JP6288620B2 - 450mmウエハ用スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体の製造方法 - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 40
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 27
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 6
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910017813 Cu—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Cu] Chemical compound [Cr].[Cu] GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/02—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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Description
本願発明においては、これらの問題を解明すると共に、スパッタリングターゲットの大口径化に伴う上記品質の維持及び製造プロセス上の提言と改良を行うものである。
1)特許文献1には、例えば、Al又はAl合金のターゲット材とバッキングプレートを接合する際に、インサート材としてAg又はAg合金を使用し、これらを装入した後、固相拡散させる技術が開示されている。
2)特許文献2には、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの接合面に、同心円状の凹凸を形成し、相互に嵌合した状態で、HIP、ホットプレス、固相拡散接合法によって接合する技術が開示されている。
4)特許文献4には、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの間に銅の微粉を介在させ、低温で接合する方法が開示されている。
6)特許文献6には、バッキングプレートの冷却面に凹凸を設けて表面積を増大させたスパッタリング装置が開示されている。
8)特許文献8には、高純度コバルトと銅合金製バッキングプレートとの拡散接合組立体で、厚さ0.8mm以上のアルミニウム又はアルミニウム合金板のインサート材を介して拡散接合する技術が開示されている。
10)特許文献10には、ターゲットとバッキングプレートをインサート材を介して固相拡散接合する際に、双方又は片方の面を、粗さRa0.01〜3.0μmとなるように平坦化処理を施すことが記載されている。
12)特許文献12には、ターゲットとバッキングプレートの間に、銅、アルミニウム又はこれらの合金箔を、挟んでスパッタリングすることが記載されている。
1)ロウ付け又は拡散接合により接合された450mmウエハ用スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体であって、スパッタリングターゲットが、ニッケル、コバルト、又はタングステンから選択した材料であり、バッキングプレートが、無酸素銅製であって、スパッタリングを特定の条件(スパッタリングする際に投入するパワーを22.5kwとし、スパッタリングのON−OFFを、ON:10秒、OFF:30秒を1サイクルとして、15サイクル行い、冷却水を温度25℃、3.0気圧とする)で実施した後のターゲットの反り量が4mm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体。
2)ターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均結晶粒径のバラツキが±20%以内であることを特徴とする上記1)に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体。
3)ターゲット各部位の透磁率のバラツキが±5%以内であることを特徴とする上記1)に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体。
4)450mmウエハ用スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体の製造方法であって、ニッケル、コバルト、又はタングステンから選択したスパッタリングターゲット材料と、無酸素銅製のバッキングプレートをロウ付け又は拡散接合により温度200〜600°Cで接合し、スパッタリングを特定の条件(スパッタリングする際に投入するパワーを22.5kwとし、スパッタリングのON−OFFを、ON:10秒、OFF:30秒を1サイクルとして、15サイクル行い、冷却水を温度25℃、3.0気圧とする)で実施した後のターゲットの反り量が4mm以下とすることを特徴とするスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体の製造方法。
多くの場合、スパッタリングターゲットはバッキングプレートに接合し、かつ該バッキングプレートを冷却して、ターゲットの異常な温度上昇を防止し、安定したスパッタリングが可能なように構成されている。
さらに、スパッタリング装置の中で、バッキングプレートを冷却し、このバッキングプレートを介してターゲットにかかる熱衝撃を吸収させている。しかし、その冷却にも限界がある。特に問題となるのは、ターゲットとバッキングプレートとの熱膨張の差異による剥離又はターゲットの変形である。
このような問題の解決のため、バッキングプレートの強度を高める、あるいは材質を変更して熱応力を軽減させる等の対策をとることが考えられるが、ターゲットの材質との適合性の問題があり、これまで適切な解決方法が見出されていなかった。
本発明の450mmウエハ用スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体は、スパッタリング中のターゲットの反りの発生による反り量が4mm以下であるスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体に関する。反り量は、好ましくは3mm以下である。
また、Cuではターゲットの各部位での平均結晶粒径を100μm以下、Tiターゲットではターゲットの各部位での平均結晶粒径を50μm以下とするのが好ましい。
それぞれ、平均結晶粒径が100μm、50μmを超えるような粗大結晶粒では各結晶粒からの原子の放出特性の違いが顕著化し、ユニフォーミティの不良が生じやすいためである。それぞれ、ターゲットの各部位での平均結晶粒径を50μm以下、20μm以下とすることが、特に好ましい。
また、接合界面には、Ni、Zn、Ag、Cu、Al、Cr、In、Sn又はこれらを主成分とする合金の介在層を介して接合することも可能である。これは、スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体の歪の発生を抑制するのに有効である。
下記の実施例で説明するように、ターゲットの反りは、多くの場合、スパッタリング中のプラズマの発生により、ターゲット表面が上昇することに起因する。バッキングプレートは冷却しているが、ターゲットとバッキングプレートの熱膨張の差異によって発生する。
ターゲットの大口径化による品質の維持を確認するため、φ600mmのCu、Ti、Ta、Ni、Co、Wターゲットを作製した。ターゲット作製は、出発原料として純度6N−Cu、4N5−Ti、4N5−Ta、5N−Ni、5N−Co、5N−Wの各インゴットまたは粉末を用いた。
ただし、結晶粒径のバラツキを抑えるため、圧延時に均一な加工歪みが入るような条件、温度分布を均一にする熱処理条件を選択した。たとえば、Tiインゴットを750℃で熱間加工し、その後、400℃で加工比を1.5として温間加工を行い、600℃で1時間ターゲット全体に均一な熱処理を施した。
各ターゲットを図4に示すように、直行座標上、外周、r/2、中心の計9ヶ所からサンプリングし、エッチング面の光学顕微鏡観察によって組織評価を行った。また、X線回折測定による結晶配向の評価も行った。
スパッタリング中、ターゲットには高エネルギーが照射されるため、ターゲット表面は高温に加熱される。一方、バッキングプレート側は水冷されているため、ターゲット表面とバッキングプレート冷却水面とに大きな温度差が生じ、熱膨張差からターゲットに反りが発生する。そこで、スパッタリング時にターゲットが受ける熱影響(加熱と冷却)を再現し、この状況下で、変形挙動を調べ、300mmウエハ対応ターゲットと450mmウエハ対応ターゲットの比較を行った。
(450mmウエハ対応スパッタリングターゲットの形状と重量)
スパッタリングターゲットの形状は、各スパッタリング装置メーカーのデザインに拠るところが大きいが、300mmウエハ用ターゲットの場合、ターゲットの形状は概ねφ400mm〜450mm×6mm〜12mmtである。
表1に、Cu、Ti、Ta、Ni、Co、Wターゲットの重量変化を示す。以下、450mmウエハ対応ターゲットの形状は、φ600mmのサイズについて説明する。
300mmウエハ用ターゲットでは、いずれの材料も50kg以下(バッキングプレート重量含み)であるが、450mmウエハ用ターゲット対応では100kg近い重量となり、ターゲット製造プロセスやターゲットを使用する際のハンドリング方法は工夫が必要となる。
(純度)
ターゲット素材の純度は、成膜された膜の特性に大きな影響を与える重要な因子である。Na、K等のアルカリ金属やFe、Cu、Ni等の遷移金属はSi中に拡散すると電気的特性が変化するためデバイス安定化の妨げになる。また、U、Th等の放射性素はα線によるデバイスの誤操作の原因となる可能性があることが知られている。
CuやTiの様な溶解プロセスで作製する材料では、電解あるいは真空溶解工程で不純物の精製が行われる。真空溶解により作製するインゴットは通常、ターゲットを複数枚作製できる重量であるため、ターゲット形状が450mmウエハ対応となっても純度への影響はないと考えられる。今回の試験に用いた材料の不純物分析値を表2に示す。
ターゲットの組織や結晶配向はスパッタリング成膜時の成膜速度や膜のユニフォーミティに大きな影響を与える。特に結晶面方位により成膜速度は異なるため、ユニフォーミティの良好な成膜を行うためには、ターゲットの面方位が揃っているか、ランダムに均一分散していることが好ましく、結晶粒径は微細かつ均一であることが要求される。また、磁性を持つターゲットの場合、その透磁率も影響を与える因子である。
そこで、300mmウエハ用ターゲットの製造条件に倣って、450mmウエハ対応ターゲットを作製し、結晶組織、結晶配向および透磁率の評価を行った。ただし、結晶粒径のバラツキを抑えるため、圧延時に均一な加工歪みが入るような条件及び温度分布を均一にする熱処理条件を選択した。
同様にXRD測定による結晶配向を確認したが、300mm用ターゲットとの差はなくサンプリング位置による変動もなかった。
同様にXRD測定による結晶配向を確認したが、300mm用ターゲットとの差はなくサンプリング位置による変動もなかった。
同様にXRD測定による結晶配向を確認したが、300mm用ターゲットとの差はなくサンプリング位置による変動もなかった。
同様にXRD測定による結晶配向を確認したが、300mm用ターゲットとの差はなくサンプリング位置による変動もなかった。
同様にXRD測定による結晶配向を確認したが、300mm用ターゲットとの差はなくサンプリング位置による変動もなかった。
機械加工後のターゲット表面には微細な加工屑や加工工具からの汚染、表面近傍の加工歪み層が残留する。この様なターゲット表面の汚染、歪み層の残留はスパッタリング初期の成膜特性に大きな影響を及ぼし、特性が安定するまでのBurn−in timeを長くする。
従って、Burn−in timeの短縮にターゲット表面の清浄化、歪み層除去が重要となる。ターゲット表面の清浄化、歪み層除去方法は、通常、表面の研磨および超音波洗浄によって行われている。ターゲットの大口径化に伴い研磨条件や超音波洗浄の条件を最適化する必要があるが、技術的な困難さは比較的小さいと思われる。
ターゲットとしてCu、Ti、Ta、Ni、Co、Wを使用し、バッキングプレート材質に無酸素銅(OFC)を使用した時の、スパッタリング時にターゲットが受ける熱影響(加熱と冷却)を再現し、この状況下で、変形挙動すなわち反りの挙動を調べた。図2に、ターゲットの反りを測定した結果を示す。
Tiターゲットの場合は、300mmウエハ対応では、中心部分で約0.7mmであるのに対して450mmウエハ対応では約2.6mmであった。
Taターゲットの場合は、300mmウエハ対応では、中心部分で約0.5mmであるのに対して450mmウエハ対応では約1.7mmであった。
Niターゲットの場合は、300mmウエハ対応では、中心部分で約0.6mmであるのに対して450mmウエハ対応では約2.1mmであった。
Coターゲットの場合は、300mmウエハ対応では、中心部分で約0.6mmであるのに対して450mmウエハ対応では約2.0mmであった。
Wターゲットの場合は、300mmウエハ対応では、中心部分で約0.3mmであるのに対して450mmウエハ対応では約1.0mmであった。
スパッタリング中に発生するターゲットの反りは、プラズマでイオン化されたAr粒子の衝突によりターゲット表面の温度が上昇すること、およびターゲット材とバッキングプレート材の熱膨張率差によって起こる。
Claims (4)
- ロウ付け又は拡散接合により接合された450mmウエハ用スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体であって、スパッタリングターゲットが、ニッケル、コバルト、又はタングステンから選択した材料であり、バッキングプレートが、無酸素銅製であって、スパッタリングを特定の条件(スパッタリングする際に投入するパワーを22.5kwとし、スパッタリングのON−OFFを、ON:10秒、OFF:30秒を1サイクルとして、15サイクル行い、冷却水を温度25℃、3.0気圧とする)で実施した後のターゲットの反り量が4mm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体。
- ターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均結晶粒径のバラツキが±20%以内であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体。
- ターゲット各部位の透磁率のバラツキが±5%以内であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体。
- 450mmウエハ用スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体の製造方法であって、ニッケル、コバルト、又はタングステンから選択したスパッタリングターゲット材料と、無酸素銅製のバッキングプレートをロウ付け又は拡散接合により温度200〜600°Cで接合し、スパッタリングを特定の条件(スパッタリングする際に投入するパワーを22.5kwとし、スパッタリングのON−OFFを、ON:10秒、OFF:30秒を1サイクルとして、15サイクル行い、冷却水を温度25℃、3.0気圧とする)で実施した後のターゲットの反り量が4mm以下とすることを特徴とするスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012150548 | 2012-07-04 | ||
JP2012150548 | 2012-07-04 | ||
PCT/JP2013/067777 WO2014007151A1 (ja) | 2012-07-04 | 2013-06-28 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014007151A1 JPWO2014007151A1 (ja) | 2016-06-02 |
JP6288620B2 true JP6288620B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=49881907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014523707A Active JP6288620B2 (ja) | 2012-07-04 | 2013-06-28 | 450mmウエハ用スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150197848A1 (ja) |
EP (1) | EP2853617A4 (ja) |
JP (1) | JP6288620B2 (ja) |
KR (1) | KR20150023767A (ja) |
TW (1) | TWI612163B (ja) |
WO (1) | WO2014007151A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102112912B1 (ko) | 2013-11-06 | 2020-05-19 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃/배킹 플레이트 조립체 |
WO2016017432A1 (ja) | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 防食性の金属とMo又はMo合金を拡散接合したバッキングプレート、及び該バッキングプレートを備えたスパッタリングターゲット-バッキングプレート組立体 |
CN106257978B (zh) * | 2015-04-22 | 2019-09-24 | 日立金属株式会社 | 金属颗粒以及它的制造方法、包覆金属颗粒、金属粉体 |
US10043670B2 (en) * | 2015-10-22 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for low resistivity physical vapor deposition of a tungsten film |
JP6546953B2 (ja) | 2017-03-31 | 2019-07-17 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
CN111195757A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-05-26 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钽靶材与铜背板的钎焊方法 |
CN111136360A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-05-12 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钴靶材与铜背板的钎焊方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5944956B2 (ja) | 1979-05-15 | 1984-11-02 | 日本真空技術株式会社 | 低温接着法 |
US4818359A (en) * | 1986-08-27 | 1989-04-04 | International Business Machines Corporation | Low contamination RF sputter deposition apparatus |
JPH0774436B2 (ja) | 1990-09-20 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | 薄膜形成方法 |
JPH0625839A (ja) | 1992-01-10 | 1994-02-01 | Sony Corp | スパッタ装置及びカソード |
JP3525348B2 (ja) | 1992-09-29 | 2004-05-10 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体の製造方法 |
JP3469261B2 (ja) | 1992-12-07 | 2003-11-25 | 株式会社ジャパンエナジー | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 |
JP4017198B2 (ja) | 1994-11-02 | 2007-12-05 | 日鉱金属株式会社 | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法 |
JPH08260143A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-08 | Fujitsu Ltd | 磁性体薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
JPH11189870A (ja) | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Nisshin Steel Co Ltd | スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法 |
JP2000239838A (ja) | 1999-02-15 | 2000-09-05 | Sony Corp | 固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体およびその製造方法 |
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JP4794802B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2011-10-19 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 銅合金スパッタリングターゲット及び半導体素子配線 |
JP2006033603A (ja) | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP2006257511A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット製造用はんだ合金、およびこれを用いたスパッタリングターゲット |
JP2007021580A (ja) * | 2005-06-15 | 2007-02-01 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット製造用はんだ合金およびこれを用いたスパッタリングターゲット |
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JP5175978B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2013-04-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ガドリニウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
JP5385883B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2014-01-08 | 株式会社神戸製鋼所 | ターゲット接合体 |
JP5694360B2 (ja) * | 2010-10-27 | 2015-04-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
JP2013082993A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-09 | Tokyo Electron Ltd | マグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法 |
-
2013
- 2013-06-28 KR KR1020157001020A patent/KR20150023767A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-06-28 US US14/411,646 patent/US20150197848A1/en not_active Abandoned
- 2013-06-28 WO PCT/JP2013/067777 patent/WO2014007151A1/ja active Application Filing
- 2013-06-28 JP JP2014523707A patent/JP6288620B2/ja active Active
- 2013-06-28 EP EP13812655.2A patent/EP2853617A4/en not_active Withdrawn
- 2013-07-02 TW TW102123575A patent/TWI612163B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2014007151A1 (ja) | 2016-06-02 |
TWI612163B (zh) | 2018-01-21 |
TW201413021A (zh) | 2014-04-01 |
EP2853617A4 (en) | 2016-03-09 |
KR20150023767A (ko) | 2015-03-05 |
US20150197848A1 (en) | 2015-07-16 |
EP2853617A1 (en) | 2015-04-01 |
WO2014007151A1 (ja) | 2014-01-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160524 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
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|
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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