KR20050062535A - 안정화된 플루오르 도핑 실리카 박막층 형성 방법, 동 형성방법에 의해 형성된 박막층, 및 그의 안경 광학에 대한 용도 - Google Patents

안정화된 플루오르 도핑 실리카 박막층 형성 방법, 동 형성방법에 의해 형성된 박막층, 및 그의 안경 광학에 대한 용도 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 방법은 희유가스, 산소 또는 상기 희유가스 및 상기 산소의 혼합물에 의해 형성된 양이온 빔을 형성되는 층에 폭격하는 것을 포함하는 이온 빔 보조 기상 증착, 또는 실리콘 또는 금속 층의 음전극 스퍼터링 및 산화에 의해 얻어진 SiOxFy 층 상에 실리카 SiO2 및/또는 금속 보호층을 형성하는 것을 포함다. 본 발명의 방법은 반사 방지막의 제조에도 적용된다.

Description

안정화된 플루오르 도핑 실리카 박막층 형성 방법, 동 형성 방법에 의해 형성된 박막층, 및 그의 안경 광학에 대한 용도{Method for obtaining a thin stabilized, fluorine-doped silica layer, thin layer obtained and application thereof in ophthalmic optics}
본 발명은 플루오르가 도핑된 실리카 박막(SiOxFy)을 형성하는 방법, 동 형성 방법에 의해 형성된 박막층, 및 그의 안경 광학에 대한 용도에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 안경 렌즈용 다층 반사 방지막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
실리카-기반(SiO2) 박막층은 광학 분야, 특히 안경 광학 분야에 널리 이용되고 있다. 이러한 실리카-기반 박막층은 특히 반사 방지막에 널리 이용된다. 이러한 종래의 반사 방지막은 다층 적층 무기 재료에 제조된다. 이와 같은 다층 반사 방지 적층은 보통 실리카-기반 박막층으로 이루어진 저 굴절률을 갖는 적어도 하나의 층을 포함한다.
이러한 실리카-기반 박막 층을 증착하는 기술은 매우 다양하지만, 진공하의 증발에 의한 증착이 가장 일반적으로 이용되는 기술이다. 이러한 실리카-기반(SiO2) 박막층은 만족할 만한 기계적인 특징 및 약 630nm 파장에 대하여 약 1.48의 굴절률을 갖는다.
하지만, 반사 방지 적층의 광학적 성능을 개선하고 새로운 반사 방지 적층 시스템을 개발하기 위하여, 상기한 저 굴절률 층의 만족할 만한 기계적인 특징을 유지하면서 상기 저 굴절률 층의 굴절률을 감소시키는 것이 바람직하다.
이와 같은 기술적인 문제들을 해결하기 위한 것으로, 내부에 공기가 포획된 다공성 실리카 (SiO2)가 이미 제안되어 있다.
불행하게도, 복잡한 제조 기술이 이용되는 것에 더하여, 상기 기술에 의해 형성된 층들은 종래 실리카 기반 박막층 보다 더욱 좋지 않은 기계적 특징으로 갖는다.
또한, 플루오르 도핑 실리카 박막층이 다른 기술 분야, 특히 초소형 전자 기술 분야에 사용되는 것은 공지되어 있다. 이 경우에, 정전 유전 상수를 감소시키는 것을 알 수 있다.
상기 박막층은 실리콘 웨이퍼 상에서의 플라즈마 보조 화학 기상 증착에 의해 형성된다.
이러한 플루오르 도핑 실리카 층과 관련된 문제 중의 하나는 시간에 따른 상기한 특징의 변화이다.
유럽특허출원 EP0975017에는 플루오르가 옥시니트라이드 실리콘 층에 의해 코팅된 SiO2/SiOxFy 혼합층 밖으로 확산되는 것을 방지하기 위하여, 상기 SiO2/SiOxFy 혼합층을 포함하는 반도체가 개시되어 있다.
이러한 특허 출원에는 특히 SiO2/SiOxFy 혼합층 상의 단일 SiO2 층의 층착이 플루오르가 상기 혼합 층 밖으로 확산되는 것을 방지하는 것에 대하여 설명되어 있다. 상기 확산은 수백 나노미터 깊이 까지의 실리카 층에서 발생된다.
명백하게, 그에 따라 플루오르 도핑 실리카 층의 특징이 변화하고 부착 문제가 양 층들의 계면에서 발생할 수 있다.
그래서, 본 발명의 목적은 안정화된 SiO2/SiOxFy 플루오르 도핑 실리카 박막층, 특히 저 굴절률을 갖고, 시간에 따라 안정하고, 적어도 종래 층에 비해 기계적 특징이 우수한 안정화된 SiO2/SiOxFy 플루오르 도핑 실리카 박막층을 형성하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 특히 상기한 안정화된 플루오르 도핑 실리카 층을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 적어도 하나의 저 굴절률을 갖는 층 및 안정화된 플루오르 도핑 실리카 층을 포함하는 다층 반사 방지막을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기한 바와 같은 반사 방지막에 의해 제공된 안경 렌즈를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 공정을 수행하기 위한 장치의 개략도.
도 2는 도 1의 장치의 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 반사방지막과 상업적으로 이용가능한 반사방지막을 침착한 후의 파장과 반사계수의 관계를 나타낸 도표.
도 4는 본 발명에 따른 반사 방지막과 그 평가대상의 반사방지막의 파장과 반사계수의 관계를 나타낸 도표.
도 5는 금속산화막의 침착에 적용되는 메타모드 공정의 흐름도.
도 6은 메타모드 공정을 실현하기 위한 어플라이드 비젼 스퍼터링 장치의 평면도.
본 발명의 특징을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 1 및 도 2에 나타난, 이온빔에 의해 보조되는 박막 증착용 장치가 일반적이다. 이러한 장치는, 진공챔버(1), 하나 또는 다수의 진공 펌프에 연결되어 있는 제 1 단부(2), 및 도어(3)를 포함하는 타측 단부를 포함한다. 콜드 트랩(4)은 상기 진공 펌프들과 연결된 상기 단부(2)에 근접하여 상기 챔버내에 위치되어도 무방하다. 전자총(5)은, 기상화될 실리카를 수용하기에 적합한 도가니(6)를 포함하는 챔버 (1)내에 위치된다. 코팅될 기판 (A)은 석영 마이크로-밸런스(9)에 근접한 지지부에 배치된다. 만일 필요하다면, 산소 가스를 챔버(10)로 공급하기 위한 설비가 제공될 수 있다. 상기 챔버의 압력은 핫음극 압력 게이지(8)에 의해 측정된다. 이온건(7)의 공급라인(11)은 동시에 또는 독립적으로 바람직한 자연상태 및/또는 유속의 가스를 이온건에 공급할 수 있도록 하는 3종 가스 공급 구동 장치에 연결된다.
본 발명의 경우에 있어서, 상기 진공 챔버는 5.10-5 Pa의 기본 진공에 도달하기에 적합한 Leybold Heraeus 챔버이고, 상기 이온건은 MARK II Commonwealth 건이고, 상기 전자총은 Leybold ESV 건이다.
상기 이온건용 가스 공급 구동 장치에 있어서, BROOKS 대량 유량 제어 장치가 아르곤 가스용으로 이용되고, 그것은 상기 MARK II 제어 장치에 의해 제어된다. 크세논과 폴리플루오로카본 혼합물을 공급하기 위해서, 자연상태 및 유속 상태의 가스들이 프로그램될 수 있도록 멀티 가스 컨트롤 장치인 MKS 647B와 같은 장치가 대량 유량 제어 장치로 이용된다.
동일한 장치가 이온의 보조가 없는 SiOxFy 증착에 사용될 수 있다.
본 발명에 따른, 안정된 플루오르-도핑된 실리카 층의 기판상에의 증착은 다음의 과정에 따라 수행된다:
챔버(1)는 2.10-3 Pa(핫캐소드 게이지(8) 수단에 의해 측정됨)의 진공상태로 유지된다. 이온건(7)은 아르곤 가스로 초기화되고, 그 후 CF4 가스가 소정의 유량으로 유입되고(선택적으로는 Xe와 같은 희소가스), 상기 아르곤 흐름이 중단된다(또는 소정의 유량으로 설정됨). 도가니(6)에 위치된 상기 실리카(SiO2) 입자는, 상기 전자빔 건에 의해 예열된다. 챔버(1)에 산소 가스가 이용될 때, 상기 산소는 제어된 유량으로 유입된다. 전자빔 건(5) 및 이온건(7)은 모두 플러그를 구비하고 있고, 상기 전자빔 건과 상기 이온건의 플러그들은 동시에 개방된다. 상기 증착물의 두께는 샘플 기판에 근접한 석영 마이크로-밸런스 (9)에 의해 조절된다. 상기 SiOxFy 층가 소정의 두께로 얻어지면, 상기 플러그들은 폐쇄되고, 전자빔 건(5)의 방사는 감소되고, Ar 또는 Xe(또는 O2) 가스가 이온건(7)에서 소정의 유량으로 유입되고, 그 후 상기 CF4 흐름이 정지된다. 상기 이온건(7)의 양극 전압 및 상기 양극 전류가 안정되면, 상기 플러그들은 개방되고, 그 결과, SiO2 층이 이온빔의 보조에 의해 증착된다(SiO2 IAD). 상기 SiO2 IAD가 소정 두께로 얻어지면, 상기 플러그들은 폐쇄되고, 전자빔(5) 및 이온(7) 건(5)이 닫혀지고, 상기 각종의 가스의 공급이 정지되고, 챔버(1)의 진공이 해제된다.
만일 Ar/CF4 또는 Xe/CF4 또는 O2/CF4 혼합물이 상기 SiOx Fy 층를 증착하는데에 사용되면, 상기 SiOxFy 층가 소정 두께에 도달할 때, 상기 CF4 흐름이 정지되고 Ar 또는 Xe 또는 O2 가 소정의 유량으로 조절된다. 이러한 방식으로, SiO2 IAD 층가 증착된다. 상기 SiO2 IAD 층의 두께가 소정 두께에 도달하면, 상기 플러그들은 폐쇄되고, 상기 전자빔 및 이온건은 정지되고, 상기 각종 가스의 공급이 정지되고, 상기 챔버(1)의 진공이 파괴된다.
물론, 상기 SiOxFy 층를 증착하는 데에, 이온의 보조를 받지 않을 수도 있다. 이러한 경우에, 어떠한 희유 가스도 이온건(7)으로 도입되지 않아야 한다.
다음의 예들은 본 발명을 상세히 설명한다.
상기에 설명한 것과 같은 과정에 의해, 평면 실리콘 샘플은 플루오르 도핑된 실리카 층로 코팅된다.
증착 속도는 0.8nm/sec로 일정하다.
본 발명에 따른 안정화된 SiOxFy 층 형성 방법은 이온 빔 보조 기상 증착, 또는 금속 또는 실리콘 층의 음극 스퍼터링 및 산화에 의하여 실리카 보호 층 및/또는 금속 산화물을 안정화된 SiOxFy 층에 코팅하는 단계를 포함한다.
이온 빔 보조라 함은, 안정화된 SiOxFy 층을 형성하는 중에 희유가스, 산소 또는 상기 희유가스 및 상기 산소의 혼합물로부터 유도된 양이온 빔을 SiO2 실리카에 폭격하는 것을 의미한다.
상기 보호 코팅용 재료로서 본 발명의 구성내의 유용한 금속 산화물의 실시예들은 다음을 포함한다:
Al2O3(알루미나), BaTiO3, BI2O3, B2O 3, CeO2, Cr2O3, Ga2O3, GeO2 ,Fe2O3, HfO2, In2O3, 인듐-주석 산화물, La2O3, MgO, Nd2O3 , Nd2O3, Nb2O5, Pr2O3, Sb2 O3, Sc2O3, SnO2, Ta2O5, TiO, TiO2, TiO3, WO3, Y2O3, Yb2O3, ZnO, ZrO2.
본 발명의 구성내의 상기 바람직한 보호층은 실리카 및/또는 알루미나 층, 바람직하게는 SiO2 실리카층이다.
일반적으로 말해서,상기 SiOxFy 층의 굴절률에 매우 비슷하므로, 상대적으로 낮은 굴절률의 재료뿐만아니라 얇은 두께의 보호층을 증착하는것이 바람직하다.
유리하게는, 상기 보호층의 두께는 2~40nm, 바람직하게는 5~30nm, 그리고 보다 바람직하게는 5~20nm이다.
만약 상기 보호층에 대한 두께가 매우 얇은 경우, 보다 높은 굴절률의 보호층을 이용하는 것도 가능하다.
보다 엄밀하게 말해서, 만약 상기 보호층이 15nm보다 더 두꺼운 경우, 상기 보호층용 재료의 굴절률은 바람직하게는 1.65보다 더 낮다.
만약 상기 보호층이 10~15nm 두께인 경우, 상기 보호층용 재료로서, 2 처럼 높은 굴절률을 갖는 재료를 이용하는 것이 가능하다.
그러나, 그리고 일반적으로 말해서, 상기 보호층용 재료로서, 바람직하게는 1.65이하, 보다 바람직하게는 1.6이하, 그리고 가장 바람직하게는 1.55이하의 굴절률을 갖는 재료를 이용한다.
본 발명의 최적의 실시예에서, 상기 보호층 재료의 굴절률은 1.50이하이다.
위에서 언급한 굴절률들은 550nm 파장 및 25℃에서의 굴절률들이다.
매우 얇은, 일반적으로는 40nm이하, 그리고 전형적으로는 10nm 또는 그보다 얇은 두께의 실리카 및/또는 금속 산화물 증착물들을 통하여 상기 SiOxFy층에 대한 탁월한 보호를 얻을 수 있다는 것을 인식하는 것이 매우 각별하다.
상기 보호층의 매우 얇은 두께 때문에, 후자는 상기 SiOxFy층의 광학적 특성을 불리하게 바꾸지 않고, 따라서 종래의 것에 비하여 향상된 성능을 갖는 반사방지 적층물을 위한 상기 낮은 굴절률의 상기 SiOxFy층을 충분히 이용하는 것이 가능하다.
상기 이온 보조법에 대하여 사용되는 가스들은 바람직하게는 아르곤, 크세논, 및 산소이며, 보다 바람직하게는 아르곤 및 크세논이다.
상기 SiOxFy 실리콘 옥시플루오라이드(oxyfluoride)층은 어느 알려진 공정을 통하여 얻어질 수 있다.
한 방법이 논문 《Characteristics of SiOxFy Thin Films Prepared by Ion Beam Assisted Deposition(OSA Technical Digest, Optical Interference Coatings, 1998.6)에 개시되어 있다. F.J. Lee 와 C.K. Hwangbo는 특히 유리 및 실리콘 기판상에 약 600nm 두께의 SiOxFy의 박막들을 증착하는것에 대해 설명한다. 기본적인 진공압은 1.2×10-4Pa이며 상기 기판의 온도는 약 150℃이다. 상기 실리콘은 체임버내에서 산소분위기하 전자 빔에 의해서 증발되고 상기 실리콘 산화물 증착물은 그의 형성 동안 CF4 가스로부터 출발하는 이온건에 의해서 형성되는 폴리플루오로카본 이온빔에 의해서 충격(bombard)되어진다.
한 증착 방법은 이온 동시-보조(co-assistance)법과 같이 또한 이용될 수 있다. 이 방법은 실리콘 및/또는 실리콘 산화물을 증발시키고 상기 증발된 실리콘 및/또는 실리콘 산화물을 실리콘 산화물층을 형성하기위한 기판 표면상에 증착하는 것, 그의 형성 동안 상기 실리콘 산화물 층을 폴리플루오로카본 화합물 또는 그런 화합물들의 혼합물로 부터 형성되는 양이온 빔에 의해서 충격(bombard)하는 것, 및 또한 상기 실리콘 산화물 층을, 그의 형성동안, 희유가스 또는 희유가스들의 혼합물로 부터 형성된 양이온 빔에 의해서 충격하는 것에 있다.
상기 실리콘 산화물 층을 형성하기 위한, 실리콘 산화물은 SiOx (x<2), SiO2 또는 SiOx/SiO2 혼합물 식을 갖는 것에 이용될 수 있다. 바람직하게는, SiO2 가 이용된다. SiO2(X<2) 또는 SiOx/SiO2 혼합물이 이용될 때, 주변 매질은 산소 O2를 포함할 필요하다.
상기 폴리플루오로카본 화합물은 선형상(linear), 가지상(branched) 또는 원형상(cyclic) 퍼플루오로카본 화합물일 수 있으며, 바람직하게는 선형상 또는 원형상일 수 있다.
선형상 퍼플루오로카본 화합물은 CF4, C2F6, C3F8 et C4F10을 포함할 수 있다; 상기 원형상 퍼플루오로카본 화합물은 C3F6 및 C4F8을 포함할 수 있다;상기 바람직한 선형상 퍼플루오로카본 화합물은 CF4 이고 상기 바람직한 원형상 화합물은 C4F8 이다.
퍼플루오로카본 화합물의 혼합물이 또한 사용될 수 있다.
폴로풀루오로카본(polyfluorocarbon) 화합물은 바람직하게는 CHF3, CH2F2, C2F4H2 중에서 선택된 하이드로제노풀루오로카본(hydrogenofluorocarbon)일 수 있다.
물론, 퍼플루오로카본(perfluorocarbon)과 하이드로제노플루오로카본(hydrogenolfluorocarbon) 화합물의 혼합물도 사용될 수 있다.
희유가스는 바람직하게는 크세논, 크립톤 및 그 혼합물에서 선택된다. 바람직한 희유가스는 크세논이다. 필요시에는 산소가 코어시스턴스(co-assistance)를 제공하는데 사용될 수 있다.
플루오르가 도핑된 실리카막(fluorine-doped silica layer)의 증착동안, 기판은 일반적으로 150℃ 이하이고, 바람직하게는 120℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 30℃ 내지 100℃ 이다.
바람직하게는, 기판의 온도는 50 내지 90℃ 이다.
SiOxFy 막의 침착은 10-2 내지 10-3Pa의 압력으로 진공 챔버에서 행해진다. 필요시에는 산소가스가 막의 증착동안 진공챔버로 유입될 수 있다.
실리콘 옥시플루오라이드막(silicon oxyfluoride layer)의 침착은 불화 가스에 직면하여 실리콘막의 산화공정에 이은 실리콘막의 음극 스퍼터링(cathodic sputtering), 예를 들어 CF4 등의 플루오르화 가스의 존재하에서 산소 플라즈마에 의해 수행될 수 있다.
증기 상태에서의 증착 방법은 음극 스퍼터링보다 양호하다.
플루오르가 도핑된 실리콘 산화막은 일반적으로 5 내지 300nm, 바람직하게는 30 내지 160nm, 보다 바람직하게는 30 내지 100nm의 두께를 가진다.
결과적으로 생긴 플루오르 도핑 실리콘 산화막은 (25℃에서 파장 λ= 632.8nm의 복사에 대하여) 일반적으로 1.38 내지 1.44의 굴절률을 가진다.
바람직하게는, SiOxFy의 증착은 어떠한 이온 코어시스턴스(ion co-assistance) 없이도 수행된다.
이온 어시스턴스(ion assistance)하에서 희유가스 또는 산소로 침착된 막은 일반적으로 내부에 그 기계적인 특성에, 스택의 일부일 때 전체 특성에 손상을 줄 수 있는 고응력을 가진다.
그러나, 본 발명에서는 매우 얇은 두께의 보호막이 이러한 효과를 최소화하며 이 보호막에 의해 안정화된 SiOxFy막을 포함하는 반사방지 적층(antireflection stackings)이 종래의 반사방지 적층과 비교할 수 있는 만족스러운 기계적 특성을 가진다는 것을 알게 되었다.
본 발명은 따라서 본 발명에 따른 적어도 하나의 안정화된 SiOxFy 박막을 포함하는 다층형 반사방지막(multi-layered antireflection coatings)과 관련된다.
종래의 반사방지막은 저굴절률(LI) 또는 다층형 적층(multilayered stacking), 예를 들어 고굴절률(HI)/저굴절률(LI) 이중막(bilayer), (LI/HI/LI) 삼중막(trilayer), (HI/LI/HI/LI) 사중막(tetralayer)을 가지는 단일층 스택으로 이루어지며, 그 굴절률 및 두께는 이 기술분야의 당업자에게 알려된 반사방지 효과를 얻기 위하여 적절히 선택된다.
일반적으로, 저굴절률막은 SiO2 실리카를 근간으로 한다.
사용될 고근절률(HI)의 재료는 1.55 이상, 바람직하게는 1.60 이상, 보다 바람직하게는 1.65 이상의 굴절률을 가지는 재료이다.
바람직하게는 사용될 저굴절률(LI)의 재료는 1.52 이하, 바람직하게는 1.50 이하의 굴절률을 가진다.
일반적으로, 언급되는 굴절률은 특정되지 않은 경우에는 550nm 파장, 25℃에서의 굴절률이다.
다양한 반사방지 적층막(various layers of the antireflection stacking)은 금속 또는 실리콘의 음극 스퍼터링(cathodic sputtering)과 이어지는 금속 또는 실리콘의 산화공정을 통해 제조될 수 있다. 음극 스퍼터링의 사용으로 단일 장치로 스택의 모든 막을 제조할 수 있으며, 또한 필요시 간단하게 스퍼터링된 금속을 변경시키고 산화 공정동안 산소에 플루오르 전구 가스(fluorine precursor gas)를 도입함으로써 SiOxFy막과 SiO2 또는 금속산화보호막을 제조할 수 있다.
음극 스퍼터링에 의한 금속 산화물(metal oxide) 및 실리콘 이산화물 층들(silicon dioxide layers)의 제조 방법 및 장치는 공지되어 있다. OCLI사의 메타모드 상업적으로 이용가능한 방법과 어플라이드 비젼(Applied Vision) RFX10 스퍼터링 장치가 언급될 것이다.
본 발명에 따르면, 저굴절막으로서, 안정화된 SiOxFy/SiO2 및/또는 금속산화막이 사용된다.
2 또는 2 이상의 낮은 굴절률 층들로 이루어진 다층 막의 경우에, 낮은 굴절률 층들 중의 적어도 하나는 본 발명에 따른 SiOxFy/SiO2 및/또는 금속 산화물 2층으로 만들어진다. 바람직하게는 본 발명에 따른 SiOxFy/SiO2 및/또는 금속 산화물 2층은 적층에서 더 높은 위치에 있는 낮은 굴절률 층들로서 사용된다. 즉, 반사방지의 개량이 가장 실질적인 경우에, 상기 낮은 굴절률 층들은 공기와 가장 가까이에 있다.
기판표면으로부터 4 층 HI/LI/HI/LI 으로 이루어진 반사방지막의 경우에, 이러한 층들의 두께는 바람직하게는 기판표면으로부터 다음의 각각의 순서로 변한다:
HI: 10 내지 40 nm
LI: 10 내지 55 nm, 바람직하게는 10 내지 45 nm
HI: 30 내지 155 nm, 바람직하게는 40 내지 150 nm, 보다 바람직하게는 120 내지 150 nm
LI(SiOxFy 층): 70 내지 110 nm
보호층: 2 내지 50 nm.
본 발명에 따른 반사방지막은 또한 상기 기판표면으로부터 시작하여 다음의 순서:HI/LI/HI/LI/HI/LI 대로 된 6 층으로 이루어진다.
이러한 경우에, 상기 층들의 두께는 바람직하게는 기판표면으로부터 시작하여, 다음의 순서대로 변한다:
HI: 10 내지 30 nm
LI: 10 내지 55 nm, 바람직하게는 10 내지 45 nm
HI: 10 내지 160 nm
LI: 10 내지 45 nm
HI: 35 내지 170 nm
LI: 70 내지 95 nm
보호층: 2 내지 40 nm.
본 발명에 따른 반사방지막은, 동등한 적층을 사용하여, 공지의 막들보다 더 낮은 반사계수 Rm(400내지 700nm 사이의 반사계수의 평균값)을 얻을 수 있게 한다.
일반적으로 본 발명에 따른 반사방지막들은 0.6%보다 낮은 Rm을 가지며, 바람직하게는 0.5%보다 낮은 Rm을 가지고, 보다 바람직하게는 0.4%이하의 Rm을 가진다(상기 반사 방지막이 코팅된 기판의 측면에 의해).
0.3% 이하의 Rm을 가지는 반사방지막(antireflection coatings)을 얻을 수 있다.
소정의 파장 및 Rm(400 내지 700nm의 반사의 평균)에서의 반사계수(p)의 정의는 이 기술분야의 당업자에게 알려져 있으며, 표준 ISO/WD 8980-4(반사방지막에 대한 테스트의 세부사항 및 방법)에 기재되어 있다.
본 발명에 따른 SiOxFy/SiO2 및/또는 금속산화물이중막(metal oxide bilayer)뿐만 아니라, 상술한 이중막(bilayer)을 포함하는 반사방지막은 실리콘, 미네랄 글라스 또는 유기 글라스 기판, 예를 들어 유기 글라스 렌즈 등의 적절한 기판에 침착될 수 있으며, 이러한 기판들은 종래에 사용되는 것과 같은 내마모(anti-abrasion) 또는 내충격막(anti-shock films) 등으로 선택적으로 코팅된다.
물론, 본 발명에 따른 반사방지막은 표면 특성을 변형시키는 막, 예를 들어 안티-포울링 하이드로포빅막(anti-fouling hydrophobic coatings)을 포함할 수 있다.
비교예 A
본 비교예에서는, 어떠한 보호층도 증착되지 않았다. 증착 조건 및 SiOxFy 층의 두께는 다음의 표에 나타나 있다.
SiO x F y 층의 증착 조건
예 1 내지 6
CF 4
(CF4, Ar, Mark II의 Xe, 포함된 O2)
*Xe, +Ar
C 2 F 6
(Mark II 에서 C2F6 및 Xe)
엘립소메트리(ellipsometry) 스펙트럼에서 λ=632nm로 얻어지는 상기 SiOxFy 층에서의 굴절률은 25℃에서 결정된다.
상기 SiOxFy 층에서 수분의 존재 여부는, 이와 같은 층의 적외선 스펙트럼에서 3400 내지 3600cm-1 사이의 피크의 존재 여부에 의해 결정된다.
이러한 결과는 다음의 표에 나타나 있다.
본 발명에 따른 보호된 층들은 적어도 수개월동안 변하지 않는데 반하여, 상기 보호되지 않은 SiOxF4y 층에 대한, 굴절률은 1.40로부터 1.46(SiO2 굴절률)까지 한달에 걸쳐 증가한다.
실시예 7
상기 실시예 7은, 본 발명의 상기 SiOxFy/SiO2 층을 이용하여 수행될 수 있는 반사방지 코팅의 실시예이다.
그런 반사방지 코팅막이 그 위에 만들어지는 상기 기판은 상기 에폭시실레인하이드로리세이트형의 내마모 유약이 코팅된 Orma 기판(디에틸렌 글리콜 디알리 카보네이트 기반 재료)이다. 이용되어 지는 상기 내마모 유약은 감마- 글리시드옥시프로필트리메트옥시실레인의 224파트(part) 및 디메틸디에트옥시실레인 120파트를 포함하는 용액에서 0.1N HCl의 드랍와이즈(dropwise) 80.5 파트를 부어서 얻어져 왔다. 상기 가순분해된 용액은 상온에서 24시간 휘저어지고, 그 다음 메탄올속 30% 콜로이드 실리카의 718파트, 알루미늄 아세틸아세토네이트의 15파트 및 에틸셀로솔브의 44파트가 첨가된다.
소량의 계면활성제가 첨가된다.
상기 유약이 코팅된 상기 기판은 60℃에서 15분 프리베이킹(prebaking)되고 그 다음, 3시간동안 증기실에 놓여진다.
실시예 7에서 상기 코팅은 높은 층에서 시작하여 상기 기판과 접촉하는 낮은 층에 이르는 적층구조로 이루어지며 다음을 포함한다:
두께 10nm의 SiO2 IAD층;
두께 92nm의 (n=1.42) SiOxFy 층;
두께 42nm의 ZrO2층;
두께 41nm의 SiO2층;
두께 25nm의 ZrO2층;
그런 코팅은 0.5의 Rm 및 0.4의 Rv( 상기 ISO WD 8930-4에서 언급된것과 같은)를 갖는다.
상기 SiOxFy 및 SiO2 IAD 층들은( 배리어 층) 이전에 설명한것처럼 다음의 작업환경으로 만들어진다.
적층(stacking)의 다른 층은, 당업자에게 공지된 통상의 조건하에서, 증기상(vapor phase)으로 증착된다.
실시예 7의 반사방지(antireflection) 적층에서는, 《n x 10 스트로크》테스트를 수행하였다. 적층이 견딜 수 있는 싸이클 수는 최소 12 이다.
도 4는, 실시예7의 코팅 및 동일 기판(substrate) 상에 형성된 상용 CRIZAL 반사방지 코팅의 증착 후, 파장의 함수로서 기판 표면의 반사계수의 다이어그램이다.
도 5는, 실시예7의 코팅의 증착후, 증착 20일후, 증착 3개월 후의, 파장 함수로서의 반사계수의 다이어그램이다.
상기 도면에서, 실선 곡선은 실시예7과 유사하지만 당업자에게 공지된 통상의 기술에 따른 모델링을 통하여 얻어진 코팅의 파장 함수로서의 반사계수를 나타낸다.
본원 발명에 따른 반사방지 코팅은, 통상의 코팅에 비하여, 시간에 따른 탁월한 안정성을 보이는 것을 확인할 수 있다.
측정 방법 및 n x 10 스트로크 테스트에 대한 설명
n x 10 스트로크 테스트
n x 10 스트로크 테스트는 특허출원 WO/9949097에 기술되어 있다.
요약하면, 직물(fabric)이 반사방지 처리된 렌즈 표면에 적용되고, 검(gum)이 상기 직물위로 압착된다. 그리고 나서, 검과 기판은 다른 하나에서 부터 하나로 앞뒤 이동을 따라서 상호이동된다. 1 싸이클은 10회의 전후 이동을 나타낸다.
그 결과는, 반사방지 처리된 렌즈가 결함이 나타나기 전에 견딜 수 있는 싸이클 수를 나타낸다.
굴절률(refractive index) 측정 방법
일반적으로, 굴절률은 실리콘 평판(flat) 디스크 상에서 엘립소메트리(ellipsometry)를 통하여 측정된다.
비교 실시예 A에 있는 층에 대하여, SENTECH사에 의하여 캘리브레이트된(calibrated), SENTECH SE 400 엘립소메트리를 사용하였다.
측정은 파장 632.8 nm 및 각도 70°에서 수행되었다. 굴절률 및 두께는 2차원 Newton법에 의하여, 하기 모델을 이용하여, tanΨ 및 cosΔ로부터 계산되었다:
SiOxFy 층 + 보호(배리어) 층에 대해서는, SOPRA GESP 5 VASE 변수각(variable angle) 엘립소메트리가 사용되었다. 상기 장치는 SOPRA에 의하여 추천되는 절차에 따라 캘리브레이트 되었다. 3개의 입사 각도 65°, 70° 및 75°에 대하여, 300과 850 nm 사이에서 tanΨ 및 cosΔ 스펙트럼이 측정되었다. Levenberg-Marquardt에 따른 회귀법으로, 3 스펙트럼에 대하여, 하기 모델을 이용하여, 글로벌 어뎁테이션을 수행하였다:
Si 및 SiO2(천연)에 대한 분산 곡선은, SOPRA에서 제공되는 파일로부터 비롯한다. SiOF 및 SiO2 배리어에 대해서는, 분산 곡선이 Cauchy 법칙(n=A+Bλ2= C/λ 4, λ en ㎛)을 따르는 것으로 가정하였다(B=0.003, C=0).
평판 디스크의 특징
만일 {100}, 두께 50 ㎛, p doped (B), 저항(registivity) 〉100Ωcm, 2 측면이 연마되고; (IR 측정을 위하여) 6개 샘플이 50 mm 웨이퍼; --> 샘플당 qqs(~3)cm2에서 커트 되었다.
하기 실시예는, 광학 성능(optical performance)뿐만아니라 본원발명에 따른 보호층(배리어층 내)에 의하여 안정화된 SiOxFy 층을 포함하는, 실시가능한 반사방지 코팅을 기술한다.
광학 성능(반사 계수, reflection coefficient)은, FTG 소프트웨어 어소시에이트(뉴저지주 프린스턴)의 FILM STAR DESIGN 상용 소프트웨어에 의하여 결정되며, 이 경우 이하 표시된다.
그러한 적층의 광학 성능은, 상기한 소프트웨어를 이용하지 않고서 단순 계산을 통하여 결정될 수 있고, 이는 당업자에게 공지된, 보다 구체적으로는 《Thin film optical filters》(Adam Higer Ltd - Bristol 1969 H.A. Mc Loed - Professor of Optical Sciences - University of Arizona - Tuckson)에서 제시된, 박막 광학의 기초 원리를 따름으로써 가능하다.
하기 실시예 및 표에서, 층 두께는, 달리 명시되지 않으면, 나노미터(nm)를 나타낸다.
유사하게, 달리 명시되지 않으면, 굴절률(refractive index)는, 550nm, 25℃에서의 굴절률이다.
실시예에서 사용된 물질은 다음과 같다:
실시예 8 내지 10
실시예 8 내지 10은, CR39에 기초하여 ORMA 글래스상에 증착된, 본원발명에 따른, 세개의 반사방지 적층을 설명한다.
보호 층, 실리카 층, 알루미나 층, 지르코니아(zirconia) 층이 연속적으로 사용되었으며, 각층은 10nm 두께이다.
적층은 기판과 접촉하는 저층에서 시작하여, 고층(LI-보호층)까지 기술된다.
상기 언급된 표는, 최저 Rm값을 얻기 위하여는, 상대적으로 낮은 굴절률의 보호 층, 보다 구체적으로는 SiO2에 기초한 것을 사용하는 것이 바람직함을 예증한다.
그러나, 높은 굴절률의 배리어 층을 사용하더라도, 상기 층의 두께가 낮은(10 nm) 한, 낮은 Rm값(0.6% 미만)을 얻는 것이 가능함을 알 수 있다.
실시예 11 내지 17
이 실시예는 반사방지 코팅 또는 4개의 층과 보호 층(증착의 최종 층)을 함유하는 적층을 기술한다.
실시예 18 내지 24
실시예 18 내지 24는 반사방지 적층 (antireflecting stackings)를 예시하며 실시예 11 내지 17에서 기재한 것들과 같은 동일한 타입이지만, 낮은 굴절률 층 즉, 증착되는 마지막 층인 낮은 굴절률 SiOxFy 층 (N 층)를 사용한다.
실시예 25 내지 28
실시예 25 내지 28에서, 배리어층 (barrier layer)의 두께는 다양하게 제조된다.
실시예 29 내지 31
실시예 29 내지 31은 6 층들 및 보호 층 (protective layer)인 증착의 마지막 층을 포함하는 반사방지 적층을 기술한다.
상기된 바와 같이 금속 산화물 또는 실리콘 산화물 보호 층 및 SiOxFy 층을 증착하는 또 다른 방법은 음극 분무 증착 (cathodic spraying deposition) 또는 《스퍼터링 (sputtering)》후에 산화 단계를 실시하거나 플루오린화된 가스의 존재하에서 산화하는 것이다.
바람직하게는, 금속 산화물 또는 실리콘 층을 증착하는 것은 다음의 단계를 실시하여 달성할 수 있다:
1) 음극 스퍼터링으로 박막 금속 또는 실리콘 층을 증착하는 단계,
2) 얻어진 박막 층을 산소로 바람직하게는 반응성 플라즈마의 폼 (form) 하에서 산화하는 단계,
및 소망하는 두께의 보호 층을 얻기 위하여 요구되는 횟수만큼 상기 과정을 반복하는 단계.
바람직하게는, 증착 1) 및 산화 2) 단계는 2 개의 국부적으로 떨어진 작업지역에서 실시된다.
박막 금속 또는 실리콘 층 [단계 1)]에 대한 스퍼터링 기술은 일반적으로 직류 방전 (direct current discharge) (dc 스퍼터링)이며, 진공 하에서 실시된다.
이 기술에 따르면, 증착될 물질 (금속 또는 실리콘)로 제조된 타깃 (target)인 음극에 수 kV의 직류 발생기를 연결한다. 진공을 만든 후 가스를 주입하고 (가장 빈번하게는 아르곤), 음 전압 (negative voltage)을 타깃에 가하여 플라즈마를 개시시킨다. 플라즈마에 존재하며, 타깃으로 가속화되는 양이온은 타깃 원자를 튀어나오게 (project)한다. 또한, 이온 충돌은 일부 전자, 소위 2차 전자를 방출시키고, 이것은 가속화되어 상기 가스 원자와 충돌하고 플라즈마가 유지되도록 한다. 일단 방출된 타깃 원자는 기판에 증착되며 이에 의하여 이에 의하여 박막층을 생성한다.
다른 보다 정교한 음극 스퍼터링 기술이 본 발명을 수행하기 위하여 바람직하다.
따라서, 바람직하게는, 분리되어 연결된 양극을 사용하며 이것은 기판과 접촉되지 않는다.
보다 바람직하게는, 마그네트론 음극 (magnetron cathode)를 사용한다. 이런 음극으로 다이오드-타입 음극이 있으며 상기 음극에서 자기장은 전자 트랩(electron trap)이다. 전자 전류는 사이클로이드 형인 (cycloidal) 경로에 따라 전기장 및 자기장 모두에 대하여 수직인 방향으로 이동한다. 따라서, 계속적인 다이오드 기술에 비하여 이들은 고 에너지를 얻게되며 ,보다 중요하게는, 보다 장거리를 이동하게 된다. 따라서, 이온화 충돌이 보다 많게 되고, 타깃 상의 이온 전류의 밀도도 또한 더 높게 된다.
마그네트론은 보다 상세하게는 《Handbook of deposition technologies for films and coating》Science, Technology and Applications, Rointan F. Bunshah 2nd Edition 1994 pp 280-292에 기재되어 있다.
단계 2)에 있어서, 상술한 바와 같이, 산소 플라즈마 또는 산소-플루오린화 가스 혼합물을 사용한다 (예를 들어 CF4). 산소 플라즈마는 분자를 산소 원자로 해리시키며, 이는 상당한 반응성을 갖는다. 반응성 산소 원자의 생성은 기판의 산화를 증가시킨다.
바람직한 음극 스퍼터링 방법의 예는 OCLI의 MetamodeTM 방법으로 상술한 특징을 결합한 것으로, 이것의 흐름도 (flow diagram)가 도 5에 나타나 있다.
도 5에 따르면, MetamodeTM을 사용하여 금속 산화물 층을 얻는 것은 두 개의 구별되는 챔버들, 즉 음극 스퍼터링 챔버 1에서 실시되며, 상기 음극 스퍼터링 챔버 1에서는 음극 3으로부터의 금속이 회전 트레이 6 (rotating tray 6)에 배열된 트레이 5 상에 놓여진 렌즈 4상으로 스퍼트된다. 금속 층의 증착은 상술한 바와 같이 실시된다.
일단 금속 층이 증착되면, 회전 트레이 6을 통하여 금속 층로 코팅된 렌즈(4)를 산화 챔버 (2)로 이동시킨다. 상기 챔버 2에서 금속 산화물 또는 실리콘 층을 제조하기 위하여 산소 플라즈마 (또는, 만일, SiOxFy와 같은 옥시플로리드를 얻는 것을 소망한다면, 산소 및 CF4와 같은 플루오르화된 가스 플라즈마가 생성된다.
금속/산화 음극 스퍼터링 사이클은 원하는 두께의 최종 금속 산화물 또는 SiOxFy 최종 층을 얻기 위하여 필요한 횟수만큼 반복된다.
대안으로서, 금속 음극 스퍼터링/산화 사이클를 반복하여 스퍼트된 금속의 성질을 변형할 수 있으며, 이에 의하여 다른 성질을 갖는 금속 산화물 층 적층을 제조할 수 있다. 예를 들어, 반사방지 적층의 제조.
Metamode 방법은 도 6에서 저면도로 예시된 Applied Vision RFX10 기기와 같은 스퍼터링 장치와 함께 수행될 수 있다.
도 6에서 보는 바와 같이, 상기 장치는 각각 불확성 가스 공급, 예를 들어, 아르곤이 공급되는 두 개의 음극 스퍼터링 챔버 (1,2) 및 가스 (산소 또는 산소 및 CF4와 같은 플로린화된 가스의 혼합물)이 공급되는 반응 챔버 3 (산화 또는 옥시플로린화)을 포함한다. 상기 챔버들은 진공 시스템과 연결되어 있다 (도 6에서는 나타나 있지 않음). 코팅될 기판을 트레이 상에 놓고 로딩 에어락 (loading airlock) (5)에 의하여 상기 장치의 회전 플레이트 4로 공급한다. 상기 장치는 진공 (vacuum)(6)을 모니터하는 수단 예컨대, 펜닝 (Penning) 게이지 및 음극 스퍼터링 및 산화 조건을 위한 모니터 및 조정하는 수단 7을 추가적으로 포함한다.
코팅될 기판은 로딩 에어락을 통하여 주입되며, 회전 플레이트 4에 의하여 음극 스퍼터링 챔버 (1 또는 2)에 공급되며, 본 명세서에서 상술한 바와 같이 금속 또는 실리콘 층로 코팅된다. 금속 또는 실리콘 층의 증착 후에, 기판을 반응 챔버 3으로 공급하여 금속 또는 실리콘 층의 산화 또는 옥시플루오린화를 실시한다.
프로세싱의 마지막 단계에서, 코팅된 기판을 에어락 5를 통하여 내린다 (unload).
실시예 32
실리콘 플래트 기판을 Metamode 방법을 사용하여 다음의 층로 코팅하였다:
1) 음극 스퍼터링 (sputtering)에 의하여 증착된 SiOF 층, 및
2) 음극 스퍼터링에 의하여 또한 증착된 SiO2 보호 층.
SiOF + 배리어 SiO 2 층을 위한 증착 조건
CF4의 주입은 산소와 동일한 라인을 통하여 실시한다.
실리콘을 갖는 마그네트론 상이 전력 : 1.5 kW
플라즈마 건 전력 (산소 플라즈마):100 W
SiOF 층의 증착: (시간 900s;=> 두께 165 nm)
Ar 유동속도 (Si 스퍼터링): 12 sccm
O2 유동속도: 4 sccm
CF4 유동속도: 2 sccm
P: 3 m Torr (0,4 Pa)
배리어 층의 증착: (시간 90s;=> 두께 15 nm)
Ar 유동속도 (Si 스퍼터링): 12 sccm
O2 유동속도: 4 sccm
CF4 유동속도: ---
P: 2,6 m Torr (0,4 Pa)
양 층 사이에서 증착은 바람직하게는 ~30 초 동안 중단되며, 이는 시스템 상에 더 이상의 CF4가 남아있지 않도록 하기 위해서이다.
결과: SiOF 층의 굴절률 = 632.8 nm에서 1.415이며, 시간 경과시에도 안정함.

Claims (21)

  1. 안정화된 SiOxFy 플루오르-도핑된 실리카 박막층을 얻는 방법으로서, 희유가스로부터, 산소로부터 또는 둘 또는 둘 이상의 상기 가스들의 혼합물로부터 형성된 양이온 빔을 가지고 형성되는 층을 폭격하는 것을 포함하는 이온빔-보조 기상 증착방식에 의해, 또는 금속 또는 실리콘 층의 음극 스퍼터링과 이어서 증착된 금속 또는 실리콘 층을 산화하는 방식에 의해, SiOxFy 실리콘 옥시플루오르화물 층상에, SiO2 실리카 및/또는 금속 산화물 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 보호 층은 2 내지 40 nm의 두께이고, 바람직하게는 5 내지 30 nm이며, 보다 바람직하게는 5 내지 20 nm인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 이온빕 보조용으로 사용되는 가스들은 알곤, 크세논 및 산소 중에서 선택되거나, 바람직하게는 알곤 및 크세논 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 전술한 항들중 어느 한 항에 있어서, 상기 SiOxFy 층은 5 내지 300 nm이고, 바람직하게는 30 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 전술한 항들중 어느 한 항에 있어서, 상기 SiOxFy 층의 굴절률은, 630 nm의 파장과 25 ℃의 온도에서, 1.38 내지 1.44인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 전술한 항들중 어느 한 항에 있어서, 상기 SiOxFy 층은 실리콘 음극 스퍼터링 단계와 이어서 CF4와 같은 플루오르화된 가스의 존재하에서의 산화단계에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 안정화된 SiOxFy 플루오르-도핑된 실리카 박막층으로서, 희유가스로부터, 산소로부터 또는 둘 또는 둘 이상의 상기 가스들의 혼합물로부터 형성된 양이온 빔을 가지고 형성되는 층을 폭격하는 것을 포함하는 이온빔-보조 증기상 증착방식에 의해, 또는 금속 또는 실리콘 층의 음극 스퍼터링과 이어서 증착된 금속 또는 실리콘 층을 산화하는 방식에 의해, SiOxFy 실리콘 옥시플루오르화물 층상에 얻어진 SiO2 실리카 및/또는 금속 산화물 보호층으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 박막층.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 보호 층은 2 내지 40 nm의 두께이고, 바람직하게는 5 내지 30 nm이며, 보다 바람직하게는 5 내지 20 nm인 것을 특징으로 하는 박막층.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 이온빕 보조용으로 사용되는 가스들은 알곤, 크세논 및 산소 중에서 선택되거나, 바람직하게는 알곤 및 크세논 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 박막층.
  10. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 SiOxFy 층은 5 내지 300 nm이고, 바람직하게는 30 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 박막층.
  11. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 SiOxFy 층의 굴절률은, 630 nm의 파장과 25 ℃의 온도에서, 1.38 내지 1.44인 것을 특징으로 하는 박막층.
  12. 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플루오르-도핑된 실리카 층은 실리콘 층의 음극 스퍼터링 단계와 이어서 CF4와 같은 플루오르화된 가스의 존재하에서의 산화단계에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 박막층.
  13. 제 7 항 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 안정화된 박막층을 포함하는, 기판위에 형성된 다층 반사방지막.
  14. 제 13 항에 있어서, 높은 굴절률(HI)과 낮은 굴절률(LI)의 적층으로 이루어지며, 상기 낮은 굴절률 층들중의 적어도 하나는 제 7 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 따른 박막층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 반사방지막.
  15. 제 14 항에 있어서, 제 7 항 내지 제 12 중 어느 한 항에 따른 박막층으로 이루어진 낮은 굴절률 층이 상기 적층에서 더 높은 층인 것을 특징으로 하는 다층 반사방지막.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 반사방지막은 기판표면으로부터 시작하여 다음의 순서:HI/LI/HI/LI 대로 된 4 층으로 이루어지는 다층 반사방지막.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 층들의 두께는 상기 기판표면으로부터 시작하여, 다음의 순서대로 변하는 것을 특징으로 하는 다층 반사방지막.
    HI: 10 내지 40 nm
    LI: 10 내지 55 nm, 바람직하게는 10 내지 45 nm
    HI: 30 내지 155 nm, 바람직하게는 40 내지 150 nm, 보다 바람직하게는 120 내지 150 nm
    LI(SiOxFy 층): 70 내지 110 nm
    보호층: 2 내지 50 nm.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 반사방지막은 상기 기판표면으로부터 시작하여 다음의 순서:HI/LI/HI/LI/HI/LI 대로 된 6 층으로 이루어지는 다층 반사방지막.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 층들의 두께는 상기 기판표면으로부터 시작하여, 다음의 순서대로 변하는 것을 특징으로 하는 다층 반사방지막:
    HI: 10 내지 30 nm
    LI: 10 내지 55 nm, 바람직하게는 10 내지 45 nm
    HI: 10 내지 160 nm
    LI: 10 내지 45 nm
    HI: 35 내지 170 nm
    LI: 70 내지 95 nm
    보호층: 2 내지 40 nm.
  20. 제 13 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 유기 글라스이고 선택적으로 내 마멸막 및/또는 내 충격막이 제공되는 것을 특징으로 하는 다층 반사방지막.
  21. 유기 글라스로 만들어진 안과 렌즈로서, 제 13 항 내지 제 20 항 중의 어느 한 항에 따른 반사방지막을 포함하는 안과 렌즈.
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