CN1615374A - 高纯度镍或镍合金靶及其制造方法 - Google Patents

高纯度镍或镍合金靶及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶，其中所述靶的磁导率至少为100，此磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶即使在采用300mm晶片进行淀积处理时，它也能获得有利的膜均一性(膜均匀度)和优良的等离子点火性能。本发明也提供了所述高纯度镍或镍合金靶的制造方法。

Description

高纯度镍或镍合金靶及其制造方法
发明技术领域
本发明涉及一种膜均一性(膜厚度均匀度)和等离子点火性能优异的镍或镍合金溅射靶，及其制造方法。
相关技术
溅射法被广泛用作诸如在硬盘磁性记录介质、磁头、LSI芯片等上形成磁性薄膜的方法。
该溅射方法使正极靶和负极靶彼此相对，并在惰性气氛下，通过在它们的衬底和靶之间施加高电压产生电场。溅射方法采用的基本原理是，依照此时离子化的电子碰撞形成等离子体，而惰性气体，即在此等离子体中的正离子通过与靶表面碰撞挤压原子构成靶，被挤压的原子粘附于对面的衬底表面，从而在此处形成膜。
现在，对于实施的大部分溅射，已经采用一种称为磁控溅射的方法。为了实施溅射，这种磁控溅射方法在靶的背面放置一个磁铁，在与靶表面的电场垂直的方向产生一个磁场。结果，在此垂直磁场的空间实现等离子体稳定化和高纯度化，而且其优势在于可以提高溅射速率。
一般地，这种磁控溅射方法可以用来在衬底上形成磁性薄膜，比如铁磁体或由Ni、Co等形成的铁磁体。虽然，当靶有磁性时，磁控溅射方法可以在磁场捕获电子，并有效地离子化溅射气体，但是，靶本身会由于其磁性能影响溅射面附近的磁场。
近年来，特别是作为闸极材料，已经建议使用镍或镍合金代替钴。因为它具有较低的硅化物形成温度、膜的电阻较低、硅化反应中使用的硅较少等特性。
通常，存在的问题是为了有磁力地创造出一个闭合电路而对铁磁体实施磁控溅射是非常困难的。然而，近来，由于采用高功率磁铁等的磁控溅射设备的改善，只要镍或镍合金靶的厚度约为5mm，则由镍或镍合金形成的铁磁体也可以获得充分的淀积率。
虽然如此，换句话说，对于由镍或镍合金制成的靶，为了获得一个厚度至多为5mm，优选至多为3mm的薄而均匀的薄膜而对靶进行加工是一个重大的任务。
而且，当采用在溅射表面具有不均匀磁性的靶时，侵蚀部分最深的部分就会是应变的，存在的问题是不能获得预定的膜厚度分布。可以这样说，磁性镍或镍合金靶，尤其表现出这种趋势。
对于平面轧制的靶材料，应变当然不会是各向同性。换句话说，它变成了另一个聚集结构，其中晶粒在一个方向延伸。因此，当在尺寸上考虑到这三者时，既使在轧制面，磁性也会出现各向异性。
尽管，镍或镍合金靶采用磁各向异性，但是它具有的缺点是存在如内部结构中的应变等。
当从这种轧制板切取铁饼状靶，并且制备靶时，侵蚀本来会发展的部分就会在一个方向延伸。
根本地讲，当在圆形衬底上进行淀积时，希望侵蚀部分本来为圆形，这样存在的问题是在这些圆形衬底上，不能获得均匀的膜厚度。
根据上述内容，由于淀积厚度常常会影响磁性，有必要获得一定程度的膜厚度，而且均匀。然而，闸极膜可能较薄，淀积速率和膜厚度通常不会引起任何问题。
然而，对于前述淀积特性，膜均一性(膜厚度的均匀度)大大影响闸极膜的性能，特别是，在近年来300mm的晶片加工中，其正在成为一个主要的问题。
发明内容
本发明是考虑了前述问题或缺点后作出的，它的一个目的是为磁控溅射提供一种高纯度镍或镍合金靶及其制造方法，该磁控溅射能够获得优异的膜均一性(膜厚度均匀度)，而且，即使在采用300mm晶片的制造方法中也具有优良的等离子点火性能。
为了实现前述目的，发明人发现，在溅射靶的制造期间，当磁导率较高时，溅射膜的均一性(膜厚度的均匀度)可以提高，而且，通过对加工步骤的其它改善，膜均一性(膜厚度均匀度)还可进一步提高。作为采用上述获得的高纯度镍或镍合金靶实施磁控溅射的结果，高纯度镍或镍合金薄膜可以在稳定的制造条件下获得而且具有优异的重现性。
顺便提及，此处描述的磁导率是指在与溅射表面(靶的平面方向)平行的方向上的磁导率。
基于上述发现，本发明提供：
1.具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶，其中靶的磁导率至少为100；
2.根据上述段落1的具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶，其中靶不含有从平均晶粒尺寸长大至少五倍的粗晶粒；
3.一种具有优异溅射膜均一性且其中靶的磁导率至少为100％的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶的制造方法，包括的步骤，在热锻具有4N5(99.995重量％)纯度的高纯度镍或镍合金后，以至少30％的轧制率冷轧，并在至少300℃的温度下进一步进行热处理以再结晶，其中冷轧和热处理重复至少两次或更多次；
4.一种根据上述段落3的具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶的制造方法，其中纯度至少是5N(99.999重量％)。
5.一种根据上述段落3或段落4的具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶的制造方法，其中捏合锻造在热锻高纯度镍或镍合金时进行。
6.一种根据上述3至5任一段落的具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶的制造方法，其中靶不含有从平均晶粒尺寸长大至少五倍的粗晶粒；
7.一种根据上述3至6任一段落的具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶的制造方法，其中全退火最后在至少300℃和小于600℃的温度下进行。
实施本发明的最佳模式
在制造高纯度镍或镍合金靶时，首先，将高纯度镍或镍合金制成一个铸锭，然后将它锻造成块锭(铸锭)。
接着，对此进行热锻，进一步以至少30％的轧制率冷轧，并在至少400℃的温度下进行热处理。在本发明中，前述的冷轧和热处理重复至少两次或更多次。最后，将其加工成平板形或其它可以放在磁控溅射设备中的靶形状。
重要的是高纯度镍或镍合金的磁导率至少为100，这是本发明的主要特征。这可以用前述的制造方法获得。
当磁导率高时，如上所述，等离子体难以产生，会使溅射困难，磁导率一般地设计的尽可能低。然而，当磁导率高时，已经知道，作为由于溅射引起的侵蚀而导致靶形状变化的结果，通量变化会降低，从而就会产生效果，因为淀积均匀度变化会降低。
换句话说，磁导率降低，磁场泄漏就会增加，侵蚀部分附近的等离子体密度就会增加。依照侵蚀的这种发展，这部分的溅射淀积就会扩大，作为它的结果，整个靶寿命期间的均一性就会变化很大。
本发明通过高磁导率产生的效果改善了溅射膜的均一性，且是基于与常规技术观念完全不同的技术实质。
此外，高纯度镍或镍合金是一种软材料，容易产生异常的晶粒生长，而且趋于变成其中粗晶粒和细晶粒混合的不均匀金相结构。此不均匀结构严重影响膜的均一性。
而且，在这种高纯度镍或镍合金靶结构中的此类粗晶粒的混合物也会不利地影响等离子点火性能。
正如上述，为了形成适合磁控溅射的等离子体，有必要使这种镍或镍合金靶的厚度至多为5mm，优选为3mm左右。如果靶的不均匀结构随异常晶粒生长的产生而存在，由于靶较薄，这就会大大影响整个靶，结果，溅射膜均一性和等离子点火性能就会变差。
因此，希望在磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶中不含有从平均晶粒尺寸长大至少五倍的粗晶粒。从而，使膜均一性和等离子点火性能进一步改善。
为了获得如上所述的这种不产生异常晶粒生长并具有均匀结构的镍或镍合金靶，重要的是对固化结构损坏的铸锭以至少30％的轧制率冷轧和在至少300℃温度下的热处理重复进行两次或多次，以便形成平板形。另外，作为重复这些处理的结果，产生的效果是靶可以变得平整。
轧制率小于30％，不可能充分毁坏(破坏)由异常晶粒生长导致的粗结构，温度小于300℃，磁导率就不会成为如本发明认识到的重要值。因此，热处理范围应至少为300℃。
而且，以至少30％的轧制率进行冷轧和在至少300℃温度下(即使这只是一个80％高形变)进行热处理只进行一次，是不可能充分消除由异常晶粒生长带来的粗结构的。
因此，此处理必须重复至少两次或多次。顺便提及，此冷轧和热处理不必要在相同的条件下进行。
根据前述方法，就可以制造一种具有优异的膜均一性和等离子点火性能的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶。
作为所述高纯度镍或镍合金靶，希望采用具有4N5(99.995重量％)的纯度，优选至少为5N(99.999重量％)的高纯度镍或镍合金。
作为镍合金，Ni-Ti、Ni-Zr、Ni-Hf、Ni-V、Ni-Nb、Ni-Ta、Ni-Cr、Ni-Co、Ni-Pt、Ni-Pd、Ni-Ir、Ni-Fe、Ni-Mn等都可以使用。作为加入的合金元素，不必说，其含量不应该是作为铁磁体性能变化很大的量，加入量应该约为0.5至7原子％。
而且，希望靶中的平均晶粒尺寸为20至1200μm，而且侵蚀表面在溅射期间的平均晶粒尺寸的变化在20％的变异系数内。
结果，就可以获得一种在整个靶寿命期间膜均一性和等离子点火性能优异的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶。
至于下列实施例和对比例例证的镍合金，虽然，只列举了前述的一部分镍合金，但是对于所有合金都可以获得相似的结果。
实施例和对比例
现在，将参考实施例和对比例详细地解释本发明。这些例子仅仅是例证性的，因而，决不能限制本发明。
换句话说，本发明只能通过权利要求书的范围进行限制，除了本发明的实施例外，可以包括不同的改变。
(实施例1-5)
对作为原材料，具有99.995％纯度的镍实施电子束熔化，并将其锻造成一个铸锭(120φ×70h)。对铸锭进行均热处理(铸锭在900-1150℃保持2小时)后，另外进行热锻(捏合锻造)。热锻的起始温度为900℃-1150℃，真应变约为5。
当在小于900℃的温度下进行热锻时，常常会产生裂纹，而当温度超过1150℃时，材料的氧化很严重。因此将此温度设定在前述的范围。
以30-60％的轧制率冷轧，并在300℃-600℃热处理1小时以再结晶。接着，进一步以30-60％的轧制率冷轧，并在300℃-600℃热处理1小时以再结晶。
为了形成厚度为3mm和直径为440mm的铁饼状镍靶试样，从上述获得的轧板上切取试样。靶试样的平均粒度如表1所示为116-1215μm，得到无任何异常晶粒结构的靶。而且，此镍靶的磁导率为121-255，同时具有优异的平整度。关于结构观察和磁导率的测量，平均值是通过靶径向放置时在均匀分布的17个点测定得到的。在下面的实施例和对比例中也采用类似的测定方法。
接着，用此镍靶对一个300mm的晶片进行磁控溅射，测定和观察膜均一性(％，3σ)和等离子点火性能。另外，关于均一性的测量，每一约5kwh的靶寿命在一个新晶片上形成1000的膜，计算直接基于依照四端方法测量的49个点的电阻。
膜均一性的测定结果都是至多10％，而且连续达到90kwh(1kw溅射功率)的靶寿命，且表现出很好的膜均一性。详细内容类似地示于表1。然而，由于0-10kwh的靶寿命表现出一些不稳定状态，因此将这些排除在测定范围之外。
而且，在表1中，虽然未表示出等离子点火性能，但是在每一种情况下，这些性能也是很好的。
表1
  锻造温度(起始温度℃)   冷轧(％)  热处理(第一次时间) 冷轧(％)   热处理(第二次时间)   晶体结构(μm)   粗晶粒   变异系数(％)     磁导率 膜均一性(％，3σ)
  实施例1     900     30  300℃×1hr     30   300℃×1hr     116   无     13.4     121     4
  实施例2     900     50  350℃×1hr     30   350℃×1hr     137   无     16.3     155     9.5
  实施例3     1150     40  400℃×1hr     60   400℃×1hr     323   无     17.2     185     7.5
  实施例4     1150     50  500℃×1hr     50   500℃×1hr     814   无     19.8     221     8
  实施例5     1150     60  600℃×1hr     30   600℃×1hr     1215   无     15.6     255     10
  对比例1     900     50  300℃×1hr     无   无     78   有(440μm)     33     110     12
  对比例2     1000     60  500℃×1hr     无   无     191   有(983μm)     44.3     180     14
  对比例3     1150     70  600℃×1hr     无   无     210   有(1170μm)     45.3     192     15
  对比例4     950     80  400℃×1hr     无   无     105   有(612μm)     65     161     19
  对比例5     1000     50  500℃×1hr     无   无     182   有(912μm)     37     201     12
  对比例6     1050     60  600℃×1hr     无   无     305   有(1710μm)     36.4     233     14
  对比例7     1100     70  400℃×1hr     无   无     120   有(800μm)     67     250     18
  对比例8     900     80  600℃×1hr     无   无     371   有(1960μm)     44.3     255     12
注意)：关于结构观察和磁导率的测量，平均值是靶径向放置时在均匀分布的17个点测定得到的。
注意)：对比例1-8显示，从靶寿命超过40kwh的点开始，膜均一性有突然变差的趋势。
(对比例1-8)
与实施例相同，对作为原材料，具有99.99％纯度的镍实施电子束熔化，并将其锻造成一个铸锭(120φ×70h)。对铸锭进行均热处理(铸锭在900-1150℃保持2小时)后，另外进行热锻(捏合锻造)。热锻的起始温度为900℃-1150℃，真应变约为5。
以50-80％的轧制率冷轧，并在300℃-600℃热处理1小时。冷轧和热处理只进行一次。
为了形成厚度为3mm和直径为440mm的铁饼状镍靶试样，从上述获得的轧板上切取试样。在靶结构中观察到粗晶粒。
接着，用此镍靶在与实施例相同的条件下进行磁控溅射，测定和观察膜均一性(％，3σ)和等离子点火性。而且，关于膜均一性的测量，计算直接基于依照四端方法测量的电阻值。
至于膜均一性的测量结果，上限在12-20的范围内，膜均一性表现出很差的结果。详细内容类似地示于表1。特别地，对比例1-8显示，从靶寿命超过40kwh的点开始，膜一性有突然变差的趋势。
而且，在表1中，虽然未表示出等离子点火性能，但是在每一种情况下，这些性能也是很差的。
(实施例6-10)
对作为原材料，具有99.995％纯度的镍实施电子束熔化。另外对作为原材料，具有99.995％纯度的钛实施电子束熔化。向镍中加入5原子％的钛，采用冷壁型真空感应电炉将此熔化形成镍—钛合金，并锻造成一个铸锭(120φ×70h)。
在对铸锭实施均热处理(在750-1150℃保持铸锭2小时)后，另外进行热锻。热锻的起始温度为750℃-1150℃，真应变约为5。当在小于750℃的温度下进行热锻时，常常会产生裂纹，而当温度超过1150℃时，材料的氧化很严重。因此将此温度设定在前述的范围。
以30-60％的轧制率冷轧，并在300℃-600℃热处理1小时以再结晶。接着，进一步以30-60％的轧制率冷轧，并在300℃-600℃热处理1小时以再结晶。
为了形成厚度为3mm和直径为440mm的铁饼状镍合金靶试样，从上述获得的轧板上切取试样。靶试样的平均粒度如表2所示为24-850μm，得到无任何异常晶粒结构的靶。而且，此镍合金靶的磁导率为107-235，同时具有优异的平整度。
接着，用此镍合金靶进行磁控溅射，测定和观察膜均一性(％，3σ)和等离子点火性。而且，关于均一性的测量，计算直接基于依照四端方法测量的49个点的电阻值。
膜均一性的测定结果都是至多10％，而且连续达到90kwh(1kw溅射功率)的靶寿命，且表现出很好的膜均一性。详细内容类似地示于表2。
而且，在表2中，虽然未表示出等离子点火性，但是在每一种情况下，这些性能也是很好的。
表2
  锻造温度(起始温度℃)   冷轧(％)  热处理(第一次时间)   冷轧(％)   热处理(第二次时间)     晶体结构(μm)   粗晶粒   变异系数(％)     磁导率 膜均一性(％，3σ)
  实施例6     750     30  300℃×1hr     30   300℃×1hr     23.5   无     10.5     107     9.8
  实施例7     900     50  350℃×1hr     30   350℃×1hr     75.3   无     12.2     122     9.5
  实施例8     1150     40  400℃×1hr     60   400℃×1hr     110.3   无     15.3     156     6.5
  实施例9     1150     50  500℃×1hr     50   500℃×1hr     620   无     17.5     189     9.5
  实施例10     1150     60  600℃×1hr     30   600℃×1hr     850   无     14.6     235     8.2
  对比例9     750     50  300℃×1hr     无   无     19.5   有(123μm)     26     110     13
  对比例10     900     60  500℃×1hr     无   无     206   有(1055μm)     29     182     14
  对比例11     1150     70  600℃×1hr     无   无     298   有(1588μm)     64     205     19
  对比例12     750     80  400℃×1hr     无   无     110   有(623μm)     29     150     17
  对比例13     900     50  500℃×1hr     无   无     210   有(1225μm)     31     166     16
  对比例14     1050     60  600℃×1hr     无   无     205   有(1150μm)     28     209     14
  对比例15     1150     70  400℃×1hr     无   无     89   有(520μm)     46     132     15
  对比例16     750     80  600℃×1hr     无   无     230   有(1365μm)     68     210     22
注意)：关于结构观察和磁导率的测量，平均值是靶径向放置时在均匀分布的17个点测定得到的。
注意)：对比例9-16显示，从靶寿命超过30kwh的点开始，膜均一性有突然变差的趋势。
(对比例9-16)
对作为原材料，具有99.995％纯度的镍实施电子束熔化。另外对作为原材料，具有99.995％纯度的钛实施电子束熔化。向镍中加入5原子％的钛，采用冷壁型真空感应电炉将此熔化形成镍—钛合金，并锻造成一个铸锭(120φ×70h)。
在对铸锭实施均热处理(在750-1150℃保持铸锭2小时)后，另外进行热锻。热锻的起始温度为750℃-1150℃，真应变约为5。当在小于750℃的温度下进行热锻时，常常会产生裂纹，而当温度超过1150℃时，材料的氧化很严重。因此将此温度设定在前述的范围。
以50-80％的轧制率冷轧，并在300℃-600℃热处理1小时。冷轧和热处理只进行一次。为了形成厚度为3mm和直径为440mm的铁饼状镍合金靶试样，从上述获得的轧板上切取试样。在靶结构中观察到粗晶粒。
接着，用此镍合金靶在与实施例相同的条件下进行磁控溅射，测定和观察膜均一性(％，3σ)和等离子点火性能。而且，关于均一性的测量，计算直接基于依照四端方法测量的电阻值。
至于膜均一性的测量结果，上限在13-22的范围内，表现出的膜均一性结果很差。详细结果类似地示于表2。特别地，对比例9-16显示，从靶寿命超过30kwh时的点开始，膜均一性有突然变差的趋势。
而且，在表2中，虽然未表示出等离子点火性能，但是在每一种情况下，这些性能也是很差的。
(实施例11-15)
对作为原材料，具有99.995％纯度的镍实施电子束熔化。另外对作为原材料，具有99.995％纯度的锰实施电子束熔化。向镍中加入0.5原子％的锰，采用冷壁型真空感应电炉将此熔化形成镍—锰合金，并锻造成一个铸锭(120φ×70h)。
在对铸锭实施均热处理(在750-1150℃保持铸锭2小时)后，另外进行热锻。热锻的起始温度为750℃-1150℃，真应变约为5。当在小于750℃的温度下进行热锻时，常常会产生裂纹，而当温度超过1150℃时，材料的氧化很严重。因此将此温度设定在前述的范围。
以30-60％的轧制率冷轧，并在300℃-600℃热处理1小时以再结晶。接着，进一步以30-60％的轧制率冷轧，并在300℃-600℃热处理1小时以再结晶。
为了形成厚度为3mm和直径为440mm的铁饼状镍合金靶试样，从上述获得的轧板上切取试样。靶试样的平均粒度如表3所示为62-1290μm，得到无任何异常晶粒结构的靶。而且，此镍合金靶的磁导率为105-215，同时具有优异的平整度。
接着，用此镍合金靶进行磁控溅射，测定和观察膜均一性(％，3σ)和等离子点火性。而且，关于均一性的测量，计算直接基于依照四端方法测量的49个点的电阻值。
膜均一性的测定结果都是至多为10％，而且连续达到90kwh(1kw溅射功率)的靶寿命，且表现出很好的膜均一性。详细内容类似地示于表3。
而且，在表3中，虽然未表示出等离子点火性能，但是在每一种情况下，这些性能也是很好的。
表3
  锻造温度(起始温度℃)   冷轧(％)  热处理(第一次时间) 冷轧(％)   热处理(第二次时间)     晶体结构(μm)   粗晶粒   变异系数(％)     磁导率 膜均一性(％，3σ)
实施例11     750     30  300℃×1hr     30   300℃×1hr     62   无     15.6     105     7.2
实施例12     900     50  350℃×1hr     30   350℃×1hr     75.3   无     13.4     122     8.2
实施例13     1150     40  400℃×1hr     60   400℃×1hr     110.3   无     15.3     136     6.5
实施例14     1150     50  500℃×1hr     50   500℃×1hr     690   无     18.3     170     7.5
实施例15     1150     60  600℃×1hr     30   600℃×1hr     1290   无     19.5     215     8.1
对比例17     750     50  300℃×1hr     无   无     36   有(189μm)     35     105     21
对比例18     900     60  500℃×1hr     无   无     142   有(850μm)     29     190     17
对比例19     1150     70  600℃×1hr     无   无     177   有(980μm)     70.2     220     19
对比例20     750     80  400℃×1hr     无   无     42   有(213μm)     38     154     17
对比例21     900     50  500℃×1hr     无   无     135   有(680μm)     42     177     16
对比例22     1050     60  600℃×1hr     无   无     184   有(960μm)     36     209     15
对比例23     1150     70  400℃×1hr     无   无     49   有(260μm)     75     145     15
对比例24     750     80  600℃×1hr     无   无     193   有(1010μm)     60     175     25
注意)：关于结构观察和磁导率的测量，平均值是靶径向放置时在均匀分布的17个点测定得到的。
注意)：对比例17-24显示，从靶寿命超过30kwh的点开始，膜均一性有突然变差的趋势。
(对比例17-24)
对作为原材料，具有99.995％纯度的镍实施电子束熔化。另外对作为原材料，具有99.995％纯度的锰实施电子束熔化。向镍中加入0.5原子％的锰，采用冷壁型真空感应电炉将此熔化形成镍—锰合金，并锻造成一个铸锭(120φ×70h)。
在对铸锭实施均热处理(在750-1150℃保持铸锭2小时)后，进行热锻。热锻的起始温度为750℃-1150℃，真应变约为5。当在小于750℃的温度下进行热锻时，常常会产生裂纹，而当温度超过1150℃时，材料的氧化很严重。因此将此温度设定在前述的范围。
以50-80％的轧制率冷轧，并在300℃-600℃热处理1小时。冷轧和热处理只进行一次。
为了形成厚度为3mm和直径为440mm的铁饼状镍合金靶试样，从上述获得的轧板上切取试样。在靶结构中观察到粗晶粒。
接着，用此镍合金靶在与实施例相同的条件下进行磁控溅射，测定和观察膜均一性(％，3σ)和等离子点火性。而且，关于均一性的测量，计算直接基于依照四端方法测量的电阻值。
至于膜均一性的测量结果，上限在15-25的范围内，表现出的膜均一性结果很差。详细结果类似地示于表3。特别地，对比例17-24显示，从靶寿命超过30kwh时的点开始，膜均一性有突然变差的趋势。
而且，在表3中，虽然未表示出等离子点火性能，但是在每一种情况下，这些性能也是很差的。
发明效果
根据本发明的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶及其制造方法，所述镍或镍合金靶具有均匀的晶粒，而无任何异常晶粒，并且，即使在采用300mm晶片进行淀积处理时，它也能在改善膜均一性(膜均匀度)和等离子点火性能方面产生优良的效果。

Claims (7)

1.具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶，其中所述靶的磁导率至少为100。
2.根据权利要求1的具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶，其中所述靶不含有从平均晶粒尺寸长大至少五倍的粗晶粒。
3.一种具有优异溅射膜均一性且其中靶的磁导率至少为100的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶的制造方法，包括步骤：在热锻具有至少4N5(99.995重量％)纯度的高纯度镍或镍合金后，以至少30％的轧制率冷轧。并进一步在至少300℃的温度下对其进行热处理以再结晶，其中所述冷轧和热处理重复至少两次或更多次。
4.根据权利要求3的具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶的制造方法，其中纯度至少为5N(99.999重量％)。
5.根据权利要求3或4的具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶的制造方法，其中在热锻高纯度镍或镍合金时进行捏合锻造。
6.根据权利要求3-5中任一项的具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶的制造方法，其中所述靶不含有从平均晶粒尺寸长大至少五倍的粗晶粒。
7.根据权利要求3-6中任一项的具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶的制造方法，其中最后在至少300℃且小于600℃的温度下进行全退火。
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