JPS6217080A - 炭化ケイ素成形体部材の結合方法 - Google Patents
炭化ケイ素成形体部材の結合方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、研摩された、遊離の元素を有する接合すべき
面を向かい合わせそして不活性または還元性の雰囲気中
でプレス圧力下で高温度に加熱することによって、炭化
ケイ素の成形体部材を結合する方法に関する。
面を向かい合わせそして不活性または還元性の雰囲気中
でプレス圧力下で高温度に加熱することによって、炭化
ケイ素の成形体部材を結合する方法に関する。
本発明によれば、無加圧焼結された炭化ケイ素(5s1
c ) および/または熱間プレスされた炭化ケイ素
(Hpslc )よりなる成形体部材の結合物が製造さ
れる。炭化ケイ素構造部材は、実質的に、異なった材料
、すなわち、次の材料=1)滲透性または反応性炭化ケ
イ素(81SiO)、2)無加圧焼結された炭化ケイ素
および6)熱間プレスされた炭化ケイ素、 をもたらす3つの異なった方法に従って製造される。
c ) および/または熱間プレスされた炭化ケイ素
(Hpslc )よりなる成形体部材の結合物が製造さ
れる。炭化ケイ素構造部材は、実質的に、異なった材料
、すなわち、次の材料=1)滲透性または反応性炭化ケ
イ素(81SiO)、2)無加圧焼結された炭化ケイ素
および6)熱間プレスされた炭化ケイ素、 をもたらす3つの異なった方法に従って製造される。
炭素または炭素および炭化ケイ素よりなる対応する原料
成形体のケイ素化圧よって得られる滲透性または反応性
炭化ケイ素よりなる成形部材は、成形体部材の結合に利
用されうる遊離のケイ素5〜3oii%を含有する。
成形体のケイ素化圧よって得られる滲透性または反応性
炭化ケイ素よりなる成形部材は、成形体部材の結合に利
用されうる遊離のケイ素5〜3oii%を含有する。
かくして、ドイツ特許出願公開筒3. OO3,186
号によれば、5iSiCからなる個々の部材が1つの原
料部材にまとめられそして1.300℃以下の温度にお
いて拡散された遊離のケイ素によって接合面の同時的加
圧下に、いわゆる拡散融接によって結合される。ドイツ
特許出願公開筒3,139.270号によれば、5iS
iC!−成形部材の研摩された接合面は、重ね合わされ
、そして1500〜1aooc(すなわち、ケイ素の融
点以上)に加熱することによって互いに結合せしめられ
る。これらの2つの方法に従って、約1μmの細長いケ
イ素の継目を有し、場合によっては極めて微細な炭化ケ
イ素分離物を有する分厚い、約1.4 D D ℃まで
構造的に固体の、温度変化に対して安定な、耐蝕性でか
つ耐酸化性の結合物が得られる。
号によれば、5iSiCからなる個々の部材が1つの原
料部材にまとめられそして1.300℃以下の温度にお
いて拡散された遊離のケイ素によって接合面の同時的加
圧下に、いわゆる拡散融接によって結合される。ドイツ
特許出願公開筒3,139.270号によれば、5iS
iC!−成形部材の研摩された接合面は、重ね合わされ
、そして1500〜1aooc(すなわち、ケイ素の融
点以上)に加熱することによって互いに結合せしめられ
る。これらの2つの方法に従って、約1μmの細長いケ
イ素の継目を有し、場合によっては極めて微細な炭化ケ
イ素分離物を有する分厚い、約1.4 D D ℃まで
構造的に固体の、温度変化に対して安定な、耐蝕性でか
つ耐酸化性の結合物が得られる。
材料中に遊離のケイ素の存在することと無関係に、炭化
ケイ素の構造部材は、炭素または炭素/炭化ケイ素含有
パテ組成物を有機結合剤と共に用いて結合させ、上記の
有機結合剤?コークス化し、そして炭素を炭化ケイ素に
変換させるためにケイ素i1透させることによって互い
に結合される。この方法の各種の変法は、例えば、米国
特許第2.319.323号またはドイツ特許出願公開
筒2,922,953号に記載されている。′本山願人
によるドイツ特許出願公開筒4511、553号によれ
ば、その際パテないしは炭素は、結合面の間ではなくて
、この目的で粗面化された表面に適用される。米国特許
第4.156.051号によれば、なんら結合剤を用い
ずに、これらをまず第1段階で個々に理論値の少くとも
65%の厚さまで予備焼結し、次に重ね合せて接合し、
そして最後に理論値の約98%の厚さまでもう一度熱間
プレスにかけることによって、セラミックの成形体部材
は、互いに結 □合される。この方法は、第2段階
において接合面にのみ負荷をかけてはならないので費用
のかかるものとなる。
ケイ素の構造部材は、炭素または炭素/炭化ケイ素含有
パテ組成物を有機結合剤と共に用いて結合させ、上記の
有機結合剤?コークス化し、そして炭素を炭化ケイ素に
変換させるためにケイ素i1透させることによって互い
に結合される。この方法の各種の変法は、例えば、米国
特許第2.319.323号またはドイツ特許出願公開
筒2,922,953号に記載されている。′本山願人
によるドイツ特許出願公開筒4511、553号によれ
ば、その際パテないしは炭素は、結合面の間ではなくて
、この目的で粗面化された表面に適用される。米国特許
第4.156.051号によれば、なんら結合剤を用い
ずに、これらをまず第1段階で個々に理論値の少くとも
65%の厚さまで予備焼結し、次に重ね合せて接合し、
そして最後に理論値の約98%の厚さまでもう一度熱間
プレスにかけることによって、セラミックの成形体部材
は、互いに結 □合される。この方法は、第2段階
において接合面にのみ負荷をかけてはならないので費用
のかかるものとなる。
最後に、熱間プレスされた炭化ケイ素は、金 □゛
属全用いてまたは金属層を介して結合することが殊にし
ばしば試みられた。その際、炭化ケイ素と金属との熱膨
張係数の差異を、形成される中間相(ケイ化物および/
″l!たけ炭化物)によるかあるいは金属の方へ段階的
に高められた金 □属含量を有するEllC−金属
粉末混合物を用いることによって橋渡ししようという試
みが絶えず行なわれた。報告書BMFT−PBT79−
124においては1例えば、同様に堅牢な薄い層(10
0〜500μm )に対して熱間プレスされたタングス
テンまたはモリブデンの粉末を用いる熱間プレスsic
の結合について報告されている。この種の結合物につい
て特徴的なことは、形成された過渡領域からSiC中に
走っているひび割れならびに熱間プレスされた材料にお
ける高い微孔性である。
属全用いてまたは金属層を介して結合することが殊にし
ばしば試みられた。その際、炭化ケイ素と金属との熱膨
張係数の差異を、形成される中間相(ケイ化物および/
″l!たけ炭化物)によるかあるいは金属の方へ段階的
に高められた金 □属含量を有するEllC−金属
粉末混合物を用いることによって橋渡ししようという試
みが絶えず行なわれた。報告書BMFT−PBT79−
124においては1例えば、同様に堅牢な薄い層(10
0〜500μm )に対して熱間プレスされたタングス
テンまたはモリブデンの粉末を用いる熱間プレスsic
の結合について報告されている。この種の結合物につい
て特徴的なことは、形成された過渡領域からSiC中に
走っているひび割れならびに熱間プレスされた材料にお
ける高い微孔性である。
本発明の課題は、無加圧焼結されたそして/または熱間
プレスされた炭化ケイ素成形部材を、気密の、耐食性な
らびに耐酸化性の、温度変化に対してならびに耐酸化性
の、温度変化に対して安定な、そして約2.200℃ま
で機械的に安定な接着継目によって永続的に結合するこ
とである。
プレスされた炭化ケイ素成形部材を、気密の、耐食性な
らびに耐酸化性の、温度変化に対してならびに耐酸化性
の、温度変化に対して安定な、そして約2.200℃ま
で機械的に安定な接着継目によって永続的に結合するこ
とである。
この課題は、本発明によれば、本明細書の冒頭において
述べたような方法において、無加圧焼結されたetc(
ssla)または熱間プレスされた5ta(upslc
) からなる炭化ケイ素成形体部材を、研摩された接
合すべき面の少くとも1つの面に、Ag、 At %
Au、 B、 Be、 Co、 Cr、
Cu、 Fe 、Mn。
述べたような方法において、無加圧焼結されたetc(
ssla)または熱間プレスされた5ta(upslc
) からなる炭化ケイ素成形体部材を、研摩された接
合すべき面の少くとも1つの面に、Ag、 At %
Au、 B、 Be、 Co、 Cr、
Cu、 Fe 、Mn。
Mg90、Nb%Ni、P(1,Pt%Ta%Ti、V
、WおよびZr よりなる群から選択された炭化物お
よび/またはケイ化物?形成する元素の少くとも1種の
最大限1μmの厚さの活性化層を適用し、そして互いに
接合された部材を、10−!ないし10Spi の範囲
内の不活性まだは還元性の雰囲気中で800ないし2.
200℃の範囲内の温度において1ないし100 MP
aの範囲内のプレス圧力下で互いに融接させることによ
って、前記炭化ケイ素成形体部材?互いに結合させるこ
とを特徴とする方法によって解決される。
、WおよびZr よりなる群から選択された炭化物お
よび/またはケイ化物?形成する元素の少くとも1種の
最大限1μmの厚さの活性化層を適用し、そして互いに
接合された部材を、10−!ないし10Spi の範囲
内の不活性まだは還元性の雰囲気中で800ないし2.
200℃の範囲内の温度において1ないし100 MP
aの範囲内のプレス圧力下で互いに融接させることによ
って、前記炭化ケイ素成形体部材?互いに結合させるこ
とを特徴とする方法によって解決される。
この方法においては、より高品質の表面を有する結合面
のうちの1つまたは2つの面の上に、炭化物および/ま
たはケイ化物を形成する材料よりなる極めて薄い“活性
化”被覆層が適用されるが、これは高められた温度およ
び圧力の使用の下における接合処理の際に実際上消失し
、そして接合面においてはそのままでもはや認められな
い。その点において本発明による方法は。
のうちの1つまたは2つの面の上に、炭化物および/ま
たはケイ化物を形成する材料よりなる極めて薄い“活性
化”被覆層が適用されるが、これは高められた温度およ
び圧力の使用の下における接合処理の際に実際上消失し
、そして接合面においてはそのままでもはや認められな
い。その点において本発明による方法は。
外来物質を含有する粘着層を用いて操作される公知の方
法とは明らかに相違する。
法とは明らかに相違する。
上記の炭化物および/またはケイ化形成剤またはそれら
の混合物ないし合金よりなる活性化層は、いずれか適当
な方法に従って、少くとも1つの接合すべき面に、好ま
しくはα1ない・し1μmの厚さをもって、適用され、
好ましくは例えば蒸着されあるいは溶射される。
の混合物ないし合金よりなる活性化層は、いずれか適当
な方法に従って、少くとも1つの接合すべき面に、好ま
しくはα1ない・し1μmの厚さをもって、適用され、
好ましくは例えば蒸着されあるいは溶射される。
用いられる接合温度は、適用される活性化層に応じて調
整される: Ag、 At、 AuおよびMgに対しては、その温度
は、800ないし1.200℃の間で選択され、Be%
CuSGeおよびMnに対しては、1.200ないし
1.600℃の間で、Co、 C!r%Fe%Ni、P
d%PtおよびVに対しては1.600ないし2.00
0℃の間で、そしてB%MO1Nl)%N1、T1、V
%WおよびZrに対しては2,000ないし2,200
11:の間でそれぞれ選択される。
整される: Ag、 At、 AuおよびMgに対しては、その温度
は、800ないし1.200℃の間で選択され、Be%
CuSGeおよびMnに対しては、1.200ないし
1.600℃の間で、Co、 C!r%Fe%Ni、P
d%PtおよびVに対しては1.600ないし2.00
0℃の間で、そしてB%MO1Nl)%N1、T1、V
%WおよびZrに対しては2,000ないし2,200
11:の間でそれぞれ選択される。
特にOr、 C!u、 Ni、Ptおよび/またはPd
あるいはそれらの合金が活性化層のための材料として適
当であり、殊に鋼および銅合金が好適であることが実証
された。
あるいはそれらの合金が活性化層のための材料として適
当であり、殊に鋼および銅合金が好適であることが実証
された。
接合処理は、不活性または還元性の雰囲気中で、殊にア
ルゴンおよび/または水素中で行なhれる。103ない
し101sPaのアルゴン中で処理することが特に好ま
しい。加熱時間は、それぞれ活性化物質および使用され
る圧力に応じて少くとも10分間保持される接合温度に
達するまで、一定の加圧下に約1ないし2時間であり、
それに続いて炉の放冷が行なわれる。
ルゴンおよび/または水素中で行なhれる。103ない
し101sPaのアルゴン中で処理することが特に好ま
しい。加熱時間は、それぞれ活性化物質および使用され
る圧力に応じて少くとも10分間保持される接合温度に
達するまで、一定の加圧下に約1ないし2時間であり、
それに続いて炉の放冷が行なわれる。
接合温度は、特【薄層の材料の融点以上と々るように選
択され、そして温度、プレス圧力および処理時間は、適
用されたく1μmの厚さの層の材料を考慮して互いに調
整される。その際、高温度−プレス圧力の作用の持続時
間は、接合温度が高ければ高いほどより短かい時間が選
ばれる。同様に、プレス圧力は、より高い接合温度が用
いられるに従って、より低く調整することができる。比
較的低い温度と比較的高い圧力との組合せ、ないしは高
い温度、比較的低いプレス圧力およびより短かいプレス
時間の組合せが適当であるようである。
択され、そして温度、プレス圧力および処理時間は、適
用されたく1μmの厚さの層の材料を考慮して互いに調
整される。その際、高温度−プレス圧力の作用の持続時
間は、接合温度が高ければ高いほどより短かい時間が選
ばれる。同様に、プレス圧力は、より高い接合温度が用
いられるに従って、より低く調整することができる。比
較的低い温度と比較的高い圧力との組合せ、ないしは高
い温度、比較的低いプレス圧力およびより短かいプレス
時間の組合せが適当であるようである。
1、500〜1.800℃、特に1.550〜1、75
0 Cの温度および15〜45MPa、特に25 MP
a附近の圧力および15ないし120分間、特に30な
いし60分間の範囲内の接合時間が好ましい。
0 Cの温度および15〜45MPa、特に25 MP
a附近の圧力および15ないし120分間、特に30な
いし60分間の範囲内の接合時間が好ましい。
添付図面の参照の下に本発明を以下の例において史に詳
細に説明する。
細に説明する。
例1:
20嘘の直径および3−の高さを有する5SiCを有す
るもう一つの円板をその上に置き、そしてダイス型およ
びピストンを有するグラファイトのダイスの中に入れた
。次にこの配置を熱間プレスの圧力ビストンの下に装入
した。プレス室を数回脱気しそして溶接用アルゴンで掃
気した。最後に、I KPaのAr / H1圧に調整
し、そして試料ftS OMPaのプレス圧力の下に1
,700℃に加熱した。30分間の保持時間の後に、加
熱を徐々に下方へ調整した(平均20℃/分)。
るもう一つの円板をその上に置き、そしてダイス型およ
びピストンを有するグラファイトのダイスの中に入れた
。次にこの配置を熱間プレスの圧力ビストンの下に装入
した。プレス室を数回脱気しそして溶接用アルゴンで掃
気した。最後に、I KPaのAr / H1圧に調整
し、そして試料ftS OMPaのプレス圧力の下に1
,700℃に加熱した。30分間の保持時間の後に、加
熱を徐々に下方へ調整した(平均20℃/分)。
第1図は、研摩およびエツチングを行なった後の融接継
目領域の品質全示す。約cL1μmの厚さにおいて、融
接継目は、エツチングされた粒子の厚さの範囲内である
。
目領域の品質全示す。約cL1μmの厚さにおいて、融
接継目は、エツチングされた粒子の厚さの範囲内である
。
例2:
25X10.の大きさの、両面を研摩さハた厚さ5wx
の5SiCの円板の上に、ロールを用いる加圧法に従っ
て約Q、Sμmの厚さのパラジウム層を適用した。分散
剤を蒸発させた後に、上記の円板を、それぞれ25X2
5X10■の大つ きさの2潰の5sicの直六面体の研摩された前面の間
に置き、そして例1において記載したように熱間プレス
にかけた。互いに接合された試料から、第2図に示すよ
うな配置図に従って試験体が切り出され、そして研摩を
行なった後に4点曲げ試験機で試験した。個々の試料の
曲げ強度値は、出発材料と同様な分布範囲にあった(2
70±20 MPa附近)。
の5SiCの円板の上に、ロールを用いる加圧法に従っ
て約Q、Sμmの厚さのパラジウム層を適用した。分散
剤を蒸発させた後に、上記の円板を、それぞれ25X2
5X10■の大つ きさの2潰の5sicの直六面体の研摩された前面の間
に置き、そして例1において記載したように熱間プレス
にかけた。互いに接合された試料から、第2図に示すよ
うな配置図に従って試験体が切り出され、そして研摩を
行なった後に4点曲げ試験機で試験した。個々の試料の
曲げ強度値は、出発材料と同様な分布範囲にあった(2
70±20 MPa附近)。
列3 :
40鰭の外径および30−の内径を有するHP810の
管から、厚さ3■の、平面に平行な管断片を切出し、そ
して研摩した切断面を両面からOr / Ni合金を[
12μmの厚さに真空蒸着した。これらの“環状円板″
を次に同じ材料の28−の長さ02個の管断片の研摩さ
れた基体表面の間に挿入し、そして例1において記載し
たような方法で1.800℃においてそして50MPa
のプレス圧力で熱間プレスにかけた。融接された管を次
に真空試験装置において気密性について試M1行なった
。洩れ率(Lθckratθ)は、10−’ Pa1s
−’ であった。その後で、この管を第3図に示すよ
うに、管を区分に切断し、そして次いで研摩して長方形
の曲面小棒体を作製した。研摩を行なった後に、試料の
曲げ強度を測定した。それば500±30 MPaであ
り、そして従って継目を有しない試料のそれに比較して
4係しか低くなかった。
管から、厚さ3■の、平面に平行な管断片を切出し、そ
して研摩した切断面を両面からOr / Ni合金を[
12μmの厚さに真空蒸着した。これらの“環状円板″
を次に同じ材料の28−の長さ02個の管断片の研摩さ
れた基体表面の間に挿入し、そして例1において記載し
たような方法で1.800℃においてそして50MPa
のプレス圧力で熱間プレスにかけた。融接された管を次
に真空試験装置において気密性について試M1行なった
。洩れ率(Lθckratθ)は、10−’ Pa1s
−’ であった。その後で、この管を第3図に示すよ
うに、管を区分に切断し、そして次いで研摩して長方形
の曲面小棒体を作製した。研摩を行なった後に、試料の
曲げ強度を測定した。それば500±30 MPaであ
り、そして従って継目を有しない試料のそれに比較して
4係しか低くなかった。
無加圧焼結されたSXC(表面を研摩し、ラッピングし
、酢酸エチル超音波浴中で処理したもの)を、銅、銅合
金またはパラジウムからなる薄い(≦1μm)溶射層を
使用して結合した場合に得られたその他の結果が下記の
表に要約されてhる: 98 Cu 1550 6G 15.0 4.
OIO’240±8796 0u 1750
60 15.0 4.0 10’200±447
5 0u 1750 60 24.5
2.710’211±3697 Cu 175
0 !+0 15.0 4.0104 23
3±6674 Pd 1750 60
24.5 2.7103 102±2099 c
u/81 1550 60 24.5 4.0
10’ 149±19101 Cu/PeL
1550 60 24.5 4、OjO’
148±32加熱速度は、はぼ10−15℃/minで
あった。
、酢酸エチル超音波浴中で処理したもの)を、銅、銅合
金またはパラジウムからなる薄い(≦1μm)溶射層を
使用して結合した場合に得られたその他の結果が下記の
表に要約されてhる: 98 Cu 1550 6G 15.0 4.
OIO’240±8796 0u 1750
60 15.0 4.0 10’200±447
5 0u 1750 60 24.5
2.710’211±3697 Cu 175
0 !+0 15.0 4.0104 23
3±6674 Pd 1750 60
24.5 2.7103 102±2099 c
u/81 1550 60 24.5 4.0
10’ 149±19101 Cu/PeL
1550 60 24.5 4、OjO’
148±32加熱速度は、はぼ10−15℃/minで
あった。
上記の表が示すように、銅を用いて得られた結果は、殊
に良好であり、活性化Si 量を用いて得られる数値
を明らかに超えている。室温における曲げ強度は、基礎
材料の曲げ強度の80%までに達している。
に良好であり、活性化Si 量を用いて得られる数値
を明らかに超えている。室温における曲げ強度は、基礎
材料の曲げ強度の80%までに達している。
による試料の切断を示す斜視図であり、そして第3図は
同じ< PAl 3による試料の切断を示す斜視図であ
る。
同じ< PAl 3による試料の切断を示す斜視図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、研摩された、遊離の元素を有する接合すべき面を向
かい合わせそして不活性または還元性の雰囲気中でプレ
ス圧力下において高温度に加熱することにより炭化ケイ
素成形体部材を結合する方法において、研摩された接合
すべき面の少くとも1つの面に、Ag、Al、Au、B
、Be、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Mo、
Nb、Ni、Pd、Pt、Ta、Ti、V、WおよびZ
rよりなる群から選択された炭化物および/またはケイ
化物を形成する元素の少くとも1種の最大限1μmの厚
さの活性化層を適用し、そして接合された部材を、10
^−^1ないし10^5Paの範囲内の不活性または還
元性の雰囲気中で800ないし2200℃の範囲内の温
度において1ないし100 MPaの範囲内のプレス圧力下で互いに融接させること
によつて、無加圧焼結されたSiC(SSiC)または
熱間プレスされたSiC(HPSiC)からなる炭化ケ
イ素成形体部材を互いに結合させることを特徴とする方
法。 2、接合すべき面の少くとも1つの面に0.1ないし1
μmの厚さの活性化層を適用する特許請求の範囲第1項
記載の方法。 3、炭化物および/またはケイ化物を形成する材料が蒸
着、溶射またはロール掛けによつて適用される特許請求
の範囲第1項または第2項に記載の方法。 4、炭化物および/またはケイ化物形成材料としてCr
、Cu、Ni、Ptおよび/またはPdあるいはこれら
の合金を適用する特許請求の範囲第1項記載の方法。 5、薄層のために銅または銅合金を用いる特許請求の範
囲第1項記載の方法。 6、薄層用の材料の溶融温度以上の接合温度を選択する
特許請求の範囲第1項記載の方法。 7、適用される1μmの厚さの層の材料を考慮して温度
、プレス圧力および処理時間を互いに調整せしめる特許
請求の範囲第1項または第6項に記載の方法。 8、プレス圧力を15ないし45MPaの範囲内で、特
に25MPa附近で、温度を1500ないし1800℃
の間で、そして圧力を作用させる時間を15ないし12
0分間、特に30ないし60分間の範囲内で選択する特
許請求の範囲第7項記載の方法。 9、接合処理を10^3ないし10^5Paの範囲内の
圧力のアルゴン中で行なう特許請求の範囲第1項〜第8
項のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853518710 DE3518710A1 (de) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | Verfahren zum verbinden von siliciumcarbid-formteilen |
DE3612458.3 | 1986-04-14 | ||
DE3518710.7 | 1986-04-14 | ||
DE19863612458 DE3612458A1 (de) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | Verfahren zum verbinden von siliciumcarbid-formteilen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6217080A true JPS6217080A (ja) | 1987-01-26 |
JPH0723264B2 JPH0723264B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=25832528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61117658A Expired - Lifetime JPH0723264B2 (ja) | 1985-05-24 | 1986-05-23 | 炭化ケイ素成形体部材の結合方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4762269A (ja) |
EP (1) | EP0209672B1 (ja) |
JP (1) | JPH0723264B2 (ja) |
DE (1) | DE3663516D1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013531599A (ja) * | 2010-05-21 | 2013-08-08 | セラマテック インコーポレイテッド | セラミック間接合および関連方法 |
JP2014154885A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Infineon Technologies Ag | 複合材ウェハおよびその製造方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4978051A (en) * | 1986-12-31 | 1990-12-18 | General Electric Co. | X-ray tube target |
US4961529A (en) * | 1987-12-24 | 1990-10-09 | Kernforschungsanlage Julich Gmbh | Method and components for bonding a silicon carbide molded part to another such part or to a metallic part |
US5021107A (en) * | 1988-01-19 | 1991-06-04 | Holko Kenneth H | Process for joining or coating carbon-carbon composite components |
DE3820459C1 (ja) * | 1988-06-16 | 1989-11-09 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
US4939101A (en) * | 1988-09-06 | 1990-07-03 | General Electric Company | Method of making direct bonded wafers having a void free interface |
GB8821044D0 (en) * | 1988-09-08 | 1988-10-05 | Metal Box Plc | Method of bonding tool material to holder & tools made by method |
US4925608A (en) * | 1988-09-27 | 1990-05-15 | Norton Company | Joining of SiC parts by polishing and hipping |
JPH02217372A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-30 | Mazda Motor Corp | 窒化ケイ素と金属の接合方法 |
US5098494A (en) * | 1989-05-23 | 1992-03-24 | Mcnc | Bonding of ceramic parts |
US5139594A (en) * | 1990-06-26 | 1992-08-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for joining ceramic shapes |
US5407504A (en) * | 1993-11-18 | 1995-04-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method for joining ceramic to ceramic or to carbon |
US5503703A (en) * | 1994-01-10 | 1996-04-02 | Dahotre; Narendra B. | Laser bonding process |
US5683028A (en) * | 1996-05-03 | 1997-11-04 | Cvd, Incorporated | Bonding of silicon carbide components |
US6280550B1 (en) * | 1998-12-15 | 2001-08-28 | General Electric Company | Fabrication of composite articles having an infiltrated matrix |
US6692597B2 (en) * | 2001-12-03 | 2004-02-17 | Frederick M. Mako | Ceramic joining |
DE112004001032T5 (de) * | 2003-06-13 | 2006-05-18 | Han, Joo-Hwan, Kyungsan | Verfahren zum Verbinden von Keramik: Reaktions-Diffusionsbinden |
DE102004044942A1 (de) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum verformungsarmen Diffusionsschweißen von keramischen Komponenten |
US20120177488A1 (en) * | 2009-03-27 | 2012-07-12 | General Electric Company | Process for joining silicon-containing ceramic articles and components produced thereby |
US9702490B2 (en) * | 2013-04-30 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Sealing method for silicon carbide parts used at high temperatures |
US9428423B2 (en) * | 2013-05-03 | 2016-08-30 | Advanced Bonding Technologies, Inc. | Self-bonding of chemically vapor deposited SiC articles |
EP3259092B1 (de) * | 2015-02-17 | 2019-11-13 | CeramTec GmbH | Verfahren zum diffusionsbonding von siliziuminfiltriertem siliziumcarbid (sisic) |
CN111892418A (zh) * | 2020-07-07 | 2020-11-06 | 安徽工程大学 | 一种连接碳化硅陶瓷的连接材料及其应用方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5957972A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | 新明和工業株式会社 | 拡散接合方法 |
JPS59128279A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-24 | 岡本 郁男 | ろう付け方法 |
JPS59217680A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | 株式会社日立製作所 | 金属化ペ−スト及びセラミツクス製品 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA598364A (en) * | 1960-05-17 | The General Electric Company Limited | Methods of metallizing surfaces of ceramic bodies | |
DE76467C (de) * | A. MALTBY, Nr. 8 Hanover Place in London | Elastischer Radreifen mit concentrisch zum Radkranz angeordnetem Stah'reifen | ||
US2319323A (en) * | 1938-04-11 | 1943-05-18 | Carborundum Co | Siliconized silicon carbide connection and method of making the same |
DE1571297A1 (de) * | 1966-03-09 | 1970-12-03 | Annawerk Gmbh | Verfahren zum Verbinden feuerfester Koerper |
US3517432A (en) * | 1968-05-02 | 1970-06-30 | Atomic Energy Commission | Diffusion bonding of ceramics |
GB1315319A (en) * | 1970-09-11 | 1973-05-02 | English Electric Co Ltd | Method of brazing |
US4156051A (en) * | 1975-11-10 | 1979-05-22 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Composite ceramic articles |
JPS553384A (en) * | 1978-06-09 | 1980-01-11 | Norton Co | Method of adhering siliconndenatured silicon carbide element |
DE3003186C2 (de) * | 1980-01-30 | 1983-01-27 | Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen | Anwendung des Diffusionsschweißens zur Verbindung von Bauteilen aus Siliciumverbundwerkstoffen |
US4419161A (en) * | 1980-12-22 | 1983-12-06 | Kennecott Corporation | Method of producing composite ceramic articles |
US4487644A (en) * | 1981-10-02 | 1984-12-11 | Kernforschungsanlage J/u/ lich | Binderless weld-bonding of preshaped sic-base parts into solid bodies |
DE3230320C2 (de) * | 1982-08-14 | 1985-05-30 | Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen | Lot zum Verbinden von Siliziumcarbidwerkstoffen |
DE3311553C2 (de) * | 1983-03-30 | 1985-11-14 | Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich | Verfahren zum Verbinden von Formteilen mit Siliziumkarbidoberfläche |
JPS59190279A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-29 | 株式会社東芝 | セラミツクス構造体及びその製造方法 |
JPS6033268A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-20 | 株式会社日立製作所 | セラミツクス接合方法 |
US4482418A (en) * | 1983-08-17 | 1984-11-13 | International Business Machines Corporation | Bonding method for producing very thin bond lines |
JPS60141681A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-26 | 三井造船株式会社 | 接合用セラミツクス部材及びその接合方法 |
-
1986
- 1986-05-23 DE DE8686107069T patent/DE3663516D1/de not_active Expired
- 1986-05-23 EP EP86107069A patent/EP0209672B1/de not_active Expired
- 1986-05-23 US US06/866,597 patent/US4762269A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-05-23 JP JP61117658A patent/JPH0723264B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5957972A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | 新明和工業株式会社 | 拡散接合方法 |
JPS59128279A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-24 | 岡本 郁男 | ろう付け方法 |
JPS59217680A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | 株式会社日立製作所 | 金属化ペ−スト及びセラミツクス製品 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013531599A (ja) * | 2010-05-21 | 2013-08-08 | セラマテック インコーポレイテッド | セラミック間接合および関連方法 |
JP2014154885A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Infineon Technologies Ag | 複合材ウェハおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4762269A (en) | 1988-08-09 |
EP0209672A3 (en) | 1987-05-06 |
EP0209672A2 (de) | 1987-01-28 |
EP0209672B1 (de) | 1989-05-24 |
DE3663516D1 (en) | 1989-06-29 |
JPH0723264B2 (ja) | 1995-03-15 |
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