JP6383726B2 - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明はスパッタリングターゲット及びその製造方法に係り、特に、ろう材の使用量を抑制でき、かつ、ターゲット材が緻密に形成されたスパッタリングターゲット及び冷間等方圧加圧法による該スパッタリングターゲットの製造方法に関する。

スパッタリングは、均一な薄膜を効率よく製造できるため、様々な用途に広く使用されている。

従来、スパッタリングには板状のスパッタリングターゲット（プレーナ型）が用いられてきたが、その材料の使用効率が２０％以下と低く、連続スパッタリングや長尺物のスパッタリングができない等の欠点があった。

これに対し、円筒状のスパッタリングターゲットが開発され使用されるようになっている。円筒状のスパッタリングターゲットは、その材料の使用効率が８０〜９０％と高く、ガラス面等の広い領域にも均一にスパッタリングできることから広く使用されるようになってきた。

この円筒状のスパッタリングターゲットを製造するには、例えば、不活性ガス雰囲気中又は大気中において発生したプラズマ等を用いて混合粉体であるターゲット材料を溶融し、円筒状の基材の外周面に均一に溶射して、表面で固化させて均一な層を形成する溶射法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

また、円筒状の基材と円筒状のターゲット材料を予め形成しておき、これらの軸を合わせながら、基材とターゲット材料の隙間に接合剤を注入して、接合する方法が知られている（例えば、特許文献２〜３参照）。

日本特開平５−８６４６２号公報 日本特開２０１０−１５０６１０号公報 日本特表２０１１−８４７９５号公報

しかしながら、溶射法は、基材の周囲に形成されるターゲット材の密度が比較的低く、緻密なターゲット材を形成するのが困難であった。また、基材上に形成されるターゲット材には圧縮残留応力が働き、厚膜化すると密着力が低下する傾向があるために、均一性を保持するにも、その製造条件を維持しなければならず、安定した特性を有するスパッタリングターゲットを製造するには細心の注意が必要であった。

また、接合剤を流し込む方法は、基材とターゲット材との隙間に接合剤を流し込むため、該隙間を、接合剤が内部まで十分に流入できるだけの十分な間隔を有するように形成しなければならない。そのため、接合剤を所定の厚さよりも薄くできず、接合剤の使用量の抑制が困難であった。接合剤は比較的高価な場合が多く、これは製品自体のコストにも反映されるため、より接合剤の使用量を低減したスパッタリングターゲット及びその製造方法が求められている。

そこで、本発明は、上記した問題を解決すべく、緻密質からなるターゲット材を有し、かつ、接合剤の使用量を低減することで、安定した成膜操作を可能とするとともに製造コストが安価なスパッタリングターゲット及びその製造方法の提供を目的とする。

本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、所定の方法により、密度が高く、均質なターゲット材を有し、かつ、ろう材の厚さを薄くして使用量を抑制した新規なスパッタリングターゲットを製造できることを見出した。

本発明は、以下の構成を要旨とするものである。
（１）円筒型の基材表面に、ろう材を介して、ターゲット材が設けられたスパッタリングターゲットであって、
前記ターゲット材の気孔率が１．５％以下の緻密質であり、
前記ろう材の厚さが０．２ｍｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
（２）前記ターゲット材は、前記基材の軸方向において、その長さが１．０ｍ以上連続的に形成されている上記（１）記載のスパッタリングターゲット。
（３）前記ターゲット材の全部又は一部が液相となる温度が４５０℃以下である上記（１）又は（２）記載のスパッタリングターゲット。
（４）前記ターゲット材が、Ｚｎ、Ｓｎ及びＡｌからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する上記（３）記載のスパッタリングターゲット。
（５）前記ターゲット材が、Ｚｎ−Ｓｎ系又はＺｎ−Ａｌ系の合金である上記（４）記載のスパッタリングターゲット。
（６）前記ろう材の融点が３００℃以下である上記（１）〜（５）のいずれか１項記載のスパッタリングターゲット。

（７）前記ろう材が、Ｉｎ、Ｉｎ合金、Ｓｎ又はＳｎ合金である上記（６）記載のスパッタリングターゲット。
（８）前記ターゲット材が、前記ろう材との接合面においてろう材中に拡散して接合されている上記（１）〜（７）のいずれか１項記載のスパッタリングターゲット。
（９）円筒型の基材表面にろう材を塗布するろう材塗布工程と、
前記基材表面に塗布されたろう材の表面に、ターゲット材となる原料粉末を配置させ、前記原料粉末を７０℃以下の条件で冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ法）により加圧処理してターゲット材とする加圧工程と、
を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
（１０）前記冷間等方圧加圧法が、湿式ラバープレス法である上記（９）記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
（１１）前記ターゲット材の気孔率が１．５％以下である上記（９）又は（１０）記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
（１２）前記ろう材の厚さが０．２ｍｍ以下である上記（９）〜（１１）のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
（１３）前記ターゲット材は、前記基材の軸方向において、その長さが１ｍ以上連続的に形成されていることを特徴とする上記（９）〜（１２）のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法。

本発明のスパッタリングターゲットによれば、緻密なターゲット材質からなり、スパッタリングの際に異常放電（アーク放電）が発生しにくく、熱歪みを発生させずにろう材が接着されているため、スパッタリング中のターゲット材の冷却を全体を均一に維持しながら安定した成膜を維持することができる。またろう材の使用量を抑制できるため、製造コストを効果的に低減できる。

本発明のスパッタリングターゲットの製造方法によれば、上記緻密なターゲット材を有し、ろう材の使用量を抑制したスパッタリングターゲットを、簡便な操作で、容易に製造できる。

本発明のスパッタリングターゲットの概略断面図である。 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法（塗布工程）を説明する図である。 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法（加圧工程）を説明する図である。 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法（加圧工程）を説明する図である。 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法（加圧工程）を説明する図である。 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法（研削加工工程）を説明する図である。

本発明のスパッタリングターゲットは、上記した通りの構成を有するものであり、例えば、図１に示したように、円筒型の基材２、該基材２の表面に設けられたろう材３、及び該ろう材３を介して基材２上に設けられたターゲット材４、を有してなるスパッタリングターゲット１が例示できる。以下、本発明のスパッタリングターゲットについて詳細に説明する。

本発明で使用する円筒型の基材２は、ターゲット材４をその表面に形成する円筒状の基材であり、所定の熱伝導性、電気伝導性、強度等を備えたものであることが好ましい。この基材２は、例えば、Ｆｅ、Ｔｉ、Ａｌ、これらの金属の少なくとも１種を含む合金で、例えば、ＳＵＳ、チタン合金、アルミ合金等が挙げられる。円筒型の基材の外径は３〜２０ｃｍであるのが好ましく、厚みは３〜７ｍｍであるのが好ましく、その長さは任意に製造できるが、１．０ｍ以上が好ましく、１．５ｍ以上がより好ましい。

本発明においては、スパッタリングターゲットの製造にあたって、冷間等方圧加圧法が使用されるため、この基材２は、該方法における高い圧力に対して変形しない強度の高いものが好ましい。その強度は０．２％耐力として、例えば２００ＭＰａ以上が好ましく、２５０ＭＰａ以上あればより好ましい。なお、強度に関し「０．２％耐力」とは、引張り強さが０．２％の永久伸びを起こす応力を意味し、例えば、ＳＵＳ３０４の０．２％耐力は約２５０ＭＰａ、チタン合金は約５００ＭＰａである。

本発明で使用するろう材３は、円筒状の基材２とターゲット材４とを接合するものであり、一般に半田材として公知のものを使用できる。また、本発明においてろう材の厚さは、ターゲット材との接合時の熱歪みを考慮する必要がないことから０．２ｍｍ以下が好ましく、ろう材の使用量が少ないほど低コストでスパッタリングターゲットを製造できることから０．１ｍｍ以下がより好ましい。ろう材が全くない場合はＣＩＰ成形してもスプリングバックを起こして全くターゲット材と接合しないことからターゲット材の接合信頼性を考慮して０．００５ｍｍ以上が望ましく、０．０１〜０．０６ｍｍの範囲が特に好ましい。

このろう材は、低融点であることが好ましく、例えばろう材の融点は、３００℃以下が好ましく、基材の熱歪みを抑える観点から２５０℃以下がより好ましく、またろう材塗布作業の観点から２００℃以下が特に好ましい。融点が３００℃以下であると、冷間等方圧加圧法により、ターゲット材４の加圧成形と同時に基材２とターゲット材４を効率的に接合できる。このろう材としては、例えば、Ｉｎ、Ｉｎ合金、Ｓｎ、Ｓｎ合金等が挙げられる。ろう材の融点は、８０℃以上が好ましい。

本発明で使用するターゲット材４は、公知のターゲット材で、冷間等方圧加圧法により加圧成形が可能なものであればよい。このターゲット材は、その気孔率が１．５％以下、好ましくは０．８％以下となる緻密質からなっており、使用時において安定したスパッタリング操作を行うことができる。また、冷間等方圧加圧法によれば、得られるターゲット材を簡便な操作で緻密化することができ、かつ、円筒型の基材２の形成場所によらず、均一なターゲット材４を形成できる。ターゲット材の気孔率が大きくなると、スパッタリングの際に異常放電（アーク放電）が発生しやすくなってスプラッシュが飛散、これがスパッタリング膜に付着することになるが、これらも抑制することができる。ターゲット材の気孔率は、０％であってもよいが、通常、０．１％以上である。

このターゲット材４としては、４５０℃以下でその全部又は一部が液相となる材料が好ましく、その温度が４００℃以下がより好ましく、２００℃以下が特に好ましい。液相が出る温度が低いほど、冷間等方圧加圧法によってターゲット材４を効率的に緻密化できる。また、ターゲット材の材料としては、具体的には、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、等が挙げられ、これらから選ばれる少なくとも１種を含有するものが好ましく、Ｚｎ−Ｓｎ系又はＺｎ−Ａｌ系の合金がより好ましい。ターゲット材の全部又は一部が液相となる温度が１００℃以上であるのが好ましい。Ｚｎ−Ｓｎ系合金におけるＺｎとＳｎの質量比であるＺｎ／Ｓｎは、０．９９９５／０．０００５ 〜０．０００５／０．９９９５ であるのが好ましい。Ｚｎ−Ａｌ系合金におけるＺｎとＡｌの質量比であるＺｎ／Ａｌは、０．９９９８／０．０００２〜０．５８／０．４２ であるのが好ましい。

ターゲット材４の厚さは、任意の厚さとできるが、その使用時の効率が高くなるため５ｍｍ以上が好ましく、１０ｍｍ以上がより好ましい。ただし、厚くなりすぎると冷間等方圧加圧法であっても均一な成形が難しくなるため、３０ｍｍ以下が好ましく、２０ｍｍ以下がより好ましい。

このターゲット材４は、その円筒型の基材２の軸方向において、基材表面に連続的に形成されたターゲット材であることが好ましく、その長さは任意に製造できるが、１．０ｍ以上が好ましく、１．５ｍ以上がより好ましい。連続的に形成することで、不連続に形成する場合のターゲット材間の汚染等が防止でき、スパッタリング時の形成膜が汚染されるおそれを低減できる。

さらに、連続的に形成しておくと、スパッタリング時に、ターゲット材からはじき出される粒子が均一になるため、不連続に形成されているものに対して成膜条件が安定し、形成膜が均一なものとできる。

次に、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。

本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、上記した通り、円筒型の基材表面にろう材を塗布するろう材塗布工程と、該基材表面に塗布されたろう材の表面に、ターゲット材となる原料粉末を配置させ、原料粉末を７０℃以下の条件で冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ法）により加圧処理してターゲット材とする加圧工程と、を有する。以下、図２Ａ〜図２Ｅを参照しながら説明する。

本発明のろう材塗布工程は、円筒型の基材２の表面にろう材３を塗布する工程である（図２Ａ）。

ここで、ろう材３を塗布するには、公知の塗布方法、例えば、ディップコート、スプレーコート、超音波振動を利用する方法、等により塗布すればよい。なお、本発明においては、ろう材の厚さはターゲット材との接合時の熱歪みを考慮する必要がないことから０．２ｍｍ以下が好ましく、ろう材の使用量が少ないほど低コストでスパッタリングターゲットを製造できることから０．１ｍｍ以下がより好ましく、ろう材が全くない場合はＣＩＰ成形してもスプリングバックを起こして全く接合しないことからターゲット材の接合信頼性を考慮して０．００５ｍｍ以上が望ましく、０．０１〜０．０６ｍｍの範囲が特に好ましい。

本発明の加圧工程は、基材表面に塗布されたろう材の表面に、ターゲット材となる原料粉末を配置させ、該原料粉末を７０℃以下の条件で冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ法）により加圧処理する工程である。原料粉末を冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ法）により加圧処理する温度は、６０℃以下であるのが好ましく、また、５℃以上であるのが好ましい。

この加圧工程を行うにあたっては、まず、ろう材３が形成された基材２の外周面にターゲット材となる原料粉末を配置する。この原料粉末を基材２の表面に配置するには、例えば、外圧により変形できる可撓性を有するゴム、樹脂等のカバー部材で基材２を覆い、該カバー部材と基材２との隙間に原料粉末を充填すればよい。原料粉末の体積平均粒径（Ｄ５０）は、１〜１００μｍであるのが好ましい。

原料粉末を配置する具体的方法について、図２Ｂ〜図２Ｃを参照して説明する。まず、ろう材３が形成された基材２の外周に、これと間隙を有して配置されるカバー本体１１Ａを配置する（図２Ｂ）。このカバー本体１１Ａは、基材２の一端側に密着して配置され、基材２の表面（ろう材３や充填する原料粉末側）に外部から液体が侵入しないようにする。なお、基材２の円筒内部には、液体が流入してもよい。

次に、基材２とカバー本体１１Ａとの間に形成される隙間に、ターゲット材の原料粉末４Ａを充填する。十分に原料粉末４Ａを充填したところで、基材２の他端側にカバー蓋部材１１Ｂを密着して配置する（図２Ｃ）。このカバー蓋部材１１Ｂも、基材２の表面（ろう材３や充填する原料粉末４Ａ側）に外部から液体が侵入しないようにする。これにより、基材２はカバー部材１１で覆われ、基材２の表面（ろう材３、原料粉末４Ａ側）は密閉される。

なお、円筒内部に液体を流入できるようにしておくと、ＣＩＰ法において、外側からかかる圧力と内側からかかる圧力とがターゲット材を加圧して成形するのに用いられ効率的であると共に、基材２の変形を抑制する効果もあり好ましい。

また、このとき、原料粉末４Ａを充填することによりカバー本体１１Ａが変形するおそれがあり、そうなると原料粉末４Ａの存在量が基材２表面においてばらつく可能性がある。これを抑制するため、カバー本体１１Ａの外周部に変形抑制するためのガイド部材を設けることが好ましい。ガイド部材は柔軟性を有するが、伸縮性の低い材料を使用して作製すればよい。

次に、基材２の表面に配置された原料粉末に対して、冷間等方圧加圧法により圧力をかけて原料粉末４Ａを緻密化させてターゲット材４とする（図２Ｄ）。融点の低い金属材料の場合、冷間等方圧加圧法は、例えば常温下で、原料粉末４Ａに高い圧力をかければ、いわゆる通常の加熱焼結による緻密化とは異なる方法で、緻密化することができる。例えば、水等の液体中に上記のようにカバー部材１１を備えた基材２を浸漬し、該液体を機械的に加圧することで、基材２表面の原料粉末４Ａを均一に加圧して緻密化することができる。

したがって、通常の焼結方法や溶射法のように高温に加熱しないため、基材が熱による損傷を受けずに済む。基材の損傷が抑制されると、一度使用したスパッタリングターゲットの基材に、改めてターゲット材を設けることで再利用も可能となる。この冷間等方圧加圧法における温度は、使用する液体が常温水であることが好ましく、加圧成形を向上させる目的で水が沸騰しない程度の温度、例えば７０℃まで加温することもできる。

また、冷間等方圧加圧法は、上記のように原料粉末に対して均一な圧力をかけることができるため、基材表面に均質なターゲット材を形成できる。ターゲット材が均質であると、スパッタリングにおける成膜を安定して行うことができる。

この冷間等方圧加圧法により原料粉末にかける圧力は、原料粉末をターゲット材に形成できればよいため、特に限定されず幅広い圧力条件でターゲット材の形成が可能である。なお、この圧力は、より緻密なターゲット材を形成するため１００ＭＰａ以上が好ましく、１５０Ｐａ以上がより好ましい。圧力を１５０ＭＰａ以上とすれば、融点の低い金属材料の場合、形成されるターゲット材の気孔率をおおよそ１．５％以下とでき、上記本発明の緻密質からなるターゲット材を形成できる。また、この圧力は、ターゲット材を緻密化する観点からは高ければ高いほど好ましいが、円筒状に形成するために基材が変形しないように注意する。例えば、この圧力の上限値としては、基材の０．２％耐力と同じ力が挙げられ、それ以下の圧力であることが好ましい。

また、加圧時間はかける圧力によるが、所定の圧力に到達すれば特に保持する必要はないが、均一な圧力を確実に付与できることを考慮して１分程度が好ましい。

また、このＣＩＰ法により、基材２とターゲット材４とがろう材３を介して接合されることになるが、ターゲット材４とろう材３が共に低融点であれば加圧によって原子が相互拡散しやすくなり、より接着性の向上が期待でき、製品の信頼性が向上するので、好ましい。

上記のように、液体の圧力を利用し、ゴム等のラバー素材で構成されるカバー部材１１を使用する冷間等方圧加圧法を湿式ラバープレス法という。

このようにして得られたターゲット材４は、カバー部材１１の形状により、その表面は平滑でない場合がある。特に、カバー部材１１の端部と中央部とでは、その変形量が異なり、ターゲット材４の厚さが異なることが多い。

そこで、得られたターゲット材が形成された基材は、そのターゲット材の表面を研削することでターゲット材自体を滑らかな円筒形状とし、基材上に形成されるターゲット材の厚さを均一にすることが好ましい（図２Ｅ）。ターゲット材の厚さを均一にすることで、スパッタリングにおける成膜操作を安定して行うことができる。

なお、ここで形成するターゲット材の厚さは任意の厚さとできるが、ターゲット材の使用時の効率から５ｍｍ以上が好ましく、１０ｍｍ以上がより好ましい。ただし、厚くなりすぎると冷間等方圧加圧法であっても均一な成形が難しくなるため、３０ｍｍ以下が好ましく、２０ｍｍ以下がより好ましい。

以下に、本発明のスパッタリングターゲットを実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定して解釈されるものではない。

（実施例１）
外径１３５ｍｍ、内径１２５ｍｍ、長さ３２００ｍｍのＳＵＳ製の円筒状の基材の表面に、ろう材としてＩｎ（インジウム）を平均厚さ０．０２５ｍｍに均一に塗布した。これをクロロプレンゴム製のカバー本体で覆い、さらに、そのカバー本体の外周部に塩化ビニル製のガイド部材を被せた。基材とカバー本体とで形成される隙間に、ＺｎとＳｎの混合原料粉末（各５０重量％）を充填し、カバー蓋部材で、基材の外周部を密閉した。

カバー部材で覆われた基材を、水中に浸漬し、湿式ラバープレス法により、水温（２５℃）、１５０ＭＰａで１分間圧力をかけた結果、基材表面にろう材を介して接合したターゲット材が得られた。さらに、このターゲット材の表面を研削して、厚さを一定のものとした。ここで得られたターゲット材は、直径１６５ｍｍ、長さ３０００ｍｍ、厚さ１５ｍｍ（片側）であり、その気孔率は０．３６％であった。また、切り出した、ろう材とターゲット材の接着面の接着強度は１００ｋｇ／ｃｍ^２であった。
このスパタッリングターゲットの成膜における投入電力は、ターゲット長さ１ｍあたり２５ｋＷまで上げても異常放電なく良好な成膜をすることができた。

（実施例２）
混合原料の粉末をＺｎ９８重量％、Ａｌ２重量％、湿式ラバープレス法による圧力を１９０ＭＰａにした以外は、実施例１と同じ方法で製作した結果、気孔率が０．７９％、接着強度は８５ｋｇ／ｃｍ^２であったこと以外は同様の結果となった。

（実施例３）
ろう材としてＳｎ（錫）を使用した以外は、実施例２と同じ方法で製作した結果、接着強度が５５ｋｇ／ｃｍ^２であったこと以外は、例２と同様の結果となった。

（実施例４）
ろう材としてＩｎ（インジウム）を厚さ平均０．１５ｍｍに均一に塗布した以外は、実施例１と同じ方法で製作した結果、接着強度が８０ｋｇ／ｃｍ^２であったこと以外は同様の結果となった。

（比較例１）
実施例１と同じ円筒状の基材の表面に、ろう材として銅を厚さ平均０．３ｍｍで溶射して塗布した。その上に、例１と同じ混合原料粉末を溶射法を用いて皮膜を形成し、ターゲット材料を得た。さらに、このターゲット材の表面を研削して、厚さを一定のものとした。ここで得られたターゲット材は、直径、長さ、厚さは例１と同じであり、その気孔率は２．０３％であった。また、ろう材による接着強度は２０ｋｇ／ｃｍ^２であった。
このスパタッリングターゲットの成膜における投入電力は、ターゲット長さ１ｍあたり２０ｋＷまで上げると、使用途中までは異常放電なく成膜可能だが、異常放電発生後は成膜ができなくなった。

（比較例２）
ろう材を全く塗布しないこと以外は、実施例１と同じ方法で製作した結果、ターゲット材は同じものが得られたが、基材とは全く接合していないことが分かった。

実施例１と比較例１について、その構成及び特性について表１にまとめて示した。

ターゲット材の気孔率：ターゲット材部分を放電加工（ワイヤーカット）によって切り出し、約１０ｍｍ角のターゲット材を得た。これを１１０℃で２４時間乾燥した後、アルキメデス法で気孔率を測定した。
接着強度：ろう材とターゲット材の接着部分を放電加工（ワイヤーカット）によって切り出し、ろう材とターゲット材との接着面に対して垂直方向に引っ張ったときの、接着面が剥離するときの強度を測定した。引張速度は１分あたり０．５ｍｍとし、サンプルの接着面はおよそ縦１０ｍｍ×横１５ｍｍのサイズとした。
成膜時の投入電力（長さ当たり）：デュアルカソードにおけるターゲット材への投入電力をターゲット長さで除して算出した。
なお、このとき次の基準により評価した。
◎：使用終了まで異常放電なく成膜可能。
○：使用途中まで異常放電なく成膜可能だが、異常放電発生後は成膜不可。
×：使用初期から異常放電あり、成膜不可。

以上の結果より、本発明のスパッタリングターゲットは緻密なターゲット材を有し、かつ熱歪みを発生させずにろう材が接着されているため、スパッタリング中のターゲット材の冷却を全体均一に維持しながら安定した成膜を維持することができる。気孔率が大きい場合はスパッタリングの際に異常放電（アーク放電）が発生しやすくなってスプラッシュが飛散、これがスパッタリング膜に付着することになるが、これらも抑制することができる。さらに、ろう材の使用量を抑制できるため、製造コストを効果的に低減できる。

本発明のスパッタリングターゲットは、緻密なターゲット材を有し、かつ熱歪みを発生させずにろう材が接着できることから、気孔率を１．５％以下にする組成であれば、それ以外の制約はなく、均一な薄膜を必要とする用途に好適である。
なお、２０１３年７月５日に出願された日本特許出願２０１３−１４１６６５号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

１：スパッタリングターゲット
２：基材
３：ろう材
４：ターゲット材
１１Ａ：カバー本体
１１Ｂ：カバー蓋部材
１１：カバー部材

Claims (12)

1. 円筒型の基材表面に、ろう材を介して、ターゲット材が設けられたスパッタリングターゲットであって、
   前記ターゲット材は、その全部又は一部が液相となる温度が４５０℃以下の材料の成形物であって、その気孔率が１．５％以下の緻密質であり、
   前記ろう材の厚さが０．００５〜０．２ｍｍであることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2. 前記ターゲット材は、前記基材の軸方向において、その長さが１．０ｍ以上である請求項１記載のスパッタリングターゲット。
3. 前記ターゲット材が、Ｚｎ、Ｓｎ及びＡｌからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有し請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット。
4. 前記ターゲット材が、Ｚｎ−Ｓｎ系又はＺｎ−Ａｌ系の合金である請求項３記載のスパッタリングターゲット。
5. 前記ろう材の融点が３００℃以下である請求項１〜４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲット。
6. 前記ろう材が、Ｉｎ、Ｉｎ合金、Ｓｎ又はＳｎ合金である請求項５記載のスパッタリングターゲット。
7. 前記ターゲット材が、前記ろう材との接合面においてろう材中に拡散して接合されている請求項１〜６のいずれか１項記載のスパッタリングターゲット。
8. 円筒型の基材表面にろう材を塗布するろう材塗布工程と、
   前記基材表面に塗布されたろう材の表面に、ターゲット材となる、その全部又は一部が液相となる温度が４５０℃以下である原料粉末を配置させ、前記原料粉末を７０℃以下の条件で冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ法）により加圧処理してターゲット材とする加圧工程と、
   を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
9. 前記冷間等方圧加圧法が、湿式ラバープレス法である請求項８記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
10. 前記ターゲット材の気孔率が１．５％以下である請求項８又は９記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
11. 前記ろう材の厚さが０．００５〜０．２ｍｍである請求項８〜１０のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
12. 前記ターゲット材は、前記基材の軸方向において、その長さが１ｍ以上連続的に形成されていることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法。

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