DE102004035336A1 - Reinraumfähige Beschichtungsanlage - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine reinraumfähige Beschichtungsanlage für PVD- oder CVD-Prozesse mit zumindest einer Vakuum-Beschichtungskammer, in welcher glasartige, glaskeramische und/oder keramische Schichten abgeschieden werden. Eine erste Öffnung der Vakuum-Beschichtungskammer ist über eine separat evakuierbare Vakuum-Schleusenkammer (Load-Lock) mit einem Reinraum verbunden, wobei die Vakuum-Schleusenkammer Transportmittel zum Zuführen von Substraten in die Vakuum-Beschichtungskammer und zur Entnahme von Substraten aus der Vakuum-Beschichtungskammer aufweist und eine zweite Öffnung der Vakuum-Beschichtungskammer verbindet die Vakuum-Beschichtungskammer mit einem vom Reinraum getrennten Grauraumbereich.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vakuumbeschichtungsanlage für Vapor-Deposition-Prozesse, insbesondere für Beschichtungen aus glasartigen, glaskeramischen oder keramischen Materialien, welche für Reinraum-Technologien geeignet ist.
  • Vapor-Deposition-Prozesse (Abscheidung von Schichten aus der Dampfphase) sind wesentliche Bestandteile zur Herstellung moderner Produkte in vielen Industriezweigen. Die Entwicklung, beispielsweise in der Optik, Optoelektronik oder Halbleitertechnologie wird vorangetrieben durch immer kleinere Strukturen, höhere Funktionalität, höhere Produktivität und höhere qualitative Anforderungen.
  • Für unterschiedlichste Anwendungsfälle kommen dabei Schichten aus anorganischen, insbesondere aus glasartigen, glaskeramischen oder keramischen Materialien zum Einsatz.
  • Zur Realisierung moderner Technologien in der Optik, Optoelektronik, MEMS-Applikation sowie Halbleitertechnologie wurden beispielsweise Verfahren zur Passivierung, Gehäusebildung und Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten mittels glasartiger Beschichtungen entwickelt (SCHOTT Patentanmeldungen DE 102 22 964 A1 ; DE 102 22 958 A1 ; DE 102 22 609 A1 ).
  • Es kommen grundsätzlich verschiedene Techniken zum Abscheiden glasartiger, glaskeramischer oder keramischer Schichten in Betracht wie beispielsweise CVD-Verfahren (Chemical vapor deposition) oder PVD-Verfahren (Physical vapor deposition). Die Auswahl eines geeigneten Verfahrens wird sowohl durch das Beschichtungsmaterial, die erforderlichen Beschichtungsraten, Anforderungen an die Beschichtungsqualität, aber vor allem durch die thermische Stabilität des Substrates diktiert.
  • Da oftmals die zu beschichtenden Substrate, wie beispielsweise integrierte Schaltkreise auf Silizium-Wafern, temperaturempfindlich sind, kommen hier vorrangig Prozesse in Frage, die eine Beschichtung unterhalb 120°C ermöglichen. Als geeignete Prozesse zur Beschichtung temperaturempfindlicher Substrate mit einer Glas- oder Glaskeramikschicht erweisen sich PVD-Verfahren, insbesondere das Elektronenstrahlverdampfen, da sich die glasartigen, glaskeramischen oder keramischen Schichten mit hohen Beschichtungsraten und großer Reinheit verdampfen und als glasartige Mehrkomponenten-Schichten abscheiden lassen.
  • Entsprechende Beschichtungsverfahren und Anlagen sind u.a. aus den o.g. Schriften bekannt.
  • Als Einschränkung für den Einsatz der Beschichtungstechnologie erweisen sich dabei die Ablagerungen des glasartigen, glaskeramischen oder keramischen Schichtmaterials in der Vakuumkammer und auf darin enthaltenen Anlagenteilen, welche sich während und nach dem Beschichtungsprozess beim Abkühlen der Anlage und beim Öffnen der Vakuumkammer in Form kleinster Partikel ablösen und zu Verunreinigungen der Umgebung führen. Beim Öffnen der Kammer beschleunigt die Anlagerung von Wassermolekülen aus der Umgebungsluft den Delaminationsvorgang noch erheblich.
  • Da die Fertigung hochpräziser, mikrostrukturierter und mikroelektronischer Bauteile in der Regel unter Reinraumbedingungen stattfinden muss, kann die Beschichtung mit glasartigen, glaskeramischen oder keramischen Schichten mit herkömmlichen Beschichtungsanlagen in Reinräumen nicht durchgeführt werden.
  • Außerdem erfordern derartige Beschichtungsvorgänge nach jedem Öffnender Vakuumkammer aufwendige Reinigungsprozeduren der Kammer und Umgebung. Während dieser Zeit steht die Anlage für die Fertigung nicht zur Verfügung. Das Öffnen der Kammer erfolgt in vielen Anwendungsfällen nach jedem Beschichtungsvorgang, jedoch spätestens, wenn eine Reinigung der Kammerinnenwände und/oder der Anlagenteile erforderlich sind. Das macht die Fertigung sehr aufwendig und kostenintensiv.
    •
  • Eine Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine reinraumfähige Beschichtungsanlage, insbesondere für Beschichtungen mit glasartigen, glaskeramischen oder keramischen Materialien, zur Verfügung zu stellen. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, die Effizienz der ultrareinen Fertigung von hochempfindlichen Bauteilen zu steigern.
  • Die Lösung der Aufgabe gelingt in überraschend einfacher Weise mit einer Beschichtungsanlage mit zumindest einer Vakuum-Beschichtungskammer, in welcher glasartige, glaskeramische und/oder keramische Schichten aus der Dampfphase auf Substrate abgeschieden werden, wobei die Vakuum-Beschichtungskammer eine erste Öffnung aufweist, die erste Öffnung über eine separat evakuierbare Vakuum- Schleusenkammer mit einem Reinraum verbunden ist, die Vakuum-Schleusenkammer Transportmittel zum Zuführen von Substraten in die Vakuum-Beschichtungskammer und zur Entnahme von Substraten aus der Vakuum-Beschichtungskammer aufweist und die Vakuum-Beschichtungskammer eine zweite Öffnung aufweist, welche die Vakuum-Beschichtungskammer mit einem vom Reinraum getrennten Grauraumbereich verbindet.
  • Die separat evakuierbare Vakuum-Schleusenkammer (Load-Lock) ermöglicht den Substratwechsel ohne Entlüftung und erneute Evakuierung der Vakuum-Beschichtungskammer. Derartige Load-Lock-Techniken werden bekannterweise dazu genutzt, die Effizienz der Anlage zu verbessern, da die Vakuum-Beschichtungskammer nicht zu jedem Substratwechsel zu Entlüften und erneut zu Evakuieren ist und damit lange Ausfallzeiten der Anlage vermieden werden.
  • Jedoch erst durch die erfindungsgemäße Anlage, bei welcher die Vakuum-Beschichtungskammer eine zusätzliche Öffnung zu einem Grauraum aufweist und die Load-Lock-Technik genutzt wird, kann die Zufuhr und Entnahme der Substrate direkt von/zu einem Reinraum aus erfolgen, da die Anlage so betrieben werden kann, dass die Vakuum-Beschichtungskammer zu keinem Zeitpunkt mehr in direkter Verbindung zum Reinraum steht und damit eine Kontamination vermieden wird.
  • Über die zweite Öffnung, welche die Vakuum-Beschichtungskammer mit einem vom Reinraum getrennten Grauraumbereich verbindet, kann dann das Öffnen der entlüfteten Vakuum-Beschichtungskammer bei geschlossener Vakuum-Schleusenkammer für die Wartung und falls erforderlich, ein Targetwechsel erfolgen.
  • Es können somit eine Vielzahl von Beschichtungsvorgängen nacheinander stattfinden, ohne die Beschichtungskammer erneut evakuieren zu müssen.
  • Mittels der Load-Lock-Technik können vorzugsweise mehrere Substrate, die sich beispielsweise in einem Kassettensystem befinden, mit einem geeigneten Handler vom Reinraum in die Vakuum-Schleusenkammer und nach deren Evakuierung von dort in die Vakuum-Beschichtungskammer und umgekehrt transportiert werden.
  • Die erfindungsgemäße Beschichtungsanlage ist auf keinen bestimmten Beschichtungsprozess festgelegt, sie ist sowohl für PVD-Prozesse (Physical vapor deposition) als auch für CVD-Prozesse (Chemical vapor deposition) geeignet.
  • Vorzugsweise findet zur Beschichtung temperaturempfindlicher Substrate mit glasartigen Schichten, wie sie beispielsweise in der Halbleiterfertigung vorkommen, das Elektronenstrahlverdampfen, thermisches Verdampfen oder gepulstes Plasma Ionenstrahlverdampfen Anwendung.
  • Beim Aufbringen von relativ dicken und/oder sehr porösen und/oder zur Flitterbildung neigenden Schichtmaterialien und/oder um die Kontamination der Substrate und des Reinraumes noch weiter zu senken, kann die Vakuum-Beschichtungskammer vorzugsweise eine Abschirmungseinrichtung oder Auskleidung aufweisen, welche die Vakuumkammerinnenwände und/oder die in der Kammer angeordneten Anlagenteile vor unerwünschten Ablagerungen des Schichtausgangsmaterials schützt sowie ein Abplatzen von Partikeln bzw. Flitterbildung verhindert.
  • Typische Schichtdicken für hermetische Verkapselung oder die Mikrostrukturierung von Halbleitern, optischen Mikro-Bauelementen, MEMS, optoelektronischen Bauteilen etc. mit glasartigen, glaskeramischen oder keramischen Schichten liegen in Bereichen zwischen 0,01 μm bis 100 μm. Demzufolge kommt es zu entsprechend "dicken" und spröden, glasartigen Ablagerungsschichten auf der Abschirmungseinrichtung.
  • Eine Delamination, sowohl beim Öffnen der Vakuumkammer als auch während des Beschichtungsvorganges selbst, wird dann verhindert, wenn die Abschirmungseinrichtung aus einem Material besteht, welches den annähernd gleichen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, wie das Schichtmaterial. Damit werden bei Temperaturänderungen Spannungen zwischen der Abschirmungseinrichtung und der abgelagerten Schicht und damit Verunreinigung durch abgelöste Schichtpartikel vermieden. Solche Verunreinigungen würden auf Grund der sehr geringen Strukturgrößen der zu fertigenden Bauteile dazu führen, dass diese unbrauchbar werden.
  • Vorzugsweise besteht die Abschirmungseinrichtung aus einem glasartigen, glaskeramischen oder keramischen Material, insbesondere aus dem selben Material wie die aufzubringende Schicht, da dann sowohl die Abschirmungseinrichtung als auch die Schicht den annähernd gleichen, vorzugsweise den gleichen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen.
  • Um sowohl die Kammerinnenwände als auch in der Kammer angeordnete Bauteile wie Substrathalter, Shutter etc. zu schützen, ist es von Vorteil, die Abschirmungseinrichtung mehrteilig zu gestalten. So können die Kammerinnenwände beispielsweise durch Abschottungen aus Glaselementen, der Substrathalter durch eine Abdeckung aus Glas mit entsprechenden Aussparungen für das Substrat und andere Bauteile durch angepasste Abdeckungen aus Glas geschützt werden.
  • Da die Abschirmungseinrichtung eine Verunreinigung der Vakuum-Beschichtungskammer verhindert, kann die Anzahl der möglichen Beschichtungsvorgänge, ohne die Vakuum-Beschichtungskammer zu öffnen, noch gesteigert werden, wenn z.B. der Substratwechsel ebenfalls unter Vakuumbedingungen erfolgt. Es ist ersichtlich, dass damit die Effizienz der Anlage noch erheblich gesteigert wird.
  • In einer weiteren geeigneten Ausführungsform der Beschichtungsanlage ist der Substrathalter für die Aufnahme mehrerer Substrate ausgelegt, insbesondere zur Aufnahme für mehrere zu beschichtende Waferscheiben. Damit kann die Effizienz der Anlage ebenfalls erhöht werden.
  • Es liegt auch im Rahmen der Erfindung, die Beschichtungsanlage vorzugsweise mit mehrere Vakuum-Beschichtungskammern auszuführen. Diese sind mit jeweils einer ersten Öffnung über jeweils eine separat evakuierbare Vakuum-Schleusenkammer mit dem Reinraum verbunden und über jeweils eine zweite Öffnung mit dem vom Reinraum getrennten Grauraumbereich verbunden. Damit können Substrate innerhalb eines Reinraumes von einer zu einer weiteren Vakuum-Beschichtungskammer transportiert werden und ein flexibles Anlagenkonzept realisiert werden.
  • Die erfindungsgemäße Beschichtungsanlage ist insbesondere für die effiziente Beschichtung von Wafern zur Herstellung optischer, mikroelektronischer und optoelektronischer Bauelemente unter Reinraumanforderungen geeignet. Die Beschichtung zur Fertigung dieser Bauelemente umfasst beispielsweise eine Verkapselung, das Chip-size Packaging, das Wafer-Level Packaging etc. mit glasartigen, glaskeramische und/oder keramischen Schichten, die z.B. als Passivierungsschichten und Diffusionsbarrieren fungieren.
  • Die erfindungsgemäße reinraumfähige Beschichtungsanlage ist jedoch nicht auf diese Anwendungen beschränkt.
    •
  • Die Erfindung wird im weiteren an Hand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert. Es zeigt dazu
  • 1 die schematische Darstellung einer Beschichtungsanlage
  • 2 die schematische Darstellung eines Substrathalters für Waferscheiben
  • Die Erfindung wird an Hand einer Elektronenstrahl-Beschichtungsanlage erläutert, in welcher mehrere Substrate, beispielsweise Silizium-Wafer, mit einer mikrostrukturierten Glasschicht beschichtet werden. Nähere Ausführungen zur Herstellung und Strukturierung derartiger Glasschichten sind beispielsweise in der DE 102 22 964 A1 , DE 102 22 958 A1 und DE 102 22 609 A1 offenbart.
  • Die Verdampfung des Schichtausgangsmaterials in Form eines Glas-Targets aus SCHOTT Glas Nr. 8329 oder SCHOTT Glas Nr. G018-189 erfolgt in der Vakuum-Beschichtungskammer (2) der in 1 dargestellten reinraumfähigen Beschichtungsanlage (1) durch einen Elektronenstrahl, wobei eine Abscheidung des Glasdampfes auf dem Substrat erfolgt und zusätzliche die kondensierte Schicht auf der Substratoberfläche durch Plasma-Ionenbeschuss (PIAD) verdichtet wird.
  • Dabei werden glasartige Schichten mit Schichtdicken von 0,1 bis 100 μm auf der Substratoberfläche abgeschieden.
  • Die in 1 dargestellte Beschichtungsanlage (1) besteht aus einer Vakuum-Beschichtungskammer (2), einer Vakuum-Schleusenkammer (3) und den Vakuumpumpen (12). Die erste Öffnung (5) der Vakuum-Beschichtungskammer (2) verbindet die Vakuum-Beschichtungskammer (2) mit der Vakuum-Schleusenkammer (3), wobei zur getrennten, separaten Evakuuierung der beiden Kammern (2, 3) eine Vakuumklappe in der ersten Öffnung (5) angeordnet ist. In der Vakuum-Schleusenkammer (3) befindet sich ein Handler (7) zum Transport und Wechsel der Substrate. Der Substrathalter (10) ist in 2 detaillierter dargestellt und ist für 6 Waferscheiben (12) ausgelegt. Die Vakuum-Schleusenkammer (3) ist über eine weitere Vakuumklappe (6) zum Reinraum hin öffenbar. Die zweite Öffnung (4) der Vakuum-Beschichtungsanlage (2) ist eine zum Grauraum (8) hin öffnende Kammertür. Der Reinraum (9) und der Grauraum (8) sind getrennte Raumbereiche.
  • Vorgang des Substratwechsels bei evakuierter Vakuum-Beschichtungskammer (2):
    Vom Reinraum (9) aus erfolgt bei geschlossener Vakuumklappe der ersten Öffnung (5) und geöffneter Vakuumklappe (6) die Bestückung des Handlers (7) mit den Waferscheiben (12) aus dem Reinraum (9). Die Vakuumklappe (6) wird geschlossen und die Vakuum-Schleusenkammer (3) evakuiert. Nach dem Öffnen der Vakuumklappe der ersten Öffnung (5) kann der Handler (7) die Waferscheiben (12) in die Vakuum-Beschichtungskammer (2) einbringen und auf dem Substrathalter (10) anordnen. Der in 2 detaillierter dargestellte Substrathalter (10) weist zur Aufnahme der Waferscheiben (12) kreisförmige Aussparungen (13) mit einer ringförmigen Auflagefläche (14), auf welche die Waferscheiben (12) aufgelegt werden, auf. Sind alle Waferscheiben (12) auf dem Substrathalter (10) angeordnet, fährt der Handler (7) in die Vakuum-Schleusenkammer (3) zurück und es erfolgt die entsprechende Beschichtung der Waferscheiben (12), wie vor beschrieben. Anschließend entnimmt der Handler (7) die Waferscheiben (12) vom Substrathalter (10) und transportiert diese zurück in die Vakuum-Schleusenkammer (3). Die Vakuumklappe der ersten Öffnung (5). wird verschlossen und die Vakuum-Schleusenkammer (3) belüftet. Nach dem Öffnen der Vakuumklappe (6) können die fertig beschichteten Waferscheiben (12) entnommen werden und der Handler (7) neu bestückt werden. Die Vakuum-Beschichtungskammer (2) bleibt während des Substratwechsels evakuiert und auf Betriebstemperatur.
  • Dieser Vorgang ist so oft wiederholbar, bis das Targetmaterial verbraucht ist und/oder die Vakuum-Beschichtungskammer (2) und darin enthaltene Anlagenteile gewartet werden müssen. Die Anzahl der Chips, welche beispielsweise bis zum Verbrauch eines Targets und somit ohne Belüftung und erneute Evakuierung der Vakuum-Beschichtungskammer (2) mindestens beschichtet werden kann, hängt von der Anzahl und Größe der Waferscheiben (12), die in einem Beschichtungsvorgang beschichtet werden, von der Chipgröße und der Schichtdicke ab. So könnten in der Beschichtungsanlage (1) beispielsweise auch 8 Waferscheiben mit einem Durchmesser von 100 mm auf dem Substrathalter (10) angeordnet sein. Bei Chipgrößen von 2mm·2mm und einer Schichtdicke von 10 μm können mit einem Target dann ca. 5.000 Chips beschichtet werden. Bei Waferscheiben mit größerem Durchmesser, beispielsweise 200 mm, können in derselben Beschichtungsanlage (1) 4 Waferscheiben auf dem Substrathalter (10) angeordnet werden. Bei gleicher Chipgröße und einer Schichtdicke von 1 μm können dann ca. 400.000 Chips pro Target beschichtet werden.
  • Wartung der Beschichtungsanlage und/oder Targetwechsel:
    Die Vakuum-Beschichtungskammer (2) muss in regelmäßigen Abständen gereinigt werden und/oder es muss ein neues Target bereitgestellt werden. Das erfolgt bei geschlossener Vakuum-Schleusenkammer (3) vom Grauraum (8) aus, so dass jeglicher Kontakt zu den Substraten und zum Reinraum (9) unterbunden ist. Die Vakuum-Beschichtungskammer (2) wird dazu belüftet. Durch Öffnen der Kammertür kann eine Reinigung und/oder ein Targetwechsel über die zweite Öffnung (4) vom Grauraum (8) aus erfolgen. Anschließend wird die Vakuum-Beschichtungskammer (2) wieder geschlossen und evakuiert und eine erneute Beschichtung von Substraten kann erfolgen.
  • Es ist jedoch nicht zwingend erforderlich, den Targetwechsel über die zweite Öffnung (4) vorzunehmen. Zusätzlich zum Substratwechsel kann auch ein Targetwechsel unter Aufrechterhaltung des Vakuums durchgeführt werden. In diesem Fall kann die Effizienz der Anlage noch weiter erhöht werden, da die Vakuum-Beschichtungskammer (2) nur noch zu Wartungszwecken zu öffnen ist.
  • Das ist insbesondere dann möglich, wenn die Vakuum-Beschichtungskammer (2) noch zusätzlich eine Abschirmungseinrichtung aufweist. Dadurch können die Wartungsabstände für die Vakuum-Beschichtungskammer (2) noch weiter vergrößert und die Effizienz erheblich gesteigert werden.

Claims (15)

  1. Beschichtungsanlage (1) mit zumindest einer Vakuum-Beschichtungskammer (2), in welcher glasartige, glaskeramische und/oder keramische Schichten aus der Dampfphase auf Substrate abgeschieden werden, wobei die Vakuum-Beschichtungskammer (2) eine erste Öffnung (5) aufweist, die erste Öffnung (5) über eine separat evakuierbare Vakuum-Schleusenkammer (3) mit einem Reinraum (9) verbunden ist, die Vakuum-Schleusenkammer (3) Transportmittel (7) zum Zuführen von Substraten in die Vakuum-Beschichtungskammer (2) und zur Entnahme von Substraten aus der Vakuum-Beschichtungskammer (2) aufweist und die Vakuum-Beschichtungskammer (2) eine zweite Öffnung (4) aufweist, welche die Vakuum-Beschichtungskammer (2) mit einem vom Reinraum (9) getrennten Grauraumbereich (8) verbindet.
  2. Beschichtungsanlage (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass diese ein CVD-Anlage umfasst.
  3. Beschichtungsanlage (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass diese ein PVD-Anlage umfasst.
  4. Beschichtungsanlage (1) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass diese Mittel zum Elektronenstrahlverdampfen, thermischen Verdampfen oder gepulsten Plasma Ionenstrahlverdampfen umfasst.
  5. Beschichtungsanlage (1) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass diese Mittel zum Plasma-Ionen unterstützten Aufdampfen der Schicht umfasst.
  6. Beschichtungsanlage (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtungs-Vakuumkammer (2) eine Abschirmungseinrichtung zum Schutz der Kammerinnenwände und/oder der in der Kammer befindlichen Anlagenteile vor unerwünschten Schichtablagerungen aufweist.
  7. Beschichtungsanlage (1) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmungseinrichtung den gleichen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, wie die auf das Substrat aufzubringende Schicht.
  8. Beschichtungsanlage (1) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmungseinrichtung ein glasartiges, glaskeramisches und/oder keramisches Material umfasst.
  9. Beschichtungsanlage (1) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Abschirmungseinrichtung dem Material der aufgebrachten Schicht entspricht.
  10. Beschichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmungseinrichtung mehrteilig ist.
  11. Beschichtungsanlage (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Transportmittel zum Zuführen von Substraten in die Vakuum-Beschichtungskammer (2) und zur Entnahme von Substraten aus der Vakuum-Beschichtungskammer (2) einen Handler (7) zum gleichzeitigen Transport mehrerer Substrate umfassen.
  12. Beschichtungsanlage (1) nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Öffnung (5) der Vakuum-Beschichtungskammer (2) zur Trennung der Vakuum-Beschichtungskammer (2) von der Vakuum-Schleusenkammer (3) eine Vakuumklappe aufweist.
  13. Beschichtungsanlage (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuum-Beschichtungskammer (2) einen Substrathalter (10) für mehrere zu beschichtende Substrate aufweist.
  14. Beschichtungsanlage (1) nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuum-Beschichtungskammer (2) einen Substrathalter (10) für mehrere zu beschichtende Waferscheiben (12) aufweist.
  15. Beschichtungsanlage (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Vakuum-Beschichtungskammern (2) jeweils eine erste Öffnung (5) aufweisen, jede der ersten Öffnungen (5) über jeweils eine separat evakuierbare Vakuum-Schleusenkammer (3) mit einem Reinraum (9) verbunden ist und jeweils eine zweite Öffnung (4) aufweisen, welche die Vakuum-Beschichtungskammern (2) mit einem vom Reinraum (9) getrennten Grauraumbereich (8) verbindet.
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