JPH0196376A - スパッタリング用クラッドターゲット材 - Google Patents
スパッタリング用クラッドターゲット材Info
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- JPH0196376A JPH0196376A JP25117787A JP25117787A JPH0196376A JP H0196376 A JPH0196376 A JP H0196376A JP 25117787 A JP25117787 A JP 25117787A JP 25117787 A JP25117787 A JP 25117787A JP H0196376 A JPH0196376 A JP H0196376A
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 15
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各工業分野において薄膜形成技術として、と
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタ法に用
いるタララドターゲット材の改良に関する。
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタ法に用
いるタララドターゲット材の改良に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来のスパッタリング用ターゲット材は、バッキングプ
レートにメタルボンディング材にて接合して使用してい
る。しかしこの使用法ではターゲット材をバッキングプ
レートから取外して交換することはむずかしいので、バ
ッキングプレート諸共即ちターゲットを取外すことにな
り、その交換に時間がかかったり、ターゲット材の交換
時にバッキングプレート側を冷却しているターゲット材
冷却水の配管を取外す部分からスパッタリング装置の真
空槽への汚染が生じないようにする配慮が必要など段取
作業が甚だ面倒であった。
レートにメタルボンディング材にて接合して使用してい
る。しかしこの使用法ではターゲット材をバッキングプ
レートから取外して交換することはむずかしいので、バ
ッキングプレート諸共即ちターゲットを取外すことにな
り、その交換に時間がかかったり、ターゲット材の交換
時にバッキングプレート側を冷却しているターゲット材
冷却水の配管を取外す部分からスパッタリング装置の真
空槽への汚染が生じないようにする配慮が必要など段取
作業が甚だ面倒であった。
そこで、ターゲット材をメタルボンディング材でバッキ
ングプレートに接合するのをやめて、第１図に示す如く
ターゲット材１を環状の取付治具２を介してバッキング
プレート３に直に接触保持することが考えられている。
ングプレートに接合するのをやめて、第１図に示す如く
ターゲット材１を環状の取付治具２を介してバッキング
プレート３に直に接触保持することが考えられている。
この場合バンキングプレート３でのターゲット材Ｉの冷
却効果を上げる為、第２図に示す如くターゲット材１の
バッキングプレート３と接触する側に熱伝導度の良好な
高純度のＣｕ基板４をメタルボンディング材５にて接合
してクラッドターゲット材６とし、これのＣｕ基板４を
第３図に示す如くバッキングプレート３に環状の取付金
具２にて密着することが行われる。しかしＣｕ製のバッ
キングプレートの場合、使用中にバッキングプレート３
とクラッドターゲット材６のＣｕ基板４とが圧着状態と
なり、使用後バッキングプレート３から取外すことが困
難になるという問題点があった。
却効果を上げる為、第２図に示す如くターゲット材１の
バッキングプレート３と接触する側に熱伝導度の良好な
高純度のＣｕ基板４をメタルボンディング材５にて接合
してクラッドターゲット材６とし、これのＣｕ基板４を
第３図に示す如くバッキングプレート３に環状の取付金
具２にて密着することが行われる。しかしＣｕ製のバッ
キングプレートの場合、使用中にバッキングプレート３
とクラッドターゲット材６のＣｕ基板４とが圧着状態と
なり、使用後バッキングプレート３から取外すことが困
難になるという問題点があった。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、使
用中にＣｕ基板がバッキングプレートに熱圧着されるこ
とがなく、使用後バッキングプレートから簡単に取外す
ことのできるスパッタリング用クラッドターゲット材を
提供することを目的とするものである。
用中にＣｕ基板がバッキングプレートに熱圧着されるこ
とがなく、使用後バッキングプレートから簡単に取外す
ことのできるスパッタリング用クラッドターゲット材を
提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、ク
ラッドターゲット材のＣｕ基板の高純度品位を損なうこ
となく、即ち基板のＣｕの純度を９９．７％以上とし、
且つＣｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ。
ラッドターゲット材のＣｕ基板の高純度品位を損なうこ
となく、即ち基板のＣｕの純度を９９．７％以上とし、
且つＣｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ。
Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｓ ｉ、、 Ｚｒ、Ｂ ｔＳ Ｇａ
、Ｇｅ。
、Ｇｅ。
Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、 Ｉｒ、Ｏｓ、Ａｕ。
Ａｇ、の少なくとも１種以上合計で１００〜３，０００
重量ｐｐｍ添加したことを特徴とするものである。
重量ｐｐｍ添加したことを特徴とするものである。
（作用）
上記のように構成されたスパッタリング用クラッドター
ゲット材は、Ｃｕ基板の純度を９９．７％以上としてい
るので、良好な熱伝導性によりバッキングプレート側か
らの冷却効果が十分である。またＣｕ基板に前述の金属
の少なくとも１種以上合計で１００〜３，０００重ｆｆ
ｉｐｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散が抑制されると
共に再結晶温度が高くなって、使用中にバッキングプレ
ートと熱圧着されることがなくなる。
ゲット材は、Ｃｕ基板の純度を９９．７％以上としてい
るので、良好な熱伝導性によりバッキングプレート側か
らの冷却効果が十分である。またＣｕ基板に前述の金属
の少なくとも１種以上合計で１００〜３，０００重ｆｆ
ｉｐｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散が抑制されると
共に再結晶温度が高くなって、使用中にバッキングプレ
ートと熱圧着されることがなくなる。
前述の金属の添加量を、少なくとも１種以上合計で１０
０〜３，０００重ｆｆｉｐｐｍとした理由は、１００重
量ｐｐｍ未満ではバッキングプレートとの熱圧着を防止
することができず、３，０００重ｌｐｐｍを超えると、
熱伝導性が悪くなり、冷却効果が低下するからである。
０〜３，０００重ｆｆｉｐｐｍとした理由は、１００重
量ｐｐｍ未満ではバッキングプレートとの熱圧着を防止
することができず、３，０００重ｌｐｐｍを超えると、
熱伝導性が悪くなり、冷却効果が低下するからである。
（実施例）
本発明のスパッタリング用ターゲット材の実施例を従来
例と共に説明する。
例と共に説明する。
下記の表の左欄に示す成分組成の材料より成る直径１５
２．０ｍｍ、厚さ４．０Ｍの第２図に示されるＣｕ基板
４に、直径１５２．０ｍｍ、厚さ１ 、０ ｍｍのＩｒ
より成るターゲット材１を、Ｉｎのメタルボンディング
材５にて接合して、スパッタリング用クラッドターゲッ
ト材６を得た。
２．０ｍｍ、厚さ４．０Ｍの第２図に示されるＣｕ基板
４に、直径１５２．０ｍｍ、厚さ１ 、０ ｍｍのＩｒ
より成るターゲット材１を、Ｉｎのメタルボンディング
材５にて接合して、スパッタリング用クラッドターゲッ
ト材６を得た。
これらターゲット材６を各１０個、第３図に示す如（Ｓ
ＵＳ３０４より成る断面「型で外径１７０．０胴、上端
内径１５３．０ｍｍ、下端内径１４９．０ｍｍ、厚さ６
．０鴫の環状の取付治具２にてＣｕより成るバッキング
プレート３に押え、周方向の８ケ所をねじにて締付けて
夫々タララドターゲラ１材６をバッキングプレート３に
密着し、図示せぬスパッタリング装置の真空槽内の陰極
にセットし、ＤＣＩＫＷでスパッタリングを３時間行っ
て、陽極上の基板にＩｒ膜を形成した。このスパッタリ
ングにおいて、クラッドターゲット材６のバッキングプ
レート３との圧着の有無を調べた処、下記の表の右欄に
示すような結果を得た。
ＵＳ３０４より成る断面「型で外径１７０．０胴、上端
内径１５３．０ｍｍ、下端内径１４９．０ｍｍ、厚さ６
．０鴫の環状の取付治具２にてＣｕより成るバッキング
プレート３に押え、周方向の８ケ所をねじにて締付けて
夫々タララドターゲラ１材６をバッキングプレート３に
密着し、図示せぬスパッタリング装置の真空槽内の陰極
にセットし、ＤＣＩＫＷでスパッタリングを３時間行っ
て、陽極上の基板にＩｒ膜を形成した。このスパッタリ
ングにおいて、クラッドターゲット材６のバッキングプ
レート３との圧着の有無を調べた処、下記の表の右欄に
示すような結果を得た。
（以下余白）
上記の表で明らかなように従来例１．２のクラッドター
ゲット材６は、バッキングプレート３と圧着したものが
夫々１０台のスパッタリング装置中９台と、７台のスパ
ッタリング装置で発見され、その圧着したクラッドター
ゲット材６は、バッキングプレート３から取外すことが
できず、バッキングプレート３諸共取外して交換せざる
を得なかった。一方、実施例のクラッドターゲット材６
はバッキングプレート３と圧着するものが皆無であった
。これはひとえにクラッドターゲット材６のＣｕ基板４
へＳｎ、Ｉ ｎ、Ｃｄ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ
５Ｗ、■、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐｔ、Ｐｄ
、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉ ｒ。
ゲット材６は、バッキングプレート３と圧着したものが
夫々１０台のスパッタリング装置中９台と、７台のスパ
ッタリング装置で発見され、その圧着したクラッドター
ゲット材６は、バッキングプレート３から取外すことが
できず、バッキングプレート３諸共取外して交換せざる
を得なかった。一方、実施例のクラッドターゲット材６
はバッキングプレート３と圧着するものが皆無であった
。これはひとえにクラッドターゲット材６のＣｕ基板４
へＳｎ、Ｉ ｎ、Ｃｄ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ
５Ｗ、■、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐｔ、Ｐｄ
、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉ ｒ。
Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ等の少なくとも１種以上を合計で１０
０〜３．０００重量ｐｐｍ添加している為、Ｃｕ基板４
のバッキングプレー１・３との熱圧着が防止されるから
に他ならない。
０〜３．０００重量ｐｐｍ添加している為、Ｃｕ基板４
のバッキングプレー１・３との熱圧着が防止されるから
に他ならない。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のスパッタリング用クラ
ッドターゲット材は、Ｃｕ基板の純度を９９．７％以上
としているので、熱伝導性が良好で、バッキングプレー
ト側からの冷却が効率良く行われる。
ッドターゲット材は、Ｃｕ基板の純度を９９．７％以上
としているので、熱伝導性が良好で、バッキングプレー
ト側からの冷却が効率良く行われる。
またＣｕ基板にＳｎ、Ｉｎ、Ｃｄ５Ｍｎ５Ｆｅ。
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ５Ｗ、■、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｇａ、
Ｇｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉ ｒ。
Ｇｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉ ｒ。
Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ等の少なくとも１種以上を合計で１０
０〜３，０００重ｆｆｉｐｐｍ添加しているので、Ｃｕ
の拡散が抑制されると共に再結晶温度が高（なって、使
用中にバッキングプレートと熱圧着されることがなく、
使用後バッキングプレートから簡単に取外すことができ
るという効果がある。
０〜３，０００重ｆｆｉｐｐｍ添加しているので、Ｃｕ
の拡散が抑制されると共に再結晶温度が高（なって、使
用中にバッキングプレートと熱圧着されることがなく、
使用後バッキングプレートから簡単に取外すことができ
るという効果がある。
第１図は従来のスパッタリング用ターゲ・ント材をバッ
キングプレートに取付けた状態を示す断面図、第２図は
スパッタリング用クラッドターゲット材を示す断面図、
第３図は第２図のクラッドターゲット材をバンキングプ
レートに取付けた状態を示す断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第１図 第３図
キングプレートに取付けた状態を示す断面図、第２図は
スパッタリング用クラッドターゲット材を示す断面図、
第３図は第２図のクラッドターゲット材をバンキングプ
レートに取付けた状態を示す断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第１図 第３図
Claims (1)
- Ｃｕの基板にターゲット材が接合されて成るスパッタ
リング用クラッドターゲット材に於いて、基板のＣｕの
純度が９９．７％以上で且つＣｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｏｓの少
なくとも１種以上合計で１００〜３，０００重量ｐｐｍ
添加されていることを特徴とするスパッタリング用クラ
ッドターゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25117787A JPH0196376A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用クラッドターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25117787A JPH0196376A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用クラッドターゲット材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196376A true JPH0196376A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17218828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25117787A Pending JPH0196376A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用クラッドターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196376A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331234B1 (en) | 1999-06-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
| US6758920B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-07-06 | Honeywell International Inc. | Conductive integrated circuit metal alloy interconnections, electroplating anodes; metal alloys for use as a conductive interconnection in an integrated circuit; and physical vapor deposition targets |
| US6849139B2 (en) | 1999-06-02 | 2005-02-01 | Honeywell International Inc. | Methods of forming copper-containing sputtering targets |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP25117787A patent/JPH0196376A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331234B1 (en) | 1999-06-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
| US6645427B1 (en) | 1999-06-02 | 2003-11-11 | Honeywell International Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
| US6849139B2 (en) | 1999-06-02 | 2005-02-01 | Honeywell International Inc. | Methods of forming copper-containing sputtering targets |
| US6758920B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-07-06 | Honeywell International Inc. | Conductive integrated circuit metal alloy interconnections, electroplating anodes; metal alloys for use as a conductive interconnection in an integrated circuit; and physical vapor deposition targets |
| US6858102B1 (en) | 2000-11-15 | 2005-02-22 | Honeywell International Inc. | Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets |
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