JP2013544971A - 回転式ターゲットの分離方法 - Google Patents
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- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 109
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 109
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H lead(2+);dicarbonate;dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000004579 marble Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- インジウムと該インジウムよりも融点が高い媒体粉末とからなるボンディング組成物によってバッキングチューブの外周面にしっかりと固着されたターゲットを有する回転式ターゲットの該ターゲットと該バッキングチューブとを使用後に分離する回転式ターゲットの分離方法において、
(a)上記回転式ターゲットをインジウムの融点以上の温度に加熱して、該インジウムの一部を溶融させ、除去するステップと、
(b)上記ステップ(a)において、インジウムの一部がすでに溶融され、除去された上記回転式ターゲットを塩酸溶液に浸漬して、上記インジウム及び媒体粉末を浸食するステップと、
(c)上記ステップ(b)において、上記インジウム及び媒体粉末が上記塩酸溶液によってすでに浸食された上記回転式ターゲットをインジウムの融点以上に加熱して、該インジウムの残りの部分を溶融し、除去するステップと、
(d)上記バッキングチューブの外周面から一方向に上記ターゲットを押して、該ターゲットと該バッキングチューブとを互いに分離するステップとを有する回転式ターゲットの分離方法。 - 上記媒体粉末は、砂、ステンレス鋼(S/S)、銅(Cu)、タングステン(W)、ヘキサカルボニルタングステン、酸化アルミニウム(Al2O3)及びこれらの混合物からなるグループから選択されることを特徴とする請求項1記載の回転式ターゲットの分離方法。
- 上記ステップ(a)及びステップ(c)において、上記回転式ターゲットは、156.61℃よりも高い温度に加熱されることを特徴とする請求項2記載の回転式ターゲットの分離方法。
- 上記ステップ(a)において、75重量%〜80重量%のインジウムが上記回転式ターゲットを加熱することによって溶融され、除去されることを特徴とする請求項3記載の回転式ターゲットの分離方法。
- 上記ステップ(b)において、上記塩酸水溶液は、5重量%〜50重量%の塩酸を50重量%〜95重量%の水で希釈することによって調製されることを特徴とする請求項4記載の回転式ターゲットの分離方法。
- 上記ステップ(b)において、上記塩酸溶液に上記回転式ターゲットを浸漬する時間は、48時間〜96時間の範囲であることを特徴とする請求項5記載の回転式ターゲットの分離方法。
- 上記ステップ(b)において、上記回転式ターゲットは、一定の速度で回転している間に加熱されることを特徴とする請求項1〜6いずれか1項記載の回転式ターゲットの分離方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2010-0117466 | 2010-11-24 | ||
KR1020100117466A KR101266202B1 (ko) | 2010-11-24 | 2010-11-24 | 로터리 타겟의 타겟 분리방법 |
PCT/KR2011/009032 WO2012070894A2 (ko) | 2010-11-24 | 2011-11-24 | 로터리 타겟의 타겟 분리방법 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013544971A true JP2013544971A (ja) | 2013-12-19 |
JP2013544971A5 JP2013544971A5 (ja) | 2014-10-09 |
JP5826857B2 JP5826857B2 (ja) | 2015-12-02 |
Family
ID=46146324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013540897A Active JP5826857B2 (ja) | 2010-11-24 | 2011-11-24 | 回転式ターゲットの分離方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5826857B2 (ja) |
KR (1) | KR101266202B1 (ja) |
CN (1) | CN103339290B (ja) |
TW (1) | TWI557250B (ja) |
WO (1) | WO2012070894A2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI619561B (zh) * | 2016-07-28 | 2018-04-01 | Rotating target | |
KR102039499B1 (ko) * | 2017-02-23 | 2019-11-04 | (주)코아엔지니어링 | 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 분리장치 |
CN109161862A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-01-08 | 广西晶联光电材料有限责任公司 | 一种平面和旋转靶材解绑定的装置及方法 |
CN113005308A (zh) * | 2021-02-24 | 2021-06-22 | 合肥江丰电子材料有限公司 | 一种提炼金属铟的方法 |
CN113249691A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-08-13 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种旋转靶材退绑方法及夹具 |
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Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3618005B2 (ja) * | 1994-08-23 | 2005-02-09 | 三井金属鉱業株式会社 | 回転カソード用スパッタリングターゲットの製造方法 |
US5522535A (en) | 1994-11-15 | 1996-06-04 | Tosoh Smd, Inc. | Methods and structural combinations providing for backing plate reuse in sputter target/backing plate assemblies |
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TW200925171A (en) * | 2007-08-10 | 2009-06-16 | Tosoh Corp | Unsaturated carboxylic acid-grafted polyolefin and its manufacturing method |
-
2010
- 2010-11-24 KR KR1020100117466A patent/KR101266202B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-11-24 JP JP2013540897A patent/JP5826857B2/ja active Active
- 2011-11-24 WO PCT/KR2011/009032 patent/WO2012070894A2/ko active Application Filing
- 2011-11-24 TW TW100143155A patent/TWI557250B/zh active
- 2011-11-24 CN CN201180065921.0A patent/CN103339290B/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2008184640A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Tosoh Corp | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5826857B2 (ja) | 2015-12-02 |
KR20120055980A (ko) | 2012-06-01 |
WO2012070894A3 (ko) | 2012-09-27 |
WO2012070894A2 (ko) | 2012-05-31 |
CN103339290B (zh) | 2015-09-02 |
WO2012070894A4 (ko) | 2012-11-15 |
CN103339290A (zh) | 2013-10-02 |
KR101266202B1 (ko) | 2013-05-21 |
TWI557250B (zh) | 2016-11-11 |
TW201229278A (en) | 2012-07-16 |
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|
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|
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