TW201413021A

TW201413021A - 濺鍍靶

Info

Publication number: TW201413021A
Application number: TW102123575A
Authority: TW
Inventors: Ryo Suzuki; Takeo Okabe
Original assignee: Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date: 2012-07-04
Filing date: 2013-07-02
Publication date: 2014-04-01
Also published as: JPWO2014007151A1; TWI612163B; EP2853617A4; JP6288620B2; KR20150023767A; US20150197848A1; EP2853617A1; WO2014007151A1

Abstract

本發明係一種濺鍍靶一背板接合體，其係用於450 mm之晶圓者，其特徵在於：濺鍍中之因靶產生翹曲而形成之翹曲量為4 mm以下。本發明係一種濺鍍靶一背板接合體之製造方法，其係製造450 mm晶圓用濺鍍靶一背板接合體之方法，其特徵在於：藉由使選自銅、鈦、鉭、鎳、鈷、鎢或其等之合金中的濺鍍靶材料與銅製、銅合金製、鋁合金、鈦製或鈦合金製之背板於200~600℃之溫度接合，而使濺鍍中之因靶產生翹曲而形成之翹曲量成為4 mm以下。本發明之課題在於藉由抑制大型濺鍍靶中會產生之翹曲的產生，而抑制靶與背板之剝離或龜裂之產生，並且實現成膜特性之均勻化。

Description

濺鍍靶

本發明係關於一種能對應450mm之晶圓的大型濺鍍靶。

於製作半導體裝置時，伴隨配線寬度之微細化，LSI之邏輯或記憶體之製造成本急劇上升。為了降低其製造成本，需要遵循「莫耳定律」而使晶圓大口徑化，至今為止每10年的大口徑化帶來了生產技術革新。

晶圓之450mm大型化係新的革新原動力，各半導體製造商、晶圓製造商、各種裝置製造商開始配合450mm化。關於濺鍍靶之形狀，雖然大多取決於濺鍍裝置製造商之設計，但晶圓直徑若自目前之300mm大口徑化至450mm，則就與其相符之濺鍍靶而言，簡單地以比例計算便可預想直徑變為1.5倍大，重量達到2倍以上。

又，為了達成良好之成膜特性，所要求之靶特性可列舉如下：1)高純度且不存在會成為顆粒(particle)或電弧之發生源的夾雜物；2)具有用於確保膜均勻性之均勻且微細之組織；3)為了縮短Burn-in time(預燒時間)之靶表面之潔淨化及應變層之除去。

尤其是，濺鍍中靶負載有高能量，故會有靶之濺鍍表面達到數百℃的高溫而使靶本身變形的問題。

本申請發明中闡明該等問題，並同時針對伴隨濺鍍靶之大口徑化而產生之上述品質之維持及製造工序提出建議及改良。

參見先前技術，提出用於提高靶與背板之接合強度的若干方案。以下，列舉並介紹該等方案。

1)專利文獻1中揭示有如下技術：例如於將Al或Al合金之靶材與背板接合時，使用Ag或Ag合金作為嵌入材，且在裝入其等之後使其等進行固相擴散。

2)專利文獻2中揭示有如下技術：於濺鍍靶與背板之接合面上形成同心圓狀的凹凸，在彼此嵌合之狀態下，藉由HIP(熱等靜壓(Hot Isostatic Pressing))、熱壓、固相擴散接合法進行接合。

3)專利文獻3中揭示有如下技術：於將具有1000℃以上之熔點之靶材與背板接合時，經由熔點低於靶之嵌入材(Al、Cu、Ni及其等之合金)而進行固相擴散接合。

4)專利文獻4中揭示有如下方法：使濺鍍靶與背板之間介有銅之微粉，且以低溫予以接合。

5)專利文獻5中揭示有如下技術：使濺鍍靶與背板之間，經由Al或AI合金之間隔件而利用爆炸熔接或加熱輥進行接合。

6)專利文獻6中揭示有如下濺鍍裝置：於背板之冷卻面上設置凹凸以增大表面積。

7)專利文獻7中揭示有如下技術：於鉭或鎢-銅合金製之背板組裝體中，經由厚度0.8mm以上之鋁或鋁合金板之嵌入材而進行擴散接合。

8)專利文獻8中揭示有如下技術：於高純度鈷與銅合金製背板之擴散接合組裝體中，經由厚度0.8mm以上之鋁或鋁合金板之嵌入材而進行擴散接合。

9)專利文獻9中揭示有如下濺鍍靶：由多個金屬層2、3構成之背板材4與靶材5藉由擴散接合或熔接而一體接合。

10)專利文獻10中揭示有如下內容：於使靶與背板經由嵌入材而進行固相擴散接合時，對雙方或一方之面以使粗糙度Ra成為0.01~3.0μm之方式實施平坦化處理。

11)專利文獻11中揭示有如下接合方法：於使靶與背板接合時，使用彈性體樹脂，且使該樹脂中介有金屬網。

12)專利文獻12中揭示有如下內容：於靶與背板之間，隔有銅、鋁或其等之合金箔而進行濺鍍。

以上之專利文獻係對用於提高濺鍍靶與背板之接合強度的接合方法進行了研究，但並未揭示當靶大型化時產生應變之問題及其解決方法。

專利文獻1：日本特開平6-172993號公報

專利文獻2：日本專利第4017198號公報

專利文獻3：日本特開平6-108246號公報

專利文獻4：日本特開昭55-152109號公報

專利文獻5：日本特開平4-131374號公報

專利文獻6：日本特開平6-25839號公報

專利文獻7：日本專利第3905301號公報

專利文獻8：日本專利第3905295號公報

專利文獻9：日本特開2001-295040號公報

專利文獻10：日本特開2000-239838號公報

專利文獻11：日本特開2006-33603號公報

專利文獻12：日本特開平11-189870號公報

為了對應於450mm之晶圓，濺鍍靶形狀需要大口徑化，對於因此所致的對靶品質之影響及成膜中之靶變形進行研究，可確認到對於靶品質而言較重要的材料純度、組織、結晶配向、靶表面性狀等方面並未受到大口徑化的影響，能製作與300mm晶圓用靶之品質相同的靶，但關於成膜中之靶變形行為，可知，於300mm晶圓用靶中不會成為問題的翹曲於450mm晶圓用之靶中則成為無法忽視的翹曲。本申請發明之課題在於解決該問題。

為了解決上述問題，提供以下之發明。

1)一種濺鍍靶-背板接合體，其係用於450mm之晶圓者，其特徵在於：濺鍍中因靶產生翹曲而形成之翹曲量為4mm以下。

2)如上述1)之濺鍍靶-背板接合體，其中，各部位之平均結晶粒徑相對於靶整體之平均結晶粒徑的偏差在±20%以內。

3)如上述1)之濺鍍靶-背板接合體，其中，靶各部位之磁導率的偏差在±5%以內。

4)如上述1)至3)之濺鍍靶-背板接合體，其中，其係經焊接或擴散接合之靶-背板接合體。

5)如上述1)至4)中任一項之濺鍍靶-背板接合體，其中，濺鍍靶係選自銅、鈦、鉭、鎢或其等之合金中的材料。

6)如上述1)至5)中任一項之濺鍍靶-背板接合體，其中，該背板係銅製、銅合金製、鋁合金、鈦製或鈦合金製。

7)一種濺鍍靶-背板接合體之製造方法，其係製造450mm晶圓用濺鍍靶-背板接合體之方法，其特徵在於：藉由使選自銅、鈦、鉭、鎢或其等之合金中的濺鍍靶材料與銅製、銅合金製、鋁合金、鈦製或鈦合金製之背板於200~600℃之溫度接合，而使濺鍍中因靶產生翹曲而形成之翹曲量為4mm以下。

本發明藉由抑制大型濺鍍靶中會產生之翹曲的產生，而具有如下較大的效果：抑制靶與背板之剝離或龜裂之產生，並且能均勻地成膜、降低不良率、且提升生產效率。

圖1A表示用於300mm晶圓及用於450mm晶圓之各個銅製靶、鈦製靶及鎳製靶之結晶組織。

圖1B表示用於300mm晶圓及用於450mm晶圓之、各個鉭製靶及鎢製靶之結晶組織。

圖2表示用於300mm晶圓及用於450mm晶圓之、各個銅製靶、鈦製靶、鉭製靶、鎳製靶、鈷製靶及鎢製靶(均使用無氧銅背板)之中心部之翹曲。

圖3表示對於銅製靶而於背板使用銅-鉻合金之情況下的靶中心部之翹曲。

圖4表示靶之直角坐標上之外圍、r/2、中心之合計9處取樣位置。

作為濺鍍方法，已知有如下方法：於導入有Ar氣體之濺鍍裝置中，將靶側作為陰極將基板側作為陽極，向雙方施加電壓，藉由Ar離子對靶之撞擊而將靶材濺擊出，而使該靶材飛向基板進行被覆；或使自靶濺射之原子離子化，進而利用其原子進行濺擊即所謂自濺射以進行被覆。

多數情況下，濺鍍靶係以如下方式構成：接合於背板，且使該背板冷卻，而防止靶之溫度異常上升，從而可進行穩定的濺鍍。

於此種濺射裝置中，存在使濺鍍功率上升之傾向，以提高生產效率而實現高速的濺鍍。通常，背板係導熱性優良的材料，且使用具有一定強度之材料。

進而，濺鍍裝置中，使背板冷卻，且經由該背板而吸收靶上之熱衝擊。然而，該冷卻亦有限度。問題嚴重時，會因靶與背板之熱膨脹之差異而導致剝離或靶之變形。

又，靶受到侵蝕，形狀產生凹凸，而於以高功率進行濺鍍時，濺射時之熱引起之熱應力主要集中於凹部而使靶變形從而導致均勻度惡化；或者產生屏蔽及電弧而引起產生異常顆粒，極端情況下會出現停止產生電漿的現象。為了解決上述問題，考慮到採取提高背板之強度、或者變更材質而減輕熱應力等對策，但與靶之材質之適應性存在問題，目前尚未找到合適的解決方法。

根據以上內容，本發明提供以下之發明。

本發明之450mm晶圓用濺鍍靶-背板接合體係關於濺鍍中之因靶產生翹曲而形成之翹曲量為4mm以下的濺鍍靶-背板接合體。翹曲量較佳為3mm以下。

上述使用於450mm晶圓中之濺鍍靶進而更大，靶形狀大致達到600mm之尺寸。然而，並不限定為該數值(600mm)，只要可用作450mm晶圓用濺鍍靶，則無特別限制。該數值大概可於50%之範圍內增減。又，靶之最大翹曲係大致產生於靶之中心部，此意味著翹曲之最大值為4mm以下(較佳為3mm以下)。

關於膜之均勻度，使各部位之平均粒徑相對於靶整體之平均結晶粒徑的偏差在±20%以內的原因在於：若偏差超過±20%，則靶各部位之濺射速度之差異變得顯著而導致均勻度產生不良。

又，就Cu靶而言，較佳為靶之各部位之平均結晶粒徑設為100μm以下；就Ti靶而言，較佳為靶之各部位之平均結晶粒徑為50μm以下。

各自之原因在於：於平均結晶粒徑超過100μm、50μm之粗大結晶粒中，來自各結晶粒之原子之發射特性之差異變得顯著，容易使均勻度產生不良。尤佳為將靶之各部位之平均結晶粒徑分別設為50μm以下、20μm以下。

靶-背板較佳為藉由焊接或擴散接合而接合，且理想的是將接合體之接合界面之接著強度設為3kgf/mm²以上。

又，接合界面上亦可經由Ni、Zn、Ag_、Cu_、Al、Cr、In、Sn或以其等為主成分之合金的介在層而接合。此對於抑制濺鍍靶-背板接合體之應變之產生而言較為有效。

又，作為濺鍍靶，可使用選自銅、鈦、鉭、鎳、鈷、鎢或其等之合金的材料。進而，作為背板，可使用銅製、銅合金製、鋁合金、鈦製或鈦合金製。

如下述實施例中之說明所述，關於靶之翹曲的原因，多數情況下係因濺鍍中產生之電漿使靶表面之溫度上升而引起。雖背板冷卻，但係因靶與背板之熱膨脹之差異而產生翹曲。

因此，為了有效抑制靶之翹曲，需要選擇靶與背板之熱膨脹率之差較小、且機械性強度較高之材料加以組合。較佳為使用冷卻效率優良之背板。該等組合可藉由適當選擇上述說明之材料達成。

於製造450mm晶圓用濺鍍靶-背板接合體時，可藉由使選自上述銅、鈦、鉭、鎳、鈷、鎢或其等之合金之濺鍍靶材料與銅製、銅合金製、鋁合金、鈦製或鈦合金製之背板於200~600℃之溫度接合，而使濺鍍中因靶產生翹曲而形成之翹曲量為3mm以下。

實施例基於實施例(實驗例)來說明本申請發明。再者，本實施例僅為一例，且並不僅限於該例。亦即本發明亦包含其他態樣或變形。

(450mm晶圓用靶之製作及評估)

為了確認靶之大口徑化下之品質的維持，製作600mm之Cu、Ti、Ta、Ni、Co、W靶。靶製作中，作為起始原料，使用純度6N-Cu、4N5-Ti、4N5-Ta、5N-Ni、5N-Co、5N-W之各種鑄錠或粉末。

各材料之製造步驟條件係模仿300mm用靶之製作條件而實施。

然而，為了抑制結晶粒徑之偏差，故加入壓延時產生均勻之加工應變的條件、使溫度分佈均勻的熱處理條件。例如，將Ti鑄錠於750℃進行熱加工，其後於400℃將加工比設為1.5而進行溫間加工，於600℃以1小時對靶整體實施均勻之熱處理。

該等條件會根據材料種類或加工歷程而有些微不同，但可藉由設定基本條件，且基於該基本條件更換條件範圍，而製作適合於本申請發明之濺鍍靶。

如圖4所示，對於各靶自直角坐標上之外圍、r/2、中心之合計9處進行取樣，藉由利用光學顯微鏡觀察蝕刻面而進行組織評估。又，利用X射線繞射測定評估其結晶配向。

(受熱靶之變形行為)

濺鍍中，因靶上被照射高能量，而使得靶表面被加熱至高溫。另一方面，因背板側受到水冷，致使在靶表面與背板冷卻水面產生大的溫差，此熱膨脹差異使靶產生翹曲。因此可再現濺鍍時靶所受之熱影響(加熱及冷卻)，於該狀況下調查變形行為，對300mm晶圓對應之靶與450mm晶圓對應之靶進行比較。

將靶材質設為6N-Cu及4N5-Ti，將背板材質設為無氧銅(OFC)及Cu-Cr合金，將450mm晶圓對應之靶之形狀設為600mm×12.7mmt，將背板形狀設為750mm×12.7mmt。將300mm晶圓對應之靶形設為400mm×12.7mmt，背板形狀設為500mm×12.7mmt。

再者，作為參考所示提供濺鍍時之投入功率，通常而言，對應於300mm晶圓時係設為10kW，對應於450mm晶圓時係設為與300mm晶圓為相同功率密度的22.5kW；進而，關於濺鍍之ON-OFF設定，係將ON：10秒、OFF：30秒作為1個循環，於15個循環之後進行計算。同樣地，冷卻水係設定於25℃、3.0氣壓進行。

(以上之結果及考察)

(450mm晶圓對應之濺鍍靶之形狀及重量)

濺鍍靶之形狀很大程度上取決於各濺鍍裝置製造商之設計，就300mm晶圓用靶而言，靶之形狀約為400mm~450mm×6mm~12mmt。

此處，假設於將300mm對應之靶之形狀為400mm且與晶圓直徑成正比之情況下，450mm晶圓對應之靶之形狀即為600mm，且背板之直徑約為750mm。

表1表示Cu、Ti、Ta、Ni、Co、W靶之重量變化。以下，針對450mm晶圓對應之靶之形狀，對600mm之尺寸進行說明。

就300mm晶圓用靶而言，任一種材料均為50kg以下(包含背板重量)，然而就450mm晶圓用靶而言，重量將接近100kg，故需要對靶製造工序或使用靶時之操作方法進行研究。

(450mm晶圓對應之濺鍍靶之品質)

(純度)

靶素材之純度係對已成形之膜之特性賦予較大影響之重要因素。就Na、K等鹼金屬或Fe、Cu、Ni等過渡金屬而言，若擴散於Si中則電特性會發生變化，故而會妨礙裝置穩定化。又，已知U、Th等放射性元素可能會因α射線導致裝置之操作錯誤。

就Cu或Ti之類於溶解工序中製作之材料而言，係於電解或真空溶解步驟中進行雜質之純化。一般而言，藉由真空溶解而製作之鑄錠具有可製作多塊靶的重量，因此認為即便靶形狀對應於450mm晶圓亦不會影響純度。將本次試驗中使用之材料之雜質分析值示於表2。

U及Th之單位為ppb

(組織)

靶之組織或結晶配向對於濺鍍成膜時之成膜速度或膜之均勻度具有較大影響。成膜速度尤其會根據結晶面方位而有所不同，因此，為了以良好的均勻度進行成膜，較佳為靶之面方位一致、或隨機均勻分散，並要求結晶粒徑微細且均勻。又，就具有磁性之靶而言，其磁導率亦為賦予影響之因素。

因此，仿造300mm晶圓用靶之製造條件，製造450mm晶圓對應之靶且對結晶組織、結晶配向及磁導率進行評估。然而為了抑制結晶粒徑之偏差，而選擇壓延時會形成均勻之加工應變的條件及使溫度分佈均勻的熱處理條件。

對樣本進行蝕刻之後，利用光學顯微鏡進行觀察，其結果示於圖1A及圖1B。再者，圖1A中，為了進行比較，通常亦示出300mm晶圓用靶之組織。再者，300mm晶圓用Cu靶之平均結晶粒徑為35μm，300mm晶圓用Ti靶之平均結晶粒徑為8μm，300mm晶圓用Ni靶之平均結晶粒徑為30μm，300mm晶圓用W靶之平均結晶粒徑為20μm。

450mm晶圓用Cu靶中，如圖4所示，對直角坐標上之外圍、r/2、中心之合計9個點，即A、B、C、D、E、F、G、H、I，利用光學顯微鏡進行觀察並測定結晶粒徑可知，分別為35μm、37μm、35μm、33μm、36μm、34μm、35μm、34μm_、36μm，其偏差在±20%以內，平均粒徑為35μm。再者，各部位上之平均結晶粒度之測定係利用JIS．H0501中記載之切斷法進行。

同樣利用XRD測定確認結晶配向，與300mm用靶無差異且亦未因取樣位置而產生變動。

450mm晶圓用Ti靶中，亦同樣測定結晶粒徑，分別為7μm、8μm、7μm、9μm、8μm、7μm、8μm、9μm、9μm，偏差在±20%以內，平均粒徑為8μm。再者，各部位上之平均結晶粒度之測定係利用JIS．H0501中記載之切斷法進行。

450mm晶圓用Ta靶中，亦同樣測定結晶粒徑可知，分別為90μm、92μm、89μm、90μm、93μm、92μm、88μm、89μm、90μm，偏差在±20%以內，平均粒徑為90μm。再者，各部位上之平均結晶粒度之測定係利用JIS．H0501中記載之切斷法進行。

450mm晶圓用Ni靶中，亦同樣測定結晶粒徑可知，分別為30μm、32μm、29μm、30μm、33μm、32μm、28μm、29μm、30μm，偏差在±20%以內，平均粒徑為30μm。再者，各部位上之平均結晶粒度之測定係利用JIS．H0501中記載之切斷法而進行。

圖4所示係為450mm晶圓用Co靶中，對直角坐標上之外圍、r/2、中心之合計9個點，即A、B、C、D、E、F、G、H、I之磁導率進行測定後可知，分別為6.1、6.2、6.0、6.0、6.3、6.2、6.0、6.1、6.2，平均磁導率為6.1，偏差在±5%以內。

450mm晶圓用W靶中，亦同樣測定結晶粒徑可知，分別為20μm、22μm、19μm、20μm、23μm、22μm、18μm、19μm、20μm，偏差在±20%以內，平均粒徑為20μm。再者，各部位上之平均結晶粒度之測定係利用JIS．H0501中記載之切斷法進行。

根據上述，可知即便為了對應於450mm晶圓而進行靶大口徑化，亦可獲得與目前使用之300mm晶圓用靶同等之組織。然而，為了以與300mm晶圓用靶相同的條件對已大口徑化之靶進行鍛造、壓延，自然需要與製作300mm晶圓用靶時相比更大的功率，且需要準備與其對應的設備。又，於壓延後之熱處理中，必須使爐內溫度之均勻性或保持時間之調整更為嚴格。

(靶表面之潔淨性、應變層)

於機械加工後之靶表面上，殘留有微細之加工屑或由加工工具產生之汚染、表面附近之加工應變層。此類靶表面之汚染、應變層之殘留會對濺鍍初期之成膜特性帶來較大影響，且會使直至特性穩定為止的Burn-in time延長。

因此，為了縮短Burn-in time，靶表面之潔淨化、應變層除去較為重要。靶表面之潔淨化、應變層除去方法通常係藉由表面之研磨及超音波清洗而進行。雖然需要隨著靶之大口徑化而使研磨條件或超音波清洗之條件最佳化，但技術上的難度比較小。

(靶之變形行為)

將使用Cu、Ti、Ta、Ni、Co、W作為靶且使用無氧銅(OFC)作為背板材質時之濺鍍時靶所受的熱影響(加熱及冷卻)再現，於該狀況下，調查變形行為、即翹曲之行為。靶之翹曲的測定結果示於圖2。

另一方面，就翹曲而言，於300mm晶圓用Cu靶之情況下，中心部分約為1mm，相對於此，450mm晶圓用靶上之翹曲擴大至約5mm。濺鍍中之翹曲會使靶-基板間之距離產生變動且對成膜特性造成影響。以下，對各靶之翹曲量進行記述。

就Ti靶而言，當對應於300mm晶圓時，中心部分約為0.7mm，相對於此，當對應於450mm晶圓時約為2.6mm。

就Ta靶而言，當對應於300mm晶圓時，中心部分約為0.5mm，相對於此，當對應於450mm晶圓時約為1.7mm。

就Ni靶而言，當對應於300mm晶圓時，中心部分約為0.6mm，相對於此，當對應於450mm晶圓時約為2.1mm。

就Co靶而言，當對應於300mm晶圓時，中心部分約為0.6mm，相對於此，當對應於450mm晶圓時約為2.0mm。

就W靶而言，當對應於300mm晶圓時，中心部分約為0.3mm，相對於此，當對應於450mm晶圓時約為1.0mm。

又，較大的翹曲會破壞靶-背板之接合，造成靶脫落之危險。此類對應於300mm晶圓時未成為問題之現象，在對應於450mm晶圓時可能會藉由大口徑化而引發新的問題。

濺鍍中產生之靶之翹曲會因如下兩個方面產生：因電漿離子化後之Ar粒子之撞擊而使靶表面之溫度上升；及靶材與背板材之熱膨脹率差。

為了抑制翹曲之產生，有效的是使用與靶材之熱膨脹率差小、且機械性強度高的背板材。當使用與上文中使用之背板材之OFC相比機械性強度更高的Cu-Cr合金的情況下，可確認中心部之翹曲之大小約為3.2mm，與使用OFC之情況相比抑制了翹曲。

[產業上之可利用性]

藉由抑制大型濺鍍靶中產生之翹曲，而具有如下較顯著之效果：抑制靶與背板之剝離或龜裂之產生，並且可均勻地成膜、降低不良率且提高生產效率，因此在產業上極為有效。

Claims

一種濺鍍靶-背板接合體，其係用於450mm之晶圓者，其特徵在於：濺鍍中因靶產生翹曲而形成之翹曲量為4mm以下。
如申請專利範圍第1項之濺鍍靶-背板接合體，其中，各部位之平均結晶粒徑相對於靶整體之平均結晶粒徑的偏差在±20%以內。
如申請專利範圍第1項之濺鍍靶-背板接合體，其中，靶各部位之磁導率之偏差在±5%以內。
如申請專利範圍第1至3項中任一項之濺鍍靶-背板接合體，其係經焊接或擴散接合之靶-背板接合體。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之濺鍍靶-背板接合體，其中，濺鍍靶係選自銅、鈦、鉭、鎳、鈷、鎢或其等之合金中的材料。
如申請專利範圍第1至5項中任一項之濺鍍靶-背板接合體，其中，該背板係銅製、銅合金製、鋁合金、鈦製或鈦合金製。
一種濺鍍靶-背板接合體之製造方法，其係製造450mm晶圓用濺鍍靶-背板接合體之方法，其特徵在於：藉由使選自銅、鈦、鉭、鎳、鈷、鎢或其等之合金中的濺鍍靶材料與銅製、銅合金製、鋁合金、鈦製或鈦合金製之背板於200~600℃之溫度接合，而使濺鍍中因靶產生翹曲而形成之翹曲量為4mm以下。