JPH09195034A - 光学素子の製造方法 - Google Patents
光学素子の製造方法Info
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- JPH09195034A JPH09195034A JP127196A JP127196A JPH09195034A JP H09195034 A JPH09195034 A JP H09195034A JP 127196 A JP127196 A JP 127196A JP 127196 A JP127196 A JP 127196A JP H09195034 A JPH09195034 A JP H09195034A
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- etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】表面粗さの大きい基板を用いた場合でも超高反
射鏡を製造することができる光学素子の製造方法を提供
する。 【解決手段】基板上に１層以上の薄膜をコーティングす
ることにより光学素子を製造する方法であって、基板及
び１層以上の薄膜の内、それらの少なくとも１つの表面
をエッチングする工程と、このエッチングした表面上に
次の薄膜層をコーティングする工程とを具備する。
射鏡を製造することができる光学素子の製造方法を提供
する。 【解決手段】基板上に１層以上の薄膜をコーティングす
ることにより光学素子を製造する方法であって、基板及
び１層以上の薄膜の内、それらの少なくとも１つの表面
をエッチングする工程と、このエッチングした表面上に
次の薄膜層をコーティングする工程とを具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、散乱ロスの少ない
光学素子の製造方法ならびに散乱ロスを低減させる光学
素子の製造方法に関するもので、特に超高反射鏡の製造
に関するものである。
光学素子の製造方法ならびに散乱ロスを低減させる光学
素子の製造方法に関するもので、特に超高反射鏡の製造
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来超高反射鏡の反射率は、Ｈｅ−Ｎｅ
レーザーの反射鏡として真空蒸着法では９９．９％〜９
９．９５％程度が限界とされていた。
レーザーの反射鏡として真空蒸着法では９９．９％〜９
９．９５％程度が限界とされていた。
【０００３】イオンビームスパッタ法を用い、表面粗さ
０．１ｎｍの基板に９９．９９９８４％の反射率を８５
０ｎｍの波長で達成したという報告（Ｇ．Ｒｅｍｐｅ，
Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ｖｏｌ １７，Ｎｏ５，
ｐ３６３−３６５，１９９２）がある。
０．１ｎｍの基板に９９．９９９８４％の反射率を８５
０ｎｍの波長で達成したという報告（Ｇ．Ｒｅｍｐｅ，
Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ｖｏｌ １７，Ｎｏ５，
ｐ３６３−３６５，１９９２）がある。
【０００４】超高反射鏡の製造では、表面粗さが０．１
ｎｍ以下の超平滑基板を用いることが一般的となってお
り、粗さによる散乱ロスをいかに小さくするかが高反射
膜を製作するポイントとなっている。
ｎｍ以下の超平滑基板を用いることが一般的となってお
り、粗さによる散乱ロスをいかに小さくするかが高反射
膜を製作するポイントとなっている。
【０００５】従って、プラスチック基板や一般研磨の表
面粗さの大きい基板を用い、かつ一般的な真空蒸着法を
用いて９９．９％以上の反射率をもつ超高反射鏡を製造
することは、散乱ロスが大きいため不可能とされてい
た。
面粗さの大きい基板を用い、かつ一般的な真空蒸着法を
用いて９９．９％以上の反射率をもつ超高反射鏡を製造
することは、散乱ロスが大きいため不可能とされてい
た。
【０００６】真空蒸着以外の製造方法として、前述のイ
オンビームスパッタと同類の製法であるスパッタリング
法（ＲＦ，ＤＣ）を用いると、真空蒸着膜より緻密で膜
自体の散乱ロスの小さい膜製造が可能であることが知ら
れている。しかし、どの膜製法でも基板の粗さに膜粗さ
が依存するため、粗さの大きい基板では散乱ロスの小さ
い膜製造は難しいとされていた。
オンビームスパッタと同類の製法であるスパッタリング
法（ＲＦ，ＤＣ）を用いると、真空蒸着膜より緻密で膜
自体の散乱ロスの小さい膜製造が可能であることが知ら
れている。しかし、どの膜製法でも基板の粗さに膜粗さ
が依存するため、粗さの大きい基板では散乱ロスの小さ
い膜製造は難しいとされていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】膜製作面積や生産性を
考慮した場合、真空蒸着法が最も有利であるが、真空蒸
着法では、イオンビームスパッタ程度の超高反射鏡がで
きないという問題点があった。
考慮した場合、真空蒸着法が最も有利であるが、真空蒸
着法では、イオンビームスパッタ程度の超高反射鏡がで
きないという問題点があった。
【０００８】また、散乱ロスの小さい光学素子、特に超
高反射鏡を製造するためには基板表面粗さを小さくする
ために精密研磨をしなければならずコストが高いという
欠点があった。
高反射鏡を製造するためには基板表面粗さを小さくする
ために精密研磨をしなければならずコストが高いという
欠点があった。
【０００９】また、一般研磨基板やプラスチック基板の
ような表面粗さの大きい基板では、９９．９％以上の高
反射鏡は製造できないという欠点があった。
ような表面粗さの大きい基板では、９９．９％以上の高
反射鏡は製造できないという欠点があった。
【００１０】従って、本発明は上述した課題に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、表面粗さ
の大きい基板を用いた場合でも超高反射鏡を製造するこ
とができる光学素子の製造方法を提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、表面粗さ
の大きい基板を用いた場合でも超高反射鏡を製造するこ
とができる光学素子の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し目
的を達成するために、本発明に係わる光学素子の製造方
法は、基板上に１層以上の薄膜をコーティングすること
により光学素子を製造する方法であって、前記基板及び
前記１層以上の薄膜の内、それらの少なくとも１つの表
面をエッチングする工程と、前記エッチングした表面上
に次の薄膜層をコーティングする工程とを具備すること
を特徴としている。
的を達成するために、本発明に係わる光学素子の製造方
法は、基板上に１層以上の薄膜をコーティングすること
により光学素子を製造する方法であって、前記基板及び
前記１層以上の薄膜の内、それらの少なくとも１つの表
面をエッチングする工程と、前記エッチングした表面上
に次の薄膜層をコーティングする工程とを具備すること
を特徴としている。
【００１２】また、本発明に係わる光学素子の製造方法
は、基板上に２層以上の薄膜をコーティングすることに
より光学素子を製造する方法であって、前記基板の表面
をエッチングする工程と、前記２層以上の薄膜の内、そ
れらの少なくとも１つの表面をエッチングする工程と、
前記エッチングした薄膜の表面上に次の薄膜層をコーテ
ィングする工程とを具備することを特徴としている。
は、基板上に２層以上の薄膜をコーティングすることに
より光学素子を製造する方法であって、前記基板の表面
をエッチングする工程と、前記２層以上の薄膜の内、そ
れらの少なくとも１つの表面をエッチングする工程と、
前記エッチングした薄膜の表面上に次の薄膜層をコーテ
ィングする工程とを具備することを特徴としている。
【００１３】また、この発明に係わる光学素子の製造方
法において、前記薄膜のコーティングを真空蒸着により
行う場合には、前記エッチングは、イオンビーム照射に
より行われることを特徴としている。
法において、前記薄膜のコーティングを真空蒸着により
行う場合には、前記エッチングは、イオンビーム照射に
より行われることを特徴としている。
【００１４】また、この発明に係わる光学素子の製造方
法において、前記薄膜のコーティングをスパッタリング
により行う場合には、前記エッチングは、逆スパッタに
より行われることを特徴としている。
法において、前記薄膜のコーティングをスパッタリング
により行う場合には、前記エッチングは、逆スパッタに
より行われることを特徴としている。
【００１５】また、この発明に係わる光学素子の製造方
法において、前記薄膜の表面をエッチングする工程にお
いては、前記薄膜表面を１ｎｍ以上エッチングすること
を特徴としている。
法において、前記薄膜の表面をエッチングする工程にお
いては、前記薄膜表面を１ｎｍ以上エッチングすること
を特徴としている。
【００１６】また、この発明に係わる光学素子の製造方
法において、前記基板は、光学ガラス又は金属材料又は
プラスチックからなることを特徴としている。
法において、前記基板は、光学ガラス又は金属材料又は
プラスチックからなることを特徴としている。
【００１７】また、この発明に係わる光学素子の製造方
法において、前記光学素子が超高反射鏡であることを特
徴としている。
法において、前記光学素子が超高反射鏡であることを特
徴としている。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて、添付図面を参照して詳細に説明する。
ついて、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】（第１の実施形態）Ｈｅ−Ｎｅレーザー用
（波長６３３ｎｍ）の超高反射鏡を以下の（Ａ）〜
（Ｄ）の４種類の製法で石英基板上に製作し、その反射
率を減衰時間法（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ，ｖｏ
ｌ．２３，Ｎｏ.８，ｐ１２３８−１２４５，１９８
４，Ｄａｎａ Ｚ Ａｎｄｅｒｓｏｎ；Ｍｉｒｒｏｒ
ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｏｐ
ｔｉｃａｌ ｃａｖｉｔｙ ｄｅｃａｙ ｔｉｍｅ）に
よって測定した。
（波長６３３ｎｍ）の超高反射鏡を以下の（Ａ）〜
（Ｄ）の４種類の製法で石英基板上に製作し、その反射
率を減衰時間法（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ，ｖｏ
ｌ．２３，Ｎｏ.８，ｐ１２３８−１２４５，１９８
４，Ｄａｎａ Ｚ Ａｎｄｅｒｓｏｎ；Ｍｉｒｒｏｒ
ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｏｐ
ｔｉｃａｌ ｃａｖｉｔｙ ｄｅｃａｙ ｔｉｍｅ）に
よって測定した。
【００２０】（Ａ）真空蒸着法による従来技術の膜製作 （Ｂ）本発明の、エッチング工程を有する真空蒸着法に
よる膜製作 （Ｃ）スパッタリング法による従来技術の膜製作 （Ｄ）本発明の、エッチング工程を有するスパッタリン
グ方による膜製作 反射鏡の膜構成は各製法ですべて１６（ＴｉＯ2／Ｓｉ
Ｏ2）ＴｉＯ2構成であり、各層の光学膜厚はすべてλ／
４（λ＝６３３ｎｍ）であり、基板温度２００°Ｃで製
作した。
よる膜製作 （Ｃ）スパッタリング法による従来技術の膜製作 （Ｄ）本発明の、エッチング工程を有するスパッタリン
グ方による膜製作 反射鏡の膜構成は各製法ですべて１６（ＴｉＯ2／Ｓｉ
Ｏ2）ＴｉＯ2構成であり、各層の光学膜厚はすべてλ／
４（λ＝６３３ｎｍ）であり、基板温度２００°Ｃで製
作した。
【００２１】真空蒸着法の膜製作で用いた装置の模式図
を図１に示す。また、各製法の製作条件を以下に示す。 真空蒸着： ＳｉＯ2膜；ガス圧（酸素導入） ３ｘ１０-5ｔｏｒｒ 蒸着レート ０．５ｎｍ／ｓ ＴｉＯ2膜；ガス圧（酸素導入） ７ｘ１０-5ｔｏｒｒ 蒸着レート ０．３ｎｍ／ｓ スパッタリング： 方式；ＲＦスパッタ ＳｉＯ2膜；ガス圧（Ａｒ＋２０％Ｏ2） ３ｘ１０-3ｔｏｒｒ 蒸着レート ０．３ｎｍ／ｓ ＴｉＯ2膜；ガス圧（Ａｒ＋５０％Ｏ2） ４ｘ１０-3ｔｏｒｒ 蒸着レート ０．２ｎｍ／ｓ 本実施形態では、エッチングは基板表面と各層の膜製作
直後の膜表面を各層毎に行った。
を図１に示す。また、各製法の製作条件を以下に示す。 真空蒸着： ＳｉＯ2膜；ガス圧（酸素導入） ３ｘ１０-5ｔｏｒｒ 蒸着レート ０．５ｎｍ／ｓ ＴｉＯ2膜；ガス圧（酸素導入） ７ｘ１０-5ｔｏｒｒ 蒸着レート ０．３ｎｍ／ｓ スパッタリング： 方式；ＲＦスパッタ ＳｉＯ2膜；ガス圧（Ａｒ＋２０％Ｏ2） ３ｘ１０-3ｔｏｒｒ 蒸着レート ０．３ｎｍ／ｓ ＴｉＯ2膜；ガス圧（Ａｒ＋５０％Ｏ2） ４ｘ１０-3ｔｏｒｒ 蒸着レート ０．２ｎｍ／ｓ 本実施形態では、エッチングは基板表面と各層の膜製作
直後の膜表面を各層毎に行った。
【００２２】真空蒸着の場合は、イオンビーム照射によ
り基板表面を約１５０ｎｍ、膜表面を約１０ｎｍエッチ
ングした。イオンビーム照射条件はＡｒイオンを用い加
速電圧０．８ＫＶで行った。
り基板表面を約１５０ｎｍ、膜表面を約１０ｎｍエッチ
ングした。イオンビーム照射条件はＡｒイオンを用い加
速電圧０．８ＫＶで行った。
【００２３】スパッタリングの場合は、逆スパッタによ
り基板表面を約１５０ｎｍ、膜表面を約１０ｎｍエッチ
ングした。
り基板表面を約１５０ｎｍ、膜表面を約１０ｎｍエッチ
ングした。
【００２４】基板は合成石英材料を用い、表面粗さ１オ
ングストロームｒｍｓ以下の超平滑研磨を行ったもの
と、表面粗さ５〜８オングストロームｒｍｓ程度の一般
研磨を行った基板を用いた。超平滑研磨基板を用いた反
射鏡の反射率測定結果を図２に、一般研磨基板を用いた
結果を図３に示す。
ングストロームｒｍｓ以下の超平滑研磨を行ったもの
と、表面粗さ５〜８オングストロームｒｍｓ程度の一般
研磨を行った基板を用いた。超平滑研磨基板を用いた反
射鏡の反射率測定結果を図２に、一般研磨基板を用いた
結果を図３に示す。
【００２５】図２及び図３に示すように従来のエッチン
グを行わない通常の膜製作方法で製作した反射鏡に比
べ、本発明の様に次の層を成膜する前に基板表面および
各層の表面をエッチングすることにより反射率が増加し
ていることが確認された。
グを行わない通常の膜製作方法で製作した反射鏡に比
べ、本発明の様に次の層を成膜する前に基板表面および
各層の表面をエッチングすることにより反射率が増加し
ていることが確認された。
【００２６】また、高屈折率材料としてＺｒＯ2、Ｔａ2
Ｏ5を用いた膜構成でもほぼ同様の結果が得られた。
Ｏ5を用いた膜構成でもほぼ同様の結果が得られた。
【００２７】膜のエッチング深さと反射率の関係は、エ
ッチング深さが１ｎｍ以上で反射率増加効果が大きいこ
とが確認された。
ッチング深さが１ｎｍ以上で反射率増加効果が大きいこ
とが確認された。
【００２８】また、基板のみのエッチングでもエッチン
グ無しのサンプルに比べ反射率増加の効果があった。
グ無しのサンプルに比べ反射率増加の効果があった。
【００２９】（第２の実施形態）プラスチック基板にＨ
ｅ−Ｎｅレーザー用高反射鏡を真空蒸着法により製作し
た。ポリカーボネート製基板（ＰＣ）にＳｉＯをアンダ
ーコートしアルミニウム金属膜を製作し、そのうえに誘
電体多層膜を製作して反射率を増加させた膜構成とし
た。
ｅ−Ｎｅレーザー用高反射鏡を真空蒸着法により製作し
た。ポリカーボネート製基板（ＰＣ）にＳｉＯをアンダ
ーコートしアルミニウム金属膜を製作し、そのうえに誘
電体多層膜を製作して反射率を増加させた膜構成とし
た。
【００３０】誘電体多層膜はＴｉＯ2とＳｉＯ2の交互２
５層膜とした。ＳｉＯ膜は抵抗加熱源により光学膜厚２
５０ｎｍ、Ａｌ（アルミニウム）膜は１５０ｎｍ、誘電
体膜厚はすべて１６３ｎｍとした。
５層膜とした。ＳｉＯ膜は抵抗加熱源により光学膜厚２
５０ｎｍ、Ａｌ（アルミニウム）膜は１５０ｎｍ、誘電
体膜厚はすべて１６３ｎｍとした。
【００３１】基板温度は無加熱で行った。膜構成は以下
のような構成である。
のような構成である。
【００３２】基板／ＳｉＯ／Ａｌ／１２（ＴｉＯ2／Ｓ
ｉＯ2）／ＴｉＯ2 エッチングはイオンビーム照射によりＳｉＯ膜を５０ｎ
ｍ行い、誘電体膜であるＴｉＯ2膜、ＳｉＯ2膜はそれぞ
れ１０ｎｍエッチングした。上記膜構成の膜厚はエッチ
ング後の膜厚を示している。イオンビーム条件はＡｒイ
オンを用い加速電圧０．５ＫＶで行った。エッチング処
理の反射率に与える効果を測定した結果を図４に示す。
ｉＯ2）／ＴｉＯ2 エッチングはイオンビーム照射によりＳｉＯ膜を５０ｎ
ｍ行い、誘電体膜であるＴｉＯ2膜、ＳｉＯ2膜はそれぞ
れ１０ｎｍエッチングした。上記膜構成の膜厚はエッチ
ング後の膜厚を示している。イオンビーム条件はＡｒイ
オンを用い加速電圧０．５ＫＶで行った。エッチング処
理の反射率に与える効果を測定した結果を図４に示す。
【００３３】この結果から、従来のエッチングを行わな
い製法でのプラスチック基板上高反射膜の反射率に比
べ、薄膜のエッチング工程を薄膜製作工程に設けること
により反射率が高くなることが明らかとなった。
い製法でのプラスチック基板上高反射膜の反射率に比
べ、薄膜のエッチング工程を薄膜製作工程に設けること
により反射率が高くなることが明らかとなった。
【００３４】これらの原因は、エッチングにより薄膜の
表面粗さが低下し、散乱ロスが低下したものと考えられ
る。薄膜のエッチング有無の２種類のサンプルの表面粗
さを原子間力顕微鏡；ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃ
ｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて測定した結果エッ
チングすることにより表面粗さは数１０％から数分の一
に低下していることが明らかとなった。
表面粗さが低下し、散乱ロスが低下したものと考えられ
る。薄膜のエッチング有無の２種類のサンプルの表面粗
さを原子間力顕微鏡；ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃ
ｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて測定した結果エッ
チングすることにより表面粗さは数１０％から数分の一
に低下していることが明らかとなった。
【００３５】なお、本発明は、その主旨を逸脱しない範
囲で上記実施形態を修正又は変形したものに適用可能で
ある。
囲で上記実施形態を修正又は変形したものに適用可能で
ある。
【００３６】例えば、上記の実施形態では、多層の薄膜
の夫々の表面をエッチングする様に説明したが、多層の
薄膜のうちの少なくとも１つの薄膜の表面をエッチング
するだけでも反射率の増加の効果は得られる。また、基
板の表面をエッチングするだけでもある程度の効果は得
られる。
の夫々の表面をエッチングする様に説明したが、多層の
薄膜のうちの少なくとも１つの薄膜の表面をエッチング
するだけでも反射率の増加の効果は得られる。また、基
板の表面をエッチングするだけでもある程度の効果は得
られる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜を製作後、次の薄膜をコーティングする前に、薄膜
表面をエッチングする工程を設けることにより、散乱ロ
スの小さい光学素子、特に超高反射鏡を製造することが
可能となった。
薄膜を製作後、次の薄膜をコーティングする前に、薄膜
表面をエッチングする工程を設けることにより、散乱ロ
スの小さい光学素子、特に超高反射鏡を製造することが
可能となった。
【００３８】真空蒸着法で散乱ロスの小さい光学素子を
製造する場合は、真空蒸着装置内のイオンビーム照射に
より薄膜表面を製作後エッチングすると良い。
製造する場合は、真空蒸着装置内のイオンビーム照射に
より薄膜表面を製作後エッチングすると良い。
【００３９】スパッタリング法で製造する場合は、膜製
作後逆スパッタにより薄膜表面をエッチングすると良
い。
作後逆スパッタにより薄膜表面をエッチングすると良
い。
【００４０】薄膜表面のエッチング深さは１ｎｍ以上で
あると反射率増加効果が大きい。
あると反射率増加効果が大きい。
【００４１】基板表面だけあるいは膜表面だけのエッチ
ングでも効果がある。
ングでも効果がある。
【００４２】
【図１】本発明の実施形態で用いられる真空蒸着法によ
り光学素子を製作する装置の模式図である。
り光学素子を製作する装置の模式図である。
【図２】超平滑研磨基板を用いたときの各製造方法での
反射率の測定結果を示した図である。
反射率の測定結果を示した図である。
【図３】一般研磨基板を用いたときの各製造方法での反
射率の測定結果を示した図である。
射率の測定結果を示した図である。
【図４】プラスチック基板を用いたときの薄膜のエッチ
ングが反射率に与える影響を示した図である。
ングが反射率に与える影響を示した図である。
１ 真空チャンバー ２ 蒸発源 ３ 基板ホルダー ４ イオンガン ５ 膜厚制御装置 ６ 排気ポンプ
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に１層以上の薄膜をコーティング
することにより光学素子を製造する方法であって、 前記基板及び前記１層以上の薄膜の内、それらの少なく
とも１つの表面をエッチングする工程と、 前記エッチングした表面上に次の薄膜層をコーティング
する工程とを具備することを特徴とする光学素子の製造
方法。 - 【請求項２】 基板上に２層以上の薄膜をコーティング
することにより光学素子を製造する方法であって、 前記基板の表面をエッチングする工程と、 前記２層以上の薄膜の内、それらの少なくとも１つの表
面をエッチングする工程と、 前記エッチングした薄膜の表面上に次の薄膜層をコーテ
ィングする工程とを具備することを特徴とする光学素子
の製造方法。 - 【請求項３】 前記薄膜のコーティングを真空蒸着によ
り行う場合には、前記エッチングは、イオンビーム照射
により行われることを特徴とする請求項１または２に記
載の光学素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記薄膜のコーティングをスパッタリン
グにより行う場合には、前記エッチングは、逆スパッタ
により行われることを特徴とする請求項１または２に記
載の光学素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記薄膜の表面をエッチングする工程に
おいては、前記薄膜表面を１ｎｍ以上エッチングするこ
とを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
光学素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記基板は、光学ガラス又は金属材料又
はプラスチックからなることを特徴とする請求項１乃至
５のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記光学素子が超高反射鏡であることを
特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光学
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP127196A JPH09195034A (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP127196A JPH09195034A (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 光学素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09195034A true JPH09195034A (ja) | 1997-07-29 |
Family
ID=11496805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP127196A Withdrawn JPH09195034A (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09195034A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001061065A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of depositing an io or ito thin film on polymer substrate |
| JP2014086579A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Applied Materials Inc | 真空チャンバ用反射部材 |
-
1996
- 1996-01-09 JP JP127196A patent/JPH09195034A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001061065A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of depositing an io or ito thin film on polymer substrate |
| US6787441B1 (en) | 2000-02-15 | 2004-09-07 | Korea Institute Of Science And Technology | Method for pretreating a polymer substrate using an ion beam for subsequent deposition of indium oxide or indium tin oxide |
| JP2014086579A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Applied Materials Inc | 真空チャンバ用反射部材 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030401 |