JP2002173766A

JP2002173766A - スパッタリングターゲットおよびそれを具備するスパッタリング装置

Info

Publication number: JP2002173766A
Application number: JP2000366979A
Authority: JP
Inventors: Yoichiro Yabe; 部洋一郎矢; Takashi Ishigami; 上隆石; Koichi Watanabe; 邊光一渡; Takashi Watanabe; 辺高志渡; Yasuo Kosaka; 阪泰郎高; Osamu Yamazaki; 崎修山
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Development and Engineering Corp
Priority date: 2000-12-01
Filing date: 2000-12-01
Publication date: 2002-06-21
Anticipated expiration: 2020-12-01
Also published as: JP4495853B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ダストの発生が有効に防止されたスパッタリ
ングターゲットおよびスパッタリング装置の提供。【解決手段】バッキングプレートと一体的に配置して
使用されるスパッタリングターゲット材、またはスパッ
タリングターゲット材とバッキングプレートとが接合一
体化してなるスパッタリングターゲットであって、該ス
パッタリングターゲット材の該バッキングプレートとの
接合面側の外縁部が該バッキングプレートと接触しない
形状及び／又は該バッキングプレートの該スパッタリン
グターゲット材との接合面側の外縁部が該スパッタリン
グターゲット材と接触しない形状を有することを特徴と
するスパッタリングターゲット、およびそれを具備する
スパッタリング装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングタ
ーゲットおよびそれを具備するスパッタリング装置に関
するものである。更に詳しくは、本発明は、ダストの発
生が有効に防止されたスパッタリングターゲットおよび
スパッタリング装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子や液晶表示装置に代表
される電子部品工業は急速に進捗しつつあり、２５６Ｍ
ビットＤＲＡＭ、ロジック、フラッシュメモリー等に代
表される半導体素子においては、高集積化・高信頼性・
高機能化が進むにつれて、電極や配線を形成する際の微
細加工技術に要求される精度も益々高まりつつある。そ
れにつれ、製造工程においてダストの発生を低減する必
要が求められている。特に、スパッタリング工程では、
スパッタリング時に発生した０．２μｍ程度の微細なダ
ストでもそれが形成された薄膜中に混入すると素子の歩
留まりに悪影響を及ぼすので、ダストを発生させないス
パッタリングターゲットが望まれている。

【０００３】一般に、工業的に行われているスパッタと
しては効率の良いマグネトロンスパッタ法が主流になっ
ており、その原理から、スパッタリングターゲット材に
はエロージョン部と非エロージョン部が存在し、スパッ
タ面のエッジ部分や側面部分は非エロージョン部にな
る。スパッタリング装置内においてスパッタリングター
ゲット材からスパッタされた粒子は、半導体基板に正常
に到達するものと、周辺に飛び装置内の基板外の部分に
付着するもの、更には再びスパッタリングターゲットに
戻ってスパッタリングターゲットに付着するもの（再付
着膜）が有る。スパッタリングターゲットに戻って付着
するもののうち、非エロージョン部に付着した粒子は再
びスパッタされることが無いために次第に膜状に蓄積さ
れることになるが、スパッタの進行が進むにつれそれが
剥がれ脱落する事もダスト発生の要因になると言われて
いる。

【０００４】図１は、従来の一般的なマグネトロンスパ
ッタリング装置を模式的に示す図である。同図におい
て、２０はスパッタリングターゲットである。このスパ
ッタリングターゲット２０は、スパッタリングターゲッ
ト材２１およびこのスパッタリングターゲッ材２１を固
定し支持するためのバッキングプレート２２とからなっ
ている。このバッキングプレート２２には冷却水流路
（図示せず）が設けられていて、ここを流通する冷却水
によってバッキングプレート２２およびスパッタリング
ターゲット材２１が冷却されるようになっている。

【０００５】上記のスパッタリングターゲット２０の下
方にはアースシールド２３が設けられており、その下方
にはさらに上部防着板２４および下部防着板２５が配置
されている。被成膜試料である基板２６は、スパッタリ
ングターゲット２０と対向配置するように、被成膜試料
保持部であるプラテンリング２７に保持されている。こ
れらの各部材は真空容器（図示せず）の内部に配置され
ており、この真空容器にはスパッタリングガスを導入す
るためにガス供給系（図示せず）およびこの真空容器内
を所定の真空状態まで排気する排気系（図示せず）とが
接続されている。

【０００６】図１のスパッタリングターゲット装置に
は、上記のスパッタリングターゲット材２１と基板２６
との間に電界Ｅが印加されている。そして、スパッタリ
ングターゲット２０の上方には、電界Ｅと直交する形で
マグネット２８が設けられており、これによりスパッタ
リングターゲット材２１の表面に磁界Ｍが生じるように
なっている。

【０００７】このように構成されてなるスパッタリング
装置では、磁界と電界との作用によって電子がサイクロ
ン運動を起こし、スパッタリングターゲット材２１のス
パッタ面内と磁界Ｍ内に高密度のプラズマが生じ、磁界
Ｍに囲まれたスパッタリングターゲット面にエロージョ
ンが進展していく。

【０００８】この図１において、Ａ部のようなスパッタ
リングターゲットのスパッタ面端部、側面部、バッキン
グプレート端部など、磁界Ｍがかからない部分はスパッ
タされずエロージョンされないために、その部位にはス
パッタされた粒子が付着し、それがスパッタ処理の回数
に応じ層状に蓄積されることになる。これらの付着粒子
はスパッタリング処理中、特にスパッタリングターゲッ
トのターゲットライフ後期、において、ダストとして剥
がれ脱落することがあった。

【０００９】また、図２に示されるような、バッキング
プレート２２にスパッタリングターゲット材２１が押え
治具２９によって固定されるスパッタリングターゲット
２０である場合には、スパッタリングターゲット材２１
とバッキングプレート２２との接合部からダスト発生
し、そのダストが基板上に脱落することがあった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このようなメカニズム
でスパッタリングターゲットから発生するダストの防止
策としては、非エロージョン部の表面粗さをエロージョ
ン部より粗くすることによって、付着粒子の脱落を防止
するもの（例えば、特開平６−３０６５９７号公報）、
非エロージョン部にブラスト粒子を打ち込んで、アンカ
ー効果で付着粒子の剥離を防止するもの（例えば、特開
平９−１７６８４３号公報）など、様々な剥離防止対策
が採られている。

【００１１】しかし、これまでのダスト低減策はある一
定の効果は認めれられるものの、ターゲットライフ近く
までスパッタリングが進行するにつれ、ダストが増加す
る傾向があった。特に、スパッタリングターゲットの側
面部および段付き部の剥離防止は困難であった。

【００１２】また、使用する装置によっては、装置側に
バッキングプレートが設置されており、センターキャッ
プ及び押えリングなどの押え治具によってターゲット材
を支持するものがある。このようなものは、スパッタリ
ングターゲット材とバッキングプレートとの熱膨張特性
が違うことによって、スパッタ時と非スパッタ時との間
の温度変化によりスパッタリングターゲット材とバッキ
ングプレートとの界面でこすれが生じて、ダストが発生
することがある。

【００１３】本発明は、このような課題に対処するため
に発明されたものであり、スパッタリングターゲット材
からのダストの発生を効果的に防止することが可能なス
パッタリングターゲット及びそれを具備したスパッタリ
ング装置を提供するものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、スパッタリングターゲットの非エロージョン部に付
着した付着膜の剥離原因を鋭意研究したところ、付着膜
の剥離は、スパッタ時と非スパッタリング時に付着膜に
かかる熱によるストレスの差異によって発生することが
分かった。すなわち、スパッタリングターゲット材はス
パッタ時に非常に高温になるため、通常はバッキングプ
レートに冷却水を流しながら使用する。非スパッタリン
グ時にも冷却水は引き続き流れるため、スパッタリング
ターゲット材は急激に温度降下が進む。非エロージョン
部も同様であり、そこに付着した膜は熱応力の変化によ
りストレスを受けて剥離しやすくなるのである。

【００１５】本発明のスパッタリングターゲットは、バ
ッキングプレートと一体的に配置して使用されるスパッ
タリングターゲット材、またはスパッタリングターゲッ
ト材とバッキングプレートとが接合一体化してなるスパ
ッタリングターゲットであって、該スパッタリングター
ゲット材の該バッキングプレートとの接合面側の外縁部
が該バッキングプレートと接触しない形状及び／又は該
バッキングプレートの該スパッタリングターゲット材と
の接合面側の外縁部が該スパッタリングターゲット材と
接触しない形状を有することを特徴とするものである。

【００１６】さらに、本発明によるスパッタリング装置
は、真空容器と、該真空容器内に設置される被成膜試料
保持部と、該真空容器内に該被成膜試料保持部と対向し
て配置されるターゲット部を具備するスパッタリング装
置において、該ターゲット部は、上記に記載のスパッタ
リングターゲットを具備することを特徴とするものであ
る。

【００１７】上記のように、スパッタリングターゲット
材の外縁部をバッキングプレートと接触させないことに
よって外縁部の冷却を抑制して、非スパッタ時における
外縁部の熱降下を緩やかにすることで、付着膜の応力変
化を緩和し、ダストの発生を抑えることができる。

【００１８】また、スパッタリングターゲット材の外縁
部は、外縁部もバッキングプレートと接触しているとき
に比べて、スパッタ中も温度が上昇しているため、この
結果、付着膜の密着強度が強くなり、スパッタ後期でも
膜剥離によるダスト発生を抑えることができる。

【００１９】また、スパッタリング装置側にバッキング
プレートが設置され、センターキャップや押えリング等
の押え治具でスパッタリングターゲット材を支持するス
パッタ装置の場合には、上記理由にさらにスパッタリン
グターゲット材とバッキングプレートとの接合面長を減
少させることにより両者間のこすれ量を低減してダスト
の発生自体を抑制するとともに、仮にダストが発生した
としてもそのダストが基板上に脱落するのを防止するこ
とができる。

【００２０】さらに、上記のスパッタリングターゲット
を使用することによりスパッタリング装置全体において
もダストの発生を抑えることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明によるスパッタリングター
ゲットは、スパッタリングターゲット材のバッキングプ
レートとの接合面側の外縁部がバッキングプレートと接
触しないように形成されてなること、を特徴とするもの
である。以下、本発明によるスパッタリングターゲット
を図面を参照しながら説明する。

【００２２】図３および図４は、本発明のスパッタリン
グターゲットの実施態様の一例の構造を示す断面図であ
る。図３および図４において、２は円盤状のスパッタリ
ングターゲット材である。このスパッタリングターゲッ
ト材２には、このスパッリングターゲット材２を保持お
よび冷却するためのバッキングプレート５が接合一体化
されてスパッタリングターゲット１を構成している。そ
して、図３に示されるようにスパッタリングターゲット
材２の外縁部３が切り欠かれることにより、あるいは図
４に示されるようにバッキングプレート５の外縁部６が
切り欠かれることにより、スパッタリングターゲット材
２のバッキングプレート５との接合面側の外縁部３がバ
ッキングプレート５と接触しないように形成されてい
る。

【００２３】このように、スパッタリングターゲット材
２の外縁部３はバッキングプレート５と接触していない
ので、外縁部３はバッキングプレート５との接触部分４
に比べて、その冷却が抑制されている状態にある。従っ
て、外縁部３は、非スパッタ時の熱降下が緩やかになっ
ている。このことによって、外縁部３では、スパッタ時
と非スパッタ時との温度変化が抑制され、温度変化によ
る熱応力の変化が緩和されている。よって、付着膜の脱
落によるダストの発生が有効に防止されている。

【００２４】そして、この外縁部３は、スパッタ時にお
いても、接触部分４に比べて温度が高くなっている。こ
のことによって、従来よりも付着膜の密着強度が向上し
ている。

【００２５】このように、スパッタ時と非スパッタ時と
の温度変化が抑制されていることによって付着膜の応力
変化が緩和されていること、および付着膜の密着強度が
向上していることにより、付着膜が剥離しずらくなって
いる。よって、付着膜の脱落によるダストの発生が有効
に防止されている。

【００２６】スパッタリングターゲット材２とバッキン
グプレート５との非接触面積（即ち、外縁部３の面積）
は、スパッタリングターゲット材２のスパッタ面の面積
に対し、１０％以上であれば有効であるが、２０％以上
であればさらに効果があり、３５％以上である場合には
さらに効果が顕著になる。

【００２７】外縁部３におけるスパッタリングターゲッ
ト材２とバッキングプレート５との最小の間隔（即ち、
切り欠き部の高さ）は、スパッタリングターゲット材２
が使用時に若干反り、接触する可能性を見込んで０．５
ｍｍ以上あれば十分である。

【００２８】スパッリングターゲット材２とバッキング
プレート５との接合一体化は、ろう接や拡散接合（固相
接合）などによって行ってもよく、適当な押え治具を使
用して行ってもよい。押え治具を使用する後者の方法
は、スパッリングターゲット材２とバッキングプレート
５とを着脱とすることが容易である。

【００２９】図５は、本発明のスパッタリングターゲッ
トの実施態様の他の断面構造を示すものであって、スパ
ッタリングターゲット材２が押え治具（具体的にはセン
ターキャップ）７によってバッキングプレート５に着脱
可能に取り付けられたものである。

【００３０】以上のような本発明によるスパッタリング
ターゲット１は、スパッタリングターゲット材２の外縁
部３をバッキングプレート５と接触させないようにし、
かつスパッタリングターゲット材２とバッキングプレー
ト５との接合面長および接合面積を制限することによ
り、スパッタリングターゲット材２とバッキングプレー
ト５との熱膨張特性の違いに起因する両者間のこすれを
緩和してダストの発生自体を抑制するとともに、仮にダ
ストが発生したとしてもそのダストがを切り欠き部内に
保持してダストが基板上に脱落するのを防止すことがで
きるものである。

【００３１】本発明でのスパッタリングターゲット材２
の構成材料は特に限定されるものではなく、スパッタリ
ングターゲットの使用目的に応じて数々の単体金属材
料、合金材料、金属化合物材料などが使用される。スパ
ッタリングターゲット材２の構成材料の具体例として
は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓ
ｉ、ＧｅおよびＦｅから選ばれる金属元素の単体、もし
くは上記した金属元素を含む合金または化合物が挙げら
れる。

【００３２】バッキングプレート５は、スパッタリング
ターゲット２の支持部材であると共に、イオン衝撃（ス
パッタ熱）によるスパッタリングターゲット２の温度上
昇を抑制する冷却部材としての機能を有するものであ
る。このため、バッキングプレート５の構成材料には、
熱伝導率が高い無酸素銅やアルミニウム合金などを用い
るのが好ましい。

【００３３】本発明によるスパッタリングターゲット
は、例えばスパッタリングターゲット材またはバッキン
グプレートを、前記スパッタリングターゲット材のバッ
キングプレートとの接合面側の外縁部分がバッキングプ
レートと接触しないように切り欠いたのち、前記スパッ
タリングターゲット材とバッキングプレートとを接合一
体化、あるいはバッキングプレートと一体的に配置する
方法によって製造することができる。

【００３４】また、本発明において、欠き部の形状は任
意であって、例えば図６（ａ）〜図６（ｃ）に示される
ように、スパッタリングターゲット材２の外縁部３とバ
ッキングプレート５との間隙が連続的にあるいは段階的
に変化しているものでも良い。

【００３５】具体的には、図６（ａ）はスパッタリング
ターゲット材２の外縁部３において、最外縁部から内部
に向けての順次バッキングプレート５との距離が大きく
なる切り欠き形状を有する構成、図６（ｂ）はスパッタ
リングターゲット材２の外縁部３においてバッキングプ
レート５との距離が他の部位より大きくなる切り欠き形
状を有する構成、さらに図６（ｃ）はスパッタリングタ
ーゲット材２の外縁部３において、最外縁部から内部に
向けてバッキングプレート５との距離を一定とし内部に
おいて順次その距離が小さくなる切り欠き形状を有する
構成である。上記構成に限らず、各種の構成を採用する
事が可能である。

【００３６】上記説明においては、スパッタリングター
ゲット材またはバッキングプレートのいずれかの外縁部
を切り欠き形状にすることについて説明したが、スパッ
タリングターゲット材およびバッキングプレートの両方
の外縁部を切り欠き形状としてもよい。

【００３７】本発明においては、上記円盤状のスパッタ
リングターゲット材に限らず、正方状、直方状などの各
種形状のスパッタリングターゲットに適用することが可
能である。

【００３８】そして、本発明は、上記スパッタリングタ
ーゲットを、例えば図１に示すような、真空容器と、該
真空容器内に設置される被成膜試料保持部と、該真空容
器内に該被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲ
ット部を具備するスパッタリング装置に適用することに
より、ダストの発生を抑えることが可能なスパッタリン
グターゲット装置を得ることができるのである。

【００３９】

【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について説明
する。＜実施例１＞直径２５０ｍｍ、厚さ１５ｍｍ、純度５Ｎ
の、旋盤で仕上げたＴｉスパッタリングターゲット材の
外縁部のうちバッキングプレートと一体的に配置した際
に接触する部分を図５のように高さ１ｍｍ、幅１０ｍｍ
（スパッタ面面積の約１５％）で切り欠き形状に加工し
た。

【００４０】＜実施例２＞直径２５０ｍｍ、厚さ１５ｍ
ｍ、純度５Ｎの、旋盤で仕上げたＴｉスパッタリングタ
ーゲット材の側面部のうちバッキングプレートと一体的
に配置した際に接触する部分を図５のように高さ１ｍ
ｍ、幅３５ｍｍ（スパッタ面面積の約４８％）で切り欠
き形状に加工した。

【００４１】ダスト測定結果上記の実施例１および実施例２で得たＴｉスパッタリン
グターゲットを用い、図１に示すスパッタリングターゲ
ット装置側に組み込まれた６０６１系のＡｌ合金製バッ
キングプレートに押え治具により固定し、一体的に配置
し、スパッタ圧：４×１０^−１（Ｐａ）、スパッタ電流
５Ａ、アルゴン流量１５ｓｃｃｍ、窒素流量３０ｓｃｃ
ｍの条件で、φ６インチのＳｉウェハー上にマグネトロ
ンスパッタを行い、Ｔｉ膜を成膜した。この条件で、１
００ロット、１５０ロットまたは２００ロット後のφ６
インチのＳｉウェハー上のＴｉ膜中の０．２μｍ以上の
ダスト数をパーティクルカウンターで測定した。それら
の結果を、表１に示す。比較例１として、切り欠き加工
を施していないＴｉスパッタリングターゲットを同条件
でスパッタし、１００ロット、１５０ロットまたは２０
０ロット後のφ６インチのＳｉウェハー上のＴｉ膜中の
０．２μｍ以上のダスト数をパーティクルカウンターで
測定した。それらの結果を併せて表１に示す。

【００４２】

【表１】上記の表１から明らかなように、本発明のスパッタリン
グターゲットは、比較例のスパッタリングターゲットに
比較しスパッタリングターゲット初期から後期にわたっ
てのダストの発生が少なく優れている。

【００４３】＜実施例３＞直径３１３ｍｍ、厚さ１０ｍ
ｍ、純度５Ｎの、旋盤でスパッタ面を仕上げたＴｉスパ
ッタリングターゲット材の外縁部のうちバッキングプレ
ートと接合する部分を図３のように高さ１ｍｍ、幅１０
ｍｍ（スパッタ面積の約１２．４％）で切り欠き形状に
加工した。このＴｉスパッタリングターゲット材と６０
６１系のＡｌ合金からなるバッキングプレートを拡散接
合により接合一体化してスパッタリングターゲットを得
た。

【００４４】＜実施例４＞直径３１３ｍｍ、厚さ１０ｍ
ｍ、純度５Ｎの、旋盤でスパッタ面を仕上げたＴｉスパ
ッタリングターゲット材の外縁部のうちバッキングプレ
ートと接合する部分を図３のように高さ１ｍｍ、幅３５
ｍｍ（スパッタ面積の約３９．７％）で切り欠き形状に
加工した。このＴｉスパッタリングターゲット材と６０
６１系のＡｌ合金からなるバッキングプレートを拡散接
合により接合一体化してスパッタリングターゲットを得
た。

【００４５】ダスト測定結果上記の実施例３および実施例４で得たＴｉスパッタリン
グターゲットを用い、図１に示すスパッタリング装置
（装置側にはバッキングプレートなし）を組み込み、ス
パッタ圧：４×１０^−１（Ｐａ）、スパッタ電流５Ａ、
アルゴン流量１５ｓｃｃｍ、窒素流量３０ｓｃｃｍの条
件で、φ６インチのＳｉウェハー上にマグネトロンスパ
ッタを行い、Ｔｉ膜を成膜した。この条件で、１００ロ
ット、１５０ロットまたは２００ロット後のφ６インチ
のＳｉウェハー上のＴｉ薄膜中の０．２μｍ以上のダス
ト数をパーティクルカウンターで測定した。それらの結
果を、表２に示す。比較例２として、切り欠き加工をし
ていないバッキングプレートとＴｉターゲットとを同条
件で接合およびスパッタし、１００ロット、１５０ロッ
トまたは２００ロット後のφ６インチのＳｉウェハー上
のＴｉ膜中の０．２μｍ以上のダスト数をパーティクル
カウンターで測定した。それらの結果を併せて表２に示
す。

【００４６】

【表２】上記の表２から明らかなように、本発明のスパッタリン
グターゲットは、比較例のスパッタリングターゲットに
比較しスパッタリングターゲット初期から後期にわたっ
てのダストの発生が少なく優れている。

【００４７】＜実施例５＞直径２５０ｍｍ、厚さ１５ｍ
ｍ、純度５Ｎの、旋盤で仕上げたＴｉスパッタリングタ
ーゲット材を一体的に載置するための図７（ａ）に示さ
れる形状の６０６１系のＡｌ合金製のバッキングプレー
トに、高さ１ｍｍ、幅３５ｍｍの切り欠き溝をＴｉスパ
ッタリングターゲット材の外縁部形状に合わせて成形
（本実施例の場合は、外径２５０ｍｍ、内径２３０ｍｍ
の切り欠き溝、スパッタ面積の約１５．３％）とした。

【００４８】＜実施例６＞直径２５０ｍｍ、厚さ１５ｍ
ｍ、純度５Ｎの、旋盤で仕上げたＴｉスパッタリングタ
ーゲット材を一体的に載置するための図７（ａ）に示さ
れる形状の６０６１系のＡｌ合金製のバッキングプレー
トに、高さ１ｍｍ、幅３５ｍｍの切り欠き溝をＴｉスパ
ッタリングターゲット材の外縁部形状に合わせて成形
（本実施例の場合は、外径２５０ｍｍ、内径１８０ｍｍ
の切り欠き溝、スパッタ面積の約４８．１％）とした。

【００４９】ダスト測定結果上記の実施例５および実施例６で得たスパッタリングタ
ーゲットを、図１に示すスパッタリング装置に組み込ん
だ後、これらのバッキングプレートに直径２５０ｍｍ、
厚さ１５ｍｍ、純度５Ｎの、旋盤で仕上げたＴｉスパッ
タリングターゲット材を押え治具（図示せず）により固
定し、一体的に配置した。そして、スパッタ圧：４×１
０^−１（Ｐａ）、スパッタ電流５Ａ、アルゴン流量１５
ｓｃｃｍ、窒素流量３０ｓｃｃｍの条件で、φ６インチ
のＳｉウェハー上にマグネトロンスパッタを行い、Ｔｉ
膜中の１００ロット、１５０ロットまたは２００ロット
後のφ６インチのＳｉウェハー上のＴｉ膜中の０．２μ
ｍ以上のダスト数をパーティクルカウンターで測定し
た。それらの結果を、表３に示す。比較例３として、切
り欠き溝がないバッキングプレートを使用した以外は、
実施例３と同様にして、Ｔｉターゲットの接合およびス
パッタを行い、１００ロット、１５０ロットまたは２０
０ロット後のφ６インチのＳｉウェハー上のＴｉ膜中の
０．２μｍ以上のダスト数をパーティクルカウンターで
測定した。それらの結果を併せて表３に示す。

【００５０】

【表３】上記の表２から明らかなように、本発明のスパッタリン
グターゲットは、比較例のスパッタリングターゲットに
比較しスパッタリングターゲット初期から後期にわたっ
てのダストの発生が少なく優れている。

【００５１】

【発明の効果】以上に示したように、本発明は、薄膜を
形成する際にダストの少ないスパッタリングターゲット
およびスパッタリング装置を提供することができ、半導
体はもとより、液晶ディスプレイ用、記録用のためのス
パッタリングターゲット等多方面に活用することがで
き、その工業的価値が極めて高いものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の一般的なスパッタリング装置を模式的に
示す図。

【図２】従来のスパッタリングターゲットの一例を示す
断面図。

【図３】本発明によるスパッタリングターゲットの好ま
しい一具体例の概略を示す断面図。

【図４】本発明によるスパッタリングターゲットの好ま
しい一具体例の概略を示す断面図。

【図５】本発明によるスパッタリングターゲットの好ま
しい一具体例の概略を示す断面図。

【図６】本発明によるスパッタリングターゲットの切り
欠き部を拡大して示す断面図。

【図７】本発明によるスパッタリングターゲットの好ま
しい具体例の概略を示す断面図であって、図７（ａ）は
実施例５のスパッタリングターゲットを、図７（ｂ）は
実例６のスパッタリングターゲットを、示す図。

【符号の説明】

１スパッタリングターゲット２スパッタリングターゲット材３スパッタリングターゲット材の外縁部５バッキングプレート６バッキングプレートの外縁部７押え治具

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者石上隆神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者渡邊光一神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者渡辺高志神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者高阪泰郎神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者山崎修神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地株式会社東芝生産技術センター内Ｆターム(参考） 4K029 AA06 BA17 DC03 DC04 DC05 DC12 DC22 4M104 AA01 BB01 BB02 BB04 BB05 BB06 BB13 BB14 BB16 BB17 BB18 BB36 DD40 HH20 5F103 AA08 BB14 BB22 DD28 RR10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】バッキングプレートと一体的に配置して使
用されるスパッタリングターゲット材、またはスパッタ
リングターゲット材とバッキングプレートとが接合一体
化してなるスパッタリングターゲットであって、該スパ
ッタリングターゲット材の該バッキングプレートとの接
合面側の外縁部が該バッキングプレートと接触しない形
状及び／又は該バッキングプレートの該スパッタリング
ターゲット材との接合面側の外縁部が該スパッタリング
ターゲット材と接触しない形状を有することを特徴とす
る、スパッタリングターゲット。
【請求項２】スパッタリングターゲット材の外縁部を切
り欠き形状とすることにより、スパッタリングターゲッ
ト材のバッキングプレートとの接合面側の外縁部がバッ
キングプレートと接触しない形状を有することを特徴と
する、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】バッキングプレートの外縁部を切り欠き形
状とすることにより、スパッタリングターゲット材のバ
ッキングプレートとの接合面側の外縁部がバッキングプ
レートと接触しない形状を有することを特徴とする、請
求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】スパッタリングターゲット材の外縁部にお
けるバッキングプレートとの非接触面積が、該スパッタ
リングターゲット材のスパッタ面の面積の１０％以上で
あることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに
記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】スパッタリングターゲット材の外周部にお
けるバッキングプレートとの非接触面積が、該スパッタ
リングターゲット材のスパッタ面の面積の４０％以上で
あることを特徴とする、請求項４に記載のスパッタリン
グターゲット。
【請求項６】バッキングプレートの外縁部におけるスパ
ッタリングターゲット材との非接触面積が、該スパッタ
リングターゲット材のスパッタ面の面積の１０％以上で
あることを特徴とする、請求項１または３のいずれかに
記載のスパッタリングターゲット。
【請求項７】バッキングプレートの外縁部におけるスパ
ッタリングターゲット材との非接触面積が、該スパッタ
リングターゲット材のスパッタ面の面積の３５％以上で
あることを特徴とする、請求項６に記載のスパッタリン
グターゲット。
【請求項８】スパッタリングターゲット材が、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅおよび
Ｆｅから選ばれる金属元素の単体、もしくは上記した金
属元素を含む合金または化合物からなることを特徴とす
る、請求項１ないし７のいずれかに記載のスパッタリン
グターゲット。
【請求項９】真空容器と、該真空容器内に設置される被
成膜試料保持部と、該真空容器内に該被成膜試料保持部
と対向して配置されるターゲット部を具備するスパッタ
リング装置において、該ターゲット部は、請求項１ない
し８のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを具
備することを特徴とする、スパッタリング装置。