JPH07278804A - スパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲット - Google Patents
スパッタリング薄膜形成用純ＴｉターゲットInfo
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- JPH07278804A JPH07278804A JP9798094A JP9798094A JPH07278804A JP H07278804 A JPH07278804 A JP H07278804A JP 9798094 A JP9798094 A JP 9798094A JP 9798094 A JP9798094 A JP 9798094A JP H07278804 A JPH07278804 A JP H07278804A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高出力スパッタリングに適用できる純Ｔｉタ
ーゲットを提供する。 【構成】 純度：９９．９９％以上、平均結晶粒径：８
００μｍ以下の高純度Ｔｉターゲット本体と、上記高純
度Ｔｉターゲット本体よりも純度の低いＴｉからなるバ
ッキングプレートを接合してなり、上記高純度Ｔｉター
ゲット本体は再結晶組織を有し、上記バッキングプレー
トは高純度Ｔｉターゲット本体の粒径よりも微細な再結
晶組織または加工組織を有するスパッタリング薄膜形成
用純Ｔｉターゲット。
ーゲットを提供する。 【構成】 純度：９９．９９％以上、平均結晶粒径：８
００μｍ以下の高純度Ｔｉターゲット本体と、上記高純
度Ｔｉターゲット本体よりも純度の低いＴｉからなるバ
ッキングプレートを接合してなり、上記高純度Ｔｉター
ゲット本体は再結晶組織を有し、上記バッキングプレー
トは高純度Ｔｉターゲット本体の粒径よりも微細な再結
晶組織または加工組織を有するスパッタリング薄膜形成
用純Ｔｉターゲット。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＳＩなどの拡散防
止用薄膜をスパッタリング法により形成する時に使用す
る純Ｔｉターゲットに関するものであり、特にＬＳＩな
どの拡散防止用薄膜をコリメートスパッタリング法など
の高出力スパッタリング法により形成する時に使用する
純Ｔｉターゲットに関するものである。
止用薄膜をスパッタリング法により形成する時に使用す
る純Ｔｉターゲットに関するものであり、特にＬＳＩな
どの拡散防止用薄膜をコリメートスパッタリング法など
の高出力スパッタリング法により形成する時に使用する
純Ｔｉターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、純Ｔｉターゲットは、９９．９９
％以上の高純度Ｔｉターゲット本体とＣｕ製バッキング
プレートがＩｎハンダまたはＰｂ−Ｓｎハンダによりろ
う付けされ一体化された構造を有していた。
％以上の高純度Ｔｉターゲット本体とＣｕ製バッキング
プレートがＩｎハンダまたはＰｂ−Ｓｎハンダによりろ
う付けされ一体化された構造を有していた。
【０００３】一方、近年、新しい方式のスパッタリング
法も開発されており、その１つにコリメートスパッタリ
ング法がある。このコリメートスパッタリング法はター
ゲットと基板の間に円筒状の穴を有する板（コリメータ
ー）を設ける手法であり、この手法によると細く深いコ
ンタクトホールに均一で被覆性の良好な膜が形成される
が、成膜スピードが極めて遅いため、通常のスパッタリ
ング法の３〜４倍のパワーをかけて成膜スピードを高め
ている。
法も開発されており、その１つにコリメートスパッタリ
ング法がある。このコリメートスパッタリング法はター
ゲットと基板の間に円筒状の穴を有する板（コリメータ
ー）を設ける手法であり、この手法によると細く深いコ
ンタクトホールに均一で被覆性の良好な膜が形成される
が、成膜スピードが極めて遅いため、通常のスパッタリ
ング法の３〜４倍のパワーをかけて成膜スピードを高め
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、コリメ
ートスパッタリング法は通常のスパッタリング法に比べ
て３〜４倍のパワーを付加するところから純Ｔｉターゲ
ットは通常より高温の２００℃に加熱され、その結果、
従来の高純度Ｔｉターゲット本体とＣｕ製バッキングプ
レートをＩｎハンダまたはＰｂ−Ｓｎハンダで接合して
なる純Ｔｉターゲットは、ハンダが溶融して高純度Ｔｉ
ターゲット本体とＣｕ製バッキングプレートが剥離す
る。
ートスパッタリング法は通常のスパッタリング法に比べ
て３〜４倍のパワーを付加するところから純Ｔｉターゲ
ットは通常より高温の２００℃に加熱され、その結果、
従来の高純度Ｔｉターゲット本体とＣｕ製バッキングプ
レートをＩｎハンダまたはＰｂ−Ｓｎハンダで接合して
なる純Ｔｉターゲットは、ハンダが溶融して高純度Ｔｉ
ターゲット本体とＣｕ製バッキングプレートが剥離す
る。
【０００５】これに対して、高純度Ｔｉターゲット本体
とＣｕ製バッキングプレートにＨＩＰをかけて拡散接合
することも考えられるが、Ｔｉの熱膨脹係数（８．９×
１０-6／Ｋ）とＣｕの熱膨脹係数（１７．０×１０-6／
Ｋ）とが大きく異なるために、上記パワーの大きいコリ
メートスパッタリング法に上記高純度Ｔｉターゲット本
体とＣｕ製バッキングプレートを拡散接合した純Ｔｉタ
ーゲットを適用すると、スパッタリング中に純Ｔｉター
ゲットに反りが発生し、この反りが発生すると均一なス
パッタリング薄膜が得られないだけでなく真空リークが
発生するなどの課題があった。
とＣｕ製バッキングプレートにＨＩＰをかけて拡散接合
することも考えられるが、Ｔｉの熱膨脹係数（８．９×
１０-6／Ｋ）とＣｕの熱膨脹係数（１７．０×１０-6／
Ｋ）とが大きく異なるために、上記パワーの大きいコリ
メートスパッタリング法に上記高純度Ｔｉターゲット本
体とＣｕ製バッキングプレートを拡散接合した純Ｔｉタ
ーゲットを適用すると、スパッタリング中に純Ｔｉター
ゲットに反りが発生し、この反りが発生すると均一なス
パッタリング薄膜が得られないだけでなく真空リークが
発生するなどの課題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
コリメートスパッタリング法などのような高出力スパッ
タリング法に適用し高温に加熱されても高純度Ｔｉター
ゲット本体とバッキングプレートとが剥離することがな
く、ターゲット全体の反りがほとんど発生せず、さらに
従来よりも一層均一で優れたスパッタリング薄膜を得る
ことのできる純Ｔｉターゲットを製造すべく研究を行っ
た結果、（１） Ｔｉは純度が低いほど強度が優れてい
るところから、バッキングプレートには高純度ターゲッ
ト本体よりも低純度のＴｉを使用する方が好ましくかつ
経済的であり、また高純度Ｔｉターゲット本体とバッキ
ングプレートの熱膨張係数がほぼ同じであるところから
コリメートスパッタリングなど高出力スパッタリング法
に適用しても反りの発生が少ない、（２） 高純度Ｔｉ
ターゲット本体の結晶粒は、微細なほど被スパッタリン
グ面に付着する粗大パーティクル数が少なく均一なスパ
ッタリング薄膜が得られ、上記高純度Ｔｉターゲット本
体の平均結晶粒径は８００μｍ以下、好ましくは２００
μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下である、な
どの研究結果が得られたのである。
コリメートスパッタリング法などのような高出力スパッ
タリング法に適用し高温に加熱されても高純度Ｔｉター
ゲット本体とバッキングプレートとが剥離することがな
く、ターゲット全体の反りがほとんど発生せず、さらに
従来よりも一層均一で優れたスパッタリング薄膜を得る
ことのできる純Ｔｉターゲットを製造すべく研究を行っ
た結果、（１） Ｔｉは純度が低いほど強度が優れてい
るところから、バッキングプレートには高純度ターゲッ
ト本体よりも低純度のＴｉを使用する方が好ましくかつ
経済的であり、また高純度Ｔｉターゲット本体とバッキ
ングプレートの熱膨張係数がほぼ同じであるところから
コリメートスパッタリングなど高出力スパッタリング法
に適用しても反りの発生が少ない、（２） 高純度Ｔｉ
ターゲット本体の結晶粒は、微細なほど被スパッタリン
グ面に付着する粗大パーティクル数が少なく均一なスパ
ッタリング薄膜が得られ、上記高純度Ｔｉターゲット本
体の平均結晶粒径は８００μｍ以下、好ましくは２００
μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下である、な
どの研究結果が得られたのである。
【０００７】この発明は、かかる研究結果に基づいてな
されたものであって、平均結晶粒径が８００μｍ以下の
高純度Ｔｉターゲット本体と、この高純度Ｔｉターゲッ
ト本体よりも純度の低いＴｉからなるバッキングプレー
トを接合してなり、上記高純度Ｔｉターゲット本体の平
均結晶粒径は８００μｍ以下であるスパッタリング薄膜
形成用純Ｔｉターゲットに特徴を有するものであり、ま
た、上記高純度Ｔｉターゲット本体は平均粒径：８００
μｍ以下の再結晶組織を有し、バッキングプレートは高
純度Ｔｉターゲット本体よりも常に微細な再結晶組織を
有するスパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲットに特
徴を有するものである。
されたものであって、平均結晶粒径が８００μｍ以下の
高純度Ｔｉターゲット本体と、この高純度Ｔｉターゲッ
ト本体よりも純度の低いＴｉからなるバッキングプレー
トを接合してなり、上記高純度Ｔｉターゲット本体の平
均結晶粒径は８００μｍ以下であるスパッタリング薄膜
形成用純Ｔｉターゲットに特徴を有するものであり、ま
た、上記高純度Ｔｉターゲット本体は平均粒径：８００
μｍ以下の再結晶組織を有し、バッキングプレートは高
純度Ｔｉターゲット本体よりも常に微細な再結晶組織を
有するスパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲットに特
徴を有するものである。
【０００８】この発明の純Ｔｉターゲットの高純度Ｔｉ
ターゲット本体は従来と同様に９９．９９重量％以上の
純度を有するが、その平均結晶粒径は８００μｍを越え
ると被スパッタリング面に付着する粗大パーティクルの
数が増大するので好ましくない。したがって、高純度Ｔ
ｉターゲット本体の平均結晶粒径は８００μｍ以下であ
ることが必要であり、高純度Ｔｉターゲット本体の平均
結晶粒径は微細であるほど好ましいから、２００μｍ以
下であることが好ましく、１００μｍ以下である方が一
層好ましい。
ターゲット本体は従来と同様に９９．９９重量％以上の
純度を有するが、その平均結晶粒径は８００μｍを越え
ると被スパッタリング面に付着する粗大パーティクルの
数が増大するので好ましくない。したがって、高純度Ｔ
ｉターゲット本体の平均結晶粒径は８００μｍ以下であ
ることが必要であり、高純度Ｔｉターゲット本体の平均
結晶粒径は微細であるほど好ましいから、２００μｍ以
下であることが好ましく、１００μｍ以下である方が一
層好ましい。
【０００９】上記高純度Ｔｉターゲット本体の平均結晶
粒径を微細化するには、高純度Ｔｉターゲット本体に圧
延等の加工を施して加工組織とし、この加工組織を有す
る高純度Ｔｉターゲット本体を高温保持して微細な再結
晶組織を生じせしめることにより達成される。
粒径を微細化するには、高純度Ｔｉターゲット本体に圧
延等の加工を施して加工組織とし、この加工組織を有す
る高純度Ｔｉターゲット本体を高温保持して微細な再結
晶組織を生じせしめることにより達成される。
【００１０】また、バッキングプレートは加工組織のま
ま保持する方が好ましいが、上記高温ろう付け、ＨＩ
Ｐ、ホットプレス等により高純度Ｔｉターゲット本体と
接合する場合は、バッキングプレートも同時に加熱され
るから再結晶組織となる。しかしバッキングプレートを
構成するＴｉの純度はターゲット本体のＴｉ純度よりも
低いので再結晶化速度は遅く、したがってこの発明のス
パッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲットのバッキング
プレートの再結晶粒は高純度Ｔｉターゲット本体の再結
晶粒よりも常に微細であるか、またはバッキングプレー
トは加工組織のまま保持され、高純度Ｔｉターゲット本
体のみが再結晶化された組織構造となる。
ま保持する方が好ましいが、上記高温ろう付け、ＨＩ
Ｐ、ホットプレス等により高純度Ｔｉターゲット本体と
接合する場合は、バッキングプレートも同時に加熱され
るから再結晶組織となる。しかしバッキングプレートを
構成するＴｉの純度はターゲット本体のＴｉ純度よりも
低いので再結晶化速度は遅く、したがってこの発明のス
パッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲットのバッキング
プレートの再結晶粒は高純度Ｔｉターゲット本体の再結
晶粒よりも常に微細であるか、またはバッキングプレー
トは加工組織のまま保持され、高純度Ｔｉターゲット本
体のみが再結晶化された組織構造となる。
【００１１】この発明のスパッタリング薄膜形成用純Ｔ
ｉターゲットの代表的製造方法を以下に説明するが、こ
の発明の純Ｔｉターゲットの製造方法は以下に説明する
製造方法に限定されるものではない。
ｉターゲットの代表的製造方法を以下に説明するが、こ
の発明の純Ｔｉターゲットの製造方法は以下に説明する
製造方法に限定されるものではない。
【００１２】Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材を用いてこの発
明のスパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲットを製造
するには、先ず純度：９９．９９重量％以上の高純度Ｔ
ｉターゲット本体およびこの高純度Ｔｉターゲット本体
よりも低い純度のＴｉからなるバッキングプレートを用
意し、この高純度Ｔｉターゲットおよびバッキングプレ
ートの間にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材を挟んだまま加熱
炉に装入し、ろう付けする。
明のスパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲットを製造
するには、先ず純度：９９．９９重量％以上の高純度Ｔ
ｉターゲット本体およびこの高純度Ｔｉターゲット本体
よりも低い純度のＴｉからなるバッキングプレートを用
意し、この高純度Ｔｉターゲットおよびバッキングプレ
ートの間にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材を挟んだまま加熱
炉に装入し、ろう付けする。
【００１３】このようにして得られた高純度Ｔｉターゲ
ット本体およびバッキングプレートの結晶粒はろう付け
時の加熱により粗大化しているから、高純度Ｔｉターゲ
ット本体およびバッキングプレートをろう付けしたまま
圧延などの加工を施し、加工組織を形成したのち、再び
加熱炉に装入して再結晶させ、再結晶のための加熱温度
および加熱時間を制御することにより再結晶粒径を調整
する。この時生成する再結晶粒の粒成長は、純度が高い
Ｔｉほど成長速度が早いところから、純度：９９．９９
重量％以上の高純度Ｔｉターゲット本体の再結晶粒は、
本体よりも低純度のＴｉからなるバッキングプレートの
再結晶粒よりも常に大きくなる。
ット本体およびバッキングプレートの結晶粒はろう付け
時の加熱により粗大化しているから、高純度Ｔｉターゲ
ット本体およびバッキングプレートをろう付けしたまま
圧延などの加工を施し、加工組織を形成したのち、再び
加熱炉に装入して再結晶させ、再結晶のための加熱温度
および加熱時間を制御することにより再結晶粒径を調整
する。この時生成する再結晶粒の粒成長は、純度が高い
Ｔｉほど成長速度が早いところから、純度：９９．９９
重量％以上の高純度Ｔｉターゲット本体の再結晶粒は、
本体よりも低純度のＴｉからなるバッキングプレートの
再結晶粒よりも常に大きくなる。
【００１４】加工した加工組織を有する高純度Ｔｉター
ゲット本体と通常のＴｉまたはＴｉ合金からなるバッキ
ングプレートの加工複合体をバッキングプレートの再結
晶温度より低い温度に制御するとバッキングプレートを
加工組織のまま保持し、高純度Ｔｉターゲット本体のみ
を再結晶組織とすることもできる。
ゲット本体と通常のＴｉまたはＴｉ合金からなるバッキ
ングプレートの加工複合体をバッキングプレートの再結
晶温度より低い温度に制御するとバッキングプレートを
加工組織のまま保持し、高純度Ｔｉターゲット本体のみ
を再結晶組織とすることもできる。
【００１５】さらに、９９．９９重量％以上の高純度Ｔ
ｉターゲット本体と高純度Ｔｉターゲット本体よりも低
い純度のＴｉからなるバッキングプレートにＨＩＰまた
はホットプレスを施して拡散接合しても上記Ａｇ−Ｃｕ
−Ｔｉ系ろう材を用いる方法と同様に拡散接合加熱によ
り結晶粒が粗大化するので、加工して加工組織を形成し
たのち加熱して再結晶化し、微細結晶粒を析出させる必
要がある。
ｉターゲット本体と高純度Ｔｉターゲット本体よりも低
い純度のＴｉからなるバッキングプレートにＨＩＰまた
はホットプレスを施して拡散接合しても上記Ａｇ−Ｃｕ
−Ｔｉ系ろう材を用いる方法と同様に拡散接合加熱によ
り結晶粒が粗大化するので、加工して加工組織を形成し
たのち加熱して再結晶化し、微細結晶粒を析出させる必
要がある。
【００１６】また、高純度Ｔｉターゲット本体とバッキ
ングプレートを爆発圧接または冷間圧接を行なうことに
より高純度Ｔｉターゲット本体とバッキングプレートを
接合することによりこの発明のスパッタリング薄膜形成
用純Ｔｉターゲットを製造することができる。この方法
は高純度Ｔｉターゲット本体およびバッキングプレート
に熱が加えられることがないので高純度Ｔｉターゲット
本体とバッキングプレートの結晶粒を微細化しておく
と、高純度Ｔｉターゲット本体およびバッキングプレー
トの結晶粒が微細なこの発明のスパッタリング薄膜形成
用純Ｔｉターゲットが得られ、再結晶化による結晶粒径
の粒度調整は行う必要がない。
ングプレートを爆発圧接または冷間圧接を行なうことに
より高純度Ｔｉターゲット本体とバッキングプレートを
接合することによりこの発明のスパッタリング薄膜形成
用純Ｔｉターゲットを製造することができる。この方法
は高純度Ｔｉターゲット本体およびバッキングプレート
に熱が加えられることがないので高純度Ｔｉターゲット
本体とバッキングプレートの結晶粒を微細化しておく
と、高純度Ｔｉターゲット本体およびバッキングプレー
トの結晶粒が微細なこの発明のスパッタリング薄膜形成
用純Ｔｉターゲットが得られ、再結晶化による結晶粒径
の粒度調整は行う必要がない。
【００１７】
実施例１ 表１に示される純度を有し、外径：３００mm、厚さ：６
mmの寸法を有する高純度Ｔｉターゲット本体を用意し、
さらに表１に示される純度（材質）を有し、外径：３５
０mm、厚さ：１５mmの寸法を有するＴｉ製バッキングプ
レートを用意した。
mmの寸法を有する高純度Ｔｉターゲット本体を用意し、
さらに表１に示される純度（材質）を有し、外径：３５
０mm、厚さ：１５mmの寸法を有するＴｉ製バッキングプ
レートを用意した。
【００１８】これら高純度Ｔｉターゲット本体およびＴ
ｉ製バッキングプレートを表１に示される各種方法で接
合することにより複合体を作製し、この複合体を塑性加
工して加工組織とし、この加工組織を有する加工複合体
を表１に示される各種条件で全体または一部を再結晶化
し、本発明スパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲット
（以下、本発明ターゲットという）１〜１０を作製し
た。
ｉ製バッキングプレートを表１に示される各種方法で接
合することにより複合体を作製し、この複合体を塑性加
工して加工組織とし、この加工組織を有する加工複合体
を表１に示される各種条件で全体または一部を再結晶化
し、本発明スパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲット
（以下、本発明ターゲットという）１〜１０を作製し
た。
【００１９】これら本発明ターゲット１〜１０を直流マ
グネトロンスパッタリング装置に装着し、 雰囲気：Ｎ2 とＡｒの混合ガス（Ｎ2 ：Ａｒ＝１：５） 全圧力：１×１０-4Torr、 出力：１８ＫＷ、 保持時間：２０時間 の条件でスパッタリングを行ない、径：６インチのＳｉ
ウエハー基板上に厚さ：１０００オングストロームの薄
膜を形成し、薄膜形成面に付着した直径：０．５μｍ以
上の粗大パーティクルをパーティクルカウンターにて検
出し、その結果を表１に示した。
グネトロンスパッタリング装置に装着し、 雰囲気：Ｎ2 とＡｒの混合ガス（Ｎ2 ：Ａｒ＝１：５） 全圧力：１×１０-4Torr、 出力：１８ＫＷ、 保持時間：２０時間 の条件でスパッタリングを行ない、径：６インチのＳｉ
ウエハー基板上に厚さ：１０００オングストロームの薄
膜を形成し、薄膜形成面に付着した直径：０．５μｍ以
上の粗大パーティクルをパーティクルカウンターにて検
出し、その結果を表１に示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】実施例２および比較例１ 表２に示される純度および平均結晶粒径を有し、外径：
３００mm、厚さ：６mmの寸法の高純度Ｔｉターゲット本
体を用意し、さらに表２に示される純度および組織を有
し、外径：３５０mm、厚さ：１５mmの寸法のＴｉ製バッ
キングプレートを用意した。
３００mm、厚さ：６mmの寸法の高純度Ｔｉターゲット本
体を用意し、さらに表２に示される純度および組織を有
し、外径：３５０mm、厚さ：１５mmの寸法のＴｉ製バッ
キングプレートを用意した。
【００２２】これら高純度Ｔｉターゲット本体およびＴ
ｉ製バッキングプレートを表２に示される方法で接合す
ることにより複合体を作製し、この複合体を本発明ター
ゲット１〜１６および比較ターゲットとした。比較ター
ゲットは高純度Ｔｉターゲット本体の平均結晶粒径は８
００μｍより大きいターゲットである。
ｉ製バッキングプレートを表２に示される方法で接合す
ることにより複合体を作製し、この複合体を本発明ター
ゲット１〜１６および比較ターゲットとした。比較ター
ゲットは高純度Ｔｉターゲット本体の平均結晶粒径は８
００μｍより大きいターゲットである。
【００２３】これら本発明ターゲット１１〜１６を用
い、実施例１と同じ条件で直流マグネトロンスパッタリ
ングを行ない、Ｓｉウエハー基板上に付着した直径：
０．５μｍ以上の粗大パーティクルをパーティクルカウ
ンターにて検出し、その結果を表２に示した。
い、実施例１と同じ条件で直流マグネトロンスパッタリ
ングを行ない、Ｓｉウエハー基板上に付着した直径：
０．５μｍ以上の粗大パーティクルをパーティクルカウ
ンターにて検出し、その結果を表２に示した。
【００２４】従来例１ 純度：９９．９９５％、平均結晶粒径：２６０μｍを有
し、外径：３００mm、厚さ：６mmの寸法の高純度Ｔｉタ
ーゲット本体を用意し、さらに外径：３５０mm、厚さ：
１５mmの寸法のＣｕ製バッキングプレートを用意した。
し、外径：３００mm、厚さ：６mmの寸法の高純度Ｔｉタ
ーゲット本体を用意し、さらに外径：３５０mm、厚さ：
１５mmの寸法のＣｕ製バッキングプレートを用意した。
【００２５】上記高純度Ｔｉターゲット本体とＣｕ製バ
ッキングプレートをＰｂ−Ｓｎ系はんだにより接合し、
従来スパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲット（以
下、従来ターゲットという）を作製した。上記従来ター
ゲットについて、実施例１と同じ条件で直流マグネトロ
ンスパッタリングを行ない、その結果を表２に示した。
ッキングプレートをＰｂ−Ｓｎ系はんだにより接合し、
従来スパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲット（以
下、従来ターゲットという）を作製した。上記従来ター
ゲットについて、実施例１と同じ条件で直流マグネトロ
ンスパッタリングを行ない、その結果を表２に示した。
【００２６】
【表２】
【００２７】表１および表２に示される結果から、本発
明ターゲット１〜１６は、高出力スパッタリングに適用
しても従来ターゲットのように高純度Ｔｉターゲット本
体とバッキングプレートがスパッタリング中に剥離する
ことがないことがわかる。しかし、比較ターゲットに見
られるように高純度Ｔｉターゲット本体の平均結晶粒径
が８００μｍを越えると基板に付着する粗大パーティク
ル数が増大し、均一なスパッタリング薄膜が得られない
こともわかる。
明ターゲット１〜１６は、高出力スパッタリングに適用
しても従来ターゲットのように高純度Ｔｉターゲット本
体とバッキングプレートがスパッタリング中に剥離する
ことがないことがわかる。しかし、比較ターゲットに見
られるように高純度Ｔｉターゲット本体の平均結晶粒径
が８００μｍを越えると基板に付着する粗大パーティク
ル数が増大し、均一なスパッタリング薄膜が得られない
こともわかる。
【００２８】
【発明の効果】上述のように、この発明は高出力スパッ
タリングを行っても何ら支障なく均一なスパッタリング
薄膜を形成することができ、従来より成膜時間を大幅に
短縮することができてコスト削減に大いに役立つもので
ある。
タリングを行っても何ら支障なく均一なスパッタリング
薄膜を形成することができ、従来より成膜時間を大幅に
短縮することができてコスト削減に大いに役立つもので
ある。
Claims (6)
- 【請求項１】 平均結晶粒径：８００μｍ以下の高純度
Ｔｉターゲット本体と、上記高純度Ｔｉターゲット本体
よりも純度の低いＴｉからなるバッキングプレートを接
合してなることを特徴とするスパッタリング薄膜形成用
純Ｔｉターゲット。 - 【請求項２】 上記高純度Ｔｉターゲット本体は平均結
晶粒径：８００μｍ以下の再結晶組織を有し、かつ上記
高純度Ｔｉターゲット本体よりも純度の低いＴｉからな
るバッキングプレートも再結晶組織を有し、上記バッキ
ングプレートの再結晶組織は高純度Ｔｉターゲット本体
の再結晶組織よりも常に微細であることを特徴とする請
求項１記載のスパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲッ
ト。 - 【請求項３】 上記高純度Ｔｉターゲット本体は平均粒
径：２００μｍ以下の再結晶組織を有することを特徴と
する請求項２記載のスパッタリング薄膜形成用純Ｔｉタ
ーゲット。 - 【請求項４】 平均結晶粒径：８００μｍ以下の高純度
Ｔｉターゲット本体と、上記高純度Ｔｉターゲット本体
よりも純度の低いＴｉからなるバッキングプレートを接
合してなり、上記バッキングプレートは加工組織を有す
ることを特徴とするスパッタリング薄膜形成用純Ｔｉタ
ーゲット。 - 【請求項５】 上記高純度Ｔｉターゲット本体は平均結
晶粒径：８００μｍ以下の再結晶組織を有することを特
徴とする請求項４記載のスパッタリング薄膜形成用純Ｔ
ｉターゲット。 - 【請求項６】 上記高純度Ｔｉターゲット本体は、平均
結晶粒径：２００μｍ以下の再結晶組織を有することを
特徴とする請求項４記載のスパッタリング薄膜形成用純
Ｔｉターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9798094A JPH07278804A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | スパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9798094A JPH07278804A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | スパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07278804A true JPH07278804A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=14206816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9798094A Withdrawn JPH07278804A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | スパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07278804A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863398A (en) * | 1996-10-11 | 1999-01-26 | Johnson Matthey Electonics, Inc. | Hot pressed and sintered sputtering target assemblies and method for making same |
| US6274015B1 (en) | 1996-12-13 | 2001-08-14 | Honeywell International, Inc. | Diffusion bonded sputtering target assembly with precipitation hardened backing plate and method of making same |
| US6451185B2 (en) | 1998-08-12 | 2002-09-17 | Honeywell International Inc. | Diffusion bonded sputtering target assembly with precipitation hardened backing plate and method of making same |
| US6555250B2 (en) | 1997-03-19 | 2003-04-29 | Honeywell International Inc. | Ni-plated target diffusion bonded to a backing plate and method of making same |
| WO2011078148A1 (ja) | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ガドリニウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
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-
1994
- 1994-04-12 JP JP9798094A patent/JPH07278804A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2011078148A1 (ja) | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ガドリニウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
| US10167547B2 (en) | 2009-12-24 | 2019-01-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Gadolinium sputtering target and production method of said target |
| KR20150119284A (ko) | 2013-03-06 | 2015-10-23 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링용 티탄 타깃 및 그 제조 방법 |
| US10431438B2 (en) | 2013-03-06 | 2019-10-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Titanium target for sputtering and manufacturing method thereof |
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| US11725270B2 (en) | 2020-01-30 | 2023-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | PVD target design and semiconductor devices formed using the same |
| CN113265625B (zh) * | 2020-01-30 | 2023-10-20 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 物理气相沉积标靶及形成半导体元件的方法 |
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