JPH1046329A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
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- JPH1046329A JPH1046329A JP20493096A JP20493096A JPH1046329A JP H1046329 A JPH1046329 A JP H1046329A JP 20493096 A JP20493096 A JP 20493096A JP 20493096 A JP20493096 A JP 20493096A JP H1046329 A JPH1046329 A JP H1046329A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲット部材とバッキングプレートと
を金属接合材料を介して接合したスパッタリングターゲ
ットにおいて、反りが少なく、冷却効率の高いスパッタ
リングターゲットを提供する 【解決手段】 ターゲット部材とバキングプレートとの
間の金属接合材料層に、銅、真鍮、ステンレススチー
ル、ニッケルなどの金属粉末、ＩＴＯ、アルミナなどの
金属酸化物粉末、窒化ケイ素、タングステンシリサイ
ド、モリブデンシリサイド等のケイ素化合物粉末および
炭素粉末からなる群より選ばれる一種以上を混在させ
る。
を金属接合材料を介して接合したスパッタリングターゲ
ットにおいて、反りが少なく、冷却効率の高いスパッタ
リングターゲットを提供する 【解決手段】 ターゲット部材とバキングプレートとの
間の金属接合材料層に、銅、真鍮、ステンレススチー
ル、ニッケルなどの金属粉末、ＩＴＯ、アルミナなどの
金属酸化物粉末、窒化ケイ素、タングステンシリサイ
ド、モリブデンシリサイド等のケイ素化合物粉末および
炭素粉末からなる群より選ばれる一種以上を混在させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングに
より薄膜を形成する際に使用されるスパッタリングター
ゲットに関するものである。
より薄膜を形成する際に使用されるスパッタリングター
ゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリングによる成膜方法は、膜の
付着力が強い、膜厚の制御が容易である、合金の薄膜化
における再現性がよい、高融点材料の薄膜が容易である
などの特徴を有するため、液晶ディスプレイ用の透明導
電膜、ハードディスクの記録層、半導体メモリーの配線
材料等の広い分野で使用されている。
付着力が強い、膜厚の制御が容易である、合金の薄膜化
における再現性がよい、高融点材料の薄膜が容易である
などの特徴を有するため、液晶ディスプレイ用の透明導
電膜、ハードディスクの記録層、半導体メモリーの配線
材料等の広い分野で使用されている。
【０００３】このような成膜方法に用いるスパッタリン
グターゲットは、一般に、ターゲット部材とバッキング
プレートとの面どうしを接合して構成されている。ター
ゲット部材とバッキングプレートとの接合は、例えば、
次のような手順でなされている。
グターゲットは、一般に、ターゲット部材とバッキング
プレートとの面どうしを接合して構成されている。ター
ゲット部材とバッキングプレートとの接合は、例えば、
次のような手順でなされている。
【０００４】即ち、ターゲット部材のバッキングプレー
トとの接合面に、金属インジウム半田等の接合材料を塗
布し、この部材を、使用する半田の融点以上に加熱して
半田を塗布するか、または超音波を用いてターゲット部
材の接合面に直接半田を塗布する。
トとの接合面に、金属インジウム半田等の接合材料を塗
布し、この部材を、使用する半田の融点以上に加熱して
半田を塗布するか、または超音波を用いてターゲット部
材の接合面に直接半田を塗布する。
【０００５】一方、無酸素銅等からなるバッキングプレ
ートの接合面にも同様の処理を施す事で半田を塗布し、
半田を塗布したバッキングプレートを使用された半田の
融点以上に加熱して表面の半田層を融解させた後、ター
ゲット部材を所定の場所へ配置し接合面を合体して接合
したものを室温まで冷却する方法である。
ートの接合面にも同様の処理を施す事で半田を塗布し、
半田を塗布したバッキングプレートを使用された半田の
融点以上に加熱して表面の半田層を融解させた後、ター
ゲット部材を所定の場所へ配置し接合面を合体して接合
したものを室温まで冷却する方法である。
【０００６】低融点金属などの接合材料を用いてターゲ
ット部材とバッキングプレートとを接合する場合、ター
ゲット部材およびバッキングプレートが半田の融点以上
に加熱されるため、接合後の冷却時に両者の熱膨張率の
差により、反りやこの反りからターゲット部材の割れ等
が発生する。この反りは、スパッタリング装置にターゲ
ットを取り付ける際に、再び割れの原因となる。
ット部材とバッキングプレートとを接合する場合、ター
ゲット部材およびバッキングプレートが半田の融点以上
に加熱されるため、接合後の冷却時に両者の熱膨張率の
差により、反りやこの反りからターゲット部材の割れ等
が発生する。この反りは、スパッタリング装置にターゲ
ットを取り付ける際に、再び割れの原因となる。
【０００７】この問題を解決するために、例えば、特開
平２ー１８４５７８号公報には、低融点金属などの接合
材料のかわりに有機接着剤を使用する方法が開示されて
いる。しかし、この方法では、バッキングプレートの再
利用が困難である。また、特開平２ー１２２０７１号公
報では、半田の融点直下の温度で反りに対する機械的矯
正が行われているが、制御が困難である。さらに、特開
平６ー６５７２７号公報では、部分的に接合しない方法
が提案されているが、この方法ではスパッタリング中の
ターゲットの冷却効率が低下し、熱衝撃での割れの原因
になる。
平２ー１８４５７８号公報には、低融点金属などの接合
材料のかわりに有機接着剤を使用する方法が開示されて
いる。しかし、この方法では、バッキングプレートの再
利用が困難である。また、特開平２ー１２２０７１号公
報では、半田の融点直下の温度で反りに対する機械的矯
正が行われているが、制御が困難である。さらに、特開
平６ー６５７２７号公報では、部分的に接合しない方法
が提案されているが、この方法ではスパッタリング中の
ターゲットの冷却効率が低下し、熱衝撃での割れの原因
になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、低融
点金属等の接合材料を用いてターゲット部材とバッキン
グプレートとを接合したスパッタリングターゲットにお
いて、反りが少なく、冷却効率に優れたスパッタリング
ターゲットを提供することにある。
点金属等の接合材料を用いてターゲット部材とバッキン
グプレートとを接合したスパッタリングターゲットにお
いて、反りが少なく、冷却効率に優れたスパッタリング
ターゲットを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題点
を解決すべく鋭意検討を行った結果、ターゲット部材の
接合面とバッキングプレートの接合面との間の金属接合
層に、金属粉末、金属酸化物粉末、ケイ素化合物粉末お
よび炭素粉末からなる群より選ばれる一種以上を混在さ
せたスパッタリングターゲットは前記課題を解決できる
ことを見出し本発明を完成した。
を解決すべく鋭意検討を行った結果、ターゲット部材の
接合面とバッキングプレートの接合面との間の金属接合
層に、金属粉末、金属酸化物粉末、ケイ素化合物粉末お
よび炭素粉末からなる群より選ばれる一種以上を混在さ
せたスパッタリングターゲットは前記課題を解決できる
ことを見出し本発明を完成した。
【００１０】即ち本発明は、ターゲット部材およびバッ
キングプレートを有し、ターゲット部材とバッキングプ
レートとの間の金属接合材料層に、金属粉末、金属酸化
物粉末、ケイ素化合物粉末および炭素粉末からなる群よ
り選ばれる一種以上を混在させたことを特徴とするスパ
ッタリングターゲットに関する。
キングプレートを有し、ターゲット部材とバッキングプ
レートとの間の金属接合材料層に、金属粉末、金属酸化
物粉末、ケイ素化合物粉末および炭素粉末からなる群よ
り選ばれる一種以上を混在させたことを特徴とするスパ
ッタリングターゲットに関する。
【００１１】本発明のターゲット部材としては一般に用
いられる材料、例えば、クロム、チタン、アルミニウ
ム、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）、ＳｉＯ2等
で形成されたものを例示することができる。また、バッ
キングプレートとしては銅、好ましくは無酸素銅、チタ
ン、ステンレススチール等の通常用いられるプレートが
好ましい。これらのターゲット部材およびプレートは、
接合面が実質的に平行なものが好ましく、それ自体の形
状としては、板状物、円形板または角形板等をあげるこ
とができる。
いられる材料、例えば、クロム、チタン、アルミニウ
ム、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）、ＳｉＯ2等
で形成されたものを例示することができる。また、バッ
キングプレートとしては銅、好ましくは無酸素銅、チタ
ン、ステンレススチール等の通常用いられるプレートが
好ましい。これらのターゲット部材およびプレートは、
接合面が実質的に平行なものが好ましく、それ自体の形
状としては、板状物、円形板または角形板等をあげるこ
とができる。
【００１２】本発明で用いる金属粉末としては、例え
ば、銅、真鍮、ステンレススチール、ニッケル、クロ
ム、チタン、アルミニウム、マンガン、亜鉛、モリブデ
ン、タンタル、タングステン、金、銀などを例示するこ
とができ、金属酸化物粉末としては、酸化マグネシウ
ム、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化イ
ンジウム、酸化スズ、酸化イットリウム、ＩＴＯ、酸化
アンチモン、酸化鉄、酸化銅、アルミナ等を例示するこ
とができ、ケイ素化合物粉末としては、窒化ケイ素、タ
ングステンシリサイド、モリブデンシリサイド等を例示
することができる。接合材料を再利用する際、接合材料
と粉末とを分離しやすいという点で、アルミナが好まし
い。
ば、銅、真鍮、ステンレススチール、ニッケル、クロ
ム、チタン、アルミニウム、マンガン、亜鉛、モリブデ
ン、タンタル、タングステン、金、銀などを例示するこ
とができ、金属酸化物粉末としては、酸化マグネシウ
ム、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化イ
ンジウム、酸化スズ、酸化イットリウム、ＩＴＯ、酸化
アンチモン、酸化鉄、酸化銅、アルミナ等を例示するこ
とができ、ケイ素化合物粉末としては、窒化ケイ素、タ
ングステンシリサイド、モリブデンシリサイド等を例示
することができる。接合材料を再利用する際、接合材料
と粉末とを分離しやすいという点で、アルミナが好まし
い。
【００１３】これらの粉末は、ターゲット部材およびプ
レートを接合した後の冷却時に生ずる応力を緩和するた
めに混在させるものであり、比表面積の大きい粉末ほ
ど、応力緩和の効果は大きく、また、熱伝導性の大きい
ものほど、スパッタリング時の冷却効率は高くなる。好
ましい熱伝導率としては、０．５〜３０００Ｗｍ-1Ｋ-1
である。
レートを接合した後の冷却時に生ずる応力を緩和するた
めに混在させるものであり、比表面積の大きい粉末ほ
ど、応力緩和の効果は大きく、また、熱伝導性の大きい
ものほど、スパッタリング時の冷却効率は高くなる。好
ましい熱伝導率としては、０．５〜３０００Ｗｍ-1Ｋ-1
である。
【００１４】製造するスパッタリングターゲットがＤＣ
マグネトロンスパッタリング法で用いられる場合、導電
性材料である銅、ＩＴＯ等を粉末として使用するのが好
ましく、ＲＦスパッタリング法で用いられる場合、導電
性材料の他、アルミナ等の導電性のない材質を粉末とし
て使用してもよい。
マグネトロンスパッタリング法で用いられる場合、導電
性材料である銅、ＩＴＯ等を粉末として使用するのが好
ましく、ＲＦスパッタリング法で用いられる場合、導電
性材料の他、アルミナ等の導電性のない材質を粉末とし
て使用してもよい。
【００１５】ターゲット部材およびバッキングプレート
を接合する接合材料は、通常用いられる比較的低融点の
半田、例えばインジウム半田等が用いられる。
を接合する接合材料は、通常用いられる比較的低融点の
半田、例えばインジウム半田等が用いられる。
【００１６】本発明のスパッタリングターゲットは、上
記のように粉末を混在させた金属接合層を介してターゲ
ット部材およびバッキングプレートが接合したものであ
るが、この接合部分の厚さ（相対するターゲット部材面
とバッキングプレート面との間隔）は２ｍｍ以下である
ことが好ましい。このような厚さに設定することによ
り、接合材料からなる接合層のもつ抵抗が大きくなりす
ぎず、スパッタリング時の放電電圧が不必要に高くなる
弊害を抑制することが可能となる。更に好ましくは、接
合層の抵抗の増加を抑制するために、金属製のワイヤー
等を使用し、厚さを０．５ｍｍ以下にすることである。
しかし、スパッタリングターゲットの強度の面から前記
した間隔は上記範囲以下で少なくとも０．１ｍｍが好ま
しい。
記のように粉末を混在させた金属接合層を介してターゲ
ット部材およびバッキングプレートが接合したものであ
るが、この接合部分の厚さ（相対するターゲット部材面
とバッキングプレート面との間隔）は２ｍｍ以下である
ことが好ましい。このような厚さに設定することによ
り、接合材料からなる接合層のもつ抵抗が大きくなりす
ぎず、スパッタリング時の放電電圧が不必要に高くなる
弊害を抑制することが可能となる。更に好ましくは、接
合層の抵抗の増加を抑制するために、金属製のワイヤー
等を使用し、厚さを０．５ｍｍ以下にすることである。
しかし、スパッタリングターゲットの強度の面から前記
した間隔は上記範囲以下で少なくとも０．１ｍｍが好ま
しい。
【００１７】又、接合層中の粉末は、スパッタリング時
の冷却効率を保つ上でボンディング率が５０％以上とな
るように混在させることが好ましく、特に８０％以上と
することが好ましい。なお、ここでいうボンディング率
とは、ターゲット部材とバッキングプレートとの重複面
積に対して、接合層で接合されている面積割合を示す。
このボンディング率は、通常、超音波探傷装置等により
測定することが可能である。
の冷却効率を保つ上でボンディング率が５０％以上とな
るように混在させることが好ましく、特に８０％以上と
することが好ましい。なお、ここでいうボンディング率
とは、ターゲット部材とバッキングプレートとの重複面
積に対して、接合層で接合されている面積割合を示す。
このボンディング率は、通常、超音波探傷装置等により
測定することが可能である。
【００１８】本発明で使用する粉末の形状は、特に限定
されず球状、棒状等のものを使用すればよく、粉末の大
きさとしては、実質的に接合層の厚さ以下の大きさであ
ればよく、好ましくは目開きが０．５ｍｍ以下のふるい
を通過する大きさを有するものである。
されず球状、棒状等のものを使用すればよく、粉末の大
きさとしては、実質的に接合層の厚さ以下の大きさであ
ればよく、好ましくは目開きが０．５ｍｍ以下のふるい
を通過する大きさを有するものである。
【００１９】次にターゲット部材とバッキングプレート
との接合方法について詳述する。
との接合方法について詳述する。
【００２０】所定の形状に加工し、表面を洗浄して得ら
れたターゲット部材の接合面および同じく洗浄処理を施
したバッキングプレートの接合面に、金属インジウム半
田等の接合材料を塗布する。この際に、ターゲット部材
が直接接合材料に溶着しない材料で構成されている場合
には、予めターゲット部材の接合面に接合材料との濡れ
性に優れた銅、ニッケル等の薄膜層を、スパッタリング
法、メッキ法等により形成した後、このターゲット部材
を使用する接合材料の融点以上に加熱して接合材料を塗
布するか。あるいは超音波を用いてターゲット部材の接
合面に直接接合材料を塗布する。
れたターゲット部材の接合面および同じく洗浄処理を施
したバッキングプレートの接合面に、金属インジウム半
田等の接合材料を塗布する。この際に、ターゲット部材
が直接接合材料に溶着しない材料で構成されている場合
には、予めターゲット部材の接合面に接合材料との濡れ
性に優れた銅、ニッケル等の薄膜層を、スパッタリング
法、メッキ法等により形成した後、このターゲット部材
を使用する接合材料の融点以上に加熱して接合材料を塗
布するか。あるいは超音波を用いてターゲット部材の接
合面に直接接合材料を塗布する。
【００２１】一方、バッキングプレートの素材として接
合材料との濡れ性の悪い材料を用いた場合にも同様の処
置を施す事で接合材料を塗布する。次に、接合材料を塗
布したバッキングプレートを、使用された接合材料の融
点以上に加熱して表面の接合材料層を融解させた後、上
述の粉末をその表面に配置し、ターゲット部材とバッキ
ングプレートを接合した後、室温まで冷却してターゲッ
トとする。
合材料との濡れ性の悪い材料を用いた場合にも同様の処
置を施す事で接合材料を塗布する。次に、接合材料を塗
布したバッキングプレートを、使用された接合材料の融
点以上に加熱して表面の接合材料層を融解させた後、上
述の粉末をその表面に配置し、ターゲット部材とバッキ
ングプレートを接合した後、室温まで冷却してターゲッ
トとする。
【００２２】その際の粉末の配置の仕方は、接合面にほ
ぼ均等に分布する状態に配してもよいし、部分的に配し
てもよい。また、これらの粉末は、バッキングプレート
に塗布された接合材料の表面に散布してもよいし、予め
これらを混入させた接合材料を接合面に塗布してもよ
い。
ぼ均等に分布する状態に配してもよいし、部分的に配し
てもよい。また、これらの粉末は、バッキングプレート
に塗布された接合材料の表面に散布してもよいし、予め
これらを混入させた接合材料を接合面に塗布してもよ
い。
【００２３】粉末の混合量は使用する粉末の真密度にも
よるが、接合後の反りやボンディング率の低下を防ぐた
め、１〜１０００ｍｇ／接合面積（ｃｍ2）が好まし
い。
よるが、接合後の反りやボンディング率の低下を防ぐた
め、１〜１０００ｍｇ／接合面積（ｃｍ2）が好まし
い。
【００２４】また、金属接合材料層の厚さを一定にする
ため、金属製のワイヤーを使用した方が好ましい。
ため、金属製のワイヤーを使用した方が好ましい。
【００２５】このようにして得られたスパッタリングタ
ーゲットは、反りが少なく、接合率が高いため冷却効率
はよく、さらには、スパッタリング中の冷却水圧による
バッキングプレートの変形にも強いという特徴を有す
る。
ーゲットは、反りが少なく、接合率が高いため冷却効率
はよく、さらには、スパッタリング中の冷却水圧による
バッキングプレートの変形にも強いという特徴を有す
る。
【００２６】なお、本発明の構成は、複数のターゲット
部材を１枚のバッキングプレート上に接合した分割ター
ゲットにおいても有効である。
部材を１枚のバッキングプレート上に接合した分割ター
ゲットにおいても有効である。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定するものではない。
明するが、本発明はこれらに限定するものではない。
【００２８】実施例１ ５”×１５”×５ｍｍｔのＳｉＯ2からなるターゲット
部材をエタノール中で１０分間超音波洗浄した後、更に
純水中で１０分間超音波洗浄し、その後自然乾燥させ
た。乾燥終了後、ターゲット部材をスパッタリング装置
内に入れ、ＤＣスパッタリングによりターゲット部材の
接合面に銅薄膜を約２００ｎｍ積層した。
部材をエタノール中で１０分間超音波洗浄した後、更に
純水中で１０分間超音波洗浄し、その後自然乾燥させ
た。乾燥終了後、ターゲット部材をスパッタリング装置
内に入れ、ＤＣスパッタリングによりターゲット部材の
接合面に銅薄膜を約２００ｎｍ積層した。
【００２９】その後、このターゲット部材の接合面の周
囲の側面にポリアミドテープによりマスキングを施し、
接合面を上向きにして２００℃に設定したホットプレー
ト上に設置し、銅薄膜を積層した接合面全体にインジウ
ム半田を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
囲の側面にポリアミドテープによりマスキングを施し、
接合面を上向きにして２００℃に設定したホットプレー
ト上に設置し、銅薄膜を積層した接合面全体にインジウ
ム半田を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
【００３０】次にエタノールおよび純水による超音波洗
浄と自然乾燥を施した無酸素銅製のバッキングプレート
にも、同様に半田の不要な部分にマスキング処理をした
後接合面を上向きにして２００℃に設定したホットプレ
ート上に設置し、その接合面全体にインジウム半田を厚
みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
浄と自然乾燥を施した無酸素銅製のバッキングプレート
にも、同様に半田の不要な部分にマスキング処理をした
後接合面を上向きにして２００℃に設定したホットプレ
ート上に設置し、その接合面全体にインジウム半田を厚
みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
【００３１】次に、インジウム半田を塗布したバッキン
グプレート上に、直径０．３ｍｍの真鍮製のワイヤー２
本を５”間隔でセットし、０．２５μｍ以下のアルミナ
粉末１６ｇを篩いで均一に散布した。
グプレート上に、直径０．３ｍｍの真鍮製のワイヤー２
本を５”間隔でセットし、０．２５μｍ以下のアルミナ
粉末１６ｇを篩いで均一に散布した。
【００３２】その後、ターゲット部材とバッキングプレ
ートを接合し、室温まで冷却した。得られたＳｉＯ2タ
ーゲットのボンディング率は９５％、反りは０．６３ｍ
ｍであった。
ートを接合し、室温まで冷却した。得られたＳｉＯ2タ
ーゲットのボンディング率は９５％、反りは０．６３ｍ
ｍであった。
【００３３】比較例 ５”×１５”×５ｍｍｔのＳｉＯ2からなるターゲット
部材をエタノール中で１０分間超音波洗浄した後、更に
純水中で１０分間超音波洗浄し、その後自然乾燥させ
た。乾燥終了後、ターゲット部材をスパッタリング装置
内に入れ、ＤＣスパッタリングによりターゲット部材の
接合面に銅薄膜を約２００ｎｍ積層した。
部材をエタノール中で１０分間超音波洗浄した後、更に
純水中で１０分間超音波洗浄し、その後自然乾燥させ
た。乾燥終了後、ターゲット部材をスパッタリング装置
内に入れ、ＤＣスパッタリングによりターゲット部材の
接合面に銅薄膜を約２００ｎｍ積層した。
【００３４】その後、このターゲット部材の接合面の周
囲の側面にポリアミドテープによりマスキングを施し、
接合面を上向きにして２００℃に設定したホットプレー
ト上に設置し、銅薄膜を積層した接合面全体にインジウ
ム半田を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
囲の側面にポリアミドテープによりマスキングを施し、
接合面を上向きにして２００℃に設定したホットプレー
ト上に設置し、銅薄膜を積層した接合面全体にインジウ
ム半田を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
【００３５】次にエタノールおよび純水による超音波洗
浄と自然乾燥を施した無酸素銅製のバッキングプレート
にも、同様に半田の不要な部分にマスキング処理をした
後接合面を上向きにてて２００℃に設定したホットプレ
ート上に設置し、その接合面全体にインジウム半田を厚
みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
浄と自然乾燥を施した無酸素銅製のバッキングプレート
にも、同様に半田の不要な部分にマスキング処理をした
後接合面を上向きにてて２００℃に設定したホットプレ
ート上に設置し、その接合面全体にインジウム半田を厚
みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
【００３６】次に、インジウム半田を塗布したバッキン
グプレート上に、直径０．３ｍｍで真鍮製のワイヤー２
本をセットした。
グプレート上に、直径０．３ｍｍで真鍮製のワイヤー２
本をセットした。
【００３７】その後、ターゲット部材とバッキングプレ
ートを接合し、室温まで冷却した。得られたＳｉＯ2タ
ーゲットのボンディング率は９５％、反りは２．３ｍｍ
であった。
ートを接合し、室温まで冷却した。得られたＳｉＯ2タ
ーゲットのボンディング率は９５％、反りは２．３ｍｍ
であった。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、ターゲット部材とバッ
キングプレートとの間の金属接合材料層に金属粉末、金
属酸化物粉末、ケイ素化合物粉末および炭素粉末からな
る群より選ばれる一種以上を混在させることにより、反
りが少なく、冷却効率に優れたスパッタリングターゲッ
トを提供することができる。
キングプレートとの間の金属接合材料層に金属粉末、金
属酸化物粉末、ケイ素化合物粉末および炭素粉末からな
る群より選ばれる一種以上を混在させることにより、反
りが少なく、冷却効率に優れたスパッタリングターゲッ
トを提供することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 ターゲット部材およびバッキングプレー
トを有し、ターゲット部材とバッキングプレートとの間
の金属接合材料層に、金属粉末、金属酸化物粉末、ケイ
素化合物粉末および炭素粉末からなる群より選ばれる一
種以上を混在させたことを特徴とするスパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項２】 金属接合材料層に混在させる粉末が、金
属酸化物粉末であることを特徴とする請求項１に記載の
スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 金属接合材料層に混在させる粉末が、ア
ルミナ粉末であることを特徴とする請求項１または請求
項２に記載のスパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 バッキングプレート面とターゲット面と
の接合面の面積が、両者の重複部分の面積の５０％以上
であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20493096A JP3829367B2 (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20493096A JP3829367B2 (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1046329A true JPH1046329A (ja) | 1998-02-17 |
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