JPH05222524A - スパッタ装置 - Google Patents

スパッタ装置

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JPH05222524A
JPH05222524A JP2258092A JP2258092A JPH05222524A JP H05222524 A JPH05222524 A JP H05222524A JP 2258092 A JP2258092 A JP 2258092A JP 2258092 A JP2258092 A JP 2258092A JP H05222524 A JPH05222524 A JP H05222524A
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JP
Japan
Prior art keywords
target
center
backing plate
sputtering apparatus
fixed
Prior art date
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Pending
Application number
JP2258092A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeya Mori
重哉 森
Haruo Sugiyama
春男 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Ulvac Inc
Original Assignee
Toshiba Corp
Ulvac Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Ulvac Inc filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2258092A priority Critical patent/JPH05222524A/ja
Publication of JPH05222524A publication Critical patent/JPH05222524A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明はタ−ゲットの交換が容易であり、かつ
不純物汚染が発生しないスパッタ装置を提供することを
目的とする。 【構成】チャンバ−11内の下方に配置されたマグネッ
ト電極14上には、バッキングプレ−ト15及びタ−ゲ
ット17が載置されている。タ−ゲット17の外周部は
タ−ゲット押え18により固定されている。バッキング
プレ−ト15の中央部はセンタ−ボルト16によりマグ
ネット電極14に固定され、タ−ゲット17は裏面中央
から開けられた表面に貫通しないネジ穴とのセンタ−ボ
ルト16との噛み合わせによりバッキングプレ−ト15
の中央に固定されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタ装置に関し、特
にスパッタ装置におけるタ−ゲットの支持機構に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年の半導体装置の微細化、高集積化に
対応して、高品質な薄膜を形成することが重要となって
いる。半導体ウェハ上に薄膜を形成するには、多くの場
合スパッタ法が用いられている。そのため、高品質な薄
膜を形成するには、半導体ウェハに薄膜をスパッタリン
グする際に、スパッタ装置内を不純物汚染のない雰囲気
に保つことが必要である。
【0003】従来のスパッタ装置の概略を説明する。チ
ャンバ−内には、被スパッタ材であるウェハ及び該ウェ
ハに対向するようにタ−ゲットが設置されている。上記
タ−ゲットはバッキングプレ−ト上に載置されている。
周知の如く、タ−ゲットは放電中イオンで表面を叩かれ
高温となるため、冷却されなければならない。通常、バ
ッキングプレ−トは熱伝導の高い材質で作られるため、
バッキングプレ−トを水冷することで、タ−ゲットを間
接的に冷却している。
【0004】タ−ゲットの冷却効率を増すには、タ−ゲ
ットとバッキングプレ−トをより密着させると良い。従
って、Inやその他の接着剤にて、タ−ゲットとバッキ
ングプレ−トを接着したり、タ−ゲットとバッキングプ
レ−トとを一体で成型したりしている。しかし、これら
の方法では、以下に示すような問題がある。 1.タ−ゲット交換のたびにバッキングプレ−トごとに
取り外さなければならず、作業性が悪いこと。 2.タ−ゲット及びバッキングプレ−トを設置する際
に、水及び不純物等がスパッタ装置内にリ−クする確率
が高くなること。 3.接着剤等の蒸気がスパッタ膜中に混入し膜質低下の
原因となること。 4.コストが高いこと。
【0005】上述の問題点を解決する手段として、タ−
ゲットの中心をネジ止めすることにより、接着剤等を用
いたり一体成型することなく冷却効率を上げる方法(ワ
ンタッチ型)がある。図3にワンタッチ型の概略図を示
す。バッキングプレ−ト31上にタ−ゲット32を載置
し、タ−ゲット32は、周囲をタ−ゲット押え33によ
り固定されている。更に、タ−ゲット32の中心をバッ
キングプレ−ト31の中心にセンタ−ボルト34により
合わせ、座金35及びナット36をセンタ−ボルト34
に締め付けることにより、タ−ゲット32とバッキング
プレ−ト31を固定させている。
【0006】同図のようなワンタッチ型は、バッキング
プレ−ト31を固定したままタ−ゲット32のみの取り
外しが可能である。しかし、スパッタ面の中央部分にセ
ンタ−ボルト34等が露出したままでは、スパッタリン
グ中に不純物源となる。そのため、タ−ゲット32と同
一材質のタ−ゲットキャップ37によりセンタ−ボルト
34等を覆っている。タ−ゲットキャップ37の表面は
タ−ゲット32の表面より突き出ている。従って、スパ
ッタリング中に徐々にがタ−ゲット32の表面より突き
出たタ−ゲットキャップ37の側壁部に、タ−ゲット3
2がスパッタされ付着物38が付着する。該付着物38
はスパッタリング中に突然剥がれるため、突発的にダス
トが、例えば6インチウェハ上に形成されたスパッタ膜
中に0.2μm以上のダストが100〜200個、発生
している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、タ−ゲ
ットキャップの側壁部に付着した付着物が原因となり、
ウェハ上に形成されたスパッタ膜の膜質が低下する。ひ
いては、半導体装置の信頼性の低下につながるため、タ
−ゲットキャップに付着する付着物の発生が問題とな
る。それ故に、本発明はタ−ゲットの交換が容易であ
り、かつ不純物汚染が発生しないスパッタ装置を提供す
ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によるスパッタ装
置は、マグネット電極と、該マグネット電極上に設けら
れたバッキングプレ−トと、裏面中央より表面に貫通し
ないネジ穴を有しかつフラットな表面を有するタ−ゲッ
トと、上記バッキングプレ−トの中央部を上記マクネッ
ト電極に固定しかつ上記タ−ゲットの中央部を上記バッ
キングプレ−トに固定するため中央付近にストッパ−を
有するセンタ−ボルトと、上記タ−ゲットの外周部を上
記バッキングプレ−トに固定するためのリング状のタ−
ゲット押えとを有している。
【0009】
【作用】本発明によれば、タ−ゲットをバッキングプレ
−トに固定するには、上記タ−ゲットの外周部をタ−ゲ
ット押えにより固定し、上記タ−ゲットの中央部をセン
タ−ボルトにより固定している。上記センタ−ボルトで
上記タ−ゲットを固定する際に、上記タ−ゲットの裏面
中央から上記タ−ゲットにネジ穴をあけ、上記センタ−
ボルトと噛み合わせて固定している。従って、上記タ−
ゲットの中央部を固定する際に、上記センタ−ボルトが
露出することなく、上記タ−ゲットはフラットな表面と
なる。そのため、スパッタ中にダスト原因となっていた
スパッタ膜がタ−ゲットに付着することがなく、不純物
汚染がない。
【0010】また、上記タ−ゲットと上記バッキングプ
レ−トは接着剤等を用いたり、一体成型することなく、
上記センタ−ボルトにより固定しているため、容易にタ
−ゲットの交換を行うことができる。
【0011】
【実施例】本発明による第一実施例を図1を参照して説
明する。同図によれば、チャンバ−11内の上方には、
ウェハ12を支持するためのウェハ支持具としてプラテ
ン13が設置されており、チャンバ−11内の下方に
は、マグネット電極14がプラテン13と対向するよう
に設置されている。マグネット電極14上には、熱伝導
のよいCu製からなるバッキングプレ−ト15が固定さ
れており、バッキングプレ−ト15上には、例えばW,
Ti,Mo等の高融点金属からなる厚さ15mm程度の
タ−ゲット17が載置されている。タ−ゲット17の外
周部はリング状のタ−ゲット押え18により固定されて
いる。マグネット電極14内は水が供給され、バッキン
グプレ−ト15を冷却している。
【0012】また、バッキングプレ−ト15の中央部を
φ10mm程度のセンタ−ボルト16によりマグネット
電極14に固定すると共に、バッキングプレ−ト15上
には裏面中央から貫通しないネジ穴を有するタ−ゲット
17がセンタ−ボルト16により中央を固定されてい
る。但し、センタ−ボルト16は、中央付近にφ20m
m程度のストッパ−を有している。センタ−ボルト16
のストッパ−の上部の長さは10mm程度でありピッチ
3とする。また、センタ−ボルト16とタ−ゲット17
が噛み合い固定された状態で、タ−ゲット17とセンタ
−ボルト16上部には0.5〜1.0mm程度の隙間が
できるようにタ−ゲット17の裏面にネジ穴を開ける。
隙間があることで、確実にタ−ゲット17は、バッキン
グプレ−ト15に平行に接しかつ締め付けを行うことが
できる。また、ネジピッチはあまり細かくせず、3ピッ
チ程度あれば、タ−ゲット17の交換が容易に行えとる
と同時にタ−ゲット17をバッキングプレ−ト15に平
行に固定することが可能である。
【0013】タ−ゲット17をバッキングプレ−ト15
に固定するには、タ−ゲット17の裏面からネジ穴を開
けることにより、タ−ゲット17の表面は凹凸のないフ
ラットな面となる。従って、スパッタ中にダスト原因と
なる付着物は発生せず、不純物汚染のない雰囲気でウェ
ハ12上にスパッタ膜を形成できる。該スパッタ膜中に
は、従来発生していたダストは発生せず、膜質の向上を
図ることができる。
【0014】また、タ−ゲット17の交換は、まず、タ
−ゲット押え18を外し、次に、タ−ゲット17をセン
タ−ボルト16より外すだけで行われ、バッキングプレ
−ト15は固定されたままである。
【0015】次に、本発明による第二実施例を図2によ
り説明する。但し、第一実施例と異なる部分のみを説明
する。センタ−ボルト16によるバッキングプレ−ト1
5とマグネット電極14の固定方法は第一実施例と同様
である。タ−ゲット17の中央をバッキングプレ−ト1
5に固定するには、タ−ゲット17の中央をセンタ−ボ
ルト16とタ−ゲットキャップ19とにより締め付け
る。タ−ゲットキャップ19はタ−ゲット17と同一材
質からなり、センタ−ボルト16と噛み合うようにタ−
ゲットキャップ19の裏面中央から表面に貫通しないネ
ジ穴が開けられている。一方、タ−ゲット17の中央の
穴は貫通されており、貫通された穴の形状は上方の穴径
が下方の穴径より大きいように一段切り替えがなされて
いる。タ−ゲット17の中央の穴形状に対応して、タ−
ゲットキャップ19の外形は、スパッタ面を含む上部の
外径が下部の外径より大きいように一段切り替えがされ
ている。
【0016】また、タ−ゲットキャップ19には取り出
しのための出入れ用穴20が対称に設けられている。タ
−ゲットキャップ19をセンタ−ボルト16にはめこむ
には、フォ−クのような二股の治具を出入れ用穴20に
差し込んで締込むのが良い。その際、タ−ゲットキャッ
プ19はタ−ゲット17に接触するが、センタ−ボルト
16のストッパ−部分の上面にタ−ゲットキャップ19
の下面は接触せず、またセンタ−ボルト16の上面にも
タ−ゲットキャップ19のネジ穴端面は接触しない。タ
−ゲット17のみと接触することで、タ−ゲットキャッ
プ19はタ−ゲット17をバッキングプレ−ト15に固
定することができる。
【0017】本実施例においても、固定された状態にお
いて、タ−ゲット17の表面とタ−ゲットキャップ19
の表面とが何の突起物のないフラットな面となってお
り、ダスト原因となる付着物は発生することはない。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、タ−ゲットまたはタ−
ゲットキャップは、各々裏面中心から表面に貫通しない
ネジ穴を有している。従って、ナット等を用いることな
く、タ−ゲットまたはタ−ゲットキャップはセンタ−ボ
ルトと直接噛み合い、タ−ゲットをバッキンブプレ−ト
に固定することができる。スパッタ面がフラットなため
不純物汚染となるダストが発生すること無く、しかも、
バッキングプレ−トとタ−ゲットは密着しており、十分
に冷却することができる。更に、タ−ゲットはセンタ−
ボルトにより固定されているため、タ−ゲット交換をス
ム−ズかつ迅速になし得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による第一実施例のスパッタ装置の概略
を表す断面図である。
【図2】本発明による第二実施例のスパッタ装置の要部
の概略を表す断面図である。
【図3】従来のスパッタ装置の要部の概略を表す断面図
である。
【符号の説明】
11…チャンバ−、12…ウェハ、13…プラテン、1
4…マグネット電極、15…バッキングプレ−ト、16
…センタ−ボルト、17…タ−ゲット、18…タ−ゲッ
ト押え、19…タ−ゲットキャップ、20…出入れ用
穴。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チャンバ−と、該チャンバ−内に設けら
    れたウェハ支持具と、上記チャンバ−内に上記ウェハー
    支持具と対向して設けられたマグネット電極と、該マグ
    ネット電極上に設けられたバッキングプレ−トと、該バ
    ッキングプレ−ト上に設けられかつ平坦な表面を有する
    タ−ゲットと、上記バッキングプレ−トの中央を上記マ
    グネット電極に固定しかつ上記タ−ゲットの中央を上記
    バッキングプレ−トに固定するためのセンタ−ボルト
    と、上記タ−ゲットの外周を固定するタ−ゲット押えと
    を具備するスパッタ装置。
  2. 【請求項2】 上記タ−ゲットは裏面中央から形成され
    た表面まで貫通しないネジ穴を有することを特徴とする
    請求項1記載のスパッタ装置。
  3. 【請求項3】 上記タ−ゲットが、表面まで貫通した穴
    を有する第一のタ−ゲットと、裏面中央から形成された
    表面まで貫通しないネジ穴を有しかつ上記第一のタ−ゲ
    ットの中心に位置しかつ第一のタ−ゲットを上記バッキ
    ングプレ−トに固定する第二のタ−ゲットとからなるこ
    とを特徴とする請求項1記載のスパッタ装置。
  4. 【請求項4】 上記タ−ゲットが高融点金属からなるこ
    とを特徴とする請求項1記載のスパッタ装置。
JP2258092A 1992-02-07 1992-02-07 スパッタ装置 Pending JPH05222524A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014237894A (ja) * 2010-04-14 2014-12-18 プランゼー エスエー コーティングソース及びその製法
WO2015015775A1 (ja) * 2013-08-02 2015-02-05 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置およびスパッタリング用ターゲット
JP6014818B1 (ja) * 2015-04-06 2016-10-26 株式会社クラフト スパッタリングターゲット
CN112144034A (zh) * 2019-06-27 2020-12-29 昆山世高新材料科技有限公司 一种冷却背板

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