JP6382830B2 - 医療シリンジ、カートリッジ等上でのｐｅｃｖｄ堆積の均一性制御 - Google Patents

医療シリンジ、カートリッジ等上でのｐｅｃｖｄ堆積の均一性制御 Download PDF

Info

Publication number
JP6382830B2
JP6382830B2 JP2015545155A JP2015545155A JP6382830B2 JP 6382830 B2 JP6382830 B2 JP 6382830B2 JP 2015545155 A JP2015545155 A JP 2015545155A JP 2015545155 A JP2015545155 A JP 2015545155A JP 6382830 B2 JP6382830 B2 JP 6382830B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic field
optionally
layer
cylindrical inner
generally cylindrical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015545155A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016504496A (ja
Inventor
クリストファー・ワイカルト
ベッキー・エル・クラーク
アダム・スティーブンソン
ロバート・エス・エイブラムス
ジョン・ベルファンス
ジョセフ・エイ・ジョーンズ
トーマス・イー・フィスク
Original Assignee
エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド filed Critical エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド
Publication of JP2016504496A publication Critical patent/JP2016504496A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6382830B2 publication Critical patent/JP6382830B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61M—DEVICES FOR INTRODUCING MEDIA INTO, OR ONTO, THE BODY; DEVICES FOR TRANSDUCING BODY MEDIA OR FOR TAKING MEDIA FROM THE BODY; DEVICES FOR PRODUCING OR ENDING SLEEP OR STUPOR
    • A61M5/00—Devices for bringing media into the body in a subcutaneous, intra-vascular or intramuscular way; Accessories therefor, e.g. filling or cleaning devices, arm-rests
    • A61M5/178—Syringes
    • A61M5/31—Details
    • A61M5/3129—Syringe barrels
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61M—DEVICES FOR INTRODUCING MEDIA INTO, OR ONTO, THE BODY; DEVICES FOR TRANSDUCING BODY MEDIA OR FOR TAKING MEDIA FROM THE BODY; DEVICES FOR PRODUCING OR ENDING SLEEP OR STUPOR
    • A61M5/00—Devices for bringing media into the body in a subcutaneous, intra-vascular or intramuscular way; Accessories therefor, e.g. filling or cleaning devices, arm-rests
    • A61M5/178—Syringes
    • A61M5/31—Details
    • A61M5/315—Pistons; Piston-rods; Guiding, blocking or restricting the movement of the rod or piston; Appliances on the rod for facilitating dosing ; Dosing mechanisms
    • A61M5/31511—Piston or piston-rod constructions, e.g. connection of piston with piston-rod
    • A61M5/31513—Piston constructions to improve sealing or sliding
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61M—DEVICES FOR INTRODUCING MEDIA INTO, OR ONTO, THE BODY; DEVICES FOR TRANSDUCING BODY MEDIA OR FOR TAKING MEDIA FROM THE BODY; DEVICES FOR PRODUCING OR ENDING SLEEP OR STUPOR
    • A61M5/00—Devices for bringing media into the body in a subcutaneous, intra-vascular or intramuscular way; Accessories therefor, e.g. filling or cleaning devices, arm-rests
    • A61M5/178—Syringes
    • A61M5/31—Details
    • A61M5/3129—Syringe barrels
    • A61M2005/3131—Syringe barrels specially adapted for improving sealing or sliding
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61M—DEVICES FOR INTRODUCING MEDIA INTO, OR ONTO, THE BODY; DEVICES FOR TRANSDUCING BODY MEDIA OR FOR TAKING MEDIA FROM THE BODY; DEVICES FOR PRODUCING OR ENDING SLEEP OR STUPOR
    • A61M2205/00—General characteristics of the apparatus
    • A61M2205/02—General characteristics of the apparatus characterised by a particular materials
    • A61M2205/0222—Materials for reducing friction
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61M—DEVICES FOR INTRODUCING MEDIA INTO, OR ONTO, THE BODY; DEVICES FOR TRANSDUCING BODY MEDIA OR FOR TAKING MEDIA FROM THE BODY; DEVICES FOR PRODUCING OR ENDING SLEEP OR STUPOR
    • A61M2205/00—General characteristics of the apparatus
    • A61M2205/02—General characteristics of the apparatus characterised by a particular materials
    • A61M2205/0238—General characteristics of the apparatus characterised by a particular materials the material being a coating or protective layer
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61M—DEVICES FOR INTRODUCING MEDIA INTO, OR ONTO, THE BODY; DEVICES FOR TRANSDUCING BODY MEDIA OR FOR TAKING MEDIA FROM THE BODY; DEVICES FOR PRODUCING OR ENDING SLEEP OR STUPOR
    • A61M2207/00—Methods of manufacture, assembly or production
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61M—DEVICES FOR INTRODUCING MEDIA INTO, OR ONTO, THE BODY; DEVICES FOR TRANSDUCING BODY MEDIA OR FOR TAKING MEDIA FROM THE BODY; DEVICES FOR PRODUCING OR ENDING SLEEP OR STUPOR
    • A61M2207/00—Methods of manufacture, assembly or production
    • A61M2207/10—Device therefor

Description

以下の米国仮特許出願の優先権を主張する：２０１３年８月３０日出願の米国仮特許出願第６１／８７２，４８１号明細書；２０１３年３月１５日出願の米国仮特許出願第６１／８００，６６０号明細書；２０１２年１２月３１日出願の米国仮特許出願第６１／７４７，５８４号明細書；２０１２年１１月３０日出願の米国仮特許出願第６１／７３２，１８０号明細書。開示の連続性を提供するためこれら優先出願は全体を参照により本明細書に全て援用する。
２０１０年５月１２日出願の米国仮特許出願第１２／７７９，００７号明細書、現在、米国特許第７，９８５，１８８号明細書；２０１１年５月１１日出願の国際出願ＰＣＴ／ＵＳ１１／３６０９７号明細書；２０１２年１１月９日出願の国際出願ＰＣＴ／ＵＳ１２／６４４８９号明細書；２０１１年１１月１１日出願の米国仮特許出願第６１／５５８，８８５号明細書；２０１２年４月２０日出願の米国仮特許出願第６１／６３６，３７７号明細書；２０１２年５月９日出願の米国仮特許出願第６１／６４５，００３号明細書；２０１２年１０月１２日出願の米国仮特許出願第６１／７１３，４３５号明細書；２０１２年１０月１９日出願の米国仮特許出願第６１／７１６，３８１号明細書は全体を参照により本明細書に全て援用する。
本発明は、被覆表面の技術分野に関し、例えば、保管又は他の流体との接触用の薬剤パッケージ又は他の容器の略円筒状内部表面に関する。好適な流体の例としては、食品又は生物学的に活性の化合物、例えば薬剤組成物、体液、例えば血液、又は他の種類の組成物、例えば診断及び分析試薬もしくは組成物が挙げられる。本発明は、また、被覆略円筒状内部表面を有する薬剤パッケージ又は他の流体充填容器に関する。本発明は、また、より全般的には、パッケージ又は容器以外のデバイス、例えば、カテーテルを含む医療デバイスに関する。
本開示は、また、薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、製剤保管及び送達、サンプル採集管（例えば、静脈穿刺用の採血管）及び他の医療サンプル採集並びに他の目的のために使用される複数の同一薬剤パッケージ又は他の容器を処理するための改良された方法に関する。このような薬剤パッケージ又は他の容器は多数がこれら目的において使用されるため、製造が比較的経済的でなければならないが、保管及び使用においても非常に信頼性の高いものでなければならない。
保管又は他の流体との接触用の薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、バイアル及びプレフィルドシリンジの製造における重要事項の１つは、薬剤パッケージ又は他の容器の内容が望ましくは相当な保管寿命を有することである。この保管寿命の間、薬剤パッケージ又は他の容器に充填された物質を外部環境から分離することが重要とされうる。また、物質が薬剤パッケージもしくは他の容器壁、バリア皮膜もしくは層、又は他の機能皮膜もしくは層から事前充填内容物に、又はその逆において浸出することを防止するために、薬剤パッケージ又は他の容器に充填された物質を、それを含む容器壁から分離することが重要とされうる。
これら薬剤パッケージ又は他の容器の多くは安価であり大量に使用されることから、特定用途においては、製造コストを極端に高い水準まで増加させることなく必要な保管寿命を確実に得るのに有用となろう。
数十年もの間、ほとんどの非経口治療はバイアル又はプレフィルドシリンジなどのタイプＩ（Ｔｙｐｅ Ｉ）医療グレードホウケイ酸ガラス容器において最終使用者に送達されてきた。ホウケイ酸ガラスの比較的丈夫な、不浸透性及び不活性表面はほとんどの薬物製品において適切に機能してきた。しかしながら、高価、複雑且つ敏感な生物学的製剤並びにオートインジェクタなどの高性能の送達システムの近頃の出現により、数ある問題の中でも、金属による汚染の可能性、フレーキング、層間剥離及び破損を含む、ガラス薬剤パッケージ又は他の容器の物理的及び化学的欠点が明らかとなった。更に、ガラスは、保管中に浸出するおそれがあり、保管した物質を損傷する原因となるいくつかの成分を含む。
より詳細には、ホウケイ酸薬剤パッケージ又は他の容器はいくつかの欠点を示す。
ガラスは多くの元素（ケイ素、酸素、ホウ素、アルミニウム、ナトリウム、カルシウム）と微量レベルの他のアルカリ及び土類金属の不均質混合物を含有する砂から製造される。タイプＩホウケイ酸ガラスは、約７６％のＳｉＯ2、１０．５％のＢ2Ｏ3、５％のＡl2Ｏ3、７％のＮａ2Ｏ及び１．５％のＣａＯを含み、鉄、マグネシウム、亜鉛、銅及びその他などの微量の金属をしばしば含む。ホウケイ酸ガラスの不均質な性質は分子レベルにおいて不均一な表面という化学的性質を形成する。ガラス容器を作製するために使用されるガラス成形プロセスは容器の一部を１２００℃ほどの高温に曝す。そのような高温下でアルカリイオンが局所表面に移動し、酸化物を形成する。ホウケイ酸ガラスデバイスから抽出されたイオンの存在は一部の生物学的製剤の劣化、凝集及び変質に関与するおそれがある。多くのタンパク質及び他の生物学的製剤はそれらがガラスバイアル又はシリンジ内において溶液では十分に安定しないため、凍結乾燥（フリーズドライ）しなければならない。
ガラスシリンジでは、通常、プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシールをバレル内において摺動させるためにシリコーンオイルを潤滑剤として使用する。シリコーンオイルはインスリン及び他のいくつかの生物学的製剤などのタンパク質溶液の沈殿に関与してきた。更に、シリコーンオイル皮膜又は層はしばしば不均一であり、市場におけるシリンジの破損が発生する結果となる。
ガラス薬剤パッケージ又は他の容器は、製造、充填作業、発送及び使用中に破損又は劣化しやすく、これはガラス微粒子が薬物に入る可能性があることを意味する。ガラス粒子の存在により多くのＦＤＡ警告書及び製品回収に至っている。ガラス成形プロセスでは新型のオートインジェクタ及び送達システムの一部で要求される厳密な寸法公差が提供されることはない。
この結果、一部の企業では、より厳密な寸法公差を提供し且つガラスに比べ破損の少ないプラスチック薬剤パッケージ又は他の容器が採用されている。
プラスチックは破損、寸法公差及び表面均一性に関してガラスよりも優れているが、以下の欠点により、その一次薬剤包装としての使用は依然限定されている。
ガス（酸素）透過性：プラスチックは小分子ガスをデバイス内に（又は外に）透過させる。プラスチックのガス透過性はガラスのガス透過性より極めて大きくなる場合があり、多くの場合（エピネフリンなどの酸素に敏感な薬物のように）、プラスチックはこの理由のためこれまで容認されていなかった。
水分透過：プラスチックはガラスに比べてデバイスに水分を透過させる度合いが大きい。これは固形（凍結乾燥）薬物の保管寿命には好ましくない場合がある。あるいは、乾燥した環境では液体製品が水を失うおそれがある。
浸出性物質（ｌｅａｃｈａｂｌｅｓ）及び抽出性物質（ｅｘｔｒａｃｔａｂｌｅｓ）：プラスチック薬剤パッケージ又は他の容器は薬物製品に浸出又は抽出するおそれのある有機化合物を収容する。これら化合物が薬物を汚染する及び／又は薬物の安定性に悪影響を及ぼす可能性がある。
明らかに、プラスチック及びガラス薬剤パッケージ又は他の容器は薬剤の一次包装においてそれぞれ特定の利点を提供するが、いずれも全ての薬物、生物学的製剤又は他の治療法に最適というわけではない。したがって、ガラスの特性に近いガス及び溶質バリア特性を備えたプラスチック薬剤パッケージ又は他の容器、特にプラスチックシリンジが所望される。更に、シリンジ内容物との融和性のある十分な滑性特性及び／又は不動態化特性又は保護特性並びに滑性及び／又は不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を備えたプラスチックシリンジに対する需要がある。また、層間剥離する、又は容器内容物と接触しているときに成分を溶解するもしくは浸出する傾向がない表面を備えたガラス容器に対する需要がありうる。
プレフィルドシリンジを製造する際には更に考慮すべきことがある。プレフィルドシリンジは一般的に提供及び販売されているため、使用前にシリンジを充填する必要はなく、使用後には廃棄することができる。シリンジには、いくつかの例として、生理食塩水、注射用染料、又は薬剤的に活性な製剤を事前充填することができる。
一般に、プレフィルドシリンジは遠位端をキャップ（又は、皮下針が予め装着されている場合、キャップともなりうる針シールド）で覆うことができ、且つ近位端をその延伸されたプランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシールによって閉じることができる。プレフィルドシリンジは使用前に滅菌パッケージで包装することができる。プレフィルドシリンジを使用するため、任意の包装及びキャップを取り外し、任意選択的に、皮下針又は別の送達導管をバレルの遠位端に取り付けることができ、送達導管又はシリンジを使用位置に移動し（患者の血管内又はシリンジの内容でリンスすべき装置内に皮下針を挿入することなどによって）、プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシールをバレル内において前進させてバレルの内容を放出することができる。
シリンジ又はオートインジェクタカートリッジは、一般に、プランジャチップ、ピストン、ストッパ、又はシール、又は内容物を分与するために被覆表面と摺接する他の可動部品を含む。可動部品は摩擦抵抗によって容易且つ滑らかに動くことを妨げられる。シリンジ、オートインジェクタカートリッジ及び類似デバイスに共通して必要なのは、バレルと可動部品との間の摩擦抵抗及び付着性を低減し、薬剤組成物又は他の物質をデバイスから分与する際に可動部品をバレル内においてより容易に摺動させるための潤滑又は滑性皮膜もしくは層である。摩擦抵抗は２つの主な側面−−始動力及びプランジャ摺動力を有する。
始動力は静止状態のプランジャがシリンジバレル内において動き始めるのに必要な力、又は着座した静止状態のクロージャを退座させ、その動きを開始するのに必要な同等の力である。（「バレル」は、医療シリンジバレル又は医療カートリッジバレルのいずれかを意味するものであり、双方ともより一般には医療バレルとして周知である）。始動力はシリンジの保管により、プレフィルドシリンジプランジャが介在潤滑剤を押しのけたり、プランジャと医療バレルとの間の潤滑剤の分解により医療バレルに付着したりすると増加する傾向にある。始動力は「付着性（ｓｔｉｃｋｔｉｏｎ）」に打ち勝つために必要な力であり、「付着性」は、プランジャを始動し、それを動かし始めることを可能にするために打ち勝つことが必要なプランジャと医療バレルとの間の付着を示す専門用語である。
プランジャ摺動力は、プランジャ又はクロージャが「始動」し、動き始めた後、プランジャ又はクロージャを医療バレル又は他のパッケージ内において動かし続けるのに必要な力である。
事前充填されているか別個に販売されているかにかかわらず、シリンジ、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスでは、始動力及び摺動力を低減するための潤滑剤としてシリコーンオイル又はポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）が一般に使用されている。非経口薬物保管／送達デバイスでのＰＤＭＳ使用に関する懸念の１つはデバイスから薬液への異物導入である。ＰＤＭＳ系の潤滑剤系はプレフィルドシリンジ内において、製剤との有害な相互作用の可能性を引き起こし、シリコーンオイルの大量瞬時投与につながる測定可能な溶出物プロファイル（ｅｘｔｒａｃｔａｂｌｅ ｐｒｏｆｉｌｅ）を示すことが知られている。図５２〜５４は、潤滑剤としてのシリコンオイル（又は任意の他のオイル）の欠点を示す概略図である。シリコーンオイルの不均一性はシリコーンオイルが表面及びフローに共有的に結合していないことにより生じるものである。図５２は、プランジャの挿入後、プランジャによりシリコーンオイルが医療バレル壁から押し剥がされる（ｐｕｓｈｅｄ ｏｆｆ）ことを示す。図５３は、シリコーンオイルがプランジャとシリンジ壁との間の領域から排出され、高い解放力に至ることを示す。図５４は、シリコーンオイルが重力により経時的に流れることを示す。
米国特許第７，９８５，１８８号明細書は、「非被覆基材よりも低いピストン摺動力又は始動力を提供するように構成された滑性皮膜又は層で被覆された」医療バレル又は他のデバイスを意味する。「当該滑性皮膜又は層は、Ｘ線光電子分光器（ＸＰＳ）によって測定された以下の原子比率の１つを有する：ＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣy、式中、ｗは１、この式のｘは約０．５〜２．４、ｙは約０．６〜約３である」。「滑性層はプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）によって皮膜を形成するのに効果的な条件下で堆積される」。「滑性層は非被覆基材よりも低いピストン摺動力又は始動力を提供するように構成される」。このＰＥＣＶＤ滑性皮膜又は層は医療バレルの壁又は他の被潤滑部品によりしっかりと固定された皮膜又は層によってデバイスを潤滑するため、ＰＤＭＳに関する問題のいくつかに対処する。この滑性皮膜又は層は、また、ＰＤＭＳよりもかなり薄く且つより均一なものとすることができ、使用する潤滑剤の量が削減される。
本発明の一態様は、医療カートリッジ又はシリンジ用医療バレルを製造する方法である。内腔の少なくとも一部を画定する略円筒状内側表面を有する壁を含む医療バレルが設けられる。略円筒状内側表面は４〜１５ｍｍの範囲の直径を有する。内腔内に配置され、略円筒状内側表面と同心であり、且つ略円筒状内側表面から１．２〜６．９ｍｍ半径方向に離間した部分を含む外部表面を有する内部電極が設けられる。内部電極は少なくとも１つの出口を有する内部通路を有する。外部電極もまた設けられる。
内部通路の少なくとも１つの出口を通じて内腔内に気体ＰＥＣＶＤ前駆体が導入される。
略円筒状内側表面の少なくとも一部にプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）ガスバリア皮膜を形成するのに効果的な条件下で外部電極に電磁エネルギーが印加される。バリア皮膜又は層は平均厚さを有する。
任意選択的に印加工程全体において、電磁エネルギーを印加する間、医療バレルの近傍に磁場が印加される。磁場は略円筒状内側表面上のガスバリア皮膜の平均厚さの標準偏差を低減するのに効果的な条件下で印加される。
本発明の更なる態様は、上述の医療バレルの略円筒状壁内に磁場を印加するための装置である。当該装置は、医療バレルホルダと、フィーダと、１つ又は複数の磁場発生器と、を含む。
医療バレルホルダは、医療バレルを着座させるための大きさ及び配置にされ、略円筒状内側表面の軸線の位置を定める台座を含む。
フィーダはホルダと組み合わされ、台座に着座すると、ＰＥＣＶＤ前駆体を医療バレルの内腔に供給するように構成されている。
ホルダと組み合わされた１つ又は複数の磁場発生器は台座に着座すると医療バレルの内腔内に磁場を印加する。
本発明の更に別の態様は医療カートリッジ又はシリンジ用医療バレルを被覆する装置である。当該装置は、バレルホルダと、内部電極と、外部電極と、フィーダと、１つ又は複数の磁場発生器と、を含む。
バレルホルダは、４〜１５ｍｍの範囲の直径を有する内腔の少なくとも一部、任意選択的に内腔全体を画定する略円筒状内側表面を有する壁を含むタイプの医療バレルを着座させるための大きさ及び配置にされた台座を含む。
内部電極は、台座に着座すると医療バレルの内腔内に位置するように配置される部分を含む外部表面を有する。適切な大きさの医療バレルが台座に着座した場合、内部電極は略円筒状内側表面と同心であり、且つ略円筒状内側表面から１．２〜６．９ｍｍ半径方向に離間している。内部電極は少なくとも１つの出口を有する内部通路を有する。外部電極もまた設けられる。
フィーダはホルダと組み合わされ、台座に着座すると、ＰＥＣＶＤ前駆体を医療バレルの内腔に供給するように構成されている。
台座に着座すると医療バレルの内腔内に磁場を印加する１つ又は複数の磁場発生器がホルダと組み合わされる。
本発明のその他の態様は本明細書及び特許請求の範囲から示される又は明らかになる。
本開示の一実施形態による、キャップ装着アセンブリとしても知られる、医療バレル、皮下針及びキャップのキャップ装着アセンブリの立面図である。 ３層ＰＥＣＶＤセットを拡大図において示す図１のキャップ装着アセンブリの長手方向断面図である。 図１のキャップ装着アセンブリの拡大部分図である。 化学気相成長ステーション上に着座した図１及び図２のキャップ装着アセンブリの概略長手方向断面図である。 四重極磁石アレイを示す、図４の断面線Ａ−Ａに沿って切った断面図である。 図４及び図５に示される化学気相成長ステーションの更なる詳細を示す概略図である。 製剤が充填され、且つプランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシールが取り付けられプレフィルドシリンジを画定する、図２に類似する、図１〜６のキャップ装着アセンブリの図である。示されるオプションでは、プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシール及びプランジャプッシュロッドが取り付けられている。 クロージャ（セプタム及びクリンプ）が取り付けられ、且つ同じバリア皮膜又は層、不動態化層又はｐＨ保護皮膜及び他の共通特徴を有するバイアルの長手方向断面図である。 本発明の任意の実施形態において使用可能な別の磁石構造としての、図５に類似するソレノイドコイルの図であり、部分９ａはソレノイドコイルの分離斜視図である。 本発明の任意の実施形態において使用可能な別の磁石構造としての、図５に類似する丸断面トロイダルコイルの図である。 図１０のトロイダルコイルの部分断面斜視図である。 本発明の任意の実施形態において使用可能な別の磁石構造としての、図９ａに類似する矩形断面トロイダルコイルの図である。 図１２の断面線１３−１３に沿って切った断面図である。 本発明の任意の実施形態において使用可能な、その円筒状軸線（ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ ａｘｉｓ）に一致する極軸を有するリング磁石の極軸配向を示す。 本発明の任意の実施形態において使用可能な、丸形円筒状棒磁石の最長寸法に平行な極軸を有する丸形円筒状棒磁石の極軸配向を示す。 本発明の任意の実施形態において使用可能な、角断面筒状棒磁石の最長寸法に平行な極軸を有する角断面筒状棒磁石の極軸配向を示す。 本発明の任意の実施形態において使用可能な、周方向の極軸を有する多極リング磁石（閉じたリングから切り出された）の極軸配向を示す。 棒磁石の最短（厚さ）寸法に平行且つ最長（長さ）寸法に垂直な極軸を有する棒磁石の極軸配向を示す。 本発明の任意の実施形態において使用可能な図５の四重極磁石アレイの斜視図である。 本発明の任意の実施形態において図１９の磁石アレイと同様に使用可能な軸方向磁石アレイの斜視図である。 本発明の任意の実施形態において図１９の磁石アレイと同様に使用可能な四重極磁石アレイの斜視図である。 本発明の任意の実施形態において図１９の磁石アレイと同様に使用可能なスタック式多極セグメント型リング磁石アレイ（ｓｔａｃｋｅｄ ｍｕｌｔｉｐｏｌｅ ｓｅｇｍｅｎｔｅｄ ｒｉｎｇ ｍａｇｎｅｔ ａｒｒａｙ）の斜視図である。 本発明の任意の実施形態において図１９の磁石アレイと同様に使用可能なスタック式軸方向極型リング磁石アレイ（ｓｔａｃｋｅｄ ａｘｉａｌ−ｐｏｌｅ ｒｉｎｇ ｍａｇｎｅｔ ａｒｒａｙ）の斜視図である。 本発明の任意の実施形態において図１９の磁石アレイと同様に使用可能なスタック式四重極磁石アレイの斜視図である。 本発明の任意の実施形態において図１９の磁石アレイと同様に使用可能な四重極磁石アレイの斜視図である。 本発明の任意の実施形態において図５の対応する構造１０８と同様に使用可能な９０度穿孔パターンを備えた第１の選択的ガス入口及び内部電極の側面図である。 本発明の任意の実施形態において図５の対応する構造１０８と同様に使用可能な三角形又は１２０度穿孔パターンを備えた第２の選択的ガス入口及び内部電極の側面図である。 本発明の任意の実施形態において図５の対応する構造１０８と同様に使用可能な螺旋状又は４５度穿孔アレイを備えた第３の選択的ガス入口及び内部電極の側面図である。 任意の実施形態において、図４〜６及び９〜２８のＰＥＣＶＤ装置上でキャップ２７０を取り外した状態で使用可能な医療サンプル管の斜視図である。 実施例１の実験における皮膜又は層厚さ対医療バレルの略円筒状内部表面１６上の位置のプロットである。 実施例２の実験における皮膜又は層厚さ対医療バレルの略円筒状内部表面１６上の位置のプロットである。 実施例３の実験における皮膜又は層厚さ対医療バレルの略円筒状内部表面１６上の位置のプロットである。 実施例４の実験における皮膜又は層厚さ対医療バレルの略円筒状内部表面１６上の位置のプロットである。 実施例５の実験における皮膜又は層厚さ対医療バレルの略円筒状内部表面１６上の位置のプロットである。 実施例６の実験における皮膜又は層厚さ対医療バレルの略円筒状内部表面１６上の位置のプロットである。 医療バレルの一種であるカートリッジを含むオートインジェクタアセンブリの長手方向断面図である。 ヘルムホルツコイル（８６ａ，８６ｂ）、光学検出器（３５０）、ロゴスキーコイル（３５２）及びラングミュアプローブ（３５４）を含む、図４に類似する、任意の実施形態において別個に又は組み合わせて使用可能な特定の任意の特徴を示す図である。 電子的な瓶（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｂｏｔｔｌｅ）を含むプラズマ処理装置の概略長手方向断面図である。電子的な瓶の構造をより良く示すためにプラズマ生成システム、材料供給システム及び排気システムは省略する。 断面線３９−３９に沿って切った図３８の断面図である。 リング磁石７５及び近接した間隔で配置された磁力線８３の断面を示す断面線４０−４０に沿って切った図３８の部分断面図である。 電子の半径方向閉じ込めを提供するためにリング磁石７５のスタックで作製され、電子の軸方向閉じ込めを提供するために各端部に棒磁石６５によってキャップが嵌められた別の電子瓶の概略断面図である。電子的な瓶の構造をより良く示すためにプラズマ生成システム、材料供給システム及び排気システムは省略する。 電子の半径方向及び軸方向閉じ込めを提供するためにソレノイドコイルで作製された別の電子瓶の概略断面図である。電子的な瓶の構造をより良く示すためにプラズマ生成システム、材料供給システム及び排気システムは省略する。 電子の半径方向閉じ込めを提供するためのソレノイド、及び電子の軸方向閉じ込めを提供するための静電電子ミラーで作製された更に別の電子瓶の概略断面図である。電子的な瓶の構造をより良く示すためにプラズマ生成システム、材料供給システム及び排気システムは省略する。 電子の半径方向閉じ込めを提供する円筒状静電ミラー及び電子の軸方向閉じ込めを提供するための磁気電子ミラーで作製された更に別の電子瓶の概略断面図である。電子的な瓶の構造をより良く示すためにプラズマ生成システム、材料供給システム及び排気システムは省略する。 半径方向に延在する極軸を有する交互する棒磁石６１及び６２で構成された８磁石四重極類似物（８−ｍａｇｎｅｔ ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ ａｎａｌｏｇ）の詳細である。磁石６１は内向きに配向されたＮ極を有し、交互する磁石６２は外向きに配向されたＮ極を有する。 環状面が極を画定すると極軸が軸方向に誘導される８つのリング磁石のスタックの詳細である。一実施形態においては、全８つが同じ場の強度を有し、半径方向閉じ込めのみを提供する。別の実施形態においては、スタックの各端のリング磁石はより高い場の強度を有し、軸方向閉じ込めも提供する。 本発明の特定の態様での使用のために企図された磁石アレイの概略側面図である。 傾斜四重極磁石アレイ（ｔｉｌｔｅｄ ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ ｍａｇｎｅｔ ａｒｒａｙ）を含むＰＥＣＶＤ装置内のバイアルの概略側面図である。 本発明の特定の態様での使用のために企図された軸方向磁石アレイの斜視図である。 図１のキャップ装着アセンブリの局所皮膜又は層用の別のステーションの長手方向断面図である。 任意の局所滑性皮膜を示す、図７に類似する、図１〜６のキャップ装着アセンブリの図である。 潤滑剤としてのシリコンオイル（又は任意の他のオイル）の欠点を示す概略図である。 同様の上部シェル支持器を取り外した、下部シェル支持器８３６内に支持された円錐形磁石のリング形アレイの斜視図である。 図５５の断面線５６−５６に沿って切った断面図である。 上部又は下部シェルフ支持器８３６（上部シェルフ支持器と下部シェルフ支持器は任意選択的に同じとされうる）の斜視図である。 本発明により使用可能な別の切頭角錐形磁石形状を示す。 本発明により使用可能な別の角錐形磁石形状を示す。 本発明により使用可能な別の切頭円錐形磁石形状を示す。 医療バレルの内部表面上の皮膜又は層厚さのマップである。 医療バレルの模式図である。 図６１の医療バレルの略円筒状内部表面上の皮膜又は層厚さの更なる模式図である。 皮膜又は層厚さ対図６１〜６３の医療バレルの後部からの距離のプロットである。 皮膜又は層厚さのマップである。 図６５の医療バレルの略円筒状内部表面上の皮膜又は層厚さの顕微鏡写真である。 図６５の医療バレルの略円筒状内部表面上の皮膜又は層厚さの第２の顕微鏡写真である。 プランジャを挿入し、シリンジを１０分間放置した後の実施例９のＦｍのプロットである。 第３の滑性被覆医療バレル上の皮膜又は層厚さのマップである。 実施例１０のＦｍのプロットである。 医療バレルの略円筒状内部表面上の皮膜又は層厚さの顕微鏡写真を示す。 医療バレルの略円筒状内部表面上の皮膜又は層厚さの第２の顕微鏡写真を示す。 図６９、７０、７１及び７２のデータを得るために使用したＮｄＦｅ磁石の磁場強度プロファイルを示す。 実施例１１において試験したバイアルのバイアル壁上のＴＥＭ（透過型電子顕徴鏡）試験位置を示す。
図面では以下の参照符号を使用する。
Figure 0006382830
Figure 0006382830
Figure 0006382830
定義の項
本発明の文脈においては、以下の定義及び略語を使用する。
「プラズマ（ｐｌａｓｍａ）」は、特に指示のない限り、物質の粒子の特定部分がイオン化し、自由電子が存在する、気体に似た物質の励起状態を意味する。この代わりとして、本明細書の別の文脈における「プラズマ」は血液の液体成分を意味しうるが、これは後者の意味が本開示の状況から明らかな場合のみである。
ＲＦは高周波電磁エネルギーである。
用語「少なくとも（ａｔ ｌｅａｓｔ）」は、本発明の文脈においては、同用語に続く整数と「等しいかそれを超える（ｅｑｕａｌ ｏｒ ｍｏｒｅ）」ことを意味する。「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という語は他の要素又はステップを排除するものではなく、また、不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」は別段の定めがなければ複数形を排除するものではない。パラメータ範囲が示される場合、範囲の限界として提供するパラメータ値及び前記範囲内にあるパラメータの全ての値を開示することを意図する。
本発明の目的においては、「有機ケイ素前駆体」は、酸素原子及び有機炭素原子（有機炭素原子は少なくとも１個の水素原子と結合した炭素原子である）に結合した四価ケイ素原子である、以下の結合の少なくとも１つを有する化合物である。
Figure 0006382830
 揮発性の有機ケイ素前駆体は、ＰＥＣＶＤ装置に蒸気として供給されうる前駆体と定義され、任意の有機ケイ素前駆体とされうる。任意選択的に、有機ケイ素前駆体は直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、アルキルトリメトキシシラン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、及びこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせからなる群から選択されうる。
本明細書及び特許請求の範囲において、ＰＥＣＶＤ前駆体、気体反応物又はプロセスガス及び希釈ガスの供給量は「標準体積（ｓｔａｎｄａｒｄ ｖｏｌｕｍｅｓ）」で表される場合がある。チャージガス又は他の一定量のガスの標準体積は、（実際の送達温度及び圧力を考慮しない）標準温度及び圧力において占める一定量のガスの体積である。標準体積は異なる体積の単位を使用して測定することができるが、それでもなお本開示及び特許請求の範囲の範囲内とされうる。例えば、同じ一定量のガスを、標準立方センチメートルの数値、標準立方メートルの数値、又は標準立方フィートの数値として表すことができる。標準体積もまた異なる標準温度及び圧力を使用して定義することができるが、それでもなお本開示及び特許請求の範囲の範囲内とされうる。例えば、標準温度が０℃、標準圧力が７６０Ｔｏｒｒである可能性も、標準温度が２０℃、標準圧力が１Ｔｏｒｒである可能性もある。しかし、特定の場合においてどのような標準を使用したとしても、２つ以上の異なるガスの相対体積を特定のパラメータを明示せずに比較する場合、特に明示しない限りは、各ガスに対して同じ体積、標準温度及び標準圧力の単位が使用される。
本明細書においては、ＰＥＣＶＤ前駆体、気体反応物又はプロセスガス及び希釈ガスの対応する供給速度は単位時間あたりの標準体積で表される。例えば、実施例において、流量は標準立方センチメートル／分として表され、ｓｃｃｍと略される。他のパラメータと同様、秒又は時間などの他の時間単位を使用できるが、２つ以上のガスの流量を比較する場合、特に明記されない限りは一貫したパラメータが使用される。
「容器」は、本発明の文脈においては、少なくとも１つの開口部と、内側又は略円筒状内部表面１６を画定する壁とを備えた任意の種類の物品とされうる。基材は内腔を有する容器の内側壁とされうる。本発明は特定の容量の薬剤パッケージ又は他の容器に必ずしも限定されるわけではないが、内腔が０．５〜５０ｍＬ、任意選択的に、１〜１０ｍＬ、任意選択的に、０．５〜５ｍＬ、任意選択的に、１〜３ｍＬの空隙容量を有しうる薬剤パッケージ又は他の容器が企図される。これら寸法は例示であり、限界を示すものではない。基材表面は、少なくとも１つの開口部及び内側又は略円筒状内部表面１６を有する容器の内側又は略円筒状内部表面１６の一部又は全てとされうる。
容器は、本発明の文脈においては、１つ又は複数の開口部を有しうる。一般的な種類のブリスタパッケージウェル、バイアルもしくはサンプル管（１つの開口部）又は一般的な種類のシリンジもしくは医療バレル（２つの開口部）の開口部のような１つ又は２つの開口部が好適である。容器が２つの開口部を有する場合、それらは同じ大きさとすることも異なる大きさのものとすることもできる。１つより多い開口部がある場合、１つの開口部は本発明によるＰＥＣＶＤ被覆方法のガス注入用に使用することができる一方で、もう一方の開口部はキャップが嵌められるか開放されるかのいずれかである。本発明による容器は、例えば、血液又は尿などの生物学的流体を採集又は保管するためのサンプル管、生物学的に活性の化合物又は組成物、例えば、薬剤又は薬剤組成物を保管又は送達するためのシリンジ（又はその一部、例えば、医療バレル）、生物学的材料又は生物学的に活性の化合物又は組成物を保管するためのバイアル、管、例えば、生物学的材料又は生物学的に活性の化合物又は組成物を輸送するためのカテーテル、又は流体を保持するための、例えば、生物学的材料又は生物学的に活性の化合物又は組成物を保持するためのキュベットとすることができる。
容器にはサンプル採集（例えば採血）又は分析用の試薬又は防腐薬が提供されうる。例えば、採血用容器は内腔を画定する内側又は略円筒状内部表面と外側表面とを有しうる。不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を内側又は略円筒状内部表面１６上に設けることができ、容器は、その内腔内に化合物又は組成物、例えば、クエン酸塩又はクエン酸塩含有組成物を含みうる。
容器はあらゆる形状のものとすることができ、その開端部の少なくとも１つにある又はその近傍にある略円筒状内部表面を有する容器が好適である。一般に、容器の内部表面は例えばサンプル管又は医療バレル内のような円筒形状とされうる。サンプル管及びシリンジ又はそれら部品（例えば医療バレル）が考えられる。
「疎水性皮膜又は層」は、本発明の文脈においては、皮膜又は層が、皮膜又は層で被覆された表面のぬれ張力を、対応する非処理表面と比べて低下させることを意味する。疎水性は、したがって、非処理基材と皮膜又は層との両方の機能とされうる。用語「疎水性」が使用される他の文脈の適切な代替物にも同じことが当てはまる。用語「親水性」は逆、すなわち、基準サンプルと比べてぬれ張力が増加することを意味する。本疎水性皮膜又は層はそれら疎水性及び疎水性を提供するプロセス条件によって主に定義される。好適な疎水性皮膜又は層及びその適用、特性及び用途については米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている。本発明の任意の実施形態においては疎水性皮膜又は層の特性も有する二重機能不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層が提供されうる。
異なる使用が明記されない限り、この明細書を通じ、共に記載されたｘ及びｙの値を実験組成物ＳｉＯxＣyに適用可能である。異なる使用が明記されない限り、この明細書を通じ、単独で記載されたｘの値を実験組成物ＳｉＯxに適用可能である。）この明細書を通じて使用されるｘ及びｙの値は、分子中の原子の数又は種類を限定するものというよりもむしろ実験式（例えば皮膜又は層の）の比率と解釈すべきである。例えば、分子組成Ｓｉ4Ｏ4Ｃ8は分子式中の各添字を最大公約数の４で割ることにより得た以下の実験式ＳｉＯ1Ｃ2で記載されうる。また、ｘ及びｙの値は整数に限定されない。
ＳｉwＯxＣy又は「ｗ」の添字を有する類似表現は、ｗ＝１である場合、本開示においては、同じ配合を表す別の手法として、ＳｉＯxＣy又は類似表現と等価である。
一連の測定値又は他の値の「平均値（Ａｖｅｒａｇｅ）」及び「平均（ｍｅａｎ）」は双方とも同様に統計的平均に等しいと定義される。
皮膜又は層の「厚さ範囲（ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｒａｎｇｅ）」は、皮膜又は層において測定された最大厚さ及び最小厚さの組を意味する。例えば、皮膜の異なる箇所における３つの測定値が１７ｎｍ、３１ｎｍ及び３４ｎｍである場合、この皮膜の厚さ範囲は１７〜３４ｎｍである。
この明細書を通じ、共に記載されたｘ及びｙの値は実験組成物ＳｉＯxＣyに適用可能である。
「円筒状（ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ）」表面は、本明細書では、円形とすることも任意の他の形状（楕円形、八角形、不規則なループ等）とすることも可能な２つの等しく且つ平行な閉じたループ間に延在する３次元幾何学的表面と定義される。「略円筒状（ｇｅｎｅｒａｌｌｙ ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ）」は真の円筒状形態からのわずかな偏差、例えば、シリンジもしくは医療バレルのテーパ、表面粗さ、わずかに異なる内径部分、又はシリンジの場合ではプランジャが表面に着座し、且つ表面に沿って動くことを妨げない他の偏差を考慮する。単一表面が、略円筒状部分と、シリンジの内腔を画定するシリンジの側壁表面及び端部壁表面などの略円筒状でない別の部分と、を含むことが可能である。
「ＰＥＣＶＤセット（ＰＥＣＶＤ ｓｅｔ）」はＰＥＣＶＤによって特定表面に塗布されるすべての皮膜であり、１つ又は複数の皮膜とされうる。
「ラザフォード後方散乱分光法（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）」は、ＰＥＣＶＤ皮膜又は層の水素含有量を測定する方法である。この方法は、例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）（水素含有量を検出しない）によるＰＥＣＶＤ層のキャラクタリゼーションＳｉＯxＣyを補完するために使用可能であり、式はＳｉＯxＣyＨzと表すことができる。
「ぬれ張力」は表面の疎水性又は親水性の特定の測度である。任意のぬれ張力測定方法は、本発明の文脈においては、ＡＳＴＭ Ｄ２５７８又はＡＳＴＭ Ｄ２５７８に記載されている方法に変更を施したものある。この方法では、標準的なぬれ張力の溶液（ダイン溶液（ｄｙｎｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）と称される）を使用してプラスチック膜表面を正確に２秒間濡らすのに最も近い溶液を決定する。これが膜のぬれ張力である。本明細書中において使用する手順はＡＳＴＭ Ｄ ２５７８に変更を施したものであり、基材は平坦なプラスチック膜ではなく、管内側を疎水性皮膜又は層（欧州特許出願公開第２２５１６７１Ａ２号明細書の実施例９を参照）で被覆するためのプロトコル（制御以外）に従い被覆された管とされうる。
本発明による「滑性皮膜又は層（ｌｕｂｒｉｃｉｔｙ ｃｏａｔｉｎｇ ｏｒ ｌａｙｅｒ）」は、非被覆表面よりも低い摩擦抵抗を有する皮膜又は層である。
（この明細書内の別の場所でより広範に定義されるように）本発明による「不動態化層又はｐＨ保護皮膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ ｏｒ ｐＨ ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ）」は、下地表面又は層を不動態化する又は層に接触する流体組成物から保護する。
「摩擦抵抗（ｆｒｉｃｔｉｏｎａｌ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）」は静的摩擦抵抗及び／又は動的摩擦抵抗とされうる。
本発明の任意の実施形態の１つは、シリンジ部品、例えば、滑性及び／又は不動態化層又はｐＨ保護皮膜で被覆された医療バレル又はプランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシールとされうる。この企図される実施形態では、本発明の文脈において関連する静的摩擦抵抗は本明細書中に定義される始動力（ｂｒｅａｋｏｕｔ ｆｏｒｃｅ）であり、本発明の文脈において関連する動的摩擦抵抗は本明細書中において定義されるプランジャ摺動力である。例えば、本発明の文脈においては、本明細書中において定義及び決定されるプランジャ摺動力は、皮膜又は層が任意のシリンジ又はシリンジ部品、例えば、医療バレルの内壁に塗布されるときには、滑性及び／又は不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の存在又は欠如並びに滑性及び／又は不動態化又は防護特性を決定するのに好適である。始動力は、プレフィルドシリンジ、すなわち、被覆後充填することができ、プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシールが再び動かされる（「始動（ｂｒｏｋｅｎ ｏｕｔ）」されねばならない）まで、ある時間、例えば、数か月又は更には数年保管することができるシリンジに対する皮膜又は層の効果の評価に特に関係するものとされうる。
「プランジャ摺動力」（同様にこの明細書内で使用される「映進力（ｇｌｉｄｅ ｆｏｒｃｅ）」、「維持力（ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ ｆｏｒｃｅ）」又はＦｍの類義語）は、本発明の文脈においては、例えば、吸引又は分与時、医療バレル内においてプランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシールの動きを維持するのに必要な力である。プランジャ摺動力は本明細書中に記載され、且つ当技術分野において公知のＩＳＯ７８８６−１：１９９３試験を使用して有利に決定されうる。当技術分野においてしばしば使用される「プランジャ摺動力」の類義語は「プランジャ力（ｐｌｕｎｇｅｒ ｆｏｒｃｅ）」又は「押力（ｐｕｓｈｉｎｇ ｆｏｒｃｅ）」である。
「プランジャ始動力（ｐｌｕｎｇｅｒ ｂｒｅａｋｏｕｔ ｆｏｒｃｅ）」（同様に本明細書において使用される「始動力」、「解放力（ｂｒｅａｋ ｌｏｏｓｅ ｆｏｒｃｅ）」、「イニテーション力（ｉｎｉｔａｔｉｏｎ ｆｏｒｃｅ）」、Ｆｉの類義語）は、本発明の文脈においては、プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシールをシリンジ内、例えば、プレフィルドシリンジ内において動かすのに必要な初期カである。
「プランジャ摺動力」及び「プランジャ始動力」の両方並びにそれら測定方法については本明細書の後の部分に更に詳細に記載する。これら２つの力は、Ｎ、ｌｂｓ又はｋｇで表すことができ、本明細書中においては全３つの単位を使用する。これら単位は以下のように相関する：１Ｎ＝０．１０２ｋｇ＝０．２２４８ｌｂｓ（ポンド）。
摺動力及び始動力は、本明細書中においては、ストッパを容器に配置して容器を閉じるために、ストッパ又は他のクロージャを医療サンプル管又はバイアルなどの薬剤パッケージ又は他の容器内に前進させるのに必要な力を表すために使用されることがある。少なくともほとんどの場合においてクロージャを着座位置に前進させた場合に液体が容器から排出されないこと以外は、その使用は、シリンジ及びそのプランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシールの状況での使用に類似しうるものであり、容器及びそのクロージャのこれら力の測定値はシリンジのこれら力の測定値に類似すると考えられる。
「摺動可能に（ｓｌｉｄａｂｌｙ）」は、プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシール又は他の着脱部品を医療バレル又は他の容器内において摺動させることができることを意味する。
「電子瓶（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｏｔｔｌｅ）」は、当該瓶を出るのに必要なエネルギーよりも少ないエネルギーを有する電子をその内部に閉じ込める傾向がある磁場及び／又は電場で形成された仮想コンテナである。電子瓶を、内容物を閉じ込める壁を有する工作物又はチャンバと混同すべきではない。プラズマ中の正及び／又は負に荷電したイオンもまた電子瓶によって閉じ込められてもよく、多くの場合、プラズマ中の正及び／又は負に荷電したイオンはそのより低いエネルギーのため電子よりもより容易に閉じ込めることが可能である。このため、「電子瓶」は、ここではイオンを誘導する又は閉じ込める傾向にある構造を含むものと特に定義される。
本開示において使用されることのある用語「工作物（ｗｏｒｋｐｉｅｃｅ）」は、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は内腔を有する類似デバイスを意味する。
当業者には、（工作物であるか別個のチャンバであるかにかかわらず）コンテナの壁内でプラズマが形成される場合、閉じ込め機能の一部をコンテナ自身によって実施することができ、電子瓶は任意選択的にその機能を単に補完するものとなりうることは理解されよう。また、電子瓶と任意の物理的コンテナは空間を共有する又は共有しないものとすることができ、且つ磁気コンテナ「壁」は、物理的コンテナ内とすることも、物理的コンテナ外とすることも、物理的コンテナの壁と交わることも、磁気コンテナ「壁」の異なる部分を同時にこれら位置の任意の２つ以上とすることもできることは理解されよう。
・プラズマが形成されるコンテナが一部強磁性体又はフェリ磁性体で作製される程度（例えばシリンジアセンブリの皮下針）以外は、コンテナと電子瓶は互いに実質的に相互作用しなくてもよい。更に、電子瓶は電子又はイオンの３６０度閉じ込めを必ずしも提供する必要はないが、この理由は、目的が必ずしも本質的に電子又はイオンを閉じ込めることではなく工作物の処理を向上させることとされうるからである。例えば、バイアル、シリンジバレル又はカートリッジバレルが電子瓶とともに使用される場合、「瓶」は、任意選択的に、バイアルの一端の近傍にある、又はバイアルの両端の近傍にある、特に半径方向閉じ込めのない単なる単一軸方向の電子ミラーとすることができる。あるいは、「瓶」は、任意選択的に、図４〜６、２１、２３、２５、３８〜４０もしくは４５の四重極又は均等に巻かれたコイルを用いることによって、特に軸方向閉じ込めを付加することなく半径方向閉じ込めを提供することができる。
「標準偏差」は、例えば平均厚さ未満の標準偏差を有するＰＥＣＶＤ皮膜又は層の文脈においては以下のように測定する。実施例のいくつかにおいては、測定される皮膜の部分上の、複数の離間した箇所の標準位置−−第１の軸方向位置において表面の周縁周りに４５度刻みで離れている８箇所、次に、第１の軸方向位置から６ｍｍ離れた第２の軸方向位置において周縁周りに４５度刻みで離れている８箇所等において皮膜の厚さを測定するＦｉｌｍｅｔｒｉｃｓ試験法を用いる。これによりＮの測定値ｘiを得る。その後、各箇所における厚さ値の標準偏差を以下の式に従い従来算出する。
Figure 0006382830
 式中、ｓは標準偏差、Ｎは厚さ測定値の数、ｘiは各個々の厚さ測定値、及び上に線があるｘは全厚さ結果の平均である。
本目的において
・通常、約１０００〜１０４０ｃｍ−１に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、
・通常、約１０６０〜約１１００ｃｍ−１に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅の比率は、ＦＴＩＲ−フーリエ変換赤外分光法を用いて測定する。これはＳｉＯxＣyＰＥＣＶＤ皮膜又は層の赤外線吸収スペクトルを得るために使用される分析法である。本目的においては、ｐＨ保護皮膜又は層３４の、約１０００ｃｍ-1〜１１００ｃｍ-1の波数間の吸光度スペクトルを得るために減衰全反射（ＡＴＲ）サンプラ及びＦＴＩＲマシンが使用される。通常約１０００〜１０４０ｃｍ-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅が決定され、通常約１０６０〜約１１００ｃｍ-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅が決定される。その後、これら最大振幅の比率が決定される。
バリア皮膜又は層の酸素バリア向上度（ＢＩＦ）は、同一のコンテナの２つの群を用意し、バリア皮膜又は層、ＰＥＣＶＤセット又はその他の処理をコンテナの試験群に付加する（非処理コンテナを対照群として残す）ことによって決定される。各試験コンテナ及び対照コンテナの酸素移送速度を測定する。試験容器の酸素移送速度の値と対照容器の値の比率を決定する。この比率が「酸素バリア向上度（ｏｘｙｇｅｎ ｂａｒｒｉｅｒ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ｆａｃｔｏｒ）」である。例えば、バリア皮膜又は層のガス放出の比率がバリア皮膜又は層のないもののガス放出の比率の３分の１である場合、バリア皮膜又は層は３の酸素ＢＩＦを有する。
酸素透過速度は、予め保管されていた容器の内容物をその酸素含有量について試験し、容器内に透過した酸素量を１日毎のパッケージあたりの酸素ガスの立方センチメートルの観点から表すことによって測定される。ＰＥＣＶＤセットを含む試験容器の酸素透過速度（ＯＴＲ）とＰＥＣＶＤセットを有しない対照容器の比率がその後決定される。
バリア向上度は、未使用コンテナ又は流体組成物のコンテナ内における保管後の、流体保管のバリア向上度に対する影響を特定するために決定されうる。ＰＥＣＶＤセットに接触する流体のコンテナ内での保管後のバリア向上度を測定するための、溶液保管後のバリア向上度（ＢＩＦ）を測定するためのプロトコルを以下に記載する。プロトコルに記載されている同様の酸素透過試験を、作製されたままの状態の医療バレルのバリア向上度を試験するための保管プロトコル無しで使用できる。
詳細な説明
ここで、いくつかの実施形態を示す添付の図面を参照して本発明をより詳細に説明する。しかしながら、本発明は多くの異なる形態で実施することができ、ここで説明する実施形態に限定されるものと解釈すべきではない。むしろ、これら実施形態は本発明の例であり、特許請求の範囲の文言により示される全範囲を有する。全体において同様の数は同様の要素又は対応する要素を意味する。以下の開示は、特定の実施形態に特に限定されない限りは全実施形態に関連する。
シリンジ
図１〜７の容器はシリンジであり、シリンジは「内部壁」としても知られる略円筒状内部表面１６を含む医療バレル１４を有する企図される種類の容器である。略円筒状内部表面１６には、任意選択的にバリア皮膜又は層、任意選択的に結合皮膜又は層、任意選択的に不動態化層又はｐＨ保護皮膜を含むＰＥＣＶＤセットが提供される。略円筒状内方表面１６に（１）結合皮膜又は層、（２）バリア皮膜又は層、及び（３）不動態化層又はｐＨ保護用皮膜もしくは層を成功裏に堆積させた「３層皮膜又は層」であるＰＥＣＶＤセットは１つの考えられる選択肢である。
任意選択的に、医療バレルは、ＰＥＣＶＤを実施する前、取付済みの皮下針を有し、バレルは、針端部と、後端部と、端部間の本体部分と、を有する。ＰＥＣＶＤ中、針端部には、取付済みの皮下針内の流れを低減又は除去するため、並びに処理時又は得られたシリンジもしくはカートリッジの使用時、針及び針近傍で動作する物を保護するために任意選択的にキャップが嵌められうる。
処理後の最終シリンジはプランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシール３６を更に含みうる。プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシール３６は、シリンジの、医療バレル２５０に対して相対的に摺動する部品とされうる。用語「医療バレル」は、しかしながら、カートリッジ、「ペン」型注射器、及び１つ又は複数の他の構成要素と組み立てられて機能的なシリンジを提供するようになっている他の種類の医療バレル又はリザーバを含むよう広く定義される。「シリンジ」は、また、オートインジェクタなどの、内容物を分与するための機構を提供する関連物品を含むよう広く定義される。
シリンジを作製するための１つの非限定的手法として、医療バレル１４と、分与部２０と、シールド２８と、を含むキャップ装着アセンブリ１２が提供されうる。キャップ装着アセンブリ１２は、流体を分与するように適合された、シリンジ、カートリッジ、カテーテル又は他の物品などの完全な物品とすることも完全な物品の一部とすることもできる。
医療バレル１４は医療バレル内腔１８を画定する略円筒状内部表面１６を有しうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、医療バレル１４は、分与部２０から間隔をあけて配置され、且つ略円筒状内部表面１６内に通じる開口部３２を更に含みうる。そのような開口部は、例えば、シリンジ又はカートリッジ内の従来のものとすることができる。一般的な例は、プレフィルド医療バレルの後部開口部３２とされ、分与されることになる適切な製剤又は他の流体物質４０を医療バレル内腔１８に充填した後、プレフィルド医療バレルの後部開口部３２を通じて、プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシール３６を挿入することができる。
医療バレル１４は、例えば、成形によって形成することができるが、その形成の手法は重要ではなく、それは、例えば、固体プリフォーム（ｓｏｌｉｄ ｐｒｅｆｏｒｍ）の機械加工によっても形成することができる。好ましくは、医療バレルは、熱可塑性プラスチック材料の射出成形によって成形することができるが、それはブロー成形又は複合的な方法によっても形成することができる。
１つの好適な例として、医療バレル１４は、以下に記載される分与部２０を射出金型内に配置し、熱可塑性プラスチック材料を分与部の周りに射出成形することによって形成することができ、このようにして医療バレルを形成し、且つ分与部を医療バレルに固定する。あるいは、分与部及び医療バレルは、単一部品として成形することもそうでなければ形成することもできる。あるいは、別々に形成して他の手法で接合さすることもできる。任意の実施形態の医療バレルは任意の適切な材料で作製することができる。特に考えられる医療バレル材料のいくつかは、ＣＯＣ（環式オレフィン共重合体）、ＣＯＰ（環式オレフィン重合体）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）及びポリプロピレンである。
キャップ装着アセンブリ１２の分与部２０は、キャップ装着アセンブリ１２から形成された完全な物品の医療バレル内腔１８から分与される流体用の出口としての機能を果たすために提供されうる。図に示される好適な分与部の一例は皮下針とされうる。
あるいは、任意の実施形態においては、代わりに、分与部２０を、針なしディスペンサ（ｎｅｅｄｌｅ−ｆｒｅｅ ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ）とすることができる。好適な針なしディスペンサの１つの例は、流体物質４０を移動するために相補的結合部内に受容されることを意図した平滑（ｂｌｕｎｔ）又は可撓性分与部とされうる。そのような平滑又は可撓性分与部は、物質を分与する一方で、医療専門家又は他の人物に誤って刺さるおそれのある鋭利な針による作業の危険性を回避するためにシリンジ、静脈内注入システム並びに他のシステム及び機器に使用されることで周知である。針なしディスペンサの別の例は、媒介針（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ ｎｅｅｄｌｅ）の必要なく流体の自由噴射又は噴霧を患者の皮膚を介して直接注入する流体噴射又は噴霧式注入システムとされうる。本発明の任意の実施形態による使用においては、皮下針又は任意の形態の針なしディスペンサにかかわらず、任意の種類の分与部２０が考えられる。
分与部２０は医療バレル１４に固定されるか固定することができ、且つ近位開口部２２と、遠位開口部２４と、分与部内腔２６とを含む。近位開口部２２は医療バレル内腔１８と連通する。遠位開口部２４は医療バレル１４の外側に配置されうる。分与部内腔２６は分与部２０の近位開口部２２と遠位開口部２４との間において連通する。図示される実施形態においては、遠位開口部２４は皮下針２０の鋭利な先端に設けることができる。
シールド２８は医療バレル１４に固定することができ、分与部２０の遠位開口部２４をシールド２８外側の圧力状態から少なくとも実質的に分離する。任意選択的に、任意の実施形態においては、シールド２８は、キャップ装着アセンブリ１２の、経皮的な注入のための安全な使用を促進するのに十分なバイオバリア（ｂｉｏ−ｂａｒｒｉｅｒ）を提供するため、キャップ装着アセンブリ１２の一部を十分に分離する。
シールド２８は遠位開口部２４を種々の手法で分離することができる。本図２、３、４及び７に示すように、効果的な分離は少なくとも部分的にシールド２８と遠位開口部２４との間の接触により提供されうる。図示される実施形態においては、分与部２０の先端はシールド２８の材料に埋設されうる。あるいは、任意の実施形態においては、同様に本図２、３、４及び７に示すように、効果的な分離は少なくとも部分的にシールド２８と医療バレル１４との間の接触により提供されうる。示される実施形態においては、シールド２８と医療バレル１４との間の主要接触線（ｐｒｉｍａｒｙ ｌｉｎｅ ｏｆ ｃｏｎｔａｃｔ）は医療バレル１４の先端において略円筒状表面４４を取り囲み、且つそれに配置されるリブ４２（図３に最も良く見える）とされうる。あるいは任意の実施形態においては、図２〜３に示されるこれら両タイプの接触により、又は限定されることなく他の手法において効果的な分離が提供されうる。
任意の実施形態のシールド２８は、任意選択的に、係合してシールド２８を所定の位置に保持するバーブ４６とキャッチ４８とを含むラッチング機構を有しうる。これは図３に最も良く示される。キャッチ４８は、シールド２８を容易に取り外し且つ交換できるように十分に弾性の材料で作製されうる。
分与部２０が皮下針である場合、シールド２８は特別に形成された針シールドとされうる。針シールドの本来の用途は、使用前の皮下針をカバーして偶発的な針の突き出しを防止し、針が患者又は注射ポートに注射される前の針の汚染を防止することである。分与部２０が針なしディスペンサであったとしても、取り扱い時のディスペンサの汚染を防止するために同様のシールドを使用することが好ましい。
シールド２８は任意の適切な手法で形成されうる。例えば、シールド２８は熱可塑性プラスチック材料の成形によって形成されうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、熱可塑性プラスチック材料はエラストマー材料又はシールを形成するのに適しうる他の材料とされうる。エラストマー材料の１つの適切な種類は総称的に熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）として公知である。シールド２８を作製するのに好適な熱可塑性エラストマーの例はＳｔｅｌｍｉ（登録商標）Ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ ４８００（可撓性シールド配合物（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｓｈｉｅｌｄ ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ））である。任意の実施形態においては、好適な特性を有する任意の他の材料を代わりに使用することができる。
任意の実施形態における別の任意の特徴として、シールド２８は、キャップ装着アセンブリ１２の、シールドによって分離された部分を滅菌するため、滅菌ガスに対して十分に透過性とされうる。適切な滅菌ガスの１つの例はエチレンオキサイドである。シールドによって分離された部分を分離されているにもかかわらず滅菌することができる、滅菌ガスに対して十分に透過性を有するシールド２８が利用可能である。エチレンオキサイドガス滅菌に対応するほど十分に透過性を有するシールド配合物の例は、Ｓｔｅｌｍｉ（登録商標）Ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ ４８００とされうる。
前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、高分子材料は、２つの例として、シリコーンエラストマーもしくは熱可塑性ポリウレタン、又は血液もしくはインスリンとの接触に適した任意の材料とされうる。例えば、インスリンを保管するため記載した任意の実施形態による被覆基材の使用が考えられる。
任意選択的に、図７の実施形態に関しては、薬剤パッケージ２１０は医療バレルを含む。
任意選択的に、薬剤パッケージはカートリッジを含む。
任意選択的に、図８の実施形態に関しては、薬剤パッケージ２１０はバイアルを含む。
任意選択的に、薬剤パッケージ２１０はブリスタパッケージ又はアンプルを含む。
任意選択的に、薬剤パッケージは図２９の医療サンプル管を含む。
あるいは、容器は、長さ約１ｃｍ〜約２００ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約１５０ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約１２０ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約１００ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約８０ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約６０ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約４０ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約３０ｃｍの長さのチューブ類とすることができ、それを以下に記載するようにプローブ電極で処理する。特に上記範囲内の長い方の長さにおいては、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層形成時における、ＰＥＣＶＤ又は他の化学気相成長用プローブと容器との間の相対運動が有用となりうると考えられる。これは、例えば、容器をプローブに対して動かすことによって、又はプローブを容器に対して動かすことによって実施することができる。
ＳｉＯxのバリア皮膜又は層３０を、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）又は他の化学気相成長法によって薬剤パッケージの容器、特に、熱可塑性プラスチックパッケージ上に堆積させ、酸素、空気、二酸化炭素又は他のガスが容器に入ることを防止する、及び／又は薬剤材料がパッケージ壁内に又はパッケージ壁を通じて浸出することを防止するバリア皮膜又は層として機能させる。バリア皮膜又は層は、不動態化層又はｐＨ保護皮膜のない容器と比べて、大気ガス、例えば酸素の内腔内への進入を低減するのに効果的とされうる。
任意の実施形態においては、蒸着皮膜又は層は、任意選択的に、また、又は代替的に、溶質バリア皮膜又は層とされうる。ガラスからプラスチックシリンジに転換する上での主な懸念はプラスチックからの浸出性材料の可能性である。プラズマ皮膜又は層技術によって、非金属気体前駆体、例えば、ＨＭＤＳＯ、ＴＭＤＳＯ、ＯＭＣＴＳ又は他の有機ケイ素化合物から得られる皮膜又は層が微量金属を含まず、無機金属及び有機溶質のバリア皮膜又は層として機能し、被覆された基材からこれら種がシリンジ流体中に浸出することを防止する。プラスチックシリンジの浸出制御に加えて、同プラズマ不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層技術は、更に高いレベルの浸出性有機オリゴマー及び触媒を含有するエラストマープラスチック組成物で通常作製されたプランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシールに溶質バリアを設ける可能性を提供する。
更に、合成及び生物学的医薬製剤が予め充填された特定のシリンジは酸素及び水分に非常に敏感である。ガラスからプラスチック医療バレルへの転換の要因はプラスチックにおける酸素及び水分バリア性能の向上であろう。プラズマ不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層技術は、長期間の保管寿命にわたり酸素及び水分から保護するためのＳｉＯxバリア皮膜又は層を維持するのに好適とされうる。
任意の実施形態において、バリア皮膜又は層によって有用に排除される薬物中の溶質の例としては、抗菌性防腐剤、酸化防止剤、キレート剤、ｐＨ緩衝液、及びこれらいずれかの組み合わせが挙げられる。任意の実施形態においては、蒸着皮膜又は層は、任意選択的に、薬物の可溶性を増加するために使用される助溶剤を含む溶剤用の溶剤バリア皮膜又は層とされうる。
任意の実施形態においては、蒸着皮膜又は層は、任意選択的に、水、グリセリン、プロピレングリコール、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、アセトン、ベンジルアルコール、ポリエチレングリコール、綿実油、ベンゼン、ジオキサン、又はこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのためのバリア皮膜又は層とされうる。
任意の実施形態においては、蒸着皮膜又は層は、任意選択的に、金属イオンバリア皮膜又は層とされうる。
任意の実施形態においては、蒸着皮膜又は層は、任意選択的に、前述の医療バレルベース樹脂のいずれか及びそれら各組成物の任意の他の成分などの、医療バレル材料の浸出を防止又は低減するための医療バレル壁材料バリア皮膜又は層とされうる。
しかしながら、本発明者は、そのようなバリア皮膜もしくは層又はＳｉＯxの皮膜は一部の流体組成物、例えば、約５を超えるｐＨを有する水性組成物によって浸食又は溶解されることを見出した。化学気相成長によって塗布される皮膜又は層は非常に薄くなりうる（厚さ数１０〜数百ナノメートル）ため、比較的遅い速度の浸食であっても製品パッケージの所望の保管寿命よりも短い時間でバリア皮膜又は層の効果を排除又は低減させる可能性がある。これは流体薬剤組成物においては特に問題となりうるが、これは、それらの多くが血液及び他のヒト又は動物の体液のｐＨと同様のおよそ７のｐＨを有するかより広範には５〜９の範囲内であることが理由である。製剤のｐＨが高くなるほど製剤はＳｉＯx皮膜をより急速に侵食又は溶解する。
本発明者は、更に、保護皮膜又は層がなければ、ホウケイ酸ガラス表面は一部の流体組成物、例えば、約５を超えるｐＨを有する水性組成物によって浸食又は溶解されることを見出した。これは流体薬剤組成物においては特に問題となりうるが、これは、それらの多くが血液及び他のヒト又は動物の体液のｐＨと同様のおよそ７のｐＨを有するかより広範には５〜９の範囲内であることが理由である。製剤のｐＨが高くなるほど製剤はガラスを侵食又はより急速に溶解する。ガラスの小粒子は約５を超えるｐＨを有する水性組成物によってアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）されるため、そのような浸食又は溶解によってガラスの層間剥離も生じる可能性がある。
本発明者は、更に、環式ポリシロキサン前駆体から形成された特定のＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyの不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層（この不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層はかなりの有機成分を有する）は、流体組成物に曝露された場合に急速に侵食せず、実際のところ、流体組成物が５〜９の範囲内におけるより高いｐＨを有する場合にはよりゆっくりと侵食又は溶解することを見出した。例えば、ｐＨ８においては、有機ケイ素前駆体、例えばオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）又はテトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）から作製された不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の溶解速度は非常に遅いものとなりうる。したがって、これらＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyの不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を、ＳｉＯxのバリア皮膜又は層を被覆するために使用することができ、それを不動態化するか薬剤パッケージ内の流体組成物から保護することによってバリア皮膜又は層の利点を保持する。これらＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyの不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、また、ガラス表面、例えば、ホウケイ酸ガラス表面を被覆するために使用することができ、それを不動態化するか薬剤パッケージ内の流体組成物から保護することによってガラスの層間剥離、浸食及び溶解を防止する。
本発明は以下の理論の精度に依拠するものではないが、効果的なＳｉＯxＣy不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の材料特性と、米国特許第７，９８５，１８８号明細書及び国際出願ＰＣＴ／ＵＳ１１／３６０９７号明細書に記載されている効果的な滑性皮膜又は層の材料特性は場合によっては類似するため、本明細書の特定実施例、米国特許第７，９８５，１８８号明細書又は国際出願ＰＣＴ／ＵＳ１１／３６０９７号明細書に記載されている滑性皮膜又は層の特性を有する皮膜又は層は、また、特定の場合においては、パッケージのバリア皮膜又は層を不動態化又は保護するため、及びその逆のための、並びに不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層機能すると考えられる。
ＰＥＣＶＤ処理薬剤パッケージ又は他の容器
本明細書中に記載される及び／又は本明細書中に記載される方法に従い調製されるバリア皮膜又は層及び好ましくは不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を備えた容器は、化合物又は組成物の受容及び／又は保管及び／又は送達のために使用されうる。化合物又は組成物は敏感であり、例えば、空気に敏感、酸素に敏感、湿度に敏感、及び／又は機械的作用（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｓ）に敏感となりうる。化合物又は組成物は生物学的に活性の化合物又は組成物、例えば、インスリン又はインスリンを含む組成物などの製剤又は薬剤とされうる。インスリンなどの注射可能な又は他の液剤を含むプレフィルドシリンジが特に考慮されうる。
別の態様においては、化合物又は組成物は、生物学的流体、任意選択的に、体液、例えば、血液又は血液分画とされうる。本発明の特定態様においては、化合物又は組成物は、その必要に応じて患者に投与される製品、例えば、（ドナーからレシピエントへの血液の輸血又はある患者からこの患者への血液の再導入のように）血液又はインスリンなどの、注射される製品とされうる。
本明細書中に記載される及び／又は本明細書中に記載される方法に従い調製される不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を備えた容器は、更に、その内部空間に収容された化合物又は組成物を容器材料の表面の機械的及び／又は化学的作用から保護するために使用されうる。例えば、本明細書中に記載される及び／又は本明細書中に記載される方法に従い調製される不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を備えた容器は、化合物又は組成物の成分の沈殿及び／又は凝固又は血小板活性化、例えば、インスリン沈殿又は血液凝固又は血小板活性化を防止又は低減するために使用されうる。
本明細書中に記載される及び／又は本明細書中に記載される方法に従い調製される不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を備えた容器は、更に、その内部に収容された化合物又は組成物を、例えば、１つ又は複数の化合物の、容器周囲の環境から容器の内部空間への進入を防止又は低減することにより、薬剤パッケージ又は他の容器外部の環境から保護するために使用されうる。そのような環境化合物は、ガス又は液体、例えば、大気ガス又は酸素、空気及び／又は水分を含有する液体とされうる。
図、特に図２を参照すると、本発明の一態様は、結合皮膜又は層８３８、バリア皮膜又は層３０及び不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４が、化合物又は組成物との接触及び／又は化合物又は組成物の保管及び／又は送達のための、図７〜８及び２９のいずれかの薬剤パッケージ２１０などの容器の内部略円筒状内部表面１６の少なくとも一部、サンプル採集チューブ（例えば、血液サンプリングチューブ及び／又は閉端型サンプル採集チューブ）、導管、キュベット、又は容器部品（例えば、プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシール）に直接塗布される、又は間接的に塗布される方法とされうる。
容器壁の構造
任意選択的に、図７〜８又は２９のいずれかの実施形態においては、薬剤パッケージ２１０の略円筒状内部表面１６の少なくとも一部が、ポリマー、例えば、ポリオレフィン（例えば、環式オレフィン重合体、環式オレフィン共重合体又はポリプロピレン）、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフタレート）、ポリカーボネート、ポリ乳酸、又は上記材料のいずれか２つ以上の任意の複合体、合成物もしくは混合物を実質的に含むか、それらからなる。
任意選択的に、図７〜８及び２９のいずれかの実施形態においては、薬剤パッケージ２１０の略円筒状内部表面１６の少なくとも一部は、ホウケイ酸ガラスなどのガラスを実質的に含むか、ホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる。
前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、高分子材料は、２つの例として、シリコーンエラストマー又は熱可塑性ポリウレタン、又は血液又はインスリンとの接触に適した任意の材料とされうる。例えば、インスリンを保管するために、記載した任意の実施形態による被覆基材の使用が考えられる。
任意選択的に、図７の実施形態に関しては、薬剤パッケージ２１０は医療バレルを含む。
任意選択的に、薬剤パッケージはカートリッジを含む。
任意選択的に、図８の実施形態に関しては、薬剤パッケージ２１０はバイアルを含む。
任意選択的に、薬剤パッケージ２１０はブリスタパッケージ又はアンプルを含む。
任意選択的に、薬剤パッケージは図２９の医療サンプル管を含む。
あるいは、容器は、長さ約１ｃｍ〜約２００ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約１５０ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約１２０ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約１００ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約８０ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約６０ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約４０ｃｍ、任意選択的に、約１ｃｍ〜約３０ｃｍの長さのチューブ類とすることができ、それを以下に記載するようにプローブ電極で処理する。特に上記範囲内の長い方の長さにおいては、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層形成時における、ＰＥＣＶＤ又は他の化学気相成長用プローブと容器との間の相対運動が有用となりうると考えられる。これは、例えば、容器をプローブに対して動かすことによって、又はプローブを容器に対して動かすことによって実施することができる。
これら実施形態においては、以下に記載するバリア皮膜又は層は、バリア皮膜又は層と長期間接触する液体物質を保管するのに必要な長い保管寿命を提供する一方で、真空採血管に必要とされる高度なガスバリア完全性（ｇａｓ ｂａｒｒｉｅｒ ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）を提供するのに好適とされるものに比べて薄いか、完全に満たない場合があると考えられる。
前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器は中心軸線を有しうる。前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器壁は、２０℃において、壁を破損することなく少なくとも実質的に直線から、容器の外径の１００倍以下の中心軸線曲げ半径（ｂｅｎｄｉｎｇ ｒａｄｉｕｓ ａｔ ｔｈｅ ｃｅｎｔｒａｌ ａｘｉｓ）までの範囲にわたり少なくとも一度撓むほどの十分な可撓性を有しうる。
前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、中心軸線曲げ半径は、容器の外径の、例えば、９０倍以下、又は８０倍以下、又は７０倍以下、又は６０倍以下、又は５０倍以下、又は４０倍以下、又は３０倍以下、又は２０倍以下、又は１０倍以下、又は９倍以下、又は８倍以下、又は７倍以下、又は６倍以下、又は５倍以下、又は４倍以下、又は３倍以下、又は２倍以下、又は容器の外径以下とされうる。
前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器壁は可撓性材料で作製された流体接触面とされうる。
前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器内腔はポンプの流体流路とされうる。
前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器は血液を含む容器とされうる。不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、疎水性皮膜又は層で被覆されていない同じタイプの壁と比較すると、内側又は略円筒状内部表面１６ ４４に曝露される血液の凝固又は血小板活性化を低減するのに効果的とされうる。
疎水性皮膜又は層を組み込むと、その未修飾高分子又はＳｉＯx表面に接触する特性に比べて血液の癒着又は凝塊形成傾向を低減すると考えられる。この特性は、心臓手術中に人工心肺を使用する場合のように、患者から血液を抜き、その後、患者に戻すことを必要とする種類の手術を受ける患者に必要なへパリンの血中濃度を低減することにより、血液をへパリンで処理する必要性を低下させるか、場合によっては排除すると考えられる。これにより、へパリンの使用に起因する出血合併症を低減することによって、そのような薬剤パッケージ又は他の容器を血液が通過することによる手術の合併症を低減すると考えられる。
別の実施形態は、壁を含み、且つ内腔を画定する内側又は略円筒状内部表面１６ ４４を有する容器とされうる。内側又は略円筒状内部表面１６ ４４は疎水性表面を呈する少なくとも部分（ｐａｒｔｉａｌ）不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を有しうる。不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の厚さは内側又は略円筒状内部表面１６ ４４上で単分子の厚さ〜約１０００ｎｍの厚さであり、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は内側又は略円筒状内部表面１６ ４４に曝露される血液の凝固又は血小板活性化を低減するのに効果的である。
そのような容器のいくつかの非限定的な例は、輸血バッグ、サンプルが採集された血液サンプル採集管（例えば採血管）もしくは他の容器、人工心肺のチューブ類、可撓性壁採血バッグ、又は手術中に患者の血液を採取するために、及び血液を患者の血管系に再導入するために使用されるチューブ類である。容器が血液を圧送するためのポンプ含む場合、特に好適なポンプは遠心ポンプ又は蠕動ポンプとされうる。容器は壁を有しうる。壁は内腔を画定する内側又は略円筒状内部表面１６ ４４を有しうる。壁の内側又は略円筒状内部表面１６ ４４は、任意選択的に疎水性表面も呈する、保護皮膜又は層の少なくとも部分不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を有しうる。不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は単分子の厚さほどの薄さとすることも約１０００ｎｍの厚さとすることもできる。任意選択的に、容器は、内腔内に疎水性皮膜又は層と接触して配置された、患者の血管系に戻すために生存可能な（ｖｉａｂｌｅ）血液を含みうる。
一実施形態は、壁を含み、且つ内腔を画定する内側又は略円筒状内部表面１６ ４４を有する、血液を含む容器とされうる。内側又は略円筒状内部表面１６ ４４は、任意選択的に疎水性表面も呈する、少なくとも部分不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を有しうる。不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、また、ＳｉＯxＣyを含みうるか実質的にＳｉＯxＣyからなりうる。ｘ及びｙは本明細書に定義される通りである。容器は、内腔内に疎水性皮膜又は層と接触して配置された、患者の血管系に戻すための生存可能な血液を含む。
一実施形態は、疎水性不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を基材上に形成するのに効果的な条件下で実施されうる。任意選択的に、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の疎水性特性は、気体反応物中における酸化性ガスの有機ケイ素化合物前駆体に対する比率を設定することによって及び／又はプラズマを発生させるために使用される電力を設定することによって設定されうる。任意選択的に、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は非被覆表面よりも低いぬれ張力、任意選択的に、２０〜７２ダイン／ｃｍ、任意選択的に、３０〜６０ダイン／ｃｍ、任意選択的に、３０〜４０ダイン／ｃｍ、任意選択的に、３４ダイン／ｃｍのぬれ張力を有しうる。任意選択的に、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は非被覆表面よりも更に疎水性とされうる。
前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器は少なくとも２ｍｍ、任意選択的に少なくとも４ｍｍ、任意選択的に少なくとも５ｍｍ、任意選択的に少なくとも６ｍｍの内径を有しうる。任意の実施形態においては、容器は多くとも１５ｍｍ、任意選択的に多くとも１２ｍｍ、任意選択的に多くとも１０ｍｍ、任意選択的に多くとも９ｍｍの内径を有しうる。範囲限界（ｄｏｕｂｌｅ−ｅｎｄｅｄ ｒａｎｇｅｓ）のいくつかの非限定的な例は４〜１５ｍｍ、任意選択的に５〜１０ｍｍ、任意選択的に６〜１０ｍｍである。
前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器は管とされうる。
前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、内腔は少なくとも２つの開端部を有しうる。
シリンジ
図１〜７の容器はシリンジであり、バリア皮膜又は層及び不動態化層又はｐＨ保護皮膜が設けられた、企図されるタイプの容器である。シリンジは、医療バレル１４と、プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシール３６とを含みうる。略円筒状内部表面１６は医療バレル２５０の少なくとも一部を画定しうる。プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシール３６は、シリンジの、医療バレル２５０に対して相対的に摺動する部品とされうる。用語「シリンジ」は、カートリッジ、「ペン」型注射器、及び１つ又は複数の他の構成要素と組み立てられ機能的なシリンジを提供するようになっている他の種類の医療バレル又はリザーバを含むよう広く定義される。「シリンジ」は、また、オートインジェクタなどの、内容物を分与するための機構を提供する関連物品を含むよう広く定義される。
シリンジを作製するための１つの非限定的手法として、医療バレル１４と、分与部２０と、シールド２８と、を含むキャップ装着アセンブリ１２が提供されうる。キャップ装着アセンブリ１２は、流体を分与するように適合された、シリンジ、カートリッジ、カテーテル又は他の物品などの完全な物品とすることも完全な物品の一部とすることもできる。
医療バレル１４は医療バレル内腔１８を画定する略円筒状内部表面１６を有しうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、医療バレル１４は、分与部２０から間隔をあけて配置され、且つ略円筒状内部表面１６内に通じる開口部３２を更に含みうる。そのような開口部は、例えば、シリンジ又はカートリッジ内の従来のものとすることができる。一般的な例は、プレフィルド医療バレルの後部開口部３２とされ、分与されることになる適切な製剤又は他の流体物質４０を医療バレル内腔１８に充填した後、そこを通じて、プランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシール３６を挿入することができる。
医療バレル１４は、例えば、成形によって形成することができるが、その形成の手法は重要ではなく、当該医療バレルは、例えば、固体プリフォームの機械加工によっても形成することができる。好ましくは、医療バレルは、熱可塑性プラスチック材料の射出成形によって成形することができるが、医療バレルは、ブロー成形又は複合的な方法によっても形成することができる。
１つの好適な例として、医療バレル１４は、以下に記載される分与部２０を射出金型内に配置し、熱可塑性プラスチック材料を分与部の周りに射出成形することによって形成することができ、このようにして医療バレルを形成し、且つ分与部を医療バレルに固定する。あるいは、分与部及び医療バレルは、単一部品として成形することもそうでなければ形成することもできる。あるいは、別々に形成し他の手法で接合することもできる。任意の実施形態の医療バレルは任意の適切な材料で作製することができる。特に考えられる医療バレル材料のいくつかは、ＣＯＣ（環式オレフィン共重合体）、ＣＯＰ（環式オレフィン重合体）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）及びポリプロピレンである。
キャップ装着アセンブリ１２の分与部２０は、キャップ装着アセンブリ１２から作製された完全物品の医療バレル内腔１８から分与される流体の出口としての機能を果たすよう提供されうる。図に示す好適な分与部の一例は皮下針とされうる。
あるいは、任意の実施形態においては、代わりに、分与部２０を、針なしディスペンサとすることができる。好適な針なしディスペンサの１つの例は、流体物質４０を移動するために相補的結合部内に受容されることを意図した平滑又は可撓性分与部とされうる。そのような平滑又は可撓性分与部は、シリンジ、静脈内注入システム、並びに、物質を分与する一方で、医療専門家又は他の人物に誤って刺さるおそれのある鋭利な針による作業の危険を回避するための他のシステム及び機器での使用において周知である。針なしディスペンサの別の例は、媒介針の必要なく流体の自由噴射又は噴霧を患者の皮膚を通じて直接注入する流体噴射又は噴霧式注入システムとされうる。本発明の任意の実施形態による使用においては、皮下針又は任意の形態の針なしディスペンサにかかわらず、任意の種類の分与部２０が企図される。
分与部２０は医療バレル１４に固定されるか固定することができ、且つ近位開口部２２と、遠位開口部２４と、分与部内腔２６とを含む。近位開口部２２は医療バレル内腔１８と連通する。遠位開口部２４は医療バレル１４の外側に配置されうる。分与部内腔２６は分与部２０の近位開口部２２と遠位開口部２４との間において連通する。示される実施形態においては、遠位開口部２４は皮下針２０の鋭利な先端に設けることができる。
シールド２８は医療バレル１４に固定することができ、分与部２０の遠位開口部２４をシールド２８外側の圧力状態から少なくとも実質的に分離する。任意選択的に、任意の実施形態においては、シールド２８は、キャップ装着アセンブリ１２の、経皮的な注入のための安全な使用を促進するのに十分なバイオバリアを提供するためにアセンブリ１２の一部を十分に分離する。
シールド２８は遠位開口部２４を種々の手法で分離することができる。本図２、３、４及び７に示すように、効果的な分離は少なくとも部分的にシールド２８と遠位開口部２４との間の接触により提供されうる。示される実施形態においては、分与部２０の先端はシールド２８の材料に埋設されうる。あるいは、任意の実施形態においては、同様に本図２、３、４及び７に示すように、効果的な分離は少なくとも部分的にシールド２８と医療バレル１４との間の接触により提供されうる。示される実施形態においては、シールド２８と医療バレル１４との間の主要接触線は医療バレル１４の先端において略円筒状表面４４を取り囲み、且つそれに配置されるリブ４２（図３に最も良く見える）とされうる。あるいは任意の実施形態においては、図２〜３に示されるこれら両タイプの接触により、又は限定されることなく他の手法において効果的な分離が提供されうる。
任意の実施形態のシールド２８は、任意選択的に、係合してシールド２８を所定の位置に保持するバーブ４６とキャッチ４８とを含むラッチング機構を有しうる。これは図３に最も良く示される。キャッチ４８は、シールド２８を容易に取り外し、交換することを可能にするために十分に弾性の材料で作製されうる。
分与部２０が皮下針である場合、シールド２８は特別に形成された針シールドとされうる。針シールドの本来の用途は、使用前の皮下針をカバーして偶発的な針の突き出しを防止し、針が患者又は注射ポートに注射される前の針の汚染を防止することである。分与部２０が針なしディスペンサであっても、取り扱い時のディスペンサの汚染を防止するために類似のシールドを使用することが好ましい。
シールド２８は任意の適切な手法で形成されうる。例えば、シールド２８は熱可塑性プラスチック材料の成形によって形成されうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、熱可塑性プラスチック材料はエラストマー材料又はシールを形成するのに適しうる他の材料とされうる。エラストマー材料の１つの適切な種類は総称的に熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）として公知である。シールド２８を作製するのに好適な熱可塑性エラストマーの例はＳｔｅｌｍｉ（登録商標）Ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ ４８００（可撓性シールド配合物（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｓｈｉｅｌｄ ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ））である。任意の実施形態においては、好適な特性を有する任意の他の材料を代わりに使用することができる。
任意の実施形態における別の任意の特徴として、シールド２８は、キャップ装着アセンブリ１２の、シールドによって分離された部分を滅菌するため、滅菌ガスに対して十分に透過性とされうる。適切な滅菌ガスの１つの例はエチレンオキサイドである。シールドによって分離された部分を分離されているにもかかわらず滅菌することができる、滅菌ガスに対して十分に透過性を有するシールド２８が利用可能である。エチレンオキサイドガス滅菌に対応するほど十分に透過性を有するシールド配合物の例は、Ｓｔｅｌｍｉ（登録商標）Ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ ４８００とされうる。
ＳｉＯxの皮膜又は層を、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）又は他の化学気相成長法によって薬剤パッケージの容器、特に、熱可塑性プラスチックパッケージ上に堆積させ、酸素、空気、二酸化炭素又は他のガスが容器に入ることを防止する及び／又は薬剤材料がパッケージ壁内に又はパッケージ壁を通じて浸出することを防止するバリア皮膜又は層として機能させる。バリア皮膜又は層は、不動態化層又はｐＨ保護皮膜のない容器と比べて、大気ガス、例えば、酸素の、内腔内への進入を低減するのに効果的とされうる。
更に、合成及び生物学的医薬製剤が予め充填された特定のシリンジは酸素及び水分に非常に敏感である。ガラスからプラスチック医療バレルへの変更の重要な要因はプラスチックにおける酸素及び水分バリア性能の向上であろう。プラズマ不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層技術は、長期間の保管寿命にわたり酸素及び水分から保護するためのＳｉＯxバリア皮膜又は層を維持するのに好適となりうる。
任意の実施形態において、バリア皮膜又は層によって有用に排除される薬物中の溶質の例としては、抗菌性防腐剤、酸化防止剤、キレート剤、ｐＨ緩衝液、及びこれらいずれかの組み合わせが挙げられる。任意の実施形態においては、蒸着皮膜又は層は、任意選択的に、薬物の可溶性を増加するために使用される助溶剤を含む溶剤用の溶剤バリア皮膜又は層とされうる。
任意の実施形態においては、蒸着皮膜又は層は、任意選択的に、水、グリセリン、プロピレングリコール、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、アセトン、ベンジルアルコール、ポリエチレングリコール、綿実油、ベンゼン、ジオキサン、又はこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのためのバリア皮膜又は層とされうる。
任意の実施形態においては、蒸着皮膜又は層は、任意選択的に、金属イオンバリア皮膜又は層とされうる。
任意の実施形態においては、蒸着皮膜又は層は、任意選択的に、前述の医療バレルベース樹脂のいずれか及びそれらの各組成物の任意の他の成分などの、医療バレル材料の浸出を防止又は低減するための医療バレル壁材料バリア皮膜又は層とされうる。
しかしながら、本発明者は、そのようなＳｉＯxのバリア皮膜又は層は一部の流体組成物、例えば、約５を超えるｐＨを有する水性組成物によって浸食又は溶解されることを見出した。化学気相成長によって塗布される皮膜又は層は非常に薄くなりうる（厚さ数１０〜数百ナノメートル）ため、比較的遅い速度の浸食であっても製品パッケージの所望の保管寿命よりも短い時間でバリア皮膜又は層の効果を排除又は低減させる可能性がある。これは流体薬剤組成物においては特に問題となりうるが、これは、それらの多くが血液及び他のヒト又は動物の体液のｐＨと同様のおよそ７のｐＨを有するかより広範には５〜９の範囲内であることが理由である。製剤のｐＨが高くなるほど製剤はＳｉＯx皮膜又は層をより急速に侵食又は溶解する。
本発明者は、更に、保護皮膜又は層がなければ、ホウケイ酸ガラス表面は一部の流体組成物、例えば、約５を超えるｐＨを有する水性組成物によって浸食又は溶解されることを見出した。これは流体薬剤組成物においては特に問題となりうるが、これは、それらの多くが血液及び他のヒト又は動物の体液のｐＨと同様のおよそ７のｐＨを有するかより広範には５〜９の範囲内であることが理由である。製剤のｐＨが高くなるほど製剤はガラスを侵食又はより急速に溶解する。ガラスの小粒子は約５を超えるｐＨを有する水性組成物によってアンダーカットされるため、そのような浸食又は溶解によってガラスの層間剥離も生じる可能性がある。
本発明は以下の理論の精度に依拠するものではないが、効果的なＳｉＯxＣy不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の材料特性と、米国特許第７，９８５，１８８号明細書及び国際出願ＰＣＴ／ＵＳ１１／３６０９７号明細書に記載されている効果的な滑性皮膜又は層の材料特性は場合によっては類似するため、本明細書の特定実施例、米国特許第７，９８５，１８８号明細書又は国際出願ＰＣＴ／ＵＳ１１／３６０９７号明細書に記載されている滑性皮膜又は層の特性を有する皮膜又は層は、また、特定の場合においては、パッケージのバリア皮膜又は層を不動態化又は保護するため、及びその逆のための、並びに不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層機能すると考えられる。
多くの共通の特徴を有する本発明の３つの実施形態は図７、８及び２９である。これら共通の特徴のいくつかは以下の通りであり、多くの場合、共通の参照符号又は名称により示される。各実施形態の特徴の性質は明細書内で後述するようなものとされうる。
図７〜８及び２９の薬剤パッケージはそれぞれ、容器２１０と、流体組成物４０と、ＳｉＯxバリア皮膜又は層３０と、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４とを含む。各容器２１０は、熱可塑性プラスチック材料で作製された壁内部部分１６によって少なくとも部分的に画定された内腔１８を有しうる。
略円筒状内部表面１６は、内腔１８に面する略円筒状内部表面１６ ４４ ２５４と、外部表面２１６と、を有しうる。
流体組成物４０は内腔１８内に収容することができ、４〜１０、あるいは５〜９のｐＨを有しうる。
バリア皮膜又は層
充填済み薬剤パッケージ又は他の容器２１０においては、バリア皮膜又は層３０は熱可塑性プラスチック略円筒状内部表面１６の内側又は略円筒状内部表面１６と、流体物質４０との間に配置されうる。ＳｉＯxのバリア皮膜又は層２８６は熱可塑性プラスチック略円筒状内部表面１６によって支持されうる。バリア皮膜又は層２８６は、流体物質４０による攻撃の結果、６か月未満でバリア向上度が測定可能な程度低下するという特徴を有しうる。この明細書の別の場所又は米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されるように、バリア皮膜又は層２８６は任意の実施形態において使用されうる。
バリア皮膜又は層３０は、他の点では薬剤パッケージ又は他の容器２１０と同じである非被覆コンテナと比較すると、内腔１８への大気ガスの進入を低減するのに効果的とされうる。この明細書に定義される任意の実施形態のバリア皮膜又は層は（特定の例において明記されない限りは）、任意選択的に、米国特許第７，９８５，１８８号明細書に示されるようにＰＥＣＶＤによって塗布される。
バリア皮膜又は層のバリア向上度（ＢＩＦ：ｂａｒｒｉｅｒ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ｆａｃｔｏｒ）は、同一コンテナの２つの群を用意し、バリア皮膜又は層、ＰＥＣＶＤセット、又はその他の処理をコンテナの１つの群に付加し、バリア皮膜又は層を有するコンテナのバリア特性（マイクログラム／分又は別の適切な測度におけるガス放出の速度など）を試験して、バリア皮膜又は層のないコンテナに対し同じ試験を実施し、バリア皮膜又は層を有する材料の特性の比率に対する、バリア皮膜又は層を有しない材料の特性の比率を得ることによって決定されうる。例えば、バリア皮膜又は層を通過するガス放出の速度がバリア皮膜又は層のないガス放出の速度の３分の１であれば、バリア皮膜又は層は３のＢＩＦを有する。
バリア向上度は上記の試験により未使用コンテナにおいて決定できるが、流体保管のバリア向上度への作用を決定するためにコンテナ内への流体組成物の保管後にも使用できる。コンテナ内にＰＥＣＶＤセットと接触させて流体を保管した後のバリア向上度を測定するための、溶液保管後のバリア向上度（ＢＩＦ）を測定するためのプロトコルを以下に記載する。
当該バリア皮膜又は層は、任意選択的に、「ＳｉＯx」皮膜又は層と特徴付けることができ、ケイ素、酸素、及び任意選択的に、他の元素を含有する。酸素原子とケイ素原子の比率であるｘは、約１．５〜約２．９、又は１．５〜約２．６、又は約２とされうる。ｘのこれら選択的定義は本明細書中の用語ＳｉＯxのいずれの使用にもあてはまる。バリア皮膜又は層は、例えば、薬剤パッケージ又は他の容器、例えばサンプル採集管（例えば採血管）、医療バレル、バイアル又は別のタイプの容器の内側に塗布されうる。
バリア皮膜又は層３０は、ＳｉＯxを含むか、実質的にＳｉＯxからなり、厚さ２〜１０００ｎｍ（平均厚さ）であり、任意選択的に、任意の実施形態においては、平均厚さ１０〜５００ｎｍであり、標準偏差は平均厚さ未満である。任意選択的に、任意の実施形態においては、バリア皮膜又は層３０は厚さ範囲１０〜５００ｎｍを有しうる。ＳｉＯxのバリア皮膜又は層３０は、内腔１８に面する略円筒状内部表面１６と、略円筒状内部表面１６に面する外部表面と、を有する。バリア皮膜又は層３０は、非被覆薬剤パッケージ２１０と比較すると、内腔１８への大気ガスの進入を低減するのに効果的とされうる。１つの好適なバリア組成物は、例えば、ｘが２．３のものとされうる。
例えば、３０などの、任意の実施形態のバリア皮膜又は層は、少なくとも２ｎｍ、又は少なくとも４ｎｍ、又は少なくとも７ｎｍ、又は少なくとも１０ｎｍ、又は少なくとも２０ｎｍ、又は少なくとも３０ｎｍ、又は少なくとも４０ｎｍ、又は少なくとも５０ｎｍ、又は少なくとも１００ｎｍ、又は少なくとも１５０ｎｍ、又は少なくとも２００ｎｍ、又は少なくとも３００ｎｍ、又は少なくとも４００ｎｍ、又は少なくとも５００ｎｍ、又は少なくとも６００ｎｍ、又は少なくとも７００ｎｍ、又は少なくとも８００ｎｍ、又は少なくとも９００ｎｍの厚さで塗布されうる。バリア皮膜又は層は、１０００ｎｍ以下、又は多くとも９００ｎｍ、又は多くとも８００ｎｍ、又は多くとも７００ｎｍ、又は多くとも６００ｎｍ、又は多くとも５００ｎｍ、又は多くとも４００ｎｍ、又は多くとも３００ｎｍ、又は多くとも２００ｎｍ、又は多くとも１００ｎｍ、又は多くとも９０ｎｍ、又は多くとも８０ｎｍ、又は多くとも７０ｎｍ、又は多くとも６０ｎｍ、又は多くとも５０ｎｍ、又は多くとも４０ｎｍ、又は多くとも３０ｎｍ、又は多くとも２０ｎｍ、又は多くとも１０ｎｍ、又は多くとも５ｎｍの厚さとされうる。上に記載した最小厚さのいずれか１つに加え、上に記載した最大厚さの任意の１つに等しい又はそれを超えるものを含む特定の厚さ範囲が特に企図される。企図されるバリア皮膜又は層の別の厚さ範囲は２０〜８０ｎｍである。バリア皮膜又は層の所望の厚さ変化量は平均厚さから＋／−３０％、より好ましくは、平均厚さから＋／−１５％、及び最も好ましくは、平均厚さから＋／−５％である。ＳｉＯx又は他のバリア皮膜又は層の厚さは、例えば、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）によって測定することができ、その組成はＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）によって測定することができる。本明細書中に記載される不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、プラスチック又はガラス製の種々の薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、プラスチックチューブ、バイアル及びシリンジに塗布されうる。
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層
ＳｉＯxＣyの不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４は、例えば、ＰＥＣＶＤによりバリア皮膜又は層３０に直接的又は間接的に塗布されうるため、完成物品においてバリア皮膜又は層３０と流体物質４０との間に配置されうる。不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４は、内腔１８に面する略円筒状内部表面１６と、バリア皮膜又は層３０の略円筒状内部表面１６に面する外部表面と、を有しうる。不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４は熱可塑性プラスチック略円筒状内部表面１６によって支持されうる。非限定的な一実施形態においては、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４は、バリア皮膜又は層３０を、流体物質４０による少なくとも６か月の期間の攻撃の結果、少なくとも実質的に溶解しない状態で維持するのに効果的とされうる。
任意選択的に、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、ｗが１、ｘが約０．５〜約２．４、ｙが約０．６〜約３、ｚ（定義される場合）が約２〜約９であるＳｉＯxＣyＨz又はＳｉＮxＣyＨzを含みうる。
原子比率はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光器）によって特定されうる。ＸＰＳは水素原子を検出しないため、原子比率をＸＰＳによって特定する場合は、定式から水素を除外するのが通例である。式は、したがって、通常、ＳｉＯxＣy又はＳｉＯxＣyとして表すことができる。この場合、ｗは１、ｘは約０．５〜約２．４、ｙは約０．６〜約３であり、ｚに制限はない。
「滑性及び／又は不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層」中のＳｉ、Ｏ及びＣの原子比率は、いくつかの選択肢として以下の通りとすることができる。
Ｓｉ １００：Ｏ ５０〜１５０：Ｃ ９０〜２００（すなわち、ｗ＝１、ｘ＝０．５〜１．５、ｙ＝０．９〜２）；
Ｓｉ １００：Ｏ ７０〜１３０：Ｃ ９０〜２００（すなわち、ｗ＝１、ｘ＝０．７〜１．３、ｙ＝０．９〜２）
Ｓｉ １００：Ｏ ８０〜１２０：Ｃ ９０〜１５０（すなわち、ｗ＝１、ｘ＝０．８〜１．２、ｙ＝０．９〜１．５）
Ｓｉ １００：Ｏ ９０〜１２０：Ｃ ９０〜１４０（すなわち、ｗ＝１、ｘ＝０．９〜１．２、ｙ＝０．９〜１．４）、又は、
Ｓｉ １００：Ｏ ９２〜１０７：Ｃ １１６〜１３３（すなわち、ｗ＝１、ｘ＝０．９２〜１．０７、ｙ＝１．１６〜１．３３）
通常、このような皮膜又は層は、炭素と酸素とケイ素の１００％に正規化した３６％〜４１％の炭素を含む。あるいは、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、ケイ素のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）によって決定された、炭素、酸素及びケイ素の１００％に正規化した、５０％未満の炭素及び２５％超の原子濃度を有しうる。あるいは、原子濃度は、炭素２５〜４５％、ケイ素２５〜６５％、及び酸素１０〜３５％とされうる。あるいは、原子濃度は、炭素３０〜４０％、ケイ素３２〜５２％、及び酸素２０〜２７％となりうる。あるいは、原子濃度は、炭素３３〜３７％、ケイ素３７〜４７％、及び酸素２２〜２６％となりうる。
任意選択的に、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）によって決定される、炭素、酸素及びケイ素の１００％に正規化した保護皮膜又は層中の炭素の原子濃度は、有機ケイ素化合物前駆体の原子式中の炭素の原子濃度を超えるものとすることができる。例えば、炭素の原子濃度が、１〜８０原子パーセント、あるいは１０〜７０原子パーセント、あるいは２０〜６０原子パーセント、あるいは３０〜５０原子パーセント、あるいは３５〜４５原子パーセント、あるいは３７〜４１原子パーセント増加する実施形態が企図される。
任意選択的に、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層中の炭素対酸素の原子比率は有機ケイ素化合物前駆体と比較して増加させることができる、及び／又は、酸素対ケイ素の原子比率は有機ケイ素化合物前駆体と比較して低下させることができる。
任意選択的に、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）によって決定される、炭素、酸素及びケイ素の１００％に正規化したケイ素の原子濃度を有することができ、これは、供給ガスの原子式中のケイ素の原子濃度を下回る。例えば、ケイ素の原子濃度が１〜８０原子パーセント、あるいは１０〜７０原子パーセント、あるいは２０〜６０原子パーセント、あるいは３０〜５５原子パーセント、あるいは４０〜５０原子パーセント、あるいは４２〜４６原子パーセント低下する実施形態が企図される。
別の選択肢として、有機ケイ素化合物前駆体の合計式と比較して、原子比率Ｃ：Ｏを増加させることができる、及び／又は原子比率Ｓｉ：Ｏを低下させることができる合計式を特徴としうる不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層が企図される。
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、Ｘ線反射率（ＸＲＲ）によって決定される、１．２５〜１．６５ｇ／ｃｍ3、あるいは１．３５〜１．５５ｇ／ｃｍ3、あるいは１．４〜１．５ｇ／ｃｍ3、あるいは１．４〜１．５ｇ／ｃｍ3、あるいは１．４４〜１．４８ｇ／ｃｍ3の密度を有しうる。任意選択的に、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の前駆体として使用される有機ケイ素化合物はオクタメチルシクロテトラシロキサン又はテトラメチルジシロキサンとされうる。
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、任意選択的に、約２〜約９、任意選択的に約６〜約８、任意選択的に約６．４〜約７．８の（ＡＦＭによって測定された）ＲＭＳ表面粗さ値を有しうる。ＡＦＭによって測定された不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層のＲa表面粗さ値は、約４〜約６、任意選択的に、約４．６〜約５．８とされうる。ＡＦＭによって測定された不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層のＲmax表面粗さ値は、約７０〜約１６０、任意選択的に、約８４〜約１４２、任意選択的に、約９０〜約１３０とされうる。
流体物質４０が直接接触した場合の、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４を含む構造の浸食、溶解又は浸出の速度（関連概念の異なる名称）は、流体物質４０が直接接触した場合のバリア皮膜又は層３０の浸食、溶解又は浸出の速度を下回りうる。
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４は、薬剤パッケージ又は他の容器２１０の保管寿命の間、バリア皮膜又は層がバリアとして機能できるほどの少なくとも十分な時間、バリア皮膜又は層３０を流体物質４０から分離又は保護するのに効果的とされうる。
任意選択的に、図７〜８又は２９の任意の実施形態の不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４のＦＴＩＲ吸光度スペクトルは、通常、約１０００〜１０４０ｃｍ-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、通常、約１０６０〜約１１００ｃｍ-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅との間において０．７５を超える比率を有しうる。あるいは、任意の実施形態においては、この比率は、少なくとも０．８、又は少なくとも０．９、又は少なくとも１．０、又は少なくとも１．１、又は少なくとも１．２とされうる。あるいは、任意の実施形態においては、この比率は、多くとも１．７、又は多くとも１．６、又は多くとも１．５、又は多くとも１．４、又は多くとも１．３とされうる。図７〜８及び２９の本発明の別の実施形態として、ここで記載した任意の最小比率はここで記載した任意の最大比率と組み合わせることができる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、薬剤のない状態の不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は非油性の外観を有しうる。いくつかの場合においては、この外観は、場合によっては油性（すなわち光沢のある）外観を有するとされている滑性皮膜又は層から、有効な不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を区別すると認識されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、注射用水で希釈し、濃縮硝酸でｐＨ８に調整した、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤を含有する（溶解試薬の変化を回避するために薬剤のない状態で測定した）、４０℃の５０ｍｍリン酸カリウム緩衝液によるケイ素溶解速度は１７０ｐｐｂ／日未満とされうる。（ポリソルベート８０は、例えば、Ｔｗｅｅｎ（登録商標）−８０としてＵｎｉｑｅｍａ Ａｍｅｒｉｃａｓ ＬＬＣ，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ Ｄｅｌａｗａｒｅから入手可能な一般的な製剤の原料である。）ケイ素溶解速度は、容器からその内容に浸出される総ケイ素を決定することにより測定でき、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４、滑性皮膜又は層２８７、バリア皮膜又は層３０、又は存在する他の物質から由来するケイ素を区別するものではない。
任意選択的に、任意の実施形態においては、ケイ素溶解速度は、１６０ｐｐｂ／日未満、又は１４０ｐｐｂ／日未満、又は１２０ｐｐｂ／日未満、又は１００ｐｐｂ／日未満、又は９０ｐｐｂ／日未満、又は８０ｐｐｂ／日未満とされうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、ケイ素溶解速度は、１０ｐｐｂ／日超、又は２０ｐｐｂ／日超、又は３０ｐｐｂ／日超、又は４０ｐｐｂ／日超、又は５０ｐｐｂ／日超、又は６０ｐｐｂ／日超とされうる。図７〜８及び２９の本発明の別の実施形態として、ここで記載した任意の最低速度はここで記載した任意の最大速度と組み合わせることができる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、容器からｐＨ８の試験組成物への溶解時の不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層及びバリア皮膜又は層の総ケイ素含有量は、６６ｐｐｍ未満、又は６０ｐｐｍ未満、又は５０ｐｐｍ未満、又は４０ｐｐｍ未満、又は３０ｐｐｍ未満、又は２０ｐｐｍ未満とされうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、パッケージの計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）は、６か月超、又は１年超、又は１８か月超、又は２年超、又は２年半超、又は３年超、又は４年超、又は５年超、又は１０年超、又は２０年超とされうる。任意選択的に、図７〜８及び２９の任意の実施形態においては、パッケージの計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）は６０年未満とされうる。
別の実施形態として、ここで記載した任意の最小時間はここで記載した任意の最大時間と組み合わせることができる。
Ｏパラメータ又はＰパラメータ
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４は、任意選択的に、減衰全反射（ＡＴＲ）によって測定された０．４未満のＯパラメータを有することができ、Ｏパラメータは以下のように測定される。
Figure 0006382830
Ｏパラメータは、最も広くは０．４〜０．９のＯパラメータ値を請求する米国特許第８，０６７，０７０号明細書において定義される。Ｏパラメータは、上記式の分子及び分母を得るための、ＦＴＩＲ振幅対波数プロットの物理的分析から測定されうる。Ｏパラメータは、また、デジタル波数対吸光度データから測定されうる。
米国特許第８，０６７，０７０号明細書では、双方がともに非環式シロキサンであるＨＭＤＳＯ及びＨＭＤＳＮによる実験のみによって、その請求するＯパラメータ範囲が優れた不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を提供すると主張する。驚くべきことに、本発明者は、米国特許第８，０６７，０７０号明細書において請求された範囲外のＯパラメータが、米国特許第８，０６７，０７０号明細書において得られる結果よりも良好な結果を提供できることを見出した。
あるいは、Ｏパラメータは０．１〜０．３９、又は０．１５〜０．３７、又は０．１７〜０．３５の値を有しうる。
本発明の更に別の態様は、上記の、図７〜８及び２９に例証したような複合材料とすることができる。不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は減衰全反射（ＡＴＲ）によって測定された０．７未満のＮパラメータを示し、Ｎパラメータは以下のように測定される。
Figure 0006382830
Ｎパラメータもまた米国特許第８，０６７，０７０号明細書に記載されており、２つの特定波数（これら波数のどちらも範囲ではない）における強度が使用されること以外はＯパラメータと同様に測定することができる。米国特許第８，０６７，０７０号明細書は、０．７〜１．６のＮパラメータを有する不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を請求する。同じく、本発明者は、上述のように、０．７を下回るＮパラメータを有する不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４を用いてより良好な皮膜を作製した。あるいは、Ｎパラメータは、０．３〜０．７未満、又は０．４〜０．６、又は少なくとも０．５３〜０．７未満の値を有しうる。
動作理論
本発明者は、ここで記載した不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の動作理論を以下に記載する。本発明は、この理論の精度にもこの理論の使用により予測可能な実施形態にも制限されるものではない。
ＳｉＯxバリア皮膜もしくは層、又はガラスの溶解速度は、層もしくはガラス内のＳｉＯ結合に依存すると考えられる。酸素結合部位（シラノール）が溶解速度を増加させると考えられる。
ＯＭＣＴＳ又はＴＭＤＳＯ系不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層はＳｉＯxバリア皮膜又は層又はガラスのシラノール部位と結合して、ＳｉＯx表面又はガラスを「治癒」、すなわち不動態化するため、溶解速度を大幅に低減すると考えられる。この仮説においては、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の厚さは保護の主要手段ではなく、主要手段はＳｉＯx又はガラス表面の不動態化とされうる。本明細書に記載される不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の架橋結合密度を増加することによって改良することができると考えられる。
任意の段階的複合皮膜又は層
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４及び滑性皮膜又は層は、明確な遷移（ｓｈａｒｐ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）を有する別個の皮膜もしくは層、又は不動態化層もしくはｐＨ保護皮膜もしくは層３４と滑性皮膜もしくは層との間において、間に明確な界面を有することなく遷移する１つの累進的な（ｇｒａｄｕａｔｅｄ）皮膜もしくは層、のいずれかとされうる。ここで企図されるＳｉＯx及び不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の隣接する層の別の任意の手法は、定義の項に定義したように、ＳｉＯx及びＳｉＯxＣy、又はその等価のＳｉＯxＣyの段階的複合物（ｇｒａｄｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）とされうる。
段階的複合物は、間に中間組成物の遷移もしくは界面を有する別個の滑性皮膜もしくは層及び／又は保護皮膜もしくは層及び／又はバリア皮膜もしくは層、又は、中間にある明確な（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ ｄｉｓｔｉｎｃｔ）、中間組成物の不動態化層もしくはｐＨ保護皮膜もしくは層を間に有する別個の滑性皮膜もしくは層及び／又は保護滑性皮膜もしくは層及び／又は疎水性皮膜もしくは層及びＳｉＯx、又は、滑性皮膜もしくは層及び／又は保護皮膜もしくは層及び／又は疎水性皮膜もしくは層の組成物からよりＳｉＯxのような組成物に、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を法線方向に連続的に又は段階的に変化させる１つの皮膜もしくは層とされうる。
段階的複合物の段階はいずれの方向にも進むことができる。例えば、ＳｉＯxの組成物は基材に直接塗布することができ、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の表面から離れた組成物まで累進することができ、任意選択的に、更に、疎水性皮膜もしくは層、又は滑性皮膜もしくは層などの別の種類の皮膜又は層まで累進しうる。更に、任意の実施形態においては、接着皮膜又は層、例えば、ＳｉＯxＣy、又はその等価のＳｉＯxＣy（この別名は結合皮膜又は層）は、任意選択的に、バリア皮膜又は層を塗布する前に基材に直接塗布することができる。
累進的不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、ある組成物の皮膜又は層が別の組成物の層と比較して基材に接着するのにより好適である場合に特に企図される。この場合、より良好に接着する組成物は、例えば、基材に直接塗布することができる。段階的不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層のより遠い部分は、隣接する段階的不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の部分と比較して基材とあまり融和しないものとなりうると考えられる。この理由は、いずれの箇所においても不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は特性が徐々に変化しうることから、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層のほぼ同じ深さの隣接する部分がほぼ同一の組成物を有し、実質的に異なる深さの物理的により広く分離した部分はより多種多様な特性を有しうるからである。また、より劣るバリアを形成する、より離れた不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層部分が、バリアによって妨げられるか遮断されることになる物質で汚染されるのを防止するため、基材への又は基材からの物質の移動に対するより良好なバリアを形成する不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層部分を基材に直接設けることができると考えられる。
塗布された皮膜又は層は、段階的とされる代わりに、任意選択的に、１つの皮膜又は層と次の皮膜又は層との間における組成物の大きな勾配のない明確な遷移を有しうる。このような不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、例えば、皮膜又は層を形成するためのガスを非プラズマ状態における定常状態流として提供し、その後、短時間のプラズマ放電によりシステムを励起して皮膜又は層を基材上に形成することにより作製することができる。次の不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層が塗布される場合、前の不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層用のガスは除去され、次の不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層用のガスがプラズマを励起する前に定常状態で適用され、再度、基材又はその最も離れた前の不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の表面に、もしあれば、界面におけるわずかな徐々の遷移を有して別の皮膜又は層を形成する。
本明細書では３層皮膜と称される場合がある好適なＰＥＣＶＤセットを医療バレルに塗布することができる。結合層はＴＭＤＳＯをベースに塗布され、バリア層はＨＤＭＳＯをベースに塗布され、ｐＨ保護層はＴＤＭＳＯをベースに塗布される。
ＰＥＣＶＤ装置
本装置は、被処理表面を有する医療バレル１２などの工作物、例えば、被処理表面を画定する略円筒状内部表面１６によって囲まれた内腔１８を有する医療バレルなどの工作物をプラズマ改質するために使用されうる。本装置及び方法は、プランジャチップ、ストッパ、ピストン又はストッパの外側表面などの他の種類の表面を処理するためにも使用されうる。本装置は、一般に、工作物１２の略円筒状内部表面１６のプラズマ改質に効果的な条件下でプラズマを供給するためのプラズマ発生器を含む。本装置は、また、後の段落（例えば例えば６１〜７８、８６〜９１、９３、９５、９７又は９９のいずれか）に更に説明する、内腔１８の少なくとも一部、又はより広範にはプラズマ中もしくはプラズマ近傍に磁場を提供するための１つ又は複数の磁場発生器を含む。磁場は、表面のプラズマ改質の均一性を向上させるのに効果的な位置、配向及び場の強度を有する。
本装置は、また、動作位置において装置内の工作物１２を支持するための支持物を含む。
本明細書に記載されているバリア皮膜又は層、滑性皮膜又は層及び／又は不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を提供するために、米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている低圧ＰＥＣＶＤ法に、本明細書において記載又は請求される磁石の任意の配置により変更を加えたものを使用することができる。このプロセスの概要を本図４〜６を参照して以下に記載する。
本目的に好適なＰＥＣＶＤ装置又は被覆ステーション６０は、容器支持器５０と、プローブ１０８によって画定された内部電極と、任意選択的に略円筒状の外部電極１６０と、電源１６２と、を含む。ＰＥＣＶＤ処理中、内部電極１０８は少なくとも部分的に医療バレルの内腔内に配置され、ＰＥＣＶＤ処理中、外部電極１６０は医療バレルの内腔外部に配置される。容器支持器５０上に載置されたキャップ事前装着アセンブリ１２は、任意選択的に真空室とされうるプラズマ反応室を画定する医療バレルを有する。任意選択的に、真空源９８、反応ガス源１４４、ガス供給部（プローブ１０８）又はこれらの２つ以上の組み合わせが供給されうる。
本発明の任意の実施形態においては、１つ又は複数の皮膜のＰＥＣＶＤセットを医療バレル上に、特に、内腔を画定する略円筒状内側表面を有する壁に塗布するためのＰＥＣＶＤ装置が企図される。略円筒状内側表面は４〜１５ｍｍの範囲の直径を有する。

ＰＥＣＶＤ装置は大気圧ＰＥＣＶＤ用に使用されうる。この場合、キャップ事前装着アセンブリ１２により画定されるプラズマ反応室は真空室として機能する必要はない。
図４〜６を参照すると、容器支持器５０は、開口部８２上に配置されたキャップ事前装着アセンブリ１２内にガスを運ぶためのガス注入ポート１０４を含む。ガス注入ポート１０４は、例えば、プローブ１０８がガス注入ポート１０４を通じて挿入されると円筒状プローブ１０８に配置されうる少なくとも１つのＯリング１０６、又は連続する２つのＯリング又は連続する３つのＯリングによって提供される摺動シールを有しうる。プローブ１０８はその遠位端１１０にあるガス送達ポートまで延在するガス入口導管とされうる。示される実施形態の遠位端１１０は、１つ又は複数のＰＥＣＶＤ反応物及び他の前駆体供給物又はプロセスガスを提供するために適切な深さでキャップ事前装着アセンブリ１２内に挿入されうる。プローブ１０８によって画定された内部電極は、内腔内に延在し、且つ略円筒状内側表面と同心であり且つ（任意選択的に）略円筒状内側表面から１．２〜６．９ｍｍ半径方向に離間した端部又は遠位部１１０を含む外部表面を有する。内部電極１０８は、気体ＰＥＣＶＤ前駆体を内腔内に導入するための少なくとも１つの出口、ここでは例えば穿孔１２０〜１４２又はポート１１０のいずれかを有する、供給物質を供給するための内部通路１１０を有する。
電磁エネルギーは平均厚さを有するプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）ガスバリア皮膜を略円筒状内側表面上に形成するのに効果的な条件下で外部電極１６０に印加されうる。
図６は、例えばすべての図示実施形態において使用可能な被覆ステーション６０の追加の任意の詳細を示す。被覆ステーション６０は、また、圧力センサ１５２に通じるその真空ライン５７６内に主要真空バルブ５７４を有しうる。手動バイパスバルブ５７８がバイパスライン５８０内に提供されうる。ベントバルブ５８２がベント４０４における流れを制御する。
ＰＥＣＶＤガス又は前駆体源１４４を出る流れは、主要反応物供給ライン５８６を通過する流れを調整する主要反応ガスバルブ５８４によって制御されうる。ガス源１４４の１つの構成要素は、前駆体を収容する有機ケイ素液体リザーバ５８８とされうる。リザーバ５８８の内容物は有機ケイ素キャピラリライン５９０を通じて出すことができる。有機ケイ素キャピラリライン５９０は、任意選択的に、所望の流量を提供するのに適した長さで提供されうる。有機ケイ素蒸気の流れは有機ケイ素締切弁５９２によって制御されうる。大気圧（及びその変動）に依存しない反復可能な有機ケイ素液体の送達を確立するため、液体リザーバ５８８のヘッドスペース６１４に、圧力源６１６から、圧力ライン６１８によってヘッドスペース６１４に連結された加圧空気などの圧力、例えば、０〜１５ｐｓｉ（０〜７８ｃｍ．Ｈｇ）の範囲内の圧力が印加されうる。リザーバ５８８は密閉することができ、キャピラリ連結部６２０は、純粋な（ｎｅａｔ）有機ケイ素液体（ヘッドスペース６１４の加圧ガスではない）のみがキャピラリチューブ５９０内を確実に流れるようにするためにリザーバ５８８の底部にありうる。有機ケイ素液体は、任意選択的に、有機ケイ素液体を蒸発させて有機ケイ素蒸気を形成することが必要であるか所望であれば周囲温度を超えて加熱することができる。この加熱を実現するため、装置は、有利には、前駆体リザーバの出口からシリンジへのガス入口の可能な限り近傍までの、加熱された送達ラインを含みうる。例えば、ＯＭＣＴＳを供給する際には予熱が有用となりうる。
酸化剤ガスタンク５９４から、マスフローコントローラ５９８により制御され、且つ酸化剤締切弁６００が設けられた酸化剤ガス供給ライン５９６を介して酸化剤ガスが供給されうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、必要であれば、特定の堆積プロセスのための更なる材料を供給するために、６０２などの、他の前駆体リザーバ、酸化剤リザーバ及び／又は希釈ガスリザーバが提供されうる。６０２などの、そのようなリザーバのそれぞれは適切な供給ライン６０４及び締切弁６０６を有しうる。
特に図４を参照すると、処理ステーション６０は、処理中、キャップ事前装着アセンブリ１２内においてプラズマを発生させるための電界を提供するために、高周波電源１６２により給電される外部電極１６０を含みうる。この実施形態においては、プローブ１０８は電気的に導電性とされうるとともに接地されうるため、キャップ事前装着アセンブリ１２内にカウンター電極を提供する。あるいは、任意の実施形態においては、外部電極１６０は接地することができ、プローブ１０８は電源１６２に直接接続されうる。
図４〜６の実施形態においては、外部電極１６０は、図４及び図５に示されるような略円筒状又は略Ｕ字形の長尺状チャネルのいずれかとされうる。示される各実施形態は、１６４及び１６６などの１つ又は複数の側壁と、任意選択的に、キャップ事前装着アセンブリ１２の周りに近接して配置された上端部１６８とを有しうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、外部電極（１６０）は有孔材料、例えば金属ワイヤメッシュ材料で作製されうる。あるいは、外部電極（１６０）は、金属筒などの連続材料（例えば、穿孔のあるもの、織られたもの、編まれたもの、又はフェルトで作製されたものでないことを意味する）で作製されうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、内部電極（１０８）は内腔（１８）内に軸方向に延在する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、工作物（１２）の表面（１６）のプラズマ改質には、化学気相成長、任意選択的にプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）を含む。
前述のように、内部電極（１０８）は、任意選択的に、内腔（１８）に気体材料を提供するための材料供給管（１０４）として２つの機能を果たすことができる。材料供給管（１０４）は、任意選択的に、任意の実施形態においては、内腔（１８）内に配置された壁を有する。任意選択的に、任意の実施形態においては、壁は、気体材料を内腔（１８）に送るための穿孔（１２２〜１４２のいずれか）を有する。特に図４〜５及び２６〜２８を参照のこと。
任意選択的に、任意の実施形態においては、図２６〜２８に示されるように、穿孔（例えば、１２２、１２２ａ、１２２ｂ；１３４、１３４ａ、１３４ｂ、１３４ｃ、１３４ｄ；又は１３５、１３５ａ、１３５ｂ）は略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に分配されうる。図２６〜２８に示されるように、穿孔（例えば、１２２、１２４；１３０、１３２、１３４；又は１３９、１４０）は、任意選択的に、略円筒状内部表面１６に沿って周方向に分配されうる。
図２６〜２８に示されるように、穿孔（１２２〜１４２のいずれか）は周方向に間隔をあけて配置された２つ以上の穿孔の列として分配されうるものであり、各列は略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に間隔をあけて配置されている。図２６及び図２８に示されるように、穿孔（１２２〜１２８又は１３５〜１４２のいずれか）は、１列に２つの直径方向対向穿孔を有する複数の周方向に間隔をあけて配置された列として分配されうるものであり、各列が略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に間隔をあけて配置されている。図２６に示されるように、第１の列の直径方向対向穿孔（例えば、１２２及び１２４）は、略円筒状内部表面１６上において、隣接する第２の列の直径方向対向穿孔（例えば、１２６及び１２８）に対し周方向に約９０度ずらすことができる。図２８に示されるように、第１の列の直径方向対向穿孔（例えば、１３５及び１３６）は、略円筒状内部表面１６上において、隣接する第２の列の直径方向対向穿孔（例えば、１３７及び１３８）に対し周方向に約４５度ずらすことができる。図２７に示されるように、穿孔は、１列に少なくとも３つの１２０度間隔をあけて配置された穿孔（例えば、１３０、１３２及び１３４）を有する複数の周方向に間隔をあけて配置された列として分配されうるものであり、各列（例えば、１３０、１３２及び１３４対１３０ａ、１３２ａ及び１３４ａ）は略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に間隔をあけて配置されている。
別の選択肢として、これら異なる穿孔パターンの組み合わせ又は当業者に公知もしくは明らかなその他のパターンを１つの材料供給管１０４において使用することができる。
バリア皮膜又は層の塗布
本方法を実施する場合、バリア皮膜又は層３０は医療バレル１４の略円筒状内部表面１６の少なくとも一部に直接的又は間接的に塗布されうる。示される実施形態においては、バリア皮膜又は層３０が塗布されうる一方で、キャップ事前装着アセンブリ１２にはキャップが嵌められるが、これは必須条件ではない。バリア皮膜又は層３０は、実質的に米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されるような条件下でプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）によって塗布されるＳｉＯxバリア皮膜又は層とされうる。バリア皮膜又は層３０は、塗布ステップの終了時に、近位開口部２２を介して医療バレル内腔１８と分与部内腔２６との間の連通を維持するのに効果的な条件下で塗布されうる。
任意の実施形態においては、バリア皮膜又は層３０は、任意選択的に、開口部３２を通じて塗布されうる。
任意の実施形態においては、バリア皮膜又は層３０は、任意選択的に、開口部を通じて気相前駆体物質を導入し、化学気相成長を用いて前駆体物質の反応生成物を医療バレルの略円筒状内部表面１６に堆積させることによって塗布されうる。
任意の実施形態においては、バリア皮膜又は層を形成するための前駆体物質は、任意選択的に、米国特許第７，９８５，１８８号明細書又は本明細書に記載されている不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の形成用の前駆体のいずれとすることもできる。
任意の実施形態においては、反応物蒸気物質は、任意選択的に、開口部を通じて部分真空状態にある１種又は複数種の酸化剤ガス及び希釈ガスとの前駆体物質混合物とすることができ、化学気相成長を用いて前駆体物質混合物の反応生成物を医療バレルの略円筒状内部表面１６上に堆積させる。
任意の実施形態においては、反応物蒸気物質は、任意選択的に、準大気圧で開口部を通過しうる。
任意の実施形態においては、プラズマは、任意選択的に、開口部３２を通じて内部電極を医療バレル内腔１８内に配置し、外部電極を医療バレル１４の外側に配置し、この電極を使用して、任意選択的に、高周波エネルギーとされうるプラズマ誘導電磁エネルギーを医療バレル内腔１８内で印加することにより、医療バレル内腔１８内で発生させることができる。異なる装置が使用される場合、プラズマ誘導電磁エネルギーはマイクロ波エネルギー又は他の形態の電磁エネルギーとすることができる。
任意の実施形態においては、電磁エネルギーは、任意選択的に、直流とされうる。
任意の実施形態においては、電磁エネルギーは、任意選択的に、交流とされうる。交流は、任意選択的に、可聴周波、又はマイクロ波、又は高周波、又は可聴周波、マイクロ波、又は高周波の２つ以上の組み合わせを含む周波数において変調されうる。
任意の実施形態においては、電磁エネルギーは、任意選択的に、医療バレル内腔（１８）全体に印加されうる。
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の塗布
任意の実施形態においては、上述のように第１の皮膜又は層を塗布するステップに加えて、当該方法は、任意選択的に、同じ材料又は異なる材料の第２の又は更なる皮膜又は層を塗布するステップを含みうる。任意の実施形態において有用な１つの例として、第１の皮膜又は層がＳｉＯxバリア皮膜又は層である場合、更なる皮膜又は層をバリア皮膜又は層上に直接的又は間接的に配置されうることが特に企図される。任意の実施形態において有用なそのような更なる皮膜又は層の１つの例は不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４である。
前駆体
バリア皮膜もしくは層、不動態化層もしくはｐＨ保護皮膜もしくは層、又は滑性皮膜もしくは層を形成するためのいずれかのプロセスのための前駆体は以下の前駆体のいずれかを含みうる。
前駆体は有機ケイ素又は関連化合物とされうる。有機ケイ素前駆体は有機金属前駆体前駆体と広く定義される。有機金属前駆体は、本明細書においては、有機残渣、例えば、炭化水素、アミノカーボン（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎ）又はオキシカーボン（ｏｘｙｃａｒｂｏｎ）残渣を有する、周期表の第ＩＩＩ族及び／又は第ＩＶ族の金属元素の包含（ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｄｉｎｇ）化合物と定義される。本明細書において定義される有機金属化合物は、ケイ素又は他の第ＩＩＩ族／第ＩＶ族金属原子に直接結合した、又は任意選択的に、酸素又は窒素原子を介して結合した有機部分を有する任意の前駆体を含む。周期表の第ＩＩＩ族の関連元素は、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、スカンジウム、イットリウム及びランタンであり、アルミニウム及びホウ素が好適である。周期表の第ＩＶ族の関連元素は、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、チタン、ジルコニウム、ハフニウム及びトリウムであり、ケイ素及びスズが好適である。他の揮発性有機化合物も企図される。しかしながら、本発明の実施には有機ケイ素化合物が好適である。
有機ケイ素前駆体が企図される。本明細書全体において、「有機ケイ素前駆体」は、最も広くは、四価ケイ素原子を酸素原子と有機炭素原子（有機炭素原子は少なくとも１個の水素原子と結合した炭素原子である）に結合させた以下の結合の少なくとも１つを有する化合物を有する化合物と定義される：
Figure 0006382830
 別の企図される構造は、四価ケイ素原子を−ＮＨ−結合及び有機炭素原子（有機炭素原子は少なくとも１個の水素原子に結合した炭素原子である）に結合させたものである。有機ケイ素前駆体の更なる説明及び多くの例は米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている。
有機ケイ素前駆体は、１０ｓｃｃｍ以下、任意選択的に６ｓｃｃｍ以下、任意選択的に２．５ｓｃｃｍ以下、任意選択的に１．５ｓｃｃｍ以下、任意選択的に１．２５ｓｃｃｍ以下の速度で送達されうる。薬剤パッケージ又は他の容器が大きくなるか他の条件又はスケールが変更される場合、より多量又は少量の前駆体を要してもよい。
好適な種類の前駆体の別の例はフッ素化ポリマー皮膜又は層のフッ素化前駆体である。フッ素化ポリマーは直接的に又は介在皮膜又は層を有してプランジャチップ、ピストン、ストッパ又はシール３６の摺動面、略円筒状内部表面１６、又はその両方に堆積させることができる。フッ素化ポリマーは、任意選択的に、流体受容略円筒状内部表面１６上又は流体受容略円筒状内部表面１６の近傍にある間、前駆体を化学的に修飾することにより塗布される。任意選択的に、前駆体は以下を含む。
テトラフルオロパラキシリレン二量体、
ジフルオロカルベン、
テトラフルオロエチレン単量体、
ｘが１〜１００、任意選択的に２〜５０、任意選択的に２〜２０、任意選択的に２〜１０である、式Ｆ2Ｃ＝ＣＦ（ＣＦ2）xＦを有するテトラフルオロエチレンオリゴマー、
クロロジフルオロ酢酸ナトリウム、
クロロジフルオロメタン、
ブロモジフルオロメタン、
ヘキサフルオロプロピレンオキシド、
１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアクリレート（ＦＤＡ）、
アルカン部分が１〜６個の炭素原子を有するブロモフルオロアルカン、
アルカン部分が１〜６個の炭素原子を有するヨードフルオロアルカン、又は
これらのいずれか２つ以上の組み合わせ。
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の成分比率
概して、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層においては、Ｏ2は、有機ケイ素化合物量よりも１桁未満多い量（例えば、流量ｓｃｃｍによって表されうる）にて存在しうる。対照的に、バリア皮膜又は層を実現するため、Ｏ2の量は、通常、有機ケイ素前駆体の量よりも少なくとも１桁多いものとなりうる。
各成分の好適な比率のいくつかの特定例として、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の有機ケイ素前駆体とＯ2の体積比（ｓｃｃｍ）は、０．１：１〜１０：１の範囲内、任意選択的に、０．３：１〜８：１の範囲内、任意選択的に、０．５：１〜５：１の範囲内、任意選択的に、１：１〜３：１とされうる。前駆体ガス、酸素及び希釈ガスのいくつかの非網羅的な別の選択及び好適な比率を以下に記載する。
プロセスガスは滑性及び／もしくは不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の形成のためこの比率のガスを含みうる。
・０．５〜１０標準体積の前駆体、
・１〜１００標準体積の希釈ガス、
・０．１〜１０標準体積の酸化剤。
１／８”径チューブ（端部が開いている）の３ｍｌサンプルサイズシリンジ内に不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を形成するための例示的な反応条件は以下の通り。
流量範囲：
ＯＭＣＴＳ：０．５〜１０ｓｃｃｍ
酸素：０．１〜１０ｓｃｃｍ
アルゴン：１．０〜２００ｓｃｃｍ
電力：０．１〜５００ワット
実施例に記載される体積比での前駆体及びＯ2の存在は、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を得るのに特に好適となりうる。
本発明の一態様においては、キャリアガス又は希釈ガス（ＰＥＣＶＤにおいて供給する不活性ガスの２つの異なる名称）は反応混合物中から排除されうるものであり、本発明の別の態様においては存在しうる。好適な希釈ガスは、任意の希ガスであり、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン又はこれら２つ以上の組み合わせを含む。希釈ガスが反応混合物中に存在する場合、それは、通常、有機ケイ素化合物前駆体の体積を超える体積（ｓｃｃｍ）において存在する。例えば、有機ケイ素化合物前駆体と希釈ガスの比率は、１：１〜１：５０、任意選択的に、１：５〜１：４０、任意選択的に、１：１０〜１：３０とされうる。希釈ガスの１つの機能は、基材に付着せず主に排出ガスとともに除去される粉末反応生成物の代わりに、プラズマ中の反応物を希釈し、基材上での皮膜又は層の形成を促進することとされうる。
アルゴンガスを添加すると不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４の性能が向上することが判明している。アルゴンの存在下での分子の更なるイオン化がこの性能に寄与すると考えられる。分子のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合はＳｉ−Ｃに次いで高い結合エネルギーを有し、Ｃ−Ｈ結合が最も弱い。不動態化又はｐＨ保護はＣ−Ｈ結合の一部が切れた際に得られると考えられる。これにより、構造の成長に伴うその結合（架橋）が可能になる。酸素（アルゴンとともに）の添加はこのプロセスを強化すると理解される。少量の酸素もまた、他の分子が結合できるＣ−Ｏ結合を提供することができる。Ｃ−Ｈ結合の切断と酸素の添加の組み合わせを全て低圧及び低電力で実施すると、不動態化又はｐＨ保護を提供しつつも安定（ｓｏｌｉｄ）とされうる化学構造となる。
開示される実施形態のいずれにおいても、プロセスガスの１つの好適な組み合わせとしては、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ＴＭＤＳＯ、ＨＭＤＳＯ又は前駆体としての別の有機ケイ素化合物；Ｏ2、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）、オゾン（Ｏ3）、水蒸気（プラズマ中で分解して酸素を発生しうる）又は別の酸化性ガス（用いた条件でＰＥＣＶＤ中に前駆体を酸化する任意の他のガス、好ましくはＯ2を意味する）；及び希釈ガス、例えば希ガス、例えばヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、ネオン又はこれらの２つ以上の組み合わせが挙げられる。ヘリウム及びアルゴンが特に企図される。
気体反応物又はプロセスガスは、任意選択的に、少なくとも実質的に窒素を含まないものとされうる。生じる不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を向上させるためにこの組み合わせが企図される。
塗布方法
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４は、任意選択的に、バリア皮膜又は層３０上に直接的又は間接的に塗布することができ、任意選択的に、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４の塗布の終了時に、１２などのプリアセンブリに、プリアセンブリにキャップが嵌められている際に、近位開口部２２を介して医療バレル内腔１８と分与部内腔２６との間の連通を維持するのに効果的な条件下で塗布されうる。
ガラス製容器
任意選択的に、任意の実施形態においては、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４は、更なる皮膜又は層として塗布される代わりに、又は更なる皮膜もしくは層として塗布されることに加え、第１のもしくは唯一のＰＥＣＶＤ堆積皮膜又は層３０として塗布されうる。この手法は、例えば、医療バレルがガラス製である場合に有用となりうる。本開示の不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、また、ＳｉＯx皮膜又は層を攻撃するとして示したｐＨ値を有する内容物によるガラスの溶解を低減することができる。
任意の実施形態、例えば、図７〜８及び２９に示すような、ガラス製の容器又は容器部品と、任意選択的に、容器又は容器部品上の３０などのバリア皮膜又は層と、容器、容器部品又はバリア皮膜もしくは層上の、３４などの不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層と、容器内に収容された薬剤組成物又は製剤と、を含む、薬剤パッケージ２１０が企図される。
このガラス実施形態においては、バリア皮膜又は層は任意とされうる。これは、ガラス容器壁自体が極めて良好なバリア皮膜又は層であることが理由である。主に分離を提供するために、換言すると、容器壁と容器の内容物との間におけるガラスのイオン又は薬剤組成物又は製剤の成分などのあらゆる種類の物質の接触及び交換を防止するために、任意選択的に、バリア皮膜又は層を提供することが企図される。本明細書に定義される保護皮膜又は層は分離機能を単独で少なくともある程度実施するように企図されうる。薬剤包装において現在一般的に使用されているホウケイ酸ガラスは５を超えるｐＨを有する流体組成物によって溶解しうるため、この不動態化層又はｐＨ防護皮膜もしくは層は薬剤組成物又は製剤に接触しているガラスに有用な機能を提供するように企図されうる。特に、そのような溶解が不利となりうるか、不利であると認識される場合の用途においては、本不動態化層又は保護皮膜もしくは層は有用であろう。
容器は、例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス又は他のガラス配合物（ｇｌａｓｓ ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ）などの医療又は実験室用途で使用される任意のタイプのガラスで作製されうる。ガラス容器上の不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の１つの機能は、意図的に又は不純物（例えば、ナトリウム、カルシウム又はその他）としてのいずれかにおいて、ガラス内のイオンが、ガラスから、真空にした採血管内の試薬又は血液などの薬剤パッケージ又は他の容器の内容物に進入するのを低減しうることである。あるいは、二重機能の保護／滑性皮膜又は層が、ガラス容器上の全体又は一部に、例えば、選択的に、摺動関係において他の部品と接触する表面に、例えば、ストッパの挿入もしくは取り外し又はシリンジ内のピストンなどの摺動要素の通過を容易にするための滑性を提供するために、並びに不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の分離を提供するために使用されうる。ガラス容器を、例えば、二重機能疎水性及び不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層で被覆する更に別の理由は、試薬又は血液などの薬剤パッケージもしくは他の容器用のサンプルが容器の壁に固着すること、又は容器の壁に接触している血液の凝固の速度を増加することを防止するため、並びに不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の分離を提供するためとされうる。
関連する実施形態は、バリア皮膜又は層が、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス製であるか、基材上の別のタイプのガラス皮膜又は層とされうる、前段落に記載したような容器とされうる。
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層のプラズマ条件
前駆体は、前駆体の近傍を高周波で動作する電極で励起することにより形成されたプラズマと接触させることができる。高周波は、任意選択的に、１０ｋＨｚ〜２．４５ＧＨｚ、任意選択的に、１０ｋＨｚ〜３００ＭＨｚ未満、任意選択的に、１〜５０ＭＨｚ、任意選択的に、１０〜１５ＭＨｚ、あるいは、約１３〜約１４ＭＨｚ、任意選択的に、１３．５６ＭＨｚ又は約１３．５６ＭＨｚの周波数である。通常、ＰＥＣＶＤ法のプラズマはＲＦ周波数で発生させることができるが、マイクロ波又は他の電磁エネルギーもまた使用されうる。容器内において実施されるプラズマ反応によって容器の内側に保護皮膜又は層を提供するため、任意の実施形態のプラズマは、０．１〜５００Ｗ、任意選択的に、０．１〜４００Ｗ、任意選択的に、０．１〜３００Ｗ、任意選択的に、１〜２５０Ｗ、任意選択的に、１〜２００Ｗ、更に任意選択的に、１０〜１５０Ｗ、任意選択的に、２０〜１５０Ｗ、例えば、４０Ｗ、任意選択的に、４０〜１５０Ｗ、更に任意選択的に、６０〜１５０Ｗの電力により発生させることができる。
本明細書中の任意の実施形態における任意のＰＥＣＶＤ法においては、ＰＥＣＶＤは規定範囲内における初期の高い電力レベルに続き、規定範囲内における次の低い電力レベルを印加することにより開始できる。初期の高い電力レベルは、例えば、１〜３秒間印加できる。次の低い電力レベルは、例えば、ＰＥＣＶＤの残りで印加できる。
不動態化又はｐＨ保護に加え、滑性の提供を意図した皮膜又は層を形成するため、前駆体を、０．１〜２５Ｗ、任意選択的に、１〜２２Ｗ、任意選択的に、１〜１０Ｗ、更に任意選択的に、１〜５Ｗ、任意選択的に、２〜４Ｗ、例えば、３Ｗ、任意選択的に、３〜１７Ｗ、更に任意選択的に、５〜１４Ｗ、例えば、６Ｗ又は７．５Ｗ、任意選択的に、７〜１１Ｗ、例えば、８Ｗの電力が供給された電極により前駆体の近傍を励起することによって形成されたプラズマと接触させることができる。
電極電力とプラズマ量の比率は、１００Ｗ／ｍｌ未満、任意選択的に、０．１〜１００Ｗ／ｍＬ、任意選択的に、５Ｗ／ｍｌ〜７５Ｗ／ｍｌ、任意選択的に、６Ｗ／ｍｌ〜６０Ｗ／ｍｌ、任意選択的に、１０Ｗ／ｍｌ〜５０Ｗ／ｍｌ、任意選択的に、２０Ｗ／ｍｌ〜４０Ｗ／ｍｌとされうる。これら電力レベルは、不動態化層又は保護皮膜又は層を、ＰＥＣＶＤプラズマを発生させることができる５ｍＬの空隙容量を有するシリンジ及びサンプル管及び薬剤パッケージ又は類似する幾何学的形状の他の容器に塗布するのに好適である。より大きな又はより小さな物体においては、プロセスを基材のサイズに合わせて変更するため、それに応じて印加される電力（ワット）を増加又は低減すべきであると考えられる。
不動態化又はｐＨ保護に加え、滑性の提供を意図した皮膜又は層を形成するため、前駆体を、１０Ｗ／ｍｌ未満のプラズマ量、あるいは６Ｗ／ｍｌ〜０．１Ｗ／ｍｌのプラズマ量、あるいは５Ｗ／ｍｌ〜０．１Ｗ／ｍｌのプラズマ量、あるいは４Ｗ／ｍｌ〜０．１Ｗ／ｍｌのプラズマ量、あるいは２Ｗ／ｍｌ〜０．２Ｗ／ｍｌのプラズマ量、あるいは１０Ｗ／ｍｌ〜５０Ｗ／ｍｌ、任意選択的に２０Ｗ／ｍｌ〜４０Ｗ／ｍｌの電力密度が供給された電極により前駆体の近傍を励起することによって形成されたプラズマと接触させることができる。
任意選択的に、図７〜８及び２９の任意の実施形態においては、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、ＰＥＣＶＤによって、２２，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は３０，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は４０，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は５０，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は６０，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は６２，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は７０，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は８０，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は１００，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は２００，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は３００，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は４００，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇ、又は５００，０００ｋＪ超／前駆体の質量ｋｇの電力レベルで塗布されうる。
任意選択的に、図７〜８及び２９の任意の実施形態においては、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層３４は、ＰＥＣＶＤによって、２，０００，０００ｋＪ未満／前駆体の質量ｋｇ、１，０００，０００ｋＪ未満／前駆体の質量ｋｇ、又は７００，０００ｋＪ未満／前駆体の質量ｋｇ、又は５００，０００ｋＪ未満／前駆体の質量ｋｇ、又は１００，０００ｋＪ未満／前駆体の質量ｋｇ、又は９０，０００ｋＪ未満／前駆体の質量ｋｇ、又は８１，０００ｋＪ未満／前駆体の質量ｋｇあたりの電力レベルで塗布されうる。
ＰＥＣＶＤ法においては、堆積時間は、１〜３０秒、あるいは２〜１０秒、あるいは３〜９秒とされうる。堆積時間を任意選択的に制限する目的は、基材の過熱を防止するため、製造の速度を増加させるため、並びにプロセスガス及びその成分の使用を低減させるためとされうる。堆積時間を任意選択的に延長する目的は特定の堆積条件においてより厚い不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を提供するためとされうる。
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を塗布するために他の方法を使用することができる。例えば、ヘキサメチレンジシラザン（ＨＭＤＺ）を前駆体として使用することができる。ＨＭＤＺはその分子構造に酸素を含まないという利点を有する。この不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層処理は、ＳｉＯxバリア皮膜又は層の、ＨＭＤＺによる表面処理であると考えられる。ＨＭＤＺは二酸化ケイ素皮膜又は層中に存在する−ＯＨ部位と反応し、その結果、ＮＨ３の放出及びＳ−（ＣＨ3）3のケイ素への結合（水素原子が発生してＨＭＤＺの窒素と結合し、ＮＨ３を生成すると考えられる）が生じると考えられる。
このＨＭＤＺ不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は想定されるいくつかの経路を通じて得られると考えられる。
考えられる１つの経路は、周囲温度におけるＨＭＤＺの脱水／気化とされうる。まず、例えば、ヘキサメチレンジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を使用してＳｉＯx表面を堆積させることができる。被覆されたそのままの二酸化ケイ素表面は、その後、ＨＭＤＺ蒸気と反応させることができる。任意の実施形態においては、ＳｉＯx表面が対象物品上に堆積されるとすぐに真空が維持されうる。ＨＭＤＳＯ及び酸素は押し出され、ベース真空（ｂａｓｅ ｖａｃｕｕｍ）が得られる。ベース真空が得られると、ＨＭＤＺ蒸気はｍＴｏｒｒ範囲から大Ｔｏｒｒ（ｍａｎｙ Ｔｏｒｒ）の圧力で二酸化ケイ素の表面上を流れることができる（対象の部分が被覆されたため）。ＨＭＤＺは、その後、（生じた反応の副生成物であるＮＨ3とともに）押し出されうる。ガスフロー中のＮＨ3の量は（残留ガス分析器、例としてＲＧＡを用いて）監視することができ、それ以上のＮＨ3が検出されない場合に反応が完了する。この部分は、その後、（清浄なドライガス又は窒素とともに）大気に排出されうる。得られた表面は、その後、不動態化又は保護されたことが認められる。この方法は、任意選択的に、プラズマを形成することなく実施できると考えられる。
あるいは、ＳｉＯxバリア皮膜又は層の形成後、ＨＭＤＺの脱水／気化前に、真空を遮断することができる。ＨＭＤＺの脱水／気化が、その後、ＳｉＯxバリア皮膜又は層の形成に使用したものと同じ装置又は異なる装置のいずれかにおいて実施されうる。
高温でのＨＭＤＺの脱水／気化もまた考えられる。あるいは、上記プロセスは室温を超えて約１５０℃までの高温で実施されうる。最高温度は被覆部分を構成する物質によって決定されうる。被覆部分を歪ませない又はそうでなければ損傷しない上限温度を選択すべきである。
プラズマアシストによるＨＭＤＺの脱水／気化もまた考えられる。上記実施形態の脱水／気化のいずれかを実施した後、その部分にＨＭＤＺ蒸気を導入すると、プラズマを発生させることができる。プラズマ電力は数ワット〜約１００ワットの範囲とされうる（ＳｉＯxを堆積させるのに使用したものと同様の電力）。上記はＨＭＤＺに限定されるものではなく、水素と反応する任意の分子に適用可能とすることができ、例えば、本明細書に記載されている窒素含有前駆体のいずれかである。
驚くべきことに、上記の皮膜又は層は、分与部内腔２６内に蒸着皮膜又は層３０の堆積が実質的にないキャップ装着アセンブリ１２に適用できることが判明した。
特定の実施形態では、特定の例においてより良好な不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層が発生することが判明したことから、容器の被覆される部分全体における均一プラズマの生成が考えられる。均一プラズマとは、大量のホロー陰極プラズマ（通常のプラズマよりも高い放出強度を有し、通常のプラズマのより均一な強度を中断するより高い強度の局所領域として顕在化しうる）を含まない通常のプラズマを意味する。
更に、本明細書に記載される不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層プロセスの任意の実施形態は、また、プラズマを閉じ込めるために被被覆物品を使用することなく実施できると考えられる。例えば、医療デバイス、例えば、カテーテル、外科用器具、クロージャ、及びその他の外部表面が不動態化又は保護されうる。
非有機ケイ素不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を塗布する別の方法は、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層として無定形炭素もしくはフッ素化ポリマー皮膜もしくは層又はこの２つの組み合わせを塗布することとされうる。
無定形炭素皮膜又は層は、ＰＥＣＶＤにより、飽和炭化水素（例えば、メタン、エタン、エチレン又はプロパン）又は不飽和炭化水素（例えば、エチレン、アセチレン）又はこれら２つ以上の組み合わせをプラズマ重合のための前駆体として使用することにより形成されうる。
無定形炭素及び／又はフッ素化ポリマー皮膜又は層がシラノール結合を含まないことから、無定形炭素及び／又はフッ素化ポリマー皮膜又は層はシロキサン皮膜又は層に比べて、ＳｉＯxバリア皮膜又は層のより良好な不動態化又は保護を提供すると考えられる。
更に、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層をＳｉＯxバリア皮膜又は層上に提供するためフルオロシリコン（ｆｌｕｏｒｏｓｉｌｉｃｏｎ）前駆体が使用されうると考えられる。これは、前駆体としてヘキサフルオロシランなどのフッ素化シラン前駆体とＰＥＣＶＤ法を使用することによって実施されうる。得られる皮膜又は層は、また、非湿潤性皮膜又は層（ｎｏｎ−ｗｅｔｔｉｎｇ ｃｏａｔｉｎｇ ｏｒ ｌａｙｅｒ）となることが予想される。
ＰＥＣＶＤ中の磁気処置
この明細書に記載され且つ図４〜６、９〜２８、３７〜４９及び５５〜６０に示される装置は、被処理表面１４又は１６を有する工作物１２をプラズマ改質する方法を実施するための本明細書の任意の実施形態において使用されうる。本方法は、プラズマを提供することによって、及びプラズマを提供する時間の少なくとも一部においてプラズマ中又はプラズマ近傍に磁場を提供することによって実施されうる。
プラズマは略円筒状内部表面１６のプラズマ改質に効果的な条件下で工作物１２（この特定例はシリンジもしくは医療バレル１４又はバイアル１０である）の略円筒状内部表面１６はその近傍に提供されうる。上記のものを含むが、それらに限定されない個々に又は連続的にもしくは共に実施される種々のタイプの改質が考えられうる。例えば、改質は、基材が腐食されうるエッチング又はアブレーションプロセスとすることも、材料の皮膜又は層が基材に塗布されうる皮膜又は層プロセスとすることも、略円筒状内部表面１６の組成を変更可能な化学修飾とすることもできる。化学修飾は、任意選択的に、バルク材料の添加もエッチングもなく実施することができる。任意選択的に、任意の実施形態においては、工作物１２の略円筒状内部表面１６のプラズマ改質は化学気相成長とすることができる。任意選択的に、任意の実施形態においては、工作物１２の略円筒状内部表面１６のプラズマ改質はプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）とすることができる。
プラズマを提供する時間の少なくとも一部において、プラズマ中又はプラズマ近傍に磁場を提供することができる。磁場は、工作物１２の略円筒状内部表面１６のプラズマ改質の均一性、密度又はその両方を向上させるのに効果的な位置、配向及び場の強度を有しうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、略円筒状内部表面１６は内腔１８の少なくとも一部を画定する略円筒状内部表面上とされうる。例えば、略円筒状内部表面１６は、任意選択的に、いくつかの例を挙げると、バイアル１０、医療バレル又は医療バレル１４、サンプル採集管、例えば採血管２６８、剛性もしくは可撓性チューブ、又は可撓性サンプルバッグ上に配置されうる。本発明は非円筒状表面にも有用となりうる。例えば、均一であるか異なっているかにかかわらず特定の実施形態に有用な皮膜又は層プロファイルを提供するため、非円筒状コンテナの異なる部分において局所磁場強度、材料供給、プラズマ形成エネルギー又はこれらの任意の組み合わせを変更することができる。
バリア皮膜もしくは層又はｐＨ保護皮膜もしくは層に関して均一な皮膜又は層プロファイルが所望される場合、所望の厚さ均一性範囲は、特定の皮膜又は層の平均厚さから＋／−３０％、より好ましくは平均厚さから＋／−１５％、最も好ましくは、平均厚さから＋／−５％である。均一性の低い皮膜又は層では皮膜又は層均一性を増加するために磁気閉じ込めなどの対策の使用が求められる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場の提供により、内腔の少なくとも一部におけるプラズマ分布の均一性、密度又はその両方が向上する。１つの非限定的例として、磁場の提供により、略円筒状内部表面１６の少なくとも一部におけるプラズマ分布の軸方向均一性、密度、又はその両方を向上することができる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プラズマはプラズマ電子とすることができ、磁場は本明細書に記載されるような電子的な瓶（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｂｏｔｔｌｅ）を用いることにより、内腔内におけるプラズマ電子の閉じ込めを向上させるのに効果的となりうる。本発明者は、本理論の精度又は制限により拘束されることなく、この電子の閉じ込めはプラズマのより均一な分配、並びに前駆体及びプラズマ中のその他の物質のより強力だが均一なイオン化の提供に少なくとも一部関与し、したがって、異なる処理領域を示すホットスポット（多くの又はより多数の励起電子が容器壁に衝突する）及びクールスポット（ｃｏｏｌ ｓｐｏｔ）（より少数又は少ない励起電子が衝突する）を防止することができると理論づけた。ホットスポットは、例えば、クールスポットの適切な処理を提供する工程において基材の領域が歪んだり過剰処理されたりする原因となりうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場は、磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６〜９１、９３、９５、９７、９９、８２０又は８２８〜８３２のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも３つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも４つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも５つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも６つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも７つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも８つの磁場発生器、及び任意選択的に任意の所望の数の磁場発生器を略円筒状内部表面１６近傍に設けることによって提供されうる。各磁場発生器は、極軸を画定するＮ極及びＳ極を有する。任意選択的に、任意の実施形態においては、いくつか又は全ての磁場発生器が内腔（１８）外部に配置されうる。一般に使用される磁場発生器の基本的な種類は永久磁石及びコイルとされうるが、本発明はこれら種類の磁場発生器に限定されない。任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器を永久磁石（例えば６１〜７８又は８６〜９１、９３、９５、９７、９９、８２０又は８２８〜８３２のいずれか）又はコイル（例えば８６〜９１、９３、９５、９７又は９９のいずれか）又は少なくとも１つの永久磁石と少なくとも１つのコイルとの組み合わせとすることができる。同様の磁場を種々の配向において発生させるためにコイル又は永久磁石のいずれかを同じように使用可能である。
任意選択的に、磁場発生器は、略円筒状表面の近傍に、且つ略円筒状表面の長さに沿って軸方向に延在するように配置されうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの永久磁石（例えば６１〜７２のいずれか）、あるいは少なくとも２つの永久磁石、あるいは少なくとも３つの永久磁石、あるいは少なくとも４つの永久磁石、あるいは少なくとも５つの永久磁石、あるいは少なくとも６つの永久磁石、あるいは少なくとも７つの永久磁石、あるいは少なくとも８つの永久磁石、あるいは全ての永久磁石が棒磁石である。これら実施形態は図１５、１６、１８〜２１及び２４〜２５によって示される。棒磁石の極軸は棒磁石の最長寸法に平行とすることができるが、必ずしも平行である必要はないことに留意されたい。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの永久磁石（７３〜７８）、あるいは少なくとも２つの永久磁石、あるいは少なくとも３つの永久磁石、あるいは少なくとも４つの永久磁石、あるいは少なくとも５つの永久磁石、あるいは少なくとも６つの永久磁石、あるいは少なくとも７つの永久磁石、あるいは少なくとも８つの永久磁石、あるいは全ての永久磁石がリング磁石である。リング磁石は例えば図１４、１７、２２、２３、３８、４０、４１、４６及び５２に示される。任意選択的に、任意の実施形態においては、図１４、２３、３８、４０、４１、４６及び５２に示されるように、リング磁石の少なくとも１つのＮ極及びＳ極（７５〜７８）はその対向する環状面である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、リング磁石（例えば、７３又は７４）の少なくとも１つの極軸（７９）は、図１７及び図２２に示されるように、リングの周りを周方向に取り巻くことができ、これは以下に記載されるトロイダルコイルの場合にも当てはまる。任意選択的に、任意の実施形態においては、リング磁石（７３又は７４）の少なくとも１つの周縁は複数のＮ−Ｓ極ドメインに分けることができる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器は、少なくとも１つのコイル（８６〜９１、９３、９５、９７又は９９のいずれか）を略円筒状表面近傍に配置し、コイルに電流を通すことによって提供されうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つのコイルはソレノイド８６とすることができる。ソレノイドは、任意選択的に、その軸線７９が略円筒状表面の軸線８０に少なくとも略平行な状態で、あるいはその軸線７９が略円筒状表面の軸線８０と少なくともほぼ同一線上にある状態で配向されうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、略円筒状表面は完全にソレノイドコイル（８６）内に配置されうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つのコイルは、図１０〜１３に示されるように、中心開口部及びその中心開口部を貫通する幾何学的軸線８０を有する略トロイダルコイル８８又は９０とされうる、又は中心開口部及びその中心開口部を貫通する幾何学的軸線８０を有する略トロイダルコイル８８又は９０を含みうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、略トロイダルコイル８８又は９０はその幾何学的軸線８０が略円筒状内部表面１６の軸線８０と少なくともほぼ平行な状態で、任意選択的に少なくともほぼ同一線上にある状態で配向されうる。このトロイダルコイルの配向においては、内腔１８の少なくとも一部の磁場はその極軸が被処理略円筒状内部表面１６の軸線８０の周りに延在した状態で配向される。任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、略円筒状内部表面１６は、ほぼ完全に中心開口部内に、あるいは略トロイダルコイル８８又は９０の２つ以上のスタックのほぼ完全に中心開口部内に配置されうる。
任意選択的に、図１２に示される任意の実施形態においては、例えば、略トロイダルコイル８８又は９０は、少なくとも２つの円弧部分Ａ及びＡ１、任意選択的に少なくとも４つの円弧部分Ａ及びＡ１、任意選択的に少なくとも６つの円弧部分Ａ及びＡ１、任意選択的に少なくとも８つの円弧部分Ａ及びＡ１、任意選択的に少なくとも８つの４５°円弧部分Ａ及びＡ１を有しうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、交互部分（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｓｅｇｍｅｎｔｓ）は反対方向に巻かれうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、略トロイダルコイル８８又は９０は、実質的に円形９５もしくは実質的に矩形９１又は別の規則的もしくは不規則的形状とされうる断面を有しうる。
コイルは、全長コア、部分長コア、中実コア、中空コアを有しうるか、コアを有しない。コアは、それ自体が磁場を発生する永久磁石とすることも、コイルによって励磁された際に磁場を発生する一時的に磁化可能な材料とすることも、コイルの巻線に対して磁気的に不活性の形態とすることもできる。従来の磁化可能なコア材料は鉄又はフェライト体である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、コイルは直流又は交流エネルギーによって励磁されうる。交流エネルギー、例えば６０Ｈｚの交流で励磁されたコイルは極を周期的に反転すると考えられ、これにより、以下に記載する可動四重極アレイが機能するのとほぼ同様に堆積又はその他の表面処理の均一性を向上させると考えられる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、２つ以上の磁場発生器を、間隔をあけて配置することができ、それらの間に凹部８１を画定し、凹部８１内に、工作物の略円筒状内部表面１６の少なくとも一部を配置することができる。
均一性又はＰＥＣＶＤ処理のその他の結果の向上に磁場の種々の配向が有用であることが判明している。一例として、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（例えば６１〜７８又は８６〜９１、９３、９５、９７又は９９のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器は略円筒状内部表面１６の軸線８０に略平行な極軸７９を有しうる。この配向の実施例を図９、９ａ、１４〜１６、２０、２３、２４、３７に示す。例えば、図３８及び４０及び図４１〜４４及び４６の磁石７５は、任意選択的に、表面（１６）の軸線（８０）に略平行な極軸（７８）を有しうる。表面（１６）が略円筒状の場合、その軸線は当該筒の中心にある。非円筒状表面においては、軸線は表面を通る任意の特定の線とすることができる。
別の例として、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、例えば図４、５、９〜９ａ、１０〜１４、１９〜２５及び３７〜４６に示されるように、工作物及び磁場発生器がプラズマ処理用の動作位置にある際、磁場発生器の少なくとも２つ（例えば６１〜７８又は８６〜９１、９３、９５、９７又は９９のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が略円筒状内部表面１６の周りに周方向に分配されうる。周方向分配は均一とすることも不均一とすることもできるが、１つの選択肢として均一な分配が特に企図される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、偶数の少なくとも４つの磁場発生器（例えば、図１９、２１、２５、３８〜４０、４５、４９及び５５〜６０の磁石６１〜６４又は６１ａ〜６４ａ）が、四重極又は類似構造を提供するために、極軸が半径方向中心に向かう方及び中心から離れる方に交互に配向された状態で中心周りに配置される。四重極及びその８磁石類似物（８−ｍａｇｎｅｔ ａｎａｌｏｇｓ）については以下に電子瓶とともに及び実施例において更に記載する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が工作物及び磁場発生器が動作位置にある際に隣接する磁場発生器から実質的に周方向に等距離にありうる。これは、例えば、図４、５、１９〜２１、２４〜２５及び３８〜４０、４９及び５５〜５６に示される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つ（例えば６１〜７８又は８６〜９１、９３、９５、９７又は９９のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が、例えば図１０〜１３、２２〜２４、３７〜４１及び４６に示されるように略円筒状表面に対して軸方向に積み重ね可能であり、且つ任意の示される磁場発生器の形成に使用可能である。加えて、図９、９ａ、３７（コイル８６ａ又は８６ｂのいずれかを参照）及び４２〜４３の軸方向に配向されたソレノイドコイルは、連続する巻が軸方向に「積み重ねられている」ことに加え、より粒状的観点（ｍｏｒｅ ｇｒａｎｕｌａｒ ｐｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅ）においてはそれぞれが磁場発生器であることから概念的に類似している。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも２つ（例えば６１〜７８又は８６〜９１、９３、９５、９７又は９９のいずれか）、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての軸方向に積み重ねられた磁場発生器は互いに軸方向に間隔をあけて配置されうる。この配向は例えば図２３、３７、３８及び５２に示される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも２つ（例えば６１〜７８又は８６〜９１、９３、９５、９７又は９９のいずれか）、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての軸方向に積み重ねられた磁場発生器は互いに軸方向に当接している。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器はその極軸７９が表面の軸線８０に少なくとも略平行な状態で配向されうる。あるいは又は加えて、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器はその極軸７９が表面の軸線８０と少なくともほぼ同一線上にある状態で配向されうる。これら配向は、例えば図９、９ａ、２０、２４、３７、３８及び４０（磁石７５）、４１〜４４、４６及び５２によって示される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器はその極軸に沿って延在する通路を有することができ、表面は完全に通路内に配置されうる。これら配向は、例えば図９、９ａ、２０、２４、３７、３８及び４０（磁石７５）４１〜４４、４６及び５２によって示される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場発生器は、図３７に示されるように、間に空間を有する一対のソレノイド８６ａ及び８６ｂとされうるヘルムホルツコイルとすることができる。ヘルムホルツコイルでは、ソレノイド８６ａとソレノイド８６ｂとの間の空間が大きすぎなければ、ソレノイド間の空間内に実質的に均質な磁場が提供される。任意選択的に、任意の実施形態においては、第１及び第２の間隔をあけて配置されたソレノイド８６ａと８６ｂとの間の空間は、任意選択的に、方法の進行中に（プラズマを他の装置を通して見ることができる程度に）プラズマを見ることを可能にする視界窓を提供する。例えば、外部電極１６０（図４）は、任意選択的に、Ｕ字形（あるいは図５〜９）とすることができ、且つ容器壁１４は透明とすることができるため、プラズマは容易に見ることが可能である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器は、工作物の略円筒状内部表面１６に沿って変化する場の強度を提供することができる。この変化する場の強度は種々の手法にて提供されうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、図５２に示されるように、少なくとも１つの磁場発生器と略円筒状内側表面との間の距離は工作物の略円筒状内部表面１６に沿って変化させることができる。別の例として、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、変化する場の強度のプロファイルを画定するために略円筒状内側表面に沿って場の強度を変化させることができ、例えば図９ａ、２３、３７（ヘルムホルツコイルは不均一性を最小化するが特定の実施形態においては一部持続する場合がある）、３８、４１〜４４、４６及び５２〜５３に示される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プラズマを提供し且つ磁場を提供しない時間の少なくとも一部において、工作物１２の略円筒状内部表面１６のプラズマ改質は、変化するプラズマ改質のプロファイルを画定するために略円筒状内側表面に沿って変化する。換言すると、磁場を印加しなければ、特定条件下で動作する特定の装置に対する略円筒状内側表面上の種々の箇所におけるプラズマ改質の程度又は種類は均一にならない可能性がある。この変化は望ましい場合も望ましくない場合もある。特定の実施形態において望ましくない場合、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器は、磁場強度プロファイルの変化がプラズマ改質の変化を相殺する傾向があるような条件下で構成され且つ動作されうる。プラズマプロセスの変化を磁気変化により相殺することによって、工作物１２の略円筒状内部表面１６のプラズマ改質の均一性、密度又はその両方をより均一にすることができる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、プラズマの少なくとも一部は「電子瓶（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｏｔｔｌｅ）」内において工作物の近傍に少なくとも部分的に閉じ込められうる。電子瓶は種々の手法で作製されうる。
電子瓶の一例を図３８〜４０に示す。電子瓶の側部は、Ｎ極が医療バレル１０に半径方向に向かう方に、及び医療バレル１０から半径方向に離れる方に選択的に延在する状態で配置された磁石６１、６２、６３及び６４によって形成された四重極とされうる。図３９が示すように、この四重極配向は、１つの磁石の半径方向内側から隣接する磁石の半径方向外側へと弧を描き、任意の半径方向面において４辺の閉じたループに似たパターンを提供する磁力線８３を生成する。電子は磁力線８３の周囲を磁力線８３に沿って、したがって、医療バレル１０の周囲及び内部の回路内を螺旋状に移動する。これにより、電子を磁石によって囲まれた空間８１へと半径方向に閉じ込める。
電子瓶の端部は任意であり、使用される場合、図３８及び図４０においては、より小さな内径及び磁石６１〜６４の外周部に比べてより強い場の強度を有するリング磁石７５によって画定されうる。リング磁石７５はその極軸が四重極６１〜６４及び医療バレル１０の幾何学的軸線と整列した状態で配向されうる。図３８は、磁力線が湾曲し、リング磁石７５から特定の軸方向距離更に離れ（これら略軸方向線は主にリング磁石７５によって発生しうるため）、磁石７５内に比べて四重極の軸方向中心近傍に磁束の低下を示しうることを示す。リング磁石７５は、したがって、対向する電子ミラーとして機能する。対向する電子ミラーはそれに接近する電子の移動の方向を医療バレル１０に向かって反転する傾向がある。
図４１は、異なるタイプの電子瓶を示し、この場合、工作物は医療バレル及び針キャップ装着アセンブリ１２とされうる。当該アセンブリは、針端部と、針端部と逆側の後端部と、針端部と後端部との間の本体部分と、を有する。図４１の電子瓶は、Ｎ極がシートの上部に向かい、Ｓ極がシートの下部に向かう状態で全てが配向されたリング磁石７５のスタックによって画定されうる。電子瓶の端部には、キャップ磁石と呼ばれることもある棒磁石６５とすることができる。棒磁石６５は中心孔を有さず、そのＮ極がシートの上部に向かうリング磁石６５と同じ磁気配向を有する。キャップ磁石６５は磁気的に透過可能な材料で作製されうるため、磁束は各キャップ磁石の本体内においてその外側両側よりも強くなりうる。このため、キャップ磁石は電子ミラーとして機能する。図４１の磁力線が示される場合、図４２の磁力線８３とほぼ同じように見える。
図９ａ及び図４２は、略軸方向に延在する磁場をバイアル１０の中心部分近傍に提供する中心部分８９と、中心部分８９よりも強い磁束を有する同様に配向された磁場を提供する端部部分９７及び９９と、を有するコイルによって形成された電子瓶を示す。端部部分の巻線が中心部分８９の巻線よりも接近しうるため、端部部分９７及び９９はより強い磁束を提供する。端部部分９７及び９９は、また、より強い磁束を提供するが、この理由は、中心部分の電圧降下が３０ボルトとされうる（実例としてであり本発明の範囲を限定しない）一方で、各端部部分の電圧降下を６０ボルトとすることができ（実例としてであり本発明の範囲を限定しない）、各端部部分９７、９９の抵抗が中心部分８９の抵抗と同じとされうる（実例としてであり本発明の範囲を限定しない）ため、端部部分９７、９９を流れるアンペア数が中心部分８９を流れるアンペア数よりも高くなりうるからである。この磁束の相違は前述の磁力線８３により示される。したがって、端部部分９７及び９９はここでも対向する電子ミラーを画定する。電子瓶の端部の磁束を増加するためのいずれの手法も他の代替として単独で使用することができる。
任意選択的に、電子瓶は、略円筒状表面の端部間よりも、略円筒状表面の一端又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される。別の選択肢として、電子瓶は、略円筒状表面の他端又はその近傍よりも、略円筒状表面の一端又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される。
図４３は、均一な巻線８９を有するソレノイドによって形成され、略平行な磁力線８３により示される磁場を形成する別の種類の電子瓶を示す。磁場は電子がコークスクリュー又は螺旋状軸方向経路１０３に沿って移動するのを抑制する。別の選択肢として、電子瓶は、略円筒状部分の少なくとも一端の近傍に配置された、負に荷電した物体又は物体の一部を含みうる。例えば、充電済みコンデンサ１０１を、各負に荷電した極板がソレノイドの方に面し、正に荷電した極板がソレノイドと逆側に面した状態でソレノイドの一端又は両端に配置することができる。負に荷電した極板は、接近する電子を跳ね返し、それらをソレノイドの内部に戻すための電子ミラーとして機能する。図４３は、電子を反射して沈殿管内に戻すミラーを磁気的ではなくむしろ静電的とすることができるという点で図９ａ及び図３８〜４２の電子瓶とは異なる。本目的においては、これは電子の閉じ込めと類似の手法で機能するため尚「電子瓶」であると考えられる。
図４４は、各端部のリング磁石７５（あるいはソレノイドなどの他の種類の磁場発生器）が電子ミラーを画定し、電子が、外側の正に荷電したシェル電極（ｓｈｅｌｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１０９内に配置された、内側の負に荷電したシェル電極１０７によって側方にも閉じ込められうる別の種類の電子瓶を示す。ここでも、電子は装置の軸線に向かって内側に反射されうる又は跳ね返されうる。この装置は、また、バイアルの壁がプラズマによって処理される際、バイアル１０内に形成される正に荷電したイオンがバイアルの壁に向かって引き寄せされうる一方で、電子を内側に跳ね返すことができ、これにより、操作中、壁を低温に維持する傾向にあるという利点を有しうる。バイアル１０の壁はイオンが放出できないようにイオンを閉じ込める。
図４４の代わりとしては、外部電極１６０を負に荷電したシェル１０７として、内部電極１０８を正に荷電したカウンター電極として使用することである。これは、直流バイアス電圧及び高周波交流を電極１０８及び１６０に付加することにより実施されうる。この構造は、バイアル１０内の電子をその壁から離れる方に引き寄せ、バイアル１０内の正に荷電したイオンをその壁の方に引き寄せるという類似の結果を有する。
更に、図１〜２９及び３６〜４４のいずれの実施形態の個々の特徴を、限定されることなくそれら実施形態のいずれかと入れ替えることができる。例えば、図３８又は図４４のリング磁石７５、図４１のキャップ磁石６５、図９ａ及び図４２のソレノイド巻線９７及び９９、並びに図４３の静電板１０１によって画定される軸方向電子ミラーのいずれも、図１〜２９及び３６〜４４のいずれの実施形態において単独で使用可能であり、且つこれら実施形態のいずれにおいても任意の組み合わせにおいて使用可能である。図３８の四重極磁石６１〜６４、図４１のリング磁石７５、図４２又は図４３のソレノイド巻線８９、静電シェル１０７及び１０９、又は内部電極１０８と外部電極１６０との間のバイアスなどの半径方向閉じ込めの手法にも同様のことが当てはまりうる。これら電子的な瓶の特徴のいずれも任意の実施形態において個々に又は任意の組み合わせで使用可能であり、且つバイアル１０、キャップ装着プレアセンブリ１２、シリンジもしくは医療バレル１４、サンプル管２１０、又は図１〜３、７〜８、２９及び３６のその他などの任意の種類の工作物とともに、並びに図４〜６、９〜２８又は３７〜４４のものなどの任意のプラズマ生成及び材料供給及び排出装置、又は装置の組み合わせもしくは代替物とともに使用可能である。
したがって、任意選択的に、本発明の任意のシリンジ実施形態、例えば、工作物がシリンジもしくは医療バレル１４、又は医療バレル及び針キャップ装着アセンブリ１２である実施形態においては、そのどれもが針端部（その時点で針があるか否かにかかわらず）と、針端部と逆側の後端部と、針端部と後端部との間の本体部分と、を有する。電子瓶は、本体部分の少なくとも一部又はその近傍に比べて針端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造によって画定されうる。
任意選択的に、本発明の任意のシリンジ実施形態においては、例えば図９及び９ａ、３７〜４２又は４４に示されるように、電子瓶は、本体部分の少なくとも一部又はその近傍に比べて後端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造によって画定されうる。同じ図に示されるように、電子瓶は、本体部分の少なくとも一部又はその近傍に比べて針端部及び後端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造によって画定されうる。電子瓶は、図９、９ａ、２３、３７、４１及び図３８〜４０、４２〜４４及び５２に示されるように、シリンジを示されるバイアル１０と入れ替えた場合、電子ミラーを針端部又はその近傍に提供する構造によって画定されうる。電子瓶は、同じ図９、９ａ、２３、３７、４１及び図３８〜４０、４２〜４４及び５２にあるように、シリンジを示されるバイアル１０と入れ替えた場合、後端部又はその近傍に電子ミラーを提供する構造により更に画定されうる。
工作物が、開端部と、閉端部と、端部間の本体部分と、を有するバイアル１０である実施形態では、電子瓶は、シリンジ処理又はバイアル処理に関連して上述した図と同様に、バイアルの本体部分の少なくとも一部又はその近傍よりもバイアルの閉端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造によって画定されうる。電子瓶は、バイアルの本体部分の少なくとも一部又はその近傍よりもバイアルの開端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造によって画定されうる。電子瓶は、バイアルの本体部分の少なくとも一部又はその近傍よりもバイアルの閉端部及び開端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造によって画定されうる。電子瓶は、バイアルの閉端部又はその近傍に電子ミラーを提供する構造によって画定されうる。電子瓶は、バイアルの開端部又はその近傍に電子ミラーを提供する構造により更に画定されうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、図９、９ａ、２３、３７〜４２、４４及び５２〜５３（図５３では、磁石６１及び６２の下部分は同じ磁石の上部分に比べてより強い磁場、したがって、磁気ミラーを提供する）のように、電子ミラーを提供する構造は磁場発生器の少なくとも一部とされうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、図２３、３８〜４１及び５２〜５３の永久磁石実施形態のいずれかと同様に、電子ミラーを提供する構造は強磁性材料を含みうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、電子ミラーを提供する構造は、図９〜１３、３７、４２又は４３においてコイルの巻線を支持するコアなどの強磁性材料を含みうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、電子ミラーを提供する構造は、例えば図４３（軸方向ミラー）及び図４４（半径方向ミラーに示される負に荷電した物体又は物体の一部とされうる。
図５４の実施形態においては、磁石６５〜７２は軸方向である。これは、その極軸がその長さに沿って延在し、且つ磁石６５〜７２が処理中のシリンジ又は他の容器を受けるアパーチャ内に、強力な軸方向に延在する磁場を提供するように配列されていることを意味する。磁石６５〜７２は四重極を画定しない。磁石６５〜７２は、例えば非常に強力な磁場を提供するＮｄＦｅＢ磁石とすることができる。本発明者は、これら磁石が、磁石アレイを回転させることなくＰＥＣＶＤ皮膜又は層の堆積の均一性を向上させることができると考える。だが、磁石アレイは例えば、使用時におけるアセンブリの同心度又は等しい磁気強度からの任意のずれを補償するために回転させることができる。
ここで特に図５１を参照すると、任意選択的に、局所滑性皮膜又は層を医療バレル１４の略円筒状内部表面１６に塗布するために使用される本発明の一態様を示すプレフィルドシリンジ２１０を示す。シリンジ２１０は医療バレル１４を含み、医療バレル１４は、代替的にオートインジェクタカートリッジ３００（図３６）又は類似デバイスとされうる。医療バレル１４は、分与端２２と、後端部３２と、略円筒状内部表面１６と、を有する。略円筒状内部表面１６は、内腔１８を画定する略円筒状内部表面１６ ４４を有する。略円筒状内部表面１６の略円筒状内部表面１６ ４４は、医療バレル１４、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの分与端２２と後端部３２との間の距離の少なくとも一部、及びここでは少なくとも当該距離のほぼ全てに延在する。略円筒状内部表面１６の略円筒状内部表面１６ ４４は摺動可能なプランジャ又はピストン３６を受容するように構成されている。
略円筒状内部表面１６の略円筒状内部表面１６ ４４は、医療バレル１４、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの分与端２２かその近傍にある前端８０８から後端部８０６まで延在する第１部分８００を有する。
略円筒状内部表面１６の略円筒状内部表面１６ ４４は略円筒状内部表面１６ ４４の第１部分８００から延在する第２部分８０２を有する。第２部分８０２は略円筒状内部表面１６ ４４の第１部分８００から略円筒状内部表面１６の後端部３２までの全体にわたり延在するか、第２部分８０２は略円筒状内部表面１６の後端部３２から前方に間隔をあけて配置された後端部８１０を有しうるかのいずれかである。換言すると、第２部分８０２の後ろには第３部分８０４がありうるかあり得ないかのいずれかである。
任意選択的に、略円筒状内部表面１６ ４４の第２部分８０２が略円筒状内部表面１６の後端部３６から前方に間隔をあけて配置された後端部８１０を有する場合、略円筒状内部表面１６ ４４は、略円筒状内部表面１６ ４４の第２部分８０２から略円筒状内部表面１６の後端部まで延在する第３部分８０４を有しうる。
図示される実施形態においては、第１部分８００はプランジャ又はピストン３６の前方にあり、第２部分８０２はプランジャ又はピストン３６に隣接し、プランジャ又はピストン３６の後ろに第３部分８０４があるが、これら関係は任意の特徴である。また、シリンジ２１０は一般にそれぞれが様々な用量を収容する標準サイズで供給されることから、特定例におけるプランジャ又はピストン３６の静止姿勢は内腔１８内の流体の用量の量により異なる。
略円筒状内部表面１６の略円筒状内部表面１６ ４４の第２部分８０２は、ＰＥＣＶＤによって塗布された滑性皮膜又は層３４を有する。
１つの選択肢は、略円筒状内部表面１６の略円筒状内部表面１６ ４４の第１部分８００が、ＰＥＣＶＤによって塗布された滑性皮膜又は層３４を有しないことである。ここで示す他の選択肢は、略円筒状内部表面１６の略円筒状内部表面１６ ４４の第１部分８００が、略円筒状内部表面１６の略円筒状内部表面１６ ４４の第２部分８０２上の滑性皮膜又は層３４よりも平均的に薄い、ＰＥＣＶＤによって塗布された滑性皮膜又は層３４を有することである。
シリンジ２１０、オートインジェクタ又は類似デバイスは、プランジャ又はピストン３６と組み合わせた、上記の医療バレル１４又はカートリッジを有する。プランジャ又はピストン３６は医療バレル１４又はカートリッジの内腔１８内に配置される。プランジャ又はピストン３６は、図７に示されるように略円筒状内部表面１６ ４４の第２部分８０２に接触している静止姿勢と、略円筒状内部表面１６ ４４の第１部分８００に接触している前進姿勢と、の間において摺動可能である。
上記のように、図７に示すように、シリンジ２１０、オートインジェクタ又は類似デバイスには流体組成物が予め充填されている。流体組成物は内腔１８内の、プランジャ又はピストン３６と、医療バレル１４又はカートリッジの分与端２２との間に配置されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層３４は略円筒状内部表面１６（１６の第１部分８００）と第２部分（８０２）との間の厚さの変化を有しうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、第１部分（８００）の滑性皮膜又は層（３４）の最小平均厚さは０ｎｍであり、滑性皮膜又は層（３４）の最大平均厚さは、第２部分（８０２の滑性皮膜又は層（３４）の平均厚さの０．８倍、任意選択的に０．７倍、任意選択的に０．６倍、任意選択的に０．５倍、任意選択的に０．４倍、任意選択的に０．３倍、任意選択的に０．２倍、任意選択的に０．１倍、任意選択的に０．０９倍、任意選択的に０．０８倍、任意選択的に０．０７倍、任意選択的に０．０６倍、任意選択的に０．０５倍、任意選択的に０．０４倍、任意選択的に０．０３倍、任意選択的に０．０２倍、任意選択的に０．０１倍である。任意選択的に、任意の実施形態においては、略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）は略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）の後端よりも小さな内径を有しうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は、極軸（８０）を画定する対向する第１の極及び第２の極（８２２、８２４）を有する永久磁石（例えば例えば６１〜７８又は８２０のいずれか）であり、第１端部及び第２端部はそれぞれ第１の極及び第２の極に相当し、永久磁石は、第１の極（８２２）から第２の極（８２４）まで延在する１つ又は複数の側部（８２０）を有し、少なくとも１つの側部（８２６）は第１の極（８２２）と第２の極（８２４）との間において内方向にテーパ状になる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器の第２端部（８２４）は第１端部（８２２）よりも大きい。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は図５５及び図５６の永久磁石８２０のような略円錐形、又は図６０の永久磁石８３０のような切頭円錐形、図５９の永久磁石８２８のような角錐形、又は図５８の永久磁石８３２のような切頭角錐形である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は、図５６に示されるような丸みのある小さな端部（８２２）を有する略円錐形である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（８２０）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は、小さな端部（８２２）が半径方向内側に配置され、大きな端部（８２４）が半径方向外側に配置されたリング形アレイ（８３４、図５５及び５６）にて配向されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は、同じ符号（Ｎ又はＳ）の極が半径方向内側に配置され、第１端部が半径方向外側に配置された状態で配向されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は、Ｎ極が半径方向内側に配置された状態で配向されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は、Ｓ極が半径方向内側に配置された状態で配向されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器７３〜７８、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は、例えば図１４、２２、２３、３８、４０、４１、４６又は５２のいずれかに示されるような、医療バレル略円筒状内部表面１６を受容するような大きさの中心孔を有するリング磁石とされうる。任意選択的に少なくとも１つの磁場発生器、任意選択的にリング磁石はその極軸に沿って延在する通路を有する。１つの選択肢として、略円筒状表面は完全に通路内に配置されうる。別の選択肢として、１つ又は複数のリング磁石は軸方向に間隔をあけて配置することができ、製造中、プラズマからの光を見る又は受け取ることを所望する場合は有用となりうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、例えば図１４、２２、２３、３８、４０、４１、４６又は５２のいずれかに示されるようなリング磁石７５〜７８の少なくとも１つのＮ極及びＳ極はその対向する環状面とされうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場は少なくとも部分的に、
・動作位置にある際に中心凹部内に医療バレル略円筒状内部表面１６を有する少なくとも１つの内部リング磁石と、
・内部リング磁石のスタックと軸方向に整列しているがその外側にある少なくとも１つのキャップ磁石であって、キャップ磁石がリング磁石又は棒磁石のいずれかを含む、キャップ磁石と、のスタックにより提供されうる。
内部リング磁石は、医療バレル略円筒状内部表面１６に半径方向に隣接して、医療バレル略円筒状内部表面１６の軸方向に隣接するキャップ磁石によって提供される磁場強度よりも小さい第１の磁場強度を提供する。この構造は例えば図４１に示され、その他の図は同じ構造を提供するように適合されうる複数のリング磁石を示す。
任意選択的に、任意の実施形態においては、１つ又は複数の更なる磁石を、キャップ磁石と、例えば図４１に示される内部リング磁石のスタックとの間に配置できる。任意選択的に、任意の実施形態においては、図１７及び図２２に示されるように、リング磁石７３又は７４の少なくとも１つの極軸７９はリングの周りを周方向に取り巻きうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、図１７及び図２２に示されるように、リング磁石７３又は７４の少なくとも１つの周縁は複数のＮ−Ｓ極ドメインを含みうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、図４〜６、２１、２５、３８〜４０、４５又は５３に示されるように、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、四重極又は類似構造を提供するため、偶数の少なくとも４つの磁場発生器６１〜６４又は６１ａ〜６４ａが軸線を中心に配置されうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場発生器は、四重極又は類似構造を提供する有効位置と、磁場発生器が四重極又は類似構造を提供しない非機能位置との間において相対的に移動可能とされうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、四重極及び医療バレルは略円筒状内側表面１４を通る軸線に対して相対的に配置されうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、四重極は工作物表面の少なくとも一部又はその近傍にプラズマを少なくとも一部閉じ込めるのに効果的とされうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向極軸を有する磁場発生器が、軸方向に離間した端部の少なくとも１つに又はその近傍に配置されうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向極軸を有する磁場発生器が、軸方向に離間した端部の両方に又はその近傍に配置されうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つがリング磁石とされうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つがキャップ磁石とされうる。任意選択的に、任意の実施形態においては、軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つが棒磁石とされうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プラズマ処理の少なくとも一部中の、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（例えば例えば６１〜７８又は８６〜９１、９３、９５、９７又は９９のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が略円筒状内部表面１６の周りを回転することができるか、あるいは、表面が１つ、１つより多い又は全ての磁場発生器に対して回転することができる、あるいは、双方とも回転することができる。これは例えば図４〜６、１９〜２８及び３７〜４６の実施形態に示される又は図４〜６、１９〜２８及び３７〜４６の実施形態において使用できる。
特に図１９を参照すると、磁石の外周部内におけるＰＥＣＶＤ皮膜又は層の堆積の均一性を向上させるため、図示される四重極アレイは例えば１０〜１０００ｒｐｍ、あるいは４０〜２００ｒｐｍで回転させることができる。例えば、４７ｒｐｍの回転速度を使用し成功したが、均一性を向上させるためには４７ｒｐｍよりも高速の回転が考えられる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、実施例に示されるように、少なくとも１つの磁場発生器、略円筒状内側表面もしくはその両方は、平均磁場強度の均一性、密度もしくはその両方を向上させる、又は略円筒状内側表面の周縁周りにおける工作物加熱の均一性を向上させる、工作物加熱の強度を低減する、もしくはその両方にとって効果的な速度で回転することができる。任意選択的に、任意の実施形態においては、回転は同心とすることも偏心とすることもできる。同心回転、又は接近した間隔で周方向に配置された磁場発生器、又は種々の発生器によって発生した均一な磁場強度、又はこれら２つ以上の任意の組み合わせは、同時に、表面全体のより均一な処理を提供すると考えられうる。その一方で、偏心回転、又はより広い間隔で周方向に配置された磁場発生器、又は磁場発生器の磁気強度の変化、又はこれら２つ以上の任意の組み合わせは、被処理表面の周縁周りの任意の特定箇所における磁場強度及び加熱を周期的に増加及び減少し、磁気エネルギーのより強度の高い印加の間に、周縁周りの特定箇所にいくらかの冷却時間を付与すると考えられうる。
磁場発生器の回転の代わりに又は加えて、プラズマ処理の少なくとも一部中に、略円筒状内側表面を１つ、１つより多い又は全ての磁場発生器に対して回転させることができる、又は双方ともを回転させることができる。これは例えば図４〜６、１９〜２８及び３７〜４６の実施形態に示される又は図４〜６、１９〜２８及び３７〜４６の実施形態において使用可能である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、工作物加熱の均一性を略円筒状内側表面の軸線に沿って向上させるのに効果的な速度で、磁場発生器の少なくとも１つが、例えば、略円筒状内側表面に沿って軸方向に並進できる（直線で移動する）、又は略円筒状内側表面が磁場発生器に対して並進できる、又は双方ともが並進できる。例えば図４〜６、９、９ａ〜１３、１９〜２８及び３７〜４６の実施形態は磁場発生器、ゆえに磁場を並進させつつ動作できる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場発生器として用いられるコイルのアレイはコイル又は工作物の物理的運動なく工作物周囲の磁場を移動するように励磁されうる。例えば、８つのソレノイドの列の軸線が半径方向に配向された状態で中心周りに四重極を形成するように配置された８つのソレノイドの列は各コイルの位相がコイルの左ではコイルに４５度先行し、コイルの右ではコイルに４５度遅れる交流で励磁されうる。位相が変化すると、結果は、隣接する磁石が逆方向の定直流電流によって励磁される同じ四重極をその中心周りにおいて回転させることにより得られるものに類似する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、ＰＥＣＶＤパラメータは、送込管と、医療バレルの壁又はＰＥＣＶＤが施される他の部分との間の距離が、
・デバイ距離を超える、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも２倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも３倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも４倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも５倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも６倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも７倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも８倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも９倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも１０倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも２０倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも３０倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも４０倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも５０倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも６０倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも７０倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも８０倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも９０倍、
・任意選択的にデバイ距離の少なくとも１００倍
であるように制御される。
デバイ距離は次式によって定義される：
Figure 0006382830
 式中、λDはデバイ距離、
ε0は自由空間の誘電率、
ｋBはボルツマン定数、
ｑeは電子の電荷、
Ｔe及びＴiはそれぞれ電子の温度及びイオンの温度、
ｎeは電子の密度、
ｎｉｊは陽イオン電荷ｊｑeを持つ原子種ｉの密度
である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プラズマ改質の均一性は、皮膜又は層厚さの１つの標準偏差を分子とし、平均皮膜又は層厚さを分母とした比率として表すことができ、この比率は、０．６９未満、あるいは０．６９〜０．０１、あるいは０．６９〜０．０５、あるいは０．６６〜０．１、あるいは０．６６〜０．２、あるいは０．６６〜０．２１、あるいは０．６未満、あるいは０．６〜０．０１、あるいは０．６〜０．０５、あるいは０．６〜０．１、あるいは０．６〜０．２、あるいは０．６〜０．２１、あるいは０．５未満、あるいは０．５〜０．０１、あるいは０．５〜０．０５、あるいは０．５〜０．１、あるいは０．５〜０．２、あるいは０．５〜０．２１、あるいは０．４未満、あるいは０．４〜０．０１、あるいは０．４〜０．０５、あるいは０．４〜０．１、あるいは０．４〜０．２、あるいは０．４〜０．２１、あるいは０．３未満、あるいは０．３〜０．０１、あるいは０．３〜０．０５、あるいは０．３〜０．１、あるいは０．３〜０．２、あるいは０．３〜０．２１とされうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プラズマ改質は、１〜１０００ｎｍの平均厚さ、及び１９０ｎｍ未満、あるいは１９０〜１０ｎｍ、あるいは１９０〜２０ｎｍ、あるいは１９０〜３０ｎｍ、あるいは１９０〜４０ｎｍ、あるいは１９０〜５０ｎｍ、あるいは１９０〜６０ｎｍ、あるいは１９０〜７０ｎｍ、あるいは１９０〜８０ｎｍ、あるいは１６１ｎｍ未満、あるいは１６０〜１０ｎｍ、あるいは１６０〜２０ｎｍ、あるいは１６０〜３０ｎｍ、あるいは１６０〜４０ｎｍ、あるいは１６０〜５０ｎｍ、あるいは１６０〜６０ｎｍ、あるいは１６０〜７０ｎｍ、あるいは１６０〜８０ｎｍ、あるいは１４０ｎｍ未満、あるいは１４０〜１０ｎｍ、あるいは１４０〜２０ｎｍ、あるいは１４０〜３０ｎｍ、あるいは１４０〜４０ｎｍ、あるいは１４０〜５０ｎｍ、あるいは１４０〜６０ｎｍ、あるいは１４０〜７０ｎｍ、あるいは１４０〜８０ｎｍ、あるいは１２２ｎｍ未満、あるいは１２０〜１０ｎｍ、あるいは１２０〜２０ｎｍ、あるいは１２０〜３０ｎｍ、あるいは１２０〜４０ｎｍ、あるいは１２０〜５０ｎｍ、あるいは１２０〜６０ｎｍ、あるいは１２０〜７０ｎｍ、あるいは１２０〜８０ｎｍ、あるいは１００ｎｍ未満、あるいは１００〜１０ｎｍ、あるいは１００〜２０ｎｍ、あるいは１００〜３０ｎｍ、あるいは１００〜４０ｎｍ、あるいは１００〜５０ｎｍ、あるいは１００〜６０ｎｍ、あるいは１００〜７０ｎｍ、あるいは１００〜８０ｎｍ、あるいは８０ｎｍ未満，あるいは８０〜１０ｎｍ、あるいは８０〜２０ｎｍ、あるいは８０〜３０ｎｍ、あるいは８０〜４０ｎｍ、あるいは８０〜５０ｎｍ、あるいは８０〜６０ｎｍ、あるいは８０〜７０ｎｍの標準偏差を有する皮膜又は層の塗布とされうる。
磁気処理装置
工作物支持器１１４上に支持された工作物１２を磁場の存在下でプラズマ改質するための任意の実施形態において使用可能な装置の更なる詳細を例えば図４〜６、９〜１１、１９〜２８、３７〜３９、５５〜６１及び６３〜７０に示す。当該装置は、工作物１２を装置、プラズマ発生器及び磁場発生器内に保持するための工作物支持器１１４を含む。プラズマ発生器は、ここでは、１０８などの内部電極（任意選択的に、例えば特徴１２０〜１４２のいずれかを更に含む）と、１６０などの外部電極と、電源１６２と、ガス送達ポート１１０を通じて供給する材料と、を含む。図４〜５の磁場発生器は、任意選択的に、例えば磁石６１、６２、６３及び６４のいずれかとすることができる（あるいは各実施形態においては、例えば磁石６１〜７８、コイル８６〜９９又は電極１０７もしくは１０９のいずれかを例えば含む）。
任意の実施形態において使用される工作物１２は、任意選択的に、略円筒状内部表面１６によって囲まれた内腔１８を有する。略円筒状内部表面１６の少なくとも一部、ここでは実質的に略円筒状内部表面１６の全体が被処理表面を画定しうる。
プラズマ発生器は、工作物支持器１１４上に支持された工作物１２の内腔１８内に、工作物１２の略円筒状内部表面１６のプラズマ改質に効果的な条件下でプラズマを提供するために使用されうる。
磁場発生器は、工作物支持器１１４上に支持された工作物１２の内腔１８の少なくとも一部内に磁場を提供するために使用されうる。生じた磁場は、略円筒状内部表面１６の略円筒状内部表面１６のプラズマ改質の均一性、密度又はその両方を向上させるのに効果的な配向及び場の強度を有しうる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、ソレノイド８６の内部部分８１は内部巻線８９とされうる。励磁された際により強い磁場を提供する端部部分８６又は８７の少なくとも１つは別個の外部巻線９７又は９９とされうる。例えば、巻線が励磁されうる際、内部巻線８９には、別個の外部巻線９７又は９９よりも低いアンペア数を提供できる、あるいは、内部巻線８９は外部巻線９７又は９９よりも少ない軸線１ｃｍあたりの合計巻数を有しうる。
より特定の、非限定的例としては、ソレノイドは、内部部分８１並びに第１及び第２の対向端部部分８６及び８７に沿って延在する単一巻線を有しうる。巻線は、内部部分８１よりも第１及び第２の対向端部部分８６及び８７又はその近傍においてより多くの軸線１ｃｍあたりの巻を有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場発生器は以下の性能を個々に又は組み合わせにおいて提供するように調整することができる。材料供給管１０４は、磁場発生器（例えば例えば６１〜７８又は８６〜９１、９３、９５、９７、９９又は８２０〜８３２のいずれか）によって提供される磁場と工作物支持器１１４とに対して回転させることができる。磁場発生器によって提供される磁場は材料供給管と作物支持器とに対して回転させることができる。工作物支持器は材料供給管と磁場発生器によって提供される磁場とに対して回転させることができる。材料供給管と、磁場発生器によって提供される磁場は、工作物支持器に対して同じ又は異なる回転速度及び方向で回転させることができる。磁場発生器によって提供される磁場と、工作物支持器は、材料供給管に対して同じ又は異なる回転速度及び方向で回転させることができる。材料供給管及び工作物支持器は、磁場発生器によって提供される磁場に対して同じ又は異なる回転速度及び方向で回転させることができる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プラズマ特性を測定するための装置が提供されうる。一例として、光学検出器３５０、例えばカメラが提供されうるとともに、コンテナ内のプラズマが不均一プラズマのストリーマに対しコンテナの露出部分を均一なプラズマで完全に充満するものを含むか否かを示すように構成されうる。別の例として、プラズマスペクトルの均一性を決定するための発光分光分析装置が提供されうる。更に別の例として、プラズマに供給される電流の均一性を決定するためのロゴスキーコイル３５２が内部電極又はその電源導体の周囲に配置されうる。更に別の例として、プラズマの電子温度を測定するためのラングミュアプローブ３５４が提供されうる。プローブ３５４は、内部電極１０８に取り付けるか、別個の部品又はシステムとして提供されるかのいずれかとされうる。
流体物質
任意選択的に、図７〜８、２９、３６及び４８〜５１のいずれかの実施形態においては、薬剤又はその他の流体パッケージ内に収容された流体物質４０は、５〜６、任意選択的に６〜７、任意選択的に７〜８、任意選択的に８〜９、任意選択的に６．５及び７．５、任意選択的に７．５〜８．５、任意選択的に８．５〜９のｐＨを有しうる。
任意選択的に、図７〜８及び２９のいずれかの実施形態においては、流体物質４０は２０℃であり、７６０ｍｍＨｇの圧力と定義される海面大気圧の液体とされうる。
任意選択的に、図７〜８及び２９のいずれかの実施形態においては、流体物質４０は水性液体とされうる。
任意選択的に、図７〜８及び２９のいずれかの実施形態においては、流体物質４０は、本明細書において後に示す薬物の２つ以上の要素又は組み合わせを含む。
いくつかの例として、流体物質４０は、吸入麻酔薬、薬物又は診断検査材料とされうる。これら流体物質４０のいずれかは、注射可能物質、吸入することが可能な、又はそうでなければ患者に導入することが可能な揮散物質とされうる。
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層のその他の用途
本明細書中に記載される不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を備えた容器は、また、真空排気することができ、且つ真空排気した状態で保管されうる。例えば、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、対応する、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層のない容器と比べて真空のより良好な維持を可能にする。この実施形態の一態様においては、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を有する容器は採血管とされうる。管は、また、血液凝固又は血小板活性化を防止するための薬剤、例えば、ＥＤＴＡ又はへパリンを含みうる。
更に別の実施形態は、本明細書中のいずれかの実施形態において定義された基材上の、本明細書中のいずれかの実施形態において定義された不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を有する容器を含む医療又は診断キットとされうる。任意選択的に、キットは、付加的に、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を有する容器内に皮膜又は層と接触して収容された、本明細書中のいずれかの実施形態において定義された薬剤又は診断用薬及び／又は皮下針、両頭針又は他の送達導管及び／又は取扱説明書を含む。
皮膜又は層と接触している化合物又は組成物の成分の沈殿及び／又は凝固又は血小板活性化を防止又は低減するために、記載したいずれかの実施形態による不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の使用が企図される。
インスリンを保管するために、記載したいずれかの実施形態による被覆基材の使用が企図される。１つの選択肢として、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を含む接触面を有する、インスリンを収容するための容器を用意することによりインスリンの沈殿が防止又は低減されうる。
別の選択肢として、化合物又は組成物の成分は血液又は血液分画とすることができ、血液を採血管内に不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層と接触させて保管することにより血液凝固又は血小板活性化を防止又は低減することができる。任意選択的に、採血管は、血液凝固又は血小板活性化を防止するための薬剤、例えば、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、そのナトリウム塩、又はへパリン、を含みうる。採血管は、薬剤が容器内のＳｉＯxバリア皮膜又は層を攻撃するのを防止するために不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を含みうる。血液を保管するために、記載したいずれかの実施形態による被覆基材の使用が企図される。任意選択的に、保管された血液は患者の血管系に戻すために生存可能（ｖｉａｂｌｅ）とされうる。
（ｉ）非被覆表面に比べてより低い摩擦抵抗を有する滑性皮膜もしくは層、及び／又は（ｉｉ）流体と接触しているバリア皮膜又は層の溶解を防止する不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層、及び／又は（ｉｉｉ）非被覆表面よりも更に疎水性とされうる疎水性皮膜もしくは層としての、記載したいずれかの実施形態による皮膜又は層の使用が企図されうる。
任意選択的な実施形態
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層（３４）は、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）と第２部分（８０２）との間おいて厚さの変化を有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、第１部分（８００）の滑性皮膜又は層（３４）の最小平均厚さは０ｎｍであり、滑性皮膜又は層（３４）の最大平均厚さは、第２部分（８０２）の滑性皮膜又は層（３４）の平均厚さの０．８倍、任意選択的に０．７倍、任意選択的に０．６倍、任意選択的に０．５倍、任意選択的に０．４倍、任意選択的に０．３倍、任意選択的に０．２倍、任意選択的に０．１倍、任意選択的に０．０９倍、任意選択的に０．０８倍、任意選択的に０．０７倍、任意選択的に０．０６倍、任意選択的に０．０５倍、任意選択的に０．０４倍、任意選択的に０．０３倍、任意選択的に０．０２倍、任意選択的に０．０１倍である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、略円筒状内部表面１６の第３部分は、略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）と、医療バレル又はカートリッジ（１４）の後端部（３２）との間に提供される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）が略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）の後端よりも小さな内径を有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プランジャ又はピストン（３６）が静止姿勢にある状態での２週間の保管後、プランジャ又はピストン（３６）の、その静止姿勢からの解放力（Ｆｉ）は、１２Ｎ未満、あるいは１０Ｎ未満、あるいは８Ｎ未満、あるいは６Ｎ未満、あるいは４Ｎ未満である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プランジャ又はピストン（３６）が静止姿勢にある状態での２週間の保管後、プランジャ又はピストン（３６）の、その静止姿勢からの解放力（Ｆｉ）は少なくとも３Ｎである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プランジャ又はピストン（３６）の維持力（Ｆｍ）は２〜８Ｎである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層（３４）からの溶解Ｓｉ溶出物は１０マイクログラム未満、あるいは５マイクログラム未満、あるいは４マイクログラム未満、あるいは３マイクログラム未満である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層（３４）からの溶解Ｓｉ溶出物は２マイクログラム超である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、水性媒体を用いて滑性皮膜又は層（３４）からガスクロマトグラフィ及びマススペクトロスコピーによって抽出された直鎖シロキサン及び環式シロキサンは、１グラムあたり１０未満、あるいは１マイクログラム未満、あるいは０．７マイクログラム未満、あるいは０．０８マイクログラム未満であり、任意選択的に、被覆プラスチック部品の水性溶出物（ａｑｕｅｏｕｓ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ）の検出限界を下回る。
任意選択的に、任意の実施形態においては、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）は実質的に滑性皮膜又は層材料を含まない。
任意選択的に、任意の実施形態においては、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）は検出可能な滑性皮膜又は層材料を含まない。
任意選択的に、任意の実施形態においては、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）は、０°〜１°未満、任意選択的に０〜０．５°、任意選択的に０°〜０．２５°、任意選択的に０°〜０．１６°、任意選択的に０°〜０．０３°、任意選択的に０°〜０．０１４°、任意選択的に０°〜０．０１°の抜け勾配を有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、略円筒状内部表面１６が第２部分（８０２）と後端部（３２）との間に第３部分を有し、第３部分は、第２部分（８０２）の後端に隣接する前端と、後端と、を有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、略円筒状内部表面１６の第３部分は、ＰＥＣＶＤによって塗布された滑性皮膜又は層（３４）を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、略円筒状内部表面１６は、ポリカーボネート、オレフィン重合体（例えばポリプロピレン（ＰＰ）又はポリエチレン（ＰＥ））、環式オレフィン共重合体（ＣＯＣ）、環式オレフィン重合体（ＣＯＰ）、ポリメチルペンテン、ポリエステル（例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、又はポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ））、ＰＶｄＣ（ポリ塩化ビニリデン）、塩化ビニル、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリカーボネート、ポリ乳酸、ポリスチレン、水素化ポリスチレン、ポリ（シクロヘキシルエチレン）（ＰＣＨＥ）、エポキシ樹脂、ナイロン、ポリウレタン、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、アイオノマー樹脂（例えばＳｕｒｌｙｎ（登録商標））、ガラス（例えばホウケイ酸ガラス）、又はこれら任意の２つ以上の組み合わせを含み、好ましくは、環式オレフィン重合体、ポリエチレンテレフタレート又はポリプロピレンを含み、より好ましくはＣＯＰを含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層（３４）は、ＸＰＳにより測定された、ｘが約０．５〜約２．４、ｙが約０．６〜約３である原子比率ＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層（３４）は、ＳｉＯxＣyからＳｉＯxへの、又はその逆の段階的複合物（ｇｒａｄｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層（３４）は、１〜５０００ｎｍ、好ましくは３０〜１０００ｎｍ、より好ましくは１００〜５００ｎｍの平均厚さを有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、皮膜又は層の平均厚さは分光反射率により決定される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層（３４）は、
（ｉ）非被覆表面よりも低いぬれ張力、好ましくは２０〜７２ダイン／ｃｍのぬれ張力、より好ましくは３０〜６０ダイン／ｃｍのぬれ張力、より好ましくは３０〜４０ダイン／ｃｍ、好ましくは３４ダイン／ｃｍのぬれ張力を有する、及び／又は、
（ｉｉ）非被覆表面に比べてより疎水性である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、薬剤組成物は、生物学的に活性の化合物もしくは組成物又は生物学的流体、好ましくは（ｉ）クエン酸塩もしくはクエン酸塩含有組成物、（ｉｉ）薬剤、特にインスリンもしくはインスリン含有組成物、又は（ｉｉｉ）血液もしくは血球を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、１週間後、プランジャ開始力Ｆｉは２．５〜１５Ｎであり、プランジャ維持力Ｆｍは２．５〜２５Ｎである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、バリア皮膜又は層が少なくとも略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）上に提供される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、バリア皮膜又は層は、ＸＰＳにより測定された、ｘが１．５〜２．９であるＳｉＯxを含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、バリア皮膜又は層は厚さ２〜１０００ｎｍ、任意選択的に厚さ２０〜３００ｎｍである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、バリア皮膜又は層の有機ケイ素前駆体は直鎖シロキサン、好ましくはＨＭＤＳＯ又はＴＭＤＳＯである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、結合皮膜又は層が少なくとも略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）上に提供される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、接着皮膜もしくは層又は結合皮膜もしくは層（同じ層に対する２つの異なる用語）は、ＸＰＳにより測定された、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、結合皮膜又は層は厚さ２〜１０００ｎｍである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、結合皮膜又は層の有機ケイ素前駆体はシロキサン、好ましくはＯＭＣＴＳ又はＴＭＤＳＯである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、ｐＨ保護皮膜又は層は略円筒状内部表面１６の少なくとも第１部分上に提供される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、ｐＨ保護皮膜又は層は、ＸＰＳにより測定された、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、ｐＨ保護皮膜又は層は厚さ２〜１０００ｎｍである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、疎水性皮膜又は層が少なくとも略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）上に提供される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、疎水性皮膜又は層は、ＸＰＳにより測定された、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、疎水性皮膜又は層は厚さ２〜１０００ｎｍである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、疎水性皮膜又は層の有機ケイ素前駆体は直鎖シロキサン、好ましくはＯＭＣＴＳ又はＴＭＤＳＯである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、結合皮膜又は層、バリア皮膜又は層及びｐＨ保護皮膜又は層が略円筒状内部表面１６の少なくとも第１部分上に提供される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層（３４）は結合皮膜又は層、バリア皮膜又は層及びｐＨ保護皮膜又は層上を覆う。
任意選択的に、任意の実施形態においては、より大きな平均厚さを有する滑性皮膜又は層（３４）を略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）上に堆積するのに効果的な条件は、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）に塗布される滑性皮膜又は層（３４）の厚さを、略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に塗布される滑性皮膜又は層（３４）の厚さに対して低減するほどの十分に低い電力レベルでの電磁エネルギー印加を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プラズマ中で前駆体ガス（５８８）の一部の化学反応が進み、反応生成物が形成され、より大きな平均厚さを有する滑性皮膜又は層（３４）を略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）上に堆積するのに効果的な条件は、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）の後端部（３２）を通じて反応生成物を排出することを含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、前駆体ガス（５８８）は、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン、又はこれら前駆体の任意の２つ以上の組み合わせ；任意選択的に単環シロキサン、任意選択的にオクタメチルシクロテトラシロキサン；任意選択的に直鎖シロキサン、任意選択的にテトラメチルジシロキサンを含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）の公称容量は０．１〜５ｍＬ、任意選択的に０．５〜３ｍＬ、任意選択的に０．７〜２ｍＬ、任意選択的に１ｍＬである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、０．５ワットの最小電力レベル〜１５ワットの最大電力レベルで電磁エネルギーが印加される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、０．６ワット、任意選択的に０．７ワット、任意選択的に０．８ワット、任意選択的に０．９ワット、任意選択的に１ワット、任意選択的に２ワットの最小電力レベルで電磁エネルギーが印加される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、３ワット、任意選択的に４ワット、任意選択的に５ワット、任意選択的に６ワット、任意選択的に７ワット、任意選択的に８ワット、任意選択的に９ワット、任意選択的に１０ワットの最大電力で電磁エネルギーが印加される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層（３４）が略円筒状内部表面１６にＰＥＣＶＤによって塗布される間、滑性皮膜又は層（３４）を堆積する際に略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に存在する正味平均磁場強度が、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）の平均磁場強度より強く、任意選択的に少なくとも２倍、任意選択的に少なくとも５倍、任意選択的に少なくとも１０倍、任意選択的に少なくとも２０倍、任意選択的に少なくとも３０倍、任意選択的に少なくとも４０倍、任意選択的に５０倍、任意選択的に１００倍、任意選択的に２００倍、任意選択的に５００倍であるように略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に磁場が印加される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層（３４）が略円筒状内部表面１６にＰＥＣＶＤによって塗布される間、略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に滑性皮膜又は層（３４）を堆積する際の最小平均磁場強度（ガウス）は１ガウス超（１００μＴ、マイクロテスラ）、任意選択的に少なくとも２ガウス、任意選択的に少なくとも５ガウス、任意選択的に少なくとも１０ガウス、任意選択的に少なくとも１５ガウス、任意選択的に少なくとも２０ガウス、任意選択的に少なくとも２５ガウス、任意選択的に少なくとも３０ガウス、任意選択的に少なくとも３５ガウス、任意選択的に少なくとも４０ガウスである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層（３４）が略円筒状内部表面１６にＰＥＣＶＤによって塗布される間、略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に滑性皮膜又は層（３４）を堆積する際の最大平均磁場強度（ガウス）は１００ガウス（１０，０００μＴ、マイクロテスラ）、任意選択的に８０ガウス、任意選択的に６０ガウス、任意選択的に５０ガウス、任意選択的に４５ガウスである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場は、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの表面のプラズマ改質の均一性、密度又はその両方を向上させるのに効果的な位置、配向，及び場の強度を有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場は、表面の少なくとも一部におけるプラズマ分布の軸方向均一性、密度又はその両方を向上させる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、表面の少なくとも一部におけるプラズマ分布の半径方向均一性、密度又はその両方を向上させる磁場を提供する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プラズマはプラズマ電子を含み、且つ磁場は内腔（１８）におけるプラズマ電子の閉じ込めを向上させるのに効果的である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場は、磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも３つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも４つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも５つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも６つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも７つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも８つの磁場発生器を表面近傍に設けることによって提供され、各磁場発生器が、極軸（８０）を画定する第１の極と、第２の極と、を有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器は表面の軸線に略平行な極軸を有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器は動作位置において表面の周りに周方向に分配されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）は表面に対して軸方向に延在する極軸を有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、ＰＥＣＶＤ中、磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）は静止したままである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つ（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器は、隣接する磁場発生器から実質的に周方向等距離にある。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器は、プラズマ処理の少なくとも一部中に、表面の周りを回転する、又は表面が磁場発生器に対して回転する、又はその両方である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）は永久磁石又はコイル又は少なくとも１つの永久磁石と少なくとも１つのコイルとの組み合わせである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、２つ以上の磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が間隔をあけて配置され、それらの間に凹部を画定し、当該凹部内に、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの表面の少なくとも一部が配置される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、医療バレル、オートインジェクタカートリッジもしくは類似のデバイス表面又はその両方は、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の周縁周りを平均磁場強度の均一性、密度又はその両方を向上させるのに効果的な速度で回転する。より広くは、磁場発生器の少なくとも１つ又は略円筒状表面はその他に対して回転する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、医療バレル、オートインジェクタカートリッジもしくは類似のデバイス表面又はその両方は、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの加熱の均一性を向上させる、強さを低減する、又はその両方に効果的な速度で医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の周縁周りを回転する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの加熱の均一性を向上させるのに効果的な速度で、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の軸線に沿って磁場発生器の少なくとも１つ（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）を医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面に沿って軸方向に並進させる、又は医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面を磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）に対して並進させる、又はその両方である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つ（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器は略円筒状表面に対して軸方向に積み重ねられる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向に積み重ねられた磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）の少なくとも２つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての軸方向に積み重ねられた磁場発生器は互いに軸方向に間隔をあけて配置されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向に積み重ねられた磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）の少なくとも２つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての軸方向に積み重ねられた磁場発生器は互いに軸方向に当接している。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）は、少なくとも１つのコイルを表面近傍に配置し、コイルに電流を通すことによって提供される。任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つのコイルがソレノイドコイルを含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つのコイルは、中心開口部と、その中心開口部を通る幾何学的軸線と、を有する略トロイダルコイル８又は９を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、略トロイダルコイル８又は９はその幾何学的軸線が表面の軸線と少なくともほぼ平行に、任意選択的に少なくともほぼ同一線上にある状態で配向される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、略トロイダルコイル８又は９は少なくとも２つの円弧部分、任意選択的に少なくとも４つの円弧部分、任意選択的に少なくとも６つの円弧部分、任意選択的に少なくとも８つの円弧部分、任意選択的に少なくとも８つの４５°円弧部分を有し、交互部分は反対方向に巻かれる。
任意選択的に、任意の実施形態においては、略トロイダルコイルが実質的に円形又は実質的に矩形の断面を有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）はその極軸（８０）が表面の軸線に少なくとも略平行な状態で配向される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）は、その極軸（８０）が表面の軸線と少なくともほぼ同一線上にある状態で配向される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）はその極軸（８０）に沿って延在する通路を有し、表面が完全に当該通路内に配置される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）はヘルムホルツコイルである。
任意選択的に、任意の実施形態においては、ヘルムホルツコイルが、第１及び第２の間隔をあけて配置されたソレノイドコイルを含み、それらの間に、方法の進行中にプラズマを見ることを可能にする視界窓を提供するスペースを有する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）は、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面に沿って変化する場の強度を提供する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の少なくとも一部は略円筒状である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）と、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面との間の距離は、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面に沿って変化する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、場の強度は医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面に沿って変化し、変化する場の強度のプロファイルを画定する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、プラズマを提供し且つ磁場を提供しない時間の少なくとも一部において、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの表面のプラズマ改質は医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面に沿って変化し、変化するプラズマ改質のプロファイルを画定する。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）は、場の強度のプロファイルの変化がプラズマ改質の変化を相殺する傾向があり、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの表面のプラズマ改質の均一性、密度又はその両方を向上させるように構成されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）の後端部（３２）又はその近傍に電子ミラーを提供することが提供される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、電子ミラーを提供する構造は磁場発生器の少なくとも一部を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、電子ミラーを提供する構造は強磁性体又は強磁性材料を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、電子ミラーを提供する構造は磁場発生器を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、電子ミラーを提供する構造は、負に荷電した物体又は物体の一部を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、内腔（１８）の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部が、その極軸（８０）が被処理表面の軸線に略平行な状態で配向される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、内腔（１８）の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部は、その極軸（８０）が被処理表面の軸線の周りに延在する状態で配向される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、内腔（１８）の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部は、その極軸（８０）が被処理表面に対してほぼ半径方向面内に延在する状態で配向される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は極軸（８０）を画定する対向する第１の極及び第２の極（８２２、８２４）を有する永久磁石（例えば６１〜７８又は８２０のいずれか）であり、第１端部及び第２端部はそれぞれ第１の極及び第２の極に相当し、永久磁石は、第１の極（８２２）から第２の極（８２４）まで延在する１つ又は複数の側部（８２０）を有し、少なくとも１つの側部（８２６）は第１の極（８２２）と第２の極（８２４）との間において内方向にテーパ状になっている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器の第２端部（８２４）は第１端部（８２２）よりも大きい。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は略円錐形、切頭円錐形、角錐形又は切頭角錐形である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は丸みのある小さな端部（８２２）を有する略円錐形である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（８２０）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は、小さな端部（８２２）が半径方向内側に配置され、大きな端部（８２４）が半径方向外側に配置されたリング形アレイ（８３４）にて配向されている。これは、内腔の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部を、その極軸が被処理略円筒状表面に対してほぼ半径方向面内に延在する状態で配向されるを配向する任意の実施の一例である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は、同じ符号（Ｎ又はＳ）の極が半径方向内側に配置され、第１端部が半径方向外側に配置された状態で配向されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器はＮ極が半径方向内側に配置された状態で配向されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器はＳ極が半径方向内側に配置された状態で配向されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は棒磁石である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、少なくとも１つの磁場発生器（７３〜７８のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面を受容するような大きさの中心孔を有するリング磁石である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、リング磁石（７３〜７８のいずれか）の少なくとも１つのＮ極及び第２の極がその対向する環状面である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場が少なくとも部分的に、
・動作位置にある際、中心凹部内に医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面を有する少なくとも１つの内部リング磁石（７３〜７８のいずれか）と、
・内部リング磁石のスタックと軸方向に整列しているが、その外側にある少なくとも１つのキャップ磁石（６５〜７８又は８２０のいずれか）であって、
・内部リング磁石が、キャップ磁石によって提供される、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の軸方向近傍の磁場強度よりも小さい、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の半径方向近傍の第１の磁場強度を提供する、内部リング磁石と、
・任意選択的にキャップ磁石と、内部リング磁石のスタックとの間に配置される１つ又は複数の更なる磁石と、
のスタックによって提供される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、リング磁石（７３〜７８）の少なくとも１つの極軸（８０）はリングの周りを周方向に取り巻く。
任意選択的に、任意の実施形態においては、リング磁石の少なくとも１つの周縁（７３〜７８）が複数のＮ−第２の極ドメインを含む、
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、偶数の少なくとも４つの磁場発生器（６１、６２）が軸線を中心に配置され、軸方向に離間した端部間に四重極又は類似構造を提供する。これは、内腔の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部を、その極軸が被処理略円筒状表面に対してほぼ半径方向面内に延在する状態で配向する任意の実施の一例である。任意選択的に、磁場発生器の少なくとも２つが、交流磁場発生器がその極軸を反転して配向された状態で略円筒状表面の軸線を中心として周方向に分配されている。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場発生器は有効位置（８３４）と非機能位置（８３４ａ）との間において相対的に移動可能である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、四重極及び医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスは、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面を通る軸線に対して相対的に配置される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、四重極は、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の少なくとも一部又はその近傍にプラズマを少なくとも一部閉じ込めるのに効果的である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向極軸（８０）を有する磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が軸方向に離間した端部の少なくとも１つ又はその近傍に配置される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向極軸を有する磁場発生器は、軸方向に離間した端部の両方又はその近傍に配置される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つはリング磁石を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つはキャップ磁石を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つは棒磁石を含む。
任意選択的に、任意の実施形態においては、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）のＦｉ値の最適化はその略円筒状内部表面１６の内径を選択することにより最適化される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）のＦｍ値はその略円筒状内部表面１６の内径を選択することにより最適化される。
任意選択的に、任意の実施形態においては、流体組成物（４０）は、本明細書に記載されるもののいずれかなどの、ヒトへの非経口投与に適した薬剤組成物である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、流体組成物（４０）は、本明細書に記載されるもののいずれかなどの診断用組成物である。
任意選択的に、任意の実施形態においては、流体組成物（４０）は、本明細書に記載されるもののいずれかなどの、ヒトへの投与に適した麻酔用組成物である。
皮膜又は層厚さの測定
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層、バリア皮膜又は層、滑性皮膜又は層及び／又はこれら皮膜もしくは層の任意の２つ以上の組み合わせなどのＰＥＣＶＤ皮膜又は層の厚さは、例えば、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）又は分光反射器の使用により測定されうる。
ＴＥＭは、例えば、以下のように実施されうる。２方向の断面を取る（ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎｉｎｇ ｉｎ ｔｗｏ ｗａｙｓ）集束イオンビーム（ＦＩＢ）用にサンプルが用意されうる。いずれのサンプルもＫ５７５Ｘ Ｅｍｉｔｅｃｈシステムを使用して炭素の薄層（厚さ５０〜１００ｎｍ）でまず被覆され、その後、スパッタリングされた白金の皮膜又は層（厚さ５０〜１００ｎｍ）で被覆されうる。あるいは、サンプルはスパッタリングされたＰｔ層で直接被覆されうる。被覆されたサンプルはＦＥＩ ＦＩＢ２００ ＦＩＢシステム内に配置されうる。３０ｋＶガリウムイオンビームを対象の領域上にラスターする間、白金の追加皮膜又は層が有機金属ガスの注入によってＦＩＢ堆積されうる。各サンプルの対象領域は、医療バレルの長さの半分の位置になるように選択されうる。長さ約１５μｍ（「マイクロメートル」）、幅２μｍ及び深さ１５μｍの寸法の薄い断面はダイ表面からその場でＦＩＢリフトアウト法を使用して抽出されうる。断面は２００メッシュ銅製ＴＥＭグリッドにＦＩＢ堆積した白金を使用して取り付けられうる。幅約８μｍの寸法の、各断面内の１つ又は２つの窓はＦＥＩ ＦＩＢのガリウムイオンビームを使用して電子透かしになるまで薄くされうる。
調製したサンプルの断面画像分析は透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）又は走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）のいずれか又は両方を利用して実施することができる。全画像化データはデジタル方式で記録されうる。ＳＴＥＭ画像化のため、薄箔のグリッドをＳＴＥＭ専用のＨｉｔａｃｈｉ ＨＤ２３００に移動する。走査透過電子画像は原子番号コントラストモード（ＺＣ）及び透過電子モード（ＴＥ）において適切な倍率で取得されうる。以下の機器設定が使用されうる。
Figure 0006382830
ＴＥＭ分析では、サンプルグリッドはＨｉｔａｃｈｉ ＨＦ２０００透過電子顕微鏡に送られうる。透過電子画像は適切な倍率で取得されうる。画像取得時に使用される関連機器設定は以下に記載するものとされうる。
Figure 0006382830
医療バレルを形成及び被覆するための基本プロトコル
後の実施例において試験される薬剤パッケージ又は他の容器は個々の実施例に特に定めのない限りは以下の例示的なプロトコルに従い形成及び被覆した。以下の基本プロトコルに記載される特定のパラメータ値、例えば、電力及び気体反応物又はプロセスガスフローは典型的な値である。これら典型的な値と比較してパラメータ値に変化があった場合、これは後の実施例において示される。気体反応物又はプロセスガスのタイプ及び組成にも同様のことが適用される。
場合によっては、以下のプロトコルにおいて言及される参照符号及び図、並びに更なる詳細については米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されうる。
医療バレル内部をＳｉＯxで被覆するためのプロトコル
医療バレル内部をＳｉＯxバリア皮膜又は層で被覆する又は積層するため、全般的に米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されているような装置及びプロトコルを使用し、場合によってはわずかな変更を加えるか磁場発生器を付加した。バイアルをＳｉＯxバリア皮膜又は層で被覆する又は積層するために同様の装置及びプロトコルを使用し、場合によってはわずかな変更を加えた。
医療バレル内部を不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層で被覆するためのプロトコル
前述のように、ＳｉＯxのバリア皮膜又は層で既に内部が被覆されている医療バレルは、実施例に記載するような特定例において変更した条件を用いること以外は、全般的に米国特許第７，９８５，１８８号明細書の滑性皮膜又は層を塗布するためのプロトコルに従い、前述の不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層で更に内部が被覆される。ここで記載する条件はＣＯＣ医療バレル用であり、他の材料から作製された医療バレル用に適宜変更することができる。医療バレルの基部にある突き当てシーリング（ｂｕｔｔ ｓｅａｌｉｎｇ）により医療バレルを保持するために全体として図４に示されるような装置が使用されうる。
医療バレルは、延在するプローブ又はカウンター電極１０８上において密封位置に慎重に移動され、プラズマスクリーンに押し付けられる。プラズマスクリーンはプローブ又はカウンター電極１０８の周りにぴったりと嵌合し良好な電気接触を確保する。プローブ又はカウンター電極１０８はＲＦ整合ネットワークのケーシングに接地される。
ガス送達ポート１１０は、排出用の手動ボールバルブ又は類似の装置と、熱電対圧力計と、真空ポンピングラインに連結されたバイパスバルブとに連結される。加えて、ガスシステムがガス送達ポート１１０に連結され、気体反応物又はプロセスガスが（プロセス圧力下で）ガス送達ポート１１０を通じて医療バレルの内部に流される。
ＯＭＣＴＳ又は別の低沸点気体反応物もしくはプロセスガスが使用される場合、ガスシステムはＯＭＣＴＳを約１００℃まで加熱する市販の加熱式マスフロー気化システム（ｍａｓｓ ｆｌｏｗ ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）を含みうる。加熱式マスフロー気化システムは液体オクタメチルシクロテトラシロキサン（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ（登録商標）品番Ａ１２５４０、９８％）に連結される。前駆体流量は特定例において報告された特定有機ケイ素前駆体流に合わせて設定される。
医療バレルが配置されると、真空ポンプバルブは容器支持器５０及びＣＯＣ医療バレルの内部に対して開かれる。真空ポンプ及びブロワが真空ポンプシステムに含まれる。ポンピングシステムは、気体反応物又はプロセスガスが指示された速度で流れている間、ＣＯＣ医療バレルの内部の圧力（複数）が１００ｍＴｏｒｒ未満に低下することを可能にする。
ベース真空レベルが達成されると、容器支持器５０アセンブリは外部電極１６０アセンブリ内に移動される。ガスフロー（例えばＯＭＣＴＳ、ＨＭＤＳＯ又はＴＭＤＳＯ蒸気）がガス送達ポート１１０内に流される（３方弁をポンピングラインからガス送達ポート１１０に調節することによって。ＰＥＣＶＤ用のプラズマを使用する場合は減圧で発生させることができる。減圧は、３００ｍＴｏｒｒ未満、任意選択的に、２００ｍＴｏｒｒ未満、更に任意選択的に、１００ｍＴｏｒｒ未満とされうる。ＣＯＣ医療バレル内部の圧力は、ポンピングラインの真空を制御するバルブの近辺に配置された静電容量型圧力計（ＭＫＳ）により測定した場合、一例として、約１４０ｍＴｏｒｒとされうる。ＣＯＣ医療バレル圧力に加え、ガス送達ポート１１０及びガスシステム内部の圧力もまたガスシステムに接続された熱電対真空計によって測定される。この圧力は、通常、６Ｔｏｒｒ未満である。
ガスがＣＯＣ医療バレルの内部に流れると、ＲＦ電源がオンにされ、その一定の電力レベル又は特定例又は明細書に記載される別のレベルになる。不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の物理的及び化学的特性は、気体反応物中における酸化性ガスと有機ケイ素化合物前駆体の比率を設定することにより及び／又はプラズマを発生させるために使用される電力を設定することにより設定されうる。６００ワットＲＦ電源が（１３．５６ＭＨｚで）一定の電力レベル、又は特定例又は明細書に記載される別のレベルで使用される。ＲＦ電源は、プラズマの複素インピーダンス（容器内で形成される）をＲＦ電源の出力インピーダンスに整合させるオートマッチ（ａｕｔｏ ｍａｔｃｈ）に接続される。進行波電力は記載した通りであり、反射波電力は０ワットである。このため、定格電力が容器の内部に送達される。ＲＦ電源は、実験室タイマ及び１０秒（又は特定例において定められた異なる時間）に設定された電源オン時間により制御される。
ＲＦ電力が開始されると、容器の内部の内側に均一プラズマが提供される。プラズマはＲＦ電力がタイマによって遮断されるまでの、不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の全時間の間維持される。プラズマは不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層を容器の内部に形成する。
不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層の塗布後、ガスフローを真空ラインに再度分流し、真空バルブを閉じる。その後、ベントバルブを開き、ＣＯＣ医療バレルの内部を大気圧（約７６０Ｔｏｒｒ）に戻す。（容器支持器５０アセンブリを外部電極１６０アセンブリから出した後）処理後の容器をその後容器支持器５０アセンブリから慎重に取り外す。
不動態化層、ｐＨ保護皮膜もしくは層、又は滑性皮膜もしくは層をシリンジもしくは他の容器に塗布するため、ＰＥＣＶＤ条件に変更を施した同様のプロトコルを使用する。
厚さマッピングの分光反射プロトコル
Ｆｉｌｍｅｔｒｉｃｓ社のＴｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ａｎａｌｙｚｅｒ Ｍｏｄｅｌ２０５−０４３６ Ｆ４０分光反射器を使用した。シリンジを、後端部を上に向け、後端部の目盛りが周縁を８つの等しい４５度のセグメントに分割する状態でホルダ内に入れた。機器のカメラのピントを皮膜又は層上に合わせ、周縁上０度及び医療バレルのマップ化領域の後端部から６ｍｍにおける厚さ測定値を得た。その後、軸方向に６ｍｍ残した状態でシリンジを４５度ずらし、更なる測定値を得た。このプロセスを６ｍｍにてシリンジの周囲において４５度の間隔で繰り返した。その後、このシリンジをマップ化領域の後端部から１１ｍｍまで軸方向に前進させて、周縁にて８つの測定値を得た。シリンジを５ｍｍ刻みで軸方向に、及び４５度刻みで周方向に次々に前進させてマップを完成させた。データはＦｉｌｍｅｔｒｉｃｓ社のソフトウェアを用いてマップ化した。
総ケイ素測定のためのプロトコル
このプロトコルは、容器壁全体に存在するケイ素皮膜又は層の総量を決定するために使用される。溶液又は成分とガラスとの間の接触を避けるよう留意し、特定供給量の０．１Ｎ水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用意する。使用される水は精製水で、１８ＭΩ品質である。特に定めのない限り測定にはＰｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｏｐｔｉｍａ Ｍｏｄｅｌ ７３００ＤＶ ＩＣＰ−ＯＥＳ機器を使用する。
試験する各デバイス（バイアル、シリンジ、チューブ等）並びにそのキャップ及びクリンプ（バイアルの場合）又は他のクロージャを空〜０．００１ｇにおいて計量し、その後、ＫＯＨ溶液を完全に充填し（ヘッドスペースなしで）、キャップを嵌め、クリンプし、０．００１ｇ以下において再計量する。温浸ステップにおいては、４０℃の超音波処理水浴中に各バイアルを最低８〜１０時間配置する。温浸ステップはケイ素皮膜又は層を容器壁からＫＯＨ溶液中に定量的に除去するために実施される。この温浸ステップ後、バイアルを超音波処理水浴から取り出し、室温まで冷却する。バイアルの内容物は１５ｍｌＩＣＰチューブに移す。各溶液の総Ｓｉ濃度がＩＣＰ／ＯＥＳの実施手順に従いＩＣＰ／ＯＥＳにより測定される。
総Ｓｉ濃度はＫＯＨ溶液中のＳｉの１０億分率として報告する。この濃度は、温浸ステップを使用してケイ素皮膜又は層が除去される前に容器壁上にあったケイ素皮膜又は層の総量を示す。
総Ｓｉ濃度は、また、ＳｉＯxバリア皮膜又は層を塗布し、ＳｉＯxＣy第２皮膜又は層（例えば、滑性皮膜もしくは層又は不動態化層もしくはｐＨ保護皮膜もしくは層）をその後塗布し、ＳｉＯxＣy皮膜又は層のみの総ケイ素濃度を知りたい場合のように、容器上の全ケイ素皮膜又は層よりも少数の層について決定することができる。この決定は、２組の容器を用意し、その１つの組にはＳｉＯx皮膜又は層のみを塗布し、そのもう一方の組には同じＳｉＯx皮膜又は層、続いてＳｉＯxＣy皮膜もしくは層又は対象の他の層を塗布することによって実施される。各組の容器の総Ｓｉ濃度は上記と同じ手法で特定される。２つのＳｉ濃度間の差が、ＳｉＯxＣy第２皮膜又は層の総Ｓｉ濃度である。
容器中の溶解ケイ素を測定するためのプロトコル
例えば、試験溶液の溶解速度を評価するために、試験溶液により容器の壁から溶解したケイ素の量を１０億分率（ｐｐｂ）にて決定することができる。この溶解ケイ素の決定は、試験条件下でＳｉＯx及び／又はＳｉＯxＣy皮膜もしくは層を付与した容器内に試験溶液を保管し、その後、溶液のサンプルを容器から取り出し、サンプルのＳｉ濃度を試験することにより実施される。試験は、総ケイ素測定のためのプロトコルと同じ手法で実施されるが、そのプロトコルの温浸ステップの代わりに、このプロトコルに記載されるような容器内での試験溶液の保管が用いられる。総Ｓｉ濃度は試験溶液中のＳｉの１０億分率として報告される。
平均溶解速度を特定するためのプロトコル
平均溶解速度は以下のように特定される。既知の総ケイ素測定値を有する一連の試験容器に、総ケイ素測定のためのプロトコルにおいてバイアルにＫＯＨ溶液を充填する手法と同様の手法で所望の試験溶液を充填する。（試験溶液は、本実施例で用いられるような生理的に不活性の試験溶液とすることも、薬剤パッケージを形成するために容器内に保管されることが意図される生理的に活性な製剤とすることもできる）。試験溶液は各々の容器内にいくつかの異なる時間量の間保管し、その後、各保管時間における試験溶液中のＳｉ濃度を１０億分率にて分析する。各々の保管時間及びＳｉ濃度を、その後、プロットする。プロットを分析し、最急勾配を有する実質的に線形の点の列を求める。
日数対溶解量（ｐｐｂ Ｓｉ）のプロットでは時間とともに勾配が減少する。Ｓｉ皮膜又は層が試験溶液により完全に温浸されているために溶解速度は平坦にならないと考えられる。
ｔＰＣ１９４試験データにおいては、最小二乗線形回帰プログラムを使用し、各実験プロットのうち最初の５つの標本値群に合致する線形プロットを求めることにより溶解対時間のデータの線形プロットを作成する。その後、各線形プロットの勾配を特定し、試験に適用可能な平均溶解速度を示すものとして、単位時間あたりの試験溶液中に溶解したＳｉの１０億分率にて報告する。
計算保管寿命を特定するためのプロトコル
以下の実施例において報告される計算保管寿命値は、総ケイ素測定のためのプロトコル及び平均溶解速度を特定するためのプロトコルにそれぞれ記載したように特定された総ケイ素測定値及び平均溶解速度の外挿によって決定される。示された保管条件下において、ＳｉＯxＣy不動態化層又はｐＨ保護皮膜もしくは層は、皮膜又は層が完全に除去されるまで平均溶解速度にて除去されると想定する。したがって、容器の総ケイ素測定値を溶解速度により除すると、試験溶液がＳｉＯxＣy皮膜又は層を完全に溶解するのに要する時間が得られる。この期間を計算保管寿命として報告する。市販の保管寿命の計算とは異なり、安全率は算出しない。その代わり、計算保管寿命は計算破損時間である。
ｐｐｂ Ｓｉ対時間のプロットでは時間とともに勾配が減少するため、比較的短い測定時間から比較的長い計算保管寿命への外挿は、実際に得られる計算保管寿命を低く見積もる傾向にある「最悪の場合」の試験（“ｗｏｒｓｔ ｃａｓｅ”ｔｅｓｔ）であると考えられると理解すべきである。
溶液保管後のバリア向上度（ＢＩＦ）を測定するためのプロトコル
任意の実施形態においては、流体保管後のＰＥＣＶＤ皮膜もしくは層又はＰＥＣＶＤセットのバリア向上度（ＢＩＦ）を測定するためのこのプロトコルが使用されうる。
複数の全く同じに形成された、当技術分野において一般に「５ｍＬバイアル」（バイアル内の総容量は５ｍＬを超えるが）と呼ばれるブロー成形環式オレフィン重合体（ＣＯＰ）バイアルが提供される。この場合に使用されるバイアルは略円筒状内部表面１６によって囲まれた略円筒状内腔を有する。略円筒状内部表面１６は内径が減少し、バイアルの上部に短いネックを形成する。壁の上部はクリンプを受けるためのフランジを有する。バイアル寸法は、全高４０ｍｍ、略円筒状内部表面の内径２１ｍｍ及び略円筒状内部表面を形成する壁の外径２２ｍｍである。フランジの内径は１２．６ｍｍである。
バイアルは複数の試験容器及び対照容器に分けられている。試験容器にはＢＩＦについて試験されるＰＥＣＶＤセットが提供される。対照容器は試験されるＰＥＣＶＤセットを有しない。
指定組成物を有する１つ又は複数の試験流体が使用される。本実施例では、異なるｐＨ値を有するいくつかの試験流体をこのプロトコルとともに使用する。
ｐＨ８のリン酸塩／Ｔｗｅｅｎ試験流体は、米国薬局方（ＵＳＰ）注射用水で希釈し、濃縮硝酸でｐＨ８に調整し、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤及び２０ｍＭリン酸塩を含有する５０ｍｍｏｌのリン酸カリウム緩衝液である。（ポリソルベート８０は例えばＴｗｅｅｎ（登録商標）−８０としてＵｎｉｑｅｍａ Ａｍｅｒｉｃａｓ ＬＬＣ， Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ Ｄｅｌａｗａｒｅから入手可能であり、ケイ素溶解を加速することが判明している一般的な製剤原料である。）
ｐＨ７．４の２倍リン酸塩試験流体はｐＨ７．４及び約６００ｍＯｓｍ／ｋｇにて提供される２倍の濃度のリン酸緩衝生理食塩水である。
ｐＨ７のＷＦＩ試験流体はｐＨ７．０を有するＵＳＰ注射用水である。注射用水はＵＳＰ規定範囲内のｐＨ５〜７であるが、この試験流体については特にｐＨ７．０を有するように指定した。
ｐＨ３．５のクエン酸塩試験流体は２０ｍＭクエン酸塩で緩衝したＷＦＩである。
使用される試験流体を試験バイアル及び対照バイアル内に入れる。バイアルを試験流体で完全に満たし（ヘッドスペース無しで）、キャップを嵌め、クリンプし、所定温度で所定時間保管した。このプロトコルの保管時間は３か月であり、所定保管温度は２５℃である。
保管時間の経過後、バイアルのキャップを外し、試験流体を試験バイアル及び対照バイアルから出した。バイアルに大気圧の窒素を充填することによりバイアルを酸素透過速度試験用に調整した。これは、開いたバイアルを窒素ガスが充填されたグローブボックス内に入れ、酸素が抜けて窒素と入れ替わるための時間を与え、その後、バイアルにキャップを嵌めることにより行われる。その後、窒素が充填されたバイアルは、２０℃の大気中に周囲外気圧（ａｍｂｉｅｎｔ ｅｘｔｅｒｎａｌ ｂａｒｏｍｅｔｒｉｃ ｐｒｅｓｓｕｒｅ）にて保管した。
バリア向上度（ＢＩＦ）は、予め保管されていた容器の内容物をその酸素含有量について分析し、容器内にあることが判明した酸素量を１日毎のパッケージあたりの酸素ガスの立方センチメートルの点から表すことによって測定される。ＰＥＣＶＤセットを含む試験容器のＯＴＲ（酸素透過速度）とＰＥＣＶＤセットを有しない対照容器のＯＴＲの比率が、その後、決定される。例えば、ＰＥＣＶＤセットのないパッケージへのＯＴＲがＰＥＣＶＤセットを有するパッケージへのＯＴＲの３倍であれば、ＰＥＣＶＤセットは３のＢＩＦを有する。
ＳＥＭの手順
ＳＥＭサンプルの調製：各シリンジサンプルをその長さに沿って半分に切断した（内側又は略円筒状内部表面１６を露出させるため）。サンプルを小さくするためにシリンジ（ルアー端部）の上部を切り取った。
サンプルを導電性黒鉛接着剤によりサンプル支持器上に取り付け、その後、Ｄｅｎｔｏｎ Ｄｅｓｋ ＩＶ ＳＥＭサンプル調製システム内に入れ、薄い（約５０Å）金層をシリンジの内側又は略円筒状内部表面１６上にスパッタした。金層は測定中の表面の帯電を除去するために必要とされる。
サンプルをスパッタシステムから取り出し、Ｊｅｏｌ ＪＳＭ ６３９０ ＳＥＭ（走査型電子願徴鏡）のサンプルステージ上に取り付けた。サンプルをサンプル隔室内において少なくとも１ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。サンプルが必要な真空レベルに達すると、スリットバルブを開き、サンプルを分析台に移動した。
サンプルをまずは粗い分解能で画像化し、その後、より高い倍率の画像を蓄積した。
ＡＦＭ（原子間力顕微鏡法）手順
ＡＦＭ画像は、ＮａｎｏＳｃｏｐｅ ＩＩＩ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ３０００マシン（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｓａｎｔａ Ｂａｒｂａｒａ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，ＵＳＡ）を使用して収集した。機器はＮＩＳＴトレース可能標準に照らして校正した。エッチングされたシリコン製の走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）チップを使用した。自動平坦化（ａｕｔｏ−ｆｌａｔｔｅｎｉｎｇ）、平面フィッティング又は畳み込みを含む画像処理手順を用いた。１つの１０μｍｘ１０μｍ面積を画像化した。粗さ分析を実施し、以下で表した。（１）二乗平均粗さ（Ｒｏｏｔ−Ｍｅａｎ−Ｓｑｕａｒｅ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）、ＲＭＳ、２ 平均粗さ、Ｒａ、及び（３）最大高さ（山対谷）、Ｒｍａｘ。これらは全てｎｍにて測定した（表５を参照）。粗さ分析のため、各サンプルを１０μｍｘ１０μｍ面積上において画像化し、続いて、１０μｍｘ１０μｍ画像においてフィーチャを切断する３つの断面を分析者が選択した。フィーチャの垂直深さは断面ツール（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ ｔｏｏｌ）を使用して測定した。各断面について、二乗平均粗さ（ＲＭＳ）をナノメートルで報告した。
１０μｍｘ１０μｍ画像の更なる分析が実施されうる。この分析では、各画像から３つの断面を抽出する。画像内においてフィーチャを切断するための断面の位置を分析者が選択した。フィーチャの垂直深さは断面ツールを使用して測定した。
デジタル機器のＮａｎｏｓｃｏｐｅ ＩＩＩ ＡＦＭ／ＳＴＭは、表面の３次元表示をデジタル形式で取得及び保存する。これら表面は種々の手法で分析されうる。
Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ ＩＩＩソフトウェアは任意のＡＦＭ又はＳＴＭ画像の粗さ分析を実行することができる。この分析により得られるのは選択画像を上面図で再生する単一ページである。画像の右上は「画像統計値」ボックスであり、阻止域（ボックスを通過するＸを有するボックス）により除外される任意の面積を差し引いた画像全体の計算特性を列挙する。画像の選択部分について類似の更なる統計値を算出することができ、これらはページの右下部分の「ボックス統計値（Ｂｏｘ Ｓｔａｔｉｓｔｉｃｓ）」内に列挙される。これら統計値の記載及び説明が以下に続く。
画像統計：
Ｚ範囲（Ｒр）：画像の最高点と最低点との間の差。この値は画像の平面内の傾きに関して補正されない。したがって、平面フィッティング又はデータの平坦化により値は変化する。
平均：画像化された面積内の全Ｚ値の平均。この値は画像の平面内の傾きに関して補正されない。したがって、この値は平面フィッティング又はデータの平坦化により変化する。
ＲＭＳ（Ｒｑ）：これは画像内Ｚ値（又はＲＭＳ粗さ）の標準偏差であり、次式により計算される。
Ｒｑ＝｛Σ（Ｚ１−Ｚａｖｇ）２／Ｎ｝
式中、Ｚａｖｇは画像内の平均Ｚ値であり、Ｚ１はＺの現在値であり、Ｎは画像内の点の数である。この値は画像の平面内の傾きに関して補正されない。したがって、この値は平面フィッティング又はデータの平坦化により変化する。
平均粗さ（Ｒａ）：これは中心平面に対する表面の平均値であり、次式を用いて計算される。
Ｒａ＝［１／（ＬｘＬｙ）］∫ｏＬｙ∫ｏＬｘ｛ｆ（ｘ，ｙ）｝ｄｘｄｙ
式中、ｆ（ｘ，ｙ）は中心平面に対する表面であり、Ｌｘ及びＬｙは表面の次元である。
最大高さ（Ｒｍａｘ）：これは平均平面に対する表面の最高点と最低点との間の高さの差である。
表面積：（光学的計算）：これは画像化面積の３次元表面の面積であり、画像全体の３つの隣接する標本値群によって形成された三角形の面積の合計をとることにより計算される。
表面積差：（任意の計算）これは表面積が画像化面積を超過する量であり、割合として表され、次式により計算される。
表面積差＝１００［（表面積／Ｓ１２−１］
式中、Ｓ１は走査された面積から、阻止域により除外された任意の面積を差し引いた長さ（及び幅）である。
中心平面：平均平面に平行する平坦平面である。中心平面の上及び下の画像面により囲まれた体積は等しい。
平均平面：画像データはこの平坦平面に関して最小分散を有する。これはＺデータに適合する一次最小二乗によるものである。
比較実施例１−ｐＨ保護皮膜又は層の厚さプロファイル
内径６．３ｍｍ、内部長さ５４ｍｍ、内径と医療バレル長さ間のアスペクト比８．６及びステーキドニードルを有する１ｍＬロングシリンジの壁表面（１６）にｐＨ保護皮膜又は層（例えば３４）を塗布した。以下各実施例においては特に指示がない限りこれらステーキドニードルを備えた１ｍＬロングシリンジを使用する。使用したガス入口及び内部電極には図２６に示す９０度穿孔パターンを設けた。外部電極は固体金属管であった。上記プロトコルを、３０ワットのＲＦエネルギー、前駆体として流量２ｓｃｃｍのＯＭＣＴＳ、希釈剤として流量２０ｓｃｃｍのアルゴン、酸化性ガスとして流量０．５ｓｃｃｍの酸素ガス及び１０秒の連続プラズマ印加時間を用いて全般的に実施した。この実施例では磁石は使用しなかった。
医療バレルの円筒状部分上の位置に応じた皮膜又は層厚さのプロットを図３０として示す。プロットはシリンジ周縁周り約５０度において非常に厚い堆積の領域を示し、約２２０〜３００度において非常に薄い堆積厚さの領域が測定され、２７０〜８００度においてシリンジ表面全高までの堆積の段階的変化を測定した。この試験時に得た統計的データは以下の通り。
Figure 0006382830
上記表は、厚さの標準偏差が３０６ｎｍ、平均厚さが３８５ｎｍ及び平均厚さに対する（１つの）標準偏差の比率が．７９であることを示す。この高標準偏差及び高比率は、以下の実施例と比較して不均一な皮膜又は層であることを示す。図３０に示される厚さ範囲は≦５０ｎｍから＞１０００ｎｍまでである。
実施例２−ｐＨ保護皮膜又は層の厚さプロファイル
１ｍＬロングシリンジの壁の表面（１６）にｐＨ保護皮膜又は層（例えば３４）を塗布した。使用したガス入口及び内部電極には図２７に示す１２０度又は三角形の穿孔パターンを設けた。上記プロトコルを、２０ワットのＲＦエネルギー、前駆体として流量２ｓｃｃｍのＯＭＣＴＳ、希釈剤として流量２０ｓｃｃｍのアルゴン、酸化性ガスとして流量０．５ｓｃｃｍの酸素ガス及び５秒の連続プラズマ印加時間を用いて全般的に実施した。ワイヤメッシュ外部電極を使用するとともに、全体として図４〜５に示されるようなセラミック磁石を用いた静止型四重極磁石アレイを使用した。
当該皮膜又は層は標準的な０．１Ｍ ＫＯＨ中に溶解しなかった。医療バレルの円筒状部分上の位置に応じた皮膜又は層厚さのプロットを図３１として示す。このプロットは、シリンジ周縁周り約８０度、２００度及び３２０度、並びにシリンジ表面の高さ１５ｍｍ、２５ｍｍ及び４０ｍｍに、隔離されたより厚い堆積の領域を有する皮膜又は層、望ましくは溶解に対してより耐性のある皮膜又は層のより均一な堆積を示す。これら不連続性はガス入口の穿孔パターンによるものと考えられる。この試験時に得た統計的データは以下の通り。
Figure 0006382830
上記表は、厚さの標準偏差が１６１ｎｍ、平均厚さが３６９ｎｍ（実施例１に類似）、及び平均厚さに対する（１つの）標準偏差の比率が．４４であることを示す。この大幅に低下した標準偏差及び比率は、実施例１と比較してより均一な皮膜又は層を示すものであり、これは四重極磁石の使用によるものである。図３１に示される厚さ範囲は≦１００ｎｍから＞１０００ｎｍである。
実施例３−ｐＨ保護皮膜又は層の厚さプロファイル
１ｍＬロングシリンジの壁の略円筒状内部表面１６にｐＨ保護皮膜又は層（例えば３４）を塗布した。使用したガス入口及び内部電極には図２８に示す４５度又は螺旋形穿孔パターンを設けた。上記プロトコルを、２０ワットのＲＦエネルギー、前駆体として流量２ｓｃｃｍのＯＭＣＴＳ、希釈剤として流量２０ｓｃｃｍのアルゴン、酸化性ガスとして流量０．５ｓｃｃｍの酸素ガス及び１０秒の連続プラズマ印加時間を用いて全般的に実施した。ワイヤメッシュ外部電極を使用するとともに、全体として図４〜５に示されるようなネオジム−鉄−ホウ素（ＮｄＦｅＢ又はネオジム）磁石を用いた静止型四重極磁石アレイを使用した。
医療バレルの円筒状部分上の位置に応じた皮膜又は層厚さのプロットを図３２として示す。プロットは、シリンジの周縁周り約０度及び１８０度の高さ全体に、隔離されたより厚い堆積の領域を有する皮膜又は層のより均一な堆積を示す。この厚さ変化の理由は不明であるが、実施例４との比較では、この変化は四重極アレイのＮ極に面する領域とＳ極に面する領域の異なる堆積厚さに起因する可能性があることを示唆する。この試験時に得た統計的データは以下の通り。
Figure 0006382830
上記表は、厚さの標準偏差が２３３ｎｍ、平均厚さが前実施例よりも大幅に厚い５５９ｎｍ、及び平均厚さに対する（１つの）標準偏差の比率が．４２であることを示す。この標準偏差比率（ｓｔａｎｄａｒｄ ｄｅｖｉａｔｉｏｎ ｒａｔｉｏ）は実施例２に類似する。図３２に示される厚さ範囲は≦１００ｎｍから＞１０００ｎｍである。
実施例４−ｐＨ保護皮膜又は層の厚さプロファイル
１ｍＬロングシリンジの壁の表面（１６）にｐＨ保護皮膜又は層（例えば３４）を塗布した。使用したガス入口及び内部電極には図２８に示す４５度又は螺旋形穿孔パターンを設けた。上記プロトコルを、２０ワットのＲＦエネルギー、前駆体として流量２ｓｃｃｍのＯＭＣＴＳ、希釈剤として流量２０ｓｃｃｍのアルゴン、酸化性ガスとして流量０．５ｓｃｃｍの酸素ガス及び１０秒の連続プラズマ印加時間を用いて全般的に実施した。堆積中、四重極磁石アレイをその軸線を中心に回転させたこと以外は実施例３と同じ四重極磁石アレイ及びワイヤメッシュ外部電極を使用した。
医療バレルの円筒状部分上の位置に応じた皮膜又は層厚さのプロットを図３３として示す。プロットは、周縁周りの堆積厚さの変化が少なく、且つ高さ全体の堆積厚さの差が比較的小さい皮膜又は層の、前実施例よりも更により均一な堆積を示す。この試験時に得た統計的データは以下の通り。
Figure 0006382830
上記表は、厚さの標準偏差が７９ｎｍ、平均厚さが３６７ｎｍ、及び平均厚さに対する（１つの）標準偏差の比率が．２２であることを示す。この標準偏差比率は実施例１〜３よりも大幅に低く、実施例１〜３よりも更により均一な皮膜を示す。図３３に示される厚さ範囲は≦１００ｎｍから≦３５０ｎｍである。
実施例５−ｐＨ保護皮膜又は層の厚さプロファイル
１ｍＬロングシリンジの壁の表面（１６）にｐＨ保護皮膜又は層（例えば３４）を塗布した。使用したガス入口及び内部電極には図２８に示す４５度又は螺旋形穿孔パターンを設けた。上記プロトコルを、２０ワットのＲＦエネルギー、前駆体として流量２ｓｃｃｍのＯＭＣＴＳ、希釈剤として流量２０ｓｃｃｍのアルゴン、酸化性ガスとして流量０．５ｓｃｃｍの酸素ガス及び１０秒の連続プラズマ印加時間を用いて全般的に実施した。２つの多極ＮｄＦｅＢリング磁石のスタックを磁石アレイとして使用し、且つ固体管状電極を使用した。堆積中、磁石アレイは静止していた。
医療バレルの円筒状部分上の位置に応じた皮膜又は層厚さのプロットを図３４として示す。このプロットは、前実施例１に比べて皮膜又は層のより均一な堆積を示す。この試験時に得た統計的データは以下の通り。
Figure 0006382830
上記表は、厚さの標準偏差が１２２ｎｍ、平均厚さが２００ｎｍ、及び平均厚さに対する（１つの）標準偏差の比率が０．６１であることを示す。この結果には最小高さ及び角度０〜５０度において測定されたゼロ堆積の箇所によって歪みが生じていると思われる。図３４に示される厚さ範囲は≦１００ｎｍから≦５５０ｎｍである。
実施例６−バリア皮膜又は層の厚さプロファイル
１ｍＬロングシリンジの壁の表面（１６）にＳｉＯxバリア皮膜又は層（例えば３０）を塗布した。使用したガス入口及び内部電極には図２８に示す４５度又は螺旋形穿孔パターンを設けた。上記バリア皮膜又は層プロトコルを、３５ワットのＲＦエネルギー、前駆体として流量１０ｓｃｃｍのＨＭＤＳＯ、希釈剤なし、酸化性ガスとして流量２５ｓｃｃｍの酸素ガス、及び１０秒の連続プラズマ印加時間で３回の印加（総印加時間３０秒）を用いて全般的に実施した。前実施例のＮｄＦｅＢ四重極を磁石アレイとして使用し、且つメッシュ電極を使用した。堆積中、磁石アレイは静止していた。
医療バレルの円筒状部分上の位置に応じた皮膜又は層厚さのプロットを図３５として示す。このプロットは、前実施例１に比べて皮膜又は層の更により均一な堆積を示す。この試験時に得た統計的データは以下の通り。
Figure 0006382830
上記表は、厚さの標準偏差が１２３ｎｍ、平均厚さが２９７ｎｍ、及び平均厚さに対する（１つの）標準偏差の比率が０．４１であることを示す。皮膜又は層のバリア向上度は４．５であることが判明したが、これは皮膜又は層の、バリア皮膜又は層としての値を示す。図３５に示される厚さ範囲は≦２００ｎｍから≦７００ｎｍである。
実施例７〜１０−−滑性皮膜又は層の厚さプロファイル
これら実施例は、０．４〜１ｍＬの規定充填量範囲を有する１ｍＬロングシリンジ上に滑性皮膜又は層を提供するための異なる方法を試験するために実施した。当該滑性皮膜又は層は、医療バレルの前部（皮下針近傍）よりも医療バレルの後部近傍においてより大きな平均厚さを有していた。
実施例７〜９では磁石アレイ８３４又は磁石８２０を使用せず、実施例１０ではリング磁石を代わりに用いたこと以外は全体として図２及び図６に示されるようなＰＥＣＶＤ装置を用いて、皮下針及びキャップを所定の位置に備えた複数の１ｍＬ医療バレルに滑性皮膜又は層を塗布した。各例において使用した内部電極１０８は、医療バレルの後端部３２（図６１、６５及び６９の皮膜又は層マップのｙ軸並びに図６４、６８及び７０のプロットのｘ軸における０ｍｍ）に配置されたガス送達ポート１１０を備えた１／８インチ（３ｍｍ）真鍮管である。各例で使用した外部電極１６０はスリットを備えた円筒状電極である。前駆体としてＯＭＣＴＳを使用し、ＯＭＣＴＳを気化するため気化器及び加熱テープ（ｈｅａｔｉｎｇ ｔａｐｅ）を用いた。その他の堆積条件を表１１に示す。
Figure 0006382830
表１１に示すように、各シリンジに対しプラズマを２回点火した。均一な組成物を確保するため、プラズマの最初の点火は反応物のフロー開始から１５秒遅延させ、その後、プラズマを比較的高電力レベル（各場合において５０Ｗ）で１秒間点火し、滑性皮膜又は層の付着を促進した。その後、プラズマの２回目の点火は、最初の点火による反応生成物を除去するための時間を与えるために３秒間遅延させ、プラズマをより低い指示電力レベルにて１５秒又は３０秒間点火した。試験結果を図６１〜７２に示すとともに以下に記載する。
実施例７の結果を図６１〜６４に示す。図６１は、皮膜又は層厚さマッピングのＦｉｌｍｅｔｒｉｃｓプロトコルに記載されるＦｉｌｍｅｔｒｉｃｓ分析によって得た医療バレル内の軸方向位置（ｙ軸）の皮膜又は層厚さ対周方向位置（ｘ軸）の皮膜又は層厚さのマップである。図６２〜６３は、医療バレルの３つの位置（本出願において定義される医療バレルの第１、第２及び第３部分に近似するが必ずしも正確には一致しない）における皮膜又は層の平均厚さを示す。示されるように、図６２の位置１における平均滑性皮膜又は層厚さは４６±５ｎｍ、図６２の位置２における平均厚さは１０９±４４ｎｍ、及びシリンジの底部に最も近い図６２の位置３における平均厚さは１６０±７５ｎｍであった。
図６４は、プランジャを動かし続ける力Ｆｍ対実施例７の医療バレル内における位置のプロットを示す。このプロットは以下のように得られた。乾いた（流体が添加されていない）各シリンジ内にプランジャを装填した。シリンジを１時間放置し、５０Ｎトランスデューサを用いたＩｎｓｔｒｏｎマシンにて複数のサンプルを用いて試験を実施した。結果は、医療バレルの長さの異なる位置における比較的均一な低い（約５ｎｍ以下）Ｆｍであった。
上で説明した平均溶解速度を決定するためのプロトコルを実質的に使用してケイ素溶解試験を実施した。被検被覆シリンジの針及び針シールドを除去し、その後、各シリンジを１５ｍＬポリプロピレン製遠心管内に入れ、０．２％Ｔｗｅｅｎ８０界面活性剤を含有する７．５ｍＬのｐＨ８．０水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液に完全に浸した。その後、溶液に浸したコンテナを４０℃で３日間インキュベートした。その後、溶解したケイ素を含有する溶液は、Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｓ１０オートサンプラを備えたＩＣＰ／ＯＥＳ Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｏｐｔｉｍａ ７３００ ＤＶ分析器を用いて分析した。この結果は溶解時間及び得られた溶解Ｓｉのマイクログラムとして報告される。この場合、溶解時間は３日であり、溶解Ｓｉは１０．２マイクログラムである。
実施例８では、医療バレルの前部近傍に皮膜又は層が堆積することを防止するため、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）フィルムの矩形片をシリンジ前端の近傍に挿入し、医療バレルの前半分をマスキングした。これにより、Ｋａｐｔｏｎ被覆領域の皮膜又は層の遮断が認められた。この試験は、滑性皮膜又は層の厚さプロファイルの調節のためシリンジの遮蔽（ｏｂｓｔｒｕｃｔｉｏｎ）を使用可能であることを示す。
実施例９では、滑性皮膜又は層の第２段階における電力レベルを０．９ワットに低下させ、遮蔽は使用しなかった。実施例９の結果を図６５〜６８に示す。図６５のマップは、シリンジの分与端近傍約２４ｍｍから医療バレルの前部までのセクション１において実質的に皮膜又は層がなく、且つ半径方向に均一な被覆を示す。図６６〜６７は、シリンジ（３０ｎｍ滑性皮膜又は層）上の位置２及びシリンジ後部の位置３（７１ｎｍ滑性皮膜又は層）における皮膜又は層のＳＥＭ画像を提供する。位置１における皮膜又は層厚さは約０ｎｍである。図６８は、プランジャを挿入し、シリンジを１０分間放置した後の実施例９のＦｍのプロットである。このプロットは、マスク領域内においてＦｍがマップ上の約２８ｎｍ以上の位置から大幅に増加することを示す。１日の溶解時間の後の類似サンプルに対する溶解Ｓｉ分析では３．５マイクログラムの溶解シリカを示す。
実施例１０では、図６８に示すように、軸方向極軸（すなわち極は環状面である）を有する静止型リング磁石を医療バレル周囲の、シリンジの後端部の近傍且つ外部電極内に配置した。シリンジの種々の箇所における磁場強度を図７３に示す。表１１に記載の条件を使用して滑性皮膜又は層を塗布し、これを図６９に示すようにマップ化し、図７１及び７２に示すように膜厚をＳＥＭ画像化し、図７０に示すようにＦｍを試験した。図６９は、シリンジの位置１が約０ｎｍの滑性皮膜又は層厚さを有することを示し、これはその位置に皮膜又は層がない又は実質的にないことを示す。位置２は約５４ｎｍの滑性皮膜又は層厚さを有し、皮膜中に磁石近傍にある位置３は約１６９ｎｍの滑性皮膜又は層厚さを有する。Ｆｍ対プランジャの軸方向位置のプロットである図７０は、比較的均一且つ低いＦｍを示し、シリンジの分与端近傍の本質的に無潤滑領域にいくらかの増加があるのみである（実施例９に比べて大幅に少ない）。この本質的に無潤滑領域におけるＦｍの増加は、例えば、医療バレル内径の増加によって、及びＰＥＣＶＤ皮膜又は層を堆積させるために使用する電力の低減によって対処可能である。４日の溶解時間の後のケイ素溶解試験結果は２．１マイクログラムのＳｉであり、これもまた磁石なしでの溶解結果と比べて改善を示した。磁石を裏返してその極性を反転させた場合も同様の結果を得ることができる。
実施例１０は、磁石の存在下において、皮膜又は層の大部分を磁石の近傍へと方向制御することができ、磁石を用いてシリンジ又はその他の工作物の軸方向長さに沿って皮膜又は層厚さを調整することが可能になることを示す。向上したＦｍ均一性及び溶解結果もまた得られる。
実施例１１−静止型軸方向磁石
ＰＥＣＶＤプロセスを使用して１ｍＬロングシリンジ上に均一なバリア皮膜又は層を堆積させた。使用したＰＥＣＶＤ装置は、図４９のものに類似する磁石アセンブリを使用したこと以外は図４〜５の概略図と同等のものであった。アセンブリの軸線に沿って軸方向の場を形成するため、各磁石はそのＮ極を上にして配向した。
より具体的には、磁石アセンブリ設計はそれぞれ３つのＮ４０グレードネオジム（ＮｄＦｅＢ）棒磁石を、シリンジを取り囲む八角形配置とした８つの柱からなるものであった。棒磁石は各列１インチｘ１／８インチｘ１／４インチ（２５ｍｍｘ３ｍｍｘ６ｍｍ）（全長３インチ、７６ｍｍ）であった。内部面の離隔距離（すなわち磁石間の円筒状スペースの内径）は７／８インチ（２２ｍｍ）であった。各磁石表面の場の強度は４２１１ガウスであり、各磁石は２．５ｌｂｓ．（１．１ｋｇ）の引力を有するものであった。
酸素透過速度を低下するため、又はシリンジのバリア向上度（ＢＩＦ）を増加するためのより最適なＰＥＣＶＤプロセス条件を決定するため実験を組み立てた。このプロセスを使用して、単一の酸化ケイ素（ＳｉＯx）皮膜又は層を様々なプロセスパラメータにて各シリンジ上に堆積させた。考察したプロセスパラメータは、前駆体としてＨＭＤＳＯ０．５〜５ｓｃｃｍ；酸素１０〜２００ｓｃｃｍ；ＲＦ電力５〜１００ワット、及び時間１〜３０秒である。
実験の最良の結果を表１２に示す。結果はバリア向上度（ＢＩＦ）（被覆時シリンジ上で測定、流体の保管なし）として記載した。
Figure 0006382830
結果は、静止型の磁石を用いた非常に小さな内径の医療バレルにおいて大幅なバリア向上度がもたらされ、ＰＥＣＶＤプロセスが向上することを示す。この向上は軸方向に延在する磁場の存在下でのＳｉＯxバリア皮膜又は層の塗布の均一性の向上によるものと考えられる。
実施例１２−５ｍＬバイアルのバリア向上度（ＢＩＦ）
５ｍＬバイアルを用いて前述の溶液保管後のバリア向上度（ＢＩＦ）を測定するためのプロトコルを実施した。試験バイアルに塗布したＰＥＣＶＤセットは、
・ｘ及びｙがそれぞれ１であり、ＣＯＰバイアル壁の内側に形成されたＳｉＯxＣy結合皮膜又は層（接着皮膜又は層と称されるものと同じ皮膜又は層）、この次に、
・ｘが２．２であり、結合皮膜又は層に隣接して形成されたＳｉＯxバリア皮膜又は層、この次に、
・ｘが１．１及びｙが１であり、バリア皮膜又は層に隣接し、且つバイアルの内腔に直に面して形成されたＳｉＯxＣyｐＨ保護用皮膜又は層
を含む３層皮膜又は層である。
ＨＭＤＳＯ及びＴＭＤＳＯを用いてＰＥＣＶＤセットをバイアルに塗布するための条件を表１３にまとめた。表中、Ｗはワット、ｓｃｃｍは毎分標準立方センチメートルである。このＰＥＣＶＤプロセスでは磁石は使用しなかった。
試験バイアル上に堆積させた３つのＰＥＣＶＤ皮膜又は層の厚さ及び均一性については、図７４、並びに皮膜又は層厚さを試験したバイアル上の位置、各位置における各皮膜又は層の厚さ（ｎｍ）、並びにその皮膜又は層の表中における各測定値の標準偏差（「ＳＤ」）及び平均皮膜又は層厚さを示す表１４の参照により示す。透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）を使用し各バイアル位置にて３回の測定を行った。各組の厚さデータについて、平均皮膜又は層厚さに対する１つの標準偏差の比率も算出した。各皮膜又は層の各ＳＤ／平均比率は、ｐＨ保護皮膜又は層の０．２９から、結合もしくは接着皮膜もしくは層の０．３４、バリア皮膜又は層の０．４４まで様々であった。
溶液保管後のバリア向上度（ＢＩＦ）を測定するためのプロトコルに明記された各試験流体を用いた３か月バリア向上度を表１５に示す。
これら試験は、約２：１のアスペクト比（内径２１ｍｍに対し全長４０ｍｍ）及び内径２１ｍｍのスケールを有する１０ｍＬバイアルという状況において、３か月の保管後、使用した試験流体及び保管温度に応じて０．２９〜０．４４のＳＤ／平均比率、及び１０〜３１のバリア向上度が得られたことを示す。これら結果は商業的に有用なバリア向上度である。
Figure 0006382830
Figure 0006382830
Figure 0006382830
仮想例１３−１ｍＬロングシリンジのＢＩＦ結果の補完
実施例１〜６及び１１の１ｍＬロングシリンジデータ並びに実施例１２の１０ｍＬバイアルデータを表１６にまとめる。
Figure 0006382830
表１６は、内部電極及び材料供給管を使用し、磁石を使用することにより、非常に小さな内径（６．３ｍｍ）、大きな（ｌｏｎｇ）アスペクト比（８．５７）の１ｍＬロングシリンジにおいてＳｉＯxＣy又はＳｉＯx皮膜又は層の均一性が大幅に向上することを示す。標準偏差／平均厚さ比率の低下で表される均一性の向上は、実施例１（磁石無し）の０．７９から実施例４（回転型四重極アレイ）では０．２２へと大幅な向上を示す。
１０ｍＬバイアルデータは、（他の実施例における１ｍＬロングシリンジの磁石補助型ＰＥＣＶＤと比べて）同様の高い均一性とともに、磁石の使用無しで、０．２９〜０．４４のＳＤ／厚さ比率（より少数のデータポイントにおける測定のため標準偏差は増加する傾向にあり、且つ異なる手法で測定）及び例えば１０〜３１の３か月バリア向上を示す。このシリンジとバイアルのデータの比較は２つのことを示す。
第１に、このシリンジとバイアルのデータの比較は、磁気閉じ込めが、小さな内径、大きなアスペクト比を持つ部品の内側へのＰＥＣＶＤに対して特に有用であることを示す。大きな内径、小さなアスペクト比を持つ部品は磁石無しで同等の性能を提供することができる。
第２に、このシリンジとバイアルのデータの比較は、より均一な皮膜又は層がより高いバリア向上度（ＢＩＦ）を提供することを示唆する。
このデータに基づき、比較的均一なＰＥＣＶＤ皮膜又は層厚さで処理した小さな内径、高アスペクト比を持つ医療バレルは磁石の使用によって、また、製造後及び流体組成物の保管後の両方においてより高いバリア向上度を示すことが予想される。
パラメータの動作範囲（組み合わせ）
添付の表は共に有用なパラメータ範囲を示す。
パラメータの組み合わせ１を使用するためには、工程１を「組み合わせ１又は２工程１」の表に従い実施し、その後、「組み合わせ１工程２」の表に示される遅延時間を実施し、その後、工程２を「組み合わせ１工程２」の表に従い実施する。
パラメータの組み合わせ２を使用するためには、工程１を「組み合わせ１又は２工程１」の表に従い実施し、その後、「組み合わせ２工程２」の表に示される遅延時間を実施し、その後、工程２を「組み合わせ２工程２」の表に従い実施する。
Figure 0006382830
Figure 0006382830
Figure 0006382830
擬似請求項
以下の擬似請求項は発明の概要の一部であり、発明の他の記載を示す。
ａａａ．医療バレル、又は被処理表面を有する医療バレルをプラズマ改質する方法であって、
・医療バレルの表面又は医療バレルのプラズマ改質に効果的な条件下で表面内又は表面近傍にプラズマを提供するステップと、
・プラズマを提供する時間の少なくとも一部において、プラズマ中又はプラズマ近傍に磁場を提供するステップであって、磁場が、医療バレルの表面のプラズマ改質の均一性、密度又はその両方を向上させるのに効果的な位置、配向及び場の強度を有するステップと、
を含む、方法。
ａａａ１．ＰＥＣＶＤが施される略円筒状内部表面の内径と長さとのアスペクト比が２〜１０である、擬似請求項ａａａに記載の発明。
ａａａ２．プラズマ改質が、バリア皮膜又は層を含むＰＥＣＶＤセットの塗布を含み、壁及びＰＥＣＶＤセットの、ＰＥＣＶＤセットのない壁と比較した酸素バリア向上度が５〜１２である、擬似請求項ａａａに記載の発明。
ａａａ３．ＰＥＣＶＤセットを、ｐＨ７．０を有する米国薬局方注射用水に接触させた状態で３か月間２５℃の温度で保管後、ＰＥＣＶＤセットが、ＰＥＣＶＤセットのないバレルに対し、少なくとも５の酸素バリア向上度を維持するのに効果的である、擬似請求項ａａａ又はａａａ２に記載の発明。
ａａａ４．ＰＥＣＶＤセットを、ｐＨ７．０を有する米国薬局方注射用水に接触させた状態で３か月間２５℃の温度で保管後、ＰＥＣＶＤセットが、ＰＥＣＶＤセットのないバレルに対し、多くとも３１の酸素バリア向上度を維持するのに効果的である、擬似請求項ａａａ，ａａａ２又はａａａ３に記載の医療バレル。
ａａｂ．表面が、内腔の少なくとも一部を画定する略円筒状内部表面上にあり、表面が、任意選択的に、４〜１５ｍｍ、任意選択的に少なくとも２ｍｍ、任意選択的に少なくとも４ｍｍ、任意選択的に少なくとも５ｍｍ、任意選択的に少なくとも６ｍｍ、任意選択的に多くとも１５ｍｍ、任意選択的に多くとも１２ｍｍ、任意選択的に多くとも１０ｍｍ、任意選択的に多くとも９ｍｍ、任意選択的に４〜１５ｍｍ、任意選択的に５〜１０ｍｍ、任意選択的に６〜１０ｍｍの内径を有する、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａａｃ．磁場の提供が、内腔の少なくとも一部におけるプラズマ分布の均一性、密度又はその両方を向上させる、擬似請求項ａａｂに記載の発明。
ａａｃ１．壁及びＰＥＣＶＤセットを通過する内方向酸素透過速度が、２０℃、壁外部大気圧において、０．００１２〜０．０００４８立方ｃｍ／パッケージ／日である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａａｄ．表面の少なくとも一部におけるプラズマ分布の軸方向均一性、密度又はその両方を向上させる磁場を提供する、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａａｅ．プラズマがプラズマ電子を含み、磁場が内腔内におけるプラズマ電子の閉じ込めを向上させるのに効果的である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
方法−磁気制限
ａａｆ．磁場が、磁場発生器、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも３つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも４つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも５つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも６つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも７つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも８つの磁場発生器を表面近傍に提供することによって提供され、各磁場発生器が、極軸を画定するＮ極及びＳ極を有する、前述の擬似請求項ａａａ〜ａａｅのいずれか一項に記載の発明。
ａａｇ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が表面の軸線に略平行な極軸を有する、擬似請求項ａａｆに記載の発明。
ａａｈ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が動作位置において表面の周りに周方向に分配されている、擬似請求項ａａｆ又はａａｇに記載の発明。
ａａｉ．磁場発生器が、表面に対して軸方向に延在する極軸を有する、擬似請求項ａａｈに記載の発明。
ａａｊ．ＰＥＣＶＤ中、磁場発生器が静止したままである、擬似請求項ａａｉに記載の発明。
ａａｋ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が隣接する磁場発生器から実質的に周方向等距離である、擬似請求項ａａｆ〜ａａｈのいずれか一項に記載の発明。
ａａｌ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が、プラズマ処理の少なくとも一部中に、表面の周りを回転する、又は表面が磁場発生器に対して回転する、又はその両方である、擬似請求項ａａｆ〜ａａｋのいずれか一項に記載の発明。
ａａｍ．少なくとも１つの磁場発生器が、永久磁石又はコイル６〜９又は少なくとも１つの永久磁石と少なくとも１つのコイルとの組み合わせである、擬似請求項擬似請求項ａａｆ〜ａａｌのいずれか一項に記載の発明。
ａａｎ．２つ以上の磁場発生器が間隔をあけて配置され、それらの間に凹部を画定し、凹部内に医療バレルの表面の少なくとも一部が配置される、擬似請求項擬似請求項ａａｆ〜ａａｍのいずれか一項に記載の発明。
ａａｏ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器、医療バレル表面又はその両方が、平均磁場強度の均一性、密度又はその両方を向上させるのに効果的な速度で医療バレル表面の周縁周りを回転する、擬似請求項ａａｆ〜ａａｎのいずれか一項に記載の発明。
ａａｐ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器、医療バレル表面又はその両方が、医療バレル加熱の均一性を向上する、強度を低減する又はその両方に効果的な速度で医療バレル表面の周縁周りを回転する、擬似請求項ａａｆ〜ａａｏのいずれか一項に記載の発明。
ａａｑ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、医療バレル加熱の均一性を向上させるのに効果的な速度で、磁場発生器の少なくとも１つを医療バレル表面に沿って軸方向に並進させる、又は医療バレル表面を磁場発生器に対して並進させる、又はその両方を更に含む、擬似請求項ａａｆ〜ａａｐのいずれか一項に記載の発明。
ａａｒ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が略円筒状表面に対して軸方向に積み重ねられる、擬似請求項ａａｆ〜ａａｑのいずれか一項に記載の発明。
ａａｓ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての軸方向に積み重ねられた磁場発生器が互いに軸方向に間隔をあけて配置されている、擬似請求項ａａｆ〜ａａｒのいずれか一項に記載の発明。
ａａｔ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての軸方向に積み重ねられた磁場発生器が互いに軸方向に当接している、擬似請求項ａａｆ〜ａａｓのいずれか一項に記載の発明。
ａａｕ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器が、少なくとも１つのコイルを表面近傍に配置し、コイルに電流を通すことによって提供される、擬似請求項擬似請求項ａａｆ〜ａａｔのいずれか一項に記載の発明。
ａａｖ．少なくとも１つのコイルがソレノイドコイルを含む、擬似請求項ａａｕに記載の発明。
ａａｗ．少なくとも１つのコイルが、中心開口部と、その中心開口部を通る幾何学的軸線と、を有する略トロイダルコイル８又は９を含む、擬似請求項ａａｕに記載の発明。
ａａｘ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、略トロイダルコイル８又は９がその幾何学的軸線が表面の軸線と少なくともほぼ平行に、任意選択的に少なくともほぼ同一線上にある状態で配向される、擬似請求項ａａｗに記載の発明。
ａａｙ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、表面がほぼ完全に中心開口部内に、あるいはほぼ完全に略トロイダルコイル８又は９の２つ以上のスタックの中心開口部内に配置されている、擬似請求項ａａｗ又はａａｘに記載の発明。
ａａｚ．略トロイダルコイル８又は９が少なくとも２つの円弧部分、任意選択的に少なくとも４つの円弧部分、任意選択的に少なくとも６つの円弧部分、任意選択的に少なくとも８つの円弧部分、任意選択的に少なくとも８つの４５°円弧部分を有し、交互部分が反対方向に巻かれる、擬似請求項ａａｗ〜ａａｙのいずれか一項に記載の発明。
ａｂａ．略トロイダルコイルが実質的に円形又は実質的に矩形の断面を有する、擬似請求項ａａｗ〜ａａｚのいずれか一項に記載の発明。
ａｂｂ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器が、その極軸が少なくとも表面の軸線に略平行な状態で配向される、擬似請求項擬似請求項ａａｆ〜ａｂａのいずれか一項に記載の発明。
ａｂｃ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器が、その極軸が表面の軸線と少なくともほぼ同一線上にある状態で配向される、擬似請求項擬似請求項ａａｆ〜ａｂｃのいずれか一項に記載の発明。
ａｂｄ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器がその極軸に沿って延在する通路を有し、且つ表面が完全に通路内に配置される、擬似請求項擬似請求項ａａｆ〜ａｂｄのいずれか一項に記載の発明。
ａｂｅ．磁場発生器がヘルムホルツコイルである、擬似請求項擬似請求項ａａｆ〜ａｂｄのいずれか一項に記載の発明。
ａｂｆ．ヘルムホルツコイルが、第１及び第２の間隔をあけて配置されたソレノイドコイルを含み、それらの間に、方法の進行中にプラズマを見ることを可能にする視界窓を提供するスペースを有する、擬似請求項ａｂｅに記載の発明。
ａｂｇ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器が、医療バレル表面に沿って変化する場の強度を提供する、擬似請求項擬似請求項ａａｆ〜ａｂｆのいずれか一項に記載の発明。
ａｂｈ．医療バレル表面の少なくとも一部が略円筒状である、擬似請求項ａｂｇに記載の発明。
ａｂｉ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器と医療バレル表面との間の距離が医療バレル表面に沿って変化する、擬似請求項ａｂｇ又はａｂｈに記載の発明。
ａｂｊ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、場の強度が医療バレル表面に沿って変化し、変化する場の強度のプロファイルを画定する、前述の擬似請求項ａｂｇ、ａｂｈ又はａｂｉのいずれか一項に記載の発明。
ａｂｋ．プラズマを提供し且つ磁場を提供しない時間の少なくとも一部において、医療バレルの表面のプラズマ改質が医療バレル表面に沿って変化し、変化するプラズマ改質のプロファイルを画定する、擬似請求項ａｂｊに記載の発明。
ａｂｌ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、場の強度のプロファイルの変化がプラズマ改質の変化を相殺する傾向があり、医療バレルの表面のプラズマ改質の均一性、密度又はその両方を向上させるように磁場発生器が構成されている、擬似請求項ａｂｋに記載の発明。
ａｂｍ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、プラズマの少なくとも一部が少なくとも部分的に電子瓶内において医療バレルの近傍に閉じ込められる、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｂｎ．医療バレルが医療バレル及び針アセンブリであり、アセンブリが、針端部と、後端部と、端部間の本体部分と、を有する、擬似請求項ａｂｍに記載の発明。
ａｂｏ．電子瓶が、アセンブリの本体部分の少なくとも一部又はその近傍よりもアセンブリの針端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、擬似請求項ａｂｎに記載の発明。
ａｂｐ．電子瓶が、アセンブリの本体部分の少なくとも一部又はその近傍よりもアセンブリの後端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、擬似請求項ａｂｎ又はａｂｏに記載の発明。
ａｂｑ．電子瓶が、アセンブリの本体部分の少なくとも一部又はその近傍よりも針端部及びアセンブリの後端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、擬似請求項ａｂｎ、ａｂｏ又はａｂｐに記載の発明。
ａｂｒ．電子瓶が、アセンブリの針端部又はその近傍に電子ミラーを提供する構造により画定される、擬似請求項ａｂｍ〜ａｂｑのいずれか一項に記載の発明。
ａｂｓ．電子瓶が、アセンブリの後端部又はその近傍に電子ミラーを提供する構造により更に画定される、擬似請求項ａｂｒに記載の発明。
ａｂｔ．医療バレルが、開端部と、閉端部と、端部間の本体部分と、を有するバイアルである、擬似請求項ａｂｍに記載の発明。
ａｂｕ．電子瓶が、バイアルの本体部分の少なくとも一部又はその近傍よりもバイアルの閉端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、擬似請求項ａｂｔに記載の発明。
ａｂｖ．電子瓶が、バイアルの本体部分の少なくとも一部又はその近傍よりもバイアルの開端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、擬似請求項ａｂｔ又はａｂｕに記載の発明。
ａｂｗ．電子瓶が、バイアルの本体部分の少なくとも一部又はその近傍よりもバイアルの閉端部及び開端部又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、前述の擬似請求項ａｂｔ〜ａｂｖのいずれか一項に記載の発明。
ａｂｘ．電子瓶が、バイアルの閉端部又はその近傍に電子ミラーを提供する構造により画定される、擬似請求項ａｂｔ〜ａｂｗのいずれか一項に記載の発明。
ａｂｙ．電子瓶が、バイアルの開端部又はその近傍に電子ミラーを提供する構造により更に画定される、擬似請求項ａｂｔ〜ａｂｘのいずれか一項に記載の発明。
ａｂｚ．電子ミラーを提供する構造が磁場発生器の少なくとも一部を含む、擬似請求項擬似請求項ａｂｔ〜ａｂｙのいずれか一項に記載の発明。
ａｃａ．電子ミラーを提供する構造が強磁性体又は強磁性材料を含む、擬似請求項擬似請求項ａｂｔ〜ａｂｚのいずれか一項に記載の発明。
ａｃｂ．電子ミラーを提供する構造が磁場発生器を含む、擬似請求項擬似請求項ａｂｔ〜ａｃａのいずれか一項に記載の発明。
ａｃｃ．電子ミラーを提供する構造が、負に荷電した物体又は物体の一部を含む、擬似請求項擬似請求項ａｂｔ〜ａｃｂのいずれか一項に記載の発明。
ａｃｄ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、内腔の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部が、その極軸が被処理表面の軸線に略平行な状態で配向される、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｃｅ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、内腔の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部が、その極軸が被処理表面の軸線の周りに延在した状態で配向される、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｃｆ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、内腔の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部が、その極軸が被処理表面に対しほぼ半径方向面内に延在した状態で配向される、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｃｇ．少なくとも１つの磁場発生器、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器が棒磁石である、擬似請求項擬似請求項ａａｆ〜ａｃｆのいずれか一項に記載の発明。
ａｃｈ．少なくとも１つの磁場発生器、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器が、医療バレル表面を受容するような大きさの中心孔を有するリング磁石である、擬似請求項擬似請求項ａａｆ〜ａｃｇのいずれか一項に記載の発明。
ａｃｉ．リング磁石の少なくとも１つのＮ極及びＳ極がその対向する環状面である、擬似請求項ａｃｈに記載の発明。
ａｃｊ．磁場が少なくとも部分的に、
・動作位置にある際に中心凹部内に医療バレル表面を有する少なくとも１つの内部リング磁石であって、内部リング磁石が、医療バレル表面の半径方向近傍に、医療バレル表面の軸方向近傍のキャップ磁石によって提供される磁場強度よりも小さい第１の磁場強度を提供する、少なくとも１つの内部リング磁石と、
・内部リング磁石のスタックと軸方向に整列しているがその外側にある少なくとも１つのキャップ磁石であって、キャップ磁石がリング磁石又は棒磁石のいずれかを含む、キャップ磁石と、
・任意選択的に、キャップ磁石と、内部リング磁石のスタックとの間に配置される１つ又は複数の更なる磁石と、
のスタックによって提供される、擬似請求項ａｃｉに記載の発明。
ａｃｋ． リング磁石の少なくとも１つの極軸がリングの周りを周方向に取り巻く、擬似請求項ａｃｈ〜ａｃｊのいずれか一項に記載の発明。
ａｃｌ．リング磁石の少なくとも１つの周縁が複数のＮ−Ｓ極ドメインを含む、擬似請求項ａｃｋに記載の発明。
ａｃｍ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、偶数の少なくとも４つの磁場発生器が軸線を中心に配置され、軸方向に離間した端部間に四重極又は類似構造を提供する、擬似請求項擬似請求項ａａｆ〜ａｃｌのいずれか一項に記載の発明。
ａｃｎ．磁場発生器が、四重極又は類似構造を提供する有効位置と、磁場発生器が四重極又は類似構造を提供しない非機能位置との間において相対的に移動可能である、擬似請求項ａｃｍに記載の発明。
ａｃｏ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、四重極及び医療バレルが医療バレル表面を通る軸線に相対的に配置されている、擬似請求項ａｃｍ又はａｃｎに記載の発明。
ａｃｐ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、四重極が、医療バレル表面の少なくとも一部又はその近傍にプラズマを少なくとも一部閉じ込めるのに効果的である、擬似請求項ａｃｍ〜ａｃｏに記載の発明。
ａｃｑ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向極軸を有する磁場発生器が、軸方向に離間した端部の少なくとも１つ又はその近傍に配置される、擬似請求項ａｃｍ〜ａｃｐのいずれか一項に記載の発明。
ａｃｒ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向極軸を有する磁場発生器が、軸方向に離間した端部の両方又はその近傍に配置される、擬似請求項ａｃｇ〜ａｃｑのいずれか一項に記載の発明。
ａｃｓ．軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つがリング磁石を含む、擬似請求項ａｃｍ〜ａｃｒのいずれか一項に記載の発明。
ａｃｔ．軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つがキャップ磁石を含む、擬似請求項ａｃｍ〜ａｃｓのいずれか一項に記載の発明。
ａｃｕ．軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つが棒磁石を含む、擬似請求項ａｃｍ〜ａｃｔのいずれか一項に記載の発明。
方法−ＰＥＣＶＤエネルギー／電極制限
ａｃｖ．高周波エネルギーを使用してプラズマを発生させることを更に含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｃｗ．医療バレル壁外側に外部電極及び少なくとも部分的に医療バレルの内腔の内側に内部電極を設け、電極に通電することによって高周波エネルギーを発生させる、擬似請求項ａｃｖに記載の発明。
ａｃｘ．外部電極が略円筒状であり、表面が外部電極内に配置されている、擬似請求項ａｃｗに記載の発明。
ａｃｙ．外部電極が有孔材料で作製されている、擬似請求項ａｃｗ又はａｃｘに記載の発明。
ａｃｚ．外部電極がメッシュ材料で作製されている、擬似請求項ａｃｗ〜ａｃｙのいずれか一項に記載の発明。
ａｄａ．外部電極が連続材料で作製されている、擬似請求項ａｃｗ又はａｃｘに記載の発明。
ａｄｂ．内部電極が内腔内に軸方向に延在する、擬似請求項ａｃｗ〜ａｄａのいずれか一項に記載の発明。
ａｄｃ．医療バレルの表面のプラズマ改質が化学気相成長を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｄｄ．医療バレルの表面のプラズマ改質がプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｄｅ．内部電極が、気体材料を内腔に供給するための材料供給管を含む、擬似請求項ａｄｃ又はａｄｄに記載の発明。
ａｄｆ．材料供給管が、内腔内に配置された略円筒状内部表面１６を有する、擬似請求項ａｄｅに記載の発明。
ａｄｇ．材料供給管の略円筒状内部表面１６が、気体材料を内腔に送るための穿孔を有する、擬似請求項ａｄｆに記載の発明。
ａｄｈ．穿孔が略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に分配されている、擬似請求項ａｄｇに記載の発明。
ａｄｉ．穿孔が略円筒状内部表面１６に沿って周方向に分配されている、擬似請求項ａｄｇ又はａｄｈに記載の発明。
ａｄｊ．穿孔が、周方向に間隔をあけて配置された２つ以上の穿孔の列として分配され、各列が略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に間隔をあけて配置されている、擬似請求項ａｄｇ〜ａｄｉのいずれか一項に記載の発明。
ａｄｋ．穿孔が、１列に２つの直径方向対向穿孔を有する複数の周方向に間隔をあけて配置された列として分配され、各列が略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に間隔をあけて配置されている、擬似請求項ａｄｊに記載の発明。
ａｄｌ．第１の列の直径方向対向穿孔が、略円筒状内部表面１６上において、隣接する第２の列の直径方向対向穿孔に対し周方向に約９０度ずれている、擬似請求項ａｄｋに記載の発明。
ａｄｍ．第１の列の直径方向対向穿孔が、略円筒状内部表面１６上において、隣接する第２の列の直径方向対向穿孔に対し周方向に約４５度ずれている、擬似請求項ａｄｋに記載の発明。
ａｄｎ．穿孔が、略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に間隔をあけて配置された、１列に少なくとも３つの１２０度間隔をあけて配置された穿孔を有する複数の周方向に間隔をあけて配置された列として分配される、擬似請求項ａｄｌに記載の発明。
方法−自家真空室としての医療バレルの使用
ａｄｏ．プラズマ改質が少なくとも部分的に準大気圧にて実施される、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｄｐ．準大気圧が、プラズマ改質の少なくとも一部の間、内腔を表面又はその近傍において少なくとも一部真空排気することによって発生する、擬似請求項ａｄｏに記載の発明。
ａｄｑ．プラズマ改質の少なくとも一部の間、医療バレルの外部が大気圧にさらされる、擬似請求項ａｄｏ又はａｄｐに記載の発明。
方法−材料制限
ａｄｒ．プラズマ改質の少なくとも一部の間内腔に供給される材料が、
・前駆体と、
・任意選択的に酸化性ガスと、
・任意選択的に希釈ガスと、
を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｄｓ．前駆体が、有機シロキサン、フルオロカーボン、パリレン又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む、擬似請求項ａｄｒに記載の発明。
ａｄｔ．前駆体が有機シロキサンを含む、擬似請求項ａｄｒ又はａｄｓに記載の発明。
ａｄｖ．前駆体が、パリレンＮ又はポリ（パラキシリレン）；パリレンＣ又はポリ（２−クロロパラキシリレン）；パリレンＤ又はポリ（２，５−ジクロロパラ−キシリレン）；パリレンＨＴ（登録商標）又はポリ（テトラフルオロパラ−キシリレン）、又はこれらの二量体、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む、擬似請求項ａｄｒ〜ａｄｔのいずれか一項に記載の発明。
ａｄｗ．前駆体が、
・テトラフルオロパラキシリレン二量体、
・ジフルオロカルベン、
・テトラフルオロエチレン単量体、
・ｘが１〜１００、任意選択的に２〜５０、任意選択的に２〜２０、任意選択的に２〜１０である式Ｆ２Ｃ＝ＣＦ（ＣＦ２）ｘＦを有するテトラフルオロエチレンオリゴマー、
・クロロジフルオロ酢酸ナトリウム、
・クロロジフルオロメタン、
・ブロモジフルオロメタン、
・ヘキサフルオロプロピレンオキシド、
・１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアクリレート（ＦＤＡ）、
・アルカン部分が１〜６個の炭素原子を有するブロモフルオロアルカン、
・アルカン部分が１〜６個の炭素原子を有するヨードフルオロアルカン、又は
・これらのいずれか２つ以上の組み合わせ
を含む、擬似請求項ａｄｒ〜ａｄｔのいずれか一項に記載の発明。
ａｄｘ．酸化性ガスが、酸素、亜酸化窒素、水蒸気又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む、擬似請求項ａｄｒ〜ａｄｗのいずれか一項に記載の発明。
ａｄｙ．希釈ガスが、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、ネオン又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む、擬似請求項ａｄｒ〜ａｄｙのいずれか一項に記載の発明。
方法−皮膜又は層制限
ａｄｚ．プラズマ改質が医療バレルの表面への皮膜又は層の塗布を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｅａ．プラズマ改質が医療バレルの表面へのバリア皮膜又は層の塗布を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｅｂ．バリア皮膜又は層が、Ｘ線光電子分光器により決定された、ｘが１．５〜２．９であるＳｉＯxから本質的になる、擬似請求項ａｅａに記載の発明。
ａｅｃ．プラズマ改質が、バリア皮膜又は層と内腔との間の医療バレル層の表面へのｐＨ保護皮膜又は層の塗布を含む、擬似請求項ａｅａ又はａｅｂに記載の発明。
ａｅｄ．ｐＨ保護皮膜又は層が、Ｘ線光電子分光器により決定された、ｘが約０．５〜約２．４、任意選択的に約０．５〜１及びｙが約０．６〜約３、任意選択的に約２〜約３であるＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyから本質的になる、擬似請求項ａｅｃに記載の発明。
ａｅｄ１．ｐＨ保護皮膜又は層がＸ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、酸素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ａｅｃ又はａｅｄのいずれか一項に記載の発明。
Figure 0006382830
ａｅｄ２．ｐＨ保護皮膜又は層がＸ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、酸素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ａｅｃ、ａｅｄ又はａｅｄ１のいずれか一項に記載の発明。
Figure 0006382830
ａｅｄ３．バリア皮膜又は層と内腔との間のｐＨ保護皮膜又は層が、Ｘ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、窒素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ａｅｃ又はａｅｄに記載の発明。
Figure 0006382830
ａｅｄ４．バリア皮膜又は層と内腔との間のｐＨ保護皮膜又は層が、Ｘ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、窒素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ａｅｄ３に記載の発明。
Figure 0006382830
ａｅｄ５．ｐＨ保護皮膜又は層が５０〜５００ｎｍの平均厚さを有する、擬似請求項ａｅｃ〜ａｅｄ４のいずれか一項に記載の発明。
ａｅｄ６．ｐＨ保護皮膜又は層のＦＴＩＲ吸光度スペクトルが、
・約１０００〜１０４０ｃｍ−１におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、
・約１０６０〜約１１００ｃｍ−１におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅と、
の間において０．７５を超える比率を有する、擬似請求項ａｅｃ〜ａｅｄ５のいずれか一項に記載の発明。
ａｅｅ．プラズマ改質が医療バレルの表面への滑性皮膜又は層の塗布を含む、擬似請求項ａｅａ〜ａｅｄのいずれか一項に記載の発明。
ａｅｆ．滑性皮膜又は層が、それぞれＸ線光電子分光器によって測定された、ｘが約０．５〜約２．４、任意選択的に約０．５〜１及びｙが約０．６〜約３、任意選択的に約２〜約３であるＳｉＯxＣyから本質的になる、擬似請求項ａｅｅに記載の発明。
ａｅｆ１．滑性皮膜又は層がＸ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、酸素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ａｅｅ又はａｅｆに記載の発明。
Figure 0006382830
ａｅｆ２．滑性皮膜又は層がＸ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、酸素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ａｅｅ又はａｅｆのいずれか一項に記載の発明。
Figure 0006382830
ａｅｆ３．バリア皮膜又は層と内腔との間の滑性皮膜又は層が、Ｘ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、窒素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ａｅｅ又はａｅｆに記載の発明。
Figure 0006382830
ａｅｆ４．バリア皮膜又は層と内腔との間の滑性皮膜又は層が、Ｘ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、窒素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ａｅｅ又はａｅｆに記載の発明。
Figure 0006382830
方法−皮膜又は層均一性の制限
ａｅｇ．プラズマ改質の均一性が、
Figure 0006382830
 の比率で表され、
当該比率が、０．６９未満、あるいは０．６９〜０．０１、あるいは０．６９〜０．０５、あるいは０．６６〜０．１、あるいは０．６６〜０．２、あるいは０．６６〜０．２１、あるいは０．６未満、あるいは０．６〜０．０１、あるいは０．６〜０．０５、あるいは０．６〜０．１、あるいは０．６〜０．２、あるいは０．６〜０．２１、あるいは０．５未満、あるいは０．５〜０．０１、あるいは０．５〜０．０５、あるいは０．５〜０．１、あるいは０．５〜０．２、あるいは０．５〜０．２１、あるいは０．４未満、あるいは０．４〜０．０１、あるいは０．４〜０．０５、あるいは０．４〜０．１、あるいは０．４〜０．２、あるいは０．４〜０．２１、あるいは０．３未満、あるいは０．３〜０．０１、あるいは０．３〜０．０５、あるいは０．３〜０．１、あるいは０．３〜０．２、あるいは０．３〜０．２１である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｅｈ．プラズマ改質が、１〜１０００ｎｍの平均厚さ、及び１９０ｎｍ未満、あるいは１９０〜１０ｎｍ、あるいは１９０〜２０ｎｍ、あるいは１９０〜３０ｎｍ、あるいは１９０〜４０ｎｍ、あるいは１９０〜５０ｎｍ、あるいは１９０〜６０ｎｍ、あるいは１９０〜７０ｎｍ、あるいは１９０〜８０ｎｍ、あるいは１６１ｎｍ未満、あるいは１６０〜１０ｎｍ、あるいは１６０〜２０ｎｍ、あるいは１６０〜３０ｎｍ、あるいは１６０〜４０ｎｍ、あるいは１６０〜５０ｎｍ、あるいは１６０〜６０ｎｍ、あるいは１６０〜７０ｎｍ、あるいは１６０〜８０ｎｍ、あるいは１４０ｎｍ未満、あるいは１４０〜１０ｎｍ、あるいは１４０〜２０ｎｍ、あるいは１４０〜３０ｎｍ、あるいは１４０〜４０ｎｍ、あるいは１４０〜５０ｎｍ、あるいは１４０〜６０ｎｍ、あるいは１４０〜７０ｎｍ、あるいは１４０〜８０ｎｍ、あるいは１２２ｎｍ未満、あるいは１２０〜１０ｎｍ、あるいは１２０〜２０ｎｍ、あるいは１２０〜３０ｎｍ、あるいは１２０〜４０ｎｍ、あるいは１２０〜５０ｎｍ、あるいは１２０〜６０ｎｍ、あるいは１２０〜７０ｎｍ、あるいは１２０〜８０ｎｍ、あるいは１００ｎｍ未満、あるいは１００〜１０ｎｍ、あるいは１００〜２０ｎｍ、あるいは１００〜３０ｎｍ、あるいは１００〜４０ｎｍ、あるいは１００〜５０ｎｍ、あるいは１００〜６０ｎｍ、あるいは１００〜７０ｎｍ、あるいは１００〜８０ｎｍ、あるいは８０ｎｍ未満，あるいは８０〜１０ｎｍ、あるいは８０〜２０ｎｍ、あるいは８０〜３０ｎｍ、あるいは８０〜４０ｎｍ、あるいは８０〜５０ｎｍ、あるいは８０〜６０ｎｍ、あるいは８０〜７０ｎｍの標準偏差を有する皮膜又は層の塗布である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｅｉ．内部ＰＥＣＶＤ皮膜又は層がバリア皮膜又は層を含む、擬似請求項ａｅｃに記載の方法。
ａｅｊ．内部ＰＥＣＶＤ皮膜又は層が不動態化層又はｐＨ保護皮膜を含む、擬似請求項ａｅｉに記載の方法。
ａｅｋ．内部ＰＥＣＶＤ皮膜又は層が滑性皮膜又は層を含む、擬似請求項ａｅｉ〜ａｅｊのいずれか一項に記載の方法。
装置
ａｅｌ．医療バレル支持物に支持された医療バレルをプラズマ改質するための装置であって、医療バレルが壁によって囲まれた内腔を有し、壁の少なくとも一部が被処理表面を画定する装置であり、
・医療バレルを装置内において保持するための医療バレル支持物と、
・医療バレル支持物１に支持された医療バレルの内腔内に医療バレルの表面のプラズマ改質に効果的な条件下でプラズマを提供するためのプラズマ発生器と、
・医療バレル支持物１に支持された医療バレルの内腔の少なくとも一部内に磁場を提供するための磁場発生器であって、磁場が、略円筒状内部表面１６の略円筒状内部表面１６のプラズマ改質の均一性、密度又はその両方を向上させるのに効果的な配向及び場の強度を有する、磁場発生器と、
を含む、装置。
装置−磁気制限
ａｅｍ．動作位置において医療バレルの外側に少なくとも１つの磁場発生器、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも３つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも４つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも５つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも６つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも７つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも８つの磁場発生器を含む、擬似請求項ａｅｌに記載の発明。
ａｅｎ．磁場発生器の少なくとも１つ、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が、動作位置において医療バレルの表面の軸線に略平行な極軸を有する、擬似請求項ａｅｌ又はａｅｍに記載の発明。
ａｅｏ．磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が動作位置において表面の周りに周方向に分配されている、擬似請求項ａｅｌ〜ａｅｎのいずれか一項に記載の発明。
ａｅｐ．磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が互いから実質的に周方向等距離にある、擬似請求項ａｅｌ〜ａｅｏのいずれか一項に記載の発明。
ａｅｑ．プラズマ処理の少なくとも一部中の動作位置において、磁場発生器の少なくとも１つ、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が表面の軸線を中心に回転する、又は表面がその軸線を中心に回転する、又はその両方である、擬似請求項ａｅｌ〜ａｅｐのいずれか一項に記載の発明。
ａｅｒ．磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が動作位置において表面に対し軸方向に積み重ねられる、前述の擬似請求項ａｅｌ〜ａｅｑのいずれか一項に記載の発明。
ａｅｓ．磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が互いに軸方向に間隔をあけて配置されている、擬似請求項ａｅｌ〜ａｅｒのいずれか一項に記載の発明。
ａｅｔ．磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が互いに軸方向に当接している、擬似請求項ａｅｌ〜ａｅｓのいずれか一項に記載の発明。
ａｅｕ．少なくとも１つの磁場発生器が、電流を通す少なくとも１つのコイル６又は８である、擬似請求項ａｅｌ〜ａｅｔのいずれか一項に記載の発明。
ａｅｖ．少なくとも１つのコイルがソレノイドコイルを含む、擬似請求項ａｅｕに記載の発明。
ａｅｗ．ソレノイドコイルが、動作位置においてその軸線が少なくとも表面の軸線に略平行な状態で配向されている、擬似請求項ａｅｖに記載の発明。
ａｅｘ．ソレノイドコイルが、動作位置において医療バレル表面を受容するように適合された内部部分と、第１及び第２の対向端部部分５及び８と、を有する、擬似請求項ａｅｖ又はａｅｗに記載の発明。
ａｅｙ．第１端部部分、第２端部部分、又はその両方が、励磁された際に内部部分よりも強い磁場を提供する、擬似請求項ａｅｖ〜ａｅｘのいずれか一項に記載の発明。
ａｅｚ．内部部分が内部巻線を含み、励磁された際により強い磁場を提供する端部部分６又は８の少なくとも１つが別個の外部巻線７又は９を含む、擬似請求項ａｅｘ〜ａｅｙのいずれか一項に記載の発明。
ａｆａ．巻線が励磁された際、内部巻線に別個の外部巻線７又は９よりも低いアンペア数が提供される、擬似請求項ａｅｚに記載の発明。
ａｆｂ．内部巻線が、外部巻線７又は９よりも少ない軸線１ｃｍあたりの合計巻数を有する、擬似請求項ａｅｚ又はａｆａに記載の発明。
ａｆｃ．ソレノイドコイルが、内部部分並びに第１及び第２の対向端部部分６及び８に沿って延在する単一巻線を有し、巻線が、内部部分よりも第１及び第２の対向端部部分６及び８又はその近傍においてより多くの軸線１ｃｍあたりの巻を有する、擬似請求項ａｅｖ〜ａｆｂのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｄ．ソレノイドコイルが、動作位置においてその軸線が表面の軸線と少なくともほぼ同一線上にある状態で配向されている、擬似請求項ａｅｖ〜ａｆｃのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｅ．動作位置において表面が完全にソレノイドコイル内に配置されている、擬似請求項ａｅｖ〜ａｆｄのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｆ．少なくとも１つのコイルが略トロイダルコイル８又は９を含む、擬似請求項ａｅｕに記載の発明。
ａｆｇ．略トロイダルコイル８又は９が、動作位置においてその軸線が少なくとも表面の軸線に略平行な状態で配向されている、擬似請求項ａｆｆに記載の発明。
ａｆｈ．略トロイダルコイル８又は９が動作位置においてその軸線が表面の軸線と少なくともほぼ同一線上にある状態で配向されている、擬似請求項ａｆｇに記載の発明。
ａｆｉ．表面が動作位置においてほぼ完全に略トロイダルコイル８又は９内、あるいはほぼ完全に略トロイダルコイル８又は９の２つ以上のスタック内に配置されている、擬似請求項ａｆｆ〜ａｆｈのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｊ．略トロイダルコイル８又は９が複数の円弧部分、任意選択的に少なくとも４つの円弧部分、任意選択的に少なくとも６つの円弧部分、任意選択的に少なくとも８つの円弧部分、任意選択的に少なくとも８つの４５°円弧部分を有し、交互部分は反対方向に巻かれる、擬似請求項ａｆｆ〜ａｆｉのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｋ．実質的に円形又は実質的に矩形の断面を有する１つより多い略トロイダルコイル８又は９を含む、擬似請求項ａｆｆ〜ａｆｊのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｌ．動作位置における医療バレルの少なくとも一部における磁場の少なくとも一部が、その極軸が被処理表面の軸線に略平行な状態で配向される、擬似請求項擬似請求項ａｅｌ〜ａｆｋのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｍ．動作位置における医療バレルの少なくとも一部における磁場の少なくとも一部が、その極軸が被処理表面の軸線の周りに延在した状態で配向される、擬似請求項擬似請求項ａｅｌ〜ａｆｌのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｎ．動作位置における医療バレルの少なくとも一部における磁場の少なくとも一部が、その極軸が被処理表面に対しほぼ半径方向面内に延在した状態で配向される、擬似請求項擬似請求項ａｅｌ〜ａｆｍのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｏ．磁場発生器の少なくとも１つ、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が棒磁石である、擬似請求項擬似請求項ａｅｍ〜ａｆｎのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｐ．偶数の少なくとも４つの磁場発生器が四重極又は類似構造を提供するように配置されている、擬似請求項ａｆｏに記載の発明。
ａｆｑ．磁場発生器の少なくとも１つ、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器がリング磁石である、擬似請求項擬似請求項ａｅｌ〜ａｆｐのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｒ．リング磁石の少なくとも１つのＮ極及びＳ極がその対向する環状面である、擬似請求項ａｆｑに記載の発明。
ａｆｓ．リング磁石の少なくとも１つの極軸がリングの周りを周方向に取り巻く、擬似請求項ａｆｑ又はａｆｒに記載の発明。
ａｆｔ．リング磁石の少なくとも１つの周縁が複数のＮ−Ｓ極ドメインに分かれている、擬似請求項ａｆｑに記載の発明。
装置−ＰＥＣＶＤエネルギー／電極制限
ａｆｕ．高周波エネルギーを使用してプラズマを発生させることを更に含む、擬似請求項擬似請求項ａｅｌ〜ａｆｔのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｖ．医療バレル壁外側に外部電極及び医療バレルの内腔の少なくとも部分的に内側に内部電極を提供し、電極に通電することによって高周波エネルギーを発生させる、擬似請求項ａｆｕに記載の発明。
ａｆｗ．外部電極が略円筒状であり、動作位置において表面が外部電極内に配置されている、擬似請求項ａｆｗに記載の発明。
ａｆｘ．外部電極が有孔材料で作製されている、擬似請求項ａｆｖ又はａｆｗに記載の発明。
ａｆｙ．外部電極がメッシュ材料で作製されている、擬似請求項ａｆｖ〜ａｆｘのいずれか一項に記載の発明。
ａｆｚ．外部電極が連続材料で作製されている、擬似請求項ａｆｖ又はａｆｗに記載の発明。
ａｇａ．内部電極０が動作位置において医療バレル内に軸方向に延在する、擬似請求項ａｅｂ〜ａｆｚのいずれか一項に記載の発明。
ａｇｂ．医療バレルの表面のプラズマ改質が化学気相成長を含む、擬似請求項ａａａ〜ａｇａのいずれか一項に記載の発明。
ａｇｃ．医療バレルの表面のプラズマ改質がプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）を含む、擬似請求項ａａａ〜ａｇｂのいずれか一項に記載の発明。
ａｇｄ．内部電極０が、動作位置において気体材料を医療バレルに供給するための材料供給管を含む、擬似請求項ａｇｂ又はａｇｃに記載の発明。
ａｇｅ．材料供給管が、動作位置において医療バレル内に配置される略円筒状内部表面１６を有する、擬似請求項ａｇｄに記載の発明。
ａｇｆ．材料供給管の略円筒状内部表面１６が、動作位置において気体材料を医療バレルに送るための穿孔を有する、擬似請求項ａｇｅに記載の発明。
ａｇｇ．穿孔が略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に分配されている、擬似請求項ａｇｆに記載の発明。
ａｇｈ．穿孔が略円筒状内部表面１６に沿って周方向に分配されている、擬似請求項ａｇｆ又はａｇｇに記載の発明。
ａｇｉ．穿孔が、周方向に間隔をあけて配置された２つ以上の穿孔の列として分配され、各列が略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に間隔をあけて配置されている、擬似請求項ａｇｆ〜ａｇｈのいずれか一項に記載の発明。
ａｇｊ．穿孔が、１列に２つの直径方向対向穿孔を有する複数の周方向に間隔をあけて配置された列として分配され、各列が略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に間隔をあけて配置されている、擬似請求項ａｇｉに記載の発明。
ａｇｋ．第１の列の直径方向対向穿孔が、略円筒状内部表面１６上において、隣接する第２の列の直径方向対向穿孔に対し周方向に約９０度ずれている、擬似請求項ａｇｊに記載の発明。
ａｇｌ．第１の列の直径方向対向穿孔が、略円筒状内部表面１６上において、各隣接する第２の列の直径方向対向穿孔に対し周方向に約４５度ずれている、擬似請求項ａｇｊに記載の発明。
ａｇｍ．穿孔が、１列に少なくとも３つの１２０度間隔をあけて配置された穿孔を有する複数の周方向に間隔をあけて配置された列として分配され、各列が略円筒状内部表面１６に沿って軸方向に間隔をあけて配置されている、擬似請求項ａｇｉに記載の発明。
ａｇｎ．
・材料供給管が磁場発生器によって提供される磁場及び医療バレル支持物に対して回転する、
・磁場発生器によって提供される磁場が材料供給管及び医療バレル支持物に対して回転する、
・医療バレル支持物が材料供給管及び磁場発生器によって提供される磁場に対して回転する、
・材料供給管及び磁場発生器によって提供される磁場が医療バレル支持物に対して同じ又は異なる回転速度及び方向で回転する、
・磁場発生器によって提供される磁場及び医療バレル支持物が材料供給管に対して同じ又は異なる回転速度及び方向で回転する、又は
・材料供給管及び医療バレル支持物が磁場発生器によって提供される磁場に対して同じ又は異なる回転速度及び方向で回転する、
擬似請求項ａｇｄ〜ａｇｍのいずれか一項に記載の発明。
ａｇｏ．
・プラズマが不均一プラズマのストリーマに対し均一プラズマの完全充満を含むか否かを示すように構成された光学検出器、例えばカメラ、又はプラズマスペクトルの均一性を決定するための発光分光分析装置、
・内部電極又はその電源導体の周囲に配置された、プラズマに供給される電流の均一性を決定するためのロゴスキーコイル、又は
・プラズマの電子温度を測定するためのラングミュアプローブ５、
の少なくとも１つを含む、プラズマ特性を測定するための装置を更に含む、擬似請求項ａｅｌ〜ａｇｎのいずれか一項に記載の発明。
装置−自家真空室としての医療バレルの使用
ａｇｐ．プラズマ改質の少なくとも一部の間、動作位置において医療バレルを少なくとも部分的に真空排気するための真空ポンプを更に含む、擬似請求項ａｅｌ〜ａｇｏのいずれか一項に記載の発明。
ａｇｑ．プラズマ改質の少なくとも一部の間、医療バレルの外部を大気圧にさらす装置を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
装置−材料制限
ａｇｒ．プラズマ改質の少なくとも一部の間、動作位置において医療バレルに供給される各材料源を更に含み、材料が、
・前駆体と、
・任意選択的に酸化性ガスと、
・任意選択的に希釈ガスと、
を含む、擬似請求項擬似請求項ａｅｌ〜ａｇｑのいずれか一項に記載の発明。
ａｇｓ．前駆体が、有機シロキサン、フルオロカーボン、パリレン又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む、擬似請求項ａｇｒに記載の発明。
ａｇｔ．前駆体が有機シロキサンを含む、擬似請求項ａｇｒ又はａｇｓに記載の発明。
ａｇｕ．前駆体が、ヘキサメチレンジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）又はこれらの組み合わせを含む、擬似請求項ａｇｒ〜ａｇｔのいずれか一項に記載の発明。
ａｇｖ．前駆体が、パリレンＮ又はポリ（パラキシリレン）；パリレンＣ又はポリ−クロロパラキシリレン）；パリレンＤ又はポリ，５−ジクロロパラ−キシリレン）；パリレンＨＴ（登録商標）又はポリ（テトラフルオロパラ−キシリレン）、又はこれらの二量体、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む、擬似請求項ａｇｒ〜ａｇｕのいずれか一項に記載の発明。
ａｇｗ．前駆体が、
・テトラフルオロパラキシリレン二量体、
・ジフルオロカルベン、
・テトラフルオロエチレン単量体、
・ｘが１〜１００、任意選択的に２〜５０、任意選択的に２〜２０、任意選択的に２〜１０である、式Ｆ２Ｃ＝ＣＦ（ＣＦｘＦを有するテトラフルオロエチレンオリゴマー
・クロロジフルオロ酢酸ナトリウム、
・クロロジフルオロメタン、
・ブロモジフルオロメタン、
・ヘキサフルオロプロピレンオキシド、
・１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアクリレート（ＦＤＡ）、
・アルカン部分が１〜６個の炭素原子を有するブロモフルオロアルカン、
・アルカン部分が１〜６個の炭素原子を有するヨードフルオロアルカン、又は
・これらのいずれか２つ以上の組み合わせ
を含む、擬似請求項ａｇｒ〜ａｇｖのいずれか一項に記載の発明。
ａｇｘ．酸化性ガスが、酸素、亜酸化窒素、水蒸気又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む、擬似請求項ａｇｒ〜ａｇｗのいずれか一項に記載の発明。
ａｇｙ．希釈ガスが、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、ネオン又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む、擬似請求項ａｇｒ〜ａｇｘのいずれか一項に記載の発明。
装置−皮膜又は層制限
ａｇｚ．プラズマ改質が医療バレルの表面への皮膜又は層の塗布を含む、擬似請求項擬似請求項ａｅｌ〜ａｇｙのいずれか一項に記載の発明。
ａｈａ．プラズマ改質が医療バレルの表面へのバリア皮膜又は層の塗布を含む、擬似請求項擬似請求項ａｅｌ〜ａｇｚのいずれか一項に記載の発明。
ａｈｂ．バリア皮膜又は層が、ｘが１．５〜２．９であるＳｉＯxから本質的になる、擬似請求項ａｈａに記載の発明。
ａｈｃ．プラズマ改質が医療バレルの表面へのｐＨ保護皮膜又は層の塗布を含む、擬似請求項ａｈａに記載の発明。
ａｈｄ．ｐＨ保護皮膜又は層が、ｘが約０．５〜約２．４、任意選択的に約０．５〜１及びｙが約０．６〜約３、任意選択的に約２〜約３であるＳｉＯxＣyから本質的になる、擬似請求項ａｈｃに記載の発明。
ａｈｅ．プラズマ改質が医療バレルの表面への滑性皮膜又は層の塗布を含む、擬似請求項ａｈａに記載の発明。
ａｈｆ．滑性皮膜又は層が、ｘが約０．５〜約２．４、任意選択的に約０．５〜１及びｙが約０．６〜約３、任意選択的に約２〜約３であるＳｉＯxＣyから本質的になる、擬似請求項ａｈｅに記載の発明。
装置−皮膜又は層均一性制限
ａｈｇ．装置が、０．６９未満、あるいは０．６９〜０．０１、あるいは０．６９〜０．０５、あるいは０．６６〜０．１、あるいは０．６６〜０．２、あるいは０．６６〜０．２１、あるいは０．６未満、あるいは０．６〜０．０１、あるいは０．６〜０．０５、あるいは０．６〜０．１、あるいは０．６〜０．２、あるいは０．６〜０．２１、あるいは０．５未満、あるいは０．５〜０．０１、あるいは０．５〜０．０５、あるいは０．５〜０．１、あるいは０．５〜０．２、あるいは０．５〜０．２１、あるいは０．４未満、あるいは０．４〜０．０１、あるいは０．４〜０．０５、あるいは０．４〜０．１、あるいは０．４〜０．２、あるいは０．４〜０．２１、あるいは０．３未満、あるいは０．３〜０．０１、あるいは０．３〜０．０５、あるいは０．３〜０．１、あるいは０．３〜０．２、あるいは０．３〜０．２１の、平均皮膜又は層厚さに対する皮膜又は層厚さの１つの標準偏差の比率を有する均一な皮膜又は層を提供するように適合されている、擬似請求項擬似請求項ａｅｌ〜ａｈｆのいずれか一項に記載の発明。
ａｈｈ．装置が、１〜１０００ｎｍ、任意選択的に１０〜５００ｎｍの平均厚さ、及び１９０ｎｍ未満、あるいは１９０〜１０ｎｍ、あるいは１９０〜２０ｎｍ、あるいは１９０〜３０ｎｍ、あるいは１９０〜４０ｎｍ、あるいは１９０〜５０ｎｍ、あるいは１９０〜６０ｎｍ、あるいは１９０〜７０ｎｍ、あるいは１９０〜８０ｎｍ、あるいは１６１ｎｍ未満、あるいは１６０〜１０ｎｍ、あるいは１６０〜２０ｎｍ、あるいは１６０〜３０ｎｍ、あるいは１６０〜４０ｎｍ、あるいは１６０〜５０ｎｍ、あるいは１６０〜６０ｎｍ、あるいは１６０〜７０ｎｍ、あるいは１６０〜８０ｎｍ、あるいは１４０ｎｍ未満、あるいは１４０〜１０ｎｍ、あるいは１４０〜２０ｎｍ、あるいは１４０〜３０ｎｍ、あるいは１４０〜４０ｎｍ、あるいは１４０〜５０ｎｍ、あるいは１４０〜６０ｎｍ、あるいは１４０〜７０ｎｍ、あるいは１４０〜８０ｎｍ、あるいは１２２ｎｍ未満、あるいは１２０〜１０ｎｍ、あるいは１２０〜２０ｎｍ、あるいは１２０〜３０ｎｍ、あるいは１２０〜４０ｎｍ、あるいは１２０〜５０ｎｍ、あるいは１２０〜６０ｎｍ、あるいは１２０〜７０ｎｍ、あるいは１２０〜８０ｎｍ、あるいは１００ｎｍ未満、あるいは１００〜１０ｎｍ、あるいは１００〜２０ｎｍ、あるいは１００〜３０ｎｍ、あるいは１００〜４０ｎｍ、あるいは１００〜５０ｎｍ、あるいは１００〜６０ｎｍ、あるいは１００〜７０ｎｍ、あるいは１００〜８０ｎｍ、あるいは８０ｎｍ未満，あるいは８０〜１０ｎｍ、あるいは８０〜２０ｎｍ、あるいは８０〜３０ｎｍ、あるいは８０〜４０ｎｍ、あるいは８０〜５０ｎｍ、あるいは８０〜６０ｎｍ、あるいは８０〜７０ｎｍの標準偏差、任意選択的に平均厚さ未満の標準偏差、あるいは平均厚さの少なくとも２０％の最小標準偏差を有する均一な皮膜又は層を提供するように構成されている、擬似請求項擬似請求項ａｅｌ〜ａｈｇのいずれか一項に記載の発明。
ａｈｉ．ＰＥＣＶＤプロセス条件が、送込管と、医療バレルの壁又はＰＥＣＶＤが施される他の部分との間の距離が、
デバイ距離を超える、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも２倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも３倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも４倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも５倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも６倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも７倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも８倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも９倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも１０倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも２０倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも３０倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも４０倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも５０倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも６０倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも７０倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも８０倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも９０倍、
任意選択的にデバイ距離の少なくとも１００倍
であるように制御される、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｈｊ．略円筒状内部表面の内径と長さとのアスペクト比が少なくとも２：１、より好ましくは３：１、より好ましくは５：１、より好ましくは１０：１、より好ましくは１５：１、より好ましくは２０：１、任意選択的に２〜１０、任意選択的に少なくとも４、任意選択的に少なくとも６である場合、ＰＥＣＶＤ中において磁気閉じ込めが使用される、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｈｋ．擬似請求項ａｈｇ〜ａｈｊのいずれか一項に記載の方法に従い作製された容器。
ａｈｌ．医療バレル又はバイアルを含む、擬似請求項ａｈｋに記載の容器。
ａｈｍ．クロージャで保護された、製剤を含む、医療バレル、医療バレル４、図３、又は擬似請求項ａｈｌのバイアルを含む薬剤パッケージ。
ａｈｍ１．内腔内のｐＨ４〜９を有する流体組成物と、流体組成物を内腔内に保持し、流体保管パッケージを画定するクロージャと、を更に含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ａｈｎ．製剤又は流体組成物が、本明細書の以下に列挙される個々の材料いずれかからなる群から選択される要素を含む、擬似請求項ａｈｍ又はａｈｍ１に記載の薬剤パッケージ。
パート２
ａｈｏ．本特許請求の範囲では工作物と同一である医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）であって、
・分与端（２２）と、
・後端部（３２）と、
・分与端（２２）と後端部（３２）との間の距離の少なくとも一部に延在する内腔（１８）を画定する略円筒状内部表面１６を有する略円筒状内部表面１６であって、略円筒状内部表面１６が、
・摺動可能なプランジャ又はピストン（３６）を受けるように構成され、
・分与端（２２）又はその近傍にある前端から、各分与端（２２）と後端部（３２）との間にあり、且つ各分与端（２２）及び後端部（３２）から間隔をあけて配置された後端部（８０６）まで軸方向に延在する第１部分（８００）を有し、
・第１部分後端部の近傍の前端から、後端部（３２）への距離の少なくとも一部軸方向に延在する第２部分（８０２）を有する、略円筒状内部表面１６と、
・ＰＥＣＶＤにより略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に塗布された滑性皮膜又は層（３４）であって、滑性皮膜又は層（３４）が平均厚さを有する、滑性皮膜又は層（３４）と、
を含み、
・滑性皮膜又は層が略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）にＰＥＣＶＤによって塗布されない、又は
・第２部分（８０２）上の滑性皮膜又は層（３４）の平均厚さよりも薄い平均厚さを有する滑性皮膜又は層（３４）が略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）にＰＥＣＶＤによって塗布される、
のいずれかである、
医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）。
ａｈｐ．医療バレル又はカートリッジ（１４）及びプランジャもしくはピストン（３６）を含むシリンジ（２１０）、オートインジェクタ（３００）又は類似デバイス（１４）であって、
−医療バレル又はカートリッジ（１４）が、
・分与端（２２）と、
・後端部（３２）と、
・分与端（２２）と後端部（３２）との間の距離の少なくとも一部に延在する内腔（１８）を画定する略円筒状内部表面１６を有する略円筒状内部表面１６であって、略円筒状内部表面１６が、
・摺動可能なプランジャ又はピストン（３６）を受けるように構成され、
・分与端（２２）又はその近傍にある前端から、各分与端（２２）と後端部（３２）との間にあり、且つ各分与端（２２）及び後端部（３２）から間隔をあけて配置された後端部（８０６）まで軸方向に延在する第１部分（８００）を有し、
・第１部分後端部（８０６）の近傍の前端から、後端部（３２）への距離の少なくとも一部軸方向に延在する第２部分（８０２）を有する、略円筒状内部表面１６と、
・ＰＥＣＶＤにより略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に塗布された滑性皮膜又は層（３４）であって、滑性皮膜又は層（３４）が平均厚さを有する、滑性皮膜又は層（３４）と、
を含み、
・滑性皮膜又は層が略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）にＰＥＣＶＤによって塗布されない、又は
・第２部分（８０２）上の滑性皮膜又は層（３４）の平均厚さよりも薄い平均厚さを有する滑性皮膜又は層（３４）が略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）にＰＥＣＶＤによって塗布され、
−プランジャ又はピストン（３６）が内腔（１８）内に配置され、略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に接している静止姿勢と、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）に接している前進姿勢との間において摺動可能である、
シリンジ（２１０）、オートインジェクタ（３００）又は類似デバイス（１４）。
ａｈｑ．医療バレル又はカートリッジ（１４）、分与される流体組成物（４０）、及びプランジャ又はピストン（３６）を含むプレフィルドシリンジ、オートインジェクタ又は類似デバイス（１４）であって、
−医療バレル又はカートリッジ（１４）が、
・分与端（２２）と、
・後端部（３２）と、
・分与端（２２）と後端部（３２）との間の距離の少なくとも一部に延在する内腔（１８）を画定する略円筒状内部表面１６を有する略円筒状内部表面１６であって、略円筒状内部表面１６が、
・摺動可能なプランジャ又はピストン（３６）を受けるように構成され、
・分与端（２２）又はその近傍にある前端から、各分与端（２２）と後端部（３２）との間にあり、且つ各分与端（２２）及び後端部（３２）から間隔をあけて配置された後端部（８０６）まで軸方向に延在する第１部分（８００）を有し、
・第１部分後端部（８０６）の近傍の前端から、後端部（３２）への距離の少なくとも一部軸方向に延在する第２部分（８０２）を有する、略円筒状内部表面１６と、
・ＰＥＣＶＤにより略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に塗布された滑性皮膜又は層（３４）であって、滑性皮膜又は層（３４）が平均厚さを有する、滑性皮膜又は層（３４）と、
を含み、
・滑性皮膜又は層が略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）にＰＥＣＶＤによって塗布されない、又は
・第２部分（８０２）上の滑性皮膜又は層（３４）の平均厚さよりも薄い平均厚さを有する滑性皮膜又は層（３４）が略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）にＰＥＣＶＤによって塗布される、のいずれかであり、
−プランジャ又はピストン（３６）が内腔（１８）内に配置され、略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に接している静止姿勢と、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）に接している前進姿勢との間において軸方向に摺動可能であり、
−流体組成物（４０）がプランジャと医療バレル又はカートリッジ（１４）の分与端（２２）との間の内腔（１８）内に配置されている、
プレフィルドシリンジ、オートインジェクタ又は類似デバイス（１４）。
ａｈｒ．滑性皮膜又は層（３４）が、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）と第２部分（８０２）との間おいて厚さの変化を有する、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｈｓ．第１部分（８００）の滑性皮膜又は層（３４）の最小平均厚さが０ｎｍであり、滑性皮膜又は層（３４）の最大平均厚さが第２部分（８０２）の滑性皮膜又は層（３４）の平均厚さの０．８倍、任意選択的に０．７倍、任意選択的に０．６倍、任意選択的に０．５倍、任意選択的に０．４倍、任意選択的に０．３倍、任意選択的に０．２倍、任意選択的に０．１倍、任意選択的に０．０９倍、任意選択的に０．０８倍、任意選択的に０．０７倍、任意選択的に０．０６倍、任意選択的に０．０５倍、任意選択的に０．０４倍、任意選択的に０．０３倍、任意選択的に０．０２倍、任意選択的に０．０１倍である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｈｔ．略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）と、医療バレル又はカートリッジ（１４）の後端部（３２）との間にある略円筒状内部表面１６の第３部分を更に含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｈｕ．略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）が略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）の後端よりも小さな内径を有する、擬似請求項ａｈｏ〜ａｈｔのいずれか一項に記載の発明。
ａｈｖ．プランジャ又はピストン（３６）が静止姿勢にある状態での２週間の保管後、プランジャ又はピストン（３６）の、その静止姿勢からの解放力（Ｆｉ）が、１２Ｎ未満、あるいは１０Ｎ未満、あるいは８Ｎ未満、あるいは６Ｎ未満、あるいは４Ｎ未満である、擬似請求項ａｈｐ〜ａｈｕのいずれか一項に記載の発明。
ａｈｗ．プランジャ又はピストン（３６）が静止姿勢にある状態での２週間の保管後、プランジャ又はピストン（３６）の、その静止姿勢からの解放力（Ｆｉ）が少なくとも３Ｎである、擬似請求項ａｈｐ〜ａｈｙのいずれか一項に記載の発明。
ａｈｘ．プランジャ又はピストン（３６）の維持力（Ｆｍ）が２〜８Ｎである、擬似請求項ａｈｐ〜ａｈｘのいずれか一項に記載の発明。
ａｈｙ．滑性皮膜又は層（３４）からの溶解Ｓｉ溶出物が１０マイクログラム未満、あるいは５マイクログラム未満、あるいは４マイクログラム未満、あるいは３マイクログラム未満である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｈｚ．滑性皮膜又は層（３４）からの溶解Ｓｉ溶出物が２マイクログラムを超える、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉａ．水性媒体を用いて滑性皮膜又は層（３４）からガスクロマトグラフィ及びマススペクトロスコピーによって抽出された直鎖シロキサン及び環式シロキサンが、１グラムあたり１０マイクログラム未満、あるいは１マイクログラム未満、あるいは０．７マイクログラム未満、あるいは０．０８マイクログラム未満であり、任意選択的に、被覆プラスチック部品の水性溶出物の検出限界を下回る、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｂ．略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）が実質的に滑性皮膜又は層材料を含まない、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｃ．略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）が検出可能な滑性皮膜又は層材料を含まない、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｄ．略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）が、０°〜１°未満、任意選択的に０〜０．５°、任意選択的に０°〜０．２５°、任意選択的に０°〜０．１６°、任意選択的に０°〜０．０３°、任意選択的に０°〜０．０１４°、任意選択的に０°〜０．０１°の抜け勾配を有する、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｅ．略円筒状内部表面１６が第２部分（８０２）と後端部（３２）との間に第３部分を有し、第３部分が、第２部分（８０２）の後端に隣接する前端と、後端と、を有する、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｆ．略円筒状内部表面１６の第３部分が、ＰＥＣＶＤによって塗布された滑性皮膜又は層（３４）を含む、擬似請求項ａｉｅに記載の発明。
ａｉｇ．医療バレル壁が、ポリカーボネート、オレフィン重合体（例えばポリプロピレン（ＰＰ）又はポリエチレン（ＰＥ））、環式オレフィン共重合体（ＣＯＣ）、環式オレフィン重合体（ＣＯＰ）、ポリメチルペンテン、ポリエステル（例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、又はポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ））、ポリメタクリル酸メチル、ＰＶｄＣ（ポリ塩化ビニリデン）、塩化ビニル、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ乳酸、ポリスチレン、水素化ポリスチレン、ポリ（シクロヘキシルエチレン）（ＰＣＨＥ）、エポキシ樹脂、ナイロン、ポリウレタン、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、アイオノマー樹脂（例えばＳｕｒｌｙｎ（登録商標））、ガラス（例えばホウケイ酸ガラス）、又はこれら任意の２つ以上の組み合わせを含み、好ましくは、環式オレフィン重合体、ポリエチレンテレフタレート又はポリプロピレンを含み、より好ましくはＣＯＰを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｇ１．バレル壁が電気的に非導電性の材料で作製されている、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｇ３．バレル壁が透明材料で作製されている、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｇ４．バレル壁が射出成形可能な熱可塑性プラスチック材料で作製されている、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｈ．滑性皮膜又は層（３４）が、ＸＰＳにより測定された、ｘが約０．５〜約２．４、ｙが約０．６〜約３である原子比率ＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを有する、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｉ．滑性皮膜又は層（３４）が、ＳｉＯxＣyからＳｉＯxへの、又はこの逆の段階的複合物を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｊ．滑性皮膜又は層（３４）が、１〜５０００ｎｍ、好ましくは３０〜１０００ｎｍ、より好ましくは１００〜５００ｎｍの平均厚さを有する、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｋ．皮膜又は層の平均厚さが分光反射率により決定される、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法。
ａｉｌ．滑性皮膜又は層（３４）が、
・（ｉ）非被覆表面よりも低いぬれ張力、好ましくは２０〜７２ダイン／ｃｍのぬれ張力、より好ましくは３０〜６０ダイン／ｃｍのぬれ張力、より好ましくは３０〜４０ダイン／ｃｍ、好ましくは３４ダイン／ｃｍのぬれ張力を有する、及び／又は、
・（ｉｉ）非被覆表面に比べてより疎水性である、
前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｍ．薬剤組成物が、生物学的に活性の化合物もしくは組成物又は生物学的流体、好ましくは（ｉ）クエン酸塩もしくはクエン酸塩含有組成物、（ｉｉ）薬剤、特にインスリンもしくはインスリン含有組成物、又は（ｉｉｉ）血液もしくは血球を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｎ．１週間後、プランジャ開始力Ｆiが２．５〜１５Ｎであり、プランジャ維持力Ｆｍが２．５〜２５Ｎである、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｏ．少なくとも略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）上にバリア皮膜又は層を更に含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｐ．バリア皮膜又は層が、ＸＰＳにより測定された、ｘが１．５〜２．９であるＳｉＯｘを含む、擬似請求項ａｉｏに記載の発明。
ａｉｑ．バリア皮膜又は層が厚さ２〜１０００ｎｍ、任意選択的に厚さ２０〜３００ｎｍである、擬似請求項ａｉｏ又はａｉｐに記載の発明。
ａｉｒ．バリア皮膜又は層の有機ケイ素前駆体が直鎖シロキサン、好ましくはＨＭＤＳＯ又はＴＭＤＳＯである、擬似請求項ａｉｏ〜ａｉｑのいずれか一項に記載の発明。
ａｉｓ．少なくとも略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）上に結合皮膜又は層を更に含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｓ１．結合皮膜又は層がバリア皮膜又は層と略円筒状内部表面との間にある、擬似請求項ａｉｓに記載の医療バレル。
ａｉｓ２．結合皮膜又は層が０超〜１０ｎｍの平均厚さを有する、擬似請求項ａｉｓ又はａｉｓ１に記載の医療バレル。
ａｉｔ．結合皮膜又は層が、ＸＰＳにより測定された、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを含む、擬似請求項ａｉｓ、ａｉｓ１又はａｉｓ２に記載の発明。
ａｉｔ１．結合皮膜又は層がＸ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、酸素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ａｉｓ又はａｉｔに記載の発明。
Figure 0006382830
ａｉｔ２．結合皮膜又は層がＸ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、酸素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ａｉｓ又はａｉｔに記載の発明。
Figure 0006382830
ａｉｔ３．バリア皮膜又は層と内腔との間の結合皮膜又は層が、Ｘ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、窒素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ａｉｓ又はａｉｔに記載の発明。
Figure 0006382830
ａｉｔ４．バリア皮膜又は層と内腔との間の結合皮膜又は層が、Ｘ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、窒素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる擬似請求項ａｉｓ又はａｉｔに記載の発明。
Figure 0006382830
ａｉｕ．結合皮膜又は層が厚さ２〜１０００ｎｍである、擬似請求項３７又は３８に記載の発明。
ａｉｖ．結合皮膜又は層の有機ケイ素前駆体がシロキサン、好ましくはＯＭＣＴＳ又はＴＭＤＳＯである、擬似請求項ａｉｓ〜ａｉｕのいずれか一項に記載の発明。
ａｉｗ．略円筒状内部表面１６の少なくとも第１部分上にｐＨ保護皮膜又は層を更に含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｉｘ．ｐＨ保護皮膜又は層が、ＸＰＳにより測定された場合、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯｘＣｙ又はＳｉＮｘＣｙを含む、擬似請求項ａｉｗに記載の発明。
ａｉｙ．ｐＨ保護皮膜又は層が厚さ２〜１０００ｎｍである、擬似請求項ａｉｗ又はａｉｘに記載の発明。
皮膜又は層、バリア皮膜又は層及びｐＨ保護皮膜又は層。
方法クレーム
ａｊｇ．前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）を製造する方法であって、
Ａ．医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）を用意するステップであって、
・分与端（２２）と、
・後端部（３２）と、
・分与端（２２）と後端部（３２）との間の距離の少なくとも一部に延在する内腔（１８）を画定する略円筒状内部表面１６を有する略円筒状内部表面１６であって、略円筒状内部表面１６が、
・摺動可能なプランジャ又はピストン（３６）を受けるように構成され、
・分与端（２２）又はその近傍にある前端から、各第１部分分与端（２２）と後端部（３２）との間にあり、且つ各第１部分分与端（２２）及び後端部（３２）から間隔をあけて配置された後端部（８０６）まで軸方向に延在する第１部分（８００）を有し、
・第１部分後端部の近傍の前端から、後端部（３２）への距離の少なくとも一部軸方向に延在する第２部分（８０２）を有する、略円筒状内部表面１６と、
を含む、ステップと、
Ｂ．滑性皮膜又は層（３４）をＰＥＣＶＤによって略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に塗布するステップであって、滑性皮膜又は層（３４）が平均厚さを有する、ステップと、
Ｃ．ＰＥＣＶＤによって、
・滑性皮膜又は層を略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）に塗布しない、又は
・略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）上に、第２部分（８０２）上の滑性皮膜又は層（３４）の平均厚さ未満の平均厚さを有する滑性皮膜又は層（３４）を塗布する、のいずれかのステップと、
を含む、方法。
ａｊｈ．滑性皮膜又は層（３４）が、
・開放後端部（３２）を有する医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）を用意すること、
・開放後端部（３２）の近傍にあるガス送達ポートから、前駆体ガス（５８８）、任意選択的に酸化性ガス（５９４）、任意選択的に希釈ガス（６０２）の流れを医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）の内腔（１８）内に導入すること、
・内腔（１８）内においてプラズマを形成するのに効果的な条件下で内腔（１８）に電磁エネルギーを印加すること、
によって塗布され、
・当該方法が、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）に堆積された滑性皮膜又は層（３４）がもしあれば、これを上回る平均厚さを有する滑性皮膜又は層（３４）を略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に堆積させるのに効果的な条件下で実施される、
前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｊｉ．より大きな平均厚さを有する滑性皮膜又は層（３４）を略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）上に堆積するのに効果的な条件が、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）に塗布される滑性皮膜又は層（３４）の厚さを、略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に塗布される滑性皮膜又は層（３４）の厚さに対して低減するほどの十分に低い電力レベルで電磁エネルギーを印加することを含む、擬似請求項ａｊｈに記載の発明。
ａｊｊ．プラズマ中で前駆体ガス（５８８）の一部の化学反応が進み、反応生成物が形成され、より大きな平均厚さを有する滑性皮膜又は層（３４）を略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）上に堆積するのに効果的な条件が、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）の後端部（３２）を通じて反応生成物を排出することを含む、擬似請求項ａｊｈ又はａｊｉに記載の発明。
ａｊｋ．前駆体ガス（５８８）が、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン、又はこれら前駆体の任意の２つ以上の組み合わせ；任意選択的に単環シロキサン、任意選択的にオクタメチルシクロテトラシロキサン；任意選択的に直鎖シロキサン、任意選択的にテトラメチルジシロキサンを含む、擬似請求項ａｊｈ〜ａｊｊのいずれか一項に記載の発明。
ａｊｌ．医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）の公称容量が０．１〜５ｍＬ、任意選択的に０．５〜３ｍＬ、任意選択的に０．７〜２ｍＬ、任意選択的に１ｍＬである、擬似請求項ａｊｇ〜ａｊｋのいずれか一項に記載の発明。
ａｊｍ．０．５ワットの最小電力レベル〜１５ワットの最大電力レベルで電磁エネルギーが印加される、擬似請求項ａｊｈ〜ａｊｌのいずれか一項に記載の発明。
ａｊｎ．０．６ワット、任意選択的に０．７ワット、任意選択的に０．８ワット、任意選択的に０．９ワット、任意選択的に１ワット、任意選択的に２ワットの最小電力レベルで電磁エネルギーが印加される、擬似請求項ａｊｈ〜ａｊｍのいずれか一項に記載の発明。
ａｊｏ．３ワット、任意選択的に４ワット、任意選択的に５ワット、任意選択的に６ワット、任意選択的に７ワット、任意選択的に８ワット、任意選択的に９ワット、任意選択的に１０ワットの最大電力で電磁エネルギーが印加される、擬似請求項ａｊｈ〜ａｊｎのいずれか一項に記載の発明。
ａｊｐ．滑性皮膜又は層（３４）が略円筒状内部表面１６にＰＥＣＶＤによって塗布される間、滑性皮膜又は層（３４）を堆積する際に略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に存在する正味平均磁場強度が、略円筒状内部表面１６の第１部分（８００）の平均磁場強度より強く、任意選択的に少なくとも２倍、任意選択的に少なくとも５倍、任意選択的に少なくとも１０倍、任意選択的に少なくとも２０倍、任意選択的に少なくとも３０倍、任意選択的に少なくとも４０倍、任意選択的に５０倍、任意選択的に１００倍、任意選択的に２００倍、任意選択的に５００倍であるように略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に磁場が印加される、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｊｑ．滑性皮膜又は層（３４）が略円筒状内部表面１６にＰＥＣＶＤによって塗布される間、略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に滑性皮膜又は層（３４）を堆積する際の最小平均磁場強度（ガウス）が１ガウス超（１００μＴ、マイクロテスラ）、任意選択的に少なくとも２ガウス、任意選択的に少なくとも５ガウス、任意選択的に少なくとも１０ガウス、任意選択的に少なくとも１５ガウス、任意選択的に少なくとも２０ガウス、任意選択的に少なくとも２５ガウス、任意選択的に少なくとも３０ガウス、任意選択的に少なくとも３５ガウス、任意選択的に少なくとも４０ガウスである、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｊｒ．滑性皮膜又は層（３４）が略円筒状内部表面１６にＰＥＣＶＤによって塗布される間、略円筒状内部表面１６の第２部分（８０２）に滑性皮膜又は層（３４）を堆積する際の最大平均磁場強度（ガウス）が１００ガウス（１０，０００μＴ、マイクロテスラ）、任意選択的に８０ガウス、任意選択的に６０ガウス、任意選択的に５０ガウス、任意選択的に４５ガウスである、擬似請求項ａｊｇに記載の発明。
ａｊｓ．磁場が、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの表面のプラズマ改質の均一性、密度又はその両方を向上させるのに効果的な位置、配向，及び場の強度を有する、擬似請求項ａｊｐ〜ａｊｒのいずれか一項に記載の発明。
ａｊｔ．表面の少なくとも一部におけるプラズマ分布の軸方向均一性、密度又はその両方を向上させる磁場を提供する、擬似請求項ａｊｓに記載の発明。
ａｊｕ．表面の少なくとも一部におけるプラズマ分布の半径方向均一性、密度又はその両方を向上させる磁場を提供する、擬似請求項ａｊｓに記載の発明。
ａｊｖ．プラズマがプラズマ電子を含み、且つ磁場が内腔（１８）におけるプラズマ電子の閉じ込めを向上させるのに効果的である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｊｗ．磁場が、磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも３つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも４つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも５つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも６つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも７つの磁場発生器、任意選択的に少なくとも８つの磁場発生器を表面近傍に設けることによって提供され、各磁場発生器が、極軸（８０）を画定する第１の極と、第２の極と、を有する、擬似請求項ａｊｐ〜ａｊｖのいずれか一項に記載の発明。
ａｊｘ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が表面の軸線に略平行な極軸を有する、擬似請求項ａｊｗに記載の発明。
ａｊｙ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つ、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が動作位置において表面の周りに周方向に分配されている、擬似請求項ａｊｗ又はａｊｘに記載の発明。
ａｊｚ．磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が、表面に対して軸方向に延在する極軸を有する、擬似請求項ａｊｙに記載の発明。
ａｋａ．ＰＥＣＶＤ中、磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が静止したままである、擬似請求項ａｊｚに記載の発明。
ａｋｂ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つ（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が、隣接する磁場発生器から実質的に周方向等距離にある、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋａのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｃ．プラズマ処理の少なくとも一部中の、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも２つ（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が表面の周りを回転するか、あるいは、表面が磁場発生器に対して回転するか、あるいは双方とも回転する、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｂのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｄ．少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が永久磁石又はコイル又は少なくとも１つの永久磁石と少なくとも１つのコイルとの組み合わせである、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｃのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｅ．２つ以上の磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が間隔をあけて配置され、それらの間に凹部を画定し、凹部内に、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの表面の少なくとも一部が配置される、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｄのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｆ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、医療バレル、オートインジェクタカートリッジもしくは類似のデバイス表面又はその両方が、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の周縁周りを平均磁場強度の均一性、密度又はその両方を向上させるのに効果的な速度で回転する、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｅのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｇ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、医療バレル、オートインジェクタカートリッジもしくは類似のデバイス表面又はその両方が、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの加熱の均一性を向上させる、強さを低減する、又はその両方に効果的な速度で医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の周縁周りを回転する、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｆのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｈ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの加熱の均一性を向上させるのに効果的な速度で医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の軸線に沿って、磁場発生器の少なくとも１つ（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）を医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面に沿って軸方向に並進させる、又は医療バレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面を磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）に対して並進させる、又はその両方であることを更に含む、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｇのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｉ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つ（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての磁場発生器が略円筒状表面に対して軸方向に積み重ねられる、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｈのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｊ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向に積み重ねられた磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）の少なくとも２つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての軸方向に積み重ねられた磁場発生器が互いに軸方向に間隔をあけて配置されている、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｉのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｋ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向に積み重ねられた磁場発生器（例えば６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）の少なくとも２つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも３つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも４つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも５つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも６つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも７つ、あるいは軸方向に積み重ねられた磁場発生器の少なくとも８つ、あるいは全ての軸方向に積み重ねられた磁場発生器が互いに軸方向に当接している、擬似請求項ａｊｗ〜Ｋｊのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｌ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が、少なくとも１つのコイルを表面近傍に配置し、コイルに電流を通すことによって提供される、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｋのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｍ．少なくとも１つのコイルがソレノイドコイルを含む、擬似請求項ａｋｌに記載の発明。
ａｋｎ．少なくとも１つのコイルが、中心開口部と、その中心開口部を通る幾何学的軸線と、を有する略トロイダルコイル８又は９を含む、擬似請求項ａｋｌに記載の発明。
ａｋｏ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、略トロイダルコイル８又は９が、その幾何学的軸線が表面の軸線と少なくともほぼ平行に、任意選択的に少なくともほぼ同一線上にある状態で配向される、擬似請求項ａｋｎに記載の発明。
ａｋｐ．略トロイダルコイル８又は９が少なくとも２つの円弧部分、任意選択的に少なくとも４つの円弧部分、任意選択的に少なくとも６つの円弧部分、任意選択的に少なくとも８つの円弧部分、任意選択的に少なくとも８つの４５°円弧部分を有し、交互部分が反対方向に巻かれる、擬似請求項ａｋｎ〜ａｋｏのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｑ．略トロイダルコイルが実質的に円形又は実質的に矩形の断面を有する、擬似請求項ａｋｎ〜ａｋｐのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｒ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が、その極軸（８０）が表面の軸線に少なくとも略平行な状態で配向される、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｑのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｓ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が、その極軸（８０）が表面の軸線と少なくともほぼ同一線上にある状態で配向される、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｒのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｔ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が、その極軸（８０）に沿って延在する通路を有し、表面が完全に当該通路内に配置される、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｓのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｕ．磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）がヘルムホルツコイルである、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｕのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｖ．ヘルムホルツコイルが、第１及び第２の間隔をあけて配置されたソレノイドコイルを含み、それらの間に、方法の進行中にプラズマを見ることを可能にする視界窓を提供するスペースを有する、擬似請求項ａｋｕに記載の発明。
ａｋｗ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が、シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面に沿って変化する場の強度を提供する、擬似請求項ａｊｗ〜ａｋｖのいずれか一項に記載の発明。
ａｋｘ．シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の少なくとも一部が略円筒状である、擬似請求項ａｋｗに記載の発明。
ａｋｙ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）と、シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面との間の距離が、シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面に沿って変化する、擬似請求項ａｋｗ又はａｋｘに記載の発明。
ａｋｚ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、場の強度が、シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面に沿って変化し、変化する場の強度のプロファイルを画定する、擬似請求項ａｋｗ、ａｋｘ又はａｋｙのいずれか一項に記載の発明。
ａｌａ．プラズマを提供し且つ磁場を提供しない時間の少なくとも一部において、シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの表面のプラズマ改質がシリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面に沿って変化し、変化するプラズマ改質のプロファイルを画定する、擬似請求項ａｋｚに記載の発明。
ａｌｂ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が、場の強度のプロファイルの変化がプラズマ改質の変化を相殺する傾向があり、シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスの表面のプラズマ改質の均一性、密度又はその両方を向上させるように構成されている、擬似請求項ａｌａに記載の発明。
ａｌｄ．シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）の後端部（３２）又はその近傍に電子ミラーを提供することを更に含む、擬似請求項ａｊｇ〜ａｌｂのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｅ．電子ミラーを提供する構造が磁場発生器の少なくとも一部を含む、擬似請求項ａｌｄに記載の発明。
ａｌｆ．電子ミラーを提供する構造が強磁性体又は強磁性材料を含む、擬似請求項ａｌｄ〜エールのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｇ．電子ミラーを提供する構造が磁場発生器を含む、擬似請求項ａｌｄ〜ａｌｆのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｈ．電子ミラーを提供する構造が、負に荷電した物体又は物体の一部を含む、擬似請求項ａｌｄ〜ａｌｇのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｉ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、内腔（１８）の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部が、その極軸（８０）が被処理表面の軸線に略平行な状態で配向される、擬似請求項ａｊｐ〜ａｌｈのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｊ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、内腔（１８）の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部が、その極軸（８０）が被処理表面の軸線の周りに延在する状態で配向される、擬似請求項ａｊｐ〜ａｌｉのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｋ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、内腔（１８）の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部が、その極軸（８０）が被処理表面に対してほぼ半径方向面内に延在する状態で配向される、擬似請求項ａｊｐ〜ａｌｊのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｌ．少なくとも１つの磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器は、極軸（８０）を画定する対向する第１の極及び第２の極（８２２、８２４）を有する永久磁石（６１〜７８又は８２０のいずれか）であり、第１端部及び第２端部はそれぞれ第１の極及び第２の極に相当し、永久磁石は、第１の極（８２２）から第２の極（８２４）まで延在する１つ又は複数の側部（８２０）を有し、少なくとも１つの側部（８２６）は第１の極（８２２）と第２の極（８２４）との間において内方向にテーパ状になる、擬似請求項ａｊｐ〜ａｌｋのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｍ．少なくとも１つの磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器の第２端部（８２４）が第１端部（８２２）よりも大きい、擬似請求項ａｌｌに記載の発明。
ａｌｎ．少なくとも１つの磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器が略円錐形、切頭円錐形、角錐形又は切頭角錐形である、擬似請求項ａｌｍに記載の発明。
ａｌｏ．少なくとも１つの磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器が丸みのある小さな端部（８２２）を有する略円錐形である、擬似請求項ａｌｍ又はａｌｎに記載の発明。
ａｌｐ．少なくとも１つの磁場発生器（８２０）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器が、小さな端部（８２２）が半径方向内側に配置され、大きな端部（８２４）が半径方向外側に配置されたリング形アレイ（８３４）にて配向されている、擬似請求項ａｌｍ〜ａｌｏのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｑ．少なくとも１つの磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器が、同じ符号（Ｎ又はＳ）の極が半径方向内側に配置され、第１端部が半径方向外側に配置された状態で配向されている、擬似請求項ａｌｍ〜ａｌｐのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｒ．少なくとも１つの磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器が、Ｎ極が半径方向内側に配置された状態で配向されている、擬似請求項擬似請求項ａｌｍ〜ａｌｑのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｓ．少なくとも１つの磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器が、Ｓ極が半径方向内側に配置された状態で配向されている、擬似請求項ａｌｍ〜ａｌｒのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｔ．少なくとも１つの磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器が棒磁石である、擬似請求項ａｊｐ〜ａｌｓのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｕ．少なくとも１つの磁場発生器（７３〜７８のいずれか）、あるいは少なくとも２つの磁場発生器、あるいは少なくとも３つの磁場発生器、あるいは少なくとも４つの磁場発生器、あるいは少なくとも５つの磁場発生器、あるいは少なくとも６つの磁場発生器、あるいは少なくとも７つの磁場発生器、あるいは少なくとも８つの磁場発生器、あるいは全ての磁場発生器が、シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面を受容するような大きさの中心孔を有するリング磁石である、擬似請求項ａｊｗ〜ａｌｔのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｖ．リング磁石（７３〜７８のいずれか）の少なくとも１つのＮ極及び第２の極がその対向する環状面である、擬似請求項ａｌｕに記載の発明。
ａｌｗ．磁場が少なくとも部分的に、
・動作位置にある際、中心凹部内にシリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面を有する少なくとも１つの内部リング磁石（７３〜７８のいずれか）と、
・内部リング磁石のスタックと軸方向に整列しているが、その外側にある少なくとも１つのキャップ磁石（６５〜７８又は８２０のいずれか）であって、
内部リング磁石が、キャップ磁石によって提供される、シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の軸方向近傍の磁場強度よりも小さい、シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の半径方向近傍の第１の磁場強度を提供する、少なくとも１つのキャップ磁石と、
・任意選択的に、キャップ磁石と、内部リング磁石のスタックとの間に配置される１つ又は複数の更なる磁石と、
のスタックによって提供される、擬似請求項ａｌｖに記載の発明。
ａｌｘ．リング磁石（７３〜７８）の少なくとも１つの極軸（８０）がリングの周りを周方向に取り巻く、擬似請求項ａｌｕ〜ａｌｗのいずれか一項に記載の発明。
ａｌｙ．リング磁石の少なくとも１つの周縁（７３〜７８）が複数のＮ−第２の極ドメインを含む、擬似請求項ａｌｘに記載の発明。
ａｌｚ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、偶数の少なくとも４つの磁場発生器（６１、６２）が軸線を中心に配置され、軸方向に離間した端部間に四重極又は類似構造を提供する、擬似請求項ａｊｗ〜ａｌｙのいずれか一項に記載の発明。
ａｍａ．磁場発生器が有効位置（８３４）と非機能位置（８３４ａ）との間において相対的に移動可能である、擬似請求項ａｌｚに記載の発明。
ａｍｂ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、四重極及びシリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイスが、シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面を通る軸線に対して相対的に配置される、擬似請求項ａｌｚ〜ａｍａのいずれか一項に記載の発明。
ａｍｃ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、四重極が、シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似のデバイス表面の少なくとも一部又はその近傍にプラズマを少なくとも一部閉じ込めるのに効果的である、擬似請求項ａｌｚ〜ａｍｂのいずれか一項に記載の発明。
ａｍｄ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向極軸（８０）を有する磁場発生器（６１〜７８、８６、８８、９０又は８２０のいずれか）が軸方向に離間した端部の少なくとも１つ又はその近傍に配置される、擬似請求項ａｌｚ〜ａｍｃのいずれか一項に記載の発明。
ａｍｅ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、軸方向極軸を有する磁場発生器が、軸方向に離間した端部の両方又はその近傍に配置される、擬似請求項ａｌｍ〜ａｍｄのいずれか一項に記載の発明。
ａｍｆ．軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つがリング磁石を含む、擬似請求項ａｌｚ〜ａｍｅのいずれか一項に記載の発明。
ａｍｇ．軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つがキャップ磁石を含む、擬似請求項ａｌｚ〜ａｍｆのいずれか一項に記載の発明。
ａｍｈ．軸方向極軸を有する磁場発生器の少なくとも１つが棒磁石を含む、擬似請求項ａｌｚ〜ａｍｈのいずれか一項に記載の発明。
ａｍｉ．シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）のＦｉ値を、その内部表面（１６）の直径を選択することにより最適化することを更に含む、擬似請求項ａｊｇ〜ａｍｈのいずれか一項に記載の発明。
ａｍｊ．シリンジバレル、オートインジェクタカートリッジ又は類似デバイス（１４）のＦm値を、その内部表面（１６）の直径を選択することにより最適化することを更に含む、擬似請求項ａｊｇ〜ａｍｉのいずれか一項に記載の発明。
ａｍｋ．流体組成物（４０）がヒトへの非経口投与に適した薬剤組成物である、擬似請求項３〜１８０のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｌ．流体組成物（４０）が診断用組成物である、擬似請求項３〜１８１のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｍ．流体組成物（４０）がヒトへの投与に適した麻酔用組成物である、擬似請求項３〜１８２のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｎ．前記流体組成物（４０）がＡｂｌａｖａｒ（ガドホスベセット三ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｏ．前記流体組成物（４０）がアボボツリナムトキシンＡ注射薬（Ｄｙｓｐｏｒｔ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｐ．前記流体組成物（４０）がＡｃｃｒｅｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｑ．前記流体組成物（４０）がＡｃｅｔａｄｏｔｅ（アセチルシステイン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｒ．前記流体組成物（４０）がアセタゾラミド注射薬（アセタゾラミド注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｓ．前記流体組成物（４０）がアセチルシステイン注射薬（Ａｃｅｔａｄｏｔｅ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｔ．前記流体組成物（４０）がアクテムラ（トシリズマブ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｕ．前記流体組成物（４０）がＡｃｔｈｒｅｌ（注射用コルチコレリンオーバイントリフルテート）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｖ．前記流体組成物（４０）が注射用アシクロビル（ゾビラックス注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｗ．前記流体組成物（４０）がＡｄａｃｅｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｘ．前記流体組成物（４０）がアダリムマブを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｙ．前記流体組成物（４０）がアデノスキャン（アデノシン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｍｚ．前記流体組成物（４０）がアデノシン注射薬（アデノスキャン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎａ．前記流体組成物（４０）がＡｄｒｅｎａｃｌｉｃｋを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｂ．前記流体組成物（４０）がＡｄｒｅＶｉｅｗ（ヨーベングアンＩ１２３静脈内使用用注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｃ．前記流体組成物（４０）がＡｆｌｕｒｉａを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｄ．前記流体組成物（４０）がＡｋ−Ｆｌｕｏｒ（フルオレセイン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｅ．前記流体組成物（４０）がアルグルセラーゼ注射薬（セレデース）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｆ．前記流体組成物（４０）がアルケラン注射薬（メルファランＨｃｌ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｇ．前記流体組成物（４０）がアロプリノールナトリウム注射用（Ａｌｏｐｒｉｍ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｈ．前記流体組成物（４０）がＡｌｏｐｒｉｍ（アロプリノールナトリウム注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｉ．前記流体組成物（４０）がアルプロスタジルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｊ．前記流体組成物（４０）がＡｌｓｕｍａ（スマトリプタン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｋ．前記流体組成物（４０）がアミノ酸注射薬を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｌ．前記流体組成物（４０）がＡｍｉｎｏｓｙｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｍ．前記流体組成物（４０）がアピドラを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｎ．前記流体組成物（４０）がアプレミラストを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｏ．前記流体組成物（４０）がアルプロスタジルデュアルチャンバシステム（Ｄｕａｌ Ｃｈａｍｂｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ）注射用（Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ Ｉｍｐｕｌｓｅ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｐ．前記流体組成物（４０）がＡＭＧ１０８を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｑ．前記流体組成物（４０）がＡＭＧ７１４を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｒ．前記流体組成物（４０）がアミオダロンＨＣｌ注射薬（アミオダロンＨＣｌ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｓ．前記流体組成物（４０）がアモバルビタールナトリウム注射薬（アミタールナトリウム）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｔ．前記流体組成物（４０）がアミタールナトリウム（アモバルビタールナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｕ．前記流体組成物（４０）がアナキンラを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｖ．前記流体組成物（４０）がアリクストラを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｗ．前記流体組成物（４０）がＡｍｐｈａｄａｓｅ（ヒアルロニダーゼ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｘ．前記流体組成物（４０）がＡｍｍｏｎｕｌ（フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｙ．前記流体組成物（４０）がアンゼメット注射薬（メシル酸ドラセトロン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｎｚ．前記流体組成物（４０）がアピドラ（インスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏａ．前記流体組成物（４０）がアルガトロバン（アルガトロバン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｂ．前記流体組成物（４０）が塩酸アルギニン注射薬（Ｒ−Ｇｅｎｅ １０）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｃ．前記流体組成物（４０）がアリストコートを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｄ．前記流体組成物（４０）がアリストスパンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｅ．前記流体組成物（４０）が三酸化ヒ素注射薬（トリセノックス）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｆ．前記流体組成物（４０）がアルチケーンＨＣＩ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬（Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｇ．前記流体組成物（４０）がアーゼラ（オファツムマブ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｈ．前記流体組成物（４０）がＡｓｃｌｅｒａ（ポリドカノール注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｉ．前記流体組成物（４０）がアテノロール注射薬（テノーミンＩ．Ｖ．注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｊ．前記流体組成物（４０）がベシル酸アトラクリウム注射薬（ベシル酸アトラクリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｋ．前記流体組成物（４０）がアバスチンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｌ．前記流体組成物（４０）がアザクタム注射薬（アズトレオナム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｍ．前記流体組成物（４０）がアジスロマイシン（ジスロマック注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｎ．前記流体組成物（４０）がアズトレオナム注射薬（アザクタム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｏ．前記流体組成物（４０）がバクロフェン注射薬（リオレサール髄注）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｐ．前記流体組成物（４０）が静菌水（注射用静菌水）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｑ．前記流体組成物（４０）がバクロフェン注射薬（リオレサール髄注）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｒ．前記流体組成物（４０）がＢａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ（ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｓ．前記流体組成物（４０）がＢａｙＨｅｐＢを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｔ．前記流体組成物（４０）がＢａｙＴｅｔを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｕ．前記流体組成物（４０）がベナドリルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｖ．前記流体組成物（４０）が塩酸ベンダムスチン注射薬（トレアンダ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｗ．前記流体組成物（４０）がメシル酸ベンズトロピン注射薬（コゲンチン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｘ．前記流体組成物（４０）がベタメタゾン懸濁注射液（Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｙ．前記流体組成物（４０）がベキサールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｏｚ．前記流体組成物（４０）がバイシリンＣ−Ｒ９００／３００（ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカイン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐａ．前記流体組成物（４０）がブレノキサン（ブレオマイシン硫酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｂ．前記流体組成物（４０）がブレオマイシン硫酸塩注射薬（ブレノキサン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｃ．前記流体組成物（４０）がボニバ注射薬（イバンドロネートナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｄ．前記流体組成物（４０）がボトックスコスメティック（注射用ボツリヌストキシンＡ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｅ．前記流体組成物（４０）がＢｒａｖｅｌｌｅ（ウロホリトロピン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｆ．前記流体組成物（４０）がブレチリウム（ブレチリウムトシラート注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｇ．前記流体組成物（４０）がブレビタールナトリウム（メトヘキシタールナトリウム注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｈ．前記流体組成物（４０）がＢｒｅｔｈｉｎｅを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｉ．前記流体組成物（４０）がＢｒｉｏｂａｃｅｐｔを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｊ．前記流体組成物（４０）がＢＴＴ−１０２３を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｋ．前記流体組成物（４０）がブピバカインＨＣＩを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｌ．前記流体組成物（４０）がバイエッタを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｍ．前記流体組成物（４０）がＣａ−ジエチレントリアミン五酢酸（ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｎ．前記流体組成物（４０）がカバジタキセル注射薬（ジェブタナ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｏ．前記流体組成物（４０）がカフェインアルカロイド（カフェイン及び安息香酸ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｐ．前記流体組成物（４０）がカルシジェックス注射薬（カルシトリオール）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｑ．前記流体組成物（４０）がカルシトリオール（カルシジェックス注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｒ．前記流体組成物（４０）が塩化カルシウム（塩化カルシウム注射薬１０％）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｓ．前記流体組成物（４０）がカルシウムジナトリウムベルセネート（エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｔ．前記流体組成物（４０）がＣａｍｐｔｏｓａｒ注射薬（イリノテカン塩酸）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｕ．前記流体組成物（４０）がカナキヌマブ注射薬（イラリス）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｖ．前記流体組成物（４０）がカパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ）（カプレオマイシン注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｗ．前記流体組成物（４０）がカプレオマイシン注射用（カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｘ．前記流体組成物（４０）がカーディオライト（注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｙ．前記流体組成物（４０）が注射用セファゾリン及びブドウ糖（セファゾリン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｐｚ．前記流体組成物（４０）がセフェピム塩酸塩を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑａ．前記流体組成物（４０）がセフォタキシムを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｂ．前記流体組成物（４０）がセフトリアキソンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｃ．前記流体組成物（４０）がＣａｒｎｉｔｏｒ注射薬を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｄ．前記流体組成物（４０）がＣａｖｅｒｊｅｃｔを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｅ．前記流体組成物（４０）がＣｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｆ．前記流体組成物（４０）がＣｅｒｅｂｙｘ（ホスフェニトインナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｇ．前記流体組成物（４０）がセレデース（アルグルセラーゼ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｈ．前記流体組成物（４０）がＣｅｒｅｔｅｃ（テクネチウムＴｃ９９ｍエキサメタジム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｉ．前記流体組成物（４０）がセルトリズマブを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｊ．前記流体組成物（４０）がＣＦ−１０１を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｋ．前記流体組成物（４０）がクロラムフェニコールコハク酸ナトリウム（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｌ．前記流体組成物（４０）がクロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｍ．前記流体組成物（４０）が絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬（Ｏｖｉｄｒｅｌ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｎ．前記流体組成物（４０）がシムジアを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｏ．前記流体組成物（４０）がシスプラチン（シスプラチン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｐ．前記流体組成物（４０）がクエン酸クロミフィン（Ｃｌｏｍｉｐｈｉｎｅ Ｃｉｔｒａｔｅ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｑ．前記流体組成物（４０）がクロニジン注射薬（Ｄｕｒａｃｌｏｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｒ．前記流体組成物（４０）がコゲンチン（メシル酸ベンズトロピン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｓ．前記流体組成物（４０）がコリスチメタート注射薬（Ｃｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｔ．前記流体組成物（４０）がＣｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ（コリスチメタート注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｕ．前記流体組成物（４０）がＣｏｍｐａｔｈを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｖ．前記流体組成物（４０）がコニバプタンＨｃｌ注射薬（バプリゾール）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｗ．前記流体組成物（４０）が注射用結合型エストロゲン（プレマリン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｘ．前記流体組成物（４０）がコパキソンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｙ．前記流体組成物（４０）が注射用コルチコレリンオーバイントリフルテート（Ａｃｔｈｒｅｌ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｑｚ．前記流体組成物（４０）がコルベルト（フマル酸イブチリド注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒａ．前記流体組成物（４０）がキュビシン（ダプトマイシン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｂ．前記流体組成物（４０）がＣＦ−１０１を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｃ．前記流体組成物（４０）がＣｙａｎｏｋｉｔ（注射用ヒドロキソコバラミン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｄ．前記流体組成物（４０）がシタラビンリポソーム注射薬（デポサイト）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｅ．前記流体組成物（４０）がシアノコバラミンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｆ．前記流体組成物（４０）がＤ．Ｈ．Ｅ．４５を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｇ．前記流体組成物（４０）がダコゲン（デシタビン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｈ．前記流体組成物（４０）がダルテパリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｉ．前記流体組成物（４０）がダントリウムＩＶ（注射用ダントロレンナトリウム）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｊ．前記流体組成物（４０）が注射用ダントロレンナトリウム（ダントリウムＩＶ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｋ．前記流体組成物（４０）がダプトマイシン注射薬（キュビシン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｌ．前記流体組成物（４０）がダルベポエチンアルファを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｍ．前記流体組成物（４０）がＤＤＡＶＰ注射薬（デスモプレシン酢酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｎ．前記流体組成物（４０）がＤｅｃａｖａｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｏ．前記流体組成物（４０）がデシタビン注射薬（ダコゲン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｐ．前記流体組成物（４０）が無水アルコール（無水アルコール注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｑ．前記流体組成物（４０）がデノスマブ注射薬（プロリア）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｒ．前記流体組成物（４０）がデラテストリルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｓ．前記流体組成物（４０）がデルエストロゲンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｔ．前記流体組成物（４０）がデルテパリンナトリウムを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｕ．前記流体組成物（４０）がＤｅｐａｃｏｎ（バルプロ酸ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｖ．前記流体組成物（４０）がデポメロドール（酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｗ．前記流体組成物（４０）がデポサイト（シタラビンリポソーム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｘ．前記流体組成物（４０）がデポデュール（モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｙ．前記流体組成物（４０）がデスモプレシン酢酸塩注射薬（ＤＤＡＶＰ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｒｚ．前記流体組成物（４０）がＤｅｐｏ−エストラジオールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓａ．前記流体組成物（４０）がデポプロベラ１０４ｍｇ／ｍｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｂ．前記流体組成物（４０）がデポプロベラ１５０ｍｇ／ｍｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｃ．前記流体組成物（４０）がＤｅｐｏ−Ｔｅｓｔｏｓｔｅｒｏｎｅを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｄ．前記流体組成物（４０）が注射用デキスラゾキサン、静注のみ（Ｔｏｔｅｃｔ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｅ．前記流体組成物（４０）がブドウ糖／電解質を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｆ．前記流体組成物（４０）がブドウ糖及び塩化ナトリウム注射薬（０．９％塩化ナトリウム中ブドウ糖５％）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｇ．前記流体組成物（４０）がブドウ糖を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｈ．前記流体組成物（４０）がジアゼパム注射薬（ジアゼパム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｉ．前記流体組成物（４０）がジゴキシン注射薬（ラノキシン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｊ．前記流体組成物（４０）がジラウジッド−ＨＰ（ヒドロモルホン塩酸注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｋ．前記流体組成物（４０）がジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬（Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｌ．前記流体組成物（４０）がジフェンヒドラミン注射薬（ベナドリル注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｍ．前記流体組成物（４０）がジピリダモール注射薬（ジピリダモール注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｎ．前記流体組成物（４０）がドセタクセル注射用（タキソテール）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｏ．前記流体組成物（４０）がメシル酸ドラセトロン注射薬（アンゼメット注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｐ．前記流体組成物（４０）がドリバックス（ドリペネム注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｑ．前記流体組成物（４０）がドリペネム注射用（ドリバックス）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｒ．前記流体組成物（４０）がドキセルカルシフェロール注射薬（Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｓ．前記流体組成物（４０）がドキシル（ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｔ．前記流体組成物（４０）がドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬（ドキシル）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｕ．前記流体組成物（４０）がＤｕｒａｃｌｏｎ（クロニジン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｖ 前記流体組成物（４０）がＤｕｒａｍｏｒｐｈ（モルヒネ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｗ．前記流体組成物（４０）がＤｙｓｐｏｒｔ（アボボツリナムトキシンＡ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｘ．前記流体組成物（４０）がエカランチド注射薬（Ｋａｌｂｉｔｏｒ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｙ．前記流体組成物（４０）がエデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬（カルシウムジナトリウムベルセネート）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｓｚ．前記流体組成物（４０）がＥｄｅｘ（注射用アルプロスタジル）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔａ．前記流体組成物（４０）がＥｎｇｅｒｉｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｂ．前記流体組成物（４０）がエドロホニウム注射薬（Ｅｎｌｏｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｃ．前記流体組成物（４０）がエロキサチン（オキサリプラチン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｄ．前記流体組成物（４０）がイメンド注射薬（フォサプレピタントジメグルミン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｅ．前記流体組成物（４０）がエナラプリラート注射薬（エナラプリラート注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｆ．前記流体組成物（４０）がＥｎｌｏｎ（エドロホニウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｇ．前記流体組成物（４０）がエノキサパリンナトリウム注射薬（ラブノックス）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｈ．前記流体組成物（４０）がエオビスト（ガドキセト酸二ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｉ．前記流体組成物（４０）がエンブレルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｊ．前記流体組成物（４０）がエノキサパリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｋ．前記流体組成物（４０）がＥｐｉｎｅｐｈｅｒｉｎｅを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｌ．前記流体組成物（４０）がエピペンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｍ．前記流体組成物（４０）がエピペンＪｒ．を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｎ．前記流体組成物（４０）がアービタックスを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｏ．前記流体組成物（４０）がエルタペネム注射薬（Ｉｎｖａｎｚ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｐ．前記流体組成物（４０）がエリスロポエテン（Ｅｒｙｔｈｒｏｐｏｉｅｔｅｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｑ．前記流体組成物（４０）が必須アミノ酸注射薬（Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｒ．前記流体組成物（４０）がエストラジオールシピオネートを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｓ．前記流体組成物（４０）が吉草酸エストラジオールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｔ．前記流体組成物（４０）がエタネルセプトを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｕ．前記流体組成物（４０）がエキセナチド注射薬（バイエッタ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｖ．前記流体組成物（４０）がファモチジン注射薬を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｗ．前記流体組成物（４０）がＦＤＧ（フルデオキシグルコースＦ１８注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｘ．前記流体組成物（４０）がフェラヘム（フェルモキシトール注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｙ．前記流体組成物（４０）がフェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｔｚ．前記流体組成物（４０）がＦｅｒｔｉｎｅｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕａ．前記流体組成物（４０）がフェルモキシデス注射可能溶液（フェリデックスＩ．Ｖ．）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｂ．前記流体組成物（４０）がフェルモキシトール注射薬（フェラヘム）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｃ．前記流体組成物（４０）がフラジール注射薬（メトロニダゾール注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｄ．前記流体組成物（４０）がＦｌｕａｒｉｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｅ．前記流体組成物（４０）がフルデオキシグルコースＦ１８注射薬（ＦＤＧ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｆ．前記流体組成物（４０）がフルオレセイン注射薬（Ａｋ−Ｆｌｕｏｒ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｇ．前記流体組成物（４０）がフォリスチムＡＱカートリッジ（フォリトロピンベータ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｈ．前記流体組成物（４０）がフォリトロピンアルファ注射薬（ゴナールエフＲＦＦ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｉ．前記流体組成物（４０）がフォリトロピンベータ注射薬（フォリスチムＡＱカートリッジ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｊ．前記流体組成物（４０）がフォロチン（プララトレキサート溶液静注用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｋ．前記流体組成物（４０）がフォンダパリヌクスを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｌ．前記流体組成物（４０）がフォルテオ（テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｍ．前記流体組成物（４０）がＦｏｓｔａｍａｔｉｎｉｂを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｎ．前記流体組成物（４０）がフォサプレピタントジメグルミン注射薬（イメンド注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｏ．前記流体組成物（４０）がホスカルネットナトリウム注射薬（ホスカビル）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｐ．前記流体組成物（４０）がホスカビル（ホスカルネットナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｑ．前記流体組成物（４０）がホスフェニトインナトリウム注射薬（Ｃｅｒｅｂｙｘ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｒ．前記流体組成物（４０）がホスプロポフォール二ナトリウム注射薬（Ｌｕｓｅｄｒａ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｓ．前記流体組成物（４０）がフラグミンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｔ．前記流体組成物（４０）がガドベン酸ジメグルミン注射薬（Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｕ．前記流体組成物（４０）がガドホスベセット三ナトリウム注射薬（Ａｂｌａｖａｒ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｖ．前記流体組成物（４０）がガドテリドール注射薬溶液（プロハンス）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｗ．前記流体組成物（４０）がカドベルセタミド注射薬（ＯｐｔｉＭＡＲＫ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｘ．前記流体組成物（４０）がガドキセト酸二ナトリウム注射薬（エオビスト）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｙ．前記流体組成物（４０）がガニレリクス（ガニレリクス酢酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｕｚ．前記流体組成物（４０）がガーダシルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖａ．前記流体組成物（４０）が注射用ゲムツズマブオゾガマイシン（マイロターグ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｂ．前記流体組成物（４０）がジェノトロピンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｃ．前記流体組成物（４０）がゲンタマイシン注射薬を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｄ．前記流体組成物（４０）がゴリムマブ注射薬（シンポニー注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｅ．前記流体組成物（４０）がゴナールエフＲＦＦ（フォリトロピンアルファ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｆ．前記流体組成物（４０）がグラニセトロン塩酸塩（カイトリル注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｇ．前記流体組成物（４０）がゲンタマイシン硫酸塩を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｈ．前記流体組成物（４０）がグラチラマー酢酸塩を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｉ．前記流体組成物（４０）がＧｌｕｃａｇｅｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｊ．前記流体組成物（４０）がグルカゴンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｋ 前記流体組成物（４０）がＨａｌｄｏｌ（ハロペリドール注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｌ．前記流体組成物（４０）がＨａｖｒｉｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｍ．前記流体組成物（４０）がＨｅｃｔｏｒｏｌ ＩｎｊｅｃｔｉＺｎ（ドキセルカルシフェロール注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｎ．前記流体組成物（４０）がへパリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｏ．前記流体組成物（４０）がハーセプチンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｐ．前記流体組成物（４０）がｈＧ−ＣＳＦを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｑ．前記流体組成物（４０）がヒューマログを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｒ．前記流体組成物（４０）がヒト成長ホルモンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｓ．前記流体組成物（４０）がヒューマトロープを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｔ．前記流体組成物（４０）がＨｕＭａｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｕ．前記流体組成物（４０）がヒュメゴンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｖ．前記流体組成物（４０）がヒュミラを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｗ．前記流体組成物（４０）がヒューマリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｘ．前記流体組成物（４０）がＩｂａｎｄｒ８ｎａｔｅ Ｓｏｄｉｕｍ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ（ボニバ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｙ．前記流体組成物（４０）がイブプロフェンリシン注射薬（ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｖｚ．前記流体組成物（４０）がフマル酸イブチリド注射薬（コルベルト）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗａ．前記流体組成物（４０）がイダマイシンＰＦＳ（イダルビシン塩酸注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｂ．前記流体組成物（４０）がイダルビシン塩酸注射薬（イダマイシンＰＦＳ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｃ．前記流体組成物（４０）がイラリス（カナキヌマブ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｄ．前記流体組成物（４０）が注射用イミペネム及びシラスタチン（プリマキシンＩ．Ｖ．）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｅ．前記流体組成物（４０）がイミトレックスを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｆ．前記流体組成物（４０）がインコボツリナムトキシンＡ注射用（Ｘｅｏｍｉｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｇ．前記流体組成物（４０）がＩｎｃｒｅｌｅｘ（メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｈ．前記流体組成物（４０）がインダシンＩＶ（インドメタシン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｉ．前記流体組成物（４０）がインドメタシン注射薬（インダシンＩＶ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｊ．前記流体組成物（４０）がＩｎｆａｎｒｉｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｋ．前記流体組成物（４０）がイノヘップを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｌ．前記流体組成物（４０）がインスリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｍ．前記流体組成物（４０）がインスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ＮｏｖｏＬｏｇ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｎ．前記流体組成物（４０）がインスリングラルギン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ランタス）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｏ．前記流体組成物（４０）がインスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（アピドラ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｐ．前記流体組成物（４０）がインターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用（イントロンＡ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｑ．前記流体組成物（４０）がイントロンＡ（インターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｒ．前記流体組成物（４０）がＩｎｖａｎｚ（エルタペネム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｓ．前記流体組成物（４０）がＩｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ（パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｔ．前記流体組成物（４０）がヨーベングアンＩ１２３静脈内使用用注射薬（ＡｄｒｅＶｉｅｗ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｕ．前記流体組成物（４０）がイオプロミド注射薬（Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｖ．前記流体組成物（４０）がイオベルソール注射薬（オプチレイ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｗ．前記流体組成物（４０）がＩｐｌｅｘ（メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｘ．前記流体組成物（４０）がＩｐｒｉｖａｓｋを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｙ．前記流体組成物（４０）がイリノテカン塩酸（Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｗｚ．前記流体組成物（４０）が含糖酸化鉄注射薬（ヴェノファー）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘａ．前記流体組成物（４０）がＩｓｔｏｄａｘ（ロミデプシン注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｂ．前記流体組成物（４０）がイトラコナゾール注射薬（スポラノックス注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｃ．前記流体組成物（４０）がジェブタナ（カバジタキセル注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｄ．前記流体組成物（４０）がＫａｌｂｉｔｏｒ（エカランチド注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｅ．前記流体組成物（４０）がＫＣＬ ｉｎ Ｄ５ＮＳ（５％ブドウ糖及び塩化ナトリウム中塩化カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｉｎ ５％ Ｄｅｘｔｒｏｓｅ ａｎｄ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｆ．前記流体組成物（４０）がＫＣＬ ｉｎ Ｄ５Ｗを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｇ．前記流体組成物（４０）がＫＣＬ ｉｎ ＮＳを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｈ．前記流体組成物（４０）がケナログ１０注射薬（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｉ．前記流体組成物（４０）がケプラ注射薬（レベチラセタム）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｊ．前記流体組成物（４０）がＫｉｎｅｒｅｔを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｋ．前記流体組成物（４０）がＫｉｎｌｙｔｉｃ（ウロキナーゼ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｌ．前記流体組成物（４０）がＫｉｎｒｉｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｍ．前記流体組成物（４０）がカイトリル注射薬（グラニセトロン塩酸塩）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｎ．前記流体組成物（４０）がラコサミド錠及び注射薬（ビンパット）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｏ．前記流体組成物（４０）が乳酸リンゲル液を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｐ．前記流体組成物（４０）がラノキシン注射薬（ジゴキシン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｑ．前記流体組成物（４０）がランソプラゾール注射用（プレバシドＩ．Ｖ．）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｒ．前記流体組成物（４０）がランタスを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｓ．前記流体組成物（４０）がロイコボリンカルシウム（ロイコボリンカルシウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｔ．前記流体組成物（４０）がレンテ（Ｌ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｕ 前記流体組成物（４０）がレベミルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｖ．前記流体組成物（４０）がロイプロリド酢酸塩を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｗ．前記流体組成物（４０）がレボチロキシンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｘ．前記流体組成物（４０）がレベチラセタム（ケプラ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｙ．前記流体組成物（４０）がラブノックスを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｘｚ．前記流体組成物（４０）がレボカルニチン注射薬（Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙａ．前記流体組成物（４０）がレキスキャン（レガデノソン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｂ．前記流体組成物（４０）がリオレサール髄注（バクロフェン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｃ．前記流体組成物（４０）がリラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬（ビクトーザ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｄ．前記流体組成物（４０）がラブノックス（エノキサパリンナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｅ．前記流体組成物（４０）がルセンティス（ラニビズマブ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｆ．前記流体組成物（４０）がルプロン（ロイプロリド酢酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｇ．前記流体組成物（４０）がＬｕｓｅｄｒａ（ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｈ．前記流体組成物（４０）がマグネシウム硫酸塩（マグネシウム硫酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｉ．前記流体組成物（４０）がマンニトール注射薬（マンニトールＩＶ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｊ．前記流体組成物（４０）がマーカイン（ブピバカイン塩酸及びエピネフリン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｋ．前記流体組成物（４０）がマキシピーム（セフェピム塩酸塩注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｌ．前記流体組成物（４０）がテクネチウム注射薬ＭＤＰ多用量（Ｍｕｌｔｉｄｏｓｅ）キット（テクネチウムＴｃ９９ｍメドロナート注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｍ．前記流体組成物（４０）がメカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｎｃｒｅｌｅｘ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｎ．前記流体組成物（４０）がメカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｐｌｅｘ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｏ．前記流体組成物（４０）がメルファランＨｃｌ注射薬（アルケラン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｐ．前記流体組成物（４０）がメトトレキサートを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｑ．前記流体組成物（４０）がメナクトラを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｒ．前記流体組成物（４０）がＭｅｎｏｐｕｒ（メノトロピンス注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｓ．前記流体組成物（４０）がメノトロピンス注射用（Ｒｅｐｒｏｎｅｘ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｔ．前記流体組成物（４０）がメトヘキシタールナトリウム注射用（ブレビタールナトリウム）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｕ．前記流体組成物（４０）がメチルドーパート塩酸塩注射液（メチルドーパートＨｃｌ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｖ．前記流体組成物（４０）がメチレンブルー（メチレンブルー注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｗ．前記流体組成物（４０）が酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｘ．前記流体組成物（４０）がメトクロプラミド注射薬（Ｒｅｇｌａｎ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｙ．前記流体組成物（４０）がＭｅｔｒｏｄｉｎ（ウロホリトロピン注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｙｚ．前記流体組成物（４０）がメトロニダゾール注射薬（フラジール注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚａ．前記流体組成物（４０）がＭｉａｃａｌｃｉｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｂ．前記流体組成物（４０）がミダゾラム（ミダゾラム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｃ．前記流体組成物（４０）がミノシン注射薬（ミノサイクリン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｄ．前記流体組成物（４０）がミノサイクリン注射薬（ミノシン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｅ．前記流体組成物（４０）がミトキサントロン注射用濃縮液（ノバントロン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｆ．前記流体組成物（４０）がモルヒネ注射薬（Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｇ．前記流体組成物（４０）がモルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬（デポデュール）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｈ．前記流体組成物（４０）がモルイン酸ナトリウム（モルイン酸ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｉ．前記流体組成物（４０）がモゾビル（プレリキサフォル注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｊ．前記流体組成物（４０）がＭｕｌｔｉｈａｎｃｅ（ガドベン酸ジメグルミン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｋ．前記流体組成物（４０）が多電解質及びブドウ糖注射薬を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｌ．前記流体組成物（４０）が多電解質注射薬を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｍ．前記流体組成物（４０）がマイロターグ（注射用ゲムツズマブオゾガマイシン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｎ．前記流体組成物（４０）がナフシリン注射薬（ナフシリンナトリウム）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｏ．前記流体組成物（４０）がナフシリンナトリウム（ナフシリン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｐ．前記流体組成物（４０）がナルトレキソンＸＲ注射薬（ビビトロル）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｑ．前記流体組成物（４０）がＮｅｏＰｒｏｆｅｎ（イブプロフェンリシン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｒ．前記流体組成物（４０）がナンドロルデカン酸エステル（Ｎａｎｄｒｏｌ Ｄｅｃａｎｏａｔｅ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｓ．前記流体組成物（４０）がネオスチグミンメチル硫酸塩（ネオスチグミンメチル硫酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｔ．前記流体組成物（４０）がＮｅｏＴｅｃｔ（テクネチウムＴｃ９９ｍデプレオチド注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｕ．前記流体組成物（４０）がＮｅｐｈｒａｍｉｎｅ（必須アミノ酸注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｖ．前記流体組成物（４０）がＮｅｕｌａｓｔａを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｗ．前記流体組成物（４０）がＮｅｕｐｏｇｅｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｘ．前記流体組成物（４０）がノボリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｙ．前記流体組成物（４０）がＮｏｖｏｌｏｇを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ａｚｚ．前記流体組成物（４０）がＮｅｏＲｅｃｏｒｍｏｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａａ．前記流体組成物（４０）がＮｅｕｔｒｅｘｉｎ（グルコン酸トリメトレキサート注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｂ．前記流体組成物（４０）がＮＰＨ（Ｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｃ．前記流体組成物（４０）がＮｅｘｔｅｒｏｎｅ（アミオダロンＨＣｌ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｄ．前記流体組成物（４０）がノルディトロピン（ソマトロピン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｅ．前記流体組成物（４０）が生理食塩水（塩化ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｆ．前記流体組成物（４０）がノバントロン（ミトキサントロン注射用濃縮液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｇ．前記流体組成物（４０）がノボリン７０／３０イノレット（７０％ＮＰＨ、ヒトインスリンイソフェン懸濁液及び３０％レギュラー、ヒトインスリン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｈ．前記流体組成物（４０）がＮｏｖｏＬｏｇ（インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｉ．前記流体組成物（４０）がニュートロピン（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｊ．前記流体組成物（４０）がニュートロピンデポ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｋ．前記流体組成物（４０）がオクトレオチド酢酸塩注射薬（サンドスタチンＬＡＲ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｌ．前記流体組成物（４０）がオクレリズマブを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｍ．前記流体組成物（４０）がオファツムマブ注射薬（アーゼラ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｎ．前記流体組成物（４０）が徐放性オランザピン懸濁注射液（Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｏ．前記流体組成物（４０）がＯｍｎｉｔｒｏｐｅ（ソマトロピン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｐ．前記流体組成物（４０）がオンダンセトロン塩酸注射薬（ゾフラン注射薬薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｑ．前記流体組成物（４０）がＯｐｔｉＭＡＲＫ（カドベルセタミド注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｒ．前記流体組成物（４０）がオプチレイ注射薬（イオベルソール注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｓ．前記流体組成物（４０）がオレンシアを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｔ．前記流体組成物（４０）がＯｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ａｖｉｖａ（マンニトール注射薬、Ａｖｉｖａプラスチック薬剤パッケージ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｕ．前記流体組成物（４０）がＯｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘ（マンニトール注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック薬剤パッケージ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｖ．前記流体組成物（４０）がＯｖｉｄｒｅｌ（絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｗ．前記流体組成物（４０）がオキサシリン（オキサシリン注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｘ．前記流体組成物（４０）がオキサリプラチン注射薬（エロキサチン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｙ．前記流体組成物（４０）がオキシトシン注射薬（ピトシン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂａｚ．前記流体組成物（４０）がパリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液（Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂａ．前記流体組成物（４０）がパミドロン酸二ナトリウム注射薬（パミドロン酸二ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｂ．前記流体組成物（４０）がパニツムマブ静注用（ベクティビックス）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｃ．前記流体組成物（４０）がパパベリン塩酸塩注射薬（パパベリン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｄ．前記流体組成物（４０）がパパベリン注射薬（パパベリン塩酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｅ．前記流体組成物（４０）が副甲状腺ホルモンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｆ．前記流体組成物（４０）がパリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル（Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｇ．前記流体組成物（４０）がＰｅｄｉａｒｉｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｈ．前記流体組成物（４０）がペグイントロンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｉ．前記流体組成物（４０）がペグインターフェロンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｋ．前記流体組成物（４０）がペグフィルグラスチムを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｌ．前記流体組成物（４０）がペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカインを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｍ 前記流体組成物（４０）がペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬（Ｃａ−ジエチレントリアミン五酢酸）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｎ．前記流体組成物（４０）がペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬（Ｚｎ−ジエチレントリアミン五酢酸）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｏ．前記流体組成物（４０）がペプシド注射薬（ファモチジン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｐ．前記流体組成物（４０）がＰｅｒｇｏｎａｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｑ．前記流体組成物（４０）がフェントラミンメシル酸塩（フェントラミンメシル酸塩注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｒ．前記流体組成物（４０）がサリチル酸フィゾスチグミン（サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｓ．前記流体組成物（４０）がサリチル酸フィゾスチグミン（注射薬）（サリチル酸フィゾスチグミン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｔ．前記流体組成物（４０）がピペラシリン及びタゾバクタム注射薬（ゾシン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｕ．前記流体組成物（４０）がピトシン（オキシトシン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｖ．前記流体組成物（４０）がＰｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ１４８（多電解質注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｗ．前記流体組成物（４０）がＰｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ５６及びブドウ糖（多電解質及びブドウ糖注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック薬剤パッケージ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｘ．前記流体組成物（４０）がＰｌａｓｍａＬｙｔｅを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｙ．前記流体組成物（４０）がプレリキサフォル注射薬（モゾビル）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｂｚ．前記流体組成物（４０）がポリドカノール注射薬（Ａｓｃｌｅｒａ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃａ．前記流体組成物（４０）が塩化カリウムを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｂ．前記流体組成物（４０）がプララトレキサート溶液静注用（フォロチン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｃ．前記流体組成物（４０）が酢酸プラムリンタイド注射薬（Ｓｙｍｌｉｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｄ．前記流体組成物（４０）がプレマリン注射薬（注射用結合型エストロゲン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｅ．前記流体組成物（４０）が注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ）（カーディオライト）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｆ．前記流体組成物（４０）がプレバシドＩ．Ｖ．（ランソプラゾール注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｇ．前記流体組成物（４０）がプリマキシンＩ．Ｖ．（注射用イミペネム及びシラスタチン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｈ．前記流体組成物（４０）が黄体ホルモンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｉ．前記流体組成物（４０）がプロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｊ．前記流体組成物（４０）がプロリア（デノスマブ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｋ．前記流体組成物（４０）がプロメタジンＨＣｌ注射薬（プロメタジン塩酸注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｌ．前記流体組成物（４０）がプロプラノロール塩酸塩注射薬（プロプラノロール塩酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｍ．前記流体組成物（４０）がグルコン酸キニジン注射薬（キニジン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｎ．前記流体組成物（４０）がキニジン注射薬（グルコン酸キニジン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｏ．前記流体組成物（４０）がＲ−Ｇｅｎｅ １０（塩酸アルギニン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｐ．前記流体組成物（４０）がラニビズマブ注射薬（ルセンティス）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｑ．前記流体組成物（４０）がラニチジン塩酸塩注射薬（ザンタック注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｒ．前記流体組成物（４０）がリクラスト（ゾレドロン酸注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｓ．前記流体組成物（４０）がＲｅｃｏｍｂｉｖａｒｉｘ ＨＢを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｔ．前記流体組成物（４０）がレガデノソン注射薬（レキスキャン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｕ．前記流体組成物（４０）がＲｅｇｌａｎ注射薬（メトクロプラミド注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｖ．前記流体組成物（４０）がレミケードを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｗ．前記流体組成物（４０）がＲｅｐｒｏｎｅｘ（メノトロピンス注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｘ．前記流体組成物（４０）がレトロビルＩＶ（ジドブジン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｙ．前記流体組成物（４０）がリンゲル及び５％ブドウ糖注射薬（ブドウ糖加リンガー液（Ｒｉｎｇｅｒｓ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｃｚ．前記流体組成物（４０）がリンゲル液（リンガー液（Ｒｉｎｇｅｒｓ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄａ．前記流体組成物（４０）がリツキサンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｂ．前記流体組成物（４０）がリツキシマブを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｃ．前記流体組成物（４０）がロクロニウム臭化物注射薬（Ｚｅｍｕｒｏｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｄ．前記流体組成物（４０）がロミデプシン注射用（Ｉｓｔｏｄａｘ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｅ．前記流体組成物（４０）がサイゼン（ソマトロピン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｆ．前記流体組成物（４０）がサンドスタチンＬＡＲ（オクトレオチド酢酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｇ．前記流体組成物（４０）がＳｅｎｓｏｒｃａｉｎｅ（ブピバカインＨＣＩ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｈ．前記流体組成物（４０）がＳｅｐｔｏｃａｉｎｅ（アルチケーンＨＣＩ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｉ．前記流体組成物（４０）がＳｅｒｏｓｔｉｍ ＬＱ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｊ．前記流体組成物（４０）がシンポニー注射薬（ゴリムマブ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｋ．前記流体組成物（４０）がナトリウム酢酸塩（ナトリウム酢酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｌ．前記流体組成物（４０）が炭酸水素ナトリウム（炭酸水素ナトリウム５％注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｍ．前記流体組成物（４０）が乳酸ナトリウム（乳酸ナトリウム注射薬、ＡＶＩＶＡ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｎ．前記流体組成物（４０）がフェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬（Ａｍｍｏｎｕｌ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｏ．前記流体組成物（４０）がソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用（ニュートロピン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｐ．前記流体組成物（４０）がスポラノックス注射薬（イトラコナゾール注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｑ．前記流体組成物（４０）がステラーラ注射薬（ウステキヌマブ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｒ．前記流体組成物（４０）がＳｕｆｅｎｔａ（クエン酸スフェンタニル注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｓ．前記流体組成物（４０）がクエン酸スフェンタニル注射薬（Ｓｕｆｅｎｔａ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｔ．前記流体組成物（４０）がＳｕｍａｖｅｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｕ．前記流体組成物（４０）がスマトリプタン注射薬（Ａｌｓｕｍａ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｖ．前記流体組成物（４０）がＳｙｍｌｉｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｗ．前記流体組成物（４０）がＳｙｍｌｉｎ Ｐｅｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｘ．前記流体組成物（４０）がＳｙｎｖｉｓｃ−Ｏｎｅ（ヒラン（Ｈｙｌａｎ）Ｇ−Ｆ２０単回関節内注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｙ．前記流体組成物（４０）がタキソテール（ドセタクセル注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｄｚ．前記流体組成物（４０）がｖｖテクネチウムＴｃ９９ｍ（ｖｖＴｅｃｈｎｅｔｉｕｍ Ｔｃ ９９ｍ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅａ．前記流体組成物（４０）がテラバンシン注射用（ヴィバティブ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｂ．前記流体組成物（４０）がテムシロリムス注射薬（トーリセル）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｃ．前記流体組成物（４０）がテノーミンＩ．Ｖ．注射薬（アテノロール注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｄ．前記流体組成物（４０）がテリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬（フォルテオ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｅ．前記流体組成物（４０）がテストステロンシピオネートを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｆ．前記流体組成物（４０）がテストステロンエナント酸エステルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｇ．前記流体組成物（４０）がテストステロンプロピオン酸エステルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｈ．前記流体組成物（４０）がＴｅｖ−Ｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン、ｒＤＮＡ由来、注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｉ．前記流体組成物（４０）がｔｇＡＡＣ９４を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｊ．前記流体組成物（４０）が塩化タリウムを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｋ．前記流体組成物（４０）がテオフィリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｌ．前記流体組成物（４０）がチオテパ（チオテパ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｍ．前記流体組成物（４０）がタイロゲン（チロトロピンアルファ注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｎ．前記流体組成物（４０）がチカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ）（チメンチン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｏ．前記流体組成物（４０）がＴｉｇａｎ注射薬（塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｐ．前記流体組成物（４０）がチメンチン注射薬（チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｑ．前記流体組成物（４０）がトブラマイシン注射薬（トブラマイシン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｒ．前記流体組成物（４０）がトシリズマブ注射薬（アクテムラ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｓ．前記流体組成物（４０）がトーリセル（テムシロリムス注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｔ．前記流体組成物（４０）がＴｏｔｅｃｔ（注射用デキスラゾキサン、静注のみ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｕ．前記流体組成物（４０）がＴｒａｖａｓｏｌ（アミノ酸（注射薬））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｖ．前記流体組成物（４０）がトレアンダ（塩酸ベンダムスチン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｗ．前記流体組成物（４０）がトレルスター（トリプトレリンパモエート懸濁注射液用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｘ．前記流体組成物（４０）がトリアムシノロンアセトニドを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｙ．前記流体組成物（４０）が酢酸トリアムシノロンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｅｚ．前記流体組成物（４０）がトリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液（アリストスパン注射薬２０ｍｇ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆａ．前記流体組成物（４０）がＴｒｉｅｓｅｎｃｅ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｂ．前記流体組成物（４０）が塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ）（Ｔｉｇａｎ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｃ．前記流体組成物（４０）がグルコン酸トリメトレキサート注射薬（Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｄ．前記流体組成物（４０）がトリプトレリンパモエート懸濁注射液用（トレルスター）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｅ．前記流体組成物（４０）がＴｗｉｎｊｅｃｔを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｆ．前記流体組成物（４０）がＴｒｉｖａｒｉｓ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｇ．前記流体組成物（４０）がトリセノックス（三酸化ヒ素注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｈ．前記流体組成物（４０）がＴｗｉｎｒｉｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｉ．前記流体組成物（４０）が腸チフスＶｉを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｊ．前記流体組成物（４０）がＵｌｔｒａｖｉｓｔ（イオプロミド注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｋ．前記流体組成物（４０）がウロホリトロピン注射用（Ｍｅｔｒｏｄｉｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｌ．前記流体組成物（４０）がウロキナーゼ注射薬（Ｋｉｎｌｙｔｉｃ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｍ．前記流体組成物（４０）がウステキヌマブ（ステラーラ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｎ．前記流体組成物（４０）がウルトラレンテ（Ｕ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｏ．前記流体組成物（４０）がバルプロ酸ナトリウム注射薬（Ｄｅｐａｃｏｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｐ．前記流体組成物（４０）がＶａｌｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｑ．前記流体組成物（４０）が塩酸バンコマイシン（塩酸バンコマイシン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｒ．前記流体組成物（４０）が塩酸バンコマイシン注射薬（塩酸バンコマイシン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｓ．前記流体組成物（４０）がバプリゾール（コニバプタンＨｃｌ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｔ．前記流体組成物（４０）がＶＡＱＴＡを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｕ．前記流体組成物（４０）がバソビスト（ガドホスベセット三ナトリウム静注用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｖ．前記流体組成物（４０）がベクティビックス（パニツムマブ静注用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｗ．前記流体組成物（４０）がヴェノファー（含糖酸化鉄注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｘ．前記流体組成物（４０）がベルテポルフィン注射薬（ビスダイン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｙ．前記流体組成物（４０）がヴィバティブ（テラバンシン注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｆｚ．前記流体組成物（４０）がビクトーザ（リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇａ．前記流体組成物（４０）がビンパット（ラコサミド錠及び注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｂ．前記流体組成物（４０）がビンブラスチン硫酸塩（ビンブラスチン硫酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｃ．前記流体組成物（４０）がＶｉｎｃａｓａｒ ＰＦＳ（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｄ．前記流体組成物（４０）がビクトーザを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｅ．前記流体組成物（４０）がビンクリスチン硫酸塩（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｆ．前記流体組成物（４０）がビスダイン（ベルテポルフィン注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｇ．前記流体組成物（４０）がビタミンＢ−１２を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｈ．前記流体組成物（４０）がビビトロル（ナルトレキソンＸＲ注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｉ．前記流体組成物（４０）がボルベン（塩化ナトリウム中ヒドロキシエチルデンプン（Ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ Ｓｔａｒｃｈ ｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｊ．前記流体組成物（４０）がＸｅｏｍｉｎ（インコボツリナムトキシンＡ注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｋ．前記流体組成物（４０）がザンタック注射薬（ラニチジン塩酸塩注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｌ．前記流体組成物（４０）がＺｅｍｐｌａｒ注射薬（パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｍ．前記流体組成物（４０）がＺｅｍｕｒｏｎ（ロクロニウム臭化物注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｎ．前記流体組成物（４０）がゼバリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｏ．前記流体組成物（４０）がジドブジン注射薬（レトロビルＩＶ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｐ．前記流体組成物（４０）がジスロマック注射薬（アジスロマイシン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｑ．前記流体組成物（４０）がＺｎ−ジエチレントリアミン五酢酸（ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｒ．前記流体組成物（４０）がゾフラン注射薬薬（オンダンセトロン塩酸注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｓ．前記流体組成物（４０）がＺｉｎｇｏを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｔ．前記流体組成物（４０）がゾレドロン酸注射用（ゾメタ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｕ．前記流体組成物（４０）がゾレドロン酸注射薬（リクラスト）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｖ．前記流体組成物（４０）がゾメタ（ゾレドロン酸注射用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｗ．前記流体組成物（４０）がゾシン（ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｘ．前記流体組成物（４０）がＺｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ（徐放性オランザピン懸濁注射液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｙ．前記流体組成物（４０）がエビリファイを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｇｚ．前記流体組成物（４０）がＡｃｃｕＮｅｂ（アルブテロール硫酸塩吸入液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈａ．前記流体組成物（４０）がＡｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ（薬用炭懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｂ．前記流体組成物（４０）が薬用炭懸濁液（Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｃ．前記流体組成物（４０）がアドベアを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｄ．前記流体組成物（４０）がＡｇｅｎｅｒａｓｅ経口液（アンプレナビル経口液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｅ．前記流体組成物（４０）がＡｋｔｅｎ（リドカイン塩酸塩眼用ゲル）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｆ．前記流体組成物（４０）がＡｌａｍａｓｔ（ペミロラストカリウム点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｇ．前記流体組成物（４０）がアルブミン（ヒト）５％溶液（ブミネート５％）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｈ．前記流体組成物（４０）がアルブテロール硫酸塩吸入液を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｉ．前記流体組成物（４０）がＡｌｉｎｉａを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｊ．前記流体組成物（４０）がＡｌｏｃｒｉｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｋ．前記流体組成物（４０）がアルファガンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｌ．前記流体組成物（４０）がＡｌｒｅｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｍ．前記流体組成物（４０）がオルベスコを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｎ．前記流体組成物（４０）がアンプレナビル経口液を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｏ．前記流体組成物（４０）がＡｎａｌｐｒａｍ−ＨＣを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｐ．前記流体組成物（４０）がアルフォルモテロール酒石酸塩吸入液（Ｂｒｏｖａｎａ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｑ．前記流体組成物（４０）がアリストスパン注射薬２０ｍｇ（トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｒ．前記流体組成物（４０）がアサコールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｓ．前記流体組成物（４０）がアズマネックスＡｓｔｅｐｒｏを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｔ．前記流体組成物（４０）がＡｓｔｅｐｒｏ（アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｕ．前記流体組成物（４０）がアトロベント鼻用スプレー（臭化イプラトロピウム鼻用スプレー）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｖ．前記流体組成物（４０）がアトロベント鼻用スプレー．０６を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｗ．前記流体組成物（４０）がオーグメンチンＥＳ−６００を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｘ．前記流体組成物（４０）がＡｚａｓｉｔｅ（アジスロマイシン点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｙ．前記流体組成物（４０）がアゼライン酸（Ｆｉｎａｃｅａゲル）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｈｚ．前記流体組成物（４０）がアゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー（Ａｓｔｅｐｒｏ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉａ．前記流体組成物（４０）がＡｚｅｌｅｘ（アゼライン酸クリーム）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｂ．前記流体組成物（４０）がエイゾプト（ブリンゾラミド懸濁性点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｃ．前記流体組成物（４０）が静菌性生理食塩水（Ｂａｃｔｅｒｉｏｓｔａｔｉｃ Ｓａｌｉｎｅ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｄ．前記流体組成物（４０）が平衡塩類（ｂａｌａｎｃｅｄ ｓａｌｔ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｅ．前記流体組成物（４０）がベポタスチンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｆ．前記流体組成物（４０）がバクトロバン鼻腔用を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｇ．前記流体組成物（４０）がバクトロバンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｈ．前記流体組成物（４０）がＢｅｃｌｏｖｅｎｔを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｉ．前記流体組成物（４０）がＢｅｎｚａｃ Ｗを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｊ．前記流体組成物（４０）がＢｅｔｉｍｏｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｋ．前記流体組成物（４０）がベトプティックエスを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｌ．前記流体組成物（４０）がＢｅｐｒｅｖｅを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｍ 前記流体組成物（４０）がビマトプロスト点眼液を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｘ．前記流体組成物（４０）がＢｌｅｐｈ１０（スルファセタミドナトリウム点眼液１０％）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｏ．前記流体組成物（４０）がブリンゾラミド懸濁性点眼液（エイゾプト）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｐ．前記流体組成物（４０）がブロムフェナク点眼液（Ｘｉｂｒｏｍ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｑ．前記流体組成物（４０）がＢｒｏｍｈｉｓｔを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｒ．前記流体組成物（４０）がＢｒｏｖａｎａ（アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｓ．前記流体組成物（４０）がブデソニド吸入用懸濁液（パルミコート吸入液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｔ．前記流体組成物（４０）がＣａｍｂｉａ（ジクロフェナクカリウム経口液用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｕ．前記流体組成物（４０）がＣａｐｅｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｖ．前記流体組成物（４０）がＣａｒａｃを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｗ．前記流体組成物（４０）がＣａｒｂｏｘｉｎｅ−ＰＳＥを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｘ．前記流体組成物（４０）がＣａｒｎｉｔｏｒを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｙ．前記流体組成物（４０）がＣａｙｓｔｏｎ（アズトレオナム吸入液用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｉｚ．前記流体組成物（４０）がセルセプトを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊａ．前記流体組成物（４０）がＣｅｎｔａｎｙを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｂ．前記流体組成物（４０）がＣｅｒｕｍｅｎｅｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｃ．前記流体組成物（４０）がＣｉｌｏｘａｎ点眼液（シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｄ．前記流体組成物（４０）がＣｉｐｒｏｄｅｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｅ．前記流体組成物（４０）がシプロフロキサシンＨＣＬ点眼液（Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｆ．前記流体組成物（４０）がクレマスチンフマル酸塩シロップ（クレマスチンフマル酸塩シロップ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｇ．前記流体組成物（４０）がＣｏＬｙｔｅ（ＰＥＧ電解質溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｈ．前記流体組成物（４０）がＣｏｍｂｉｖｅｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｉ．前記流体組成物（４０）がコムタンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｊ．前記流体組成物（４０）がＣｏｎｄｙｌｏｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｋ．前記流体組成物（４０）がＣｏｒｄｒａｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｌ．前記流体組成物（４０）がＣｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ懸濁性点眼液を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｍ．前記流体組成物（４０）がＣｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ耳用懸濁液を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｎ．前記流体組成物（４０）がクロモリンナトリウム吸入液（Ｉｎｔａｌ Ｎｅｂｕｌｉｚｅｒ溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｏ．前記流体組成物（４０）がクロモリンナトリウム点眼液（Ｏｐｔｉｃｒｏｍ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｐ．前記流体組成物（４０）が電解質加結晶アミノ酸溶液（Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ａｍｉｎｏ Ａｃｉｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｗｉｔｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅｓ）（Ａｍｉｎｏｓｙｎ電解質）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｑ．前記流体組成物（４０）がＣｕｔｉｖａｔｅを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｒ．前記流体組成物（４０）がＣｕｖｐｏｓａ（グリコピロレート経口液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｓ．前記流体組成物（４０）がシアノコバラミン（ＣａｌｏＭｉｓｔ鼻用スプレー）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｔ．前記流体組成物（４０）がサイクロスポリン経口液（Ｇｅｎｇｒａｆ経口液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｕ．前記流体組成物（４０）がサイクロジルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｖ．前記流体組成物（４０）がＣｙｓｖｉｅｗ（ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｗ．前記流体組成物（４０）がＤｅｒｍＯｔｉｃオイル（フルオシノロンアセトニドオイル点耳薬（Ｏｉｌ Ｅａｒ Ｄｒｏｐｓ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｘ．前記流体組成物（４０）がデスモプレシン酢酸塩鼻用スプレーを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｙ．前記流体組成物（４０）がＤＤＡＶＰを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｊｚ．前記流体組成物（４０）がＤｅｒｍａ−Ｓｍｏｏｔｈｅ／ＦＳを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋａ．前記流体組成物（４０）がデキサメサゾンＩｎｔｅｎｓｏｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｂ．前記流体組成物（４０）がダイアニール低カルシウムを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｃ．前記流体組成物（４０）がダイアニールＰＤを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｄ．前記流体組成物（４０）がジクロフェナクカリウム経口液用（Ｃａｍｂｉａ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｅ．前記流体組成物（４０）がジダノシン小児用散経口液用（ヴァイデックス）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｆ．前記流体組成物（４０）がディフェリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｇ．前記流体組成物（４０）がディランチン１２５（フェニトイン経口懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｈ．前記流体組成物（４０）がＤｉｔｒｏｐａｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｉ．前記流体組成物（４０）がドルゾラミド塩酸塩点眼液（トルソプト）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｊ．前記流体組成物（４０）がドルゾラミド塩酸塩−チモロールマレイン酸塩点眼液（コソプト）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｋ．前記流体組成物（４０）がドボネックススカルプ（カルシポトリエン溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｌ．前記流体組成物（４０）がドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液（ビブラマイシン経口用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｍ．前記流体組成物（４０）がＥｆｕｄｅｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｎ．前記流体組成物（４０）がエラプレース（イデュルスルファーゼ溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｏ．前記流体組成物（４０）がＥｌｅｓｔａｔ（エピナスチンＨＣｌ点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｐ．前記流体組成物（４０）がＥｌｏｃｏｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｑ．前記流体組成物（４０）がエピナスチンＨＣｌ点眼液（Ｅｌｅｓｔａｔ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｒ．前記流体組成物（４０）がエピビルＨＢＶを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｓ．前記流体組成物（４０）がＥｐｏｇｅｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｔ．前記流体組成物（４０）がエリスロマイシン局所用液１．５％（Ｓｔａｔｉｃｉｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｕ．前記流体組成物（４０）がＥｔｈｉｏｄｏｌ（エチオダイズド油）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｖ．前記流体組成物（４０）がエトスクシミド経口液（ザロンチン経口液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｗ．前記流体組成物（４０）がオイラックスを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｘ．前記流体組成物（４０）がＥｘｔｒａｎｅａｌ（イコデキストリン腹膜透析溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｙ．前記流体組成物（４０）がＦｅｌｂａｔｏｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｋｚ．前記流体組成物（４０）がフェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌａ．前記流体組成物（４０）がＦｌｏｖｅｎｔを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｂ．前記流体組成物（４０）がＦｌｏｘｉｎ耳用薬（オフロキサシン耳科用液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｃ．前記流体組成物（４０）がＦｌｏ−Ｐｒｅｄ（プレドニゾロン酢酸エステル経口懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｄ．前記流体組成物（４０）がＦｌｕｏｒｏｐｌｅｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｅ．前記流体組成物（４０）がフルニソリド点鼻液（フルニソリド鼻用スプレー．０２５％）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｆ．前記流体組成物（４０）がフルオロメトロン懸濁性点眼液（ＦＭＬ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｇ．前記流体組成物（４０）がフルルビプロフェンナトリウム点眼液（Ｏｃｕｆｅｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｈ．前記流体組成物（４０）がＦＭＬを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｉ．前記流体組成物（４０）がＦｏｒａｄｉｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｊ．前記流体組成物（４０）がフマル酸ホルモテロール吸入液（Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｋ．前記流体組成物（４０）がフォサマックスを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｌ．前記流体組成物（４０）がフラダンチン（ニトロフラントイン経口懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｍ．前記流体組成物（４０）がフロキソンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｎ．前記流体組成物（４０）がガンマガード液（静注用免疫グロブリン（ヒト）１０％）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｏ．前記流体組成物（４０）がガントリシン（アセチルスルフイソキサゾール小児用懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｐ．前記流体組成物（４０）がガチフロキサシン点眼液（Ｚｙｍａｒ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｑ．前記流体組成物（４０）がＧｅｎｇｒａｆ経口液（サイクロスポリン経口液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｒ 前記流体組成物（４０）がグリコピロレート経口液（Ｃｕｖｐｏｓａ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｓ．前記流体組成物（４０）がハルシノニド局所用液（Ｈａｌｏｇ溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｔ．前記流体組成物（４０）がＨａｌｏｇ溶液（ハルシノニド局所用液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｕ．前記流体組成物（４０）がＨＥＰ−ＬＯＣＫ Ｕ／Ｐ（防腐剤無添加ヘパリンロック用フラッシュ液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｖ．前記流体組成物（４０）がヘパリンロック用フラッシュ液（Ｈｅｐｆｌｕｓｈ １０）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｗ．前記流体組成物（４０）がヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｃｙｓｖｉｅｗ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｘ．前記流体組成物（４０）が酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液（Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｙ．前記流体組成物（４０）がヒドロキノン３％局所用液（Ｍｅｌｑｕｉｎ−３局所用液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｌｚ．前記流体組成物（４０）がＩｓｏｐｔｏを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍａ．前記流体組成物（４０）が臭化イプラトロピウム鼻用スプレー（アトロベント鼻用スプレー）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｂ．前記流体組成物（４０）がイトラコナゾール経口液（スポラノックス経口液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｃ．前記流体組成物（４０）がケトロラクトロメタミン点眼液（Ａｃｕｌａｒ ＬＳ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｄ．前記流体組成物（４０）がカレトラを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｅ．前記流体組成物（４０）がラノキシンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｆ．前記流体組成物（４０）がレクシヴァを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｇ．前記流体組成物（４０）がロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用（ルプロンデポ１１．２５ｍｇ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｈ．前記流体組成物（４０）がレボベタキソロール塩酸塩懸濁性点眼液（ベタキソン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｉ．前記流体組成物（４０）がレボカルニチン錠、経口液、無糖（Ｃａｒｎｉｔｏｒ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｊ．前記流体組成物（４０）がレボフロキサシン点眼液０．５％（Ｑｕｉｘｉｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｋ．前記流体組成物（４０）がリドカインＨＣｌ無菌液（キシロカインＭＰＦ無菌液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｌ．前記流体組成物（４０）がＬｏｋ Ｐａｋ（ヘパリンロック用フラッシュ液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｍ．前記流体組成物（４０）がロラゼパムＩｎｔｅｎｓｏｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｎ．前記流体組成物（４０）がＬｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ（酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｏ．前記流体組成物（４０）がＬｏｔｅｍａｘ（エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｐ．前記流体組成物（４０）がエタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液（Ａｌｒｅｘ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｑ．前記流体組成物（４０）が低カルシウム腹膜透析溶液（ダイアニール低カルシウム）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｒ．前記流体組成物（４０）がルミガン（ビマトプロスト点眼液０．０３％緑内障用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｓ．前記流体組成物（４０）がルプロンデポ１１．２５ｍｇ（ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｔ．前記流体組成物（４０）がメゲストロール酢酸塩経口懸濁液（メゲストロール酢酸塩経口懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｕ．前記流体組成物（４０）がＭｅｐｒｏｎを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｖ．前記流体組成物（４０）がＭｅｓｎｅｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｗ．前記流体組成物（４０）がメスチノンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｘ．前記流体組成物（４０）がメサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ）（Ｒｏｗａｓａ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｙ．前記流体組成物（４０）がＭｅｌｑｕｉｎ−３局所用液（ヒドロキノン３％局所用液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｍｚ．前記流体組成物（４０）がメチルドーパートＨｃｌ（メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎａ．前記流体組成物（４０）がＭｅｔｈｙｌｉｎ経口液（メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｂ．前記流体組成物（４０）が酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｃ．前記流体組成物（４０）がメチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ（Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｄ．前記流体組成物（４０）がコハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム（ソルメドロール）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｅ．前記流体組成物（４０）がメチプラノロール点眼液（Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｆ．前記流体組成物（４０）がＭｉｇｒａｎａｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｇ．前記流体組成物（４０）がＭｉｏｃｈｏｌ−Ｅ（アセチルコリン塩化物眼内溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｈ．前記流体組成物（４０）がＭｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用（塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｉ．前記流体組成物（４０）がミノシン（ミノサイクリン塩酸経口懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｊ．前記流体組成物（４０）がナサコートを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｋ．前記流体組成物（４０）がネオマイシン硫酸塩及びポリミキシンＢ硫酸塩及びヒドロコルチゾンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｌ．前記流体組成物（４０）がネパフェナク懸濁性点眼液（ネバナック）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｍ．前記流体組成物（４０）がネバナック（ネパフェナク懸濁性点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｎ．前記流体組成物（４０）がニトロフラントイン経口懸濁液（フラダンチン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｏ．前記流体組成物（４０）がＮｏｘａｆｉｌ（ポサコナゾール経口懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｐ．前記流体組成物（４０）がニスタチン（経口）（ニスタチン経口懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｑ．前記流体組成物（４０）がニスタチン経口懸濁液（ニスタチン（経口））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｒ．前記流体組成物（４０）がＯｃｕｆｅｎ（フルルビプロフェンナトリウム点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｓ．前記流体組成物（４０）がオフロキサシン点眼液（オフロキサシン点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｔ．前記流体組成物（４０）がオフロキサシン耳科用液（Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｕ．前記流体組成物（４０）がオロパタジン塩酸点眼液（Ｐａｔａｄａｙ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｖ．前記流体組成物（４０）がＯｐｔｉｃｒｏｍ（クロモリンナトリウム点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｗ．前記流体組成物（４０）がＯｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ（メチプラノロール点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｘ．前記流体組成物（４０）がパタノールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｙ．前記流体組成物（４０）がＰｅｄｉａｐｒｅｄを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｎｚ．前記流体組成物（４０）がＰｅｒｉｏＧａｒｄを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏａ．前記流体組成物（４０）がフェニトイン経口懸濁液（ディランチン１２５）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｂ．前記流体組成物（４０）がＰｈｉｓｏｈｅｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｃ．前記流体組成物（４０）がポサコナゾール経口懸濁液（Ｎｏｘａｆｉｌ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｄ．前記流体組成物（４０）が塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用（Ｍｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｅ．前記流体組成物（４０）がＰａｔａｄａｙ（オロパタジン塩酸点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｆ．前記流体組成物（４０）がＰａｔａｎａｓｅ鼻用スプレー（オロパタジン塩酸鼻用スプレー）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｇ．前記流体組成物（４０）がＰＥＧ電解質溶液（ＣｏＬｙｔｅ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｈ．前記流体組成物（４０）がペミロラストカリウム点眼液（Ａｌａｍａｓｔ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｉ．前記流体組成物（４０）がＰｅｎｌａｃ（シクロピロクス局所用液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｊ．前記流体組成物（４０）がＰＥＮＮＳＡＩＤ（ジクロフェナクナトリウム局所用液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｋ．前記流体組成物（４０）がＰｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ（フマル酸ホルモテロール吸入液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｌ．前記流体組成物（４０）が腹膜透析溶液を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｍ．前記流体組成物（４０）がフェニレフリン塩酸塩点眼液（ネオシネフリン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｎ．前記流体組成物（４０）がフォスフォリンアイオダイド（エコチオパートヨウ化物点眼液用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｏ．前記流体組成物（４０）がポドフィロックス（ポドフィロックス局所用液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｐ．前記流体組成物（４０）がＰｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ（プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｑ．前記流体組成物（４０）がプララトレキサート溶液静注用（フォロチン）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｒ．前記流体組成物（４０）がＰｒｅｄ Ｍｉｌｄを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｓ．前記流体組成物（４０）がＰｒｅｄｎｉｓｏｎｅ Ｉｎｔｅｎｓｏｌを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｔ．前記流体組成物（４０）がプレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液（Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｕ．前記流体組成物（４０）がプレバシドを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｖ．前記流体組成物（４０）がＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液（滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｗ．前記流体組成物（４０）がプロエアーを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｘ．前記流体組成物（４０）がＰｒｏｇｌｙｃｅｍを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｙ．前記流体組成物（４０）がプロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｏｚ．前記流体組成物（４０）が塩酸プロパラカイン点眼液（Ａｌｃａｉｎｅ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐａ．前記流体組成物（４０）がＰｒｏｐｉｎｅを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｂ．前記流体組成物（４０）がパルミコートを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｃ．前記流体組成物（４０）がプルモザイムを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｄ．前記流体組成物（４０）がＱｕｉｘｉｎ（レボフロキサシン点眼液０．５％）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｅ．前記流体組成物（４０）がＱＶＡＲを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｆ．前記流体組成物（４０）がラパミューンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｇ．前記流体組成物（４０）がレベトールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｈ．前記流体組成物（４０）がＲｅｌａｃｏｎ−ＨＣを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｉ．前記流体組成物（４０）がロタリックス（経口生ロタウイルスワクチン懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｊ．前記流体組成物（４０）が経口生ロタウイルスワクチン懸濁液（ロタリックス）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｋ．前記流体組成物（４０）がＲｏｗａｓａ（メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｌ．前記流体組成物（４０）がサブリル（ビガバトリン経口液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｍ．前記流体組成物（４０）がサクロシダーゼ経口液（Ｓｕｃｒａｉｄ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｎ．前記流体組成物（４０）がサンディミュンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｏ．前記流体組成物（４０）がＳｅｒｅｖｅｎｔ Ｄｉｓｋｕｓを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｐ．前記流体組成物（４０）がソルコーテフ（ヒドロコルチゾンコハク酸エステルナトリウム）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｑ．前記流体組成物（４０）がソルメドロール（コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｒ．前記流体組成物（４０）がスピリーバを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｓ．前記流体組成物（４０）がスポラノックス経口液（イトラコナゾール経口液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｔ．前記流体組成物（４０）がＳｔａｔｉｃｉｎ（エリスロマイシン局所用液１．５％）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｕ．前記流体組成物（４０）がスタレボを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｖ．前記流体組成物（４０）がＳｔａｒｌｉｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｗ．前記流体組成物（４０）が滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｘ．前記流体組成物（４０）がＳｔｉｍａｔｅを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｙ．前記流体組成物（４０）がスクラルファート（カラファート懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｐｚ．前記流体組成物（４０）がスルファセタミドナトリウム点眼液１０％（Ｂｌｅｐｈ １０）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑａ．前記流体組成物（４０）がＳｙｎａｒｅｌ点鼻液（子宮内膜症用酢酸ナファレリン点鼻液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｂ．前記流体組成物（４０）がＴａｃｌｏｎｅｘ Ｓｃａｌｐ（カルシポトリエン及びジプロピオン酸ベタメタゾン局所懸濁液（Ｔｏｐｉｃａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｃ．前記流体組成物（４０）がタミフルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｄ．前記流体組成物（４０）がトービイを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｅ．前記流体組成物（４０）がＴｏｂｒａＤｅｘを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｆ．前記流体組成物（４０）がＴｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ（トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｇ．前記流体組成物（４０）がトブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％（Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｈ．前記流体組成物（４０）がチモロールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｉ．前記流体組成物（４０）がＴｉｍｏｐｔｉｃを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｊ．前記流体組成物（４０）がトラバタンズを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｋ．前記流体組成物（４０）がトレプロスチニル吸入液（Ｔｙｖａｓｏ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｌ．前記流体組成物（４０）がトルソプト（ドルゾラミド塩酸塩点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｍ．前記流体組成物（４０）がＴｙｖａｓｏ（トレプロスチニル吸入液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｎ．前記流体組成物（４０）がベントリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｏ．前記流体組成物（４０）がブイフェンドを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｐ．前記流体組成物（４０）がビブラマイシン経口用（ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｑ．前記流体組成物（４０）がヴァイデックス（ジダノシン小児用散経口液用）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｒ．前記流体組成物（４０）がビガバトリン経口液（サブリル）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｓ．前記流体組成物（４０）がＶｉｏｋａｓｅを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｔ．前記流体組成物（４０）がビラセプトを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｕ．前記流体組成物（４０）がビラミューンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｖ．前記流体組成物（４０）がビタミンＫ１（ビタミンＫ１の水性コロイド溶液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｗ．前記流体組成物（４０）がボルタレン眼科用薬（ジクロフェナクナトリウム点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｘ．前記流体組成物（４０）がザロンチン経口液（エトスクシミド経口液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｙ．前記流体組成物（４０）がザイアジェンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｑｚ．前記流体組成物（４０）がザイボックスを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒａ．前記流体組成物（４０）がＺｙｍａｒ（ガチフロキサシン点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｂ．前記流体組成物（４０）がＺｙｍａｘｉｄ（ガチフロキサシン点眼液）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｃ．前記流体組成物（４０）が１７−ヒドロキシプロゲステロンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｄ．前記流体組成物（４０）がＡＣＥ（アンジオテンシンＩ変換酵素）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｅ．前記流体組成物（４０）がアセトアミノフェンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｆ．前記流体組成物（４０）が酸性ホスファターゼを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｇ．前記流体組成物（４０）がＡＣＴＨを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｈ．前記流体組成物（４０）が活性凝固時間を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｉ．前記流体組成物（４０）が活性化プロテインＣ耐性を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｊ．前記流体組成物（４０）が副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｋ．前記流体組成物（４０）がアラニンアミノトランスフェラーゼ（ＡＬＴ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｌ．前記流体組成物（４０）がアルブミンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｍ．前記流体組成物（４０）がアルドラーゼを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｎ．前記流体組成物（４０）がアルドステロンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｏ．前記流体組成物（４０）がアルカリフォスファターゼを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｐ．前記流体組成物（４０）がアルカリフォスファターゼ（ＡＬＰ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｑ．前記流体組成物（４０）がα１−抗トリプシンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｒ．前記流体組成物（４０）がα−フェトプロテインを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｓ．前記流体組成物（４０）がα−フェトプロティエン（ｆｅｔｏｐｒｏｔｉｅｎ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｔ．前記流体組成物（４０）がアンモニアレベルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｕ．前記流体組成物（４０）がアミラーゼを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｖ．前記流体組成物（４０）がＡＮＡ（抗核アントボディ（ａｎｔｉｎｕｃｌｅａｒ ａｎｔｂｏｄｉｅｓ））を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｗ．前記流体組成物（４０）がＡＮＡ（抗核抗体）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｘ．前記流体組成物（４０）がアンジオテンシン変換酵素（ＡＣＥ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｙ．前記流体組成物（４０）がアニオンギャップを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｒｚ．前記流体組成物（４０）が抗カルジオリピン抗体を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓａ．前記流体組成物（４０）が抗カルジオリピンアンティブボディ（ａｎｔｉｖｂｏｄｉｅｓ）（ＡＣＡ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｂ．前記流体組成物（４０）が抗セントロメア抗体を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｃ．前記流体組成物（４０）が抗利尿ホルモンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｄ．前記流体組成物（４０）が抗ＤＮＡを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｅ 前記流体組成物（４０）が抗デオキシリボヌクレアーゼＢを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｆ．前記流体組成物（４０）が抗グリアジン抗体を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｇ．前記流体組成物（４０）が抗糸球体基底膜抗体を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｈ．前記流体組成物（４０）が抗ＨＢｃ（Ｂ型肝炎コア抗体を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｉ．前記流体組成物（４０）が抗ＨＢｓ（Ｂ型肝炎表面抗体を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｊ．前記流体組成物（４０）が抗リン脂質抗体を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｋ．前記流体組成物（４０）が抗ＲＮＡポリメラーゼを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｌ．前記流体組成物（４０）が抗スミス（Ｓｍ）抗体を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｍ．前記流体組成物（４０）が抗平滑筋抗体を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｎ．前記流体組成物（４０）が抗ストレプトリジンＯ価（ＡＳＯ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｏ．前記流体組成物（４０）が抗トロンビンＩＩＩを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｐ．前記流体組成物（４０）が抗Ｘａ活性を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｑ．前記流体組成物（４０）が抗Ｘａアッセイを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｒ．前記流体組成物（４０）がアポリポたんぱくを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｓ．前記流体組成物（４０）がヒ素を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｔ．前記流体組成物（４０）がアスパラギン酸アミノトランスフェラーゼ（ＡＳＴ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｕ．前記流体組成物（４０）がＢ１２を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｖ．前記流体組成物（４０）が塩基好性白血球を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｗ．前記流体組成物（４０）がβ２−ミクログロブリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｘ．前記流体組成物（４０）がβ−ヒドロキシブチレートを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｙ．前記流体組成物（４０）がＢ−ＨＣＧを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｓｚ．前記流体組成物（４０）がビリルビンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔａ．前記流体組成物（４０）が直接ビリルビンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｂ．前記流体組成物（４０）が間接ビリルビンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｃ．前記流体組成物（４０）が総ビリルビンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｄ．前記流体組成物（４０）が出血時間を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｅ．前記流体組成物（４０）が血液ガス（動脈性）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｆ．前記流体組成物（４０）が血液尿素窒素（ＢＵＮ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｇ．前記流体組成物（４０）がＢＵＮを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｈ．前記流体組成物（４０）がＢＵＮ（血液尿素窒素）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｉ．前記流体組成物（４０）がＣＡ１２５を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｊ．前記流体組成物（４０）がＣＡ１５−３を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｋ．前記流体組成物（４０）がＣＡ１９−９を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｌ．前記流体組成物（４０）がカルシトニンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｍ．前記流体組成物（４０）がカルシウムを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｎ．前記流体組成物（４０）がカルシウム（イオン化）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｏ．前記流体組成物（４０）が一酸化炭素（ＣＯ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｐ．前記流体組成物（４０）が癌胎児性抗原（ＣＥＡ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｑ．前記流体組成物（４０）がＣＢＣを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｒ．前記流体組成物（４０）がＣＥＡを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｓ．前記流体組成物（４０）がＣＥＡ（癌胎児性抗原）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｔ．前記流体組成物（４０）がセルロプラスミンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｕ．前記流体組成物（４０）がＣＨ５０クロライドを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｖ．前記流体組成物（４０）がコレステロールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｗ．前記流体組成物（４０）がＨＤＬコレステロールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｘ．前記流体組成物（４０）が血栓溶解時間を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｔｙ．前記流体組成物（４０）が退縮時間を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の血餅発明。
ｂｔｚ．前記流体組成物（４０）がＣＭＰを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕａ．前記流体組成物（４０）がＣＯ２を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｂ．前記流体組成物（４０）が寒冷凝集素を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｃ．前記流体組成物（４０）が補体第３成分を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｄ．前記流体組成物（４０）が銅を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｅ．前記流体組成物（４０）が副腎皮質刺激ホルモン放出ホルモン（ＣＲＨ）刺激試験を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｆ．前記流体組成物（４０）がコルチゾールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｇ．前記流体組成物（４０）がコートロシン刺激試験を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｈ．前記流体組成物（４０）がＣペプチドを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｉ．前記流体組成物（４０）がＣＰＫ（総）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｊ．前記流体組成物（４０）がＣＰＫ−ＭＢを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｋ．前記流体組成物（４０）がＣ反応性たんぱくを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｌ．前記流体組成物（４０）がクレアチニンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｍ．前記流体組成物（４０）がクレアチニンキナーゼ（ＣＫ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｎ．前記流体組成物（４０）がクリオグロブリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｏ．前記流体組成物（４０）がＤＡＴ（直接抗グロブリン試験）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｐ．前記流体組成物（４０）がＤダイマーを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｑ．前記流体組成物（４０）がデキタメタゾン抑制試験を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｒ．前記流体組成物（４０）がＤＨＥＡ−Ｓを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｓ．前記流体組成物（４０）が希釈ラッセルクサリ蛇毒を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｔ．前記流体組成物（４０）が楕円赤血球を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｕ．前記流体組成物（４０）が好酸球を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｖ．前記流体組成物（４０）が赤血球沈降速度（ＥＳＲ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｗ．前記流体組成物（４０）がエストラジオールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｘ．前記流体組成物（４０）がエストリオールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｙ．前記流体組成物（４０）がエタノールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｕｚ．前記流体組成物（４０）がエチレングリコールを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖａ．前記流体組成物（４０）がユーグロブリン溶解を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｂ．前記流体組成物（４０）が第Ｖ因子ライデンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｃ．前記流体組成物（４０）が第ＶＩＩＩ因子インヒビターを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｄ．前記流体組成物（４０）が第ＶＩＩＩ因子レベルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｅ．前記流体組成物（４０）がフェリチンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｆ．前記流体組成物（４０）がフィブリン体分解産物を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｇ．前記流体組成物（４０）がフィブリノーゲンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｈ．前記流体組成物（４０）が葉酸塩を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｉ．前記流体組成物（４０）が葉酸塩（血清）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｊ．前記流体組成物（４０）がナトリウム分画排泄率（ＦＥＮＡ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｋ．前記流体組成物（４０）がＦＳＨ（卵胞刺激因子）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｌ．前記流体組成物（４０）がＦＴＡ−ＡＢＳを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｍ．前記流体組成物（４０）がγグルタミルトランスフェラーゼ（ＧＧＴ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｍ．前記流体組成物（４０）がガストリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｏ．前記流体組成物（４０）がＧＧＴＰ（γグルタミルトランスフェラーゼ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｐ．前記流体組成物（４０）がグルコースを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｑ．前記流体組成物（４０）が成長ホルモンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｒ．前記流体組成物（４０）がハプトグロビンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｓ．前記流体組成物（４０）がＨＢｅＡｇ（Ｂ型肝炎ｅ抗原）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｔ．前記流体組成物（４０）がＨＢｓ−Ａｇ（Ｂ型肝炎表面抗原）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｕ．前記流体組成物（４０）がヘリコバクターピロリを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｖ．前記流体組成物（４０）がヘマトクリットを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｗ．前記流体組成物（４０）がヘマトクリット（ＨＣＴ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｘ．前記流体組成物（４０）がヘモグロビンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｙ．前記流体組成物（４０）がヘモグロビンＡ１Ｃを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｖｚ．前記流体組成物（４０）がヘモグロビン電気泳動を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗａ．前記流体組成物（４０）がＡ型肝炎抗体を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｂ．前記流体組成物（４０）がＣ型肝炎抗体を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｃ．前記流体組成物（４０）がＩＡＴ（間接抗グロブリン試験）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｄ．前記流体組成物（４０）が免疫固定法（ＩＦＥ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｅ．前記流体組成物（４０）が鉄を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｆ．前記流体組成物（４０）が乳酸脱水素酵素（ＬＤＨ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｇ．前記流体組成物（４０）が乳酸（乳酸塩）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｈ．前記流体組成物（４０）がＬＤＨを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｉ．前記流体組成物（４０）がＬＨ（ルーティナイジング（Ｌｅｕｔｉｎｉｚｉｎｇ）ホルモンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｊ．前記流体組成物（４０）がリパーゼを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｋ．前記流体組成物（４０）がループス抗凝固因子を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｌ．前記流体組成物（４０）がリンパ球を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｍ．前記流体組成物（４０）がマグネシウムを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｎ．前記流体組成物（４０）がＭＣＨ（平均赤血球ヘモグロビン量を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｏ．前記流体組成物（４０）がＭＣＨＣ（平均赤血球ヘモグロビン濃度）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｐ．前記流体組成物（４０）がＭＣＶ（平均赤血球容積）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｑ．前記流体組成物（４０）がマロン酸メチルを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｒ．前記流体組成物（４０）が単球を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｓ．前記流体組成物（４０）がＭＰＶ（平均血小板容積）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｔ．前記流体組成物（４０）がミオグロビンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｕ．前記流体組成物（４０）が好中球を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｖ．前記流体組成物（４０）が副甲状腺ホルモン（ＰＴＨ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｗ．前記流体組成物（４０）がリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｘ．前記流体組成物（４０）が血小板（ｐｌｔ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｙ．前記流体組成物（４０）がカリウムを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｚ．前記流体組成物（４０）がプレアルブミンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗａ．前記流体組成物（４０）がプロラクチンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｂ．前記流体組成物（４０）が前立腺特異抗原（ＰＳＡ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｃ．前記流体組成物（４０）がタンパク質Ｃを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｄ．前記流体組成物（４０）がタンパク質Ｓを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｅ．前記流体組成物（４０）がＰＳＡ（前立腺特異抗原）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｆ．前記流体組成物（４０）がＰＴ（プロトロンビン時間）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｇ．前記流体組成物（４０）がＰＴＴ（部分トロンボプラスチン時間）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｈ．前記流体組成物（４０）がＲＤＷ（赤血球分布幅）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｉ．前記流体組成物（４０）がレニンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｊ．前記流体組成物（４０）がレンニンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｋ．前記流体組成物（４０）が網状赤血球数を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｌ．前記流体組成物（４０）が網状赤血球を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｍ．前記流体組成物（４０）がリウマチ因子（ＲＦ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｍ．前記流体組成物（４０）が血沈速度を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｏ．前記流体組成物（４０）が血清グルタミン酸ピルビン酸トランスアミナーゼ（ＳＧＰＴ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｐ．前記流体組成物（４０）が血清たんぱく電気泳動（ＳＰＥＰ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｑ．前記流体組成物（４０）がナトリウムを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｒ．前記流体組成物（４０）がＴ３レジン摂取率（Ｔ３ＲＵ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｒ．前記流体組成物（４０）がフリーＴ４を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｓ．前記流体組成物（４０）がトロンビン時間を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｔ．前記流体組成物（４０）が甲状腺刺激ホルモン（ＴＳＨ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｕ．前記流体組成物（４０）がチロキシン（Ｔ４）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｖ．前記流体組成物（４０）が全鉄結合能（ＴＩＢＣ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｗ．前記流体組成物（４０）が総たんぱくを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｘ．前記流体組成物（４０）がトランスフェリンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｙ．前記流体組成物（４０）がトランスフェリン飽和剤を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｗｚ．前記流体組成物（４０）がトリグリセリド（ＴＧ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｘａ．前記流体組成物（４０）がトロポニンを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｘｂ．前記流体組成物（４０）が尿酸を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｘｃ．前記流体組成物（４０）がビタミンＢ１２を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｘｄ．前記流体組成物（４０）が白血球（ＷＢＣ）を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
ｂｘｅ．前記流体組成物（４０）がウィダール試験を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の発明。
医療バレル擬似請求項
ｂｘｆ．
・内腔の少なくとも一部、任意選択的に内腔全体を画定する略円筒状内部表面を有する壁であって、略円筒状内部表面が４〜１５ｍｍの内径を有する、壁と、
・略円筒状内部表面の少なくとも一部、任意選択的に略円筒状内部表面全体上の１つ又は複数のプラズマ化学気相成長皮膜又は層のＰＥＣＶＤセットであって、ＰＥＣＶＤセットの少なくとも１つの皮膜又は層が、１０〜５００ｎｍの平均厚さを有し、標準偏差が平均厚さ未満であるバリア皮膜又は層を含む、ＰＥＣＶＤセットと、
を含む、医療シリンジバレル又は医療カートリッジバレル。
ｂｘｇ．バリア皮膜又は層が１０〜５００ｎｍの厚さ範囲を有する、擬似請求項ｂｘｆに記載の医療バレル。
ｂｘｈ．標準偏差が平均厚さの少なくとも２０％である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｉ．電気的に非導電性の材料で作製された、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｊ．透明材料で作製された、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｋ．射出成形可能な熱可塑性プラスチック材料で作製された前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｌ．ＣＯＣ（環式オレフィン共重合体）、ＣＯＰ（環式オレフィン重合体）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチル、ガラス、又はこれらの２つ以上の組み合わせで作製された、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｍ．ＰＥＣＶＤが施される略円筒状内部表面の内径と長さとのアスペクト比が２〜１０である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｎ．バリア皮膜又は層が、ＸＰＳにより特定した場合に、ｘが１．５〜２．９であるＳｉＯxから本質的になる、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｏ．壁及びＰＥＣＶＤセットの、ＰＥＣＶＤセットのない壁と比較した酸素バリア向上度が５〜１２である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｐ．医療バレルに載置されて閉じた内腔を形成するクロージャを更に含み、内腔が０．５〜５０ｍｌの容量を有し、壁及びＰＥＣＶＤセットを通過する内方向酸素透過速度が、２０℃、壁外部大気圧において、０．００１２〜０．０００４８立方ｃｍ／パッケージ／日である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｑ．ＰＥＣＶＤセットがバリア皮膜又は層と内腔との間にｐＨ保護皮膜又は層を更に含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｒ．ｐＨ保護皮膜又は層が、それぞれＸＰＳにより測定した、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３のＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyから本質的になる、擬似請求項ｂｘｑに記載の医療バレル。
ｂｘｓ．ｐＨ保護皮膜又は層がＸ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、酸素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ｂｘｑ又はｂｘｒに記載の医療バレル。
Figure 0006382830
ｂｘｔ．ｐＨ保護皮膜又は層が５０〜５００ｎｍの平均厚さを有する、擬似請求項ｂｘｑ〜ｂｘｓのいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｕ．ｐＨ保護皮膜又は層のＦＴＩＲ吸光度スペクトルが、
・約１０００〜１０４０ｃｍ−１におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、
・約１０６０〜約１１００ｃｍ−１におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅と、
の間において０．７５を超える比率を有する、擬似請求項ｂｘｑ〜ｂｘｔのいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｖ．ＰＥＣＶＤセットがバリア皮膜又は層と略円筒状内部表面との間に結合皮膜又は層を更に含み、結合皮膜又は層が０超〜１０ｎｍの平均厚さを有する、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｗ．結合皮膜又は層が、それぞれＸＰＳにより測定した、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３のＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyから本質的になる、擬似請求項ｂｘｖに記載の医療バレル。
ｂｘｘ．結合皮膜又は層がＸ線光電子分光器により決定された以下の原子比率のケイ素、酸素及び炭素、並びにラザフォード後方散乱分光法によって決定された原子比率の水素から本質的になる、擬似請求項ｂｘｖ〜ｂｘｗのいずれか一項に記載の医療バレル。
Figure 0006382830
ｂｘｙ．ＰＥＣＶＤセットを、ｐＨ７．０を有する米国薬局方注射用水に接触させた状態で３か月間２５℃の温度で保管後、ＰＥＣＶＤセットが、ＰＥＣＶＤセットのないバレルに対し、少なくとも５の酸素バリア向上度を維持するのに効果的である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｘｚ．ＰＥＣＶＤセットを、ｐＨ７．０を有する米国薬局方注射用水に接触させた状態で３か月間２５℃の温度で保管後、ＰＥＣＶＤセットが、ＰＥＣＶＤセットのないバレルに対し、多くとも３１の酸素バリア向上度を維持するのに効果的である、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｙａ．内腔内のｐＨ４〜９を有する流体組成物と、流体組成物を内腔内に保持し、流体保管パッケージを画定するクロージャと、を更に含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｙｂ．バリア皮膜又は層が、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン、又はこれら前駆体の任意の２つ以上の組み合わせを前駆体として使用しＰＥＣＶＤによって塗布された、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｙｃ．バリア皮膜又は層が、ヘキサメチレンジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラメチレンジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）又はこれらの組み合わせを前駆体として使用しＰＥＣＶＤによって塗布された、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｙｄ．ＰＥＣＶＤセットが、
・テトラメチレンジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）を前駆体として使用しＰＥＣＶＤによって塗布された結合皮膜又は層と、
・ヘキサメチレンジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を前駆体として使用しＰＥＣＶＤによって塗布されたバリア皮膜又は層と、
・テトラメチレンジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）を前駆体として使用しＰＥＣＶＤによって塗布されたｐＨ保護皮膜又は層と、
を含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレル。
ｂｙｅ．前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレルを含むシリンジ。
ｂｙｆ．前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレルを含むカートリッジ。
磁石方法擬似擬似請求項
ｂｙｇ．医療カートリッジ又はシリンジ用医療バレルを製造する方法であって、
・内腔の少なくとも一部を画定する略円筒状内側表面を有する壁を含む医療バレルを用意するステップであって、略円筒状内側表面が４〜１５ｍｍの範囲の直径を有する、ステップと、
・内腔内に配置され、略円筒状内側表面と同心であり、且つ略円筒状内側表面から１．２〜６．９ｍｍ半径方向に離間した部分を含む外部表面を有する内部電極を用意するステップであって、内部電極が少なくとも１つの出口を有する内部通路を有する、ステップと、
・外部電極を用意するステップと、
・内部通路の少なくとも１つの出口を通じて内腔内に気体ＰＥＣＶＤ前駆体を導入するステップと、
・略円筒状内側表面の少なくとも一部にプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）ガスバリア皮膜を形成するのに効果的な条件下で電磁エネルギーを外部電極に印加するステップであって、バリア皮膜又は層が平均厚さを有する、ステップと、
・略円筒状内側表面上のガスバリア皮膜の平均厚さの標準偏差を低減するのに効果的な条件下で、任意選択的に印加工程全体において、電磁エネルギーを印加する間、医療バレルの近傍に磁場を印加するステップと、
を含む、方法。
ｂｙｈ．プラズマがプラズマ電子を含み、磁場が、ＰＥＣＶＤ中、内腔内におけるプラズマ電子の閉じ込めを向上させるのに効果的である、擬似請求項ｂｙｇに記載の方法。
ｂｙｉ．磁場が、略円筒状表面の近傍にあり、且つ略円筒状表面の長さに沿って軸方向に延在する１つ又は複数の磁場発生器によって提供され、各磁場発生器が、極軸を画定するＮ極及びＳ極を有する、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｊ．磁場発生器の少なくとも１つが医療バレルの少なくともかなりの長さに延在する、擬似請求項ｂｙｉに記載の方法。
ｂｙｋ．略円筒状内側表面上のガスバリア皮膜の平均厚さの標準偏差を低減するのに効果的な条件が、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の１つ又は複数が略円筒状表面の軸線に略平行な極軸を有することである、擬似請求項ｂｙｉ又はｂｙｊに記載の方法。
ｂｙｌ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、磁場発生器の少なくとも２つが動作位置において略円筒状表面の周りに周方向に分配される、擬似請求項ｂｙｉ〜ｂｙｋのいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｍ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器がその極軸に沿って延在する内部通路を有する環状筒を含み、略円筒状表面が完全に内部通路内に配置される、擬似請求項ｂｙｉ〜ｂｙｌのいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｎ．略円筒状内側表面上のガスバリア皮膜の平均厚さの標準偏差を低減するのに効果的な条件が、磁場を提供する時間の少なくとも一部において、内腔の少なくとも一部内における磁場の少なくとも一部が、その極軸が被処理略円筒状表面に対しほぼ半径方向面内に延在する状態で配向されることである、擬似請求項ｂｙｉ〜ｂｙｍのいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｏ．少なくとも２つの磁場発生器が、交流磁場発生器がその極軸を反転して配向された状態で、略円筒状表面の軸線を中心として周方向に分配されている、擬似請求項ｂｙｉ〜ｂｙｎのいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｐ．磁場発生器又は略円筒状表面の少なくとも１つが他方に対して回転する、擬似請求項ｂｙｉ〜ｂｙｏのいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｑ．ＰＥＣＶＤを実施する前、医療バレルが取付済みの皮下針を有し、略円筒状表面が針端部と、後端部と、端部間の本体部分と、を有する、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｒ．磁場を提供する時間の少なくとも一部において、プラズマの少なくとも一部が電子瓶内において略円筒状表面の近傍に少なくとも一部閉じ込められる、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｓ．電子瓶が、略円筒状表面の端部間よりも、略円筒状表面の一端又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、擬似請求項ｂｙｒに記載の方法。
ｂｙｔ．電子瓶が、略円筒状表面の他端又はその近傍よりも、略円筒状表面の一端又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、擬似請求項ｂｙｒ又はｂｙｓに記載の方法。
ｂｙｕ．電子瓶が、少なくとも略円筒状表面の一端の近傍に配置された負に荷電した物体又は物体の一部を含む、擬似請求項ｂｙｒ〜ｂｙｔのいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｖ．少なくとも１つの磁場発生器が棒磁石である、擬似請求項ｂｙｒ〜ｂｙｕのいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｗ．少なくとも１つの磁場発生器が、動作位置にある際に中心凹部内に略円筒状表面を有するリング磁石である、擬似請求項ｂｙｒ〜ｂｙｖのいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｘ．電磁エネルギーが高周波エネルギーである、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｙ．外部電極が略円筒状であり、且つ医療バレルの略円筒状表面が外部電極内に配置されている、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法。
ｂｙｚ．ガスバリア皮膜又は層を塗布するために電磁エネルギーが０．１〜５００ワットの電力レベルで印加される、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法。
ｂｚａ．ガスバリア皮膜又は層を塗布するための電磁エネルギーが複数の離散的パルスにて印加される、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法。
ｂｚｂ．気体ＰＥＣＶＤ前駆体が、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン、又はこれら前駆体の任意の２つ以上の組み合わせを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法。
ｂｚｃ．気体ＰＥＣＶＤ前駆体がヘキサメチレンジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラメチレンジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）又はこれらの組み合わせを含む、前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法。
ｂｚｄ．前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法によって製造された医療バレルを含むシリンジ。
ｂｚｅ．前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の方法によって製造された医療バレルを含むカートリッジ。
ｂｚｆ．前述の擬似請求項のいずれか一項に記載の医療バレルの略円筒状壁内に磁場を印加するための装置であって、
・医療バレルを着座させるための大きさ及び配置にされ、略円筒状内側表面の軸線の位置を定める台座を含む医療バレルホルダと、
・ホルダと組み合わされており、台座に着座すると、ＰＥＣＶＤ前駆体を医療バレルの内腔に供給するように構成されているフィーダと、
・ホルダと組み合わされており、台座に着座すると医療バレルの内腔内に磁場を印加する１つ又は複数の磁場発生器と、
を含む、装置。
ｂｚｇ．医療カートリッジ又はシリンジ用医療バレルを被覆する装置であって、
・４〜１５ｍｍの範囲の直径を有する内腔の少なくとも一部、任意選択的に内腔全体を画定する略円筒状内側表面を有する壁を含む医療バレルを着座させるための大きさ及び配置にされた台座を含むバレルホルダと、
・台座に着座すると医療バレルの内腔内に位置するように配置される部分を含み、且つ略円筒状内側表面と同心であり、且つ略円筒状内側表面から１．２〜６．９ｍｍ半径方向に離間した外部表面を有する内部電極であって、内部電極が少なくとも１つの出口を有する内部通路を有する、内部電極と、
・外部電極と、
・ホルダと組み合わされたフィーダであって、台座に着座すると、ＰＥＣＶＤ前駆体を医療バレルの内腔に供給するように構成されているフィーダと、
・ホルダと組み合わされており、台座に着座すると医療バレルの内腔内に磁場を印加する１つ又は複数の磁場発生器と、
を含む、装置。
（発明１）
医療カートリッジ又はシリンジ用医療バレルを製造する方法であって、
・内腔の少なくとも一部を画定する略円筒状内側表面を有する壁を含む医療バレルを用意するステップであって、前記略円筒状内側表面が４〜１５ｍｍの範囲の直径を有する、ステップと、
・前記内腔内に配置され、前記略円筒状内側表面と同心であり、且つ前記略円筒状内側表面から１．２〜６．９ｍｍ半径方向に離間した部分を含む外部表面を有する内部電極を用意するステップであって、前記内部電極が少なくとも１つの出口を有する内部通路を有する、ステップと、
・外部電極を用意するステップと、
・前記内部通路の少なくとも１つの出口を通じて前記内腔内に気体ＰＥＣＶＤ前駆体を導入するステップと、
・前記略円筒状内側表面の少なくとも一部にプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）ガスバリア皮膜を形成するのに効果的な条件下で電磁エネルギーを前記外部電極に印加するステップであって、前記バリア皮膜又は層が平均厚さを有する、ステップと、
・前記略円筒状内側表面上の前記ガスバリア皮膜の前記平均厚さの標準偏差を低減するのに効果的な条件下で、任意選択的に印加工程全体にわたり、前記電磁エネルギーを印加する間、前記医療バレルの近傍に磁場を印加するステップと、
を含む、方法。
（発明２）
前記プラズマがプラズマ電子を含み、前記磁場が、ＰＥＣＶＤ中、前記内腔内における前記プラズマ電子の閉じ込めを向上させるのに効果的である、発明１に記載の方法。
（発明３）
前記磁場が、前記略円筒状表面の近傍にあり、且つ前記略円筒状表面の長さに沿って軸方向に延在する１つ又は複数の磁場発生器によって提供され、各磁場発生器が、極軸を画定するＮ極及びＳ極を有する、発明１又は２のいずれか一項に記載の方法。
（発明４）
前記磁場発生器の少なくとも１つが前記医療バレルの少なくともかなりの長さに延在する、発明３に記載の方法。
（発明５）
前記略円筒状内側表面上の前記ガスバリア皮膜の平均厚さの標準偏差を低減するのに効果的な条件が、前記磁場を提供する時間の少なくとも一部において、前記磁場発生器の１つ又は複数が前記略円筒状表面の軸線に略平行な極軸を有することである、発明３又は４に記載の方法。
（発明６）
前記磁場を提供する時間の少なくとも一部において、前記磁場発生器の少なくとも２つが動作位置において前記略円筒状表面の周りに周方向に分配される、発明３〜５のいずれか一項に記載の方法。
（発明７）
前記磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器がその極軸に沿って延在する内部通路を有する環状筒を含み、前記略円筒状表面が完全に前記内部通路内に配置される、発明３〜６のいずれか一項に記載の方法。
（発明８）
前記略円筒状内側表面上の前記ガスバリア皮膜の平均厚さの標準偏差を低減するのに効果的な条件が、前記磁場を提供する時間の少なくとも一部において、前記内腔の少なくとも一部内における前記磁場の少なくとも一部が、その極軸が被処理前記略円筒状表面に対しほぼ半径方向面内に延在する状態で配向されることである、発明３〜７のいずれか一項に記載の方法。
（発明９）
少なくとも２つの磁場発生器が、交流磁場発生器がその極軸を反転して配向された状態で、前記略円筒状表面の前記軸線を中心として周方向に分配されている、発明３〜８のいずれか一項に記載の方法。
（発明１０）
前記磁場発生器の少なくとも１つ又は前記略円筒状表面がその他に対して回転する、発明３〜９のいずれか一項に記載の方法。
（発明１１）
ＰＥＣＶＤを実施する前、前記医療バレルが取付済みの皮下針を有し、前記略円筒状表面が針端部と、後端部と、前記端部間の本体部分と、を有する、発明１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
（発明１２）
前記磁場を提供する時間の少なくとも一部において、前記プラズマの少なくとも一部が電子瓶内において前記略円筒状表面の近傍に少なくとも一部閉じ込められる、発明１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
（発明１３）
前記電子瓶が、前記略円筒状表面の前記端部間よりも、前記略円筒状表面の一端又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、発明１２に記載の方法。
（発明１４）
前記電子瓶が、前記略円筒状表面の他端又はその近傍よりも、前記略円筒状表面の一端又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、発明１２又は１３に記載の方法。
（発明１５）
前記電子瓶が、少なくとも前記略円筒状表面の一端の近傍に配置された負に荷電した物体又は物体の一部を含む、発明１２〜１４のいずれか一項に記載の方法。
（発明１６）
少なくとも１つの磁場発生器が棒磁石である、発明３〜１５のいずれか一項に記載の方法。
（発明１７）
少なくとも１つの磁場発生器が、動作位置にある際に中心凹部内に前記略円筒状表面を有するリング磁石である、発明３〜１６のいずれか一項に記載の方法。
（発明１８）
前記電磁エネルギーが高周波エネルギーである、発明１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
（発明１９）
前記外部電極が略円筒状であり、且つ前記医療バレルの前記略円筒状表面が前記外部電極内に配置されている、発明１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
（発明２０）
ガスバリア皮膜又は層を塗布するための前記電磁エネルギーが０．１〜５００ワットの電力レベルで印加される、発明１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
（発明２１）
ガスバリア皮膜又は層を塗布するための前記電磁エネルギーが複数の離散的パルスにて印加される、発明１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
（発明２２）
前記気体ＰＥＣＶＤ前駆体が、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン、又はこれら前駆体の任意の２つ以上の組み合わせを含む、発明１〜２１のいずれか一項に記載の方法。
（発明２３）
前記気体ＰＥＣＶＤ前駆体がヘキサメチレンジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラメチレンジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）又はこれらの組み合わせを含む、発明１〜２２のいずれか一項に記載の方法。
（発明２４）
発明１〜２３のいずれか一項に記載の方法により製造された医療バレルを含むシリンジ。
（発明２５）
発明１〜２３のいずれか一項に記載の方法により製造された医療バレルを含むカートリッジ。
（発明２６）
発明１〜２５のいずれか一項に記載の前記医療バレルの前記略円筒状壁内に磁場を印加するための装置であって、
・前記医療バレルを着座させるための大きさ及び配置にされ、前記略円筒状内側表面の前記軸線の位置を定める台座を含む医療バレルホルダと、
・前記ホルダと組み合わされており、前記台座に着座すると、ＰＥＣＶＤ前駆体を医療バレルの前記内腔に供給するように構成されているフィーダと、
・前記ホルダと組み合わされており、前記台座に着座すると医療バレルの前記内腔内に磁場を印加する１つ又は複数の磁場発生器と、
を含む、装置。
（発明２７）
医療カートリッジ又はシリンジ用医療バレルを被覆する装置であって、
・４〜１５ｍｍの範囲の直径を有する内腔の少なくとも一部、任意選択的に前記内腔全体を画定する略円筒状内側表面を有する壁を含む医療バレルを着座させるための大きさ及び配置にされた台座を含むバレルホルダと、
・前記台座に着座すると医療バレルの内腔内に位置するように配置される部分を含み、且つ前記略円筒状内側表面と同心であり、且つ前記略円筒状内側表面から１．２〜６．９ｍｍ半径方向に離間した外部表面を有する内部電極であって、前記内部電極が少なくとも１つの出口を有する内部通路を有する、内部電極と、
・外部電極と、
・前記ホルダと組み合わされたフィーダであって、前記台座に着座すると、ＰＥＣＶＤ前駆体を医療バレルの前記内腔に供給するように構成されているフィーダと、
・前記ホルダと組み合わされており、前記台座に着座すると医療バレルの前記内腔内に磁場を印加する１つ又は複数の磁場発生器と、
を含む、装置。

Claims (24)

  1. 医療カートリッジ又はシリンジ用医療バレルを製造する方法であって、
    ・内腔の少なくとも一部を画定する略円筒状内側表面を有する壁を含む医療バレルを用意するステップであって、前記略円筒状内側表面が４〜１５ｍｍの範囲の直径を有する、ステップと、
    ・前記内腔内に配置され、前記略円筒状内側表面と同心であり、且つ前記略円筒状内側表面から１．２〜６．９ｍｍ半径方向に離間した部分を含む外部表面を有する内部電極を用意するステップであって、前記内部電極が少なくとも１つの出口を有する内部通路を有する、ステップと、
    ・外部電極を用意するステップと、
    ・前記内部通路の少なくとも１つの出口を通じて前記内腔内に気体ＰＥＣＶＤ前駆体を導入するステップと、
    ・前記略円筒状内側表面の少なくとも一部にプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）ガスのバリア皮膜を形成するのに効果的な条件下で電磁エネルギーを前記外部電極に印加するステップであって、前記バリア皮膜が平均厚さを有する、ステップと、
    ・前記略円筒状内側表面上の前記バリア皮膜の前記平均厚さの標準偏差を低減するのに効果的な条件下で、任意選択的に印加工程全体にわたり、前記電磁エネルギーを印加する間、前記医療バレルの近傍に磁場を印加するステップと、
    を含む、方法であり、
    前記磁場を提供する時間の少なくとも一部において、前記内腔の少なくとも一部内における前記磁場の少なくとも一部が、その極軸が被処理前記略円筒状内側表面に対しほぼ半径方向面内に延在する状態で配向される、該方法。
  2. 前記プラズマがプラズマ電子を含み、前記磁場が、ＰＥＣＶＤ中、前記内腔内における前記プラズマ電子の閉じ込めを向上させるのに効果的である、請求項１に記載の方法。
  3. 前記磁場が、前記略円筒状内側表面の近傍にあり、且つ前記略円筒状内側表面の長さに沿って軸方向に延在する１つ又は複数の磁場発生器によって提供され、各磁場発生器が、極軸を画定するＮ極及びＳ極を有する、請求項１又は２のいずれか一項に記載の方法。
  4. 前記磁場発生器の少なくとも１つが前記医療バレルの少なくともかなりの長さに延在する、請求項３に記載の方法。
  5. 前記略円筒状内側表面上の前記バリア皮膜の平均厚さの標準偏差を低減するのに効果的な条件が、前記磁場を提供する時間の少なくとも一部において、前記磁場発生器の１つ又は複数が前記略円筒状内側表面の軸線に略平行な極軸を有することである、請求項３又は４に記載の方法。
  6. 前記磁場を提供する時間の少なくとも一部において、前記磁場発生器の少なくとも２つが動作位置において前記略円筒状内側表面の周りに周方向に分配される、請求項３〜５のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記磁場を提供する時間の少なくとも一部において、少なくとも１つの磁場発生器がその極軸に沿って延在する内部通路を有する環状筒を含み、前記略円筒状内側表面が完全に前記内部通路内に配置される、請求項３〜６のいずれか一項に記載の方法。
  8. 少なくとも２つの磁場発生器が、交流磁場発生器がその極軸を反転して配向された状態で、前記略円筒状内側表面の前記軸線を中心として周方向に分配されている、請求項３〜７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記磁場発生器の少なくとも１つ又は前記略円筒状内側表面がその他に対して回転する、請求項３〜８のいずれか一項に記載の方法。
  10. ＰＥＣＶＤを実施する前、前記医療バレルが取付済みの皮下針を有し、前記略円筒状内側表面が針端部と、後端部と、前記端部間の本体部分と、を有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
  11. 前記磁場を提供する時間の少なくとも一部において、前記プラズマの少なくとも一部が電子瓶内において前記略円筒状内側表面の近傍に少なくとも一部閉じ込められる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記電子瓶が、前記略円筒状内側表面の前記端部間よりも、前記略円筒状内側表面の一端又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記電子瓶が、前記略円筒状内側表面の他端又はその近傍よりも、前記略円筒状内側表面の一端又はその近傍により強い磁場を提供する構造により画定される、請求項１１又は１２に記載の方法。
  14. 前記電子瓶が、少なくとも前記略円筒状内側表面の一端の近傍に配置された負に荷電した物体又は物体の一部を含む、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
  15. 少なくとも１つの磁場発生器が棒磁石である、請求項３〜１４のいずれか一項に記載の方法。
  16. 少なくとも１つの磁場発生器が、動作位置にある際に中心凹部内に前記略円筒状内側表面を有するリング磁石である、請求項３〜１５のいずれか一項に記載の方法。
  17. 前記電磁エネルギーが高周波エネルギーである、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
  18. 前記外部電極が略円筒状であり、且つ前記医療バレルの前記略円筒状内側表面が前記外部電極内に配置されている、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
  19. バリア皮膜又は層を塗布するための前記電磁エネルギーが０．１〜５００ワットの電力レベルで印加される、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
  20. バリア皮膜又は層を塗布するための前記電磁エネルギーが複数の離散的パルスにて印加される、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
  21. 前記気体ＰＥＣＶＤ前駆体が、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン、又はこれら前駆体の任意の２つ以上の組み合わせを含む、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
  22. 前記気体ＰＥＣＶＤ前駆体がヘキサメチレンジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラメチレンジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）又はこれらの組み合わせを含む、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の方法。
  23. 請求項１〜２２のいずれか一項に記載の前記医療バレルの前記略円筒状壁内に磁場を印加するための装置であって、
    ・前記医療バレルを着座させるための大きさ及び配置にされ、前記略円筒状内側表面の前記軸線の位置を定める台座を含む医療バレルホルダと、
    ・前記ホルダと組み合わされており、前記台座に着座すると、ＰＥＣＶＤ前駆体を医療バレルの前記内腔に供給するように構成されているフィーダと、
    ・前記ホルダと組み合わされており、前記台座に着座すると医療バレルの前記内腔内に磁場を印加する１つ又は複数の磁場発生器と、
    を含む、装置。
  24. 医療カートリッジ又はシリンジ用医療バレルを被覆する装置であって、
    ・４〜１５ｍｍの範囲の直径を有する内腔の少なくとも一部、任意選択的に前記内腔全体を画定する略円筒状内側表面を有する壁を含む医療バレルを着座させるための大きさ及び配置にされた台座を含むバレルホルダと、
    ・前記台座に着座すると医療バレルの内腔内に位置するように配置される部分を含み、且つ前記略円筒状内側表面と同心であり、且つ前記略円筒状内側表面から１．２〜６．９ｍｍ半径方向に離間した外部表面を有する内部電極であって、前記内部電極が少なくとも１つの出口を有する内部通路を有する、内部電極と、
    ・外部電極と、
    ・前記ホルダと組み合わされたフィーダであって、前記台座に着座すると、ＰＥＣＶＤ前駆体を医療バレルの前記内腔に供給するように構成されているフィーダと、
    ・前記ホルダと組み合わされており、前記台座に着座すると医療バレルの前記内腔内に磁場を印加する１つ又は複数の磁場発生器と、
    を含む、装置であり、
    前記磁場を提供する時間の少なくとも一部において、前記内腔の少なくとも一部内における前記磁場の少なくとも一部が、その極軸が被処理前記略円筒状内側表面に対しほぼ半径方向面内に延在する状態で配向される、該装置。
JP2015545155A 2012-11-30 2013-11-25 医療シリンジ、カートリッジ等上でのｐｅｃｖｄ堆積の均一性制御 Active JP6382830B2 (ja)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261732180P 2012-11-30 2012-11-30
US61/732,180 2012-11-30
US201261747584P 2012-12-31 2012-12-31
US61/747,584 2012-12-31
US201361800660P 2013-03-15 2013-03-15
US61/800,660 2013-03-15
US201361872481P 2013-08-30 2013-08-30
US61/872,481 2013-08-30
PCT/US2013/071752 WO2014085348A2 (en) 2012-11-30 2013-11-25 Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016504496A JP2016504496A (ja) 2016-02-12
JP6382830B2 true JP6382830B2 (ja) 2018-08-29

Family

ID=49876984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015545155A Active JP6382830B2 (ja) 2012-11-30 2013-11-25 医療シリンジ、カートリッジ等上でのｐｅｃｖｄ堆積の均一性制御

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10201660B2 (ja)
EP (1) EP2925903B1 (ja)
JP (1) JP6382830B2 (ja)
KR (1) KR102211950B1 (ja)
CN (1) CN105705676B (ja)
AU (1) AU2013352436B2 (ja)
BR (1) BR112015012470B1 (ja)
CA (1) CA2892294C (ja)
WO (2) WO2014085346A1 (ja)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
DK2251453T3 (da) 2009-05-13 2014-07-07 Sio2 Medical Products Inc Beholderholder
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US9554968B2 (en) 2013-03-11 2017-01-31 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging
CA2855353C (en) 2011-11-11 2021-01-19 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, ph protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
CA2890066C (en) 2012-11-01 2021-11-09 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
WO2014078666A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
WO2014085346A1 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Sio2 Medical Products, Inc. Hollow body with inside coating
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
EP3055007B1 (en) 2013-10-07 2020-12-02 SiO2 Medical Products, Inc. Convertible plungers, film coated plungers and related syringe assemblies
JP6302082B2 (ja) * 2014-03-03 2018-03-28 ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ Ａｌｄコーティングによるガスコンテナ内部の保護
EP3122917B1 (en) 2014-03-28 2020-05-06 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
MY178361A (en) 2014-09-10 2020-10-09 Sio2 Medical Products Inc Three-position plungers, film coated plungers and related syringe assemblies
AT515917B1 (de) * 2014-11-24 2016-01-15 Mario Paul Stojec Verfahren und vorrichtung zur innenbeschichtung von druckbehältern
CA2992275A1 (en) 2015-07-14 2017-01-19 Sio2 Medical Products, Inc. Convertible plungers and methods for assembling the same in a medical barrel
CN108138316A (zh) 2015-08-18 2018-06-08 Sio2医药产品公司 具有低氧气传输速率的药物和其他包装
RU2734958C2 (ru) * 2015-11-18 2020-10-26 Формикон Аг Предварительно заполненная фармацевтическая упаковка, содержащая жидкий состав на основе антагониста vegf
JP7430485B2 (ja) 2015-11-18 2024-02-13 エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド 眼科用製剤のための薬剤パッケージ
DE102016204953A1 (de) * 2016-03-24 2017-09-28 F. Holzer Gmbh Dosierpumpe für eine Dosiervorrichtung sowie Dosiervorrichtung
DE102016206006A1 (de) * 2016-04-11 2017-10-12 Innovent E.V. Technologieentwicklung Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen
US10918800B2 (en) 2016-05-31 2021-02-16 Sio2 Medical Products, Inc. Convertible plungers and methods for assembling the same in a medical barrel
TWI737742B (zh) * 2016-06-22 2021-09-01 德商梅茲製藥有限兩合公司 肉毒桿菌毒素的預填充式注射器系統、具有其之套組以及其之使用
KR101810892B1 (ko) * 2016-09-13 2017-12-20 동우 화인켐 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 터치 스크린 패널
USD870278S1 (en) 2017-01-13 2019-12-17 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe plunger assembly
KR101874868B1 (ko) 2017-02-21 2018-07-05 마산대학교산학협력단 주사기의 주사액 활성화 장치
EP3630043A1 (en) 2017-05-24 2020-04-08 Formycon AG Sterilizable pre-filled pharmaceutical packages comprising a liquid formulation of a vegf-antagonist
CA3063995A1 (en) 2017-05-24 2018-11-29 Sio2 Medical Products, Inc. Sterilizable pharmaceutical package for ophthalmic formulations
CN107688012A (zh) * 2017-07-06 2018-02-13 浙江工业大学 一种微弱荧光信号检测方法
MX2020003627A (es) * 2017-10-18 2020-07-28 Lilly Co Eli Metodo de prueba acelerado de drenaje de silicona en jeringas.
WO2019191269A1 (en) 2018-03-27 2019-10-03 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, containers, and surfaces coated with water barrier coatings
CN112312946B (zh) * 2018-04-24 2023-01-10 W.L.戈尔及同仁股份有限公司 具有抑制氧气渗透的医疗递送设备
JP2022058962A (ja) * 2018-04-24 2022-04-12 ダブリュ．エル．ゴア アンド アソシエイツ，インコーポレイティド 抑制された酸素透過性を有するメディカルデリバリーデバイス
CN113784899A (zh) 2019-04-05 2021-12-10 Sio2医药产品公司 涂覆有pecvd涂层或层的可生物降解且可堆肥器皿如咖啡包
CN110455655A (zh) * 2019-08-23 2019-11-15 水利部杭州机械设计研究所 一种热喷涂涂层高通量检测装置及测试方法
JP2023506180A (ja) 2019-12-12 2023-02-15 ノバルティス アーゲー 注射デバイス及び注射溶液移し替えシステム
CN115136276A (zh) * 2020-02-18 2022-09-30 Asml荷兰有限公司 带电粒子系统中的流体传送系统
WO2021262764A1 (en) * 2020-06-22 2021-12-30 Sio2 Medical Products, Inc. Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines
DE102020118718A1 (de) 2020-07-15 2022-01-20 Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, Körperschaft des öffentlichen Rechts Verfahren und Vorrichtung zur Außenwand- und/oder Innenwandbeschichtung von Hohlkörpern
TWI739632B (zh) * 2020-10-15 2021-09-11 明志科技大學 管內壁表面改質裝置
KR20220073368A (ko) 2020-11-26 2022-06-03 주식회사 노아닉스 의료용 주사기 내부코팅장치의 원격제어 시스템 및 이를 이용한 원격제어방법
WO2022241099A2 (en) * 2021-05-12 2022-11-17 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona In situ soil gas probes and sampling sytems
US11756925B2 (en) 2021-10-22 2023-09-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for vacuum processing a substrate
CN116874294B (zh) * 2023-09-08 2024-01-23 山东精瓷中聚工业技术有限公司 注射针管陶瓷推杆及其制备工艺

Family Cites Families (1048)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR891892A (fr) 1942-11-17 1944-03-22 Aiguille d'injection
GB752822A (en) 1953-03-12 1956-07-18 Onera (Off Nat Aerospatiale) Improvements in rate of flow meters, especially for liquids
US3355947A (en) 1959-02-26 1967-12-05 Rockwell Mfg Co Viscosity compensated turbine flow meter
DE1147836B (de) 1959-09-26 1963-04-25 Nadler Werke Verfahren zum Sterilisieren von breifoermigen vegetabilischen Nahrungsmitteln
DE1147838B (de) 1960-10-12 1963-04-25 Andre Michels Antrieb der Ecken-Verriegelungsorgane eines Stempels in einer Vorrichtung zum Aufrichten eines Zuschnitts aus Papier, Pappe od. dgl. zu einer Schachtel
US3274267A (en) 1963-09-23 1966-09-20 Union Carbide Corp Cyclic alpha-perfluoro-di-p-xylylenes
US3297465A (en) 1963-12-31 1967-01-10 Ibm Method for producing organic plasma and for depositing polymer films
US3442686A (en) 1964-03-13 1969-05-06 Du Pont Low permeability transparent packaging films
FR1475825A (fr) 1966-02-21 1967-04-07 Compteurs Comp D Perfectionnements aux mesureurs à turbine pour le comptage de volumes de fluides
US3838598A (en) 1969-03-28 1974-10-01 Brunswick Corp Capillary flow meter
US3590634A (en) 1969-05-05 1971-07-06 Stanford Research Inst Instrument for determining permeation rates through a membrane
GB1363762A (en) 1971-06-28 1974-08-14 Atomic Energy Authority Uk Fluid flow meters
US3957653A (en) 1975-04-03 1976-05-18 Becton, Dickinson And Company Apparatus for collection, separation and isolation of blood
US4111326A (en) 1976-03-04 1978-09-05 Becton, Dickinson And Company Closure for air evacuated container
US4186840A (en) 1976-03-04 1980-02-05 Becton, Dickinson And Company Cannulapierceable, self-sealing closure
US4162528A (en) 1976-05-18 1979-07-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated X-ray-fluorescence measurement of thin film thicknesses
GB1513426A (en) 1976-06-01 1978-06-07 Aspro Nicholas Ltd Packaging
NO137663C (no) 1976-09-30 1978-03-29 Ken Heimreid Fremgangsmaate ved undersoekelse av ukoagulert blod
GB1566251A (en) 1976-10-15 1980-04-30 Gervase Instr Ltd Flow meters
US4118972A (en) 1977-08-31 1978-10-10 Container Corporation Of America Apparatus for detecting leaks in composite packages
US4168330A (en) 1977-10-13 1979-09-18 Rca Corporation Method of depositing a silicon oxide layer
US4484479A (en) 1978-04-05 1984-11-27 Richard Eckhardt Gas flow metering
US4392218A (en) 1979-01-02 1983-07-05 Lanier Business Products, Inc. Apparatus for identifying a dictate station by providing an automatically generated sequence of signals and a manually entered sequence of signals
US4289726A (en) 1979-07-02 1981-09-15 Potoczky Joseph B Apparatus and method for injection molding of elongated hollow plastic container walls
JPS5627330A (en) 1979-08-15 1981-03-17 Yoshino Kogyosho Co Ltd Heat treatment for internal wall surface of saturated polyester resin biaxially stretched bottle
US4293078A (en) 1979-11-01 1981-10-06 Becton, Dickinson And Company Vacuum indicator closure for a blood collection tube
US4486378A (en) 1980-05-07 1984-12-04 Toyo Seikan Kaisha Ltd. Plastic bottles and process for preparation thereof
US4391128A (en) 1981-04-20 1983-07-05 Air Products And Chemicals, Inc. Back-diffusion quality control method for barrier treated containers
US4452679A (en) 1981-10-07 1984-06-05 Becton Dickinson And Company Substrate with chemically modified surface and method of manufacture thereof
US4422896A (en) 1982-01-26 1983-12-27 Materials Research Corporation Magnetically enhanced plasma process and apparatus
JPS58154602A (ja) 1982-03-10 1983-09-14 Nippon Kokan Kk <Nkk> テイン・フリ−・スチ−ルの表面被膜厚測定方法及び装置
JPH0635323B2 (ja) 1982-06-25 1994-05-11 株式会社日立製作所 表面処理方法
US4522510A (en) 1982-07-26 1985-06-11 Therma-Wave, Inc. Thin film thickness measurement with thermal waves
DE3239379A1 (de) 1982-10-23 1984-04-26 Helmut Fischer GmbH & Co Institut für Elektronik und Meßtechnik, 7032 Sindelfingen Vorrichtung zum messen der dicke duenner schichten
JPS5987307A (ja) 1982-11-11 1984-05-19 Nippon Kokan Kk <Nkk> 表面被膜の膜厚測定装置
US4483737A (en) 1983-01-31 1984-11-20 University Of Cincinnati Method and apparatus for plasma etching a substrate
JPS59154029A (ja) 1983-02-23 1984-09-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 絶縁膜形成方法
JPS59168310A (ja) 1983-03-02 1984-09-22 エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド 薄膜の厚みを測定する方法及び装置
US4478873A (en) 1983-05-23 1984-10-23 American Optical Corporation Method imparting anti-static, anti-reflective properties to ophthalmic lenses
CA1199854A (en) 1983-08-31 1986-01-28 Majesty (Her) The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of National Defence Laminar flow element
US4524616A (en) 1983-09-02 1985-06-25 Tylan Corporation Adjustable laminar flow bypass
US4524089A (en) 1983-11-22 1985-06-18 Olin Corporation Three-step plasma treatment of copper foils to enhance their laminate adhesion
US4552791A (en) 1983-12-09 1985-11-12 Cosden Technology, Inc. Plastic container with decreased gas permeability
JPH0627323B2 (ja) 1983-12-26 1994-04-13 株式会社日立製作所 スパツタリング方法及びその装置
AT379069B (de) 1984-01-11 1985-11-11 Greiner & Soehne C A Blutprobenroehrchen
JPS60158316A (ja) 1984-01-30 1985-08-19 Osaka Gas Co Ltd タ−ビン式流量計
GR850153B (ja) 1984-02-06 1985-03-29 Obrist Ag Crown
JPS6113626A (ja) 1984-06-29 1986-01-21 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPS6130036A (ja) 1984-07-23 1986-02-12 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
EP0173164B1 (en) 1984-08-31 1988-11-09 Hitachi, Ltd. Microwave assisting sputtering
US4668365A (en) * 1984-10-25 1987-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition
US4648107A (en) 1984-12-05 1987-03-03 Latter Terence D Device for measuring the thickness of thin films
JPH0740468B2 (ja) 1984-12-11 1995-05-01 株式会社日立製作所 高周波プラズマ発生装置
JPS61183462A (ja) 1985-02-06 1986-08-16 Yuugou Giken:Kk 磁石やコイルの磁場を利用したパイプ等の内面イオンプレ−テイング装置及びその方法
CH667528A5 (de) 1985-03-15 1988-10-14 Alusuisse Verfahren zum bestimmen der dicke von transparenten lackschichten und vorrichtung zu dessen ausfuehrung.
IT1184423B (it) * 1985-04-11 1987-10-28 Antonio Ferro Metodo ed apparecchio per l'estrazione di metalli amalgamabili da torbide
US4767414A (en) 1985-05-16 1988-08-30 Becton, Dickinson And Company Ionizing plasma lubricant method
US4667620A (en) 1985-10-29 1987-05-26 Cosden Technology, Inc. Method and apparatus for making plastic containers having decreased gas permeability
JPS62180069A (ja) 1986-02-05 1987-08-07 Kobe Steel Ltd 管内面の被覆方法
US4824444A (en) 1986-04-11 1989-04-25 Applied Membrane Technology, Inc. Gas permselective composite membrane prepared by plasma polymerization coating techniques
JP2575653B2 (ja) 1986-06-06 1997-01-29 日新電機株式会社 金属製筒形被コ−ティング材の筒内面への薄膜形成方法
US6248219B1 (en) 1986-06-23 2001-06-19 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Process and apparatus for sputter etching or sputter coating
JPS638524A (ja) 1986-06-30 1988-01-14 Yamatake Honeywell Co Ltd 差圧発信器
ZA874580B (ja) 1986-07-04 1988-01-04
US4778721A (en) 1986-07-09 1988-10-18 Battelle Memorial Institute Method of forming abrasion-resistant plasma coatings and resulting articles
US4697717A (en) 1986-08-18 1987-10-06 Becton, Dickinson And Company Rubber/plastic stopper composite with mechanical adhesive joints
DE3729347A1 (de) 1986-09-05 1988-03-17 Mitsubishi Electric Corp Plasmaprozessor
DE3632748A1 (de) 1986-09-26 1988-04-07 Ver Foerderung Inst Kunststoff Verfahren zur beschichtung von hohlkoerpern
US4756964A (en) 1986-09-29 1988-07-12 The Dow Chemical Company Barrier films having an amorphous carbon coating and methods of making
JP2587924B2 (ja) 1986-10-11 1997-03-05 日本電信電話株式会社 薄膜形成装置
US4725481A (en) 1986-10-31 1988-02-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Vapor-permeable, waterproof bicomponent structure
JPS63124521A (ja) 1986-11-14 1988-05-28 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｘ線リソグラフイ−用マスク表面の処理方法
EP0273741B1 (en) 1986-12-29 1991-10-23 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Plasma apparatus
US4741446A (en) 1986-12-29 1988-05-03 Becton, Dickinson And Company Computer generated stopper
US4853102A (en) 1987-01-07 1989-08-01 Hitachi, Ltd. Sputtering process and an apparatus for carrying out the same
SU1530913A1 (ru) 1987-01-13 1989-12-23 Казахский научно-исследовательский институт энергетики Расходомер
KR960015609B1 (ko) 1987-01-19 1996-11-18 미쓰다 가쓰시게 플라즈마 처리장치 및 방법
EP0284867A2 (en) 1987-04-03 1988-10-05 Tegal Corporation Dry etching apparatus using surface magnetic field confinement of plasma
US5028566A (en) 1987-04-10 1991-07-02 Air Products And Chemicals, Inc. Method of forming silicon dioxide glass films
US5000994A (en) 1987-04-13 1991-03-19 The West Company, Incorporated Pharmaceutical elastomeric coating
US4808453A (en) 1987-04-13 1989-02-28 Romberg Val G Pharmaceutical elastomeric coating
US4973504A (en) 1987-04-13 1990-11-27 The West Company Incorporated Pharmaceutical elastomeric coating
US5203959A (en) 1987-04-27 1993-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave plasma etching and deposition method employing first and second magnetic fields
JPH0672306B2 (ja) 1987-04-27 1994-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
DE3883985T2 (de) 1987-06-19 1994-01-27 Terumo Corp Ärztliches instrument und dessen herstellung.
ZA884511B (en) * 1987-07-15 1989-03-29 Boc Group Inc Method of plasma enhanced silicon oxide deposition
JPS6423105A (en) 1987-07-17 1989-01-25 Japan Aviation Electron Film thickness evaluating device
KR920002864B1 (ko) 1987-07-20 1992-04-06 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리방법 및 그 장치
JPS6428509A (en) 1987-07-23 1989-01-31 Nippon Kokan Kk Apparatus for measuring thickness of film
US4842704A (en) 1987-07-29 1989-06-27 Collins George J Magnetron deposition of ceramic oxide-superconductor thin films
EP0327639B1 (en) 1987-08-24 1992-01-08 General Electric Company Abrasion-resistant plastic articles and method for making them
US4809876A (en) 1987-08-27 1989-03-07 Aluminum Company Of America Container body having improved gas barrier properties
US4880120A (en) 1987-09-02 1989-11-14 The Coca-Cola Company Plastic container inspection process
US4810752A (en) 1987-09-24 1989-03-07 The West Company Halobutyl thermoplastic elastomer
GB2210826B (en) 1987-10-19 1992-08-12 Bowater Packaging Ltd Barrier packaging materials
DE3738993A1 (de) 1987-11-17 1989-05-24 Philips Patentverwaltung Verfahren zur glimmentladungsaktivierten reaktiven abscheidung von metall aus einer gasphase
US4886086A (en) 1987-12-23 1989-12-12 Graco, Inc. Non-degrading pressure regulator
JPH0668152B2 (ja) 1988-01-27 1994-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成装置
US5798027A (en) 1988-02-08 1998-08-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Process for depositing optical thin films on both planar and non-planar substrates
US4844986A (en) 1988-02-16 1989-07-04 Becton, Dickinson And Company Method for preparing lubricated surfaces and product
JPH01225775A (ja) 1988-03-04 1989-09-08 Toyo Sutoufuaa Chem:Kk 管状材料内面に対するセラミック・コーティング膜の形成方法
US5041303A (en) 1988-03-07 1991-08-20 Polyplasma Incorporated Process for modifying large polymeric surfaces
JPH0534669Y2 (ja) 1988-03-16 1993-09-02
US5275299A (en) 1988-04-15 1994-01-04 C. A. Greiner & Sohne Gesellschaft Mbh Closure device for an in particular evacuable cylindrical housing
US4880675A (en) 1988-04-25 1989-11-14 Air Products And Chemicals, Inc. Hot-fillable plastic containers
JP2599176B2 (ja) 1988-05-02 1997-04-09 オリエント時計 株式会社 金色装飾品
US5409782A (en) 1988-05-02 1995-04-25 Orient Watch Company Composite film
EP0343017A3 (en) 1988-05-20 1990-05-23 Nec Corporation Reactive ion etching apparatus
US4883686A (en) 1988-05-26 1989-11-28 Energy Conversion Devices, Inc. Method for the high rate plasma deposition of high quality material
DE3820237C1 (ja) 1988-06-14 1989-09-14 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De
US4846101A (en) 1988-07-01 1989-07-11 Becton, Dickinson And Company Apparatus for plasma treatment of small diameter tubes
US4948628A (en) 1988-07-01 1990-08-14 Becton, Dickinson And Company Method for plasma treatment of small diameter tubes
JPH0224502A (ja) 1988-07-12 1990-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 膜厚測定方法
US4869203A (en) 1988-07-18 1989-09-26 Vapor Technologies Inc. Apparatus for coating a metal gas-pressure bottle or tank
DE3926023A1 (de) 1988-09-06 1990-03-15 Schott Glaswerke Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
CA1335495C (en) 1988-12-22 1995-05-09 Renate Foerch Modification of polymer surfaces by two-step reactions
US4978714A (en) 1989-03-01 1990-12-18 The West Company Incorporated Modified halobutyl thermoplastic elastomer
GB8905075D0 (en) 1989-03-06 1989-04-19 Nordiko Ltd Electrode assembly and apparatus
US5472660A (en) 1989-03-08 1995-12-05 Fortex, Inc. Method for the manufacture of shaped products of biaxially oriented polymeric material
DE3908418C2 (de) 1989-03-15 1999-06-02 Buck Chem Tech Werke Verfahren zum Innenbeschichten von Kunststoff-Behältern und Vorrichtung zum Beschichten
US4999014A (en) 1989-05-04 1991-03-12 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for measuring thickness of thin films
US5042951A (en) 1989-09-19 1991-08-27 Therma-Wave, Inc. High resolution ellipsometric apparatus
EP0396919A3 (en) 1989-05-08 1991-07-10 Applied Materials, Inc. Plasma reactor and method for semiconductor processing
US5225024A (en) 1989-05-08 1993-07-06 Applied Materials, Inc. Magnetically enhanced plasma reactor system for semiconductor processing
JPH02298024A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Tadahiro Omi リアクティブイオンエッチング装置
US5429070A (en) 1989-06-13 1995-07-04 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5297561A (en) 1989-06-15 1994-03-29 Hulon Walter C Blood collection tube assembly
US5032202A (en) 1989-10-03 1991-07-16 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Plasma generating apparatus for large area plasma processing
US5792550A (en) 1989-10-24 1998-08-11 Flex Products, Inc. Barrier film having high colorless transparency and method
US5044199A (en) 1989-11-13 1991-09-03 Dxl International, Inc. Flowmeter
JP2905828B2 (ja) 1989-12-05 1999-06-14 株式会社吉野工業所 シリンジ筒成形装置とシリンジ筒成形方法
US5067491A (en) 1989-12-08 1991-11-26 Becton, Dickinson And Company Barrier coating on blood contacting devices
JPH03183759A (ja) 1989-12-12 1991-08-09 Toyobo Co Ltd 積層プラスチックフイルムおよびその製造方法
JP2706546B2 (ja) 1990-03-08 1998-01-28 日東工器株式会社 内周面円筒状体のコーティング方法
US5064083A (en) 1990-03-08 1991-11-12 The West Company, Incorporated Closure device
AT401341B (de) 1990-03-09 1996-08-26 Greiner & Soehne C A Verschlussvorrichtung für ein, insbesondere evakuierbares gehäuse
DE4008405C1 (ja) 1990-03-16 1991-07-11 Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De
JPH03271374A (ja) 1990-03-22 1991-12-03 Toshiba Corp 薄膜形成装置
JPH04373A (ja) 1990-04-16 1992-01-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラスチック基板表面の硬化保護膜製造方法
JPH04375A (ja) 1990-04-16 1992-01-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラスチック基板表面の硬化保護膜製造方法
JPH04374A (ja) 1990-04-16 1992-01-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラスチック基板表面の硬化保護膜製造方法
US5085904A (en) 1990-04-20 1992-02-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Barrier materials useful for packaging
US5084356A (en) 1990-04-20 1992-01-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Film coated with glass barrier layer with metal dopant
JPH0414440A (ja) 1990-05-07 1992-01-20 Toray Ind Inc 積層フィルム
US5443645A (en) 1990-05-19 1995-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Microwave plasma CVD apparatus comprising coaxially aligned multiple gas pipe gas feed structure
DE4026367A1 (de) 1990-06-25 1992-03-12 Leybold Ag Vorrichtung zum beschichten von substraten
US5131752A (en) 1990-06-28 1992-07-21 Tamarack Scientific Co., Inc. Method for film thickness endpoint control
US6251792B1 (en) 1990-07-31 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Plasma etch processes
US5082542A (en) 1990-08-02 1992-01-21 Texas Instruments Incorporated Distributed-array magnetron-plasma processing module and method
US5079481A (en) * 1990-08-02 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Plasma-assisted processing magneton with magnetic field adjustment
EP0470777A3 (en) 1990-08-07 1993-06-02 The Boc Group, Inc. Thin gas barrier films and rapid deposition method therefor
US5192849A (en) 1990-08-10 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Multipurpose low-thermal-mass chuck for semiconductor processing equipment
JPH04110617A (ja) 1990-08-31 1992-04-13 Nippon Tairan Kk マスフローコントローラーの分流構造
JP2916942B2 (ja) 1990-09-14 1999-07-05 住友重機械工業株式会社 管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置
CA2051219C (en) 1990-09-14 2001-06-19 Yuji Komiya Method of preparing laminated packaging material
EP0484746B1 (en) 1990-10-25 1996-09-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chemically adsorbed monomolecular lamination film and method of manufacturing the same
US5240774A (en) 1990-10-25 1993-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fluorocarbon-based coating film and method of manufacturing the same
US5779802A (en) 1990-12-10 1998-07-14 Imec V.Z.W. Thin film deposition chamber with ECR-plasma source
JPH04236770A (ja) 1991-01-17 1992-08-25 Kobe Steel Ltd 真空アーク蒸着のアークスポットの制御方法及び蒸発源
FR2671931A1 (fr) 1991-01-22 1992-07-24 Metal Process Dispositif de repartition d'une energie micro-onde pour l'excitation d'un plasma.
US5288560A (en) 1991-01-30 1994-02-22 Daikyo Gomu Seiko, Ltd. Laminated sanitary rubber article
US5330578A (en) 1991-03-12 1994-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma treatment apparatus
DE4109619C1 (ja) 1991-03-23 1992-08-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
JP2501490B2 (ja) 1991-03-25 1996-05-29 日新製鋼株式会社 タンデム圧延機の板厚制御装置
CA2067691C (en) 1991-05-13 1995-12-12 James A. Burns Stopper-shield combination closure
US5189446A (en) 1991-05-17 1993-02-23 International Business Machines Corporation Plasma wafer processing tool having closed electron cyclotron resonance
DE4119362A1 (de) 1991-06-12 1992-12-17 Leybold Ag Teilchenquelle, insbesondere fuer reaktive ionenaetz- und plasmaunterstuetzte cvd-verfahren
JPH056688A (ja) 1991-06-20 1993-01-14 Fujitsu Ltd サンプル・アンド・ホールド回路
KR100255703B1 (ko) 1991-06-27 2000-05-01 조셉 제이. 스위니 전자기 rf연결부를 사용하는 플라즈마 처리기 및 방법
US6518195B1 (en) 1991-06-27 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes
US5888414A (en) 1991-06-27 1999-03-30 Applied Materials, Inc. Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control
US5633711A (en) 1991-07-08 1997-05-27 Massachusettes Institute Of Technology Measurement of material properties with optically induced phonons
DE4122802C1 (ja) 1991-07-10 1992-12-17 Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De
US5198725A (en) 1991-07-12 1993-03-30 Lam Research Corporation Method of producing flat ecr layer in microwave plasma device and apparatus therefor
US5271274A (en) 1991-08-14 1993-12-21 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Thin film process monitoring techniques using acoustic waves
US5204141A (en) 1991-09-18 1993-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Deposition of silicon dioxide films at temperatures as low as 100 degree c. by lpcvd using organodisilane sources
JP3105962B2 (ja) 1991-09-20 2000-11-06 株式会社豊田中央研究所 固体潤滑性を有する非晶質薄膜およびその製造方法
US5224441A (en) 1991-09-27 1993-07-06 The Boc Group, Inc. Apparatus for rapid plasma treatments and method
CA2268719C (en) * 1991-10-03 2001-08-28 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
EP0535810B1 (en) 1991-10-03 1996-03-06 Becton, Dickinson and Company Blood collection tube assembly
EP0537950B1 (en) 1991-10-17 1997-04-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor
JP2647585B2 (ja) 1991-11-28 1997-08-27 三菱電機株式会社 自動薄膜計測装置
US5333049A (en) 1991-12-06 1994-07-26 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for interferometrically measuring the thickness of thin films using full aperture irradiation
US5372851A (en) 1991-12-16 1994-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a chemically adsorbed film
US5397956A (en) 1992-01-13 1995-03-14 Tokyo Electron Limited Electron beam excited plasma system
DE4204082A1 (de) 1992-02-12 1993-08-19 Leybold Ag Verfahren zur herstellung einer haftvermittelnden schicht auf werkstueckoberflaechen
JPH05263223A (ja) 1992-03-14 1993-10-12 Nitto Kohki Co Ltd 内側部を有する被コーティング体のコーティング方法及び装置
US5302266A (en) 1992-03-20 1994-04-12 International Business Machines Corporation Method and apparatus for filing high aspect patterns with metal
DE4209384C1 (ja) 1992-03-23 1993-04-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De
US5444207A (en) 1992-03-26 1995-08-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma generating device and surface processing device and method for processing wafers in a uniform magnetic field
EP0574100B1 (en) 1992-04-16 1999-05-12 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Plasma CVD method and apparatus therefor
DE4214401C1 (en) 1992-04-30 1993-03-11 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De Plasma-aided CVD of coating inside hollow body - by introducing atmos. contg. cpd. vapour into cavity at below atmos. pressure and passing microwaves into cavity
CA2095674A1 (en) 1992-05-13 1993-11-14 Nicholas A. Grippi Blood collection tube assembly
EP0571896B1 (en) 1992-05-27 1996-08-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a chemically adsorbed film
MX9303141A (es) 1992-05-28 1994-04-29 Polar Materials Inc Metodos y aparatos para depositar recubrimientos de barrera.
US5486701A (en) 1992-06-16 1996-01-23 Prometrix Corporation Method and apparatus for measuring reflectance in two wavelength bands to enable determination of thin film thickness
US5252178A (en) 1992-06-24 1993-10-12 Texas Instruments Incorporated Multi-zone plasma processing method and apparatus
US5286297A (en) 1992-06-24 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Multi-electrode plasma processing apparatus
US5308649A (en) 1992-06-26 1994-05-03 Polar Materials, Inc. Methods for externally treating a container with application of internal bias gas
JPH0610132A (ja) 1992-06-29 1994-01-18 Nagasaki Pref Gov 有機シリコン化合物薄膜の製造方法
US5812261A (en) 1992-07-08 1998-09-22 Active Impulse Systems, Inc. Method and device for measuring the thickness of opaque and transparent films
CA2100275A1 (en) 1992-07-22 1994-01-23 Mitchell K. Antoon, Jr. Blood collection assembly
US5272735A (en) 1992-08-03 1993-12-21 Combustion Engineering, Inc. Sputtering process burnable poison coating
US5531683A (en) 1992-08-13 1996-07-02 Science Incorporated Mixing and delivery syringe assembly
US5292370A (en) 1992-08-14 1994-03-08 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Coupled microwave ECR and radio-frequency plasma source for plasma processing
US5260095A (en) 1992-08-21 1993-11-09 Battelle Memorial Institute Vacuum deposition and curing of liquid monomers
GB9219450D0 (en) 1992-09-15 1992-10-28 Glaverbel Thin film thickness monitoring and control
TW267975B (ja) 1992-10-20 1996-01-11 Toppan Printing Co Ltd
US5433345A (en) 1992-10-28 1995-07-18 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Bag-in-carton and pouring spout thereof
AU669754B2 (en) 1992-12-18 1996-06-20 Becton Dickinson & Company Barrier coating
CA2085805A1 (en) 1992-12-18 1994-06-19 Jaromir Friedrich Fluid flow rate measuring apparatus
CA2110761A1 (en) 1992-12-18 1994-06-19 Yelena G. Tropsha Barrier label
US5298587A (en) 1992-12-21 1994-03-29 The Dow Chemical Company Protective film for articles and method
TW249313B (ja) 1993-03-06 1995-06-11 Tokyo Electron Co
JP3274217B2 (ja) 1993-04-05 2002-04-15 株式会社リコー 液晶表示装置の製造方法
AU5914994A (en) * 1993-04-21 1994-10-27 Bend Research, Inc. Plasma polymerization and surface modification inside hollow micro-substrates
US5494170A (en) 1993-05-06 1996-02-27 Becton Dickinson And Company Combination stopper-shield closure
US5632396A (en) 1993-05-06 1997-05-27 Becton, Dickinson And Company Combination stopper-shield closure
PE9895A1 (es) 1993-05-13 1995-05-15 Coca Cola Co Metodo para obtener un envase para bebidas teniendo una superficie interna con una permeabilidad/absorcion relativamente baja
IL109589A0 (en) 1993-05-14 1994-08-26 Hughes Aircraft Co Apparatus and method for performing high spatial resolution thin film layer thickness metrology
DE4316349C2 (de) 1993-05-15 1996-09-05 Ver Foerderung Inst Kunststoff Verfahren zur Innenbeschichtung von Hohlkörpern mit organischen Deckschichten durch Plasmapolymerisation, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
WO1994027745A1 (de) 1993-06-01 1994-12-08 Kautex Werke Reinold Hagen Aktiengesellschaft Verfahren und einrichtung zum herstellen einer polymeren beschichtung an kunststoff-hohlkörpern
CH685755A5 (de) 1993-06-03 1995-09-29 Tetra Pak Suisse Sa Verfahren zur Herstellung eines Schichtstoffes.
JP2803017B2 (ja) 1993-06-07 1998-09-24 工業技術院長 抗血栓性医用材料及び医療用具並びにこれらの製造方法、製造装置及びプラズマ処理装置
US5361921A (en) 1993-06-29 1994-11-08 Becton Dickinson And Company Combination stopper-shield closure
JP3369261B2 (ja) 1993-08-02 2003-01-20 東洋紡績株式会社 ガスバリア性容器
US5356029A (en) 1993-08-25 1994-10-18 Kaneka Texas Corporation Bin-type bulk fluid container
JP3183759B2 (ja) 1993-08-26 2001-07-09 株式会社三協精機製作所 負荷測定装置
US5433786A (en) 1993-08-27 1995-07-18 The Dow Chemical Company Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition comprising shower head electrode with magnet disposed therein
JPH0768614A (ja) 1993-09-03 1995-03-14 Olympus Optical Co Ltd 光学素子の射出成形金型および射出成形方法
US5512399A (en) 1993-09-21 1996-04-30 Fuji Electric Co., Ltd. Organic photo sensitive member for electrophotography
CA2130388A1 (en) 1993-09-23 1995-03-24 Joel L. Williams Process for barrier coating of plastic objects
US5364666A (en) 1993-09-23 1994-11-15 Becton, Dickinson And Company Process for barrier coating of plastic objects
US5381228A (en) 1993-09-30 1995-01-10 Hoover Universal, Inc. Rapid estimation of the oxygen permeation rate of a thin film on a plastic container
US5440446A (en) 1993-10-04 1995-08-08 Catalina Coatings, Inc. Acrylate coating material
BR9407741A (pt) 1993-10-04 1997-02-12 Catalina Coatings Inc Revestimento de acrilato
KR100276736B1 (ko) 1993-10-20 2001-03-02 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5449432A (en) 1993-10-25 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Method of treating a workpiece with a plasma and processing reactor having plasma igniter and inductive coupler for semiconductor fabrication
FR2711647B1 (fr) 1993-10-27 1996-01-19 Europ Propulsion Procédé d'infiltration chimique en phase vapeur d'un matériau au sein d'un substrat poreux à température de surface contrôlée.
US5679412A (en) 1993-10-28 1997-10-21 Manfred R. Kuehnle Method and apparatus for producing gas impermeable, chemically inert container structures for food and volatile substances
JPH07126419A (ja) 1993-11-04 1995-05-16 Toppan Printing Co Ltd ガスバリア性積層体
US5413813A (en) 1993-11-23 1995-05-09 Enichem S.P.A. CVD of silicon-based ceramic materials on internal surface of a reactor
US5354286A (en) 1993-12-07 1994-10-11 Survival Technology, Inc. Injection device having polyparaxylylene coated container
AT400802B (de) 1993-12-16 1996-03-25 Greiner & Soehne C A Haltevorrichtung für ein blutprobenentnahmeröhrchen einer blutabnahmevorrichtung
US5871700A (en) 1993-12-21 1999-02-16 C.A. Greiner & Sohne Gesellschaft M.B.H. Holding device with a cylindrical container and blood sampling tube with such a holding device
US5439736A (en) 1994-01-21 1995-08-08 Neomecs Incorporated Gas plasma polymerized permselective membrane
DE69500531T2 (de) 1994-01-31 1998-02-26 Nissin Electric Co Ltd Verfahren zur Herstellung einer Röhre mit einem Filmbelag auf der inneren peripheren Oberfläche und Vorrichtung zu seiner Herstellung
CH687601A5 (de) 1994-02-04 1997-01-15 Tetra Pak Suisse Sa Verfahren zur Herstellung von im Innern sterilen Verpackungen mit hervorragenden Sperreigenschaften.
US5565248A (en) 1994-02-09 1996-10-15 The Coca-Cola Company Method and apparatus for coating hollow containers through plasma-assisted deposition of an inorganic substance
US6149982A (en) 1994-02-16 2000-11-21 The Coca-Cola Company Method of forming a coating on an inner surface
DK0693975T4 (da) 1994-02-16 2003-08-18 Coca Cola Co Hule beholdere med indifferent eller uigennemtrængelig indre overflade gennem plasmaunderstøttet overfladereaktion eller polymerisation på overfladen
US5618619A (en) 1994-03-03 1997-04-08 Monsanto Company Highly abrasion-resistant, flexible coatings for soft substrates
US5569810A (en) 1994-03-18 1996-10-29 Samco International, Inc. Method of and system for processing halogenated hydrocarbons
US5620523A (en) 1994-04-11 1997-04-15 Canon Sales Co., Inc. Apparatus for forming film
US5593550A (en) 1994-05-06 1997-01-14 Medtronic, Inc. Plasma process for reducing friction within the lumen of polymeric tubing
JPH07304127A (ja) 1994-05-13 1995-11-21 Toppan Printing Co Ltd ガスバリヤー性包装材料およびその製造方法
US5670415A (en) 1994-05-24 1997-09-23 Depositech, Inc. Method and apparatus for vacuum deposition of highly ionized media in an electromagnetic controlled environment
US5514246A (en) 1994-06-02 1996-05-07 Micron Technology, Inc. Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor
GB9411626D0 (en) 1994-06-10 1994-08-03 Smithkline Beecham Plc Package
DE69534405T2 (de) 1994-07-01 2006-03-09 Edwards Lifesciences Corp., Irvine Vorrichtung zum gewinnen von autologen, mikrovaskulären endothelialen zellen enthaltendem fettgewebe
US5452082A (en) 1994-07-05 1995-09-19 Uop Flow cell with leakage detection
US5536253A (en) 1994-07-15 1996-07-16 Habley Medical Technology Corporation Pre-filled safety syringe having a retractable needle
JPH0825244A (ja) 1994-07-21 1996-01-30 Besutoma Kk ボルト継手における締結力の管理装置
US5578103A (en) 1994-08-17 1996-11-26 Corning Incorporated Alkali metal ion migration control
US5521351A (en) 1994-08-30 1996-05-28 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma surface treatment of the interior of hollow forms
US5510155A (en) 1994-09-06 1996-04-23 Becton, Dickinson And Company Method to reduce gas transmission
JPH0884773A (ja) 1994-09-14 1996-04-02 Taisei Kako Kk 非晶性樹脂製の抜き勾配を有しない注射筒及びその射出成形方法
US5545375A (en) 1994-10-03 1996-08-13 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
DE4437050A1 (de) 1994-10-17 1996-04-18 Leybold Ag Vorrichtung zum Behandeln von Oberflächen von Hohlkörpern, insbesondere von Innenflächen von Kraftstofftanks
DE4438359C2 (de) 1994-10-27 2001-10-04 Schott Glas Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung
DE4438360C2 (de) 1994-10-27 1999-05-20 Schott Glas Vorfüllbare partikelarme, sterile Einmalspritze für die Injektion von Präparaten und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6083628A (en) 1994-11-04 2000-07-04 Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. Hybrid polymer film
DE4445427C2 (de) 1994-12-20 1997-04-30 Schott Glaswerke Plasma-CVD-Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht
DE4445969C1 (de) 1994-12-22 1996-03-14 Schott Glaswerke Spritzenzylinder für eine Zweikammer-Fertigspritze, Zweikammer-Fertigspritze und Verfahren zum Herstellen und Füllen derselben
JP3022229B2 (ja) 1994-12-26 2000-03-15 東洋製罐株式会社 プラスチックス材料からなる立体形状の容器に均一の膜厚の珪素酸化物被膜を形成する方法
DE69625799T2 (de) 1995-02-01 2003-10-23 Schneider Usa Inc Verfahren zur hydrophilisierung von hydrophoben polymeren
JPH08288096A (ja) 1995-02-13 1996-11-01 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置
EP0728676A1 (en) 1995-02-25 1996-08-28 TNT Limited Sampling device for a flexible container
US5877895A (en) 1995-03-20 1999-03-02 Catalina Coatings, Inc. Multicolor interference coating
JP2920187B2 (ja) 1995-04-28 1999-07-19 日新電機株式会社 管体内周面に膜形成する方法及び装置
US5674321A (en) 1995-04-28 1997-10-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for producing plasma uniformity in a magnetic field-enhanced plasma reactor
US5485091A (en) 1995-05-12 1996-01-16 International Business Machines Corporation Contactless electrical thin oxide measurements
US5513515A (en) 1995-05-15 1996-05-07 Modern Controls, Inc. Method for measuring permeability of a material
US5555471A (en) 1995-05-24 1996-09-10 Wyko Corporation Method for measuring thin-film thickness and step height on the surface of thin-film/substrate test samples by phase-shifting interferometry
JPH095038A (ja) 1995-06-15 1997-01-10 Nkk Corp クロメート処理鋼板のクロメート被膜厚測定方法及び装置
DE19680503B3 (de) 1995-06-26 2014-01-09 General Electric Co. Verbundmaterial mit durch mehrere Überzüge geschütztem Wärmesperren-Überzug und Verfahren zu seiner Herstellung
US5840167A (en) 1995-08-14 1998-11-24 Lg Semicon Co., Ltd Sputtering deposition apparatus and method utilizing charged particles
WO1997011482A2 (en) 1995-09-05 1997-03-27 Lsi Logic Corporation Removal of halogens and photoresist from wafers
US5837903A (en) 1995-09-22 1998-11-17 The Scott Fetzer Company Inc. Device for measuring exhaust flowrate using laminar flow element
US5779716A (en) 1995-10-06 1998-07-14 Metamorphic Surgical Devices, Inc. Device for removing solid objects from body canals, cavities and organs
US5591898A (en) 1995-10-12 1997-01-07 Modern Controls, Inc. Method for measuring material permeability characteristics
JPH11513713A (ja) 1995-10-13 1999-11-24 ザ ダウ ケミカル カンパニー コートされたプラスチック基材
DE69609919T2 (de) 1995-10-18 2001-01-18 Daikyo Seiko Ltd Kunststoffkappe und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6210791B1 (en) 1995-11-30 2001-04-03 General Electric Company Article with a diffuse reflective barrier coating and a low-emissity coating thereon, and its preparation
US5658438A (en) 1995-12-19 1997-08-19 Micron Technology, Inc. Sputter deposition method for improved bottom and side wall coverage of high aspect ratio features
US5985103A (en) 1995-12-19 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Method for improved bottom and side wall coverage of high aspect ratio features
US6471822B1 (en) 1996-01-24 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Magnetically enhanced inductively coupled plasma reactor with magnetically confined plasma
TW303480B (en) 1996-01-24 1997-04-21 Applied Materials Inc Magnetically confined plasma reactor for processing a semiconductor wafer
US5738920A (en) 1996-01-30 1998-04-14 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5716683A (en) 1996-01-30 1998-02-10 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
TW434301B (en) 1996-01-30 2001-05-16 Becton Dickinson Co Non-ideal barrier coating composition comprising organic and inorganic materials
US5955161A (en) 1996-01-30 1999-09-21 Becton Dickinson And Company Blood collection tube assembly
CA2277679C (en) 1996-01-30 2003-06-10 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5686157A (en) 1996-01-30 1997-11-11 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5702770A (en) 1996-01-30 1997-12-30 Becton, Dickinson And Company Method for plasma processing
US5763033A (en) 1996-01-30 1998-06-09 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5683771A (en) 1996-01-30 1997-11-04 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5737179A (en) 1996-02-07 1998-04-07 Catalina Coatings, Inc. Metallized film capacitor
US5667840A (en) 1996-02-27 1997-09-16 Becton Dickinson And Company Lubricant soluble fluorescent agent and method for its use in a system for detection of lubricant coatings
US6160350A (en) 1996-03-25 2000-12-12 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Ion plating apparatus
US6106678A (en) 1996-03-29 2000-08-22 Lam Research Corporation Method of high density plasma CVD gap-filling
JP4439594B2 (ja) 1996-04-22 2010-03-24 ナムローゼ フェンノートシャップ ベッカルト エス．エー． ダイアモンド類似ナノ複合材組成物
US5888591A (en) 1996-05-06 1999-03-30 Massachusetts Institute Of Technology Chemical vapor deposition of fluorocarbon polymer thin films
US6020196A (en) 1996-05-09 2000-02-01 Baxter International Inc. Devices for harvesting and homogenizing adipose tissue containing autologous endothelial cells
JP3256459B2 (ja) 1996-05-20 2002-02-12 株式会社大協精工 衛生品用容器及びその製造方法
EP0814114A1 (en) 1996-06-18 1997-12-29 Becton, Dickinson and Company Barrier coating
JPH108254A (ja) 1996-06-21 1998-01-13 Toyota Motor Corp 二酸化ケイ素層の形成方法
US6190992B1 (en) 1996-07-15 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Method to achieve rough silicon surface on both sides of container for enhanced capacitance/area electrodes
US6161712A (en) 1996-07-22 2000-12-19 Becton Dickinson And Company Ball and socket closure
DE19629877C1 (de) 1996-07-24 1997-03-27 Schott Glaswerke CVD-Verfahren und Vorrichtung zur Innenbeschichtung von Hohlkörpern
US5900284A (en) 1996-07-30 1999-05-04 The Dow Chemical Company Plasma generating device and method
AT404317B (de) 1996-08-02 1998-10-27 Greiner & Soehne C A Verschlussvorrichtung, trennvorrichtung sowie aufnahmebehälter für eine aufnahmeeinrichtung
JP3198065B2 (ja) 1996-08-19 2001-08-13 株式会社大協精工 衛生品用容器
JP3945664B2 (ja) 1996-09-06 2007-07-18 治 高井 撥水性酸化シリコン皮膜の製造方法
US5750892A (en) 1996-09-27 1998-05-12 Teledyne Industries, Inc. Laminar flow element with inboard sensor taps and coaxial laminar flow guides
US5792940A (en) 1996-09-30 1998-08-11 Becton, Dickinson And Company Rapid evaluation of thin-film barrier coatings on thick substrates via transient response measurements
US5691007A (en) 1996-09-30 1997-11-25 Becton Dickinson And Company Process for depositing barrier film on three-dimensional articles
US5766362A (en) 1996-09-30 1998-06-16 Becton Dickinson And Company Apparatus for depositing barrier film on three-dimensional articles
US5807343A (en) 1996-09-30 1998-09-15 Becton Dickinson And Company Protective sealing barrier for a syringe
US6112695A (en) 1996-10-08 2000-09-05 Nano Scale Surface Systems, Inc. Apparatus for plasma deposition of a thin film onto the interior surface of a container
US6027619A (en) 1996-12-19 2000-02-22 Micron Technology, Inc. Fabrication of field emission array with filtered vacuum cathodic arc deposition
WO1998027925A1 (en) 1996-12-23 1998-07-02 Novo Nordisk A/S A medicament container of polymer of cyclic hydrocarbon for storing a liquid medicament
US5913140A (en) 1996-12-23 1999-06-15 Lam Research Corporation Method for reduction of plasma charging damage during chemical vapor deposition
US7268179B2 (en) 1997-02-03 2007-09-11 Cytonix Corporation Hydrophobic coating compositions, articles coated with said compositions, and processes for manufacturing same
US5824607A (en) 1997-02-06 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Plasma confinement for an inductively coupled plasma reactor
DE19706255C2 (de) 1997-02-18 2000-11-30 Schott Glas Sterilisierbarer Glasbehälter für medizinische Zwecke, insbesondere zur Aufbewahrung pharmazeutischer oder diagnostischer Produkte
DE19707645A1 (de) 1997-02-26 1998-08-27 Leybold Ag Verfahren zur Schichtdickenanalyse und stofflichen Konzentrationsbestimmung dünner Schichten
JP3380705B2 (ja) 1997-03-12 2003-02-24 株式会社大協精工 注射器兼容器用密封ゴム栓
US20020155299A1 (en) 1997-03-14 2002-10-24 Harris Caroline S. Photo-induced hydrophilic article and method of making same
US6223683B1 (en) 1997-03-14 2001-05-01 The Coca-Cola Company Hollow plastic containers with an external very thin coating of low permeability to gases and vapors through plasma-assisted deposition of inorganic substances and method and system for making the coating
JP3582287B2 (ja) 1997-03-26 2004-10-27 株式会社日立製作所 エッチング装置
US5800880A (en) 1997-03-26 1998-09-01 Tetra Laval Holdings & Finance, S.A. Process for coating the interior wall of a container with a SiOx barrier layer
US6017317A (en) 1997-03-26 2000-01-25 Becton Dickinson And Company Assembly for collecting blood or other body fluids
WO1998045871A1 (en) 1997-04-04 1998-10-15 Alexander Igorevich Dodonov Producing electric arc plasma in a curvilinear plasmaguide and substrate coating
US6261643B1 (en) 1997-04-08 2001-07-17 General Electric Company Protected thermal barrier coating composite with multiple coatings
US5880034A (en) 1997-04-29 1999-03-09 Princeton University Reduction of semiconductor structure damage during reactive ion etching
US5814738A (en) 1997-05-01 1998-09-29 Mccrometer, Inc. Fluid flow meter and mixer having removable and replaceable displacement member
US5837888A (en) 1997-05-14 1998-11-17 Modern Controls, Inc. Process for measuring vapor transmission through materials
JP3387775B2 (ja) 1997-05-22 2003-03-17 株式会社大協精工 注射器用密封栓及びプレフィルド注射器
JPH10335314A (ja) 1997-06-05 1998-12-18 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置及び基板処理方法
JPH111770A (ja) 1997-06-06 1999-01-06 Anelva Corp スパッタリング装置及びスパッタリング方法
JPH1171676A (ja) 1997-06-26 1999-03-16 General Electric Co <Ge> プラズマ活性形蒸発法による二酸化珪素の付着法
US6110544A (en) 1997-06-26 2000-08-29 General Electric Company Protective coating by high rate arc plasma deposition
US6135053A (en) 1997-07-16 2000-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming a deposited film by plasma chemical vapor deposition
US6001429A (en) 1997-08-07 1999-12-14 Becton Dickinson And Company Apparatus and method for plasma processing
US5861546A (en) 1997-08-20 1999-01-19 Sagi; Nehemiah Hemi Intelligent gas flow measurement and leak detection apparatus
US6110395A (en) 1997-08-26 2000-08-29 Trikon Technologies, Inc. Method and structure for controlling plasma uniformity
US5902461A (en) 1997-09-03 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for enhancing uniformity of a metal film formed on a substrate with the aid of an inductively coupled plasma
DE19739321C2 (de) 1997-09-09 2001-09-27 Helmut Fischer Gmbh & Co Verfahren und Einrichtung zum Bestimmen der Meßunsicherheit bei Röntgenfluoreszenz-Schichtdickenmessungen
US6350415B1 (en) 1997-09-12 2002-02-26 Becton, Dickinson And Company Ball and socket closure for specimen collection container incorporating a dimple locking mechanism
US5919420A (en) 1997-09-12 1999-07-06 Becton Dickinson And Company Ball and socket closure for specimen collection container incorporating a resilient elastomeric seal
US6032813A (en) 1997-09-12 2000-03-07 Becton, Dickinson And Company Ball and socket closure for specimen collection container incorporating an integral flexible seal
US5972297A (en) 1997-09-12 1999-10-26 Becton, Dickinson & Company Ball and socket closure for specimen collection container incorporating a septum
US5948364A (en) 1997-09-12 1999-09-07 Becton Dickinson & Company Ball and socket closure for specimen collection container
US6757056B1 (en) 2001-03-26 2004-06-29 Candela Instruments Combined high speed optical profilometer and ellipsometer
JPH11102799A (ja) 1997-09-26 1999-04-13 Mitsubishi Electric Corp プラズマ発生装置
RU2199792C2 (ru) 1997-09-30 2003-02-27 Тетра Лаваль Холдинг Энд Финанс С.А. Способ и устройство для плазменной обработки внутренней поверхности пластиковых бутылок
WO1999017333A1 (en) 1997-09-30 1999-04-08 Tetra Laval Holdings & Finance S.A. Device and method for treating the inside surface of a plastic container with a narrow opening in a plasma enhanced process
JPH11108833A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Mitsubishi Chemical Corp 物質の分光分析法
JPH11106920A (ja) 1997-10-08 1999-04-20 Nissin Electric Co Ltd 容器及びその製造方法
US6124212A (en) 1997-10-08 2000-09-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. High density plasma (HDP) etch method for suppressing micro-loading effects when etching polysilicon layers
DE59801545D1 (de) 1997-11-03 2001-10-25 Siemens Ag Beschichtungsverfahren und vorrichtung
GB9723222D0 (en) 1997-11-04 1998-01-07 Pilkington Plc Coating glass
US6051151A (en) 1997-11-12 2000-04-18 International Business Machines Corporation Apparatus and method of producing a negative ion plasma
SE511139C2 (sv) 1997-11-20 1999-08-09 Hana Barankova Plasmabearbetningsapparat med vridbara magneter
US6136165A (en) 1997-11-26 2000-10-24 Cvc Products, Inc. Apparatus for inductively-coupled-plasma-enhanced ionized physical-vapor deposition
US5961911A (en) 1997-12-05 1999-10-05 Becton Dickinson And Company Process for manufacture of closure assembly
KR100256173B1 (ko) 1997-12-22 2000-05-15 윤종용 반도체장치 제조용 플라즈마 식각 챔버
JPH11193470A (ja) 1997-12-26 1999-07-21 Canon Inc 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法
US6162443A (en) 1998-01-09 2000-12-19 Abbott Laboratories Container for an inhalation anesthetic
DE19801861C2 (de) 1998-01-20 2001-10-18 Schott Glas Verfahren zum Herstellen eines hohlen, innenbeschichteten Glasformkörpers
JPH11218418A (ja) 1998-02-03 1999-08-10 Seiko Instruments Inc インライン蛍光ｘ線膜厚モニタ
US6163006A (en) 1998-02-06 2000-12-19 Astex-Plasmaquest, Inc. Permanent magnet ECR plasma source with magnetic field optimization
US6103074A (en) 1998-02-14 2000-08-15 Phygen, Inc. Cathode arc vapor deposition method and apparatus
US5993745A (en) 1998-03-04 1999-11-30 Roche Diagnostics Corporation Archival storage tray for multiple test tubes
JP3669138B2 (ja) 1998-03-05 2005-07-06 日新電機株式会社 プラズマｃｖｄ法、プラズマｃｖｄ装置及び電極
US6189484B1 (en) 1999-03-05 2001-02-20 Applied Materials Inc. Plasma reactor having a helicon wave high density plasma source
US6482509B2 (en) 1998-03-06 2002-11-19 Novo Nordisk A/S Coating system providing low friction
JP3698887B2 (ja) 1998-03-16 2005-09-21 株式会社アルバック ダイヤモンド状炭素膜の製造装置
US6243938B1 (en) 1998-03-17 2001-06-12 Becton, Dickinson And Company Low silicone plastic prefillable syringe
DE19912737A1 (de) 1998-03-19 2000-06-21 Henning Nagel Verfahren zur Herstellung von porösen SiO¶x¶-Schichten und poröse SiO¶x¶-Schichten
FR2776540B1 (fr) 1998-03-27 2000-06-02 Sidel Sa Recipient en matiere a effet barriere et procede et appareil pour sa fabrication
AU746645C (en) 1998-03-31 2003-02-20 N.V. Bekaert S.A. Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings
JPH11297673A (ja) 1998-04-15 1999-10-29 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びクリーニング方法
KR100386793B1 (ko) 1998-04-21 2003-06-09 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 박막의 막두께 계측 방법 및 그 장치 및 이를 이용한 박막디바이스의 제조 방법 및 그 제조 장치
US6068884A (en) 1998-04-28 2000-05-30 Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films
CA2236703C (en) 1998-05-05 2002-01-29 Morihiro Sudo Sliding piston for syringe
US6217716B1 (en) 1998-05-06 2001-04-17 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for improving target erosion in hollow cathode magnetron sputter source
US6035717A (en) 1998-05-12 2000-03-14 Krautkramer Branson, Inc. Method and apparatus for measuring the thickness of a coated material
US6271047B1 (en) 1998-05-21 2001-08-07 Nikon Corporation Layer-thickness detection methods and apparatus for wafers and the like, and polishing apparatus comprising same
US6015595A (en) 1998-05-28 2000-01-18 Felts; John T. Multiple source deposition plasma apparatus
JPH11344316A (ja) 1998-05-29 1999-12-14 Futec Inc 膜厚測定方法
US6093175A (en) 1998-06-05 2000-07-25 Becton Dickinson And Company Localized lubrication of syringe barrels and stoppers
US6544610B1 (en) 1998-06-30 2003-04-08 Zeon Corporation Container and blow-molded product
US20010042510A1 (en) 1998-07-08 2001-11-22 The Coca-Cola Company Hollow containers with inert or impermeable inner surface through plasma-assisted surface reaction or on-surface polymerization
DE19830794B4 (de) 1998-07-09 2005-10-27 Singulus Technologies Ag Schichtdickenmeßsystem und -verfahren
US7798993B2 (en) 1998-07-29 2010-09-21 Becton, Dickinson And Company Single use syringe
US6018987A (en) 1998-08-03 2000-02-01 Mocon, Inc. Apparatus for measuring gas transmission through container closures
JP3437772B2 (ja) 1998-08-17 2003-08-18 長崎県 管内面の表面処理方法及び装置
US6125687A (en) 1998-08-20 2000-10-03 International Business Machines Corporation Apparatus for measuring outgassing of volatile materials from an object
US6009743A (en) 1998-08-24 2000-01-04 Mocon, Inc. Apparatus and method for online or offline measurement of vapor transmission through sheet materials
KR100430807B1 (ko) 1998-09-28 2004-05-10 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 성막 방법
EP0992610A3 (en) 1998-09-30 2003-10-15 Becton Dickinson and Company Barrier coating on plastic substrates and process for its deposition
US6165138A (en) 1998-09-30 2000-12-26 Becton Dickinson And Company Self-sealing closure for a medical speciman collection container
JP2000109076A (ja) 1998-10-01 2000-04-18 Toppan Printing Co Ltd 内面コートボトルおよびその製造方法
JP2000140103A (ja) 1998-11-05 2000-05-23 Daikyo Seiko Ltd 注射器用プランジャ
US6236459B1 (en) 1998-11-05 2001-05-22 University Of Miami Thin film measuring device and method
US6596401B1 (en) 1998-11-10 2003-07-22 C. R. Bard Inc. Silane copolymer compositions containing active agents
KR100341565B1 (ko) 1998-11-11 2002-06-22 김윤 젖음성이 우수한 표면을 갖는 불소계 수지
US6486081B1 (en) 1998-11-13 2002-11-26 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for a CVD processing chamber
US6263249B1 (en) 1999-02-26 2001-07-17 Medtronic, Inc. Medical electrical lead having controlled texture surface and method of making same
US6204922B1 (en) 1998-12-11 2001-03-20 Filmetrics, Inc. Rapid and accurate thin film measurement of individual layers in a multi-layered or patterned sample
DE69917484T2 (de) 1998-12-14 2005-05-12 Tre Esse Progettazione Biomedica S.R.L. Kathetersystem zur durchführung einer intramyokardialen therapeutischen behandlung
US6207238B1 (en) 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers
AU2212200A (en) 1998-12-23 2000-07-12 Applied Science And Technology, Inc. Permanent magnet ecr plasma source with integrated multipolar magnetic confinement
AT407007B (de) 1998-12-23 2000-11-27 Greiner Labortechnik Gmbh Aufnahmeeinrichtung für ein einsatzelement
US6165542A (en) 1998-12-23 2000-12-26 United Technologies Corporation Method for fabricating and inspecting coatings
US6188079B1 (en) 1999-01-12 2001-02-13 Owens-Brockway Glass Container Inc. Measurement of hot container wall thickness
US6774018B2 (en) 1999-02-01 2004-08-10 Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. Barrier coatings produced by atmospheric glow discharge
US6193853B1 (en) 1999-02-25 2001-02-27 Cametoid Limited Magnetron sputtering method and apparatus
US6284986B1 (en) 1999-03-15 2001-09-04 Seh America, Inc. Method of determining the thickness of a layer on a silicon substrate
SE520491C2 (sv) 1999-04-07 2003-07-15 Tetra Laval Holdings & Finance Förpackningslaminat med barriäregenskaper mot gas och aromämnen
US6929727B2 (en) 1999-04-12 2005-08-16 G & H Technologies, Llc Rectangular cathodic arc source and method of steering an arc spot
US6645354B1 (en) 2000-04-07 2003-11-11 Vladimir I. Gorokhovsky Rectangular cathodic arc source and method of steering an arc spot
DE59912579D1 (de) 1999-04-28 2006-02-02 Alcan Tech & Man Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Packungen
US6582823B1 (en) 1999-04-30 2003-06-24 North Carolina State University Wear-resistant polymeric articles and methods of making the same
DE19921303C1 (de) 1999-05-07 2000-10-12 Schott Glas Glasbehälter für medizinische Zwecke
EP1206395B1 (en) 1999-05-28 2006-01-11 Novo Nordisk A/S Injection-moulded stopper for medical containers
US6306132B1 (en) 1999-06-17 2001-10-23 Vivant Medical Modular biopsy and microwave ablation needle delivery apparatus adapted to in situ assembly and method of use
US6399944B1 (en) 1999-07-09 2002-06-04 Fei Company Measurement of film thickness by inelastic electron scattering
US6085927A (en) 1999-07-12 2000-07-11 Owens-Illinois Closure Inc. Container with insert to reduce effective volume and package incorporating same
DE19932082A1 (de) 1999-07-12 2001-01-18 Schott Glas Interferenzoptisches Schmalbandfilter
US6185992B1 (en) 1999-07-15 2001-02-13 Veeco Instruments Inc. Method and system for increasing the accuracy of a probe-based instrument measuring a heated sample
JP3226512B2 (ja) 1999-07-19 2001-11-05 東洋ガラス株式会社 ガラス容器のコーティング検査方法及び装置
US6083313A (en) 1999-07-27 2000-07-04 Advanced Refractory Technologies, Inc. Hardcoats for flat panel display substrates
US6054188A (en) 1999-08-02 2000-04-25 Becton Dickinson And Company Non-ideal barrier coating architecture and process for applying the same to plastic substrates
US6143140A (en) 1999-08-16 2000-11-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to improve the side wall and bottom coverage in IMP process by using magnetic field
DE19938724A1 (de) 1999-08-16 2001-02-22 Tetra Laval Holdings & Finance Vorrichtung zur Herstellung von Kunststoffbehältern mittels Streckblasformen
US6602206B1 (en) 1999-08-18 2003-08-05 Becton, Dickinson And Company Stopper-shield assembly
US6410926B1 (en) 1999-10-01 2002-06-25 Ppg Industries Ohio, Inc. Coating with optical taggent
CA2286414A1 (en) 1999-10-04 2001-04-04 Zhibo Gan Non-separation heterogenous assay for biological substance
US6623861B2 (en) 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US6322661B1 (en) 1999-11-15 2001-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the volume of a plasma
SE521904C2 (sv) 1999-11-26 2003-12-16 Ladislav Bardos Anordning för hybridplasmabehandling
SE0004353L (sv) 1999-12-06 2001-06-07 Greiner Bio One Gmbh Anordning i form av ett kärl och/eller förslutning
US6584828B2 (en) 1999-12-17 2003-07-01 Atc, Inc. Method and apparatus of nondestructive testing a sealed product for leaks
US6308556B1 (en) 1999-12-17 2001-10-30 Atc, Inc. Method and apparatus of nondestructive testing a sealed product for leaks
DE19963122A1 (de) 1999-12-24 2001-06-28 Tetra Laval Holdings & Finance Anordnung zum Einkoppeln von Mikrowellenenergie in eine Behandlungskammer
WO2001054816A1 (de) 2000-01-27 2001-08-02 Greiner Bio-One Gmbh Behälter zur aufnahme von flüssigkeiten
DE10004274A1 (de) 2000-02-01 2001-08-02 Tetra Laval Holdings & Finance Vorrichtung zum Beschichten der inneren Oberfläche eines Hohlkörpers
JP3697250B2 (ja) 2000-02-24 2005-09-21 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置及び炭素被覆形成プラスチック容器の製造方法
JP4492985B2 (ja) 2000-02-24 2010-06-30 三菱商事プラスチック株式会社 液体医薬品用プラスチック容器及び液体医薬品の保存回収方法
US6985221B2 (en) 2000-03-01 2006-01-10 Petwall, Llc Method and apparatus for measuring wall thickness of plastic container
DE10010831A1 (de) 2000-03-10 2001-09-13 Pierre Flecher Niederdruck-Mikrowellenplasmabehandlung von Kunststoffflaschen
US20010038894A1 (en) 2000-03-14 2001-11-08 Minoru Komada Gas barrier film
DE10012446B4 (de) 2000-03-15 2007-06-14 Tetra Laval Holdings & Finance S.A. Verfahren zum Messen der Gasdurchlässigkeit einer Beschichtung auf einer Kunststoffwandung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6853141B2 (en) 2002-05-22 2005-02-08 Daniel J. Hoffman Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
AT414209B (de) 2000-03-17 2006-10-15 Greiner Bio One Gmbh Sammelgefäss für flüssigkeiten
US6382441B1 (en) 2000-03-22 2002-05-07 Becton, Dickinson And Company Plastic tube and resealable closure having protective collar
WO2001073159A1 (fr) 2000-03-27 2001-10-04 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Procede et appareil permettant de former un film metallique
US7067034B2 (en) 2000-03-27 2006-06-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for plasma forming inner magnetic bucket to control a volume of a plasma
US20030010454A1 (en) 2000-03-27 2003-01-16 Bailey Andrew D. Method and apparatus for varying a magnetic field to control a volume of a plasma
US20040039401A1 (en) 2000-03-31 2004-02-26 Chow Alan Y. Implant instrument
CA2305938C (en) 2000-04-10 2007-07-03 Vladimir I. Gorokhovsky Filtered cathodic arc deposition method and apparatus
DE10018015A1 (de) 2000-04-11 2001-10-25 Infineon Technologies Ag Anordnung zur Durchführung eines plasmabasierten Verfahrens
DE10019355A1 (de) 2000-04-18 2001-10-31 Schott Glas Glaskörper mit erhöhter Festigkeit
US6562189B1 (en) 2000-05-19 2003-05-13 Applied Materials Inc. Plasma reactor with a tri-magnet plasma confinement apparatus
GB0012170D0 (en) 2000-05-20 2000-07-12 Harcostar Drums Limited Treatment of plastics containers
JP2001338912A (ja) 2000-05-29 2001-12-07 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置および処理方法
CA2409282A1 (en) 2000-06-06 2001-12-13 Ing-Feng Hu Barrier layer for polymers and containers
US6394979B1 (en) 2000-06-09 2002-05-28 Inviro Medical Devices Ltd. Cannula for use with a medical syringe
US6743862B2 (en) 2000-06-20 2004-06-01 Mitsui Chemicals, Inc. Crosslinkable rubber compositions and uses thereof
US6375022B1 (en) 2000-06-30 2002-04-23 Becton, Dickinson And Company Resealable closure for containers
JP3860954B2 (ja) 2000-07-07 2006-12-20 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ リアルタイムパーティクルフィルタを具備したプラズマ処理装置
US6352629B1 (en) 2000-07-10 2002-03-05 Applied Materials, Inc. Coaxial electromagnet in a magnetron sputtering reactor
US6346596B1 (en) 2000-07-14 2002-02-12 Valspar Corporation Gas barrier polymer composition
US6354452B1 (en) 2000-07-25 2002-03-12 Becton, Dickinson And Company Collection container assembly
US6749078B2 (en) 2000-07-25 2004-06-15 Becton, Dickinson And Company Collection assembly
JP2002107134A (ja) 2000-07-27 2002-04-10 Seiko Instruments Inc 蛍光ｘ線膜厚計
EP1178134A1 (fr) 2000-08-04 2002-02-06 Cold Plasma Applications C.P.A. Procédé et dispositif pour traiter des substrats métalliques au défilé par plasma
GB0100958D0 (en) 2001-01-13 2001-02-28 Surface Technology Systems Ltd Plasma processing apparatus
US20020185226A1 (en) 2000-08-10 2002-12-12 Lea Leslie Michael Plasma processing apparatus
US6720052B1 (en) 2000-08-24 2004-04-13 The Coca-Cola Company Multilayer polymeric/inorganic oxide structure with top coat for enhanced gas or vapor barrier and method for making same
JP2002089717A (ja) 2000-09-14 2002-03-27 Terumo Corp ガスケット
DE60143541D1 (de) 2000-09-19 2011-01-05 Mattson Tech Inc Verfahren zur ausbildung dielektrischer filme
US6633831B2 (en) 2000-09-20 2003-10-14 Kla Tencor Technologies Methods and systems for determining a critical dimension and a thin film characteristic of a specimen
CH694949A5 (de) 2000-09-22 2005-09-30 Tetra Laval Holdings & Finance Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Oberflaechen mit Hilfe eines Glimmentladungs-Plasmas.
JP5349726B2 (ja) 2000-10-04 2013-11-20 ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド コーティングを形成するための方法および装置
US6551267B1 (en) 2000-10-18 2003-04-22 Becton, Dickinson And Company Medical article having blood-contacting surface
FR2815954B1 (fr) 2000-10-27 2003-02-21 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de depot par plasma a la resonance cyclotron electronique de nanotubes de carbone monoparois et nanotubes ainsi obtenus
KR20030051765A (ko) 2000-11-01 2003-06-25 어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드 기판내의 고 애스펙트 비 형성체의 에칭
US20070258894A1 (en) 2000-11-08 2007-11-08 Melker Richard J System and Method for Real-Time Diagnosis, Treatment, and Therapeutic Drug Monitoring
US20050054942A1 (en) 2002-01-22 2005-03-10 Melker Richard J. System and method for therapeutic drug monitoring
FR2816926B1 (fr) 2000-11-20 2003-02-14 Becton Dickinson France Emballage multifonctionnels, et plus particulierement emballages destines a transporter des produits sterilises ou destines a etre sterilises
US20020070647A1 (en) 2000-12-11 2002-06-13 Andrey Ginovker Nanostructure plasma source
JP4698020B2 (ja) 2000-12-19 2011-06-08 テルモ株式会社 薬剤収納容器
AU2001222223A1 (en) 2000-12-21 2002-07-01 Mitsubishi Shoji Plastics Corporation Apparatus for manufacturing dlc-film-coated plastic container, method of manufacturing the same, and method for cleaning inner electrode
JP2002206167A (ja) 2000-12-28 2002-07-26 Toshiba Corp プラズマコーティング装置及びプラズマコーティング方法
JP3880797B2 (ja) * 2001-01-12 2007-02-14 ふくはうちテクノロジー株式会社 ダイヤモンドライクカーボン膜の製膜装置
JP2002209975A (ja) 2001-01-19 2002-07-30 Daikyo Seiko Ltd 医薬バイアル用ラミネートゴム栓
BRPI0206669B8 (pt) 2001-01-24 2021-06-22 Becton Dickinson Co dispositivo médico compreendendo revestimento lubrificante
US6597193B2 (en) 2001-01-26 2003-07-22 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
US6640615B1 (en) 2001-01-26 2003-11-04 Darrell R. Morrow System for determining the integrity of a package or packaging material based on its transmission of a test gas
US6680621B2 (en) 2001-01-26 2004-01-20 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
DE60213141T2 (de) 2001-01-30 2007-08-02 Daikyo Seiko, Ltd. Kautschukzusammensetzung oder das vernetzte Produkt zur Herstellung von Gummipfropfen für Medikamente oder medizinische Behandlung
DE60206084T2 (de) 2001-02-06 2006-01-12 Shibuya Kogyo Co., Ltd., Kanazawa Verfahren und Vorrichtung zum Modifizieren der inneren Oberfläche von Behältern aus Kunststoff
US6673199B1 (en) 2001-03-07 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Shaping a plasma with a magnetic field to control etch rate uniformity
DE10112731A1 (de) 2001-03-14 2002-10-02 Schott Glas Beschichtung von Substraten
DE10114401B4 (de) 2001-03-23 2005-03-17 Tetra Laval Holdings & Finance S.A. Verfahren zum Blasformen eines Behälters aus Kunststoff und zum Beschichten des Behälterinneren
US7288293B2 (en) 2001-03-27 2007-10-30 Apit Corp. S.A. Process for plasma surface treatment and device for realizing the process
US20020182101A1 (en) 2001-03-27 2002-12-05 Pavel Koulik Process and device for plasma surface treatment
JP3833900B2 (ja) 2001-03-28 2006-10-18 株式会社東芝 エッチング装置およびエッチング方法
JP3954319B2 (ja) 2001-03-28 2007-08-08 株式会社東芝 薄膜の膜厚モニタリング方法及び基板温度測定方法
US20040161623A1 (en) 2001-03-29 2004-08-19 Domine Joseph D Ionomer laminates and articles formed from ionomer laminates
JP4085593B2 (ja) 2001-03-29 2008-05-14 日新電機株式会社 真空アーク蒸着装置
AT500247B1 (de) 2001-03-30 2007-06-15 Greiner Bio One Gmbh Aufnahmeeinrichtung, insbesondere für körperflüssigkeiten, mit einer trennvorrichtung sowie trennvorrichtung hierzu
US20020150709A1 (en) 2001-04-16 2002-10-17 Hetzler Kevin George Method of fusing a component to a medical storage or transfer device and container assembly
US6595961B2 (en) 2001-04-16 2003-07-22 Becton, Dickinson And Company Sterilizable transfer or storage device for medicaments, drugs and vaccines
US20020153103A1 (en) 2001-04-20 2002-10-24 Applied Process Technologies, Inc. Plasma treatment apparatus
ATE536627T1 (de) 2001-04-20 2011-12-15 Gen Plasma Inc Magnetspiegelplasmaquelle
DE10119571C1 (de) 2001-04-21 2002-11-28 Schott Glas Verfahren zum gleichmäßigen Beschichten von Hohlkörpern und deren Verwendung
US20030119193A1 (en) 2001-04-25 2003-06-26 Robert Hess System and method for high throughput screening of droplets
DE60101209T2 (de) 2001-04-27 2004-09-02 European Community Verfahren und Vorrichtung zur sequentiellen Plasmabehandlung
JP4014440B2 (ja) 2001-05-11 2007-11-28 松下電器産業株式会社 情報記録装置、情報記録方法及び情報記録システム
DE10122959A1 (de) 2001-05-11 2002-11-21 West Pharm Serv Drug Res Ltd Pharmazeutischer Spritzenkolben sowie Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung
TW570876B (en) 2001-05-11 2004-01-11 Toyo Seikan Kaisha Ltd Silicon oxide film
US20020170495A1 (en) 2001-05-17 2002-11-21 Ngk Insulators, Ltd. Method for fabricating a thin film and apparatus for fabricating a thin film
US7180849B2 (en) 2001-05-18 2007-02-20 Sharp Kabushiki Kaisha Optical storage medium enabling uniform light transmittance, optical read/write apparatus for same, and optical read/write method for same
DE10124225B4 (de) 2001-05-18 2006-03-02 Tetra Laval Holdings & Finance S.A. Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der Permeation einer Barriereschicht
US7362425B2 (en) 2001-05-18 2008-04-22 Meeks Steven W Wide spatial frequency topography and roughness measurement
US20030215652A1 (en) 2001-06-04 2003-11-20 O'connor Paul J. Transmission barrier layer for polymers and containers
JP3678361B2 (ja) 2001-06-08 2005-08-03 大日本印刷株式会社 ガスバリアフィルム
US6397776B1 (en) 2001-06-11 2002-06-04 General Electric Company Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators
JP4774635B2 (ja) 2001-06-15 2011-09-14 凸版印刷株式会社 ３次元中空容器への薄膜成膜装置及びそれを用いた薄膜成膜方法
ES2841433T3 (es) 2001-06-18 2021-07-08 Becton Dickinson Co Tubo para recolección de sangre
WO2003006181A1 (en) 2001-07-10 2003-01-23 3M Innovative Properties Company Coated medicinal inhalation devices and components method
JP3932836B2 (ja) 2001-07-27 2007-06-20 株式会社日立製作所 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法
DE10138696A1 (de) 2001-08-07 2003-03-06 Schott Glas Verfahren und Vorrichtung zum gleichzeitigen Beschichten und Formen eines dreidimensionalen Körpers
DE10139305A1 (de) 2001-08-07 2003-03-06 Schott Glas Verbundmaterial aus einem Substratmaterial und einem Barriereschichtmaterial
JP2003050115A (ja) 2001-08-07 2003-02-21 Seiko Instruments Inc Ｘ線膜厚計
US20030029837A1 (en) 2001-08-10 2003-02-13 Applied Materials, Inc. Dielectric etch plasma chamber utilizing a magnetic filter to optimize plasma characteristics
CN1317421C (zh) 2001-08-20 2007-05-23 诺华等离子公司 气体和蒸气低渗透性的涂层
JP4812991B2 (ja) 2001-09-20 2011-11-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7286242B2 (en) 2001-09-21 2007-10-23 Kmac Apparatus for measuring characteristics of thin film by means of two-dimensional detector and method of measuring the same
DE10150738C1 (de) 2001-10-13 2003-05-22 Schott Glas Verfahren zur Herstellung eines Glasrohres mit strahlungsabsorbierender alterungsbeständiger Beschichtung sowie desssen Verwendung
US6766682B2 (en) 2001-10-19 2004-07-27 Desert Cryogenics Llc Precise measurement system for barrier materials
EP1448807A4 (en) 2001-10-30 2005-07-13 Massachusetts Inst Technology FLUORO CARBON ORGANOSILICIUM COPOLYMERS AND COATINGS MADE ACCORDING TO THE HFCVD PROCEDURE
US7569035B1 (en) 2001-11-02 2009-08-04 Meridian Medical Technologies, Inc. Automatic injector with anti-coring needle
DE10154404C1 (de) 2001-11-06 2003-06-18 Ovd Kinegram Ag Zug Verfahren und Vorrichtung zur Messung physikalischer Kenngrößen von dünnen, optisch transparenten Schichten und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
AU2002366086A1 (en) 2001-11-15 2003-06-10 Ionic Fusion Corporation Ionic plasma deposition apparatus
US6948448B2 (en) 2001-11-27 2005-09-27 General Electric Company Apparatus and method for depositing large area coatings on planar surfaces
JP2003234331A (ja) 2001-12-05 2003-08-22 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
JP4067817B2 (ja) 2001-12-07 2008-03-26 日精エー・エス・ビー機械株式会社 容器のコーティング装置
WO2003053801A1 (fr) 2001-12-13 2003-07-03 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Systeme de formation de revetements de carbone sur la surface interieur de recipients de plastique et procede de production de recipients de plastique a revetement interieur de carbone
US7348055B2 (en) 2001-12-21 2008-03-25 Surmodics, Inc. Reagent and method for providing coatings on surfaces
DE10201110B4 (de) 2002-01-15 2006-09-28 Schott Ag Behälter für Parenteralia/Injectabila
US6752899B1 (en) 2002-01-16 2004-06-22 Advanced Micro Devices, Inc. Acoustic microbalance for in-situ deposition process monitoring and control
JP3953821B2 (ja) 2002-01-17 2007-08-08 ファブソリューション株式会社 膜厚測定方法および膜厚測定装置
CN1292717C (zh) 2002-01-22 2007-01-03 杰富意钢铁株式会社 涂覆有陶瓷的医疗器械和生物研究器械及其制造方法
JP2003305121A (ja) 2002-04-16 2003-10-28 Jfe Steel Kk 医療用セラミック被覆針の製造方法
DE10202311B4 (de) 2002-01-23 2007-01-04 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von dielektrischen Körpern
DE60322347D1 (de) 2002-02-05 2008-09-04 Dow Global Technologies Inc Chemische dampfphasenabscheidung auf einem substrat mittels eines korona-plasmas
US6684683B2 (en) 2002-02-27 2004-02-03 General Electric Company Method and apparatus for characterizing the barrier properties of members of combinatorial libraries
US6816570B2 (en) 2002-03-07 2004-11-09 Kla-Tencor Corporation Multi-technique thin film analysis tool
JP4031654B2 (ja) 2002-03-12 2008-01-09 三菱商事プラスチック株式会社 Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜装置用内部電極の清掃方法
GB0206932D0 (en) 2002-03-23 2002-05-08 Univ Durham Preparation of superabsorbent materials by plasma modification
JP4124609B2 (ja) 2002-04-03 2008-07-23 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 半導体製造工程におけるパターン部膜厚の測定方法と測定装置
JP4431402B2 (ja) 2002-04-08 2010-03-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
AU2003236307A1 (en) 2002-04-08 2003-10-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma etching method and plasma etching device
US6876154B2 (en) 2002-04-24 2005-04-05 Trikon Holdings Limited Plasma processing apparatus
GB0209291D0 (en) 2002-04-24 2002-06-05 Trikon Technologies Ltd Plasma processing apparatus
US20050233091A1 (en) 2002-05-08 2005-10-20 Devendra Kumar Plasma-assisted coating
US20060228497A1 (en) 2002-05-08 2006-10-12 Satyendra Kumar Plasma-assisted coating
MXPA04011431A (es) 2002-05-24 2005-08-15 Schott Ag Dispositivo y metodo para el tratamiento de piezas de trabajo.
ATE320397T1 (de) 2002-05-24 2006-04-15 Sig Technology Ltd Verfahren und vorrichtung zur handhabung von werkstücken
AU2003229286A1 (en) 2002-05-24 2003-12-12 Sig Technology Ltd. Method and device for the plasma treatment of workpieces
JP4386832B2 (ja) 2002-05-24 2009-12-16 ショット アクチエンゲゼルシャフト Ｃｖｄコーティング用の回転装置
US20060086320A1 (en) 2002-05-24 2006-04-27 Michael Lizenberg Method and device for plasma treating workpieces
JP2005534804A (ja) 2002-05-24 2005-11-17 ショット アーゲー コンベヤー装置を有するコーティング装置
US8961688B2 (en) 2002-05-24 2015-02-24 Khs Corpoplast Gmbh Method and device for plasma treating workpieces
AU2003245890A1 (en) 2002-05-24 2003-12-12 Schott Ag Multistation coating device and method for plasma coating
CN1572901A (zh) 2002-05-24 2005-02-02 肖特·格拉斯公司 化学气相沉积处理装置
DE50302862D1 (de) 2002-05-24 2006-05-18 Schott Ag Vorrichtung für CVD-Beschichtungen
CN2546041Y (zh) 2002-05-28 2003-04-23 无锡市宇寿医疗器械有限公司 安全自毁式注射器
CN100337881C (zh) 2002-05-28 2007-09-19 麒麟麦酒株式会社 包覆有dlc薄膜的塑料容器及其制造设备和制造方法
JP4168671B2 (ja) 2002-05-31 2008-10-22 凸版印刷株式会社 ３次元中空容器の薄膜成膜装置
JP3611324B2 (ja) 2002-06-03 2005-01-19 信越化学工業株式会社 マグネトロンプラズマ用磁場発生装置
EP1510595A4 (en) 2002-06-05 2007-05-09 Mitsubishi Shoji Plastics Corp METHOD AND DEVICE FOR CLEANING A GAS INSERTION TUBE OF RAW MATERIALS USED IN A VAPOR PHASE CHEMICAL DEPOSITION FILM FORMING APPARATUS
JP2004008509A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Terumo Corp シリンジ用ガスケット、シリンジ及びシリンジ用ガスケットの製造方法
US6764714B2 (en) 2002-06-11 2004-07-20 Southwest Research Institute Method for depositing coatings on the interior surfaces of tubular walls
US7052736B2 (en) 2002-06-11 2006-05-30 Southwest Research Institute Method for depositing coatings on the interior surfaces of tubular structures
US20080090425A9 (en) 2002-06-12 2008-04-17 Christopher Olsen Two-step post nitridation annealing for lower EOT plasma nitrided gate dielectrics
JP4080799B2 (ja) 2002-06-28 2008-04-23 三井金属鉱業株式会社 金属材表面への誘電体フィラー含有ポリイミド被膜の形成方法並びにプリント配線板用のキャパシタ層形成用の銅張積層板の製造方法及びその製造方法で得られた銅張積層板
TWI283899B (en) 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
JP4385657B2 (ja) 2002-07-15 2009-12-16 凸版印刷株式会社 成膜装置および成膜方法
KR100390540B1 (ko) 2002-07-31 2003-07-04 에이엔 에스 주식회사 마그네트론 플라즈마 에칭장치
US6995377B2 (en) 2002-08-02 2006-02-07 Plastipak Packaging, Inc. Process and apparatus for testing bottles
EP1388594B1 (de) 2002-08-07 2010-01-06 Schott Ag Verfahren zum Herstellen von glatten Barriereschichten und Verbundmaterial mit glatter Barriereschicht
EP1388593B1 (de) 2002-08-07 2015-12-30 Schott AG Schnelles Verfahren zur Herstellung von Mehrfachlagen-Barriereschichten
US7109070B2 (en) 2002-08-07 2006-09-19 Schot Glas Production of a composite material having a biodegradable plastic substrate and at least one coating
US7399500B2 (en) 2002-08-07 2008-07-15 Schott Ag Rapid process for the production of multilayer barrier layers
EP1539598A4 (en) 2002-08-20 2006-01-18 Becton Dickinson Co COLLECTION SET
AU2003257652A1 (en) 2002-08-21 2004-03-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Magnetron plasma-use magnetic field generation device
US20040040372A1 (en) 2002-08-30 2004-03-04 George Plester Method for determining the permeation of gases into or out of plastic packages and for determination of shelf-life with respect to gas permeation
AU2003268274A1 (en) 2002-09-04 2004-03-29 Becton, Dickinson And Company Collection assembly
US6758949B2 (en) 2002-09-10 2004-07-06 Applied Materials, Inc. Magnetically confined metal plasma sputter source with magnetic control of ion and neutral densities
US7015640B2 (en) 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
DE10242086A1 (de) 2002-09-11 2004-04-15 Sig Technology Ltd. Behälter zur Verpackung von Produkten, Vorrichtung zur Verarbeitung von Kunstoff sowie Verfahren zur Behälterherstellung
DE10242698B3 (de) 2002-09-13 2004-03-25 Fresenius Hemocare Gmbh Siliziumoxid-beschichtetes Behältnis
KR100885083B1 (ko) 2002-09-14 2009-02-25 쇼오트 아게 층 및 층 시스템을 제조하는 방법과 코팅 기판
DE10246181A1 (de) 2002-10-02 2004-04-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Einrichtung zum plasmaaktivierten Bedampfen von konkav geformten Substraten
AT413648B (de) 2002-10-02 2006-04-15 Greiner Bio One Gmbh Aufnahmevorrichtung mit verstellbarem abdeckelement
CH707466B1 (de) 2002-10-03 2014-07-15 Tetra Laval Holdings & Finance Vorrichtung zur Durchführung eines Plasma-unterstützten Prozesses.
US6863731B2 (en) 2002-10-18 2005-03-08 Controls Corporation Of America System for deposition of inert barrier coating to increase corrosion resistance
JP2004156444A (ja) 2002-11-01 2004-06-03 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 遮熱コーティング劣化診断方法
US6965221B2 (en) 2002-11-12 2005-11-15 O2Micro International Limited Controller for DC to DC converter
CN100347229C (zh) 2002-11-12 2007-11-07 陶氏环球技术公司 在容器中沉积等离子体涂层的方法和设备
US20040149225A1 (en) 2002-11-12 2004-08-05 Weikart Christopher M. Process and apparatus for depositing plasma coating onto a container
DE10353540A1 (de) 2002-11-15 2004-05-27 Laure, Stefan, Dr. Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von röhrenförmigen Bauteilen
JP4238015B2 (ja) 2002-11-19 2009-03-11 大日本印刷株式会社 プラスチック製容器の製造法
JP3970169B2 (ja) 2002-11-20 2007-09-05 三菱商事プラスチック株式会社 Ｄｌｃ膜コーティングプラスチック容器の製造方法
US8066854B2 (en) 2002-12-18 2011-11-29 Metascape Llc Antimicrobial coating methods
US7059268B2 (en) 2002-12-20 2006-06-13 Tokyo Electron Limited Method, apparatus and magnet assembly for enhancing and localizing a capacitively coupled plasma
JP2004203682A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 光ファイバプリフォームの製造方法および製造装置
US6891158B2 (en) 2002-12-27 2005-05-10 Revera Incorporated Nondestructive characterization of thin films based on acquired spectrum
US6800852B2 (en) 2002-12-27 2004-10-05 Revera Incorporated Nondestructive characterization of thin films using measured basis spectra
AU2003300156A1 (en) 2003-01-02 2004-07-29 Bioforce Nanoscience, Inc. Method and apparatus for molecular analysis in small sample volumes
US7252651B2 (en) 2003-01-07 2007-08-07 Becton, Dickinson And Company Disposable injection device
AT413947B (de) 2003-01-27 2006-07-15 Greiner Bio One Gmbh Medizinische baugruppe sowie eine schutzvorrichtung, ein einstichelement und eine handhabungsvorrichtung für diese baugruppe
JP2004229750A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Nipro Corp プレフィルドシリンジ及びそのバレルの製造方法
US6989675B2 (en) 2003-03-13 2006-01-24 Multimetrixs Llc Method and apparatus for precision measurement of film thickness
US7288311B2 (en) 2003-02-10 2007-10-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Barrier film
US7303789B2 (en) 2003-02-17 2007-12-04 Ngk Insulators, Ltd. Methods for producing thin films on substrates by plasma CVD
JP4233085B2 (ja) 2003-02-17 2009-03-04 日本碍子株式会社 薄膜作製方法および装置
JP2004253683A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Komatsu Ltd レジストアウトガス計測装置
WO2004075958A2 (en) 2003-02-27 2004-09-10 Baxter International Inc. Piston assembly for syringe
EP1602912A1 (en) 2003-02-28 2005-12-07 Kage, Tsuyoshi Method of measuring gas barrier property of plastic molding
US7332227B2 (en) 2003-03-14 2008-02-19 Becton, Dickinson And Company Non-volatile lubricant system for medical devices
EP3156096B1 (en) 2003-03-25 2018-05-09 Becton, Dickinson and Company Iv catheter and needle assembly and method
US6946164B2 (en) 2003-03-26 2005-09-20 E.I. Du Pont Nemours And Company Thin nanometer-controlled polymer film gradient
EP1630250B1 (en) 2003-03-28 2013-03-06 Toyo Seikan Kaisha, Ltd. Chemical vapor deposition film formed by plasma cvd process and method for forming same
US6864773B2 (en) 2003-04-04 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Variable field magnet apparatus
JP4252347B2 (ja) 2003-04-07 2009-04-08 三菱商事プラスチック株式会社 ガスバリア性薄膜コーティングプラスチック容器の製造方法
US7972467B2 (en) 2003-04-17 2011-07-05 Applied Materials Inc. Apparatus and method to confine plasma and reduce flow resistance in a plasma reactor
AT500525A1 (de) 2003-04-17 2006-01-15 Greiner Bio One Gmbh Aufnahmevorrichtung sowie aus einer dichtungsvorrichtung und kappe gebildete verschlussvorrichtung
US7431989B2 (en) 2003-05-06 2008-10-07 Tribofilm Research, Inc. Article with lubricated surface and method
KR100509298B1 (ko) 2003-05-31 2005-08-22 한국과학기술연구원 무기질 박막이 코팅된 직접메탄올 연료전지용 복합고분자 전해질막의 제조 방법
JP4202841B2 (ja) 2003-06-30 2008-12-24 株式会社Ｓｕｍｃｏ 表面研磨装置
JP2005029855A (ja) 2003-07-08 2005-02-03 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 真空アーク蒸着装置、真空アーク蒸着法、および磁気記録媒体
US20050057754A1 (en) 2003-07-08 2005-03-17 Smith David E. A. Measurement of thin film properties using plasmons
DE10330981B4 (de) 2003-07-09 2010-04-01 Medion Diagnostics Ag Vorrichtung und Verfahren zur simultanen Durchführung von Blutgruppenbestimmung, Serumgegenprobe und Antikörpersuch-Test
JP2005035597A (ja) 2003-07-14 2005-02-10 Fuji Seal International Inc プラスチック製容器におけるガスバリア性薄膜の保護方法
JP4437647B2 (ja) 2003-07-17 2010-03-24 三菱商事プラスチック株式会社 ガスバリア膜コーティングプラスチック容器の製造方法
JP4179941B2 (ja) 2003-07-24 2008-11-12 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜状試料用ｘ線回折測定容器
US20050037331A1 (en) 2003-08-13 2005-02-17 William Galbraith Apparatuses and methods for reducing albumin in samples
JP3811150B2 (ja) 2003-09-05 2006-08-16 株式会社東芝 膜厚測定方法、膜厚測定システム、半導体装置の製造方法及び膜厚測定システム制御プログラム
EP1668413A2 (en) 2003-09-05 2006-06-14 Schott AG Phase shift mask blank with increased uniformity
US7029803B2 (en) 2003-09-05 2006-04-18 Schott Ag Attenuating phase shift mask blank and photomask
US7150299B2 (en) 2003-09-12 2006-12-19 Air Products And Chemicals, Inc. Assembly and method for containing, receiving and storing fluids and for dispensing gas from a fluid control and gas delivery assembly having an integrated fluid flow restrictor
US7932678B2 (en) 2003-09-12 2011-04-26 General Plasma, Inc. Magnetic mirror plasma source and method using same
US7087437B2 (en) 2003-09-16 2006-08-08 Vici Gig Harbor Group, Inc. Direct vial surface sorbent micro extraction device and method
JP4000373B2 (ja) 2003-09-26 2007-10-31 独立行政法人物質・材料研究機構 イオンの共注入による酸化亜鉛結晶中での硫化亜鉛の合成方法
US20070017870A1 (en) 2003-09-30 2007-01-25 Belov Yuri P Multicapillary device for sample preparation
US20050075611A1 (en) 2003-10-01 2005-04-07 Hetzler Kevin G. Low extractable, thermoplastic syringe and tip cap
US20050075612A1 (en) 2003-10-03 2005-04-07 Baxter International Inc. Parylene coated fluid flow regulator
JP2005114461A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Hitachi Industries Co Ltd 薄膜厚さ測定方法及び装置
US6844075B1 (en) 2003-10-06 2005-01-18 General Electric Company Environmental barrier coating
JP4000374B2 (ja) 2003-10-10 2007-10-31 独立行政法人物質・材料研究機構 半導体金属酸化物光触媒およびそれを用いた有害化学物質の分解方法
DE10347338A1 (de) 2003-10-11 2005-05-19 Schott Ag Dünnstsubstrathalter
US7381311B2 (en) 2003-10-21 2008-06-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Filtered cathodic-arc plasma source
FR2861386B1 (fr) 2003-10-23 2006-02-17 Saint Gobain Substrat, notamment substrat verrier, portant une couche a propriete photocatalytique revetue d'une couche mince protectrice.
JP2005132416A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Toppan Printing Co Ltd 酸化珪素薄膜コーティング中空容器
US6981403B2 (en) 2003-10-31 2006-01-03 Mocon, Inc. Method and apparatus for measuring gas transmission rates of deformable or brittle materials
DE10351467B4 (de) 2003-11-04 2011-07-07 Schott Ag, 55122 Gegenstand mit leicht reinigbarer Oberfläche und Verfahren zu seiner Herstellung
JP4000375B2 (ja) 2003-11-19 2007-10-31 独立行政法人産業技術総合研究所 誘導散乱容器
CA2945455C (en) 2003-11-20 2019-11-26 Sigma-Aldrich Co. Llc Polysilazane thermosetting polymers for use in chromatographic systems and applications
KR100802990B1 (ko) 2003-11-20 2008-02-14 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치
DE10354625A1 (de) 2003-11-22 2005-06-30 Sig Technology Ltd. Verfahren zur Bestimmung der Gasdurchlässigkeit von Behälterwandungen, Behälter mit Oberflächenbeschichtung sowie Beschichtungseinrichtung mit Messvorrichtung
WO2005051525A1 (en) 2003-11-25 2005-06-09 Polyvalor, Limited Partnership Permeation barrier coating or layer with modulated properties and methods of making the same
US7513953B1 (en) 2003-11-25 2009-04-07 Nano Scale Surface Systems, Inc. Continuous system for depositing films onto plastic bottles and method
JP2005160888A (ja) 2003-12-05 2005-06-23 Terumo Corp シリンジ用ガスケット、シリンジ及びシリンジ用ガスケットの製造方法
ZA200801231B (en) 2003-12-16 2009-05-27 Genentech Inc Novel gene disruptions, compositions and methods relating thereto
JP4460278B2 (ja) 2003-12-17 2010-05-12 株式会社大協精工 注射器用密封栓及びプレフィルド注射器
CN1898087A (zh) 2003-12-22 2007-01-17 诺沃挪第克公司 用于储存药物液体的透明、柔性、不可渗透的塑料容器
US8110043B2 (en) 2004-01-08 2012-02-07 University Of Virginia Patent Foundation Apparatus and method for applying coatings onto the interior surfaces of components and related structures produced therefrom
DE102004001603B4 (de) 2004-01-09 2009-03-05 Schott Ag Behälter mit Innendekor
JP2005200044A (ja) 2004-01-14 2005-07-28 Dainippon Printing Co Ltd プラスチック製容器およびその製造法
KR20050076827A (ko) 2004-01-22 2005-07-28 쇼오트 아게 초 고투과율 위상편이 마스크 블랭크
AT500459B1 (de) 2004-01-23 2010-08-15 Greiner Bio One Gmbh Verfahren zum zusammenbau einer kappe mit einem aufnahmebehälter
JP3914925B2 (ja) 2004-01-28 2007-05-16 株式会社リガク 膜厚測定方法及び装置
CN1946819A (zh) 2004-02-12 2007-04-11 瓦尔斯帕供应公司 涂覆容器内表面的方法及含有内涂层的容器
US7534733B2 (en) 2004-02-23 2009-05-19 Corning Incorporated Synthetic silica glass optical material having high resistance to laser induced damage
JP2005241524A (ja) 2004-02-27 2005-09-08 Sii Nanotechnology Inc 走査型プローブ顕微鏡および該顕微鏡による測定方法
KR101246387B1 (ko) 2004-03-09 2013-03-21 엑사테크 엘.엘.씨. 비평면 기재를 위한 플라즈마 코팅 시스템
EP1725698A1 (en) 2004-03-09 2006-11-29 Exatec, LLC. Expanding thermal plasma deposition system
JP4323991B2 (ja) 2004-03-19 2009-09-02 大日本スクリーン製造株式会社 分光反射率測定装置、膜厚測定装置および分光反射率測定方法
JP2005271997A (ja) 2004-03-22 2005-10-06 Kazuo Saito ペットボトルの内壁保護膜
DE102004017236B4 (de) 2004-04-05 2012-10-25 Schott Ag Verbundmaterial mit verbesserter chemischer Beständigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung
US20050260504A1 (en) 2004-04-08 2005-11-24 Hans Becker Mask blank having a protection layer
JP4527431B2 (ja) 2004-04-08 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2005103605A1 (en) 2004-04-22 2005-11-03 Opo Sprl Instrument for measuring the thickness of a coating on bottles
US7232038B2 (en) 2004-04-27 2007-06-19 Whitney Steven G Disposable test tube rack
US7867366B1 (en) 2004-04-28 2011-01-11 Alameda Applied Sciences Corp. Coaxial plasma arc vapor deposition apparatus and method
US8038858B1 (en) 2004-04-28 2011-10-18 Alameda Applied Sciences Corp Coaxial plasma arc vapor deposition apparatus and method
US20080131638A1 (en) 2004-05-04 2008-06-05 Becton, Dickinson And Company Multilayer barrier containers having increased adhesion and durability
US7112541B2 (en) 2004-05-06 2006-09-26 Applied Materials, Inc. In-situ oxide capping after CVD low k deposition
GB0410749D0 (en) 2004-05-14 2004-06-16 Dow Corning Ireland Ltd Coating apparatus
US7815922B2 (en) 2004-05-14 2010-10-19 Becton, Dickinson And Company Articles having bioactive surfaces and solvent-free methods of preparation thereof
US7444955B2 (en) 2004-05-19 2008-11-04 Sub-One Technology, Inc. Apparatus for directing plasma flow to coat internal passageways
EP1600190B1 (de) 2004-05-29 2007-08-29 Gerresheimer Bünde GmbH Spritzenverschluss und Verfahren zum Herstellen eines Spritzenverschlusses
EP1777197B1 (en) 2004-06-11 2013-01-09 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Metal oxide nanoporous body, coating composition for obtaining same, methods for producing those
DE102004028369B4 (de) 2004-06-11 2007-05-31 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einer Rundläuferanlage
US7220687B2 (en) 2004-06-25 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Method to improve water-barrier performance by changing film surface morphology
US7421885B2 (en) 2004-06-28 2008-09-09 Air Products And Chemicals, Inc. Method for characterizing porous low dielectric constant films
US20060079848A1 (en) 2004-06-29 2006-04-13 Becton, Dickinson And Company Non-skin penetrating reconstituting syringe
US20060079839A1 (en) 2004-06-29 2006-04-13 Becton, Dickinson And Company Single-use syringe
US20060014309A1 (en) 2004-07-13 2006-01-19 Sachdev Krishna G Temporary chip attach method using reworkable conductive adhesive interconnections
DE102004034417B4 (de) 2004-07-15 2007-09-27 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substrats mit gewölbter Oberfläche
DE102004034418B4 (de) 2004-07-15 2009-06-25 Schott Ag Verfahren zur Herstellung struktuierter optischer Filterschichten auf Substraten
US7300684B2 (en) 2004-07-15 2007-11-27 Sub-One Technology, Inc. Method and system for coating internal surfaces of prefabricated process piping in the field
US7118538B2 (en) 2004-07-19 2006-10-10 Greiner Bio-One Gmbh Holding device for a medical device
DE102004035335A1 (de) 2004-07-21 2006-02-16 Schott Ag Reinraumfähige Beschichtungsanlage
DE102004035336A1 (de) 2004-07-21 2006-02-16 Schott Ag Reinraumfähige Beschichtungsanlage
DE102004036170B4 (de) 2004-07-26 2007-10-11 Schott Ag Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zur Vakuumbeschichtung und deren Verwendung
US7238382B2 (en) 2004-07-30 2007-07-03 Tokyo Electron Limited Method and system for characterizing porous materials
EP1626278A3 (en) 2004-08-03 2006-06-21 OnChip Cellomics Consortium Cellomics system
JP4987717B2 (ja) 2004-08-18 2012-07-25 ダウ・コーニング・コーポレイション コーティングを有する基板及びその調製方法
JP2006064416A (ja) 2004-08-24 2006-03-09 Takeshi Kage プラスチック成形体のガスバリア性測定方法及びそのガスバリア性測定装置。
FR2874606B1 (fr) 2004-08-26 2006-10-13 Saint Gobain Procede de transfert d'une molecule organique fonctionnelle sur un substrat transparent
US20060042755A1 (en) 2004-08-30 2006-03-02 Plasmamed, Llc Large surface area dry etcher
DE102004042431B4 (de) 2004-08-31 2008-07-03 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabeschichtung von Werkstücken mit spektraler Auswertung der Prozessparameter und Verwendung der Vorrichtung
US20060046006A1 (en) 2004-08-31 2006-03-02 Bastion Bradley J Multilayer polymeric barrier film, flexible packaging made therewith, and methods
GB0419772D0 (en) 2004-09-07 2004-10-06 Scalar Technologies Ltd Method and apparatus for thin film metrology
EP1807211A1 (en) 2004-09-09 2007-07-18 Microfluidic Systems Inc. A handheld and portable microfluidic device to automatically prepare nucleic acids for analysis
JP2006083408A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Shin Meiwa Ind Co Ltd 真空成膜装置
US20070048456A1 (en) 2004-09-14 2007-03-01 Keshner Marvin S Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method
ATE404451T1 (de) 2004-09-14 2008-08-15 Daikyo Seiko Ltd Behälter für medikamente und gummiverschluss
DE102004045046B4 (de) 2004-09-15 2007-01-04 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer elektrisch leitfähigen transparenten Beschichtung auf ein Substrat
US7480363B2 (en) 2004-09-15 2009-01-20 Ge Betz, Inc. Converting a digital radiograph to an absolute thickness map
JP4545073B2 (ja) 2004-09-17 2010-09-15 三菱重工業株式会社 ガスバリア膜及び容器
EP1809351A2 (en) 2004-09-28 2007-07-25 Mallinckrodt, Inc. Container with constrained quality maintenance agent
EP1640031A3 (en) 2004-09-28 2006-06-07 Nipro Corporation Syringe coated with lubricant containing silicone oil and silica powder
FR2876094B1 (fr) 2004-10-04 2009-01-09 Saint Gobain Substrat en verre pour ecran de visualisation.
US7815623B2 (en) 2004-10-05 2010-10-19 Genzyme Corporation Stepped cannula
US20060076231A1 (en) 2004-10-12 2006-04-13 Southwest Research Institute Method for magnetron sputter deposition
US7520965B2 (en) 2004-10-12 2009-04-21 Southwest Research Institute Magnetron sputtering apparatus and method for depositing a coating using same
BRPI0515854A (pt) 2004-10-13 2008-08-12 Dow Global Technologies Inc processo melhorado para preparar uma barreira protetora para um recipiente
JP4412661B2 (ja) 2004-10-15 2010-02-10 信越化学工業株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4171452B2 (ja) 2004-10-18 2008-10-22 三菱重工食品包装機械株式会社 バリア膜形成用内部電極及び成膜装置
BE1016251A3 (fr) 2004-10-27 2006-06-06 Ct Rech Metallurgiques Asbl Procede ameliore et appareil pour la mesure de l'epaisseur d'une couche d'oxyde.
DE102004053706A1 (de) 2004-11-03 2006-05-04 Schott Ag Gegenstand mit Barrierebeschichtung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Gegenstandes
DE102004053707B8 (de) 2004-11-03 2008-08-28 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines Glaskeramik-Artikels mit Diffusionsbarriere und Verwendung eines verfahrensgemäß hergestellten Glaskeramik-Artikels
DE102004053708A1 (de) 2004-11-03 2006-05-04 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit Antibeschlag-Beschichtung, sowie verfahrensgemäß herstellbares Erzeugnis
KR101192974B1 (ko) 2004-11-05 2012-10-22 다우 코닝 아일랜드 리미티드 플라즈마 시스템
AT414322B (de) 2004-11-29 2007-03-15 Greiner Bio One Gmbh Trennvorrichtung, insbesondere für körperflüssigkeiten, sowie aufnahmeeinrichtung mit einer derartigen trennvorrichtung
JP2006153770A (ja) 2004-11-30 2006-06-15 Omron Corp 分光計測装置
JP4566719B2 (ja) 2004-12-02 2010-10-20 麒麟麦酒株式会社 炭素膜コーティングプラスチック容器の製造方法、プラズマｃｖｄ成膜装置及びそのプラスチック容器
US8097725B2 (en) 2004-12-03 2012-01-17 Roche Diagnostics Operations, Inc. Luminescent indicator dye and optical sensor
US7534615B2 (en) 2004-12-03 2009-05-19 Cryovac, Inc. Process for detecting leaks in sealed packages
CN2766863Y (zh) 2004-12-23 2006-03-29 许亮 无痛注射针
WO2006069469A1 (en) 2004-12-27 2006-07-06 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Method of nano thin film thickness measurement by auger electron spectrscopy
JP2006181027A (ja) 2004-12-27 2006-07-13 Daikyo Seiko Ltd 注射器用ピストン
DE102004063703A1 (de) 2004-12-28 2006-07-06 Schott Ag Vakuumbeschichtungssystem
US7297640B2 (en) 2005-01-13 2007-11-20 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method for reducing argon diffusion from high density plasma films
US7892648B2 (en) * 2005-01-21 2011-02-22 International Business Machines Corporation SiCOH dielectric material with improved toughness and improved Si-C bonding
JP4929727B2 (ja) 2005-02-14 2012-05-09 東洋製罐株式会社 プラズマ処理用ガス供給管
US7202564B2 (en) 2005-02-16 2007-04-10 International Business Machines Corporation Advanced low dielectric constant organosilicon plasma chemical vapor deposition films
JP4515280B2 (ja) 2005-02-17 2010-07-28 麒麟麦酒株式会社 ガスバリア薄膜が成膜されたプラスチック容器の製造装置及びその製造方法
US7339682B2 (en) 2005-02-25 2008-03-04 Verity Instruments, Inc. Heterodyne reflectometer for film thickness monitoring and method for implementing
US7608151B2 (en) 2005-03-07 2009-10-27 Sub-One Technology, Inc. Method and system for coating sections of internal surfaces
US7541069B2 (en) 2005-03-07 2009-06-02 Sub-One Technology, Inc. Method and system for coating internal surfaces using reverse-flow cycling
WO2006098696A1 (en) 2005-03-16 2006-09-21 Attogenix Biosystems Pte Ltd. Methods and device for transmitting, enclosing and analysing fluid samples
US20060210425A1 (en) 2005-03-21 2006-09-21 Laura Mirkarimi Inorganic coatings for optical and other applications
CN101151544B (zh) 2005-03-28 2011-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、其制造方法、及其测量方法
US7682816B2 (en) 2005-04-07 2010-03-23 454 Life Sciences Corporation Thin film coated microwell arrays and methods of using same
US7785862B2 (en) 2005-04-07 2010-08-31 454 Life Sciences Corporation Thin film coated microwell arrays
JP4122011B2 (ja) 2005-04-15 2008-07-23 株式会社アルバック ダイヤモンド状炭素膜の形成方法
EP1869433A1 (en) 2005-04-15 2007-12-26 Luxcel Biosciences Limited Assessment of biological or chemical samples
EP1715289A1 (en) 2005-04-21 2006-10-25 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno An optical light reflection method
DE102005023582B4 (de) 2005-05-18 2009-04-16 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von innenvergüteten Glasrohren
WO2006128564A1 (en) 2005-05-31 2006-12-07 Baxter International Inc. Polypropylene hollow barrel with sliding coated rubber piston
US20070005024A1 (en) 2005-06-10 2007-01-04 Jan Weber Medical devices having superhydrophobic surfaces, superhydrophilic surfaces, or both
US20090142227A1 (en) 2005-07-01 2009-06-04 Manfred Fuchs Parylene Coating and Method for the Production Thereof
US20070009673A1 (en) 2005-07-06 2007-01-11 Asm Japan K.K. Insulation film and method for manufacturing same
FR2889204B1 (fr) 2005-07-26 2007-11-30 Sidel Sas Appareil pour le depot pecvd d'une couche barriere interne sur un recipient, comprenant une ligne de gaz isolee par electrovanne
US7745547B1 (en) 2005-08-05 2010-06-29 Becton, Dickinson And Company Multi-arm cyclic or cubic siloxane-based formulations for drug delivery
US8475886B2 (en) 2005-08-05 2013-07-02 Corning Incorporated Methods for producing surfaces that resist non-specific protein binding and cell attachment
CN101243329B (zh) 2005-08-17 2011-05-25 西门子公司 确定涡轮机至少一个叶片的热障涂层厚度的方法、实施该方法的相应热障涂层层厚测量装置及该方法和热障涂层厚度测量装置的应用
JP2007050898A (ja) 2005-08-17 2007-03-01 Toppan Printing Co Ltd 成膜容器の製造方法およびその製造装置
DE102005040266A1 (de) 2005-08-24 2007-03-01 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur innenseitigen Plasmabehandlung von Hohlkörpern
EP2005108B1 (en) 2005-08-24 2012-01-04 Southside Thermal Sciences (STS) Limited Measurement system and method
EP1922098B2 (en) 2005-08-29 2019-10-02 West Pharmaceutical Services, Inc. Dual material plunger tip for use with a syringe
US20070049048A1 (en) 2005-08-31 2007-03-01 Shahid Rauf Method and apparatus for improving nitrogen profile during plasma nitridation
JP5275543B2 (ja) 2005-08-31 2013-08-28 株式会社吉野工業所 高いバリア性を有する合成樹脂製容器
WO2007089216A1 (en) 2005-09-01 2007-08-09 Gorokhovsky Vladimir I Plasma vapor deposition method and apparatus utilizing bipolar bias controller
US8786439B2 (en) 2005-09-02 2014-07-22 Wg Security Products Active antenna
EP1923484A1 (en) 2005-09-05 2008-05-21 Fukuwauchi Technologies Inc. Dlc film-forming apparatus
US20070051629A1 (en) 2005-09-08 2007-03-08 Vladislav Dolnik Poly(amino saccharide) wall coating for electrophoretic separations in capillaries and microchannels
US20080268252A1 (en) 2005-09-20 2008-10-30 Juan Garces Process for Plasma Coating a Nanocomposite Object
JP5103184B2 (ja) 2005-09-20 2012-12-19 三菱樹脂株式会社 ガスバリア性積層フィルム
FR2891279B1 (fr) 2005-09-27 2007-12-14 Centre Nat Rech Scient Nouvelles puces pour la detection par le plasmon de surface (spr)
AT502522A3 (de) 2005-10-04 2007-12-15 Greiner Bio One Gmbh Trennvorrichtung, aufnahmeeinrichtung sowie verfahren zum trennen
DE102005050432A1 (de) 2005-10-21 2007-05-03 Rap.Id Particle Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung von Gleitmittel und Hydrophobierungsfilmen in pharmazeutischen Behältnissen bezüglich Dicke und Homogenität
EP1945678B1 (de) 2005-11-07 2012-04-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Lacke mit Sauerstoff-Scavenger und ggf. Sauerstoff-Indikatorfunktion zum Beschichten oder Verkleben sowie damit hergestellte Produkte
DE102005058133A1 (de) 2005-11-30 2007-05-31 Schott Ag Spritze mit Verschluss
US8602233B2 (en) 2005-12-01 2013-12-10 Csp Technologies, Inc. Bottle shaped container with integrated sleeve
US7409313B2 (en) 2005-12-16 2008-08-05 General Electric Company Method and apparatus for nondestructive evaluation of insulative coating
US20070148326A1 (en) 2005-12-28 2007-06-28 Hastings Mitchell R Syringe
US8025915B2 (en) 2006-01-11 2011-09-27 Schott Ag Method of preparing a macromolecule deterrent surface on a pharmaceutical package
US20070166187A1 (en) 2006-01-18 2007-07-19 Song Jing F Stabilization of paricalcitol using chlorobutyl or chlorinated butyl stoppers
JP5412117B2 (ja) 2006-02-08 2014-02-12 ベクトン・ディキンソン・アンド・カンパニー 血液収集器、方法およびそれを用いるためのシステム
US20070184657A1 (en) 2006-02-09 2007-08-09 Tokyo Electron Limited Etching method
US20080045880A1 (en) 2006-02-11 2008-02-21 Rune Kjeken Device and method for single-needle in vivo electroporation
AU2007215263B2 (en) 2006-02-11 2011-07-07 Genetronics, Inc. Device and method for single-needle in vivo electroporation
EP1991993B2 (en) 2006-02-14 2017-01-25 Hitachi Zosen Corporation Electron beam emitter
DE102006009822B4 (de) 2006-03-01 2013-04-18 Schott Ag Verfahren zur Plasmabehandlung von Glasoberflächen, dessen Verwendung sowie Glassubstrat und dessen Verwendung
JP2007231386A (ja) 2006-03-02 2007-09-13 Toppan Printing Co Ltd プラズマを使用した容器処理装置
US20070205096A1 (en) 2006-03-06 2007-09-06 Makoto Nagashima Magnetron based wafer processing
JP4693120B2 (ja) 2006-03-15 2011-06-01 国立大学法人 長崎大学 極細長軸体へのコーティング方法および極細長軸体へのコーティング装置
JP2009530775A (ja) 2006-03-17 2009-08-27 ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド ミラーマグネトロンプラズマ源
US8545865B2 (en) 2006-03-24 2013-10-01 Boston Scientific Scimed, Inc. Medical devices having polymer brushes
MX2008012103A (es) 2006-03-24 2008-12-17 Univ Utah Res Found Medicion del espesor de peliculas dielectricas en superficies.
US7943242B2 (en) 2006-03-30 2011-05-17 Becton, Dickinson And Company Sealing members, articles using the same and methods of reducing sticktion
US8075995B2 (en) 2006-03-30 2011-12-13 Becton, Dickinson And Company Coating system, articles and assembly using the same and methods of reducing sticktion
US8916001B2 (en) 2006-04-05 2014-12-23 Gvd Corporation Coated molds and related methods and components
US20070243618A1 (en) 2006-04-11 2007-10-18 Oxysense, Inc. Device and method for non-invasive oxygen sensing of sealed packages
US20070259184A1 (en) 2006-05-04 2007-11-08 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Method of mounting objects for chemical vapour deposition
WO2007133378A1 (en) 2006-05-11 2007-11-22 Dow Global Technologies Inc. Multi-wall plastic sheet having an internal plasma-enhanced chemical vapor deposition coating and process for manufacturing the same
US8273222B2 (en) 2006-05-16 2012-09-25 Southwest Research Institute Apparatus and method for RF plasma enhanced magnetron sputter deposition
DE102006023018A1 (de) 2006-05-17 2007-11-22 Strämke, Siegfried, Dr. Plasmaverfahren zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken
AT503747B1 (de) 2006-05-18 2009-05-15 Greiner Bio One Gmbh Aufnahmeeinrichtung für eine medizinische vorrichtung
ITRM20060277A1 (it) 2006-05-24 2007-11-25 Sipa Societa Industrializzazio Impianto e processo di verniciatura di contenitori
US7624622B1 (en) 2006-05-26 2009-12-01 Mocon, Inc. Method of measuring the transmission rate of a permeant through a container and determining shelf life of a packaged product within the container
US7825038B2 (en) 2006-05-30 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen
US20070281117A1 (en) 2006-06-02 2007-12-06 Xtent, Inc. Use of plasma in formation of biodegradable stent coating
JP2008000287A (ja) 2006-06-21 2008-01-10 Terumo Corp 医療用具コーティング用摺動性組成物および摺動性被膜保有医療用具
US7645696B1 (en) 2006-06-22 2010-01-12 Novellus Systems, Inc. Deposition of thin continuous PVD seed layers having improved adhesion to the barrier layer
FR2903622B1 (fr) 2006-07-17 2008-10-03 Sidel Participations Dispositif pour le depot d'un revetement sur une face interne d'un recipient
US8197452B2 (en) 2006-07-28 2012-06-12 Becton, Dickinson And Company Vascular access device non-adhering surfaces
JP5127180B2 (ja) 2006-07-31 2013-01-23 株式会社大協精工 医療用容器および該医療用容器の処理方法
US7740792B2 (en) 2006-08-03 2010-06-22 Medrad, Inc. Methods of molding a syringe
US20080033370A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Becton, Dickinson And Company Binary needle attachment mechanisms
US20080050932A1 (en) 2006-08-23 2008-02-28 Applied Materials, Inc. Overall defect reduction for PECVD films
DE102006061585B4 (de) 2006-08-23 2013-11-28 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Rotationsbeschichtung von Substraten
US7552620B2 (en) 2006-09-07 2009-06-30 3M Innovative Properties Company Fluid permeation testing method employing mass spectrometry
US7555934B2 (en) 2006-09-07 2009-07-07 3M Innovative Properties Company Fluid permeation testing apparatus employing mass spectrometry
EP2081615B1 (en) 2006-09-15 2011-07-06 Becton, Dickinson and Company Medical components having coated surfaces exhibiting low friction and methods of reducing sticktion
US20080071228A1 (en) 2006-09-15 2008-03-20 Becton, Dickinson And Company Medical Components Having Coated Surfaces Exhibiting Low Friction and Methods of Reducing Sticktion
JP2008086855A (ja) 2006-09-29 2008-04-17 Fujifilm Corp 生化学用器具
JP5257915B2 (ja) 2006-09-29 2013-08-07 国立大学法人東北大学 膜塗布装置および膜塗布方法
WO2008042878A1 (en) 2006-10-05 2008-04-10 Polyone Corporation Thermoplastic elastomers containing organoclays
US8062266B2 (en) 2006-10-11 2011-11-22 Becton, Dickinson And Company Vascular access device including a tear-resistant septum
DE102006048658B4 (de) 2006-10-14 2014-03-27 Khs Corpoplast Gmbh PICVD-Beschichtung für Kunststoffbehälter und Verfahren zu deren Herstellung
US20080139003A1 (en) 2006-10-26 2008-06-12 Shahid Pirzada Barrier coating deposition for thin film devices using plasma enhanced chemical vapor deposition process
US20080102206A1 (en) 2006-11-01 2008-05-01 Sigurd Wagner Multilayered coatings for use on electronic devices or other articles
EP2096191B1 (en) 2006-11-02 2015-04-01 Asahi Glass Company, Limited Ethylene-tetrafluoroethylene copolymer molded product and method for producing the same
EP1918966A1 (en) 2006-11-02 2008-05-07 Dow Corning Corporation Method for forming a film with a graded bandgap by deposition of an amorphous material from a plasma
US9492596B2 (en) 2006-11-06 2016-11-15 Atrium Medical Corporation Barrier layer with underlying medical device and one or more reinforcing support structures
DE102007037527B4 (de) 2006-11-10 2013-05-08 Schott Ag Verfahren zum Beschichten von Gegenständen mit Wechselschichten
DE102006053366A1 (de) 2006-11-10 2008-05-15 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur plasmaunterstützten chemischen Dampfphasenabscheidung
US7780866B2 (en) 2006-11-15 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Method of plasma confinement for enhancing magnetic control of plasma radial distribution
US7744567B2 (en) 2006-11-22 2010-06-29 Becton, Dickinson And Company Reducing withdrawal force in a safety IV catheter
US8092605B2 (en) 2006-11-28 2012-01-10 Applied Materials, Inc. Magnetic confinement of a plasma
US8115326B2 (en) 2006-11-30 2012-02-14 Corning Incorporated Flexible substrates having a thin-film barrier
AT504533A1 (de) 2006-12-05 2008-06-15 Greiner Bio One Gmbh Probenbehältnis
DE102006058771B4 (de) 2006-12-12 2018-03-01 Schott Ag Behälter mit verbesserter Restentleerbarkeit und Verfahren zu dessen Herstellung
US20080145271A1 (en) 2006-12-19 2008-06-19 Kidambi Srikanth S Method of using sulfur-based corrosion inhibitors for galvanized metal surfaces
EP2103320A1 (en) 2006-12-27 2009-09-23 Daikyo Seiko, LTD. Piston for syringe
FR2911071A1 (fr) 2007-01-09 2008-07-11 Becton Dickinson France Soc Pa Procede et equipement pour la decontamination par rayonnement d'un produit tel qu'un emballage contenant des dispositifs medicaux.
CN201002786Y (zh) 2007-01-12 2008-01-09 石家庄第一橡胶股份有限公司 镀膜瓶塞
JP2008174793A (ja) 2007-01-18 2008-07-31 Nanotec Corp 成膜装置及び成膜方法。
US8398788B2 (en) 2007-01-29 2013-03-19 Greenkote Ltd Methods of preparing thin polymetal diffusion coatings
JP2008194317A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 Daikyo Seiko Ltd シリンジ用外筒及びシリンジ
US20080202414A1 (en) 2007-02-23 2008-08-28 General Electric Company Methods and devices for coating an interior surface of a plastic container
US8409441B2 (en) 2007-02-27 2013-04-02 Deka Products Limited Partnership Blood treatment systems and methods
DE102007011589A1 (de) 2007-03-08 2008-09-11 Schott Ag Fördereinrichtung für Precursor
WO2008121478A2 (en) 2007-03-28 2008-10-09 Dow Corning Corporation Roll-to-roll plasma enhanced chemical vapor deposition method of barrier layers comprising silicon and carbon
US20080260966A1 (en) 2007-04-22 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Plasma processing method
EP3106189A1 (en) 2007-04-26 2016-12-21 Daikyo Seiko, LTD. Mold and method for molding same for needle-equipped syringe barrel and needle-equipped syringe
US20080277332A1 (en) 2007-05-11 2008-11-13 Becton, Dickinson And Company Micromachined membrane filter device for a glaucoma implant and method for making the same
MY154004A (en) 2007-05-23 2015-04-30 Southwest Res Inst Plasma immersion ion processing fro coating of hollow substrates
US7922880B1 (en) 2007-05-24 2011-04-12 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for increasing local plasma density in magnetically confined plasma
CN201056331Y (zh) 2007-05-31 2008-05-07 许奕新 一种带涂层的包装瓶
KR20080105617A (ko) 2007-05-31 2008-12-04 삼성모바일디스플레이주식회사 화학기상증착장치 및 플라즈마강화 화학기상증착장치
US8723332B2 (en) 2007-06-11 2014-05-13 Invensas Corporation Electrically interconnected stacked die assemblies
KR20080111801A (ko) 2007-06-20 2008-12-24 삼성전자주식회사 플라즈마 공정장치 및 그 방법
US8066663B2 (en) 2007-06-20 2011-11-29 Daikyo Seiko Ltd. Slide valves equipped in a syringe and thus equipped syringe
EP2173408A1 (en) 2007-06-27 2010-04-14 Medingo Ltd. Tubing for fluid delivery device
US7563425B2 (en) 2007-06-28 2009-07-21 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Carbonnitride nanotubes with nano-sized pores on their stems, their preparation method and control method of size and quantity of pore thereof
FR2918301B1 (fr) 2007-07-06 2011-06-24 Sidel Participations Revetement barriere depose par plasma comprenant au moins trois couches, procede d'obtention d'un tel revetement et recipient revetu d'un tel revetement
WO2009011214A1 (ja) 2007-07-13 2009-01-22 Daikyo Seiko, Ltd. 注射器用プランジャアセンブリ
US8101674B2 (en) 2007-07-25 2012-01-24 Daikyo Seiko, Ltd. Rubber compound and molded article
CH702317B1 (it) 2007-08-02 2011-06-15 Stevanato Group Internat As Struttura di confezione di flaconi in vetro ad uso farmaceutico.
US20100159011A1 (en) 2007-08-03 2010-06-24 University Of Massachusetts Medical School Compositions For Biomedical Applications
US9232618B2 (en) 2007-08-06 2016-01-05 Immunolight, Llc Up and down conversion systems for production of emitted light from various energy sources including radio frequency, microwave energy and magnetic induction sources for upconversion
WO2009020129A1 (ja) 2007-08-08 2009-02-12 Ulvac, Inc. プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
WO2009021257A1 (de) 2007-08-13 2009-02-19 Greiner Bio-One Gmbh Medizinische trenneinrichtung
US20090061237A1 (en) 2007-08-28 2009-03-05 International Business Machines Corporation LOW k POROUS SiCOH DIELECTRIC AND INTEGRATION WITH POST FILM FORMATION TREATMENT
EP2183289A2 (en) 2007-08-31 2010-05-12 Corning Incorporated Reactive surface on a polymeric substrate
WO2009030976A1 (en) 2007-09-03 2009-03-12 Becton Dickinson France Medical device and smooth coating therefor
WO2009030974A1 (en) 2007-09-03 2009-03-12 Becton Dickinson France Medical device and lubricant coating therefor
WO2009030975A1 (en) 2007-09-03 2009-03-12 Becton Dickinson France Medical device comprising a siliconized chamber and a coated closure means
KR100917913B1 (ko) 2007-09-05 2009-09-16 한국표준과학연구원 Ｃａｒｓ 현미경을 이용한 유기 박막의 화학종 및 두께동시 광학분석장치
US20090069790A1 (en) 2007-09-07 2009-03-12 Edward Maxwell Yokley Surface properties of polymeric materials with nanoscale functional coating
DE102007045455A1 (de) 2007-09-24 2009-04-09 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von Wafern aus Ingots
JP5711868B2 (ja) 2007-09-28 2015-05-07 テルモ株式会社 安定なエダラボン含有水性製剤
US8231568B2 (en) 2007-10-16 2012-07-31 Nordson Corporation Syringes with a reduced susceptibility to freeze-thaw void formation and methods of manufacturing such syringes
CN106443002A (zh) 2007-10-22 2017-02-22 贝克顿·迪金森公司 评价在含有机基聚硅氧烷的悬浮液中蛋白质聚集的方法
WO2009053947A2 (en) 2007-10-22 2009-04-30 Becton Dickinson France Surface coating to prevent cation leaching
CN100566764C (zh) 2007-10-26 2009-12-09 哈尔滨医科大学 一种用于药物涂层血管支架的药物涂层载体及药物涂层血管支架的制备方法
US8105294B2 (en) 2007-10-31 2012-01-31 Daikyo Seiko Ltd. Syringe and syringe barrel
US8227025B2 (en) 2007-11-02 2012-07-24 Gvd Corporation Conductive polymer coatings and methods of forming the same
JP2009119171A (ja) 2007-11-19 2009-06-04 Daikyo Seiko Ltd プランジャロッドおよび注射器
DE102007056240A1 (de) 2007-11-22 2009-05-28 Henke-Sass, Wolf Gmbh Spritze
KR100935976B1 (ko) 2007-12-07 2010-01-08 삼성전기주식회사 무선랜 시스템에서 다중 목적지 데이터 전송 방법
JP5230185B2 (ja) 2007-12-13 2013-07-10 富士フイルム株式会社 反応性スパッタリング装置および反応性スパッタリングの方法
GB2468240A (en) 2007-12-19 2010-09-01 Ajjer Llc high throughput methods for analysis of contamination in environmental samples
DE102007062977B4 (de) 2007-12-21 2018-07-19 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von Prozessgasen für die Dampfphasenabscheidung
JP5572859B2 (ja) 2007-12-26 2014-08-20 株式会社大協精工 ゴム成形品
US8277025B2 (en) 2008-01-16 2012-10-02 Zamtec Limited Printhead cartridge with no paper path obstructions
JP5286553B2 (ja) 2008-02-05 2013-09-11 東洋製罐株式会社 高周波プラズマ処理装置及び高周波プラズマ処理方法
WO2009112053A1 (en) 2008-03-12 2009-09-17 Ricardo Enrique Biana Plasma system
FR2929295A1 (fr) 2008-03-25 2009-10-02 Becton Dickinson France Soc Pa Appareil pour le traitement par plasma de corps creux
WO2009123243A1 (ja) 2008-03-31 2009-10-08 国立大学法人琉球大学 プラズマ生成装置及び方法
US20090263668A1 (en) 2008-04-21 2009-10-22 3M Innovative Properties Company Durable coating of an oligomer and methods of applying
US7632549B2 (en) 2008-05-05 2009-12-15 Asm Japan K.K. Method of forming a high transparent carbon film
CA2723723C (en) 2008-05-08 2019-06-25 Replenish Pumps, Llc Implantable drug-delivery devices, and apparatus and methods for filling the devices
DE102008023027B4 (de) 2008-05-09 2012-06-28 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Elektrodenanordnung für magnetfeldgeführte plasmagestützte Prozesse im Vakuum
US8062470B2 (en) 2008-05-12 2011-11-22 Yuri Glukhoy Method and apparatus for application of thin coatings from plasma onto inner surfaces of hollow containers
US7967945B2 (en) 2008-05-30 2011-06-28 Yuri Glukhoy RF antenna assembly for treatment of inner surfaces of tubes with inductively coupled plasma
WO2009158613A1 (en) 2008-06-26 2009-12-30 West Pharmaceutical Services, Inc. Method of coating polyxylylene onto flouropolymer surfaces and devices coated thereby
US20090326517A1 (en) 2008-06-27 2009-12-31 Toralf Bork Fluidic capillary chip for regulating drug flow rates of infusion pumps
KR100995700B1 (ko) 2008-07-14 2010-11-22 한국전기연구원 3차원 표면형상을 갖는 원통형 가공물을 위한 유도 결합형플라즈마 공정 챔버 및 방법
US20110174220A1 (en) 2008-07-25 2011-07-21 Dr. Laure Plasmatechnologie Gmbh Device for Plasma-Assisted Coating of the Inner Side of Tubular Components
US8288513B2 (en) 2008-07-25 2012-10-16 Becton, Dickinson And Company Defined cell culturing surfaces and methods of use
TWI641292B (zh) 2008-08-04 2018-11-11 Ａｇｃ北美平面玻璃公司 電漿源
DE102008037159A1 (de) 2008-08-08 2010-02-11 Krones Ag Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Hohlkörpern
JP5093686B2 (ja) 2008-08-27 2012-12-12 富士電機株式会社 磁気記録媒体用保護膜の形成方法
CN102209800A (zh) 2008-09-22 2011-10-05 贝克顿·迪金森公司 使用光解和/或热化学气相沉积法涂布容器内部的系统、设备和方法
DE102008051614B4 (de) 2008-10-09 2012-09-20 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von Packmitteln aus Glas für Pharmaprodukte
US9018098B2 (en) 2008-10-23 2015-04-28 Lam Research Corporation Silicon etch with passivation using chemical vapor deposition
WO2010047825A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Gvd Corporation Coating methods, systems and related articles
US20100104770A1 (en) 2008-10-27 2010-04-29 Asm Japan K.K. Two-step formation of hydrocarbon-based polymer film
JP5012761B2 (ja) * 2008-10-30 2012-08-29 大日本印刷株式会社 プラスチック製容器の製造法
JP5012762B2 (ja) 2008-10-30 2012-08-29 大日本印刷株式会社 プラスチック製容器の製造法
WO2010065564A1 (en) 2008-12-02 2010-06-10 Georgia Tech Research Corporation Environmental barrier coating for organic semiconductor devices and methods thereof
DE102008062881B4 (de) 2008-12-16 2021-04-08 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines hohlen Glasformkörpers
US20100174245A1 (en) 2009-01-08 2010-07-08 Ward Dean Halverson System for pretreating the lumen of a catheter
US20100190036A1 (en) 2009-01-27 2010-07-29 Kyriakos Komvopoulos Systems and Methods for Surface Modification by Filtered Cathodic Vacuum Arc
EP2218465A1 (de) 2009-02-02 2010-08-18 KHS GmbH Vorrichtung zum Sterilisieren eines Behälters
US8388583B2 (en) 2009-08-20 2013-03-05 Becton, Dickinson And Company Systems and methods for providing a flushable catheter assembly
US8469928B2 (en) 2009-02-11 2013-06-25 Becton, Dickinson And Company Systems and methods for providing a flushable catheter assembly
US8574203B2 (en) 2009-02-11 2013-11-05 Becton, Dickinson And Company Systems and methods for providing a flushable catheter assembly
US8679063B2 (en) 2009-02-11 2014-03-25 Becton, Dickinson And Company Systems and methods for providing a catheter assembly
EP2589680B1 (en) 2009-02-18 2014-12-24 Council of Scientific & Industrial Research Apparatus for the deposition of diamondlike carbon as protective coating on an inner surface of a shaped object
DE102009011960B4 (de) 2009-03-10 2013-06-13 Schott Ag Verfahren zur Überwachung von Plasma-Entladungen
KR20100104119A (ko) 2009-03-16 2010-09-29 삼성전자주식회사 박막 형성 장치 및 그의 박막 형성 방법
WO2010107720A2 (en) 2009-03-18 2010-09-23 Tuan Vo-Dinh Up and down conversion systems for production of emitted light from various energy sources
US8197910B2 (en) 2009-04-27 2012-06-12 Becton, Dickinson And Company Methods for producing synthetic surfaces that mimic collagen coated surfaces for cell culture
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US7985188B2 (en) * 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
KR101823159B1 (ko) 2009-05-13 2018-01-29 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 유기실리콘 전구체를 이용한 ｐｅｃｖｄ 코팅
DK2251453T3 (da) * 2009-05-13 2014-07-07 Sio2 Medical Products Inc Beholderholder
JP5710600B2 (ja) * 2009-05-13 2015-04-30 エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド 被覆表面検査のためのガス放出方法
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
FR2948177B1 (fr) 2009-07-16 2011-08-05 Inst Francais Du Petrole Procede de combustion en boucle chimique avec controle independant de la circulation des solides
JP5431051B2 (ja) 2009-07-17 2014-03-05 株式会社大協精工 微少容量の注射器用ピストン及び該ピストンを取り付けたプランジャー
TWI393798B (zh) 2009-07-17 2013-04-21 Ulvac Inc 成膜裝置及成膜方法
KR20110020186A (ko) 2009-08-21 2011-03-02 한양대학교 산학협력단 고분자 전해질형 연료 전지용 고분자 전해질 막, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 고분자 전해질형 연료 전지 시스템
JP2011060885A (ja) 2009-09-08 2011-03-24 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
DE102009041132B4 (de) 2009-09-14 2014-08-14 Schott Ag Verfahren zur Herstellung einer Gleitschicht und pharmazeutisches Packmittel mit Gleitschicht
US20110065798A1 (en) 2009-09-17 2011-03-17 Becton, Dickinson And Company Anti-infective lubricant for medical devices and methods for preparing the same
US20120175384A1 (en) 2009-09-22 2012-07-12 Medmix Systems Ag Sealed container comprising a displaceable piston
CN102725202B (zh) 2009-10-09 2015-03-25 西氏制药服务德国有限公司及两合公司 具有阻挡层的弹性封罩及其制造方法
WO2011059823A1 (en) 2009-10-29 2011-05-19 Gore Enterprise Holdings, Inc. Syringe stopper coated with expanded ptfe
US20110111132A1 (en) 2009-11-09 2011-05-12 Electric Power Research Institute, Inc. System and method for depositing coatings on inner surface of tubular structure
JP5357710B2 (ja) 2009-11-16 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法，基板処理装置，プログラムを記録した記録媒体
US20110152820A1 (en) 2009-12-22 2011-06-23 Medtronic Minimed, Inc. Barrier coatings for fluids contacting medical devices
FR2954326B1 (fr) 2009-12-23 2013-01-18 Valois Sas Procede de traitement de surface d'un dispositif de distribution de produit fluide.
WO2011090717A1 (en) 2009-12-28 2011-07-28 Gvd Corporation Coating methods, systems, and related articles
WO2011080543A1 (en) 2009-12-31 2011-07-07 Becton Dickinson France Medical components having coated surfaces exhibiting low friction and/or low gas/liquid permeability
EP2519270B1 (en) 2009-12-31 2017-02-15 Surmodics, Inc. Silyl ether-modified hydrophilic polymers and uses for medical articles
US9492607B2 (en) 2010-02-05 2016-11-15 Deka Products Limited Partnership Infusion pump apparatus, method and system
US8747631B2 (en) 2010-03-15 2014-06-10 Southwest Research Institute Apparatus and method utilizing a double glow discharge plasma for sputter cleaning
JP5226031B2 (ja) 2010-04-13 2013-07-03 テルモ株式会社 薬剤収容容器
EP2381246A1 (en) 2010-04-26 2011-10-26 Becton Dickinson France Device, kit and method for inspection of an article
JP2013525013A (ja) 2010-04-30 2013-06-20 バイエル ファーマ アクチエンゲゼルシャフト 置換式シリンジ
EP3437743A1 (en) 2010-05-12 2019-02-06 SiO2 Medical Products, Inc. Syringe with lubricity coating
US8802603B2 (en) 2010-06-17 2014-08-12 Becton, Dickinson And Company Medical components having coated surfaces exhibiting low friction and low reactivity
WO2011163368A1 (en) 2010-06-24 2011-12-29 Cdw Investments, Llc Hyperechogenic needles
WO2012003221A1 (en) 2010-06-29 2012-01-05 Cv Holdings, Llc Syringe with integrated needle
CA2805668C (en) 2010-07-16 2020-01-28 Cv Holdings, Llc Injection molding process and product produced using the same
US20120021136A1 (en) 2010-07-20 2012-01-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for controlling plasma deposition uniformity
US8623324B2 (en) 2010-07-21 2014-01-07 Aat Bioquest Inc. Luminescent dyes with a water-soluble intramolecular bridge and their biological conjugates
US9145874B2 (en) 2010-08-09 2015-09-29 Msnw Llc Apparatus, systems and methods for establishing plasma and using plasma in a rotating magnetic field
US8932259B2 (en) 2010-09-13 2015-01-13 Becton, Dickinson And Company Catheter assembly
US8773020B2 (en) 2010-10-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for forming a magnetic field and methods of use thereof
US8476162B2 (en) 2010-10-27 2013-07-02 Applied Materials, Inc. Methods of forming layers on substrates
UA97584C2 (ru) 2010-11-08 2012-02-27 Национальный Научный Центр "Харьковский Физико-Технический Институт" СПОСОБ ТРАНСПОРТИРОВКИ Вакуумно-дуговой Катодной ПЛАЗМЫ С фильтрованием От макрочастиц И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US8921516B2 (en) 2010-12-08 2014-12-30 Corning Incorporated Synthetic, defined fibronectin mimetic peptides and surfaces modified with the same
DE102010055155A1 (de) 2010-12-15 2012-06-21 Khs Corpoplast Gmbh Verfahren zur Plasmabehandlung von Werkstücken sowie Werkstück mit Gasbarriereschicht
JP6563173B2 (ja) 2011-01-19 2019-08-21 プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ 易滑性液体を注入した多孔質表面およびその生物学的用途
DE102011009057B4 (de) 2011-01-20 2015-12-10 Schott Ag Plasma-Behandlungsvorrichtung zur Herstellung von Beschichtungen und Verfahren zur innenseitigen Plasmabehandlung von Behältern
WO2012122559A2 (en) 2011-03-10 2012-09-13 KaiaTech, Inc. Method and apparatus for treating containers
JP5801586B2 (ja) 2011-03-31 2015-10-28 テルモ株式会社 脂肪乳剤プレフィルドシリンジ製剤
US9272095B2 (en) * 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US8871319B2 (en) 2011-04-12 2014-10-28 The Procter & Gamble Company Flexible barrier packaging derived from renewable resources
DE102011076754A1 (de) 2011-05-31 2012-12-06 Schott Ag Substratelement für die Beschichtung mit einer Easy-to-clean Beschichtung
WO2013017547A1 (en) 2011-07-29 2013-02-07 Dsm Ip Assets B.V. Medical device comprising a wetted hydrophilic coating
US20130046375A1 (en) 2011-08-17 2013-02-21 Meng Chen Plasma modified medical devices and methods
US10388493B2 (en) 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
EP2760509B1 (en) 2011-09-27 2023-04-05 Becton Dickinson France Use of plasma treated silicone oil as a coating in a medical injection device
FR2980789B1 (fr) 2011-09-29 2013-10-25 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un objet a partir d'une solution sol-gel
SE1250261A1 (sv) 2011-10-31 2013-05-01 Billerudkorsnaes Gaevle Froevi Ab Bestrykningskomposition, ett förfarande för bestrykning av ett substrat, ettbestruket substrat, ett förpackningsmaterial och vätskeförpackning
CA2855353C (en) 2011-11-11 2021-01-19 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, ph protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US9554968B2 (en) 2013-03-11 2017-01-31 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging
FR2982914B1 (fr) 2011-11-22 2014-01-17 Snecma Propulseur a effet de hall
EP2602354A1 (en) 2011-12-05 2013-06-12 Pivot a.s. Filtered cathodic vacuum arc deposition apparatus and method
DE102012201955A1 (de) 2012-02-09 2013-08-14 Krones Ag Powerlanze und plasmaunterstützte Beschichtung mit Hochfrequenzeinkopplung
CN102581274B (zh) 2012-03-08 2014-06-11 中国工程物理研究院化工材料研究所 一种化学气相沉积包覆微纳米金属粉的方法
US9068565B2 (en) 2012-05-03 2015-06-30 Becton, Dickinson And Company Container and method for storing a pharmaceutical agent
WO2013170044A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Inspection methods for pecvd coatings
US9993597B2 (en) 2012-05-29 2018-06-12 Becton Dickinson France Lubricant coating and medical injection device comprising such a coating
US9034442B2 (en) 2012-11-30 2015-05-19 Corning Incorporated Strengthened borosilicate glass containers with improved damage tolerance
CA2878638C (en) 2012-07-03 2021-06-01 Sio2 Medical Products, Inc. Siox barrier for pharmaceutical package and coating process
TWI501441B (zh) 2012-08-24 2015-09-21 Ind Tech Res Inst 非連續複合阻障層、其形成方法及包含其之封裝結構
FR2994851B1 (fr) 2012-09-04 2015-08-21 Rexam Healthcare La Verpillier Dispositif d'injection de liquide pharmaceutique configure pour etre pre-rempli
WO2014059012A1 (en) 2012-10-12 2014-04-17 Sio2 Medical Products, Inc. Process for the internal coating of hollow bodies
CA2890066C (en) 2012-11-01 2021-11-09 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
WO2014078666A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US10117806B2 (en) 2012-11-30 2018-11-06 Corning Incorporated Strengthened glass containers resistant to delamination and damage
WO2014085346A1 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Sio2 Medical Products, Inc. Hollow body with inside coating
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
DE102013103676A1 (de) 2013-04-11 2014-10-30 Schott Ag Behälter mit geringer Partikelemission und reibkontrollierter Trockengleitoberfläche, sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JP6289401B2 (ja) 2015-02-24 2018-03-07 沖電気工業株式会社 スポットサイズ変換器

Also Published As

Publication number Publication date
BR112015012470A2 (pt) 2017-07-11
EP2925903B1 (en) 2022-04-13
KR102211950B1 (ko) 2021-02-04
BR112015012470B1 (pt) 2022-08-02
AU2013352436B2 (en) 2018-10-25
CA2892294A1 (en) 2014-06-05
US20150335823A1 (en) 2015-11-26
WO2014085348A3 (en) 2015-01-08
CN105705676A (zh) 2016-06-22
AU2013352436A1 (en) 2015-06-11
CA2892294C (en) 2021-07-27
JP2016504496A (ja) 2016-02-12
EP2925903A2 (en) 2015-10-07
KR20150091374A (ko) 2015-08-10
WO2014085348A2 (en) 2014-06-05
WO2014085346A1 (en) 2014-06-05
CN105705676B (zh) 2018-09-07
US10201660B2 (en) 2019-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6382830B2 (ja) 医療シリンジ、カートリッジ等上でのｐｅｃｖｄ堆積の均一性制御
US11724860B2 (en) Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US11406765B2 (en) Controlling the uniformity of PECVD deposition
JP6790049B2 (ja) 三層皮膜薬剤パッケージ
US20210330869A1 (en) SiOx BARRIER FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE AND COATING PROCESS
EP2870273B1 (en) Coating process

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161121

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170927

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171031

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180131

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180703

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180802

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6382830

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250