JP4376487B2 - 高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法 - Google Patents
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- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 28
- 238000005242 forging Methods 0.000 claims description 26
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 26
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 18
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 17
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 8
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N manganese nickel Chemical compound [Mn].[Ni] ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003286 Ni-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018559 Ni—Nb Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000002902 ferrimagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/03—Alloys based on nickel or cobalt based on nickel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/10—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of nickel or cobalt or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)及びプラズマのイグニッション(点弧)性に優れたニッケル合金スパッタリングターゲットの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ハードディスク用磁気記録媒体、磁気ヘッド、LSIチップ等に磁性膜を形成する方法として、スパッタリング法が広く用いられている。
スパッタリング法は、陽極となる基板と陰極となるターゲットとを対向させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理を用いたものである。
【0003】
現在、スパッタリングの多くは、いわゆるマグネトロンスパッタリングと呼ばれている方法が使用されている。マグネトロンスパッタリング法は、ターゲットの裏側に磁石をセットしターゲット表面に電界と垂直方向に磁界を発生させてスパッタリングを行なう方法であり、このような直交電磁界空間内ではプラズマの安定化および高密度化が可能であり、スパッタ速度を大きくすることができるという特徴を有している。
【0004】
一般に、このようなマグネトロンスパッタリング法を用い、NiやCo等の強磁性体またはフェリ磁性体等の磁性体薄膜を基板上に形成することが行なわれている。マグネトロンスパッタリングは磁界中に電子を捕らえて、効率よくスパッタガスを電離するが、ターゲットが磁化をもつ場合、ターゲットそのものが磁気特性によって、スパッタ面近傍の磁界に影響を与える。
近年、特にゲート材料として、シリサイド化温度が低いこと、膜の電気抵抗が低いこと、さらにはシリサイド反応で使用されるシリコンが少ないなどの特性があることから、コバルトに替えてニッケル又はニッケル合金を使用する提案がなされている。
【0005】
一般に、強磁性体は磁気的に閉回路を作るためにマグネトロンスパッタリングすることが極めて難しいという問題がある。しかし、最近ではニッケル又はニッケル合金のような強磁性体ターゲットでも、強力なマグネットを用いるなどのマグネトロンスパッタリング装置の改善によって、ニッケル又はニッケル合金ターゲットの厚さが5mm程度あれば、十分な成膜速度が得られるようになっている。
しかし、逆に言うとニッケル又はニッケル合金のようなターゲットにおいては、その厚さを5mm以下好ましくは3mm以下に薄くし、かつ均一な膜が得られるように、ターゲットを加工する必要があるという大きな課題がある。
また、スパッタ面内の磁気特性が不均一であるターゲットを用いると、エロージョン部の最深部が歪み、予定した膜厚分布が得られないという問題があり、磁性体であるニッケル又はニッケル合金ターゲットは、特にこの傾向が著しいと言える。
【0006】
圧延を施したターゲット素材は、当然歪みが等方的ではない。すなわち結晶粒が一方向に延ばされた集合組織となる。このため、三次元的に見た場合には勿論のこと、圧延面内ですら、磁気特性に異方性を生ずる。
ニッケル又はニッケル合金ターゲットは、この磁気的異方性を利用するものであるが、内部組織に歪み等がそのまま存在するという欠点を有している。
このような圧延板から円盤状のターゲットを切出してターゲットを作製すると、本来円形のエロージョンが進行するところが、1方向に延ばされた形となる。
本来、円形基板上への成膜の際に本来円形のエロージョンとなることが期待されていたものであるから、該円形基板上での均一の膜厚が得られないという問題がある。
以上から、通常成膜の厚さは磁気特性を左右するので、ある程度の膜厚があり、かつそれが均一であることが必要である。しかし、ゲート膜は薄くても良く、成膜速度や膜厚は特に問題となることはない。
しかしながら、上記の成膜特性において、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)がゲート膜の特性に大きな影響を与え、特に、最近の300mmウエハプロセスでは大きな問題となっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような問題または欠点に鑑みてなされたもので、300mmウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)を良好にすることができ、かつプラズマのイグニッション(点弧)性に優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明者はスパッタリング用ターゲットの製造に際して、スパッタ膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)の改善には、むしろ透磁率の高い方が良いとの知見を得、さらに加工工程の改良により、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)を向上させることができ、これによって得られた高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングすることにより、安定した製造条件で、再現性よくかつ品質の良いニッケル合金薄膜を得ることができるとの知見を得た。
【0009】
本発明はこの知見に基づき、
1.ニッケル合金の純度が4N5(99.995重量%)以上で、合金元素はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Co、Pt、Pd、Ir、Fe、Mnからなり、その添加量は0.5〜5at%で強磁性を示す高純度ニッケル合金を熱間鍛造した後、30%以上の圧延率で冷間圧延し、これをさらに300°C以上の温度で再結晶させる熱処理工程からなり、前記冷間圧延と熱処理を少なくとも2回以上繰り返すことを特徴とするターゲットの透磁率が100以上であり、スパッタ膜のユニフォーミティ(%、3σ)が10%以下であるユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法
2.純度が5N(99.999重量%)以上であることを特徴とする上記1記載のスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法
3.高純度ニッケル合金の熱間鍛造に際し、こねくり鍛造することを特徴とする上記1又は2記載のスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法
4.平均結晶粒径の5倍以上に粒成長した粗大結晶粒を含まないことを特徴とする上記1〜3のいずれか一項に記載のスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法、を提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】
高純度ニッケル合金ターゲットの製造に際しては、まず高純度ニッケル合金を溶製し、これをブロック(インゴット)に鋳造する。
次に、これを熱間鍛造し、さらに30%以上の圧延率で冷間圧延し、これを400°C以上の温度で熱処理する。本発明においては前記冷間圧延と熱処理を少なくとも2回以上繰り返す。そして、最終的に、平板状その他のマグネトロンスパッタリング装置にセットできるターゲット形状に加工する。
この高純度ニッケル合金ターゲットの透磁率が100以上であることが重要であり、本発明の大きな特徴の一つである。上記の製造工程によってこれを達成する。
【0011】
透磁率が高いとプラズマが起ち難くなりスパッタリングが難しくなることは既に述べた通りであり、一般的には透磁率がなるべく低くなるような工夫がなされている。しかし、透磁率が高い場合には、スパッタリングによるエロージョンでターゲット形状が変化することによって、磁束変化が少なくなり、成膜の均一性の変動が少なくなるという効果があることが分かった。
つまり、透磁率が低いほど漏洩磁場が大きく、エロージョン部近傍のプラズマ密度が高くなり、このエロージョンの進行に伴い、よりこの部分のスパッタ成膜が大きくなってしまい、ターゲットライフを通じてユニフォーミティの変化が大きくなってしまうことになる。
本発明は、このような透磁率が高いことによる効果を利用してスパッタ膜のユニフォーミティを改善するものであり、従来とは全くことなる技術思想に基づくものである。
【0012】
また、高純度ニッケル合金は軟質な材料であり、異常な粒成長を起こし易く、細粒の中に粗大粒が混在する不均一な金属組織に成り易いという傾向がある。そして、この不均一組織は膜のユニフォーミティに大きく影響する。
また、このような高純度ニッケル合金ターゲット内部組織の粗大粒の混在は、プラズマのイグニッション(点弧)性にも悪影響を与えると考えられる。
上記のように、マグネトロンスパッタリングの際に好適なプラズマを形成させるためには、ニッケル合金ターゲットを5mm以下、好ましくは3mm程度の厚さにする必要があるが、もし異常な粒成長を起こしたターゲットの不均一組織が存在すると、それはターゲットが薄いだけに、ターゲット全体に大きく影響を与えることになる。その結果、スパッタリング膜のユニフォーミティ及びプラズマのイグニッション(点弧)性をより悪化させる。
したがって、マグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲット中に、平均結晶粒径の5倍以上に粒成長した粗大結晶粒を含まないことが望ましい。これによって、膜のユニフォーミティ及びプラズマのイグニッション(点弧)性がさらに改善される。
【0013】
このような、異常な粒成長を起こさない均一組織の高純度ニッケル合金ターゲットにするためには、上記の通り凝固組織を破壊したインゴットを30%以上の圧延率での冷間圧延と300°C以上の温度での熱処理を2回以上、繰り返して平板状に形成していくことが重要である。また、このような加工の繰り返しにより、ターゲット板に平坦性を持たせることができるという特徴を有する。
30%未満の圧延率では、異常粒成長した粗大組織を十分破壊(分断)できず、また300°C未満では透磁率が本発明で考えている程度の大きな値にならない。したがって、熱処理の範囲は300°C以上とする。
また、一回の30%以上の圧延率での冷間圧延と300°C以上の温度での熱処理(たとえ80%程度の強加工をしても)では、異常粒成長した粗大組織を十分に消失させることができない。
したがって、この工程は少なくとも2回以上、繰り返すことが必要である。なお、この冷間圧延と熱処理は必ずしも同一条件とする必要はない。
以上の工程によって、膜のユニフォーミティ及びプラズマのイグニッション(点弧)性に優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲットを製造することができる。
【0014】
高純度ニッケル合金ターゲットとしては、純度が4N5(99.995重量%)以上、さらに5N(99.999重量%)以上である高純度ニッケル合金であることが望ましい。
ニッケル合金としては、Ni−Ti、Ni−Zr、Ni−Hf、Ni−V、Ni−Nb、Ni−Ta、Ni−Cr、Ni−Co、Ni−Pt、Ni−Pd、Ni−Ir、Ni−Fe、Ni−Mnなどを挙げることができる。添加する合金元素は、強磁性体としての性質が大きく変化するほどの含有量としないことは勿論であり、添加量としては0.5〜7at%程度である。実施例に示すように上限値は5at%とする。
また、ターゲット中の平均結晶粒径が20〜1200μmであり、スパッタリングのエロージョン面における平均結晶粒径のばらつきが変動係数20%以内であることが望ましい。
これによって、ターゲットライフを通じての膜のユニフォーミティ及びプラズマのイグニッション(点弧)性に優れた好適なマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットを得ることができる。
なお、下記実施例及び比較例に示すニッケル合金については、上記ニッケル合金の一部のみを例示するが、いずれの合金においても同様の結果が得られた。
【0015】
【実施例および比較例】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明の技術思想に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
【0016】
(参考例1〜5)
純度99.995%のニッケルを原料として電子ビーム溶解し、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。このインゴットを均熱化処理(900〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造(こねくり鍛造)を行った。熱間鍛造の開始温度は900°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。
900°C未満の熱間鍛造では割れが入ることが多く、1150°Cを超える温度では材料の酸化が著しいので、上記の範囲の温度とした。
これを圧延率30〜60%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。次に、これをさらに圧延率30〜60%で冷間圧延し、300〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。
これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケルターゲット試料とした。ターゲット試料の平均粒径は表1に示す通り116〜1215μmにあり、異常結晶粒が見られない組織のターゲットが得られた。また、このニッケルターゲットの透磁率は121〜255であり、良好な平坦性を有していた。なお、組織観察と透磁率の測定は、ターゲットを放射状に均一に17点測定し、その平均値とした。以下の参考例及び比較例(参考)は、同様にして測定した。
【0017】
次に、このニッケルターゲットを用いて300mmウエハに対してマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティはターゲットライフ約5kwh毎に新しいウエハに1000Åの膜を成膜して、間接的に4端子法による49点の抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は、いずれも10%以下であり、しかもターゲットライフ90kwh(スパッタパワー1kw)まで持続し、優れた膜のユニフォーミティを示した。その詳細を、同様に表1に示す。但し、ターゲットライフ0〜10kWhは不安的期であり測定範囲外とした。
なお、表1には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、いずれも良好であった。
【0018】
【表1】
【0019】
(比較例(参考)1〜8)
前記参考例と同様の純度99.99%のニッケルを原料として電子ビーム溶解し、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。このインゴットを均熱化処理(900〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造を行った。熱間鍛造の開始温度は900°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。
これを圧延率50〜80%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理した。この冷間圧延と熱処理は1回である。
これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケルターゲット試料とした。ターゲット組織には、粗大結晶粒が観察された。
【0020】
次に、このニッケルターゲットを用いて実施例と同一の条件でマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティの測定は間接的に4端子法による抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は上限値が12〜20の範囲にあり、膜のユニフォーミティが著しく悪い結果となった。その詳細を、同様に表1に示す。特に、この比較例1〜8については、ターゲットライフが40kwhを過ぎたころから急激に膜のユニフォーミティが悪化する傾向が見られた。
なお、表1には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、同イグニッション性は不良であった。
【0021】
(実施例6〜10)
純度99、995%のニッケルを原料として電子ビーム溶解した。別に純度99.995%のチタンを原料として電子ビーム溶解し、このニッケルにチタンを5at%添加して、コールドウォールタイプの真空誘導炉で溶解してニッケル−チタン合金とし、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。
このインゴットを均熱化処理(750〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造を行った。熱間鍛造の開始温度は750°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。750°C未満の熱間鍛造では割れが入ることが多く、1150°Cを超える温度では材料の酸化が著しいので、上記の範囲の温度とした。
これを圧延率30〜60%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。次に、これをさらに圧延率30〜60%で冷間圧延し、300〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。
【0022】
これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケル合金ターゲット試料とした。ターゲット試料の平均粒径は表2に示す通り24〜850μmにあり、異常結晶粒が見られない組織のターゲットが得られた。また、このニッケル合金ターゲットの透磁率は107〜235であり、良好な平坦性を有していた。
次に、このニッケル合金ターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティは間接的に4端子法による抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は、いずれも10%以下であり、しかもターゲットライフ90kwh(スパッタパワー1kw)まで持続し、優れた膜のユニフォーミティを示した。その詳細を、同様に表2に示す。
なお、表2には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、いずれも良好であった。
【0023】
【表2】
【0024】
(比較例9〜16)
純度99、995%のニッケルを原料として電子ビーム溶解した。別に純度99.995%のチタンを原料として電子ビーム溶解し、このニッケルにチタンを5at%添加して、コールドウォールタイプの真空誘導炉で溶解してニッケル−チタン合金とし、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。
このインゴットを均熱化処理(750〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造を行った。熱間鍛造の開始温度は750°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。750°C未満の熱間鍛造では割れが入ることが多く、1150°Cを超える温度では材料の酸化が著しいので、上記の範囲の温度とした。
これを圧延率50〜80%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理した。この冷間圧延と熱処理は1回である。これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケル合金ターゲット試料とした。ターゲット組織には、粗大結晶粒が観察された。
【0025】
次に、このニッケル合金ターゲットを用いて同一の条件でマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティの測定は間接的に4端子法による抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は上限値が13〜22の範囲にあり、膜のユニフォーミティが著しく悪い結果となった。その詳細を、同様に表2に示す。特に、この比較例9〜16については、ターゲットライフが30kwhを過ぎたころから急激に膜のユニフォーミティが悪化する傾向が見られた。
なお、表2には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、同イグニッション性は不良であった。
【0026】
(実施例11〜15)
純度99、995%のニッケルを原料として電子ビーム溶解した。別に純度99.995%のマンガンを原料とし、このニッケルにマンガンを0.5at%添加して、コールドウォールタイプの真空誘導炉でアルゴンガス雰囲気にて溶解してニッケル−マンガン合金とし、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。
このインゴットを均熱化処理(750〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造を行った。熱間鍛造の開始温度は750°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。750°C未満の熱間鍛造では割れが入ることが多く、1150°Cを超える温度では材料の酸化が著しいので、上記の範囲の温度とした。
これを圧延率30〜60%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。次に、これをさらに圧延率30〜60%で冷間圧延し、300〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。
【0027】
これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケル合金ターゲット試料とした。ターゲット試料の平均粒径は表3に示す通り62〜1290μmにあり、異常結晶粒が見られない組織のターゲットが得られた。また、このニッケル合金ターゲットの透磁率は105〜215であり、良好な平坦性を有していた。
次に、このニッケル合金ターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティは間接的に4端子法による抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は、いずれも10%以下であり、しかもターゲットライフ90kwh(スパッタパワー1kw)まで持続し、優れた膜のユニフォーミティを示した。その詳細を、同様に表3に示す。
なお、表3には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、いずれも良好であった。
【0028】
【表3】
【0029】
(比較例17〜24)
純度99、995%のニッケルを原料として電子ビーム溶解した。別に純度99.995%のマンガンを原料とし、このニッケルにマンガンを0.5at%添加して、コールドウォールタイプの真空誘導炉でアルゴンガス雰囲気にて溶解してニッケル−マンガン合金とし、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。
このインゴットを均熱化処理(750〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造を行った。熱間鍛造の開始温度は750°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。750°C未満の熱間鍛造では割れが入ることが多く、1150°Cを超える温度では材料の酸化が著しいので、上記の範囲の温度とした。
これを圧延率50〜80%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理した。この冷間圧延と熱処理は1回である。
【0030】
これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケル合金ターゲット試料とした。ターゲット組織には、粗大結晶粒が観察された。
次に、このニッケル合金ターゲットを用いて同一の条件でマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティの測定は間接的に4端子法による抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は上限値が15〜25の範囲にあり、膜のユニフォーミティが著しく悪い結果となった。その詳細を、同様に表3に示す。特に、この比較例17〜24については、ターゲットライフが30kwhを過ぎたころから急激に膜のユニフォーミティが悪化する傾向が見られた。
なお、表3には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、同イグニッション性は不良であった。
【0031】
【発明の効果】
本発明のマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲット及びその製造方法は、結晶粒径が均一で粗大化した異常結晶粒がなく、300mmウエハを用いた成膜プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)とプラズマのイグニッション(点弧)性を良好にすることができるという優れた効果を有する。
Claims (4)
- ニッケル合金の純度が4N5(99.995重量%)以上で、合金元素はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Co、Pt、Pd、Ir、Fe、Mnからなり、その添加量は0.5〜5at%で強磁性を示す高純度ニッケル合金を熱間鍛造した後、30%以上の圧延率で冷間圧延し、これをさらに300°C以上の温度で再結晶させる熱処理工程からなり、前記冷間圧延と熱処理を少なくとも2回以上繰り返すことを特徴とするターゲットの透磁率が100以上であり、スパッタ膜のユニフォーミティ(%、3σ)が10%以下であるユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法。
- 純度が5N(99.999重量%)以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法。
- 高純度ニッケル合金の熱間鍛造に際し、こねくり鍛造することを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法。
- 平均結晶粒径の5倍以上に粒成長した粗大結晶粒を含まないことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002009981A JP4376487B2 (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法 |
KR1020047009389A KR100600974B1 (ko) | 2002-01-18 | 2002-11-28 | 고순도 니켈 또는 니켈 합금 타겟트 및 그 제조방법 |
EP02788679A EP1467000B1 (en) | 2002-01-18 | 2002-11-28 | Target of nickel alloy and its producing method |
US10/498,147 US7740718B2 (en) | 2002-01-18 | 2002-11-28 | Target of high-purity nickel or nickel alloy and its producing method |
CNB028271947A CN1314832C (zh) | 2002-01-18 | 2002-11-28 | 高纯度镍或镍合金靶及其制造方法 |
DE60235838T DE60235838D1 (de) | 2002-01-18 | 2002-11-28 | Target aus hochreiner nickellegierung und dessen herstellungsverfahren |
PCT/JP2002/012438 WO2003062487A1 (fr) | 2002-01-18 | 2002-11-28 | Cible en nickel ou alliage de nickel haute purete et son procede de production |
TW091135263A TW583328B (en) | 2002-01-18 | 2002-12-05 | Target of high-purity nickel or nickel alloy and its producing method |
US11/332,045 US7618505B2 (en) | 2002-01-18 | 2006-01-13 | Target of high-purity nickel or nickel alloy and its producing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002009981A JP4376487B2 (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007333674A Division JP4582465B2 (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法 |
JP2009016240A Division JP5113100B2 (ja) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | 高純度ニッケル合金ターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003213406A JP2003213406A (ja) | 2003-07-30 |
JP4376487B2 true JP4376487B2 (ja) | 2009-12-02 |
Family
ID=27605983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002009981A Expired - Lifetime JP4376487B2 (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7740718B2 (ja) |
EP (1) | EP1467000B1 (ja) |
JP (1) | JP4376487B2 (ja) |
KR (1) | KR100600974B1 (ja) |
CN (1) | CN1314832C (ja) |
DE (1) | DE60235838D1 (ja) |
TW (1) | TW583328B (ja) |
WO (1) | WO2003062487A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7435325B2 (en) * | 2001-08-01 | 2008-10-14 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Method for producing high purity nickle, high purity nickle, sputtering target comprising the high purity nickel, and thin film formed by using said spattering target |
JP4204978B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2009-01-07 | 日鉱金属株式会社 | 磁性体ターゲットとバッキングプレートとの接合方法及び磁性体ターゲット |
JP4376487B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2009-12-02 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法 |
JP4466902B2 (ja) * | 2003-01-10 | 2010-05-26 | 日鉱金属株式会社 | ニッケル合金スパッタリングターゲット |
US8871144B2 (en) * | 2003-10-07 | 2014-10-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity Ni-V alloy target therefrom high-purity Ni-V alloy thin film and process for producing high-purity Ni-V alloy |
US7605481B2 (en) * | 2003-10-24 | 2009-10-20 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Nickel alloy sputtering target and nickel alloy thin film |
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DE112007000440B4 (de) | 2006-03-07 | 2021-01-07 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Verfahren zum Erzeugen von verformten Metallartikeln |
US20090028744A1 (en) * | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Heraeus, Inc. | Ultra-high purity NiPt alloys and sputtering targets comprising same |
JP2009167530A (ja) | 2009-02-10 | 2009-07-30 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | ニッケル合金スパッタリングターゲット及びニッケルシリサイド膜 |
CN102197155B (zh) * | 2009-04-17 | 2013-07-17 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 半导体布线用阻挡膜、烧结体溅射靶及溅射靶的制造方法 |
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CN102864421A (zh) * | 2011-07-05 | 2013-01-09 | 北京有色金属研究总院 | 一种细晶高纯镍靶材制造方法 |
CN102400073A (zh) * | 2011-11-18 | 2012-04-04 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 镍靶坯及靶材的制造方法 |
CN102418058A (zh) * | 2011-12-02 | 2012-04-18 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 镍靶坯及靶材的制造方法 |
JP6288620B2 (ja) * | 2012-07-04 | 2018-03-07 | Jx金属株式会社 | 450mmウエハ用スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体の製造方法 |
JP5958183B2 (ja) * | 2012-08-27 | 2016-07-27 | 三菱マテリアル株式会社 | Ni又はNi合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN104726829A (zh) * | 2013-12-18 | 2015-06-24 | 有研亿金新材料股份有限公司 | 一种高纯NiPt合金靶材及其制备方法 |
CN106133185B (zh) | 2014-03-27 | 2018-09-28 | 捷客斯金属株式会社 | 包含Ni-P合金或Ni-Pt-P合金的溅射靶及其制造方法 |
CN104190885B (zh) * | 2014-08-28 | 2016-06-01 | 云南钛业股份有限公司 | 一种四枪电子束冷床炉生产巨型高纯镍锭方坯的方法 |
JP6459601B2 (ja) * | 2015-02-17 | 2019-01-30 | 三菱マテリアル株式会社 | Niスパッタリングターゲット |
CN105734507B (zh) * | 2016-04-05 | 2018-06-19 | 基迈克材料科技(苏州)有限公司 | 成膜均匀的细晶镍合金旋转靶材及其热挤压优化制备方法 |
CN105861999B (zh) * | 2016-04-05 | 2018-08-07 | 基迈克材料科技(苏州)有限公司 | 高纯细晶金属镍热挤压旋转靶材 |
CN114657345B (zh) * | 2022-03-31 | 2024-04-09 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 铁靶材、铁镍合金靶材以及靶材的晶粒细化方法 |
Family Cites Families (22)
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US7435325B2 (en) * | 2001-08-01 | 2008-10-14 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Method for producing high purity nickle, high purity nickle, sputtering target comprising the high purity nickel, and thin film formed by using said spattering target |
JP4376487B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2009-12-02 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法 |
JP4466902B2 (ja) * | 2003-01-10 | 2010-05-26 | 日鉱金属株式会社 | ニッケル合金スパッタリングターゲット |
US8871144B2 (en) * | 2003-10-07 | 2014-10-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity Ni-V alloy target therefrom high-purity Ni-V alloy thin film and process for producing high-purity Ni-V alloy |
US7605481B2 (en) * | 2003-10-24 | 2009-10-20 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Nickel alloy sputtering target and nickel alloy thin film |
KR101021488B1 (ko) * | 2004-03-01 | 2011-03-16 | Jx닛코 닛세끼 킨조쿠 가부시키가이샤 | 니켈-플라티늄 합금 및 동(同) 합금 타겟트 |
-
2002
- 2002-01-18 JP JP2002009981A patent/JP4376487B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-28 DE DE60235838T patent/DE60235838D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-28 US US10/498,147 patent/US7740718B2/en active Active
- 2002-11-28 CN CNB028271947A patent/CN1314832C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-28 KR KR1020047009389A patent/KR100600974B1/ko active IP Right Grant
- 2002-11-28 EP EP02788679A patent/EP1467000B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-28 WO PCT/JP2002/012438 patent/WO2003062487A1/ja active Application Filing
- 2002-12-05 TW TW091135263A patent/TW583328B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-01-13 US US11/332,045 patent/US7618505B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1467000A4 (en) | 2008-05-21 |
CN1314832C (zh) | 2007-05-09 |
KR100600974B1 (ko) | 2006-07-13 |
US7618505B2 (en) | 2009-11-17 |
EP1467000A1 (en) | 2004-10-13 |
CN1615374A (zh) | 2005-05-11 |
JP2003213406A (ja) | 2003-07-30 |
US20060137782A1 (en) | 2006-06-29 |
TW583328B (en) | 2004-04-11 |
KR20040068595A (ko) | 2004-07-31 |
DE60235838D1 (de) | 2010-05-12 |
US20040256035A1 (en) | 2004-12-23 |
EP1467000B1 (en) | 2010-03-31 |
US7740718B2 (en) | 2010-06-22 |
WO2003062487A1 (fr) | 2003-07-31 |
TW200302289A (en) | 2003-08-01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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