KR100773238B1 - 고순도 Ｎｉ―Ｖ 합금, 동Ｎｉ―Ｖ 합금으로 이루어진타겟트 및 동Ｎｉ―Ｖ 합금 박막과 고순도 Ｎｉ―Ｖ 합금의제조방법 - Google Patents

고순도 Ｎｉ―Ｖ 합금, 동Ｎｉ―Ｖ 합금으로 이루어진타겟트 및 동Ｎｉ―Ｖ 합금 박막과 고순도 Ｎｉ―Ｖ 합금의제조방법 Download PDF

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Abstract

Ni, V 및 가스를 제외한 Ni-V합금의 순도가 99.9wt% 이상이며 또한 V함유량의 인고트 간(間) 혹은 타겟트 간 또는 박막 간의 격차가 0.4% 이내인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금으로 이루어지는 타겟트 또는 동Ni-V합금 박막. 인고트 간 혹은 타겟트 간 또는 박막 간의 격차가 적고 엣칭성을 향상시켜 반도체 장치에 있어서 미소(微小) 회로(回路)에 악영향을 주는 알파 입자를 방사(放射)하는 U, Th등의 동위체 원소를 엄격히 저하시킨 99.9wt% 이상의 순도를 가지는 고순도 Ni-V합금, 동Ni-V합금으로 이루어지는 타겟트 및 동Ni-V합금 박막과 이들의 불순물을 효과적으로 저감할 수 있는 고순도 Ni-V합금의 제조방법을 제공한다.
스퍼터링 타겟트

Description

고순도 Ｎｉ―Ｖ 합금, 동Ｎｉ―Ｖ 합금으로 이루어진 타겟트 및 동Ｎｉ―Ｖ 합금 박막과 고순도 Ｎｉ―Ｖ 합금의 제조방법{HIGH PURITY Ni-V ALLOY, TARGET THEREFROM, HIGH-PURITY Ni-V ALLOY THIN FILM AND PROCESS FOR PRODUCING HIGH-PURITY Ni-V ALLOY}
이 발명은, Cr, Al, Mg의 불순물 함유량 및 U, Th등의 동위체(同位體) 원소의 함유량을 현저하게 저감시킨 99.5wt% 이상의 순도를 갖는 고순도 Ni-V 합금, 동(同)Ni-V 합금으로 이루어진 타겟트 및 동Ni-V 합금 박막(薄膜) 과 고순도 Ni-V 합금의 제조방법에 관한 것이다.
오늘날, 반도체 장치의 회로 소자의 일부는 니켈- 바나듐 합금이 사용되고 있으나, 최근에는 반도체 회로가 보다 소형화됨에 따라 회로의 치수(size)도 미세화 되고 있다. 이회로의 미세화는 고정도(高精度)의 소자의 설계와 제조가 요구됨과 동시에, 소자를 구성하는 재료의 고 순도(高純度)화(化)와 균질성이 요구되게 되었다. 니켈- 바나듐 합금은 상기한 바와 같이, 회로의 일부로서 사용되나, 특히 니켈-바나듐 합금에 함유되는 불순물이 문제가 되게 되었다.
미소(微小)한 회로를 형성할 때에 특히 문제가 되는 것은 니켈-바나듐 합금에 함유되어 있는 Cr, Al, Mg의 불순물 및 U, Th등의 방사성(放射性) 동위체(同位 體) 원소이다. Cr, Al, Mg의 불순물은 엣칭(etching) 특성에 영향을 주어(엣칭 속도를 악화시켜) 방사성 동위체 원소는 알파(alpha) 붕괴를 일으켜 알파 입자를 방출한다.
지금과 같이 회로 소자의 치수가 큰 경우에는 특별히 문제되지 않았으나, 상기와 같이 미소 회로에서는 알파 입자에 의한 근소한 량이라도 전자 전하(電荷)에 악영향을 미치게 되었다.
또한, 정밀한 회로를 형성하는 데에는 엣칭 특성의 개선(改善)은 큰 문제이며, 타겟트 재료 및 박막 재료에 불순물이 적고 또한 균일성이 우수할 것이 필요하게 되고 있다.
종래의 기술로서는, 니켈/바나듐 스퍼터링 타겟트에 있어서 알파 방사(放射)를 10- 2카운트(count)/cm2·시간 이하로 한다는 제안이 있다(일본 특개 2000-313954호 공보 참조).
그러나, 이 경우는 99.98%의 순도에서, 알파 방사가 10-2 카운트/cm2·시간 이하의 원료 니켈과 99.5%의 순도에서 알파 방사가 10-2 카운트/cm2·시간 이하의 원료 바나듐을 혼합하여 진공 용융 장치로 용해하고 이것을 압연 소둔 하여 스퍼터링 타겟트로 하는 것이 개시되어 있는 정도에 불과하다.
즉, 구체적인 개개의 방사성 동위체 원소의 함유량이 어떠한 레벨(level)에 도달하였을 경우에 문제가 되는지에 대하여는 충분히 해명 되어 있지 않으며, 또한 악영향을 미치는 가능성이 있는 개개의 방사성 동위체 원소를 어떻게 하여 저감시 키는 가에 대하여는 구체적 수법(정제방법)도 존재하지 않는다.
따라서, 종래에는 미소 회로에 있어서는 알파 방사가 영향을 준다는 것은 알고 있었으나, 개개의 방사성 동위체 원소를 보다 저감시키는 구체적 수법 및 개개의 방사성 동위체 원소를 보다 엄격하게 저감시킨 재료가 없다고 하는 문제가 있다.
또한 Cr, Al, Mg의 불순물의 엣칭(etching) 특성에 미치는 영향에 대하여는 일체 언급이 없을 뿐만 아니라 문제시 되지도 않고 있다. 그러나 미소한 회로를 형성하는 데에는 엣칭성(性)에 영향을 주는 재료의 균일성이 요구되고 있다.
(발명의 개시)
본 발명은, 합금 간(間) 혹은 타겟트 간(間) 또는 박막 간의 격차(variation)가 적고 엣칭 성을 향상시키며 또한 반도체 장치에 있어서 미소 회로에 악 영향을 주는 알파 입자를 방사하는 U, Th등의 동위체 원소를 엄격하게 저감시킨 99.9wt% 이상의 순도를 갖는 고순도 Ni-V 합금, 동Ni-V 합금으로 이루어지는 타겟트 및 동Ni-V 합금 박막과 이들의 불순물을 효과적으로 저감할 수 있는 고순도 Ni-V 합금의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다,
본 발명은,
1. Ni-V 및 가스(gas) 성분을 제외한 Ni-V 합금의 순도가 99.9wt% 이상이며 또한 V함유량의, 인고트(ingot)간(間) 혹은 타겟트 간(間) 또는 박막 간의 격차가 0.4% 이내인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V 합금 혹은 동Ni-V 합금으로 이루어진 타겟트 또는 동Ni-V 합금 박막.
2. Cr, Al, Mg의 불순물 함유량이 각각 10ppm 이하인 것을 특징으로 하는 1 기재의 고순도 Ni-V 합금 혹은 동Ni-V 합금으로 이루어진 타겟트 또는 동Ni-V 합금 박막.
3. U, Th의 불순물 함유량이 각각 1ppm 미만, Pb, Bi의 불순물 함유량이 각각 0.1ppm 미만인 것을 특징으로 하는 1 또는 2 기재의 고순도 Ni-V 합금 혹은 동Ni-V 합금으로 이루어지는 타겟트 또는 동Ni-V 합금 박막.
4. 불순물인 N 함유량이 1~100wtppm 인 것을 특징으로 하는 1~3의 어느 하나에 기재된 고순도 Ni-V 합금 혹은 동Ni-V 합금으로 이루어진 타겟트 또는 동Ni-V 합금 박막.
5. 99.0wt% 이상, 99.9wt% 이하의 순도를 가지는 Ni원료와 95.0wt% 이상, 99.9wt% 이하의 순도를 가지는 V원료의 어느 것의 일방 또는 쌍방을 전자 빔(beam) 용해하고, 이것을 다시 고주파 용해하여 합금화 하는 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V 합금의 제조 방법.
6. 99.0wt% 이상, 99.9wt% 이하의 순도를 가지는 Ni원료와 95.0wt% 이상, 99.9wt% 이하의 순도를 가지는 V원료의 어느 것의 일방 또는 쌍방을 전자 빔 용해하고, 이것을 다시 고주파 용해하여 합금화 하는 것을 특징으로 하는 1~5의 어느 하나에 기재된 도순도 Ni-V 합금의 제조방법.
을 제공한다.
(발명의 실시 형태)
본 발명은, 기본적으로 Ni, V 및 가스 성분을 제외한 Ni-V 합금의 순도가 99.9wt% 이상이며, 또한 V 함유량이 합금 인고트 간 혹은 타겟트 간 또는 박막 간의 격차를 0.4% 이내(以內)로 한다.
통상, Ni-V 합금은 비(非)자성 영역에서 사용하나, Ni에 V을 첨가하여 가면 자성체에서 비자성체로 변한다. 구체적으로는 V량이 약6% 이하에서는 자성이 있고, 이것을 초과하면 일반적로는 자성이 없어진다고 생각하고 있다. 그러나 실제로 약6% 이상, 예를 들면 약6~7%에서도 근소하나 자성이 남아 있을 수 있다.
이것의 원인은 목표 조성으로서는 충분히 비자성체 일 것이라고 생각하고 있는 것이라도 실제로 제조된 합금 인고트 간 혹은 타겟트 간 또는 박막 간에 조성의 격차가 존재하고, 이것이 특성에 영향을 주고 있다고 생각된다. 따라서 Ni-V 합금의 격차를 엄격하게 제어할 필요가 있으며, 격차의 범위가 넓을수록 박막에 자성이 생기는 특성이 악화되는 원인으로 된다.
후술하는 실시예에서 보는 바와 같이 Ni-7.2wt% V의 합금 조성비가 되도록 조정하여 용해하나, 합금 인고트 간 혹은 타겟트 간 또는 박막 간에서의 조성의 격차는 0.4% 이내로 하여 특성의 변동을 엄격하게 관리할 필요가 있다.
또한 V의 첨가량이 많아지면 Ni8V의 금속간 화합물이 석출한다고 하는 문제가 있다. 이 Ni8V의 금속간 화합물은 V가 약8% 이상에서 석출한다. 이 Ni8V의 금속간 화합물의 석출은 기계적 성질을 크게 변화시키며 또한 타겟트에 있어서는 이물질(異物質)이 되어 스퍼터링 성막시에 파티클(particle: 미세한 분말)발생의 원인으로 된다.
또한 Ni-V 합금의 경우, V량이 증가함에 따라 엣칭 특성도 크게 변화한다고 하는 성질이 있다. 즉, ±0.4%를 약간 초과하는 정도의 변동이라도 엣칭 특성이 크게 변화하기 때문에 소정의 막 두께가 얻어지지 않는다고 하는 문제를 발생 시킨다.
이것은 목표로 하는 조성으로 조정하는 것뿐만 아니라 합금 인고트 간 혹은 타겟트 간 또는 박막 간에서의 조성의 격차를 없게 하여, 적어도 ± 0.4% 이내로 억제하는 것이 극히 중요하다는 것을 의미하는 것이다.
이상과 같이, Ni-V 합금에 있어서는 V량의 근소한 변동이라도 특성에 큰 영향을 주어 종래에는 간과(看過) 되고 있던 조성의 격차의 엄격한 제어는 본 합금 조성에 있어서 극히 큰 의미가 있다.
또한 엣칭성을 나쁘게 하는 Cr, Al, Mg의 불순물 함유량을 10ppm 이하로 하고, 또한 U, Th의 불순물 함유량이 각각 1ppb 미만, Pb, Bi의 불순물 함유량이 각각 0.1ppm 미만으로 하고, 알파 방사를 발생하는 U의 동위체 원소와 Th의 동위체 원소를 극히 감소시키는 것이다.
그리고 불순물인 N 함유량을 1~100wtppm의 사이로 하는 것이 바람직하다. N함유량이 증가하면 동일하게 엣칭 특성이 불안정하기 쉽기 때문이다. 또한 이들의 불순물도 타겟트 또는 합금 롯트(lot) 간(間)에서 격차가 없는 것이 요망된다.
Ni-V 합금에 있어서 Cr, Al, Mg의 불순물 함유량이 10ppm을 초과하면 엣칭성이 나쁘게 되어, 예를 들면 회로를 형성하는 경우에도 영향을 준다. 또한 U, Th의 불순물 함유량이 각각 1ppm 이상, 혹은 Pb, Bi의 불순물 함유량이 각각 0.1ppm 이상으로 되면 미소 회로에서는 알파 입자에 의한 근소한 량이라도 전자 전하에 악 영향을 주게 되어 오작동의 원인으로 된다. 따라서 상기의 불순물의 범위로 제한하는 것이 바람직하다.
고순도 Ni-V 합금의 제조 시에는 각각 99wt%의 순도를 가지는 Ni원료와 V원료를 전해 정제에 의하여 정제하고, 전석(電析) Ni 및 전석 V를 얻는다. 다음에 제1단계에서 전석 Ni 및 전석V의 어느 것이나 일방 또는 쌍방을 전자 빔 용해하고, 이어서 제2단계에서 다시 고주파 용해하여 합금화한다. 고주파 용해 시에는 칼시아(calcia) 도가니를 사용하는 것이 바람직하다.
이것에 의하여 Cr, Al, Mg의 불순물 함유량을 10ppm 이하로, U, Th의 불순물 함유량이 각각 1ppb 미만으로, 또한 Pb, Bi의 불순물 함유량을 각각 0.1ppm 미만으로 할 수가 있다.
상기 원료의 전자 빔 용해 및 합금화를 위한 고주파 용해에 의해 정제한 고순도 Ni-V 인고트를 단조, 압연하여 스퍼터링용 타겟트로 할 수 있다.
또한 이 고순도 Ni-V 합금 스퍼터링 타겟트를 사용하여 스퍼터링 하는 것에 의하여 Cr, Al, Mg의 불순물 함유량을 저감시켜서 엣칭성을 향상 시키고 또한 방사를 현저하게 저감시킨 고순도 Ni-V 합금 박막을 형성하는 것이 가능하다.
상기의 본 발명의 Ni-V합금의 제조 흐름도를 도 1에 나타낸다.
도 1은 고순도 Ni-V 합금 제조의 흐름도이다.
다음에, 본 발명의 실시 예에 대하여 설명한다. 본 실시 예는 발명의 일예를 나타내는 것으로써, 본 발명은 이들의 실시 예에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술사상에 포함되는 타의 태양 및 변형을 포함하는 것이다.
( 실시예1 )
99.9wt% 레벨(level)의 순도를 가지는 Ni원료를 황산욕(黃酸浴)을 사용하여,pH2, 실온에서 전해 정제하여, 순도 99.99wt%의 전석 Ni를 얻었다. 한편 99.0wt%의 V원료를 용융염 전해(NaCl-KCl-VCl2 욕, 750℃)하여 전석V를 얻었다. 다음에, 이것을 각각 전자 빔 용해하여, 99.99%의 Ni 및 V 인고트를 얻었다.
이것을 각각 칭량(秤量)하여 Ni-7.2wt%V의 합금의 조성비가 되도록 30Kg을 고주파 용해하였다. Ni원료와 V원료 및 용해후의 Ni-V 합금 인고트의 불순물의 분석치를 표 1에 나타낸다.
이 표1에서 보는 바와 같이 전자 빔 용해와 고주파 용해 후에는 각각 Cr: 1wtppm, Al: 2wtppm, Mg: 1wtppm, U: <0.1wtppb, Th: <0.1wtppb, Pb:<0.1wtppm, Bi: <0.1wtppm, N: <10wtppm으로 되어 순도가 향상되었다(순도 99.999%).
다시 이것을 실온에서 압연하여 Ø320× 6mmt 사이즈(size)의 타겟트로 했다. 또한 이 타겟트를 사용하여 Ar감압 하(下)에서 스퍼터링하여 박막을 형성 하였다. 다시 박막 형성 후에 엣칭 특성과 반도체 장치에 있어서 미소 회로에 악영향을 주는 알파 입자 방사의 영향을 조사(調査)했다. 또한 상기 Ni-V합금 인고트로 부터 잘라 낸 타겟트(10종)간의 격차도 조사했다. 이 결과를 표2에 나타낸다.
그 결과 표2에서 보는 바와 같이 V의 격차가 적게 되고 N량이 감소하여 엣칭 특성이 향상되며 또한 알파 입자 수(數)도 거의 없으며 알파 입자 방사의 영향이 현저하게 감소하였다. 이와 같이 본 발명에 의한 고순도 Ni-V합금은 반도체 장치를 제조하는 경우에 있어서 극히 유효함을 알 수 있다.
Figure 112006021248445-pct00001
Figure 112006021248445-pct00002
( 실시예2 )
99.9% 레벨의 순도를 가지는 Ni원료와 95%의 V원료를 준비했다. Ni원료는 그대로 사용하고 V원료 만을 용융염 전해(NaCl-KCl-VCl2 욕, 750℃)하여 전석V를 얻었다. 다음에 이것을 전자 빔 용해하여 99.99%의 V 인고트를 얻었다.
이것을 각각 칭량하여 Ni-7.2wt% V의 합금 조성비가 되도록 30Kg을 고주파 용해했다. Ni원료 및 용해후의 Ni-V합금 인고트의 불순물의 분석치를 표3에 나타낸다.
이 표3에서 보는 바와 같이 전자 빔 용해와 고주파 용해 후에는 각각 Cr: 9wtppm, Al: 10wtppm, Mg: 7wtppm, U: 1wtppm, Th: 1wtppm, Pb: <0.1wtppm, Bi: <0.1wtppm, N: 30wtppm로 되어 순도가 향상되었다(순도 99.995%).
그리고 이것을 실온에서 압연하여 Ø320× 6mm 크기의 타겟트로 하였다. 또한 이 타겟트를 사용하여 Ar 감압 하에서 스퍼터링 하여 박막을 형성 하였다. 다시 박막 형성 후에 엣칭 특성과 반도체 장치에 있어서 미소 회로에 악영향을 주는 알파 입자 방사의 영향을 조사하였다. 또한 상기 Ni-V합금 인고트에서 잘라 낸 타겟트 간(間)의 격차 및 N량도 조사했다. 이 결과를 표4에 나타낸다.
그 결과, 표4에서 보는 바와 같이 실시예 1에 비하여 약간 V의 격차가 크게 되었으나 허용 범위 내였다. 또한 N량도 본 발명의 범위 내에 있으며 엣칭 특성은 양호하였다. 또 알파 입자도 전혀 없고 알파 입자 방사의 영향도 현저하게 감소하였다. 이와 같이 본 발명에 의한 고순도 Ni-V합금은 반도체 장치를 제조하는 경우에 있어서 극히 유효함을 알 수 있다.
Figure 112006021248445-pct00003
Figure 112006021248445-pct00004
( 실시예3 )
99% 레벨의 순도를 갖는 Ni원료를 황산욕를 사용하여, pH2, 실온에서 전해 정제하여 순도99.99%의 전석 Ni을 얻었다. 다음에 이것을 전자 빔 용해하여 99.99%의 Ni인고트를 얻었다. 한편 99.95%의 V원료에 대하여는 그대로 사용하였다.
이들을 각각 칭량하여 Ni-7.2wt% V의 합금 조성이 되도록 30Kg을 고주파 용해하였다. Ni원료와 V원료 및 용해 후의 Ni-V합금 인고트의 불순물의 분석치를 표5에 나타낸다.
이 표5에서 보는 바와 같이 전자 빔 용해와 고주파 용해 후에는 각각 Cr: 5wtppm, Al: 8wtppm, Mg: 6wtppm, U:2wtppb, Th: 1wtppm, Pb: 1wtppm, Bi: 1wtppm, N: 70wtppm으로 되어 순도가 향상되었다.(순도 99.995%).
다시 이것을 실온에서 압연하여 Ø320×6mm 크기의 타겟트로 하였다. 또한 이 타겟트를 사용하여 Ar감압 하에서 스퍼터링하여 박막을 형성하였다. 다시 박막 형성한 후에 엣칭 특성과 반도체 장치에 있어서 미소 회로에 악영향을 주는 알파 입자 방사의 영향을 조사했다.
또한 상기 Ni-V합금 인고트에서 잘라 낸 타겟트 간(間)의 격차도 조사했다. 이 결과를 표6에 나타낸다.
그 결과 표6에서 보는 바와 같이 V의 격차가 적게 되고 N량이 감소하여 엣칭 특성이 향상되며 또한 알파 입자 수도 거의 없고, 알파 입자 방사의 영향이 현저하게 감소하였다. 이와 같이 본 발명에 의한 고순도 Ni-V합금은 반도체 창치를 제조하는 경우에 있어서 극히 유효한 것임을 알 수 있다.
Figure 112006021248445-pct00005
Figure 112006021248445-pct00006
( 비교예1 )
99%의 순도를 가지는 Ni원료와 V원료를 그냥 그대로 칭량하여 Ni-7.2wt% V의 합금 조성비가 되도록 30Kg을 고주파 용해하였다.
용해 중에 가스 발생이 많고 스프레쉬(splash)도 많이 발생했다. Ni원료 및 용해 후의 Ni-V합금 인고트의 불순물의 분석치를 표7에 나타낸다.
이 표7에서 보는 바와 같이 고주파 용해 후에는 순도가 99%로 되어, Cr, Al, Mg함유량이 많고 알파 입자를 방사하는 U, Th, Pb, Bi가 높은 것을 알 수 있다. 또한 스프레쉬가 많이 발생하여 조성의 제어(control)가 어렵게 되고 롯트(lot)간(間)의 V 및 N의 격차도 크게 되었다.
다시 이것을 실온에서 압연하여 Ø320×6mm 크기의 타겟트로 하였다. 또한 이 타겟트를 사용하여 Ar감압 하에서 스퍼터링하여 박막을 형성하였다. 다시 박막 형성 후에 엣칭 특성과 반도체 장치에 있어서의 미소 회로에 악영향을 주는 알파 입자 방사의 영향을 조사하였다.
또한 상기 Ni-V합금 인고트에서 잘라낸 타겟트 간(間)의 격차도 조사했다. 이 결과를 표8에 나타낸다.
그 결과 표8에서 보는 바와 같이 V의 격차가 크고 N량이 증가하여 엣칭 특성이 악화하였다. 또한 미소 회로에 악영향을 주는 알파 입자 방사를 내는 U, Th등의 량도 증가하였다.
Figure 112006021248445-pct00007
Figure 112006021248445-pct00008
( 비교예2 )
실시예1과 동일한 원료, 즉 99% 레벨의 순도를 갖는 Ni원료와 99.5%의 V원료를 Ni-7.2wt% V의 합금 조성비가 되도록 칭량하여 이것을 전자 빔 용해하여 Ni-V합금 인고트를 얻었다.
Ni-V합금 인고트의 불순물의 분석치를 표9에 나타낸다. 합금의 순도는 99.9%로 되었다.
이것을 실온에서 압연하여 Ø320×6mm 크기의 타겟트로 하였다. 또한 이 타겟트를 사용하여 Ar감압 하에서 스퍼터링하여 박막을 형성하였다. 다시 박막 형성 후에 엣칭 특성과 반도체 장치에 있어서 미소 회로에 악영향을 주는 알파 입자 방사의 영향을 조사했다.
또한 상기 Ni-V합금 인고트에서 잘라낸 타겟트 간의 격차도 조사했다. 이 결과를 표10에 나타낸다.
그 결과 표10에서 보는 바와 같이 V의 타겟트 간의 격차가 크며 N량이 증가하여 엣칭 특성이 악화하였다. 또한 미소 회로에 악영향을 주는 알파 입자 방사를 내는 U, Th등의 량도 증가하였다.
Figure 112006021248445-pct00009
Figure 112006021248445-pct00010
본 발명은, Cr, Al, Mg의 불순물 함유량을 저감시켜서 엣칭 특성을 향상시킴과 동시에 U, Th등의 동위체 원소를 보다 엄격하게 저감시킨 고순도 Ni-V합금, 고순도 Ni-V합금으로 이루어진 타겟트, 고순도 Ni-V합금 박막 과 이들의 불순물을 엄격히 저하 시키는 Ni-V합금의 제조방법을 제공하는 것이 가능하다. 이것에 의해 합금 간(間) 또는 박막 간의 격차가 적고 엣칭성이 우수하며 또한 미소 회로 설계시에 알파 방사에 의하여 악영향을 주는 것이 없기 때문에 특히 고도화된 반도체 장치의 회로 형성에 극히 유용한 것이다.

Claims (14)

  1. 삭제
  2. Ni, V 및 가스(gas)성분을 제외한 Ni-V합금의 순도가 99.9wt% 이상이며 Cr, Al, Mg의 불순물 함유량이 각각 10ppm 이하, V함유량의 인고트 간(間)의 격차가 0.4% 이내인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금.
  3. 제2항에 있어서, 상기 고순도 Ni-V 합금에 있어서 U, Th의 불순물 함유량이 각각 1ppb 미만, Pb, Bi의 불순물 함유량이 각각 0.1ppm 미만인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 고순도 Ni-V 합금에 있어서 불순물인 N함유량이 1~100wtppm인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금.
  5. Ni, V 및 가스(gas)성분을 제외한 Ni-V합금의 순도가 99.9wt% 이상이며 Cr, Al, Mg의 불순물 함유량이 각각 10ppm 이하, 또한 V함유량의 타겟트 간(間)의 격차가 0.4% 이내인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금으로 이루어지는 타겟트.
  6. 제5항에 있어서, 상기 고순도 Ni-V합금으로 이루어지는 타겟트에 있어서 U, Th의 불순물 함유량이 각각 1ppb 미만, Pb, Bi의 불순물 함유량이 각각 0.1ppm 미만인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금으로 이루어지는 타겟트.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 고순도 Ni-V합금으로 이루어지는 타겟트에 있어서 불순물인 N함유량이 1~100wtppm인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금으로 이루어지는 타겟트.
  8. Ni, V 및 가스(gas)성분을 제외한 Ni-V합금의 순도가 99.9wt% 이상이며 Cr, Al, Mg의 불순물 함유량이 각각 10ppm 이하, 또한 V함유량의 박막 간의 격차가 0.4% 이내인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금 박막.
  9. 제8항에 있어서, 상기 고순도 Ni-V합금 박막 중의 U, Th의 불순물 함유량이 각각 1ppb 미만, Pb, Bi의 불순물 함유량이 각각 0.1ppm 미만인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금 박막.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 고순도 Ni-V합금 박막 중의 불순물인 N함유량이 1~100wtppm인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금 박막.
  11. 99.0wt% 이상, 99.9wt% 이하의 순도를 가지는 Ni원료와 95.0wt% 이상, 99.9wt% 이하의 순도를 가지는 V원료의 어느 것의 일방 또는 쌍방을 전자 빔 용해하고 이것을 다시 고주파 용해하여 합금화하는 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금의 제조방법.
  12. 99.0wt% 이상, 99.9wt% 이하의 순도를 가지는 Ni원료와 95.0wt% 이상, 99.9wt% 이하의 순도를 가지는 V원료의 어느 일방 또는 쌍방을 전자 빔 용해하고, 이것을 다시 고주파 용해하여 합금화 하는 것을 특징으로 하는 Ni, V 및 가스(gas)성분을 제외한 Ni-V합금의 순도가 99.9wt% 이상이며 Cr, Al, Mg의 불순물 함유량이 각각 10ppm 이하, V함유량의 인고트 간(間)의 격차가 0.4% 이내인 고순도 Ni-V합금의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 고순도 Ni-V합금 중의 U, Th의 불순물 함유량이 각각 1ppb 미만, Pb, Bi의 불순물 함유량이 각각 0.1ppm 미만인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금의 제조방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 고순도 Ni-V합금 중의 불순물인 N함유량이 1~100wtppm인 것을 특징으로 하는 고순도 Ni-V합금의 제조방법.
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