JPH0196377A - スパッタリング用クラッドターゲット材 - Google Patents
スパッタリング用クラッドターゲット材Info
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- JPH0196377A JPH0196377A JP25117887A JP25117887A JPH0196377A JP H0196377 A JPH0196377 A JP H0196377A JP 25117887 A JP25117887 A JP 25117887A JP 25117887 A JP25117887 A JP 25117887A JP H0196377 A JPH0196377 A JP H0196377A
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Links
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 14
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各工業分野において薄膜形成技術として、と
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタ法に用
いるタララドターゲット材の改良に関する。
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタ法に用
いるタララドターゲット材の改良に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来のスパッタリング用ターゲット材は、バッキングプ
レートにメタルボンディング材〈て接合して使用してい
る。しかしこの使用法ではターゲット材をバッキングプ
レートから取外して交換することはむずかしいので、バ
ッキングプレート諸共即ちターゲットを取外すことにな
り、その交換に時間がかかったり、ターゲット材の交換
時にバッキングプレート側を冷却しているターゲット材
冷却水の配管を取外す部分からスパッタリング装置の真
空槽への汚染が生じないようにする配慮が必要など段取
作業が甚だ面倒であった。
レートにメタルボンディング材〈て接合して使用してい
る。しかしこの使用法ではターゲット材をバッキングプ
レートから取外して交換することはむずかしいので、バ
ッキングプレート諸共即ちターゲットを取外すことにな
り、その交換に時間がかかったり、ターゲット材の交換
時にバッキングプレート側を冷却しているターゲット材
冷却水の配管を取外す部分からスパッタリング装置の真
空槽への汚染が生じないようにする配慮が必要など段取
作業が甚だ面倒であった。
そこで、ターゲット材をメタルボンディング材でバッキ
ングプレートに接合するのをやめて、第１図に示す如く
ターゲット材１を環状の取付治具２を介してバッキング
プレート３に直に接触保持することが考えられている。
ングプレートに接合するのをやめて、第１図に示す如く
ターゲット材１を環状の取付治具２を介してバッキング
プレート３に直に接触保持することが考えられている。
この場合バッキングプレート３でのターゲット材１の一
冷却効果を上げる為、第２図に示す如くターゲット材ｌ
のバッキングプレート３と接触する側に熱伝導度の良好
な高純度のＡｇ基板４をメタルボンディング材５にて接
合してクラッドターゲット材６とし、これのＡｇ基板４
を第３図に示す如くバッキングプレート３に環状の取付
金具２にて密着することが行われる。しかしＣｕ製のバ
ッキングプレートの場合、使用中にバッキングプレート
３とクラッドターゲット材６のＡｇ基ｖｉ、４とが圧着
状態となり、使用後バッキングプレート３から取外すこ
とが困難になるという問題点があった。
冷却効果を上げる為、第２図に示す如くターゲット材ｌ
のバッキングプレート３と接触する側に熱伝導度の良好
な高純度のＡｇ基板４をメタルボンディング材５にて接
合してクラッドターゲット材６とし、これのＡｇ基板４
を第３図に示す如くバッキングプレート３に環状の取付
金具２にて密着することが行われる。しかしＣｕ製のバ
ッキングプレートの場合、使用中にバッキングプレート
３とクラッドターゲット材６のＡｇ基ｖｉ、４とが圧着
状態となり、使用後バッキングプレート３から取外すこ
とが困難になるという問題点があった。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、使
用中にＡｇ基板がバッキングプレートに熱圧着されるこ
とがなく、使用後バッキングプレートから簡単に取外す
ことのできるスパッタリング用クラッドターゲット材を
提供することを目的とするものである。
用中にＡｇ基板がバッキングプレートに熱圧着されるこ
とがなく、使用後バッキングプレートから簡単に取外す
ことのできるスパッタリング用クラッドターゲット材を
提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、ク
ラッドターゲット材のＡｇ基板の高純度品位を損なうこ
となく、即ち基板のＡｇの純度を９９．５％以上とし、
且つＣｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、、Ｎｉ。
ラッドターゲット材のＡｇ基板の高純度品位を損なうこ
となく、即ち基板のＡｇの純度を９９．５％以上とし、
且つＣｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、、Ｎｉ。
Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｓ ｉ、 Ｚｒ、、Ｂ ｉ、、Ｇ
ａ、Ｇｅ。
ａ、Ｇｅ。
Ｐｔ、、 Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、 Ｉｒ、Ｏｓ、Ａｕ
。
。
Ｃｕの少なくとも１種以上合計で１００〜５，０００重
量ρｐｍ添加したことを特徴とするものである。
量ρｐｍ添加したことを特徴とするものである。
（作用）
上記のように構成されたスパッタリング用クラッドター
ゲット材は、Ａｇ基板の純度を９９．７％以上としてい
るので、良好な熱伝導性によりバッキングプレート側か
らの冷却効果が十分である。またＡｇ基板に前述の金属
の少なくとも１種以上合計で１００〜５，０００重ｆｉ
ｔｐｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散が抑制されると
共に再結晶温度が高くなって、使用中にバッキングプレ
ートと熱圧着することがなくなる。
ゲット材は、Ａｇ基板の純度を９９．７％以上としてい
るので、良好な熱伝導性によりバッキングプレート側か
らの冷却効果が十分である。またＡｇ基板に前述の金属
の少なくとも１種以上合計で１００〜５，０００重ｆｉ
ｔｐｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散が抑制されると
共に再結晶温度が高くなって、使用中にバッキングプレ
ートと熱圧着することがなくなる。
前述の金属の添加量を、少なくとも１種以上合計で１０
０〜５，０００重量ｐｐｍとした理由は、１１００ｐｐ
未満ではバッキングプレートとの熱圧着を防止すること
ができず、ｓ、ｏｏｏ重ｌｐｐｍを超えると、熱伝導性
が悪くなり、冷却効果が低下するからである。
０〜５，０００重量ｐｐｍとした理由は、１１００ｐｐ
未満ではバッキングプレートとの熱圧着を防止すること
ができず、ｓ、ｏｏｏ重ｌｐｐｍを超えると、熱伝導性
が悪くなり、冷却効果が低下するからである。
（実施例）
本発明のスパッタリング用ターゲット材の実施例を従来
例と共に説明する。
例と共に説明する。
下記の表の左欄に示す成分組成の材料より成る直径１５
２．０ｍｍ、厚さ４ 、０ ｍｍの第２図に示されるＡ
ｇ基板４に、直径１５２．Ｏｎ＋＋ｎ、厚さ１．０ｍｍ
のＩｒより成るターゲット材１を、Ｉｎのメタルボンデ
ィング材５にて接合して、スパッタリング用クラッドタ
ーゲット材６を得た。
２．０ｍｍ、厚さ４ 、０ ｍｍの第２図に示されるＡ
ｇ基板４に、直径１５２．Ｏｎ＋＋ｎ、厚さ１．０ｍｍ
のＩｒより成るターゲット材１を、Ｉｎのメタルボンデ
ィング材５にて接合して、スパッタリング用クラッドタ
ーゲット材６を得た。
これらのクラッドターゲット材６を各１０個、第３図に
示す如＜５ＵＳ３０４より成る断面「型で外径１７０．
０鵬、上端内径１５３．Ｏｆｆｌｍ、下端内径１４９．
０ｍｍ、厚さ６．０ｍｍの環状の取付治具２にてＣｕよ
り成るバッキングプレート３に押え、周方向の８ケ所を
ねじにて締付けて夫ｈクラッドターゲット材６をバッキ
ングプレート３に密着し、図示せぬスパッタリング装置
の真空槽内の陰極にセットし、ＤＣＩＫＷでスパッタリ
ングを３時間行って、陽極上の基板にＩｒ膜を形成した
。このスパッタリングにおいて、クラッドターゲット材
６のバッキングプレート３との圧着の有無を調べた処、
下記の表の右欄に示すような結果を得た。
示す如＜５ＵＳ３０４より成る断面「型で外径１７０．
０鵬、上端内径１５３．Ｏｆｆｌｍ、下端内径１４９．
０ｍｍ、厚さ６．０ｍｍの環状の取付治具２にてＣｕよ
り成るバッキングプレート３に押え、周方向の８ケ所を
ねじにて締付けて夫ｈクラッドターゲット材６をバッキ
ングプレート３に密着し、図示せぬスパッタリング装置
の真空槽内の陰極にセットし、ＤＣＩＫＷでスパッタリ
ングを３時間行って、陽極上の基板にＩｒ膜を形成した
。このスパッタリングにおいて、クラッドターゲット材
６のバッキングプレート３との圧着の有無を調べた処、
下記の表の右欄に示すような結果を得た。
上記の表で明らかなように従来例１．２のクラッドター
ゲット材６は、バッキングプレート３と圧着したものが
夫々１０台のスパッタリング装置中７台に、５台のスパ
ッタリング装置で発見され、その圧着したクラッドター
ゲット材６は、バッキングプレート３から取外すことが
できず、バッキングプレート３諸共取外して交換せざる
を得なかった。一方、実施例のクラッドターゲット材６
はバッキングプレート３と圧着するものが皆無であった
。これはひとえにクラッドターゲット材６のＡｇ基板４
へＳｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、、Ｎｉ、Ｔｉ
、Ｗ、Ｖ、Ｓ ｉ、Ｚｒ、Ｂ ｉ。
ゲット材６は、バッキングプレート３と圧着したものが
夫々１０台のスパッタリング装置中７台に、５台のスパ
ッタリング装置で発見され、その圧着したクラッドター
ゲット材６は、バッキングプレート３から取外すことが
できず、バッキングプレート３諸共取外して交換せざる
を得なかった。一方、実施例のクラッドターゲット材６
はバッキングプレート３と圧着するものが皆無であった
。これはひとえにクラッドターゲット材６のＡｇ基板４
へＳｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、、Ｎｉ、Ｔｉ
、Ｗ、Ｖ、Ｓ ｉ、Ｚｒ、Ｂ ｉ。
Ｇａ、、Ｇｅ、ＰＬ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ。
Ｏｓ −、Ａ ｕ ％ Ｃｕ等の少なくとも１種以上を
合計で１００〜５，０００重ｔｉｐｐｍ添加している為
、Ａｇ５板４のバッキングプレート３との熱圧着が防止
されるからに他ならない。
合計で１００〜５，０００重ｔｉｐｐｍ添加している為
、Ａｇ５板４のバッキングプレート３との熱圧着が防止
されるからに他ならない。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のスパッタリング用クラ
ッドターゲット材は、Ａｇ基板の純度を９９．５％以上
としているので、熱伝導性が良好で、バッキングプレー
ト側からの冷却が効率良く行われる。またＡｇ基板にＳ
ｎ、Ｉ ｎ、Ｃｄ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ５Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ
、Ｖ、Ｓｉ、Ｚｒ。
ッドターゲット材は、Ａｇ基板の純度を９９．５％以上
としているので、熱伝導性が良好で、バッキングプレー
ト側からの冷却が効率良く行われる。またＡｇ基板にＳ
ｎ、Ｉ ｎ、Ｃｄ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ５Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ
、Ｖ、Ｓｉ、Ｚｒ。
Ｂｉ、Ｇａ、Ｇｅ、ＰＬＸＰｄ、Ｒｈ、、Ｒｕ。
Ｉ ｒ、Ｏｓ、Ａｕ、Ｃｕ等の少なくとも１種以上を合
計で１００〜ｓ、ｏｏｏ重量ｐｐｍ添加しているので、
Ｃｕの拡散が抑制されると共に再結晶温度が高くなって
、使用中にバッキングプレートと熱圧着されることがな
く、使用後バッキングプレートから簡単に取外すことが
できるという効果がある。
計で１００〜ｓ、ｏｏｏ重量ｐｐｍ添加しているので、
Ｃｕの拡散が抑制されると共に再結晶温度が高くなって
、使用中にバッキングプレートと熱圧着されることがな
く、使用後バッキングプレートから簡単に取外すことが
できるという効果がある。
第１図は従来のスパッタリング用ターゲット材をバッキ
ングプレートに取付けた状態を示す断面図、第２図はス
パッタリング用クラッドターゲット材を示す断面図、第
３図は第２図のクラッドターゲット材をバッキングプレ
ートに取付けた状態を示す断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社
ングプレートに取付けた状態を示す断面図、第２図はス
パッタリング用クラッドターゲット材を示す断面図、第
３図は第２図のクラッドターゲット材をバッキングプレ
ートに取付けた状態を示す断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- Ａｇの基板にターゲット材が接合されて成るスパッタ
リング用クラッドターゲット材に於いて、基板のＡｇの
純度が９９．５％以上で且つＣｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇの少なくと
も１種以上合計で１００〜５，０００重量ｐｐｍ添加さ
れていることを特徴とするスパッタリング用クラッドタ
ーゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25117887A JPH0196377A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用クラッドターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25117887A JPH0196377A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用クラッドターゲット材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196377A true JPH0196377A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17218843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25117887A Pending JPH0196377A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用クラッドターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196377A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG137678A1 (en) * | 2003-05-16 | 2007-12-28 | Kobe Steel Ltd | Ag-bi-base alloy sputtering target, and method for producing the same |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP25117887A patent/JPH0196377A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG137678A1 (en) * | 2003-05-16 | 2007-12-28 | Kobe Steel Ltd | Ag-bi-base alloy sputtering target, and method for producing the same |
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