JPH04289159A - 成膜装置における防着装置 - Google Patents
成膜装置における防着装置Info
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- JPH04289159A JPH04289159A JP5454591A JP5454591A JPH04289159A JP H04289159 A JPH04289159 A JP H04289159A JP 5454591 A JP5454591 A JP 5454591A JP 5454591 A JP5454591 A JP 5454591A JP H04289159 A JPH04289159 A JP H04289159A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置や磁気記録
媒体などを製造する工程における成膜手段として使用さ
れるスパッタ装置などの防着装置に関する。
媒体などを製造する工程における成膜手段として使用さ
れるスパッタ装置などの防着装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図5は薄膜型の磁気記録媒体の層構成を
示す図である。アルミニウム基板1にNi−P層2がメ
ッキされており、その上に、Cr層3、CoCrTaか
らなる磁性層4、C層5の順に成膜され、その上にLu
bからなる潤滑剤層6が塗布されている。Cr層3、C
oCrTaからなる磁性層4およびカーボン層5は、図
6に示すような連続スパッタ装置によって、連続的に成
膜される。
示す図である。アルミニウム基板1にNi−P層2がメ
ッキされており、その上に、Cr層3、CoCrTaか
らなる磁性層4、C層5の順に成膜され、その上にLu
bからなる潤滑剤層6が塗布されている。Cr層3、C
oCrTaからなる磁性層4およびカーボン層5は、図
6に示すような連続スパッタ装置によって、連続的に成
膜される。
【0003】図6において、真空室7の片側に基板供給
室81、予熱室82を、反対側に基板排出室10を有し
ている。真空室7中は常時排気され、スパッタ雰囲気が
維持されているため、スパッタを行なうために基板1を
真空室7中に供給するには、基板供給室81の扉91を
開けて基板を供給した後、次の予熱室82の扉92を開
けて予熱室82に送り込み、該予熱室82を充分排気し
てから、仕切り壁の扉93を開けて、真空室7中に送り
込む。そして真空室7内を移動して、両側のターゲット
t1、t2、t3からスパッタが行われた後、出口側の
仕切り壁の扉12を開け、真空状態の基板排出室10に
移送し、該扉12を閉じてから、出口の扉13を開けて
、外部に取り出す。
室81、予熱室82を、反対側に基板排出室10を有し
ている。真空室7中は常時排気され、スパッタ雰囲気が
維持されているため、スパッタを行なうために基板1を
真空室7中に供給するには、基板供給室81の扉91を
開けて基板を供給した後、次の予熱室82の扉92を開
けて予熱室82に送り込み、該予熱室82を充分排気し
てから、仕切り壁の扉93を開けて、真空室7中に送り
込む。そして真空室7内を移動して、両側のターゲット
t1、t2、t3からスパッタが行われた後、出口側の
仕切り壁の扉12を開け、真空状態の基板排出室10に
移送し、該扉12を閉じてから、出口の扉13を開けて
、外部に取り出す。
【0004】図5のような層構成にする場合は、ターゲ
ットt1はCr、ターゲットt2はCoCrTaからな
る磁性体、ターゲットt3はカーボンであり、基板1が
両側の各ターゲットt1、t2、t3の間を通過するこ
とで、Cr層3、CoCrTaからなる磁性層4、C層
5の順に成膜される。
ットt1はCr、ターゲットt2はCoCrTaからな
る磁性体、ターゲットt3はカーボンであり、基板1が
両側の各ターゲットt1、t2、t3の間を通過するこ
とで、Cr層3、CoCrTaからなる磁性層4、C層
5の順に成膜される。
【0005】ところで、真空室7中の各ターゲットt1
、t2、t3の前には、図7に示すようにして、遮蔽板
14や防着板15が配設されている。すなわち、バッキ
ングプレート16にターゲットtが固定され、ターゲッ
トtの所定の領域のみが露出するように遮蔽板14で覆
われている。そして、ターゲットt前方に開口17を有
する防着板15によって、開口17を通過した粒子のみ
が基板1にスパッタされ、他のスパッタ粒子は、防着板
15に遮られて、真空室7の内壁などに付着するのを防
止するようになっている。
、t2、t3の前には、図7に示すようにして、遮蔽板
14や防着板15が配設されている。すなわち、バッキ
ングプレート16にターゲットtが固定され、ターゲッ
トtの所定の領域のみが露出するように遮蔽板14で覆
われている。そして、ターゲットt前方に開口17を有
する防着板15によって、開口17を通過した粒子のみ
が基板1にスパッタされ、他のスパッタ粒子は、防着板
15に遮られて、真空室7の内壁などに付着するのを防
止するようになっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ターゲット
tから飛散した粒子が、防着板15に付着し、18で示
すように付着物が発生する。そして、付着物が剥離して
フレークとなり、真空室中を浮遊している間に、ターゲ
ットtからのスパッタ粒子とともに基板1側に移動して
、基板1に付着する。
tから飛散した粒子が、防着板15に付着し、18で示
すように付着物が発生する。そして、付着物が剥離して
フレークとなり、真空室中を浮遊している間に、ターゲ
ットtからのスパッタ粒子とともに基板1側に移動して
、基板1に付着する。
【0007】図8は半導体装置の製造に用いられるスパ
ッタ装置であるが、ターゲットtと基板1との間に配設
されているシャッター19にもスパッタ粒子が付着し、
この付着物18からフレークが発生する。また、真空室
内壁にもスパッタ粒子が堆積し、フレークの発生源とな
る。
ッタ装置であるが、ターゲットtと基板1との間に配設
されているシャッター19にもスパッタ粒子が付着し、
この付着物18からフレークが発生する。また、真空室
内壁にもスパッタ粒子が堆積し、フレークの発生源とな
る。
【0008】このフレークは、ターゲットtから直接基
板1に飛散して付着する粒子とは材質が異なり、異物と
なるため、基板1上の膜質を低下させる。またフレーク
は、防着板などへの付着物の剥離粉なため、ターゲット
tからのスパッタ微粒子と異なって、数十μmもある大
きな異物が混在しており、半導体基板や磁気記録媒体の
磁性膜に付着すると大きな領域が欠陥となる。
板1に飛散して付着する粒子とは材質が異なり、異物と
なるため、基板1上の膜質を低下させる。またフレーク
は、防着板などへの付着物の剥離粉なため、ターゲット
tからのスパッタ微粒子と異なって、数十μmもある大
きな異物が混在しており、半導体基板や磁気記録媒体の
磁性膜に付着すると大きな領域が欠陥となる。
【0009】付着物18の堆積量が増えるに従ってフレ
ークの発生量も増加するため、従来は真空室内の防着板
やシャッターにおける付着物18が厚くなると、酸洗浄
して付着物を除去してから再使用しているが、その都度
真空室を開けて大気開放しなければならないため、成膜
装置の稼働率が低下し、量産の妨げとなっている。
ークの発生量も増加するため、従来は真空室内の防着板
やシャッターにおける付着物18が厚くなると、酸洗浄
して付着物を除去してから再使用しているが、その都度
真空室を開けて大気開放しなければならないため、成膜
装置の稼働率が低下し、量産の妨げとなっている。
【0010】また、防着板からのフレークの発生は、タ
ングステン(W) や窒化チタン(TiN)、TiWな
どのような高融点金属膜を成膜する場合に著しく、真空
室の大気開放による稼働率低下の影響が大きい。
ングステン(W) や窒化チタン(TiN)、TiWな
どのような高融点金属膜を成膜する場合に著しく、真空
室の大気開放による稼働率低下の影響が大きい。
【0011】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、防着板からフレークが発生するのを未然に防止
することにある。
着目し、防着板からフレークが発生するのを未然に防止
することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】図1は本発明による防着
装置の基本原理を説明する図で、 (a)は正面図、
(b)は (a)図におけるb−b断面図である。20
は本発明の防着装置であり、防着板21と支持体22か
らなっている。防着板21は、変形し易いような薄い板
材に凹凸23を形成することで、柔軟性を高くしている
。このように防着板21は柔軟性が増し、剛性が低いた
め、剛性の高い支持体22に固定することで、真空室内
の所定の位置に配設可能としている。前記の防着板21
は、アルミニウムなどのような低融点の材料で構成する
のが好ましい。
装置の基本原理を説明する図で、 (a)は正面図、
(b)は (a)図におけるb−b断面図である。20
は本発明の防着装置であり、防着板21と支持体22か
らなっている。防着板21は、変形し易いような薄い板
材に凹凸23を形成することで、柔軟性を高くしている
。このように防着板21は柔軟性が増し、剛性が低いた
め、剛性の高い支持体22に固定することで、真空室内
の所定の位置に配設可能としている。前記の防着板21
は、アルミニウムなどのような低融点の材料で構成する
のが好ましい。
【0013】
【作用】防着板に付着した付着物からフレークが発生す
るメカニズムは、付着物の内部応力が、付着物の付着力
より大きくなると、防着板から剥離してフレークとなる
ものと考えられる。すなわち、σを付着物18の内部応
力、Tを付着物18の厚さ、Fを付着力とすると、σ×
T>Fとなり、付着物18が剥離してフレークとなる。 この付着物18の内部応力は、タングステンなどのよう
な高融点金属の場合に著しく大きくなり、また防着板の
剛性に応じて大きくなる。
るメカニズムは、付着物の内部応力が、付着物の付着力
より大きくなると、防着板から剥離してフレークとなる
ものと考えられる。すなわち、σを付着物18の内部応
力、Tを付着物18の厚さ、Fを付着力とすると、σ×
T>Fとなり、付着物18が剥離してフレークとなる。 この付着物18の内部応力は、タングステンなどのよう
な高融点金属の場合に著しく大きくなり、また防着板の
剛性に応じて大きくなる。
【0014】本発明の防着板21にも、真空室内でスパ
ッタなどによって成膜を行なう際に、防着板表面に成膜
粒子が付着して、付着物18となる。ところが、本発明
の防着板21は、凹凸形状などによって柔軟性が増し、
容易に変形し易い形状をしているため、付着物18の内
部応力が増加しようとしても、防着板21自身が、付着
物18の内部応力によって容易に変形するため、付着物
18の内部応力の増加が抑制される。
ッタなどによって成膜を行なう際に、防着板表面に成膜
粒子が付着して、付着物18となる。ところが、本発明
の防着板21は、凹凸形状などによって柔軟性が増し、
容易に変形し易い形状をしているため、付着物18の内
部応力が増加しようとしても、防着板21自身が、付着
物18の内部応力によって容易に変形するため、付着物
18の内部応力の増加が抑制される。
【0015】すなわち、付着物18の内部応力が、矢印
で示す方向に発生しようとすると、防着板21自身が凹
凸形状をしているため、矢印方向に容易に変形する。そ
の結果、付着物18の内部応力は増大できず、付着物1
8の防着板21への付着力より内部応力が増大して、付
着物18が剥離するのを抑制できる。
で示す方向に発生しようとすると、防着板21自身が凹
凸形状をしているため、矢印方向に容易に変形する。そ
の結果、付着物18の内部応力は増大できず、付着物1
8の防着板21への付着力より内部応力が増大して、付
着物18が剥離するのを抑制できる。
【0016】防着板21は、容易に変形できるように薄
い板材からなり、また形状的にも変形しやすいため、剛
性の高い支持体22に固定し、支持体22によって所定
の位置に設置される。
い板材からなり、また形状的にも変形しやすいため、剛
性の高い支持体22に固定し、支持体22によって所定
の位置に設置される。
【0017】防着板21として、アルミニウムや銅など
のような低融点の材料を用いると、防着板21は材質的
にも変形が容易となり、付着物18の内部応力の増加を
より効果的に防止できる。
のような低融点の材料を用いると、防着板21は材質的
にも変形が容易となり、付着物18の内部応力の増加を
より効果的に防止できる。
【0018】なお、本発明の防着装置は、真空蒸着装置
などにも有効である。
などにも有効である。
【0019】
【実施例】次に本発明による成膜装置における防着装置
が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明する
。図2〜図4は本発明をシャッターに実施した例であり
、図2は正面図、図3は図2におけるA−A方向の拡大
断面図、図4は背面図である。
が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明する
。図2〜図4は本発明をシャッターに実施した例であり
、図2は正面図、図3は図2におけるA−A方向の拡大
断面図、図4は背面図である。
【0020】24はアルミニウム製の円板であり、0.
3mm 程度の薄板に円形の凹凸を形成したものである
。すなわち、直径が3〜5mm程度の凹部25を多数形
成してあり、この凹部25は、図4に示す裏側から見る
と凸部になっている。なお図示例では、凹部25の無い
領域26は平坦になっているが、この平坦部26には、
裏側から凹部を形成し、表側が凸部29となるようにす
ると、平坦部が無く、総ての位置が凹または凸となり、
どの位置を切断しても、図1(b) のような波形断面
となる。
3mm 程度の薄板に円形の凹凸を形成したものである
。すなわち、直径が3〜5mm程度の凹部25を多数形
成してあり、この凹部25は、図4に示す裏側から見る
と凸部になっている。なお図示例では、凹部25の無い
領域26は平坦になっているが、この平坦部26には、
裏側から凹部を形成し、表側が凸部29となるようにす
ると、平坦部が無く、総ての位置が凹または凸となり、
どの位置を切断しても、図1(b) のような波形断面
となる。
【0021】円板24は、凹凸によって柔軟な形状とな
っているため、十字状の支持体27に×印部30におい
てスポット溶接などで固着され、アーム部28を介して
駆動源に連結するようになっている。
っているため、十字状の支持体27に×印部30におい
てスポット溶接などで固着され、アーム部28を介して
駆動源に連結するようになっている。
【0022】図7の防着板15や遮蔽板14なども、本
発明によって低融点材料からなる薄板に凹凸を形成して
柔軟構造にした板で構成し、支持体を介して固定するこ
とによって、付着物18が剥離しにくくなる。
発明によって低融点材料からなる薄板に凹凸を形成して
柔軟構造にした板で構成し、支持体を介して固定するこ
とによって、付着物18が剥離しにくくなる。
【0023】なお、本発明において防着装置とは、基板
以外の成膜粒子の付着板を総称するもので、シャッター
なども含まれる。
以外の成膜粒子の付着板を総称するもので、シャッター
なども含まれる。
【0024】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、成膜粒子
が基板以外に付着するのを防止したり、シャッターのよ
うに基板に付着するのを防止するための防着装置におい
て、防着板21を容易に変形するように凹凸形状とし、
かつ低融点の軟質な材料で構成するため、成膜粒子の付
着物18の内部応力によって防着板21が容易に変形す
ることで、付着物18の内部応力が増大するのを抑制で
きる。その結果、付着物18が剥離してフレークが発生
するのを抑制でき、成膜製品の歩留りが向上するととも
に、防着装置の清掃や交換の頻度が低減し、成膜装置の
稼働率の向上によって量産効果が高くなる。
が基板以外に付着するのを防止したり、シャッターのよ
うに基板に付着するのを防止するための防着装置におい
て、防着板21を容易に変形するように凹凸形状とし、
かつ低融点の軟質な材料で構成するため、成膜粒子の付
着物18の内部応力によって防着板21が容易に変形す
ることで、付着物18の内部応力が増大するのを抑制で
きる。その結果、付着物18が剥離してフレークが発生
するのを抑制でき、成膜製品の歩留りが向上するととも
に、防着装置の清掃や交換の頻度が低減し、成膜装置の
稼働率の向上によって量産効果が高くなる。
【図1】本発明による成膜装置における防着装置の基本
原理を説明する平面図と断面図である。
原理を説明する平面図と断面図である。
【図2】本発明を実施したシャッターの平面図である。
【図3】図2におけるA−A断面図である。
【図4】本発明を実施したシャッターの裏面図である。
【図5】薄膜型磁気記録媒体の層構成を示す断面図であ
る。
る。
【図6】従来の連続式スパッタ装置の平面図である。
【図7】従来のターゲット周りを示す平面図である。
【図8】従来の半導体装置製造用のスパッタ装置の側面
図である。
図である。
1 基板
t,t1,t2,t3 ターゲット
14 遮蔽板
15 防着板
16 バッキングプレート
18 防着板などにおけるスパッタ粒子の付着物19
シャッター 20 本発明の防着装置 21 防着板 22,27 支持体 23 凹凸 24 円板 25 凹部 26 平坦部 29 凸部 30 溶接部
シャッター 20 本発明の防着装置 21 防着板 22,27 支持体 23 凹凸 24 円板 25 凹部 26 平坦部 29 凸部 30 溶接部
Claims (2)
- 【請求項1】 成膜粒子が付着し、フレークの発生原
因となる防着板を、変形し易いような薄い板材に凹凸を
形成して柔軟性を高め、剛性の高い支持体(22)に固
定してなることを特徴とする成膜装置における防着装置
。 - 【請求項2】 前記の防着板が、アルミニウムなどの
ような低融点材料で構成されていることを特徴とする請
求項1記載の成膜装置における防着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5454591A JPH04289159A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 成膜装置における防着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5454591A JPH04289159A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 成膜装置における防着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04289159A true JPH04289159A (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=12973652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5454591A Withdrawn JPH04289159A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 成膜装置における防着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04289159A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5837057A (en) * | 1992-12-21 | 1998-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus with particle prevention plate |
JP2002038253A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-06 | Futaba Corp | 防着板及びこれを用いた真空成膜装置 |
JP2009062579A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 成膜装置 |
JP2010255034A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Panasonic Corp | スパッタ装置 |
WO2014065125A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | 富士フイルム株式会社 | 真空成膜装置用防着板、真空成膜装置用防着板の製造方法、真空成膜装置、および、真空成膜方法 |
DE102017102224A1 (de) | 2016-02-09 | 2017-08-10 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Vorrichtung zur plasmaunterstützten chemischen gasphasenabscheidung |
-
1991
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