JP2013117072A - プラズマの発生及びスパッタのためのコイル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コイル104からスパッタされる原子がターゲット110からスパッタされる原子と組合わさって所望の種類の物質の層を形成するように、コイルは好ましくはターゲットと同じ種類の物質から作られる。コイルからスパッタされる物質の分布は、基板の端ではより厚くそして基板の中心に向かってより薄くなる。このような分布は、ターゲットからスパッタされる物質の分布プロファイルを補償する。結果として、コイル及びターゲットの両者から堆積された物質は、組合わさって、基板の中心からその端へと、比較的均一な厚さの層を形成する。
【選択図】図1
Description
次いで、スパッタされた物質は、半導体ウエハの表面上に移されそして堆積される。
しかし、低密度のプラズマによってスパッタされた物質はしばしば1%未満の電離度を有し、その電離度は通常、過度の数の空洞の形成を避けるためには不十分である。従って、堆積層中の望まない空洞の形成を減少させるために、スパッタされた物質の電離化率を増加させるべくプラズマの密度を増加させることが望ましい。本明細書で用いている「密なプラズマ」なる語は、高い電子及びイオン密度を有するプラズマを意味することを意図している。
同時係属している特許出願、シリアル番号第08/647,182号明細書(1996年5月9日出願(代理人番号、1186/PVD/DV)、発明の名称:「プラズマを発生するための埋込式コイル」、これは、本出願の譲受人に譲渡されており、引用することにより本明細書の一部である)にかなり詳細に記載されているように、絶縁コイル隔離碍子122は、コイル104をシールド106(これは典型的には接地されている)に短絡させることができるコイル104からシールド106への堆積された物質の完全な導電経路の形成を防ぎながら、ターゲット110からコイル隔離碍子122上へ誘電性物質を繰り返し堆積することを可能とする内部ラビリンス構造を有する。
スパッタされる物質のあるものはプラズマチャンバ100の垂直軸に対して斜めの角度で移動するので、暗黒部シールドリング130は、コイル104及びそれに付随する支持体構造を、スパッタされる物質の全てからは完全にはシールドしない。しかし、スパッタされる物質のほとんどは、チャンバの垂直軸に平行に又は垂直軸に対して比較的小さい斜角にて移動するので、コイル104の上に覆い被さるようにして配置された暗黒部シールドリング130は、スパッタされる物質の実質的な量がコイル104上に堆積されるのを防ぐ。或いは、コイル104上に堆積される物質の量を減らすことにより、コイル104(及びその支持体構造)上に堆積される物質による粒子の形成を実質的に減少することができる。
従って、ターゲット110の下側に形成された環状の溝内に、セラミック絶縁リング組立品172が収容され、それはまた、ターゲット152の上側内の対応する溝174内に収容されている。セラミック等の種々の絶縁性物質から作られうる絶縁環状組立品172は、ターゲット110が適当に負にバイアスされるようにターゲット110をアダプターリング組立品152から離して間隔を開ける。ターゲット、アダプター及びセラミックリング組立品は、O−リングシーリング表面(図示せず)を提供し、減圧チャンバからターゲット110までの減圧のしっかりとした組立体を提供する。
複数巻きコイルの製造コストは、図4に示されている複数巻きコイル104’を形成するためにいくつかのこのような平らなリング200a〜200cを用いることにより実質的に減少しうる。各リングは、一方の側において支持体隔離碍子204a〜204cにより、そして他方の側において一対のRFフィードスルー隔離碍子206a〜206c及び208a〜208c(図6)により支持されている。図5において最もよく示されているように、支持体隔離碍子204a〜204cは、好ましくは千鳥形の位置関係でシールド壁210上に配置されている。各支持体隔離碍子204a〜204cは、適所にコイルリングを固定するため、対応するコイルリング200の下側に形成された対応する溝212(図3)によって収容される。
コイルリング200bの他の端は、フィードスルー隔離碍子208b中のRFフィードスルーによって他の外部のRF導波管220cに連結されており、導波管220cは、フィードスルー隔離碍子206c中のRFフィードスルーによって頂部のコイルリング200cの一つの端に連結されている。最後に、頂部コイルリング200cの他の端は、フィードスルー隔離碍子208c中のRFフィードスルーによって他の外部のRF導波管220dに連結されている。このようにして互いに連結されて、コイルリング200a〜200cを通る電流は、コイルリングによって作られる磁界が互いに構造的に強化し合うように、同じ方向に向けられている。コイル104’は複数巻きコイルであるので、フィードスルー隔離碍子206及び208の電流取り扱い要求は、所与のRF電流レベルのための単巻きコイル104のフィードスルー支持体124のそれに比べて実質的に減少しうる。
本発明の一つの特徴に従って、この不均一性は、ワークピースの上のスパッタターゲット110からばかりでなく、ワークピースの端を取り囲むコイル104からの堆積物質をスパッタすることにより効果的に補償される。ワークピースの端はワークピースの中心よりコイル104に近いので、図3の252に示されるように、コイルからスパッタされた物質は、中心のよりワークピースの端に向かってより厚く堆積する傾向があることが判った。もちろん、このことは、ターゲット110からの物質の堆積パターンの逆である。
ターゲットに与えられるバイアスのDC電流レベルに対するコイル104に与えられるRF電流レベルを適当に調節することにより、コイル104からスパッタされる物質の堆積レベルが、ターゲットからの物質の堆積プロファイルの不均一性を実質的に補償するように選択し、図7の堆積プロファイル254によって示されるスパッタされた物質の両供給源からの層の全体の堆積プロファイルが、ターゲットのみからしばしば得られるプロファイルより実質的により均一になるようにできるということが判った。物質がターゲットからスパッタされそしてウエハ上に堆積されることに加えて、コイルからスパッタされる物質が、ウエハの端で測定して少なくとも1分当たり50オングストロームの速度にて堆積されるように、コイルがスパッタされる物質を十分に供給することが好ましい。
パーセントの不均一性の絶対値が大きくなればなるほど、そのパーセントによって表される不均一性の程度(端の厚み又は中心の厚みのいずれか)は大きくなる。反対に、ターゲットに与えられるDC電流に対するコイルの与えられるRF電流の比が減少すればするほど、堆積層の中心は、ますます増加する不均一性の正のパーセントによって表されるように端に比べてますます厚くなる傾向にある。従って、ターゲットをバイアスするDC電流に対するコイルに与えられるRF電流の比を調節することによって、コイルからスパッタされる物質は、ターゲット及びコイルの両者からの物質を含む堆積層をより均一にするように、ターゲットから堆積された物質の不均一性を効果的に補償するように適当に増加又は減少されうる。単巻きコイル104にとっては、約1.5というコイルRF電流対ターゲットDC電流比は、8インチ直径のウエハに対して満足な結果を提供すると判った。図8は、3巻きコイルに対しての、種々のコイルRF電流対ターゲットDC電流の結果を示しており、そこでは、約0.7の比が、最適であることが示されている。
図10に示す如く、コイル104”は、上記したコイル104と104’と同じ様式にて、フィードスルー隔離碍子206によりシールド308を通じて整合回路網118及びRF発生器106に連結されている。しかし、チャンバ100”は、第二のターゲット310を有し、このターゲットは、一般にコイル様の形状であるが、RF発生器には連結されない。
代わりに、平らな閉じたリング400で形成された第二のターゲット310は、フィードスルー隔離碍子206を通じて、図10に示した可変の負のDCバイアス供給源312に連結されている。結果として、チャンバは3つの「ターゲット」、すなわち、それぞれ第一及び第二のターゲット110及び310、並びにRFコイル104”を有する。しかし、コイル104”及び第二のターゲット310からスパッタされる物質のほとんどは、RF電流が与えられたコイル104”よりはDCバイアスされたターゲット310から由来する。
第二のスパッタリングターゲット310及び400a〜400cは平らなリング400から作製されると記載したが、スパッタリングの第二のターゲットは、リボン及び環状の物質から、並びに筒及び筒の断片を含む種々の他の形状及びサイズから作製されうると考えられるべきである。しかし、第二のターゲットは、基板の軸に対して対称であり、プラズマの円周部にてチャンバの内部を取り囲むことが好ましい。第二のターゲット物質は、固形の、伝導性の物質であるべきであり、第一のターゲット110のそれと比べて、同じタイプの又は異なったタイプの伝導物質であってもよい。第一の及び第二のターゲットのバイアス化はDCバイアス化として記載したが、いくつかの用途においては、第一の及び第二のターゲットの一つの又は両者のAC又はRFバイアス化が適していることもあると認識されるべきである。
102 減圧チャンバ
104 単巻きコイル
106 シールド
107 RF発生器
110 ターゲット
111 DC電源
112 基板
114 台座
116 回転磁石組立体
118 整合回路網
120 コンデンサ
121 AC供給源
122 コイル隔離碍子
124 フィードスルー隔離碍子
130 シールドリング
152 アダプターリング組立品
172 セラミック絶縁リング組立品
200 コイルリング
204 支持体隔離碍子
206、208 RFフィードスルー隔離碍子
210 シールド壁
212 溝
220 RF導波管
308 シールド
310 第二のターゲット
312 DCバイアス供給源
400 リング
Claims (58)
- 電源と共に使用され、ワークピース上に薄層をスパッタ堆積するための装置であって、 内部に配置された基板支持部材と、内部にあるプラズマ発生領域と、前記基板支持部材及び前記プラズマ発生領域を実質的に取り囲む壁を有するシールドとを有する減圧チャンバと、
前記減圧チャンバ内に配置された、バイアス可能な第一のターゲットと、
DCバイアス源と、
前記シールドの壁によって絶縁された状態で支持され、前記電源に取り付けられた第一の端部及び前記DCバイアス源に取り付けられた第二の端部を有するスパッタ可能なコイルであって、前記プラズマ発生領域を実質的に取り囲み、前記プラズマ発生領域に対してエネルギーが誘導結合するように配置され、前記コイルから前記ワークピースへスパッタがおこなわれるように前記基板支持部材に隣接して配置されたコイルと
を備え、
さらに前記第一のターゲットに取り付けられた第一の電源を含み、且つ、前記電源が前記コイルに取り付けられた第二の電源を含む、装置。 - 前記シールドがほぼ円筒状の形状である、請求項1記載の装置。
- 前記コイルが単巻きのコイルである、請求項1記載の装置。
- 前記コイルがリボン状である、請求項1記載の装置。
- 前記DCバイアス源が、前記コイルのバイアスを、前記コイルがプラズマ存在下においてスパッタされるのに充分なレベルに維持する、請求項1記載の装置。
- 前記第二の電源がRF電源である、請求項1記載の装置。
- 前記DCバイアス源は、記コイルに取り付けられたコンデンサである、請求項6記載の装置。
- バイアス可能な前記第一のターゲットと前記基板支持部材との間に配置された、バイアス可能な第二のスパッタターゲットをさらに備える、請求項1記載の装置。
- 前記第二のスパッタターゲットがDCバイアスされている、請求項8記載の装置。
- 前記第二のターゲットが負にバイアスされている、請求項9に記載の装置。
- 前記ターゲットそれぞれが同一の金属からなる、請求項10記載の装置。
- 前記第一のターゲットから離間されて前記チャンバに支持され、前記第一のターゲットと同種の材料で構成された第二のターゲットをさらに備え、
前記第二のターゲットは、前記第二のターゲットの材料が前記ワークピース上にスパッタされて、前記コイルの材料、前記第一のターゲットの材料及び前記第二のターゲットの材料により前記ワークピース上に薄膜が形成されるように配置されている、請求項1記載の装置。 - 前記第二のターゲットに取り付けられたバイアス回路をさらに備える、請求項12記載の装置。
- 前記コイルは、前記第一のターゲットと同種の材料で構成され、前記コイルの材料が前記ワークピースにスパッタされるように配置され、前記コイルの材料が前記第一のターゲットの材料及び第二のターゲットの材料と共に前記ワークピース上に堆積して薄膜を形成する、請求項12記載の装置。
- 前記第二のターゲットが閉じたリング状である、請求項12記載の装置。
- 前記第二のターゲットが円筒状である、請求項12記載の装置。
- 前記電源が、前記コイルにRF電力を印加する発生器であり、
前記第一のターゲットにDCバイアスを印加する供給源と、
前記第二のターゲットにDCバイアスを印加する供給源と
をさらに備える、請求項12記載の装置。 - 前記コイルが複数の巻きを有し、前記第二のターゲットが前記コイルの巻きと交互に重なる複数のリングを有している、請求項12に記載の装置。
- スパッタ堆積チャンバ内においてワークピース上に物質を堆積する方法であって、
前記チャンバ内に配置されたターゲットから前記ワークピース上に、ターゲットの材料をスパッタするステップと、
電源に取り付けられた第一の端部及びアースされた第二の端部を有し、プラズマ発生領域を実質的に取り囲み、前記ワークピースに隣接して配置され、少なくともコイルを部分的に取り囲むように配置されたシールドの壁によって絶縁された状態で支持されたコイルから、前記ワークピース上にコイル物質をスパッタするステップと、
前記コイルから前記プラズマ発生領域へエネルギーを誘導結合するステップと
を含む方法。 - 前記シールドがほぼ円筒状の形状である、請求項19記載の方法。
- 前記コイルが単巻きのコイルである、請求項19記載の方法。
- 前記コイルがリボン状である、請求項19記載の方法。
- ターゲットの材料をスパッタするステップは、前記ターゲットにDC電力を印加するステップを備え、
前記コイル材料をスパッタするステップは、前記電源から前記コイルにRF電力を印加するステップを備える、請求項19記載の方法。 - 前記コイルの材料をスパッタするステップは、前記コイルに取り付けられた他の電源からの電力を印加するステップをさらに備える、請求項23記載の方法。
- 前記ターゲットの材料と前記コイルの材料とが同種の材料である、請求項19記載の方法。
- 前記ターゲットの材料と前記コイルの材料とが異種の材料である、請求項19記載の方法。
- 前記ターゲットの材料と前記コイルの材料とが異なるスパッタ速度でスパッタされる、請求項19記載の方法。
- 前記ワークピース上方に配置された第二のターゲットから前記ワークピース上に第二のターゲットの材料をスパッタするステップをさらに備える、請求項19記載の方法。
- 前記第一のターゲットの材料をスパッタするステップは、前記第一のターゲットにDC電力を印加するステップを備え、
前記第二のターゲットの材料をスパッタするステップは、前記第二のターゲットにDC電力を印加するステップを備える、請求項28記載の方法。 - 前記第一のターゲットの材料及び前記第二のターゲットの材料と前記コイルの材料とが同種の材料である、請求項28記載の方法。
- 前記コイルが、前記第一のターゲットの材料及び第二のターゲットの材料と同種の材料で構成され、
前記コイルが、前記コイルの材料を前記ワークピース上にスパッタして、前記コイルの材料が前記第一のターゲットの材料及び前記第二のターゲットの材料と共に前記ワークピース上に堆積して薄膜を形成するように配置されている、請求項30記載の方法。 - 前記コイルが複数の巻きを有し、前記第二のターゲットが前記コイルの巻きと交互に重なる複数のリングを有している、請求項28記載の方法。
- 電源と共に使用され、半導体製造系内のプラズマを活発化して、センター部及びエッジ部を有するワークピース上に物質を堆積するための装置であって、その装置が、
そのチャンバ内にプラズマ発生領域を有する半導体製造チャンバと、
該チャンバ内に置かれかつ第一の物質から作られたスパッタ用ターゲットであって、該ターゲット物質が、上記ワークピースの上記エッジ部に比べて上記センター部の方により高い堆積速度で堆積されるように配置されているターゲットと、
上記チャンバ内に配置されかつ該ターゲットと同じ種類の物質から作られているコイルであって、上記電源に取り付けられた第一端部及びアースされた第二端部を有し、上記プラズマ発生領域に対してエネルギーが誘導結合されるように配置され、上記コイル物質が上記ワークピースの上記センター部に比べて上記エッジ部の方により高い堆積速度で堆積されて、上記コイル物質及び上記ターゲット物質の両者を上記ワークピースの上に堆積させワークピースの上に層を形成するように上記コイル物質を上記ワークピース上にスパッタするように基板支持部材に隣接して配置されているコイルと
を含む装置。 - 上記コイル物質が、少なくとも50オングストローム/分の速度にて上記ワークピースの少なくとも一部に堆積されるように、上記コイルの第一端部に取り付けられた上記電源と上記コイルの第二端部とアースとの間をつなぐコンデンサとを含むバイアス回路をさらに備える、請求項33に記載の装置。
- 上記電源が、上記コイルにRF電流を供給する発生器であり、
上記装置が、上記ターゲットへDCバイアスを供給する供給源と、上記ワークピースへDCバイアスを供給する供給源とを備え、
上記ターゲットDCバイアスの電流と上記コイルRF電流とが、上記ワークピースに堆積される上記コイル物質が上記ワークピース上に堆積された上記ターゲット物質の厚さの不均一性を補うように所定の関係を有している、
請求項33に記載の装置。 - さらに、上記コイルの第二端部とアースとの間をつなぐコンデンサを備える、請求項33に記載の装置。
- 上記プラズマの存在下において、上記コイルが、上記ワークピースの上記センター部に比べて上記エッジ部の方により高い堆積速度で上記コイル物質が堆積するようにスパッタされるのに十分なレベルに、上記コンデンサが上記コイルのバイアスを維持する、請求項36に記載の装置。
- スパッタ堆積チャンバ内のセンター部及びエッジ部を有するワークピース上に物質を堆積する方法であって、該方法が、
上記ワークピースの上記エッジ部に比べて上記センター部の方により高い堆積速度でターゲット物質が堆積するように、上記チャンバ内に配置されたターゲットから上記ワークピース上にターゲット物質をスパッタするステップと、
電源に取り付けられた第一端部及びアースされた第二端部を有するコイルであって、コイル物質が上記ワークピースの上記センター部に比べて上記エッジ部の方により高い堆積速度で堆積するように、上記ワークピースに隣接して配置され、上記チャンバ内のガスに誘導的に連結されているコイルから、上記ワークピース上にコイル物質をスパッタするステップと
を含む方法。 - 上記ターゲット物質をスパッタするステップは、上記ターゲットへDC電流を供給するステップを備え、且つ、上記コイル物質をスパッタするステップは、上記コイルへRF電流を供給するステップを備え、上記方法は、
上記ターゲットから上記ワークピース上にスパッタされる上記ターゲット物質の厚さの不均一性を補うために、上記ターゲットに供給されたDC電流に対する上記コイルに供給されたRF電流の比を調節するステップをさらに含む請求項38に記載の方法。 - 上記のターゲット物質及び上記のコイル物質が同じ種類の物質である請求項38に記載の方法。
- 上記のターゲット物質及び上記のコイル物質が、上記のワークピース上にスパッタされた上記のターゲット物質の厚さの不均一性を補う量にてスパッタされる請求項38に記載の方法。
- 上記のコイル物質が、少なくとも50オングストローム/分の速度にて上記ワークピースの少なくとも一部に堆積される請求項41に記載の方法。
- 上記のターゲット物質及び上記のコイル物質が異なった速度でスパッタされる請求項38に記載の方法。
- 電源と共に使用され、半導体製造系内のプラズマを活発化して、センター部及びエッジ部を有するワークピース上に物質を堆積するための装置であって、該装置が、
そのチャンバ内にプラズマ発生領域を有する半導体製造チャンバと、
上記チャンバ内に置かれかつ第一の物質から作られた第一のターゲットであって、上記ターゲット物質が、上記ワークピースの上記エッジ部に比べて上記センター部の方により高い堆積速度で上記ワークピース上に堆積するように配置されている第一のターゲットと、
上記電源に取り付けられた第一端部及びアースされた第二端部を有するコイルであって、上記プラズマ発生領域に対してエネルギーが誘導結合されるように配置され、上記ワークピースの上記センター部に比べて上記エッジ部の方により高い堆積速度で上記コイル物質が堆積するように配置されているように、上記ワークピース上に上記コイル物質がスパッタされるのを許容するように基板支持部材に隣接して配置されたコイルと、
上記チャンバ内に上記第一のターゲットから離間して置かれかつ上記第一のターゲットと同じ種類の物質から形成されている第二のターゲットであって、上記第二のターゲット物質が、上記ワークピース上にスパッタされるように配置され、第二のターゲット物質が上記ワークピースの上記センター部に比べて上記エッジ部の方により高い堆積速度で堆積されて、上記コイル物質及び上記第一及び第二ターゲット物質を上記ワークピースの上に堆積させてワークピースの上に層を形成する第二のターゲットと
を含む装置。 - 上記のコイルが上記の第一のターゲットと同じ種類の物質から形成されている請求項44に記載の装置。
- 上記第二のターゲットが閉じたリングである請求項44に記載の装置。
- 上記の第二のターゲットが筒状である請求項44に記載の装置。
- 上記電源が上記コイルへRF電流を与える発生器であり、
上記装置は、さらに
上記第一のターゲットへDCバイアスを与える供給源及び上記第二のターゲットにDCバイアスを与える供給源を備えており、
上記第一のターゲット及び第二のターゲットへのDCバイアスの大きさは、上記ワークピース上に堆積された上記第二のターゲット物質が上記ワークピース上に堆積された上記第一のターゲットの物質の厚さの不均一性を補うように所定の関係を有している、請求項44に記載の装置。 - RF電源に取り付けられた第一端部及びアースされた第二端部を有する第一のコイルからのRFエネルギーでプラズマを活発化するステップと、
上記のワークピースに対面するように配置された第一のターゲットから上記のワークピース上に第一のターゲット物質を、上記第一のターゲット物質が上記ワークピースのエッジ部に比べてセンター部により厚く堆積されるようにスパッタするステップと、
上記のワークピースの上に配置された第二のターゲットから上記のワークピース上に第二のターゲット物質を、上記第二のターゲット物質が上記ワークピースのセンター部に比べてエッジ部により厚く堆積されるようにスパッタするステップと、
上記のワークピースに隣接して配置された第一のコイルから上記のワークピース上にコイル物質を、上記コイル物質が上記ワークピースのセンター部に比べてエッジ部により厚く堆積されるようにスパッタするステップと、
を含む、ワークピース上へ物質を堆積する方法。 - 上記第一のターゲット物質をスパッタするステップが上記第一のターゲットにDC電流を供給するステップを備え、上記第二のターゲット物質をスパッタするステップが第二のターゲットにDC電流を供給するステップを備え、
上記方法は、上記ターゲットから上記ワークピース上にスパッタされる上記第一のターゲット物質の厚さの不均一性を補うために、上記第一のターゲットに供給されるDC電流に対する上記第二のターゲットに供給されるDC電流の比を調節するステップをさらに含む請求項49に記載の方法。 - 上記第一ターゲット物質、上記第二ターゲット物質、及び上記第一のコイル物質が同じ種類の物質である請求項49に記載の方法。
- 上記コイルが上記第一のターゲット及び第二のターゲットと同じ種類の物質で形成されている、請求項51記載の方法。
- 上記第一のターゲット物質、上記第二のターゲット物質、及び上記第一のコイル物質が、上記ワークピース上にスパッタされた上記第一のターゲット物質の厚さの不均一性を補う量にてスパッタされる請求項49に記載の方法。
- 上記コイル物質及び上記第二のターゲット物質が、少なくとも50オングストローム/分の組み合わされた速度にて上記ワークピースの少なくとも一部に堆積される請求項53に記載の方法。
- 電源と共に使用され、センター部及びエッジ部を有するワークピース上に物質を堆積するための装置であって、該装置が、
スパッタ堆積チャンバと、
上記チャンバ内に配置され、上記ワークピース上にターゲット物質を、上記ターゲット物質が上記ワークピースの上記エッジ部に比べて上記センター部の方により高い堆積速度で堆積するように堆積させるターゲット手段と、
上記チャンバ内に配置され、上記ワークピース上にコイル物質を、上記コイル物質が上記ワークピースの上記センター部に比べて上記エッジ部の方により高い堆積速度で堆積するように基板支持部材に隣接して配置されたコイル手段であって、上記電源に取り付けられた第一端部及びアースされた第二端部を有するコイル手段と
を備える装置。 - 電源及び第一の物質で形成されたスパッタ可能ターゲットを有する半導体製造チャンバと共に使用され、上記チャンバ内のプラズマ発生領域でプラズマを活発化してワークピース上に堆積されるべき物質をイオン化するための装置であって、
上記ターゲットは、センター部及びエッジ部を有する上記ワークピース上に、上記ターゲット物質が上記ワークピースのエッジ部に比べて上記センター部の方により高い堆積速度で堆積するようにスパッタするように配置されており、
上記チャンバに導入され、上記ターゲットを同じ種類の物質で形成されたコイルであって、上記電源に取り付けられた第一端部及びアースされた第二端部を有し、上記ワークピース上に薄層を形成するために上記コイル物質及び上記ターゲット物質の両方が上記ワークピース上に堆積されるように、上記コイル物質を上記ワークピースの上記センター部に比べて上記エッジ部の方により高い堆積速度で堆積するように、上記チャンバに導入された際、上記プラズマ発生領域に対してエネルギーが誘導結合されるように配置され、上記コイルから上記ワークピース上に物質をスパッタするように基板支持部材に隣接して配置されたコイルを備える装置。 - 上記コイルが単巻きのコイルである請求項56記載の装置。
- 上記コイルがリボン状である請求項56記載の装置。
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