KR101502513B1 - 스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이의 제조방법 - Google Patents

스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 타겟의 내경부, 특히 세라믹으로 이루어진 타겟의 내경부에 금속 코팅층을 형성함으로써, 접합재를 이용한 백킹 튜브와 타겟 접합 시 접합 건전성을 확보할 수 있게 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 백킹 튜브, 및 백킹 튜브의 외경부에 간격을 두고 삽입되는 원통형 타겟을 준비하는 단계(S1); 타겟의 내경부의 표면을 거칠게 형성시키기 위해 준비된 타겟의 내경부에 금속 코팅층을 형성하는 단계(S2); 및 백킹 튜브에 타겟을 삽입시킨 상태 하에서 백킹 튜브의 외경부와 타겟의 내경부 사이로 접합재를 충진시켜 백킹 튜브에 상기 타겟을 접합시키는 단계(S3);를 포함한다.

Description

스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이의 제조방법{SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 백킹 튜브와 타켓의 접합력을 높일 수 있는 스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 스퍼터링(Sputtering) 공법은 진공용기 내에 아르곤(Ar) 가스와 같은 비활성기체를 도입시키면서 스퍼터링 타겟을 포함하는 캐소우드에 직류(DC) 또는 고주파(RF) 전압을 가하여 글로우(glow) 방전을 발생시켜서 막을 형성하는 방법이다.
이러한 스퍼터링 공법에 의해 형성된 막은 부착력이 강하고, 막 두께의 제어가 용이하며, 합금의 박막화에 있어서의 재현성이 우수할 뿐만 아니라 고융점 재료의 박막화가 용이하기 때문에 반도체 등의 전자·전기부품용재료의 성막, 예를 들면 액정 디스플레이용 투명 도전막의 제작, 하드디스크의 기록층 제작, 반도체 메모리의 배선재료의 제작 등 넓은 분야에서 사용되고 있다.
한편, 스퍼터링 공법에서 사용되는 스퍼터링 타겟 어셈블리는 평판형 및 원통형으로 구분되며, 최근에는 사용효율(20~30%)이 낮은 평판형에 비해 사용효율(70%)이 높을 뿐만 아니라 단위 면적당 큰 전압을 가할 수 있어 높은 성막속도를 얻을 수 있는 원통형이 주로 사용되고 있는 실정이다.
원통형 스퍼터링 타겟 어셈블리는 누구나 알 수 있듯이 원통형상의 백킹 튜브와, 백킹 튜브의 외측면과 간격을 두고 설치되는 원통형상의 타겟, 및 백킹 튜브와 타겟 사이에 형성되어 백킹 튜브에 타겟을 접착시키는 접합부로 구성된다. 여기서 접합부를 이루는 접합재로는 스퍼터링 시 발생하는 열을 효과적으로 방출하기 위하여 인듐금속이 이용되는데, 이렇게 이듐금속으로 이루어지는 접합층은 용융된 인듐을 백킹 튜브와 타겟 사이로 충진시켜 형성되거나, 또는 타겟 삽입 전에 용융된 인듐을 백킹 튜브에 도포하여 형성된다.
그런데, 원통형 스퍼터링 타겟 어셈블리는 길이가 길어짐에 따라 백킹 튜브의 휨에 의해 백킹 튜브와 타겟 사이에 미접합부가 발생하는 문제점이 있었으며, 특히 세라믹재질로 이루어진 타겟은 접합재인 인듐과 친화성이 낮기 때문에 백킹 튜브와 타겟과의 접합불량이 더욱 심화되어 제조되는 스퍼터링 타겟 어셈블리의 품질이 저하되는 는 문제점이 있었다.
관련 선행기술로는 한국공개특허 제 2011-0120305 호(공개일자: 2011. 11. 03, 명칭: "튜브 타겟")가 있다.
본 발명은 타겟의 내경부, 특히 세라믹으로 이루어진 타겟의 내경부에 금속 코팅층을 형성함으로써, 접합재를 이용한 백킹 튜브와 타겟 접합 시 접합 건전성을 확보할 수 있게 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않는다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 스퍼터링 타겟 어셈블리의 제조방법은, 백킹 튜브, 및 백킹 튜브의 외경부에 간격을 두고 삽입되는 원통형 타겟을 준비하는 단계(S1); 타겟의 내경부의 표면을 거칠게 형성시키기 위해 준비된 타겟의 내경부에 금속 코팅층을 형성하는 단계(S2); 및 백킹 튜브에 타겟을 삽입시킨 상태 하에서 백킹 튜브의 외경부와 타겟의 내경부 사이로 접합재를 충진시켜 백킹 튜브에 상기 타겟을 접합시키는 단계(S3);를 포함할 수 있다.
구체적으로, 단계(S2)에서의 금속 코팅층은 10~500㎛의 두께, 및 5~100㎛의 표면조도(Ra)를 가지도록 금속분말, 또는 금속분말에 세라믹분말이 혼합된 혼합분말을 고압 또는 저압 저온분사 코팅장비를 이용해 분사하여 형성할 수 있다.
더 구체적으로 금속분말은, Al, AlZn, AlSi 및 Cu 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
그리고 혼합분말은, Cu 또는 Al에 Al2O3 또는 SiC가 혼합된 혼합물 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
그리고 금속분말 및 세라믹분말은 5~80㎛의 입도를 가질 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 스포터링 타겟은, 백킹 튜브; 백킹 튜브의 외경부에 간격을 두고 삽입되는 타겟; 및 백킹 튜브와 타겟 사이에 형성되어 백킹 튜브에 상기 타겟을 접착시키는 접합부;를 포함하며, 타겟의 내경부에는 접합부와의 접합력을 높일 수 있는 금속 코팅층이 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 타겟의 내경부, 특히 세라믹으로 이루어진 타겟의 내경부에 금속 코팅층을 형성함으로써, 접합재를 이용한 백킹 튜브와 타겟 접합 시 접합 건전성을 확보할 수 있어 제조되는 스퍼터링 타겟 어셈블리의 품질 향상을 도모할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟 어셈블리의 제조방법을 나타낸 순서도이고,
도 2는 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟 어셈블리를 나타낸 사시도이며, 그리고
도 3은 도 2의 선 A-A를 따라 도시된 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 도면들 중 동일한 구성요소들은 가능한 어느 곳에서든지 동일한 부호로 표시한다. 또한 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟 어셈블리의 제조방법을 나타낸 순서도로서, 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟 어셈블리(100)를 제조하기 위해서는, 우선 백킹 튜브(110), 및 백킹 튜브(110)의 외경부에 간격을 두고 삽입되는 원통형 타겟(120)을 준비한다(단계 S1).
백킹 튜브(110)는 타겟(120)을 지지하기 위한 것으로, 백킹 튜브(110)는 열전도율이 높으면서 가볍고 강성이 우수한 재질, 바람직하게는 스테인리스 또는 알루미늄으로 제작될 수 있다. 더욱 바람직하게는 백킹 튜브(110)는 Gr2 티타늄(Ti)으로 제작될 수 있다.
그리고 백킹 튜브(110)는 양단이 개방되고 내부가 빈 통상의 관 형상, 또는 양단이 폐쇄된 관 형상, 또는 일단은 개방되고 타단은 폐쇄된 관 형상 중 어느 하나의 형상으로 제작될 수 있다. 여기서 백킹 튜브(110)의 단면 형상, 즉 백킹 튜브(110)의 내경부 및 외경부의 형상은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 원형으로 한정하는 것이 아님을 누구나 알 수 있을 것이다.
한편, 타겟(120)은 피성막체에 막을 형성하는 것으로, 타겟(120)은 도시된 바와 같이 백킹 튜브(110)의 외경부에 삽입되어 지지된다. 이를 위해 타겟(120)은 양단이 개방되고 내부가 중공된 형상을 가지는데, 타켓(120)은 백킹 튜브(110)의 외경부의 단면형상에 대응하는 형상을 가지는 내경부를 가진다. 그리고 타겟(120)은 단면 형상의 원형인 외경부를 가진다. 이때 타켓(120)의 내경부는 백킹 튜브(110)의 외경부 사이에 접합재가 충진되어 접합부(130)를 형성할 수 있도록 백킹 튜브(110)의 외경부보다 크게 형성된다. 그리고 타겟(120)의 외경부는 스퍼터링 장비의 크기에 따라 조절될 수 있으며, 타겟(120)의 길이는 스퍼터링이 수행되는 면적에 따라 다양하게 조절될 수 있다.
이러한 타겟(120)은 목적으로 하는 증착 막의 물질에 따라 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 니오브(Nb) 및 티타늄(Ti) 등과 같은 금속물 또는 산화물로 제작되거나, 또는 ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), 및 Al2O3 등과 같은 세라믹물로 제작될 수 있다.
여기서 백킹 튜브(110) 및 타겟(120)의 제조는 공지의 기술이므로 상세한 설명은 생략한다.
백킹 튜브(110), 및 타겟(120)이 준비되면(S1), 준비된 타겟(120)의 내경부에 금속 코팅층(122)을 형성한다(단계 S2).
금속 코팅층(122)은 타겟(120) 내경부의 표면에 미세한 요철(凹凸)을 형성시켜 접합부(130)와의 접합력, 특히 세라믹재질로 이루어진 타겟(120)과의 접합력을 높일 수 있게 한다. 다시 말해 금속 코팅층(122)은 후술하는 공정에서의 용융 접합재가 타겟(120) 내경부에 골고루 거동되게 한다.
이러한 금속 코팅층(122)은 금속분말, 예를 들어 Al, AlZn, AlSi 및 Cu 중에서 선택된 어느 하나, 또는 금속분말에 세라믹분말이 혼합된 혼합분말, 예를 들어 Cu에 Al2O3 또는 SiC가 혼합된 혼합분말, 또는 Al에 Al2O3 또는 SiC가 혼합된 혼합분말 중 어느 하나를 통상의 저압 및 고압 저온분사 코팅장비를 이용해 타겟(120) 내경부에 분사함으로써 형성되는데, 이렇게 형성된 금속 코팅층(122)은 10~500㎛의 두께, 및 5~100㎛의 표면조도(Ra)를 가진다.
여기서 금속 코팅층(122)의 두께가 10㎛ 미만이면 타겟(120)의 내경부에 코팅이 이루어지지 않은 부분이 발생될 수 있으며, 금속 코팅층(122)의 두께가 500㎛를 초과하게 되면 금속 코팅층(122)을 형성하는 소재가 과도하게 사용될 뿐만 아니라 타겟(120)에 인가되는 열충격량이 증가하여 타겟(120)이 손상될 수 있다. 또한 금속 코팅층(122)의 표면조도(Ra)가 5㎛ 미만이면 타겟(120)의 내경부의 표면이 매끄러워 후술하는 공정에서 용융 접합재가 타겟(120) 내경부에 골고루 거동하지 못할 수 있을 뿐만 아니라 이로 인해 후가공이 요구될 수 있으며, 금속 코팅층(122)의 표면조도(Ra)가 100㎛를 초과하면 백킹 튜브(110)와 결합 시 치수공차 문제로 백킹 튜브(110)에 결합이 용이하지 않을 수 있다.
그리고 금속 코팅층(122) 형성 시 사용되는 금속분말 및 세라믹분말은 5~80㎛의 입도를 가지는데, 이때 금속분말 및 세라믹분말의 입도가 5㎛ 미만이면 코팅 효율이 낮아질 뿐만 아니라 저온분사 시 피딩성이 떨어질 수 있으며, 금속분말 및 세라믹분말의 입도가 80㎛를 초과하면 타겟(120)에 가해지는 충격량이 커질 뿐만 아니라 표면조도가 커질 수 있다. 여기서 Al, AlZn, AlSi 금속분말은 30~50㎛의 입도를, Cu 금속분말은 10~40㎛의 입도를 가지는 것이 바람직하다.
전술한 바와 같이, 타겟(120)의 내경부에 금속 코팅층(122)이 형성되면(S2), 타겟(120)을 백킹 튜브(110)에 접합시켜 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟 어셈블리(100)의 제조를 완료한다(단계 S3).
백킹 튜브(110)에 타겟(120)을 접합시키기 위해서는, 전술한 바와 같이 백킹 튜브(110)에 타겟(120)을 삽입시킨 상태 하에서 백킹 튜브(110)의 외경부와 타겟(120)의 내경부 사이로 접합재를 충진시켜 백킹 튜브(110)에 타겟(120)을 접합시킨다. 즉 백킹 튜브(110)와 타겟(120)의 금속 코팅층(122) 사이에는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 충진된 접합재에 의해 접합부(130)가 형성되며, 이러한 접합부(130)에 의해 백킹 튜브(110)와 타겟(120)은 서로 접합된다.
접합재로는 인듐금속, 또는 주석금속에 인듐금속을 혼합되어 사용될 수 있다. 다시 말해 접합부(120)는 접합재를 용융시킨 상태 하에서 용융된 접합재를 백킹 튜브(110)의 외경부와 타겟(120)의 내경부 사이로 충진시켜 백킹 튜브(110)와 타겟(120)을 접합시킨다. 여기서 접합재의 충진은 공지의 기술이므로 상세한 설명은 생략한다.
전술한 제조방법에 의해 제조된 스퍼터링 타겟 어셈블리(100)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 백킹 튜브(110)와, 백킹 튜브(110)의 외경부에 간격을 두고 삽입되는 타겟(120), 및 백킹 튜브(110)와 타겟(120) 사이에 형성되어 백킹 튜브(110)에 타겟(120)을 접착시키는 접합부(130)를 포함한다. 그리고 타겟(120)의 내경부에는 타겟(120) 내경부의 표면을 거칠게 형성시켜 접합부(130)와의 접합력, 특히 세라믹재질로 이루어진 타겟(120)과의 접합력을 높일 수 있게 하는 금속 코팅층(122)이 형성된다.
이와 같이 형성된 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟 어셈블리(100)는, 타겟(120)의 내경부, 특히 세라믹으로 이루어진 타겟(120)의 내경부에 금속 코팅층(122)을 형성함으로써, 접합재를 이용한 백킹 튜브(110)와 타겟(120) 접합 시 접합 건전성을 확보할 수 있게 한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이의 제조방법은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다.
100 : 스퍼터링 타겟 어셈블리 110 : 백킹 튜브
120 : 타겟 122 : 금속 코팅층
130 : 접합부

Claims (6)

  1. 백킹 튜브, 및 상기 백킹 튜브의 외경부에 간격을 두고 삽입되는 원통형 타겟을 준비하는 단계(S1);
    상기 타겟의 내경부의 표면을 거칠게 형성시키기 위해 준비된 상기 타겟의 내경부에 금속 코팅층을 형성하는 단계(S2); 및
    상기 백킹 튜브에 상기 타겟을 삽입시킨 상태 하에서 상기 백킹 튜브의 외경부와 상기 타겟의 내경부 사이로 접합재를 충진시켜 상기 백킹 튜브에 상기 타겟을 접합시키는 단계(S3);를 포함하고,
    상기 단계(S2)에서의 금속 코팅층은,
    10~500㎛의 두께, 및 5~100㎛의 표면조도(Ra)를 가지도록 금속분말, 또는 금속분말에 세라믹분말이 혼합된 혼합분말을 고압 또는 저압 저온분사 코팅장비를 이용해 분사하여 형성하며,
    상기 혼합분말은,
    Cu 또는 Al에 Al2O3 또는 SiC가 혼합된 혼합물 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속분말은,
    Al, AlZn, AlSi 및 Cu 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리의 제조방법.
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속분말 및 상기 세라믹분말은 5~80㎛의 입도를 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리의 제조방법.
  6. 삭제
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060043427A (ko) * 2004-03-05 2006-05-15 토소가부시키가이샤 원통형 스퍼터링 타겟, 세라믹 소결체와 그 제조방법
JP2012140658A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Tosoh Corp 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060043427A (ko) * 2004-03-05 2006-05-15 토소가부시키가이샤 원통형 스퍼터링 타겟, 세라믹 소결체와 그 제조방법
JP2012140658A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Tosoh Corp 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法

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