JPH0196375A - スパッタリング用ターゲット - Google Patents
スパッタリング用ターゲットInfo
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- JPH0196375A JPH0196375A JP25117587A JP25117587A JPH0196375A JP H0196375 A JPH0196375 A JP H0196375A JP 25117587 A JP25117587 A JP 25117587A JP 25117587 A JP25117587 A JP 25117587A JP H0196375 A JPH0196375 A JP H0196375A
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- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 23
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各工業分野において薄膜形成技術として、と
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタリング
法に用いるターゲットの改良に関する。
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタリング
法に用いるターゲットの改良に関する。
（従来の技術とその問題点）
第３図に示す如〈従来のスパッタリング用ターゲット（
以下単にターゲットという）１は、バッキングプレート
２にメタルボンディング材３にてターゲット材４を接合
したものである。しかしこのターゲット１ではターゲッ
ト材４をバッキングプレート２から取外すことがむずか
しいので、バッキングプレート２諸共即ちターゲットを
取外すことになり、その交換に時間がかかったり、また
ターゲット１の交換時にバッキングプレート２側を冷却
しているターゲット冷却水の配管を取外す部分からスパ
ッタリング装置の真空槽への汚染等が生じないようにす
る配慮が必要など段取作業が甚だ面倒であった。
以下単にターゲットという）１は、バッキングプレート
２にメタルボンディング材３にてターゲット材４を接合
したものである。しかしこのターゲット１ではターゲッ
ト材４をバッキングプレート２から取外すことがむずか
しいので、バッキングプレート２諸共即ちターゲットを
取外すことになり、その交換に時間がかかったり、また
ターゲット１の交換時にバッキングプレート２側を冷却
しているターゲット冷却水の配管を取外す部分からスパ
ッタリング装置の真空槽への汚染等が生じないようにす
る配慮が必要など段取作業が甚だ面倒であった。
そこで、ターゲット材４をメタルボンディング材３でバ
ッキングプレート２に接合するのをやめて、第４図に示
す如くターゲット材４を環状の取付治具５を介してバッ
キングプレート２に直に接触保持することが考えられて
いる。この場合、バッキングプレート２でのターゲット
材４の冷却効果を上げる為、第５図に示す如くターゲッ
ト材４のバッキングプレート２と接触する側に熱伝導度
の良好な高純度のＣｕやＡｇの基板６を接合してクラッ
ドターゲット材７とし、これの基板６を第６図に示す如
くバッキングプレート２に密着することが行われる。し
かし、Ｃｕ製のバッキングプレートの場合、使用中にバ
ッキングプレート２とクラッドターゲット７の基板６と
が圧着状態となり、使用後バッキングプレート２から取
外すことが困難になるという問題点があった。
ッキングプレート２に接合するのをやめて、第４図に示
す如くターゲット材４を環状の取付治具５を介してバッ
キングプレート２に直に接触保持することが考えられて
いる。この場合、バッキングプレート２でのターゲット
材４の冷却効果を上げる為、第５図に示す如くターゲッ
ト材４のバッキングプレート２と接触する側に熱伝導度
の良好な高純度のＣｕやＡｇの基板６を接合してクラッ
ドターゲット材７とし、これの基板６を第６図に示す如
くバッキングプレート２に密着することが行われる。し
かし、Ｃｕ製のバッキングプレートの場合、使用中にバ
ッキングプレート２とクラッドターゲット７の基板６と
が圧着状態となり、使用後バッキングプレート２から取
外すことが困難になるという問題点があった。
（発明の目的）
本発明は上記問題点を解決すべくなされたもので、使用
時熱伝導を損なうことがなく、使用後バッキングプレー
トからクラッドターゲット材を而単に取外すことのでき
るターゲットを提供することを目的とするものである。
時熱伝導を損なうことがなく、使用後バッキングプレー
トからクラッドターゲット材を而単に取外すことのでき
るターゲットを提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、Ｃ
ｕ又はＡｇの基板にターゲット材が接合されて成るクラ
ッドターゲット材のＣｕ又はＡｇの基板側を環状の取付
治具を介してバッキングプレートに接触保持されるター
ゲットにおいて、クラッドターゲットとバッキングプレ
ートとの接触するいずれかの面に、ＴｉＮ、ＳｉＣ，Ｓ
ｉＮ、ＴｉＣのいずれかの厚さ０．１〜１０μｍの薄膜
が設けたものである。
ｕ又はＡｇの基板にターゲット材が接合されて成るクラ
ッドターゲット材のＣｕ又はＡｇの基板側を環状の取付
治具を介してバッキングプレートに接触保持されるター
ゲットにおいて、クラッドターゲットとバッキングプレ
ートとの接触するいずれかの面に、ＴｉＮ、ＳｉＣ，Ｓ
ｉＮ、ＴｉＣのいずれかの厚さ０．１〜１０μｍの薄膜
が設けたものである。
（作用）
上記のように構成されたターゲットは、バッキングプレ
ートに取付治具を介して直かに接触保持して使用した際
、ＴｉＮＸＳｉＣ，ＳｉＮ、ＴｉＣのいずれかの薄膜に
より熱伝導性を損なうことなく、クラッドターゲット材
とバッキングプレートとの圧着を防止できるものである
。上記薄膜は、０．１μｍ未満ではバッキングプレート
との圧着を防止することができず、１０μｍを超えると
熱伝導性が損なわれ、冷却効果が悪くなり、またクラッ
ドターゲットに薄膜を設ける場合に反りが生じ、スパッ
タリング条件に変化を来たし、形成される薄膜の品質が
低下するものである。
ートに取付治具を介して直かに接触保持して使用した際
、ＴｉＮＸＳｉＣ，ＳｉＮ、ＴｉＣのいずれかの薄膜に
より熱伝導性を損なうことなく、クラッドターゲット材
とバッキングプレートとの圧着を防止できるものである
。上記薄膜は、０．１μｍ未満ではバッキングプレート
との圧着を防止することができず、１０μｍを超えると
熱伝導性が損なわれ、冷却効果が悪くなり、またクラッ
ドターゲットに薄膜を設ける場合に反りが生じ、スパッ
タリング条件に変化を来たし、形成される薄膜の品質が
低下するものである。
（実施例）
本発明のターゲットの実施例を従来例と共に説明する。
先ず従来例のターゲットの一例を第５図によって説明す
ると、直径１５２．０胴、厚さ１．０ｍｍのＩｒより成
るターゲット材４を、直径１５２．０ｍｍ、厚さ４．０
ｍｍのＣｕより成る基板６に、Ｉｎのメタルボンディン
グ材３にて接合して、クラッドターゲット材７とし、こ
れを第６図に示す如くバッキングプレート２に環状の取
付治具５にて取付けて゛ターゲット８を得た。
ると、直径１５２．０胴、厚さ１．０ｍｍのＩｒより成
るターゲット材４を、直径１５２．０ｍｍ、厚さ４．０
ｍｍのＣｕより成る基板６に、Ｉｎのメタルボンディン
グ材３にて接合して、クラッドターゲット材７とし、こ
れを第６図に示す如くバッキングプレート２に環状の取
付治具５にて取付けて゛ターゲット８を得た。
次に実施例のターゲットの一例を第１図によって説明す
ると、前記従来例のクラッドターゲット７のバッキング
プレート２と接触する面に、ＴｉＮ薄膜９をスパッタリ
ング法により１μｍ設けて、ターゲット７′とし、これ
を第２図に示す如くバッキングプレート２に環状の取付
治具５にて取付けてターゲット８′を得た。
ると、前記従来例のクラッドターゲット７のバッキング
プレート２と接触する面に、ＴｉＮ薄膜９をスパッタリ
ング法により１μｍ設けて、ターゲット７′とし、これ
を第２図に示す如くバッキングプレート２に環状の取付
治具５にて取付けてターゲット８′を得た。
こうして得られた従来例及び実施例のターゲット８．８
′を図示せぬスパッタリング装置の真空槽内の陰極にセ
ットし、ＲＦＩＫＷでスパッタリングを３時間行って陽
極上の基板にＩｒ膜を形成した。
′を図示せぬスパッタリング装置の真空槽内の陰極にセ
ットし、ＲＦＩＫＷでスパッタリングを３時間行って陽
極上の基板にＩｒ膜を形成した。
このスパッタリングにおいて、クラッドターゲット７．
７′のバッキングプレート２との圧着の有無を調べた処
、従来例のターゲットではクラッドターゲット７がバッ
キングプレート２と圧着したものが１０台のスパッタリ
ング装置中７台のスパッタリング装置で発見され、その
圧着したクラッドターゲット７はバッキングプレート２
から取外すことができず、バッキングプレート２ごと取
外して交換せざるを得なかった。一方実施例のターゲッ
トではクラッドターゲット７′はバッキングプレート２
と圧着するものは皆無であった。これはひとえにＴｉＮ
薄膜９のコーティングによりバッキングプレート２との
圧着が防止されるからに他ならない。
７′のバッキングプレート２との圧着の有無を調べた処
、従来例のターゲットではクラッドターゲット７がバッ
キングプレート２と圧着したものが１０台のスパッタリ
ング装置中７台のスパッタリング装置で発見され、その
圧着したクラッドターゲット７はバッキングプレート２
から取外すことができず、バッキングプレート２ごと取
外して交換せざるを得なかった。一方実施例のターゲッ
トではクラッドターゲット７′はバッキングプレート２
と圧着するものは皆無であった。これはひとえにＴｉＮ
薄膜９のコーティングによりバッキングプレート２との
圧着が防止されるからに他ならない。
尚、上記実施例はＴ１Ｎｉ膜９の場合であるが、本発明
はＴｉＮ薄膜９に限るものではなく、熱伝導性の良好な
他の薄膜、例えばＳｉＣ，ＳｉＮ、ＴｉＣなどの薄膜で
も良いものである。
はＴｉＮ薄膜９に限るものではなく、熱伝導性の良好な
他の薄膜、例えばＳｉＣ，ＳｉＮ、ＴｉＣなどの薄膜で
も良いものである。
また上記実施例ではタラッドターゲ、ット材の方にＴｉ
Ｎ’ｌ膜９が設けられているが、本発明はこれに限るも
のではなく、バッキングプレートの方にＴ ｉ Ｎ、
Ｓ ｉ Ｃ，Ｓ ｉ Ｎ、 Ｔ ｉ Ｃを設けるように
してもよいものである。
Ｎ’ｌ膜９が設けられているが、本発明はこれに限るも
のではなく、バッキングプレートの方にＴ ｉ Ｎ、
Ｓ ｉ Ｃ，Ｓ ｉ Ｎ、 Ｔ ｉ Ｃを設けるように
してもよいものである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のタララドターゲットは
、クラッドターゲット材とバッキングプレートとの接触
するいずれかの面にＴｉＮ、ＳｔＣ，ＳｉＮ、Ｔｉｃ等
の厚さ０．１〜１０μｍの薄膜が設けられているので、
使用時熱伝導を損なうことがなく十分に冷却でき、また
クラッドターゲット材とバッキングプレートとが圧着す
ることがなく、使用後バッキングプレートから簡単に取
外すことができるという効果がある。
、クラッドターゲット材とバッキングプレートとの接触
するいずれかの面にＴｉＮ、ＳｔＣ，ＳｉＮ、Ｔｉｃ等
の厚さ０．１〜１０μｍの薄膜が設けられているので、
使用時熱伝導を損なうことがなく十分に冷却でき、また
クラッドターゲット材とバッキングプレートとが圧着す
ることがなく、使用後バッキングプレートから簡単に取
外すことができるという効果がある。
第１図は本発明に係るスパッタリング用クラッドターゲ
ット材を示す断面図、第２図はそのクラッドターゲット
材をバッキングプレートに取付治具を介して取付けた本
発明のターゲットを示す断面図、第３図及び第４図は従
来のターゲットを示す断面図、第５図は従来のスパッタ
リング用クラッドターゲット材を示す断面図、第６図は
そのクラッドターゲット材をバッキングプレートに取付
治具を介して取付けた状態を示す断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社
ット材を示す断面図、第２図はそのクラッドターゲット
材をバッキングプレートに取付治具を介して取付けた本
発明のターゲットを示す断面図、第３図及び第４図は従
来のターゲットを示す断面図、第５図は従来のスパッタ
リング用クラッドターゲット材を示す断面図、第６図は
そのクラッドターゲット材をバッキングプレートに取付
治具を介して取付けた状態を示す断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- Ｃｕ又はＡｇの基板にターゲット材が接合されて成る
クラッドターゲット材のＣｕはＡｇの基板側を環状の取
付治具を介してバッキングプレートに接触保持されるス
パッタリング用ターゲットに於いて、クラッドターゲッ
ト材とバッキングプレートとの接触するいずれかの面に
ＴｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＴｉＣのいずれかの厚さが０
．１〜１０μｍの薄膜が設けられていることを特徴とす
るスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25117587A JP2533573B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用タ―ゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25117587A JP2533573B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用タ―ゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196375A true JPH0196375A (ja) | 1989-04-14 |
| JP2533573B2 JP2533573B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=17218800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25117587A Expired - Lifetime JP2533573B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用タ―ゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533573B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032468A (en) * | 1988-11-25 | 1991-07-16 | Vereinigte Aluminium Werke | Composite aluminum plate and target for physical coating processes produced therefrom and methods for producing same |
| US5879524A (en) * | 1996-02-29 | 1999-03-09 | Sony Corporation | Composite backing plate for a sputtering target |
| WO2007024428A3 (en) * | 2005-08-26 | 2007-12-21 | Symmorphix Inc | Monolithic sputter target backing plate with integrated cooling passages |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP25117587A patent/JP2533573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032468A (en) * | 1988-11-25 | 1991-07-16 | Vereinigte Aluminium Werke | Composite aluminum plate and target for physical coating processes produced therefrom and methods for producing same |
| US5879524A (en) * | 1996-02-29 | 1999-03-09 | Sony Corporation | Composite backing plate for a sputtering target |
| WO2007024428A3 (en) * | 2005-08-26 | 2007-12-21 | Symmorphix Inc | Monolithic sputter target backing plate with integrated cooling passages |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2533573B2 (ja) | 1996-09-11 |
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