JP5194460B2 - 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Description
円筒形ITOターゲット材(外径:150.0mmφ、内径:130.0mmφ、長さ:200mm)を1個用意し、接合面以外の面に低融点半田材が付着するのを防止するため、耐熱性テープでマスキングし、円筒形ITOターゲット材の内周面にはIn半田を下塗した。
テフロン(登録商標)製スペーサーを10.1mm×300mm×0.8mm、10本(空隙率20%)としたこと以外は実施例1と同様にして円筒形ITOスパッタリングターゲットを製造した。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電試験を行った結果、割れは認められなかった。
テフロン(登録商標)製スペーサーを20.2mm×300mm×0.8mm、20本(空隙率80%)としたこと以外は実施例1と同様にして円筒形ITOスパッタリングターゲットを製造した。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電試験を行った結果、割れは認められなかった。
円筒形ITOターゲット材の個数を3個、SUS製円筒形基材の長さを800mm、テフロン(登録商標)製スペーサーの長さを700mmとしたこと以外は実施例1と同様にして円筒形ITOスパッタリングターゲットを製造した。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電試験を行った結果、割れは認められなかった。
低融点半田材をInSnとしたこと以外は実施例1と同様にして円筒形ITOスパッタリングターゲットを製造した。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電試験を行った結果、割れは認められなかった。
円筒形基材をTi製にしたこと以外は実施例1と同様にして円筒形ITOスパッタリングターゲットを製造した。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電試験を行った結果、割れは認められなかった。
円筒形基材をAl製にしたこと以外は実施例1と同様にして円筒形ITOスパッタリングターゲットを製造した。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電試験を行った結果、割れは認められなかった。
円筒形ターゲット材をAZO製にしたこと以外は実施例1と同様にして円筒形AZOスパッタリングターゲットを製造した。この円筒形AZOスパッタリングターゲットの放電試験を行った結果、割れは認められなかった。
スペーサー材質をテフロン(登録商標)をコーティングしたSUSにしたこと以外は実施例1と同様にして円筒形ITOスパッタリングターゲットを製造した。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電試験を行った結果、割れは認められなかった。
実施例1と同様に、円筒形ITOターゲット材、テフロン(登録商標)製スペーサーを固定したSUS製円筒形基材を用意した。SUS製円筒形基材を溶融状態のInで満たした容器の中に垂直に立て、円筒形ITOターゲット材をSUS製円筒形基材上部よりSUS製円筒形基材外部に組み合わせた。円筒形ITOターゲット材の内周面とSUS製円筒形基材の外周面の間に形成されるクリアランスを封止した後、容器から取り出し、冷却した。その後、テフロン(登録商標)製スペーサー等を取り除き、円筒形ITOスパッタリングターゲットを製造した。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電試験を行った結果、割れは認められなかった。
円筒形ITOターゲット材(外径:150.0mmφ、内径:130.0mmφ、長さ:200mm)を1個用意し、接合面以外の面に導電性樹脂ペーストが付着するのを防止するため、耐熱性テープでマスキングした。
テフロン(登録商標)製スペーサーを使用しなかった(空隙率0%)こと以外は実施例1と同様にして円筒形ITOスパッタリングターゲットを製造した。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電試験を行った結果、使用終盤に割れが発生した。
テフロン(登録商標)製スペーサーを24.1mm×300mm×0.8mm、20本(空隙率85%)としたこと以外は実施例1と同様にして円筒形ITOスパッタリングターゲットを製造した。この円筒形ITOスパッタリングターゲットは接合作業実施中に、円筒形ITOターゲット材と円筒形基材の剥離が発生した。
Claims (8)
- 円筒形基材の外周面に円筒形状のセラミックス焼結体からなる円筒形ターゲット材を接合してなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、前記円筒形基材の外周面と前記円筒形ターゲット材の内周面との間に形成された接合層が空隙を有することを特徴とする円筒形スパッタリングターゲット。
- 接合層が、円筒形基材の中心軸と略平行に形成された略直線状の空隙を有することを特徴とする請求項1記載の円筒形スパッタリングターゲット。
- 接合層が、該接合層の少なくとも一方の端面に開口した空隙を有することを特徴とする請求項1又は請求項2記載の円筒形スパッタリングターゲット。
- 接合層が、円筒形ターゲット材の長さの2分の1以上の長さの空隙を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の円筒形スパッタリングターゲット。
- 円筒形基材の外周面と円筒形ターゲット材の内周面との間に流動性の接合材からなる接合材層を形成し、該接合材層を固化して接合層を形成することにより、前記円筒形基材と前記円筒形ターゲット材とを接合して円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法において、前記接合材層にスペーサーを設け、該接合材層が、少なくともその形状を維持し得る程度に固化した後、前記スペーサーを除去することにより、空隙を有する接合層を形成することを特徴とする円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
- 円筒形基材の外周面と円筒形ターゲット材の内周面とによって形成されるクリアランスにスペーサーを設けた後、該クリアランスに接合材を充填して接合材層を形成し、該接合材層を固化した後、前記スペーサーを除去することを特徴とする請求項5記載の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
- 円筒形基材の外周面と円筒形ターゲット材の内周面とによって形成されるクリアランスにスペーサーを設けるとともに、該クリアランスの一方の端を封止し、この封止した端を下側にして、溶融状態の低融点半田材を前記クリアランスに流し込んで接合材層を形成し、該接合材層を固化した後、前記スペーサーを除去することにより空隙を有する接合層を形成して接合を行うことを特徴とする請求項5記載の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
- 接合材層に設けるスペーサーが、その表面をフッ素樹脂で構成したスペーサーであることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項記載の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
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