KR101501073B1 - 레이저 가공 방법 및 그것에 의해 형성된 가공물 - Google Patents

Abstract

본 발명은 레이저 가공 방법을 제공함으로써, 가공된 망점이 비대칭성의 방향을 형성할 수 있고 설계의 선택성을 증가시키는 동시에 백 라이트의 균일도와 휘도를 향상시킨다.
레이저 가공 방법은 제1 국소를 갖는 가공물을 제공하는 공정과, 상기 제1 국소에 제1 망점을 형성하도록 상기 제1 국소에 제1 레이저 빔을 조사하는 공정을 포함한다. 상기 제1 레이저 빔의 복수 개의 레이저 임펄스는 상기 제1 망점이 특정 깊이 분포를 갖도록 상기 제1 국소에서 제1 특정 밀도 분포를 갖고 있다.

Description

레이저 가공 방법 및 그것에 의해 형성된 가공물{LASER PROCESS METHOD AND WORKPIECE FORMED BY LASER PROCESS METHOD THEREOF}

본 발명은 레이저 가공 방법 및 그것에 의해 형성된 가공물에 관한 것으로서, 특히 기판을 가공물로 하는 레이저 가공 방법 및 그것에 의해 형성된 가공물에 관한 것이다. 가공된 기판은 특히 백 라이트 모듈에 적합한 도광판이다.

최근 플랫 패널 디스플레이(FPD)가 보급되고 있으며, 액정 디스플레이(LCD)에 있는 백 라이트 모듈의 사이즈도 커지고 있다. 백 라이트 모듈은 직하형과 에지 라이트형으로 나뉠 수 있다. 직하형 백 라이트 모듈은 광원이 보다 많은 발광소자를 필요로 하기 때문에, 소비 전력량도 보다 많아진다. 에지 라이트형 백 라이트 모듈은 광원이 한쪽 측에만 제공되기 때문에, 광원으로부터 떨어진 거리에 따른 밝기 차이에 의해 액정 디스플레이 전체의 밝기는 불균일해지고, 사이즈가 큰 액정 디스플레이의 경우에는 특히 심해진다. 따라서, 에지 라이트형 백 라이트 모듈은 설계된 구조(특히, 도광판의 망점(網點))에 의해 백 라이트 모듈의 휘도와 균일도에 큰 영향을 준다.

도 1a는 종래 액정 디스플레이의 개요도이다. 액정 디스플레이(10)는 백 라이트 모듈(11)과 액정 패널(12)을 포함한다. 백 라이트 모듈(11)은 광원(110), 광반사판(111), 도광판(112), 저부 반사판(113) 및 프리즘 시트(114)를 포함한다. 도 1a에 있어서 광원(110)으로부터 나온 광(13, 14)은 도광판(112)에서 전반사되어 도광판(112)의 망점(1120, 1121)에 전달되면, 망점(1120, 1121)의 광학 특성(예를 들면, 오목 렌즈의 특성)에 의해 굴절되어 광(13, 14)이 프리즘 시트(114)에 균일하게 산란된다. 프리즘 시트(114)는 백 라이트의 휘도가 증대되도록 산란된 광을 모은다.

대만 특허 제I275878호에는 주름진 망점 패턴을 에칭하는 방법이 기재되어 있다. 도 1b는 종래 주름진 망점 패턴의 개요도이다. 먼저, 금속 또는 아크릴로 이루어지는 기판(21)을 제공한다. 다음으로, 레이저 빔을 기판(21)에 제공하며, 기판(21)의 동일 위치에 레이저 조사를 반복함으로써 망점(22)을 형성한다. 또한, 레이저 빔 또는 기판(21)을 이동시키는 동시에 기판(21)에 레이저 조사를 반복함으로써, 기판(21)의 다른 위치에 망점(22)을 순차적으로 형성한다. 레이저 빔은 펄스 레이저를 채용할 수 있으며, 그 파장은 기판 재료에 따라 선택된다. 예를 들면, 강재 기판을 채용하면 Nd-TAG 레이저를 선택할 수 있다. 마지막으로, 주름진 망점(22)의 패턴을 갖는 기판(21)을 기공(鑄巢)(20)으로 하거나 또는 주조 프로세스에 의해 금형을 형성하고, 또한 투명 재료를 주입하여 도광판을 형성한다. 형성 방법은 사출 성형, 핫 프레스 또는 주조를 들 수 있다. 종래 기술에서의 망점(22)의 깊이가 일치하기 때문에, 백 라이트의 높은 균일도를 달성하기 위해, 기판(21)에서의 망점(22)의 밀도를 더욱 필요로 한다. 광원에 가까운 망점(22)이 보다 희박하게 배치되고, 또한 광원에서 먼 망점(22)이 보다 조밀하게 배치되었다고 해도 밝기의 균일도와 휘도는 여전히 개선의 여지가 있다.

대만 특허 공개 제201116902호에는 레이저 가공 시스템(30)이 기재되어 있다. 도 1c에 있어서 종래의 레이저 가공 시스템(30)은 레이저 가공 장치(31) 및 기판(32)을 포함한다. 레이저 가공 장치(31)는 스테이지 유닛(33), 빔 주사 유닛(34), 레이저 모듈(35) 및 제어 유닛(36)을 포함한다. 도 1c에 있어서 가공 유닛(37)은 레이저 모듈(35) 및 위치 결정 유닛(38)을 포함한다. 위치 결정 유닛(38)은 스테이지 유닛(33) 및 빔 주사 유닛(34)을 포함한다.

레이저 가공 장치(31)는 기판(32)에 있어서 적어도 2개의 위치점(PS1, PS2)에 적어도 2개의 망점(321, 322)을 각각 형성하고, 적어도 2개의 망점(321, 322)에 의해 도광판을 형성할 수 있다. 적어도 2개의 망점(321, 322)은 각각 적어도 2개의 깊이(DA1, DA2)를 갖는다. 도광판이 채용된 백 라이트 모듈(도시 생략)에 균일한 면광원을 내기 위해, 적어도 2개의 깊이(DA1, DA2)는 동일하지 않다.

제어 유닛(36)은 적어도 2개의 위치점(PS1, PS2)에 기초하여 적어도 2개의 가공 파라미터(B11, B12)를 설정하고, 가공 파라미터(B11, B12)에 기초하여 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 제공함으로써 적어도 2개의 망점(321, 322)을 각각 형성한다. 각각의 가공 파라미터(B11, B12)는 소정의 깊이(D11 등) 및 레이저 에너지 파라미터(U11 등)를 포함한다. 가공 파라미터(B11, B12)의 소정의 깊이(DA1, DA2)는 동일하지 않도록 설정됨으로써, 레이저 빔(LU1, LU2)이 동일하지 않게 설정된다. 또한, 레이저 에너지 파라미터(U11, U12)를 이용함으로써 각각의 망점(321, 322)의 깊이(DA1, DA2)를 소정의 깊이(D11, D12)에 맞춘다.

도 1c에 있어서 레이저 에너지 파라미터(U11)는 설계 펄스 일률(R11), 설계 펄스 주파수(f11) 및 설계 가공 시간(Q11)을 포함한다. 레이저 에너지 파라미터(U12)는 설계 펄스 일률(R12), 설계 펄스 주파수(f12) 및 설계 가공 시간(Q12)을 포함한다. 소정의 깊이(D11, D12)가 동일하지 않게 설정되면, 각각의 설계 펄스 일률(R11), 설계 펄스 주파수(f11) 및 설계 가공 시간(Q11)은 각각의 설계 펄스 일률(R12), 설계 펄스 주파수(f12) 및 설계 가공 시간(Q12)과 동일하지 않게 설정된다(3쌍 중 적어도 한 쌍이 동일하지 않음). 즉, 레이저 에너지 파라미터(U11)는 레이저 에너지 파라미터(U12)와 동일하지 않게 설정된다.

가공 유닛(37)은 제어 신호(A1)에 따라 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 제공함으로써, 적어도 2개의 망점(321, 322)을 형성한다. 제어 유닛(36)은 적어도 2개의 위치점(PS1, PS2)에 기초하여 적어도 2개의 가공 파라미터(B11, B12)를 설정하고, 가공 파라미터(B11, B12)에 기초하여 제어 신호(A1)가 생성된다. 제어 신호(A1)는 레이저 에너지 제어 신호(S1) 및 위치 제어 신호(S2)를 포함한다. 레이저 에너지 제어 신호(S1)는 레벨 신호(S11) 및 펄스 신호(S12)를 포함한다. 위치 제어 신호(S2)는 적어도 2개의 좌표(P11, P12)와 연관되며 신호(S21) 및 신호(S22)를 포함한다.

레이저 가공 장치(31)는 레이저 에너지 제어 신호(S1)에 기초하여 적어도 2개의 레이저 빔(LA1, LA2)을 발생시킨다. 위치 결정 유닛(38)은 위치 제어 신호(S2) 및 레이저 빔(LA1, LA2)에 따라 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 제공한다. 빔 주사 유닛(34)은 신호(S21) 및 레이저 빔(LA1, LA2)에 따라 적어도 2개의 레이저 빔(LU1, LU2)을 제공한다. 스테이지 유닛(33)은 기판(32)을 탑재하고 신호(S22)에 따라 기판(32)을 운반한다.

도 1c에 있어서 종래 기술에는 망점(321, 322)으로부터 산란된 광의 방향은 대칭성을 나타내며, 비대칭성의 방향을 형성할 수 없다.

종래 기술을 감안하여, 본 발명은 레이저 가공 방법을 제공함으로써, 가공된 망점이 비대칭성의 방향을 형성할 수 있고 설계의 선택성을 증가시키는 동시에 백 라이트의 균일도와 휘도를 향상시킨다.

상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 제1 국소를 갖는 가공물을 제공하는 공정과, 상기 제1 국소에 제1 망점을 형성하도록 상기 제1 국소에 제1 레이저 빔을 조사하는 공정을 포함하고, 상기 제1 레이저 빔은 상기 제1 망점이 특정 깊이 분포를 갖도록 특정 주사 속도 분포를 갖고 있는 것을 특징으로 한다.

상기 공정의 본 발명에 따른 레이저 가공 방법에 있어서, 상기 제1 국소는 제1 위치와 제2 위치를 포함하고, 상기 가공물은 제2 국소를 추가로 갖고, 상기 제2 국소는 제3 위치와 제4 위치를 포함하고, 상기 방법은 상기 제1 레이저 빔을 상기 제1 위치에 조사하는 공정과, 저속에서 고속으로 상기 제1 레이저 빔을 상기 제2 위치로 이동시키는 공정과, 상기 제1 망점의 형성이 완성되도록 상기 제1 레이저 빔을 멈추는 공정과, 제2 레이저 빔을 상기 제3 위치에 조사하는 공정과, 저속에서 고속으로 상기 제2 레이저 빔을 상기 제4 위치로 이동시키는 공정과, 제2 망점의 형성이 완성되도록 상기 제2 레이저 빔을 멈추는 공정을 포함한다.

상기 공정의 본 발명에 따른 레이저 가공 방법에 있어서, 상기 가공물은 금형, 기공 및 도광판에서 하나를 선택하고, 상기 특정 깊이 분포는 대칭의 깊이 분포 또는 비대칭의 깊이 분포이며, 상기 제1 국소는 저속 주사 범위 및 고속 주사 범위를 포함하고, 상기 특정 주사 속도 분포는 제1 주사 속도 및 제2 주사 속도를 포함하며, 상기 제1 레이저 빔은 상기 제1 주사 속도로 상기 저속 주사 범위로 가공하고, 상기 제1 주사 속도보다 큰 상기 제2 주사 속도로 상기 고속 주사 범위로 가공하고, 상기 제1 레이저 빔은 상기 저속 주사 범위에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제1 깊이를 갖고, 또한 상기 고속 주사 범위에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제3 깊이를 갖게 되며, 상기 제1 깊이는 상기 제3 깊이보다 크고 상기 제1 및 제2 레이저 빔은 1초당 출력이 고정되어 있으며, 상기 제1 및 제2 레이저 빔은 상기 가공물의 평면에 직교한다.

상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 제1 국소를 갖는 가공물을 제공하는 공정과, 상기 제1 국소에 제1 망점을 형성하도록 상기 제1 국소에 제1 레이저 빔을 조사하는 공정을 포함하며, 상기 제1 레이저 빔의 복수 개의 레이저 임펄스는 상기 제1 망점이 특정 깊이 분포를 갖도록 상기 제1 국소에서 제1 특정 밀도 분포를 갖고 있는 것을 특징으로 한다.

상기 공정의 본 발명에 따른 레이저 가공 방법에 있어서, 상기 제1 국소는 제1 위치와 제2 위치를 포함하고, 상기 가공물은 제2 국소를 추가로 갖고, 상기 제2 국소는 제3 위치와 제4 위치를 포함하고, 상기 방법은 상기 제1 레이저 빔을 상기 제1 위치에 조사하는 공정과, 상기 제1 레이저 빔을 상기 제2 위치로 이동시키는 동시에 제1 레이저 빔이 조사하는 제1 국소에서 상기 제1 특정 밀도 분포가 조밀에서 희박해지는 공정과, 상기 제1 망점의 형성이 완성되도록 상기 제1 레이저 빔을 멈추는 공정과, 제2 레이저 빔을 상기 제3 위치에 조사하는 공정과, 상기 제2 레이저 빔을 상기 제4 위치로 이동시키는 동시에 제2 레이저 빔이 조사하는 제2 국소에 있어서 제2 특정 밀도 분포가 조밀에서 희박해지는 공정과, 제2 망점의 형성이 완성되도록 상기 제2 레이저 빔을 멈추는 공정을 포함한다.

상기 공정의 본 발명에 따른 레이저 가공 방법에 있어서, 상기 가공물은 금형, 기공 및 도광판에서 하나를 선택하고, 상기 특정 깊이 분포는 대칭의 깊이 분포 또는 비대칭의 깊이 분포이며, 상기 제1 국소는 고밀도 분포 범위 및 저밀도 분포 범위를 포함하고, 상기 제1 특정 밀도 분포는 제1 임펄스 밀도 및 제2 임펄스 밀도를 포함하며, 상기 제1 레이저 빔은 상기 제1 임펄스 밀도로 상기 고밀도 분포 범위로 가공하고, 상기 제1 임펄스 밀도보다 큰 상기 제2 임펄스 밀도로 상기 저밀도 분포 범위로 가공하고, 상기 제1 레이저 빔은 상기 고밀도 분포 범위에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제1 최대 깊이를 갖고, 또한 상기 저밀도 분포 범위에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제1 깊이를 갖게 되며, 상기 제1 최대 깊이는 상기 제1 깊이보다 크고 상기 제1 및 제2 레이저 빔은 1초당 출력이 고정되어 있으며, 상기 제1 및 제2 레이저 빔은 상기 가공물의 평면에 직교한다.

상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 제1 국소를 갖는 가공물을 제공하는 공정과, 상기 제1 국소에 제1 망점을 형성하도록 상기 제1 국소에 제1 레이저 빔을 조사하는 공정을 포함하고, 상기 제1 레이저 빔은 상기 제1 망점이 제1 공경(孔徑) 및 제1 특정 깊이 분포를 갖도록 상기 제1 국소에서 제1 특정 에너지 및 특정 주사 속도 분포를 갖고 있는 것을 특징으로 한다.

상기 공정의 본 발명에 따른 레이저 가공 방법에 있어서, 상기 제1 국소는 제1 위치와 제2 위치를 포함하고, 상기 가공물은 제2 국소를 추가로 갖고, 상기 제2 국소는 제3 위치와 제4 위치를 포함하고, 상기 방법은 상기 제1 공경이 있는 구멍을 형성하도록 상기 제1 레이저 빔을 상기 제1 위치에 조사하는 공정과, 저속에서 고속으로 제1 특정 에너지가 조사되는 상기 제1 레이저 빔을 상기 제1 위치에서 상기 제2 위치로 이동시키는 공정과, 상기 제1 망점의 형성이 완성되도록 상기 제1 레이저 빔을 멈추는 공정과, 제2 공경이 있는 구멍을 형성하도록 제2 레이저 빔을 상기 제3 위치에 조사하는 공정과, 저속에서 고속으로 제2 특정 에너지가 조사되는 상기 제2 레이저 빔을 상기 제3 위치에서 상기 제4 위치로 이동시키는 공정과, 제2 망점의 형성이 완성되도록 상기 제2 레이저 빔을 멈추는 공정을 포함한다.

상기 공정의 본 발명에 따른 레이저 가공 방법에 있어서, 상기 가공물은 금형, 기공 및 도광판에서 하나를 선택하고, 상기 특정 깊이 분포는 대칭의 깊이 분포 또는 비대칭의 깊이 분포이며, 상기 제1 국소는 높은 에너지 범위 및 낮은 에너지 범위를 포함하고, 상기 제1 특정 에너지와 상기 제2 특정 에너지는 상이하며, 상기 제1 레이저 빔은 상기 높은 에너지 범위에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제1 최대 깊이를 갖고, 또한 상기 낮은 에너지 범위에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제1 깊이를 갖게 되며, 상기 제1 및 제2 레이저 빔은 상기 가공물의 평면에 직교한다.

상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 제1 망점을 형성하기 위한 범위를 갖는 가공물을 제공하는 공정과, 특정 변화 모드를 갖는 제1 레이저 빔을 제공하는 공정과, 상기 범위가 특정 특성 분포를 갖도록 상기 제1 레이저 빔에 의해 상기 가공물에 상기 제1 망점을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 공정의 본 발명에 따른 레이저 가공 방법에 있어서, 상기 특정 변화 모드는 상기 제1 레이저 빔의 특정 주사 속도 분포, 특정 밀도 분포 및 특정 에너지로 이루어지는 군에서 적어도 하나가 선택되고, 상기 특정 특성 분포는 특정 깊이 분포 및 특정 밀도 분포를 포함하며, 상기 특정 깊이 분포는 대칭의 깊이 분포 또는 비대칭의 깊이 분포이다.

상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 레이저 가공물은 레이저 가공물에 형성되는 망점과 범위 및 상기 범위에 형성되는 제1 표면과 상기 범위에 형성되는 제2 표면을 포함하고, 상기 제1 표면의 평균 곡률이 상기 제2 표면의 평균 곡률보다 큰 것을 특징으로 한다.

상기 구성의 본 발명에 따른 레이저 가공물에 있어서, 상기 범위는 대칭의 도광 지향성 또는 비대칭의 도광 지향성을 갖는다.

본원 명세서에 기재된 기술의 또 다른 형태 및 이점은, 이하의 도면, 발명의 상세 설명 및 특허청구범위에 기재된 바와 같다.

본 발명은 간단하고 경제적이며, 레이저 가공 방법에 기초하여 망점에 대해 설계의 다양성과 유연성을 제공하면서 백 라이트의 밝기와 균일성을 강화할 수 있다.

도 1a는 종래의 액정 디스플레이의 개요도이다.
도 1b는 종래의 주름진 망점 패턴의 개요도이다.
도 1c는 종래의 레이저 가공 시스템을 나타내는 도면이다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 레이저 가공 시스템을 나타내는 도면이다.
도 2b는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2c는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 제1 망점 및 제2 망점을 나타내는 종단면도이다.
도 2d는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 도광판을 나타내는 상면도이다.
도 3a는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 레이저 가공 시스템(50)을 나타내는 개요도이다.
도 3b는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3c는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제1 망점 및 제2 망점을 나타내는 종단면도이다.
도 3d는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 도광판을 나타내는 상면도이다.
도 4a는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 레이저 가공 시스템을 나타내는 개요도이다.
도 4b는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4c는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 상이한 사이즈의 구멍을 나타내는 개요도이다.
도 4d는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 제1 망점 및 제2 망점을 나타내는 종단면도이다.
도 4e는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 도광판을 나타내는 상면도이다.
도 5a는 본 발명의 실시형태에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5b는 본 발명의 실시형태에 따른 레이저 가공 방법에 의해 형성된 레이저 가공물을 나타내는 도면이다.

이하와 같이, 본 발명을 실시예에 기초하여 상술하지만 어디까지나 예시이며, 본 발명의 범위는 이들 실시 형태로 한정되지 않는다. 본 발명의 범위는 특허청구범위에 기재되어 있으며, 또한 특허청구범위의 기재와 균등한 의미 및 범위내에서의 모든 변경을 포함하고 있다.

도 2a는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 레이저 가공 시스템(40)을 나타내는 도면이다. 레이저 가공 시스템(40)은 레이저 가공 장치(41) 및 기판(42)을 포함한다. 레이저 가공 장치(41)는 스테이지 유닛(43), 빔 주사 유닛(44), 레이저 모듈(45) 및 제어 유닛(46)을 포함한다. 도 2a에 있어서 가공 유닛(47)은 레이저 모듈(45) 및 위치 결정 유닛(48)을 포함한다. 위치 결정 유닛(48)은 스테이지 유닛(43) 및 빔 주사 유닛(44)을 포함한다. 기판(42)은 제1 국소(RG1)를 포함한다. 기판(42)은 적어도 제2 국소(RG2)를 추가로 포함하여도 된다.

레이저 가공 장치(41)는 제1 국소(RG1)에 제1 망점(421)을 형성하고, 적어도 제2 국소(RG2)에 적어도 제2 망점(422)을 형성하여도 된다. 제1 망점(421)과 적어도 제2 망점(422)은 도광판(도시 생략)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 국소(RG1)는 단지 제1 망점(421)만을 갖고, 제2 국소(RG2)는 단지 제2 망점(422)만을 갖는다. 종단면에서 보면 제1 망점(421)과 제2 망점(422)은 형상이 비대칭이며, 제1 깊이(DA3) 및 제2 깊이(DA4)를 각각 갖는다. 도광판이 채용된 백 라이트 모듈(도시 생략)에 균일한 면광원을 내기 위해, 제1 깊이(DA3)와 제2 깊이(DA4)는 상이하다. 제1 국소(RG1)는 제1 위치(PS31) 및 제2 위치(PS32)를 포함하고, 제2 국소(RG2)는 제3 위치(PS41) 및 제4 위치(PS42)를 포함한다.

제어 유닛(46)은 제1 국소(RG1) 및 제2 국소(RG2)에 기초하여 제1 가공 파라미터(B21)와 제2 가공 파라미터(B22)를 설정하고, 각각의 가공 파라미터(B21, B22)에 기초하여 레이저 빔(LU3, LU4)을 제공하여 제1 망점(421)과 제2 망점(422)을 형성한다. 제1 가공 파라미터(B21)는 소정의 깊이(D31), 레이저 에너지 파라미터(U21), 소정의 제1 위치(P31), 소정의 제2 위치(P32) 및 소정의 주사 속도 분포(SD3)를 포함한다. 소정의 주사 속도 분포(SD3)는 소정의 낮은 주사 속도(SD31) 및 소정의 높은 주사 속도(SD32)를 포함한다. 제2 가공 파라미터(B22)는 소정의 깊이(D41), 레이저 에너지 파라미터(U22), 소정의 제3 위치(P41), 소정의 제4 위치(P42) 및 소정의 주사 속도 분포(SD4)를 포함한다. 소정의 주사 속도 분포(SD4)는 소정의 낮은 주사 속도(SD41) 및 소정의 높은 주사 속도(SD42)를 포함한다. 제1 망점(421)은 깊이(DA3)를 가지며 제2 망점(422)은 깊이(DA4)를 갖는다. 제1 가공 파라미터(B21)의 소정의 깊이(D31) 및 제2 가공 파라미터(B22)의 소정의 깊이(D41)가 동일하게 설정됨으로써, 레이저 에너지 파라미터(U21) 및 레이저 에너지 파라미터(U22)는 동일하게 설정된다. 또한, 레이저 에너지 파라미터(U21, U22)를 이용함으로써, 각각의 망점(421)의 깊이(DA3) 및 망점(422)의 깊이(DA4)를 소정의 깊이(D31, D42)에 맞춘다. 또다른 실시형태에 있어서 제1 가공 파라미터(B21)의 소정의 깊이(D31) 및 제2 가공 파라미터(B22)의 소정의 깊이(D41)는 동일하지 않게 설정하여도 된다.

도 2a에 있어서 레이저 에너지 파라미터(U21)는 설계 펄스 일률(R31), 설계 펄스 주파수(f31) 및 설계 가공 시간(Q31)을 포함한다. 레이저 에너지 파라미터(U22)는 설계 펄스 일률(R41), 설계 펄스 주파수(f41) 및 설계 가공 시간(Q41)을 포함한다. 일 실시형태에 있어서 소정의 깊이(D31)와 소정의 깊이(D41)가 동일하게 설정되면, 각각의 설계 펄스 일률(R31), 설계 펄스 주파수(f31) 및 설계 가공 시간(Q31)은 각각의 설계 펄스 일률(R41), 설계 펄스 주파수(f41) 및 설계 가공 시간(Q41)과 동일하게 설정된다. 일 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU3)이 제1 망점(421)을 형성한 후, 제2 레이저 빔(LU4)이 제2 망점(422)을 형성한다. 또다른 일 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU3) 및 제2 레이저 빔(LU4)은 동시에 제1 망점(421) 및 제2 망점(422)을 각각 형성한다. 일 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU3) 및 제2 레이저 빔(LU4)의 주사 속도는 먼저 소정의 낮은 주사 속도(SD31, SD41)를 사용하고, 다음으로 소정의 높은 주사 속도(SD32, SD42)를 사용하거나 또는 먼저 소정의 높은 주사 속도(SD32, SD42)를 사용하며, 다음으로 소정의 낮은 주사 속도(SD31, SD41)를 사용한다. 소정의 낮은 주사 속도(SD31, SD41)는 동일하거나 또는 동일하지 않게 설정된다. 소정의 높은 주사 속도(SD32, SD42)는 동일하거나 또는 동일하지 않게 설정된다.

가공 유닛(47)은 제어 신호(A2)에 따라 제1 레이저 빔(LU3), 제2 레이저 빔(LU4)을 제공함으로써, 제1 망점(421) 및 제2 망점(422)을 각각 형성한다. 제어 유닛(46)은 제1 위치(PS31)와 제2 위치(PS32)에 기초하여 제1 가공 파라미터(B21, B22)를 설정하고 가공 파라미터(B21, B22)에 기초하여 제어 신호(A2)가 생성된다. 제어 신호(A2)는 레이저 에너지 제어 신호(S3) 및 이동 제어 신호(S4)를 포함한다. 레이저 에너지 제어 신호(S3)는 레벨 신호(S31) 및 펄스 신호(S32)를 포함한다. 이동 제어 신호(S4)는 소정의 제1 위치(P31), 소정의 제2 위치(P32), 소정의 제3 위치(P41) 및 소정의 제4 위치(P42)와 연관되며, 위치 제어 신호(S41), 위치 제어 신호(S42) 및 속도 제어 신호(S43)를 포함한다. 속도 제어 신호(S43)는 제1 레이저 빔(LU3) 및/또는 제2 레이저 빔(LU4)의 주사 속도를 제어할 수 있다.

레이저 모듈(45)은 레이저 에너지 제어 신호(S3)에 기초하여 제1 레이저 빔(LA3)과 제2 레이저 빔(LA4)을 발생시킨다. 위치 결정 유닛(48)은 이동 제어 신호(S4), 제1 레이저 빔(LA3) 및 제2 레이저 빔(LA4)의 각각에 따라 제1 레이저 빔(LU3)과 제2 레이저 빔(LU4)을 각각 제공한다. 빔 주사 유닛(44)은 위치 제어 신호(S41), 속도 제어 신호(S43), 레이저 빔(LA3) 및 제2 레이저 빔(LA4)에 따라 제1 레이저 빔(LU3)과 제2 레이저 빔(LU4)을 제공한다. 스테이지 유닛(43)은 기판(42)을 탑재하고 위치 제어 신호(S42)에 따라 기판(42)을 운반한다.

도 2b는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 흐름도이다. 공정 S201은 제1 국소(RG1)를 갖는 가공물을 제공한다. 공정 S202는 제1 국소(RG1)에 제1 망점(421)을 형성하도록 제1 국소(RG1)에 제1 레이저 빔(LU3)을 조사한다. 제1 레이저 빔(LU3)은 제1 망점(421)이 특정 깊이 분포를 갖도록 제1 국소(RG1)에 있어서 특정 주사 속도 분포를 갖고 있다. 상기 가공물은 금형, 기공 및 도광판에서 하나를 선택하는 것이다. 예를 들면, 제1 국소(RG1)에는 제1 망점(421)이 있어도 된다. 본 발명의 제1 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU3) 또는 제2 레이저 빔(LU4)은 1초당 출력이 고정되어 있으며, 상기 가공물의 평면(SF1)에 직교한다. 예를 들면, 제1 레이저 빔(LU3)은 제１ 기간 동안 제1 국소(RG1)에 조사하여 제1 망점(421)을 형성한다. 또한, 상기 제1 기간에 있어서 레이저 에너지 제어 신호(S3)가 유지되고 이동 제어 신호(S4)가 상기 특정 주사 속도 분포를 형성시킨다.

제1 레이저 빔(LU3)과 제2 레이저 빔(LU4)에 의해 순차적으로 가공하면, 레이저 가공 방법은 이하의 공정을 포함한다. 제1 레이저 빔(LU3)을 제1 위치(PS31)에 조사한다. 저속에서 고속으로 제1 레이저 빔(LU3)을 제2 위치(PS32)로 이동시킨다. 제2 레이저 빔(LU4)을 제3 위치(PS41)에 조사한다. 저속에서 고속으로 제2 레이저 빔(LU4)을 제4 위치(PS42)로 이동시킨다. 제2 망점(422)의 형성이 완성되도록 제2 레이저 빔(LU4)을 멈춘다. 예를 들면, 제2 국소(RG2)에는 제2 망점(422)이 있어도 된다.

도 2c는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 제1 망점(421) 및 제2 망점(422)을 나타내는 종단면도이다. 본 발명의 바람직한 일 실시형태에 있어서는 종단면에서 보면 제1 망점(421)과 제2 망점(422)은 동일한 형상이며, 각각의 망점은 깊이의 극값이 있는 위치에 대해 종단면의 양측이 비대칭이다. 제1 국소(RG1)는 저속 주사 범위(RG11) 및 고속 주사 범위(RG12)를 포함하고, 제2 국소(RG2)는 저속 주사 범위(RG21) 및 고속 주사 범위(RG22)를 포함한다. 상기 특정 주사 속도 분포는 제1 주사 속도 및 제2 주사 속도를 포함해도 된다. 제1 레이저 빔(LU3)은 상기 제1 주사 속도로 저속 주사 범위(RG11)로 가공하고, 상기 제1 주사 속도보다 큰 상기 제2 주사 속도로 고속 주사 범위(RG12)로 가공한다. 제1 레이저 빔(LU3)은 저속 주사 범위(RG11)에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제1 최대 깊이를 갖고, 또한 고속 주사 범위(RG12)에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제3 깊이(DA31)를 갖도록 한다. 상기 제1 최대 깊이는 제3 깊이(DA31)보다 크다. 제1 깊이(DA3)는 제1 레이저 빔(LU3)에 의해 저속 주사 범위(RG11)에 기인하는 최대 깊이와 동일하다. 제2 레이저 빔(LU4)이 저속 주사 범위(RG21)에 있어서 기인하는 최대 깊이는 고속 주사 범위(RG22)에 있어서 기인하는 깊이보다 크다. 제2 깊이(DA4)는 제2 레이저 빔(LU4)에 의해 저속 주사 범위(RG21)에 기인하는 최대 깊이와 동일하다. 본 발명의 또다른 바람직한 일 실시형태에 있어서는 종단면에서 보면 제1 망점(421)과 제2 망점(422)은 동일한 형상 또는 비대칭이어도 되고, 망점 설계의 필요에 따라 주사 속도를 결정해도 된다.

본 발명의 또다른 바람직한 일 실시형태에 있어서는 제1 실시형태의 레이저 가공 방법에 의해 상기 가공물이 적어도 하나의 제3 망점을 갖고, 상기 제3 망점은 종단면이 대칭이다.

도 2d는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 도광판(49)을 나타내는 상면도이다. 도광판(49)은 제1 망점(421), 제2 망점(422) 및 적어도 망점(423, 424, 425)을 포함한다. 제1 위치(PS31)와 제2 위치(PS32)의 상대 관계는 임의로 변경할 수 있고 제3 위치(PS41)와 제4 위치(PS42)의 상대 관계도 임의로 변경할 수 있다. 즉, 위치(PS31, PS41)가 위치(PS32, PS42)로 지향할 방향을 변경할 수 있다. 또한, 위치(PS31)가 위치(PS32)로 지향할 방향과 위치(PS41)가 위치(PS42)로 지향할 방향은 동일해도 되고(예를 들면, 망점(421)의 지향(DIR) 및 망점(422)의 지향(DIR)), 동일하게 하지 않아도 된다(예를 들면, 망점(423, 424, 425)의 지향(DIR)). 이들은 광학 시뮬레이션의 결과에 따라 설계되거나 또는 도광판(49)에 대한 광학 균일성의 실측값에 기초하여 적절한 수정을 행한다.

본 발명의 제1 실시형태에 있어서는, 예를 들면 제1 국소(RG1) 및 제2 국소(RG2)의 최대 반경이 50㎛이다. 제1 국소(RG1) 및 제2 국소(RG2)의 최대 깊이는 5㎛이다. 제1 국소(RG1)와 제2 국소(RG2)의 거리는 제1 국소(RG1)나 제2 국소(RG2)의 최대 반경을 넘지 않고, 제1 망점(421)이나 제2 망점(422)을 형성하는 평균 시간은 1㎧이다.

도 3a는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 레이저 가공 시스템(50)을 나타내는 개요도이다. 레이저 가공 시스템(50)과 상기 레이저 가공 시스템(40)은 가공 파라미터 및 가공 방법 이외에 거의 동일하다. 레이저 가공 시스템(50)은 레이저 가공 장치(51) 및 기판(52)을 포함한다. 레이저 가공 장치(51)는 스테이지 유닛(53), 빔 주사 유닛(54), 레이저 모듈(55) 및 제어 유닛(56)을 포함한다. 도 3a에 있어서 가공 유닛(57)은 레이저 모듈(55) 및 위치 결정 유닛(58)을 포함한다. 위치 결정 유닛(58)은 스테이지 유닛(53) 및 빔 주사 유닛(54)을 포함한다. 기판(52)는 적어도 제1 국소(RG3) 및 제2 국소(RG4)를 추가로 포함한다.

레이저 가공 장치(51)는 각각의 제1 국소(RG3) 및 적어도 제2 국소(RG4)에 제1 망점(521) 및 적어도 제2 망점(522)을 형성하기 위한 것이다. 제1 망점(521) 및 적어도 제2 망점(522)은 도광판(도시 생략)을 형성하기 위한 것이다. 종단면에서 보면 제1 망점(521)과 제2 망점(522)은 형상이 비대칭이며, 제1 깊이(DA5) 및 제2 깊이(DA6)를 각각 갖는다. 도광판이 채용된 백 라이트 모듈(도시 생략)에 균일한 면광원을 내기 위해, 제1 깊이(DA5)와 제2 깊이(DA6)는 동일하지 않다. 제1 국소(RG3)는 제1 위치(PS51) 및 제2 위치(PS52)를 포함하고, 제2 국소(RG4)는 제3 위치(PS61) 및 제4 위치(PS62)를 포함한다.

제어 유닛(56)은 제1 국소(RG3) 및 제2 국소(RG4)에 기초하여 제1 가공 파라미터(B31)와 제2 가공 파라미터(B32)를 설정하고, 각각의 가공 파라미터(B31, B32)에 기초하여 레이저 빔(LU5, LU6)을 제공하여 제1 망점(521)과 제2 망점(522)을 형성한다. 제1 가공 파라미터(B31)는 소정의 깊이(D51), 레이저 에너지 파라미터(U31), 소정의 제1 위치(P51), 소정의 제2 위치(P52), 소정의 주사 속도 분포(SD5) 및 소정의 밀도 분포(DT5)를 포함한다. 제2 가공 파라미터(B32)는 소정의 깊이(D61), 레이저 에너지 파라미터(U32), 소정의 제3 위치(P61), 소정의 제4 위치(P62), 소정의 주사 속도 분포 (SD6) 및 소정의 밀도 분포(DT6)를 포함한다. 각각의 제1 망점(521)과 제2 망점(522)은 깊이(DA5), 깊이(DA6)를 갖는다. 제1 가공 파라미터(B31)의 소정의 깊이(D51) 및 제2 가공 파라미터(B32)의 소정의 깊이(D61)가 동일하게 설정됨으로써, 레이저 에너지 파라미터(U31) 및 레이저 에너지 파라미터(U32)는 동일하게 설정된다. 또한, 레이저 에너지 파라미터(U31, U32)를 이용함으로써, 각각의 제1 망점(521)의 깊이(DA5) 및 제2 망점(522)의 깊이(DA6)를 소정의 깊이(D51, D61)에 맞춘다.

도 3a에 있어서 레이저 에너지 파라미터(U31)는 설계 펄스 일률(R51), 설계 펄스 주파수(f51) 및 설계 가공 시간(Q51)를 포함한다. 레이저 에너지 파라미터(U32)는 설계 펄스 일률(R61), 설계 펄스 주파수(f61) 및 설계 가공 시간(Q61)을 포함한다. 일 실시형태에 있어서 소정의 깊이(D51)와 소정의 깊이(D61)가 동일하게 설정되면, 각각의 설계 펄스 일률(R51), 설계 펄스 주파수(f51) 및 설계 가공 시간(Q51)은 각각의 설계 펄스 일률(R61), 설계 펄스 주파수(f61) 및 설계 가공 시간(Q61)과 동일하게 설정된다. 일 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU5)이 제1 망점(521)을 형성한 후, 제2 레이저 빔(LU6)이 제2 망점(522)을 형성한다. 또다른 일 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU5) 및 제2 레이저 빔(LU6)은 동시에 제1 망점(521) 및 제2 망점(522)을 각각 형성한다. 일 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU5)의 소정의 밀도 분포(DT5) 및 제2 레이저 빔(LU6)의 소정의 밀도 분포(DT6)는 조밀에서 희박하게 되도록 또는 희박에서 조밀하게 되도록 설정할 수 있다. 소정의 밀도 분포(DT5, DT6)는 동일하거나 또는 동일하지 않게 설정된다.

본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서는 제1 레이저 빔(LU5) 또는 제2 레이저 빔(LU6)의 주사 속도가 저속에서 고속이 되면, 레이저 에너지 파라미터(U31, U32)는 동일하게 설정된다. 본 발명의 또다른 바람직한 일 실시형태에 있어서는 제1 레이저 빔(LU5) 또는 제2 레이저 빔(LU6)의 주사 속도가 고정이 되면, 레이저 에너지 파라미터(U31, U32)는 동일하거나 또는 동일하지 않게 설정된다.

가공 유닛(57)은 제어 신호(A3)에 따라 제1 레이저 빔(LU5), 제2 레이저 빔(LU6)을 제공함으로써, 제1 망점(521) 및 제2 망점(522)을 각각 형성한다. 제어 유닛(56)은 제1 위치(PS51)와 제2 위치(PS52)에 기초하여 제1 가공 파라미터(B31)를 설정하고, 제3 위치(PS61)와 제4 위치(PS62)에 기초하여 제2 가공 파라미터(B32)를 설정하며, 제1 가공 파라미터(B31)와 제2 가공 파라미터(B32)에 기초하여 제어 신호(A3)가 생성된다. 제어 신호(A3)는 레이저 에너지 제어 신호(S5) 및 이동 제어 신호(S6)를 포함한다. 레이저 에너지 제어 신호(S5)는 레벨 신호(S51) 및 펄스 신호(S52)를 포함한다. 이동 제어 신호(S6)는 소정의 제1 위치(P51), 소정의 제2 위치(P52), 소정의 제3 위치(P61) 및 소정의 제4 위치(P62)와 연관되며, 위치 제어 신호(S61), 위치 제어 신호(S62) 및 속도 제어 신호(S63)를 포함한다. 속도 제어 신호(S63)는 제1 레이저 빔(LU5) 및/또는 제2 레이저 빔(LU6)의 주사 속도를 제어할 수 있다.

레이저 모듈(55)은 레이저 에너지 제어 신호(S5)에 기초하여 제1 레이저 빔(LA5)과 제2 레이저 빔(LA6)을 발생시킨다. 위치 결정 유닛(58)은 이동 제어 신호(S6), 제1 레이저 빔(LA5) 및 제2 레이저 빔(LA6)의 각각에 따라 제1 레이저 빔(LU5)과 제2 레이저 빔(LU6)을 각각 제공한다. 빔 주사 유닛(54)은 위치 제어 신호(S61), 속도 제어 신호(S63), 레이저 빔(LA5) 및 제2 레이저 빔(LA6)에 따라 제1 레이저 빔(LU5)과 제2 레이저 빔(LU6)을 제공한다. 스테이지 유닛(53)은 기판(52)을 탑재하고 위치 제어 신호(S52)에 따라 기판(52)을 운반한다.

도 3b는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 흐름도이다. 공정 S301은 제1 국소(RG3)를 갖는 가공물을 제공한다. 공정 S302는 제1 국소(RG3)에 제1 망점(521)을 형성하도록 제1 국소(RG3)에 제1 레이저 빔(LU5)을 조사한다. 제1 레이저 빔(LU5)은 제1 망점(521)이 특정한 깊이 분포를 갖도록 제1 국소(RG3)에 있어서 제1 특정 밀도 분포를 갖고 있다. 상기 가공물은 기판(52)이며, 금형, 기공 및 도광판에서 하나를 선택하는 것이다. 본 발명의 제2 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU5) 또는 제2 레이저 빔(LU6)은 1초당 출력이 고정되어 있으며, 상기 가공물의 평면(SF2)에 직교한다.

제2 레이저 빔(LU6)은 제2 특정 밀도 분포를 갖고 있다. 제1 레이저 빔(LU5) 및 제2 레이저 빔(LU6)은 가공을 순차적으로 행하며, 이하와 같은 공정을 나타낸다. 제1 레이저 빔(LU5)을 제1 위치(PS51)에 조사하는 공정과, 제1 레이저 빔(LU5)을 제2 위치(PS52)로 이동시키는 동시에 제1 레이저 빔(LU5)이 조사하는 제1 국소(RG3)에 있어서 상기 제1 특정 밀도 분포가 조밀에서 희박하게 되는 공정과, 제1 망점(521)의 형성이 완성되도록 제1 레이저 빔(LU5)을 멈추는 공정과, 제2 레이저 빔(LU6)을 제3 위치(PS61)에 조사하는 공정과, 제2 레이저 빔(LU6)을 제4 위치(PS62)로 이동시키는 동시에 제2 레이저 빔(LU6)이 조사하는 제2 국소(RG4)에 있어서 제2 특정 밀도 분포가 조밀에서 희박하게 되는 공정과, 제2 망점(522)의 형성이 완성되도록 제2 레이저 빔(LU6)을 멈추는 공정을 포함한다.

도 3c는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제1 망점(521) 및 제2 망점(522)을 나타내는 종단면도이다. 본 발명의 바람직한 일 실시형태에 있어서는 종단면에서 보면 제1 망점(521)과 제2 망점(522)은 동일한 형상이며, 각각의 망점은 깊이의 극값이 있는 위치에 대해 종단면의 양측이 비대칭이다. 제1 국소(RG3)는 고밀도 분포 범위(RG31) 및 저밀도 분포 범위(RG32)를 포함하고, 제2 국소(RG4)는 고밀도 분포 범위(RG41) 및 저밀도 분포 범위(RG42)를 포함한다. 상기 제1 특정 밀도 분포는 제1 임펄스 밀도(LPD1, LPD3) 및 제2 임펄스 밀도(LPD2, LPD4)를 포함해도 된다. 도 3c에 나타낸 바와 같이, 제1 레이저 빔(LU5)은 제1 임펄스 밀도(LPD1)로 고밀도 분포 범위(RG31)로 가공하고, 제2 임펄스 밀도(LPD2)로 저밀도 분포 범위(RG32)로 가공한다. 제1 임펄스 밀도(LPD1)는 제2 임펄스 밀도(LPD2)보다 크다. 제1 레이저 빔(LU5)이 고밀도 분포 범위(RG31)에 형성하는 레이저 임펄스(LP1)의 제1 임펄스 밀도(LPD1)는 저밀도 분포 범위(RG32)에 형성하는 레이저 임펄스(LP2)의 제2 임펄스 밀도(LPD2)보다 크다. 제2 레이저 빔(LU6)이 고밀도 분포 범위(RG41)에 형성하는 레이저 임펄스(LP3)의 제1 임펄스 밀도(LPD3)는 저밀도 분포 범위(RG42)에 형성하는 레이저 임펄스(LP4)의 제2 임펄스 밀도(LPD4)보다 크다.

제1 레이저 빔(LU5)은 고밀도 분포 범위(RG31)에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제2 최대 깊이를 갖고, 또한 저밀도 분포 범위(RG32)에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제3 깊이(DA51)를 갖도록 한다. 상기 제2 최대 깊이는 제3 깊이(DA51)보다 크다. 제1 깊이(DA5)는 제1 레이저 빔(LU5)에 의해 고밀도 분포 범위(RG31)에 기인하는 제2 최대 깊이와 동일하다. 제2 레이저 빔(LU6)이 고밀도 분포 범위(RG41)에 있어서 기인하는 최대 깊이는 저밀도 분포 범위(RG42)에 있어서 기인하는 깊이보다 크다. 제2 깊이(DA6)는 제2 레이저 빔(LU6)에 의해 고밀도 분포 범위(RG41)에 기인하는 최대 깊이와 동일하다. 본 발명의 또다른 바람직한 일 실시형태에 있어서는 종단면에서 보면 제1 망점(521)과 제2 망점(522)은 상이한 형상이거나 또한 비대칭이어도 되고, 망점설계의 필요에 따라 결정해도 된다.

본 발명의 또다른 바람직한 일 실시형태에 있어서는 제2 실시형태의 레이저 가공 방법에 의해, 상기 가공물이 적어도 하나의 제3 망점을 갖고, 상기 제3 망점은 종단면이 대칭이다.

도 3d는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 도광판(59)을 나타내는 상면도이다. 도광판(59)은 제1 망점(521), 제2 망점(522) 및 적어도 망점(523, 524, 525)을 포함한다. 도 3a 및 도 3d에 의하면, 제1 위치(PS51)와 제2 위치(PS52)의 상대 관계는 임의로 변경할 수 있고 제3 위치(PS61)와 제4 위치(PS62)의 상대 관계도 임의로 변경할 수 있다. 즉, 위치(PS51, PS61)가 위치(PS52, PS62)로 지향할 방향을 변경할 수 있다. 또한, 위치(PS51)가 위치(PS52)로 지향할 방향과 위치(PS61)가 위치(PS62)로 지향할 방향은 동일해도 되고(예를 들면, 망점(521)의 지향(DIR) 및 망점(522)의 지향(DIR)), 동일하게 하지 않아도 된다(예를 들면, 망점(523, 524, 525)의 지향(DIR)). 이들은 광학 시뮬레이션의 결과에 따라 설계되거나 또는 도광판(59)에 대한 광학 균일성의 실측값에 기초하여 적절한 수정을 행한다.

콜리메이터(collimator, 도시 생략)는 높은 어스펙트비의 특징에 대한 적용 범위의 균일성을 향상시키기 위해(및 다른 이유를 위해), 높은 어스펙트비의 특징을 갖는 기판을 스퍼터링할 때에 사용할 수 있다. 복수 개의 스퍼터링 장치는 필요에 따라 스퍼터링 챔버에 콜리메이터를 넣고 빼내는 성능을 갖고 있다.

본 발명의 제2 실시형태에 있어서는, 예를 들면 제1 국소(RG3) 및 제2 국소(RG4)의 최대 반경이 50㎛이다. 제1 국소(RG3) 및 제2 국소(RG4)의 제2 최대 깊이는 5㎛이다. 제1 국소(RG3)와 제2 국소(RG4)의 거리는 제1 국소(RG3)와 제2 국소(RG4)의 최대 반경을 넘지 않고, 제1 망점(521)이나 제2 망점(522)을 형성하는 평균 시간은 1㎧이다.

도 4a는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 레이저 가공 시스템(60)을 나타내는 개요도이다. 레이저 가공 시스템(60)과 상기 레이저 가공 시스템(40, 50)의 차이점은 레이저 빔을 다른 망점에 조사할 때 레이저 일률도 상이하다는 점이다. 레이저 가공 시스템(60)은 레이저 가공 장치(61) 및 기판(62)을 포함한다. 레이저 가공 장치(61)는 스테이지 유닛(63), 빔 주사 유닛(64), 레이저 모듈(65) 및 제어 유닛(66)을 포함한다. 도 4a에 있어서 가공 유닛(67)은 레이저 모듈(65) 및 위치 결정 유닛(68)을 포함한다. 위치 결정 유닛(68)은 스테이지 유닛(63) 및 빔 주사 유닛(64)을 포함한다. 기판(62)은 적어도 제1 국소(RG5) 및 제2 국소(RG6)를 추가로 포함한다.

레이저 가공 장치(61)는 각각의 제1 국소(RG5) 및 적어도 제2 국소(RG4)에 제1 망점(621) 및 적어도 제2 망점(622)을 형성하기 위한 것이다. 제1 망점(621) 및 적어도 제2 망점(622)은 도광판(도시 생략)을 형성하기 위한 것이다. 종단면에서 보면 제1 망점(621)과 제2 망점(622)은 형상이 비대칭이며, 제1 깊이(DA7) 및 제2 깊이(DA8)를 각각 갖는다. 도광판이 채용된 백 라이트 모듈(도시 생략)에 균일한 면광원을 내기 위해, 제1 깊이(DA7)와 제2 깊이(DA8)는 동일하지 않다. 제1 국소(RG5)는 제1 위치(PS71) 및 제2 위치(PS72)를 포함하고, 제2 국소(RG6)는 제3 위치(PS81) 및 제4 위치(PS82)를 포함한다.

제어 유닛(66)은 제1 국소(RG5) 및 제2 국소(RG6)에 기초하여 제1 가공 파라미터(B41)와 제2 가공 파라미터(B42)를 설정하고, 각각의 가공 파라미터(B41, B42)에 기초하여 레이저 빔(LU7, LU8)을 제공하여 제1 망점(621)과 제2 망점(622)을 형성한다. 제1 가공 파라미터(B41)는 소정의 깊이(D71), 레이저 에너지 파라미터(U41), 소정의 주사 속도 분포(SD7), 소정의 제1 위치(P71) 및 소정의 제2 위치(P72)를 포함한다. 소정의 주사 속도 분포(SD7)는 소정의 낮은 주사 속도(SD71) 및 소정의 높은 주사 속도(SD72)를 포함한다. 제2 가공 파라미터(B42)는 소정의 깊이(D81), 레이저 에너지 파라미터(U42), 소정의 주사 속도 분포(SD8), 소정의 제1 위치(P81) 및 소정의 제2 위치(P82)를 포함한다. 소정의 주사 속도 분포(SD8)는 소정의 낮은 주사 속도(SD81) 및 소정의 높은 주사 속도(SD82)를 포함한다. 제1 망점(621)은 깊이(DA7)를 가지며 제2 망점(622)은 깊이(DA8)를 갖는다. 제1 가공 파라미터(B41)의 레이저 에너지 파라미터(U41) 및 제2 가공 파라미터(B42)의 레이저 에너지 파라미터(U42)는 동일하지 않게 설정된다. 레이저 에너지 파라미터(U41)는 설계 펄스 일률(R71), 설계 펄스 주파수(f71) 및 설계 가공 시간(Q71)을 포함한다. 레이저 에너지 파라미터(U42)는 설계 펄스 일률(R81), 설계 펄스 주파수(f81) 및 설계 가공 시간(Q81)을 포함한다.

일 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU7)이 제1 망점(621)을 형성한 후, 제2 레이저 빔(LU8)이 제2 망점(622)을 형성한다. 또다른 일 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU7) 및 제2 레이저 빔(LU8)은 동시에 제1 망점(621) 및 제2 망점(622)을 각각 형성한다. 일 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU7)의 설계 펄스 일률(R71) 및 제2 레이저 빔(LU8)의 설계 펄스 일률(R81)은 동일하지 않게 설정된다.

가공 유닛(67)은 제어 신호(A4)에 따라 제1 레이저 빔(LU7) 및 제2 레이저 빔(LU8)을 제공함으로써, 제1 망점(621) 및 제2 망점(622)을 각각 형성한다. 제어 유닛(66)은 제1 위치(PS71)와 제2 위치(PS72)에 기초하여 제1 가공 파라미터(B41)를 설정하고, 제3 위치(PS81)와 제4 위치(PS82)에 기초하여 제1 가공 파라미터(B42)를 설정하며, 제1 가공 파라미터(B41)와 제2 가공 파라미터(B42)에 기초하여 제어 신호(A4)가 생성된다. 제어 신호(A4)는 레이저 에너지 제어 신호(S7) 및 이동 제어 신호(S8)를 포함한다. 레이저 에너지 제어 신호(S7)는 레벨 신호(S71) 및 펄스 신호(S72)를 포함한다. 이동 제어 신호(S8)는 소정의 제1 위치(P71), 소정의 제2 위치(P72), 소정의 제3 위치(P81) 및 소정의 제4 위치(P82)와 연관되며, 위치 제어 신호(S81), 위치 제어 신호(S82) 및 속도 제어 신호(S83)를 포함한다. 속도 제어 신호(S83)는 제1 레이저 빔(LU7) 및/또는 제2 레이저 빔(LU8)의 주사 속도를 제어할 수 있다.

레이저 모듈(65)은 레이저 에너지 제어 신호(S7)에 기초하여 제1 레이저 빔(LA7)과 제2 레이저 빔(LA8)을 발생시킨다. 위치 결정 유닛(68)은 이동 제어 신호(S8), 제1 레이저 빔(LA7) 및 제2 레이저 빔(LA8)의 각각에 따라 제1 레이저 빔(LU7)과 제2 레이저 빔(LU8)을 각각 제공한다. 빔 주사 유닛(64)은 위치 제어 신호(S81), 속도 제어 신호(S83), 제1 레이저 빔(LA7) 및 제2 레이저 빔(LA8)에 따라 제1 레이저 빔(LU7)과 제2 레이저 빔(LU8)을 제공한다. 스테이지 유닛(63)은 기판(62)을 탑재하고 위치 제어 신호(S62)에 따라 기판(62)을 운반한다.

도 4b는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 흐름도이다. 공정 S401은 제1 국소(RG5)를 갖는 가공물을 제공한다. 공정 S402는 제1 국소(RG5)에 제1 망점(621)을 형성하도록 제1 국소(RG5)에 제1 레이저 빔(LU7)을 조사한다. 제1 레이저 빔(LU7)은 제1 망점(621)이 제1 공경 및 제1 특정 깊이 분포를 갖도록 제1 국소(RG5)에 있어서 제1 특정 에너지 및 제1 특정 주사 속도 분포를 갖고 있다. 상기 가공물은 기판(62)이며, 또는 금형, 기공 및 도광판에서 하나를 선택하는 것이다. 본 발명의 제3 실시형태에 있어서 제1 레이저 빔(LU7) 또는 제2 레이저 빔(LU8)은 1초당 출력이 상이하며, 상기 가공물의 평면(SF3)에 직교한다. 즉, 가공 기간에 있어서는 설계 펄스 일률(R71) 및 설계 펄스 일률(R81)이 상이하다.

도 4c는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 상이한 사이즈의 구멍을 나타내는 개요도이다. 제1 레이저 빔(LU7)은 설계 펄스 일률(R71)로 제1 위치(PS71)에 가공하면, 제1 공경(HS1)을 갖는 구멍(H1)을 기판(62)에 형성한다. 제2 레이저 빔(LU8)은 설계 펄스 일률(R81)로 제3 위치(PS81)에 가공하면, 제2 공경(HS2)을 갖는 구멍(H2)을 기판(62)에 형성한다. 본 발명의 제3 실시형태에 있어서는 설계 펄스 일률(R71)이 설계 펄스 일률(R81)보다 크기 때문에, 제1 공경(HS1)이 제2 공경(HS2)보다 커지게 되고, 구멍(H1) 깊이의 극값도 구멍(H2)보다 커지게 된다.

제2 레이저 빔(LU8)은 제2 국소(RG6)에 있어서 제2 특정 에너지 및 제2 특정 주사 속도 분포를 갖고 있다. 제1 레이저 빔(LU7) 및 제2 레이저 빔(LU8)은 가공을 순차적으로 행하며, 이하와 같은 공정을 나타낸다. 제1 공경(HS1)을 갖는 구멍(H1)을 형성하도록 제1 레이저 빔(LU7)을 제1 위치(PS71)에 조사한다. 저속에서 고속으로 제1 레이저 빔(LU7)을 제1 위치(PS71)로부터 제2 위치(PS72)로 이동시키는 동시에 제1 레이저 빔(LU7)을 제1 특정 에너지로 조사한다. 제1 망점(621)의 형성이 완성되도록 제1 레이저 빔(LU7)을 멈춘다. 제2 공경(HS2)을 갖는 구멍(H2)을 형성하도록 제2 레이저 빔(LU8)을 제3 위치(PS81)에 조사한다. 저속에서 고속으로 제2 레이저 빔(LU8)을 제3 위치(PS81)로부터 제4 위치(PS82)로 이동시키는 동시에 제2 레이저 빔(LU8)을 제2 특정 에너지로 조사한다. 제2 망점(622)의 형성이 완성되도록 제2 레이저 빔(LU8)을 멈춘다.

도 4d는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 제1 망점(621) 및 제2 망점(622)을 나타내는 종단면도이다. 본 발명의 바람직한 일 실시형태에 있어서는 종단면에서 보면 제1 망점(621)과 제2 망점(622)은 상이한 형상이며, 각각의 망점은 깊이의 극값이 있는 위치에 대해 종단면의 양측이 비대칭이다. 제1 국소(RG5)는 높은 에너지 범위(RG51) 및 낮은 에너지 범위(RG52)를 포함하고, 제1 국소(RG6)는 높은 에너지 범위(RG61) 및 낮은 에너지 범위(RG62)를 포함한다.

도 4d에 나타낸 바와 같이, 제1 레이저 빔(LU7)은 제1 특정 에너지로 제1 망점(621)을 가공하는 동시에 소정의 낮은 주사 속도(SD71)로 높은 에너지 범위(RG51)로 가공하고, 소정의 높은 주사 속도(SD72)로 낮은 에너지 범위(RG52)로 가공한다. 제2 레이저 빔(LU8)은 제2 특정 에너지로 제2 망점(622)을 가공하는 동시에 소정의 낮은 주사 속도(SD81)로 높은 에너지 범위(RG61)로 가공하고, 소정의 높은 주사 속도(SD72)로 낮은 에너지 범위(RG62)로 가공한다. 제1 레이저 빔(LU7)은 높은 에너지 범위(RG51)에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제3 최대 깊이를 갖고, 또한 낮은 에너지 범위(RG62)에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제3 깊이(DA71)를 갖도록 한다. 상기 제3 최대 깊이는 제3 깊이(DA71)보다 크다. 제1 깊이(DA7)는 제1 레이저 빔(LU7)에 의해 높은 에너지 범위(RG51)로 기인하는 제3 최대 깊이와 동일하다. 제2 레이저 빔(LU8)이 높은 에너지 범위(RG61)에 있어서 기인하는 최대 깊이(DA8)는 낮은 에너지 범위(RG62)에 있어서 기인하는 깊이보다 크다. 도 4d에 나타낸 바와 같이, 제1 깊이(DA7)는 제2 깊이(DA8)보다 크고, 제1 공경(HS1)은 제2 공경(HS2)보다 크다. 본 발명의 다른 바람직한 일 실시형태에 있어서는 종단면에서 보면 제1 망점(621)과 제2 망점(622)은 상이한 형상이거나 비대칭이어도 되고, 망점설계의 필요에 따라 결정해도 된다.

본 발명의 또다른 바람직한 일 실시형태에 있어서는 제3 실시형태의 레이저 가공 방법에 의해, 상기 가공물이 적어도 하나의 제3 망점을 갖고, 상기 제3 망점은 종단면이 대칭이다.

도 4e는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 도광판(68)을 나타내는 상면도이다. 도광판(68)은 제1 망점(621), 제2 망점(622) 및 적어도 망점(623, 624, 625)을 포함한다. 도 4a 및 도 4e에 의하면, 제1 위치(PS71)와 제2 위치(PS72)의 상대 관계는 임의로 변경할 수 있고 제3 위치(PS81)와 제4 위치(PS82)의 상대 관계도 임의로 변경할 수 있다. 즉, 각각의 위치(PS71, PS81)가 위치(PS72, PS82)로 지향할 방향을 변경할 수 있다. 또한, 위치(PS71)가 위치(PS72)로 지향할 방향과 위치(PS81)가 위치(PS82)로 지향할 방향은 동일해도 되고(예를 들면, 망점(621)의 지향(DIR) 및 망점(622)의 지향(DIR)), 동일하게 하지 않아도 된다(예를 들면, 망점(623, 624, 625)의 지향(DIR)). 이들은 광학 시뮬레이션의 결과에 따라 설계하거나 또는 도광판(68)에 대한 광학 균일성의 실측값에 기초하여 적절한 수정을 행한다.

도 5a는 본 발명의 실시형태에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 흐름도이다. 공정 S501은 망점을 형성하기 위한 범위를 갖는 가공물을 제공한다. 공정 S502는 특정 변화 모드를 갖는 제1 레이저 빔을 제공한다. 공정 S503은 상기 범위가 특정 특성 분포를 갖도록 상기 제1 레이저 빔에 의해 상기 가공물에 제1 망점을 형성한다.

상기 특정 변화 모드는 본 발명의 제1, 제2 및 제3 실시형태에 나타낸 바와 같이, 제1 레이저 빔의 특정 주사 속도 분포, 특정 밀도 분포 및 특정 에너지에서 적어도 하나를 선택한다. 상기 특정 특성 분포는 특정 깊이 분포 및 특정 밀도 분포를 포함한다.

예를 들면, 상기 특정 변화 모드는 제1 모드, 제2 모드 및 제3 모드로부터 선택된 적어도 하나이다. 상기 제1 레이저 빔은 상기 범위가 상기 특정 특성 분포를 갖기 위해, 특정 기간 동안 조사하여 상기 범위에 상기 제1 망점을 형성한다. 상기 특정 기간은 제1 서브 기간, 제2 서브 기간 및 제3 서브 기간에서 선택된 적어도 하나이다. 상기 제1 레이저 빔은 제1 서브 빔, 제2 서브 빔 및 제3 서브 빔에서 선택된 적어도 하나이다. 각각의 상기 제1 서브 빔, 상기 제2 서브 빔 및 상기 제3 서브 빔은 상기 제1 서브 기간, 상기 제2 서브 기간 및 상기 제3 서브 기간에 대응한다. 본 발명의 제1 실시형태의 방법에 의하여 상기 제1 서브 빔이 형성된다. 본 발명의 제2 실시형태의 방법에 의하여 상기 제2 서브 빔이 형성된다. 본 발명의 제3 실시형태의 방법에 의하여 상기 제3 서브 빔이 형성된다. 상기 특정 밀도 분포는, 예를 들면 상기 범위에 상기 제1 망점만을 갖는 것을 나타낸다. 상기 특정 깊이 분포는, 예를 들면 대칭의 깊이 분포 또는 비대칭의 깊이 분포이다.

상기 특정 변화 모드는, 예를 들면 상기 제1 모드만을 가지면 제1 실시형태와 같이 나타낸다. 제1 레이저 빔(LU3)의 특정 주사 속도 분포는 속도 제어 신호(S43)에 의해 제어되고 제1 주사 속도로 저속 주사 범위(RG11)로 가공하며, 또한 상기 제1 주사 속도보다 큰 상기 제2 주사 속도로 고속 주사 범위(RG12)로 가공한다. 상기 특정 특성 분포는, 예를 들면 제1 레이저 빔(LU3)이 저속 주사 범위(RG11)에 대해 기인하는 최대 깊이가 제1 레이저 빔(LU3)이 고속 주사 범위(RG12)에 대해 기인하는 깊이보다 크다.

상기 특정 변화 모드는, 예를 들면 상기 제2 모드만을 가지면 제2 실시형태와 같이 나타낸다. 제1 레이저 빔(LU3)의 특정 밀도 분포는 제1 임펄스 밀도(LPD1, LPD3) 및 제2 임펄스 밀도(LPD2, LPD4)를 포함한다. 제1 레이저 빔(LU5)은 제1 임펄스 밀도(LPD1)로 고밀도 분포 범위(RG31)로 가공하며, 또한 제2 임펄스 밀도(LPD2)로 저밀도 분포 범위(RG32)로 가공한다. 상기 특정 특성 분포는, 예를 들면 제1 임펄스 밀도(LPD1)는 제2 임펄스 밀도(LPD2)보다 크다. 제1 레이저 빔(LU5)이 고밀도 분포 범위(RG31)에 형성하는 최대 깊이는 제1 레이저 빔(LU5)이 저밀도 분포 범위(RG32)에 형성하는 깊이보다 크다.

상기 특정 변화 모드는, 예를 들면 상기 제3 모드만을 가지면 제3 실시형태와 같이 나타낸다. 제1 레이저 빔(LU7)은 제1 특정 에너지로 제1 망점(621)을 가공하는 동시에 소정의 낮은 주사 속도(SD71)로 높은 에너지 범위(RG51)로 가공하고, 소정의 높은 주사 속도(SD72)로 낮은 에너지 범위(RG52)에 가공한다. 상기 특정 특성 분포는, 예를 들면 제1 레이저 빔(LU7)이 높은 에너지 범위(RG51)에 형성하는 최대 깊이는 제1 레이저 빔(LU7)이 낮은 에너지 범위(RG52)에 형성하는 깊이보다 크다.

도 5b는 본 발명의 실시형태에 따른 레이저 가공 방법에 의해 형성된 레이저 가공물(70)을 나타내는 도면이다. 레이저 가공물(70)은 레이저 가공물(70)에 형성되는 망점(71)을 포함하고, 망점(71)은 범위(72), 제1 표면(73) 및 제2 표면(74)을 갖는다. 제1 표면(73) 및 제2 표면(74)은 범위(72)에 형성된다. 제1 표면(73)의 평균 곡률이 제2 표면(74)의 평균 곡률보다 크다. 망점에 대하여 설계의 다양성과 유연성을 제공하기 위해, 상기 범위는 다른 평균 곡률에 의해 대칭의 도광 지향성 또는 비대칭의 도광 지향성을 갖는다.

본 발명의 실시형태에 있어서 레이저 가공물(70)은 복수 개의 망점을 포함하고, 도 2c에 나타낸 바와 같이, 망점(421)은 제1 표면(4211)에서의 평균 곡률이 제2 표면(4212)보다 크다. 망점(422)은 제1 표면(4221)에서의 평균 곡률이 제2 표면 (4222)보다 크다. 마찬가지로, 도 3c에 있어서 망점(521)은 제1 표면(5211)에서의 평균 곡률이 제2 표면(5212)보다 크다. 망점(522)은 제1 표면(5221)에서의 평균 곡률이 제2 표면(5222)보다 크다. 도 4c에 있어서 망점(621)은 제1 표면(6211)에서의 평균 곡률이 제2 표면(6212)보다 크다. 망점(622)은 제1 표면(6221)에서의 평균 곡률이 제2 표면(6222)보다 크다.

이상의 설명에 의하면, 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능하다는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적인 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용에 한정되지 않고, 특허청구범위에 의해 결정되어야 한다.　

10… 액정 디스플레이, 11… 백 라이트 모듈, 12… 액정 패널, 13, 14… 광, 21, 32… 기판, 22, 71, 321, 322, 423, 424, 425, 523, 524, 525, 623, 624, 625, 1120, 1121… 망점, 30, 40, 50, 60… 레이저 가공 시스템, 31, 41, 51, 61… 레이저 가공 장치, 32, 42, 52, 62… 기판, 33, 43, 53, 63… 스테이지 유닛, 34, 44, 54, 64… 빔 주사 유닛, 35, 45, 55, 65… 레이저 모듈, 36, 46, 56, 66… 제어 유닛, 37, 47, 57, 67… 가공 유닛, 38, 48, 58, 68… 위치 결정 유닛, 49, 59, 68, 112… 도광판, 70… 레이저 가공물, 72… 범위, 73, 4211, 4221, 5211, 5221, 6211, 6221… 제1 표면, 74, 4212, 4222, 5212, 5222, 6212, 6222… 제2 표면, 110… 광원, 111… 광반사판, 113… 저부 반사판, 114… 프리즘 시트, 421, 521, 621… 제1 망점, 422, 522, 622… 제2 망점, A1, A2, A3, A4… 제어 신호, B11, B12, B21, B22, B31, B32, B41, B42… 가공 파라미터, DA1, DA2, DA3, DA4, DA5, DA6, DA7, DA8, DA51, DA71, D11, D12, D31, D41, D61, D71, D81… 깊이, DT5, DT6… 소정의 밀도 분포, f11, f12, f31, f41, f51, f61, f71, f81… 설계 펄스 주파수, H1, H2… 구멍, HS1, HS2… 공경, LA1, LA2, LA3, LA4, LA5, LA6, LA7, LA8, LU1, LU2, LU3, LU4, LU5, LU6, LU7, LU8… 레이저 빔, LP1, LP2, LP3, LP4… 레이저 임펄스, LPD1, LPD3… 제1 임펄스 밀도, LPD2, LPD4… 제2 임펄스 밀도, PS1, PS2… 위치점, PS31, PS51, PS71… 제1 위치, PS32, PS52, PS72… 제2 위치, PS41, PS61, PS81… 제3 위치, PS42, PS62, PS82… 제4 위치, P31, P51, P71… 소정의 제1 위치, P32, P52, P72… 소정의 제2 위치, P41, P61, P81… 소정의 제3 위치, P42, P62, P82… 소정의 제4 위치, P11, P12… 좌표, Q11, Q12, Q31, Q41, Q51, Q61, Q71, Q81… 설계 가공 시간, R11, R12, R31, R41, R51, R61, R71, R81… 설계 펄스 일률, RG1, RG3, RG5… 제1 국소, RG2, RG4, RG6… 제2 국소, RG11, RG21… 저속 주사 범위, RG12, RG22… 고속 주사 범위, RG31, RG41… 고밀도 분포 범위, RG32, RG42… 저밀도 분포 범위, RG51, RG61… 높은 에너지 범위, RG52, RG62… 낮은 에너지 범위, S1, S3, S5, S7… 레이저 에너지 제어 신호, S2, S41, S42, S61, S62, S81, S82… 위치 제어 신호, S4, S6, S8… 이동 제어 신호, S11, S31, S51, S71… 레벨 신호, S12, S32, S52, S72… 펄스 신호, S21, S22… 신호, S43, S63, S83… 속도 제어 신호, SD3, SD4, SD5, SD6, SD7, SD8… 소정의 주사 속도 분포, SD31, SD41, SD71… 소정의 낮은 주사 속도, SD32, SD42, SD72… 소정의 높은 주사 속도, SD4, SD5, SD6… 소정의 주사 속도 분포, SF1, SF2… 평면, U11, U12, U21, U22, U31, U32, U41, U42… 레이저 에너지 파라미터

Claims (10)

1. 저속 주사 범위 및 고속 주사 범위를 포함하는 제1 국소를 갖는 가공물을 제공하는 공정과,
   상기 제1 국소에 제1 망점을 형성하도록 상기 제1 국소에 제1 레이저 빔을 조사하는 공정을 포함하고,
   상기 제1 레이저 빔은 상기 제1 망점이 특정 깊이 분포를 갖도록 제1 주사 속도로 상기 저속 주사 범위로 가공하고, 제1 주사 속도보다 큰 제2 주사 속도로 상기 고속 주사 범위로 가공하고, 상기 저속 주사 범위에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제1 깊이를 갖고, 또한 상기 고속 주사 범위에 있어서 상기 특정 깊이 분포가 제3 깊이를 갖게 되며,
   상기 제1 깊이는 상기 제3 깊이보다 큰 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1 국소는 제1 위치와 제2 위치를 포함하고,
   상기 가공물은 제2 국소를 추가로 갖고,
   상기 제2 국소는 제3 위치와 제4 위치를 포함하고,
   상기 레이저 가공 방법은
   상기 제1 레이저 빔을 상기 제1 위치에 조사하는 공정과,
   상기 제1 레이저 빔을 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치까지 가속하여 이동시키는 공정과,
   상기 제1 망점의 형성이 완성되도록 상기 제1 레이저 빔의 조사를 상기 제2 위치에서 멈추는 공정과,
   제2 레이저 빔을 상기 제3 위치에 조사하는 공정과,
   상기 제2 레이저 빔을 상기 제3 위치로부터 상기 제4 위치까지 가속하여 이동하는 공정과,
   제2 망점의 형성이 완성되도록 상기 제2 레이저 빔의 조사를 상기 제4 위치에서 멈추는 공정을 포함하고,
   상기 가공물은 금형, 기공 및 도광판에서 하나를 선택하고,
   상기 특정 깊이 분포는 대칭의 깊이 분포 또는 비대칭의 깊이 분포이며,
   상기 제1 및 제2 레이저 빔은 1초당 출력이 고정되어 있으며,
   상기 제1 및 제2 레이저 빔은 상기 가공물의 평면에 직교하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.
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