JP2920187B2 - 管体内周面に膜形成する方法及び装置 - Google Patents
管体内周面に膜形成する方法及び装置Info
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- JP2920187B2 JP2920187B2 JP7106067A JP10606795A JP2920187B2 JP 2920187 B2 JP2920187 B2 JP 2920187B2 JP 7106067 A JP7106067 A JP 7106067A JP 10606795 A JP10606795 A JP 10606795A JP 2920187 B2 JP2920187 B2 JP 2920187B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種ガラス配管、原子
力装置の冷却水通水用の細管、医療用カテーテル等の管
体の内面に、該管体内周面の保護等の目的で所定の膜を
形成する方法及び装置、換言すれば内周面に膜形成した
管体の製法及び装置に関する。
力装置の冷却水通水用の細管、医療用カテーテル等の管
体の内面に、該管体内周面の保護等の目的で所定の膜を
形成する方法及び装置、換言すれば内周面に膜形成した
管体の製法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に管体内周面への膜形成は、真空蒸
着により行われている。このような真空蒸着を行う装置
の一例として図３に示す装置について説明すると、この
装置は真空容器１０を有し、その中に図示しないホルダ
に支持されて被成膜管体Ｓ２が設置され、管体Ｓ２内に
は管体Ｓ２とほぼ同じ長さを有する線状又は棒状等の蒸
着物質５０が配置され、蒸着物質５０両端には直流電源
８０が接続されている。また、容器１０には排気装置１
１０が接続されている。
着により行われている。このような真空蒸着を行う装置
の一例として図３に示す装置について説明すると、この
装置は真空容器１０を有し、その中に図示しないホルダ
に支持されて被成膜管体Ｓ２が設置され、管体Ｓ２内に
は管体Ｓ２とほぼ同じ長さを有する線状又は棒状等の蒸
着物質５０が配置され、蒸着物質５０両端には直流電源
８０が接続されている。また、容器１０には排気装置１
１０が接続されている。
【０００３】この装置によると、排気装置１１０の運転
にて容器１０内が所定の真空度とされるとともに直流電
源８０により蒸着物質５０両端に直流電力が印加され、
これにより蒸着物質５０が加熱されて管体Ｓ２内周面に
真空蒸着され、管体Ｓ２内周面に所望の膜が形成され
る。
にて容器１０内が所定の真空度とされるとともに直流電
源８０により蒸着物質５０両端に直流電力が印加され、
これにより蒸着物質５０が加熱されて管体Ｓ２内周面に
真空蒸着され、管体Ｓ２内周面に所望の膜が形成され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
真空蒸着装置を用いた成膜では、管体Ｓ２の内径が小さ
いときには、それに合わせて蒸着物質５０の直径も小さ
くなければならず、電力印加による蒸着物質の蒸発に伴
い蒸着物質が途中で切れ易い。この場合、管体内面への
成膜が行えなくなるため、新たな蒸着物質と交換しなけ
ればならないが、この交換に際して容器１０内を一旦大
気圧に戻して新しい蒸着物質を設置した後、再び容器１
０内を所定の真空度にしなければならず、手間がかか
り、生産性が悪い。
真空蒸着装置を用いた成膜では、管体Ｓ２の内径が小さ
いときには、それに合わせて蒸着物質５０の直径も小さ
くなければならず、電力印加による蒸着物質の蒸発に伴
い蒸着物質が途中で切れ易い。この場合、管体内面への
成膜が行えなくなるため、新たな蒸着物質と交換しなけ
ればならないが、この交換に際して容器１０内を一旦大
気圧に戻して新しい蒸着物質を設置した後、再び容器１
０内を所定の真空度にしなければならず、手間がかか
り、生産性が悪い。
【０００５】また、真空を破らずに成膜原料を供給でき
る方法としてプラズマＣＶＤ法が考えられるが、この場
合、プラズマを管体内に発生させることができず、該管
体内周面に成膜を行うことができない。また、管体外で
プラズマを発生させる場合は該プラズマを管体内へ送り
込むのが困難であり、管体内径が３０ｍｍより大きく且
つアスペクト比（長さ／内径）が２より小さい場合のみ
内周面への成膜が可能である。
る方法としてプラズマＣＶＤ法が考えられるが、この場
合、プラズマを管体内に発生させることができず、該管
体内周面に成膜を行うことができない。また、管体外で
プラズマを発生させる場合は該プラズマを管体内へ送り
込むのが困難であり、管体内径が３０ｍｍより大きく且
つアスペクト比（長さ／内径）が２より小さい場合のみ
内周面への成膜が可能である。
【０００６】そこで本発明は、内径の小さい、或いは内
径に比べて長さの大きい管体でもその内周面に均一に、
又は均一状に成膜を行うことができ、しかも生産性よく
管体内周面に膜形成することができる管体内周面に膜形
成する方法及び装置を提供することを課題とする。
径に比べて長さの大きい管体でもその内周面に均一に、
又は均一状に成膜を行うことができ、しかも生産性よく
管体内周面に膜形成することができる管体内周面に膜形
成する方法及び装置を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の管体内周面に膜形成する方法は、真空容器内に被成
膜管体を配置するとともに該管体の中心部にスパッタ用
電圧を印加される棒状のスパッタターゲットを配置し、
前記真空容器内を所定の成膜真空度に維持しつつ、前記
被成膜管体内にプラズマソースガスを導入するとともに
前記被成膜管体内部にマイクロ波を導入し、同時に、前
記導入したマイクロ波に対してＥＣＲ条件を満たす磁場
を前記被成膜管体内部に印加し、発生した前記プラズマ
ソースガスのプラズマにて前記スパッタターゲットをス
パッタリングすることで前記管体内周面に膜形成する方
法であって、前記磁場印加位置を該管体内部の膜形成範
囲における一端部から他端部まで管軸方向に順に移動さ
せて被成膜管体内部でＥＣＲ共鳴点を移動させることを
特徴とする。
明の管体内周面に膜形成する方法は、真空容器内に被成
膜管体を配置するとともに該管体の中心部にスパッタ用
電圧を印加される棒状のスパッタターゲットを配置し、
前記真空容器内を所定の成膜真空度に維持しつつ、前記
被成膜管体内にプラズマソースガスを導入するとともに
前記被成膜管体内部にマイクロ波を導入し、同時に、前
記導入したマイクロ波に対してＥＣＲ条件を満たす磁場
を前記被成膜管体内部に印加し、発生した前記プラズマ
ソースガスのプラズマにて前記スパッタターゲットをス
パッタリングすることで前記管体内周面に膜形成する方
法であって、前記磁場印加位置を該管体内部の膜形成範
囲における一端部から他端部まで管軸方向に順に移動さ
せて被成膜管体内部でＥＣＲ共鳴点を移動させることを
特徴とする。
【０００８】また、前記課題を解決する本発明の管体内
周面に膜形成する装置は、真空容器と、前記容器内に被
成膜管体を支持する管ホルダと、前記管ホルダに支持さ
れる被成膜管体の中心部に棒状のスパッタターゲットを
支持するターゲット支持手段と、前記管ホルダに支持さ
れる被成膜管体内にプラズマソースガスを導入する手段
と、前記管ホルダに支持される被成膜管体内部にマイク
ロ波を導入する手段と、前記ターゲット支持手段に支持
されるスパッタターゲットにスパッタ用電圧を印加する
手段と、前記真空容器の外周に、前記管ホルダに支持さ
れる被成膜管体の管軸方向に順次並べ設けられた複数の
ソレノイドコイルと、前記複数のソレノイドコイルの一
端のものから他端のものにかけてタイミングをずらせて
順にパルス状に通電する給電手段とを備え、前記各ソレ
ノイドコイルは、前記マイクロ波導入手段により導入さ
れるマイクロ波に対してＥＣＲ条件を満たす磁場を印加
できるものであることを特徴とする。
周面に膜形成する装置は、真空容器と、前記容器内に被
成膜管体を支持する管ホルダと、前記管ホルダに支持さ
れる被成膜管体の中心部に棒状のスパッタターゲットを
支持するターゲット支持手段と、前記管ホルダに支持さ
れる被成膜管体内にプラズマソースガスを導入する手段
と、前記管ホルダに支持される被成膜管体内部にマイク
ロ波を導入する手段と、前記ターゲット支持手段に支持
されるスパッタターゲットにスパッタ用電圧を印加する
手段と、前記真空容器の外周に、前記管ホルダに支持さ
れる被成膜管体の管軸方向に順次並べ設けられた複数の
ソレノイドコイルと、前記複数のソレノイドコイルの一
端のものから他端のものにかけてタイミングをずらせて
順にパルス状に通電する給電手段とを備え、前記各ソレ
ノイドコイルは、前記マイクロ波導入手段により導入さ
れるマイクロ波に対してＥＣＲ条件を満たす磁場を印加
できるものであることを特徴とする。
【０００９】本発明の方法において、被成膜管体内部の
各部への磁場の順次印加にあたり、磁場印加位置を該管
体の膜形成範囲の一端部から他端部まで管長手方向の管
軸方向に複数回繰り返し移動させることが考えられる。
また同様に、本発明の装置において、ソレノイドコイル
に対する前記給電手段は、該複数のソレノイドコイルの
一端のものから他端のものにかけてタイミングをずらせ
て順にパルス状に通電し、これを複数回繰り返すもので
あることが考えられる。
各部への磁場の順次印加にあたり、磁場印加位置を該管
体の膜形成範囲の一端部から他端部まで管長手方向の管
軸方向に複数回繰り返し移動させることが考えられる。
また同様に、本発明の装置において、ソレノイドコイル
に対する前記給電手段は、該複数のソレノイドコイルの
一端のものから他端のものにかけてタイミングをずらせ
て順にパルス状に通電し、これを複数回繰り返すもので
あることが考えられる。
【００１０】いずれにしても本発明方法及び装置におい
て、被成膜管体内部への磁場印加において、磁場印加位
置を被成膜管体内部の膜形成範囲の、マイクロ波を導入
する側とは反対側の端部からマイクロ波導入側の端部ま
で順に移動させることが考えられる。本発明方法及び装
置において被成膜管体内部に導入するマイクロ波は、そ
れには限定されないが、そのようなマイクロ波を供給で
きるマイクロ波電源が入手し易いことから、ＴＥＭモー
ドのものであることが考えられる。
て、被成膜管体内部への磁場印加において、磁場印加位
置を被成膜管体内部の膜形成範囲の、マイクロ波を導入
する側とは反対側の端部からマイクロ波導入側の端部ま
で順に移動させることが考えられる。本発明方法及び装
置において被成膜管体内部に導入するマイクロ波は、そ
れには限定されないが、そのようなマイクロ波を供給で
きるマイクロ波電源が入手し易いことから、ＴＥＭモー
ドのものであることが考えられる。
【００１１】本発明装置において、複数のソレノイドコ
イルの一端のものから他端のものにかけてタイミングを
ずらせて順にパルス状に通電する給電手段としては、各
ソレノイドコイルに接続された直流電源と、該直流電源
から各ソレノイドコイルへの通電のオンオフの切換えを
行うスイッチと、ソレノイドコイルの一端のものから他
端のものにタイミングをずらせて順に一定時間ずつ通電
するように前記スイッチを制御するスイッチ制御部とを
含んでいるものを挙げることができる。前記直流電源
は、複数のソレノイドコイルに並列に接続された単一の
ものであってもよく、また複数のソレノイドコイルにそ
れぞれ接続された複数のものであってもよい。
イルの一端のものから他端のものにかけてタイミングを
ずらせて順にパルス状に通電する給電手段としては、各
ソレノイドコイルに接続された直流電源と、該直流電源
から各ソレノイドコイルへの通電のオンオフの切換えを
行うスイッチと、ソレノイドコイルの一端のものから他
端のものにタイミングをずらせて順に一定時間ずつ通電
するように前記スイッチを制御するスイッチ制御部とを
含んでいるものを挙げることができる。前記直流電源
は、複数のソレノイドコイルに並列に接続された単一の
ものであってもよく、また複数のソレノイドコイルにそ
れぞれ接続された複数のものであってもよい。
【００１２】また、本発明装置において、被成膜管体の
マイクロ波導入端とは異なる反対側端には真鍮、ステン
レススチールその他の金属等の材質からなるリフレクタ
ーを設け、導入したマイクロ波が該管体外へ抜けないよ
うにすることが考えられる。本発明方法及び装置におい
て、棒状のスパッタターゲットの長さは、被成膜管体内
面の所望部分に膜形成できるものでよく、例えば管体内
面全体に膜形成したいときは、被成膜管体の長さとほぼ
同じ長さであることが考えられる。
マイクロ波導入端とは異なる反対側端には真鍮、ステン
レススチールその他の金属等の材質からなるリフレクタ
ーを設け、導入したマイクロ波が該管体外へ抜けないよ
うにすることが考えられる。本発明方法及び装置におい
て、棒状のスパッタターゲットの長さは、被成膜管体内
面の所望部分に膜形成できるものでよく、例えば管体内
面全体に膜形成したいときは、被成膜管体の長さとほぼ
同じ長さであることが考えられる。
【００１３】また、本発明装置における前記のターゲッ
ト支持手段はスパッタターゲットがたるまないように張
力を与えつつ支持できるものでもよい。また、前記スパ
ッタターゲットの材質は、スパッタリングにより被成膜
管体内周面に目的とする膜を形成できるものであれば良
く、例えば種々の金属の単体、非金属の単体及びそれら
の化合物等を挙げることができる。
ト支持手段はスパッタターゲットがたるまないように張
力を与えつつ支持できるものでもよい。また、前記スパ
ッタターゲットの材質は、スパッタリングにより被成膜
管体内周面に目的とする膜を形成できるものであれば良
く、例えば種々の金属の単体、非金属の単体及びそれら
の化合物等を挙げることができる。
【００１４】本発明方法及び装置において、スパッタタ
ーゲットに印加するスパッタ用電圧は、該スパッタター
ゲットが導電性物質からなる場合は通常被成膜管体電位
より負側の電位のものであり、該スパッタターゲットが
絶縁性物質からなる場合は高周波電圧も印加することが
考えられる。スパッタターゲットが絶縁性物質からなる
場合は、該ターゲット内部に電極を設け、該電極に前記
電圧を印加することができる。
ーゲットに印加するスパッタ用電圧は、該スパッタター
ゲットが導電性物質からなる場合は通常被成膜管体電位
より負側の電位のものであり、該スパッタターゲットが
絶縁性物質からなる場合は高周波電圧も印加することが
考えられる。スパッタターゲットが絶縁性物質からなる
場合は、該ターゲット内部に電極を設け、該電極に前記
電圧を印加することができる。
【００１５】本発明方法及び装置における前記プラズマ
ソースガスとしてはヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎ
ｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）
ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の不活性ガスや窒素（Ｎ
2 ）ガス、アンモニア（ＮＨ 3 ）ガス、酸素（Ｏ2 ）ガ
ス等の活性ガスを挙げることができ、これらの１又は２
以上を用いることができる。
ソースガスとしてはヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎ
ｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）
ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の不活性ガスや窒素（Ｎ
2 ）ガス、アンモニア（ＮＨ 3 ）ガス、酸素（Ｏ2 ）ガ
ス等の活性ガスを挙げることができ、これらの１又は２
以上を用いることができる。
【００１６】本発明方法及び装置において、前記プラズ
マソースガスとして不活性ガスを用いる場合は、被成膜
管体に通常負電圧を印加しながら成膜を行うことがで
き、これによりスパッタリングするための粒子のエネル
ギを制御して形成される膜の膜質を向上させることがで
きる。本発明装置において、管軸方向に配置されるソレ
ノイドコイルは、被成膜管体の所望部分に膜形成できる
範囲にわたり配置されていればよく、例えば管体内面全
体にわたり膜形成するときは、管の略全長にわたり複数
個設けることが考えられる。
マソースガスとして不活性ガスを用いる場合は、被成膜
管体に通常負電圧を印加しながら成膜を行うことがで
き、これによりスパッタリングするための粒子のエネル
ギを制御して形成される膜の膜質を向上させることがで
きる。本発明装置において、管軸方向に配置されるソレ
ノイドコイルは、被成膜管体の所望部分に膜形成できる
範囲にわたり配置されていればよく、例えば管体内面全
体にわたり膜形成するときは、管の略全長にわたり複数
個設けることが考えられる。
【００１７】
【作用】本発明方法及び装置によると、スパッタターゲ
ットとこれを囲むように所定間隔をおいて外嵌設置され
た被成膜管体との間にプラズマソースガスが導入される
とともにマイクロ波が導入されて、該ガスがプラズマ化
される。一方、被成膜管体内部には前記導入されたマイ
クロ波に対してＥＣＲ条件を満たす磁場が部分的に印加
され、該部分では、磁場の力を受けてサイクロトロン運
動をするプラズマ中の電子とマイクロ波とが共鳴し、Ｅ
ＣＲ共鳴点のプラズマは高励起化される。この被成膜管
体内部への磁場の印加は、管体内部の膜形成範囲におけ
る一端部から他端部へ前記ＥＣＲ共鳴点を順次移動させ
るようにして行われ、また、本発明装置では、該管体の
管軸方向に沿って複数並べて設けられたソレノイドコイ
ルの一端のものから他端のものにかけて、タイミングを
ずらせて順にパルス状に通電することで行うため、被成
膜管体内部の膜形成範囲の一端部から他端部にかけて磁
場印加位置が移動する。これにより、プラズマ中の高励
起化された位置が移動し、これに伴い被成膜管体内面へ
の主なスパッタ蒸着位置が移動し、内径の小さい、或い
は内径に比べて長さの大きい管体でも該管体内周面に均
一に、又は均一状に膜が形成される。
ットとこれを囲むように所定間隔をおいて外嵌設置され
た被成膜管体との間にプラズマソースガスが導入される
とともにマイクロ波が導入されて、該ガスがプラズマ化
される。一方、被成膜管体内部には前記導入されたマイ
クロ波に対してＥＣＲ条件を満たす磁場が部分的に印加
され、該部分では、磁場の力を受けてサイクロトロン運
動をするプラズマ中の電子とマイクロ波とが共鳴し、Ｅ
ＣＲ共鳴点のプラズマは高励起化される。この被成膜管
体内部への磁場の印加は、管体内部の膜形成範囲におけ
る一端部から他端部へ前記ＥＣＲ共鳴点を順次移動させ
るようにして行われ、また、本発明装置では、該管体の
管軸方向に沿って複数並べて設けられたソレノイドコイ
ルの一端のものから他端のものにかけて、タイミングを
ずらせて順にパルス状に通電することで行うため、被成
膜管体内部の膜形成範囲の一端部から他端部にかけて磁
場印加位置が移動する。これにより、プラズマ中の高励
起化された位置が移動し、これに伴い被成膜管体内面へ
の主なスパッタ蒸着位置が移動し、内径の小さい、或い
は内径に比べて長さの大きい管体でも該管体内周面に均
一に、又は均一状に膜が形成される。
【００１８】なお、該被成膜管体の内部に配置された棒
状のスパッタターゲットに、該スパッタターゲットが導
電性物質からなる場合、通常は前記プラズマ中のスパッ
タに寄与するイオンの電荷と反対の極性の電圧（通常、
負電圧）が印加され、それにより該イオン、主に高励起
化されたプラズマ中のイオンが該スパッタターゲットの
方に引き寄せられて該ターゲットを連続的にスパッタす
る。該スパッタターゲットが電気絶縁性物質からなる場
合、前記プラズマ中のイオン、主に前記高励起化された
プラズマ中のイオンによりその表面が帯電しようとする
が、該スパッタターゲット内部に設けられる電極等に高
周波電圧が印加されることで表面電荷の蓄積が抑制さ
れ、該イオンが該ターゲットを連続的にスパッタする。
状のスパッタターゲットに、該スパッタターゲットが導
電性物質からなる場合、通常は前記プラズマ中のスパッ
タに寄与するイオンの電荷と反対の極性の電圧（通常、
負電圧）が印加され、それにより該イオン、主に高励起
化されたプラズマ中のイオンが該スパッタターゲットの
方に引き寄せられて該ターゲットを連続的にスパッタす
る。該スパッタターゲットが電気絶縁性物質からなる場
合、前記プラズマ中のイオン、主に前記高励起化された
プラズマ中のイオンによりその表面が帯電しようとする
が、該スパッタターゲット内部に設けられる電極等に高
周波電圧が印加されることで表面電荷の蓄積が抑制さ
れ、該イオンが該ターゲットを連続的にスパッタする。
【００１９】また、本発明方法及び装置において、被成
膜管体内部への磁場の印加にあたり、磁場印加位置を該
管体の膜形成範囲の一端部から他端部まで管軸方向に複
数回移動させるときには、一層均一な所望厚さの膜形成
を行うことができる。本発明方法及び装置において、プ
ラズマソースガスとして不活性ガスを用いるときには、
管体内周面にスパッタターゲットの構成原子からなる膜
が形成され、窒素ガス、アンモニアガス、酸素ガス等の
活性ガスを用いるときには、一般的には管体内周面に該
構成原子の窒化物や酸化物等からなる膜が形成される。
膜管体内部への磁場の印加にあたり、磁場印加位置を該
管体の膜形成範囲の一端部から他端部まで管軸方向に複
数回移動させるときには、一層均一な所望厚さの膜形成
を行うことができる。本発明方法及び装置において、プ
ラズマソースガスとして不活性ガスを用いるときには、
管体内周面にスパッタターゲットの構成原子からなる膜
が形成され、窒素ガス、アンモニアガス、酸素ガス等の
活性ガスを用いるときには、一般的には管体内周面に該
構成原子の窒化物や酸化物等からなる膜が形成される。
【００２０】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。図１は本発明の管体内周面に膜形成する装置、換言
すれば内周面に膜形成した管体の製造装置の１例の概略
構成を示す図である。この装置は円筒形状の真空容器１
を有し、容器１には排気装置１１が接続されて内部を所
定の成膜真空度にすることができる。なお、図１中の１
２はゲート弁である。容器１内には中実の断面円形のス
パッタターゲット２がその両端をセラミックからなる支
持部材３１、３２により支持され、容器１に固定されて
いる。支持部材３１は中心部にマイクロ波導入のための
同軸型電極を通す孔３１ａを有するリング状のもので、
１対のネジ３１ｂにより真空容器１に固定されている。
本例では、スパッタターゲット２は支持部材３１、３２
により支持されて容器１に固定されているが、例えば一
方の部材３１をバネで引張るようにして容器１に連結
し、スパッタターゲット２がたわまないようにすること
もできる。また成膜時には、被成膜管体Ｓ１がステンレ
スからなる略円筒状のホルダ４により、スパッタターゲ
ット２から所定距離をおいてそれを取り囲むように支持
される。このときターゲット２は管体Ｓ１の中心部に位
置する。ホルダ４には等中心角度で複数の孔４１が設け
られ、管体Ｓ１内に導入されるプラズマソースガスを管
体Ｓ１外へ排出できるようになっている。また、ホルダ
４はセラミックからなる支持部材３１を介して容器１に
固定されるので電気的に浮遊の状態である。被成膜管体
Ｓ１はここでは接地されているが、プラズマソースガス
として不活性ガスを用いるときには直流電源が接続さ
れ、通常負電圧が印加される。スパッタターゲット２の
支持部材３２には、被成膜管体Ｓ１の直径と同様の直径
を有するリング状の、真鍮からなりマイクロ波を反射す
るリフレクター５が嵌装されており、被成膜管体Ｓ１開
口部の一端を塞いでいる。また、被成膜管体Ｓ１とリフ
レクター５との間にはリング状の電気絶縁性部材５１が
挟持される。
る。図１は本発明の管体内周面に膜形成する装置、換言
すれば内周面に膜形成した管体の製造装置の１例の概略
構成を示す図である。この装置は円筒形状の真空容器１
を有し、容器１には排気装置１１が接続されて内部を所
定の成膜真空度にすることができる。なお、図１中の１
２はゲート弁である。容器１内には中実の断面円形のス
パッタターゲット２がその両端をセラミックからなる支
持部材３１、３２により支持され、容器１に固定されて
いる。支持部材３１は中心部にマイクロ波導入のための
同軸型電極を通す孔３１ａを有するリング状のもので、
１対のネジ３１ｂにより真空容器１に固定されている。
本例では、スパッタターゲット２は支持部材３１、３２
により支持されて容器１に固定されているが、例えば一
方の部材３１をバネで引張るようにして容器１に連結
し、スパッタターゲット２がたわまないようにすること
もできる。また成膜時には、被成膜管体Ｓ１がステンレ
スからなる略円筒状のホルダ４により、スパッタターゲ
ット２から所定距離をおいてそれを取り囲むように支持
される。このときターゲット２は管体Ｓ１の中心部に位
置する。ホルダ４には等中心角度で複数の孔４１が設け
られ、管体Ｓ１内に導入されるプラズマソースガスを管
体Ｓ１外へ排出できるようになっている。また、ホルダ
４はセラミックからなる支持部材３１を介して容器１に
固定されるので電気的に浮遊の状態である。被成膜管体
Ｓ１はここでは接地されているが、プラズマソースガス
として不活性ガスを用いるときには直流電源が接続さ
れ、通常負電圧が印加される。スパッタターゲット２の
支持部材３２には、被成膜管体Ｓ１の直径と同様の直径
を有するリング状の、真鍮からなりマイクロ波を反射す
るリフレクター５が嵌装されており、被成膜管体Ｓ１開
口部の一端を塞いでいる。また、被成膜管体Ｓ１とリフ
レクター５との間にはリング状の電気絶縁性部材５１が
挟持される。
【００２１】スパッタターゲット２が絶縁性物質からな
る場合、その内部に該ターゲットとほぼ同じ長さを有す
る棒状の内部電極２１が設けられる。また、スパッタタ
ーゲット２に対し電源部２２が設置され、切替えスイッ
チ２２ａの操作によりターゲット２をバンドパスフィル
ター２２ｄを介して電圧可変直流負電源２２ｂに、又は
その内部の電極２１をバンドパスフィルター２２ｄを介
した電圧可変直流負電源２２ｂ及び高周波電源２２ｃの
両者に接続できるようになっている。
る場合、その内部に該ターゲットとほぼ同じ長さを有す
る棒状の内部電極２１が設けられる。また、スパッタタ
ーゲット２に対し電源部２２が設置され、切替えスイッ
チ２２ａの操作によりターゲット２をバンドパスフィル
ター２２ｄを介して電圧可変直流負電源２２ｂに、又は
その内部の電極２１をバンドパスフィルター２２ｄを介
した電圧可変直流負電源２２ｂ及び高周波電源２２ｃの
両者に接続できるようになっている。
【００２２】スパッタターゲット支持部材３１の孔３１
ａにはマイクロ波導入のための同軸型電極６１が配置さ
れ、電極６１にはマッチング用のスタブチューナ６２、
反射電力発生時の電源の破壊を避けるためのアイソレー
タ６３及びマイクロ波電源６４がこの順に接続されてい
る。被成膜管体Ｓ１の内部にはプラズマソースガスのガ
ス供給部７が配管接続され、ガス供給部７にはマスフロ
ーコントローラ７１１、７１２・・・及び弁７２１、７
２２・・・を介して接続された１又は複数のプラズマソ
ースガスのガス源７３１、７３２・・・が含まれる。
ａにはマイクロ波導入のための同軸型電極６１が配置さ
れ、電極６１にはマッチング用のスタブチューナ６２、
反射電力発生時の電源の破壊を避けるためのアイソレー
タ６３及びマイクロ波電源６４がこの順に接続されてい
る。被成膜管体Ｓ１の内部にはプラズマソースガスのガ
ス供給部７が配管接続され、ガス供給部７にはマスフロ
ーコントローラ７１１、７１２・・・及び弁７２１、７
２２・・・を介して接続された１又は複数のプラズマソ
ースガスのガス源７３１、７３２・・・が含まれる。
【００２３】真空容器１外周には、ソレノイドコイルＣ
１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５が管体Ｓ１の長手方向の管
軸方向に並べて設けられている。これらのソレノイドコ
イルは、前記マイクロ波導入用電極６１と同軸的に配置
されており、管体Ｓ１内部に導入されるマイクロ波に対
しＥＣＲ条件を満足する磁場を印加できるものである。
また、各ソレノイドコイルは直流電源８１に接続されて
おり、ソレノイドコイルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５
と直流電源８１とを接続する回路中には、それぞれ開閉
スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５が接
続され、スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、Ｓ
Ｗ５はそれぞれスイッチ制御部８０に接続されている。
制御部８０は、直流電源８１によりコイルＣ１からコイ
ルＣ５にかけて順にタイミングをずらせて一定時間ずつ
通電することができるよう、各スイッチのオン、オフの
タイミング及びオン時間、オフ時間を制御できるもので
ある。スイッチ制御部８０はここでは、各ソレノイドコ
イルのオン、オフのタイミング及びオン時間、オフ時間
を設定してこれを指示できるコンピュータ部８４、コン
ピュータ部８４からの指示に基づいて各スイッチを操作
するスイッチレギュレータ８２を含んでいる。８３はイ
ンターフエースである。
１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５が管体Ｓ１の長手方向の管
軸方向に並べて設けられている。これらのソレノイドコ
イルは、前記マイクロ波導入用電極６１と同軸的に配置
されており、管体Ｓ１内部に導入されるマイクロ波に対
しＥＣＲ条件を満足する磁場を印加できるものである。
また、各ソレノイドコイルは直流電源８１に接続されて
おり、ソレノイドコイルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５
と直流電源８１とを接続する回路中には、それぞれ開閉
スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５が接
続され、スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、Ｓ
Ｗ５はそれぞれスイッチ制御部８０に接続されている。
制御部８０は、直流電源８１によりコイルＣ１からコイ
ルＣ５にかけて順にタイミングをずらせて一定時間ずつ
通電することができるよう、各スイッチのオン、オフの
タイミング及びオン時間、オフ時間を制御できるもので
ある。スイッチ制御部８０はここでは、各ソレノイドコ
イルのオン、オフのタイミング及びオン時間、オフ時間
を設定してこれを指示できるコンピュータ部８４、コン
ピュータ部８４からの指示に基づいて各スイッチを操作
するスイッチレギュレータ８２を含んでいる。８３はイ
ンターフエースである。
【００２４】なお、ここでは直流電源８１により全ての
ソレノイドコイルにソレノイド電力を印加しているが、
コイルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５にそれぞれ別々に
電源を接続してもよい。この装置を用いて本発明の管体
の製造方法を実施するにあたっては、真空容器１内に被
成膜管体Ｓ１を搬入し、ホルダ４に支持させて容器１に
固定する。次いで容器１内を１×１０-4Ｔｏｒｒ以上１
×１０-1Ｔｏｒｒ以下の真空度とする。また当初、全て
のスイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５は
開けられている。
ソレノイドコイルにソレノイド電力を印加しているが、
コイルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５にそれぞれ別々に
電源を接続してもよい。この装置を用いて本発明の管体
の製造方法を実施するにあたっては、真空容器１内に被
成膜管体Ｓ１を搬入し、ホルダ４に支持させて容器１に
固定する。次いで容器１内を１×１０-4Ｔｏｒｒ以上１
×１０-1Ｔｏｒｒ以下の真空度とする。また当初、全て
のスイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５は
開けられている。
【００２５】次いで、ガス供給部７から被成膜管体Ｓ１
内にプラズマソースガスが導入されるとともに、マイク
ロ波電源６４から同軸型電極６１にＴＥＭモードのマイ
クロ波が印加され、このマイクロ波は、スパッタターゲ
ット２のセラミックからなる支持部材３１を介して被成
膜管体Ｓ１の内部空間に導入されて、前記導入したプラ
ズマソースガスがプラズマ化される。管体Ｓ１のマイク
ロ波導入端とは異なる他端の開口部はリフレクター５に
より塞がれているため、管体Ｓ１内部に導入されたマイ
クロ波が管体Ｓ１外部へ抜けようとするのが抑制され
る。
内にプラズマソースガスが導入されるとともに、マイク
ロ波電源６４から同軸型電極６１にＴＥＭモードのマイ
クロ波が印加され、このマイクロ波は、スパッタターゲ
ット２のセラミックからなる支持部材３１を介して被成
膜管体Ｓ１の内部空間に導入されて、前記導入したプラ
ズマソースガスがプラズマ化される。管体Ｓ１のマイク
ロ波導入端とは異なる他端の開口部はリフレクター５に
より塞がれているため、管体Ｓ１内部に導入されたマイ
クロ波が管体Ｓ１外部へ抜けようとするのが抑制され
る。
【００２６】また、制御部８０による制御のもとにスイ
ッチＳＷ１からＳＷ５にかけてタイミングをずらせて一
定時間ずつ順に閉じた状態とされ、これにより各ソレノ
イドコイルＣ１〜Ｃ５に順次、電源８１から一定時間ず
つ通電される。これが数回繰り返される。図２に、各コ
イルへの通電状態の時間移行を示す。これにより、前記
導入されたマイクロ波に対してＥＣＲ条件を満足する磁
場が、管体Ｓ１内部にコイルＣ１の側からコイルＣ５の
側にかけてタイミングをずらせて一定時間ずつ順に印加
され、その部分のプラズマが高励起化される。
ッチＳＷ１からＳＷ５にかけてタイミングをずらせて一
定時間ずつ順に閉じた状態とされ、これにより各ソレノ
イドコイルＣ１〜Ｃ５に順次、電源８１から一定時間ず
つ通電される。これが数回繰り返される。図２に、各コ
イルへの通電状態の時間移行を示す。これにより、前記
導入されたマイクロ波に対してＥＣＲ条件を満足する磁
場が、管体Ｓ１内部にコイルＣ１の側からコイルＣ５の
側にかけてタイミングをずらせて一定時間ずつ順に印加
され、その部分のプラズマが高励起化される。
【００２７】一方、スパッタターゲット２には、ターゲ
ット２が導電性物質からなる場合、切換えスイッチ２２
ａを介して直流電源２２ｂから負電圧が印加され、ター
ゲット２が絶縁性物質からなる場合、切換えスイッチ２
２ａを介して内部電極２１に直流電源２２ｂから負電圧
が印加されるとともに、これに加えて高周波電源２２ｃ
から高周波電圧が印加される。
ット２が導電性物質からなる場合、切換えスイッチ２２
ａを介して直流電源２２ｂから負電圧が印加され、ター
ゲット２が絶縁性物質からなる場合、切換えスイッチ２
２ａを介して内部電極２１に直流電源２２ｂから負電圧
が印加されるとともに、これに加えて高周波電源２２ｃ
から高周波電圧が印加される。
【００２８】これにより、スパッタターゲット２が導電
性物質からなる場合、高励起化されたプラズマ中のイオ
ンが負電圧が印加されたターゲット２に引き寄せられて
ターゲット２を連続的にスパッタする。またターゲット
２が電気絶縁性物質からなる場合、該プラズマ中のイオ
ンによるターゲット２表面への電荷の蓄積が内部電極２
１への高周波電圧の印加により抑制されて、該イオンが
ターゲット２を連続的にスパッタする。そして何れの場
合も該スパッタ粒子が管体Ｓ１内周面に連続的に均一
に、又は均一状に堆積して膜が形成される。
性物質からなる場合、高励起化されたプラズマ中のイオ
ンが負電圧が印加されたターゲット２に引き寄せられて
ターゲット２を連続的にスパッタする。またターゲット
２が電気絶縁性物質からなる場合、該プラズマ中のイオ
ンによるターゲット２表面への電荷の蓄積が内部電極２
１への高周波電圧の印加により抑制されて、該イオンが
ターゲット２を連続的にスパッタする。そして何れの場
合も該スパッタ粒子が管体Ｓ１内周面に連続的に均一
に、又は均一状に堆積して膜が形成される。
【００２９】プラズマソースガスとして不活性ガスを用
いるときには、被成膜管体Ｓ１内周面にターゲット２の
構成原子からなる膜が形成され、窒素ガス、アンモニア
ガス、酸素ガス等の活性ガスを用いるときには、通常は
管体内周面にターゲットの構成原子の窒化物や酸化物等
からなる膜が形成される。次に、図１に示す装置によ
る、内周面に膜形成したガラス管体の製造の具体例を示
す。 例１ チタン（Ｔｉ）膜形成 被処理ガラス管体サイズ ・直径２０ｍｍ（内径１８ｍｍ）×長さ４０ｃｍ スパッタターゲット２サイズ ・直径 ２ｍｍ×長さ４０ｃｍ チタン（Ｔｉ）丸棒 成膜条件 ・成膜真空度 １．４ｍＴｏｒｒ ・マイクロ波電力 ５０Ｗ ・スパッタターゲット印加電圧 直流電圧−８０Ｖ ・プラズマソースガス アルゴン（Ａｒ）ガス、１０ｓｃｃｍ ・磁場移動速度 １ｓｅｃ磁場印加／コイル ・磁場印加繰り返し回数 ５回 ・磁場強度 ９１０Ｇａｕｓｓ 成膜結果 ・成膜速度 ５μｍ／分 ・膜厚均一性 ±１０％ 例２ 窒化チタン膜形成 被処理ガラス管体サイズ ・直径２０ｍｍ（内径１８ｍｍ）×長さ１ｍ スパッタターゲット２サイズ ・直径 ２ｍｍ×長さ１ｍ チタン（Ｔｉ）丸棒 成膜条件 ・成膜真空度 １．４ｍＴｏｒｒ ・マイクロ波電力 ５０Ｗ ・スパッタターゲット印加電圧 直流電圧−８０Ｖ ・プラズマソースガス 窒素（Ｎ2 ）ガス、１０ｓｃｃｍ ・磁場移動速度 １ｓｅｃ磁場印加／コイル ・磁場印加繰り返し回数 ５回 ・磁場強度 ９１０Ｇａｕｓｓ 成膜結果 ・成膜速度 ３μｍ／分 ・膜厚均一性 ±８％ 例３ アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜形成 被処理ガラス管体サイズ ・直径２０ｍｍ（内径１８ｍｍ）×長さ４０ｃｍ スパッタターゲット２サイズ ・直径 ２ｍｍ×長さ４０ｃｍ アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）丸棒 内部電極２１ 直径１ｍｍのタングステン電極 成膜条件 ・成膜真空度 １．４ｍＴｏｒｒ ・マイクロ波電力 ５０Ｗ ・スパッタターゲット印加電力 高周波電力１ｋＷ、１３．５６ＭＨｚ バイアス電圧−１５０Ｖ ・プラズマソースガス アルゴン（Ａｒ）ガス、１０ｓｃｃｍ ・磁場移動速度 １ｓｅｃ磁場印加／コイル ・磁場印加繰り返し回数 ５回 ・磁場強度 ９１０Ｇａｕｓｓ 成膜結果 ・成膜速度 ２μｍ／分 ・膜厚均一性 ±１０％ また、図１の装置において、スパッタターゲット２の支
持部材３２に代えてマイクロ波導入端の支持部材３１と
同様のものを設けた装置を用い、被成膜管体Ｓ１の両端
からマイクロ波を導入して成膜した、内周面に膜形成し
たガラス管体の製造の具体例を示す。 例４ チタン（Ｔｉ）膜形成 被処理ガラス管体サイズ ・直径２０ｍｍ（内径１８ｍｍ）×長さ１ｍ スパッタターゲット２サイズ ・直径 ２ｍｍ×長さ１ｍ チタン（Ｔｉ）丸棒 成膜条件 ・成膜真空度 １．４ｍＴｏｒｒ ・マイクロ波電力 ５０Ｗ ・スパッタターゲット印加電圧 直流電圧−８０Ｖ ・プラズマソースガス アルゴン（Ａｒ）ガス、１０ｓｃｃｍ ・磁場移動速度 １ｓｅｃ磁場印加／コイル ・磁場印加繰り返し回数 ５回 ・磁場強度 ９１０Ｇａｕｓｓ 成膜結果 ・成膜速度 ４μｍ／分 ・膜厚均一性 ±１０％ このことから、直径２０ｍｍ（内径１８ｍｍ）で長さ１
ｍ程度の内径の小さい、また内径に比べて十分長い管体
でもその内周面に、均一に、又は均一状にしかも短時間
で成膜が行えたことが分かる。
いるときには、被成膜管体Ｓ１内周面にターゲット２の
構成原子からなる膜が形成され、窒素ガス、アンモニア
ガス、酸素ガス等の活性ガスを用いるときには、通常は
管体内周面にターゲットの構成原子の窒化物や酸化物等
からなる膜が形成される。次に、図１に示す装置によ
る、内周面に膜形成したガラス管体の製造の具体例を示
す。 例１ チタン（Ｔｉ）膜形成 被処理ガラス管体サイズ ・直径２０ｍｍ（内径１８ｍｍ）×長さ４０ｃｍ スパッタターゲット２サイズ ・直径 ２ｍｍ×長さ４０ｃｍ チタン（Ｔｉ）丸棒 成膜条件 ・成膜真空度 １．４ｍＴｏｒｒ ・マイクロ波電力 ５０Ｗ ・スパッタターゲット印加電圧 直流電圧−８０Ｖ ・プラズマソースガス アルゴン（Ａｒ）ガス、１０ｓｃｃｍ ・磁場移動速度 １ｓｅｃ磁場印加／コイル ・磁場印加繰り返し回数 ５回 ・磁場強度 ９１０Ｇａｕｓｓ 成膜結果 ・成膜速度 ５μｍ／分 ・膜厚均一性 ±１０％ 例２ 窒化チタン膜形成 被処理ガラス管体サイズ ・直径２０ｍｍ（内径１８ｍｍ）×長さ１ｍ スパッタターゲット２サイズ ・直径 ２ｍｍ×長さ１ｍ チタン（Ｔｉ）丸棒 成膜条件 ・成膜真空度 １．４ｍＴｏｒｒ ・マイクロ波電力 ５０Ｗ ・スパッタターゲット印加電圧 直流電圧−８０Ｖ ・プラズマソースガス 窒素（Ｎ2 ）ガス、１０ｓｃｃｍ ・磁場移動速度 １ｓｅｃ磁場印加／コイル ・磁場印加繰り返し回数 ５回 ・磁場強度 ９１０Ｇａｕｓｓ 成膜結果 ・成膜速度 ３μｍ／分 ・膜厚均一性 ±８％ 例３ アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜形成 被処理ガラス管体サイズ ・直径２０ｍｍ（内径１８ｍｍ）×長さ４０ｃｍ スパッタターゲット２サイズ ・直径 ２ｍｍ×長さ４０ｃｍ アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）丸棒 内部電極２１ 直径１ｍｍのタングステン電極 成膜条件 ・成膜真空度 １．４ｍＴｏｒｒ ・マイクロ波電力 ５０Ｗ ・スパッタターゲット印加電力 高周波電力１ｋＷ、１３．５６ＭＨｚ バイアス電圧−１５０Ｖ ・プラズマソースガス アルゴン（Ａｒ）ガス、１０ｓｃｃｍ ・磁場移動速度 １ｓｅｃ磁場印加／コイル ・磁場印加繰り返し回数 ５回 ・磁場強度 ９１０Ｇａｕｓｓ 成膜結果 ・成膜速度 ２μｍ／分 ・膜厚均一性 ±１０％ また、図１の装置において、スパッタターゲット２の支
持部材３２に代えてマイクロ波導入端の支持部材３１と
同様のものを設けた装置を用い、被成膜管体Ｓ１の両端
からマイクロ波を導入して成膜した、内周面に膜形成し
たガラス管体の製造の具体例を示す。 例４ チタン（Ｔｉ）膜形成 被処理ガラス管体サイズ ・直径２０ｍｍ（内径１８ｍｍ）×長さ１ｍ スパッタターゲット２サイズ ・直径 ２ｍｍ×長さ１ｍ チタン（Ｔｉ）丸棒 成膜条件 ・成膜真空度 １．４ｍＴｏｒｒ ・マイクロ波電力 ５０Ｗ ・スパッタターゲット印加電圧 直流電圧−８０Ｖ ・プラズマソースガス アルゴン（Ａｒ）ガス、１０ｓｃｃｍ ・磁場移動速度 １ｓｅｃ磁場印加／コイル ・磁場印加繰り返し回数 ５回 ・磁場強度 ９１０Ｇａｕｓｓ 成膜結果 ・成膜速度 ４μｍ／分 ・膜厚均一性 ±１０％ このことから、直径２０ｍｍ（内径１８ｍｍ）で長さ１
ｍ程度の内径の小さい、また内径に比べて十分長い管体
でもその内周面に、均一に、又は均一状にしかも短時間
で成膜が行えたことが分かる。
【００３０】また、被成膜管体Ｓ１の両側からマイクロ
波を導入するときには、同じ内径でより長い管体の内周
面に、均一に、又は均一状に成膜が行えたことが分か
る。
波を導入するときには、同じ内径でより長い管体の内周
面に、均一に、又は均一状に成膜が行えたことが分か
る。
【００３１】
【発明の効果】本発明によると、内径の小さい、或いは
内径に比べて長さの大きい管体でもその内周面に均一
に、又は均一状に成膜を行うことができ、しかも生産性
よく管体内周面に膜形成することができる管体内周面に
膜形成する方法及び装置を提供することができる。
内径に比べて長さの大きい管体でもその内周面に均一
に、又は均一状に成膜を行うことができ、しかも生産性
よく管体内周面に膜形成することができる管体内周面に
膜形成する方法及び装置を提供することができる。
【図１】本発明に係る管体内周面に膜形成する装置例の
概略構成を示す図である。
概略構成を示す図である。
【図２】図１に示す装置における、ソレノイドコイルへ
の通電制御状態を示す図である。
の通電制御状態を示す図である。
【図３】従来の、管体内周面に膜形成する装置例の概略
構成を示す図である。
構成を示す図である。
１ 真空容器 １１ 排気装置１２ ゲート弁 ２ スパッタターゲット ２１ 内部電源 ２２ 電源部 ２２ａ 切替えスイッチ ２２ｂ 電圧可変直流電源 ２２ｃ 高周波電源 ２２ｄ バンドパスフィルター ３１、３２ スパッタターゲット２の支持部材 ３１ａ 同軸電極６１を通す孔 ３１ｂ ネジ ４ 被成膜管体Ｓ１のホルダ ４１ 孔 ５ リフレクター ５１ 電気絶縁性部材 ６１ 同軸電極 ６２ スタブチューナ ６３ アイソレータ ６４ マイクロ波電源 ７ プラズマソースガス供給部 ７１１、７１２ マスフローコントローラ ７２１、７２２ 弁 ７３１、７３２ プラズマソースガスのガス源 ８１ 直流電源 ８０ スイッチ制御部 ８２ スイッチレギュレータ ８３ インターフエース ８４ コンピュータ部 Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５ ソレノイドコイル ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５ 開閉スイッ
チ Ｓ１ 被成膜管体
チ Ｓ１ 被成膜管体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/34 C23C 14/35
Claims (6)
- 【請求項１】 真空容器内に被成膜管体を配置するとと
もに該管体の中心部にスパッタ用電圧を印加される棒状
のスパッタターゲットを配置し、前記真空容器内を所定
の成膜真空度に維持しつつ、前記被成膜管体内にプラズ
マソースガスを導入するとともに前記被成膜管体内部に
マイクロ波を導入し、同時に、前記導入したマイクロ波
に対してＥＣＲ条件を満たす磁場を前記被成膜管体内部
に印加し、発生した前記プラズマソースガスのプラズマ
にて前記スパッタターゲットをスパッタリングすること
で前記管体内周面に膜形成する方法であって、前記磁場
印加位置を該管体内部の膜形成範囲における一端部から
他端部まで管軸方向に順に移動させて被成膜管体内部で
ＥＣＲ共鳴点を移動させることを特徴とする管体内周面
に膜形成する方法。 - 【請求項２】 前記被成膜管体内部への磁場印加におい
て、磁場印加位置を該管体内部の膜形成範囲の一端部か
ら他端部まで前記管軸方向に、複数回繰り返し移動させ
る請求項１記載の管体内周面に膜形成する方法。 - 【請求項３】 前記被成膜管体内部への磁場印加におい
て、磁場印加位置を該管体内部の膜形成範囲の、マイク
ロ波を導入する側とは反対側の端部からマイクロ波導入
側の端部まで移動させる請求項１又は２記載の管体内周
面に膜形成する方法。 - 【請求項４】 真空容器と、前記容器内に被成膜管体を
支持する管ホルダと、前記管ホルダに支持される被成膜
管体の中心部に棒状のスパッタターゲットを支持するタ
ーゲット支持手段と、前記管ホルダに支持される被成膜
管体内にプラズマソースガスを導入する手段と、前記管
ホルダに支持される被成膜管体内部にマイクロ波を導入
する手段と、前記ターゲット支持手段に支持されるスパ
ッタターゲットにスパッタ用電圧を印加する手段と、前
記真空容器の外周に、前記管ホルダに支持される被成膜
管体の管軸方向に順次並べ設けられた複数のソレノイド
コイルと、前記複数のソレノイドコイルの一端のものか
ら他端のものにかけてタイミングをずらせて順にパルス
状に通電する給電手段とを備え、前記各ソレノイドコイ
ルは、前記マイクロ波導入手段により導入されるマイク
ロ波に対してＥＣＲ条件を満たす磁場を印加できるもの
であることを特徴とする管体内周面に膜形成する装置。 - 【請求項５】 前記給電手段が、前記複数のソレノイド
コイルの一端のものから他端のものにかけてタイミング
をずらせて順にパルス状に通電し、これを複数回繰り返
すものである請求項４記載の管体内周面に膜形成する装
置。 - 【請求項６】 前記給電手段が、前記複数のソレノイド
コイルの、前記マイクロ波導入手段によりマイクロ波が
導入される側とは反対側の端のものからマイクロ波導入
側端のものにかけてタイミングをずらせて順にパルス状
に通電させるものである請求項４又は５記載の管体内周
面に膜形成する装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7106067A JP2920187B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 管体内周面に膜形成する方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7106067A JP2920187B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 管体内周面に膜形成する方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08296038A JPH08296038A (ja) | 1996-11-12 |
| JP2920187B2 true JP2920187B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=14424266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7106067A Expired - Fee Related JP2920187B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 管体内周面に膜形成する方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920187B2 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6193853B1 (en) | 1999-02-25 | 2001-02-27 | Cametoid Limited | Magnetron sputtering method and apparatus |
| KR100784054B1 (ko) * | 2004-05-29 | 2007-12-10 | 김춘식 | 강관의 內外部또는 금속 棒材 및 판재의 外部에 금속 막을 DC-Magnetron Sputtering 를 이용해서 형성시키는 장치 |
| JP4621914B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-02-02 | 国立大学法人 長崎大学 | 極細管内壁面のコーティング方法およびコーティング装置 |
| JP4693120B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2011-06-01 | 国立大学法人 長崎大学 | 極細長軸体へのコーティング方法および極細長軸体へのコーティング装置 |
| DE102008018902A1 (de) * | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur inneren Oberflächenbehandlung von Hohlkörpern |
| US8349156B2 (en) * | 2008-05-14 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Microwave-assisted rotatable PVD |
| JP5483915B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2014-05-07 | 日立造船株式会社 | 管体内面への透明導電膜成膜方法 |
| EP3222749A1 (en) | 2009-05-13 | 2017-09-27 | SiO2 Medical Products, Inc. | Outgassing method for inspecting a coated surface |
| WO2013170052A1 (en) | 2012-05-09 | 2013-11-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
| US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
| US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
| EP2776603B1 (en) | 2011-11-11 | 2019-03-06 | SiO2 Medical Products, Inc. | PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS |
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