JP6706418B2 - 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 - Google Patents
電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6706418B2 JP6706418B2 JP2016023190A JP2016023190A JP6706418B2 JP 6706418 B2 JP6706418 B2 JP 6706418B2 JP 2016023190 A JP2016023190 A JP 2016023190A JP 2016023190 A JP2016023190 A JP 2016023190A JP 6706418 B2 JP6706418 B2 JP 6706418B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating layer
- atomic
- sputtering target
- target material
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/002—Alloys based on nickel or cobalt with copper as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/005—Alloys based on nickel or cobalt with Manganese as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/03—Alloys based on nickel or cobalt based on nickel
Description
この金属メッシュ膜には、Alより低抵抗なCuやAgの適用が検討されているところ、Cuは、耐酸化性や密着性に加え、耐候性の一つである耐湿性に課題があるため取り扱いが難しいという問題がある。一方、Agは、Cuに比べて高価であるところ、Cuよりも耐酸化性や耐湿性に優れるため有望である。
ところが、Agは、基板との密着性が低く剥がれやすく、さらに塩素や硫黄と反応しやすいため、耐候性に課題がある。このため、密着性や耐候性というAg特有の課題を解決するために、Agを他の金属からなる被覆層で被覆する提案がなされている。
また、タッチパネルの基板は、スマートフォンやタブレットPC等の薄型化のために、ガラス基板からより薄型化が可能な樹脂フィルム基板を用いた方式も用いられており、上記被覆層には樹脂フィルム基板との密着性も必要となっている。
しかしながら、CuやAgは、精度の高いエッチング法であるドライエッチングを行なうことが容易ではないため、主にウェットエッチングが用いられている。また、樹脂フィルム基板は、透湿性があるため、CuやAgの導電層と積層する被覆層には、ガラス基板上に形成する際、より高い耐候性が求められている。
また、本発明者は、被覆層に、Moより電極電位がCuやAgに近いNi合金を用いた積層配線膜をウェットエッチングした場合には、基板面内で被覆層のエッチングが不均一となり、ムラが発生しやすく、配線幅にばらつきが生じる場合や、サイドエッチング量が大きくなる場合があり、今後期待される狭い幅の配線膜を安定的に得ることが難しいという新たな課題があることを確認した。
また、前記被覆層は、前記Cuを5〜25原子%含有し、前記Moと前記Cuを合計で36原子%以上含有することが好ましい。
また、前記被覆層は、前記Moを26〜40原子%含有することが好ましい。
また、前記スパッタリングターゲット材は、前記Cuを5〜25原子%含有し、前記Moと前記Cuを合計で36原子%以上含有することが好ましい。
また、前記スパッタリングターゲット材は、前記Moを26〜40原子%含有することが好ましい。
尚、導電層の一方の面のみを本発明の被覆層で覆う場合には、導電層の他方の面には電子部品の用途に応じて、本発明とは別の組成の被覆層で覆うこともできる。
尚、以下の説明において「密着性」は被覆層とガラス基板、樹脂フィルム基板との剥がれにくさ、あるいは導電層と被覆層との剥がれにくさをいい、粘着テープでの引き剥がしにより評価することができる。「耐候性」とは、高温高湿環境下における表面変質による電気的コンタクト性の劣化のしにくさをいい、配線膜の変色により確認でき、例えば反射率によって定量的に評価することができる。また、「耐酸化性」とは、酸素を含有する雰囲気で加熱した際の表面酸化に伴う電気的コンタクト性の劣化のしにくさをいい、配線膜の変色により確認でき、例えば反射率によって定量的に評価することができる。
主元素の一つとなるNiは、CuやAgに比較して、ガラス基板や透明導電膜であるITO、絶縁保護膜である酸化物等との密着性が高く、さらに耐候性、耐酸化性にも優れる元素であり、Ag、Ag合金、CuおよびCu合金から選択される一種からなる導電層を被覆することで、密着性や耐候性、耐酸化性の改善効果を得ることが可能となる元素である。その反面、Niは、CuやAgに用いるエッチャントではエッチングできないため、エッチング性の改善が必要である。
本発明で被覆層に含まれるNi以外の元素であるMo、Cuは、CuやAgに用いるエッチャントに対するエッチング速度を改善する効果を有する。この改善効果は、含有量を増加するとより向上できる。また、含有量の合計が60原子%を越えると、Niが本来有する耐湿性が大きく低下する。このため、MoとCuの合計は60原子%以下とする。
また、エッチングの均一性の改善効果は、Moの含有量が15原子%以上で顕著となるところ、導電層となるCuおよびAgの両方のエッチャントに対して、エッチングムラを改善するには、Moの含有量を26原子%以上とすることがより好ましい。一方、Moを、40原子%を越えて含有すると、エッチャントの種類によっては、エッチング時に残渣が生じやすくなることがある。このため、被覆層に含有するMoは、26〜40原子%がより好ましい。
また、被覆層にCuを、25原子%を越えて含有すると、特に、Agのエッチャントにおいて、かえってエッチング速度が低下することがある。このため、本発明では、被覆層に含有するCuを5〜25原子%の範囲にすることが好ましい。また、CuおよびAgの両方のエッチャントに対して、積層する導電層となるAgまたはCuとのエッチング速度差を抑制し、精度の高いエッチングを行なうためには、MoとCuの合計を、36原子%以上にすることがより好ましい。
また、Cuの含有量がMoの含有量より多くなると、Moの有する耐酸化性、密着性、エッチング時の均一性の改善効果が十分に得られないことがある。このため、Cuの含有量は、Moの含有量よりも少なくすることがよく、Moの含有量の0.7倍以下であることがより好ましい。
また、本発明の電子部品用積層配線膜の被覆層は、Ni、MoおよびCuの一部を、Ti、V、Nb、Ta、Cr、Wから選択される一種以上の元素で置換してもよい。これらの元素は、耐候性の改善効果が高い元素である一方、添加しすぎるとエッチング速度を低下させる場合がある。このため、これら元素の置換量は、合計で1〜5原子%の範囲にすることが好ましい。
本発明の導電層には、低い電気抵抗値を得ることができる純Agや純Cuが好適であるところ、上述した耐候性や耐酸化性に加え、さらに耐熱性や耐食性等の信頼性を考慮して、AgやCuに遷移金属や半金属等を添加したAg合金やCu合金を用いてもよい。このとき、できる限り低抵抗が得られるように、合計で5原子%以下の範囲で添加することが好ましい。
一方、被覆層の膜厚が100nmを越えると、被覆層の電気抵抗値が高くなってしまい、導電層と積層した際に、電子部品用積層配線膜として低抵抗を得にくくなる。このため、被覆層の膜厚は20〜100nmとすることがより好ましい。
スパッタリングの条件設定の簡易さや、所望組成の被覆層を得やすいという点からは、被覆層の組成と同一組成のスパッタリングターゲットを使用してスパッタリング成膜することがより好ましい。
また、スパッタリング法において、効率よく安定したスパッタリングを行なうには、スパッタリングターゲット材を使用する常温において、非磁性すなわちキュリー点を常温以下にする必要がある。尚、「キュリー点が常温以下」とは、スパッタリングターゲット材の磁気特性を常温(25℃)で測定したときに、非磁性であることをいう。
本発明の被覆層形成用スパッタリングターゲット材の一成分であるNiは、磁性体であるため、効率よく安定したスパッタリングを行なうには、キュリー点を常温以下となるように添加元素の種類と添加量を調整する必要がある。
また、Niは、高温域でMoを約30原子%固溶し、低温域で固溶量は低下する。そして、Moの添加量が30原子%を越えると、化合物相が発現し、NiとMoの合金相としてMoの添加量が約50原子%を越えると、化合物相が主体となり延性や靭性が低下し、脆くなり安定した機械加工が行ないにくくなる場合がある。
また、上述した被覆層の特性においても、Moの添加量が50原子%を越えると、耐候性は大きく低下することがある。このため、本発明では、Moの添加量の上限を50原子%とする。
また、Cuは、Niと全率固溶する元素であり、キュリー点を低下させる効果がMoより低く、Niに単独で約30原子%のCuを添加すると、キュリー点が常温以下となる。しかし、上述したように、被覆層の特性において、耐酸化性や密着性を確保するために、Cuの添加量は5〜25原子%の範囲が好ましい。
また、添加元素の種類と添加量が多いほど、スパッタリングターゲット材中の化合物相の発現量が増加してしまい、FPD用途で要求される大型のスパッタリングターゲット材を製造する際の機械加工やボンディングで割れが生じやすくなる。そして、本発明で添加するMoとCuは相分離する元素であり、MoとCuの両者の含有量がある一定量を越えると相分離しやすくなり、均一な合金を得ることが難しくなる上、スパッタリングターゲット材が割れやすくなることがある。このため、本発明のスパッタリングターゲット材のMoとCuの含有量の合計は60原子%以下とする。
また、磁性体であるNiを含有するために、添加する元素を選定し、キュリー点が常温以下となる合金粉末を加圧焼結することが好ましい。キュリー点が常温以下の合金粉末は、最終組成に調整したNi合金を用いたアトマイズ法により容易に得ることができる。また、溶解したインゴットを粉砕して合金粉末を作製することも可能である。また、種々の合金粉末を製造し、最終組成となるように混合する方法も適用できる。
また、合金粉末の平均粒径が5μm未満であると、得られるスパッタリングターゲット材中の不純物が増加してしまう。一方、合金粉末の平均粒径が300μmを超えると高密度の焼結体を得にくくなる。したがって、合金粉末の平均粒径は、5〜300μmにすることが好ましい。尚、本発明でいう平均粒径は、JIS Z 8901で規定される、レーザー光を用いた光散乱法による球相当径で表わす。
得られた各合金のインゴットにSmCo磁石を近づけたところ、磁石には付着しないことを確認した。また、上記で得たインゴットの一部を磁気特性測定用のケースに入れて、理研電子株式会社製の振動試料型磁力計(型式番号:VSM−5)を用いて、常温(25℃)で磁気特性を測定したところ、非磁性であることを確認した。
また、Mo−30原子%Niのスパッタリングターゲット材を、粉末冶金法により作製した。これは、平均粒径が6μmのMo粉末と平均粒径が100μmのNi粉末を混合し、軟鋼製の缶に充填した後、加熱しながら真空排気して封止した。次に、封止した缶を熱間静水圧プレス装置に入れて、1100℃、100MPa、3時間の条件で焼結させて焼結体を作製した。また、同様な方法で純Moの焼結体も作製した。
次に、上述の各スパッタリングターゲット材を銅製のバッキングプレートにろう付けした後、アルバック株式会社製のスパッタ装置(型式番号:CS−200)に取り付け、Ar雰囲気、圧力0.5Pa、電力500Wの条件でスパッタテストを実施したところ、いずれのスパッタリングターゲット材もスパッタすることが可能であった。
エッチング性の評価は、Ag用のエッチャントとして硝酸、リン酸、酢酸と水を混合して用いた。Cu用のエッチャントは関東化学工業製のCu02を用いた。サイドエッチングの少ない被覆層とするには、エッチング時間のムラを抑制し、オーバーエッチング時間を少なくするとともに、エッチャントに対する濡れ性を適度に抑制することが必要である。
各試料をエッチャント液に浸漬して、被覆層全面が完全に透過するまでに掛かる時間をジャストエッチング時間として測定した。また、同時にエッチングムラは目視で確認しながら、より明確な差とするために、膜の一部が透過した時間とジャストエッチング時間との時間差を測定した。これは、時間差が小さいほどエッチングムラは少ないことを意味する。また、膜表面にエッチャントを20μl滴下し、2分後の広がり径を測定した。これは、広がり径が小さいほどサイドエッチングを抑制可能であり、精度の高いエッチングを行なうことができることを意味する。
これに対し、本発明の被覆層は、NiにMoとCuを特定量含有することで、密着性が大きく改善されていることが確認できた。
また、エッチング性については、試料No.1、No.2の被覆層は、Cuのエッチャントで2分以内にエッチング可能であるが、Agエッチャントでは18分以上の時間が必要であり適さないことがわかる。また、エッチングの早い部分と遅い部分がありエッチングムラが発生するため時間差も大きく、エッチャントが広がりやすいことがわかる。このため、均一なエッチングが行ないにくく、精度の高いエッチングには適さないことがわかる。また、試料No.13、No.14のMo含有量が50原子%を越える組成ではエッチング後に残渣の発生が確認された。
これに対して、本発明となる試料No.5〜No.12の被覆層は、CuおよびAgの両方のエッチャントにおいても、90秒以下でエッチングすることが可能であることが確認できた。また、試料No.8〜No.12の被覆層は、Moの添加量を増加させ、MoとCuの合計量を36原子%以上にすることにより、ジャストエッチング時間は短くなり、その時間差と広がり径も小さくなり、エッチングムラとサイドエッチングが少なく、このため精度の高いエッチングを行なうことが可能であることが確認できた。
実施例1で用意した各スパッタリングターゲット材を用いて、ガラス基板上に、表2に示す構成で、膜厚30nmの下地層、膜厚300nmのCu導電層、膜厚50nmのキャップ層を順に成膜した積層配線膜の試料を作製した。尚、上記の下地層とキャップ層とは、表2の被覆層材質組成のものである。
フィルム基板上では、フィルムの耐熱温度より250℃までの耐酸化性が必要である。表2に示すように、試料No.4では250℃以上で反射率が低下し始めるが、本発明の電子部品用積層配線膜は、250℃の大気加熱を経ても、50%以上の高い反射率を維持し、高い耐酸化性を有していることがわかる。特に、Moの添加量が増加させると、その効果が大きいことを確認できた。
また、本発明の電子部品用積層配線膜は、250℃、300℃、350℃の大気加熱を経ても、電気抵抗値の上昇が抑制されており、耐酸化性を改善できることが確認できた。
一方、本発明例となる試料No.5〜No.12の電子部品用積層配線膜は、高温高湿雰囲気に曝しても変色せず、300時間経過後も高い反射率を維持しており、高い耐湿性を有していることが確認できた。
以上のことから、本発明の電子部品用積層配線膜を用いることで、導電層との密着性、耐酸化性、耐候性を確保するとともに、安定したウェットエッチングができることが確認できた。
密着性の評価は、住友スリーエム株式会社製の透明粘着テープ(製品名:透明美色)を積層配線膜上に貼り、表面を消しゴムでこすり、透明粘着テープを引き剥がして、被覆層の残存の有無で評価をした。被覆層が剥がれなかったものを○、約10%程度剥がれたものを△、20%以上剥がれたものを×として評価した。
Agは、Cuと異なり、大気中で350℃の加熱を行なっても、電気抵抗値は大きく増加しないため、耐酸化性の評価は実施例2と同様に、各試料を大気雰囲気において150℃、250℃、350℃で30分間の加熱処理を行ない、反射率を測定した。
また、耐候性の評価は、実施例3と同様に、各試料を温度85℃、相対湿度85%の雰囲気に100時間、200時間、300時間放置した後に反射率を測定した。
一方、本発明例となる試料No.5〜No.12は、Moの含有量が増加することで密着性が改善し、特にMo含有量が22原子%以上となる試料No.8〜No.12で高い密着性が得られることがわかる。
尚、耐熱性は、350℃の加熱を行なうと、フィルム基板にしわが発生した。また、導電層としてAgを用いた場合でも、本発明例となる試料は、250℃までの加熱では、高い耐酸化性により、Ag導電層の変色を抑制していることが確認できた。また、耐候性についても、本発明例となる試料は、高い耐候性により、Ag導電層の変色を抑制していることが確認できた。
2. 被覆層(下地層)
3. 導電層
4. 被覆層(キャップ層)
Claims (4)
- Ag、Ag合金、CuおよびCu合金から選択される一種からなる導電層と該導電層の少なくとも一方の面を覆う被覆層からなり、前記被覆層はMoを22〜50原子%、Cuを5〜20原子%、前記Moと前記Cuを合計で36原子%以上60原子%以下含有し、残部がNiおよび不可避的不純物からなり、前記Cuの含有量は前記Moの含有量よりも少ないことを特徴とする電子部品用積層配線膜。
- 前記被覆層は、前記Moを26〜40原子%含有することを特徴とする請求項1に記載の電子部品用積層配線膜。
- Ag、Ag合金、CuおよびCu合金から選択される一種からなる導電層を覆う被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材であって、Moを22〜50原子%、Cuを5〜20原子%、該前記Moと前記Cuを合計で36原子%以上60原子%以下含有し、残部がNiおよび不可避的不純物からなり、前記Cuの含有量は前記Moの含有量よりも少なく、キュリー点が常温以下であることを特徴とする被覆層形成用スパッタリングターゲット材。
- 前記Moを26〜40原子%含有することを特徴とする請求項3に記載の被覆層形成用スパッタリングターゲット材。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015057552 | 2015-03-20 | ||
JP2015057552 | 2015-03-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016178286A JP2016178286A (ja) | 2016-10-06 |
JP6706418B2 true JP6706418B2 (ja) | 2020-06-10 |
Family
ID=57044236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016023190A Active JP6706418B2 (ja) | 2015-03-20 | 2016-02-10 | 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6706418B2 (ja) |
KR (1) | KR101840109B1 (ja) |
CN (1) | CN105986233B (ja) |
TW (1) | TWI576454B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6443220B2 (ja) * | 2015-05-25 | 2018-12-26 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリング用合金ターゲット |
AT15574U3 (de) * | 2017-05-11 | 2018-05-15 | Plansee Se | Flexibles Bauteil mit Schichtaufbau mit metallischer Lage |
JP6950447B2 (ja) * | 2017-10-20 | 2021-10-13 | 大同特殊鋼株式会社 | 半導体装置 |
CN111183508A (zh) * | 2017-11-09 | 2020-05-19 | 三井金属矿业株式会社 | 布线结构及靶材 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5522948A (en) * | 1978-08-09 | 1980-02-19 | Toyo Kasei Kk | Manufacture of record disc with picture |
JP4496518B2 (ja) | 2002-08-19 | 2010-07-07 | 日立金属株式会社 | 薄膜配線 |
JP4655281B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-03-23 | 日立金属株式会社 | 薄膜配線層 |
JP5203908B2 (ja) | 2008-12-04 | 2013-06-05 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | Ni−Mo系合金スパッタリングターゲット板 |
JP2012222166A (ja) * | 2011-04-08 | 2012-11-12 | Ulvac Japan Ltd | 配線膜、薄膜トランジスタ、ターゲット、配線膜の形成方法 |
JP6369750B2 (ja) * | 2013-09-10 | 2018-08-08 | 日立金属株式会社 | 積層配線膜およびその製造方法ならびにNi合金スパッタリングターゲット材 |
-
2016
- 2016-02-10 JP JP2016023190A patent/JP6706418B2/ja active Active
- 2016-02-24 TW TW105105341A patent/TWI576454B/zh active
- 2016-03-16 KR KR1020160031260A patent/KR101840109B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-18 CN CN201610159285.2A patent/CN105986233B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016178286A (ja) | 2016-10-06 |
KR101840109B1 (ko) | 2018-04-26 |
KR20160112995A (ko) | 2016-09-28 |
TW201706432A (zh) | 2017-02-16 |
CN105986233B (zh) | 2018-08-07 |
CN105986233A (zh) | 2016-10-05 |
TWI576454B (zh) | 2017-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6681019B2 (ja) | 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 | |
TWI553136B (zh) | 積層配線膜及其製造方法以及鎳合金濺鍍靶材 | |
KR102032085B1 (ko) | 전자 부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재 | |
KR101613001B1 (ko) | Mo 합금 스퍼터링 타깃재의 제조 방법 및 Mo 합금 스퍼터링 타깃재 | |
JP6706418B2 (ja) | 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 | |
JP6292471B2 (ja) | 電子部品用金属薄膜および金属薄膜形成用Mo合金スパッタリングターゲット材 | |
JP6380837B2 (ja) | 被覆層形成用スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
KR101597018B1 (ko) | 금속 박막 및 금속 박막 형성용 Mo 합금 스퍼터링 타깃재 | |
JP6037208B2 (ja) | 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 | |
JP4470147B2 (ja) | 薄膜配線層 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200429 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6706418 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |