JPH0387358A - 成膜装置と成膜方法およびスパッタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、各種基板表面に薄膜を形成する際に用いられ
るスパッタ装置、真空蒸着装置、ＣＶＤ装置等の成膜装
置および成膜方法に関する。

（従来の技術） 各種の電子・電気部品を作製する場合、各種基板の表面
には、その使用目的に応じて、導電性金属材料を用いた
複雑模様の配線網が形成される。

このような配線網は、通常以下のようにして形成される
。まず、半導体基板やガラス基板等の成膜基板表面に、
例えばスパッタリング法を適用してＮｏ、　Ｗ　、　Ｔ
ｌＳＭｏ５ｉｚ、１（Ｓ１２　、Ｔｉ５１２等の導電性
金属あるいはその化合物の薄膜を形成する。その後、導
電性薄膜に所定のエツチング処理を施し、所望とする配
線回路以外の部分を除去して配線網を残置せしめる。

スパッタリング法は、基板表面に成膜すべき薄膜と同一
材料で構成されたターゲットに、所定のイオン種を照射
してターゲット構成材料を叩き出し、叩き出された粒子
を成膜基板表面に被着せしめることによって薄膜を形成
する方法である。

ところで、近年、半導体素子の高集積化が進むにつれて
、配線幅を狭小にする等して、配線網を高精細化する必
要が生じている。例えばＬＳＩやＶＬＳｌを製造する場
合において、ＩＨＤＲＡＭの場合の配線幅は１μｍ程度
であり、また４ＨＤＲＡＭの場合の配線幅は０．８μｍ
程と、極めて狭小化している。

このように配線網が高精細化するに伴って、スパッタ法
によって形成した薄膜からなる配線網に、配線不良等の
問題が生じ易くなってきている。例えばアースシールド
からの不純物のスパッタ蒸着が問題となっている。この
アースシールドからの不純物のスパッタ蒸着に対しては
、アースシールドそのものをターゲットと同材質で形成
する（特開閉６３−８３２５７号公報参照）等の対策が
講じられているが、十分な効果は得られていない。

一方、本発明者は、上述したような配線ルールの微細配
線網を形成する場合、ターゲット以外例えばアースシー
ルドからのスパッタリングによる薄膜中への不純物の混
入よりも、スパッタ装置内部壁面から剥がれてきた微小
粒子が薄膜に混入することの方が、配線不良等の要因と
して高いことを明らかにした。すなわち、スパッタ法に
よる薄膜中に、例えば直径０，３μｍ程度の微小粒子が
混入しても、例えば配線幅が１μｍや０．８μｍといっ
た微細配線網の場合には、導電不良が発生して不良品と
なってしまう。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述したような直径０，３μ曙程度の微
小粒子の混入対策は、現状のスパッタ装置においては十
分になされておらず、また浮遊粒子の発生原因も明確に
は判明していなかったのが現状である。また、このよう
な微小粒子の混入による問題は、スパッタ法による薄膜
に限らず、真空蒸着法やＣＶＤ法等によって得た薄膜に
おいても同様に生じていた。

このような現状に対して、直径０．３μｍ程度の微小粒
子が薄膜に混入することを十分に防止し、配線不良等の
発生率を極めて小さくすることを可能にしたスパッタ装
置、真空蒸着装置、ＣＶＤ装置等の成膜装置が強く望ま
れている。

本発明は、上述したような課題に対処するためになされ
たもので、形成される薄膜に不純物としての微小粒子が
混入することを抑制し、配線不良等の不具合が起こり難
いスパッタ装置、真空蒸着装置、ＣＶＤ装置等の成膜装
置を提供することを目的とするものであり、また本発明
の他の目的は、形成される薄膜に不純物としての微小粒
子が混入することを抑制し、配線不良等の発生を防止し
た薄膜を再現性よく得ることを可能にした成膜方法を提
供することにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段と作用） 本発明の成膜装置は、成膜室内に配置された成膜基板と
膜形成源とを有し、前記成膜基板上に薄膜を形成する成
膜装置であって、前記成膜室内部に配置された前記膜形
成源の構成成分が被着する装置構成部品を有し、前記装
置構成部品は、少なくともその表面部が前記形成する薄
膜の熱膨脹率と同等または近似した熱膨脹率を有する素
材から実質的になることを特徴とするものである。

また、本発明の成膜方法は、成膜室内に配置された成膜
基板上に膜形成源の構成成分による薄膜を形成する成膜
方法であって、前記成膜室内部の前記膜形成源の構成成
分が被着する部分の少なくとも表面部に、前記形成する
薄膜の熱膨脹率と同等または近似した熱膨脹率を有する
素材を配置し、この状態で前記成膜基板上にスパッタ法
、真空蒸着法またはＣＶＤ法によって薄膜を形成するこ
とを特徴としている。

本発明の成膜装置は、具体的にはスパッタ装置、真空蒸
着装置、ＣＶＤ装置等の薄膜を形成するための装置であ
る。また、本発明の成膜装置における膜形成源とは、ス
パッタ法におけるターゲットや蒸着法における蒸着源等
である。

例えば本発明のスパッタ装置は、真空槽内に対向して配
置された成膜基板とターゲットとを有し、前記ターゲッ
トをスパッタリングすることにより前記成膜基板上に薄
膜を形成するスパッタ装置であって、前記真空槽内部に
配置された前記ターゲットの構成成分が被着する装置構
成部品を有し、前記装置構成部品は、少なくともその表
面部が前記形成する薄膜の熱膨脹率と同等または近似し
た熱膨脹率を有する素材、あるいは前記ターゲットの構
成成分から実質的になることを特徴するものである。

本発明の成膜装置における、膜形成源の構成成分、例え
ばターゲット構成成分が被着する可能性がある成膜基板
以外の装置構成部品は、少なくともその表面部の構成材
料として、以下に示すいずれかの素材を有している。

■　成膜基板上に形成する薄膜の熱膨脹率と同等または
近似した熱膨脹率を有する金属あるいはその化合物。

■　膜形成源、例えばスパッタターゲットを構成する金
属あるいはその化合物。

上記■による形成膜の熱膨脹率と近似した熱膨脹率を有
する金属あるいはその化合物としては、熱膨脹率の差が
±７．５Ｘ　１０−６の範囲であるものが好ましい。よ
り好ましい熱膨脹率の差は、±　６×１０−６の範囲で
あり、さらに好ましい熱膨脹率の差は±　４Ｘ　１０−
６の範囲である。

ここで、従来のスパッタ装置等の成膜装置においては、
ターゲット構成成分が被着する装置構成部品は、その構
成材料の強度、コスト等を考慮して、主としてステンレ
ス鋼（例えばＳＯ９３０４）等で構成された部品が使用
されていた。ＭＯＳＷ　ＳＴｌあるいはそのシリサイド
化物等の化合物からなる薄膜を形成しようとした場合、
これら薄膜を形成するための成分は、微量とはいえステ
ンレス鋼等で構成された成膜基板以外の装置構成部品上
に被着する。この被着物には、成膜装置の温度上昇に伴
って、ステンレス鋼等との熱膨脹率の違い（被着物の熱
膨脹率はステンレス鋼の熱膨脹率に比べると数分の−し
かない）によって亀裂が生じる。その結果、ステンレス
鋼等の表面に被着した被膜が、微小粒子となってステン
レス鋼等の表面から剥離し、飛翔する本来の膜形成成分
と共に成膜基板表面に被着してしまう。

例えば、ＭＯｌＷ　％　Ｔ１等の金属シリサイド被膜を
反応スパッタ法によって形成する場合、金属とＳｌとを
分割配置したターゲットを用いて金属シリサイド被膜を
形成している。ここで、スパッタリングされた粒子の飛
翔距離は、成膜基板と他の部分とでは異なるため、成膜
基板以外の装置構成部品上には、シリコン・リッチな化
合物として被着する。このようなシリコン・リッチな化
合物は、般に電気抵抗が高い。このような被着物が上記
したような理由から剥離して微小粒子となり、成膜基板
上の薄膜中に混入すると、配線不良を引き起こしてしま
う。この理由は、線幅に対して３０％程度の高抵抗部分
が存在した場合、残りの導電部分に過電流が流れ、この
部分に異常電流、異常発熱等を原因とした断線、ショー
ト等が生じるためである。また、ターゲット成分が純金
属の場合には、複数層からなる基板の他の基板と接触を
引き起こして、ショートを招いてしまう。つまり、従来
のようにターゲット構成成分が被着する可能性のある装
置構成部品がステンレス鋼等で構成されている場合には
、薄膜中には上記したような微小粒子が微量ではあるが
常時混入し、断線、ショート等を引き起こす恐れがある
。

また、上記装置構成部品から、その構成成分がスパッタ
リングされて成膜基板表面に被着することは少ないとは
いえ皆無とはいえず、それが不純物として薄膜中に混入
して膜特性を劣化させる可能性もある。

これに対して、本発明の成膜装置においては、成膜基板
以外の膜形成源の構成成分が被着する装置構成部品は、
少なくともその表面部が形成する薄膜の熱膨脹率と同等
または近似した熱膨脹率を有する素材、あるいは膜形成
源の構成成分からなるものであるため、成膜装置内が温
度上昇しても、熱応力に−よって上記装置構成部品表面
から被着物が剥離することを抑制することができる。こ
れによって、不純物として混入する微小粒子の発生その
ものを抑制することが可能となる。また、特に成膜基板
以外の膜形成源の構成成分が被着する装置構成部品の少
なくともその表面部に、膜形成源を構成する成分からな
る材料を用いることにより、上記装置構成部品からその
構成成分が例えばスパッタリングされて成膜基板表面に
被着することがたとえ起こったとしても、それはターゲ
ットと同一な成分であるので不純物とはならない。よっ
て、成膜された薄膜に混入して膜特性を劣化させること
は僅少であり、さらに好ましい構成である。

すなわち本発明の成膜装置および成膜方法は、半導体基
板やガラス基板等の成膜基板表面に形成する薄膜に、忌
避する微小粒子等の不純物が混入する原因が、上述した
ように、主として真空槽内に配置された膜形成源の構成
成分が被着する可能性のある装置構成部品に、形成膜の
熱膨脹率との差が大きいステンレス鋼等を使用していた
ことにあるという結論に達し、このような知見に基づい
てなされたものである。

なお、本発明でいう「膜形成源の構成成分が被着する装
置構成部品」とは、膜形成源の構成成分が被着する部品
全てに限定されるものではなく、そのような部品が複数
存在する場合には、その−部の部品に適用する場合も含
むものとする。そのような場合においても、効果の差は
あるものの本発明の目的とする効果が得られることは明
らかである。

本発明における形成膜と熱膨張率が近似する素材の使用
例について、スパッタ装置を例として説明する。

熱膨脹率が形成膜と近似する素材としては、例えばター
ゲットを構成する成分のうち、導電性金属か例示される
。例えば形成する薄膜がＭｏ５ｉｘ（熱膨脹率α：　Ｍ
ｏＳｉ２−３Ｘ　１Ｏ−６）である場合、ターゲット構
成成分のうちの導電性金属であるモリブデン（熱膨脹率
α：　Ｍｏ　−５，ｌＸ　１Ｏ−６）で、ターゲット構
成成分が被着する可能性のある、ターゲット固定治具、
成膜基板固定治具、防着板等の装置構成部品全体を構成
する。あるいは、芯材を他の材料（例えば従来通りステ
ンレス鋼・５ＵＳ３０４、熱膨脹率α：　５ＬＩＳ３０
４−１７Ｘ　１Ｏ−６）で構成し、その表面に所定の厚
さを有するモリブデン被膜で被覆したものであっても差
支えはない。また、上記ステンレス鋼等からなる芯材と
モリブデン被膜との間には、それらの中間程度の熱膨脹
率を有する、例えばチタンを緩衝材として介在させても
よい。

また、装置構成部品の形成材料となる、形成膜と熱膨張
率が近似するものとしては、上記したようにターゲツト
材を構成する金属あるいはその化合物に限定されるもの
ではなく、例えばターゲットとしてｄｓｉｘを使用した
場合において、ターゲット構成成分が被着する部分にモ
リブデンを用いても一向に問題はない。これは、タング
ステンとモリブデンの熱膨脹率が近似するためである。

さらに、この場合においてもターゲット構成成分の被着
する部分の芯材を他の材料（例えば５ｔｌＳ３０４）で
構成し、その表面を所定の厚さを有するモリブデンの被
膜で被覆したものであっても差支えはない。

このように、本発明においては、熱膨脹率が形成しよう
とする薄膜と近似する金属あるいはその化合物であれば
使用可能である。したがって、形成する薄膜が例えばＭ
ｏＳｉｘである場合、チタン、タンタル、バナジウム、
ニオブ、ハフニウム、あるいはその化合物、さらに低膨
脹性合金等でも同様な効果が得ら′れるのはいうまでも
ない。

また、真空蒸着装置やＣＶＤ装置等においても、上記し
たスパッタ装置で例示したような材料で、膜形成源の構
成成分が被着する可能性のある装置構成部品全体を構成
することによって、同様な効果が得られる。

なお、本発明の成膜装置、例えばスパッタ装置は、それ
を構成する材料に特徴を有するものであって、形状・取
り付は箇所等は従来装置と同様な構成を有するものであ
る。

（実施例） 次に、本発明の成膜装置をスパッタ装置に適用した実施
例について、図面を参照して説明する。

第１図は、本発明の一実施例のスパッタ装置の構成を模
式的に示す図である。同図において、１は真空槽であり
、この真空槽１内には成膜基板２を保持する基板ホルダ
ー３と、ターゲ・ソト４とが対向した位置に一定の間隔
を設けて配置されている。また、真空槽１には、スパッ
タガスを導入するためのガス供給系５と、真空槽１内を
所定の真空状態まで排気することが可能な排気系６とが
接続されている。

上記ターゲット４は、第２図に示すように、高純度のモ
リブデン（線膨脹率α：　Ｎｏ　−５，ｌＸ　ｔｏ−’
）、チタン（線膨脹率α：　Ｔｉ−８，９Ｘ　１Ｏ−６
）　、タングステン（線膨脹率α：　Ｗ　−４，５Ｘ　
１Ｏ−６）　、タンタル（線膨脹率α：　Ｔａ＝　６．
５Ｘ　１Ｏ−６）　、バナジウム（線膨脹率α：　Ｖ　
−ｇ、ａＸ　１Ｏ−６）　、ニオブ（線膨脹率α；　Ｎ
ｂ−７，２Ｘ　１Ｏ−６）　、／＼フニウム（線膨脹率
α：　Ｈｆ’−８，ＯＸ　１Ｏ−６）のいずれか１つか
らなる扇形状の単体ブロック７と、高純度のシリコン（
純度９９．９９９％以上）からなる扇形状の単体ブロッ
ク８とを組み合わせて構成した複合型のものであり、円
板形状を有している。

この複合型ターゲット４は、高純度の無酸素銅からなる
バッキングプレート９上に配置されている。複合型ター
ゲット４は、その周辺部に配置された周辺部固定治具１
０を押えボルト１１によってバッキングプレート９に固
定すると共に、中央部の取り付は孔４ａに挿入された中
央部固定用のセンタフランジ１２を押えボルト１３によ
ってバッキングプレート９に固定することによって、バ
ッキングプレート９に取り付けられている。

そして、上記周辺部固定治具１０、センタフランジ１２
および押えボルト１１．１３は、それぞれ高純度の上記
７種の素材のいずれか１つにより作製されたものである
。この際、中央部固定用のセンタフランジ１２に使用す
る素材は、周辺部固定治具１０に使用する素材より高純
度とした。この周辺部固定治具１０とセンタフランジ１
２との純度の違いは、スパッタリングを行う際に中央部
の方が周辺部に比べてより多くスパッタリングされる可
能性があることや、熱サイクルによる形成膜の剥がれが
起こりやすいため、中央部は周辺部より高純度の金属を
用いた。しかし、周辺部に中央部と同等以上の純度の金
属を用いることは、コスト高とはなるが何等問題を生じ
るものではない。

また、ターゲット４の周囲には、平板状の第１の防着板
１４が、飛散したターゲツト材が真空槽１内面壁へ被着
するのを防止するよう設けられている。この第１の防着
板１４も上記した高純度の７種の素材のいずれか１つに
より作製されたものである。

一方、ターゲット４と対向した位置に一定の間隔を設け
て配置された基板ホルダー３には成膜基板２が配置され
ており、成膜基板２はその周辺部に配された基板固定治
具１５により基板ホルダー３に固定されている。この基
板固定治具１５は、上記周辺部固定治具１０やセンタフ
ランジ１２と同様に、上記した高純度の７種の素材のい
ずれかｔつにより作製されたものである。なお成膜基板
２としては、例えば半導体基板あるいはガラス基板等が
ある。

成膜基板２の周囲には、切頭円錐型の第２の防着板１６
が配置されている。この第２の防着板１６は、真空槽１
の中央付近に設置された仕切り板１７に固定されている
。これら第２の防着板１６および仕切り板１７によって
、スパッタリングされたターゲツト材が真空槽１の内面
壁へ被着するのを防止している。これら第２の防着板１
６および中央仕切り板１７も、上記した高純度の７種の
素材のいずれか１つにより作製されたものである。

なお、ターゲラ１４周囲にアースシールドを設ける場合
には、上記周辺部固定治具１０やセンタフランジ１２と
同様に、上記した高純度の７種の素材のいずれか１つに
より作製することが好ましい０ 上記した構成を有するスパッタ装置においては、ターゲ
ット４の固定用の周辺部固定治具１０、センタフランジ
１２、押えボルト１１．１３、成膜基板２の固定用の基
板固定治具１５、第１および第２の防着板１４．１６等
が、ターゲット構成成分の被着する装置構成部品であり
、上述したようにそれぞれターゲットの熱膨張率と同等
または近似した高純度の７種の素材のいずれか１つによ
り作製されている。

以上のような構成を有するスパッタ装置を用いて、上記
した７種の金属を個々に用いたターゲツト材を使用して
、それぞれ薄膜を形成した。このようにして成膜基板表
面に形成した薄膜への微小粒子の混入量を測定した結果
を、各材料ごとにまとめて第１表に示す。なお、本発明
の主旨から、成膜基板に不具合を生じさせる微小粒子の
混入量の少ないものほど良いものであるといえるので、
◎は最適、○は適、△は使用可、ムは不可を表わすもの
とする。

（以下余白） 第 １ 表 第１表より明らかなように、ターゲ・ソトとターゲット
構成成分の被着する装置構成部品との組み合わせとして
、好ましくないものは、チタンとタングステンとの組み
合わせだけであり、特に同じ金属同志の組み合わせであ
れば全て最適であることがわかる。

次に、ターゲットをシリサイドとした場合の成膜基板表
面に形成した薄膜への微小粒子の混入量を、直径０．３
μｍ以上の微小粒子を不純物の数として測定した。それ
らの結果を各材料ごとにまとめて第２表に示す。なお、
第２表には、ターゲット構成成分が被着する装置構成部
品側々についての使用素材を示した。また、２種類の素
材を記したものは、一方の材料からなる芯材の表面に他
方の材料を膜形成したものである。

また、本発明との比較のため、従来通りターゲット構成
成分の被着する部分がステンレス鋼等で構成されている
ものを使用した場合の結果も同時に示す。

（以下余白） 第２表から明らかなように、従来装置のように５ＬＩＳ
３０４がターゲット構成成分の被着する部品の表面に存
在している場合よりも、本発明のようにターゲット構成
成分の被着する部分の表面をターゲットと近似な熱膨脹
率を有するものを用いた場合の方が、直径０，３μｍ以
上の微小粒子の数は大幅に減少している。

さらに、ターゲット構成成分の被着する部分の少なくと
もその表面部に前記ターゲットを構成する成分からなる
材料を用いた場合には、前記ターゲット構成成分の被着
する部分からその構成成分がスパッタリングされて成膜
基板表面に被着することがたとえ起こったとしても、そ
れはターゲットと同一な成分であるので不純物とはなら
ず、成膜された薄膜に混入して膜特性を劣化させること
はなくなった。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、膜形成源の構成成
分が被着する可能性がある装置構成部品と、その表面に
形成される膜との熱膨脹率が近似しているため、熱応力
等による膜の剥がれが防止でき、よって成膜基板上に形
成する薄膜中に不純物として微小粒子が混入することを
抑制することができる。さらに、装置構成部品を膜形成
源の構成成分によって形成した場合には、その部分がス
パッタされたとしても、不純物としての混入が極めて減
少する。これらによって、形成膜の歩留りが向上し、生
産コストの低減に大きく寄与すると共に、生産効率も向
上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例のスパッタ装置の概略を示す図
、第２図は第１図に示すスパッタ装置のスパッタターゲ
ットを固定する治具周辺部の概略拡大図である。 １・・・・・・真空槽、２・・・・・・成膜基板、３・
・・・・・基板ホルダ、４・・・・・・ターゲット、９
・・・・・・バッキングプレート、１０・・・・・・タ
ーゲット周辺部固定治具、１１．１３・・・・・・押え
ボルト、１２・・・・・・センタフランジ、１４・・・
・・・第１の防着板、１５・・・・・・基板固定治具、
１６・・・・・・第２の防着板、１７・・・・・・仕切
り板。 第　１　図 １ 第 図

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）成膜室内に配置された成膜基板と膜形成源とを有
   し、前記成膜基板上に薄膜を形成する成膜装置であって
   、 前記成膜室内部に配置された前記膜形成源の構成成分が
   被着する装置構成部品を有し、前記装置構成部品は、少
   なくともその表面部が前記形成する薄膜の熱膨脹率と同
   等または近似した熱膨脹率を有する素材から実質的にな
   ることを特徴とする成膜装置。
2. （２）請求項１記載の成膜装置において、 前記装置構成部品の少なくとも表面部は、前記膜形成源
   を構成する成分から実質的になることを特徴とする成膜
   装置。
3. （３）請求項１記載の成膜装置において、 前記成膜装置は、スパッタ装置、真空蒸着装置またはＣ
   ＶＤ装置であることを特徴とする成膜装置。
4. （４）真空槽内に対向して配置された成膜基板とターゲ
   ットとを有し、前記ターゲットをスパッタリングするこ
   とにより前記成膜基板上に薄膜を形成するスパッタ装置
   であって、 前記真空槽内部に配置された前記ターゲットの構成成分
   が被着する装置構成部品を有し、前記装置構成部品は少
   なくともその表面部が前記形成する薄膜の熱膨脹率と同
   等または近似した熱膨脹率を有する素材から実質的にな
   ることを特徴とするスパッタ装置。
5. （５）真空槽内に対向して配置された成膜基板とターゲ
   ットとを有し、前記ターゲットをスパッタリングするこ
   とにより前記成膜基板上に薄膜を形成するスパッタ装置
   であって、 前記真空槽内部に配置された前記ターゲットの構成成分
   が被着する装置構成部品を有し、前記装置構成部品は少
   なくともその表面部が前記ターゲットの構成成分から実
   質的になることを特徴とするスパッタ装置。
6. （６）請求項４または請求項５記載のスパッタ装置にお
   いて、 前記装置構成部品の少なくとも表面部を構成する素材は
   、前記形成する薄膜の熱膨脹率と±７．５×１０＾−＾
   ６の範囲の差の熱膨張率を有することを特徴とするスパ
   ッタ装置。
7. （７）真空槽と、 前記真空槽内に配置された基板ホルダ上に支持された成
   膜基板と、 前記真空槽内の前記成膜基板と対向して配置され、バッ
   キングプレート上に設置されたターゲットと、 前記真空槽の内壁に前記ターゲットの構成成分が被着す
   ることを防止するよう設けられた防着板であって、少な
   くともその表面部が前記成膜基板上に形成する薄膜の熱
   膨脹率と同等または近似した熱膨脹率を有する素材から
   実質的になる防着板と を具備することを特徴とするスパッタ装置。
8. （８）請求項７記載のスパッタ装置において、前記ター
   ゲットを前記バッキングプレート上に固定する周辺部固
   定治具とセンタフランジとを有し、前記周辺部固定治具
   およびセンタフランジは、少なくともその表面部が前記
   成膜基板上に形成する薄膜の熱膨脹率と同等または近似
   した熱膨脹率を有する素材から実質的になることを特徴
   とするスパッタ装置。
9. （９）請求項７記載のスパッタ装置において、前記成膜
   基板を前記基板ホルダに固定する基板固定治具を有し、
   前記基板固定治具は、少なくともその表面部が前記成膜
   基板上に形成する薄膜の熱膨脹率と同等または近似した
   熱膨脹率を有する素材から実質的になることを特徴とす
   るスパッタ装置。
10. （１０）成膜室内に配置された成膜基板上に膜形成源の
    構成成分による薄膜を形成する成膜方法であって、 前記成膜室内部の前記膜形成源の構成成分が被着する部
    分の少なくとも表面部に、前記形成する薄膜の熱膨脹率
    と同等または近似した熱膨脹率を有する素材を配置し、
    この状態で前記成膜基板上にスパッタ法、真空蒸着法ま
    たはＣＶＤ法によって薄膜を形成することを特徴とする
    成膜方法。