JPS63270460A - スパツタリング・タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング・タ−ゲツトInfo
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- JPS63270460A JPS63270460A JP10413587A JP10413587A JPS63270460A JP S63270460 A JPS63270460 A JP S63270460A JP 10413587 A JP10413587 A JP 10413587A JP 10413587 A JP10413587 A JP 10413587A JP S63270460 A JPS63270460 A JP S63270460A
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- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 30
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（卒業上の利用分野）
本発明は、スパッタリング・ターゲットの改良に関する
ものである。
ものである。
（従来の技術とその問題点）
第３図に示す如〈従来のスパッタリング・ターゲット１
は、ターゲット材料２を、バッキングプレート３にメタ
ルボンディング材４にて接合して成るものである。
は、ターゲット材料２を、バッキングプレート３にメタ
ルボンディング材４にて接合して成るものである。
しかしこのようなスパッタリング・ターゲット１ではバ
ッキングプレート３の交換に手間隙がかかり、またター
ゲット材料２の交換時にターゲット冷却用の冷却水配管
の取り外し部分からスパッタリング装置の真空槽が汚染
されないように配慮することが必要で、甚だ面倒であっ
た。
ッキングプレート３の交換に手間隙がかかり、またター
ゲット材料２の交換時にターゲット冷却用の冷却水配管
の取り外し部分からスパッタリング装置の真空槽が汚染
されないように配慮することが必要で、甚だ面倒であっ
た。
その為、ターゲット材料２をメタルボンディング材４に
てバッキングプレート３に接合するのをやめ、第４図に
示す如くターゲット材料２とバンキングプレート３を直
に接触、保持できる取付治具５を設けてターゲット材料
２をバッキングプレート３に保持して用いる方法が考え
られる。
てバッキングプレート３に接合するのをやめ、第４図に
示す如くターゲット材料２とバンキングプレート３を直
に接触、保持できる取付治具５を設けてターゲット材料
２をバッキングプレート３に保持して用いる方法が考え
られる。
ところで、Ａｕｓ ＰＩ Ｐｄ等の貴金属ターゲット材
料２は、高価である為、第５図に示す如くできるだけ必
要最小限に薄くして用いる必要がある。この場合、使用
時の熱歪によりターゲット材料２に反りが発生し、バッ
キングプレート３による冷却効率が悪くなり、その為ス
パッタリング条件が変わり、形成される薄膜の品質が低
下するという問題があった。
料２は、高価である為、第５図に示す如くできるだけ必
要最小限に薄くして用いる必要がある。この場合、使用
時の熱歪によりターゲット材料２に反りが発生し、バッ
キングプレート３による冷却効率が悪くなり、その為ス
パッタリング条件が変わり、形成される薄膜の品質が低
下するという問題があった。
（発明の目的）
本発明は上記問題を解決すべくなされたもので、バッキ
ングプレートによる冷却効率が良好で、使用時に熱歪に
よる反りの発生が無く、ターゲット材料２を必要最小限
の薄さで使用できるスパッタリング・ターゲットを提供
することを目的とするものである。
ングプレートによる冷却効率が良好で、使用時に熱歪に
よる反りの発生が無く、ターゲット材料２を必要最小限
の薄さで使用できるスパッタリング・ターゲットを提供
することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、タ
ーゲット材料を取付治具を介してバッキングプレートに
接触保持するスパッタリング・ターゲットに於いて、前
記ターゲット材料をＣｕ又はＡｇの基板に薄板状のター
ゲット材料を接合してクラッドとなしたことを特徴とす
るものである。
ーゲット材料を取付治具を介してバッキングプレートに
接触保持するスパッタリング・ターゲットに於いて、前
記ターゲット材料をＣｕ又はＡｇの基板に薄板状のター
ゲット材料を接合してクラッドとなしたことを特徴とす
るものである。
本発明のスパッタリング・ターゲットで、基板をＣｕ又
はＡｇとした理由は、熱伝導性が良好で、バッキングプ
レートによる冷却効果を低下させない為である。
はＡｇとした理由は、熱伝導性が良好で、バッキングプ
レートによる冷却効果を低下させない為である。
（作用）
上記の如く構成された本発明のスパッタリング・ターゲ
ットは、熱伝導性の良いＣｕ又はＡｇの基板に、必要最
小限の薄いターゲット材料を接合してクラッドのターゲ
ット材料を構成しているので、バンキングプレートへ取
付治具により直に接触、保持して使用した際、バッキン
グプレートによる冷却効率が良く、また熱歪により反り
が発生しないので、スパッタリング条件を一定に維持で
き、品質の良好な薄膜を構成できる。
ットは、熱伝導性の良いＣｕ又はＡｇの基板に、必要最
小限の薄いターゲット材料を接合してクラッドのターゲ
ット材料を構成しているので、バンキングプレートへ取
付治具により直に接触、保持して使用した際、バッキン
グプレートによる冷却効率が良く、また熱歪により反り
が発生しないので、スパッタリング条件を一定に維持で
き、品質の良好な薄膜を構成できる。
（実施例）
本発明によるスパッタリング・ターゲットの実施例を比
較例及び従来例と共に説明する。
較例及び従来例と共に説明する。
先ず実施例について説明すると、第１図に示す如く直径
１５２．４＋ｎ、厚さ１゜ＯｎのＩｒより成るターゲッ
ト材料２を、直径１５２．４ｍｍ、厚さ４．ＯｎのＣｕ
より成る基板６に、Ｐｂ−３ｎ（半田）より成るメタル
ボンディング材７にて接合してクラッドのターゲット材
料８を得た。
１５２．４＋ｎ、厚さ１゜ＯｎのＩｒより成るターゲッ
ト材料２を、直径１５２．４ｍｍ、厚さ４．ＯｎのＣｕ
より成る基板６に、Ｐｂ−３ｎ（半田）より成るメタル
ボンディング材７にて接合してクラッドのターゲット材
料８を得た。
一方従来例として、第３図に示す如く直径１５２．４１
１、厚さ５ 、 ＯｘｖｒのＩｒより成るターゲット材
料２を作り、また比較例として第５図に示す如く直径１
５２．４ｍＳ厚さ１．０ｍのＩｒより成るターゲット材
料２′を作った。
１、厚さ５ 、 ＯｘｖｒのＩｒより成るターゲット材
料２を作り、また比較例として第５図に示す如く直径１
５２．４ｍＳ厚さ１．０ｍのＩｒより成るターゲット材
料２′を作った。
然して実施例のターゲット材料８及び比較例のターゲッ
ト材料２′は、Ｃｕより成る直径１７１．０鶴、厚さ５
、０ ｍ１１のバッキングプレート３に第２図ａ、ｂ
に示す如＜５ＵＳ３０４より成るＬ形で実施例は寸法６
Ｘ５ＸＩＸ１１の、比較例は寸法３×ｌＸ２Ｘ１１の取
付治具５にて各々８ケ所を支持して接触保持してスパッ
タリング・ターゲット９．９を得た。また従来例のター
ゲット材料２を第３図に示す如（Ｃｕより成る直径１７
１．０ｍｍ、厚さ５．０籠のバッキングプレート３にＰ
ｂ−３ｎ（半田）より成るメタルボンディング材４にて
接合してスパッタリング・ターゲット１を得た。・こう
して得た実施例、比較例及び従来例のスパッタリング・
ターゲットを使用した処、下記の表に示すような結果を
得た。
ト材料２′は、Ｃｕより成る直径１７１．０鶴、厚さ５
、０ ｍ１１のバッキングプレート３に第２図ａ、ｂ
に示す如＜５ＵＳ３０４より成るＬ形で実施例は寸法６
Ｘ５ＸＩＸ１１の、比較例は寸法３×ｌＸ２Ｘ１１の取
付治具５にて各々８ケ所を支持して接触保持してスパッ
タリング・ターゲット９．９を得た。また従来例のター
ゲット材料２を第３図に示す如（Ｃｕより成る直径１７
１．０ｍｍ、厚さ５．０籠のバッキングプレート３にＰ
ｂ−３ｎ（半田）より成るメタルボンディング材４にて
接合してスパッタリング・ターゲット１を得た。・こう
して得た実施例、比較例及び従来例のスパッタリング・
ターゲットを使用した処、下記の表に示すような結果を
得た。
（以下余白）
【
］−
上記の表で明らかなように比較例によるスパッタリング
・ターゲットは使用後１０分で反りが発生したのに対し
、実施例及び従来例のスパッタリング・ターゲットでは
反りが全く発生しなかった。
・ターゲットは使用後１０分で反りが発生したのに対し
、実施例及び従来例のスパッタリング・ターゲットでは
反りが全く発生しなかった。
またスパッタリング・ターゲットの交換時間及び交換直
後のスパッタリング装置における真空槽の排気時間は従
来例のものに比べ実施例のものが短く、作業能率の良い
ことが判る。
後のスパッタリング装置における真空槽の排気時間は従
来例のものに比べ実施例のものが短く、作業能率の良い
ことが判る。
尚、上記実施例ではクラッドのターゲラ） ＋４料の基
板がＣｕであるが、熱伝導度、電気伝導度のより高いＡ
ｇでも良いもので、その場合ターゲット材料とのクラッ
ド面はＣｕなどにより拡散防止や濡れ性の改善の為のコ
ーティング層を設けた後接合すると良い。
板がＣｕであるが、熱伝導度、電気伝導度のより高いＡ
ｇでも良いもので、その場合ターゲット材料とのクラッ
ド面はＣｕなどにより拡散防止や濡れ性の改善の為のコ
ーティング層を設けた後接合すると良い。
また上記実施例はターゲット材料がＩｒであるが貴金属
に限らず高融点材料や難加工材料など厚い材料を作りに
くいものは薄い材料のままターゲット材料に使用するこ
とができる。
に限らず高融点材料や難加工材料など厚い材料を作りに
くいものは薄い材料のままターゲット材料に使用するこ
とができる。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のスパッタリング・ター
ゲットは、バッキングプレートによる冷却効率が良好で
、使用時に熱歪による反りの発生が全く無く、ターゲッ
ト材料を必要最小限の薄さで使用できるという優れた効
果がある。
ゲットは、バッキングプレートによる冷却効率が良好で
、使用時に熱歪による反りの発生が全く無く、ターゲッ
ト材料を必要最小限の薄さで使用できるという優れた効
果がある。
第１図は本発明のスパッタリング・ターゲットに於ける
ターゲット材料の断面図、第２図ａは本発明のスパッタ
リング・ターゲットの断面図、第２図すは比較例のスパ
ッタリング・ターゲットの断面図、第３図は従来例のス
パッタリング・ターゲットの断面図、第４図は比較例の
スパッタリング・ターゲットの断面図、第５図は比較例
において、ターゲット材料を薄＜シたためにターゲット
材料に反りが発生したときのスパッタリング・ターゲッ
トの縦断面図である。 第２図（Ｑ）
ターゲット材料の断面図、第２図ａは本発明のスパッタ
リング・ターゲットの断面図、第２図すは比較例のスパ
ッタリング・ターゲットの断面図、第３図は従来例のス
パッタリング・ターゲットの断面図、第４図は比較例の
スパッタリング・ターゲットの断面図、第５図は比較例
において、ターゲット材料を薄＜シたためにターゲット
材料に反りが発生したときのスパッタリング・ターゲッ
トの縦断面図である。 第２図（Ｑ）
Claims (1)
- ターゲット材料を取付治具を介してバッキングプレート
に接触保持するスパッタリング・ターゲットに於いて、
前記ターゲット材料をＣｕ又はＡｇの基板に薄板状のタ
ーゲット材料を接合してクラッドとなしたことを特徴と
するスパッタリング・ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10413587A JPS63270460A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | スパツタリング・タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10413587A JPS63270460A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | スパツタリング・タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63270460A true JPS63270460A (ja) | 1988-11-08 |
Family
ID=14372660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10413587A Pending JPS63270460A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | スパツタリング・タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63270460A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032468A (en) * | 1988-11-25 | 1991-07-16 | Vereinigte Aluminium Werke | Composite aluminum plate and target for physical coating processes produced therefrom and methods for producing same |
| US5268236A (en) * | 1988-11-25 | 1993-12-07 | Vereinigte Aluminum-Werke Ag | Composite aluminum plate for physical coating processes and methods for producing composite aluminum plate and target |
| KR100428489B1 (ko) * | 2002-03-08 | 2004-04-28 | 아이.지.시 주식회사 | 이종 접합체 제작에 있어 휨발생 저감 방법 |
| WO2007098858A1 (de) * | 2006-03-02 | 2007-09-07 | Gfe Fremat Gmbh | Targetanordnung |
| TWI424079B (zh) * | 2011-08-30 | 2014-01-21 | Sumitomo Heavy Industries | Film forming apparatus and target device |
| KR101453148B1 (ko) * | 2011-01-13 | 2014-10-27 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 타깃, 및 이를 구비한 성막장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923870A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-02-07 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | スパツタコ−テイング装置に使用する特別の材料のタ−ゲツト組立体 |
| JPS61127861A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-16 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用金タ−ゲツト |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP10413587A patent/JPS63270460A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923870A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-02-07 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | スパツタコ−テイング装置に使用する特別の材料のタ−ゲツト組立体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8663438B2 (en) | 2006-03-02 | 2014-03-04 | Gfe Fremat Gmbh | Target arrangement |
| KR101400252B1 (ko) * | 2006-03-02 | 2014-05-26 | 게에프에 프레맛 게엠베하 | 타겟 배치 장치 |
| KR101453148B1 (ko) * | 2011-01-13 | 2014-10-27 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 타깃, 및 이를 구비한 성막장치 |
| TWI424079B (zh) * | 2011-08-30 | 2014-01-21 | Sumitomo Heavy Industries | Film forming apparatus and target device |
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