JP2014086579A - 真空チャンバ用反射部材 - Google Patents
真空チャンバ用反射部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014086579A JP2014086579A JP2012234584A JP2012234584A JP2014086579A JP 2014086579 A JP2014086579 A JP 2014086579A JP 2012234584 A JP2012234584 A JP 2012234584A JP 2012234584 A JP2012234584 A JP 2012234584A JP 2014086579 A JP2014086579 A JP 2014086579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- chamber
- light
- wafer
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】真空チャンバ内で光の反射に用いられる反射部材は、クオーツ基板と、クオーツ基板上に形成され、真空チャンバの内部を構成する金属材料と同一材料で形成された金属反射層と、金属反射層上に形成された二酸化ケイ素層の透明保護層とを備える。
【選択図】図1
Description
12 クオーツ基板
14 金属反射層
16 透明保護層
20 オリエンタチャンバ
30 ウェハ検出装置
100 半導体製造システム
Claims (3)
- 真空チャンバ内で光の反射に用いられる反射部材であって、
クオーツ基板と、
クオーツ基板上に形成され、真空チャンバの内部を構成する金属材料と同一材料で形成された金属反射層と、
金属反射層上に形成された二酸化ケイ素層の透明保護層とを備えた真空チャンバ用反射部材。 - 前記金属材料はアルミニウムである請求項1記載の真空チャンバ用反射部材。
- 前記金属反射層は蒸着層である請求項1又は2記載の真空チャンバ用反射部材。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261716062P | 2012-10-19 | 2012-10-19 | |
US61/716,062 | 2012-10-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014086579A true JP2014086579A (ja) | 2014-05-12 |
JP2014086579A5 JP2014086579A5 (ja) | 2015-12-10 |
Family
ID=50792615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012234584A Pending JP2014086579A (ja) | 2012-10-19 | 2012-10-24 | 真空チャンバ用反射部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014086579A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021140757A1 (ja) * | 2020-01-06 | 2021-07-15 | セントラル硝子株式会社 | 金属材料、金属材料の製造方法、半導体処理装置のパッシベーション方法、半導体デバイスの製造方法、および、充填済み容器の製造方法 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01303737A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Canon Inc | 位置決め装置 |
JPH04280430A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH05173005A (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-13 | Asahi Optical Co Ltd | アルミニウム表面反射鏡 |
JPH07183361A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Kokusai Electric Co Ltd | ウェーハ検知方法 |
JPH0915407A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nikon Corp | 反射光学素子 |
JPH09195034A (ja) * | 1996-01-09 | 1997-07-29 | Canon Inc | 光学素子の製造方法 |
JPH10242233A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法 |
JPH11145254A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Nikon Corp | 基板角度位置検出装置 |
JP2002270534A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2006220903A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Canon Inc | 反射ミラー、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007011333A (ja) * | 2005-06-17 | 2007-01-18 | Schott Ag | 金属反射鏡および金属反射鏡の製作方法 |
JP2007157968A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Yaskawa Electric Corp | 半導体ウエハ角度調整装置 |
JP2007165655A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates Inc | ウエハ方向センサー |
JP2009281990A (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Nikon Corp | 光学式エンコーダのスケール及びその製造方法 |
JP2011186401A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Nagoya City | アルミニウム反射鏡及びアルミニウム反射鏡の製造方法 |
JP2011221208A (ja) * | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Konica Minolta Opto Inc | アルミニウム表面反射鏡 |
JP2011222733A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | ウェーハハンドリング方法およびイオン注入装置 |
-
2012
- 2012-10-24 JP JP2012234584A patent/JP2014086579A/ja active Pending
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01303737A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Canon Inc | 位置決め装置 |
JPH04280430A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH05173005A (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-13 | Asahi Optical Co Ltd | アルミニウム表面反射鏡 |
JPH07183361A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Kokusai Electric Co Ltd | ウェーハ検知方法 |
JPH0915407A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nikon Corp | 反射光学素子 |
JPH09195034A (ja) * | 1996-01-09 | 1997-07-29 | Canon Inc | 光学素子の製造方法 |
JPH10242233A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法 |
JPH11145254A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Nikon Corp | 基板角度位置検出装置 |
JP2002270534A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2006220903A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Canon Inc | 反射ミラー、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007011333A (ja) * | 2005-06-17 | 2007-01-18 | Schott Ag | 金属反射鏡および金属反射鏡の製作方法 |
JP2007157968A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Yaskawa Electric Corp | 半導体ウエハ角度調整装置 |
JP2007165655A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates Inc | ウエハ方向センサー |
JP2009281990A (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Nikon Corp | 光学式エンコーダのスケール及びその製造方法 |
JP2011186401A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Nagoya City | アルミニウム反射鏡及びアルミニウム反射鏡の製造方法 |
JP2011221208A (ja) * | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Konica Minolta Opto Inc | アルミニウム表面反射鏡 |
JP2011222733A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | ウェーハハンドリング方法およびイオン注入装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021140757A1 (ja) * | 2020-01-06 | 2021-07-15 | セントラル硝子株式会社 | 金属材料、金属材料の製造方法、半導体処理装置のパッシベーション方法、半導体デバイスの製造方法、および、充填済み容器の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI836072B (zh) | 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩 | |
CN107587122A (zh) | 沉积处理监视系统和控制方法以及半导体器件制造方法 | |
TW202104617A (zh) | 極紫外光遮罩吸收材料 | |
JP2019062105A (ja) | 位置検出装置、位置検出方法、および、蒸着装置 | |
TW202033828A (zh) | 極紫外光遮罩吸收材料 | |
JP2014086578A (ja) | オリエンタチャンバ | |
CN110140194A (zh) | 用于处理薄基板的设备和方法 | |
US11275300B2 (en) | Extreme ultraviolet mask blank defect reduction | |
JP2014086579A (ja) | 真空チャンバ用反射部材 | |
KR102398357B1 (ko) | 결합 광학 코팅 및 그 제조 방법(변형들) | |
US20170076965A1 (en) | Transparent Plate and Substrate Processing System Therewith | |
US20110005925A1 (en) | Target backing tube, cylindrical target assembly and sputtering system | |
JP2002064069A (ja) | 熱処理装置 | |
US11036125B2 (en) | Substrate positioning apparatus and methods | |
TWI836207B (zh) | 極紫外光遮罩吸收材料 | |
US20230075471A1 (en) | Multilayer extreme ultraviolet reflectors | |
TW202410133A (zh) | 紫外燈組件、紫外燈固化設備及紫外固化方法 | |
JP7454049B2 (ja) | マルチカソード堆積システム及び方法 | |
TWI845676B (zh) | 極紫外光遮罩吸收劑材料 | |
US11762278B2 (en) | Multilayer extreme ultraviolet reflectors | |
TW202014792A (zh) | 極紫外線遮罩胚缺陷減少 | |
TW202421834A (zh) | 用於化學氣相沉積的多區燈加熱 | |
TW202349536A (zh) | 藉由圖案化uv固化之晶圓翹曲補償 | |
TW202309645A (zh) | 多層極紫外反射器材料 | |
TW202101107A (zh) | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151026 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170412 |