JPH0425138A - ボンディングツール - Google Patents

ボンディングツール

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JPH0425138A
JPH0425138A JP2129924A JP12992490A JPH0425138A JP H0425138 A JPH0425138 A JP H0425138A JP 2129924 A JP2129924 A JP 2129924A JP 12992490 A JP12992490 A JP 12992490A JP H0425138 A JPH0425138 A JP H0425138A
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bonding tool
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勉 中村
Katsuyuki Tanaka
克享 田中
Tetsuo Nakai
哲男 中井
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    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は半導体チップの製造過程で使用されるT A
 B用ボン1イングッールに関するものである。
(従来の技術) 近年、半導体分野の技術進歩は著しく、軽薄短小の傾向
にのって、IC,LSIなどを用いた応用製品の生産は
年々増加している。これらの半導体素子の持つ電気的特
性を引き出すためには、金属めっきが施されたリードや
ボンディングワ實ヤーと呼ばれる金属細線と接続するこ
とが必要である。
接続金属にし4、通常化学的に安定であることや電気伝
導性が高いごとからAu或はAu−5n合金が用いられ
、接続法としては、加熱したボンディングツールで加圧
し、熱圧着する方式が広く採用されている。
上記の熱圧着方式の接続で用いられるボンディングツー
ルは人別して2種ある。
(課題) その1つの方式は、パルス加熱方式と呼ばれるもの−C
3素材のニクIコム、ステンレス、インコネル、Mo等
を瞬間的に通電発熱させて使用する。この方式−CL;
l使用する素4.(の問題として、高温での酸化やり−
1の焼付き、変形等が顕著に律じるため、定1υj的G
こ先端をクリーニングする必要がある。
他の1つは定常加dS方弐のツールで、カーi・リッジ
ヒーターを組み込んだシトンクの先端に研摩したダイヤ
干ンIやルヒーの華結晶を埋め込んだものが使用されて
おり、パルス加熱方式のツールに比くζ特にダ・イへ・
壬ント単結晶を用いたものは)1−命が長い′1.′I
徴がある。ここで、ダイ)フモントが好んご用い(1わ
るの:31、人気中で約900℃土で1須)Yな執′;
j化が牛し2ない、二とや、A」「Snとの濡れ性がi
!!むく、反尾、も/1しない、−とに、■、るもの−
Cある。
また、研摩したダイヤ千ン1゛単結晶はその表面状態が
Rmaxで0.1μm以下と良好で、かつ高硬度である
ためその表面状態が変化し難い。この特性により、圧着
時に溶融したAu−3nはダイヤモンド表面に付着残留
することが少ない。
さらに、ダイヤモンドは現有する物質中、最も高い熱伝
導部を有するため、定常加熱方式のツール素材に用いる
と、ヒーターを過度に発熱させる、二となくすなわしシ
ャンクを過度に熱することなくツール先端を所望の50
0〜600℃に加熱させることができるという長所があ
る。
L7かしながら、ダ・イー・モンドfit結晶は高価で
あり、また比較的安価な合成品でも未だ数mm以−にの
大きなものが得られてい4(いのが現実である。今後、
多数の端子を−・度に熱圧着する工程が増加すると考え
られるが、その鳴音には10mm以I−の素材形状が必
要となる。
それゆえに、本発明のL1的は1.i記の必要特性を備
えたポンディング゛)−ルを提供することにある。
(、I!l!題全力・1″決1イ、ための手段)ずなわ
ら、本発明のボンディングツールは、5iSi(N4’
a:主成分とする焼結体、SiCを主成分とする焼結体
、八〇 Nを主成分とする焼結体および/またハ5′、
れらの複合体からなる基体に気相合成法で析出させた多
結晶ダイ′〜・セントを被覆したちの4二F、具入◇ゼ
;部と(〜、該工具先端部と、少なくともその 部か室
温からう00℃よ−この線膨張率が75XIO’/℃以
十である金属および/または合金製シャンクとか接合し
ていることを特徴とするものである。
(作用) 以F本発明を発明の経緯と共に詳細に説明する。
本発明者らは、先ずダイヤモンド単結晶の代りにより大
きな形状が作製できる市販のGoを結合(Aとして含有
する焼結ダイヤモンドを定常加熱方式ツールの先端素材
に用いることを検討した。
融点750°(二の恨11つを使用してステンレス釦1
製のシャンクにロウイ・]すした後、先端面の研摩とソ
ヤンクの加Iを行いツールを作製した。研摩された焼結
ダイヤモンl゛はRmaχ−0,06/Jmで表面状態
は良好であった。
ツールの先端を常時570℃に一定加熱してICチップ
とAu−5n線との熱圧着をくり返し行ったところ、徐
々に、研摩した先端面に凹凸が生じ、融解したΔu−3
n合金のイ」着量が多くなっている状態が観察された。
先端面の変形るJ、ダイヤモノ1焼結体を常時加熱して
いるため、結合材のCoとダイヤモンISの熱膨張差に
栽づき微小亀裂の発生や、ダイヤモンドの黒鉛化の進行
による耐摩耗性の低下によるものと考えられた。
以」二のことから、COを結合材とした市販の焼結ダイ
A・セントでは、この種の工具の要求特性を満足できず
、より融点の高いロウ月が使用でき、かつ長時間の加熱
使用にも耐えられる高耐熱の素材が必要であることが判
明した。
耐熱性の高いダイヤモンド焼結体は、例えば特開昭53
−114589号公報に開示されているが、この焼結体
は鉄族金属結合材を酸処理により抽出したものであるた
め、空孔が存在し、研摩を行っても表面状態が良好とな
らないため、使用中にALI−5n合金がイ(1着し易
い。
空孔の存在しない耐熱性ダイヤモンド焼結体は、特開昭
59−161268号公報や特開昭6] −33865
号公報に開示されているが、これらの結合材は、Siや
SiC成はN1とSiの合金等で構成されており、これ
らはダイヤモンI・に比べて硬度が低いため研摩後の表
面状態G:1やはりI−分満足されたもので4Jない。
結合材を含有セす、ダイヤモンドのみからなる焼結体は
、i4熱性、硬度、熱伝導率、面)1度の全てに関して
最も望ましいと考えられる。その試のとして、ダイヤモ
ンIの粉末のみを超高圧下で焼結することが行われてい
るが、ダイヤモンI1粒子自月が変形し難いため、粒子
の間隙には圧力が伝達されず、したがって黒鉛化が生じ
、ダイヤセン1−−−黒鉛の複合体しか得られていない
のが現状である。
−・方、1.H近ては気相合成法により、結合材を含有
し2ないダイヤモノ1多結晶体を製造する技術が飛躍的
な進歩を遂げており、この技術を応用することが有効で
あると考えられた。気相合成法により、ダイヤモノ1゛
薄膜を超硬合金やW等の基体に析出させ、切削工具とし
て用いることは知られているが、これを」上記したポン
ディングツールに適用しCも、膜の密着強度が低いため
、使用中に被覆膜の、?JJ離や亀裂の発生が生じて、
良好な結果が得られなかった。
本発明者らは、より一層優れたポンディングツル素材を
得るべく鋭意検削し、さらにこの優れた素材をボンディ
ングツールの工具先端部として活かすためのツール構成
の検削を重ねた結果、以下の発明をなしたものである。
ずなわち、Si、5i3Naを主成分とする焼結体、S
iCを主成分とする焼結体、AffNを主成分とする焼
結体および/またはこれらの複合体からなる基体に気相
合成法で析出させた多結晶ダイヤモンドを被覆したもの
を工具先端部とし、該工具先端部と、少なくともその−
・部が室温から600℃までの線膨張率が7.5x 1
0−’ / ℃以下である金属および/または合金製シ
ャンクとが接合していることをq、y徴とすることによ
り、優れたボンディングツールとなることを見出したも
のである。
本発明の実施にあたり、優れたボンディングツール素材
を得るためには、基体にダイヤモンドとの熱膨張係数が
近く、被覆したダイヤモンド層との密着性が良好なもの
を選定することが必要である。
またツールの作製工程及びツールとして使用する際には
、500〜1000℃程度の高温に曝されるため、高い
耐熱性を有するものであることも必要である。本発明者
らは、これらの特性を有する物としてSi、Si、N 
4を主成分とする焼結体、SiCを主成分とする焼結体
、八〇Nを主成分とする焼結体が有効であることを見出
した。これらの基体を必要形状に成形加工した後、気相
合成法によりダイヤモン1−の被覆を行なう。尚、基体
の厚さは、上記の基体材質の強度、シャンク材質の線膨
張率の大きさ等により 0.5〜5mmの範囲で選択さ
れる。
気相合成の手段としては公知のあらゆる方法が可能であ
り、熱電子放射やプラズマ放電を利用して原料ガスの分
解・励起を生しさセる方法や燃焼炎を用いた成膜方法等
が有効である。原料ガスとしては、例えばメタン、エタ
ン、プロパン等の炭化水素類、メタノール、エタノール
等のアルコール類、エステル類等の有機炭素化合物と水
素とを主成分とする混合ガスを用いることが一般的であ
るが、これら以外にアルゴン等の不活性ガスや酸素、−
酸化炭素、水等も、炭素の合成反応やその特性を阻害し
ない範囲であれば、原料中に含有されていても差し支え
ない。
被覆する膜厚は5〜300μmが好ましい。これは膜厚
が5μm未満であると被覆面の研摩中に或はツールとし
て使用中に亀裂が入りやすいためである。また現状の技
術では膜厚が300μmを超す厚いものとするのは、析
出速度が小さいので時間すなわちコストがかかり好まし
くない。
また、被覆する多結晶ダイヤモンドは、ツール作製時に
その被覆」二面を研摩仕上げする必要があることを考慮
し、その加工性を容易にするために、厚さ方向に(10
0)面および/または(110)面に配向するように合
成することが有効である。(11])面の場合は硬度が
高く加工性が悪い。さらに同じ理由から被覆する多結晶
ダイヤモンドの被覆上面の粒子径が100μm以下とな
るように合成することが望ましい。
さらに、被覆する多結晶ダイヤモンドの純度は、ラマン
分光分析によるダイヤモンド炭素(X)と非ダイヤモン
ド炭素(Y)のピーク比(Y/X)が0.2以下である
ことが重要である。純度がこれよりも悪いと、含有され
る非ダイヤモンド炭素が多くなり、ツール使用時に大気
中で加熱される際に、この非ダイヤモンド炭素が選択的
に酸化されて、ツール先端の面粗度が低下するため好ま
しくない。
以−]−の方法で得られたツール素材は、ダイヤモン1
−で被覆した面をさらに研摩仕」こげして、その表面状
態を単結晶ダイヤモン)・並のRmax O,05μm
】以上とすることができる。
二の表面研17された工具累月は、ロウ材は等の手段に
より工具母材に接合することにより、ボンディングツー
ル素材として性能を発揮するものである。
接合法としては、600℃以上の融点を有するロウ材を
用いる方法ならびに、熱圧着により形成された金により
行う方法が有効である。
前者のロウ材は法では、ロウ材として周期律表第TVa
、Va、Vla、■a族元素の少なくとも1種以上を1
〜40重量%含有し、残部が周期律表第■族、Cu、 
Ag、^Ll、 B + In、 Snの少なくとも1
種以上からなる合金を用いる方法と、工具先端部の接合
表面に周期律表第rVa、Va、VTa、■a族元素の
少なくとも1種以」二からなる金属或は合金、またはこ
れら元素の化合物からなる薄膜と5、周期律表第■族、
Cu、Ag、Auの1種以」二からなる薄膜がこの順番
で被覆されており、この工具先端部は該被覆層を介して
600℃以」二の融点を有するロウ材でシャンクと接合
する方法をとることができる。
これらの方法で、周期律表第1Va、Va、Vla■a
族元素からなる金属、合金或は化合物は多結晶ダイヤモ
ンI・と反応することにより炭化物を生成し、ロウ付強
度を向」ニさせる作用をもつものである。
後者の全圧着の方法では、工具先端部および/またはシ
ャンクが接合表面に周期律表第TVa、Va■a、■a
族元素の少なくとも1種以上からなる金属或は合金、ま
たはこれら元素の化合物からなる薄膜を接着強化層とし
て、またPt、Pd、W、 M。
Ta、 Niの少なくとも1種板」二からなる金属酸合
金の薄膜を拡(1シ防止層として、拡散防止層が外側に
なるよ・うに被覆されていることが高い接合強度を得る
ために重要である。
シャンク材質としては、熱膨張率の値が工具先端部のそ
れに近いもの、すなわち、室温から600゛Cまでの線
膨張率が7.5 X 10−6/ ’c以下である金属
および/または合金を少なくともその一部に使用するこ
とが接合強度の点から重要である。このような特徴をも
った材質としては、コバール、インバー合金、 Mo、
 W、 W−Cu合金、超硬合金などが該当する。さら
に必要に応じて熱応力緩和層としてCuやNi等の軟質
金属をシャンク接合側の一部に介在させる方法も有効で
ある。
これらのシャンク素材を用いたツール構成は大別して3
種あり、第1図〜第3図にその概念図をまとめた。すな
わち、第1図はシャンクの全部に、上記の材質を用いた
場合であり、第2図は工具先端部に近い一部(シャンク
(A))にのみ用いた場合を表わす。第2図の構成は、
素材費が高い或は加工が難しい材質、すなわちMo、W
、超硬合金等を使用する場合に特に有効である。この場
合、シャンクの残部、すなわち図中シャンク(B)と示
されている部分にはステンレス鋼等の熱膨張率が大きい
材質を用いてもさしつかえない。
また、第3図はシャンク本体と工具先端部の間に、熱応
力緩和層として、上記の金属を介在させたもので、この
軟質金属が塑性変形することにより、熱応力を緩和して
接合強度の低下を防ぐことができる。
以」二のいずれの構成においてもその接合強度は10k
g/mm2以上の安定した値を示し、ボンディングツー
ルとして使用することができる。
以下、実施例により具体的に説明する。
(実施例) 実施例1 マイクロ波プラスマCVD法により一辺15mm厚さ2
mmのSiC焼結体製の基体を石英ガラスからなる支持
台上に固定して、ダイヤモンドの被覆を行なった。条件
は以下の通りで、10時間で50μmの厚さの多結晶ダ
イヤモンドが被覆できた。
原料ガス(流量)  : N2200CC/min、C
I+4 4cc/min 、、Ar 50cc/min
圧カニ 100Torr マイクロ波発振機出カニ  800W 被覆層である多結晶ダイヤモンドの粒径は15μm程度
で、表面粗さはRmaxで8.5μmであった。
また、Moを基体として同様の条件で処理したところ、
膜厚が45μm、粒径20μmで表面粗さがRmaxで
10.5μmの多結晶ダイヤモンドが被覆できた。
これらの多結晶ダイヤモンドはいずれも厚さ方向に(1
10)面配向しているものであった。また、これらの多
結晶ダイヤモンドはラマン分光分析により、ダイヤモン
ド炭素(X)と非ダイヤモンド炭素(Y)のピーク比(
Y/X)が0.05であった。
これらの被覆焼結体をメソシュサイズ#200のダイヤ
モンド電着砥石により、その被覆面を研摩した。その結
果、Moを基体としたものは、研摩中に膜に亀裂が入り
、一部剥離してしまったが、SiC焼結体を基体とした
ものは、剥離せずにRmaxが0.03μmと単結晶ダ
イヤモンドに匹敵する程の良好な研摩面状態が得られた
。この研摩できたものを研摩面と反対側の面をロウ付の
面としてコバール製のシャンクにAg−Cu合金ロウ材
により、真空中850℃でロウ付は接合した。尚、ロウ
付けの前処理として、ロウ付は面となるSiC焼結体の
表面にはPVD法でTi及びN1を夫々2μmづつ予め
積層被覆した。
この接合体をさらに研摩仕上げ加工してボンディングツ
ールを作製した。このツールの耐久テストをボンディン
グ装置に実装して行ったところ、3mm角の単結晶ダイ
ヤモンドを用いて作製したツルと同様に100万回の使
用に酎えた。
そのボンディングm1の寸法が拡大できたことにより、
生産性が約5倍に4大できるこ七が明らかとなった。
実施例2 実施例1と同様の製造方法により、第1表に示したボン
ディングツール素材を作製した。第1表には、比較とし
て本発明以外の素材についても示した。
第 表 これらの素材の被覆面及び比較として市販のCOを10
容呈%含有する焼結ダイヤモンドを研摩加工した。
その結果、被覆膜の厚さが5μmよりも薄かったCGJ
研摩中に亀裂が入った。また、Mo、 Taを用いたN
o、13.陽Tは夫々研1f中に被覆膜がヱリ離してし
まった。さらに(111,)面に配向したA及び被覆多
結晶ダイヤモンドの上面粒子径が150μmと壮大であ
るNo、l+は加工性が悪く、全面研摩することができ
なかった。
これら以外のものの研lf後の表面相さを第2表に示す
これらの素]Aを加工し、Cu、 lli、 Mnが夫
々重量比で7;]:2の割合からなるlコラ材を用いて
、インバー合金製のシャンクに真空中900 ’cの条
件で1:]つ伺りを行った。接合後加]二を施して先端
角10mmのホンディングツールを作製した。これらの
ツールの耐久テストを行った結果もあわせて第2表に示
す。使用条Mは、先端温度520℃で圧着時間2秒とし
、ビン数1000木のIcをくり返しボンディングした
。この表から明らかなように、ラマン分光分析により非
ダイヤモンド炭素の含有量が本発明の規格以」二であっ
たNo、 Fは面才H度の劣化がみられたが、本発明の
素材を用いたツールでは顕著な劣化はみられなかった。
第  2  表 実施例3 熱電子放射祠として直径0.5mm及び長さ20mmの
直線状タングステンフィラメン1−を用い、水素、炭素
源及び水蒸気からなる原料ガスを20時間分解励起して
、厚さ3mmのSiC基体上に第3表に示す条件で多結
晶ダイヤモンドを合成した。
得られた多結晶ダイヤモンドの1も”性を第3表にあわ
・Uて示ず。ごれらの工具先端部を第4表に示した構成
でツールを作製した。これらはいずれもボンディングツ
ールとして 100万回の使用に耐えた。使用後のツー
ルを用いて接合強度(剪断強度)を測定した結果を第4
表に示す。比較として、本発明外であるS U S 3
04に直接口う付けした場合は2” g / m m 
2と低い値を示したが、本発明のI5〜Qはいずれも安
定した高い接合強度を示すことが明らかとなった。
(発明の効果) 以上のように、本発明によれば、耐熱性、強度および耐
摩耗性がより−・層間」ニされたボンディングツールを
得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図および第3図は本発明のボンディングツ
ールの構成を示す。 (番号) 1:多結晶ダイヤモンド 2:基体 3:ロウ材或は金 4:シャンク(A) 5:シャンク (T3) 6:熱応力緩和層 7:シャンク (A)

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Si、Si_3N_4を主成分とする焼結体、S
    iCを主成分とする焼結体、AlNを主成分とする焼結
    体および/またはこれらの複合体からなる基体に気相合
    成法で析出させた多結晶ダイヤモンドを被覆したものを
    工具先端部とし、該工具先端部と、少なくともその一部
    が室温から600℃までの線膨張率が7.5×10^−
    ^6/℃以下である金属および/または合金製シャンク
    とが接合していることを特徴とするボンディングツール
  2. (2)基体の厚さが0.5〜5mmであることを特徴と
    する請求項(1)記載のボンディングツール。
  3. (3)被覆する多結晶ダイヤモンドの厚さが5〜300
    μmであることを特徴とする請求項(1)及び(2)記
    載のボンディングツール。
  4. (4)被覆する多結晶ダイヤモンドの純度がラマン分光
    分析によるダイヤモンド炭素(X)と非ダイヤモンド炭
    素(Y)のピーク比(Y/X)が0.2以下であること
    を特徴とする請求項(1)〜(3)記載のボンディング
    ツール。
  5. (5)被覆する多結晶ダイヤモンドが厚さ方向に(10
    0)面および/または(110)面に配向していること
    を特徴とする請求項(1)〜(4)記載のボンディング
    ツール。
  6. (6)工具先端部とシャンクとの接合が600℃以上の
    融点を有するロウ材により行なわれていることを特徴と
    する請求項(1)〜(5)記載のボンディングツール。
  7. (7)ロウ材が周期律表IVa、Va、VIa、VIIa族元
    素の少なくとも1種以上を1〜40重量%含有し、残部
    が周期律表第VIII族、Cu、Ag、Au、B、In、S
    nの少なくとも1種以上からなる合金であることを特徴
    とする請求項(6)記載のボンディングツール。
  8. (8)工具先端部の接合表面に周期律表第IVa、Va、
    VIa、VIIa族元素の少なくとも1種以上からなる金属
    或は合金、またはこれら元素の化合物からなる薄膜と周
    期律表第VIII族、Cu、Ag、Auの1種以上からなる
    薄膜がこの順番で被覆されており、この工具先端部は該
    被覆層を介して600℃以上の融点を有するロウ材でシ
    ャンクと接合していることを特徴とする請求項(1)〜
    (5)記載のボンディングツール。
  9. (9)工具先端部とシャンクとの接合が、熱圧着により
    形成された金により行われていることを特徴とする請求
    項(1)〜(5)記載のボンディングツール。
  10. (10)工具先端部および/またはシャンクが接合表面
    に周期律表IVa、Va、VIa、VIIa族元素の少なくと
    も1種以上からなる金属或は合金、またはこれら元素の
    化合物からなる薄膜を接着強化層として、またPt、P
    d、W、Mo、Ta、Niの少なくとも1種以上からな
    る金属或いは合金の薄膜を拡散防止層として、拡散防止
    層が外側になるように被覆されていることを特徴とする
    請求項(9)記載のボンディングツール。
  11. (11)シャンクの材質として、シャンク全部或いは接
    合側の一部がコバール、インバー合金、Mo、W、W−
    Cu合金、超硬合金からなることを特徴とする請求項(
    1)〜(10)記載のボンディングツール。
  12. (12)シャンク材質として、接合側の一部にCu、N
    iを熱応力緩和層として介在することを特徴とする請求
    項(1)〜(11)記載のボンディングツール。
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