と同様にして
合金ターゲツトである焼結体を製造し、このター
ゲツトを使用して薄膜を作成した。
【表】
の。
この際得られた結果を第2表に示す。なお、本
実施例の3試験はいずれも、次の項目については
同様の結果が得られた。(1)スパツタリング前後の
合金ターゲツトのヒビ、割れ観察(観測されなか
つた)、(2)焼結体組織中における希土類元素単体
相および遷移金属単体相の存在の有無(無し)、
(3)焼結体組織中における金属間化合物の大きさお
よび形状(大きさは10〜60μm、形状は粒状)、
(4)薄膜作成中のスパツタリング安定性(良好)。
なおこのうち、存在する金属間化合物の大きさお
よび容量%は、切断法によつた。
この際得られた結果を第2表に示す。なお、本
実施例の3試験はいずれも、次の項目については
同様の結果が得られた。(1)スパツタリング前後の
合金ターゲツトのヒビ、割れ観察(観測されなか
つた)、(2)焼結体組織中における希土類元素単体
相および遷移金属単体相の存在の有無(無し)、
(3)焼結体組織中における金属間化合物の大きさお
よび形状(大きさは10〜60μm、形状は粒状)、
(4)薄膜作成中のスパツタリング安定性(良好)。
なおこのうち、存在する金属間化合物の大きさお
よび容量%は、切断法によつた。
以上から明らかのように、本発明は、(a)割れ難
い、(b)緻密である、(c)組成が均一である、(d)酸素
含有量が充分低い、(e)安価である、などの利点を
有する合金ターゲツトを提供するものである。
い、(b)緻密である、(c)組成が均一である、(d)酸素
含有量が充分低い、(e)安価である、などの利点を
有する合金ターゲツトを提供するものである。
Claims (1)
- 1 成分、組成が、Sm、Nd、Gd、Tb、Dy、
Ho、Tm、Erの中の少なくとも1種の希土類元
素10〜50原子%、残部実質的にCo、Fe、Niの中
の少なくとも1種の遷移金属であり、組織が少な
くとも3種の、該希土類元素と該遷移金属との金
属間化合物相からなる混合組織であることを特徴
とする光磁気記録用合金ターゲツト。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62104770A JPS63274763A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
EP88303857A EP0289315A3 (en) | 1987-04-30 | 1988-04-28 | Alloy target for manufacturing a magneto-optical recording medium |
US07/188,203 US4915737A (en) | 1987-04-30 | 1988-04-29 | Alloy target for manufacturing a magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62104770A JPS63274763A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63274763A JPS63274763A (ja) | 1988-11-11 |
JPH0248623B2 true JPH0248623B2 (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=14389711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62104770A Granted JPS63274763A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4915737A (ja) |
EP (1) | EP0289315A3 (ja) |
JP (1) | JPS63274763A (ja) |
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---|---|---|---|---|
DE3935698C2 (de) * | 1988-10-26 | 1995-06-22 | Sumitomo Metal Mining Co | Legierungstarget für die Herstellung eines magneto-optischen Aufzeichnungsmediums |
US5026419A (en) * | 1989-05-23 | 1991-06-25 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetically anisotropic hotworked magnet and method of producing same |
JP2988021B2 (ja) * | 1991-06-12 | 1999-12-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 透磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材 |
DE4321851A1 (de) * | 1993-07-01 | 1995-01-12 | Philips Patentverwaltung | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium |
JPH0790567A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-04-04 | Hitachi Metals Ltd | 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法 |
US5439500A (en) * | 1993-12-02 | 1995-08-08 | Materials Research Corporation | Magneto-optical alloy sputter targets |
JP3098204B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2000-10-16 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
JP4240679B2 (ja) * | 1999-09-21 | 2009-03-18 | ソニー株式会社 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
AU2003243332A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-22 | Heraeus, Inc. | Fabrication of ductile intermetallic sputtering targets |
TWI332201B (en) * | 2006-03-13 | 2010-10-21 | Po Cheng Kuo | Heat assisted recording medium and method for fabricating the same |
CN114216754B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-10-27 | 松山湖材料实验室 | 梯度成分非晶合金试样及其高通量制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4075042A (en) * | 1973-11-16 | 1978-02-21 | Raytheon Company | Samarium-cobalt magnet with grain growth inhibited SmCo5 crystals |
US4578242A (en) * | 1984-07-03 | 1986-03-25 | General Motors Corporation | Metallothermic reduction of rare earth oxides |
US4620872A (en) * | 1984-10-18 | 1986-11-04 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Composite target material and process for producing the same |
JPS62268114A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Hitachi Ltd | 非晶質磁性薄膜の製造方法 |
FR2607520B1 (fr) * | 1986-11-27 | 1992-06-19 | Comurhex | Procede d'elaboration par metallothermie d'alliages purs a base de terres rares et de metaux de transition |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP62104770A patent/JPS63274763A/ja active Granted
-
1988
- 1988-04-28 EP EP88303857A patent/EP0289315A3/en not_active Withdrawn
- 1988-04-29 US US07/188,203 patent/US4915737A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0289315A3 (en) | 1990-03-21 |
JPS63274763A (ja) | 1988-11-11 |
EP0289315A2 (en) | 1988-11-02 |
US4915737A (en) | 1990-04-10 |
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