JPH10158829A - スパッタリングターゲット組立体の製造方法 - Google Patents

スパッタリングターゲット組立体の製造方法

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JPH10158829A
JPH10158829A JP8324263A JP32426396A JPH10158829A JP H10158829 A JPH10158829 A JP H10158829A JP 8324263 A JP8324263 A JP 8324263A JP 32426396 A JP32426396 A JP 32426396A JP H10158829 A JPH10158829 A JP H10158829A
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JP
Japan
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backing plate
target material
sputtering
bonding
phase diffusion
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JP8324263A
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English (en)
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Hitoshi Shimomukai
仁 下向
Fumio Sasaki
文生 佐々木
Eiichi Shimizu
栄一 清水
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スパッタリングに使用されるターゲット材
と、バッキングプレートとが接合されてなるスパッタリ
ングターゲット組立体として、高温下でも高い密着力と
高い接合強度が得られ、しかも十分な引っ張り強度を備
えたスパッタリングターゲット組立体を製造することが
可能な方法を提供する。 【解決手段】 スパッタリングに使用されるターゲット
材２と、バッキングプレート３とが接合されてなるスパ
ッタリングターゲット組立体１を製造する際に、ターゲ
ット材２及びバッキングプレート３の接合面を算術平均
粗さＲａが０．０１〜１．０μｍとなるように平坦化し
た上で、ターゲット材２とバッキングプレート３とを固
相拡散接合により接合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングに
使用されるターゲット材と、バッキングプレートとが接
合されてなるスパッタリングターゲット組立体の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリングターゲットは、スパッタ
リングにより各種半導体デバイスの電極、配線、素子、
保護膜等を基板上に形成するためのスパッタリング源と
なるものである。なお、半導体デバイスの分野では、ス
パッタリングターゲットには、Ａｌ、Ａｌ合金、高融点
金属（Ｔｉ，ＴｉＷ，Ｗ，Ｍｏ等）、高融点シリサイド
（ＭｏＳｉx，ＣｏＳｉx，ＷＳｉx等）が主に使用され
ており、スパッタリングターゲットは、通常、これらの
材料が円盤状に形成されてなる。
【０００３】そして、スパッタリングによる成膜を行う
際は、スパッタリングターゲットの表面に、加速された
粒子を衝突させる。このとき、運動量の交換により、ス
パッタリングターゲットを構成する原子が空間に放出さ
れる。そこで、スパッタリングターゲットに対向する位
置に基板を配しておくことにより、スパッタリングター
ゲットから放出された粒子が基板上に堆積し、基板上に
薄膜が形成されることとなる。
【０００４】このようなスパッタリングターゲットは、
通常、支持及び冷却を目的としてバッキングプレートと
呼ばれる裏当材とボンディングした組立体の状態で使用
される。すなわち、スパッタリングターゲットは、スパ
ッタリング時のスパッタリング源となるターゲット材
と、バッキングプレートとが接合されたスパッタリング
ターゲット組立体の状態で使用される。ここで、バッキ
ングプレートには、通常、ＯＦＣ（無酸素銅）、Ｃｕ合
金、Ａｌ、Ａｌ合金、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、Ｔｉ又
はＴｉ合金等のように、熱伝導性の良い金属又は合金が
使用される。
【０００５】そして、スパッタリングを行う際は、スパ
ッタリング装置にスパッタリングターゲット組立体を取
り付け、バッキングプレートを冷却する。これにより、
スパッタリングの最中にターゲット材に生じる熱がバッ
キングプレートによって奪い取られ、ターゲット材の温
度上昇が防がれることとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、ター
ゲット材とバッキングプレートとのボンディングには、
Ｉｎ又はＳｎ合金等のような低融点ロウ材を用いたロウ
付け法が主として採用されてきた。しかしながら、この
ような低融点ロウ材を用いたロウ付け法には、次のよう
な欠点があった。
【０００７】第１に、ロウ材の融点がＩｎで１５８℃、
Ｓｎ合金系では１６０〜３００℃と低いために、スパッ
タリング時の温度が融点近くになると、接合剪断強度が
急激に低下してしまう。
【０００８】第２に、室温での接合剪断強度がＩｎで１
００ｋｇ／ｃｍ2程度、Ｓｎ合金系でも２００〜４００
ｋｇ／ｃｍ2程度と低く、しかも低融点ロウ材であるた
め、使用温度の上昇に伴って接合剪断強度が更に低下し
てしまう。
【０００９】第３に、ロウ付け法では、ボンディング時
のロウ材の凝固収縮によってターゲット材とバッキング
プレートとの接合面に気泡（ポア）が残存してしまいや
すく、未接着部分がない１００％接合率のボンディング
は困難である。
【００１０】このように、ロウ付け法ではターゲット材
とバッキングプレートとを強固に接合することが難しい
ため、スパッタリング時の投入パワーが低く制限されて
しまう。すなわち、ロウ付け法を採用したときには、例
えば、規定以上のスパッタリングパワーを付加したと
き、或いは冷却水の管理が不十分なときに、ターゲット
材の温度上昇に伴ってターゲット材とバッキングプレー
トとの接合強度が低下してしまう。更に、ロウ材の融点
以上にまで温度が上昇してしまうと、ロウ材が溶融して
しまい、ターゲット材がバッキングプレートから剥離し
てしまう。なお、このような問題を解消するために、低
融点ロウ材に代えて、高融点のロウ材を用いることも考
えられるが、高融点ロウ材では、ロウ付け時に高温とす
る必要があるために、ターゲット材の品質に悪影響を与
えるという問題があり実用的ではない。
【００１１】以上のように、ロウ付け法ではスパッタリ
ング時の投入パワーが低く制限されてしまうが、近年、
スパッタリング成膜時のスループットを改善するため
に、スパッタリング時の投入パワーをより大きくする傾
向があり、そのために、ターゲット材とバッキングプレ
ートとの接合強度を高温下でも所定水準以上に維持しう
るスパッタリングターゲット組立体が要望されている。
【００１２】このような要望に応えるものとして、特開
平４−１４３２６９号公報に、ターゲット材とバッキン
グプレートとを直接、或いはターゲット材よりも高融点
のスペーサを介して、これらを接合する方法が開示され
ている。ここで、ターゲット材とバッキングプレートと
を接合して一体化する方法については、主に爆発接合法
について説明されており、その他の方法としてホットプ
レス法、ＨＩＰ法、ホットロール法が挙げてある。
【００１３】しかしながら、これらの方法は、非常に大
きな衝撃又は負荷の下でターゲット材とバッキングプレ
ートとを強圧着するものであり、ターゲット材の変形と
それに伴う内部歪みや組織変化並びに表層部の汚染が激
しく、結晶粒径や結晶方位を調整したターゲット材には
適用できない。
【００１４】また、特開平６−１５８２９６号公報に、
結晶粒径が１００μｍ以下のＴｉからなるターゲット材
と、Ｔｉからなるバッキングプレートとを固相拡散接合
により接合する方法が開示されている。具体的には、タ
ーゲット材とバッキングプレートとを、真空下にて、歪
み速度を１×１０-3／ｓｅｃ以下、加圧力を０．１〜２
０ｋｇ／ｍｍ2、温度を３５０〜６５０℃とした条件下
で固相拡散接合させる方法が開示されている。特開平６
−１５８２９６号公報では、このような方法により、未
接着部分がない１００％接合率のボンディングが可能で
あり、高い密着力と高い接合強度が得られるとしてい
る。
【００１５】しかしながら、このように固相拡散接合を
行っても、実際には十分な接合強度を得ることは困難で
あり、特に、十分な引っ張り強度を得ることは非常に難
しい。
【００１６】本発明はこのような従来の実情に鑑みて提
案されたものであり、ターゲット材とバッキングプレー
トとが接合されてなるスパッタリングターゲット組立体
として、高温下でも高い密着力と高い接合強度が得ら
れ、しかも十分な引っ張り強度を備えたスパッタリング
ターゲット組立体を製造することが可能な方法を提供す
ることを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明者は上述の目的を
達成するために鋭意研究を重ねた結果、ターゲット材及
びバッキングプレートの接合面を十分に平坦化した上
で、これらを固相拡散接合することにより、高い密着力
と高い接合強度が得られ、しかも十分な引っ張り強度が
得られることを見いだした。
【００１８】ターゲット材とバッキングプレートの表面
が粗いと、それらの接合面に隙間が生じてしまい、その
結果、固相拡散接合を行っても、引っ張り強度のばらつ
きや、引っ張り強度の低下などの問題が生じてしまう。
そこで、本発明では、ターゲット材及びバッキングプレ
ートの接合面を十分に平坦化した上で、これらを固相拡
散接合するようにする。
【００１９】すなわち、本発明に係るスパッタリングタ
ーゲット組立体の製造方法は、スパッタリングに使用さ
れるターゲット材と、バッキングプレートとが接合され
てなるスパッタリングターゲット組立体を製造する際
に、ターゲット材及びバッキングプレートの接合面を算
術平均粗さＲａが０．０１〜１．０μｍとなるように平
坦化した上で、ターゲット材とバッキングプレートとを
固相拡散接合により接合することを特徴とする。
【００２０】ここで、固相拡散接合を行う際に加える圧
力は、１４０〜２００ｋｇ／ｃｍ2が好適であり、固相
拡散接合を行う際の温度は、４５０〜６００℃が好適で
ある。また、上記ターゲット材としては、Ｔｉ又はＴｉ
合金等が使用可能であり、上記バッキングプレートとし
ては、Ａｌ又はＡｌ合金等が使用可能である。なお、タ
ーゲット材をＴｉ又はＴｉ合金とするとき、その結晶粒
径は１００μｍ以下とすることが好ましい。
【００２１】以上のような本発明に係るスパッタリング
ターゲット組立体の製造方法では、ターゲット材及びバ
ッキングプレートの接合面を十分に平坦化した上で、タ
ーゲット材とバッキングプレートとを固相拡散接合によ
り接合するようにしているので、接合面に隙間が生じる
ようなことがなく、ターゲット材とバッキングプレート
とを確実に接合することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお、本発明は以下の例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、任意に変更可能
であることは言うまでもない。
【００２３】本発明を適用して作製されるスパッタリン
グターゲット組立体の一例を図１に示す。このスパッタ
リングターゲット組立体１は、ターゲット材２と、バッ
キングプレート３とが固相拡散接合界面４を介して強固
に接合されてなる。
【００２４】ここで、ターゲット材２は、スパッタリン
グによる成膜時にスパッタリング源となるものであり、
成膜に使用される材料からなる。そして、本発明におい
て使用可能なターゲット材２は、バッキングプレート３
と固相拡散接合が可能な材料からなるものである。具体
的には、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ａｌ、Ａｌ合金等が使用可能
である。ここで、ターゲット材２に使用するＴｉ合金と
しては、例えば、Ｔｉに１０重量％以下のＡｌ、Ｓｎ、
Ｖ又はＷ等を添加したような合金が使用可能である。な
お、ターゲット材２として、Ｔｉ又はＴｉ合金を使用す
るときは、結晶粒径が１００μｍ以下のものを使用する
ことが好ましい。このように、結晶粒径を小さくしてお
くことにより、スパッタリング時のパーティクルの発生
量を低減することができる。
【００２５】一方、バッキングプレート３は、スパッタ
リング時にターゲット材２を冷却するためのものであ
り、熱伝導性の良い材料からなる。そして、本発明にお
いて使用可能なバッキングプレート３は、ターゲット材
２と固相拡散接合が可能な材料からなるものである。具
体的には、Ａｌ、Ａｌ合金、ＯＦＣ（無酸素銅）、Ｃｕ
合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＳＵＳ（ステンレス鋼）等が使
用可能である。
【００２６】つぎに、図１に示したスパッタリングター
ゲット組立体１の製造方法について、図２に示す工程図
を参照して説明する。
【００２７】スパッタリングターゲット組立体１を作製
する際は、先ず、所定の形状に加工されたターゲット材
２を作製するとともに、所定の形状に加工されたバッキ
ングプレート３を作製する。
【００２８】そして、ターゲット材２を作製する際は、
先ず、ターゲット材２の材料からなるビレット１１に対
して、所定の熱処理１２と鍛造処理１３とを施し、その
後、圧延処理１４を施して所定の形状に圧延する。ター
ゲット材２の結晶粒径や結晶方位等は、これらの熱処理
１２、鍛造処理１３及び圧延処理１４によって決定され
る。その後、必要に応じて更に熱処理１５を施した上
で、機械加工１６を施して所定の形状とする。
【００２９】そして、本発明では、この機械加工１６に
おいて、ターゲット材２の表面のうち、少なくともバッ
キングプレート３との接合面となる面に対して鏡面処理
を施し、算術平均粗さＲａが０．０１〜１．０μｍとな
るように平坦化する。そして、鏡面処理の後、ターゲッ
ト材２に対して、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、
アセトン又はエタノール等の有機溶剤を用いて脱脂及び
洗浄処理を施す。以上の工程により、ターゲット材２が
完成する。
【００３０】一方、バッキングプレート３を作製する際
は、バッキングプレート３の材料からなるビレット１７
に対して、機械加工１８を施して所定の形状とする。な
お、バッキングプレート３に関しては、結晶粒径や結晶
方位等は問題とならないので、ターゲット材２の作製に
おいて行ったような熱処理、鍛造処理及び圧延処理等は
不要である。そして、本発明では、この機械加工１８に
おいて、バッキングプレート３の表面のうち、少なくと
もターゲット材２との接合面となる面に対して鏡面処理
を施し、算術平均粗さＲａが０．０１〜１．０μｍとな
るように平坦化する。そして、鏡面処理の後、バッキン
グプレート３に対して、イソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）、アセトン又はエタノール等の有機溶剤を用いて脱
脂及び洗浄処理を施す。以上の工程により、バッキング
プレート３が完成する。
【００３１】なお、ターゲット材２やバッキングプレー
ト３に対する鏡面処理は、機械的な研磨で行うようにし
ても良いし、また、機械的な研磨と、化学的なエッチン
グとを組み合わせたメカノケミカル研磨によって行うよ
うにしてもよい。ここで、メカノケミカル研磨とは、例
えば、ｐＨ９．０〜１２．０程度の弱アルカリ性溶液
に、コロイダルシリカ、ＳｉＯ2系超微粒子、ダイヤモ
ンド又はＺｒＯ2等の微粒子からなる砥粒を１０〜４０
重量％程度分散させた研磨液を用いて、研磨液中の砥粒
による機械的研磨と、アルカリ性溶液による化学的なエ
ッチングとを組み合わせて被研磨材を研磨する方法であ
る。このようなメカノケミカル研磨では、研磨液の溶液
のｐＨを変化させることによって化学的研磨の速度を制
御することが可能であり、また、研磨液中の砥粒の種類
や濃度を変化させることによって機械的研磨の速度を制
御することが可能である。
【００３２】次に、以上のように作製されたターゲット
材２とバッキングプレート３とを、鏡面処理が施された
面同士が接するように重ね合わせて接合処理１９を施
す。ここで、接合処理１９は、固相拡散接合により行
う。固相拡散接合では、ターゲット材２とバッキングプ
レート３との接合面において、ターゲット材２の構成原
子と、バッキングプレート３の構成原子とが相互に拡散
し、これにより、ターゲット材２とバッキングプレート
３とが接合される。このような固相拡散接合では、高い
密着性と高い接合強度とを得ることができる。
【００３３】ここで、固相拡散接合は、１０Ｔｏｒｒ以
下の真空雰囲気下で行う。これは、固相拡散接合時にお
ける酸化物の形成を防止するためである。なお、固相拡
散接合は、より低圧の雰囲気中で行うことが好ましい
が、あまりに低圧とすることは現実的には難しい。した
がって、固相拡散接合は、０．０１〜１．０Ｔｏｒｒ程
度の真空雰囲気下で行うのが実用的である。
【００３４】また、固相拡散接合を行う際に加える圧力
は、９０〜２００ｋｇ／ｃｍ2とすることが好ましく、
より好ましくは１４０〜１６０ｋｇ／ｃｍ2とする。
【００３５】ここで、固相拡散接合を行う際に加える圧
力の下限を９０ｋｇ／ｃｍ2としたのは、９０ｋｇ／ｃ
ｍ2未満の加圧力では、接合界面における拡散が生じに
くく、良好な固相拡散接合を行うことができないからで
ある。また、加圧力を１４０ｋｇ／ｃｍ2以上としたほ
うがより好ましいのは、このように十分に大きな圧力を
加えたほうが、より強固な接合を図ることが可能となる
からである。
【００３６】一方、固相拡散接合を行う際に加える圧力
の上限を２００ｋｇ／ｃｍ2としたのは、２００ｋｇ／
ｃｍ2を越えるような圧力では、ターゲット材２やバッ
キングプレート３に損傷や変形等を招く恐れがあるから
である。また、加圧力を１６０ｋｇ／ｃｍ2以下とした
ほうがより好ましいのは、上述のような損傷や変形等の
可能性を確実に回避できるからである。
【００３７】また、固相拡散接合を行う際の温度は、４
５０〜６００℃とすることが好ましく、より好ましくは
４６０〜５００℃程度とする。
【００３８】ここで、固相拡散接合を行う際の温度の下
限を４５０℃としたのは、４５０℃未満の温度では原子
の拡散が不十分であり、良好な固相拡散接合を行うこと
ができないからである。また、４６０℃以上としたほう
がより好ましいのは、このように十分に高い温度として
おけば、接合界面において原子が確実に拡散するので、
より良好な固相拡散接合を行うことができ、より強固な
接合を図ることが可能となるからである。
【００３９】一方、固相拡散接合を行う際の温度の上限
を６００℃としたのは、６００℃を越えるような温度で
は、ターゲット材２に結晶粒の成長が起こる恐れがある
からである。しかも、６００℃を越えるような高温で
は、バッキングプレート３が熱変形したり溶解するよう
な可能性もある。また、５００℃以下としたほうがより
好ましいのは、上述のような、ターゲット材２の結晶粒
成長や、バッキングプレート３の熱変形や溶解等の問題
を、より確実に回避できるからである。
【００４０】なお、固相拡散接合を行う際に加える圧力
の最適値は、固相拡散接合時の温度や、ターゲット材２
及びバッキングプレート３の材質等に依存し、同様に、
固相拡散接合を行う際の温度の最適値も、固相拡散接合
時の加圧力や、ターゲット材２及びバッキングプレート
３の材質等に依存する。したがって、固相拡散接合を行
う際に加える圧力や、固相拡散接合を行う際の温度等の
最適値は、ターゲット材２及びバッキングプレート３の
材質等の条件を考慮して、上述したような範囲にて適宜
設定することが好ましい。
【００４１】以上のような固相拡散接合では、接合時の
温度が比較的に低いために、ターゲット材２の結晶粒径
や結晶方位等に変化が生じるようなことがない。しか
も、固相拡散接合では、接合時に加える圧力が比較的に
低いために、ターゲット材２に不均質な歪みや組織変化
等が生じるようなことがない。更に、固相拡散接合で
は、接合面に気泡（ポア）等が発生するようなことがな
く、高い密着性と高い接合強度とが得られる。このよう
に、固相拡散接合では、ターゲット材２に殆ど影響を与
えることなく、ターゲット材２とバッキングプレート３
とを強固に接合することができる。
【００４２】そして、特に本発明では、固相拡散接合を
行う前に、ターゲット材２及びバッキングプレート３の
接合面を算術平均粗さＲａが０．０１〜１．０μｍとな
るように平坦化している。したがって、ターゲット材２
とバッキングプレート３との間に隙間が生じるようなこ
となく、接合面の全面にわたって確実にターゲット材２
とバッキングプレート３とが接合される。すなわち、本
発明では、ターゲット材２及びバッキングプレート３の
接合面を精度良く平坦化しているので、ターゲット材２
とバッキングプレート３の接合面の全面にわたって固相
拡散接合が良好に行われ、ターゲット材２とバッキング
プレート３とが、それらの接合面の全面にわたって非常
に強固に接合される。
【００４３】なお、ターゲット材２とバッキングプレー
ト３との接合強度を向上するという観点からは、それら
の接合面の算術平均粗さＲａは０．０１μｍ未満であっ
ても良い。しかしながら、算術平均粗さＲａを０．０１
μｍ未満とするには、鏡面処理工程に多大な手間や時間
がかかるため、接合面の算術平均粗さＲａは０．０１μ
ｍ以上とするのが実用上好ましい。
【００４４】以上の工程により、ターゲット材２とバッ
キングプレート３とを、固相拡散接合により接合するこ
とにより、スパッタリングターゲット組立体１が完成す
る。そして、このように作製されたスパッタリングター
ゲット組立体１は、通常は、機械加工２０が施されて所
定の寸法とされた上で、超音波探傷装置によって接合状
態に検査２１が施された上で出荷される。
【００４５】つぎに、実際にターゲット材２とバッキン
グプレート３とを固相拡散接合により接合してスパッタ
リングターゲット組立体１を作製し、それらの接合強度
を調べた結果について説明する。
【００４６】なお、以下に挙げる例において、ターゲッ
ト材２には、純度９９．９９８％以上の高純度チタンか
らなり、直径が３００ｍｍのものを使用し、バッキング
プレート３には、工業用アルミ（Ａ６０６１Ｐ）からな
るものを使用した。
【００４７】また、接合強度の測定は、島津製作所製の
精密万能試験機を用いて、図３に示すように、ターゲッ
ト材２とバッキングプレート３とが接合されたスパッタ
リングターゲット組立体１を切り出した試験片５に対し
て、それらを引き剥がす方向に力Ｆを加えたときの引っ
張り強度を測定した。ここで、試験片５には、作製した
スパッタリングターゲット組立体１を、長さｔ１が１０
１．６ｍｍ、幅ｔ２が２５．４ｍｍ、高さｔ３が１６．
０ｍｍとなるように切り出したものを用いた。また、引
き剥がす方向に加える力Ｆは、試験片５の端部に加える
ようにし、力Ｆを加える領域は、長さｔ４が２５．４ｍ
ｍで、幅が試験片の幅ｔ２と同じ２５．４ｍｍの領域と
した。また、測定時の温度は後述する実験４以外では２
５℃とし、測定時のクロスヘッド速度は０．５ｍｍ／ｍ
ｉｎとした。なお、引っ張り強度測定時の最大引っ張り
荷重は１０００ｋｇｆとしたが、６００ｋｇｆ程度以上
の力Ｆを加えると試験片５に塑性変形が生じてしまうの
で、約６００ｋｇｆが測定限界値であった。
【００４８】実験１ 本実験では、固相拡散接合時にターゲット材２及びバッ
キングプレート３に加える圧力を４０〜２００ｋｇ／ｃ
ｍ2の範囲で変化させて、複数のスパッタリングターゲ
ット組立体１を作製し、それらのスパッタリングターゲ
ット組立体１について、上述のように引っ張り強度を測
定した。なお、本実験では、ターゲット材２及びバッキ
ングプレート３の接合面の算術平均粗さＲａを３．０μ
ｍとした上で、ターゲット材２とバッキングプレート３
とを積層させて密着させた状態で、１Ｔｏｒｒの真空下
にて、接合温度を４８０℃、保持時間を０．５時間とし
て、これらを固相拡散接合した。
【００４９】このように固相拡散接合時の加圧力と、引
っ張り強度との関係を調べた結果を図４に示す。この図
４に示すように、固相拡散接合時に加える圧力を高くす
るに従って引っ張り強度は上昇し、およそ１４０ｋｇ／
ｃｍ2のときに測定限界近くに達し、その後は、固相拡
散接合時に加える圧力を高くしても引っ張り強度はほぼ
一定であった。このことから、固相拡散接合時にターゲ
ット材２及びバッキングプレート３に加える圧力は、１
４０ｋｇ／ｃｍ2以上とすることが好ましいことが分か
る。
【００５０】実験２ 本実験では、固相拡散接合前におけるターゲット材２及
びバッキングプレート３の接合面の算術平均粗さＲａを
０．０１μｍ、０．３μｍ、１．０μｍ又は３．０μｍ
として４つのスパッタリングターゲット組立体１を作製
し、それらのスパッタリングターゲット組立体１につい
て、上述のように引っ張り強度を測定した。なお、固相
拡散接合は、１Ｔｏｒｒの真空下にて、接合温度を４８
０℃、保持時間を０．５時間、加圧力を１６２ｋｇ／ｃ
ｍ2として行った。
【００５１】このように接合面の算術平均粗さＲａと、
引っ張り強度との関係を調べた結果を図５に示す。な
お、図５及び後述する図７乃至図１０において、図中の
上向き矢印は、引っ張り強度測定時にバッキングプレー
ト３に塑性変形が生じて、引っ張り強度が測定限界に達
したことを示している。
【００５２】この図５に示すように、算術平均粗さＲａ
が０．０１〜１．０μｍのときに、引っ張り強度は測定
限界値に達した。このことから、固相拡散接合前におけ
るターゲット材２及びバッキングプレート３の接合面の
算術平均粗さＲａを０．０１〜１．０μｍとすることに
より、固相拡散接合が良好に行われ、ターゲット材２及
びバッキングプレート３とが強固に接合されることが分
かる。
【００５３】実験３ 本実験では、固相拡散接合前におけるターゲット材２及
びバッキングプレート３の接合面の算術平均粗さＲａを
０．３μｍ、１．０μｍ又は３．０μｍとして３つのス
パッタリングターゲット組立体１を作製し、それらのス
パッタリングターゲット組立体１の引っ張り強度につい
て、その径方向依存性を調べた。すなわち、図６に示す
ように、作製された直径３００ｍｍのスパッタリングタ
ーゲット組立体１の中心近傍から切り出した試験片５ａ
と、半径６５ｍｍの位置から切り出した試験片５ｂと、
半径１３０ｍｍの位置から切り出した試験片５ｃとにつ
いて、それらの引っ張り強度を調べた。なお、固相拡散
接合は、１Ｔｏｒｒの真空下にて、接合温度を４８０
℃、保持時間を０．５時間、加圧力を１４８ｋｇ／ｃｍ
2として行った。
【００５４】接合面の算術平均粗さＲａを３．０μｍと
したときの、引っ張り強度の径方向依存性を調べた結果
を図７に示し、接合面の算術平均粗さＲａを１．０μｍ
としたときの、引っ張り強度の径方向依存性を調べた結
果を図８に示し、接合面の算術平均粗さＲａを０．３μ
ｍとしたときの、引っ張り強度の径方向依存性を調べた
結果を図９に示す。なお、図９には、従来の方法である
ロウ付け法によって、ターゲット材２とバッキングプレ
ート４とを接合したときの、引っ張り強度の径方向依存
性を調べた結果も載せた。
【００５５】図７に示すように、接合面の算術平均粗さ
Ｒａを３．０μｍとしたときには、スパッタリングター
ゲット組立体１の中心から外周に向かって、引っ張り強
度が低下する。一方、図８及び図９に示すように、接合
面の算術平均粗さＲａを１．０μｍ又は０．３μｍとし
たときには、スパッタリングターゲット組立体１の全面
にわたって、引っ張り強度は測定限界値以上に達してい
る。このことから、固相拡散接合前におけるターゲット
材２及びバッキングプレート３の接合面の算術平均粗さ
Ｒａを１．０μｍ以下とすることにより、固相拡散接合
が接合面の全面にわたって良好に行われ、ターゲット材
２とバッキングプレート３とが強固に接合されることが
分かる。
【００５６】また、図９に示すように、ロウ付け法によ
ってターゲット材２とバッキングプレート３を接合した
ときには、引っ張り強度が１５０ｋｇｆ程度の水準にと
どまったのに対して、接合面の算術平均粗さＲａを０．
３μｍとして固相拡散接合を行ったときには、スパッタ
リングターゲット組立体１の全面にわたって、引っ張り
強度が測定限界値以上に達した。このことからも、本発
明を適用して固相拡散接合によってターゲット材２とバ
ッキングプレート３とを接合することにより、ロウ付け
法よりも遥かに高い接合強度が得られることは明らかで
ある。
【００５７】実験４ 本実験では、作製されたスパッタリングターゲット組立
体１の引っ張り強度の温度依存性を調べた。すなわち、
本実験では、作製されたスパッタリングターゲット組立
体１について、２５℃、１５０℃、３００℃の各温度時
における引っ張り強度を測定した。
【００５８】なお、本実験で使用したスパッタリングタ
ーゲット組立体１は、ターゲット材２及びバッキングプ
レート３の接合面の算術平均粗さＲａを０．３μｍとし
た上で、これらを１Ｔｏｒｒの真空下にて、接合温度を
４８０℃、保持時間を０．５時間、加圧力を１６２ｋｇ
／ｃｍ2として固相拡散接合することにより作製したも
のである。
【００５９】スパッタリングターゲット組立体１の引っ
張り強度と、温度との関係を調べた結果を図１０に示
す。なお、図１０には、従来の方法であるロウ付け法に
よって、ターゲット材２とバッキングプレート３を接合
したときの、引っ張り強度の温度依存性を調べた結果も
載せた。
【００６０】図１０に示すように、本発明を適用して作
製されたスパッタリングターゲット組立体１では、温度
によらずに強固な接合状態が得られている。特に、本発
明を適用して作製されたスパッタリングターゲット組立
体１では、３００℃の高温においても、引っ張り強度は
測定限界値となっている。
【００６１】これに対して、ロウ付け法によって作製さ
れたスパッタリングターゲット組立体では、温度上昇に
伴い引っ張り強度が減少してしまい、１５０℃において
は引っ張り強度が１０ｋｇｆの水準にまで低下してしま
う。更に、３００℃にまで温度が上がると、ロウ材が溶
融してしまい、引っ張り強度は０ｋｇｆとなってしまっ
た。このことからも、本発明を適用して固相拡散接合に
よって接合されたスパッタリングターゲット組立体１
は、高温下においても強固な接合が保持され、ロウ付け
法によって接合されたスパッタリングターゲット組立体
よりも遥かに優れていることが分かる。
【００６２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、ターゲット材とバッキングプレートとの接合に固
相拡散接合を採用しているので、接合面に気泡（ポア）
等が生じるようなことがなく、未接着部分がない１００
％接合率を実現することができる。しかも、本発明を適
用して作製されたスパッタリングターゲット組立体は、
固相拡散接合によってターゲット材とバッキングプレー
トとが接合されているので、低融点ロウ材を用いたロウ
付け法に比べて、使用温度の上昇に伴う接合強度の急激
な低下がない。
【００６３】更に、本発明では、ターゲット材及びバッ
キングプレートの接合面を十分に平坦化した上で、ター
ゲット材とバッキングプレートとを固相拡散接合により
接合しているので、高温下でも高い密着力と高い接合強
度が得られ、しかも十分な引っ張り強度を備えたスパッ
タリングターゲット組立体を製造することができる。
【００６４】以上のように、本発明によれば、ターゲッ
ト材とバッキングプレートとの接合が高温下において強
固に保持されるスパッタリングターゲット組立体を提供
することができ、その結果として、例えば、スパッタリ
ング時の投入パワーを更に大きくすることが可能とな
る。
【００６５】更に、本発明では、固相拡散接合を採用し
ているので、比較的に低温にてターゲット材とバッキン
グプレートとを接合できる。したがって、ターゲット材
の結晶粒が成長してしまうようなことがないという利点
もある。また、本発明では、固相拡散接合を採用してい
るので、ターゲット材やバッキングプレートに大きな圧
力を加える必要がない。したがって、ターゲット材とバ
ッキングプレートとの接合時にターゲット材に対して損
傷を与えるような恐れがないという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用して作製されるスパッタリングタ
ーゲット組立体の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明を適用したスパッタリングターゲット組
立体の製造方法の一例についての工程図である。
【図３】引っ張り強度の測定の様子を示す模式図であ
る。
【図４】固相拡散接合時の加圧力と、引っ張り強度との
関係を調べた結果を示す図である。
【図５】接合面の算術平均粗さＲａと、引っ張り強度と
の関係を調べた結果を示す図である。
【図６】スパッタリングターゲット組立体から試験片を
切り出す様子を示す模式図である。
【図７】接合面の算術平均粗さＲａを３．０μｍとした
ときの、引っ張り強度の径方向依存性を調べた結果を示
す図である。
【図８】接合面の算術平均粗さＲａを１．０μｍとした
ときの、引っ張り強度の径方向依存性を調べた結果を示
す図である。
【図９】接合面の算術平均粗さＲａを０．３μｍとした
ときの、引っ張り強度の径方向依存性を調べた結果を示
す図である。
【図１０】スパッタリングターゲット組立体の引っ張り
強度と、温度との関係を調べた結果を示す図である。
【符号の説明】
１ スパッタリングターゲット組立体、 ２ ターゲッ
ト材、 ３ バッキングプレート、 ４ 固相拡散接合
界面、 ５ 試験片

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スパッタリングに使用されるターゲット
    材と、バッキングプレートとが接合されてなるスパッタ
    リングターゲット組立体を製造する際に、 ターゲット材及びバッキングプレートの接合面を算術平
    均粗さＲａが０．０１〜１．０μｍとなるように平坦化
    した上で、ターゲット材とバッキングプレートとを固相
    拡散接合により接合することを特徴とするスパッタリン
    グターゲット組立体の製造方法。
  2. 【請求項２】 上記固相拡散接合を行う際に加える圧力
    が、１４０〜２００ｋｇ／ｃｍ2であることを特徴とす
    る請求項１記載のスパッタリングターゲット組立体の製
    造方法。
  3. 【請求項３】 上記固相拡散接合を行う際の温度が、４
    ５０〜６００℃であることを特徴とする請求項１記載の
    スパッタリングターゲット組立体の製造方法。
  4. 【請求項４】 上記ターゲット材が、Ｔｉ又はＴｉ合金
    からなることを特徴とする請求項１記載のスパッタリン
    グターゲット組立体の製造方法。
  5. 【請求項５】 上記ターゲット材の結晶粒径が１００μ
    ｍ以下であることを特徴とする請求項４記載のスパッタ
    リングターゲット組立体の製造方法。
  6. 【請求項６】 上記バッキングプレートが、Ａｌ又はＡ
    ｌ合金からなることを特徴とする請求項１記載のスパッ
    タリングターゲット組立体の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000000661A1 (fr) * 1998-06-29 2000-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Cible de vaporisation
EP1018566A2 (en) * 1999-01-08 2000-07-12 Nikko Materials Company, Limited Sputtering target and method for the manufacture thereof
EP1125000A1 (en) * 1998-10-14 2001-08-22 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US11414745B2 (en) * 2017-03-31 2022-08-16 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target-backing plate assembly and production method thereof

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6569270B2 (en) 1997-07-11 2003-05-27 Honeywell International Inc. Process for producing a metal article
KR20010080499A (ko) * 1998-12-03 2001-08-22 추후제출 삽입체 타겟 조립체 및 그 제조 방법
US6774339B1 (en) * 1999-11-09 2004-08-10 Tosoh Smd, Inc. Hermetic sealing of target/backing plate assemblies using electron beam melted indium or tin
US6878250B1 (en) * 1999-12-16 2005-04-12 Honeywell International Inc. Sputtering targets formed from cast materials
US20040072009A1 (en) * 1999-12-16 2004-04-15 Segal Vladimir M. Copper sputtering targets and methods of forming copper sputtering targets
US6780794B2 (en) * 2000-01-20 2004-08-24 Honeywell International Inc. Methods of bonding physical vapor deposition target materials to backing plate materials
US7517417B2 (en) * 2000-02-02 2009-04-14 Honeywell International Inc. Tantalum PVD component producing methods
US6331233B1 (en) 2000-02-02 2001-12-18 Honeywell International Inc. Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture
US6698647B1 (en) 2000-03-10 2004-03-02 Honeywell International Inc. Aluminum-comprising target/backing plate structures
WO2002014571A2 (en) * 2000-08-17 2002-02-21 Tosoh Smd, Inc. High purity sputter targets with target end-of-life indication and method of manufacture
US6708870B2 (en) * 2002-05-24 2004-03-23 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for forming sputter target assemblies
US6820797B2 (en) * 2002-11-27 2004-11-23 Agilent Technologies, Inc. System and method for seal formation
US6921470B2 (en) * 2003-02-13 2005-07-26 Cabot Corporation Method of forming metal blanks for sputtering targets
WO2005007920A2 (en) * 2003-07-14 2005-01-27 Tosoh Smd, Inc. Sputtering target assembly having low conductivity backing plate and method of making same
US20070084527A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-19 Stephane Ferrasse High-strength mechanical and structural components, and methods of making high-strength components
US20070251818A1 (en) * 2006-05-01 2007-11-01 Wuwen Yi Copper physical vapor deposition targets and methods of making copper physical vapor deposition targets
US8727203B2 (en) 2010-09-16 2014-05-20 Howmedica Osteonics Corp. Methods for manufacturing porous orthopaedic implants
WO2012112376A1 (en) 2011-02-14 2012-08-23 Tosoh Smd, Inc. Diffusion-bonded sputtering target assembly and method of manufacturing
CN103814151B (zh) 2011-06-27 2016-01-20 梭莱有限公司 Pvd靶材及其铸造方法
CN102554455B (zh) * 2011-12-31 2015-07-08 宁波江丰电子材料股份有限公司 钨钛合金靶材与铜合金背板扩散焊接方法
US10112255B2 (en) * 2014-06-17 2018-10-30 Korea Institute Of Energy Research Plate bonding method and plate assembly
CN106695145A (zh) * 2015-11-17 2017-05-24 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材的焊接方法
CN114029740A (zh) * 2021-12-15 2022-02-11 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种异型材料的焊接方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2559474B1 (fr) * 1984-02-15 1988-12-23 Quantel Sa Procede de scellement etanche et etuvable d'objets metalliques sur un corps en materiau vitroceramique
CH672450A5 (ja) * 1987-05-13 1989-11-30 Bbc Brown Boveri & Cie
FR2623046B1 (fr) * 1987-11-10 1990-03-23 Telemecanique Electrique Procede de liaison d'une feuille de cuivre a un substrat en materiau electriquement isolant
US5693203A (en) * 1992-09-29 1997-12-02 Japan Energy Corporation Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface
US5836506A (en) * 1995-04-21 1998-11-17 Sony Corporation Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US5807443A (en) * 1995-11-30 1998-09-15 Hitachi Metals, Ltd. Sputtering titanium target assembly and producing method thereof

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000000661A1 (fr) * 1998-06-29 2000-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Cible de vaporisation
US9437486B2 (en) 1998-06-29 2016-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target
EP1125000A1 (en) * 1998-10-14 2001-08-22 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same
EP1125000A4 (en) * 1998-10-14 2002-06-26 Praxair Technology Inc SPUTTER TARGET / CARRIER PLATE ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
EP1018566A2 (en) * 1999-01-08 2000-07-12 Nikko Materials Company, Limited Sputtering target and method for the manufacture thereof
US6284111B1 (en) * 1999-01-08 2001-09-04 Nikko Materials Company, Limited Sputtering target free of surface-deformed layers
EP1018566A3 (en) * 1999-01-08 2003-04-16 Nikko Materials Company, Limited Sputtering target and method for the manufacture thereof
US11414745B2 (en) * 2017-03-31 2022-08-16 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target-backing plate assembly and production method thereof

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