JP2003221663A - 成膜方法及び光学素子の形成方法 - Google Patents
成膜方法及び光学素子の形成方法Info
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- JP2003221663A JP2003221663A JP2002021526A JP2002021526A JP2003221663A JP 2003221663 A JP2003221663 A JP 2003221663A JP 2002021526 A JP2002021526 A JP 2002021526A JP 2002021526 A JP2002021526 A JP 2002021526A JP 2003221663 A JP2003221663 A JP 2003221663A
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Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜の密着性が高く、膜割れがなく、成膜速度
の速い成膜方法を提供すること。 【構成】 基板、レンズ上に複数の膜を積層させる成膜
方法において、真空蒸着法により積層された膜とプラズ
マを用いた方法により積層された膜がそれぞれ少なくと
も１層あることを特徴とする。ここで、プラズマを用い
た積層方法は、イオンアシスト蒸着法、スパッタリング
法、イオンビームスパッタリング法、イオンプレーティ
ング法の何れか１種以上である。又、基板、レンズ上の
最初の１層以上はイオンビームアシスト蒸着法、スパッ
タリング法、イオンビームスパッタリング法、イオンプ
レーティング法等のプラズマを用いた方法により形成す
る。
の速い成膜方法を提供すること。 【構成】 基板、レンズ上に複数の膜を積層させる成膜
方法において、真空蒸着法により積層された膜とプラズ
マを用いた方法により積層された膜がそれぞれ少なくと
も１層あることを特徴とする。ここで、プラズマを用い
た積層方法は、イオンアシスト蒸着法、スパッタリング
法、イオンビームスパッタリング法、イオンプレーティ
ング法の何れか１種以上である。又、基板、レンズ上の
最初の１層以上はイオンビームアシスト蒸着法、スパッ
タリング法、イオンビームスパッタリング法、イオンプ
レーティング法等のプラズマを用いた方法により形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを用いた
成膜方法と真空蒸着法の複数の成膜方法による光学素子
の形成方法に関する。
成膜方法と真空蒸着法の複数の成膜方法による光学素子
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで、レンズ、基板上への複数の膜
（以後、多層膜）を積層する場合、真空蒸着法や、プラ
ズマを用いたイオンアシスト蒸着法、スパッタリング
法、イオンビームスパッタリング法、イオンプレーティ
ング法の成膜方法が用いられている。
（以後、多層膜）を積層する場合、真空蒸着法や、プラ
ズマを用いたイオンアシスト蒸着法、スパッタリング
法、イオンビームスパッタリング法、イオンプレーティ
ング法の成膜方法が用いられている。
【０００３】真空蒸着法は、真空中で膜材料を抵抗加
熱、電子銃加熱、高周波誘導加熱を用いて蒸発させ、レ
ンズ、基板に積層する方法である。これは、成膜面積が
大きい大口径レンズ等に一括して、しかも早い成膜レー
トで成膜できるという利点があり、又、膜材料における
組成変化が少ないため、低吸収な膜が得易い利点があ
る。
熱、電子銃加熱、高周波誘導加熱を用いて蒸発させ、レ
ンズ、基板に積層する方法である。これは、成膜面積が
大きい大口径レンズ等に一括して、しかも早い成膜レー
トで成膜できるという利点があり、又、膜材料における
組成変化が少ないため、低吸収な膜が得易い利点があ
る。
【０００４】又、プラズマを用いた成膜方法として、イ
オンプレーティング法は、抵抗加熱、電子銃加熱、高周
波誘導加熱により蒸発させられた膜材料の原子や分子を
プラズマにより、イオン化し、且つ、電界を与えること
でこのイオンを基板衝突させる方法である。
オンプレーティング法は、抵抗加熱、電子銃加熱、高周
波誘導加熱により蒸発させられた膜材料の原子や分子を
プラズマにより、イオン化し、且つ、電界を与えること
でこのイオンを基板衝突させる方法である。
【０００５】又、イオンアシスト蒸着法は、抵抗加熱、
電子銃加熱、高周波誘導加熱により蒸発させられた膜材
料の原子や分子がレンズ、基板上に物理吸着する際に、
イオンガンを用いてイオンを照射することで、膜材料の
原子や分子をよりエネルギー的に活性化させる方法であ
る。
電子銃加熱、高周波誘導加熱により蒸発させられた膜材
料の原子や分子がレンズ、基板上に物理吸着する際に、
イオンガンを用いてイオンを照射することで、膜材料の
原子や分子をよりエネルギー的に活性化させる方法であ
る。
【０００６】又、スパッタ法は、数百ｅＶ〜数十ｋｅＶ
のエネルギーの粒子をターゲット原子に核衝突させ、タ
ーゲット原子をはじき出すことで基板、レンズまでその
原子を輸送する方法である。
のエネルギーの粒子をターゲット原子に核衝突させ、タ
ーゲット原子をはじき出すことで基板、レンズまでその
原子を輸送する方法である。
【０００７】これらは、一般的に真空蒸着法より高い密
度の膜の形成し易い利点や、膜と基板、レンズとの密着
性が高い利点がある。
度の膜の形成し易い利点や、膜と基板、レンズとの密着
性が高い利点がある。
【０００８】
【発明が解決しよとする課題】しかしながら、それぞれ
の成膜方法においては短所もある。
の成膜方法においては短所もある。
【０００９】例えば、真空蒸着法においては、基板、レ
ンズを加熱しないと、膜の密度が低くなり、成膜後の大
気中における水分吸着を原因とする光学特性の経時変化
が大きくなってしまう。例えば、弗化物に至っては、２
００〜３００℃程度の温度が必要である。
ンズを加熱しないと、膜の密度が低くなり、成膜後の大
気中における水分吸着を原因とする光学特性の経時変化
が大きくなってしまう。例えば、弗化物に至っては、２
００〜３００℃程度の温度が必要である。
【００１０】そして、基板、レンズを加熱した場合、そ
れらと膜の線熱膨張係数に差が大きいと、バイメタル効
果による膜の内部応力増加が起き、膜割れ、膜剥がれの
原因になる。
れらと膜の線熱膨張係数に差が大きいと、バイメタル効
果による膜の内部応力増加が起き、膜割れ、膜剥がれの
原因になる。
【００１１】又、例えばプラズマを用いた成膜方法の場
合、膜の良好な化学組成が得にくいことや、不純物が混
入し易いこと等により、良好な光学特性が比較的得難
い。
合、膜の良好な化学組成が得にくいことや、不純物が混
入し易いこと等により、良好な光学特性が比較的得難
い。
【００１２】よって、膜の密着性が高く、膜割れがな
く、且つ、成膜速度が早く、光学特性が良好な光学素子
の形成はなかなか困難である。
く、且つ、成膜速度が早く、光学特性が良好な光学素子
の形成はなかなか困難である。
【００１３】特に、弗化膜の場合、真空蒸着法にて成膜
すると、レンズ、基板を加熱する必要がある。弗化膜は
線熱膨張係数が大きいため、レンズ、基板が石英やゼロ
結晶化ガラス等の線熱膨張係数が低いものだと熱応力が
大きくなり膜割れが発生してしまう。
すると、レンズ、基板を加熱する必要がある。弗化膜は
線熱膨張係数が大きいため、レンズ、基板が石英やゼロ
結晶化ガラス等の線熱膨張係数が低いものだと熱応力が
大きくなり膜割れが発生してしまう。
【００１４】又、プラズマを用いた成膜方法の場合、プ
ラズマにより膜にカラーセンター等のダメージが入り易
く、又、弗素解離や不純物混入が起き易く良好な化学量
論比を得にくいため、所望の光学特性が得られないこと
が多い。又、不純物の混入は、ＬＡＳＥＲ耐力の低下を
招く可能性が有り、そのＬＡＳＥＲの波長が短いほどそ
れは高い。特に波長が２００ｎｍ以下の真空紫外域で
は、不純物の混入は、ＬＡＳＥＲ耐久においては死活問
題となる。
ラズマにより膜にカラーセンター等のダメージが入り易
く、又、弗素解離や不純物混入が起き易く良好な化学量
論比を得にくいため、所望の光学特性が得られないこと
が多い。又、不純物の混入は、ＬＡＳＥＲ耐力の低下を
招く可能性が有り、そのＬＡＳＥＲの波長が短いほどそ
れは高い。特に波長が２００ｎｍ以下の真空紫外域で
は、不純物の混入は、ＬＡＳＥＲ耐久においては死活問
題となる。
【００１５】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、膜の密着性が高く、膜割れが
なく、成膜速度の速い成膜方法と該方法を用いた光学素
子の形成方法を提供することにある。
で、その目的とする処は、膜の密着性が高く、膜割れが
なく、成膜速度の速い成膜方法と該方法を用いた光学素
子の形成方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板、レンズ上に複数の膜を積層させる
成膜方法において、真空蒸着法により積層された膜とプ
ラズマを用いた方法により積層された膜がそれぞれ少な
くとも１層あることを特徴とする。
め、本発明は、基板、レンズ上に複数の膜を積層させる
成膜方法において、真空蒸着法により積層された膜とプ
ラズマを用いた方法により積層された膜がそれぞれ少な
くとも１層あることを特徴とする。
【００１７】又、本発明に係る光学素子の形成方法は、
上記成膜方法によって形成される膜中の不純物が少ない
膜を用いることを特徴とする。
上記成膜方法によって形成される膜中の不純物が少ない
膜を用いることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態として、本発明
に係る弗化膜を用いた光学素子の形成方法の一実施形態
を図１を用いて説明する。
に係る弗化膜を用いた光学素子の形成方法の一実施形態
を図１を用いて説明する。
【００１９】図１は本実施形態の実施する際に使用した
成膜装置の概略図である。
成膜装置の概略図である。
【００２０】この光学素子形成装置は、蒸発材料を蒸発
させる手段である抵抗加熱蒸発源３、電子銃加熱蒸発源
４、イオンガン５、基板８を保持する回転式ドーム７、
基板８を加熱するシースヒーター１１、基板８への水晶
振動子膜厚モニター９、蒸発材料の予備加熱時の基板８
への膜の積層を防ぐシャッター１０及びこれらの各構成
要件が設置されているＳＵＳ３０４製真空容器１を備え
ている。
させる手段である抵抗加熱蒸発源３、電子銃加熱蒸発源
４、イオンガン５、基板８を保持する回転式ドーム７、
基板８を加熱するシースヒーター１１、基板８への水晶
振動子膜厚モニター９、蒸発材料の予備加熱時の基板８
への膜の積層を防ぐシャッター１０及びこれらの各構成
要件が設置されているＳＵＳ３０４製真空容器１を備え
ている。
【００２１】抵抗加熱蒸発源３及び電子銃加熱蒸発源４
は、複数種類の蒸発源材料を載置できるように、複数の
抵抗加熱ボード１２と複数のハースライナーを所有して
いる。
は、複数種類の蒸発源材料を載置できるように、複数の
抵抗加熱ボード１２と複数のハースライナーを所有して
いる。
【００２２】真空容器１には排気口１４が設けてあり、
真空容器１内を所望の圧力に設定するための排気手段が
接続される。排気手段は、真空容器１内への油逆拡散が
少ないドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、タ
ーボ分子ポンプ、そして真空容器１内の水分排気に有効
なクライオポンプ（共に図示せず）及びメインバルブ２
から成る。
真空容器１内を所望の圧力に設定するための排気手段が
接続される。排気手段は、真空容器１内への油逆拡散が
少ないドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、タ
ーボ分子ポンプ、そして真空容器１内の水分排気に有効
なクライオポンプ（共に図示せず）及びメインバルブ２
から成る。
【００２３】又、プラズマを生成するために用いるＡｒ
若しくはＯ2 、Ｘｅを真空容器１内に導入するガス供給
口６が接続されている。
若しくはＯ2 、Ｘｅを真空容器１内に導入するガス供給
口６が接続されている。
【００２４】［実施例１］次に、本発明の具体的な実施
例を述べる。
例を述べる。
【００２５】実施例１として、図１の光学素子形成装置
を用いた弗化物によるミラーの形成方法について説明す
る。
を用いた弗化物によるミラーの形成方法について説明す
る。
【００２６】先ず、基板８として、光学研磨した石英ガ
ラスを回転式ドーム７に載置する。そして、抵抗加熱蒸
発源３が所有する複数の抵抗加熱ボード１２にそれぞれ
ＭｇＦ2 、ＧｄＦ3 を載置する。その後、排気口１４よ
りドライポンプ、メカニカルブースター、ターボ分子ポ
ンプ、クライオポンプにより真空容器１内を１０-5Ｐａ
台まで排気する。そして、シースヒーター１１により、
基板を２５０℃まで加熱し、２４時間程度保持する。こ
れは、基板８の温度安定と共に、加熱にすることで、真
空容器１内の水分排気を容易にするためである。
ラスを回転式ドーム７に載置する。そして、抵抗加熱蒸
発源３が所有する複数の抵抗加熱ボード１２にそれぞれ
ＭｇＦ2 、ＧｄＦ3 を載置する。その後、排気口１４よ
りドライポンプ、メカニカルブースター、ターボ分子ポ
ンプ、クライオポンプにより真空容器１内を１０-5Ｐａ
台まで排気する。そして、シースヒーター１１により、
基板を２５０℃まで加熱し、２４時間程度保持する。こ
れは、基板８の温度安定と共に、加熱にすることで、真
空容器１内の水分排気を容易にするためである。
【００２７】その後、ガス供給口６からＡｒガスを真空
容器１内が５×１０-2Ｐａに安定するように導入する。
そして、そのＡｒガスを用いてイオンガン５によりＡｒ
イオンを生成し、基板に照射する。その状態で、抵抗加
熱蒸発源３及び抵抗加熱ボード１２により、ＭｇＦ2 を
加熱、蒸発させるイオンアシスト蒸着法を用いて基板８
にＭｇＦ2 を積層させる。このとき、水晶振動子膜厚モ
ニター９により基板８に積層されるＭｇＦ2 の膜厚が２
７ｎｍになるように制御する。
容器１内が５×１０-2Ｐａに安定するように導入する。
そして、そのＡｒガスを用いてイオンガン５によりＡｒ
イオンを生成し、基板に照射する。その状態で、抵抗加
熱蒸発源３及び抵抗加熱ボード１２により、ＭｇＦ2 を
加熱、蒸発させるイオンアシスト蒸着法を用いて基板８
にＭｇＦ2 を積層させる。このとき、水晶振動子膜厚モ
ニター９により基板８に積層されるＭｇＦ2 の膜厚が２
７ｎｍになるように制御する。
【００２８】次に、ＭｇＦ2 と同様にＧｄＦ3 基板８上
に積層する。このときのＧｄＦ3 の膜厚は２２ｎｍに制
御する。このようなＭｇＦ2 とＧｄＦ3 の膜を基板８へ
交互に積層する。
に積層する。このときのＧｄＦ3 の膜厚は２２ｎｍに制
御する。このようなＭｇＦ2 とＧｄＦ3 の膜を基板８へ
交互に積層する。
【００２９】それぞれ３層ずつ積層した後、イオンガン
５を止め、Ａｒガスの真空容器１への導入を止める。そ
の後、真空容器１内の圧力が１０-5Ｐａ台まで低下する
と、抵抗加熱蒸発源３及び抵抗加熱ボード１２により、
真空蒸着法にてＭｇＦ2 とＧｄＦ3 膜を基板８へ交互に
それぞれ１４層ずつ積層する。それぞれの膜厚は、最初
にイオンアシスト蒸着法によって積層したものと同じで
ある。図２に膜構成の略図を示す。
５を止め、Ａｒガスの真空容器１への導入を止める。そ
の後、真空容器１内の圧力が１０-5Ｐａ台まで低下する
と、抵抗加熱蒸発源３及び抵抗加熱ボード１２により、
真空蒸着法にてＭｇＦ2 とＧｄＦ3 膜を基板８へ交互に
それぞれ１４層ずつ積層する。それぞれの膜厚は、最初
にイオンアシスト蒸着法によって積層したものと同じで
ある。図２に膜構成の略図を示す。
【００３０】このときの基板８には、線熱膨張係数の低
いZeroduを用いた。
いZeroduを用いた。
【００３１】実施例１で形成されたミラーは、環境温度
の変化による形状の変形が極めて小さく、真空紫外光に
対しても膜吸収が低いため、真空紫外域で高い反射率を
有するものであった。
の変化による形状の変形が極めて小さく、真空紫外光に
対しても膜吸収が低いため、真空紫外域で高い反射率を
有するものであった。
【００３２】又、大気中における水分吸着による光学特
性の経時変化は殆ど見られず、温度７５℃、湿度８０％
の環境耐久試験を行っても、波長シフトは僅か０．５ｎ
ｍであった。
性の経時変化は殆ど見られず、温度７５℃、湿度８０％
の環境耐久試験を行っても、波長シフトは僅か０．５ｎ
ｍであった。
【００３３】実施例１により形成されたミラーの光学特
性と、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法のみで形成さ
れたミラーの比較を図３に示す。真空蒸着法のみで形成
されたミラーは、膜割れが生じたが、実施例１により形
成されたミラーは膜割れが生じなかった。
性と、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法のみで形成さ
れたミラーの比較を図３に示す。真空蒸着法のみで形成
されたミラーは、膜割れが生じたが、実施例１により形
成されたミラーは膜割れが生じなかった。
【００３４】［実施例２］実施例１における形成方法に
おいて、２種類の膜材料がそれぞれＭｇＦ2 がＡｌＦ
3 、ＧｄＦ3 がＬａＦ3 となり、膜厚がＡｌＦ3 が３３
ｎｍ、ＬａＦ3 が２７ｎｍあるミラー。
おいて、２種類の膜材料がそれぞれＭｇＦ2 がＡｌＦ
3 、ＧｄＦ3 がＬａＦ3 となり、膜厚がＡｌＦ3 が３３
ｎｍ、ＬａＦ3 が２７ｎｍあるミラー。
【００３５】実施例２で形成されたミラーは、実施例１
同様、環境温度の変化による形状の変形が極めて小さ
く、真空紫外光に対しても膜吸収が低いため、真空紫外
域で高い反射率を有するものであった。その反射率を図
４に示す。
同様、環境温度の変化による形状の変形が極めて小さ
く、真空紫外光に対しても膜吸収が低いため、真空紫外
域で高い反射率を有するものであった。その反射率を図
４に示す。
【００３６】又、大気中における水分吸着による光学特
性の経時変化は殆ど見られず、温度７５℃、湿度８０％
の環境耐久試験を行っても、波長シフトは僅か０．６ｎ
ｍであった。又、膜割れも生じなかった。
性の経時変化は殆ど見られず、温度７５℃、湿度８０％
の環境耐久試験を行っても、波長シフトは僅か０．６ｎ
ｍであった。又、膜割れも生じなかった。
【００３７】［実施例３］実施例１における形成方法に
おいて、基板を蛍石レンズとし、膜構成で第１層がイオ
ンアシスト蒸着法によるＡｌＦ3 膜２７ｎｍ、第２層が
真空蒸着法によるＧｄＦ3 膜２２ｎｍ、第３層が真空蒸
着法によるＭｇＦ2 膜２７ｎｍという反射防止膜を施し
たレンズ素子。図５にその光学特性を示す。このレンズ
素子においては膜剥がれ、膜割れは見られなかった。
おいて、基板を蛍石レンズとし、膜構成で第１層がイオ
ンアシスト蒸着法によるＡｌＦ3 膜２７ｎｍ、第２層が
真空蒸着法によるＧｄＦ3 膜２２ｎｍ、第３層が真空蒸
着法によるＭｇＦ2 膜２７ｎｍという反射防止膜を施し
たレンズ素子。図５にその光学特性を示す。このレンズ
素子においては膜剥がれ、膜割れは見られなかった。
【００３８】［実施例４］実施例１における形成方法に
おいて、膜材料がＭｇＦ2 とＬａＦ3 を用いたミラー
と、イオンアシスト蒸着法のみで形成されたミラーのＬ
ＡＳＥＲ耐久試験の比較を図６に示す。
おいて、膜材料がＭｇＦ2 とＬａＦ3 を用いたミラー
と、イオンアシスト蒸着法のみで形成されたミラーのＬ
ＡＳＥＲ耐久試験の比較を図６に示す。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、基板、レンズ上に複数の膜を積層させる成膜方
法において、真空蒸着法により積層された膜とプラズマ
を用いた方法により積層された膜がそれぞれ少なくとも
１層あるものとしたため、膜の密着性が高く、膜割れが
なく、成膜速度の速い成膜方法と該方法を用いた光学素
子の形成方法を提供することができるという効果が得ら
れる。
よれば、基板、レンズ上に複数の膜を積層させる成膜方
法において、真空蒸着法により積層された膜とプラズマ
を用いた方法により積層された膜がそれぞれ少なくとも
１層あるものとしたため、膜の密着性が高く、膜割れが
なく、成膜速度の速い成膜方法と該方法を用いた光学素
子の形成方法を提供することができるという効果が得ら
れる。
【図１】成膜装置の概略図である。
【図２】膜構成の略図である。
【図３】ミラーの光学特性を示す図である。
【図４】光学素子の反射率を示す図である。
【図５】レンズ素子の光学特性を示す図である。
【図６】膜材料がＭｇＦ2 とＬａＦ3 を用いたミラーと
イオンアシスト蒸着法のみで形成されたミラーのＬＡＳ
ＥＲ耐久試験の比較を示す図である。
イオンアシスト蒸着法のみで形成されたミラーのＬＡＳ
ＥＲ耐久試験の比較を示す図である。
１ 真空容器
２ メインバルブ
３ 抵抗加熱蒸発源
４ 電子銃加熱蒸発源
５ イオンガン
７ 回転式ドーム
８ 基板
９ 水晶振動子膜厚モニター
１０ シャッター
１１ シースヒーター
１２ 抵抗加熱ボード
１４ 排気口
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｂ 5/08 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ
(72)発明者 大谷 実
東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ
ン株式会社内
Ｆターム(参考） 2H042 DA01 DA12 DC02 DE07
2K009 BB02 CC06 DD03 DD04 DD07
EE00
4K029 AA09 BA42 BB02 BC07 BD00
CA01 CA05 CA09 DC37
Claims (6)
- 【請求項１】 基板、レンズ上に複数の膜を積層させる
成膜方法において、真空蒸着法により積層された膜とプ
ラズマを用いた方法により積層された膜がそれぞれ少な
くとも１層あることを特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】 プラズマを用いた積層方法は、イオンア
シスト蒸着法、スパッタリング法、イオンビームスパッ
タリング法、イオンプレーティング法の何れか１種以上
であることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。 - 【請求項３】 基板、レンズ上の最初の１層以上はイオ
ンビームアシスト蒸着法、スパッタリング法、イオンビ
ームスパッタリング法、イオンプレーティング法等のプ
ラズマを用いた方法により形成することを特徴とする請
求項１記載の成膜方法。 - 【請求項４】 基板、レンズ上にＮａ3 ＡｌＦ6 、Ｍｇ
Ｆ2 、ＡｌＦ2 、ＬａＦ3 、ＧｄＦ3 、ＮｄＦ3 、Ｃａ
Ｆ2 、ＳｃＦ3 、ＴｈＦ4 の何れかを用いた膜を形成す
ることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。 - 【請求項５】 基板、レンズに線熱膨張係数α＝０．０
５×１０-6Ｋ-1〜以下の硝材を用いることを特徴とする
請求項１記載の成膜方法。 - 【請求項６】 請求項１〜４によって形成される膜中の
不純物が少ない膜を用いることを特徴とする光学素子の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002021526A JP2003221663A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | 成膜方法及び光学素子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002021526A JP2003221663A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | 成膜方法及び光学素子の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003221663A true JP2003221663A (ja) | 2003-08-08 |
Family
ID=27744752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002021526A Pending JP2003221663A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | 成膜方法及び光学素子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003221663A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007154274A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Canon Inc | クラスタビームを用いた弗化物膜形成方法およびこれによって得られた弗化物膜を用いた光学素子 |
| JP2011117044A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Nikon Corp | 光学薄膜およびその製造方法、光学薄膜を含む光学多層膜、光学薄膜を有する光学部品、光学部品を含む露光装置および露光方法 |
| CN105200518A (zh) * | 2015-10-14 | 2015-12-30 | 西北工业大学 | 一种基于氧离子束辅助沉积制备硒化铅多晶薄膜的方法 |
| EP3660182A1 (en) | 2018-11-26 | 2020-06-03 | Konica Minolta, Inc. | Film forming method and film forming apparatus |
| EP3660548A1 (en) | 2018-11-26 | 2020-06-03 | Konica Minolta, Inc. | Optical member and producing method of optical member |
| JP7440399B2 (ja) | 2020-12-21 | 2024-02-28 | グローブライド株式会社 | 釣具 |
-
2002
- 2002-01-30 JP JP2002021526A patent/JP2003221663A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007154274A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Canon Inc | クラスタビームを用いた弗化物膜形成方法およびこれによって得られた弗化物膜を用いた光学素子 |
| JP2011117044A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Nikon Corp | 光学薄膜およびその製造方法、光学薄膜を含む光学多層膜、光学薄膜を有する光学部品、光学部品を含む露光装置および露光方法 |
| CN105200518A (zh) * | 2015-10-14 | 2015-12-30 | 西北工业大学 | 一种基于氧离子束辅助沉积制备硒化铅多晶薄膜的方法 |
| EP3660182A1 (en) | 2018-11-26 | 2020-06-03 | Konica Minolta, Inc. | Film forming method and film forming apparatus |
| EP3660548A1 (en) | 2018-11-26 | 2020-06-03 | Konica Minolta, Inc. | Optical member and producing method of optical member |
| JP7440399B2 (ja) | 2020-12-21 | 2024-02-28 | グローブライド株式会社 | 釣具 |
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