JP2013139050A - レーザー加工方法及びそれにより形成された加工物 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、レーザー加工方法を提供することにより、加工された網点が非対称性の方向を形成することはでき、設計の選択性を増加させると共に、バックライトの均一度と輝度を向上させる。
【解決手段】 レーザー加工方法は、第一局所を有する加工物を提供する工程と、前記第一局所に第一網点を形成するように、前記第一局所に第一レーザービームを照射する工程と、を含む。前記第一レーザビームの複数のレーザーインパルスは、前記第一網点が特定深さ分布を有するように、前記第一局所における第一特定密度分布を有している。
【選択図】図３（ｃ）

Description

本発明は、レーザー加工方法及びそれにより形成された加工物に関し、特に、基板を加工物とするレーザー加工方法及びそれにより形成された加工物に関する。加工された基板は、特にバックライトモジュールに適している導光板である。

最近、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）が普及しつつあり、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）にあるバックライトモジュールのサイズも大きくなる。バックライトモジュールは、直下型とエッジライト型に分けられる。直下型バックライトモジュールは、光源がより多い発光素子を必要とするため、消費電力量もより多くなる。エッジライト型バックライトモジュールは、光源が一方の側だけに提供されるため、光源から離れた距離による明るさの差により、液晶ディスプレイ全体の明るさは不均一になり、大サイズの液晶ディスプレイの場合には特に厳しくなる。故に、エッジライト型バックライトモジュールは、設計された構造（特に導光板の網点）によってバックライトモジュールの輝度と均一度に大きな影響を与える。

図１（ａ）は、従来の液晶ディスプレイの概要図である。液晶ディスプレイ１０は、バックライトモジュール１１と液晶パネル１２を含む。バックライトモジュール１１は、光源１１０、光反射板１１１、導光板１１２、底部反射板１１３及びプリズムシート１１４を含む。図１（ａ）において、光源１１０から出た光１３、１４は、導光板１１２において全反射させて導光板１１２の網点１１２０と１１２１に伝達すると、網点１１２０と１１２１の光学特性（例えば凹レンズの特性）によって屈折させ、光１３、１４がプリズムシート１１４に均一に散乱される。プリズムシート１１４は、バックライトの輝度が増大するように、散乱された光を集める。

特許文献１には、皺だらけの網点パターンをエッチングする方法が記載されている。図１（ｂ）は、従来の皺だらけの網点パターンの概要図である。先ず、金属又はアクリルからなる基板２１を提供する。次に、レーザービームを基板２１に提供し、基板２１の同一位置にレーザー照射を繰り返すことで、網点２２を形成する。更に、レーザービーム又は基板２１を移動すると共に、基板２１にレーザー照射を繰り返すことにより、基板２１の異なる位置に網点２２を順次形成する。レーザービームは、パルスレーザーを採用でき、その波長は、基板材料に応じて選択される。例えば、鋼材基板を採用すると、Ｎｄ−ＴＡＧレーザーを選択できる。最後に、皺だらけの網点２２のパターンを有する基板２１を鋳巣２０とし、又は電鋳プロセスによって金型を形成し、更に、透明材料を注入して導光板を形成する。形成方法は、射出成形、ホットプレス、または鋳造が挙げられる。従来技術における網点２２の深さが一致するから、バックライトの高い均一度を達成するために、基板２１における網点２２の密度を更に必要とする。光源に近い網点２２がより疎に配置され、且つ光源に遠い網点２２がより稠密に配置されたとしても、明るさの均一度と輝度は、依然として改善の余地がある。

特許文献２には、レーザー加工システム３０が記載されている。図１（ｃ）において、従来のレーザー加工システム３０は、レーザー加工装置３１及び基板３２を含む。レーザー加工装置３１は、ステージユニット３３、ビーム走査ユニット３４、レーザーモジュール３５及び制御ユニット３６を含む。図１（ｃ）において、加工ユニット３７は、レーザーモジュール３５及び位置決めユニット３８を含む。位置決めユニット３８は、ステージユニット３３及びビーム走査ユニット３４を含む。

レーザー加工装置３１は、基板３２における少なくとも二つの位置点ＰＳ１、ＰＳ２に少なくとも二つの網点３２１、３２２をそれぞれ形成し、少なくとも二つの網点３２１、３２２によって導光板を形成することができる。少なくとも二つの網点３２１、３２２のそれぞれは、少なくとも二つの深さＤＡ１、ＤＡ２を有する。導光板が採用されたバックライトモジュール（図示されない）を均一の面光源を出せるために、少なくとも二つの深さＤＡ１とＤＡ２とは等しくない。

制御ユニット３６は、少なくとも二つの位置点ＰＳ１、ＰＳ２に基づいて、少なくとも二つの加工パラメーターＢ１１、Ｂ１２を設け、加工パラメーターＢ１１、Ｂ１２に基づいて、少なくとも二つのレーザービームＬＵ１、ＬＵ２を提供することにより、少なくとも二つの網点３２１、３２２をそれぞれ形成する。加工パラメーターＢ１１、Ｂ１２のそれぞれは、所定深さ（Ｄ１１等）及びレーザーエネルギーパラメーター（Ｕ１１等）を含む。加工パラメーターＢ１１、Ｂ１２の所定深さＤＡ１、ＤＡ２は、等しくないように設けられることにより、レーザービームＬＵ１、ＬＵ２が等しくないように設けられる。又、レーザーエネルギーパラメーターＵ１１、Ｕ１２を利用することで、網点３２１、３２２の深さＤＡ１、ＤＡ２のそれぞれを所定深さＤ１１、Ｄ１２に合わせる。

図１（ｃ）におけるレーザーエネルギーパラメーターＵ１１は、設計パルス仕事率Ｒ１１、設計パルス周波数ｆ１１及び設計加工時間Ｑ１１を含む。レーザーエネルギーパラメーターＵ１２は、設計パルス仕事率Ｒ１２、設計パルス周波数ｆｌ２及び設計加工時間Ｑ１２を含む。所定深さＤ１１とＤ１２が等しくないように設けられると、設計パルス仕事率Ｒ１１、設計パルス周波数ｆ１１及び設計加工時間Ｑ１１のそれぞれは、設計パルス仕事率Ｒ１２、設計パルス周波数ｆｌ２及び設計加工時間Ｑ１２のそれぞれと等しくないように設けられる（三対の少なくとも一対が等しくない）。即ち、レーザーエネルギーパラメーターＵ１１は、レーザーエネルギーパラメーターＵ１２と等しくないように設けられる。

加工ユニット３７は、制御信号Ａ１に応じて、少なくとも二つのレーザービームＬＵ１、ＬＵ２を提供することで、少なくとも二つの網点３２１、３２２を形成する。制御ユニット３６は、少なくとも二つの位置点ＰＳ１、ＰＳ２に基づいて、少なくとも二つの加工パラメーターＢ１１、Ｂ１２を設け、加工パラメーターＢ１１、Ｂ１２に基づいて、制御信号Ａ１が生成する。制御信号Ａ１は、レーザーエネルギー制御信号Ｓ１及び位置制御信号Ｓ２を含む。レーザーエネルギー制御信号Ｓ１は、レベル信号Ｓ１１及びパルス信号Ｓ１２を含む。位置制御信号Ｓ２は、少なくとも二つの座標Ｐ１１、Ｐ１２に関連し、信号Ｓ２１及び信号Ｓ２２を含む。

レーザー加工装置３１は、レーザーエネルギー制御信号Ｓ１に基づいて、少なくとも二つのレーザービームＬＡ１、ＬＡ２を発生させる。位置決めユニット３８は、位置制御信号Ｓ２及びレーザービームＬＡ１、ＬＡ２に応じて、少なくとも二つのレーザービームＬＵ１、ＬＵ２を提供する。ビーム走査ユニット３４は、信号Ｓ２１及びレーザービームＬＡ１、ＬＡ２に応じて、少なくとも二つのレーザービームＬＵ１、ＬＵ２を提供する。ステージユニット３３は、基板３２を搭載し、信号Ｓ２２に応じて基板３２を持ち運ぶ。

図１（ｃ）における従来技術には、網点３２１、３２２から散乱された光の方向は、対称性を示し、非対称性の方向を形成することはできない。

台湾特許Ｉ２７５８７８ 台湾特許公開２０１１１６９０２号

従来技術に鑑みて、本発明は、レーザー加工方法を提供することにより、加工された網点が非対称性の方向を形成することはでき、設計の選択性を増加させると共に、バックライトの均一度と輝度を向上させる。

上述の目的を達成するために、本発明に係るレーザー加工方法は、第一局所を有する加工物を提供する工程と、前記第一局所に第一網点を形成するように、前記第一局所に第一レーザービームを照射する工程と、を含み、前記第一レーザービームは、前記第一網点が特定深さ分布を有するように、特定走査速度分布を有している、ことを特徴とする。

上記工程の本発明に係るレーザー加工方法において、前記第一局所は、第一位置と第二位置を含み、前記加工物は、第二局所を更に有し、前記第二局所は、第三位置と第四位置を含み、前記方法は、前記第一レーザービームを前記第一位置に照射する工程と、低速から高速まで前記第一レーザービームを前記第二位置に移動する工程と、前記第一網点の形成が完成するように、前記第一レーザービームを止める工程と、第二レーザービームを前記第三位置に照射する工程と、低速から高速で前記第二レーザービームを前記第四位置に移動する工程と、第二網点の形成が完成するように、前記第二レーザービームを止める工程と、を含む。

上記工程の本発明に係るレーザー加工方法において、前記加工物は、金型、鋳巣、及び導光板から一つを選び、前記特定深さ分布は、対称の深さ分布又は非対称の深さ分布であり、前記第一局所は、低速走査範囲及び高速走査範囲を含み、前記特定走査速度分布は、第一走査速度及び第二走査速度を含み、前記第一レーザービームは、前記第一走査速度で前記低速走査範囲に加工し、前記第一走査速度より大きい前記第二走査速度で前記高速走査範囲に加工し、前記第一レーザービームは、前記低速走査範囲において前記特定深さ分布が第一最大深さを有し、且つ前記高速走査範囲において前記特定深さ分布が第一深さを有することを引き起こし、前記第一最大深さは、前記第一深さよりも大きく、前記第一及び第二レーザービームは、一秒当たりの出力が固定であり、前記第一及び第二レーザービームは、前記加工物の平面に直交する。

上述の目的を達成するために、本発明に係るレーザー加工方法は、第一局所を有する加工物を提供する工程と、前記第一局所に第一網点を形成するように、前記第一局所に第一レーザービームを照射する工程と、を含み、前記第一レーザービームの複数のレーザーインパルスは、前記第一網点が特定深さ分布を有するように、前記第一局所における第一特定密度分布を有している、ことを特徴とする。

上記工程の本発明に係るレーザー加工方法において、前記第一局所は、第一位置と第二位置を含み、前記加工物は、第二局所を更に有し、前記第二局所は、第三位置と第四位置を含み、前記方法は、前記第一レーザービームを前記第一位置に照射する工程と、前記第一レーザービームを前記第二位置に移動すると共に、第一レーザービームが照射する第一局所における前記第一特定密度分布が緊密から希薄になる工程と、前記第一網点の形成が完成するように、前記第一レーザービームを止める工程と、第二レーザービームを前記第三位置に照射する工程と、前記第二レーザービームを前記第四位置に移動すると共に、第二レーザービームが照射する第二局所における第二特定密度分布が緊密から希薄になる工程と、第二網点の形成が完成するように、前記第二レーザービームを止める工程と、を含む。

上記工程の本発明に係るレーザー加工方法において、前記加工物は、金型、鋳巣、及び導光板から一つを選び、前記特定深さ分布は、対称の深さ分布又は非対称の深さ分布であり、前記第一局所は、高い密度分布範囲及び低い密度分布範囲を含み、前記第一特定密度分布は、第一インパルス密度及び第二インパルス密度を含み、前記第一レーザービームは、前記第一インパルス密度で前記高い密度分布範囲に加工し、前記第一インパルス密度より大きい前記第二インパルス密度で前記低い密度分布範囲に加工し、前記第一レーザービームは、前記高い密度分布範囲において前記特定深さ分布が第一最大深さを有し、且つ前記低い密度分布範囲において前記特定深さ分布が第一深さを有することを引き起こし、前記第一最大深さは、前記第一深さよりも大きく、前記第一及び第二レーザービームは、一秒当たりの出力が固定であり、前記第一及び第二レーザービームは、前記加工物の平面に直交する。

上述の目的を達成するために、本発明に係るレーザー加工方法は、第一局所を有する加工物を提供する工程と、前記第一局所に第一網点を形成するように、前記第一局所に第一レーザービームを照射する工程と、を含み、前記第一レーザービームは、前記第一網点が第一孔径及び第一特定深さ分布を有するよに、前記第一局所における第一特定エネルギー及び特定走査速度分布を有している、ことを特徴とする。

上記工程の本発明に係るレーザー加工方法において、前記第一局所は、第一位置と第二位置を含み、前記加工物は、第二局所を更に有し、前記第二局所は、第三位置と第四位置を含み、前記方法は、前記第一孔径がある孔を形成するように、前記第一レーザービームを前記第一位置に照射する工程と、低速から高速まで、第一特定エネルギーが照射される前記第一レーザービームを、前記第一位置から前記第二位置へ移動する工程と、前記第一網点の形成が完成するように、前記第一レーザービームを止める工程と、第二孔径がある孔を形成するように、第二レーザービームを前記第三位置に照射する工程と、低速から高速まで、第二特定エネルギーが照射される前記第二レーザービームを、前記第三位置から前記第四位置へ移動する工程と、第二網点の形成が完成するように、前記第二レーザービームを止める工程と、を含む。

上記工程の本発明に係るレーザー加工方法において、前記加工物は、金型、鋳巣、及び導光板から一つを選び、前記特定深さ分布は、対称の深さ分布又は非対称の深さ分布であり、前記第一局所は、高いエネルギー範囲及び低いエネルギー範囲を含み、前記第一特定エネルギーと前記第二特定エネルギーとは異なり、前記第一レーザービームは、前記高いエネルギー範囲において前記特定深さ分布が第一最大深さを有し、且つ前記低いエネルギー範囲において前記特定深さ分布が第一深さを有することを引き起こし、前記第一及び第二レーザービームは、前記加工物の平面に直交する。

上述の目的を達成するために、本発明に係るレーザー加工方法は、第一網点を形成するための範囲を有する加工物を提供する工程と、特定変化モードを有する第一レーザービームを提供する工程と、前記範囲が特定特性分布を有するように、前記第一レーザービームによって前記加工物に前記第一網点を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。

上記工程の本発明に係るレーザー加工方法において、前記特定変化モードは、前記第一レーザービームの、特定走査速度分布、特定密度分布及び特定エネルギーからなる群から少なくとも一つが選ばれ、前記特定特性分布は、特定深さ分布及び特定密度分布を含み、前記特定深さ分布は、対称の深さ分布又は非対称の深さ分布である。

上述の目的を達成するために、本発明に係るレーザー加工物は、レーザー加工物に形成される網点と、範囲と、前記範囲に形成される第一表面と、前記範囲に形成される第二表面と、を含み、前記第一表面の平均曲率が前記第二表面の平均曲率より大きい、ことを特徴とする。

上記構成の本発明に係るレーザー加工物において、前記範囲は、対称の導光指向性又は非対称の導光指向性を有する。

本願明細書に記載された技術の他の態様及び利点は、以下の図面、発明の詳細説明及び特許請求範囲に見ることができる。

本発明は、簡単且つ経済的であり、レーザー加工方法に基づいて、網点に対し、設計の多様性と柔軟性を提供しながら、バックライトの明るさと均一性を強化することができる。

従来の液晶ディスプレイの概要図である。 従来の皺だらけの網点パターンの概要図である。 従来のレーザー加工システムを示す図である。 本発明の第一実施態様に係るレーザー加工システムを示す図である。 本発明の第一実施態様に係るレーザー加工方法を示すフローチャートである。 本発明の第一実施態様に係る第一網点及び第二網点を示す縦断面図である。 本発明の第一実施態様に係る導光板を示す上面図である。 本発明の第二実施態様に係るレーザー加工システム５０を示す概要図である。 本発明の第二実施態様に係るレーザー加工方法を示すフローチャートである。 本発明の第二実施態様に係る第一網点及び第二網点を示す縦断面図である。 本発明の第二実施態様に係る導光板を示す上面図である。 本発明の第三実施態様に係るレーザー加工システムを示す概要図である。 本発明の第三実施態様に係るレーザー加工方法を示すフローチャートである。 本発明の第三実施態様に係る異なるサイズの孔を示す概要図である。 本発明の第三実施態様に係る第一網点及び第二網点を示す縦断面図である。 本発明の第三実施態様に係る導光板を示す上面図である。 本発明の実施態様に係るレーザー加工方法を示すフローチャートである。 本発明の実施態様に係るレーザー加工方法により形成されたレーザー加工物を示す図である。

以下のように、本発明を実施例に基づいて詳述するが、あくまでも例示であって、本発明の範囲はこれらの実施形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲に記載されており、さらに特許請求の範囲の記載と均等な意味及び範囲内での全ての変更を含んでいる。

図２（ａ）は、本発明の第一実施態様に係るレーザー加工システム４０を示す図である。レーザー加工システム４０は、レーザー加工装置４１及び基板４２を含む。レーザー加工装置４１は、ステージユニット４３、ビーム走査ユニット４４、レーザーモジュール４５及び制御ユニット４６を含む。図２（ａ）において、加工ユニット４７は、レーザーモジュール４５及び位置決めユニット４８を含む。位置決めユニット４８は、ステージユニット４３及びビーム走査ユニット４４を含む。基板４２は、第一局所ＲＧ１を含む。基板４２は、少なくとも第二局所ＲＧ２を更に含んでも良い。

レーザー加工装置４１は、第一局所ＲＧ１に第一網点４２１を形成し、少なくとも第二局所ＲＧ２に少なくとも第二網点４２２を形成しても良い。第一網点４２１と少なくとも第二網点４２２は、導光板（図示しない）を形成できる。例えば、第一局所ＲＧ１は、ただ第一網点４２１だけを有し、第二局所ＲＧ２は、ただ第二網点４２２だけを有する。縦の断面から見れば、第一網点４２１と第二網点４２２は、形状が非対称であり、第一深さＤＡ３及び第二深さＤＡ４をそれぞれ有する。導光板が採用されたバックライトモジュール（図示されない）を均一の面光源を出せるために、第一深さＤＡ３と第二深さＤＡ４は異なる。第一局所ＲＧ１は、第一位置ＰＳ３１及び第二位置ＰＳ３２を含み、第二局所ＲＧ２は、第三位置ＰＳ４１及び第四位置ＰＳ４２を含む。

制御ユニット４６は、第一局所ＲＧ１及び第二局所ＲＧ２に基づいて、第一加工パラメーターＢ２１と第二加工パラメーターＢ２２を設け、加工パラメーターＢ２１とＢ２２のそれぞれに基づいて、レーザービームＬＵ３とＬＵ４を提供して第一網点４２１と第二網点４２２を形成する。第一加工パラメーターＢ２１は、所定深さＤ３１、レーザーエネルギーパラメーターＵ２１、所定第一位置Ｐ３１、所定第二位置Ｐ３２及び所定走査速度分布ＳＤ３を含む。所定走査速度分布ＳＤ３は、所定低い走査速度ＳＤ３１及び所定高い走査速度ＳＤ３２を含む。第二加工パラメーターＢ２２は、所定深さＤ４１、レーザーエネルギーパラメーターＵ２２、所定第三位置Ｐ４１、所定第四位置Ｐ４２及び所定走査速度分布ＳＤ４を含む。所定走査速度分布ＳＤ４は、所定低い走査速度ＳＤ４１及び所定高い走査速度ＳＤ４２を含む。第一網点４２１は、深さＤＡ３を有し、第二網点４２２は、深さＤＡ４を有する。第一加工パラメーターＢ２１の所定深さＤ３１及び第二加工パラメーターＢ２２の所定深さＤ４１が等しいように設けることにより、レーザーエネルギーパラメーターＵ２１及びレーザーエネルギーパラメーターＵ２２は等しいように設ける。又、レーザーエネルギーパラメーターＵ２１とＵ２２を利用することで、網点４２１の深さＤＡ３及び網点４２２の深さＤＡ４のそれぞれを所定深さＤ３１、Ｄ４２に合わせる。もう一つの実施態様において、第一加工パラメーターＢ２１の所定深さＤ３１及び第二加工パラメーターＢ２２の所定深さＤ４１は、等しくないように設けてもいい。

図２（ａ）において、レーザーエネルギーパラメーターＵ２１は、設計パルス仕事率Ｒ３１、設計パルス周波数ｆ３１及び設計加工時間Ｑ３１を含む。レーザーエネルギーパラメーターＵ２２は、設計パルス仕事率Ｒ４１、設計パルス周波数ｆ４１及び設計加工時間Ｑ４１を含む。一つの実施態様において、所定深さＤ３１と所定深さＤ４１が等しいように設けられると、設計パルス仕事率Ｒ３１、設計パルス周波数ｆ３１及び設計加工時間Ｑ３１のそれぞれは、設計パルス仕事率Ｒ４１、設計パルス周波数ｆ４１及び設計加工時間Ｑ４１のそれぞれと等しいように設けられる。一つの実施態様において、第一レーザービームＬＵ３が第一網点４２１を形成した後、第二レーザービームＬＵ４が第二網点４２２を形成する。もう一つの実施態様において、第一レーザービームＬＵ３及び第二レーザービームＬＵ４は、同時に第一網点４２１及び第二網点４２２をそれぞれ形成する。一つの実施態様において、第一レーザービームＬＵ３及び第二レーザービームＬＵ４の走査速度は、先に所定低い走査速度ＳＤ３１、ＳＤ４１を使用し、次に所定高い走査速度ＳＤ３２、ＳＤ４２を使用する、或いは、先に所定高い走査速度ＳＤ３２、ＳＤ４２を使用し、次に所定低い走査速度ＳＤ３１、ＳＤ４１を使用する。所定低い走査速度ＳＤ３１、ＳＤ４１は、等しい又は等しくないように設けられる。所定高い走査速度ＳＤ３２、ＳＤ４２は、等しい又は等しくないように設けられる。

加工ユニット４７は、制御信号Ａ２に応じて、第一レーザービームＬＵ３、第二レーザービームＬＵ４を提供することで、第一網点４２１及び第二網点４２２をそれぞれ形成する。制御ユニット４６は、第一位置ＰＳ３１と第二位置ＰＳ３２に基づいて、第一加工パラメーターＢ２１とＢ２２を設け、加工パラメーターＢ２１とＢ２２に基づいて、制御信号Ａ２が生成する。制御信号Ａ２は、レーザーエネルギー制御信号Ｓ３及び移動制御信号Ｓ４を含む。レーザーエネルギー制御信号Ｓ３は、レベル信号Ｓ３１及びパルス信号Ｓ３２を含む。移動制御信号Ｓ４は、所定第一位置Ｐ３１、所定第二位置Ｐ３２、所定第三位置Ｐ４１及び所定第四位置Ｐ４２に関連し、位置制御信号Ｓ４１、位置制御信号Ｓ４２及び速度制御信号Ｓ４３を含む。速度制御信号Ｓ４３は、第一レーザービームＬＵ３及び／又は第二レーザービームＬＵ４の走査速度を制御できる。

レーザーモジュール４５は、レーザーエネルギー制御信号Ｓ３に基づいて、第一レーザービームＬＡ３と第二レーザービームＬＡ４を発生させる。位置決めユニット４８は、移動制御信号Ｓ４、第一レーザービームＬＡ３及び第二レーザービームＬＡ４のそれぞれに応じて、第一レーザービームＬＵ３と第二レーザービームＬＵ４をそれぞれ提供する。ビーム走査ユニット４４は、位置制御信号Ｓ４１、速度制御信号Ｓ４３、レーザービームＬＡ３及び第二レーザービームＬＡ４に応じて、第一レーザービームＬＵ３と第二レーザービームＬＵ４を提供する。ステージユニット４３は、基板４２を搭載し、位置制御信号Ｓ４２に応じて基板４２を持ち運ぶ。

図２（ｂ）は、本発明の第一実施態様に係るレーザー加工方法を示すフローチャートである。工程Ｓ２０１は、第一局所ＲＧ１を有する加工物を提供する。工程Ｓ２０２は、第一局所ＲＧ１に第一網点４２１を形成するように、第一局所ＲＧ１に第一レーザービームＬＵ３を照射する。第一レーザービームＬＵ３は、第一網点４２１が特定深さ分布を有するように、第一局所ＲＧ１における特定走査速度分布を有している。前記加工物は、金型、鋳巣、及び導光板から一つを選ぶものである。例えば、第一局所ＲＧ１には、第一網点４２１があっても良い。本発明の第一実施態様において、第一レーザービームＬＵ３又は第二レーザービームＬＵ４は、一秒当たりの出力が固定であり、前記加工物の平面ＳＦ１に直交する。例えば、第一レーザービームＬＵ３は、第一期間で第一局所ＲＧ１に照射して第一網点４２１を形成する。又、前記第一期間において、レーザーエネルギー制御信号Ｓ３が保持され、移動制御信号Ｓ４が前記特定走査速度分布を形成させる。

第一レーザービームＬＵ３と第二レーザービームＬＵ４により順次加工すると、レーザー加工方法は以下の工程を含む。第一レーザービームＬＵ３を第一位置ＰＳ３１に照射する。低速から高速まで第一レーザービームＬＵ３を第二位置ＰＳ３２に移動する。第二レーザービームＬＵ４を第三位置ＰＳ４１に照射する。低速から高速で第二レーザービームＬＵ４を第四位置ＰＳ４２に移動する。第二網点４２２の形成が完成するように、第二レーザービームＬＵ４を止める。例えば、第二局所ＲＧ２には、第二網点４２２があっても良い。

図２（ｃ）は、本発明の第一実施態様に係る第一網点４２１及び第二網点４２２を示す縦断面図である。本発明の一つの好ましい実施態様においては、縦の断面から見れば、第一網点４２１と第二網点４２２は、同じ形状であり、それぞれの網点は、深さの極値がある位置に対し、縦の断面の両側が非対称である。第一局所ＲＧ１は、低速走査範囲ＲＧ１１及び高速走査範囲ＲＧ１２を含み、第二局所ＲＧ２は、低速走査範囲ＲＧ２１及び高速走査範囲ＲＧ２２を含む。前記特定走査速度分布は、第一走査速度及び第二走査速度を含んでもよい。第一レーザービームＬＵ３は、前記第一走査速度で低速走査範囲ＲＧ１１に加工し、前記第一走査速度より大きい前記第二走査速度で高速走査範囲ＲＧ１２に加工する。第一レーザービームＬＵ３は、低速走査範囲ＲＧ１１において前記特定深さ分布が第一最大深さを有し、且つ高速走査範囲ＲＧ１２において前記特定深さ分布が第三深さＤＡ３１を有することを引き起こす。前記第一最大深さは、第三深さＤＡ３１よりも大きい。第一深さＤＡ３は、第一レーザービームＬＵ３によって低速走査範囲ＲＧ１１に引き起こす最大深さに等しい。第二レーザービームＬＵ４が低速走査範囲ＲＧ２１において引き起こす最大深さは、高速走査範囲ＲＧ２２において引き起こす深さよりも大きい。第二深さＤＡ４は、第二レーザービームＬＵ４によって低速走査範囲ＲＧ２１に引き起こす最大深さに等しい。本発明のもう一つの好ましい実施態様においては、縦の断面から見れば、第一網点４２１と第二網点４２２は、同じ形状且つ非対称であってもよく、網点設計の必要に応じて走査速度を決定してもよい。

本発明のもう一つの好ましい実施態様においては、第一実施態様のレーザー加工方法により、前記加工物が少なくとも一つの第三網点を有し、前記第三網点は、縦の断面が対称である。

図２（ｄ）は、本発明の第一実施態様に係る導光板４９を示す上面図である。導光板４９は、第一網点４２１、第二網点４２２並びに少なくとも網点４２３、４２４及び４２５を含む。第一位置ＰＳ３１と第二位置ＰＳ３２との相対関係は任意に変更でき、第三位置ＰＳ４１と第四位置ＰＳ４２との相対関係も任意に変更でき、即ち、位置ＰＳ３１、ＰＳ４１が位置ＰＳ３２、ＰＳ４２に指向する方向を変更できる。又、位置ＰＳ３１が位置ＰＳ３２に指向する方向と位置ＰＳ４１が位置ＰＳ４２に指向する方向とは同じにしてもよく（例えば網点４２１の指向ＤＩＲ及び網点４２２の指向ＤＩＲ）、同じにしなくてもよい（例えば網点４２３、４２４及び４２５の指向ＤＩＲ）。これらは、光学シミュレーションの結果に応じて設計し、または導光板４９に対する光学均一性の実測値に基づいて適切な修正を行う。

本発明の第一実施態様においては、例えば第一局所ＲＧ１及び第二局所ＲＧ２の最大半径が５０ミクロンである。第一局所ＲＧ１及び第二局所ＲＧ２の最大深さは５ミクロンである。第一局所ＲＧ１と第二局所ＲＧ２との距離は、第一局所ＲＧ１や第二局所ＲＧ２の最大半径に超えることがなく、第一網点４２１や第二網点４２２を形成する平均時間が１ミリ秒である。

図３（ａ）は、本発明の第二実施態様に係るレーザー加工システム５０を示す概要図である。レーザー加工システム５０と上記したレーザー加工システム４０とは、加工パラメーター及び加工方法以外にほぼ同じである。レーザー加工システム５０は、レーザー加工装置５１及び基板５２を含む。レーザー加工装置５１は、ステージユニット５３、ビーム走査ユニット５４、レーザーモジュール５５及び制御ユニット５６を含む。図３（ａ）において、加工ユニット５７は、レーザーモジュール５５及び位置決めユニット５８を含む。位置決めユニット５８は、ステージユニット５３及びビーム走査ユニット５４を含む。基板５２は、少なくとも第一局所ＲＧ３及び第二局所ＲＧ４を更に含む。

レーザー加工装置５１は、第一局所ＲＧ３及び少なくとも第二局所ＲＧ４のそれぞれに第一網点５２１及び少なくとも第二網点５２２を形成するためのものである。第一網点５２１及び少なくとも第二網点５２２は、導光板（図示しない）を形成するためのものである。縦の断面から見れば、第一網点５２１と第二網点５２２は、形状が非対称であり、第一深さＤＡ５及び第二深さＤＡ６をそれぞれ有する。導光板が採用されたバックライトモジュール（図示されない）を均一の面光源を出せるために、第一深さＤＡ５と第二深さＤＡ６とは等しくない。第一局所ＲＧ３は、第一位置ＰＳ５１及び第二位置ＰＳ５２を含み、第二局所ＲＧ４は、第三位置ＰＳ６１及び第四位置ＰＳ６２を含む。

制御ユニット５６は、第一局所ＲＧ３及び第二局所ＲＧ４に基づいて、第一加工パラメーターＢ３１と第二加工パラメーターＢ３２を設け、加工パラメーターＢ３１とＢ３２のそれぞれに基づいて、レーザービームＬＵ５とＬＵ６を提供して第一網点５２１と第二網点５２２を形成する。第一加工パラメーターＢ３１は、所定深さＤ５１、レーザーエネルギーパラメーターＵ３１、所定第一位置Ｐ５１、所定第二位置Ｐ５２、所定走査速度分布ＳＤ５、及び所定密度分布ＤＴ５を含む。第二加工パラメーターＢ３２は、所定深さＤ６１、レーザーエネルギーパラメーターＵ３２、所定第三位置Ｐ６１、所定第四位置Ｐ６２、所定走査速度分布ＳＤ６及び所定密度分布ＤＴ６を含む。第一網点５２１と第二網点５２２のそれぞれは、深さＤＡ５、深さＤＡ６を有する。第一加工パラメーターＢ３１の所定深さＤ５１及び第二加工パラメーターＢ３２の所定深さＤ６１が等しいように設けることにより、レーザーエネルギーパラメーターＵ３１及びレーザーエネルギーパラメーターＵ３２は等しいように設ける。又、レーザーエネルギーパラメーターＵ３１とＵ３２を利用することで、第一網点５２１の深さＤＡ５及び第二網点５２２の深さＤＡ６のそれぞれを所定深さＤ５１、Ｄ６１に合わせる。

図３（ａ）において、レーザーエネルギーパラメーターＵ３１は、設計パルス仕事率Ｒ５１、設計パルス周波数ｆ５１及び設計加工時間Ｑ５１を含む。レーザーエネルギーパラメーターＵ３２は、設計パルス仕事率Ｒ６１、設計パルス周波数ｆ６１及び設計加工時間Ｑ６１を含む。一つの実施態様において、所定深さＤ５１と所定深さＤ６１が等しいように設けられると、設計パルス仕事率Ｒ５１、設計パルス周波数ｆ５１及び設計加工時間Ｑ５１のそれぞれは、設計パルス仕事率Ｒ６１、設計パルス周波数ｆ６１及び設計加工時間Ｑ６１のそれぞれと等しいように設けられる。一つの実施態様において、第一レーザービームＬＵ５が第一網点５２１を形成した後、第二レーザービームＬＵ６が第二網点５２２を形成する。もう一つの実施態様において、第一レーザービームＬＵ５及び第二レーザービームＬＵ６は、同時に第一網点５２１及び第二網点５２２をそれぞれ形成する。一つの実施態様において、第一レーザービームＬＵ５の所定密度分布ＤＴ５及び第二レーザービームＬＵ６の所定密度分布ＤＴ６は、緊密から希薄になること又は希薄から緊密になることを設定できる。所定密度分布ＤＴ５、ＤＴ６は、等しい又は等しくないように設けられる。

本発明の好ましい実施態様においては、第一レーザービームＬＵ５又は第二レーザービームＬＵ６の走査速度が低速から高速になると、レーザーエネルギーパラメーターＵ３１とＵ３２とは等しいように設けられる。本発明のもう一つの好ましい実施態様においては、第一レーザービームＬＵ５又は第二レーザービームＬＵ６の走査速度が固定になると、レーザーエネルギーパラメーターＵ３１とＵ３２とは等しい又は等しくないように設けられる。

加工ユニット５７は、制御信号Ａ３に応じて、第一レーザービームＬＵ５、第二レーザービームＬＵ６を提供することで、第一網点５２１及び第二網点５２２をそれぞれ形成する。制御ユニット５６は、第一位置ＰＳ５１と第二位置ＰＳ５２に基づいて、第一加工パラメーターＢ３１を設け、第三位置ＰＳ６１と第四位置ＰＳ６２に基づいて、第二加工パラメーターＢ３２を設け、第一加工パラメーターＢ３１と第二加工パラメーターＢ３２に基づいて、制御信号Ａ３が生成する。制御信号Ａ３は、レーザーエネルギー制御信号Ｓ５及び移動制御信号Ｓ６を含む。レーザーエネルギー制御信号Ｓ５は、レベル信号Ｓ５１及びパルス信号Ｓ５２を含む。移動制御信号Ｓ６は、所定第一位置Ｐ５１、所定第二位置Ｐ５２、所定第三位置Ｐ６１及び所定第四位置Ｐ６２に関連し、位置制御信号Ｓ６１、位置制御信号Ｓ６２及び速度制御信号Ｓ６３を含む。速度制御信号Ｓ６３は、第一レーザービームＬＵ５及び／又は第二レーザービームＬＵ６の走査速度を制御できる。

レーザーモジュール５５は、レーザーエネルギー制御信号Ｓ５に基づいて、第一レーザービームＬＡ５と第二レーザービームＬＡ６を発生させる。位置決めユニット５８は、移動制御信号Ｓ６、第一レーザービームＬＡ５及び第二レーザービームＬＡ６のそれぞれに応じて、第一レーザービームＬＵ５と第二レーザービームＬＵ６をそれぞれ提供する。ビーム走査ユニット５４は、位置制御信号Ｓ６１、速度制御信号Ｓ６３、レーザービームＬＡ５及び第二レーザービームＬＡ６に応じて、第一レーザービームＬＵ５と第二レーザービームＬＵ６を提供する。ステージユニット５３は、基板５２を搭載し、位置制御信号Ｓ５２に応じて基板５２を持ち運ぶ。

図３（ｂ）は、本発明の第二実施態様に係るレーザー加工方法を示すフローチャートである。工程Ｓ３０１は、第一局所ＲＧ３を有する加工物を提供する。工程Ｓ３０２は、第一局所ＲＧ３に第一網点５２１を形成するように、第一局所ＲＧ３に第一レーザービームＬＵ５を照射する。第一レーザービームＬＵ５は、第一網点５２１が特定深さ分布を有するように、第一局所ＲＧ３における第一特定密度分布を有している。前記加工物は基板５２であり、又は金型、鋳巣、及び導光板から一つを選ぶものである。本発明の第二実施態様において、第一レーザービームＬＵ５又は第二レーザービームＬＵ６は、一秒当たりの出力が固定であり、前記加工物の平面ＳＦ２に直交する。

第二レーザービームＬＵ６は、第二特定密度分布を有している。第一レーザービームＬＵ５及び第二レーザービームＬＵ６が加工を順次行い、以下のような工程を示す。第一レーザービームＬＵ５を第一位置ＰＳ５１に照射する工程と、第一レーザービームＬＵ５を第二位置ＰＳ５２に移動すると共に、第一レーザービームＬＵ５が照射する第一局所ＲＧ３における前記第一特定密度分布が緊密から希薄になる工程と、第一網点５２１の形成が完成するように、第一レーザービームＬＵ５を止める工程と、第二レーザービームＬＵ６を第三位置ＰＳ６１に照射する工程と、第二レーザービームＬＵ６を第四位置ＰＳ６２に移動すると共に、第二レーザービームＬＵ６が照射する第二局所ＲＧ４における第二特定密度分布が緊密から希薄になる工程と、第二網点５２２の形成が完成するように、第二レーザービームＬＵ６を止める工程と、を含む。

図３（ｃ）は、本発明の第二実施態様に係る第一網点５２１及び第二網点５２２を示す縦断面図である。本発明の一つの好ましい実施態様においては、縦の断面から見れば、第一網点５２１と第二網点５２２は、同じ形状であり、それぞれの網点は、深さの極値がある位置に対し、縦の断面の両側が非対称である。第一局所ＲＧ３は、高い密度分布範囲ＲＧ３１及び低い密度分布範囲ＲＧ３２を含み、第二局所ＲＧ４は、高い密度分布範囲ＲＧ４１及び低い密度分布範囲ＲＧ４２を含む。前記第一特定密度分布は、第一インパルス密度ＬＰＤ１、ＬＰＤ３及び第二インパルス密度ＬＰＤ２、ＬＰＤ４を含んでもよい。図３（ｃ）に示すように、第一レーザービームＬＵ５は、第一インパルス密度ＬＰＤ１で高い密度分布範囲ＲＧ３１に加工し、第二インパルス密度ＬＰＤ２で低い密度分布範囲ＲＧ３２に加工する。第一インパルス密度ＬＰＤ１は、第二インパルス密度ＬＰＤ２より大きい。第一レーザービームＬＵ５が高い密度分布範囲ＲＧ３１に形成するレーザーインパルスＬＰ１の第一インパルス密度ＬＰＤ１は、低い密度分布範囲ＲＧ３２に形成するレーザーインパルスＬＰ２の第二インパルス密度ＬＰＤ２よりも大きい。第二レーザービームＬＵ６が高い密度分布範囲ＲＧ４１に形成するレーザーインパルスＬＰ３の第一インパルス密度ＬＰＤ３は、低い密度分布範囲ＲＧ４２に形成するレーザーインパルスＬＰ４の第二インパルス密度ＬＰＤ４よりも大きい。

第一レーザービームＬＵ５は、高い密度分布範囲ＲＧ３１において前記特定深さ分布が第二最大深さを有し、且つ低い密度分布範囲ＲＧ３２において前記特定深さ分布が第三深さＤＡ５１を有することを引き起こす。前記第二最大深さは、第三深さＤＡ５１よりも大きい。第一深さＤＡ５は、第一レーザービームＬＵ５によって高い密度分布範囲ＲＧ３１に引き起こす第二最大深さに等しい。第二レーザービームＬＵ６が高い密度分布範囲ＲＧ４１において引き起こす最大深さは、低い密度分布範囲ＲＧ４２において引き起こす深さよりも大きい。第二深さＤＡ６は、第二レーザービームＬＵ６によって高い密度分布範囲ＲＧ４１に引き起こす最大深さに等しい。本発明のもう一つの好ましい実施態様においては、縦の断面から見れば、第一網点５２１と第二網点５２２は、異なる形状且つ非対称であってもよく、網点設計の必要に応じて決定してもよい。

本発明のもう一つの好ましい実施態様においては、第二実施態様のレーザー加工方法により、前記加工物が少なくとも一つの第三網点を有し、前記第三網点は、縦の断面が対称である。

図３（ｄ）は、本発明の第二実施態様に係る導光板５９を示す上面図である。導光板５９は、第一網点５２１、第二網点５２２並びに少なくとも網点５２３、５２４及び５２５を含む。図３（ａ）及び図３（ｄ）によると、第一位置ＰＳ５１と第二位置ＰＳ５２との相対関係は任意に変更でき、第三位置ＰＳ６１と第四位置ＰＳ６２との相対関係も任意に変更でき、即ち、位置ＰＳ５１、ＰＳ６１が位置ＰＳ５２、ＰＳ６２に指向する方向を変更できる。又、位置ＰＳ５１が位置ＰＳ５２に指向する方向と位置ＰＳ６１が位置ＰＳ６２に指向する方向とは同じにしてもよく（例えば網点５２１の指向ＤＩＲ及び網点５２２の指向ＤＩＲ）、同じにしなくてもよい（例えば網点５２３、５２４及び５２５の指向ＤＩＲ）。これらは、光学シミュレーションの結果に応じて設計し、または導光板５９に対する光学均一性の実測値に基づいて適切な修正を行う。

コリメータ（図示せず）は、高いアスペクト比の特徴に対する適用範囲の均一性を向上させるために（及び他の理由のために）、高いアスペクト比の特徴を有する基板をスパッタリングする時に使用することができる。いくつかのスパッタリング装置は、必要に応じて、スパッタリングチャンバにコリメータを出入する性能を有している。

本発明の第二実施態様においては、例えば第一局所ＲＧ３及び第二局所ＲＧ４の最大半径が５０ミクロンである。第一局所ＲＧ３及び第二局所ＲＧ４の第二最大深さは５ミクロンである。第一局所ＲＧ３と第二局所ＲＧ４との距離は、第一局所ＲＧ３や第二局所ＲＧ４の最大半径に超えることがなく、第一網点５２１や第二網点５２２を形成する平均時間が１ミリ秒である。

図４（ａ）は、本発明の第三実施態様に係るレーザー加工システム６０を示す概要図である。レーザー加工システム６０と上記したレーザー加工システム４０、５０との相違点は、レーザービームを異なる網点に照射する時、レーザー仕事率も異なる。レーザー加工システム６０は、レーザー加工装置６１及び基板６２を含む。レーザー加工装置６１は、ステージユニット６３、ビーム走査ユニット６４、レーザーモジュール６５及び制御ユニット６６を含む。図４（ａ）において、加工ユニット６７は、レーザーモジュール６５及び位置決めユニット６８を含む。位置決めユニット６８は、ステージユニット６３及びビーム走査ユニット６４を含む。基板６２は、少なくとも第一局所ＲＧ５及び第二局所ＲＧ６を更に含む。

レーザー加工装置６１は、第一局所ＲＧ５及び少なくとも第二局所ＲＧ４のそれぞれに第一網点６２１及び少なくとも第二網点６２２を形成するためのものである。第一網点６２１及び少なくとも第二網点６２２は、導光板（図示しない）を形成するためのものである。縦の断面から見れば、第一網点６２１と第二網点６２２は、形状が非対称であり、第一深さＤＡ７及び第二深さＤＡ８をそれぞれ有する。導光板が採用されたバックライトモジュール（図示されない）を均一の面光源を出せるために、第一深さＤＡ７と第二深さＤＡ８とは等しくない。第一局所ＲＧ５は、第一位置ＰＳ７１及び第二位置ＰＳ７２を含み、第二局所ＲＧ６は、第三位置ＰＳ８１及び第四位置ＰＳ８２を含む。

制御ユニット６６は、第一局所ＲＧ５及び第二局所ＲＧ６に基づいて、第一加工パラメーターＢ４１と第二加工パラメーターＢ４２を設け、加工パラメーターＢ４１とＢ４２のそれぞれに基づいて、レーザービームＬＵ７とＬＵ８を提供して第一網点６２１と第二網点６２２を形成する。第一加工パラメーターＢ４１は、所定深さＤ７１、レーザーエネルギーパラメーターＵ４１、所定走査速度分布ＳＤ７、所定第一位置Ｐ７１及び所定第二位置Ｐ７２を含む。所定走査速度分布ＳＤ７は、所定低い走査速度ＳＤ７１及び所定高い走査速度ＳＤ７２を含む。第二加工パラメーターＢ４２は、所定深さＤ８１、レーザーエネルギーパラメーターＵ４２、所定走査速度分布ＳＤ８、所定第一位置Ｐ８１及び所定第二位置Ｐ８２を含む。所定走査速度分布ＳＤ８は、所定低い走査速度ＳＤ８１及び所定高い走査速度ＳＤ８２を含む。第一網点６２１は、深さＤＡ７を有し、第二網点６２２は、深さＤＡ８を有する。第一加工パラメーターＢ４１のレーザーエネルギーパラメーターＵ４１及び第二加工パラメーターＢ４２のレーザーエネルギーパラメーターＵ４２は等しくないように設けられる。レーザーエネルギーパラメーターＵ４１は、設計パルス仕事率Ｒ７１、設計パルス周波数ｆ７１及び設計加工時間Ｑ７１を含む。レーザーエネルギーパラメーターＵ４２は、設計パルス仕事率Ｒ８１、設計パルス周波数ｆ８１及び設計加工時間Ｑ８１を含む。

一つの実施態様において、第一レーザービームＬＵ７が第一網点６２１を形成した後、第二レーザービームＬＵ８が第二網点６２２を形成する。もう一つの実施態様において、第一レーザービームＬＵ７及び第二レーザービームＬＵ８は、同時に第一網点６２１及び第二網点６２２をそれぞれ形成する。一つの実施態様において、第一レーザービームＬＵ７の設計パルス仕事率Ｒ７１及び第二レーザービームＬＵ８の設計パルス仕事率Ｒ８１は等しくないように設けられる。

加工ユニット６７は、制御信号Ａ４に応じて、第一レーザービームＬＵ７及び第二レーザービームＬＵ８を提供することで、第一網点６２１及び第二網点６２２をそれぞれ形成する。制御ユニット６６は、第一位置ＰＳ７１と第二位置ＰＳ７２に基づいて、第一加工パラメーターＢ４１を設け、第三位置ＰＳ８１と第四位置ＰＳ８２に基づいて、第一加工パラメーターＢ４２を設け、第一加工パラメーターＢ４１と第二加工パラメーターＢ４２に基づいて、制御信号Ａ４が生成する。制御信号Ａ４は、レーザーエネルギー制御信号Ｓ７及び移動制御信号Ｓ８を含む。レーザーエネルギー制御信号Ｓ７は、レベル信号Ｓ７１及びパルス信号Ｓ７２を含む。移動制御信号Ｓ８は、所定第一位置Ｐ７１、所定第二位置Ｐ７２、所定第三位置Ｐ８１及び所定第四位置Ｐ８２に関連し、位置制御信号Ｓ８１、位置制御信号Ｓ８２及び速度制御信号Ｓ８３を含む。速度制御信号Ｓ８３は、第一レーザービームＬＵ７及び／又は第二レーザービームＬＵ８の走査速度を制御できる。

レーザーモジュール６５は、レーザーエネルギー制御信号Ｓ７に基づいて、第一レーザービームＬＡ７と第二レーザービームＬＡ８を発生させる。位置決めユニット６８は、移動制御信号Ｓ８、第一レーザービームＬＡ７及び第二レーザービームＬＡ８のそれぞれに応じて、第一レーザービームＬＵ７と第二レーザービームＬＵ８をそれぞれ提供する。ビーム走査ユニット６４は、位置制御信号Ｓ８１、速度制御信号Ｓ８３、レーザービームＬＡ７及び第二レーザービームＬＡ８に応じて、第一レーザービームＬＵ７と第二レーザービームＬＵ８を提供する。ステージユニット６３は、基板６２を搭載し、位置制御信号Ｓ６２に応じて基板６２を持ち運ぶ。

図４（ｂ）は、本発明の第三実施態様に係るレーザー加工方法を示すフローチャートである。工程Ｓ４０１は、第一局所ＲＧ５を有する加工物を提供する。工程Ｓ４０２は、第一局所ＲＧ５に第一網点６２１を形成するように、第一局所ＲＧ５に第一レーザービームＬＵ７を照射する。第一レーザービームＬＵ７は、第一網点６２１が第一孔径及び第一特定深さ分布を有するように、第一局所ＲＧ５における第一特定エネルギー及び第一特定走査速度分布を有している。前記加工物は基板６２であり、又は金型、鋳巣、及び導光板から一つを選ぶものである。本発明の第三実施態様において、第一レーザービームＬＵ７又は第二レーザービームＬＵ８は、一秒当たりの出力が異なり、前記加工物の平面ＳＦ３に直交する。即ち、加工期間においては、設計パルス仕事率Ｒ７１及び設計パルス仕事率Ｒ８１が異なる。

図４（ｃ）は、本発明の第三実施態様に係る異なるサイズの孔を示す概要図である。第一レーザービームＬＵ７は、設計パルス仕事率Ｒ７１で第一位置ＰＳ７１に加工すると、第一孔径ＨＳ１を有する孔Ｈ１を基板６２に形成する。第二レーザービームＬＵ８は、設計パルス仕事率Ｒ８１で第三位置ＰＳ８１に加工すると、第二孔径ＨＳ２を有する孔Ｈ２を基板６２に形成する。本発明の第三実施態様においては、設計パルス仕事率Ｒ７１が設計パルス仕事率Ｒ８１より大きいため、第一孔径ＨＳ１が第二孔径ＨＳ２より大きくなり、孔Ｈ１の深さの極値も孔Ｈ２のより大きくなる。

第二レーザービームＬＵ８は、第二局所ＲＧ６における第二特定エネルギー及び第二特定走査速度分布を有している。第一レーザービームＬＵ７及び第二レーザービームＬＵ８が加工を順次行い、以下のような工程を示す。第一孔径ＨＳ１を有する孔Ｈ１を形成するように、第一レーザービームＬＵ７を第一位置ＰＳ７１に照射する。低速から高速まで第一レーザービームＬＵ７を第一位置ＰＳ７１から第二位置ＰＳ７２に移動すると共に、第一レーザービームＬＵ７が第一特定エネルギーで照射する。第一網点６２１の形成が完成するように、第一レーザービームＬＵ７を止める。第二孔径ＨＳ２を有する孔Ｈ２を形成するように、第二レーザービームＬＵ８を第三位置ＰＳ８１に照射する。低速から高速まで第二レーザービームＬＵ８を第三位置ＰＳ８１から第四位置ＰＳ８２に移動すると共に、第二レーザービームＬＵ８が第二特定エネルギーで照射する。第二網点６２２の形成が完成するように、第二レーザービームＬＵ８を止める。

図４（ｄ）は、本発明の第三実施態様に係る第一網点６２１及び第二網点６２２を示す縦断面図である。本発明の一つの好ましい実施態様においては、縦の断面から見れば、第一網点６２１と第二網点６２２は、異なる形状であり、それぞれの網点は、深さの極値がある位置に対し、縦の断面の両側が非対称である。第一局所ＲＧ５は、高いエネルギー範囲ＲＧ５１及び低いエネルギー範囲ＲＧ５２を含み、第一局所ＲＧ６は、高いエネルギー範囲ＲＧ６１及び低いエネルギー範囲ＲＧ６２を含む。

図４（ｄ）に示すように、第一レーザービームＬＵ７は、第一特定エネルギーで第一網点６２１を加工すると共に、所定低い走査速度ＳＤ７１で高いエネルギー範囲ＲＧ５１に加工し、所定高い走査速度ＳＤ７２で低いエネルギー範囲ＲＧ５２に加工する。第二レーザービームＬＵ８は、第二特定エネルギーで第二網点６２２を加工すると共に、所定低い走査速度ＳＤ８１で高いエネルギー範囲ＲＧ６１に加工し、所定高い走査速度ＳＤ７２で低いエネルギー範囲ＲＧ６２に加工する。第一レーザービームＬＵ７は、高いエネルギー範囲ＲＧ５１において前記特定深さ分布が第三最大深さを有し、且つ低いエネルギー範囲ＲＧ６２において前記特定深さ分布が第三深さＤＡ７１を有することを引き起こす。前記第三最大深さは、第三深さＤＡ７１よりも大きい。第一深さＤＡ７は、第一レーザービームＬＵ７によって高いエネルギー範囲ＲＧ５１に引き起こす第三最大深さに等しい。第二レーザービームＬＵ８が高いエネルギー範囲ＲＧ６１において引き起こす最大深さＤＡ８は、低いエネルギー範囲ＲＧ６２において引き起こす深さよりも大きい。図４（ｄ）に示すように、第一深さＤＡ７は、第二深さＤＡ８より大きく、第一孔径ＨＳ１は、第二孔径ＨＳ２より大きい。本発明のもう一つの好ましい実施態様においては、縦の断面から見れば、第一網点６２１と第二網点６２２は、異なる形状且つ非対称であってもよく、網点設計の必要に応じて決定してもよい。

本発明のもう一つの好ましい実施態様においては、第三実施態様のレーザー加工方法により、前記加工物が少なくとも一つの第三網点を有し、前記第三網点は、縦の断面が対称である。

図４（ｅ）は、本発明の第三実施態様に係る導光板６８を示す上面図である。導光板６８は、第一網点６２１、第二網点６２２並びに少なくとも網点６２３、６２４及び６２５を含む。図４（ａ）及び図４（ｅ）によると、第一位置ＰＳ７１と第二位置ＰＳ７２との相対関係は任意に変更でき、第三位置ＰＳ８１と第四位置ＰＳ８２との相対関係も任意に変更でき、即ち、位置ＰＳ７１、ＰＳ８１のそれぞれが位置ＰＳ７２、ＰＳ８２に指向する方向を変更できる。又、位置ＰＳ７１が位置ＰＳ７２に指向する方向と位置ＰＳ８１が位置ＰＳ８２に指向する方向とは同じにしてもよく（例えば網点６２１の指向ＤＩＲ及び網点６２２の指向ＤＩＲ）、同じにしなくてもよい（例えば網点６２３、６２４及び６２５の指向ＤＩＲ）。これらは、光学シミュレーションの結果に応じて設計し、または導光板６８に対する光学均一性の実測値に基づいて適切な修正を行う。

図５（ａ）は、本発明の実施態様に係るレーザー加工方法を示すフローチャートである。工程Ｓ５０１は、網点を形成するための範囲を有する加工物を提供する。工程Ｓ５０２は、特定変化モードを有する第一レーザービームを提供する。工程Ｓ５０３は、前記範囲が特定特性分布を有するように、前記第一レーザービームによって前記加工物に第一網点を形成する。

前記特定変化モードは、本発明の第一、第二及び第三実施態様に示すように、第一レーザービームの特定走査速度分布、特定密度分布及び特定エネルギーから少なくとも一つを選ぶ。前記特定特性分布は、特定深さ分布及び特定密度分布を含む。

例えば、前記特定変化モードは、第一モード、第二モード及び第三モードから選ばれた少なくとも一つである。前記第一レーザービームは、前記範囲が前記特定特性分布を有するために、特定期間において照射して、前記範囲に前記第一網点を形成する。前記特定期間は、第一サブ期間、第二サブ期間及び第三サブ期間から選ばれた少なくとも一つである。前記第一レーザービームは、第一サブビーム、第二サブビーム及び第三サブビームから選ばれた少なくとも一つである。前記第一サブビーム、前記第二サブビーム及び前記第三サブビームのそれぞれは、前記第一サブ期間、前記第二サブ期間及び前記第三サブ期間に対応する。本発明の第一実施態様の方法により、前記第一サブビームが形成される。本発明の第二実施態様の方法により、前記第二サブビームが形成される。本発明の第三実施態様の方法により、前記第三サブビームが形成される。前記特定密度分布は、例えば前記範囲に前記第一網点だけを有することを表す。前記特定深さ分布は、例えば対称の深さ分布又は非対称の深さ分布である。

前記特定変化モードは、例えば前記第一モードだけを有すると、第一実施態様のように示す。第一レーザービームＬＵ３の特定走査速度分布が速度制御信号Ｓ４３によって制御され、第一走査速度で低速走査範囲ＲＧ１１に加工し、且つ前記第一走査速度より大きい前記第二走査速度で高速走査範囲ＲＧ１２に加工する。前記特定特性分布は、例えば第一レーザービームＬＵ３が低速走査範囲ＲＧ１１において引き起こす最大深さが、第一レーザービームＬＵ３が高速走査範囲ＲＧ１２において引き起こす深さよりも大きい。

前記特定変化モードは、例えば前記第二モードだけを有すると、第二実施態様のように示す。第一レーザービームＬＵ３の特定密度分布は、第一インパルス密度ＬＰＤ１、ＬＰＤ３及び第二インパルス密度ＬＰＤ２、ＬＰＤ４を含む。第一レーザービームＬＵ５は、第一インパルス密度ＬＰＤ１で高い密度分布範囲ＲＧ３１に加工し、且つ第二インパルス密度ＬＰＤ２で低い密度分布範囲ＲＧ３２に加工する。前記特定特性分布は、例えば第一インパルス密度ＬＰＤ１は、第二インパルス密度ＬＰＤ２より大きい。第一レーザービームＬＵ５が高い密度分布範囲ＲＧ３１に形成する最大深さは、第一レーザービームＬＵ５が低い密度分布範囲ＲＧ３２に形成する深さよりも大きい。

前記特定変化モードは、例えば前記第三モードだけを有すると、第三実施態様のように示す。第一レーザービームＬＵ７は、第一特定エネルギーで第一網点６２１を加工すると共に、所定低い走査速度ＳＤ７１で高いエネルギー範囲ＲＧ５１に加工し、所定高い走査速度ＳＤ７２で低いエネルギー範囲ＲＧ５２に加工する。。前記特定特性分布は、例えば第一レーザービームＬＵ７が高いエネルギー範囲ＲＧ５１に形成する最大深さは、第一レーザービームＬＵ７が低いエネルギー範囲ＲＧ５２に形成する深さよりも大きい。

図５（ｂ）は、本発明の実施態様に係るレーザー加工方法により形成されたレーザー加工物７０を示す図である。レーザー加工物７０は、レーザー加工物７０に形成される網点７１を含み、網点７１は、範囲７２、第一表面７３及び第二表面７４を有する。第一表面７３及び第二表面７４は、範囲７２に形成される。第一表面７３の平均曲率が第二表面７４の平均曲率より大きい。網点に対して設計の多様性と柔軟性を提供するために、前記範囲は、異なる平均曲率によって、対称の導光指向性又は非対称の導光指向性を有する。

本発明の実施態様において、レーザー加工物７０は、複数の網点を含み、図２（ｃ）に示すように、網点４２１は、第一表面４２１１における平均曲率が第二表面４２１２のより大きい。網点４２２は、第一表面４２２１における平均曲率が第二表面４２２２のより大きい。同様に、図３（ｃ）において、網点５２１は、第一表面５２１１における平均曲率が第二表面５２１２のより大きい。網点５２２は、第一表面５２２１における平均曲率が第二表面５２２２のより大きい。図４（ｃ）において、網点６２１は、第一表面６２１１における平均曲率が第二表面６２１２のより大きい。網点６２２は、第一表面６２２１における平均曲率が第二表面６２２２のより大きい。

以上の説明によると、当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で、多様な変更及び修正が可能であることが分かる。従って、本発明の技術的な範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず、特許請求の範囲によって定めなければならない。

１０…液晶ディスプレイ、１１…バックライトモジュール、１２…液晶パネル、１３、１４…光、２１、３２…基板、２２、７１、３２１、３２２、４２３、４２４、４２５、５２３、５２４、５２５、６２３、６２４、６２５、１１２０、１１２１…網点、３０、４０、５０、６０…レーザー加工システム、３１、４１、５１、６１…レーザー加工装置、３２、４２、５２、６２…基板、３３、４３、５３、６３…ステージユニット、３４、４４、５４、６４…ビーム走査ユニット、３５、４５、５５、６５…レーザーモジュール、３６、４６、５６、６６…制御ユニット、３７、４７、５７、６７…加工ユニット、３８、４８、５８、６８…位置決めユニット、４９、５９、６８、１１２…導光板、７０…レーザー加工物、７２…範囲、７３、４２１１、４２２１、５２１１、５２２１、６２１１、６２２１…第一表面、７４、４２１２、４２２２、５２１２、５２２２、６２１２、６２２２…第二表面、１１０…光源、１１１…光反射板、１１３…底部反射板、１１４…プリズムシート、４２１、５２１、６２１…第一網点、４２２、５２２、６２２…第二網点、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４…制御信号、Ｂ１１、Ｂ１２、Ｂ２１、Ｂ２２、Ｂ３１、Ｂ３２、Ｂ４１、Ｂ４２…加工パラメーター、ＤＡ１、ＤＡ２、ＤＡ３、ＤＡ４、ＤＡ５、ＤＡ６、ＤＡ７、ＤＡ８、ＤＡ５１、ＤＡ７１、Ｄ１１、Ｄ１２、Ｄ３１、Ｄ４１、Ｄ６１、Ｄ７１、Ｄ８１…深さ、ＤＴ５、ＤＴ６…所定密度分布、ｆ１１、ｆ１２、ｆ３１、ｆ４１、ｆ５１、ｆ６１、ｆ７１、ｆ８１…設計パルス周波数、Ｈ１、Ｈ２…孔、ＨＳ１、ＨＳ２…孔径、ＬＡ１、ＬＡ２、ＬＡ３、ＬＡ４、ＬＡ５、ＬＡ６、ＬＡ７、ＬＡ８、ＬＵ１、ＬＵ２、ＬＵ３、ＬＵ４、ＬＵ５、ＬＵ６、ＬＵ７、ＬＵ８…レーザービーム、ＬＰ１、ＬＰ２、ＬＰ３、ＬＰ４…レーザーインパルス、ＬＰＤ１、ＬＰＤ３…第一インパルス密度、ＬＰＤ２、ＬＰＤ４…第二インパルス密度、ＰＳ１、ＰＳ２…位置点、ＰＳ３１、ＰＳ５１、ＰＳ７１…第一位置、ＰＳ３２、ＰＳ５２、ＰＳ７２…第二位置、ＰＳ４１、ＰＳ６１、ＰＳ８１…第三位置、ＰＳ４２、ＰＳ６２、ＰＳ８２…第四位置、Ｐ３１、Ｐ５１、Ｐ７１…所定第一位置、Ｐ３２、Ｐ５２、Ｐ７２…所定第二位置、Ｐ４１、Ｐ６１、Ｐ８１…所定第三位置、Ｐ４２、Ｐ６２、Ｐ８２…所定第四位置、Ｐ１１、Ｐ１２…座標、Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ３１、Ｑ４１、Ｑ５１、Ｑ６１、Ｑ７１、Ｑ８１…設計加工時間、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ３１、Ｒ４１、Ｒ５１、Ｒ６１、Ｒ７１、Ｒ８１…設計パルス仕事率、ＲＧ１、ＲＧ３、ＲＧ５…第一局所、ＲＧ２、ＲＧ４、ＲＧ６…第二局所、ＲＧ１１、ＲＧ２１…低速走査範囲、ＲＧ１２、ＲＧ２２…高速走査範囲、ＲＧ３１、ＲＧ４１…高い密度分布範囲、ＲＧ３２、ＲＧ４２…低い密度分布範囲、ＲＧ５１、ＲＧ６１…高いエネルギー範囲、ＲＧ５２、ＲＧ６２…低いエネルギー範囲、Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５、Ｓ７…レーザーエネルギー制御信号、Ｓ２、Ｓ４１、Ｓ４２、Ｓ６１、Ｓ６２、Ｓ８１、Ｓ８２…位置制御信号、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ８…移動制御信号、Ｓ１１、Ｓ３１、Ｓ５１、Ｓ７１…レベル信号、Ｓ１２、Ｓ３２、Ｓ５２、Ｓ７２…パルス信号、Ｓ２１、Ｓ２２…信号、Ｓ４３、Ｓ６３、Ｓ８３…速度制御信号、ＳＤ３、ＳＤ４、ＳＤ５、ＳＤ６、ＳＤ７、ＳＤ８…所定走査速度分布、ＳＤ３１、ＳＤ４１、ＳＤ７１…所定低い走査速度、ＳＤ３２、ＳＤ４２、ＳＤ７２…所定高い走査速度、ＳＤ４、ＳＤ５、ＳＤ６…所定走査速度分布、ＳＦ１、ＳＦ２…平面、Ｕ１１、Ｕ１２、Ｕ２１、Ｕ２２、Ｕ３１、Ｕ３２、Ｕ４１、Ｕ４２…レーザーエネルギーパラメーター。

Claims (10)

1. 第一局所を有する加工物を提供する工程と、
   前記第一局所に第一網点を形成するように、前記第一局所に第一レーザービームを照射する工程と、を含み、
   前記第一レーザービームは、前記第一網点が特定深さ分布を有するように、特定走査速度分布を有している、ことを特徴とするレーザー加工方法。
2. 前記第一局所は、第一位置と第二位置を含み、
   前記加工物は、第二局所を更に有し、
   前記第二局所は、第三位置と第四位置を含み、
   前記方法は、
   前記第一レーザービームを前記第一位置に照射する工程と、
   低速から高速まで前記第一レーザービームを前記第二位置に移動する工程と、
   前記第一網点の形成が完成するように、前記第一レーザービームを止める工程と、
   第二レーザービームを前記第三位置に照射する工程と、
   低速から高速で前記第二レーザービームを前記第四位置に移動する工程と、
   第二網点の形成が完成するように、前記第二レーザービームを止める工程と、を含み、
   前記加工物は、金型、鋳巣、及び導光板から一つを選び、
   前記特定深さ分布は、対称の深さ分布又は非対称の深さ分布であり、
   前記第一局所は、低速走査範囲及び高速走査範囲を含み、
   前記特定走査速度分布は、第一走査速度及び第二走査速度を含み、
   前記第一レーザービームは、前記第一走査速度で前記低速走査範囲に加工し、前記第一走査速度より大きい前記第二走査速度で前記高速走査範囲に加工し、
   前記第一レーザービームは、前記低速走査範囲において前記特定深さ分布が第一最大深さを有し、且つ前記高速走査範囲において前記特定深さ分布が第一深さを有することを引き起こし、
   前記第一最大深さは、前記第一深さよりも大きく、
   前記第一及び第二レーザービームは、一秒当たりの出力が固定であり、
   前記第一及び第二レーザービームは、前記加工物の平面に直交する、ことを特徴とする請求項１に記載のレーザー加工方法。
3. 第一局所を有する加工物を提供する工程と、
   前記第一局所に第一網点を形成するように、前記第一局所に第一レーザービームを照射する工程と、を含み、
   前記第一レーザービームの複数のレーザーインパルスは、前記第一網点が特定深さ分布を有するように、前記第一局所における第一特定密度分布を有している、ことを特徴とするレーザー加工方法。
4. 前記第一局所は、第一位置と第二位置を含み、
   前記加工物は、第二局所を更に有し、
   前記第二局所は、第三位置と第四位置を含み、
   前記方法は、
   前記第一レーザービームを前記第一位置に照射する工程と、
   前記第一レーザービームを前記第二位置に移動すると共に、第一レーザービームが照射する第一局所における前記第一特定密度分布が緊密から希薄になる工程と、
   前記第一網点の形成が完成するように、前記第一レーザービームを止める工程と、
   第二レーザービームを前記第三位置に照射する工程と、
   前記第二レーザービームを前記第四位置に移動すると共に、第二レーザービームが照射する第二局所における第二特定密度分布が緊密から希薄になる工程と、
   第二網点の形成が完成するように、前記第二レーザービームを止める工程と、を含み、
   前記加工物は、金型、鋳巣、及び導光板から一つを選び、
   前記特定深さ分布は、対称の深さ分布又は非対称の深さ分布であり、
   前記第一局所は、高い密度分布範囲及び低い密度分布範囲を含み、
   前記第一特定密度分布は、第一インパルス密度及び第二インパルス密度を含み、
   前記第一レーザービームは、前記第一インパルス密度で前記高い密度分布範囲に加工し、前記第一インパルス密度より大きい前記第二インパルス密度で前記低い密度分布範囲に加工し、
   前記第一レーザービームは、前記高い密度分布範囲において前記特定深さ分布が第一最大深さを有し、且つ前記低い密度分布範囲において前記特定深さ分布が第一深さを有することを引き起こし、
   前記第一最大深さは、前記第一深さよりも大きく、
   前記第一及び第二レーザービームは、一秒当たりの出力が固定であり、
   前記第一及び第二レーザービームは、前記加工物の平面に直交する、ことを特徴とする請求項３に記載のレーザー加工方法。
5. 第一局所を有する加工物を提供する工程と、
   前記第一局所に第一網点を形成するように、前記第一局所に第一レーザービームを照射する工程と、を含み、
   前記第一レーザービームは、前記第一網点が第一孔径及び第一特定深さ分布を有するよに、前記第一局所における第一特定エネルギー及び特定走査速度分布を有している、ことを特徴とするレーザー加工方法。
6. 前記第一局所は、第一位置と第二位置を含み、
   前記加工物は、第二局所を更に有し、
   前記第二局所は、第三位置と第四位置を含み、
   前記方法は、
   前記第一孔径がある孔を形成するように、前記第一レーザービームを前記第一位置に照射する工程と、
   低速から高速まで、第一特定エネルギーが照射される前記第一レーザービームを、前記第一位置から前記第二位置へ移動する工程と、
   前記第一網点の形成が完成するように、前記第一レーザービームを止める工程と、
   第二孔径がある孔を形成するように、第二レーザービームを前記第三位置に照射する工程と、
   低速から高速まで、第二特定エネルギーが照射される前記第二レーザービームを、前記第三位置から前記第四位置へ移動する工程と、
   第二網点の形成が完成するように、前記第二レーザービームを止める工程と、を含み、
   前記加工物は、金型、鋳巣、及び導光板から一つを選び、
   前記特定深さ分布は、対称の深さ分布又は非対称の深さ分布であり、
   前記第一局所は、高いエネルギー範囲及び低いエネルギー範囲を含み、
   前記第一特定エネルギーと前記第二特定エネルギーとは異なり、
   前記第一レーザービームは、前記高いエネルギー範囲において前記特定深さ分布が第一最大深さを有し、且つ前記低いエネルギー範囲において前記特定深さ分布が第一深さを有することを引き起こし、
   前記第一及び第二レーザービームは、前記加工物の平面に直交する、ことを特徴とする請求項５に記載のレーザー加工方法。
7. 第一網点を形成するための範囲を有する加工物を提供する工程と、
   特定変化モードを有する第一レーザービームを提供する工程と、
   前記範囲が特定特性分布を有するように、前記第一レーザービームによって前記加工物に前記第一網点を形成する工程と、を含む、ことを特徴とするレーザー加工方法。
8. 前記特定変化モードは、前記第一レーザービームの、特定走査速度分布、特定密度分布及び特定エネルギーからなる群から少なくとも一つが選ばれ、
   前記特定特性分布は、特定深さ分布及び特定密度分布を含み、
   前記特定深さ分布は、対称の深さ分布又は非対称の深さ分布である、ことを特徴とする請求項７に記載のレーザー加工方法。
9. レーザー加工物に形成される網点と、
   範囲と、
   前記範囲に形成される第一表面と、
   前記範囲に形成される第二表面と、を含み
   前記第一表面の平均曲率が前記第二表面の平均曲率より大きい、ことを特徴とするレーザー加工物。
10. 前記範囲は、対称の導光指向性又は非対称の導光指向性を有する、ことを特徴とする請求項９に記載のレーザー加工物。

Images