JP2003520139A - バッキングプレートにターゲットを拡散ボンディングする方法 - Google Patents

バッキングプレートにターゲットを拡散ボンディングする方法

Info

Publication number
JP2003520139A
JP2003520139A JP2001553417A JP2001553417A JP2003520139A JP 2003520139 A JP2003520139 A JP 2003520139A JP 2001553417 A JP2001553417 A JP 2001553417A JP 2001553417 A JP2001553417 A JP 2001553417A JP 2003520139 A JP2003520139 A JP 2003520139A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
backing plate
physical vapor
bonding
target material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001553417A
Other languages
English (en)
Inventor
クリス パーフェニウク，
トニー ベイアー，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honeywell International Inc
Original Assignee
Honeywell International Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honeywell International Inc filed Critical Honeywell International Inc
Publication of JP2003520139A publication Critical patent/JP2003520139A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12736—Al-base component
    • Y10T428/1275—Next to Group VIII or IB metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24521—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness with component conforming to contour of nonplanar surface
    • Y10T428/24545—Containing metal or metal compound
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24521—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness with component conforming to contour of nonplanar surface
    • Y10T428/24554—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness with component conforming to contour of nonplanar surface including cellulosic or natural rubber component

Abstract

(57)【要約】 本発明は第１マスを第２マスにボンディングする方法に関する。第１材料の第１マスと第２材料の第２マスが提供され、これらは、互いに物理的接触状態に接合される。第１及び第２マスは次に、第２マス内に第２材料の粒子が発生するのと同時に、拡散ボンディングされる。拡散ボンディングは、第１マスと第２マスとの間の固相拡散からなる。前記第２材料内の発生粒子の大部分は、１００マイクロンより小さいの最大粒径を有する。本発明はまた、バッキングプレートにボンディングされる物理蒸着ターゲットの形成方法に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は、第１マスと第２マスを互いにボンディングする方法に関し、特に、
二つの同種の材料を互いにボンディングする方法、及び物理蒸着ターゲット材料
をバッキングプレート材料にボンディングする方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
第１マスを第２マスへボンディングすることが望まれる非常に多くの適用例が
ある。そのような適用例の一つは、バッキングプレートへの物理蒸着ターゲット
（例えば、スパッタリングターゲット等）のボンディングに関するものである。
バッキングプレートは、圧力蒸着装置内で特定の位置や方向に、ターゲットを保
持するように構成される。
【０００３】 物理蒸着方法における近年の開発は、ターゲットとバッキングプレート間の強
固なボンディングのための益々厳しい要求を生み出してきた。典型的なスパッタ
堆積装置１０の一部の概略図を図１に示す。装置１０は、そこにボンディングさ
れたスパッタリングターゲット１４を有するバッキングプレート１２を有する。
半導体材料ウェーハ１６は、装置１０内にあり、ターゲット１４から間隔を置い
て設けられる。スパッタリング材料１８は、ターゲット１４から放たれ、ウェー
ハ１６上のコーティング（図示なし）を形成するために利用される。
【０００４】 スパッタデザインにおける近年改良されたものの中には、ターゲット１４と半
導体材料基板１６の間の距離を増やすものがある。このような距離の増加は、基
板１６に垂直に移動していない原子がスパッタリング反応室の側壁上に付着する
ことを許すとすれば、ターゲット１４が基板１６に近いときに得られる場合に比
べて、より指向性の高いスパッタリングにが、基板１６の要素の上で達成される
ことを可能とする。特に、基板１６は、深さがその幅の５倍又はそれ以上（即ち
、比較的高い微小寸法性を有する）である垂直ホール又はスロット（ビアホール
として知られる）をしばしば有する。スパッタリングターゲットとビアホールを
構成する基板との間で比較的長い距離を投じること無しでは、高い微小寸法性を
有するビアホール内に材料をスパッタリングすることは難しい。
【０００５】 より長い距離を投じることは、より短い距離を投じる手法に比べて、カバレッ
ジの点で有利であるが、それはまた同様に複雑さも生ずる。このような複雑さの
一つは、長い距離を投じる手法に利用される追加的な電力に起因する。追加電力
は、スパッタリングターゲットを、より過去の方法の場合と比べてより熱くする
ことになる。このような熱は、バッキングプレート１２とターゲット１４の間に
形成されたボンディングを破壊する可能性がある。例えば、ターゲット１４がバ
ッキングプレート１２にはんだボンディングされているとすると、長い距離を投
じる手法の間に生じた熱は、はんだボンディングを溶融するのに十分であり、実
際にバッキングプレート１２から分離したターゲット１４を破壊する。したがっ
て、はんだボンディングは、長い距離を投じるスパッタリング手法には不適当で
ある。
【０００６】 長い距離を投じる手法で利用される高温度に耐えることが一般的に可能なボン
ディングの例としては、ターゲット１４からの成分がバッキングプレート１２へ
固相拡散により形成されるボンディングである拡散ボンディングがある。また、
バッキングプレート１２からターゲット１４という逆方向の場合もある。拡散ボ
ンディングを使用する上での問題は、ボンディングを形成するために、拡散ボン
ディングが通常は比較的高い温度（３００℃又はそれ以上）で行われることであ
り、この温度はターゲット材料に悪影響を及ぼし得る。したがって、物理蒸着タ
ーゲットをバッキングプレートにボンディングするための、そして物理蒸着ター
ゲットに所望の特性を保持させることができる拡散ボンディング工程を開発する
ことは難しい。このような拡散ボンディング工程を開発することが望まれていた
。
【０００７】
【発明の開示】 一態様において、本発明は、第１マスを第２マスへボンディングする方法を包
含する。第１材料の第１マス及び第２材料の第２マスが提供され、互いに物理的
接触状態で接合される。そして第１及び第２マスは、第２マス内に第２材料の粒
子の発生と同時に互いに拡散ボンディングされる。拡散ボンディングは、第１マ
ス及び第２マスの間の固相拡散からなる。第２材料内に発生した粒子の大部分は
、１００ミクロンよりも小さい最大寸法を有する。
【０００８】 他の態様において、本発明は、バッキングプレートにボンディングされた物理
蒸着ターゲットを形成する方法を包含する。ターゲット材料及びバッキングプレ
ート材料は、互いに物理的接触状態で接合される。ターゲット材料及びバッキン
グプレート材料は、共にアルミニウムからなる。接合されたターゲット及びバッ
キングプレート材料は、ターゲット及びバッキングプレート材料上への酸化物の
形成に対して不活性である雰囲気下において熱処理される。熱処理は、ターゲッ
ト材料内の粒子を再結晶化しながら、同時にターゲット材料をバッキングプレー
ト材料に拡散ボンディングする。拡散ボンディングは、少なくとも５，０００ポ
ンド／インチ２の接合強度でターゲット材料がバッキングプレート材料に付着す
るように、バッキングプレート材料とターゲット材料との間の固相拡散からなる
。ターゲット材料内に発生した粒子の大部分は、ターゲット及びバッキングプレ
ート材料の熱処理後、最大寸法で１００ミクロンよりも小さい。
【０００９】
【発明を実施するための最良の形態】
本発明の好適機実施例を添付図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は
、材料を互いにボンディングする方法を包含し、特定の実施例では、物理蒸着タ
ーゲット材料をバッキングプレート材料にボンディングする方法を包含する。
【００１０】 本発明の一態様は、ターゲット材料内で比較的小さい粒子を達成しながら、ア
ルミニウム含有ターゲットをアルミニウム含有バッキングプレートに拡散ボンデ
ィングするための方法である。アルミニウム含有ターゲットをアルミニウム含有
バッキングプレートに拡散ボンディングすることに関する問題は、拡散ボンディ
ング温度がアルミニウムターゲット内の結晶粒子（実際には多結晶粒子）の成長
の原因となり得ることである。アルミニウム粒子は、高純度アルミニウム（例え
ば、アルミニウム元素）及びアルミニウム合金からなるターゲット内で、比較的
小さい状態（即ち、１００ミクロンよりも小さい、より好ましくは５０ミクロン
よりも小さい）のままであることが一般的に望まれる。より小さい粒子は、より
大きい粒子を有するターゲット材料から行われるスパッタリングに比べて、アル
ミニウムがターゲット材料からスパッタリングされるスパッタリング工程を改良
し得る。
【００１１】 本発明は、アルミニウムの拡散ボンディングに関連する粒子成長を制御するた
めの方法を包含する。このような方法は、ターゲット材料内の粒子の大部分が１
００ミクロンよりも小さい最大粒子サイズを有する、拡散ボンディングされたア
ルミニウムスパッタリングターゲットを形成し得る。
【００１２】 本発明に包含される方法は、図２のフロー図により説明される。最初のステッ
プ（図２の参照番号３０）において、加工硬化がターゲット材料に行われる。例
えば、ターゲット材料がアルミニウムからなるならば、加工硬化は初期の厚さか
ら第２の厚さまでアルミニウムを圧縮することにより行われ得る。このような圧
縮は、ターゲット５０の圧縮の前後の状態が示される図３に示され、矢印５２が
圧縮工程を示すために付されている。ターゲット５０は、圧縮５２の前には第１
の厚さ“Ｘ”を有し、圧縮後には第２の厚さ“Ｙ”を有する。圧縮は、例えば冷
間押出又は冷間圧延により達成され得る。ターゲット５０の最終の厚さ（“Ｙ”
）は、例えば、ターゲット５０の初期の厚さの２％よりも薄く（即ち９８％圧縮
）、通常はターゲット５０の初期の厚さの約４０％よりも薄いか４０％と同等（
即ち６０％圧縮）である。特定の実施例においては、ターゲット５０は、９５％
圧縮が施される（即ち、最終の厚さ“Ｙ”が初期の厚さ“Ｘ”の約５％となるよ
うに圧縮される）。
【００１３】 ターゲット５０は、例えば、基本的には低から高純度のアルミニウムで構成さ
れ得る。ターゲット５０に利用され得る典型的な商用（低純度）のアルミニウム
は、１１００シリーズのアルミニウム合金である。ターゲット５０の材料は、約
４インチから約９インチの直径を有し、約５インチから約１０インチの初期の厚
さを有するビレットとして鋳造することができる。ターゲット５０の圧縮の後、
冷間加工により生じたブランクは、所望の直径の円筒形ブランクを形成するため
にカットされ得る。
【００１４】 図２のフローチャートを再度参照すると、ターゲットは、バッキングプレート
に接合される（図２のステップ３２）。好ましくは、ターゲット及びバッキング
プレートは、存在するかもしれない汚染付着物を除去するために、それらを接合
する前にクリーニングされる。ターゲットをバッキングプレートに接合する方法
は、図４及び図５を参照して説明される。図４を参照すると、図３の加工硬化さ
れたターゲット５０が、バッキングプレート６０の上に持ち上げられたところが
示される。図３のバッキングプレート６０は、表面にスパイラルパターンを機械
加工された連続溝６２を有することが示される。最終的には、ターゲット５０は
、ターゲット５０から溝６２内へ材料を押し込むために、プレート６０に押し付
けて圧縮される。
【００１５】 ターゲット５０が高純度のアルミニウムからなる実施例では、バッキングプレ
ート６０もアルミニウムから構成することが可能であり、具体的には、例えば２
０００シリーズ、５０００シリーズ、６０００シリーズ、又は７０００シリーズ
の熱処理可能なアルミニウム合金から構成することが可能である。具体的な実施
例では、バッキングプレート６０は、Ｔ４かＴ６のどちらかの析出物硬化状態の
の熱処理可能なアルミニウム合金６０６１から構成することが可能である。
【００１６】 バッキングプレート６０にターゲット５０をボンディングする場合の最初のス
テップは、通常はプレート６０にターゲット５０を物理的に接触させることによ
り、ターゲットとバッキングプレートを接合することである。図４の矢印５４は
、ターゲット５０がプレート６０上に降下されることを示すことで、このような
接合を表示する。図５は、プレート６０に接合されたターゲット５０からなる集
合体７０を示す。図示の集合体７０において、ターゲット５０は、バッキングプ
レート６０の溝６２（図４）を覆う。図示の実施例は、バッキングプレート６０
へのターゲット５０の結合を強化するためにバッキングプレート６０に形成され
た溝を有するが、このような溝は本発明の特定の実施例では省くことが可能であ
り、また、バッキングプレート６０ではなくターゲット５０に設けることも可能
であることが理解されるべきである。バッキングプレート６０及びターゲット５
０のどちらか一方がバッキングプレート６０及びターゲット５０の他方と比べて
より硬い実施例においては、溝６２は、二つのうちのより硬い方に設けられるこ
とが望ましく、そうすることにより、二つのうちのより軟らかい方は、次の処理
工程において溝内に押し込むことが可能である。
【００１７】 集合体７０は、プレート６０及びターゲット５０の材料から酸化物を形成する
ことに対して不活性である雰囲気中で形成されるか、又はそのような状態に置か
れることが可能である。プレート６０及びターゲット５０が高純度アルミニウム
又はアルミニウム合金からなる実施例において、不活性雰囲気は、真空状態から
なるか、例えば窒素ガスとアルゴンガスのうちの一つ又はそれ以上から構成され
得る。不活性雰囲気はその中に酸化成分（酸素のようなもの）を有すると、ブラ
ンク６０及びターゲット５０の一方又は両方の材料に都合の悪い酸化の原因とな
るので、そのような成分を含有しないことが好ましい。
【００１８】 図２のフローチャートを再度参照すると、接合されたバッキングプレートとタ
ーゲットは、同時に、１）ターゲットをバッキングプレートに拡散ボンディング
し、２）ターゲット内に粒子を発生させるために熱的に処理される（図２のステ
ップ３４）。ターゲット５０とバッキングプレート６０が高純度アルミニウムか
らなる場合には、熱処理は、例えば２８０℃と４００℃の間（好ましくは３００
℃と３４０℃の間）の温度まで、接合されたターゲットとバッキングプレートを
加熱し、約１５分から約１時間の時間、この温度を維持することからなる。温度
を維持している時間の間、ターゲット５０及びバッキングプレート６０は、約１
０，０００ポンド／インチ２（ｐｓｉ）から約１６，０００ｐｓｉまでの圧力で
、加熱炉内において圧縮され得る。
【００１９】 アルミニウムからなるターゲットとバッキングプレートを処理するための典型
的な熱処理手順を以下に説明する。最初に、バッキングプレートに対して押し付
け接合されたターゲットからなる集合体は、約２８０℃から約４００℃（好まし
くは約３００℃から約３５０℃、より好ましくは約３００℃から約３４４℃）の
温度まで加熱され、１５から３０分間の時間、この温度が維持される。そして集
合体は、約２８０℃から約４００℃の温度に維持された加熱炉に送られる。加熱
炉は、ターゲット５０とバッキングプレート６０を、約１０，０００ｐｓｉから
約１６，０００ｐｓｉの圧力で互いに圧縮するために用いられる。ターゲットと
バッキングプレートを圧縮した後、集合体は、約２８０℃から約４００℃の温度
を有する炉に戻され、約１０分から約３０分間の時間、さらにこの温度が維持さ
れる。
【００２０】 上述の典型的な方法は、拡散ボンディング（特に、ターゲット５０とバッキン
グプレート６０の間のアルミニウムの固相拡散）、及びターゲット５０内の粒子
の発生を許容する。このような粒子は、図３の圧縮の間にターゲット５０に行わ
れる冷間加工のために形成される。粒子発生は、通常３つの異なるステップを必
要とする。第１番目は、ストレスが最も激しく変形した領域内から解放されると
きの復元である。第２番目は、冷間加工された粒子がターゲット５０内に小さく
新しいストレスのない粒子を形成して再結晶化することであり、最後は、新しい
粒子の粒子成長が起こることである。ターゲット５０は、熱処理に晒されるまで
、図３のステップにおいてそれが加工硬化された時から、約２８０℃以上の温度
に晒されないことが好ましい。したがって、ターゲット５０のほぼ全体の粒子発
生が、ターゲット５０とバッキングプレート６０の熱処理の間で起こる。“ほぼ
全体”という語句は、熱処理の前のターゲット５０の処理及びクリーニングの間
に、少しの且つ実際上重要でない量の再結晶化及び粒子成長が２８０℃より低い
温度で起こるかもしれないことを示すために、再結晶化及び粒子成長の“全体”
と言うよりもむしろ熱処理の間に起こる再結晶化及び粒子成長に関連して用いら
れる。
【００２１】 上述の熱処理方法を達成するための特定の処理工程は、ターゲットとバッキン
グプレートの集合体を容器（例えば、薄壁状のアルミニウムからなる容器）の中
に置くことと、拡散ボンディングに関連する加熱及び鍛造（即ち圧延）の間に容
器の中に集合体を留めておくことである。容器は、二つの部分と、容器内のター
ゲットとバッキングプレートの集合体を密封するために後で溶接することを許容
する広いフランジとからなることが好ましい。また、容器は、容器上の溶接シー
ルの真空状態をチェックすること、及び容器内に真空状態又は不活性雰囲気を提
供することを可能とする小直径のチューブを有することが好ましい。一旦ターゲ
ット及びバッキングプレートの集合体が容器内に提供されると、容器は閉じられ
て溶接される。溶接が行われる間、不活性ガス又は真空状態は、ターゲット及び
バッキングプレート集合体の酸化を軽減するために用いられる。溶接の保全性は
、小直径のチューブを用いて漏れテストを実行することにより明らかにされ得る
。最終的な溶接は、容器内で真空状態又は不活性ガス雰囲気が維持されることを
許容するように小直径チューブ上でも行われ得る。ターゲットとバッキングプレ
ートの集合体に拡散ボンディングが施される時間の間、集合体の温度は、ターゲ
ットとバッキングプレートの集合体と同じ寸法を有し、集合体と同じ炉内、又は
そっくり等しい炉内のどちらかで加熱される所謂ダミー部の温度を監視すること
により、間接的に監視することが可能である。
【００２２】 ターゲット及びバッキングプレートの集合体は、熱処理の後、冷却される。冷
却は、典型的な液体は水であり典型的な気体は空気である液体又は気体のどちら
かに、集合体を晒すことにより行われる。
【００２３】 上述の方法により、ボンディングの引張り強度が少なくとも５，０００ｐｓｉ
、通常は約８，０００ｐｓｉと１０，０００ｐｓｉの間である、ターゲット５０
とバッキングプレート６０の間の強固な拡散ボンディングからなるターゲットと
バッキングプレートの集合体７０を形成することが可能である。完全に再結晶化
された高純度アルミニウムの降伏強度は、３，０００ｐｓｉであり、これは約２
０メガパスカル（ＭＰａ）と同等であり、極限引張り強度は１２ｋｓｉ（８１Ｍ
Ｐａ）である。６０６１Ｔ４の降伏強度は２１ｋｓｉ（１４５ＭＰａ）であり、
６０６１Ｔ４の極限引張り強度は大体３５ｋｓｉ（２４１ＭＰａ）である。
【００２４】 拡散ボンディングは、ボンディングが、ターゲットに用いられる高純度アルミ
ニウムの引張り強度の約６８．５％から約８３％の強度をしばしば有する状態で
、高純度アルミニウムの極限引張り強度に近い強度を有し得る（室温において通
常約８２３０ｐｓｉから約９９４８ｐｓｉ）。それに比べて、はんだボンディン
グは、通常約１４７０ｐｓｉから約６７４０ｐｓｉの範囲の強度を有する。した
がって、本発明の方法により形成されたボンディングは、はんだボンディングに
比べて十分に強固であり、したがって、本明細書の“背景技術”の欄で説明した
近年のスパッタリングのアプリケーションの中の、長い距離を投じるターゲット
のアプリケーションに対してより都合が良い。
【００２５】 バッキングプレートは、上述の拡散ボンディングの後でその強固さを維持する
ことが好ましい。特定の実施例では、約３００℃の温度で拡散ボンディングを施
したときに、６０６１のバッキングプレートが６０６１−Ｔ４と同等の最小強度
を保持することが分かった。
【００２６】 集合体７０のターゲット５０とバッキングプレート６０の間に形成される強固
なボンディングに加えて、ターゲット５０の粒子サイズは、拡散ボンディングの
後で、好ましくは１００ミクロンよりも小さく、より好ましくは約３０ミクロン
から１００ミクロンよりも小さく、さらに好ましくは約５０ミクロンよりも小さ
い。特に、ターゲット５０内の粒子の大部分（即ち５０％以上）は、好ましくは
１００ミクロンよりも小さく、より好ましくは約３０ミクロンから１００ミクロ
ンよりも小さく、さらに好ましくは約５０ミクロンよりも小さい最大寸法を有す
る。特定の実施例では、ターゲット５０内の粒子の全てが、１００ミクロンより
も小さく、より好ましくは約３０ミクロンから１００ミクロンよりも小さく、さ
らに好ましくは約５０ミクロンよりも小さい最大寸法を有する。
【００２７】 上述の小粒子サイズは、冷間加工されているが粒子が形成されていないターゲ
ットから始めることにより達成することが可能である。したがって、再結晶化処
理が、粒子の成長の前にターゲット材料内で起こる。アルミニウムの場合、この
ような再結晶化処理は、通常約２０から３０分間、２８８℃から約３１６℃の間
の温度で行われる。したがって、ターゲットは、粒子が成長するよりはむしろ再
結晶化する段階における拡散ボンディング温度において、かなりの時間を費やす
。これは、拡散ボンディングの間に、粒子が、例えば１００ミクロンよりも大き
いサイズまで成長し過ぎることを防ぐことを可能とする。
【００２８】 処理温度及び時間の増加が、バッキングプレートへのターゲットのボンディン
グを改善するか否かを明らかにするために、実験が行われた。その結果、ターゲ
ットがより高い温度又はより長い時間で処理される場合、粒子サイズは劇的に増
加するが、ボンディング強度に関しては、ほんの少ししか増加しないことが分か
った。
【００２９】 アルミニウムからなる第１及び第２マスに関連して幾つかの特定の形態を上で
説明したが、本発明はアルミニウムからなるもの以外のマスでも利用可能である
ことが理解されるべきである。マスは、マス間の拡散ボンディングを可能とする
ために共通の成分から構成されることが好ましい。特に、マスが共通の成分から
構成されるならば、その成分は固体として一方のマスから他方のマスへ拡散する
ことが可能である。第１及び第２マスは、共通でない成分から構成されても良い
が、同じ成分を有する材料間の拡散（自己拡散として知られる）は、異なる成分
のみにより構成される材料間の拡散よりも通常速い。特定の実施例においては、
マスは、例えばアルミニウム元素等の、共通の元素からなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、従来のスパッタ堆積装置の一部の概略図である。
【図２】 図２は、本発明が包含する方法のフローチャート図である。
【図３】 図３は、ターゲット材料に加工硬化を行う方法の概略説明図である。
【図４】 図４は、準備段階のボンディング工程におけるバッキングプレートを有する、
図３のターゲット材料の概略説明図である。
【図５】 図５は、図４の工程の後のボンディング工程における図４のターゲット材料及
びバッキングプレートの概略図である。
【手続補正書】
【提出日】平成１４年７月２３日（２００２．７．２３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ Ｈ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ， ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，Ｋ Ｐ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ， ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，Ｓ Ｇ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 4E067 AA05 AD10 BA03 DA10 DB03 DC03 DC06 DD01 DD02 EB00 4K029 BA03 DC03 DC21 DC22

Claims (37)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１マスを第２マスへボンディングする方法であって、該方
    法は、 第１材料の第１マスと第２材料の第２マスを提供する工程と、 前記第１マスと前記第２マスを互いに物理的接触状態に接合する工程と、 前記第１マスを第２マスに拡散ボンディングすると同時に、前記第２マス内に
    前記第２材料の粒子を発生する工程であって、前記拡散ボンディングは前記第１
    マスと前記第２マスとの間の固相拡散からなり、前記発生粒子の大部分は１００
    ミクロンより小さい最大粒径を有する工程と、 を具備することを特徴とするボンディング方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、前記発生粒子の全ては、１
    ００ミクロンより小さい最大粒径を有することを特徴とするボンディング方法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の方法において、前記発生粒子の大部分の最
    大粒径は、約５０ミクロンと同等又はそれより小さいことを特徴とするボンディ
    ング方法。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の方法において、前記発生粒子の全ては、約
    ５０ミクロンと同等又はそれより小さい最大粒径を有することを特徴とするボン
    ディング方法。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の方法において、前記発生粒子の大部分の最
    大粒径が、約３０ミクロンより大きく１００ミクロンより小さいことを特徴とす
    るボンディング方法。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の方法において、前記発生粒子の全ては、約
    ３０ミクロンより大きく１００ミクロンより小さい最大粒径を有することを特徴
    とするボンディング方法。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の方法において、前記第１材料は前記第２材
    料と大部分が同じ成分からなることを特徴とするボンディング方法。
  8. 【請求項８】 請求項１に記載の方法において、前記第１材料が前記第２材
    料と大部分が同じ元素からなることを特徴とするボンディング方法。
  9. 【請求項９】 請求項１に記載の方法において、前記接合された第１及び第
    ２マスはバッキングプレート及び物理蒸着ターゲットにそれぞれ対応することを
    特徴とするボンディング方法。
  10. 【請求項１０】 バッキングプレート材料に物理蒸着ターゲット材料をボン
    ディングする方法であって、該方法は、 前記ターゲット材料とバッキングプレート材料を互いに物理的接触状態に接合
    する工程と、 前記ターゲット材料を前記バッキングプレート材料に拡散ボンディングすると
    同時に、前記ターゲット材料内に粒子を発生させるために、前記接合されたター
    ゲット材料とバッキングプレート材料とを熱処理する工程であって、前記拡散ボ
    ンディングは前記バッキングプレート材料とターゲット材料との間の固相拡散か
    らなり、前記発生粒子の大部分は１００ミクロンより小さい最大粒径を有する工
    程と、 を具備することを特徴とするボンディング方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の方法において、前記発生粒子の全ては
    、１００ミクロンよりも小さい最大粒径を有することを特徴とするボンディング
    方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１０に記載の方法において、前記発生粒子の大部分
    の最大粒径は、約５０ミクロンと同等又はそれより小さいことを特徴とするボン
    ディング方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の方法において、前記発生粒子の全ては
    、約５０ミクロンと同等又はそれより小さい最大粒径を有することを特徴とする
    ボンディング方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１０に記載の方法において、前記発生粒子の大部分
    の最大粒径は、約３０ミクロンより大きく１００ミクロンより小さいことを特徴
    とするボンディング方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の方法において、前記発生粒子の全ては
    、約３０ミクロンより大きく１００ミクロンより小さい最大粒径を有することを
    特徴とするボンディング方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１０に記載の方法において、前記バッキングプレー
    ト材料は、前記ターゲット材料と大部分が同じ成分からなることを特徴とするボ
    ンディング方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１０に記載の方法において、前記バッキングプレー
    ト材料は、前記ターゲット材料と大部分が同じ元素からなることを特徴とするボ
    ンディング方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１０に記載の方法において、前記バッキングプレー
    ト材料とターゲット材料は共に、大部分がアルミニウムからなることを特徴とす
    るボンディング方法。
  19. 【請求項１９】 請求項１０に記載の方法において、前記粒子発生は、前記
    ターゲット材料内での粒子の再結晶からなることを特徴とするボンディング方法
    。
  20. 【請求項２０】 請求項１０に記載の方法において、前記粒子発生は、前記
    ターゲット材料内での粒子の成長からなることを特徴とするボンディング方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１０に記載の方法であって、該方法は更に、前記接
    合工程の前に、前記ターゲット材料を加工硬化する工程を有することを特徴とす
    るボンディング方法。
  22. 【請求項２２】 請求項１０に記載の方法において、該方法は更に、前記接
    合工程の前に、前記ターゲット材料を初期の厚さから最終の厚さまで圧縮するこ
    とにより前記ターゲット材料を加工硬化する工程であって、前記最終の厚さが前
    記初期の厚さの約４０％と同等又はそれより薄い工程を有することを特徴とする
    ボンディング方法。
  23. 【請求項２３】 請求項１０に記載の方法であって、該方法は更に、前記接
    合工程の前に、前記ターゲット材料を初期の厚さから最終の厚さまで圧縮するこ
    とにより前記ターゲット材料を加工硬化する工程であって、前記最終の厚さが前
    記初期の厚さの約４０％から約２％の厚さである工程を有することを特徴とする
    ボンディング方法。
  24. 【請求項２４】 請求項１０に記載の方法であって、該方法は更に、前記接
    合工程の前に、前記ターゲット材料を加工硬化する工程を有し、前記粒子発生は
    、前記加工硬化された材料からの粒子の再結晶からなることを特徴とするボンデ
    ィング方法。
  25. 【請求項２５】 請求項１０に記載の方法であって、該方法は更に、前記接
    合工程の前に、前記ターゲット材料を加工硬化する工程を有し、前記粒子発生は
    、 前記加工硬化された材料からの粒子の再結晶と、 再結晶粒子の成長と、 からなることを特徴とするボンディング方法。
  26. 【請求項２６】 バッキングプレートにボンディングされる物理蒸着ターゲ
    ットを形成する方法であって、該方法は、 物理蒸着ターゲット材料とバッキングプレート材料とを互いに物理的接触状態
    に接合する工程であって、前記物理蒸着ターゲット材料とバッキングプレート材
    料は共にアルミニウムからなる工程と、 前記接合された物理蒸着ターゲット材料とバッキングプレート材料を、前記物
    理蒸着ターゲット材料とバッキングプレート材料との反応に対して不活性である
    雰囲気下おいて熱処理する工程であって、該熱処理は、前記物理蒸着ターゲット
    材料をバッキングプレートに対して拡散ボンディングすると同時に、前記物理蒸
    着ターゲット材料内に粒子を発生させ、前記拡散ボンディングは、少なくとも約
    ５０００ポンド／インチ２の接合強度で前記物理蒸着ターゲット材料を前記バッ
    キングプレート材料に接着するために、前記バッキングプレート材料と物理蒸着
    ターゲット材料との間の固相拡散からなり、前記ターゲット及びバッキングプレ
    ート材料の熱処理後の、前記ターゲット材料内に発生した粒子の大部分の最大粒
    径が１００ミクロンより小さい熱処理工程と、 を具備することを特徴とする物理蒸着ターゲットの形成方法。
  27. 【請求項２７】 請求項２６に記載の方法において、前記バッキングプレー
    ト材料と物理蒸着ターゲット材料の大部分は共にアルミニウムからなることを特
    徴とする物理蒸着ターゲット材料の形成方法。
  28. 【請求項２８】 請求項２６に記載の方法において、前記粒子発生は、前記
    物理蒸着ターゲット材料内の粒子の再結晶からなることを特徴とする物理蒸着タ
    ーゲットの形成方法。
  29. 【請求項２９】 請求項２６に記載の方法において、前記熱処理は、前記接
    合された物理蒸着ターゲット材料とバッキングプレート材料を約２０分から約６
    ０分の間、約２８０℃から約４００℃の温度に維持すると共に、前記温度が維持
    されている少なくとも一部の時間の間、前記接合された物理蒸着ターゲット材料
    とバッキングプレート材料とを、少なくとも１２，５００ポンド／インチ２の圧
    力で加圧することを特徴とする物理蒸着ターゲットを形成する方法。
  30. 【請求項３０】 請求項２９に記載の方法であって、該方法は更に、前記接
    合された物理蒸着ターゲット材料とバッキングプレート材料を、前記熱処理後に
    液体で冷却する工程を有することを特徴とする物理蒸着ターゲットを形成する方
    法。
  31. 【請求項３１】 請求項２９に記載の方法であって、該方法は更に、前記接
    合された物理蒸着ターゲット材料とバッキングプレート材料を、前記熱処理後に
    ガスで冷却する工程を有することを特徴とする物理蒸着ターゲットを形成する方
    法。
  32. 【請求項３２】 請求項２６に記載の方法において、前記粒子発生は、前記
    物理蒸着ターゲット材料内の粒子の成長からなることを特徴とする物理蒸着ター
    ゲットを形成する方法。
  33. 【請求項３３】 請求項２６に記載の方法であって、該方法は更に、前記接
    合工程の前に、前記物理蒸着ターゲット材料を加工硬化する工程を有することを
    特徴とする物理蒸着ターゲットを形成する方法。
  34. 【請求項３４】 請求項２６に記載の方法であって、該方法は更に、前記接
    合工程の前に、前記物理蒸着ターゲット材料を初期の厚さから最終の厚さまで圧
    縮することにより、該ターゲット材料を加工硬化する工程であって、前記最終の
    厚さは前記初期の厚さの約４０％と同等又はそれ以下の厚さであることを特徴と
    する物理蒸着ターゲットを形成する方法。
  35. 【請求項３５】 請求項２６に記載の方法であって、該方法は更に、前記接
    合工程の前に、前記物理蒸着ターゲット材料を初期の厚さから最終の厚さまで圧
    縮することにより、該ターゲット材料を加工硬化する工程であって、前記最終の
    厚さは前記初期の厚さの約４０％から約２％の厚さであることを特徴とする物理
    蒸着ターゲットを形成する方法。
  36. 【請求項３６】 請求項２６に記載の方法であって、該方法は更に、前記接
    合工程の前に、前記物理蒸着ターゲット材料を加工硬化する工程を有し、且つ、
    前記粒子発生は、前記加工硬化された材料からの粒子の再結晶であることを特徴
    とする物理蒸着ターゲットを形成する方法。
  37. 【請求項３７】 請求項２６に記載の方法であって、該方法は更に、前記接
    合工程の前に、前記物理蒸着ターゲット材料を加工硬化する工程を有し、且つ、
    前記粒子発生は、 前記加工硬化された材料からの粒子の再結晶と、 前記再結晶粒子の成長と、 からなることを特徴とする物理蒸着ターゲットを形成する方法。
JP2001553417A 2000-01-20 2001-01-18 バッキングプレートにターゲットを拡散ボンディングする方法 Withdrawn JP2003520139A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/488,973 US6780794B2 (en) 2000-01-20 2000-01-20 Methods of bonding physical vapor deposition target materials to backing plate materials
US09/488,973 2000-01-20
PCT/US2001/001488 WO2001053560A1 (en) 2000-01-20 2001-01-18 Method of diffusion bonding targets to backing plates

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003520139A true JP2003520139A (ja) 2003-07-02

Family

ID=23941879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001553417A Withdrawn JP2003520139A (ja) 2000-01-20 2001-01-18 バッキングプレートにターゲットを拡散ボンディングする方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6780794B2 (ja)
EP (1) EP1252356A1 (ja)
JP (1) JP2003520139A (ja)
KR (1) KR20020084094A (ja)
CN (1) CN1419608A (ja)
AU (1) AU2001232823A1 (ja)
WO (1) WO2001053560A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020533179A (ja) * 2017-09-15 2020-11-19 中国原子能科学研究院Ｃｈｉｎａ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ａｔｏｍｉｃ Ｅｎｅｒｇｙ 大型環状鍛造品の製造プロセス
JP2020533180A (ja) * 2017-09-15 2020-11-19 中国原子能科学研究院Ｃｈｉｎａ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ａｔｏｍｉｃ Ｅｎｅｒｇｙ モジュール式金属の構築成形方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6780794B2 (en) * 2000-01-20 2004-08-24 Honeywell International Inc. Methods of bonding physical vapor deposition target materials to backing plate materials
US6698647B1 (en) * 2000-03-10 2004-03-02 Honeywell International Inc. Aluminum-comprising target/backing plate structures
WO2004094688A1 (en) * 2003-04-02 2004-11-04 Honeywell International Inc. Pvd target/backing plate constructions; and methods of forming pvd target/backing plate constructions
WO2005007920A2 (en) * 2003-07-14 2005-01-27 Tosoh Smd, Inc. Sputtering target assembly having low conductivity backing plate and method of making same
US20090078570A1 (en) * 2003-08-11 2009-03-26 Wuwen Yi Target/backing plate constructions, and methods of forming target/backing plate constructions
EP1654395B1 (en) * 2003-08-11 2010-07-14 Honeywell International Inc. Target/backing plate constructions, and methods of forming them
US7910218B2 (en) 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
US7754185B2 (en) * 2004-06-29 2010-07-13 H.C. Starck Inc. Method of making MoO2 powders, products made from MoO2 powders, deposition of MoO2 thin films, and methods of using such materials
US7670436B2 (en) 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
WO2007084114A2 (en) * 2005-01-12 2007-07-26 New York University System and method for processing nanowires with holographic optical tweezers
US7708868B2 (en) * 2005-07-08 2010-05-04 Tosoh Smd, Inc. Variable thickness plate for forming variable wall thickness physical vapor deposition target
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
US7762114B2 (en) 2005-09-09 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Flow-formed chamber component having a textured surface
US20070056845A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Multiple zone sputtering target created through conductive and insulation bonding
US8795486B2 (en) * 2005-09-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. PVD target with end of service life detection capability
US20070068796A1 (en) * 2005-09-26 2007-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of using a target having end of service life detection capability
US7891536B2 (en) 2005-09-26 2011-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. PVD target with end of service life detection capability
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US8647484B2 (en) 2005-11-25 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Target for sputtering chamber
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US8968536B2 (en) 2007-06-18 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Sputtering target having increased life and sputtering uniformity
US7901552B2 (en) * 2007-10-05 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Sputtering target with grooves and intersecting channels
CN101579782B (zh) * 2009-04-20 2012-09-05 宁波江丰电子材料有限公司 铜靶材坯料与铜合金背板的焊接方法
CN101648320B (zh) * 2009-05-08 2012-06-27 宁波江丰电子材料有限公司 靶材与背板的焊接方法
CN102728944A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 光洋应用材料科技股份有限公司 扩散接合方法
KR101927559B1 (ko) * 2011-08-30 2018-12-10 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 고체 상태 확산 또는 상 변환에 의해 연결 층에 의한 웨이퍼의 영구 접착을 위한 방법
CN104690487A (zh) * 2013-12-09 2015-06-10 有研亿金新材料股份有限公司 一种靶材与背板的粘合连接方法
JP6277309B2 (ja) * 2016-07-13 2018-02-07 住友化学株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3622470A (en) 1969-05-21 1971-11-23 Wire & Strip Platers Inc Continuous plating method
JPS4918536B1 (ja) 1970-07-25 1974-05-10
US4029253A (en) 1972-04-22 1977-06-14 Walter Cartossi S.P.A. Method of heat and pressure bonding of plates of heat conductive metal onto stainless steel surfaces
US3758741A (en) 1972-09-14 1973-09-11 Nasa Enhanced diffusion welding
GB1532628A (en) 1974-11-15 1978-11-15 Ass Eng Ltd Metal bonding method
US4025036A (en) 1976-05-12 1977-05-24 Trw Inc. Process for fabrication of high impact strength composites
US4119262A (en) 1977-07-05 1978-10-10 Ford Motor Company Method of joining metal, particularly aluminum or aluminum alloys, using bromine fluxing agent
FR2399299A1 (fr) 1977-08-05 1979-03-02 Tocco Stel Procede et dispositif de soudage bout a bout par induction de pieces metalliques, notamment de section irreguliere
US4352450A (en) 1980-09-19 1982-10-05 Edgington Robert E Method for soldering aluminum
US4405427A (en) 1981-11-02 1983-09-20 Mcdonnell Douglas Corporation Electrodeposition of coatings on metals to enhance adhesive bonding
US4469757A (en) 1982-05-20 1984-09-04 Rockwell International Corporation Structural metal matrix composite and method for making same
US4496095A (en) 1983-04-12 1985-01-29 Fairchild Industries, Inc. Progressive ultrasonic welding system
US4420385A (en) 1983-04-15 1983-12-13 Gryphon Products Apparatus and process for sputter deposition of reacted thin films
US4732312A (en) 1986-11-10 1988-03-22 Grumman Aerospace Corporation Method for diffusion bonding of alloys having low solubility oxides
JPS63216966A (ja) 1987-03-06 1988-09-09 Toshiba Corp スパツタタ−ゲツト
JPS63220987A (ja) 1987-03-06 1988-09-14 Natl Res Inst For Metals アルミニウム及びアルミナセラミツクスの拡散接合法
US4848647A (en) 1988-03-24 1989-07-18 Aluminum Company Of America Aluminum base copper-lithium-magnesium welding alloy for welding aluminum lithium alloys
US4905886A (en) 1988-07-20 1990-03-06 Grumman Aerospace Corporation Method for diffusion bonding of metals and alloys using thermal spray deposition
US5268236A (en) 1988-11-25 1993-12-07 Vereinigte Aluminum-Werke Ag Composite aluminum plate for physical coating processes and methods for producing composite aluminum plate and target
DE3839775C2 (de) 1988-11-25 1998-12-24 Vaw Ver Aluminium Werke Ag Kathoden-Zerstäubungstarget und Verfahren zu seiner Herstellung
GB2241914B (en) 1990-03-16 1993-10-13 Secr Defence Diffusion bonding process for aluminium-lithium alloys
US5009765A (en) 1990-05-17 1991-04-23 Tosoh Smd, Inc. Sputter target design
US4978054A (en) 1990-07-03 1990-12-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Diffusion bonding process for aluminum and aluminum alloys
US5102033A (en) 1991-04-16 1992-04-07 Kaiser Aluminum & Chemical Corporation Method for improving the fillet-forming capability of aluminum vacuum brazing sheet products
US5143590A (en) 1991-07-10 1992-09-01 Johnson Matthey Inc. Method of manufacturing sputtering target assembly
US5230459A (en) 1992-03-18 1993-07-27 Tosoh Smd, Inc. Method of bonding a sputter target-backing plate assembly assemblies produced thereby
KR100348437B1 (ko) 1992-06-16 2002-10-30 죤슨매트히일렉트로닉스인코오퍼레이티드 스퍼터링타겟어셈블리의제조방법및새로운타겟어셈블리
US5693203A (en) 1992-09-29 1997-12-02 Japan Energy Corporation Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface
TW234767B (ja) 1992-09-29 1994-11-21 Nippon En Kk
JPH06226455A (ja) 1993-01-20 1994-08-16 Arishiumu:Kk Ａｌ−Ｌｉ合金の抵抗スポット溶接方法
US5342496A (en) 1993-05-18 1994-08-30 Tosoh Smd, Inc. Method of welding sputtering target/backing plate assemblies
US5599467A (en) 1993-11-19 1997-02-04 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Aluminum weldment and method of welding aluminum workpieces
US6199259B1 (en) 1993-11-24 2001-03-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Autoclave bonding of sputtering target assembly
US5590389A (en) * 1994-12-23 1996-12-31 Johnson Matthey Electronics, Inc. Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same
US5836506A (en) 1995-04-21 1998-11-17 Sony Corporation Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US6073830A (en) 1995-04-21 2000-06-13 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US5799860A (en) * 1995-08-07 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Preparation and bonding of workpieces to form sputtering targets and other assemblies
US5807430A (en) 1995-11-06 1998-09-15 Chemat Technology, Inc. Method and composition useful treating metal surfaces
JPH09143704A (ja) 1995-11-27 1997-06-03 Hitachi Metals Ltd スパッタリング用チタンターゲットおよびその製造方法
US5807443A (en) * 1995-11-30 1998-09-15 Hitachi Metals, Ltd. Sputtering titanium target assembly and producing method thereof
JPH10158829A (ja) 1996-12-04 1998-06-16 Sony Corp スパッタリングターゲット組立体の製造方法
US6274015B1 (en) 1996-12-13 2001-08-14 Honeywell International, Inc. Diffusion bonded sputtering target assembly with precipitation hardened backing plate and method of making same
EP0904423A4 (en) 1996-12-13 1999-09-08 Johnson Matthey Elect Inc Diffusion-bound sputtering target structure with particle-hardened carrier plate and method for its production
KR20010005546A (ko) 1997-03-19 2001-01-15 존슨매테이일렉트로닉스, 인코퍼레이티드 후면에 확산 니켈 플레이트된 타겟과 그의 생성방법
US5938103A (en) 1997-04-15 1999-08-17 Abb Power T&D Company Inc. Method and apparatus for minimizing the distortion in cold pressure welding
JPH10330929A (ja) 1997-05-28 1998-12-15 Japan Energy Corp スパッタリングタ−ゲット用バッキングプレ−ト及びスパッタリングタ−ゲット／バッキングプレ−ト組立体
JPH10330928A (ja) 1997-06-05 1998-12-15 Riyouka Massey Kk スパッタリングターゲット材およびその製造方法
US6579431B1 (en) * 1998-01-14 2003-06-17 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers
US6183686B1 (en) * 1998-08-04 2001-02-06 Tosoh Smd, Inc. Sputter target assembly having a metal-matrix-composite backing plate and methods of making same
US6071389A (en) 1998-08-21 2000-06-06 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonded sputter target assembly and method of making
US6227432B1 (en) 1999-02-18 2001-05-08 Showa Aluminum Corporation Friction agitation jointing method of metal workpieces
GB9914801D0 (en) 1999-06-25 1999-08-25 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
US6164519A (en) * 1999-07-08 2000-12-26 Praxair S.T. Technology, Inc. Method of bonding a sputtering target to a backing plate
DE19934295A1 (de) 1999-07-21 2001-01-25 Bayer Ag Kristallmodifikation III von N-(4-(5-Dimethylamino-naphthalin-1-sulfonyl-amino)-phenyl)-3-hydroxy-2,2-dimethyl-propionamid
US6780794B2 (en) * 2000-01-20 2004-08-24 Honeywell International Inc. Methods of bonding physical vapor deposition target materials to backing plate materials
US6698647B1 (en) 2000-03-10 2004-03-02 Honeywell International Inc. Aluminum-comprising target/backing plate structures
US20010047838A1 (en) 2000-03-28 2001-12-06 Segal Vladimir M. Methods of forming aluminum-comprising physical vapor deposition targets; sputtered films; and target constructions

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020533179A (ja) * 2017-09-15 2020-11-19 中国原子能科学研究院Ｃｈｉｎａ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ａｔｏｍｉｃ Ｅｎｅｒｇｙ 大型環状鍛造品の製造プロセス
JP2020533180A (ja) * 2017-09-15 2020-11-19 中国原子能科学研究院Ｃｈｉｎａ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ａｔｏｍｉｃ Ｅｎｅｒｇｙ モジュール式金属の構築成形方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1419608A (zh) 2003-05-21
KR20020084094A (ko) 2002-11-04
EP1252356A1 (en) 2002-10-30
US6797362B2 (en) 2004-09-28
US20020039810A1 (en) 2002-04-04
AU2001232823A1 (en) 2001-07-31
US6780794B2 (en) 2004-08-24
US20020028538A1 (en) 2002-03-07
WO2001053560A1 (en) 2001-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003520139A (ja) バッキングプレートにターゲットを拡散ボンディングする方法
EP1274874B1 (en) Methods of bonding a target to a backing plate
US6478902B2 (en) Fabrication and bonding of copper sputter targets
US5766380A (en) Method for fabricating randomly oriented aluminum alloy sputtering targets with fine grains and fine precipitates
EP2573205A2 (en) Sputter target assembly having a low-temperature high-strength bond
JPH11511206A (ja) スパッタターゲットとバッキングプレートの組立体及びその製造方法
TWI802646B (zh) 形成具有精細形狀及微結構的銅合金濺鍍靶材之方法
JP3971171B2 (ja) 銅スパッターターゲットの加工方法
JPH0665733A (ja) スパッタリング用ターゲット合材およびその製造方法
JPH09143704A (ja) スパッタリング用チタンターゲットおよびその製造方法
JPH07278804A (ja) スパッタリング薄膜形成用純Ｔｉターゲット
JPH06158296A (ja) 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法
JP3469261B2 (ja) 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法
JP2004529269A (ja) モリブデン及びアルミニウムを含むアセンブリ；ターゲット／バッキングプレートアセンブリを作製するときに中間層を用いる方法
JPS62124083A (ja) 拡散接合法
JPH08218166A (ja) スパッタリング用ターゲットの接合方法
JP2002256427A (ja) スパッタリング用チタンターゲット組立て体及びその製造方法
JP4519981B2 (ja) 固相拡散接合スパッタリングターゲット組立て体及びその製造方法
JP2020164902A (ja) ターゲット材とバッキングプレートとの接合体、および、ターゲット材とバッキングプレートとの接合体の製造方法
JP4560169B2 (ja) 拡散接合スパッタリングターゲット組立て体及びその製造方法
JPH09209136A (ja) スパッタリング用チタンターゲット組立体の製造方法およびスパッタリング用チタンターゲット組立体
JP2002241868A (ja) アルミニウム合金粉末熱間加工材の製造方法
JPH01208461A (ja) スパッタリング用ターゲットの接合法
JP2003321781A (ja) 高硬度微粒子の金属母材表面への接合方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080401