JPH1060638A - プラズマの発生及びスパッタのためのコイル - Google Patents
プラズマの発生及びスパッタのためのコイルInfo
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- JPH1060638A JPH1060638A JP9155665A JP15566597A JPH1060638A JP H1060638 A JPH1060638 A JP H1060638A JP 9155665 A JP9155665 A JP 9155665A JP 15566597 A JP15566597 A JP 15566597A JP H1060638 A JPH1060638 A JP H1060638A
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- Japan
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- coil
- workpiece
- chamber
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3438—Electrodes other than cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 半導体製造系におけるプラズマチャンバ
のためのスパッタ用コイルを提供する。前記スパッタ用
コイルは、エネルギーをプラズマ中に結合し、そしてま
た、標的からワークピース上にスパッタされる物質を補
うために、コイルからワークピース上にスパッタされる
スパッタ用物質の供給源を提供する。或いは、複数のコ
イルを提供して、一つは主としてプラズマ中にエネルギ
ーを結合するためのものとし、そして他の一つは主とし
てワークピース上にスパッタされるスパッタ用物質の補
足の供給源を提供するためのものとしてもよい。
のためのスパッタ用コイルを提供する。前記スパッタ用
コイルは、エネルギーをプラズマ中に結合し、そしてま
た、標的からワークピース上にスパッタされる物質を補
うために、コイルからワークピース上にスパッタされる
スパッタ用物質の供給源を提供する。或いは、複数のコ
イルを提供して、一つは主としてプラズマ中にエネルギ
ーを結合するためのものとし、そして他の一つは主とし
てワークピース上にスパッタされるスパッタ用物質の補
足の供給源を提供するためのものとしてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ発生器に
関し、特には、半導体デバイスの製造において物質の層
をスパッタ堆積するためにプラズマを発生するための方
法及び装置に関する。
関し、特には、半導体デバイスの製造において物質の層
をスパッタ堆積するためにプラズマを発生するための方
法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】低電圧無線周波数（ＲＦ）で発生させた
プラズマは、表面処理、堆積(depositions)及びエッチ
ング工程を含む種々の半導体デバイスの製造工程におい
て用いることができる高エネルギーイオン及び活性化さ
れた原子の慣用の供給源となっている。たとえば、スパ
ッタ堆積方法を用いて半導体ウエハ上に物質を堆積させ
るために、陰性にバイアスされたスパッタ用標的物質の
近くでプラズマが作られる。プラズマ内で作られたイオ
ンは、標的の表面に衝突して、標的から物質を追い出
す、すなわちスパッタする。次いで、スパッタされた物
質は、半導体ウエハの表面上に移されそして堆積され
る。
プラズマは、表面処理、堆積(depositions)及びエッチ
ング工程を含む種々の半導体デバイスの製造工程におい
て用いることができる高エネルギーイオン及び活性化さ
れた原子の慣用の供給源となっている。たとえば、スパ
ッタ堆積方法を用いて半導体ウエハ上に物質を堆積させ
るために、陰性にバイアスされたスパッタ用標的物質の
近くでプラズマが作られる。プラズマ内で作られたイオ
ンは、標的の表面に衝突して、標的から物質を追い出
す、すなわちスパッタする。次いで、スパッタされた物
質は、半導体ウエハの表面上に移されそして堆積され
る。
【０００３】スパッタされた物質は、基板の表面に対し
て斜めの角度にて、堆積される基板に標的からまっすぐ
な経路で移動する傾向がある。結果として、縦の長さ対
幅の縦横比の溝及び穴を有する半導体デバイスのエッチ
ングされた溝及び穴内に堆積された物質が、ブリッジを
形成し、そして堆積層中に望ましくない空洞を引き起こ
す。このような空洞を防ぐために、もしスパッタされた
物質がプラズマにより十分にイオン化されているなら
ば、基板を陰性に荷電しかつ基板に隣接してほぼ垂直方
向に向かった電場を配置することにより、スパッタされ
た物質は標的及び基板間の実質的に垂直の進路へと再び
方向づけられ得る。しかしながら、低密度のプラズマに
よってスパッタされた物質はしばしば１％未満の電離度
を有し、その電離度は通常、過度の数の空洞の形成を避
けるためには不十分である。従って、堆積層中の望まな
い空洞の形成を減少させるために、スパッタされた物質
の電離化率を増加させるべくプラズマの密度を増加させ
ることが望ましい。本明細書で用いている「密なプラズ
マ」なる語は、高い電子及びイオン密度を有するプラズ
マを意味することを意図している。
て斜めの角度にて、堆積される基板に標的からまっすぐ
な経路で移動する傾向がある。結果として、縦の長さ対
幅の縦横比の溝及び穴を有する半導体デバイスのエッチ
ングされた溝及び穴内に堆積された物質が、ブリッジを
形成し、そして堆積層中に望ましくない空洞を引き起こ
す。このような空洞を防ぐために、もしスパッタされた
物質がプラズマにより十分にイオン化されているなら
ば、基板を陰性に荷電しかつ基板に隣接してほぼ垂直方
向に向かった電場を配置することにより、スパッタされ
た物質は標的及び基板間の実質的に垂直の進路へと再び
方向づけられ得る。しかしながら、低密度のプラズマに
よってスパッタされた物質はしばしば１％未満の電離度
を有し、その電離度は通常、過度の数の空洞の形成を避
けるためには不十分である。従って、堆積層中の望まな
い空洞の形成を減少させるために、スパッタされた物質
の電離化率を増加させるべくプラズマの密度を増加させ
ることが望ましい。本明細書で用いている「密なプラズ
マ」なる語は、高い電子及びイオン密度を有するプラズ
マを意味することを意図している。
【０００４】静電結合、誘導結合及び波加熱等のＲＦ場
を用いたプラズマを励起するためのいくつかの公知の技
術がある。標準の誘導的結合プラズマ（ＩＣＰ）発生器
において、プラズマの周りのコイルを通過するＲＦ電流
は、プラズマ中の電磁の流れを誘発する。これらの流れ
は、オーム加熱によって伝導性プラズマを加熱し、その
結果それは安定な状態に維持される。例えば、米国特許
第4,362,632号明細書中に示されているように、コイル
を通る電流は、インピーダンス整合回路網を通じてコイ
ルに連結されたＲＦ発生器によって供給されて、そのコ
イルは変圧器の最初の巻きとして働く。プラズマは、変
圧器の単巻きの第二の巻きとして働く。
を用いたプラズマを励起するためのいくつかの公知の技
術がある。標準の誘導的結合プラズマ（ＩＣＰ）発生器
において、プラズマの周りのコイルを通過するＲＦ電流
は、プラズマ中の電磁の流れを誘発する。これらの流れ
は、オーム加熱によって伝導性プラズマを加熱し、その
結果それは安定な状態に維持される。例えば、米国特許
第4,362,632号明細書中に示されているように、コイル
を通る電流は、インピーダンス整合回路網を通じてコイ
ルに連結されたＲＦ発生器によって供給されて、そのコ
イルは変圧器の最初の巻きとして働く。プラズマは、変
圧器の単巻きの第二の巻きとして働く。
【０００５】多くの高密度プラズマの用途においては、
プラズマイオンと堆積物質原子間の衝突頻度が増加さ
れ、それによって高密度プラズマゾーン中のスパッタさ
れる物質の滞留時間を増加するように、比較的高電圧で
操作されることがチャンバにとって好ましい。しかしな
がら、堆積物原子の散乱も同様に増加する。この堆積物
原子の散乱は典型的には、標的の中心と一直線上に並ん
だ基板の部分はより厚くそして中心を離れた領域ではよ
り薄くなるという基板上の堆積層の厚みを引き起こす。
標的と基板間の距離を減少すること（これは、プラズマ
散乱の効果を減少させる）により、堆積層がより均一に
作られうるということが判った。
プラズマイオンと堆積物質原子間の衝突頻度が増加さ
れ、それによって高密度プラズマゾーン中のスパッタさ
れる物質の滞留時間を増加するように、比較的高電圧で
操作されることがチャンバにとって好ましい。しかしな
がら、堆積物原子の散乱も同様に増加する。この堆積物
原子の散乱は典型的には、標的の中心と一直線上に並ん
だ基板の部分はより厚くそして中心を離れた領域ではよ
り薄くなるという基板上の堆積層の厚みを引き起こす。
標的と基板間の距離を減少すること（これは、プラズマ
散乱の効果を減少させる）により、堆積層がより均一に
作られうるということが判った。
【０００６】一方、スパッタされた原子のスパッタ速度
率及び電離化を増加させるべくプラズマの電離化を増加
させるために、標的と基板間の距離を増加させることが
望ましいと判った。プラズマ中にエネルギーを結合させ
るために用いられるコイルは、典型的には、標的と基板
間の空間を取り囲む。もし標的が基板に対してあまりに
近くに配置されると、プラズマの電離化は不利に影響さ
れうる。従って、プラズマ中にＲＦエネルギーを結合さ
せるコイルを収容するために、標的を基板からある最少
の距離にて空間を空けて配置することが（このような、
最少の空間は、堆積物の均一性に不利に影響することが
あり得るけれども）必要であるとしばしば理解されてき
た。
率及び電離化を増加させるべくプラズマの電離化を増加
させるために、標的と基板間の距離を増加させることが
望ましいと判った。プラズマ中にエネルギーを結合させ
るために用いられるコイルは、典型的には、標的と基板
間の空間を取り囲む。もし標的が基板に対してあまりに
近くに配置されると、プラズマの電離化は不利に影響さ
れうる。従って、プラズマ中にＲＦエネルギーを結合さ
せるコイルを収容するために、標的を基板からある最少
の距離にて空間を空けて配置することが（このような、
最少の空間は、堆積物の均一性に不利に影響することが
あり得るけれども）必要であるとしばしば理解されてき
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、実用
目的のために上記した限界を回避する、チャンバ内にプ
ラズマを発生するための及び層をスパッタ堆積させるた
めの改善された方法及び装置を提供することである。
目的のために上記した限界を回避する、チャンバ内にプ
ラズマを発生するための及び層をスパッタ堆積させるた
めの改善された方法及び装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】これらの及び他の目的及
び利点が、本発明の一つの観点に従って、コイル（この
コイルはまた、標的からワークピース上へスパッタされ
る物質を補うためにコイルからワークピース上へ物質を
スパッタするのにも適している）から電磁気エネルギー
を誘導的に結合させるプラズマ発生装置により達成され
る。コイルからスパッタされる原子が標的からスパッタ
される原子と組合わさって所望の種類の物質の層を形成
するように、コイルは好ましくは標的と同じ種類の物質
から作られる。本発明の一つの実施態様に従ってコイル
からスパッタされる物質の分布は、基板の端ではより厚
くそして基板の中心に向かってより薄くなる傾向がある
と判った。このような分布は、標的からスパッタされる
物質の分布プロファイル（そこでは標的からの物質が、
端に比べて基板の中心においてより厚く堆積する傾向が
ある）を補償するのに非常に有利である。結果として、
コイル及び標的の両者から堆積された物質は、組合わさ
って、基板の中心からその端へと、比較的均一な厚さの
層を形成することができる。
び利点が、本発明の一つの観点に従って、コイル（この
コイルはまた、標的からワークピース上へスパッタされ
る物質を補うためにコイルからワークピース上へ物質を
スパッタするのにも適している）から電磁気エネルギー
を誘導的に結合させるプラズマ発生装置により達成され
る。コイルからスパッタされる原子が標的からスパッタ
される原子と組合わさって所望の種類の物質の層を形成
するように、コイルは好ましくは標的と同じ種類の物質
から作られる。本発明の一つの実施態様に従ってコイル
からスパッタされる物質の分布は、基板の端ではより厚
くそして基板の中心に向かってより薄くなる傾向がある
と判った。このような分布は、標的からスパッタされる
物質の分布プロファイル（そこでは標的からの物質が、
端に比べて基板の中心においてより厚く堆積する傾向が
ある）を補償するのに非常に有利である。結果として、
コイル及び標的の両者から堆積された物質は、組合わさ
って、基板の中心からその端へと、比較的均一な厚さの
層を形成することができる。
【０００９】一つの実施態様において、標的及びコイル
の両者から基板上にスパッタされる物質が実質的に同じ
物質、すなわちチタンであるように、標的及びコイルが
共に比較的純粋なチタンから形成される。他の実施態様
においては、他の種類の物質、例えばアルミニウムが堆
積されうる。この場合は、コイル並びに標的は、同じグ
レードのアルミニウム、すなわち、目標グレードのアル
ミニウムから作られる。もし物質の混合物又は組み合わ
せを堆積することが望まれる場合は、標的及びコイル
は、物質の同じ混合物から、或いは物質が基板上に堆積
された時に組み合わさる又は混合するような異なった物
質から作られうる。
の両者から基板上にスパッタされる物質が実質的に同じ
物質、すなわちチタンであるように、標的及びコイルが
共に比較的純粋なチタンから形成される。他の実施態様
においては、他の種類の物質、例えばアルミニウムが堆
積されうる。この場合は、コイル並びに標的は、同じグ
レードのアルミニウム、すなわち、目標グレードのアル
ミニウムから作られる。もし物質の混合物又は組み合わ
せを堆積することが望まれる場合は、標的及びコイル
は、物質の同じ混合物から、或いは物質が基板上に堆積
された時に組み合わさる又は混合するような異なった物
質から作られうる。
【００１０】また他の実施態様において、第一のコイル
に加えて第二のコイル様構造物が、物質のスパッタにつ
いて追加の標的を提供する。この第二のコイルは好まし
くは、ＲＦ発生器には連結されず、代わりにＤＣ電流で
バイアスされている。物質が第一のコイルから連続的に
スパッタされてもされなくても、コイルからスパッタさ
れる物質は、第二のコイルがＤＣバイアス化されている
ので主として第二のコイルから由来する。このような配
置は、第二コイルのＤＣバイアスに対する第一の標的の
ＤＣバイアスの比を、第一の標的から堆積される物質の
厚みの不均一性を最適に補償するために設定することを
可能とする。さらに、第一のコイルに供給されたＲＦ電
流は、電離化のためのプラズマ密度の最適化のために、
標的及び第二のコイルに供給されたバイアスとは別個に
設定されることができる。
に加えて第二のコイル様構造物が、物質のスパッタにつ
いて追加の標的を提供する。この第二のコイルは好まし
くは、ＲＦ発生器には連結されず、代わりにＤＣ電流で
バイアスされている。物質が第一のコイルから連続的に
スパッタされてもされなくても、コイルからスパッタさ
れる物質は、第二のコイルがＤＣバイアス化されている
ので主として第二のコイルから由来する。このような配
置は、第二コイルのＤＣバイアスに対する第一の標的の
ＤＣバイアスの比を、第一の標的から堆積される物質の
厚みの不均一性を最適に補償するために設定することを
可能とする。さらに、第一のコイルに供給されたＲＦ電
流は、電離化のためのプラズマ密度の最適化のために、
標的及び第二のコイルに供給されたバイアスとは別個に
設定されることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】まず図１及び図２を参照すると、
本発明の第一の実施態様に従ったプラズマ発生器は、減
圧チャンバ１０２（図２中に概略的に示した）中に収容
された実質上筒状のプラズマチャンバ１００を含む。こ
の実施態様のプラズマチャンバ１００は、単巻きコイル
１０４を有し、それはシールド１０６によって支持され
ている。シールド１０６は、減圧チャンバ１０２の内壁
（図示せず）をプラズマチャンバ１００の内部に堆積す
る物質から保護する。
本発明の第一の実施態様に従ったプラズマ発生器は、減
圧チャンバ１０２（図２中に概略的に示した）中に収容
された実質上筒状のプラズマチャンバ１００を含む。こ
の実施態様のプラズマチャンバ１００は、単巻きコイル
１０４を有し、それはシールド１０６によって支持され
ている。シールド１０６は、減圧チャンバ１０２の内壁
（図示せず）をプラズマチャンバ１００の内部に堆積す
る物質から保護する。
【００１２】無線周波数（ＲＦ）発生器１０６からのＲ
Ｆエネルギーは、コイル１０４から堆積系１００の内部
に放射され、それは堆積系１００内のプラズマを活発化
する。活発化されたプラズマは、プラズマイオンの流束
を発生させ、それは、チャンバ１０２の頂部に配置され
た陰性にバイアスされた標的１１０にぶつかる。標的１
１０は、ＤＣ電源１１１によって陰性にバイアスされて
いる。プラズマイオンは、標的１１０から基板１１２上
へ物質を放出させる。基板は、台座１１４によって堆積
系１００の底に支持されたウエハ又は他のワークピース
でありうる。標的１１０の上に準備された回転磁石組立
体１１６は、磁界を提供し、磁界は、標的１１０の表面
上を掃射して標的の均一な浸食を促進する。
Ｆエネルギーは、コイル１０４から堆積系１００の内部
に放射され、それは堆積系１００内のプラズマを活発化
する。活発化されたプラズマは、プラズマイオンの流束
を発生させ、それは、チャンバ１０２の頂部に配置され
た陰性にバイアスされた標的１１０にぶつかる。標的１
１０は、ＤＣ電源１１１によって陰性にバイアスされて
いる。プラズマイオンは、標的１１０から基板１１２上
へ物質を放出させる。基板は、台座１１４によって堆積
系１００の底に支持されたウエハ又は他のワークピース
でありうる。標的１１０の上に準備された回転磁石組立
体１１６は、磁界を提供し、磁界は、標的１１０の表面
上を掃射して標的の均一な浸食を促進する。
【００１３】標的１１０から放出された物質の原子は、
次いでプラズマに誘電的に結合されているコイル１０４
によって活発化されているプラズマによって電離化され
る。ＲＦ発生器１０６は、好ましくは増幅器及びインピ
ーダンス整合回路網１１８を通じてコイル１０４に連結
されている。コイル１０４の他の終端は、好ましくは、
可変コンデンサであり得るコンデンサ１２０を通じて地
面に連結されている。電離化された堆積物質は、基板１
１２に吸引されそしてその上に堆積層を形成する。台座
１１４は、基板１１２を外部からバイアスするようにＡ
Ｃ（又はＤＣ又はＲＦ）供給源１２１によって陰性にバ
イアスされうる。同時係属している特許出願、シリアル
番号第 号明細書（１９９６年７月９日出願
（代理人番号、1402/PVD/DV）、発明の名称：「全面の
高密度プラズマ堆積を提供する方法(Method for Provid
ing Full-Face High Density Plasma Deposition)」、
これは、本出願の譲受人に譲渡されており、引用するこ
とにより本明細書の一部である）にかなり詳細に記載さ
れているように、基板１１２の外部からのバイアスは場
合により除くことができる。
次いでプラズマに誘電的に結合されているコイル１０４
によって活発化されているプラズマによって電離化され
る。ＲＦ発生器１０６は、好ましくは増幅器及びインピ
ーダンス整合回路網１１８を通じてコイル１０４に連結
されている。コイル１０４の他の終端は、好ましくは、
可変コンデンサであり得るコンデンサ１２０を通じて地
面に連結されている。電離化された堆積物質は、基板１
１２に吸引されそしてその上に堆積層を形成する。台座
１１４は、基板１１２を外部からバイアスするようにＡ
Ｃ（又はＤＣ又はＲＦ）供給源１２１によって陰性にバ
イアスされうる。同時係属している特許出願、シリアル
番号第 号明細書（１９９６年７月９日出願
（代理人番号、1402/PVD/DV）、発明の名称：「全面の
高密度プラズマ堆積を提供する方法(Method for Provid
ing Full-Face High Density Plasma Deposition)」、
これは、本出願の譲受人に譲渡されており、引用するこ
とにより本明細書の一部である）にかなり詳細に記載さ
れているように、基板１１２の外部からのバイアスは場
合により除くことができる。
【００１４】以下にかなり詳細に説明するように、本発
明の一つの観点に従って、物質はまたコイル１０４から
基板１１２上へスパッタされ、標的１１０からワークピ
ース上へスパッタされる物質を補う。結果として、基板
１１２上に堆積された層は、コイル１０４及び標的１０
４の両者からの物質から形成され、そのことは得られる
層の均一性を実質的に改善することができる。
明の一つの観点に従って、物質はまたコイル１０４から
基板１１２上へスパッタされ、標的１１０からワークピ
ース上へスパッタされる物質を補う。結果として、基板
１１２上に堆積された層は、コイル１０４及び標的１０
４の両者からの物質から形成され、そのことは得られる
層の均一性を実質的に改善することができる。
【００１５】コイル１０４は、コイル１０４を支持シー
ルド１０６から電気的に絶縁している複数のコイル隔離
碍子(standoff)１２２（図１）によってシールド１０６
上に支持されている。同時係属している特許出願、シリ
アル番号第08/647,182号明細書（１９９６年５月９日出
願（代理人番号、1186/PVD/DV）、発明の名称：「プラ
ズマを発生するための埋込式コイル」、これは、本出願
の譲受人に譲渡されており、引用することにより本明細
書の一部である）にかなり詳細に記載されているよう
に、絶縁コイル隔離碍子１２２は、コイル１０４をシー
ルド１０６（これは典型的には接地されている）に短絡
させることができるコイル１０４からシールド１０６へ
の堆積された物質の完全な導電経路の形成を防ぎなが
ら、標的１１０からコイル隔離碍子１２２上へ誘電性物
質を繰り返し堆積することを可能とする内部ラビリンス
構造を有する。
ルド１０６から電気的に絶縁している複数のコイル隔離
碍子(standoff)１２２（図１）によってシールド１０６
上に支持されている。同時係属している特許出願、シリ
アル番号第08/647,182号明細書（１９９６年５月９日出
願（代理人番号、1186/PVD/DV）、発明の名称：「プラ
ズマを発生するための埋込式コイル」、これは、本出願
の譲受人に譲渡されており、引用することにより本明細
書の一部である）にかなり詳細に記載されているよう
に、絶縁コイル隔離碍子１２２は、コイル１０４をシー
ルド１０６（これは典型的には接地されている）に短絡
させることができるコイル１０４からシールド１０６へ
の堆積された物質の完全な導電経路の形成を防ぎなが
ら、標的１１０からコイル隔離碍子１２２上へ誘電性物
質を繰り返し堆積することを可能とする内部ラビリンス
構造を有する。
【００１６】ＲＦ電力は、絶縁性のフィードスルー隔離
碍子１２４によって支持されているフィードスルー（図
示せず）によってコイル１０４に加えられる。フィード
スルー隔離碍子１２４は、コイル支持隔離碍子１２２と
同様に、コイル１０４からシールド１０６へ短絡する導
電性通路を形成することなしに、標的からフィードスル
ー隔離碍子１２４上への伝導性物質の繰り返しの堆積を
可能とする。従って、コイルフィードスルー隔離碍子１
２４は、コイル１０４とシールドの壁１４０間の短絡の
形成を防ぐために、コイル隔離碍子１２２と幾分似てい
る内部ラビリンス構造を有する。
碍子１２４によって支持されているフィードスルー（図
示せず）によってコイル１０４に加えられる。フィード
スルー隔離碍子１２４は、コイル支持隔離碍子１２２と
同様に、コイル１０４からシールド１０６へ短絡する導
電性通路を形成することなしに、標的からフィードスル
ー隔離碍子１２４上への伝導性物質の繰り返しの堆積を
可能とする。従って、コイルフィードスルー隔離碍子１
２４は、コイル１０４とシールドの壁１４０間の短絡の
形成を防ぐために、コイル隔離碍子１２２と幾分似てい
る内部ラビリンス構造を有する。
【００１７】図１に最もよく示されているように、プラ
ズマチャンバ１００は、陰性にバイアスされる上部の標
的１１０に関して接地面を提供する暗黒部シールドリン
グ１３０を有する。さらに、上記した同時係属している
特許出願、シリアル番号08/647,182号明細書にかなり詳
しく説明されているように、シールドリング１３０は、
標的の外側の端をプラズマからシールドし、標的の外側
の端のスパッタリングを減少させる。暗黒部シールド１
３０はまた、コイル１０４（及びコイル支持隔離碍子１
２２及びフィードスルー隔離碍子１２４）を、標的から
スパッタされる物質からシールドするために配置される
という他の機能をなしている。スパッタされる物質のあ
るものはプラズマチャンバ１００の垂直軸に対して斜め
の角度で移動するので、暗黒部シールド１３０は、コイ
ル１０４及びそれに付随する支持体構造を、スパッタさ
れる物質の全てからは完全にはシールドしない。しかし
ながら、スパッタされる物質のほとんどは、チャンバの
垂直軸に平行に又は垂直軸に対して比較的小さい斜角に
て移動するので、コイル１０４の上に覆い被さるように
して配置された暗黒部シールド１３０は、スパッタされ
る物質の実質的な量がコイル１０４上に堆積されるのを
防ぐ。或いは、コイル１０４上に堆積される物質の量を
減らすことにより、コイル１０４（及びその支持体構
造）上に堆積される物質による粒子の形成を実質的に減
少することができる。
ズマチャンバ１００は、陰性にバイアスされる上部の標
的１１０に関して接地面を提供する暗黒部シールドリン
グ１３０を有する。さらに、上記した同時係属している
特許出願、シリアル番号08/647,182号明細書にかなり詳
しく説明されているように、シールドリング１３０は、
標的の外側の端をプラズマからシールドし、標的の外側
の端のスパッタリングを減少させる。暗黒部シールド１
３０はまた、コイル１０４（及びコイル支持隔離碍子１
２２及びフィードスルー隔離碍子１２４）を、標的から
スパッタされる物質からシールドするために配置される
という他の機能をなしている。スパッタされる物質のあ
るものはプラズマチャンバ１００の垂直軸に対して斜め
の角度で移動するので、暗黒部シールド１３０は、コイ
ル１０４及びそれに付随する支持体構造を、スパッタさ
れる物質の全てからは完全にはシールドしない。しかし
ながら、スパッタされる物質のほとんどは、チャンバの
垂直軸に平行に又は垂直軸に対して比較的小さい斜角に
て移動するので、コイル１０４の上に覆い被さるように
して配置された暗黒部シールド１３０は、スパッタされ
る物質の実質的な量がコイル１０４上に堆積されるのを
防ぐ。或いは、コイル１０４上に堆積される物質の量を
減らすことにより、コイル１０４（及びその支持体構
造）上に堆積される物質による粒子の形成を実質的に減
少することができる。
【００１８】説明されている実施態様においては、暗黒
部シールド１３０は、チタンの閉じた連続したリング
（そこでは、チタンの堆積がチャンバ１００内で起こ
る）又は一般に逆（frusto）円錐性を有するステンレス
スチールである。暗黒部シールドは、１／４インチの距
離にてコイル１０４を部分的に覆うように、プラズマチ
ャンバ１００の中心に向かって内へと延びる。もちろ
ん、重なり合う量は、コイル及び他の要素の相対的な大
きさ及び配置に応じて変更されうることが認識される。
例えば、重なり合いは、スパッタされる物質からのコイ
ル１０４のシーリングを増加するために増加されうる
が、重なり合いの増加はまた、プラズマから標的をさら
にシールドしうることになり、このことはいくつかの用
途において望ましくない可能性がある。代わりの実施態
様において、コイル１０４は、コイルをさらに保護しそ
してワークピース上への粒子の堆積を減少させるため
に、埋込式のコイルチャンバ（図示せず）内に配置され
うる。
部シールド１３０は、チタンの閉じた連続したリング
（そこでは、チタンの堆積がチャンバ１００内で起こ
る）又は一般に逆（frusto）円錐性を有するステンレス
スチールである。暗黒部シールドは、１／４インチの距
離にてコイル１０４を部分的に覆うように、プラズマチ
ャンバ１００の中心に向かって内へと延びる。もちろ
ん、重なり合う量は、コイル及び他の要素の相対的な大
きさ及び配置に応じて変更されうることが認識される。
例えば、重なり合いは、スパッタされる物質からのコイ
ル１０４のシーリングを増加するために増加されうる
が、重なり合いの増加はまた、プラズマから標的をさら
にシールドしうることになり、このことはいくつかの用
途において望ましくない可能性がある。代わりの実施態
様において、コイル１０４は、コイルをさらに保護しそ
してワークピース上への粒子の堆積を減少させるため
に、埋込式のコイルチャンバ（図示せず）内に配置され
うる。
【００１９】チャンバシールド１０６は、一般にボウル
形状であり、そして一般に、筒状形状である垂直に延び
た壁１０４を含み、隔離碍子１２２及び１２４がコイル
１０４を絶縁的に支持するためにそこに取り付けられて
いる。シールドはさらに、一般的に環状形状の床壁（図
示せず）を有しており、それは、説明している実施態様
では直径８インチのワークピース１１２を支持するチャ
ック又は台座１１４を取り囲んでいる。クランプリング
（図示せず）は、ウエハをチャック１１４にクランプす
るために、そしてシールド１１６の床壁とチャック１１
４間のギャップを覆うために用いられ得る。
形状であり、そして一般に、筒状形状である垂直に延び
た壁１０４を含み、隔離碍子１２２及び１２４がコイル
１０４を絶縁的に支持するためにそこに取り付けられて
いる。シールドはさらに、一般的に環状形状の床壁（図
示せず）を有しており、それは、説明している実施態様
では直径８インチのワークピース１１２を支持するチャ
ック又は台座１１４を取り囲んでいる。クランプリング
（図示せず）は、ウエハをチャック１１４にクランプす
るために、そしてシールド１１６の床壁とチャック１１
４間のギャップを覆うために用いられ得る。
【００２０】プラズマチャンバ１００は、減圧チャンバ
に係合しているアダプターリング組立品１５２によって
支持されている。チャンバシールド１０６は、アダプタ
ーリング組立品１５２を通じて系の地面（アース）に接
地されている。暗黒部シールド１３０は、チャンバシー
ルド１０６と同様に、アダプターリング組立品１５２を
通じて接地されている。
に係合しているアダプターリング組立品１５２によって
支持されている。チャンバシールド１０６は、アダプタ
ーリング組立品１５２を通じて系の地面（アース）に接
地されている。暗黒部シールド１３０は、チャンバシー
ルド１０６と同様に、アダプターリング組立品１５２を
通じて接地されている。
【００２１】標的１１０は、一般に平円盤形状であり、
またアダプターリング組立品１５２により支持されてい
る。しかしながら、標的１１０は、陰性にバイアスされ
ており、それ故、接地面（アース面）にあるアダプター
リング組立品から絶縁されるべきである。従って、標的
１１０の下側に形成された環状の導管内に、セラミック
絶縁リング組立品１７２が収容され、それはまた、標的
１５２の上側内の対応する導管１７４内に収容されてい
る。セラミック等の種々の絶縁性物質から作られうる絶
縁環状組立品１７２は、標的１１０が適当に陰性にバイ
アスされるように標的１１０をアダプターリング組立品
１５２から離して間隔を開ける。標的、アダプター及び
セラミックリング組立品は、Ｏ−リングシーリング表面
（図示せず）を提供し、減圧チャンバから標的１１０ま
での減圧のしっかりとした組立体を提供する。
またアダプターリング組立品１５２により支持されてい
る。しかしながら、標的１１０は、陰性にバイアスされ
ており、それ故、接地面（アース面）にあるアダプター
リング組立品から絶縁されるべきである。従って、標的
１１０の下側に形成された環状の導管内に、セラミック
絶縁リング組立品１７２が収容され、それはまた、標的
１５２の上側内の対応する導管１７４内に収容されてい
る。セラミック等の種々の絶縁性物質から作られうる絶
縁環状組立品１７２は、標的１１０が適当に陰性にバイ
アスされるように標的１１０をアダプターリング組立品
１５２から離して間隔を開ける。標的、アダプター及び
セラミックリング組立品は、Ｏ−リングシーリング表面
（図示せず）を提供し、減圧チャンバから標的１１０ま
での減圧のしっかりとした組立体を提供する。
【００２２】図解された実施態様のコイル１０４は、１
／２Ｘ１／８インチの特別丈夫なビードブラスティッド
ソリッド（bead blasted solid）高純度（好ましくは９
９．９９５％純度）チタンリボンから作られた直径１０
〜１２インチの単巻きコイルである。しかしながら、他
の誘電性の高い物質及び他の形状も、スパッタされる物
質及び他の要因に応じて用いられ得る。例えば、リボン
は１／１６インチ程度の薄さであり、長さは２インチを
超えることもできる。また、もしスパッタされるべき物
質がアルミニウムであれば、標的及びコイルは共に高純
度のアルミニウムから作られうる。図で説明したリボン
の形状の他に、特にもし水での冷却が望まれる場合は、
中空のチューブも用いられ得る。
／２Ｘ１／８インチの特別丈夫なビードブラスティッド
ソリッド（bead blasted solid）高純度（好ましくは９
９．９９５％純度）チタンリボンから作られた直径１０
〜１２インチの単巻きコイルである。しかしながら、他
の誘電性の高い物質及び他の形状も、スパッタされる物
質及び他の要因に応じて用いられ得る。例えば、リボン
は１／１６インチ程度の薄さであり、長さは２インチを
超えることもできる。また、もしスパッタされるべき物
質がアルミニウムであれば、標的及びコイルは共に高純
度のアルミニウムから作られうる。図で説明したリボン
の形状の他に、特にもし水での冷却が望まれる場合は、
中空のチューブも用いられ得る。
【００２３】またさらに、図で説明したリボン形状の代
わりに、コイルが複数の巻きを有する場合は、コイルの
各単巻きは、平らな、端が開口した環状リング、例えば
図３で２００として示したものも満足に用いられる。こ
のような形状は、特に複数巻きのコイルに対して有利で
ある。複数巻きコイルの利点は、要求される電流レベル
が所与のＲＦ電力レベルに対して実質的に減少されうる
ことである。しかしながら、複数巻きのコイルは、単巻
きのコイルの比べてより複雑になり、従って、最もコス
トがかかり、洗浄が困難であるという傾向がある。例え
ば、チタンの３巻きの螺旋状コイル及びそれに付随する
支持構造は、かなり高価であり得る。複数巻きコイルの
製造コストは、図４に示されている複数巻きコイル１０
４’を形成するためにいくつかのこのような平らなリン
グ２００ａ〜２００ｃを用いることにより実質的に減少
しうる。各リングは、一方の側において支持体隔離碍子
２０４ａ〜２０４ｃにより、そして他方の側において一
対のＲＦフィードスルー隔離碍子２０６ａ〜２０６ｃ及
び２０８ａ〜２０８ｃ（図６）により支持されている。
図５において最もよく示されているように、支持体隔離
碍子２０４ａ〜２０４ｃは、好ましくは千鳥形の位置関
係でシールド壁２１０上に配置されている。各支持体隔
離碍子２０４ａ〜２０４ｃは、適所にコイルリングを固
定するため、対応するコイルリング２００の下側に形成
された対応する溝２１２（図３）によって収容される。
わりに、コイルが複数の巻きを有する場合は、コイルの
各単巻きは、平らな、端が開口した環状リング、例えば
図３で２００として示したものも満足に用いられる。こ
のような形状は、特に複数巻きのコイルに対して有利で
ある。複数巻きコイルの利点は、要求される電流レベル
が所与のＲＦ電力レベルに対して実質的に減少されうる
ことである。しかしながら、複数巻きのコイルは、単巻
きのコイルの比べてより複雑になり、従って、最もコス
トがかかり、洗浄が困難であるという傾向がある。例え
ば、チタンの３巻きの螺旋状コイル及びそれに付随する
支持構造は、かなり高価であり得る。複数巻きコイルの
製造コストは、図４に示されている複数巻きコイル１０
４’を形成するためにいくつかのこのような平らなリン
グ２００ａ〜２００ｃを用いることにより実質的に減少
しうる。各リングは、一方の側において支持体隔離碍子
２０４ａ〜２０４ｃにより、そして他方の側において一
対のＲＦフィードスルー隔離碍子２０６ａ〜２０６ｃ及
び２０８ａ〜２０８ｃ（図６）により支持されている。
図５において最もよく示されているように、支持体隔離
碍子２０４ａ〜２０４ｃは、好ましくは千鳥形の位置関
係でシールド壁２１０上に配置されている。各支持体隔
離碍子２０４ａ〜２０４ｃは、適所にコイルリングを固
定するため、対応するコイルリング２００の下側に形成
された対応する溝２１２（図３）によって収容される。
【００２４】コイルリング２００ａ〜２００ｃは、ＲＦ
フィードスルー隔離碍子２０６ａ〜２０６ｃ及び２０８
ａ〜２０８ｃを通るＲＦフィードスルーによって、直列
に互いに電気的に連結されている。支持体隔離碍子２０
４ａ〜２０４ｃと同じ様式にて、フィードスルー隔離碍
子２０６ａ〜２０６ｃ及び２０８ａ〜２０８ｃは、コイ
ルリングの各端に隣接する各々のコイルリングの下側に
形成された対応する溝２１２（図３）にそれぞれ収容さ
れる。図６に概略的に示されているように、シールド壁
の外側のＲＦ導波管２２０ａは、フィードスルー隔離碍
子２０６ａ中のＲＦフォードスルーによって、最も低い
コイルリング２００ａの一方の端に連結されている。コ
イルリング２００ａの他の端は、フィードスルー隔離碍
子２０８ａ中のＲＦフィードスルーによって他の外部の
ＲＦ導波管２２０ｂに連結されており、導波管２２０ｂ
は、フィードスルー隔離碍子２０６ｂ中のＲＦフィード
スルーによって中央のコイルリング２００ｂの一方の端
に連結されている。コイルリング２００ｂの他の端は、
フィードスルー隔離碍子２０８ｂ中のＲＦフィードスル
ーによって他の外部のＲＦ導波管２２０ｃに連結されて
おり、導波管２２０ｃは、フィードスルー隔離碍子２０
６ｃ中のＲＦフィードスルーによって頂部のコイルリン
グ２００ｃの一つの端に連結されている。最後に、頂部
コイルリング２００ｃの他の端は、フィードスルー隔離
碍子２０８ｃ中のＲＦフィードスルーによって他の外部
のＲＦ導波管２２０ｄに連結されている。このようにし
て互いに連結されて、コイルリング２００ａ〜２００ｃ
を通る電流は、コイルリングによって作られる磁界が互
いに構造的に強化し合うように、同じ方向に向けられて
いる。コイル１０４’は複数巻きコイルであるので、フ
ィードスルー隔離碍子２０６及び２０８の電流取り扱い
要求は、所与のＲＦ電流レベルのための単巻きコイル１
０４のフィードスルー支持体１２４のそれに比べて実質
的に減少しうる。
フィードスルー隔離碍子２０６ａ〜２０６ｃ及び２０８
ａ〜２０８ｃを通るＲＦフィードスルーによって、直列
に互いに電気的に連結されている。支持体隔離碍子２０
４ａ〜２０４ｃと同じ様式にて、フィードスルー隔離碍
子２０６ａ〜２０６ｃ及び２０８ａ〜２０８ｃは、コイ
ルリングの各端に隣接する各々のコイルリングの下側に
形成された対応する溝２１２（図３）にそれぞれ収容さ
れる。図６に概略的に示されているように、シールド壁
の外側のＲＦ導波管２２０ａは、フィードスルー隔離碍
子２０６ａ中のＲＦフォードスルーによって、最も低い
コイルリング２００ａの一方の端に連結されている。コ
イルリング２００ａの他の端は、フィードスルー隔離碍
子２０８ａ中のＲＦフィードスルーによって他の外部の
ＲＦ導波管２２０ｂに連結されており、導波管２２０ｂ
は、フィードスルー隔離碍子２０６ｂ中のＲＦフィード
スルーによって中央のコイルリング２００ｂの一方の端
に連結されている。コイルリング２００ｂの他の端は、
フィードスルー隔離碍子２０８ｂ中のＲＦフィードスル
ーによって他の外部のＲＦ導波管２２０ｃに連結されて
おり、導波管２２０ｃは、フィードスルー隔離碍子２０
６ｃ中のＲＦフィードスルーによって頂部のコイルリン
グ２００ｃの一つの端に連結されている。最後に、頂部
コイルリング２００ｃの他の端は、フィードスルー隔離
碍子２０８ｃ中のＲＦフィードスルーによって他の外部
のＲＦ導波管２２０ｄに連結されている。このようにし
て互いに連結されて、コイルリング２００ａ〜２００ｃ
を通る電流は、コイルリングによって作られる磁界が互
いに構造的に強化し合うように、同じ方向に向けられて
いる。コイル１０４’は複数巻きコイルであるので、フ
ィードスルー隔離碍子２０６及び２０８の電流取り扱い
要求は、所与のＲＦ電流レベルのための単巻きコイル１
０４のフィードスルー支持体１２４のそれに比べて実質
的に減少しうる。
【００２５】上記したように、プラズマの電離化を容易
とするためのコイル１０４の適合のために、標的１１０
をワークピース１１２の表面から離すことが有益である
と判った。しかしながら、標的及びワークピース間のこ
の増加された空間は、標的から堆積される物質の均一性
には不都合に影響する。図７中の２５０に示されている
ように、このような不均一性は典型的には、ワークピー
スの中心に向かって堆積された物質が厚くなること、従
って、ワークピースの端に向かって堆積された物質が薄
くなることで示される。本発明の一つの特徴に従って、
この不均一性は、ワークピースの上のスパッタ標的１１
０からばかりでなく、ワークピースの端を取り囲むコイ
ル１０４からの堆積物質をスパッタすることにより効果
的に補償される。ワークピースの端はワークピースの中
心よりコイル１０４に近いので、図３の２５２に示され
るように、コイルからスパッタされた物質は、中心のよ
りワークピースの端に向かってより厚く堆積する傾向が
あることが判った。もちろん、このことは、標的１１０
からの物質の堆積パターンの逆である。 図７の堆積プ
ロファイル２５４によって示されるスパッタされた物質
の両供給源からの層の全体の堆積プロファイルが、標的
のみからしばしば得られるプロファイルより実質的によ
り均一になるように、標的に与えられるバイアスのＤＣ
電流レベルに対するコイル１０４に与えられるＲＦ電流
レベルを適当に調節することにより、コイル１０４から
スパッタされる物質の堆積レベルが、標的からの物質の
堆積プロファイルの不均一性を実質的に補償するような
方法にて選択されうるということが判った。物質が標的
からスパッタされそしてウエハ上に堆積されることに加
えて、コイルからスパッタされる物質が、ウエハの端で
測定して少なくとも１分当たり５０オングストロームの
速度にて堆積されるように、コイルがスパッタされる物
質を十分に供給することが好ましい。
とするためのコイル１０４の適合のために、標的１１０
をワークピース１１２の表面から離すことが有益である
と判った。しかしながら、標的及びワークピース間のこ
の増加された空間は、標的から堆積される物質の均一性
には不都合に影響する。図７中の２５０に示されている
ように、このような不均一性は典型的には、ワークピー
スの中心に向かって堆積された物質が厚くなること、従
って、ワークピースの端に向かって堆積された物質が薄
くなることで示される。本発明の一つの特徴に従って、
この不均一性は、ワークピースの上のスパッタ標的１１
０からばかりでなく、ワークピースの端を取り囲むコイ
ル１０４からの堆積物質をスパッタすることにより効果
的に補償される。ワークピースの端はワークピースの中
心よりコイル１０４に近いので、図３の２５２に示され
るように、コイルからスパッタされた物質は、中心のよ
りワークピースの端に向かってより厚く堆積する傾向が
あることが判った。もちろん、このことは、標的１１０
からの物質の堆積パターンの逆である。 図７の堆積プ
ロファイル２５４によって示されるスパッタされた物質
の両供給源からの層の全体の堆積プロファイルが、標的
のみからしばしば得られるプロファイルより実質的によ
り均一になるように、標的に与えられるバイアスのＤＣ
電流レベルに対するコイル１０４に与えられるＲＦ電流
レベルを適当に調節することにより、コイル１０４から
スパッタされる物質の堆積レベルが、標的からの物質の
堆積プロファイルの不均一性を実質的に補償するような
方法にて選択されうるということが判った。物質が標的
からスパッタされそしてウエハ上に堆積されることに加
えて、コイルからスパッタされる物質が、ウエハの端で
測定して少なくとも１分当たり５０オングストロームの
速度にて堆積されるように、コイルがスパッタされる物
質を十分に供給することが好ましい。
【００２６】標的１１０から由来するスパッタリングに
比べたコイル１０４から由来するスパッタリングの量
は、標的１１０に与えられたＤＣ電流に対するコイル１
０４に与えられたＲＦ電流の関数である。標的ＤＣ電流
に対するコイルＲＦ電流の比を調節することにより、コ
イル１０４及び標的１１０からスパッタされる物質の相
対的な量が、所望の均一性を達成するように変更されう
る。図８に示されるように、標的ＤＣ電流に対するコイ
ルＲＦ電流の特定の比が、コイル及び標的の両者から堆
積される物質の層の最も小さい程度の不均一性を達成す
る（０％と表される）。コイルへのＲＦ電流が、標的に
与えられるＤＣ電流に比べて増加すればするほど、図８
に示される不均一性のだんだん負となるパーセントによ
って表されるように、堆積された層はより端が厚くなる
傾向がある。図８の表示方式においては、端の厚さの不
均一性は、不均一性の負のパーセントによって表される
ように選択され、そして中心の厚さの不均一性は正の不
均一性のパーセントによって表されるように選択され
る。パーセントの不均一性の絶対値が大きくなればなる
ほど、そのパーセントによって表される不均一性の程度
（端の厚み又は中心の厚みのいずれか）は大きくなる。
反対に、標的に与えられるＤＣ電流に対するコイルの与
えられるＲＦ電流の比が減少すればするほど、堆積層の
中心は、ますます増加する不均一性の正のパーセントに
よって表されるように端に比べてますます厚くなる傾向
にある。従って、標的をバイアスするＤＣ電流に対する
コイルに与えられるＲＦ電流の比を調節することによっ
て、コイルからスパッタされる物質は、標的及びコイル
の両者からの物質を含む堆積層をより均一にするよう
に、標的から堆積された物質の不均一性を効果的に補償
するように適当に増加又は減少されうる。単巻きコイル
１０４にとっては、約１．５というコイルＲＦ電流対標
的ＤＣ電流比は、８インチ直径のウエハに対して満足な
結果を提供すると判った。図８は、３巻きコイルに対し
ての、種々のコイルＲＦ電流対標的ＤＣ電流の結果を示
しており、そこでは、約０．７の比が、最適であること
が示されている。
比べたコイル１０４から由来するスパッタリングの量
は、標的１１０に与えられたＤＣ電流に対するコイル１
０４に与えられたＲＦ電流の関数である。標的ＤＣ電流
に対するコイルＲＦ電流の比を調節することにより、コ
イル１０４及び標的１１０からスパッタされる物質の相
対的な量が、所望の均一性を達成するように変更されう
る。図８に示されるように、標的ＤＣ電流に対するコイ
ルＲＦ電流の特定の比が、コイル及び標的の両者から堆
積される物質の層の最も小さい程度の不均一性を達成す
る（０％と表される）。コイルへのＲＦ電流が、標的に
与えられるＤＣ電流に比べて増加すればするほど、図８
に示される不均一性のだんだん負となるパーセントによ
って表されるように、堆積された層はより端が厚くなる
傾向がある。図８の表示方式においては、端の厚さの不
均一性は、不均一性の負のパーセントによって表される
ように選択され、そして中心の厚さの不均一性は正の不
均一性のパーセントによって表されるように選択され
る。パーセントの不均一性の絶対値が大きくなればなる
ほど、そのパーセントによって表される不均一性の程度
（端の厚み又は中心の厚みのいずれか）は大きくなる。
反対に、標的に与えられるＤＣ電流に対するコイルの与
えられるＲＦ電流の比が減少すればするほど、堆積層の
中心は、ますます増加する不均一性の正のパーセントに
よって表されるように端に比べてますます厚くなる傾向
にある。従って、標的をバイアスするＤＣ電流に対する
コイルに与えられるＲＦ電流の比を調節することによっ
て、コイルからスパッタされる物質は、標的及びコイル
の両者からの物質を含む堆積層をより均一にするよう
に、標的から堆積された物質の不均一性を効果的に補償
するように適当に増加又は減少されうる。単巻きコイル
１０４にとっては、約１．５というコイルＲＦ電流対標
的ＤＣ電流比は、８インチ直径のウエハに対して満足な
結果を提供すると判った。図８は、３巻きコイルに対し
ての、種々のコイルＲＦ電流対標的ＤＣ電流の結果を示
しており、そこでは、約０．７の比が、最適であること
が示されている。
【００２７】さらに、コイル及び標的間のスパッタの相
対量はまた、標的１１０のＤＣバイアス化に対するコイ
ル１０４のＤＣバイアス化の関数であり得ると信じられ
る。このコイル１０４のＤＣバイアス化は、種々の方法
によって調節されうる。例えば、整合回路網３０２は、
典型的には、誘電子及びコンデンサーを含む。整合回路
網の１以上のコンデンサーのキャパシタンスを変化させ
ることによって、コイル１０４のＤＣバイアス化は、所
望のレベルの均一性を達成するために調節されうる。一
つの実施態様において、コイルへのＲＦ電流及びコイル
１０４のＤＣバイアス化は、所望の結果を達成するため
に別個の調節入力を有し得る。代わりの電流配置は、わ
ずかに異なる周波数で操作される２つのＲＦ発生器を含
みうる。一つの発生器の出力は、慣用の方法にてコイル
に連結されるが、わずかに異なる周波数の他の発生器
は、第二の発生器の電流レベルの変化がコイルのＤＣバ
イアスを変更するようにコイルに容量的に連結される。
このような配置は、コイルに与えられるＲＦ電流及びＤ
Ｃバイアスの独立した制御を提供しうる。現時点では、
所与のＲＦ電流レベルのために、コイルへのＤＣバイア
スの比較的大きな変化が、コイルからスパッタされる物
質の量に実質的な効果を与えるには必要であると信じら
れている。
対量はまた、標的１１０のＤＣバイアス化に対するコイ
ル１０４のＤＣバイアス化の関数であり得ると信じられ
る。このコイル１０４のＤＣバイアス化は、種々の方法
によって調節されうる。例えば、整合回路網３０２は、
典型的には、誘電子及びコンデンサーを含む。整合回路
網の１以上のコンデンサーのキャパシタンスを変化させ
ることによって、コイル１０４のＤＣバイアス化は、所
望のレベルの均一性を達成するために調節されうる。一
つの実施態様において、コイルへのＲＦ電流及びコイル
１０４のＤＣバイアス化は、所望の結果を達成するため
に別個の調節入力を有し得る。代わりの電流配置は、わ
ずかに異なる周波数で操作される２つのＲＦ発生器を含
みうる。一つの発生器の出力は、慣用の方法にてコイル
に連結されるが、わずかに異なる周波数の他の発生器
は、第二の発生器の電流レベルの変化がコイルのＤＣバ
イアスを変更するようにコイルに容量的に連結される。
このような配置は、コイルに与えられるＲＦ電流及びＤ
Ｃバイアスの独立した制御を提供しうる。現時点では、
所与のＲＦ電流レベルのために、コイルへのＤＣバイア
スの比較的大きな変化が、コイルからスパッタされる物
質の量に実質的な効果を与えるには必要であると信じら
れている。
【００２８】上記で議論した実施態様の各々は、プラズ
マチャンバ中の単一のコイルを用いた。本発明は２以上
のＲＦ電流が与えられたコイルを有するプラズマチャン
バにも適用可能であると理解されるべきである。例え
ば、本発明は、同時係属している特許出願、シリアル番
号第08/559,345号明細書に記載されているタイプのヘリ
コン波を発射するための複数コイルチャンバにも適用可
能である。
マチャンバ中の単一のコイルを用いた。本発明は２以上
のＲＦ電流が与えられたコイルを有するプラズマチャン
バにも適用可能であると理解されるべきである。例え
ば、本発明は、同時係属している特許出願、シリアル番
号第08/559,345号明細書に記載されているタイプのヘリ
コン波を発射するための複数コイルチャンバにも適用可
能である。
【００２９】適当なＲＦ発生器及び整合回路は、本技術
分野の当業者によく知られた構成部品である。例えば、
ENI Genesisシリーズ（これは、整合回路及びアンテナ
を有しており、最良の周波数整合のための「周波数追
跡」の能力を有する）等のＲＦ発生器が適している。コ
イル１０４へとＲＦ電流を発生させるために発生器の周
波数は、好ましくは、２ＭＨｚであるが、その範囲は、
例えば、１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚまで変化しうると予期
される。４．５ｋＷでのＲＦ電流の設定が好ましいが、
１．５〜５ｋＷの範囲も満足であると信じられている。
いくつかの用途においては、エネルギーはまた、ＡＣ又
はＤＣ電流をコイルに与えることによりまたは他のエネ
ルギー伝達方法を用いることによりプラズマに伝達され
うる。標的１１０を３ｋＷにバイアス化するためのＤＣ
電流設定が好ましいが、２〜５ｋＷの範囲及び−３０ボ
ルトＤＣの台座のバイアスボルトも多くの用途に満足で
あると信じられている。
分野の当業者によく知られた構成部品である。例えば、
ENI Genesisシリーズ（これは、整合回路及びアンテナ
を有しており、最良の周波数整合のための「周波数追
跡」の能力を有する）等のＲＦ発生器が適している。コ
イル１０４へとＲＦ電流を発生させるために発生器の周
波数は、好ましくは、２ＭＨｚであるが、その範囲は、
例えば、１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚまで変化しうると予期
される。４．５ｋＷでのＲＦ電流の設定が好ましいが、
１．５〜５ｋＷの範囲も満足であると信じられている。
いくつかの用途においては、エネルギーはまた、ＡＣ又
はＤＣ電流をコイルに与えることによりまたは他のエネ
ルギー伝達方法を用いることによりプラズマに伝達され
うる。標的１１０を３ｋＷにバイアス化するためのＤＣ
電流設定が好ましいが、２〜５ｋＷの範囲及び−３０ボ
ルトＤＣの台座のバイアスボルトも多くの用途に満足で
あると信じられている。
【００３０】図で説明した実施態様において、シールド
１０６は１３．５インチの直径を有するが、良好な結果
が６インチ〜２５インチの範囲の幅で得られうるという
ことが予期される。シールドは、絶縁性物質、例えばセ
ラミック又は石英等の種々の物質から作られうる。しか
しながら、標的物質でコートされるべきであろうシール
ド及び全ての金属表面は、スパッタされる標的物質と同
じ物質で作られることが好ましいが、例えばステンレス
スチール又は銅等の物質からも作られうる。コートされ
る構造物の物質は、シールド又はウエハ上の他の構造物
からスパッタされた物質の剥離を減少させるために、ス
パッタされる物質の熱膨張率に非常近い熱膨張率を有す
るべきである。さらに、コートされるべき物質は、スパ
ッタされる物質に対して良好な付着性を有するべきであ
る。従って、例えば、もし堆積される物質がチタンな
ら、コートされるであろうシールド、ブラケット及び他
の構造物における好ましい金属は、ビードブラステッド
チタンである。例えば、コイル支持体のエンドキャップ
やフィードスルー隔離碍子等をより適当にスパッタする
ためには表面は、好ましくは、標的と同じタイプの物
質、例えば高純度のチタン等から作られることが好まし
い。もちろん、堆積されるべき金属がチタン以外の金属
である場合は、好ましい金属は、堆積された物質、ステ
ンレススチール又は銅である。付着性はまた、標的をス
パッタするのに先だってモリブデンを用いて構造物をコ
ートすることにより改善される。しかしながら、モリブ
デンはコイルからスパッタされた場合はワークピースを
汚染することがあるので、コイル（又はスパッタするで
あろういずれかの他の表面）はモリブデン又は他の物質
でコートされないことも好ましい。
１０６は１３．５インチの直径を有するが、良好な結果
が６インチ〜２５インチの範囲の幅で得られうるという
ことが予期される。シールドは、絶縁性物質、例えばセ
ラミック又は石英等の種々の物質から作られうる。しか
しながら、標的物質でコートされるべきであろうシール
ド及び全ての金属表面は、スパッタされる標的物質と同
じ物質で作られることが好ましいが、例えばステンレス
スチール又は銅等の物質からも作られうる。コートされ
る構造物の物質は、シールド又はウエハ上の他の構造物
からスパッタされた物質の剥離を減少させるために、ス
パッタされる物質の熱膨張率に非常近い熱膨張率を有す
るべきである。さらに、コートされるべき物質は、スパ
ッタされる物質に対して良好な付着性を有するべきであ
る。従って、例えば、もし堆積される物質がチタンな
ら、コートされるであろうシールド、ブラケット及び他
の構造物における好ましい金属は、ビードブラステッド
チタンである。例えば、コイル支持体のエンドキャップ
やフィードスルー隔離碍子等をより適当にスパッタする
ためには表面は、好ましくは、標的と同じタイプの物
質、例えば高純度のチタン等から作られることが好まし
い。もちろん、堆積されるべき金属がチタン以外の金属
である場合は、好ましい金属は、堆積された物質、ステ
ンレススチール又は銅である。付着性はまた、標的をス
パッタするのに先だってモリブデンを用いて構造物をコ
ートすることにより改善される。しかしながら、モリブ
デンはコイルからスパッタされた場合はワークピースを
汚染することがあるので、コイル（又はスパッタするで
あろういずれかの他の表面）はモリブデン又は他の物質
でコートされないことも好ましい。
【００３１】標的とウエハの間隔は、好ましくは、約１
４０ｍｍであるが、約１．５インチ〜８インチの範囲で
あり得る。この標的とウエハの間隔のために、満足のい
く適用範囲、すなわちフィールドの堆積厚に対する開口
部の底の堆積厚の比が、約２．９インチの距離を標的か
ら空けた直径約１１．５インチのコイルを用いて達成で
きた。コイルの直径を増加させてワークピースの端から
コイルを離すように位置を変えると、底の適用範囲に対
して不利に影響する。一方、コイルの直径を減少させて
ウエハの端にコイルを近づけると、層の均一性に対して
不利に影響しうる。コイルの直径を減少させることは、
コイルを標的に対してより一列に並べることをもたら
し、そのことは標的からコイル上への物質の実質的な堆
積を結果し、従ってコイルからスパッタされる物質の均
一性に対して不利に影響しうる。
４０ｍｍであるが、約１．５インチ〜８インチの範囲で
あり得る。この標的とウエハの間隔のために、満足のい
く適用範囲、すなわちフィールドの堆積厚に対する開口
部の底の堆積厚の比が、約２．９インチの距離を標的か
ら空けた直径約１１．５インチのコイルを用いて達成で
きた。コイルの直径を増加させてワークピースの端から
コイルを離すように位置を変えると、底の適用範囲に対
して不利に影響する。一方、コイルの直径を減少させて
ウエハの端にコイルを近づけると、層の均一性に対して
不利に影響しうる。コイルの直径を減少させることは、
コイルを標的に対してより一列に並べることをもたら
し、そのことは標的からコイル上への物質の実質的な堆
積を結果し、従ってコイルからスパッタされる物質の均
一性に対して不利に影響しうる。
【００３２】堆積の均一性はまた、標的からのコイルの
距離の関数とも思われる。先に議論したように、約２．
９インチのコイルと標的間の空間は、１４０ｍｍの標的
とウエハの空間にとって満足行くものであると判った。
コイルを垂直方向にて、標的（又はウエハ）に近づける
か又は遠ざけると、堆積層の均一性に不利に影響しう
る。
距離の関数とも思われる。先に議論したように、約２．
９インチのコイルと標的間の空間は、１４０ｍｍの標的
とウエハの空間にとって満足行くものであると判った。
コイルを垂直方向にて、標的（又はウエハ）に近づける
か又は遠ざけると、堆積層の均一性に不利に影響しう
る。
【００３３】上記したように、標的１１０とコイル１０
４からスパッタされる物質の相対的な量は、コイルの与
えられるＲＦ電流と標的に与えられるＤＣ電流の比の関
数である。しかしながら、いくつかの用途においては、
コイル及び標的からの物質の堆積された層の均一性を改
善する最適のＲＦ電流レベルが、電離化のためにプラズ
マ密度を発生するには最適ではないことがあり得るとい
うことが認識されている。図９は、図３で示したタイプ
の単一の末端が開口しているコイルリング２００ｄを形
成するコイル１０４”を有するプラズマチャンバ１０
０”である代わりの実施態様を説明している。図１０に
示す如く、コイル１０４”は、上記したコイル１０４と
１０４’と同じ様式にて、フィードスルー隔離碍子２０
６によりシールド３０８を通じて整合回路網１１８及び
ＲＦ発生器１０６に連結されている。しかしながら、チ
ャンバ１００”は、第二の標的３１０を有し、この標的
は、一般にコイル様の形状であるが、ＲＦ発生器には連
結されない。代わりに、平らな閉じたリング４００で形
成された第二の標的３１０は、フィードスルー隔離碍子
２０６を通じて、図１０に示した可変の負のＤＣバイア
ス供給源３１２に連結されている。結果として、チャン
バは３つの「標的」、すなわち、それぞれ第一及び第二
の標的１１０及び３１０、並びにＲＦコイル１０４”を
有する。しかしながら、コイル１０４”及び第二の標的
３１０からスパッタされる物質のほとんどは、ＲＦ電流
が与えられたコイル１０４”よりはＤＣバイアスされた
標的３１０から由来する。
４からスパッタされる物質の相対的な量は、コイルの与
えられるＲＦ電流と標的に与えられるＤＣ電流の比の関
数である。しかしながら、いくつかの用途においては、
コイル及び標的からの物質の堆積された層の均一性を改
善する最適のＲＦ電流レベルが、電離化のためにプラズ
マ密度を発生するには最適ではないことがあり得るとい
うことが認識されている。図９は、図３で示したタイプ
の単一の末端が開口しているコイルリング２００ｄを形
成するコイル１０４”を有するプラズマチャンバ１０
０”である代わりの実施態様を説明している。図１０に
示す如く、コイル１０４”は、上記したコイル１０４と
１０４’と同じ様式にて、フィードスルー隔離碍子２０
６によりシールド３０８を通じて整合回路網１１８及び
ＲＦ発生器１０６に連結されている。しかしながら、チ
ャンバ１００”は、第二の標的３１０を有し、この標的
は、一般にコイル様の形状であるが、ＲＦ発生器には連
結されない。代わりに、平らな閉じたリング４００で形
成された第二の標的３１０は、フィードスルー隔離碍子
２０６を通じて、図１０に示した可変の負のＤＣバイア
ス供給源３１２に連結されている。結果として、チャン
バは３つの「標的」、すなわち、それぞれ第一及び第二
の標的１１０及び３１０、並びにＲＦコイル１０４”を
有する。しかしながら、コイル１０４”及び第二の標的
３１０からスパッタされる物質のほとんどは、ＲＦ電流
が与えられたコイル１０４”よりはＤＣバイアスされた
標的３１０から由来する。
【００３４】このような配置は、多くの利点を有する。
コイルからスパッタされる物質のほとんどは、コイル１
０４”よりは第二の標的３１０から由来するので、コイ
ル１０４”からと第一及び第二の標的１１０及び３１０
からスパッタされる物質の相対的な量は、標的３１０及
び標的１１０の相対的なＤＣ電流バイアス化の一時的な
関数である。従って、第一の標的１１０及び第二の標的
３１０をそれぞれバイアス化する可変のＤＣ電力供給源
１１１及び３１２は、コイル１０４”に電力を与えるＲ
Ｆ発生器１０６のためのＲＦ電力の設定とは、かなり無
関係に物質の堆積の均一性を最適にするために設定され
うる。逆に、コイル１０４”へのＲＦ電力は、電離化の
ためにプラズマ密度を最適化するために、標的１１０及
び３１０へのＤＣバイアスとはかなり無関係に設定され
うる。
コイルからスパッタされる物質のほとんどは、コイル１
０４”よりは第二の標的３１０から由来するので、コイ
ル１０４”からと第一及び第二の標的１１０及び３１０
からスパッタされる物質の相対的な量は、標的３１０及
び標的１１０の相対的なＤＣ電流バイアス化の一時的な
関数である。従って、第一の標的１１０及び第二の標的
３１０をそれぞれバイアス化する可変のＤＣ電力供給源
１１１及び３１２は、コイル１０４”に電力を与えるＲ
Ｆ発生器１０６のためのＲＦ電力の設定とは、かなり無
関係に物質の堆積の均一性を最適にするために設定され
うる。逆に、コイル１０４”へのＲＦ電力は、電離化の
ためにプラズマ密度を最適化するために、標的１１０及
び３１０へのＤＣバイアスとはかなり無関係に設定され
うる。
【００３５】さらに、コイル１０４”のためのＲＦ電流
レベルはコイル１０４のためのそれと比べて低くてもよ
いと信じられている。例えば、コイル１０４”に適した
電力範囲は１．５〜３．５ｋＷ ＲＦである。主要な標
的１１０及び第二のターゲット（すなわちコイル３１
０）の電力範囲は、それぞれ、２〜５ｋＷ ＤＣ及び１
−３ｋＷ ＤＣである。もちろん、値は、特定の用途に
応じて変更する。
レベルはコイル１０４のためのそれと比べて低くてもよ
いと信じられている。例えば、コイル１０４”に適した
電力範囲は１．５〜３．５ｋＷ ＲＦである。主要な標
的１１０及び第二のターゲット（すなわちコイル３１
０）の電力範囲は、それぞれ、２〜５ｋＷ ＤＣ及び１
−３ｋＷ ＤＣである。もちろん、値は、特定の用途に
応じて変更する。
【００３６】図１１及び図１２は、他の代わりの実施態
様を示しており、それは、複数巻きのＲＦコイル及び複
数リングの第二の標的を含み、そこでは標的のリングが
ＲＦコイルの巻きに挟み込まれている。図１２のＲＦコ
イルは、図４〜６のコイル１０４’と同様に、ＲＦフィ
ードスルー隔離碍子２０６ａ〜２０６ｃ及び２０８ａ〜
２０８ｃを通って、ＲＦフィードスルーによって直列に
電気的に互いに連結されている平らなリング２００ａ〜
２００ｃ、及びＲＦ供給源及びＲＦ接地面への外部の導
波管２２０ａ〜２２０ｄで形成されている。第二の標的
の閉じたリング４００ａ〜４００ｃは、ＲＦコイルのコ
イルリング２００ａ〜２００ｃと互いに重なり合ってい
る。図１１及び図１２で概略的に示されているように、
シールド壁の外部の負のバイアスＤＣ電力供給源３１２
は、外部のストラップ３３０ａによって、第二のスパッ
タ用標的の最も低い位置のリング４００ａに対するフィ
ードスルー隔離碍子２０６ｄ中のＤＣフィードスルーに
連結されている。標的リング４００ａはまた、フィード
スルー隔離碍子２０６ｄ中のＤＣフィードスルーによっ
て他の外部のＤＣストラップ３３０ｂに連結され、その
ストラップは、フィードスルー隔離碍子２０６ｅ中のＤ
Ｃフィードスルーによって中間の標的リング４００ｂに
連結されている。標的リング４００ｂはまた、フィード
スルー隔離碍子２０６ｅ中のＤＣフィードスルーによっ
て他の外部ストラップ３３０ｃに連結され、そのストラ
ップは、フィードスルー隔離碍子２０６ｆ中のＤＣフィ
ードスルーによってスパッタ用の第二の標的の上部の標
的リング４００ｃに連結されている。
様を示しており、それは、複数巻きのＲＦコイル及び複
数リングの第二の標的を含み、そこでは標的のリングが
ＲＦコイルの巻きに挟み込まれている。図１２のＲＦコ
イルは、図４〜６のコイル１０４’と同様に、ＲＦフィ
ードスルー隔離碍子２０６ａ〜２０６ｃ及び２０８ａ〜
２０８ｃを通って、ＲＦフィードスルーによって直列に
電気的に互いに連結されている平らなリング２００ａ〜
２００ｃ、及びＲＦ供給源及びＲＦ接地面への外部の導
波管２２０ａ〜２２０ｄで形成されている。第二の標的
の閉じたリング４００ａ〜４００ｃは、ＲＦコイルのコ
イルリング２００ａ〜２００ｃと互いに重なり合ってい
る。図１１及び図１２で概略的に示されているように、
シールド壁の外部の負のバイアスＤＣ電力供給源３１２
は、外部のストラップ３３０ａによって、第二のスパッ
タ用標的の最も低い位置のリング４００ａに対するフィ
ードスルー隔離碍子２０６ｄ中のＤＣフィードスルーに
連結されている。標的リング４００ａはまた、フィード
スルー隔離碍子２０６ｄ中のＤＣフィードスルーによっ
て他の外部のＤＣストラップ３３０ｂに連結され、その
ストラップは、フィードスルー隔離碍子２０６ｅ中のＤ
Ｃフィードスルーによって中間の標的リング４００ｂに
連結されている。標的リング４００ｂはまた、フィード
スルー隔離碍子２０６ｅ中のＤＣフィードスルーによっ
て他の外部ストラップ３３０ｃに連結され、そのストラ
ップは、フィードスルー隔離碍子２０６ｆ中のＤＣフィ
ードスルーによってスパッタ用の第二の標的の上部の標
的リング４００ｃに連結されている。
【００３７】この様式にて互いに連結されて、標的３１
０’の標的リング４００ａ〜４００ｃは、負にＤＣバイ
アスされて、ＲＦコイル及び第二の４００ａ〜４００ｃ
標的からスパッタされた物質の主要部分は第二の標的の
標的リング４００ａ〜４００ｃから主として由来する。
ＲＦコイルは複数巻きコイルなのでフィードスルー隔離
碍子２０６及び２０８の電流操作条件としては、上記の
所与のＲＦ電流レベルに対しての単巻きコイル１０４の
フィードスルー隔離碍子１２４のそれと比べて実質的に
減少させることができる。さらに、スパッタリングリン
グの寿命は複数のリングを用いた結果高めることができ
ると信じられている。第二のスパッタリング標的３１０
及び４００ａ〜４００ｃは平らなリング４００から作製
されると記載したが、スパッタリングの第二の標的は、
リボン及び環状の物質から、並びに筒及び筒の断片を含
む種々の他の形状及びサイズから作製されうると考えら
れるべきである。しかしながら、第二の標的は、基板の
軸に対して対称であり、プラズマの円周部にてチャンバ
の内部を取り囲むことが好ましい。第二の標的物質は、
固形の、伝導性の物質であるべきであり、第一の標的１
１０のそれと比べて、同じタイプの又は異なったタイプ
の伝導物質であってもよい。第一の及び第二の標的のバ
イアス化はＤＣバイアス化として記載したが、いくつか
の用途においては、第一の及び第二の標的の一つの又は
両者のＡＣ又はＲＦバイアス化が適していることもある
と認識されるべきである。
０’の標的リング４００ａ〜４００ｃは、負にＤＣバイ
アスされて、ＲＦコイル及び第二の４００ａ〜４００ｃ
標的からスパッタされた物質の主要部分は第二の標的の
標的リング４００ａ〜４００ｃから主として由来する。
ＲＦコイルは複数巻きコイルなのでフィードスルー隔離
碍子２０６及び２０８の電流操作条件としては、上記の
所与のＲＦ電流レベルに対しての単巻きコイル１０４の
フィードスルー隔離碍子１２４のそれと比べて実質的に
減少させることができる。さらに、スパッタリングリン
グの寿命は複数のリングを用いた結果高めることができ
ると信じられている。第二のスパッタリング標的３１０
及び４００ａ〜４００ｃは平らなリング４００から作製
されると記載したが、スパッタリングの第二の標的は、
リボン及び環状の物質から、並びに筒及び筒の断片を含
む種々の他の形状及びサイズから作製されうると考えら
れるべきである。しかしながら、第二の標的は、基板の
軸に対して対称であり、プラズマの円周部にてチャンバ
の内部を取り囲むことが好ましい。第二の標的物質は、
固形の、伝導性の物質であるべきであり、第一の標的１
１０のそれと比べて、同じタイプの又は異なったタイプ
の伝導物質であってもよい。第一の及び第二の標的のバ
イアス化はＤＣバイアス化として記載したが、いくつか
の用途においては、第一の及び第二の標的の一つの又は
両者のＡＣ又はＲＦバイアス化が適していることもある
と認識されるべきである。
【００３８】種々の前駆体ガス、例えば、Ａｒ、Ｈ2又
はＮＦ3、ＣＦ4等の反応性ガス及びその他の多くのガス
が、プラズマを発生させるために用いられうる。種々の
前駆体ガスの圧力は０．１〜５０ｍＴｏｒｒの圧力が適
している。電離化ＰＶＤのためには、１０〜１００ｍＴ
ｏｒｒの圧力が、スパッタされた物質を最も電離化する
ために好ましい。
はＮＦ3、ＣＦ4等の反応性ガス及びその他の多くのガス
が、プラズマを発生させるために用いられうる。種々の
前駆体ガスの圧力は０．１〜５０ｍＴｏｒｒの圧力が適
している。電離化ＰＶＤのためには、１０〜１００ｍＴ
ｏｒｒの圧力が、スパッタされた物質を最も電離化する
ために好ましい。
【００３９】もちろん、本発明の改良が、本発明の種々
の観点において、本技術分野の当業者に明らかであり、
そしてあるものは研究の後でのみ明らかであり、そして
またあるものは日常の機械的又は電気的設計の問題であ
ると理解される。他の実施態様もまた可能であり、それ
らの特定の設計は特定の用途に応じる。そういうものと
して、本発明の範囲は、本明細書に記載の特定の実施態
様に限定されるべきではなく、特許請求の範囲又はそれ
と同等のものによってのみ限定されるべきものである。
の観点において、本技術分野の当業者に明らかであり、
そしてあるものは研究の後でのみ明らかであり、そして
またあるものは日常の機械的又は電気的設計の問題であ
ると理解される。他の実施態様もまた可能であり、それ
らの特定の設計は特定の用途に応じる。そういうものと
して、本発明の範囲は、本明細書に記載の特定の実施態
様に限定されるべきではなく、特許請求の範囲又はそれ
と同等のものによってのみ限定されるべきものである。
【図１】図１は、本発明の一つの実施態様に従ったプラ
ズマ発生チャンバの部分断面図である。
ズマ発生チャンバの部分断面図である。
【図２】図２は、図１のプラズマ発生チャンバへの電気
的な相互な連結の概略図である。
的な相互な連結の概略図である。
【図３】図３は、本発明の他の実施態様に従ったプラズ
マ発生装置のためのコイルリングの斜視図である。
マ発生装置のためのコイルリングの斜視図である。
【図４】図４は、図３に示したコイルリングを用いた本
発明の他の実施態様に従ったプラズマ発生チャンバの概
略的な部分断面図である。
発明の他の実施態様に従ったプラズマ発生チャンバの概
略的な部分断面図である。
【図５】図５は、図４のプラズマ発生チャンバのための
複数のコイルリング支持体隔離碍子を示している。
複数のコイルリング支持体隔離碍子を示している。
【図６】図６は、図４のプラズマ発生チャンバのための
複数のコイルリングフィードスルー隔離碍子を示してい
る。
複数のコイルリングフィードスルー隔離碍子を示してい
る。
【図７】図７は、図１の装置のコイル及び標的から堆積
された物質のそれぞれの堆積プロファイルを示したチャ
ートである。
された物質のそれぞれの堆積プロファイルを示したチャ
ートである。
【図８】図８は、標的のＤＣ電流バイアスに対するコイ
ルに与えられたＲＦ電流の比の、堆積均一性における影
響を示したグラフである。
ルに与えられたＲＦ電流の比の、堆積均一性における影
響を示したグラフである。
【図９】図９は、二重コイルを用いた、本発明の他の実
施態様に従ったプラズマ発生チャンバの概略的な部分断
面図である。二重コイルの一つはプラズマ発生のために
ＲＦ電流が与えられ、他のものは追加の標的を提供する
ためにＤＣバイアスされている。
施態様に従ったプラズマ発生チャンバの概略的な部分断
面図である。二重コイルの一つはプラズマ発生のために
ＲＦ電流が与えられ、他のものは追加の標的を提供する
ためにＤＣバイアスされている。
【図１０】図１０は、図１０のプラズマ発生チャンバの
電気的な相互の連結の概略図である。
電気的な相互の連結の概略図である。
【図１１】図１１は、２つの複数のリングコイルを有す
るプラズマ発生チャンバのための複数のコイルリングフ
ィードスルー隔離碍子を示している。そこでは、２つの
コイルのリングは互いに重なり合っている。
るプラズマ発生チャンバのための複数のコイルリングフ
ィードスルー隔離碍子を示している。そこでは、２つの
コイルのリングは互いに重なり合っている。
【図１２】図１２は、図１１のプラズマ発生チャンバの
電気的な相互な重なり合いの概略図を示している。
電気的な相互な重なり合いの概略図を示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サージオ エデルスタイン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス ガトス， エル アルテイヨ 117 (72)発明者 マニ スーブラマニ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， リンクフィールド ウェイ 3098 (72)発明者 ジャン シュ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フォースター シティー， ハドソン ベ イ ストリート 270 (72)発明者 ハワード グルーンズ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クルズ， トレヴサン アヴェニ ュー 237 (72)発明者 アヴィ テップマン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， クパティノ， レインボー ドライヴ 21610 (72)発明者 ジョン フォースター アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン フランシスコ， ハラム ストリー ト 41 (72)発明者 プラブラム ゴパルラジャ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サニーヴェール， ワイルドウッド アヴ ェニュー 1235， アパートメント 277
Claims (40)
- 【請求項１】 基板上に膜層をスパッタ堆積するための
装置であって、該装置が、 その中に維持され得る基板支持部材を有する減圧チャン
バ上記チャンバ内に配置された第一のバイアス可能な標
的、及び上記標的と上記基板支持体の間の空間に隣接し
かつその空間の周りに実質的に延びている、上記チャン
バ内に配置された第二のバイアス可能な標的、を含む装
置。 - 【請求項２】 さらに、上記第一の標的に連結された第
一の電源及び上記の第二の標的に連結された第二の電源
を含む、請求項１に記載のスパッタ堆積装置。 - 【請求項３】 上記第二の電源がＡＣ電源である請求項
２に記載のスパッタ堆積装置。 - 【請求項４】 さらに、上記第一のスパッタ標的と上記
基板支持体の間の上記空間の周りに配置された第三のバ
イアス可能なスパッタ標的を含む請求項１に記載の装
置。 - 【請求項５】 上記第三のスパッタ標的がＤＣバイアス
されている請求項４に記載の装置。 - 【請求項６】 上記第二の標的が、上記チャンバ中に維
持され得るガスと誘導的に結合しそこからプラズマを発
生する請求項１に記載の装置。 - 【請求項７】 上記第三の標的が上記プラズマによるそ
のスパッタを提供するために陰性にバイアスされる請求
項６に記載の装置。 - 【請求項８】 上記標的の各々が同じ物質からなる請求
項７に記載の装置。 - 【請求項９】 上記第二の標的が固形部材である請求項
１に記載の装置。 - 【請求項１０】 上記第三の標的が固形部材である請求
項７に記載の装置。 - 【請求項１１】 半導体製造系内のプラズマを活発化し
てワークピース上に物質をスパッタするための装置であ
って、その装置が、 そのチャンバ内にプラズマ発生領域を有する半導体製造
チャンバ、及び該チャンバに収容され、そしてエネルギ
ーを該プラズマ発生領域内に結合させかつ上記ワークピ
ース上に自身からの金属物質をスパッタするために配置
される金属物質コイル、を含む装置。 - 【請求項１２】 さらにチタンから作られた標的を含む
請求項１１に記載の装置。 - 【請求項１３】 さらに、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｅ及びＳｉＯ
2から選ばれる物質から作られた標的を含む請求項１１
に記載の装置。 - 【請求項１４】 半導体製造系内のプラズマを活発化し
てワークピース上に物質をスパッタするための装置であ
って、その装置が、 そのチャンバ内にプラズマ発生領域を有する半導体製造
チャンバ、 該チャンバ内に置かれかつ第一の物質から作られたスパ
ッタ用標的であって、該標的物質を上記ワークピース上
にスパッタするために配置されている標的、 上記チャンバ内に配置されかつ該標的と同じ種類の物質
から作られているコイルであって、上記プラズマ発生領
域内にエネルギーを連結させるために、そして、上記コ
イル物質及び上記標的物質の両者を上記ワークピースの
上に堆積させワークピースの上に層を形成するように上
記コイル物質を上記ワークピース上にスパッタするため
に配置されているコイル、を含む装置。 - 【請求項１５】 上記コイル物質が、少なくとも５０オ
ングストローム／分の速度にて上記ワークピースの少な
くとも一部に堆積される請求項１４に記載の装置。 - 【請求項１６】 上記標的へＤＣバイアスを与える供給
源、 上記ワークピースにＤＣバイアスを与える供給源、及び
上記コイルへＲＦ電流を与える供給源、を更に含んでお
り、上記標的ＤＣバイアスの電流と上記コイルＲＦ電流
は上記ワークピース上に堆積された上記コイル物質が上
記ワークピース上に堆積された上記標的物質の厚さの不
均一性を補うように所定の関係を有している、請求項１
４に記載の装置。 - 【請求項１７】 上記コイルＲＦ電流対上記標的ＤＣバ
イアス電流の比が約１．５である請求項１６に記載の装
置。 - 【請求項１８】 スパッタ堆積チャンバ内のワークピー
ス上に物質を堆積する方法であって、該方法が、 上記チャンバ内に配置された標的から上記ワークピース
上に標的物質をスパッタすること、及び上記ワークピー
スに隣接して配置され、チャンバ内のガスに誘導的に連
結されているコイルから上記ワークピース上にコイル物
質をスパッタすること、を含む方法。 - 【請求項１９】 上記標的から上記ワークピース上にス
パッタされる上記標的物質の厚さの不均一性を補うため
に、上記標的に供給されたＤＣ電流に対する上記コイル
に供給されたＲＦ電流の比を調節することをさらに含む
請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２０】 上記の比が約１．５である請求項１９
に記載の方法。 - 【請求項２１】 上記の標的物質及び上記のコイル物質
が同じ種類の物質である請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２２】 上記の標的物質及び上記のコイル物質
が異なる種類の物質である請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２３】 上記の標的物質及び上記のコイル物質
が、上記のワークピース上にスパッタされた上記の標的
物質の厚さの不均一性を補う量にてスパッタされる請求
項１８に記載の方法。 - 【請求項２４】 上記の標的物質及び上記のコイル物質
が異なった速度でスパッタされる請求項１８に記載の方
法。 - 【請求項２５】 上記のコイル物質が、少なくとも５０
オングストローム／分の速度にて上記ワークピースの少
なくとも一部に堆積される請求項２３に記載の方法。 - 【請求項２６】 半導体製造系内のプラズマを活発化し
てワークピース上に物質をスパッタするための装置であ
って、該装置が、 そのチャンバ内にプラズマ発生領域を有する半導体製造
チャンバ、 上記チャンバ内に置かれかつ第一の物質から作られた第
一の標的であって、上記標的物質を上記ワークピース上
にスパッタするために配置されている第一の標的、 上記プラズマ発生領域内にエネルギーを連結させるため
に配置されているコイル、及び第一の標的から空間を空
けて上記チャンバ内に配置され、かつ上記第一の標的と
同じ種類の物質から形成されている第二の標的であっ
て、上記第二の標的物質及び上記第一の標的物質の両者
を上記ワークピースの上に堆積させて層を形成するため
に該第二の標的物質を上記ワークピース上にスパッタす
べく配置されている第二の標的、を含む装置。 - 【請求項２７】 上記第二の標的物質が、少なくとも５
０オングストローム／分の速度にて上記ワークピースの
少なくとも一部の上に堆積される請求項２６に記載の装
置。 - 【請求項２８】 上記のコイルが上記の第一の標的と同
じ種類の物質から形成され、そして上記コイルが、上記
コイル物質が上記第一及び第二の標的の物質と一緒にな
って上記ワークピース上に堆積されて層を形成するよう
に上記ワークピース上に上記コイル物質をスパッタする
ために配置されている請求項２６に記載の装置。 - 【請求項２９】 上記第二の標的が閉じたリングである
請求項２６に記載の装置。 - 【請求項３０】 上記の第二の標的が筒状である請求項
２６に記載の装置。 - 【請求項３１】 上記第一の標的へＤＣバイアスを与え
る供給源、 上記第二の標的にＤＣバイアスを与える供給源、及び上
記コイルへＲＦ電流を与える発生器、を更に含んでお
り、上記第一の標的のＤＣバイアスの電流と上記第二の
標的のＤＣ電流は、上記ワークピース上に堆積された上
記第二の標的物質が上記ワークピース上に堆積された上
記第一の標的の物質の厚さの不均一性を補うように所定
の関係を有している、請求項２６に記載の装置。 - 【請求項３２】 上記のコイルと上記の第二の標的の各
々が、リングが互いに重なった複数のリングを有してい
る請求項２６に記載の装置。 - 【請求項３３】 第一のコイルからのＲＦエネルギーで
プラズマを活発化すること、 上記のワークピースの上に配置された標的から上記のワ
ークピース上に標的物質をスパッタすること、及び上記
のワークピースに隣接して配置された第二コイルから上
記のワークピース上にコイル物質をスパッタすること、
を含む、ワークピース上へ物質を堆積する方法。 - 【請求項３４】 上記標的から上記ワークピース上にス
パッタされる上記標的物質の厚さの不均一性を補うため
に、上記標的に供給されるＤＣ電流に対する上記第二の
コイルに供給されるＤＣ電流の比を調節することをさら
に含む請求項３３に記載の方法。 - 【請求項３５】 上記標的物質及び上記第二のコイル物
質が同じ種類の物質である請求項３３に記載の方法。 - 【請求項３６】 上記標的物質及び上記第二のコイル物
質が、上記ワークピース上にスパッタされた上記標的物
質の厚さの不均一性を補う量にてスパッタされる請求項
３３に記載の方法。 - 【請求項３７】 上記第二のコイル物質が、少なくとも
５０オングストローム／分の速度にて上記ワークピース
の少なくとも一部に堆積される請求項３６に記載の方
法。 - 【請求項３８】 上記の第一コイルが上記標的と同じ種
類に物質から形成され、そして第一のコイルが、上記第
一のコイル物質が上記第二のコイル物質及び上記標的物
質と一緒になって上記ワークピース上に堆積されて層を
形成するべく、上記ワークピース上に上記第一のコイル
物質をスパッタするために配置されている請求項３５に
記載の方法。 - 【請求項３９】 上記第一のコイル物質及び上記の第二
のコイル物質が、少なくとも５０オングストローム／分
の組み合わされた速度にて上記ワークピースの少なくと
も一部に堆積される請求項３６に記載の方法。 - 【請求項４０】 上記第一及び第二のコイルの各々が、
他のコイルの巻きと重なり合う複数の巻きを有している
請求項３３に記載の方法。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US64718496A | 1996-05-09 | 1996-05-09 | |
| US08/647184 | 1996-05-09 | ||
| US64409696A | 1996-05-10 | 1996-05-10 | |
| US08/644096 | 1996-05-10 | ||
| US68033596A | 1996-07-10 | 1996-07-10 | |
| US08/680335 | 1996-07-10 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008153424A Division JP5346178B2 (ja) | 1996-05-09 | 2008-06-11 | プラズマの発生及びスパッタのためのコイル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1060638A true JPH1060638A (ja) | 1998-03-03 |
| JP4553992B2 JP4553992B2 (ja) | 2010-09-29 |
Family
ID=27417720
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15566597A Expired - Lifetime JP4553992B2 (ja) | 1996-05-09 | 1997-05-09 | プラズマの発生及びスパッタのためのコイル |
| JP2008153424A Expired - Lifetime JP5346178B2 (ja) | 1996-05-09 | 2008-06-11 | プラズマの発生及びスパッタのためのコイル |
| JP2013024199A Expired - Lifetime JP5751520B2 (ja) | 1996-05-09 | 2013-02-12 | プラズマの発生及びスパッタのためのコイル |
| JP2013165082A Expired - Lifetime JP5751522B2 (ja) | 1996-05-09 | 2013-08-08 | プラズマの発生及びスパッタのためのコイル |
Family Applications After (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008153424A Expired - Lifetime JP5346178B2 (ja) | 1996-05-09 | 2008-06-11 | プラズマの発生及びスパッタのためのコイル |
| JP2013024199A Expired - Lifetime JP5751520B2 (ja) | 1996-05-09 | 2013-02-12 | プラズマの発生及びスパッタのためのコイル |
| JP2013165082A Expired - Lifetime JP5751522B2 (ja) | 1996-05-09 | 2013-08-08 | プラズマの発生及びスパッタのためのコイル |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6368469B1 (ja) |
| EP (1) | EP0807954A1 (ja) |
| JP (4) | JP4553992B2 (ja) |
| KR (1) | KR100547404B1 (ja) |
| SG (1) | SG74011A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002507661A (ja) * | 1998-03-16 | 2002-03-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 重複端部を有するコイルを備えるスパッタリング装置 |
| JP2004506090A (ja) * | 2000-03-10 | 2004-02-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高圧物理気相堆積を実行する方法と装置 |
| JP2005504171A (ja) * | 2001-09-27 | 2005-02-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | エピ層を高い蒸着速度でスパッタ蒸着するための方法および装置 |
| JP2009001902A (ja) * | 1996-05-09 | 2009-01-08 | Applied Materials Inc | プラズマの発生及びスパッタのためのコイル |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489918B1 (ko) * | 1996-05-09 | 2005-08-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마발생및스퍼터링용코일 |
| TW358964B (en) | 1996-11-21 | 1999-05-21 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma |
| US6451179B1 (en) | 1997-01-30 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma |
| US6077402A (en) * | 1997-05-16 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Central coil design for ionized metal plasma deposition |
| US6375810B2 (en) * | 1997-08-07 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma vapor deposition with coil sputtering |
| US6042700A (en) * | 1997-09-15 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source |
| US6023038A (en) * | 1997-09-16 | 2000-02-08 | Applied Materials, Inc. | Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system |
| US6168690B1 (en) | 1997-09-29 | 2001-01-02 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for physical vapor deposition |
| US6146508A (en) * | 1998-04-22 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Sputtering method and apparatus with small diameter RF coil |
| US6660134B1 (en) | 1998-07-10 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Feedthrough overlap coil |
| US6231725B1 (en) * | 1998-08-04 | 2001-05-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for sputtering material onto a workpiece with the aid of a plasma |
| US6238528B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source |
| GB2346155B (en) * | 1999-01-06 | 2003-06-25 | Trikon Holdings Ltd | Sputtering apparatus |
| US6579421B1 (en) | 1999-01-07 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Transverse magnetic field for ionized sputter deposition |
| US6409890B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-06-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a uniform layer on a workpiece during sputtering |
| US6432819B1 (en) * | 1999-09-27 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of forming a sputtered doped seed layer |
| US8696875B2 (en) | 1999-10-08 | 2014-04-15 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| US20030116427A1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-06-26 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| US10047430B2 (en) | 1999-10-08 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| US6824658B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Partial turn coil for generating a plasma |
| JP3727878B2 (ja) * | 2001-11-14 | 2005-12-21 | 三菱重工業株式会社 | 金属膜作製装置 |
| US7346135B1 (en) | 2002-02-13 | 2008-03-18 | Marvell International, Ltd. | Compensation for residual frequency offset, phase noise and sampling phase offset in wireless networks |
| US7513971B2 (en) * | 2002-03-18 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Flat style coil for improved precision etch uniformity |
| US7504006B2 (en) | 2002-08-01 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| US6846396B2 (en) * | 2002-08-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Active magnetic shielding |
| US7246192B1 (en) | 2003-01-10 | 2007-07-17 | Marvell International Ltd. | Serial/parallel ATA controller and converter |
| WO2004066360A2 (en) * | 2003-01-22 | 2004-08-05 | Honeywell International Inc | Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer |
| US20060226003A1 (en) * | 2003-01-22 | 2006-10-12 | John Mize | Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer |
| US8930583B1 (en) | 2003-09-18 | 2015-01-06 | Marvell Israel (M.I.S.L) Ltd. | Method and apparatus for controlling data transfer in a serial-ATA system |
| US20050098427A1 (en) * | 2003-11-11 | 2005-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | RF coil design for improved film uniformity of an ion metal plasma source |
| US7527713B2 (en) * | 2004-05-26 | 2009-05-05 | Applied Materials, Inc. | Variable quadruple electromagnet array in plasma processing |
| US7686926B2 (en) * | 2004-05-26 | 2010-03-30 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for forming a metal barrier in a sputter reactor |
| US7214619B2 (en) | 2004-10-05 | 2007-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method for forming a barrier layer in an integrated circuit in a plasma with source and bias power frequencies applied through the workpiece |
| US7399943B2 (en) | 2004-10-05 | 2008-07-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for metal plasma vapor deposition and re-sputter with source and bias power frequencies applied through the workpiece |
| US7244344B2 (en) | 2005-02-03 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition plasma reactor with VHF source power applied through the workpiece |
| US9659758B2 (en) * | 2005-03-22 | 2017-05-23 | Honeywell International Inc. | Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production |
| US8187416B2 (en) * | 2005-05-20 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Interior antenna for substrate processing chamber |
| US20060278520A1 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-14 | Lee Eal H | Use of DC magnetron sputtering systems |
| US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
| US20080078326A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pre-cleaning tool and semiconductor processing apparatus using the same |
| US7981262B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
| US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| US20090194414A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Nolander Ira G | Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof |
| US20100078312A1 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Tango Systems, Inc. | Sputtering Chamber Having ICP Coil and Targets on Top Wall |
| US8956516B2 (en) * | 2009-08-31 | 2015-02-17 | Semicat, Inc. | System and apparatus to facilitate physical vapor deposition to modify non-metal films on semiconductor substrates |
| US8936703B2 (en) * | 2009-08-31 | 2015-01-20 | Semicat, Inc. | Methods to fabricate non-metal films on semiconductor substrates using physical vapor deposition |
| US9111733B2 (en) * | 2009-08-31 | 2015-08-18 | Novellus Systems Inc. | Plasma ignition performance for low pressure physical vapor deposition (PVD) processes |
| JP5681206B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2015-03-04 | オーチス エレベータ カンパニーＯｔｉｓ Ｅｌｅｖａｔｏｒ Ｃｏｍｐａｎｙ | 静電容量センサによる乗客コンベヤに関連する人の検知 |
| RU2554085C2 (ru) * | 2013-09-20 | 2015-06-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ нагрева электродов и создания самостоятельного дугового разряда с поджигом от тонкой металлической проволочки в свободном пространстве в магнитном поле |
| RU2577040C2 (ru) * | 2014-07-29 | 2016-03-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Магнитный гаситель самостоятельного дугового разряда |
| CN105491780B (zh) * | 2014-10-01 | 2018-03-30 | 日新电机株式会社 | 等离子体产生用的天线及具备该天线的等离子体处理装置 |
| KR102311740B1 (ko) | 2016-03-05 | 2021-10-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 물리 기상 증착 프로세스들에서 이온 프랙션을 제어하기 위한 방법들 및 장치 |
| US11183373B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
| US11952655B2 (en) | 2022-03-29 | 2024-04-09 | Applied Materials, Inc. | Electromagnet pulsing effect on PVD step coverage |
| CN116997068B (zh) * | 2023-09-25 | 2023-12-26 | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 | 用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01201466A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン源 |
| JPH05507963A (ja) * | 1990-10-31 | 1993-11-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 高アスペクト比の穴に材料を付着させる装置 |
| JPH0718433A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Kobe Steel Ltd | Ｉｃｐスパッタリング処理装置 |
| JPH08176818A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スパッタリング装置 |
| JPH1055983A (ja) * | 1996-03-12 | 1998-02-24 | Varian Assoc Inc | ファラデー・スパッタ・シールドを有する誘導結合されたプラズマリアクタ |
Family Cites Families (90)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1765850A1 (de) | 1967-11-10 | 1971-10-28 | Euratom | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von duennen Schichten |
| US3594301A (en) | 1968-11-22 | 1971-07-20 | Gen Electric | Sputter coating apparatus |
| DE1905058C3 (de) | 1969-02-01 | 1973-10-04 | Leybold-Heraeus Gmbh & Co, Kg, 5000 Koeln-Bayental | Vorrichtung für die Beschichtung von Werkstücken durch Hochfrequenz-Plasmazerstäubung von Werkstoffen im Vakuum |
| US4362632A (en) | 1974-08-02 | 1982-12-07 | Lfe Corporation | Gas discharge apparatus |
| JPS5922787B2 (ja) | 1979-09-25 | 1984-05-29 | 株式会社リコー | 蒸着膜作成方法 |
| US4336118A (en) | 1980-03-21 | 1982-06-22 | Battelle Memorial Institute | Methods for making deposited films with improved microstructures |
| JPS59190363A (ja) | 1983-04-11 | 1984-10-29 | Orient Watch Co Ltd | 金属薄膜の形成方法 |
| US4661228A (en) | 1984-05-17 | 1987-04-28 | Varian Associates, Inc. | Apparatus and method for manufacturing planarized aluminum films |
| US4865712A (en) | 1984-05-17 | 1989-09-12 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for manufacturing planarized aluminum films |
| US4755460A (en) | 1984-07-06 | 1988-07-05 | The Regents Of The Univ. Of Minnesota | Bovine antigen glycoprotein, related antibody, and use in detection of pregnancy in cattle |
| GB2162365B (en) | 1984-07-26 | 1989-06-01 | Atomic Energy Authority Uk | Ion source |
| JPH0740468B2 (ja) | 1984-12-11 | 1995-05-01 | 株式会社日立製作所 | 高周波プラズマ発生装置 |
| JPS61190070A (ja) | 1985-02-20 | 1986-08-23 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
| US4810935A (en) | 1985-05-03 | 1989-03-07 | The Australian National University | Method and apparatus for producing large volume magnetoplasmas |
| US4626312A (en) | 1985-06-24 | 1986-12-02 | The Perkin-Elmer Corporation | Plasma etching system for minimizing stray electrical discharges |
| JPS6314865A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング装置 |
| GB8629634D0 (en) | 1986-12-11 | 1987-01-21 | Dobson C D | Reactive ion & sputter etching |
| JPS63246814A (ja) | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| US4792732A (en) | 1987-06-12 | 1988-12-20 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Radio frequency plasma generator |
| US5175608A (en) | 1987-06-30 | 1992-12-29 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for sputtering, and integrated circuit device |
| JP2602276B2 (ja) | 1987-06-30 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | スパツタリング方法とその装置 |
| KR920003789B1 (ko) | 1988-02-08 | 1992-05-14 | 니뽄 덴신 덴와 가부시끼가이샤 | 플라즈마 스퍼터링을 이용한 박막 형성 장치 및 이온원 |
| US4842703A (en) | 1988-02-23 | 1989-06-27 | Eaton Corporation | Magnetron cathode and method for sputter coating |
| JP2859632B2 (ja) | 1988-04-14 | 1999-02-17 | キヤノン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US4871421A (en) | 1988-09-15 | 1989-10-03 | Lam Research Corporation | Split-phase driver for plasma etch system |
| US4925542A (en) | 1988-12-08 | 1990-05-15 | Trw Inc. | Plasma plating apparatus and method |
| US4918031A (en) | 1988-12-28 | 1990-04-17 | American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories | Processes depending on plasma generation using a helical resonator |
| GB8905075D0 (en) | 1989-03-06 | 1989-04-19 | Nordiko Ltd | Electrode assembly and apparatus |
| US5135629A (en) | 1989-06-12 | 1992-08-04 | Nippon Mining Co., Ltd. | Thin film deposition system |
| US5421891A (en) | 1989-06-13 | 1995-06-06 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| US4990229A (en) | 1989-06-13 | 1991-02-05 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| US5091049A (en) | 1989-06-13 | 1992-02-25 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| US5122251A (en) | 1989-06-13 | 1992-06-16 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| US5429070A (en) | 1989-06-13 | 1995-07-04 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| US4948458A (en) | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
| US5234560A (en) | 1989-08-14 | 1993-08-10 | Hauzer Holdings Bv | Method and device for sputtering of films |
| DE3942964A1 (de) | 1989-12-23 | 1991-06-27 | Leybold Ag | Einrichtung fuer die erzeugung eines plasmas |
| US5304279A (en) | 1990-08-10 | 1994-04-19 | International Business Machines Corporation | Radio frequency induction/multipole plasma processing tool |
| US5178739A (en) | 1990-10-31 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes |
| JPH04183855A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-06-30 | Fujitsu Ltd | スパッタ膜形成方法 |
| US5206516A (en) | 1991-04-29 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Low energy, steered ion beam deposition system having high current at low pressure |
| JP2635267B2 (ja) | 1991-06-27 | 1997-07-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｒｆプラズマ処理装置 |
| US5234529A (en) | 1991-10-10 | 1993-08-10 | Johnson Wayne L | Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus |
| US5280154A (en) | 1992-01-30 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil |
| US5368685A (en) | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Hitachi, Ltd. | Dry etching apparatus and method |
| US5225740A (en) | 1992-03-26 | 1993-07-06 | General Atomics | Method and apparatus for producing high density plasma using whistler mode excitation |
| US5361016A (en) | 1992-03-26 | 1994-11-01 | General Atomics | High density plasma formation using whistler mode excitation in a reduced cross-sectional area formation tube |
| US5231334A (en) | 1992-04-15 | 1993-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Plasma source and method of manufacturing |
| US5241245A (en) | 1992-05-06 | 1993-08-31 | International Business Machines Corporation | Optimized helical resonator for plasma processing |
| US5397962A (en) | 1992-06-29 | 1995-03-14 | Texas Instruments Incorporated | Source and method for generating high-density plasma with inductive power coupling |
| JP3688726B2 (ja) | 1992-07-17 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US5404079A (en) | 1992-08-13 | 1995-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma generating apparatus |
| US5312717A (en) | 1992-09-24 | 1994-05-17 | International Business Machines Corporation | Residue free vertical pattern transfer with top surface imaging resists |
| DE4235064A1 (de) | 1992-10-17 | 1994-04-21 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung |
| US5346578A (en) | 1992-11-04 | 1994-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Induction plasma source |
| DE4241927C2 (de) | 1992-12-11 | 1994-09-22 | Max Planck Gesellschaft | Zur Anordnung in einem Vakuumgefäß geeignete selbsttragende isolierte Elektrodenanordnung, insbesondere Antennenspule für einen Hochfrequenz-Plasmagenerator |
| DE69431709T2 (de) | 1993-01-15 | 2004-08-19 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Zylindrische mikrowellenabschirmung |
| US5433812A (en) | 1993-01-19 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus for enhanced inductive coupling to plasmas with reduced sputter contamination |
| US5366585A (en) | 1993-01-28 | 1994-11-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor |
| JP3224443B2 (ja) | 1993-02-08 | 2001-10-29 | 靖浩 堀池 | ヘリコン波プラズマ処理装置 |
| JP3271359B2 (ja) | 1993-02-25 | 2002-04-02 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| US5401350A (en) | 1993-03-08 | 1995-03-28 | Lsi Logic Corporation | Coil configurations for improved uniformity in inductively coupled plasma systems |
| JP3252518B2 (ja) | 1993-03-19 | 2002-02-04 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JP3174981B2 (ja) | 1993-03-26 | 2001-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ヘリコン波プラズマ処理装置 |
| US5430355A (en) | 1993-07-30 | 1995-07-04 | Texas Instruments Incorporated | RF induction plasma source for plasma processing |
| US5418431A (en) | 1993-08-27 | 1995-05-23 | Hughes Aircraft Company | RF plasma source and antenna therefor |
| JP3290777B2 (ja) | 1993-09-10 | 2002-06-10 | 株式会社東芝 | 誘導結合型高周波放電方法および誘導結合型高周波放電装置 |
| US5773162A (en) | 1993-10-12 | 1998-06-30 | California Institute Of Technology | Direct methanol feed fuel cell and system |
| US5431799A (en) * | 1993-10-29 | 1995-07-11 | Applied Materials, Inc. | Collimation hardware with RF bias rings to enhance sputter and/or substrate cavity ion generation efficiency |
| WO1995015672A1 (en) | 1993-12-01 | 1995-06-08 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for planar plasma processing |
| FR2713571B1 (fr) | 1993-12-09 | 1996-01-05 | Lamalle Jean | Dispositif empêchant le vol d'un véhicule automobile que son conducteur aurait laissé portières non verrouillées avec ses clés sur le tableau de bord voire avec le moteur en marche. |
| JPH07268624A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-17 | Tatsuo Asamaki | 放電装置 |
| US5639357A (en) | 1994-05-12 | 1997-06-17 | Applied Materials | Synchronous modulation bias sputter method and apparatus for complete planarization of metal films |
| JP2770753B2 (ja) | 1994-09-16 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US5753044A (en) | 1995-02-15 | 1998-05-19 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling |
| US5503676A (en) | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for magnetron in-situ cleaning of plasma reaction chamber |
| JP2657170B2 (ja) | 1994-10-24 | 1997-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JPH07176399A (ja) | 1994-10-24 | 1995-07-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP3483327B2 (ja) | 1994-11-29 | 2004-01-06 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理方法 |
| JPH08288259A (ja) | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Sony Corp | ヘリコン波プラズマ装置およびこれを用いたドライエッチング方法 |
| US5573595A (en) | 1995-09-29 | 1996-11-12 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for generating plasma |
| US6264812B1 (en) | 1995-11-15 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a plasma |
| US6368469B1 (en) | 1996-05-09 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Coils for generating a plasma and for sputtering |
| US6254746B1 (en) * | 1996-05-09 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Recessed coil for generating a plasma |
| US5961793A (en) | 1996-10-31 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber |
| US6210539B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate |
| US6361661B2 (en) * | 1997-05-16 | 2002-03-26 | Applies Materials, Inc. | Hybrid coil design for ionized deposition |
| US6042700A (en) * | 1997-09-15 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source |
| US6660134B1 (en) * | 1998-07-10 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Feedthrough overlap coil |
| US6238528B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source |
-
1997
- 1997-05-06 US US08/851,946 patent/US6368469B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-08 EP EP97303124A patent/EP0807954A1/en not_active Ceased
- 1997-05-09 JP JP15566597A patent/JP4553992B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-09 SG SG1997001437A patent/SG74011A1/en unknown
-
2002
- 2002-01-17 US US10/052,951 patent/US6783639B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-07-20 US US10/896,155 patent/US20040256217A1/en not_active Abandoned
- 2004-11-30 KR KR1020040099101A patent/KR100547404B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-06-11 JP JP2008153424A patent/JP5346178B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-02-12 JP JP2013024199A patent/JP5751520B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2013-08-08 JP JP2013165082A patent/JP5751522B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01201466A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン源 |
| JPH05507963A (ja) * | 1990-10-31 | 1993-11-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 高アスペクト比の穴に材料を付着させる装置 |
| JPH0718433A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Kobe Steel Ltd | Ｉｃｐスパッタリング処理装置 |
| JPH08176818A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スパッタリング装置 |
| JPH1055983A (ja) * | 1996-03-12 | 1998-02-24 | Varian Assoc Inc | ファラデー・スパッタ・シールドを有する誘導結合されたプラズマリアクタ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009001902A (ja) * | 1996-05-09 | 2009-01-08 | Applied Materials Inc | プラズマの発生及びスパッタのためのコイル |
| JP2002507661A (ja) * | 1998-03-16 | 2002-03-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 重複端部を有するコイルを備えるスパッタリング装置 |
| JP2004506090A (ja) * | 2000-03-10 | 2004-02-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高圧物理気相堆積を実行する方法と装置 |
| JP2005504171A (ja) * | 2001-09-27 | 2005-02-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | エピ層を高い蒸着速度でスパッタ蒸着するための方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6783639B2 (en) | 2004-08-31 |
| JP2013117072A (ja) | 2013-06-13 |
| JP5751520B2 (ja) | 2015-07-22 |
| JP4553992B2 (ja) | 2010-09-29 |
| US20040256217A1 (en) | 2004-12-23 |
| US20020144901A1 (en) | 2002-10-10 |
| JP5346178B2 (ja) | 2013-11-20 |
| JP2013256719A (ja) | 2013-12-26 |
| SG74011A1 (en) | 2000-07-18 |
| US6368469B1 (en) | 2002-04-09 |
| JP5751522B2 (ja) | 2015-07-22 |
| JP2009001902A (ja) | 2009-01-08 |
| EP0807954A1 (en) | 1997-11-19 |
| KR100547404B1 (ko) | 2006-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040506 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060907 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071211 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080310 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080313 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080411 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080416 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080512 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080515 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080611 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090616 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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