JPH04280430A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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JPH04280430A
JPH04280430A JP4210791A JP4210791A JPH04280430A JP H04280430 A JPH04280430 A JP H04280430A JP 4210791 A JP4210791 A JP 4210791A JP 4210791 A JP4210791 A JP 4210791A JP H04280430 A JPH04280430 A JP H04280430A
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JP
Japan
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plasma
magnet unit
chamber
processing apparatus
magnet
Prior art date
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JP4210791A
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English (en)
Inventor
Kenji Kondo
健治 近藤
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波を用いて
形成したプラズマを、被処理基板への薄膜形成あるいは
エッチング等の処理に利用する装置であって、排気装置
を備え内部に被処理基板が配される円筒状真空容器から
なる成膜室と、プラズマ空間を形成する円筒状真空容器
からなるプラズマ室と,該円筒の周方向に交互に極性を
変えかつそれぞれの磁化方向が該円筒の半径方向と一致
するように配列された永久磁石群からなる磁石ユニット
と,該磁石ユニットで囲まれた空間にマイクロ波を導入
する手段とを備えたプラズマ生成部とを備えてなり、特
に、マイクロ波を用いて形成されるプラズマが電子サイ
クロトロン共鳴 (以下ECRとも記す) 条件の下で
形成されるプラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロ波と磁界とによる電子サイクロ
トロン共鳴を利用したプラズマ処理装置において、プラ
ズマ発生用ガス分子を効率よく電離し、広い領域で均一
なプラズマを発生させることを目的として、磁場閉じ込
めという方法が知られており、この磁場閉じ込め方法を
適用したプラズマ生成部を有するプラズマ処理装置が、
例えば特開平2−173268号公報において開示され
ている。図6にかかる従来の磁場閉じ込め構造をもつプ
ラズマ処理装置の概略図を示す。
【0003】プラズマ室2には、プラズマ発生用のガス
供給手段5とマイクロ波導入手段3とが接続されている
。マイクロ波導入手段は、マイクロ波の伝達路を構成す
る導波管3Aと,石英あるいはセラミックスからなりプ
ラズマ室2のマイクロ波導入口に気密に取り付けられる
マイクロ波導入窓3Bとからなる。また、プラズマ室2
の外周には、複数個の永久磁石11A を、円筒状真空
容器からなるプラズマ室2の周方向に交互に極性を変え
かつそれぞれの磁化方向がプラズマ室2の半径方向と一
致するように配列して全体としてリング状に構成された
磁石ユニット11がある。この磁石ユニット11により
、同図(a) のA−A線に沿う断面を示す同図(b)
 中にあるような磁力線9が発生し、この磁力線により
、プラズマを閉じ込める多重カスプ磁界を形成し、プラ
ズマの周囲への拡散を防止し、プラズマを高密度化する
。カスプ磁場は、互いに向かい合う方向の磁力線がこの
方向と直角の同一方向へ曲がって先端が尖ったアステロ
イド状の領域を形成した磁場であり、図のように、複数
の,交互に極性の異なる磁石が周方向に配列されている
場合には、円筒の内側に磁石と同数のカスプ磁場が形成
される。磁場中の荷電粒子は磁力線に巻き付くようにラ
ーモア運動をするため、磁力線を横切って運動しにくく
、プラズマはこの多重カスプ磁場の内側に閉じ込められ
、プラズマ室2に導入されるプラズマ発生用ガスの流量
による差は生じるものの、プラズマ室内のプラズマは高
密度化する。このとき、プラズマを閉じ込め、かつ周辺
部での電離効率を上げるためにも、プラズマ室2内の磁
束密度の大きさは、ECR条件を満たす約875ガウス
が適当である。この場合、周辺部では、磁束密度が約9
30ガウス付近まで875ガウスの場合と同程度の高密
度プラズマが得られる。なお、プラズマの磁場閉じ込め
のための永久磁石の配列方法として、上記特開平2−1
73268号公報において、永久磁石の磁化方向をプラ
ズマ室の軸方向と一致させ、かつ軸方向の同側が同極性
となるようにして周方向に配列したものも示されている
が、この配列によるものは本発明の対象としていない。
【0004】このように構成されたプラズマ処理装置に
おける成膜は、導波管3Aとマイクロ波導入窓3Bとか
らなるマイクロ波導入手段3を通してマイクロ波をプラ
ズマ室2内に導入するとともに、プラズマ生成用ガスと
して例えばN2 Oガスを導入し、このガスをECR条
件を満たす磁場領域で効率よくプラズマ化しつつ成膜室
1内へ押し出し、このプラズマにより、ガス導入手段4
を通して成膜室1内へ導入された反応ガスである, 例
えばSiH4 ガスを分解, 活性化するとともに、基
板台12に載置された基板にO+ を注入して基板表面
を反応活性化して基板表面にSiO2 分子を堆積させ
ることにより行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来装置における磁場
閉じ込め方法には永久磁石を使用しているため、プロセ
ス条件開発上の適正なカスプ磁場を得るための調整機構
がなかった。また、電磁石によってこの磁石ユニットを
構成しようとすれば、プラズマ室内に約875ガウスの
磁場を円弧状に発生させる必要から、電磁石同志を近接
して配置することができず、このために円弧状の磁路の
長さも必然的に長くなり、この磁路に約875ガウスの
磁束密度を発生させるためには、電磁石に必要とする起
磁力も大きくなり、電磁石コイルの断面が大きく、コイ
ルの巻数によっては電流が大きくなってしまい、特に直
径が6インチあるいは8インチ基板に成膜する装置にお
いては構成が困難であるという問題があった。
【0006】この発明の課題は、カスプ磁場の形成位置
を調整可能なプラズマ処理装置の構成を提供することで
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明においては、排気装置を備え内部に被処理基
板が配される円筒状真空容器からなる成膜室と、プラズ
マ空間を形成する円筒状真空容器からなるプラズマ室と
,該円筒の周方向に交互に極性を変えかつそれぞれの磁
化方向が該円筒の半径方向と一致するように配列された
永久磁石群からなる磁石ユニットと,該磁石ユニットで
囲まれた空間にマイクロ波を導入する手段とを備えたプ
ラズマ生成部とを備え、プラズマ室に導入されプラズマ
化されたガスを用いて成膜室内の被処理基板に薄膜形成
等の処理を施すプラズマ処理装置を、前記プラズマ生成
部の磁石ユニットを取り囲むように周方向に交互に極性
を変えかつそれぞれの磁化方向がプラズマ室の半径方向
と一致するように配列されて互いに一体化された永久磁
石群からなる第2の磁石ユニットと、該第2の磁石ユニ
ットをプラズマ生成部の磁石ユニットの周りに回転させ
る駆動機構とを備えた装置とするものとする。
【0008】この場合、プラズマ生成部の磁石ユニット
 (以下第1の磁石ユニットという)は、被処理基板の
直径などを勘案して、プラズマ室の外側または内側に配
するものとする。
【0009】また、第1の磁石ユニットを構成する永久
磁石は周方向等間隔に配列するとともに、第2の磁石ユ
ニットを構成する永久磁石は個数を第1の磁石ユニット
の永久磁石と同数として周方向等間隔に、強磁性板材か
らなるリングの内側に固設した構造とすれば好適である
【0010】そして、第2の磁石ユニットを構成するリ
ングを、外周面が、該第2の磁石ユニットをプラズマ生
成部の磁石ユニットの周りに回転駆動させる回転駆動力
の伝達面として形成されたリングとすればさらに好適で
ある。
【0011】
【作用】このように、第1の磁石ユニットを囲む第2の
磁石ユニットを備えた装置とし、かつ第2の磁石ユニッ
トを回転可能に構成することにより、第2の磁石ユニッ
トの回転位置により、プラズマ室内部に形成される円弧
状磁場の強度が変わり、同一強度の磁場により囲まれる
領域の最小内径が変わる。従って、この磁場強度を、プ
ラズマが最も効率的に発生するECR条件を満たす磁場
強度とし、その最小内径を小さく形成すれば、プラズマ
室の中央部領域のプラズマ密度が高くなるとともに、プ
ラズマ室の内壁面に沿って磁場強度の強いカスプ磁場が
形成されるから、プラズマ室内全体としても密度の高い
プラズマが形成される。また、ECR条件を満たす等磁
場曲線の最小内径を大きく形成すれば、プラズマ室内壁
面近傍のプラズマ密度が中央部より高くなり、高プラズ
マ密度領域が広がる一方、プラズマ室内壁面に沿ったカ
スプ磁場の強度が小さくなるので、プラズマがカスプ磁
界を横切って拡散する割合が大きくなり、プラズマ室全
体としてプラズマ密度が低下する。従って、被処理基板
の直径, 目的とする膜厚,膜質分布や成膜速度等と関
連してプラズマ室内に最適なプラズマ密度分布を形成す
ることが可能になる。
【0012】この場合、第1の磁石ユニットをプラズマ
室の外側に配した装置とすれば、装置の構成が簡易化さ
れ、また、内側に配した構成とすれば、小型の磁石ユニ
ットによりプラズマ室の中央部領域に高密度プラズマを
閉じ込めることができ、より小径の基板処理に経済的に
対応することができる。もちろん、この場合には、磁石
ユニットを構成する永久磁石は、プラズマ室と同一材で
表面をコーティングし、磁石の材質中に含まれる汚染物
質のプラズマ熱による蒸発を防止するようにする。
【0013】また、第1の磁石ユニットを構成する永久
磁石を周方向等間隔に配列するとともに、第2の磁石ユ
ニットを構成する永久磁石の個数を第1の磁石ユニット
と同数として周方向等間隔に、強磁性板材からなるリン
グの内側に固設した構造とすれば、第2の磁石ユニット
を構成する各永久磁石相互間の間隔が、第1の磁石ユニ
ットを構成する各永久磁石相互間の間隔よりも、プラズ
マ室中心からの距離に比例して大きくなることから、第
2の磁石ユニット最外側の各永久磁石磁極相互間の磁路
の磁気抵抗が、該各磁極間を強磁性板材のリングで結合
しない場合と比べて著しく小さくなり、回転角を変えた
ときの第1の磁石ユニットから出るプラズマ室内磁束量
の変化の割合を大きくすることができる。
【0014】そして、第2の磁石ユニットのリング外周
面を回転駆動力の伝達面, 例えば歯車の歯面に形成す
ることにより、駆動機構が著しく簡易化され、かつ装置
をさほど大きくすることなく、第2の磁石ユニットを回
転駆動可能な装置とすることができる。
【0015】
【実施例】以下、本発明を、実施例の図を用いて説明す
る。図1は本発明の第1の実施例によるプラズマ処理装
置の概略図である。円筒状のプラズマ室2を取り囲んで
周方向に交互に極性を変えかつそれぞれの磁化方向がプ
ラズマ室2の半径方向と一致するように、かつ等間隔に
配列された永久磁石群からなる,従来構成の第1の磁石
ユニット6の外側に、該第1の磁石ユニット6を取り囲
んで第2の磁石ユニット7が配されている。この第2の
磁石ユニット7は、強磁性板材からなるリング7Aの内
側に、第1の磁石ユニット6と同数の永久磁石を、周方
向に交互に極性を変えかつそれぞれの磁化方向がプラズ
マ室2の半径方向と一致するように、かつ等間隔に配置
してリング7Aに固設してなり、ここには特に図示して
いないが、リング7Aの下端面を、ボールを用いたスラ
ストベアリングで支承するとともに、リング7Aの外周
面の一部の軸方向長さ範囲を、内壁面に摩擦係数の小さ
い材料,例えば四弗化エチレンからなるライナを有する
リング状のプレーンベアリングで案内させている。また
、リング7Aの外周面の別の一部の軸方向長さ範囲は歯
車の歯面に形成され、これと噛み合う小径の歯車8Aを
、減速機構を備えたモータ8Bにより回転駆動すること
により第2の磁石ユニット7が第1の磁石ユニット6の
周りを回転する。このときの回転角は、図示されない制
御装置内にあらかじめ設定され、所定の回転角回転した
時点でモータ8Bが停止する。
【0016】次に、このように第1, 第2の磁石ユニ
ットを備えたプラズマ処理装置のプラズマ室2内に形成
されるカスプ磁場の調整方法を、図3, 図4, 図5
を用いて説明する。それぞれの図中、破線で示す等磁場
曲線10は、強度が875ガウスのカスプ磁場を示す。 図3のように、第1の磁石ユニット6の磁石と第2の磁
石ユニット7の磁石とがいずれもプラズマ室の同一半径
の延長線上で対向し、かつ対向面の極性が異なる場合に
は、875ガウスの等磁場曲線は、プラズマ室内壁面か
ら最も離れた位置に形成され、プラズマがこの等磁場曲
線上で最も効率よく発生することから、高密度のプラズ
マ領域の面積は最も小さくなる。駆動機構を用いて第2
の磁石ユニット7を回転させると、第1, 第2の磁石
ユニットのそれぞれ対向する磁石の磁極とその相対位置
とにより、図4に示されるように等磁場曲線10がプラ
ズマ室内壁面に接近し、図5のように、プラズマ室の同
一半径延長線上で対向する磁極の極性が同じとき、等磁
場曲線10はプラズマ室内壁面に最も接近し、効率よく
発生したプラズマも外方へ拡散しやすくなり、プラズマ
室内で閉曲線を形成する,より強度の小さい磁場により
形成された低密度のプラズマとともに、全体として密度
がより小さいプラズマが室内に閉じ込められる。
【0017】図2は本発明の第2の実施例によるプラズ
マ処理装置の概略図である。図1に示す第1の実施例と
異なる所は、第1の磁石ユニット6がプラズマ室2の内
側に配されている点であり、このように装置を構成する
ことにより、同じ大きさのプラズマ室を用いてECR条
件を満たす等磁場曲線の最小内径を小さくすることがで
き、より小径の基板への成膜をより高速に行うことがで
きる。もちろん、この場合には、第1の磁石ユニット6
の各磁石は、その構成材のプラズマ熱による蒸発により
形成膜を汚染することのないよう、プラズマ室と同一材
を用いて表面がめっき等の手段によりコーティングされ
る。
【0018】
【発明の効果】本発明では、プラズマ処理装置を以上の
ように構成したので、以下に記載する効果が得られる。
【0019】請求項1の装置では、第2の磁石ユニット
とその駆動機構とによってプラズマ室内部の等磁場曲線
の内径を変化できるようになるため、プラズマ領域の面
積やプラズマ室内壁での電子の消失する割合を変化させ
て、プラズマ領域の面積や均一性の調節が可能となる。 その結果、プロセス条件開発上最適なプラズマ領域を絞
り込むことが可能となり、また、プラズマ領域の面積や
均一性を変化させることのできるパラメータが、第2の
磁石ユニットの回転角位置として多数存在することによ
り、多様なプロセスに対応できるようになる。
【0020】請求項2の装置では装置の構成が簡易化さ
れ、かつプラズマ室内の全面積をプラズマ領域の面積と
プラズマ密度の均一性の調節に利用することができる。
【0021】請求項3の装置では、同じ大きさのプラズ
マ室を用いてより小形の磁石ユニットによりプラズマ室
の中央部領域に高密度のプラズマを閉じ込めることがで
き、より小径の基板処理に経済的に対応することができ
る。
【0022】請求項4の装置では、第2の磁石ユニット
の各磁石間磁路の磁気抵抗が大幅に低減され、第2の磁
石ユニットの回転角を変えたときの第1の磁石ユニット
から出るプラズマ室内磁束量の変化割合を大きくするこ
とができ、より広い領域でのプラズマ密度均一性の調節
が可能になる。
【0023】請求項5の装置では、駆動機構が著しく単
純化され、かつ装置をさほど大型化することなく回転駆
動機能を有する装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例によるプラズマ処理装置
の構成を示す図であって、同図(a) は装置要部の縦
断面図、同図(b) は第1および第2の磁石ユニット
の構成を示す平面図
【図2】本発明の第2の実施例によるプラズマ処理装置
の構成を示す図であって、同図(a) は装置要部の縦
断面図、同図(b) は第1および第2の磁石ユニット
の構成を示す平面図
【図3】本発明のプラズマ処理装置において、ECR条
件を満たす等磁場曲線の最小内径が最小となる第1およ
び第2の磁石ユニットの相対位置を示す説明図
【図4】
本発明によるプラズマ処理装置において、ECR条件を
満たす等磁場曲線が形成する多重カスプ磁場における各
カスプ磁場の実質的な頂点がプラズマ室内壁面上に位置
するときの第1および第2の磁石ユニットの相対位置を
示す説明図
【図5】本発明によるプラズマ処理装置において、EC
R条件を満たす等磁場曲線が形成する多重カスプ磁場に
おける各カスプ磁場の実質的な頂点がプラズマ室内壁面
より外側に位置するときの第1および第2の磁石ユニッ
トの相対位置を示す説明図
【図6】従来のプラズマ処理装置の構成を示す図であっ
て、同図(a) は装置要部の縦断面図、同図(b) 
は磁石ユニットの構成を示す平面図
【符号の説明】
1    成膜室 2    プラズマ室 3    マイクロ波導入手段 5    ガス導入手段 6    第1の磁石ユニット 7    第2の磁石ユニット 7A  リング 8    駆動機構 11    磁石ユニット 11A  永久磁石

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】排気装置を備え内部に被処理基板が配され
    る円筒状真空容器からなる成膜室と、プラズマ空間を形
    成する円筒状真空容器からなるプラズマ室と,該円筒の
    周方向に交互に極性を変えかつそれぞれの磁化方向が該
    円筒の半径方向と一致するように配列された永久磁石群
    からなる磁石ユニットと,該磁石ユニットで囲まれた空
    間にマイクロ波を導入する手段とを備えたプラズマ生成
    部とを備え、プラズマ室に導入されプラズマ化されたガ
    スを用いて成膜室内の被処理基板に薄膜形成等の処理を
    施すプラズマ処理装置において、前記プラズマ生成部の
    磁石ユニットを取り囲むように周方向に交互に極性を変
    えかつそれぞれの磁化方向がプラズマ室の半径方向と一
    致するように配列されて互いに一体化された永久磁石群
    からなる第2の磁石ユニットと、該第2の磁石ユニット
    をプラズマ生成部の磁石ユニットの周りに回転させる駆
    動機構とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 【請求項2】請求項第1項に記載のプラズマ処理装置に
    おいて、プラズマ生成部の磁石ユニットがプラズマ室の
    外側に配されていることを特徴とするプラズマ処理装置
  3. 【請求項3】請求項第1項に記載のプラズマ処理装置に
    おいて、プラズマ生成部の磁石ユニットがプラズマ室の
    内側に配されていることを特徴とするプラズマ処理装置
  4. 【請求項4】請求項第1項に記載のプラズマ処理装置に
    おいて、プラズマ生成部の磁石ユニットを構成する永久
    磁石は周方向等間隔に配列されるとともに、第2の磁石
    ユニットを構成する永久磁石は個数を前記プラズマ生成
    部の磁石ユニットと同数として周方向等間隔に、強磁性
    板材からなるリングの内側にそれぞれ固設されているこ
    とを特徴とするプラズマ処理装置。
  5. 【請求項5】請求項第4項に記載のプラズマ処理装置に
    おいて、第2の磁石ユニットを構成するリングは、外周
    面が、該第2の磁石ユニットをプラズマ生成部の磁石ユ
    ニットの周りに回転駆動させる回転駆動力の伝達面とし
    て形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
JP4210791A 1991-03-08 1991-03-08 プラズマ処理装置 Pending JPH04280430A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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