JPH04289159A - 成膜装置における防着装置 - Google Patents
成膜装置における防着装置Info
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- JPH04289159A JPH04289159A JP5454591A JP5454591A JPH04289159A JP H04289159 A JPH04289159 A JP H04289159A JP 5454591 A JP5454591 A JP 5454591A JP 5454591 A JP5454591 A JP 5454591A JP H04289159 A JPH04289159 A JP H04289159A
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000181 anti-adherent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置や磁気記録
媒体などを製造する工程における成膜手段として使用さ
れるスパッタ装置などの防着装置に関する。
媒体などを製造する工程における成膜手段として使用さ
れるスパッタ装置などの防着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は薄膜型の磁気記録媒体の層構成を
示す図である。アルミニウム基板１にＮｉ−Ｐ層２がメ
ッキされており、その上に、Ｃｒ層３、ＣｏＣｒＴａか
らなる磁性層４、Ｃ層５の順に成膜され、その上にＬｕ
ｂからなる潤滑剤層６が塗布されている。Ｃｒ層３、Ｃ
ｏＣｒＴａからなる磁性層４およびカーボン層５は、図
６に示すような連続スパッタ装置によって、連続的に成
膜される。
示す図である。アルミニウム基板１にＮｉ−Ｐ層２がメ
ッキされており、その上に、Ｃｒ層３、ＣｏＣｒＴａか
らなる磁性層４、Ｃ層５の順に成膜され、その上にＬｕ
ｂからなる潤滑剤層６が塗布されている。Ｃｒ層３、Ｃ
ｏＣｒＴａからなる磁性層４およびカーボン層５は、図
６に示すような連続スパッタ装置によって、連続的に成
膜される。
【０００３】図６において、真空室７の片側に基板供給
室８１、予熱室８２を、反対側に基板排出室１０を有し
ている。真空室７中は常時排気され、スパッタ雰囲気が
維持されているため、スパッタを行なうために基板１を
真空室７中に供給するには、基板供給室８１の扉９１を
開けて基板を供給した後、次の予熱室８２の扉９２を開
けて予熱室８２に送り込み、該予熱室８２を充分排気し
てから、仕切り壁の扉９３を開けて、真空室７中に送り
込む。そして真空室７内を移動して、両側のターゲット
ｔ１、ｔ２、ｔ３からスパッタが行われた後、出口側の
仕切り壁の扉１２を開け、真空状態の基板排出室１０に
移送し、該扉１２を閉じてから、出口の扉１３を開けて
、外部に取り出す。
室８１、予熱室８２を、反対側に基板排出室１０を有し
ている。真空室７中は常時排気され、スパッタ雰囲気が
維持されているため、スパッタを行なうために基板１を
真空室７中に供給するには、基板供給室８１の扉９１を
開けて基板を供給した後、次の予熱室８２の扉９２を開
けて予熱室８２に送り込み、該予熱室８２を充分排気し
てから、仕切り壁の扉９３を開けて、真空室７中に送り
込む。そして真空室７内を移動して、両側のターゲット
ｔ１、ｔ２、ｔ３からスパッタが行われた後、出口側の
仕切り壁の扉１２を開け、真空状態の基板排出室１０に
移送し、該扉１２を閉じてから、出口の扉１３を開けて
、外部に取り出す。
【０００４】図５のような層構成にする場合は、ターゲ
ットｔ１はＣｒ、ターゲットｔ２はＣｏＣｒＴａからな
る磁性体、ターゲットｔ３はカーボンであり、基板１が
両側の各ターゲットｔ１、ｔ２、ｔ３の間を通過するこ
とで、Ｃｒ層３、ＣｏＣｒＴａからなる磁性層４、Ｃ層
５の順に成膜される。
ットｔ１はＣｒ、ターゲットｔ２はＣｏＣｒＴａからな
る磁性体、ターゲットｔ３はカーボンであり、基板１が
両側の各ターゲットｔ１、ｔ２、ｔ３の間を通過するこ
とで、Ｃｒ層３、ＣｏＣｒＴａからなる磁性層４、Ｃ層
５の順に成膜される。
【０００５】ところで、真空室７中の各ターゲットｔ１
、ｔ２、ｔ３の前には、図７に示すようにして、遮蔽板
１４や防着板１５が配設されている。すなわち、バッキ
ングプレート１６にターゲットｔが固定され、ターゲッ
トｔの所定の領域のみが露出するように遮蔽板１４で覆
われている。そして、ターゲットｔ前方に開口１７を有
する防着板１５によって、開口１７を通過した粒子のみ
が基板１にスパッタされ、他のスパッタ粒子は、防着板
１５に遮られて、真空室７の内壁などに付着するのを防
止するようになっている。
、ｔ２、ｔ３の前には、図７に示すようにして、遮蔽板
１４や防着板１５が配設されている。すなわち、バッキ
ングプレート１６にターゲットｔが固定され、ターゲッ
トｔの所定の領域のみが露出するように遮蔽板１４で覆
われている。そして、ターゲットｔ前方に開口１７を有
する防着板１５によって、開口１７を通過した粒子のみ
が基板１にスパッタされ、他のスパッタ粒子は、防着板
１５に遮られて、真空室７の内壁などに付着するのを防
止するようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ターゲット
ｔから飛散した粒子が、防着板１５に付着し、１８で示
すように付着物が発生する。そして、付着物が剥離して
フレークとなり、真空室中を浮遊している間に、ターゲ
ットｔからのスパッタ粒子とともに基板１側に移動して
、基板１に付着する。
ｔから飛散した粒子が、防着板１５に付着し、１８で示
すように付着物が発生する。そして、付着物が剥離して
フレークとなり、真空室中を浮遊している間に、ターゲ
ットｔからのスパッタ粒子とともに基板１側に移動して
、基板１に付着する。
【０００７】図８は半導体装置の製造に用いられるスパ
ッタ装置であるが、ターゲットｔと基板１との間に配設
されているシャッター１９にもスパッタ粒子が付着し、
この付着物１８からフレークが発生する。また、真空室
内壁にもスパッタ粒子が堆積し、フレークの発生源とな
る。
ッタ装置であるが、ターゲットｔと基板１との間に配設
されているシャッター１９にもスパッタ粒子が付着し、
この付着物１８からフレークが発生する。また、真空室
内壁にもスパッタ粒子が堆積し、フレークの発生源とな
る。
【０００８】このフレークは、ターゲットｔから直接基
板１に飛散して付着する粒子とは材質が異なり、異物と
なるため、基板１上の膜質を低下させる。またフレーク
は、防着板などへの付着物の剥離粉なため、ターゲット
ｔからのスパッタ微粒子と異なって、数十μｍもある大
きな異物が混在しており、半導体基板や磁気記録媒体の
磁性膜に付着すると大きな領域が欠陥となる。
板１に飛散して付着する粒子とは材質が異なり、異物と
なるため、基板１上の膜質を低下させる。またフレーク
は、防着板などへの付着物の剥離粉なため、ターゲット
ｔからのスパッタ微粒子と異なって、数十μｍもある大
きな異物が混在しており、半導体基板や磁気記録媒体の
磁性膜に付着すると大きな領域が欠陥となる。
【０００９】付着物１８の堆積量が増えるに従ってフレ
ークの発生量も増加するため、従来は真空室内の防着板
やシャッターにおける付着物１８が厚くなると、酸洗浄
して付着物を除去してから再使用しているが、その都度
真空室を開けて大気開放しなければならないため、成膜
装置の稼働率が低下し、量産の妨げとなっている。
ークの発生量も増加するため、従来は真空室内の防着板
やシャッターにおける付着物１８が厚くなると、酸洗浄
して付着物を除去してから再使用しているが、その都度
真空室を開けて大気開放しなければならないため、成膜
装置の稼働率が低下し、量産の妨げとなっている。
【００１０】また、防着板からのフレークの発生は、タ
ングステン（Ｗ） や窒化チタン（ＴｉＮ）、ＴｉＷな
どのような高融点金属膜を成膜する場合に著しく、真空
室の大気開放による稼働率低下の影響が大きい。
ングステン（Ｗ） や窒化チタン（ＴｉＮ）、ＴｉＷな
どのような高融点金属膜を成膜する場合に著しく、真空
室の大気開放による稼働率低下の影響が大きい。
【００１１】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、防着板からフレークが発生するのを未然に防止
することにある。
着目し、防着板からフレークが発生するのを未然に防止
することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明による防着
装置の基本原理を説明する図で、 （ａ）は正面図、
（ｂ）は （ａ）図におけるｂ−ｂ断面図である。２０
は本発明の防着装置であり、防着板２１と支持体２２か
らなっている。防着板２１は、変形し易いような薄い板
材に凹凸２３を形成することで、柔軟性を高くしている
。このように防着板２１は柔軟性が増し、剛性が低いた
め、剛性の高い支持体２２に固定することで、真空室内
の所定の位置に配設可能としている。前記の防着板２１
は、アルミニウムなどのような低融点の材料で構成する
のが好ましい。
装置の基本原理を説明する図で、 （ａ）は正面図、
（ｂ）は （ａ）図におけるｂ−ｂ断面図である。２０
は本発明の防着装置であり、防着板２１と支持体２２か
らなっている。防着板２１は、変形し易いような薄い板
材に凹凸２３を形成することで、柔軟性を高くしている
。このように防着板２１は柔軟性が増し、剛性が低いた
め、剛性の高い支持体２２に固定することで、真空室内
の所定の位置に配設可能としている。前記の防着板２１
は、アルミニウムなどのような低融点の材料で構成する
のが好ましい。
【００１３】
【作用】防着板に付着した付着物からフレークが発生す
るメカニズムは、付着物の内部応力が、付着物の付着力
より大きくなると、防着板から剥離してフレークとなる
ものと考えられる。すなわち、σを付着物１８の内部応
力、Ｔを付着物１８の厚さ、Ｆを付着力とすると、σ×
Ｔ＞Ｆとなり、付着物１８が剥離してフレークとなる。 この付着物１８の内部応力は、タングステンなどのよう
な高融点金属の場合に著しく大きくなり、また防着板の
剛性に応じて大きくなる。
るメカニズムは、付着物の内部応力が、付着物の付着力
より大きくなると、防着板から剥離してフレークとなる
ものと考えられる。すなわち、σを付着物１８の内部応
力、Ｔを付着物１８の厚さ、Ｆを付着力とすると、σ×
Ｔ＞Ｆとなり、付着物１８が剥離してフレークとなる。 この付着物１８の内部応力は、タングステンなどのよう
な高融点金属の場合に著しく大きくなり、また防着板の
剛性に応じて大きくなる。
【００１４】本発明の防着板２１にも、真空室内でスパ
ッタなどによって成膜を行なう際に、防着板表面に成膜
粒子が付着して、付着物１８となる。ところが、本発明
の防着板２１は、凹凸形状などによって柔軟性が増し、
容易に変形し易い形状をしているため、付着物１８の内
部応力が増加しようとしても、防着板２１自身が、付着
物１８の内部応力によって容易に変形するため、付着物
１８の内部応力の増加が抑制される。
ッタなどによって成膜を行なう際に、防着板表面に成膜
粒子が付着して、付着物１８となる。ところが、本発明
の防着板２１は、凹凸形状などによって柔軟性が増し、
容易に変形し易い形状をしているため、付着物１８の内
部応力が増加しようとしても、防着板２１自身が、付着
物１８の内部応力によって容易に変形するため、付着物
１８の内部応力の増加が抑制される。
【００１５】すなわち、付着物１８の内部応力が、矢印
で示す方向に発生しようとすると、防着板２１自身が凹
凸形状をしているため、矢印方向に容易に変形する。そ
の結果、付着物１８の内部応力は増大できず、付着物１
８の防着板２１への付着力より内部応力が増大して、付
着物１８が剥離するのを抑制できる。
で示す方向に発生しようとすると、防着板２１自身が凹
凸形状をしているため、矢印方向に容易に変形する。そ
の結果、付着物１８の内部応力は増大できず、付着物１
８の防着板２１への付着力より内部応力が増大して、付
着物１８が剥離するのを抑制できる。
【００１６】防着板２１は、容易に変形できるように薄
い板材からなり、また形状的にも変形しやすいため、剛
性の高い支持体２２に固定し、支持体２２によって所定
の位置に設置される。
い板材からなり、また形状的にも変形しやすいため、剛
性の高い支持体２２に固定し、支持体２２によって所定
の位置に設置される。
【００１７】防着板２１として、アルミニウムや銅など
のような低融点の材料を用いると、防着板２１は材質的
にも変形が容易となり、付着物１８の内部応力の増加を
より効果的に防止できる。
のような低融点の材料を用いると、防着板２１は材質的
にも変形が容易となり、付着物１８の内部応力の増加を
より効果的に防止できる。
【００１８】なお、本発明の防着装置は、真空蒸着装置
などにも有効である。
などにも有効である。
【００１９】
【実施例】次に本発明による成膜装置における防着装置
が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明する
。図２〜図４は本発明をシャッターに実施した例であり
、図２は正面図、図３は図２におけるＡ−Ａ方向の拡大
断面図、図４は背面図である。
が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明する
。図２〜図４は本発明をシャッターに実施した例であり
、図２は正面図、図３は図２におけるＡ−Ａ方向の拡大
断面図、図４は背面図である。
【００２０】２４はアルミニウム製の円板であり、０．
３ｍｍ 程度の薄板に円形の凹凸を形成したものである
。すなわち、直径が３〜５ｍｍ程度の凹部２５を多数形
成してあり、この凹部２５は、図４に示す裏側から見る
と凸部になっている。なお図示例では、凹部２５の無い
領域２６は平坦になっているが、この平坦部２６には、
裏側から凹部を形成し、表側が凸部２９となるようにす
ると、平坦部が無く、総ての位置が凹または凸となり、
どの位置を切断しても、図１（ｂ） のような波形断面
となる。
３ｍｍ 程度の薄板に円形の凹凸を形成したものである
。すなわち、直径が３〜５ｍｍ程度の凹部２５を多数形
成してあり、この凹部２５は、図４に示す裏側から見る
と凸部になっている。なお図示例では、凹部２５の無い
領域２６は平坦になっているが、この平坦部２６には、
裏側から凹部を形成し、表側が凸部２９となるようにす
ると、平坦部が無く、総ての位置が凹または凸となり、
どの位置を切断しても、図１（ｂ） のような波形断面
となる。
【００２１】円板２４は、凹凸によって柔軟な形状とな
っているため、十字状の支持体２７に×印部３０におい
てスポット溶接などで固着され、アーム部２８を介して
駆動源に連結するようになっている。
っているため、十字状の支持体２７に×印部３０におい
てスポット溶接などで固着され、アーム部２８を介して
駆動源に連結するようになっている。
【００２２】図７の防着板１５や遮蔽板１４なども、本
発明によって低融点材料からなる薄板に凹凸を形成して
柔軟構造にした板で構成し、支持体を介して固定するこ
とによって、付着物１８が剥離しにくくなる。
発明によって低融点材料からなる薄板に凹凸を形成して
柔軟構造にした板で構成し、支持体を介して固定するこ
とによって、付着物１８が剥離しにくくなる。
【００２３】なお、本発明において防着装置とは、基板
以外の成膜粒子の付着板を総称するもので、シャッター
なども含まれる。
以外の成膜粒子の付着板を総称するもので、シャッター
なども含まれる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、成膜粒子
が基板以外に付着するのを防止したり、シャッターのよ
うに基板に付着するのを防止するための防着装置におい
て、防着板２１を容易に変形するように凹凸形状とし、
かつ低融点の軟質な材料で構成するため、成膜粒子の付
着物１８の内部応力によって防着板２１が容易に変形す
ることで、付着物１８の内部応力が増大するのを抑制で
きる。その結果、付着物１８が剥離してフレークが発生
するのを抑制でき、成膜製品の歩留りが向上するととも
に、防着装置の清掃や交換の頻度が低減し、成膜装置の
稼働率の向上によって量産効果が高くなる。
が基板以外に付着するのを防止したり、シャッターのよ
うに基板に付着するのを防止するための防着装置におい
て、防着板２１を容易に変形するように凹凸形状とし、
かつ低融点の軟質な材料で構成するため、成膜粒子の付
着物１８の内部応力によって防着板２１が容易に変形す
ることで、付着物１８の内部応力が増大するのを抑制で
きる。その結果、付着物１８が剥離してフレークが発生
するのを抑制でき、成膜製品の歩留りが向上するととも
に、防着装置の清掃や交換の頻度が低減し、成膜装置の
稼働率の向上によって量産効果が高くなる。
【図１】本発明による成膜装置における防着装置の基本
原理を説明する平面図と断面図である。
原理を説明する平面図と断面図である。
【図２】本発明を実施したシャッターの平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明を実施したシャッターの裏面図である。
【図５】薄膜型磁気記録媒体の層構成を示す断面図であ
る。
る。
【図６】従来の連続式スパッタ装置の平面図である。
【図７】従来のターゲット周りを示す平面図である。
【図８】従来の半導体装置製造用のスパッタ装置の側面
図である。
図である。
１ 基板
ｔ，ｔ１，ｔ２，ｔ３ ターゲット
１４ 遮蔽板
１５ 防着板
１６ バッキングプレート
１８ 防着板などにおけるスパッタ粒子の付着物１９
シャッター ２０ 本発明の防着装置 ２１ 防着板 ２２，２７ 支持体 ２３ 凹凸 ２４ 円板 ２５ 凹部 ２６ 平坦部 ２９ 凸部 ３０ 溶接部
シャッター ２０ 本発明の防着装置 ２１ 防着板 ２２，２７ 支持体 ２３ 凹凸 ２４ 円板 ２５ 凹部 ２６ 平坦部 ２９ 凸部 ３０ 溶接部
Claims (2)
- 【請求項１】 成膜粒子が付着し、フレークの発生原
因となる防着板を、変形し易いような薄い板材に凹凸を
形成して柔軟性を高め、剛性の高い支持体（２２）に固
定してなることを特徴とする成膜装置における防着装置
。 - 【請求項２】 前記の防着板が、アルミニウムなどの
ような低融点材料で構成されていることを特徴とする請
求項１記載の成膜装置における防着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5454591A JPH04289159A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 成膜装置における防着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5454591A JPH04289159A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 成膜装置における防着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04289159A true JPH04289159A (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=12973652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5454591A Withdrawn JPH04289159A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 成膜装置における防着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04289159A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837057A (en) * | 1992-12-21 | 1998-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus with particle prevention plate |
| JP2002038253A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-06 | Futaba Corp | 防着板及びこれを用いた真空成膜装置 |
| JP2009062579A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 成膜装置 |
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| WO2014065125A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | 富士フイルム株式会社 | 真空成膜装置用防着板、真空成膜装置用防着板の製造方法、真空成膜装置、および、真空成膜方法 |
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1991
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