JPH01201466A - イオン源 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、試料基板上に各種材料の薄膜を形成し、また
は薄膜表面のエツチングまたは表面改質をするためのイ
オンを引き出す装置に関するものであり、特に高密度プ
ラズマによるスパッタリングを利用して各種イオンを高
電流密度、高効率で連続して長時間安定に引き出すため
の新規なイオン源に関するものである。

［従来の技術］ 従来から、プラズマ中で生じたイオンをグリッド等の引
出し機構を用いて引き出すいわゆるイオン源は、各種材
料および薄膜のエツチングまたは加工に各方面で広く用
いられている。中でも第１５図に示すような熱電子放出
用フィラメントを備えたカウフマン型イオン源がもっと
も一般的に用いられている。カウフマン型イオン源はプ
ラズマ生成室１の内部に熱電子放出用のフィラメント２
を有し、このフィラメント２を陰極として電磁石３によ
って発生した磁界中で放電を起こさせることによりプラ
ズマ４を発生させ、このプラズマ４中のイオンを数枚の
引出しグリッド５を用いてイオンビーム６として引出す
ものである。

従来のカウフマン型イオン源に代表されるイオン源はプ
ラズマ生成用の熱電子をフィラメントを用いて取り出し
ているため、そのフィラメント材料がスパッタされ不純
物として引出されたイオンに含まれてしまう。さらにプ
ラズマ生成用ガスとして酸素等の反応性ガスを用いた場
合には、反応性ガスがフィラメントと反応し、長時間連
続したイオン引出しができないという大きな欠点があっ
た。しかも引出されるイオンはΔｒ等のガスを原料とし
たものに限られていた。金属イオン源として、アンテナ
型マイクロ波金属イオン源があるが、スパッタによるア
ンテナの消耗により長時間連続してイオン引出しができ
ず、しかも大面積にわたるイオン引出しができ”ない。

また従来のイオン源においては、プラズマ中のガスや粒
子のイオン化が十分でなく、しかもプラズマに投入され
た電力の殆どが熱エネルギーとして消費されてしまい、
投入電力にしめるプラズマ形成（ＴＬｍｌｔ）に用いら
れる電力の割合が低いという欠点があった。

スパッタを利用したイオン源としては電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）を利用したマイクロ波放電によるスパ
ッタ型イオン源（特開昭６２−２２４６８６号）が提案
されており、高効率のイオン源として種々の特徴を持っ
ている。

スパッタを利用して、大電流イオン源を実現するにはプ
ラズマ密度を高密度に高効率に保つ必要がある。そのた
めには、ターゲットから放出される二次電子（γ電子）
を効率的に閉じ込めることが重要であるが、上記の技術
では、この二次電子の閉じ込めが不十分で、高エネルギ
ー電子のエネルギーを有効にプラズマに伝えることがで
きず、大電流スパッタ型イオン源技術として十分とは言
い難い。

［発明が解決しようとする課題］ イオン源として望まれる条件をまとめると、（１）大収
量（大イオン電流）であること、（２）不純物が少ない
こと、 （３）イオンのエネルギーか広い範囲にわたって制御で
きること、 （４）不活性ガスのみでなく金属イオン等の各種イオン
も取り出せること、 が上げられる。

しかしこのような条件を満足するイオン源はこれまで実
現されていない。

本発明は従来の欠点を改善し、上記各条件を満たし得る
イオン源を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ かかる目的を達成するために本発明イオン源はガスを導
入してプラズマを発生させるプラズマ発生室と、一端部
にマイクロ波導入窓を有し、他端部においてプラズマ生
成室に結合された真空導波管と、プラズマ生成室の端部
に設けられたイオン引出し機構と、プラズマ生成室内部
の両端部に設けられたそれぞれスパッタリング材料から
なる第１および第２のターゲットと、第１および第２の
ターゲットにそれぞれプラズマ生成室に対して負の電圧
を印加する少なくとも１個の電源と、プラズマ生成室の
内部に磁場を形成し、かつ第１および第２のターゲット
の一方からでて他方に入る磁束を生成する手段とを具え
たことを特徴とする。

さらに本発明イオン源はガスを導入してプラズマを発生
させるプラズマ発生室と、一端部にマイクロ波導入窓を
有し、他端部においてプラズマ生成室に結合された真空
導波管と、プラズマ生成室の端部に設けられたイオン引
出し機構と、プラズマ生成室の内側面に沿って設けられ
たスパッタリング材料よりなる円筒状のターゲットと、
ターゲットにプラズマ生成室に対して負の電位を印加す
る電源と、プラズマ生成室の内部に磁場を形成し、かつ
ターゲットの一端部から出て他端部に入る磁束を生成す
る手段とを具えたことを特徴とする。

［作　用］ 本発明は、高い活性度の高密度プラズマを発生させ、そ
のプラズマを用いたスパッタを行い、生成イオンの反応
性や得られる膜の導電性がイオン引出しの障害とならず
、低エネルギーイオンを高速度、高効率に連続して引き
出せるものである。

すなわち本発明は、電子サイクロトロン共口１（ＥＣ−
ｎ）によりプラズマを生成および加熱し、その高密度プ
ラズマを利用してスパッタを行い、数ｅＶから数ｋｅＶ
の低エネルギーイオンの引出しと、高活性なプラズマの
生成を両立させる。しかも、真空導波管を磁束方向と直
交して接続するため、真空導波管方向へのプラズマの加
速を抑制される。

その結果、マイクロ波導入窓への導電性材料膜の付着に
よるマイクロ波の反射が無視でき、金属イオンを連続し
て長時間安定に形成することを可能とする。しかも電子
をプラズマ中に反射するターゲット配置をとるため、高
速スパッタが可能であり、そのために高電流密度イオン
の引出しが可能である。

［実施例］ 以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明によるイオン源の実施例の断面図である
。プラズマ生成室７はプラズマ生成部７Ｐおよびターゲ
ット保持部７Ｔからなっている。プラズマ生成室７には
プラズマを生成するためのガスが導入口８から導入され
るようになフている。またプラズマ生成室７には一端部
にマイクロ波導入窓１０を有する真空導波管９が結合さ
れている。マイクロ波導入窓ｌＯは、さらにマイクロ波
導波管１１に接続され、さらに図示しない整合器、マイ
クロ波電力計、アイソレータ等のマイクロ波導入機構に
接続されたマイクロ波源からプラズマ生成室７にマイク
ロ波が供給される。・本実施例ではプラズマ生成室７内
に設置されたターゲットから直接見えない部分に配置さ
れたマイクロ波導入窓ｌＯには石英ガラス版を用いてい
る。マイクロ波源としては、例えば、２．４５６１＋□
のマグネトロンを用いている。

プラズマ生成室７の一端部にはイオン引出し用グリッド
１２が設けられている。本実施例ではグリッド１２は２
枚の多孔グリッド１２Ａおよび１２Ｂからなり、各グリ
ッドは絶縁体１３を介してターゲット保持部７Ｔの底部
に取付けられ、グリッド１２Ａ、１２Ｂにはそれぞれ電
源１４Ａ、１４Ｂからプラズマ生成室７に対して負の電
圧が印加される。プラズマ生成室７の内部の他端部には
平板状のターゲット１５が、グリッド１２の近傍には円
筒状のターゲット１６が設けられている。

ターゲット１５および１６のプラズマ生成室への取付は
方法を第２Ａ図および第２Ｂ図に示す。図示するように
、ターゲット１５は水冷可能な金属製支持体１５Ａに取
外し可能に固定され、支持体１５ＡはねじＭ１５Ｂによ
ってプラズマ生成室７の上部の壁７Ａに固定される。支
持体１５Ａと壁７Ａとは絶縁体１５Ｇによって絶縁され
ている。同様にターゲット１６は水冷可能な金属製支持
体１６＾に取外し可能に固定され、支持体１６Ａは絶縁
体１６Ｃを介してねじｉ　１１ｉＢによって壁７Ｂに固
定される。支持体１５Ａおよび１６へのそれぞれの突出
端部１５Ｄおよび１６Ｄは電極を兼ね、それぞれ直流電
源１７および１８からターゲット１５および１６にプラ
ズマ生成室に対して負の電圧を印加することができる。

プラズマ生成室７には正の電位を印加するのか好ましい
。プラズマ生成室側のグリッド１２Ａにはプラズマ生成
室７に対して一数十から一２００Ｖ（７）？ｉ圧を印加
しておくと、グリッドに加速されたイオンがグリッド上
に堆積した膜を取除く効果がある。

プラズマ生成室７の外周両端には、少なくとも一対以上
の電磁石１９Ａ、１９Ｂを設け、これによってプラズマ
生成室内で磁界を発生する。その際、マイクロ波による
電子サイクロトロン共０．％（ＥＣＲ）の条件がプラズ
マ生成部７Ｐの内部で成立するように各構成条件を決定
する。例えば周波数２．４５ＧＨ２のマイクロ波に対し
ては、ＥＣＲの条件は磁束密度８７５Ｇであるため、両
端の電磁石１９Ａ、１９Ｂは例えば最大２０００Ｇまで
の磁束密度が得られるように構成し、磁束密度８７５Ｇ
がプラズマ生成部７Ｐの内部のどこかで実現されている
。プラズマ生成部７Ｐの内部でＥＣＲによって効率よく
電子にエネルギーが与えられるだけでなく、この磁場は
生成したイオンや電子を磁界に垂直方向に散逸するのを
防ぎ、その結果、低ガス圧中で高密度プラズマが生成さ
れる。

プラズマ生成部７Ｐは、マイクロ波空洞共振器の条件と
して、−例として、円形空洞共゛振モードＴＥｚｓを採
用し、内のりで直径２０ｃｍ、高さ２０ｃｍの円筒形状
を用いてマイクロ波の電界強度を高め、マイクロ波放電
の効率を高めるようにするのが望ましい。

平板状ターゲット１５と円筒状ターゲット１６は、平板
状ターゲット１５と円筒状ターゲット１６の面に電磁石
１９Ａ、１９Ｂによる磁束２０が流入するように、しか
もその磁束がターゲットのうち一方のターゲットから出
て他方のターゲットに入るように設置しである。

プラズマ生成室は水冷可能とするのが望ましい。ターゲ
ット１５および１６の側面をプラズマから保護するため
に、プラズマ生成室の内面にはシールド７Ｃおよび７Ｄ
を設けることが好ましい。

プラズマ生成室７内を高真空に排気した後、ガス導入口
８からガスを導入してマイクロ波を導入し、ＥＣｎ条件
で放電を生ぜしめ、高密度プラズマを発生させる。プラ
ズマ中のイオンをイオンビーム２１として引き出すこと
かできる。ターゲット間の磁束はターゲット表面から生
成された二次電子（γ電子）が磁界に垂直方向に散逸す
るのを防ぎ、さらにプラズマを閉じ込める効果をもち、
その結果、低ガス圧中で高密度プラズマが生成される。

第３図は第１図に示したイオン源を利用した薄膜形成装
置の一例の断面図である。イオン引出し用グリッド１２
を挟んで試料室２２がプラズマ生成室７と結合されてい
る。試料室２２とプラズマ生成室７とは絶縁するのがよ
い。試料室２２にはガス導入口２３からガスを導入する
ことができ、排気系２４によって高真空に排気すること
ができる。試料室２２内には基板２５を保持するための
基板ホルダ２６が設けられ、基板ホルダ２６とイオン引
出しグリッド１２との間に開閉可能なシャッタ２７か設
りられている。基板ホルタ２６にはヒータを内蔵して基
板を加熱てぎるようにするのが好ましく、また基板２５
に直流あるいは交流の電圧を印加して膜形成中の基板へ
のバイアス電圧の印加、基板のスパッタクリーニングが
可能なように構成するのが望ましい。

引出したイオンのエネルギーは主にプラズマ生成室７と
イオン引出しグリッド１２に印加する電圧の相対差であ
る加速電圧により制御することができる。

第４図に、第３図に示した薄膜形成装置における磁束方
向の磁場強度分布の例を示した。磁場は発散磁場である
。

ここで本発明のイオン源における高密度プラズマ生成の
原理を第５図により詳細に説明する。

生成された高密度プラズマに面したターゲットに負の電
位を印加することにより、高密度プラズマ中のイオンを
その円筒状ターゲット１６と平板状ターゲット１５に効
率よく引き込みスパッタをおこさせる。円筒状ターゲッ
ト１６と平板状ターゲット１５に引き込まれたイオンか
ターゲット表面に衝突すると、そのターゲット表面から
二次電子（γ電子）２８が放出される。γ電子２８はそ
れぞれのターゲットが作る電界で加速され、それらター
ゲット表面に走る磁束２０に拘束されスパイラル運動し
ながら相手のターゲットに高速で移動する。相手のター
ゲットに達し゛たγ電子２８はまたそのターゲットが作
る電界で反射され、その結果、γ電子２８は両ターゲッ
ト間にスパイラル運動しつつ関し込められることになる
。このγ電子の往復運動はそのエネルギーが磁束の束縛
エネルギーより小さくなるまで閉じ込められ、その間中
性粒子との衝突やプラズマとの相互作用により電離を加
速する。

さらに、円筒状ターゲット１６および平板状ターゲット
１５からスパッタされた殆どが中性の粒子の一部分は、
電子温度の高い高密度プラズマ中でイオン化される。そ
の結果、ターゲット材料のイオンが形成される。

また、プラズマが活性であるため、１０−’Ｔｏｒｒ台
のより低いガス圧でも放電が安定に形成できる。

プラズマ生成室内のイオンはイオン引出しグリッド１２
によって選択的にプラズマ生成室外に引き出され数十か
ら数ｋｅＶの低エネルギーイオンが得られる。

本発明のスパッタ型イオン源ては、前述のようにプラズ
マのイオン化率が高いため、ターゲットから放出された
中性のスパッタ粒子かプラズマ中でイオン化される割合
が高い。このイオン化されたターゲット構成粒子がまた
ターゲットの電位で加速されて、またターゲットをスパ
ッタするいわゆるセルフスパッタの割合も極めて大きく
なる。

すなわち、プラズマ生成用ガス（例えばＡｒ）がごく希
薄な場合、あるいはガスを用いない場合でも上述のセル
フスパッタを持続し、そのために高純度のイオン引出し
も実現できる。

金属イオンを引き出す場合、マイクロ波導入窓が曇ると
、長時間にわたってプラズマ生成ができない。そこで、
マイクロ波導入窓ｌＯが導電性材料膜の付着により曇ら
ないように、真空導波管９が磁束方向と直交して接続さ
れている。これはプラズマが磁束と直交する方向には加
速されないことを利用している。プラズマ生成室７中に
設置された円筒状ターゲット１６や平板状ターゲット１
５からスパッタされた粒子のうち、イオン化されない中
性の粒子は磁界や電界の叱りを受けず、そのターゲット
からほぼ直進して飛来する。このため、マイクロ波導入
窓１０をターゲットから直接見えない位首に設置するこ
とによりマイクロ波導入窓１０のスパッタ粒子による曇
りも防止することができる。このようにして、引出しイ
オンの種類や生成膜の導電性によらず、またその膜厚に
もよらず、マイクロ波導入窓が曇ることがなく、かつほ
とんどのイオンを連続して長時間安定に引き出すことが
可能である。

マイクロ波導入効率の点からは、プラズマ生成室のマイ
クロ波入射部の磁場強度をＥＣｎをおこす磁場強度、こ
の場合８７５Ｇより強く設定したほうが良い。

次に、第３図に示した装置を用いてＡｊ２イオンを引出
し、Ａ℃膜を形成した結果について説明する。

第６図にターゲットでの放電特性の一例を示す。ここで
平板状ターゲット１５に印加する電圧ＶａＰは一５００
ｖに固定し、マイクロ波電力Ｐμは３００Ｗおよび８０
Ｗに、ガス圧は０．３ｍＴｏｒｒおよび３ｍＴｏｒｒに
固定している。平板状ターゲット１５と円筒状ターゲッ
ト１６に印加する電圧は第６図に示すようにそれぞれ異
なっている場合でも十分高密度のプラズマ生成が実現で
きる。またその電圧が同じ場合、すなわち両ターゲット
を電気的に接続した場合でも同様の高効率プラズマ生成
ができる。

試料室２２の真空度を５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒまで排
気した後、Ａ「ガスを毎分１ｃｃのフロー速度で導入し
、プラズマ生成室内のガス圧を２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒ
ｒとしてマイクロ波電力１００〜ｓｏｏｗ、円筒状のＡ
ＪＺターゲット１６に投入する電力を３００〜６００Ｗ
として膜を形成した。

第７図にこの時のイオン引出し特性の一例を示す。横軸
のイオン引出し電圧はプラズマ生成室７とグリッド１２
Ａとの相対的な電圧差である。このとき基板ホルダは加
熱しないで常温で膜形成を行った。この結果、１〜１０
ｎｍ／ｍｉｎの堆積速度で長時間連続して安定に効率よ
＜　　ＡＪ２膜を堆積できた。

本実施例のイオン源は、　ｌイオンの引出しによる膜形
成のみならず、はとんどすへてのイオンの引出しと膜形
成に用いることができ、また導入するガスとしてほとん
どの反応性ガスを用いることができ、それにより反応ス
パッタを用いた化合物膜の形成も実現できる。

第８図に本発明の他の実施例を通用した薄膜形成装置を
示す。本装置と第３図に示した装置との相異は、プラズ
マ生成室の形状と円筒状ターゲット１６の配置である。

すなわち、本実施例におけるプラズマ生成室７はプラズ
マ生成部のみからなり、特別のターゲット保持部が設け
られていない。円筒状ターゲット１６はプラズマ生成室
の下部内側面に設けられている。本実施例のイオン源も
第１図に示したイオン源と同様に動作する。

第９図は本発明のイオン源の他の実施例の断面図である
。本実施例においては、平板状ターゲットと円筒状ター
ゲットの組合せでなく、２個の円筒状ターゲット１６お
よび２９を用いている。磁界発生用電磁石１９による磁
束は一方のターゲットからでて他方のターゲットに入る
。磁界の強さは第１図に示した実施例と同じである。タ
ーゲット２９は水冷可能な金属製支持体２９Ａに取外し
可能（固定され、電源１７によってプラズマ生成室７に
対して負の電源が印加される。２９Ｃは絶縁体である。

第１０図に示すように、本実施例においても負電圧Ｖａ
、　Ｖａ’　が印加されているターゲットに高速イオン
が衝突するとそのターゲット表面から高速の二次電子（
γ電子）２８が放出される。このターゲットから放出さ
れたγ電子２８は両ターゲットの電界で反射され、両タ
ーゲット間に走る磁束２０の回りをサイクロトロン運動
しながらターゲット間を往復運動する。そして先に説明
したのと全く同様に本実施例においても低いガス圧中で
高密度のプラズマを生成することができる。

第１１図に第９図に示したイオン源を適用した薄膜形成
装置の例を示す。本装置によっても、第３図に示した装
置によると同様に高速度の薄膜形成が可能である。プラ
ズマ生成室を第１図に示すようにプラズマ生成部とター
ゲット保持部とから構成し、一方のターゲット１６をタ
ーゲット保持部内に設けてもよい。

第１２図に本発明のイオン源のさらに他の実施例を通用
した薄膜形成装置を示す。本実施例のイオン源は１個の
円筒状ターゲット３０を具えている。

ターゲット３０は水冷可能な金属製ターゲット支持体３
０Ａに支持され、電源１８によってプラズマ生成室７に
対して負の電圧が印加される。３０Ｃは絶縁体である。

電磁石１９による磁束はターゲット３０の一方の端部か
らでて他方の端部へ入る。このイオン源は第９図に示し
たイオン源と同様に大出力のイオンビームの引出しが可
能であり、第１２図に示した薄膜形成装置を用いて高速
の膜形成が可能である。

第１３図に本発明のさらに他の実施例の断面図を示す。

本実施例は第９図に示した実施例に第２のイオン引出し
機構を加えたものである。プラズマ生成室７のイオン引
出しグリッド１２と反対側端部に、２枚のグリッド３１
Ａおよび３２Ａからなるイオン引出しグリッド３１を設
け、電源３２Ａおよび３２Ｂからグリッド３１Ａおよび
３１Ｂにプラズマ生成室７に対して負の電圧を印加する
。このようにしてプラズマ生成室の両側からイオンを引
出すことができる。

第１４図に本発明のさらに他の実施例を通用した薄膜形
成装置を示す。本実施例のイオン源は第１図に示した電
磁石１９Ａ４９Ｂをそれぞれ永久磁石３３および３４に
置きかえたものである。ＥＣＲ条件を満たす強度の磁界
をプラズマ生成室内に形成し、かつ一方のターゲットか
らでて他方のターゲットに入る磁束を発生させることに
よって、本実施例のイオン源は第１図の実施例と同じく
大電流のイオンビームを生成し、第１４図の装置を用い
て高速の膜形成が可能である。

第８図、第９図、第１２図および第１３図に示した実ｈ
＆例においても、電磁石にかえて永久磁石を用いること
が可能である。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明は、電子サイクロトロン共
鳴により生成されたマイクロ波プラズマを利用したスパ
ッタを用いて、低いガス圧中で高効率のイオン引出しを
実現するものであり、イオンの種類や、それによって得
られた膜の導電性や１摸厚によらず連続して長時間安定
なイオン引出しを実現することができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明によるイオン源の実施例の断面図、 第２Ａ図および第２Ｂ図はターゲットの取付けの詳細を
示す図、 第３図は第１図に示した実施例を適用した薄膜形成装置
の断面図、 第４図は第３図の装置における磁束方向の磁場強度分布
を示す図、 第５図は第１図に示した実施例による高密度プラズマの
生成機構を説明する図、 第６図は本発明実施例における放電特性の一例を示す図
、 第７図はイオン引出し特性の一例を示す図、第８図は本
発明の他の実施例を適用した薄膜形成装置の断面図、 第９図は本発明のさらに他の実施例の断面図、第１θ図
は第９図の実施例における高密度プラズマの生成機構を
説明する図、 第１１図、第１２図および第１３図はそれぞれ本発明の
イオン源のさらに他の実施例を適用した薄膜形成装置の
断面図、 第１４図は本発明のイオン源の他の実施例の断面図、 第１５図は従来のカウフマン型イオン源の断面図である
。 １・・・プラズマ生成室、 ２・・・フィラメント、 ３・・・電磁石、 ４・・・プラズマ、 ５・・・イオン引出し用グリッド、 ６・・・イオンビーム、 ７・・・プラズマ生成室、 ７Ｐ・・・プラズマ生成部、 ７丁・・・ターゲット保持部、 ８・・・ガス導入口、 ９・・・真空導波管、 ｌＯ・・・マイクロ波導入窓、 １１・・・マイクロ波導波管、 １２・・・イオン引出し用グリッド、 １４．１７．１８，２９．３０・・・電源、１５・・・
平板状ターゲット、 １６．２９．３０・・・円筒状ターゲット、１９．１９
Ａ、１９Ｂ・・・電磁石、 ２０・・・磁束、 ２１・・・イオンビーム、 ２２・・・試Ｕ室、 ２５・・・基板、 ２６・・・基板ホルダ、 ２８・・・二次電子、 ３３．３４・・・永久磁石。 第２Ａ図 第２８図 第５図 第７図 ２８　８４　二ン欠１− ＼ 第１０図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ガスを導入してプラズマを発生させるプラズマ生成
   室と、 一端部にマイクロ波導入窓を有し、他端部において前記
   プラズマ生成室に結合された真空導波管と、 前記プラズマ生成室の端部に設けられたイオン引出し機
   構と、 前記プラズマ生成室内部の両端部に設けられたそれぞれ
   スパッタリング材料からなる第１および第２のターゲッ
   トと、 該第１および第２のターゲットにそれぞれ前記プラズマ
   生成室に対して負の電圧を印加する少なくとも１個の電
   源と、 前記プラズマ生成室の内部に磁場を形成し、かつ前記第
   １および第２のターゲットの一方からでて他方に入る磁
   束を生成する手段とを具えたことを特徴とするイオン源
   。 ２）ガスを導入してプラズマを発生させるプラズマ生成
   室と、 一端部にマイクロ波導入窓を有し、他端部において前記
   プラズマ生成室に結合された真空導波管と、 前記プラズマ生成室の端部に設けられたイオン引出し機
   構と、 前記プラズマ生成室の内側面に沿って設けられたスパッ
   タリング材料よりなる円筒状のターゲットと、 該ターゲットに前記プラズマ生成室に対して負の電位を
   印加する電源と、 前記プラズマ生成室の内部に磁場を形成し、かつ前記タ
   ーゲットの一端部からでて他端部に入る磁束を生成する
   手段とを具えたことを特徴とするイオン源。 ３）前記プラズマ生成室が、プラズマ生成部とターゲッ
   ト保持部とからなることを特徴とする請求項１または２
   記載のイオン源。