TW202205553A - 接合體的製造方法及絕緣電路基板的製造方法 - Google Patents

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Abstract

在將包含金屬板的複數不同材料的層積體以加壓及加熱狀態進行接合時，將依序層積第一金屬箔/碳片材或陶瓷片材/石墨片材的第一按壓構件，以第一金屬箔接觸前述層積體的第一金屬板的表面的方式配置，第一金屬箔由加熱時在第一金屬箔的接觸面不與第一板構件反應的材料形成，第一金屬箔的楊氏係數(GPa)與厚度(mm)的積為0.6以上100以下，能夠將層積體均勻加壓製造良好的接合體，能夠抑制在層積體的表面附著異物。

Description

接合體的製造方法及絕緣電路基板的製造方法
本發明，係關於製造如將電路層設為二層構造的電源模組用基板那樣，由複數不同的金屬板形成的接合體的方法，特別是關於適合將金屬板彼此藉由固相擴散接合進行接合的情形的製造方法、及使用該接合體的製造方法的絕緣電路基板的製造方法。本發明係主張2020年3月24日在日本申請的申請號2020-052827的優先權，並援用其內容。
電源模組用基板(絕緣電路基板)，一般用於在成為絕緣層的陶瓷基板的一面形成電路層，並在另一面形成用來放熱的散熱層的構造。
作為該電源模組用基板，例如專利文獻1揭示的電源模組用基板。該電源模組用基板，將由鋁或鋁合金、或者銅或銅合金形成的金屬板在陶瓷基板的兩面分別經由焊材接合，在陶瓷基板的一面形成電路層、另一面形成散熱層。在散熱層接合由鋁或鋁合金、或銅或銅合金形成的散熱板。
在該電源模組用基板中陶瓷基板與金屬板，將該等層積體藉由加壓裝置進行加壓加熱來接合。此時，層積體與加壓裝置之間，會介在層積碳層與石墨層而成的間隙物。此時，碳層配置於層積體側。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2016-63145號公報
[發明所欲解決的問題]
作為這種電源模組用基板，有將電路層設為鋁與銅的二層構造的情形。如此製造由複數不同金屬板形成的接合體，藉由專利文獻1記載的方法雖在形成於陶瓷基板的鋁層之上接合銅板形成銅層，但在鋁與銅的接合中，有進行不經由焊材而進行加壓加熱的固相擴散接合的情形。
此時，雖要求在經由焊材的接合以上均勻加壓，但在專利文獻1記載的加壓裝置中，因為與間隙物的層積體接觸之側由碳層形成，加壓時的負重賦予所致的變位少，在層積體的表面會產生微小的凹凸、或平面度大的情形等時，有無法均勻加壓，產生接合不良之虞。
再來，若接觸間隙物的層積體的表面藉由碳層形成，則該碳層與層積體一同加熱同時加壓時會產生局部脫粒，在層積體的表面會有碳層的一部分附著的情形。為了除去該異物而在接合體表面即便進行軟蝕刻處理也無法完全除去，會有無法在接合後的層積體上(電路層上)搭載半導體元件等的問題。
另一方面，為了將異物除去而施予強蝕刻處理，因為接合後的層積體的表面會皸裂，此時也無法在電路層上搭載半導體元件等。
本發明鑑於該種情事而完成，將複數不同的金屬板的層積體以加壓及加熱狀態進行接合時，將層積體均勻加壓製造良好的接合體，並抑制了在層積體的表面附著異物。又，目的為使用該製造方法製造絕緣電路基板。 [解決問題的手段]
本發明的接合體的製造方法，係加壓第一板構件與第二板構件的層積體同時進行加熱製造接合體，其中，前述第一板構件包含第一金屬板；將依序層積第一金屬箔/碳片材或陶瓷片材/石墨片材的第一按壓構件，以前述第一金屬箔接觸前述第一金屬板的表面的方式配置，前述第一金屬箔由加熱時在前述第一金屬箔的接觸面不與前述第一板構件反應的材料形成，前述第一金屬箔的楊氏係數(GPa)與厚度(mm)的積為0.6以上100以下。
此外，本發明中的楊氏係數與厚度為在25℃的值。
藉由使用由加熱時不與層積體的第一金屬板的表面反應的材料形成的第一金屬箔，在經由該第一金屬箔將層積體加壓及加熱時，能夠抑制碳片材或陶瓷片材的一部分附著於層積體(第一金屬板)的表面。
又，第一金屬箔因其延性會以吸收由層積體表面的微小凹凸及平面度引起的間隙的方式變形，能夠對層積體賦予均勻荷重製造全面均等接合的接合體。再來，因為在硬的碳片材或陶瓷片材的背面配置軟的石墨片材，能夠更加提升第一金屬箔向層積體的表面形狀的追隨性，能夠提升接合性。
藉由將第一金屬箔的楊氏係數(GPa)與厚度(mm)的積設為0.6以上100以下，因為在按壓時能夠以追隨層積體表面形狀的方式局部彎曲按壓層積體的表面全體，能夠將板構件彼此高精度接合。
而且，在加壓時不會有在第一金屬箔產生破裂、或金屬箔的一部分剝離附著於層積體的疑虞，能夠抑制碳片材或陶瓷片材的破損並製造不良品少的高品質的接合體。
此外，若楊氏係數(GPa)與厚度(mm)的積超過100，則向第一金屬箔的層積體表面形狀的追隨性差，產生接合不良。若0.6未滿，則金屬箔會破裂，碳或陶瓷會附著於層積體表面。
本發明中，將依序層積第二金屬箔/碳片材或陶瓷片材/石墨片材的第二按壓構件，以前述第二金屬箔接觸前述第二板構件的表面的方式配置；前述第二金屬箔，由加熱時在前述第二金屬箔的接觸面不與前述第二板構件反應的材料形成；前述第二金屬箔的楊氏係數(GPa)與厚度(mm)的積為0.6以上100以下也可以。
藉由在層積體的兩面設置由加熱時不與層積體的表面反應的材料形成的金屬箔，能夠確實抑制碳片材或陶瓷片材的一部分附著於層積體的表面。
本發明中，前述第一板構件或前述第二板構件之中，一者由銅或銅合金形成，另一者由鋁或鋁合金形成也可以。
鋁與銅一般進行固相擴散接合，但本發明在以這種固相進行接合的情形特別有效。
此外，本發明未排除使用焊材的液相接合。例如，第一板構件由金屬板形成，第二板構件由陶瓷基板形成，將該等使用焊材接合的情形也能夠適用。
本發明的絕緣電路基板的製造方法，為使用上述接合體的製造方法的絕緣電路基板的製造方法，其中，前述第一板構件，包含由銅或銅合金形成的第一金屬板；前述第二板構件，包含陶瓷基板、及接合至前述陶瓷基板的一面的由鋁或鋁合金形成的第二金屬板；在接合至前述陶瓷基板的前述第二金屬板層積前述第一金屬板形成前述層積體，以在前述第一金屬板使前述第一金屬箔接觸的狀態下將前述第一金屬板與前述第二金屬板進行固相擴散接合。
本發明的絕緣電路基板的製造方法，為使用上述接合體的製造方法的絕緣電路基板的製造方法，其中，前述第一板構件，層積由銅或銅合金形成的第一金屬板、及在碳化矽的多孔體含浸以鋁為主成份的金屬而成的AlSiC複合材；前述第二板構件，包含陶瓷基板、接合至前述陶瓷基板的兩面的由鋁或鋁合金形成的第二金屬板、及層積至一前述第二金屬板的前述第一金屬板；使前述第二板構件的另一前述第二金屬板與前述第一板構件的前述第一金屬板接觸層積前述第一板構件與前述第二板構件形成前述層積體；在使前述第一按壓構件的前述第一金屬箔接觸前述層積體的前述AlSiC複合材，且使前述第二按壓構件的前述第二金屬箔接觸前述第二板構件的前述第一金屬板的表面的狀態下，將前述第一金屬板與前述第二金屬板、及前述第一金屬板與前述AlSiC複合材同時進行固相擴散接合。 [發明的效果]
根據本發明的接合體的製造方法，將複數不同的板構件的層積體以加熱狀態加壓進行接合時，能夠將層積體均勻加壓製造良好的接合體，並抑制在層積體的表面附著異物。
以下，參照圖式說明本發明的實施形態。
該實施形態為作為絕緣電路基板(接合體)之例的電源模組用基板1。該電源模組用基板1，如圖1所示，具備陶瓷基板10、接合至該陶瓷基板10的一面的電路層20、接合至陶瓷基板10的另一面的散熱層30。
陶瓷基板10，例如能夠使用AlN(氮化鋁)、Si3 N4 (氮化矽)等氮化物系陶瓷、或者Al2 O3 (氧化鋁)等氧化物系陶瓷。又，陶瓷基板10的厚度設為0.2mm以上1.5mm以下。
電路層20及散熱層30設為分別由鋁或鋁合金形成的第二金屬層41、及由銅或銅合金形成的第一金屬層42的二層構造。換言之，在電源模組用基板1中，在陶瓷基板10的兩面形成第二金屬層41，在該第二金屬層41之上形成第一金屬層42。
第二金屬層41，能夠使用純度99質量%以上的純鋁(例如，JIS規格中1000號段的純鋁，特別是1N90(純度99.9質量%以上：所謂的3N鋁)、或1N99(純度99.99質量%以上：所謂的4N鋁)、及A6063系等的鋁合金等。為了緩衝第一金屬層42與陶瓷基板10的熱伸縮差，作為第二金屬層41使用純鋁較佳。
第一金屬層42例如適用純度99.96質量%以上的銅(無氧銅)及純度99.90質量%以上的銅(精煉銅)。
該等第二金屬層41及第一金屬層42的厚度雖沒有限定，例如，第二金屬層41設為0.1mm以上2.0mm以下、第一金屬層42設為0.2mm以上5.0mm以下。在電路層20與散熱層30使用相同厚度的第二金屬層41與第一金屬層42也可以、不同厚度的組合也可以。圖示例中，在電路層20與散熱層30不區分，作為第二金屬層41、第一金屬層42，附加相同符號。
說明關於這樣構成的電源模組用基板1的製造方法。
首先，如圖2所示，在陶瓷基板10的兩面將由鋁或鋁合金形成的第二金屬板41a經由焊材50層積，將該層積體進行加壓加熱，將陶瓷基板10與第二金屬板41a接合，在陶瓷基板10的兩面形成第二金屬層41(第一接合工程)。
接著，如圖3所示，在該第二金屬層41之上層積由銅或銅合金形成的第一金屬板42a，將該層積體進行加壓加熱，將鋁與銅進行固相擴散接合，在第二金屬層41之上形成第一金屬層42(第二接合工程)。
第一接合工程中，第二金屬板41a相當於本發明的第一板構件，陶瓷基板10相當於本發明的第二板構件。另一方面，在第二接合工程中，第一金屬板42a相當於本發明的第一板構件，陶瓷基板10與接合至前述陶瓷基板10的一面的第二金屬板41a(第二金屬層41)相當於本發明的第二板構件。
在該製造方法中，為了將第一接合工程中的層積體及第二接合工程中的層積體加壓，使用圖4所示的加壓裝置110。以下，不區別第一接合工程中的層積體(由陶瓷基板10與兩第二金屬板41a形成的層積體)及第二接合工程中的層積體(由形成兩第二金屬層41的陶瓷基板10、與第一金屬板42a形成的層積體)，作為層積體S說明。
加壓裝置110，具備基底板111、垂直於基底板111上面的四角安裝的導柱112、固定於該等導柱112的上端部的固定板113、在該等基底板111與固定板113之間以上下移動自如的方式支持於導柱112的按壓板114、設於固定板113與按壓板114之間將按壓板114向下方彈壓的彈簧等的彈壓部115。
固定板113及按壓板114相對於基底板111平行配置，在基底板111與按壓板114之間配設層積體S。
在基底板111及按壓板114，與層積體S接觸之側，配設用來使加壓均勻的間隙物60。
各間隙物60，相當於本發明的第一按壓構件及第二按壓構件，如圖5所示，依序層積石墨片材61與碳片材62與金屬箔(第一金屬箔或第二金屬箔)63。
石墨片材61，藉由具有緩衝性的軟質石墨材料，鱗片狀的石墨薄膜如同雲母那樣層積複數片，將天然石墨進行酸處理後成形成片狀並進行滾輪壓延而成。該石墨片材61，總體密度為0.5Mg/m3 以上1.3Mg/m3 以下且為軟質。例如能夠使用旭石墨股份公司製T-5(熱傳導率：75.4W/mK、彈性率：11.4GPa)、及東洋炭素工業股份公司製石墨片材PF(壓縮率47%、復原率14%)等。
碳片材62，藉由具有耐熱性的硬質碳材料形成平板狀，以3000℃左右的高溫進行燒結。碳片材62，構成總體密度為1.6Mg/m3 以上1.9Mg/m3 以下的比較硬質且平滑的平面。例如能夠使用旭石墨股份公司製G-347(熱傳導率：116W/mK、彈性率：10.8GPa)。
金屬箔63相當於本發明的第一金屬箔及第二金屬箔，由加熱時不與層積體S的表面反應的材料形成。配置於層積體S的兩面的第一金屬板42a由銅或銅合金形成時，將金屬箔63作為銅或銅合金、或者不銹鋼較佳。此外，不反應的材料，表示從接合溫度冷卻至常溫時不會剝落，且不形成金屬箔與層積體表面的金屬間化合物的材料。
該間隙物60的厚度沒有特別限定，但例如，石墨片材61設為0.5mm以上5.0mm以下、碳片材62設為0.5mm以上2.0mm以下、金屬箔63設為0.005mm以上0.15mm以下。
金屬箔63，如同前述若是由層積體S的表面(此時為銅)與加熱時不反應的材料則能夠選擇適宜的金屬，楊氏係數(GPa)與厚度(mm)的積設定成為0.6以上100以下。因為該積若未滿0.6，則金屬箔63會破裂，在層積體S的表面會附著碳，若超過100，會損害向層積體S的表面形狀的追隨性，產生接合不良。
此外，楊氏係數(GPa)及厚度為在常溫(25℃)的值。
此外，本實施形態中雖使用碳片材62，但不限於此，若是硬質且加熱時不變形者即可，例如，也可以使用陶瓷片材等。陶瓷片材，例如，為將氮化鋁、氮化矽、氧化鋁等各種陶瓷作為片狀的燒結體。具體上，例如，有MARUWA社製Al2 O3 陶瓷燒結體片材。使用陶瓷片材時的厚度能夠設為0.3mm以上2.0mm以下。
以下，依序說明使用該加壓裝置110的第一接合工程、第二接合工程。
(第一接合工程) 如圖2所示，在陶瓷基板10的兩面，分別經由焊材50，將由鋁或鋁合金形成的第二金屬板41a層積形成層積體S。作為焊材50，使用Al-Si系、Al-Ge系、Al-Cu系、Al-Mg系或Al-Mn系等合金。
將層積體S使用如圖4所示的加壓裝置110在層積方向加壓，每個加壓裝置110在真空氛圍下加熱，將第二金屬板41a接合至陶瓷基板10，在陶瓷基板10的兩面形成第二金屬層41。此時，因為層積體S的表面是鋁或鋁合金，於金屬箔63使用鋁或鋁合金箔、或者不銹鋼箔。
作為此時的加壓力，例如設為0.1MPa以上3.4MPa以下、作為接合溫度設為600℃以上655℃以下、作為加熱時間設為15分以上120分以下。
(第二接合工程) 如圖3所示，在陶瓷基板10的兩面成的第二金屬層41之上，分別層積由銅或銅合金形成的第一金屬板42a形成層積體S。
在將層積體S使用如圖4所示的加壓裝置110在層積方向加壓的狀態下，每個加壓裝置110在真空氛圍下加熱，對第二金屬層41將第一金屬板42a分別進行固相擴散接合，在第二金屬層41之上形成第一金屬層42。此時，因為層積體S的表面是銅或銅合金，於金屬箔63使用銅或銅合金箔、或者不銹鋼箔。
作為不銹鋼箔，例如，使用SUS304的箔材。又，也能夠使用鈦或鎳的箔材。此時，使用純度99%以上的鈦或鎳的箔材較佳。
作為此時的加壓力例如設為0.3MPa以上3.5MPa以下、作為加熱溫度設為400℃以上548℃未滿。將該加壓及加熱狀態保持5分以上240分以下，將第二金屬層41與第一金屬板42a進行固相擴散接合，在第二金屬層41之上形成第一金屬層42。
如同前述，在該實施形態的加壓裝置110中，在第二金屬層41之上將第一金屬板42a作為層積狀態的層積體S與基底板111及按壓板114之間使間隙物60介在，在與該間隙物60的層積體S的接觸面側配置金屬箔63。
該金屬箔63因為是延性材料，在層積體S的表面產生凹凸的情形及該平面度低的情形中，金屬箔63也會追隨該表面形狀變形。而且，因為金屬箔63的楊氏係數(GPa)與厚度(mm)的積設定成0.6以上100以下，如同前述變形能佳。
因此，能夠對層積體S的全面賦予均勻的加壓力，將全面均等接合。又，因為非碳片材那種脆性材料，不會因加壓破損，且因為是也不會與設於層積體S表面的第一金屬板42a反應的材料，也不會附著於第一金屬板42a。
根據以上，藉由使用設置該間隙物60的加壓裝置110，能夠製造無接合不良的高品質的電源模組用基板(絕緣電路基板)1。
本發明並不一定限於上述實施形態的構造者，在不脫離本發明要旨的範圍之內，可以加入各種改變。
例如，本發明的製造方法，能夠適用於在瓷基板的一面形成由鋁層與銅層的二層構造形成的電路層的情形，在陶瓷基板的另一面如同實施形態那樣不具有二層構造的散熱層也可以。此時，接觸陶瓷基板10的間隙物不具備金屬箔63也可以。
上述實施形態中，層積體的表面雖作為由銅或銅合金形成者，但作為由鋁或鋁合金形成者也可以，該情形中，將間隙物的金屬箔設為鋁或鋁合金、或者不銹鋼較佳。
本發明的製造方法，不只是由銅或銅合金形成的金屬板與由鋁或鋁合金形成的金屬板的接合，適用於AlSiC複合材與銅或銅合金的接合也可以。
AlSiC複合材，為在由碳化矽(SiC)形成的多孔體將以鋁(Al：純鋁或鋁合金)為主成份的金屬含浸形成的鋁與碳化矽的複合體，在多孔體的表面形成鋁的被覆層。
使用該AlSiC複合材的情形，如圖8所示，在陶瓷基板10的兩面形成的各第二金屬層41之上，分別層積由銅或銅合金形成的第一金屬板42a，在一第一金屬板42a層積板狀的AlSiC複合材70，形成層積體。
對該層積體，在使間隙物(第一按壓材)60的金屬箔(第一金屬箔)63接觸AlSiC複合材70的表面，並使間隙物(第二按壓材)60的金屬箔(第二金屬箔)63接觸第一金屬板42a的表面的狀態下，且將層積體在層積方向加壓的狀態下，藉由在真空氛圍下進行加熱，能夠將各第二金屬層41與第一金屬板42a、還有第一金屬板42a與AlSiC複合材70分別同時進行固相擴散接合。
此時，藉由前述實施形態所述的方法在陶瓷基板分別形成第一金屬層、由第二金屬層形成的電路層及散熱層，能夠作為在該散熱層的第一金屬將AlSiC複合材作為散熱片接合的絕緣電路基板。
亦即，先在陶瓷基板的兩面形成第二金屬層(藉由第一接合工程)，在各第二金屬層分別層積各第一金屬板，再於一第一金屬板層積AlSiC複合材，將該等層積體加壓加熱進行固相擴散接合(第二接合工程)即可。
另外，本發明不限於電源模組用基板的電路層及散熱層，也能夠適用於能夠以液相及固相接合的金屬的組合者，特別在能夠以固相接合的金屬的組合者有效。又，本發明也能夠適用於金屬板與金屬板以外的板構件(例如，陶瓷基板)的接合。 [實施例]
為了確認本發明的效果實施評價試驗。在該試驗中，將由鋁或鋁合金形成的第二金屬板、與由銅或銅合金形成的第一金屬板層積接合。作為第二金屬板使用鋁合金(A6063)，作為第一金屬板使用純銅(C1020)。將接於間隙物之側的金屬板作為被著材。
間隙物，作為石墨片材、碳片材或陶瓷片材、金屬箔的層積構造體。於金屬箔，作為不銹鋼(SUS)使用SUS304、作為銅(Cu)使用C1020、作為鋁(Al)使用A6063的任一者。該等楊氏係數及厚度分別如表1所示(常溫(25℃)中的數值)。
也試驗使用由石墨片材(東洋炭素股份公司製PF-100)及碳片材(旭石墨股份公司製G-347)、陶瓷片材(MARUWA社製Al2 O3 陶瓷燒結體片材)形成的間隙物者。
將兩金屬板的層積體以加壓力1.0MPa、溫度500℃、保持時間30分進行加壓加熱，評價關於間隙物的密著性、接合性(追隨性)、及向表面的脫粒(異物的附著性)。
(間隙物的密著性的評價) 關於間隙物的密著性，在接合後冷卻至常溫，從層積體能夠以人力將金屬箔剝離，且將金屬箔與層積體表面的剖面進行SEM觀察，將在金屬箔與層積體表面未生成金屬間化合物的情形評價成「A」、將除此之外的情形評價成「B」。
(接合性的評價) 接合性，使用超音波探傷裝置(日立電力解決方案公司製FINESAT)，觀察兩金屬層的界面，測定被接合面積，從在接合前應接合的面積(金屬層的面積)將接合率進行分度，將接合率為95%以上評價成「A」、95%未滿評價成「B」。
(向表面的脫粒的評價) 接合後將間隙物從被著材剝除，將2～3μm的軟蝕刻後的被著材的表面以SEM-EDX觀察時，將在加壓面積無附著碳成份或陶瓷成份的情形作為「A」、在被著材殘留金屬箔的一部分的情形作為「B」。
軟蝕刻，若被著材的材質是Al則使用氫氧化鈉水溶液(濃度5質量%)，設為50℃，2分的條件。若被著材是Cu則使用ADEKA製CL-8(稀釋率20體積%)，設為常溫(25℃)，2分的條件。
Figure 02_image001
Figure 02_image003
如表1、2所示，將不與被著材反應的金屬箔用於間隙物的表面，在金屬箔的楊氏係數×厚度的積為0.6以上100以下的試料No.8～20中，得知沒有與被著材的黏接。具體上，從圖6所示的試料No.8的SEM影像，得知在被著材表面沒有附著異物。另一方面，在試料No.1中，從圖7所示的SEM影像，得知在被著材的表面附著異物。
試料No.4及6中，因為金屬箔的楊氏係數×厚度的積過大，產生接合不良。試料No.3及5中，因為金屬箔的楊氏係數×厚度的積過小，金屬箔破裂，從該處觀察到異物。
試料No.7中，在Cu/Al剖面SEM觀察確認到金屬間化合物，產生間隙物與被著材密著的不良。 [產業上的利用性]
將複數不同的板構件的層積體以加熱狀態進行加壓接合時，能夠將層積體賦予均勻的加壓力製造良好的接合體，並抑制在層積體的表面附著異物。
1:電源模組用基板(接合體)(絕緣電路基板) 10:陶瓷基板(第二板構件) 20:電路層 30:散熱層 41:第二金屬層(第二板構件) 41a:第二金屬板(第一板構件/第二板構件) 42:第一金屬層 42a:第一金屬板(第一板構件) 50:焊材 60:間隙物(第一按壓構件及第二按壓構件) 61:石墨片材 62:碳片材 63:金屬箔(第一金屬箔及第二金屬箔) 70:AlSiC複合材 110:加壓裝置
[圖1]作為本發明的接合體(絕緣電路基板)的實施形態表示電源模組用基板的剖面圖。 [圖2]表示圖1的電源模組用基板的製造工程的剖面圖(其1)。 [圖3]表示圖1的電源模組用基板的製造工程的剖面圖(其2)。 [圖4]用於圖2及圖3的製造方法的加壓裝置的正視圖。 [圖5]在圖4的加壓裝置使用的間隙物的剖面圖。 [圖6]實施例中的試料No.2的電路層表面的SEM影像。 [圖7]實施例中的試料No.1的電路層表面的SEM影像。 [圖8]表示別的電源模組用基板的製造工程的剖面圖。
10:陶瓷基板(第二板構件)
41:第二金屬層(第二板構件)
42a:第一金屬板(第一板構件)

Claims (5)

  1. 一種接合體的製造方法，係加壓第一板構件與第二板構件的層積體同時進行加熱製造接合體，其中， 前述第一板構件包含第一金屬板； 將依序層積第一金屬箔/碳片材或陶瓷片材/石墨片材的第一按壓構件，以前述第一金屬箔接觸前述第一板金屬板的表面的方式配置； 前述第一金屬箔，由加熱時在前述第一金屬箔的接觸面不與前述第一板構件反應的材料形成； 前述第一金屬箔的楊氏係數(GPa)與厚度(mm)的積為0.6以上100以下。
  2. 如請求項1記載的接合體的製造方法，其中，將依序層積第二金屬箔/碳片材或陶瓷片材/石墨片材的第二按壓構件，以前述第二金屬箔接觸前述第二板構件的表面的方式配置； 前述第二金屬箔，由加熱時在前述第二金屬箔的接觸面不與前述第二板構件反應的材料形成； 前述第二金屬箔的楊氏係數(GPa)與厚度(mm)的積為0.6以上100以下。
  3. 如請求項1或2記載的接合體的製造方法，其中，前述第一板構件或前述第二板構件之中，一者由銅或銅合金形成，另一者由鋁或鋁合金形成。
  4. 一種絕緣電路基板的製造方法，係使用如請求項1至3中任一項記載的接合體的製造方法，其中， 前述第一板構件，包含由銅或銅合金形成的第一金屬板； 前述第二板構件，包含陶瓷基板、及接合至前述陶瓷基板的一面的由鋁或鋁合金形成的第二金屬板； 在接合至前述陶瓷基板的前述第二金屬板層積前述第一金屬板形成前述層積體，以在前述第一金屬板使前述第一金屬箔接觸的狀態下將前述第一金屬板與前述第二金屬板進行固相擴散接合。
  5. 一種絕緣電路基板的製造方法，係使用如請求項2記載的接合體的製造方法，其中， 前述第一板構件，層積由銅或銅合金形成的第一金屬板、及在碳化矽的多孔體含浸以鋁為主成份的金屬而成的AlSiC複合材； 前述第二板構件，包含陶瓷基板、接合至前述陶瓷基板的兩面的由鋁或鋁合金形成的第二金屬板、及層積至一前述第二金屬板的前述第一金屬板； 使前述第二板構件的另一前述第二金屬板與前述第一板構件的前述第一金屬板接觸層積前述第一板構件與前述第二板構件形成前述層積體； 在使前述第一按壓構件的前述第一金屬箔接觸前述AlSiC複合材，且使前述第二按壓構件的前述第二金屬箔接觸前述第二板構件的前述第一金屬板的表面的狀態下，將前述第一金屬板與前述第二金屬板、及前述第一金屬板與前述AlSiC複合材同時進行固相擴散接合。
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