KR101136065B1 - 레이저 가공 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 상의 적어도 두위치에 적어도 2개의 넷포인트를 각각 형성하는데 사용되며, 가공유닛을 포함하는 레이저 가공 장치에 관한 것이다. 상기 가공유닛은 상기 적어도 두위치에 따라 적어도 2개의 레이저 가공변수를 각각 설정하며, 상기 적어도 2개의 가공변수에 의해 적어도 2개의 제1레이저 빔을 발사하여 상기 적어도 2개의 넷포인트를 각각 형성한다. 상기 적어도 2개의 가공변수는 각각 소정의 깊이와 레이저 에너지 변수를 가지며, 상기 적어도 2개의 넷포인트는 각각의 깊이를 갖는다. 상기 2개의 가공변수의 2개의 소정의 깊이는 서로 다르게 형성되고, 상기 2개의 가공변수의 2개의 레이저 에너지 변수는 동등하지 않게 설정되며, 상기 2개의 가공변수의 2개의 레이저 에너지 변수는 상기 2개의 넷포인트의 깊이를 상기 2개의 가공변수의 상기 2개의 소정의 깊이에 각각 정합(整合)되도록 하는데 사용된다.
레이저 가공 시스템, 가공 변수, 도광판, 넷 포인트, 플랫폼 유닛, 백라이트 모듈
Description
본 발명은 레이저 가공 장치에 관한 것으로, 상세하게는 백라이트 모듈의 도광판 성형용 기판의 가공에 사용되는 레이저 가공 장치에 관한 것이다.
도광판은 백라이트 모듈에 배치되어 측면 광선을 정면의 시선방향으로 안내하여 휘도를 균일하게 하는 효과를 달성한다. 도광판은 보통 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 휴대폰 및 PDA등 크기가 다른 액정 디스플레이에 사용된다.
레이저 가공방식으로 해상도가 높은 넷포인트 패턴을 제작하면, 종래의 포토리소그라피 습식 에칭공정에 비해, 제조과정이 간단하고, 시간을 절약할 수 있으며, 비용이 저렴하고 오염성 산알칼리 용액을 적게 사용하고, 에칭 깊이의 오차를 줄일 수 있는 등 이점이 있으며, 특히, 평면 디스플레이의 백라이트 모듈의 광학소자의 제조에 있어서, 레이저 가공 방식으로 도광판을 제조함으로써 도광판의 휘도정도 및 전체 휘도의 균일성을 높일 수 있을뿐만 아니라, 습식 에칭 제조공정에 비해 재현성이 높다.
레이저 에칭으로 도광판을 제조하는 종래의 기술은 중화민국 특허공고 제TWI275878호에 기재되어 있다. 구체적으로, 우선, 금속 또는 아크릴 재질로 된 기 판을 마련한 후, 상기 기판상의 동일한 위치에 레이저 빔을 반복해 발사해 요철부를 형성하며, 다시 레이저 빔 또는 기판을 이동하면서 레이저 빔을 상기 기판에 반복하여 조사해 상기 기판의 다른 위치에 차례로 상기 요철부를 형성한다. 레이저 빔은 펄스식 레이저를 사용할 수 있고, 레이저 빔의 파장은 상기 기판의 재질에 의해 선택할 수 있다. 예를 들어, 강재 기판을 사용할 경우, Nd-YAG레이저를 선택할 수 있다. 그 다음, 표면에 복수개의 요철부가 형성된 상기 기판을 직접 다이로 사용할 수도 있고, 전기주조공정에 의해 다이를 형성할 수 있으며, 투명재료를 주입해 도광판을 성형할 수 있다. 성형방식은 사출성형, 열압착, 주조, 다이 캐스팅 또는 주입 등 방식일 수 있다.
상기 종래의 기술에 있어서, 각 요철부는 깊이가 균일하기 때문에 형성된 도광판의 높이도 균일하다. 백라이트 모듈의 광원이 상기 도광판의 측면에 위치하기 때문에 상기 도광판을 구비하는 백라이트 모듈이 전면(全面)에 균일한 광선을 발생할 수 있게 하려면 복수개의 요철부를 더욱 복잡하게 배치해 규칙화 하기 어렵게 해야 한다. 그리하여, 레이저 가공 장치를 이용해 상기 문제점을 개선하는 것이 본 발명의 과제이다.
본 발명인은 상기 종래 기술의 문제점을 감안하여 연구한 결과 본 발명의 레이저 가공 장치를 발명하기에 이르렀다.
본 발명의 주요 목적은 기판상의 복수개의 위치에 복수개의 넷포인트(net point)를 형성하도록 에칭하고, 이러한 넷포인트는 서로 다른 깊이를 가지면서 도광판을 성형하는 넷포인트 판을 형성하는데 사용되며, 간단하면서 서로 다른 깊이를 가지는 상기 복수개의 넷포인트의 배치에 의해 상기 도광판을 채용한 백라이트 모듈이 전면에 균일한 광선을 발생하도록 하는 레이저 가공 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 제1구상은 기판상의 적어도 두위치에 적어도 2개의 넷포인트를 각각 형성하며, 또 처리유닛을 포함하는 레이저 가공 장치를 제공하는데 있다. 상기 처리유닛은 상기 적어도 두위치에 따라 적어도 2개의 가공변수를 각각 설정하고, 상기 적어도 2개의 가공변수에 의해 적어도 2개의 제1레이저 빔을 각각 생성하여 적어도 2개의 넷포인트를 형성한다. 상기 적어도 2개의 가공변수는 각각 소정 깊이와 레이저 에너지 변수를 가지며, 상기 적어도 2개의 넷포인트는 각각 깊이를 가진다. 상기 2개의 가공변수의 2개의 소정 깊이는 서로 다르게 설정되고, 상기 2개의 가공변수의 2개의 레이저 에너지 변수는 동등하지 않게 설정되며, 상기 2개의 가공변수의 상기 2개의 레이저 에너지 변수는 상기 2개의 넷포인트의 깊이가 상기 2개의 가공변수의 상기 2개의 소정 깊이에 각각 정합되도록 하는데 사용된다.
본 발명의 제2구상은 기판상의 적어도 두위치에 적어도 2개의 넷포인트를 각 각 형성하며, 또 처리유닛을 포함하는 레이저 가공 장치를 제공하는데 있다. 상기 처리유닛은 상기 적어도 두위치에 대응하는 적어도 2개의 소정 깊이를 가지며, 상기 적어도 2개의 소정 깊이에 의해 적어도 2개의 제1레이저 빔을 각각 생성하여 적어도 2개의 넷포인트를 형성한다. 상기 2개의 제1레이저 빔은 2종류의 에너지 특성을 각각 가진다. 상기 2개의 소정 깊이는 서로 다르게 설정되며, 상기 2종류의 에너지 특성은 동등하지 않게 특성화되며, 상기 2종류의 에너지 특성은 상기 2개의 넷포인트의 깊이가 상기 2개의 소정 깊이에 각각 정합되도록 한다.
본 발명의 제3구상은 기판상의 적어도 두위치에 적어도 2개의 넷포인트를 각각 형성하며, 가공유닛 및 제어유닛을 포함하는 레이저 가공 장치를 제공하는데 있다. 상기 가공유닛은 레이저 에너지 제어신호의 2개의 컴포넌트에 의해 적어도 2개의 제1레이저 빔을 생성하여 상기 적어도 2개의 넷포인트를 각각 형성하며, 상기 제어유닛은 상기 적어도 두위치에 따라 적어도 2개의 소정의 깊이를 각각 설정하고, 상기 적어도 2개의 소정 깊이에 의해 상기 레이저 에너지 제어신호의 상기 2개의 컴포넌트를 생성한다. 상기 2개의 소정 깊이는 서로 다르게 설정되며, 상기 레이저 에너지 제어신호의 상기 2개의 컴포넌트는 동등하지 않게 설정되며, 상기 레이저 에너지 제어신호의 상기 2개의 컴포넌트는 상기 2개의 넷포인트의 깊이가 상기 2개의 소정 깊이에 각각 정합되도록 한다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 레이저 가공장치에 의하면, 도광판을 채용한 백라이트 모듈이 전면에 균일한 광선을 발생시키게 된다.
도1은 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 가공 시스템(81)의 개략도이다.
도시된 바와 같이, 레이저 가공 시스템(81)은 레이저 가공 장치(81A)와 기판(50)을 포함한다. 실시예 1에 있어서, 레이저 가공 장치(81A)는 기판(50)의 적어도 두위치(PS1, PS2)에 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)를 각각 형성하는데 사용되며, 상기 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)는 도광판(도시하지 않음)을 성형하는데 사용될 수 있다. 상기 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)는 적어도 2개의 깊이(DA1, DA2)를 각각 가지며, 상기 도광판을 사용한 백라이트 모듈(도시하지 않음)이 전면(全面)에서 균일한 광선을 발생할 수 있도록, 상기 적어도 2개의 깊이(DA1, DA2)를 다르게 형성할 수 있다.
실시예에 있어서, 레이저 가공 장치(81A)는 처리유닛(811)을 포함한다. 처리유닛(811)은 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)에 따라 적어도 2개의 가공변수(B11, B12)를 각각 설정하며, 상기 적어도 2개의 가공변수(B11, B12)에 의해 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 각각 생성해 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)를 형성한다. 상기 적어도 2개의 가공변수(B11, B12)는 각각(예를 들어 B11) 소정 깊이(예를 들어 D11)와 레이저 에너지 변수(예를 들어 U11)를 가지고, 상기 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)는 각각(예를 들어 51) 깊이(예를 들어 DA1)를 가진다. 상기 2개의 가공변수(B11, B12)의 2개의 소정 깊이(D11, D12)는 서로 다르게 설정되며, 상기 2개의 가공변수(B11, B12)의 2개의 레이저 에너지 변수(U11, U12)는 동등하지 않게 설정되며, 상기 2개의 가공변수(B12, B12)의 상기 2개의 레이저 에너지 변수(U11, U12)는 상기 2개의 넷포인트(51, 52)의 두깊이(DA1, DA2)가 상기 2개의 가공변수(B11, B12)의 상기 2개의 소정 깊이(D11, D12)에 정합되도록 한다.
상기 적어도 두위치(PS1, PS2)는 기판(50)의 동일평면(SF1)상에 위치할 수 있으며, 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)는 각각 2개의 좌표(P11, P12)를 가진다. 처리유닛(811)은 가공변수(B11)를 이용하여 넷포인트(51)를 형성하고, 또 가공변수(B12)를 이용하여 넷포인트(52)를 형성한다. 처리유닛(811)은 기판(50)의 재질(H1)에 따라 상기 적어도 2개의 가공변수(B11, B12)를 설정한다.
실시예에 있어서, 상기 적어도 2개의 가공변수(B11, B12)는 가공변수(B11)와 가공변수(B12)를 가진다. 가공변수(B11)는 좌표(P11), 소정 깊이(D11) 및 레이저 에너지 변수(U11)를 포함하고, 가공변수(B12)는 좌표(P12), 소정 깊이(D12) 및 레이저 에너지 변수(U12)를 포함한다. 레이저 에너지 변수(U11)는 설계 펄스전력(R11), 설계 펄스주파수(f11) 및 설계 가공시간(Q11)을 가지며, 레이저 에너지 변수(U12)는 설계 펄스전력(R12), 설계 펄스주파수(f12) 및 설계 가공시간(Q12)을 가진다. 소정 깊이(D11)와 소정 깊이(D12)가 서로 다르게 설정될 경우, 설계 펄스전력(R11), 설계 펄스주파수(f11) 및 설계 가공시간(Q11)은 설계 펄스전력(R12), 설계 펄스주파수(f12) 및 설계 가공시간(Q12)과 각각 완전히 같지 않게 설정되며(3쌍 중에서 적어도 한쌍은 다르게 설정한다), 따라서 레이저 에너지 변수(U11)도 레이저 에너지 변수(U12)와 동등하지 않게 설정된다.
상기 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)은 레이저 빔(LU1)과 레이저 빔(LU2)을 포함하며, 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)은 에너지 특성(U21, U22)을 가진다. 에너 지 특성(U21)은 펄스전력(R21), 펄스주파수(f21) 및 가공시간(Q21)을 가지며, 에너지 특성(U22)은 펄스전력(R22), 펄스주파수(f22) 및 가공시간(Q22)을 가진다. 레이저 빔(LU1)의 펄스전력(R21), 펄스주파수(f21) 및 가공시간(Q21)은 레이저 에너지 변수(U11)의 설계 펄스전력(R11), 설계 펄스주파수(f11) 및 설계 가공시간(Q11)에 의해 각각 특성화된다. 레이저 빔(LU2)의 펄스전력(R22), 펄스주파수(f22) 및 가공시간(Q22)은 레이저 에너지 변수(U12)의 설계 펄스전력(R12), 설계 펄스주파수(f12) 및 설계 가공시간(Q12)에 의해 각각 특성화된다. 실시예에서, 펄스전력(R21)은 레이저 빔(LU1)의 레이저 펄스의 평균 전력 또는 피크치 전력을 가리키고, 펄스전력(R22)은 레이저 빔( LU2)의 레이저 펄스 평균 전력 또는 피크치 전력을 가리킨다.
실시예에 있어서, 레이저 에너지 변수(U11)는 레이저 빔(LU1)이 대응하는 설계 총에너지와 설계 총평균전력을 정의하는데 사용되며, 레이저 에너지 변수(U12)는 레이저 빔(LU2)이 대응하는 설계 총에너지와 설계 총평균전력을 정의하는데 사용된다. 레이저 에너지 변수(U11)의 설계 총에너지와 설계 평균전력이 레이저 에너지 변수(U12)의 설계 총에너지와 설계 평균전력과 같을 경우, 레이저 에너지 변수(U11)와 레이저 에너지 변수(U12)가 동등한 것으로 볼 수 있다. 다른 실시예에서, 레이저 에너지 변수(U11)는 레이저 빔(LU1)이 대응하는 설계 총에너지를 정의하는데 사용되며, 레이저 에너지 변수(U12)는 레이저 빔(LU2)이 대응하는 설계 총에너지를 정의하는데 사용된다. 레이저 에너지 변수(U11)의 설계 총에너지가 레이저 에너지 변수(U12)의 설계 총에너지와 같을 경우, 레이저 에너지 변수(U11)와 레 이저 에너지 변수(U12)가 동등한 것으로 볼 수 있다. 또 다른 실시예에서, 레이저 에너지 변수(U11)는 레이저 빔(LU1)이 대응하는 설계 총평균전력을 정의하는데 사용되며, 레이저 에너지 변수(U12)는 레이저 빔(LU2)이 대응하는 설계 총평균전력을 정의하는데 사용된다. 레이저 에너지 변수(U11)의 설계 총평균전력과 레이저 에너지 변수(U12)의 설계 총평균전력이 같을 경우, 레이저 에너지 변수(U11)와 레이저 에너지 변수(U12)가 동등한 것으로 볼 수 있다.
실시예에 있어서, 레이저 에너지 변수(U11)의 설계 총에너지는 설계 가공시간(Q11) 내의 순간 설계 펄스전력을 적분하여 얻을 수 있고, 레이저 에너지 변수(U11)의 설계 총평균전력은 레이저 에너지 변수(U11)의 설계 총에너지를 설계 가공시간(Q11)으로 나눈 것과 같다. 레이저 에너지 변수(U12)의 설계 총에너지는 설계 가공시간(Q12) 내의 순간 설계 펄스전력을 적분하여 얻을 수 있고, 레이저 에너지 변수(U12)의 설계 총평균전력은 레이저 에너지 변수(U12)의 설계 총에너지를 설계 가공시간(Q12)으로 나눈 것과 같다. 실시예에서, 가공변수(B11)의 값은 D11=1μm,R11=2W,f11=5kHz,Q11=1ms이고, 가공변수(B12)의 값은 D12=2μm,R12=2.5W,f11=5kHz,Q11=1ms이다. 그 외에, 기타 가공변수의 값은 하기와 같다. 소정 깊이=3μm, 설계 펄스전력=2.5W, 설계 펄스주파수=5kHz, 설계 가공시간=1.5ms. 상기 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)의 직경은 상기 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)의 소정 깊이에 각각 정비례하게 분포된다.
실시예에 있어서, 처리유닛(811)은 가공유닛(30) 및 제어유닛(40)을 포함할 수 있다. 가공유닛(30)은 제어신호(A1)에 의해 상기 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 생성하여 상기 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)를 각각 형성한다. 제어유닛(40)은 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)에 따라 적어도 2개의 가공변수(B11, B12)를 각각 설정하고, 상기 적어도 2개의 가공변수(B11, B12)에 의해 제어신호(A1)를 생성한다. 제어신호(A1)는 레이저 에너지 제어신호(S1)와 위치 제어신호(S2)를 포함하고, 레이저 에너지 제어신호(S1)는 레벨신호(S11)와 펄스신호(S12)를 포함하며, 위치 제어신호(S2)는 상기 적어도 2개의 좌표(P11, P12)와 연관되어 신호(S21)와 신호(S22)를 포함한다. 실시예에서, 제어유닛(40)은 컴퓨터로서, 제어유닛(40)은 제어카드(41)를 더 포함할 수 있고, 제어유닛(40)은 제어카드(41)를 이용하여 제어신호(A1)를 생성한다.
가공유닛(30)은 레이저 모듈(31)과 위치결정유닛(32)을 포함할 수 있다. 레이저 모듈(31)은 레이저 에너지 제어신호(S1)에 의해 적어도 2개의 레이저 빔(LA1, LA2)을 생성한다. 위치결정유닛(32)은 위치 제어신호(S2)와 상기 적어도 2개의 레이저 빔(LA1, LA2)에 의해 상기 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 생성한다. 위치결정유닛(32)은 빔 스캔유닛(321)과 플랫폼(322)을 포함할 수 있다. 빔 스캔유닛(321)은 신호(S21)와 상기 적어도 2개의 레이저 빔(LA1, LA2)에 의해 상기 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)를 생성한다. 플랫폼(322)은 기판(50)을 적재하며, 신호(S22)에 의해 기판(50)을 이동시킨다.
처리유닛(811)이 기판(50)의 평면(SF1)에서 상기 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 이용하여 상기 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)를 에칭하면, 기판(50)은 넷포인트 판(5A)으로 전환된다. 넷포인트 판(5A)은 다이로 할 수 있으며, 넷포인트 판(5A)의 상기 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)는 도광판(도시하지 않음)을 성형하는데 사용된다. 상기 도광판은 높이가 다른 복수개의 돌기를 가지면서 백라이트 모듈(도시하지 않음)에 배치되어, 상기 도광판의 측면에 광선이 조사되었을 때, 상기 백라이트 모듈의 정면의 전면에서 균일한 광선을 발생할 수 있도록 한다.
도2는 본 발명의 실시예 1에 따른 레이저 에너지 제어신호(S1)의 파형 개략도이다.
도시한 바와 같이, 레이저 에너지 제어신호(S1)는 레벨신호(S11)와 펄스신호(S12)를 가지며, 레벨신호(S11)는 적어도 하나의 레벨(G11)과 레벨(G12)을 가진다. 펄스신호(S12)는 적어도 하나의 펄스열(S121)과 펄스열(S122)을 가지며, 펄스열(S121)은 레벨(Ga1), 펄스주파수(fa1) 및 열시간(Qa1)을 가지고, 펄스열(S122)은 레벨(Ga2), 펄스주파수(fa2) 및 열시간(Qa2)을 가진다. 레벨(Ga1)은 레벨(Ga2)과 같을 수 있으며, 주파수(fa1)는 펄스주기시간(Ta1)의 역수이고, 펄스주파수(fa2)는 펄스주기시간(Ta2)의 역수이다.
실시예에 있어서, 상기 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)의 펄스전력(R21, R22)은 레벨(Ga1)과 레벨(Ga2)에 각각 정비례하거나 비례계수로 정비례한다. 상기 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)의 펄스주파수(f21, f22)는 펄스열(S121)의 펄스주파수(fa1)와 펄스열(S122)의 펄스주파수(fa2)에 각각 정합되며, 그 사이의 오차율은 제1예측 오차율의 8%, 5% 또는 3% 내이다. 상기 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)의 가공시간(Q21, Q22)은 펄스열(S121)의 열시간(Qa1)과 펄스열(S122)의 열시간(Qa2)에 각각 정합되며, 그 사이의 오차율은 제2예측 오차율의 8%, 5% 또는 3% 내이다.
실시예에 있어서, 레이저 에너지 제어신호(S1)는 적어도 2개의 컴포넌트(SU1) 및 컴포넌트(SU2)를 포함할 수 있다. 레이저 에너지 제어신호(S1)의 컴포넌트(SU1)는 레벨신호(S11)의 컴포넌트(S111)와 펄스신호(S12)의 펄스열(S121)을 포함할 수 있으며, 레이저 에너지 제어신호(S1)의 컴포넌트(SU2)는 레벨신호(S11)의 컴포넌트(S112)와 펄스신호(S12)의 펄스열(S122)을 포함할 수 있다. 레벨신호(S11)의 컴포넌트(S111)는 레벨(G11)을 가지고, 레벨신호(S12)의 컴포넌트(S112)는 레벨(G12)을 가진다.
다시 도1에 의하면, 도1 및 도2의 바람직한 실시예에 의하면, 레이저 가공 장치(81A)는 기판(50)의 적어도 두위치(PS1, PS2)에 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)를 각각 형성하는데 사용되며, 또 가공유닛(30)과 제어유닛(40)을 포함한다. 가공유닛(30)은 레이저 에너지 제어신호(S1)의 적어도 2개의 컴포넌트(SU1, SU2)에 의해 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 생성하여 상기 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)를 형성한다. 제어유닛(40)은 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)에 따라 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12)를 설정하고, 또 상기 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12)에 의해 레이저 에너지 제어신호(S1)의 적어도 2개의 컴포넌트(SU1, SU2)를 생성한다. 상기 2개의 소정 깊이(D11, D12)는 서로 다르게 설정되며, 레이저 에너지 제어신호(S1)의 상기 2개의 컴포넌트(SU1, SU2)는 동등하지 않게 설정하며, 레이저 에너지 제어신호(S1)의 상기 2개의 컴포넌트(SU1, SU2)는 상기 2개의 넷포인트(51, 52)의 깊이(DA1, DA2)가 상기 2개의 소정 깊이(D11, D12)에 각각 정합되도록 하는데 사용된다.
실시예에 있어서, 레이저 에너지 제어신호(S1)의 컴포넌트(SU1)는 레벨(G11), 펄스열(S121)의 펄스주파수(fa1) 및 펄스열(S121)의 열시간(Qa1)을 가지고, 레이저 에너지 제어신호(S1)의 컴포넌트(SU2)는 레벨(G12), 펄스열(S122)의 펄스주파수(fa2) 및 펄스열(S122)의 열시간(Qa2)을 가진다. 상기 2개의 소정 깊이(D11, D12)가 서로 다를 경우, 레벨(G11), 펄스열(S121)의 펄스주파수(fa1) 및 펄스열(S121)의 열시간(Qa1)은 레벨(G12), 펄스열(S122)의 펄스주파수(fa2) 및 펄스열(S122)의 열시간(Qa2)과 각각 완전히 같지 않게 설정되며(3쌍 중 적어도 한쌍은 다르게 설정한다), 컴포넌트(SU1)도 컴포넌트(SU2)와 동등하지 않다.
실시예에 있어서, 레이저 에너지 제어신호(S1)의 컴포넌트(SU1)는 레이저 빔(LU1)이 대응하는 설계 총에너지와 설계 총평균전력을 정의하는데 사용되며, 레이저 에너지 제어신호(S1)의 컴포넌트(SU2)는 레이저 빔(LU2)이 대응하는 설계 총에너지와 설계 총평균전력을 정의하는데 사용된다. 컴포넌트(SU1)의 설계 총에너지와 설계 평균전력과 컴포넌트(SU2)의 설계 총에너지와 설계 평균전력이 같을 경우, 컴포넌트(SU1)와 컴포넌트(SU2)가 동등한 것으로 볼 수 있다. 다른 실시예에서, 컴포넌트(SU1)는 레이저 빔(LU1)이 대응하는 설계 총에너지를 정의하는데 사용되며, 컴포넌트(SU2)는 레이저 빔(LU2)이 대응하는 설계 총에너지를 정의하는데 사용된다. 컴포넌트(SU1)의 설계 총에너지와 컴포넌트(SU2)의 설계 총에너지가 같을 경우, 컴포넌트(SU1)와 컴포넌트(SU2)가 동등한 것으로 볼 수 있다. 또 다른 실시예에서, 컴포넌트(SU1)는 레이저 빔(LU1)이 대응하는 설계 총평균전력을 정의하는데 사용되며, 컴포넌트(SU2)는 레이저 빔(LU2)이 대응하는 설계 총평균전력을 정의하 는데 사용된다. 컴포넌트(SU1)의 설계 총평균전력과 컴포넌트(SU2)의 설계 총평균전력이 같을 경우, 컴포넌트(SU1)와 컴포넌트(SU2)가 동등한 것으로 볼 수 있다.
실시예에 있어서, 컴포넌트(SU1)의 설계 총에너지는 제1비례계수, 레벨(G11)과 펄스열(S121)의 각 펄스의 각 펄스 폭에 의해 얻어질 수 있으며, 컴포넌트(SU1)의 설계 총평균전력은 컴포넌트(SU1)의 설계 총에너지를 열시간(Qa1)으로 나눈 것과 같으며, 컴포넌트(SU2)의 설계 총에너지는 제1비례계수, 레벨(G12)과 펄스열(S122)의 각 펄스의 각 펄스 폭에 의해 얻어질 수 있으며, 컴포넌트(SU2)의 설계 총평균전력은 컴포넌트(SU2)의 설계 총에너지를 열시간(Qa2)으로 나눈 것과 같다
상기 바람직한 실시예에 있어서, 제어유닛(40)은 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)에 따라 위치 제어신호(S2)를 생성하며, 가공유닛(30)은 레이저 모듈(31) 및 위치결정유닛(32)을 포함할 수 있다. 레이저 모듈(31)은 레이저 에너지 제어신호(S1)의 상기 적어도 2개의 컴포넌트(SU1, SU2)에 의해 상기 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 생성하고, 위치결정유닛(32)은 위치 제어신호(S2)에 의해 상기 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 각각 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)에 조사한다.
실시예에 있어서, 제어유닛(40)은 상기 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12)에 따라 적어도 2개의 레이저 에너지 변수(U11, U12)를 각각 설정하고, 상기 적어도 2개의 레이저 에너지 변수(U11, U12)에 의해 레이저 에너지 제어신호(S1)의 상기 적어도 2개의 컴포넌트(SU1, SU2)를 각각 생성한다. 레이저 에너지 변수(U11)는 설계 펄스전력(R11), 설계 펄스주파수(f11) 및 설계 가공시간(Q11)을 포함할 수 있으며, 레이저 에너지 변수(U12)는 설계 펄스전력(R12), 설계 펄스주파수(f12) 및 설계 가공시간(Q12)을 포함할 수 있다. 레벨신호(S11)의 레벨(G11, G12)은 제2비례계수로 2개의 설계 펄스전력(R11, R12)에 각각 정비례할 수 있고, 펄스열(S121)의 펄스주파수(fa1)와 펄스열(S122)의 펄스주파수(fa2)는 2개의 설계 펄스주파수(f11, f12)에 의해 각각 특성화될 수 있다. 펄스열(S121)의 열시간(Qa1)과 펄스열(S122)의 열시간(Qa2)은 2개의 설계 가공시간(Q11, Q12)에 의해 각각 특성화될 수 있다.
도3은 본 발명의 실시예1에 따른 넷포인트 판(5A)의 개략도이다. 도시한 바와 같이, 기판(50)은 레이저 가공 장치(81A)에 의해 넷포인트 판(5A)으로 처리되며, 넷포인트 판(5A)은 복수의 넷포인트(51, 52, 53, 54, 511, 521, 531, 541)를 가지고, 상기 복수의 넷포인트(51, 52, 53, 54, 511, 521, 531,541)는 넷포인트 판(5A) 상부의 각 소정위치에 위치한다. 실시예에서, 상기 복수개의 넷포인트(51, 52, 53, 54, 511, 521, 531,541)는 제1기준방향과 제2기준방향에 따라 2차원 넷포인트 매트릭스(61)로 배열된다. 예를 들어, 제1기준방향과 제2기준방향은 각각X방향 및 Y방향일 수 있다. 처리유닛(811)에는 2차원 넷포인트 매트릭스(61)를 소정 깊이로 분포 설치하고, 상기 소정 깊이가 상기 제1기준방향과 상기 제2기준방향 중의 하나에서 선형(線形)으로 분포될 수 있다. 예를 들어, 넷포인트(51, 511)는 동일한 소정 깊이를 가지고, 넷포인트(52, 521)는 동일한 소정 깊이를 가지며, 넷포인트(54, 51, 52, 53)는 X방향으로 차례로 배치되며, 차례로 선형으로 점차 증가하면서 소정 깊이(D14, D11, D12, D13)를 구비한다. 그러나, 다른 실시예에서는 각 넷포인트의 깊이와 위치관계가 비선형으로 분포될 수도 있다. 도5에 나타낸 바와 같이, 다른 실시예에서, 수직 축은 넷포인트의 깊이를 나타내고, 수평 축은 넷포인트가 제1기준방향과 제2기준방향의 어느 하나(예를 들어, X방향 또는 Y방향)에서의 위치를 나타낸다. 도5에서 알 수 있는 바와 같이, 넷포인트 매트릭스의 소정 깊이는 기준방향을 따라 비선형으로 점차 증가하는 방식으로 분포될 수 있다. 여기서, 넷포인트 매트릭스의 소정 깊이가 본 실시예에 한정되는 것이 아니고, 넷포인트 판의 실제사용에 따라 변화하여 분포될 수 있음에 주의해야 한다. 예를 들어, 넷포인트 매트릭스의 소정 깊이는 기준방향(예를 들어, X방향 또는 Y방향)을 따라 선형 또는 비선형으로 점차 증가하거나 감소하는 방식으로 분포될 수 있으며, 또는 넷포인트 매트릭스의 소정 깊이가 두 기준방향에 임의의 방식 또는 기타 소정의 방식(예를 들어, 기하적 형상의 점차 증가하거나 감소하는 방식)으로 분포될 수 있다.
도4는 본 발명의 실시예2에 따른 레이저 가공 시스템(82)의 개략도이다.
도시된 바와 같이, 레이저 가공 시스템(82)은 레이저 가공 장치(82A)와 기판(50)을 구비한다. 실시예에서, 레이저 가공 장치(82A)는 기판(50)의 적어도 두위치(PS1, PS2)에 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)를 각각 형성하는데 사용된다. 레이저 가공 장치(82A)는 처리유닛(821)을 포함하고, 처리유닛(821)은 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)에 각각 대응하는 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12)를 가지며, 상기 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12)에 의해 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 각각 생성하여 상기 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)를 형성한다. 상기 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)은 각각 에너지 특성(U21, U22)을 가진다. 상기 2개의 소정 깊이(D11, D12)는 서로 다르게 설정되며, 상기 에너지 특성(U21, U22)은 동등하지 않 게 특성화되며, 상기 에너지 특성(U21, U22)은 상기 2개의 넷포인트의 각 깊이(DA1, DA2)가 상기 2개의 소정의 깊이(D11, D12)에 정합되도록 한다.
실시예에 있어서, 소정 깊이(D11)와 소정 깊이(D12)가 서로 다르게 설정될 경우, 레이저 빔(LU1)의 펄스전력(R21), 펄스주파수(f21) 및 가공시간(Q21)은 레이저 빔(LU2) 의 펄스전력(R22), 펄스주파수(f22) 및 가공시간(Q22)과 각각 같지 않게 특성화 되며(3쌍 중 적어도 한쌍은 정합되지 않으며, 정합 시, 그 사이의 각 오차율이 제1예측오차율의 8%, 5% 또는 3%내이다), 에너지 특성(U21)도 에너지 특성(U22)과 동등하지 않게 특성화된다.
실시예에 있어서, 에너지 특성(U21)은 레이저 빔(LU1)의 총에너지와 총평균전력을 정의하는데 사용되며, 에너지 특성(U22)은 레이저 빔(LU2)의 총에너지와 총평균전력을 정의하는데 사용된다. 레이저 빔(LU1)의 총에너지와 총평균전력이 레이저 빔(LU2)의 총에너지와 총평균전력과 각각 정합되면(그 사이의 각 오차율이 제2예측오차율의 8%, 5% 또는 3%내이다), 에너지 특성(U21)과 에너지 특성(U22)이 동등한 것으로 볼 수 있다. 실시예에서, 에너지 특성(U21)은 레이저 빔(LU1)의 총에너지를 정의하는데 사용되며, 에너지특성(U22)은 레이저 빔(LU2)의 총에너지를 정의하는데 사용된다. 레이저 빔(LU1)의 총에너지와 레이저 빔(LU2)의 총에너지가 정합되면(그 사이의 각 오차율이 제3예측오차율의 8%, 5% 또는 3%내이다), 에너지 특성(U21)과 에너지 특성(U22)이 동등한 것으로 볼 수 있다.
실시예에 있어서, 에너지 특성(U21)은 레이저 빔(LU1)의 총평균전력을 정의하는데 사용되며, 에너지 특성(U22)은 레이저 빔(LU2)의 총평균전력을 정의하는데 사용된다. 레이저 빔(LU1)의 총평균전력과 레이저 빔(LU2)의 총평균전력이 정합되면(그 사이의 각 오차율이 제4예측오차율의 8%, 5% 또는 3%내이다), 에너지 특성(U21)과 에너지 특성(U22)이 동등한 것으로 볼 수 있다. 실시예에서, 에너지 특성(U21, U22)의 총에너지와 총평균전력은 측정 및 계산에 의해 얻을 수 있다.
실시예에 있어서, 처리유닛(821)은 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)가 대응하는 적어도 두 좌표(P11, P12)를 포함하는 신호(SP1)를 수신하며, 처리유닛(821)은 상기 적어도 두좌표(P11, P12)에 따라 상기 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12)를 설정한다. 실시예에서, 신호(SP1)는 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)와 상기 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12)를 포함할 수 있으며, 상기 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12)는 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)에 각각 대응한다. 실시예에서, 신호(SP1)는 상기 적어도 두위치(PS1, PS2), 상기 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12) 및 적어도 2개의 레이저 에너지 변수(U11, U12) 를 포함할 수 있다.
실시예에 있어서, 처리유닛(821)은 가공유닛(30)과 제어유닛(40)을 포함할 수 있다. 가공유닛(30)은 제어신호(A1)에 의해 상기 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)를 생성하여 상기 적어도 2개의 넷포인트(51, 52)를 각각 형성할 수 있다. 제어유닛(40)은 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)에 따라 상기 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12)를 각각 설정하며, 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)와 상기 2개의 소정 깊이(D11, D12)에 의해 제어신호(A1)를 생성한다. 실시예에서, 제어유닛(40)은 신호(SP1)에 의해 제어신호(A1)를 생성하고 제어유닛(40)은 상기 적어도 두위치(PS1, PS2), 상기 적어도 소정 깊이(D11, D12), 또는 적어도 2개의 레이저 에너지 변 수(U11, U12)를 저장하기 위한 데이터 베이스 유닛(42)을 더 포함할 수 있으며, 데이터 베이스 유닛(42)은 제어신호(A1)를 생성하기 위한 기타 참조변수도 저장할 수 있다. 제어유닛(40)은 데이터베이스(42)를 이용하여 제어신호(A1)를 생성할 수 있다.
실시예에 있어서, 제어유닛(40)은 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)에 따라 상기 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12)를 각각 설정하며, 상기 적어도 2개의 소정 깊이(D11, D12)에 따라 상기 적어도 2개의 레이저 에너지 변수(U11, U12)를 설정하며, 상기 적어도 두위치(PS1, PS2)와 상기 적어도 2개의 레이저 에너지 변수(U11, U12)에 따라 제어신호(A1)를 생성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 레이저 가공 장치는 본 발명의 내용에서 설정한 효과를 확실히 달성할 수 있다. 그러나 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시예에 지나지 않으며, 본 발명의 기술영역에 속하는 사람이면 본 발명의 정신에 따라 동등한 변경 또는 변화할 수 있으며, 모두 이하 설명하는 특허청구의 범위에 속한다고 이해할 수 있다.
도1은 본 발명의 실시예1에 따른 레이저 가공 시스템의 개략도.
도2는 본 발명의 실시예1에 따른 레이저 에너지 제어신호의 파형 개략도.
도3은 본 발명의 실시예1에 따른 넷포인트 판의 개략도.
도4는 본 발명의 실시예2에 따른 레이저 가공 시스템의 개략도.
도5는 본 발명의 기타 넷포인트 매트릭스의 소정 깊이 분포 개략도.
* 도면부호에 대한 간단한 설명*
81, 82: 레이저 가공 시스템
S1: 레이저 에너지 제어신호
81A, 82A: 레이저 가공 장치
S2: 위치 제어신호
811, 821: 처리유닛
S11: 레벨신호
30: 가공유닛
812: 펄스신호
40: 제어유닛
S121, S122: 펄스열
41: 제어카드
SU1, SU2, S111, S112: 컴포넌트
42: 데이터 베이스 유닛
31: 레이저 모듈
G11, G12, Ga1, Ga2: 레벨
32: 위치결정유닛
321: 빔 스캔 유닛
fa1, fa2: 펄스주파수
322: 플랫폼
Ta1, Ta2: 펄스 주기시간
50: 기판
Qa1, Qa2: 열시간
51, 52, 53, 54, 511, 521, 531, 541: 넷포인트
S21, S22: 신호
SP1: 신호
5A: 넷포인트 판
LA1, LA2, LU1, LU2: 레이저 빔
61: 2차원 넷포인트 매트릭스
SF1: 평면
PS1, PS2: 위치
A1: 제어 신호
B11, B11: 가공변수
P11, P12: 좌표
Q11, Q12: 설계 가공시간
D11, D12, D13, D14: 소정 깊이
U21, U22: 에너지 특성
R21, R22: 펄스전력
DA1, DA2: 깊이
f21, f22: 펄스주파수
U11, U12: 레이저 에너지 변수
Q21, Q22: 가공시간
R11, R12: 설계펄스전력
H1: 재질
f11, f12: 설계펄스주파수
Claims (20)
- 기판상의 적어도 두위치에 적어도 2개의 넷포인트를 각각 형성하기 위한 레이저 가공 장치에 있어서,상기 적어도 두위치에 따라 적어도 2개의 가공변수를 설정하고, 상기 적어도 2개의 가공변수에 의해 적어도 2개의 제1레이저 빔을 생성하여 상기 적어도 2개의 넷포인트를 형성하는 처리유닛을 포함하며,상기 적어도 2개의 가공변수는 각각 소정의 깊이와 레이저 에너지 변수를 가지며, 상기 적어도 2개의 넷포인트는 각각 깊이를 가지며,상기 2개의 가공변수의 소정의 깊이는 서로 다르게 설정되고, 상기 2개의 가공변수의 2개의 레이저 에너지 변수는 동등하지 않게 설정되며, 상기 2개의 가공변수의 상기 2개의 레이저 에너지 변수는 상기 2개의 넷포인트의 깊이를 각각 상기 2개의 가공변수의 상기 소정의 깊이에 정합시키는데 사용되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 적어도 두위치는 상기 기판의 동일 평면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판상의 복수개의 기타 위치에 복수개의 기타 넷포인트를 각각 형성하는 레이저 가공 장치에 있어서,상기 적어도 2개의 넷포인트와 상기 복수개의 기타 넷포인트가 제1기준방향과 제2기준방향을 따라 2차원 넷포인트 매트릭스로 배치되며,상기 처리유닛에는 상기 2차원 넷포인트 매트릭스가 소정의 깊이로 분포 설치되며, 상기 소정의 깊이 분포는 상기 제1기준방향과 제2기준방향 중의 어느 하나에서의 분포가 선형(線形) 분포 또는 비선형 분포인 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 처리유닛은 상기 기판의 재질에 따라 상기 적어도 2개의 가공변수를 설정하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 2개의 가공변수는 제1가공변수 및 제2가공변수를 포함하며,상기 제1가공변수는 제1소정 깊이 및 제1 레이저 에너지 변수를 포함하고, 상기 제2가공변수는 제2소정 깊이 및 제2레이저 에너지 변수를 포함하며,상기 제1레이저 에너지 변수는 제1설계 펄스전력, 제1설계 펄스주파수 및 제1설계가공시간을 포함하고,상기 제2레이저 에너지 변수는 제2설계 펄스전력, 제2설계 펄스주파수 및 제 2설계 가공시간을 포함하며,상기 제1소정 깊이와 제2소정 깊이가 서로 다르게 설정될 경우, 상기 제1설계 펄스전력, 상기 제1설계 펄스주파수 및 상기 제1설계가공시간은 상기 제2설계 펄스전력, 상기 제2설계 펄스주파수 및 상기 제2설계 가공시간과 각각 같지 않게 설정되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 적어도 2개의 제1레이저 빔은 제1서브 레이저 빔 및 제2 서브 레이저 빔을 포함하고,상기 제1 서브 레이저 빔은 상기 제1레이저 에너지 변수의 상기 설계 펄스전력, 상기 설계 펄스주파수 및 상기 설계 가공시간에 의해 각각 특성화된 펄스전력, 펄스주파수 및 가공시간을 가지며,상기 제2 서브 레이저 빔은 상기 제2레이저 에너지 변수의 상기 설계 펄스전력, 상기 설계 펄스주파수 및 상기 설계 가공시간에 의해 각각 특성화된 펄스전력, 펄스주파수 및 가공시간을 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 처리유닛이, 제어신호에 의해 상기 적어도 2개의 제1레이저 빔을 생성해 상기 적어도 2개의 넷포인트를 형성하는 가공유닛과,상기 적어도 두위치에 따라 상기 적어도 2개의 가공변수를 설정하고, 상기 적어도 2개의 가공변수에 의해 상기 제어신호를 생성하는 제어유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 적어도 두위치는 적어도 2개의 좌표를 각각 가지며, 상기 적어도 2개의 가공변수는 상기 적어도 2개의 좌표를 각각 더 포함하며, 상기 제어신호는 레이저 에너지 제어신호와 위치 제어신호를 포함하고, 상기 위치 제어신호와 상기 적어도 2개의 좌표는 서로 연관되며 제1신호와 제2신호를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 가공유닛은,상기 레이저 에너지 제어신호에 의해 적어도 2개의 제2레이저 빔을 생성하는 레이저 모듈과,상기 위치 제어신호와 상기 적어도 2개의 제2레이저 빔에 의해 상기 적어도 2개의 제1레이저 빔을 생성하는 위치결정유닛을 포함하며,상기 위치결정유닛은,상기 제1신호와 상기 적어도 2개의 제2레이저 빔에 의해 상기 적어도 2개의 제1레이저 빔을 생성하는 빔 스캔 유닛과,상기 기판을 재치하고, 상기 제2신호에 의해 상기 기판을 이동시키는 플랫폼 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 레이저 에너지 제어신호가 레벨신호와 펄스신호를 포함하며,상기 레벨신호는 적어도 하나의 제1레벨과 제2레벨을 가지며,상기 펄스신호는 적어도 하나의 제1펄스열과 제2펄스열을 가지며,상기 제1펄스열과 제2펄스열은 각각 펄스주파수와 열시간을 가지며,상기 2개의 제1레이저 빔의 각 펄스전력은 상기 제1레벨과 제2레벨에 각각 정비례하며,상기 제1레이저 빔의 펄스주파수는 상기 제1펄스열의 펄스주파수와 상기 제2펄스열의 펄스주파수와 각각 정합하며,상기 제1레이저 빔의 가공시간은 상기 제1펄스열의 열시간과 상기 제2펄스열의 열시간과 각각 정합하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 기판상의 적어도 두위치에 적어도 2개의 넷포인트를 각각 형성하는 레어저 가공 장치에 있어서,상기 적어도 두위치에 각각 대응하는 적어도 2개의 소정 깊이를 가지며, 상기 적어도 2개의 소정 깊이에 따라 적어도 2개의 제1레이저 빔을 생성해 상기 적어도 2개의 넷포인트를 형성하는 처리유닛을 포함하며,상기 2개의 제1레이저 빔은 각각 2종류의 에너지 특성을 가지며,상기 2개의 소정 깊이는 서로 다르게 설정되며, 상기 두에너지 특성도 동등하지 않게 설정되며, 상기 두에너지 특성이 상기 2개의 넷포인트의 깊이를 상기 2개의 소정 깊이에 각각 정합되도록 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 처리유닛이,제어신호에 의해 상기 적어도 2개의 제1레이저 빔을 생성해 상기 적어도 2개의 넷포인트를 형성하는 가공유닛과,상기 적어도 두위치에 의해 상기 적어도 2개의 소정 깊이를 설정하고, 상기 적어도 두위치와 상기 적어도 2개의 소정 깊이에 의해 상기 제어신호를 생성하는 제어유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 두 에너지 특성은 각각 펄스전력, 펄스주파수 및 가공시간으로 구성되며,상기 제어신호는 레이저 에너지 제어신호와 위치 제어신호를 포함하고,상기 레이저 에너지 제어신호는 레벨신호와 펄스신호를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 13항에 있어서,상기 가공유닛이,상기 레이저 에너지 제어신호에 의해 상기 적어도 2개의 제1레이저 빔을 생성하는 레이저 모듈과,상기 위치 제어신호에 의해 상기 적어도 2개의 제1레이저 빔이 상기 적어도 두위치에 각각 조사되도록 하는 위치결정유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 처리유닛이,제어신호에 의해 상기 적어도 2개의 제1레이저 빔을 생성해 상기 적어도 2개의 넷포인트를 각각 형성하는 가공유닛과,상기 적어도 두위치에 따라 상기 적어도 2개의 소정 깊이를 각각 설정하고, 상기 적어도 2개의 소정 깊이에 따라 적어도 2개의 레이저 에너지 변수를 각각 설정하며, 상기 적어도 두위치와 적어도 2개의 레이저 에너지 변수에 의해 상기 제어신호를 생성하는 제어유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 기판상의 적어도 두위치에 적어도 2개의 넷포인트를 각각 형성하는 레어저 가공 장치에 있어서,레이저 에너지 제어신호의 적어도 2개의 컴포넌트에 의해 적어도 2개의 제1레이저 빔을 생성해 상기 적어도 2개의 넷포인트를 각각 형성하는 가공유닛과,상기 적어도 두위치에 따라 상기 적어도 2개의 소정 깊이를 각각 설정하고, 상기 적어도 2개의 소정 깊이에 따라 상기 레이저 에너지 제어신호의 상기 적어도 2개의 컴포넌트를 각각 설정하는 제어유닛을 포함하며,상기 2개의 소정 깊이는 서로 다르게 설정되며, 상기 레이저 에너지 제어신호의 상기 2개의 컴포넌트도 동등하지 않게 설정되며, 상기 레이저 에너지 제어신호의 상기 2개의 컴포넌트는 상기 2개의 넷포인트의 깊이를 상기 2개의 소정 깊이에 각각 정합되도록 하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 기판에 형성된 상기 적어도 2개의 넷포인트가 도광판 성형에 사용되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 제어유닛은 상기 적어도 2개의 소정 깊이에 따라 적어도 2개의 레이저 에너지 변수를 각각 설정하고, 상기 적어도 2개의 레이저 에너지 변수에 따라 상기 레이저 에너지 제어신호의 상기 적어도 2개의 컴포넌트를 생성하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 제어유닛이 상기 적어도 두위치에 의해 위치 제어신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 가공유닛이,상기 레이저 에너지 제어신호의 상기 적어도 2개의 컴포넌트에 의해 상기 적어도 2개의 제1레이저 빔을 생성하는 레이저 모듈과,상기 위치 제어신호에 의해 상기 적어도 2개의 제1레이저 빔을 상기 적어도 두위치에 발사하는 위치결정유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW098138104A TWI428671B (zh) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | 雷射加工裝置 |
TW098138104 | 2009-11-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110052407A KR20110052407A (ko) | 2011-05-18 |
KR101136065B1 true KR101136065B1 (ko) | 2012-04-24 |
Family
ID=44362519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090129829A KR101136065B1 (ko) | 2009-11-10 | 2009-12-23 | 레이저 가공 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101136065B1 (ko) |
TW (1) | TWI428671B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100773238B1 (ko) * | 2003-10-07 | 2007-11-02 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 Ni―V 합금, 동Ni―V 합금으로 이루어진타겟트 및 동Ni―V 합금 박막과 고순도 Ni―V 합금의제조방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI455783B (zh) * | 2012-01-02 | 2014-10-11 | Hortek Crystal Co Ltd | 雷射加工方法及其所形成的加工件 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980018909A (ko) * | 1996-08-23 | 1998-06-05 | 칼 에프. 바아젤 | 멀티헤드 레이저 가공기 (A multi-head laser engraving machine) |
-
2009
- 2009-11-10 TW TW098138104A patent/TWI428671B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-12-23 KR KR1020090129829A patent/KR101136065B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980018909A (ko) * | 1996-08-23 | 1998-06-05 | 칼 에프. 바아젤 | 멀티헤드 레이저 가공기 (A multi-head laser engraving machine) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI428671B (zh) | 2014-03-01 |
KR20110052407A (ko) | 2011-05-18 |
TW201116902A (en) | 2011-05-16 |
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