JPH01208461A - スパッタリング用ターゲットの接合法 - Google Patents

スパッタリング用ターゲットの接合法

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JPH01208461A
JPH01208461A JP3219988A JP3219988A JPH01208461A JP H01208461 A JPH01208461 A JP H01208461A JP 3219988 A JP3219988 A JP 3219988A JP 3219988 A JP3219988 A JP 3219988A JP H01208461 A JPH01208461 A JP H01208461A
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JP
Japan
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target
plate
brazing
backing plate
cracks
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Pending
Application number
JP3219988A
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English (en)
Inventor
Chikao Yazaki
矢崎 千加夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Organic Chemistry (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体の製造あるいは、薄膜の生成に用いら
れるスパッタリング装置で使用するスパッタリング用タ
ーゲットの接合法に関する。
〔従来の技術〕
スパッタリングに用いるターゲツト材は、強度の補強あ
るいは、スパッタリング装置への脱着操作の簡易化のた
めに、バッキングプレート(材質#A)に接合一体止さ
れ、使用されることが多い。
この接合方式としては、樹脂による接合あるいは、低融
点金属による、ハンダ付けがある0通常ターゲットへの
熱伝導率が良く、熱による剥離の恐れのない後者が多用
されている。
従来ハンダ付けする際は、バッキングプレート上にロー
材を載せ、その上にターゲツト材を載せる三層構造にて
加熱接合をしていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし前述の従来技術ではスパッタリングターゲットが
第2図に示すとおり、ヒータ一部より直接加熱される。
スパッタリングターゲットは製造上、非常に脆く、割れ
やすい性質を保有している。また合金鋳造で製作された
ものは、内部応力を保有しており歪みがでやすい性質が
ある。
前述のとおり直接加熱する事により、ターゲツト材の表
面と裏面に温度差が生じ、熱膨張の差によりターゲット
の内部歪みがでて、クラック、割れ等が発生してしまっ
た。
そこで本発明は、この様な問題点を解決するもので、そ
の目自勺とするところは、バッキングプレートにロー付
けされているスパッタリング用ターゲットに、クラック
、割れの無いものを提供するところにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のスパッタリングターゲットの接合法はスパッタ
リング装置に用いる、スパッタリングターゲットにおい
て、スパッタリングターゲットとバッキングプレートを
ロー付する時、ターゲット上に表面積比、70%〜15
0%、重量比で70%以上のプレートを用いることを特
徴とする、スパッタリング用ターゲットの接合法。
〔作 用〕
実験により、スパッタリングターゲットの割れの原因は
、熱膨脹率の差により、内部の応力歪みが、でてくる事
が判明した。
本発明の上記の方法によれば、ターゲット上に表面積比
、70%〜150%、重量比で70%以上のプレートを
用いる事により、ヒーター加熱された熱がプレートを温
め、その余熱をターゲットに均一に伝えるため、従来の
方法よりターゲットの上面及び下面との温度差を小さく
する事ができる。また冷却時も前記プレートより序々に
冷却するため前述と同様の作用を発するため、割れ、ク
ラックの防止が防止できた。
〔実 施 例〕
第1図は本発明の実施例を示す図、まず規定の寸法に加
工されたバッキングプレート1の上にスパッタリングタ
ーゲットと同形状に切断されたシート状のロー材2を載
せる。ロー材の上にはNd、Dy、Fe、Co系の鋳造
合金ターゲット3を載せる。(4″×5″×6t)ター
ゲットの上に前述のプレート4を載せる。(4″×5″
×6t)これを第1図に示すボンディング装置内にセッ
トする。
加熱条件は、雰囲気、真空度I X 10−2To r
r以上、加熱時間80分〜110分、加熱温度250℃
、20分保持、冷却は雰囲気をAr下に置換して徐冷と
した。
なおプレートは鋼材を使用した。
第2図は本発明前の比較例を示す図、加熱条件及び雰囲
気は前述のとおり、同様の条件で実施し、ターゲット上
部に載置するプレートのサイズを変えて実験をした。
ベースは4.0″×5,0″サイズである。
以上の結果、表面積では70%〜150%、重量比では
70%〜200%の範囲ではクラックは発生しない。
また第3図はロー付する前は無傷であった表面が、図の
様にクラックが入り、割れ目よりロー材が毛細管現象で
吸い上がり、表面に出てしまっている図を示す、このス
パッタリング用ターゲットを用いてスパッタすると、タ
ーゲットと同様に、成膜してしまい、組成を狂わせてし
まうため、スパッタリング用ターゲットとしては使用で
きない。
本実験では重量比を200%以上で限定して実験したが
、200%以上でも同様の結果は得られる。しかし、加
熱スピード及び冷却スピードを考慮するとメリットはな
い。
〔発明の効果〕
以上のべたように本発明によれば、スパッタリング用タ
ーゲットをロー付する時、表面積比で、70〜150%
、重量比で70%以上のプレートを載置するだけで簡単
にクラック、割れ防止ができた。
このことは、潜在的に加工歪の大きい、大型り−ゲット
を加工する上で特に重要なポイントであり一効果が大き
い。
また、製作上の最終段階で不良になる事は、スパッタリ
ング用ターゲットのコストが高価な、光磁気記録用等で
はメリットが特に大きい。
さらに実施例に示したターゲット以外のメタル、焼結タ
ーゲット等でも本発明は有効である。なおプレート材質
は装置内にガス等の発生源にならないものなら良い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のターゲットとバッキングプレートを接
合する状態図。 第2図は従来の方法を示す状態図。 第3図は従来方法で接合し、ターゲットに割れが発生し
た状態図を示す図である。 1・・・バッキングプレート 2・・・シート状のロー材 3・・・スパッタリング用ターゲット 4・・・割れ防止用プレート 5・・・ボンディング装置 6・・・ヒータ一部 7・・・支持台 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. スパッタリング装置で用いるスパッタリングターゲット
    において、前記スパッタリングターゲットとバッキング
    プレートをロー付する時、ターゲット上に表面積比、7
    0%〜150%、重量比で70%以上のプレートを用い
    ることを特徴とするスパッタリング用ターゲットの接合
    法。
JP3219988A 1988-02-15 1988-02-15 スパッタリング用ターゲットの接合法 Pending JPH01208461A (ja)

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JP3219988A JPH01208461A (ja) 1988-02-15 1988-02-15 スパッタリング用ターゲットの接合法

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JP3219988A JPH01208461A (ja) 1988-02-15 1988-02-15 スパッタリング用ターゲットの接合法

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JPH01208461A true JPH01208461A (ja) 1989-08-22

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