KR101225844B1 - 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 및 이를 이용한 로터리 타겟의 접합방법 - Google Patents

스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 및 이를 이용한 로터리 타겟의 접합방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물 및 이를 이용한 로터리 타겟의 접합방법에 관한 것으로, 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 접합시 시중에서 구하기 쉽고 값싼 구성 성분을 소량의 인듐(Indium)과 혼합 조성한 접합 조성물을 통해 접합시킬 수 있도록 함으로써 원가를 절감시켜 생산단가를 낮출 수 있도록 함에 그 목적이 있다. 이를 위해 구성되는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물은 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물은 인듐 5∼50 중량% 및 비자성체이면서 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 메디아 파우더 50∼95 중량%의 비율로 혼합 조성된다. 그리고, 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법은 (a) 백킹 플레이트와 타겟을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열시키는 단계, (b) 가열된 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 상기 접합재인 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계, (c) 표면처리된 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계, (d) 냉각된 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 결합하여 정반에 정위치시키는 단계, (e) 정위치된 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 단계, (f) 백킹 플레이트와 타겟을 가열하는 가운데 진동시키는 단계, (g) 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데, 상기 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 메디아 파우더를 백킹 플레이트와 타겟 사이의 공간에 투입하는 단계; (h) 인듐을 용융 투입시켜 균일하게 분포되도록 하는 단계 및 (i) 백킹 플레이트와 타겟의 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진다.

Description

스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 및 이를 이용한 로터리 타겟의 접합방법{Composition for Bonding Rotary Target for Sputtering and Method for Bonding Rotary Target Using the Same}
본 발명은 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물 및 이를 이용한 로터리 타겟의 접합방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 접합시 시중에서 구하기 쉽고 값싼 구성 성분을 소량의 인듐(Indium)과 혼합 조성한 접합 조성물을 통해 접합시킬 수 있도록 한 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물 및 이를 이용한 로터리 타겟의 접합방법에 관한 것이다.
일반적으로 스퍼터링(Sputtering)이란 목적물 표면에 막의 형태로 부착하는 기술을 말하는 것으로, 이러한 스퍼터링은 세라믹이나 반도체 소재 등에 전자 회로를 만들기 위해 고진공 상태에서 고체를 증발시켜 박막(Thin film)이나 후막(Thick film)을 형성하는 경우에 사용된다.
다시 말해서, 전술한 바와 같은 스퍼터링(Sputtering)은 진공 중에 불활성가스(주로 아르곤 가스(Ar gas))를 도입시키면서 기판과 타겟(Target : 부착 되어지는 물질 Cr·Ti 등) 사이에 직류전압을 가하여 이온화시킨 아르곤을 타겟에 충돌시켜서 타겟 물질을 기판에 막 형성시키는 방법이다. 또한, 아르곤 가스와 같이 미량의 O2·N2가스를 넣는 것에 의해　반응성 스퍼터링(ITO·TiN 등)을 행할 수 있다.
전술한 바와 같은 스퍼터링은 건식도금법으로 분류되어 코팅하는 대상물을 액체나 고온기체에 노출시키지 않고 도금처리가 된다. 그에 따라, 여러 가지 기반재료(수지·Glass·Ceramic·기타)의 판재물·성형품에 예를 들면, 전극·실드(Shield)·마스킹(Masking)으로써 사용되어지고 있다.
한편, 전술한 바와 같이 코팅이나 박막과 같은 도금처리를 하는 스퍼터링 장비에서 고전압을 인가하는 전극으로써 로터리 타겟이 사용된다. 이러한 스퍼터링용 로터리 타겟은 원통형의 백킹 플레이트와 백킹 플레이트의 외주면으로 결합 구성되는 원통형의 타겟으로 이루어지되 타겟은 인듐(Indium)의 용융 결합에 의한 접합에 의해 백킹 플레이트의 외주면 상에 결합되어 일체화된다.
전술한 바와 같은 인듐은 주기율표 13족인 붕소족에 속하는 희유금속 원소로, 1863년에 페르디난드 라이크와 테오도르 리히터가 아연광석에서 밝은 은백색 광택이 나는 인듐을 발견해 독특한 남색(indigo)의 스펙트럼선을 내놓는다고 해서 인듐이라고 명명하였다.
그리고, 전술한 바와 같은 인듐은 녹으면 깨끗한 유리 및 다른 표면에 달라붙거나 적시는 특이한 성질이 있기 때문에 유리·금속·석영·세라믹·대리석 사이를 용접 밀봉(鎔接密封)하는데 쓰이며, 내식성(耐蝕性)을 증가시키고 표면에 접착성 유막(油膜)을 형성하기 때문에 항공기용 엔진 베어링을 도장(塗裝)하는 데에도 쓰인다.
그러나, 전술한 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 원통형의 백킹 플레이트의 외주면 상에 원통형의 타겟을 용융 결합되도록 하는 인듐은 희귀금속에 속하여 고가라는 점에서 스퍼터링용 로터리 타겟의 제조에 따른 생산단가의 상승이 따르게 되는 문제가 있다.
아울러, 전술한 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 원통형의 백킹 플레이트의 외주면 상에 원통형의 타겟을 용융 결합되도록 하는 인듐은 희귀금속으로 그 공급량이 많지 않기 때문에 시장의 가격이 매우 불안정하여 수급에 문제가 따르는 문제가 있다.
본 발명은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 접합 접합시 시중에서 구하기 쉽고 값싼 구성 성분을 소량의 인듐과 혼합 조성한 접합 조성물을 통해 접합시킬 수 있도록 함으로써 원가를 절감시켜 생산단가를 낮출 수 있도록 한 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물 및 이를 이용한 로터리 타겟의 접합방법을 제공함에 그 목적이 있다.
아울러, 본 발명에 따른 기술은 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 접합시 시중에서 구하기 쉽고 값싼 구성 성분을 소량의 인듐과 혼합 조성한 접합 조성물을 통해 접합시킬 수 있도록 함으로써 안정적으로 재료의 수급이 가능하도록 함에 그 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위해 구성되는 본 발명은 다음과 같다. 즉, 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물은 스퍼터링용 챔버에 회전 가능하게 설치되어 구동모터의 구동에 의해 회전되는 가운데 고전압을 인가하는 스퍼터링용 로터리 타겟의 원통형으로 형성된 백킹 플레이트의 외주면에 원통형의 타겟을 접합 결합시키는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물에 있어서, 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물은 인듐(Indium) 5∼50 중량% 및 비자성체이면서 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 메디아 파우더(Media powder) 50∼95 중량%의 비율로 혼합 조성된다.
한편, 전술한 바와 같은 본 발명의 구성에서 메디아 파우더는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있다. 이때, 메디아 파우더는 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 동일 비율로 혼합될 수 있다.
그리고, 전술한 바와 같은 본 발명의 구성에서 메디아 파우더의 크기는 0.001∼1mm의 크기로 이루어질 수 있다.
본 발명의 방법적인 기술인 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법은 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 접합재의 융점 온도 범위이상으로 가열시키는 단계; (b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 상기 접합재인 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계; (c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계; (d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계; (e) 단계(d)의 과정을 통해 정반에 정위치된 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도범위 이상으로 가열하는 단계; (f) 단계(e)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계; (g) 단계(f)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 인듐을 용융 투입시키는 단계; (h) 단계(g)의 과정을 통해 상기 인듐을 용융 투입시킨 다음, 상기 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 입자 상의 메디아 파우더(Media powder)를 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 투입하여 진동에 의해 메디아 파우더의 입자 사이에 상기 용융된 인듐이 균일하게 분포되도록 하는 단계; 및 (i) 단계(h)의 과정을 통해 메디아 파우더의 입자 사이에 상기 용융된 인듐이 분포되도록 한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진다.
본 발명에 따른 방법적인 기술의 다른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법은 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열시키는 단계; (b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 상기 접합재인 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계; (c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계; (d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계; (e) 단계(d)의 과정을 통해 정반에 정위치된 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 단계; (f) 단계(e)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계; (g) 단계(f)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 용융된 인듐과, 상기 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 입자 상의 메디아 파우더(Media powder)를 일정비율로 동시에 투입시키는 단계; 및 (h) 단계(g)의 과정을 통해 상기 인듐과 상기 메디아 파우더를 투입한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진다.
본 발명에 따른 방법적인 기술의 또 다른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법은 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열시키는 단계; (b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 상기 접합재인 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계; (c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계; (d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계; (e) 단계(d)의 과정을 통해 정반에 정위치된 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 단계; (f) 단계(e)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계; (g) 단계(f)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데, 상기 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 입자 상의 메디아 파우더(Media powder)를 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 일정량 투입하는 단계; (h) 단계(g)의 과정을 통해 상기 메디아 파우더를 투입한 다음 일정량의 인듐을 용융 투입시켜 진동에 의해 상기 메디아 파우더의 입자 사이에 상기 용융된 인듐이 균일하게 분포되도록 하는 단계; 및 (i) 단계(h)의 과정을 통해 상기 메디아 파우더의 입자 사이에 상기 용융된 인듐이 분포되도록 한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진다.
전술한 바와 같은 본 발명에 따른 구성에서 인듐과 메디아 파우더의 조성비는 5∼50 : 50∼95 중량%의 비율로 조성될 수 있다.
한편, 본 발명의 구성에서 메디아 파우더는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있다. 이때, 메디아 파우더는 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 동일 비율로 혼합될 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 구성에서 메디아 파우더의 입자는 0.001∼1mm의 크기로 이루어질 수 있다.
본 발명의 기술에 따르면 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 접합시 시중에서 구하기 쉽고 값싼 구성 성분을 소량의 인듐과 혼합 조성한 접합 조성물을 통해 접합시킬 수 있도록 함으로써 원가를 절감시켜 생산단가를 낮추는 효과가 발현된다.
아울러, 본 발명에 따른 기술은 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 접합시 시중에서 구하기 쉽고 값싼 구성 성분을 소량의 인듐과 혼합 조성한 접합 조성물을 통해 접합시킬 수 있도록 함으로써 안정적으로 재료의 수급이 가능하다는 장점이 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 기술이 적용된 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 분리 사시도.
도 2 는 본 발명에 따른 기술이 적용된 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 결합 사시도.
도 3 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 중에서 인듐의 투입을 보인 단면 구성도.
도 4 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 중에서 메디아 파우더(Media powder)의 투입을 보인 단면 구성도.
도 5 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물을 구성하는 인듐과 메디아 파우더의 혼합을 보인 단면 구성도.
도 6 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓을 보인 단면 구성도.
도 7 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도.
도 8 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 다른 예의 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도.
도 9 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물 및 이를 이용한 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합방법을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1 은 본 발명에 따른 기술이 적용된 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 분리 사시도, 도 2 는 본 발명에 따른 기술이 적용된 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 결합 사시도, 도 3 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 중에서 인듐의 투입을 보인 단면 구성도, 도 4 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 중에서 메디아 파우더의 투입을 보인 단면 구성도, 도 5 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물을 구성하는 인듐과 메디아 파우더의 혼합을 보인 단면 구성도, 도 6 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓을 보인 단면 구성도, 도 7 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도이다.
도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)의 외주면에 고전압의 인가가 이루어지는 타겟(120)을 접합시키는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물(130)은 인듐과 메디아 파우더가 일정 조성비로 조성된다.
전술한 바와 같은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물(130)의 구성에서 메디아 파우더는 비자성체이면서 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 구성요소들로 이루어진다. 이때, 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물(130)의 구성에서 인듐은 용융된 상태로 투입되고, 메디아 파우더는 분말 상으로 투입되어진다.
한편, 전술한 바와 같은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물(130)의 구성에서 인듐과 메디아 파우더의 조성비는 인듐 5∼50 중량%와 메디아 파우더 50∼95 중량%의 비율로 조성된다.
전술한 바와 같이 인듐 5∼50 중량%와 메디아 파우더 50∼95 중량%의 비율로 조성된 접합 조성물(130)은 용융된 인듐 5∼50 중량%을 백킹 플레이트(110) 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 먼저 투입한 상태에서 분말 상의 메디아 파우더 50∼95 중량%를 투입하여 진동 또는 회전을 통해 용융 상태의 인듐과 분말 상의 메디아 파우더의 혼합이 이루어질 수 있도록 한다.
본 발명에 따른 접합 조성물(130)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면에 고전압의 인가가 이루어지는 타겟(120)을 접합시키는 과정은 수평이 맞추어진 정반(10)에 백킹 플레이트(110)를 수직으로 정위치시킨 다음 타겟(120)을 백킹 플레이트(110)의 외주면으로 결합시켜 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 사이에 일정 공간이 형성되도록 정위치시킨다.
다음으로, 전술한 바와 같이 백킹 플레이트(110)의 외주면에 타겟(120)이 결합되어 정반(10)에 수직으로 정위치시킨 다음에는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열하는 가운데 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 사이에 일정 공간에 용융된 인듐을 먼저 투입한 상태에서 분말 상의 메디아 파우더를 투입하여 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 진동 또는 회전을 통한 균일한 분포 후 냉각시킴으로써 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)의 접합이 이루어질 수 있도록 한다.
전술한 바와 같은 본 발명에 따른 접합 조성물(130)을 구성하는 인듐은 주기율표 13족인 붕소족에 속하는 희유금속 원소로, 이러한 인듐은 납보다 연하며 가소성이 뛰어나고, 손톱으로 긁혀지며, 어떤 형태로도 변형이 가능하다. 또한, 인듐은 주석과 마찬가지로 순수한 금속을 구부릴 때는 날카로운 소리가 난다. 은만큼이나 희귀하며 평균적으로 지각 무게의 0.1ppm 정도 존재한다. 천연에서는 결합 상태로 산출되며 여러 광물 중, 특히 아연과 납광물의 부산물로 얻어진다.
아울러, 전술한 바와 같은 인듐은 녹으면 깨끗한 유리 및 다른 표면에 달라붙거나 적시는 특이한 성질이 있기 때문에 유리·금속·석영·세라믹·대리석 사이를 용접밀봉(鎔接密封)하는데 쓰이며, 내식성(耐蝕性)을 증가시키고 표면에 접착성 유막(油膜)을 형성하기 때문에 항공기용 엔진 베어링을 도장(塗裝)하는 데에도 쓰인다. 이러한 인듐의 녹는점 156.61℃이고, 비중 7.31(20℃)이다.
전술한 바와 같은 본 발명에 따른 접합 조성물(130)의 구성에서 비자성체이면서 인듐에 비해 비중이 크고 융점인 높은 메디아 파우더(Media powder)로는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진다.
그리고, 전술한 바와 같은 메디아 파우더(Media powder)로써 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 선택된 둘 이상의 메디아 파우더(Media powder)는 동일 비율로 혼합된다. 이때, 메디아 파우더(Media powder)의 입자는 0.001∼1mm의 크기로 이루어진다.
본 발명에 따른 인듐과 메디아 파우더(Media powder)가 일정 조성비로 조성되는 접합 조성물(130)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 접합시키는 방법을 설명하면 다음과 같다. 도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같은 실시 예는 접합 조성물(130)의 투입시 인듐을 용융 상태로 먼저 투입하고, 이후 입자 상의 메디아 파우더를 투입하는 구성으로 이루어진다.
본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법은 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열시키는 단계(S100), (b) 가열된 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각에 상기 접합재인 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계(S110), (c) 표면처리된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시키는 단계(S120), (d) 냉각된 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합하여 정반(10)에 세로 방향으로 정위치시키는 단계(S130), (e) 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 상기 인듐의 융점 범위로 가열하는 단계(S140), (f) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 상기 인듐의 융점 범위로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계(S150), (g) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열 및 진동시키는 가운데 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 인듐을 용융 투입시키는 단계(S160), (h) 인듐을 용융 투입시킨 다음, 상기 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 입자 상의 메디아 파우더(Media powder)를 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 투입하여 진동 또는 회전에 의해 메디아 파우더의 입자 사이에 상기 용융된 인듐이 균일하게 분포되도록 하는 단계(S170) 및 (i) 상기 메디아 파우더의 입자 사이에 상기 용융된 인듐이 분포되도록 한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계(S180)를 포함한 구성으로 이루어진다.
전술한 바와 같은 본 발명의 구성에서 단계(a)의 과정은 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열하기 위한 과정(S100)으로, 즉, 이러한 단계(a)의 과정(S100)은 도 6 및 도 7 에 도시된 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120) 각각을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열시키는 것이다.
전술한 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 단계(a)의 과정(S100)은 이후의 단계(b) 과정(S110)에서 도포되는 접합재인 파우더 상의 인듐을 용융시키기 위한 가열과정이다.
한편, 전술한 바와 같이 단계(a)의 과정(S100)을 통해 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 가열온도는 이후의 단계(b)의 과정(S110)에서 도포되는 인듐의 용융이 이루어질 수 있도록 인듐의 융점인 156.61℃ 이상으로 가열하게 된다. 즉, 인듐의 융점이 156.61℃이기 때문에 도포되는 파우더 상의 인듐을 용융시키기 위해서는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 156.61℃ 이상으로 가열시켜야 한다.
다음으로, 단계(a)의 과정을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 인듐의 융점인 156.61℃ 이상으로 가열시킨 다음에는 도 6 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(b)의 과정을 통해 가열된 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각에 상기 접합재인 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각을 표면처리 한다(S110).
전술한 바와 같이 가열된 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 과정에서 용융된 인듐은 브러시나 초음파표면처리기에 의해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면에 불규칙하게 도포됨은 물론, 브러시나 초음파표면처리기에 의해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면의 산화막이 제거된다.
다시 말해서, 전술한 바와 같은 단계(b)의 과정(S110)을 통해 용융된 인듐을 브러시나 초음파표면처리기를 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면에 펼쳐 불규칙하게 도포되도록 하는 과정에서 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면의 산화막이 제거된다.
따라서, 단계(b)의 과정(S110)을 통해 용융된 인듐을 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면에 펼쳐 불규칙하게 도포되도록 하는 과정에서 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면의 산화막을 제거함으로써 접합 조성물(130)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면에 타겟(120)을 접합시키는 경우 접합이 더욱 견고하게 이루어질 수 있도록 한다.
본 발명에 따른 단계(c)의 과정(S120)은 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시키는 과정(S120)으로, 이러한 단계(c)의 과정(S120)은 도 6 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(b)의 과정(S110)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면을 표면처리한 다음 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시킴으로써 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면 각각에 도포된 상태의 용융된 인듐이 고착되도록 한다.
또한, 전술한 바와 같은 단계(c)의 과정(S120)은 단계(b)의 과정(S110)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면을 표면처리 하는 과정에서 가열된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시킴으로써 다음 과정을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 결합시키는 경우 작업자의 안전을 도모하여 작업이 원활하게 이루어질 수 있도록 한다.
전술한 바와 같은 단계(c) 과정(S120)의 냉각과정에서 냉각은 융융 도포된 인듐의 급격한 변화를 방지하기 위해 상온에서 자연냉각을 통해 냉각시킴이 보다 양호하다.
다음으로, 단계(d)의 과정은 진동기(20)가 설치된 정반(10)에 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 결합시켜 정위치시키는 과정(S130)으로, 이러한 단계(d)의 과정(S130)은 도 3 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(c)의 과정(S120)을 통해 냉각된 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합하여 정반(10)에 세로 방향으로 정위치시키게 된다.
전술한 바와 같이 단계(c)의 과정(S120)을 통해 냉각된 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합하여 정반(10)에 세로 방향으로 정위치시키는 과정에서 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 사이에는 접합 조성물(130)이 투입되는 공간이 형성된다.
다시 말해서, 본 발명을 구성하는 타겟(120)의 내경이 백킹 플레이트(110)의 외경에 비해 약 2mm 정도 크게 형성되어 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합시켜 정위치시키는 경우 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 사이에는 약 1mm 정도의 공간 형성된다.
본 발명에 따른 단계(e)의 과정은 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열하기 위한 과정(S140)으로, 이러한 단계(e)의 과정(S140)은 도 3 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(d)의 과정(S130)을 통해 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하여 이후의 과정에서 투입되는 용융된 접합 조성물(130)의 용융 상태가 유지되도록 하기 위한 과정이다.
전술한 바와 같이 단계(e)의 과정(S140)에서 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 가열온도는 접합 조성물(130)을 구성하는 인듐의 융점인 156.61℃ 이상으로 가열함이 적당하다 할 것이다. 보다 양호하게는 인듐의 용융된 상태를 유지할 수 있는 156.61∼160℃ 융점 온도 범위 또는 그 이상으로 가열하는 것이 좋다.
한편, 전술한 바와 같이 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 가열시 메디아 파우더는 용융되지 않은 상태로 투입되기 때문에 메디아 파우더를 용융시키지 않은 범위내에서 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열한다.
다음으로, 본 발명에 따른 단계(f)의 과정은 정반(10)을 통한 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 간접진동 또는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 직접진동을 통해 진동시키는 과정(S150)으로, 이러한 단계(f)의 과정(S150)은 도 3 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(e)의 과정(S140)을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 한다.
전술한 바와 같이 단계(f)의 과정(S150)을 통해 플레이트(110)와 타겟(120)을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 과정은 이후의 단계에서 용융 투입되는 인듐의 용융 상태를 유지함은 물론, 용융된 인듐 및 메디아 파우더로 구성되는 접합 조성물(130)의 균일한 분포가 이루어질 수 있도록 하기 위함이다.
한편, 전술한 바와 같이 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계(f)의 과정(S150)에서 진동은 에어바이브레이터를 통해 진동이 이루어질 수 있도록 할 수 있고, 초음파 진동을 통해서도 진동이 이루어질 수 있도록 할 수도 있다. 이때, 단계(f)의 과정(S150)에서 진동 대신에 정반(10)을 회전시킬 수도 있다.
본 발명에 따른 단계(g)의 과정은 접합 조성물(130)을 구성물 중에서 인듐을 용융 투입시키는 과정(S160)으로, 이러한 단계(g)의 과정(S160)은 도 3 및 도 7 에 도시된 바와 같이 접합 조성물(130)을 구성물 중에서 인듐을 용융된 상태로 하여 백킹 플레이트(110) 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 투입한다.
전술한 바와 같이 단계(f)의 과정(S150)을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열과 진동(또는 회전)이 이루어지는 백킹 플레이트(110) 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 단계(g)의 과정(S160)을 통해 인듐을 용융된 상태로 하여 투입함으로써 용융 투입된 인듐은 그 용융 상태가 유지되면서 균일하게 분포되어진다.
전술한 바와 같은 단계(g)의 과정(S160)에서 접합 조성물(130)을 구성하는 인듐의 투입량은 전체 접합 조성물(130)의 투입량 중 5∼50 중량%의 비율로 투입된다.
다음으로, 본 발명을 구성하는 단계(h)의 과정은 접합 조성물(130)을 구성하는 메디아 파우더를 투입하는 과정(S170)으로, 이러한 단계(h)의 과정(S170)은 도 4, 도 5 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(g)의 과정(S160)을 통해 인듐을 용융 투입한 다음 정반(10)을 진동(또는 회전)을 인가하는 가운데 입자 상의 메디아 파우더를 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 투입하여 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐이 균일하게 분포되도록 한다.
한편, 본 발명에 따른 접합 조성물(130)을 구성하는 메디아 파우더가 앞서 기술한 바와 같이 비자성체이면서 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 구성요소들로 이루어지기 때문에 정반(10)을 진동기(20)를 통해 진동이 이루어지도록 한 상태에서 입자 상의 메디아 파우더를 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 투입하게 되면 인듐에 비해 비중이 큰 메디아 파우더는 하부로 가라 않게 되고, 이에 따라 메디아 파우더에 비해 비중이 가볍고 용융 상태인 인듐은 상부측으로 차오르게 되어 결국 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐이 균일하게 분포되어진다.
전술한 바와 같이 투입되는 본 발명에 따른 접합 조성물(130)을 구성하는 메디아 파우더의 투입량은 접합 조성물(130)의 전체 투입량 중 50∼95 중량%가 투입된다. 이때, 메디아 파우더는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진다. 이때, 메디아 파우더는 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 동일 비율로 혼합되어지고, 메디아 파우더의 입자는 0.001∼1mm의 크기로 이루어진다.
그리고, 전술한 바와 같이 단계(h)의 과정(S170)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 용융 투입된 인듐과 입자 상의 메디아 파우더를 균일하게 분포되도록 한 다음에는 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(i) 과정(S180)의 냉각을 통해 접합 조성물(130)의 고화가 이루어질 수 있도록 한다. 이때, 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)에 대한 가열과 진동(또는 회전)은 정지된 상태이다.
다시 말해서, 단계(h)의 과정(S170)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 용융 투입된 인듐과 입자 상의 메디아 파우더를 균일하게 분포되도록 한 다음에는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)에 대한 가열과 진동(또는 회전)은 정지시킨 후 냉각을 통해 접합 조성물(130)의 냉각에 따른 고착이 이루어지도록 한다.
한편, 전술한 바와 같은 단계(i)의 과정(S180)을 통한 냉각은 자연스럽게 냉각이 이루어질 수 있도록 상온에서 자연냉각을 통해 냉각시켜 고화되는 투입된 접합 조성물(130)이 급격한 변화없이 냉각되어 고착되도록 함이 보다 양호하다 할 것이다.
도 8 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 다른 예의 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도이다.
도 8 에 도시된 바와 같은 다른 예의 로터리 타겟 접합방법은 접합 조성물(130)을 구성하는 인듐과 메디아 파우더의 투입시 도 7 에 도시된 바와 같이 용융된 인듐의 투입 후 입자 상의 메디아 파우더를 투입하는 것과는 달리, 인듐과 메디아 파우더를 동시 투입하는 구성으로 이루어진 기술이다.
본 발명에 따른 다른 예의 로터리 타겟 접합방법은 도 8 에 도시된 바와 같이 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열시키는 단계(S200), (b) 가열된 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각에, 상기 접합재료인 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계(S210), (c) 표면처리된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시키는 단계(S220), (d) 냉각된 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합하여 정반(10)에 세로 방향으로 정위치시키는 단계(S230), (e) 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 단계(S240), (f) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계(S250), (g) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열 및 진동시키는 가운데 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 용융된 인듐과, 상기 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 입자 상의 메디아 파우더(Media powder)를 일정비율로 동시에 투입시키는 단계(S260) 및 (h) 인듐과 메디아 파우더(Media powder)를 동시 투입한 다음 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계(S270)를 포함한 구성으로 이루어진다.
전술한 바와 같은 본 발명에 따른 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서 S200, S210, S220, S230, S240 및 S250의 과정은 도 7 에 따른 실시 예의 S100, S110, S120, S130, S140 및 S150의 과정과 동일한 과정이므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. 그리고, 본 발명에 따른 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서 S270의 과정 역시 도 7 에 따른 실시 예의 S180의 과정에 동일하므로 이에 대한 설명 역시 생략하기로 한다.
다만, 본 발명에 따른 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서는 앞서 기술한 바와 같이 S250의 과정을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 진동(또는 회전)시키는 상태에서 S260의 과정을 통해 용융된 인듐과 입자 상의 메디아 파우더를 일정비율로 동시에 투입시킨다. 이때, 인듐과 메디아 파우더의 투입비율은 5∼50 : 50∼95 중량%의 비율로 투입된다.
도 9 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도이다.
도 9 에 도시된 바와 같은 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법은 접합 조성물(130)을 구성하는 인듐과 메디아 파우더의 투입시 도 7 에 도시된 바와 같이 용융된 인듐의 투입 후 입자 상의 메디아 파우더를 투입하는 구성 또는 도 8 에 도시된 바와 같이 용융된 인듐과 입자 상의 메디아 파우더를 동시 투입하는 구성과는 달리, 입자 상의 메디아 파우더를 먼저 투입한 후 용융된 인듐을 투입하는 구성으로 이루어진 기술이다.
본 발명에 따른 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법은 도 9 에 도시된 바와 같이 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열시키는 단계(S300), (b) 가열된 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각에 상기 접합재인 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계(S310), (c) 표면처리된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시키는 단계(S320), (d) 냉각된 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합하여 정반(10)에 세로 방향으로 정위치시키는 단계(S330), (e) 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 단계(S340), (f) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계(S350), (g) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열 및 진동시키는 가운데 상기 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 입자 상의 메디아 파우더(Media powder)를 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 일정량 투입하는 단계(S360); (h) 메디아 파우더를 투입한 다음 일정량의 인듐을 용융 투입시켜 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 진동(또는 회전)에 의해 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐이 균일하게 분포되도록 하는 단계(S370) 및 (i) 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐이 분포되도록 한 다음 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계(S380)를 포함한 구성으로 이루어진다.
전술한 도 9 에 도시된 바와 같은 본 발명에 따른 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서 S300, S310, S320, S330, S340 및 S350의 과정은 도 7 에 따른 실시 예의 S100, S110, S120, S130, S140 및 S150의 과정과 동일한 과정이므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. 그리고, 본 발명에 따른 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서 S380의 과정 역시 도 7 에 따른 실시 예의 S180의 과정에 동일하므로 이에 대한 설명 역시 생략하기로 한다.
다만, 본 발명에 따른 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서는 앞서 기술한 바와 같이 S350의 과정을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 진동(또는 회전)시키는 상태에서 S360의 과정을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120) 사이의 공간에 입자 상의 메디아 파우더 먼저 투입한 후, S370의 과정을 통해 용융된 인듐을 투입하게 된다. 이때, 인듐과 메디아 파우더의 투입비율은 5∼50 : 50∼95 중량%의 비율로 투입된다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 기술은 희귀금속이면서 고가인 인듐을 사용량을 최소화할 수 있도록 함으로써 스퍼터링용 로터리 타겟의 제조에 따른 생산단가를 낮출 수 있고, 또한 안정적인 재료의 수급이 가능하다는 장점이 있다.
본 발명은 전술한 실시 예에 국한되지 않고 본 발명의 기술사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다.
10. 정반 20. 파진동기
100. 로터리 타겟 110. 백킹 플레이트
120. 타겟 130. 접합 조성물

Claims (11)

  1. 스퍼터링용 챔버에 회전 가능하게 설치되어 구동모터의 구동에 의해 회전되는 가운데 고전압을 인가하는 스퍼터링용 로터리 타겟의 원통형으로 형성된 백킹 플레이트의 외주면에 원통형의 타겟을 접합 결합시키는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물에 있어서,
    상기 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물은 인듐(Indium) 5∼50 중량% 및 비자성체이면서 상기 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 메디아 파우더(Media powder) 50∼95 중량%의 비율로 혼합 조성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 메디아 파우더는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 메디아 파우더는 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 동일 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메디아 파우더의 크기는 0.001∼1mm의 크기로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물.
  5. (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열시키는 단계;
    (b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 상기 접합재인 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계;
    (c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계;
    (d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 상기 백킹 플레이트의 외주면 상에 상기 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계;
    (e) 단계(d)의 과정을 통해 상기 정반에 정위치된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 단계;
    (f) 단계(e)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계;
    (g) 단계(f)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 인듐을 용융 투입시키는 단계;
    (h) 단계(g)의 과정을 통해 상기 인듐을 용융 투입시킨 다음, 상기 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 입자 상의 메디아 파우더(Media powder)를 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 투입하여 진동에 의해 상기 메디아 파우더의 입자 사이에 상기 용융된 인듐이 균일하게 분포되도록 하는 단계; 및
    (i) 단계(h)의 과정을 통해 상기 메디아 파우더의 입자 사이에 상기 용융된 인듐이 분포되도록 한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.
  6. (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열시키는 단계;
    (b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 상기 접합재인 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계;
    (c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계;
    (d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 상기 백킹 플레이트의 외주면 상에 상기 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계;
    (e) 단계(d)의 과정을 통해 상기 정반에 정위치된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 단계;
    (f) 단계(e)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계;
    (g) 단계(f)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 용융된 인듐과, 상기 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 입자 상의 메디아 파우더(Media powder)를 일정비율로 동시에 투입시키는 단계; 및
    (h) 단계(g)의 과정을 통해 상기 인듐과 상기 메디아 파우더(Media powder)를 투입한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.
  7. (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 접합재의 융점 온도 범위 이상으로 가열시키는 단계;
    (b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 상기 접합재인 파우더 상의 인듐을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계;
    (c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계;
    (d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 상기 백킹 플레이트의 외주면 상에 상기 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계;
    (e) 단계(d)의 과정을 통해 상기 정반에 정위치된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 상기 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 단계;
    (f) 단계(e)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 인듐의 융점 온도 범위 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계;
    (g) 단계(f)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데, 상기 인듐에 비해 비중이 크고 융점이 높은 입자상의 메디아 파우더(Media powder)를 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 일정량 투입하는 단계;
    (h) 단계(g)의 과정을 통해 상기 메디아 파우더를 투입한 다음 일정량의 인듐을 용융 투입시켜 진동에 의해 상기 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐이 균일하게 분포되도록 하는 단계; 및
    (i) 단계(h)의 과정을 통해 상기 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐이 분포되도록 한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.
  8. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인듐과 상기 메디아 파우더(Media powder)의 조성비는 5∼50 : 50∼95 중량%의 비율로 조성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 메디아 파우더는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 메디아 파우더는 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 동일 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 메디아 파우더의 입자는 0.001∼1mm의 크기로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.
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