KR100802990B1 - 반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치 - Google Patents

반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100802990B1
KR100802990B1 KR1020067008316A KR20067008316A KR100802990B1 KR 100802990 B1 KR100802990 B1 KR 100802990B1 KR 1020067008316 A KR1020067008316 A KR 1020067008316A KR 20067008316 A KR20067008316 A KR 20067008316A KR 100802990 B1 KR100802990 B1 KR 100802990B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reaction chamber
substrate
exhaust
gas
line
Prior art date
Application number
KR1020067008316A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060070578A (ko
Inventor
오사무 카사하라
기요히코 마에다
아키히코 오네다
Original Assignee
가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 filed Critical 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Publication of KR20060070578A publication Critical patent/KR20060070578A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100802990B1 publication Critical patent/KR100802990B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/318—Inorganic layers composed of nitrides
    • H01L21/3185—Inorganic layers composed of nitrides of siliconnitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/935—Gas flow control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 장입공정 및/또는 기판 인출공정시 반응실 내에서 파티클을 유효하게 배제한다. 본 발명은 적어도 1매의 웨이퍼(200)를 반응실(201)에 장입하는 공정과 반응실(201) 내에 반응가스를 도입해 반응실(201) 내를 배기하여 웨이퍼(200)를 처리하는 공정과 처리 후의 웨이퍼(200)를 반응실(201)로부터 인출하는 공정을 가진다. 웨이퍼(200)를 장입하는 공정 및/또는 웨이퍼(200)를 인출하는 공정에서는 웨이퍼(200)를 처리하는 공정에서의 배기유량보다 큰 배기유량으로 반응실(201) 내를 배기한다.
기판처리장치, 파티클, 흡착, 퇴적,

Description

반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치 {Method for Manufacturing Semiconductor Device and Substrate Processing Apparatus}
본 발명은 반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 특히 반응실 내의 파티클(particle)을 배제하기 위한 장치에 관한 것이다.
반도체장치(디바이스) 제조 공정 중 일공정을 실시하기 위한 기판처리장치로서 반응실 내 {이하, “노(爐)내부”라고도 한다}에 있어서 복수개의 웨이퍼에 성막 처리 하는 종형(縱型) CVD 장치가 있다. 종래의 종형 CVD 장치에서는 반도체 제조 프로세스에 있어서, 특히 반응실 개방시 노 내부의 파티클 발생원으로부터 파티클이 비산해 웨이퍼 표면에 부착되기 쉬웠다. 파티클 발생원은 반응실 벽이나 배관 벽 등에 흡착한 반응 생성물이다. 노 내부에서 성막을 반복함으로써 반응실 벽이나 배관 등에 반응 생성물의 막이 흡착하고 이 막이 박리하여 도 8에 도시한 파티클(92)이 된다. 예를 들면 실리콘 질화(SiN)막의 성막을 반복하면 고온영역 500℃ 이상에서는 Si3N4막(90)이 벽면에 퇴적하고, 저온영역 150℃ 이하에서는 염화 암모니아 막(NH4Cl) 막(91)이 퇴적하여 이것이 박리하여 파티클(92)이 된다.
성막공정시 도 8에 있어서 Si3N4 막(90)이 흡착하기 쉬운 장소를 들면, 히 터(102)를 외주(外周)에 설치한 2중관 구조의 석영제 반응관{이하, “노체(爐體)”라고도 한다}(103)을 구성하는 내부 반응관(104) 내벽과 석영제 보트(117)표면이다. 그리고, NH4Cl 막(91)이 부착되기 쉬운 장소를 들면 배기구(111) 근방의 내부 반응관(104)의 하부 외벽, 공급관(132), 배기관(112)이 접속되는 금속제, 예를 들면 스텐레스제의 매니폴드(manifold)(106) 내벽, 반응가스를 도입하는 공급관(132)의 내벽, 매니폴드(106)의 배기구(111)에 접속되는 배기관(112)의 내벽, 노구부(爐口部) 개구(116)를 봉합하는 씰 캡(Seal cap)(119) 내벽 등이다.
노 내부에서 성막이 반복됨으로써 이들 부재(部材)의 고온영역에는 Si3N4 막(90)이 퇴적하고 저온영역에는 NH4Cl 막(91)이 퇴적한다. 반응실(101) 내에 퇴적한 Si3N4 막(90)이나 반응실 저온영역, 매니폴드, 배관에 퇴적한 NH4Cl 막(91)이 박리하면 파티클(92)이 된다. 도면에서는 SiN(Si3N4 )막(90), NH4Cl막(91), 파티클(92)을 편의상 강조하여 도시했다.
몇 가지 원인으로 벽면에 흡착, 퇴적한 막이 벽면으로부터 박리하면 파티클(92)이 된다. 그 파티클 발생의 메커니즘을 도 9를 사용하여 설명한다.
도 9는 웨이퍼(100)를 장전한 보트(117)를 흰 화살표 방향으로 올려(보트를 올려) 반응실(101) 내에 웨이퍼(100)를 장입하는 공정(웨이퍼 로드 공정)을 나타내고 있다. 보트를 올리기 위해 노구부 개구(116)를 열면 노구부 개구(116)로부터 외부로 향하는 방열이 일어나 노체의 온도가 내려간다.
또한 실온의 웨이퍼(100) 및 보트(117)가 반응실(101) 내에 장입되기 때문에 가열되어 있던 반응관(103)의 벽면온도가 저하한다. 그 때문에 반응관 벽면 등에 부착된 SiN 막(90)이 반응관(103)과의 열팽창 차이에 의해 스트레스를 받아 벽면으로부터 박리하고 파티클(92)이 발생한다.
또한 처리 후 웨이퍼(100)를 유지하는 보트(117)를 하강시켜 반응실(101) 내에서 웨이퍼(100)를 인출하는(웨이퍼 언로드) 공정에 있어서도 동일한 메커니즘에 의해 파티클이 발생한다. 이는 웨이퍼(100) 및 보트(117)를 반응실(101) 내에서 꺼낼 때 보트의 고온부에 의해 반응관 벽면, 매니폴드가 관의 축방향으로 노출되기 때문에 특히 저온영역인 반응관 하부 벽면이나 매니폴드 내벽면에 흡착하고 있는 NH4Cl막(91)이 스트레스를 받아 벽면으로부터 박리하여 파티클(92)이 발생하는 것으로 생각된다.
따라서 전술한 파티클에 의한 웨이퍼 오염을 방지하기 위해 종래에는 웨이퍼 로드/언로드시 반응실 내를 백퍼지(back purge)함과 동시에 서서히 배기하는 방법(특허문헌 1 참조)이나 반응실이 개방되어 있는 상태에서 반응실 내에 불활성 가스를 도입함과 동시에 서서히 배기하는 방법(특허문헌 2 참조)이 개시되어 있다.
일본특허공개번호 1998-326752호 공보(특허문헌 1)
일본특허공개번호 1996-31743호 공보(특허문헌 2)
상기 특허문헌 1, 2에 기재된 웨이퍼 로드/언로드시 또는 반응실 개방시 완만한 배기에 의해 반응실 내를 배기하는 방식이라면 파티클 제거를 위한 유효한 기류를 형성할 수 없기 때문에 개선의 필요가 있다.
본 발명의 과제는 반응실 내에서 파티클을 유효하게 배제할 수 있는 반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치를 제공하는데 있다.
제1 발명은 적어도 1매의 기판을 반응실에 장입하는 공정과, 상기 반응실 내에 반응가스를 도입하고 상기 반응실 내를 배기하여 상기 기판을 처리하는 공정과, 처리후의 기판을 상기 반응실로부터 인출하는 공정을 가지며, 상기 기판을 장입하는 공정 및/또는 기판을 인출하는 공정에서는 상기 기판을 처리하는 공정에서의 배기유량보다 큰 배기유량으로 상기 반응실 내를 배기하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다.
기판을 장입하는 공정 및/또는 기판을 인출하는 공정에서는 반응실 벽의 온도변화가 일어나고, 반응실 벽에 부착된 퇴적막과 반응실 벽과의 열팽창 차이에 의한 스트레스로 퇴적막이 반응실 벽으로부터 박리하여 파티클이 된다. 기판을 처리하는 공정에서의 배기유량보다 큰 배기유량으로 상기 반응실 내를 배기하면 파티클 제거를 위한 유효한 기류를 형성할 수 있기 때문에 파티클은 반응실 밖으로 유효하게 배출된다. 따라서 파티클이 기판에 부착하는 것을 방지할 수 있다.
제2 발명은 제1 발명에 있어서 상기 기판을 장입하는 공정 및/또는 기판을 인출하는 공정에서는, 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하는 동시에 상기 기판을 처리하는 공정에서의 배기유량보다 큰 배기유량으로 상기 반응실 내를 배기하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다.
반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 기판을 처리하는 공정에서의 배기유량보다 큰 배기유량으로 상기 반응실 내를 배기하면 파티클 제거를 위한 유효한 기류를 형성할 수 있기 때문에 파티클은 반응실 밖으로 유효하게 배출된다. 따라서 파티클이 기판에 부착하는 것을 방지할 수 있다.
이 때 사용하는 불활성 가스로는, 파티클 사이즈가 0.5㎛ 이상으로 큰 경우에는 N2보다 분자가 큰 Ar가스등이 좋지만 파티클 사이즈가 0.1㎛∼0.5㎛의 범위인 경우에는 가장 보편적으로 사용하고 있는 Ｎ2를 사용하는 것이 바람직하다.
제3 발명은 적어도 1매의 기판을 반응실 내에 장입하는 공정과, 상기 반응실 내에 반응가스를 도입하고 진공펌프에 연통(連通)한 제1 배기라인으로부터 상기 반응실 내를 배기하여 상기 기판을 처리하는 공정과, 처리후의 기판을 상기 반응실로부터 인출하는 공정을 가지며, 상기 기판을 장입하는 공정 및/또는 기판을 인출하는 공정에서는 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 큰 제2 배기라인으로 상기 반응실 내를 배기하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다.
제1 배기라인보다 배기유량이 큰 제2 배기라인으로 반응실 내를 배기하면 파티클 제거를 위한 유효한 기류를 형성할 수 있기 때문에 파티클은 반응실 밖으로 유효하게 배출된다. 따라서 파티클이 기판에 부착하는 것을 방지할 수 있다.
제2 배기라인은 진공 배기가 아니고 대기압 배기가 되도록 하는 것이 좋다. 대기압 배기의 경우 진공 배기에 비해 파티클을 보다 유효하게 배출할 수 있기 때문이다.
제4 발명은 제3 발명에 있어서 상기 기판을 장입하는 공정 및/또는 기판을 인출하는 공정에서는 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하는 동시에 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 큰 제2 배기라인으로 상기 반응실 내를 배기하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다.
반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 제1 배기라인보다 배기유량이 큰 제2 배기라인으로 반응실 내를 배기하면 파티클 제거를 위한 유효한 기류를 형성할 수 있기 때문에 파티클은 반응실 밖으로 유효하게 배출된다. 따라서 파티클이 기판에 부착하는 것을 방지할 수 있다.
제5 발명은 제3 발명에 있어서 기판을 꺼낸 후 반응실 내를 불활성 가스로 퍼지하는 공정을 가지며 상기 기판을 인출하는 공정부터 상기 반응실 내를 퍼지하는 공정이 종료할 때까지 연속적으로 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 큰 제2 배기라인으로 상기 반응실 내를 배기하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다.
기판을 인출하는 공정부터 상기 반응실 내를 퍼지하는 공정이 종료할 때까지 사이에 연속적으로 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 큰 제2 배기라인으로 상기 반응실 내를 배기하면 파티클을 반응실 밖으로 유효하게 배출할 수 있다.
제6 발명은, 제3 발명에 있어서 상기 제2 배기라인은 건물 부대설비의 배기설비에 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다. 제2 배기라인으로 건물 부대설비에 설치되어 있는 배기유량이 큰 배기설비를 사용해 배출함으로써 제1 배기라인보다 배기유량의 큰 배기를 확실하고 용이하게 수행할 수 있다.
제7 발명은 제3 발명에 있어서 상기 기판을 처리하는 공정에서는 기판 위에 실리콘 질화막을 퇴적시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다. 기판을 처리하는 공정이 기판 위에 실리콘 질화막을 퇴적시키는 경우는 처리실 내에 퇴적하여 박리한 실리콘 질화막이나 염화 암모니아막으로부터 이루어지는 파티클을 반응실 밖으로 유효하게 배출할 수 있다.
제8 발명은 제4 발명에 있어서 상기 불활성 가스의 유량은 반응가스 유량의 100배 이상인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다. 불활성 가스의 유량은 경험치로부터 반응가스 유량의 100배 이상으로 하는 것이 바람직하다.
제9 발명은 제4 발명에 있어서 상기 불활성 가스의 유량은 100L/min 이상인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다. 불활성 가스의 유량은 파티클 중력을 거슬러 파티클을 반응실 밖으로 원활하게 배출하여야 하므로 100L/min 이상인 것이 바람직하다.
제10 발명은 제4 발명에 있어서 상기 불활성 가스의 유량은 100L/min∼200L/min인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다. 불활성 가스의 유량은 파티클을 반응실 밖으로 원활하게 배출함과 동시에 반응실 내의 열을 지나치게 빼앗지 않아야 하므로 100L/min∼200L/min인 것이 바람직하다. 특히 불활성 가스 유량의 상한을 150L/min 으로 하면 설비비가 비싸게 되는 것을 방지함과 동시에 반응실 내의 열을 지나치게 빼앗지 않도록 할 수 있다.
제11 발명은 제4 발명에 있어서 상기 제2 배기라인의 배기유량은 상기 불활성 가스의 공급 유량보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다. 제2 배기라인의 배기유량이 불활성 가스의 유량을 상회하면 대기가 반응실 내로 빨려 들어가기 때문에 기판에 산화막이 형성되면 안 될 경우에는 제2 배기라인의 배기유량은 불활성 가스의 유량과 거의 동등한 배기유량으로 하는 것이 좋다. 그러나 기판에 산화막이 형성되더라도 무방한 경우에는 파티클을 반응실 밖으로 보다 유효하게 배출할 수 있기 때문에 제2 배기라인의 배기유량은 불활성 가스의 유량보다 큰 쪽이 바람직하다.
제12 발명은 제4의 발명에 있어서 상기 제2 배기라인의 배기유량은 상기 불활성 가스의 공급 유량보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법이다. 불활성 가스가 가열되어서 반응실 내에 도입되면 기판을 장입하는 공정 및/또는 기판인출공정에 있어서 반응실 내 온도의 변화를 억제할 수 있으므로 반응실 온도저하에 의한 퇴적막의 크랙 발생을 억제해 파티클 발생을 한층 억제할 수 있다. 특히 상기 불활성 가스의 가열 온도가 반응실 내 온도정도라면 기판을 장입하는 공정 및/또는 기판인출공정에 있어서 반응실 내 온도 변화를 보다 억제할 수 있으므로 파티클의 발생을 한층 억제할 수 있다.
제13 발명은 적어도 1매의 기판을 처리하는 반응실과, 상기 반응실 내에 가스를 도입하는 적어도 하나의 가스공급라인과, 상기 반응실 내의 배기를 진공펌프에 의해 수행하는 제1 배기라인과, 상기 반응실 내의 배기를 수행하는 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 큰 제2 배기라인과, 상기 반응실 내에 기판을 장입할 때 및/또는 상기 반응실로부터의 기판을 인출할 때 상기 제2 배기라인으로 상기 반응실내를 배기하도록 제어하는 컨트롤러를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다. 반응실 내에 기판을 장입할 때 및/또는 상기 반응실로부터 기판을 꺼낼 때에 반응실 내의 배기를 수행하는 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 큰 제2 배기라인으로 배기를 수행하는 컨트롤러를 구비하면 반응실 내에서 발생하는 파티클을 쉽게 배출할 수 있다.
제14 발명은 제13 발명에 있어서 상기 컨트롤러는, 상기 반응실 내에 기판을 장입할 때 및/또는 상기 반응실로부터 기판을 인출할 때 상기 가스공급라인으로부터 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제2 배기라인으로 상기 반응실 내를 배기하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
반응실 내로 기판을 장입할 때 및/또는 상기 반응실로부터 기판을 인출할 때 가스공급라인으로부터 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 제2 배기라인에 의해 배기를 하는 컨트롤러를 구비하면 반응실 내에서 발생하는 파티클을 쉽게 배출할 수 있다.
기판처리장치가 예를 들면 기판을 반응실에 장입하기 위해 보지 치구(보트 등의 기판보지구)를 이용할 경우에는, 반응실 개방시에는 주로 보지 치구에 의해 보지한 기판을 반응실에 장입하는 기판장입(기판 로드) 공정, 보지 치구에 의해 보지한 처리 완료 기판을 반응실로부터 인출하는 기판인출(기판 언로드) 공정으로 구성된다. 본 발명과 같이 가스공급라인으로부터 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 제2 배기라인에 의해 배기를 하는 기간을 기판을 장입할 때 및/또는 기판을 인출할 때로 한정하면, 반응실 개방시 계속해서 가스공급라인으로부터 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 제2 배기라인에 의해 배기를 할 경우에 비해 제2 배기라인이 배열(排熱)에 노출되는 기간이 짧아짐으로써 배기라인을 구성하는 부재의 보호를 도모할 수 있다. 또한 가스공급라인으로부터 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 제2 배기라인에 의해 배기를 하는 기간을 기판장입 공정 때 및/또는 기판인출 공정 때로 한정하면 불활성 가스 소비량을 절감할 할 수 있다.
제15 발명은 제13 발명에 있어서 상기 컨트롤러는, 상기 기판을 인출할 때부터 기판을 인출한후 수행하는 반응실 퍼지가 종료할 때까지 사이에 연속적으로 상기 가스공급라인으로부터 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제2 배기라인으로 상기 반응실 내를 배기하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
기판을 인출할 때부터 반응실 퍼지가 종료할 때까지 연속적으로 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 제2 배기라인에 의해 반응실 내를 배기할 수 있도록 컨트롤러로 제어하면 파티클을 반응실 밖으로 보다 유효하게 배출할 수 있다.
제16 발명은 제13 발명에 있어서 상기 제2 배기라인은 건물 부대설비의 배기설비에 연통하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
제2 배기라인이 건물 부대설비에 연통되어 있으면 배기유량이 큰 배기설비를 사용해 배출할 수 있음으로써 제1 배기라인보다 배기유량이 큰 배기를 확실하고 용이하게 수행할 수 있다.
제17 발명은 제13 발명에 있어서 상기 반응실 내에 있어서 기판을 수평으로 다단으로 장전하는 보지구를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다. 반응실 내를 배기유량이 큰 제2 배기라인으로 배기함으로써 기판을 다단으로 장전하는 보지 치구를 수용하는 용적이 큰 반응실이라도 파티클을 유효하게 배출할 수 있고, 보지 치구의 어느 단(段)에 있어서도 기판에 대한 파티클의 부착을 방지할 수 있다.
제18 발명은 제13 발명에 있어서 상기 반응실은 외부 반응관과 내부 반응관으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
내부 반응관 내에서 발생한 파티클을 반응실 밖으로 배출하기 위하여는 중력을 거슬러 파티클을 상승시킬 필요가 있어 파티클을 배출시키기 어렵지만 본 발명에 따르면 배기유량이 큰 제2 배기라인으로 배기함으로 외부 반응관과 내부 반응관에 의해 구성되는 반응실에서도 파티클을 쉽게 배출할 수 있다.
제19 발명은 제13 발명에 있어서 상기 반응실에 상기 기판을 대기시켜 두는 예비실이 연접되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다. 반응실에 예비실이 연접되어 있음으로 반응실 개방시 반응실을 대기 중에 개방하지 않고 기판의 장입, 인출을 할 수 있다. 특히 예비실에 불활성 가스를 도입하는 기능이 구비되어 있는 경우에는 가스공급라인과 병용하고, 또는 가스공급라인을 사용하지 않더라도 예비실로부터 반응실 내에 불활성 가스를 도입할 수 있다. 상기 예비실은 예를 들면 로드록(load lock)실 또는 N2 퍼지 박스(purge box)등이 있다.
제20 발명은 제14 발명에 있어서 상기 가스공급라인은 반응가스용 라인과 불활성 가스용 라인을 갖고, 상기 불활성 가스는 상기 불활성 가스용 라인으로부터 도입되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다. 불활성 가스를 불활성 가스용의 라인으로부터 도입함으로써 반응가스용의 라인에 부착된 퇴적막에 불활성 가스 도입시 발생하는 스트레스를 방지할 수 있다. 따라서 반응가스용의 라인에 부착된 퇴적막의 크랙 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 있어서 웨이퍼 처리 시의 기판처리장치를 구성하는 처리로의 설명도.
도 2는 제1 실시예에 있어서 HFV 라인에 의해 배기를 했을 경우(HFV 있음)와 HFV 라인에 의한 배기를 하지 않았을 경우(HFV 없음)에 파티클 개수가 어떻게 변화했는지를 비교한 설명도.
도 3은 제1 실시예에 있어서 처리로에 예비실이 연접되어 있을 경우의 웨이퍼 로드 시의 변형예를 나타내는 도면.
도 4는 제1 실시예에 있어서의 공급계의 상세 설명도.
도 5는 제1 실시예에 있어서 불활성 가스 도입 라인이 반응가스 도입 라인과 별개로 독립적으로 설치되어 있을 경우의 변형예를 나타내는 도면.
도 6은 제1 실시예에 있어서 제2 배기라인이 건물 부대설비의 배기설비에 연통되어 있을 경우를 나타내는 설명도.
도 7은 제2 실시예에 있어서 웨이퍼 로드 시의 기판처리장치를 구성하는 처리로의 설명도.
도 8은 종래 예에 있어서 종형 CVD 장치에 있어서 파티클 발생원인을 나타내는 설명도.
도 9는 종래 예의 보트 업에 의한 웨이퍼 로드 시 파티클이 발생하는 메커니즘을 설명하는 도면.
도 10은 종래 예의 보트의 업/다운에 의한 노 온도의 추이를 나타내는 설명도이다.
<도면의 주요 부호의 설명>
120 컨트롤러 200 웨이퍼
201 반응실(처리로) 240 가스 도입 라인
246 진공펌프 260 배기라인
261 제1 배기라인 262 제2 배기라인
266 HFV 라인
이하에서 본 발명의 반도체장치의 제조 방법 및 그 제조 방법을 실시하기 위한 기판처리장치에 대해서 설명한다. 한편, 기판처리장치가 종형 장치일 때는 웨이퍼가 장전된 보트를 상승시켜 노 내부에 장입하는 동작인 보트 로드가 웨이퍼 로드에 해당한다. 또한 웨이퍼가 장착된 보트를 하강시켜 노 내부에서 인출하는 동작인 보트 언로드가 웨이퍼 언로드에 해당한다. 이하의 설명에서는 종형 CVD 장치에 대해서 설명하는 것으로서, 웨이퍼 로드와 보트 로드, 웨이퍼 언로드와 보트 언로드는 같은 의미로 사용한다.
발명자는 반도체 제조공정의 웨이퍼 로드 공정 및 웨이퍼 언로드 공정에서 반응관의 벽면온도(노의 온도)가 어느 정도로 변화하는지 살펴보았다. 이를 도 10을 사용해 설명한다. 도 10은 보트 상향을 수반하는 웨이퍼 로드 공정과 보트 하강을 수반하는 웨이퍼 언로드 공정시 발생하는 노의 온도의 변화를 나타낸다. 그림 중 U, CU, ＣＬ, L은 각각 노의 상부, 중앙상부, 중앙하부, 하부에 있어서의 온도추이곡선을 나타낸다. 성막온도는 750℃로 설정되어 있으나 노 내부에는 온도 구배(勾配)가 형성되어 있기 때문에 U, ＣＵ, ＣＬ, Ｌ부의 온도는 다르고 아래쪽으로 갈수록 온도가 낮아진다. 보트 상승시에는 상온인 보트(117)가 노 내부에 장입되기 때문에 장입 시점보다 약간 나중에 노 내부에 큰 온도강하가 일시적으로 생기는 것을 알 수 있다. 또한 보트 하강시에는 고온인 보트(117)를 노로부터 인출하기 때문에 인출하는 과정에서 Ｕ부를 제외하고 Ｕ부보다 온도가 낮은 ＣＵ, ＣＬ, Ｌ부에서는 고온인 보트(117)로부터 복사열을 받아 반대로 이들 부분의 온도가 상승하고 있는 것을 알 수 있다.
도 10에 함께 기재한 표를 보면, 반응실이 개방되는 웨이퍼 로드/언로드시 Ｕ부의 최고온도와 최저온도와의 온도차가 12.0℃에 머무는 것에 반해. ＣＵ, ＣＬ, Ｌ부에서는 ＣＵ부로부터 Ｌ부로 갈수록 온도차가 각각 53.9℃, 87.8℃, 90.8℃로 커지는 것을 알 수 있다. 반응관 벽면은 웨이퍼 로드/언로드시 이러한 큰 온도변화를 받기 때문에 벽면의 막에 가해지는 열 스트레스가 증가, 막 크랙이 발생하고 벽면으로부터 막이 박리한다. 막이 박리하면 그것이 파티클이 되어 비산하고 반응실(101) 내의 웨이퍼 위에 부착해 웨이퍼를 오염시킨다. 성막공정시에도 파티 클의 역류 내지 확산으로 인해 웨이퍼 표면에 부착하는 경우가 있으나 발명자는 웨이퍼 로드/언로드시 부착에 의한 오염이 가장 많이 발생한다는 것을 알게 되었다.
또한 발명자는 주된 파티클 발생원이 웨이퍼 로드시에는 내부 반응관에 부착한 막이며 웨이퍼 언로드시에는 보트에 부착된 막인 것을 알았다.
도 10의 노의 온도특성을 얻었을 때의 성막조건은 다음과 같다.
막의 종류 SiN
성막 가스 SiH2Cl2 30∼100sccm
성막 가스 ＮH3 300∼900sccm
성막온도 680∼800℃
압력 10∼100Pa
보트에 적재한 웨이퍼의 매수 200매 이하
웨이퍼 직경 φ200㎜ 이상
본 발명자는 상기 지득한 사실을 바탕으로 본 발명을 완성했다. 이하 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
기판처리장치는 기판을 처리하는 반응실을 갖는 처리로를 구비하고 기판이 장전된 기판 보유 부재를 처리로에 수용하여 기판을 처리하도록 구성된다. 이 처리로를 도 1에 예시한다.
도 1은 제1 실시예에 의한 감압 CVD 처리로의 단면도이다. 외부 반응관(205)은 예를 들면 석영(SiO2) 등의 내열성 재료로 되고, 상단은 폐쇄되고 하단에 개구를 갖는 원통상의 형태이다. 내부 반응관(204)은 상단 및 하단의 양단에 개구를 갖는 통상(筒狀)의 형태를 가지며 외부 반응관(205) 내에 동축(同軸)으로 배치되어 있다. 외부 반응관(205)과 내부 반응관(204) 사이의 공간은 가스 통로가 되는 통상(筒狀) 공간(210)을 이룬다. 내부 반응관(204)의 상부 개구로부터 상승한 가스는 통상 공간(210)을 통과하여 배기라인(260)로부터 배기되도록 하고 있다.
외부 반응관(205)의 외주에는 저항 가열 히터 등으로 되는 가열장치(202)가 동축으로 배치되어 있다. 가열장치(202)는 외부 반응관(205) 내의 온도를 소정의 처리 온도가 되도록 조절하는 컨트롤러(120)에 의해 제어된다. 전술한 내부 반응관(204), 외부 반응관(205)과 후술하는 매니폴드(209)로서, 후술하는 보트(217)로 지지된 기판으로서의 웨이퍼(200)를 수납해 처리하는 반응실(201)을 구성한다.
외부 반응관(205)및 내부 반응관(204)의 하단에는 예를 들면 스텐레스 등으로 되는 매니폴드(209)가 결합되고 이 매니폴드(209)에 외부 반응관(205) 및 내부 반응관(204)이 보지되고 있다. 외부 반응관(205)의 하단부 및 매니폴드(209)의 상부 개구 단부에는 각기 환상(環狀)의 프렌지(flange)가 설치되고 이들 프렌지 사이에는 기밀(氣密) 부재{이하, O링(220)}가 배치되어 양자 사이가 기밀 봉합되고 있다.
매니폴드(209)의 하단 개구부{이하 노구(爐口) 개구부라고 한다}에는 환상의 프렌지가 설치되고, 이 프렌지에 대해 예를 들면 스텐레스 등으로 된 원판상의 뚜껑{이하 씰캡(219)}이 기밀부재{이하, O링(220a)}를 개재해 기밀 유지되도록 착탈 가능하게 부착되어 있다. 또한 매니폴드(209)의 노구 개구부에는 노구 셔터(218)가 설치되어, 보트(217)를 반응실(201)로부터 인출한 상태에서 씰캡(219)을 대신해 노구 개구부를 자유자재로 개폐할 수 있도록 되어 있다. 노구 셔터(218)는 웨이퍼 로드시 열고 웨이퍼 언로드가 끝난 후 닫는다.
씰캡(219)에는 회전수단(211)이 연결되고 있어 기판 유지부재(이하 보트(217)) 및 보트(217) 위에 보지되어 있는 웨이퍼(200)를 회전시킨다. 또한 씰캡(219)은 승강수단(213)에 연결되어 있어 보트(217)를 승강시킨다. 회전수단(211)에 의한 회전축(212) 및 보트(217)의 회전속도, 승강수단(213)에 의한 보트(217)의 승강 속도를 소정의 속도가 되도록 컨트롤러(120)에 의해 제어한다.
매니폴드(209)의 하부에는 가스도입라인(240)이 설치되어 있다. 가스도입라인(240)은 가스 공급관(232)을 갖는다. 가스 공급관(232)에 의해 처리용 가스(반응가스) 또는 불활성 가스가 내부 반응관(204), 외부 반응관(205) 내에 도입된다. 가스 공급관(232)은 가스 유량제어수단{이하, 매스플로컨트롤러(MFC)(231)}에 연결되고, MFC(231)는 컨트롤러(120)에 접속되어 도입되는 가스의 유량을 소정의 양으로 제어한다.
가스도입라인(240)이 설치되어 있는 매니폴드(209)의 하부의 반대측 상부에는 전술한 배기라인(260)이 설치되고 배기라인(260)은 주로 제1 배기라인(261)과 제2 배기라인(262)으로 구성된다. 제2 배기라인(262)은 본 발명에서는 제1 배기라인(261)으로부터 분기되는 형태로 설치되어 있다.
제1 배기라인(261)은 배기장치{이하, 진공펌프(246)}에 연통하여 가스도입라인(240)으로부터 반응실(201) 내에 도입된 반응가스를 배기하도록 되어 있다. 제2 배기라인(262)은 대용량 배기설비에 연통하여 가스도입라인(240)으로부터 반응실(201) 내에 도입된 불활성 가스를 대량으로 배기하게 되어 있다. 가스도입라인(240)으로부터 반응실(201) 내에 도입되는 불활성 가스로서는 예를 들면 N2가스, He가스, Ar가스 등이 사용된다.
제2 배기라인(262)으로부터 배기되는 배기유량은 제1 배기라인(261)으로 배기되는 배기유량보다 크게 설정되어 있다. 그 때문에 제2 배기라인(262)은 건물부대설비의 배기설비 등에 접속된다. 또한 제2 배기라인(262)으로 배기시 가스도입라인(240)으로부터 반응실(201) 내에 도입되는 불활성 가스의 유량은 반응가스의 유량의 20∼100배 이상으로 한다.
상기 제1 배기라인(261)은 주된 배기처리를 하기 위한 주배기라인(메인 배기라인)(263)과, 주배기라인(263)측으로부터 불활성가스를 도입하여 반응실(201) 내의 압력을 조정하기 위한 압력조정라인(264)과, 슬로우 배기처리를 하기 위한 슬로우 배기라인(265)과, 반응실(201) 내의 압력이 대기압을 초과하는 압력(과가압)이 안 되도록 하기 위한 과가압 방지라인(251)으로 구성된다. 여기에서 압력조정라인(264)에 의한 압력조정처리는 반응실을 닫고 있을 때에 실행된다. 슬로우 배기라인(265)에 의한 슬로우 배기처리는 웨이퍼 로드 처리 후의 진공배기처리(진공처리)를 개시할 때에 실행된다. 과가압 방지라인(251)에 의한 과가압 방지처리는 웨이퍼 처리 후 반응실 내의 퍼지 다음에 이루어지는 반응실(201) 내의 대기환원 때에 실행된다.
상기 제1 배기라인(261)은 주배기 배관(1A)을 갖는다. 이 주배기 배관(1A)의 일단부는 매니폴드(209)에 접속되어 있다. 주배기 배관(1A)의 타단부는 진공펌프(246)를 구성하는 터보 분자 펌프(246A) 및 드라이 펌프(246B)가 상류측으로부터 하류측으로 향하도록 순차 접속되어 있다. 이 주배기 배관(1A)에는 주배기 밸브(1B)이 삽입되어 있다.
상기 압력조정라인(264)은 압력조정 배관(2A)를 갖는다. 이 압력조정 배관(2A)의 일단부는 주배기 배관(1A)에 접속되어 있다. 그 접속 위치는 주배기 밸브(1B)과 진공펌프(246) 사이에 설정되어 있다. 타단부는 불활성 가스원(source), 예를 들면 N2 가스원에 연통되고 있다. 이 압력조정 배관(2A)에는 차폐 밸브(2B)을 개재하여 N2 가스의 유량을 제어하는 피에조 밸브(piezo valve)(2C)가 삽입되어 있다.
상기 슬로우 배기라인(265)은 슬로우 배기 배관(3A)를 갖는다. 이 슬로우 배기 배관(3A)의 일단부은 주배기 밸브(1B)의 상류측에서 주배기 배관(1A)과 접속되고 타단부는 주배기 밸브(1B)의 하류측에서 주배기 배관(1A)과 접속되어 있다. 슬로우 배기 배관(3A)에는 차폐 밸브(3B)가 설치되어 있다.
상기 과가압 방지라인(251)은 압력검출기(250)와 과가압 방지 배관(5A)을 갖는다. 압력검출기(250) 및 과가압 방지 배관(5A)의 일단부는 주배기 밸브(1B)의 상류측에서 주배기 배관(1A)에 접속된다. 과가압 방지 배관(5A)의 타단부는 차폐밸브(252)를 개재하여 체크밸브(253)로 닫혀있다.
진공펌프(246)로 통하는 주배기 배관(1A)은 외부 반응관(205)과 내부 반응관(204)과의 사이의 통상 공간(210)을 흐르는 가스를 배출하여 외부 반응관(205) 내를 소정 압력의 감압분위기가 되도록 제어한다. 이 제어는 주배기 밸브(1B), 차폐 밸브(2B), 피에조 밸브(2C), 차폐 밸브(3B)를 조작하는 컨트롤러(120)에 의해 수행된다.
상기 제2 배기라인(262)은 대량 배기처리를 하기 위한 일반배기라인인 하이 플로우 벤트 라인(High Flow Vent Line, 이하 HFV 라인이라고 한다)(266)으로 구성된다. HFV 라인이란 진공펌프에 의해 진공으로 만드는 진공배기라인과 달리 대기압 하에서 배기하는 배기라인이다. HFV 라인(266)은 부배기 배관(4A)을 갖는다. 이 부배기 배관(4A)의 일단부는 주배기 배관(1A)에 접속되어 있다. 이 접속 위치는 주배기 밸브(1B)보다 상류측에 설정되어 있다. 이 부배기 배관(4A)에는 차폐 밸브(4B)가 설치되어 있다. 가스 공급관(232)로부터 부배기 배관(4A)으로 향하는 큰 기류가 반응실(201) 내에 형성되도록 차폐 밸브(4B)를 컨트롤러(120)로 제어한다.
전술한 컨트롤러(120)에 의해 가스도입라인(240)으로부터 반응실(201) 내에 불활성 가스를 도입하면서 HFV 라인(266)으로 불활성 가스를 대량 배기하도록 제어되는 기간은 반응실(201)이 개방되어 있는 전 기간으로 할 수도 있으나, 본 발명에서는 웨이퍼(200)를 반응실(201) 내로 장입하는 웨이퍼 로드 공정 및 처리후의 웨이퍼(200)를 반응실(201) 내에서 인출하는 웨이퍼 언로드 공정기간에 한정한다. 또한 컨트롤러(120)는 이 기간 동안 (1) 많은 유량의 불활성 가스를 흐르게 하고, (2) HFV 라인(266)으로 불활성 가스를 배기하며 (3) 불활성 가스의 유량을 제어하 도록 작용한다.
여기에서 HFV 라인(266)의 특징을 정리하여 설명하면 다음과 같다. 진공펌프(246)에 연통하는 주배기라인(263), 주배기라인(263)으로부터 분기되어 설치되는 슬로우 배기라인(265), 과가압 방지라인(251)과는 다른 배기라인이다. HFV 라인(266)은 주배기라인(263)으로부터 분기하여 설치되고 건물 부대설비의 배기설비에 연통되고 있다. 주배기라인(263), 슬로우 배기라인(265), 과가압 방지라인(251)보다 배기유량이 크도록 설정되어 있어 대기압에서 많은 유량의 가스가 흐를 수 있다. HFV 라인(266)의 내경은 주배기라인(263)의 내경보다 작고 슬로우 배기라인(265), 과가압 방지라인(251)의 내경보다 크다.
도 1에 나타낸 처리로에 의한 강압 CVD 처리 방법의 한 예를 설명하면 먼저 승강 수단에 의해 보트(217)를 하강시킨다(보트 다운). 보트(217)가 노에서 완전히 인출되면 노구 셔터(218)를 닫아 반응실(201)의 노구 개구부를 폐쇄한다. 도시하지 않는 반송수단에 의해 보트(217)에 복수매의 웨이퍼(200)를 장전한다(웨이퍼 챠지). 뒤이어 가열 수단(202)에 의해 반응실(201) 내를 가열하면서 반응실(201) 내의 온도를 소정의 처리 온도로 한다. 가스 공급관(232)으로부터 반응실(201) 내로 불활성 가스를 공급함으로써 미리 반응실(201) 내를 불활성 가스로 충전시켜 놓는다. 노구 셔터(218)를 연 뒤 승강 수단에 의해 웨이퍼(200)가 장전된 보트(217)를 상승시켜(보트 업) 웨이퍼(200)를 반응실(201) 내로 장입하고(웨이퍼 로드) 반응실(201)의 내부온도를 소정의 처리 온도로 유지한다. 슬로우 배기라인(265)에 의해 반응실(201) 내를 슬로우 배기한 뒤 제1 배기라인(261)에 의해 반응실(201) 내를 소정의 진공상태로까지 배기한 후 회전수단(211)에 의해 회전축(212), 보트(217) 및 보트(217) 위에 장전되어 있는 웨이퍼(200)를 회전시킨다.
웨이퍼를 회전시킨 상태에서 가스 공급관(232)로부터 반응가스를 도입한다. 도입된 반응가스는 반응실(201) 내에서 상승하고 복수매의 웨이퍼(200)에 대하여 균등하게 도입되면서 제1 배기라인(261)을 개재하여 배기되고 소정 시간 동안 강압 CVD 처리를 한다.
강압 CVD 처리가 종료하면 다음 웨이퍼(200)의 감압 CVD 처리로 옮기기 위해 반응실(201) 내의 가스를 불활성 가스로 치환하는 동시에 압력을 상압(常壓)으로 하고 그 후 승강수단에 의해 보트(217)를 하강시켜(보트 다운) 보트(217) 및 처리가 완료된 웨이퍼(200)를 반응실(201)로부터 꺼내낸다(웨이퍼 언로드). 보트(217)가 노로부터 완전히 나오면 노구 셔터(218)를 닫아 반응실(201)의 노구 개구부를 폐쇄한다. 반응실(201)로부터 인출된 보트(217) 위에 처리 완료한 웨이퍼(200)는 반송가능한 온도로 냉각된 뒤 도시하지 않는 반송수단에 의해 회수된다(웨이퍼 디스챠지). 빈 보트(217)에 미처리의 웨이퍼(200)를 장전하고(웨이퍼 챠지) 전술한 절차를 반복한다.
그런데 전술한 강압 CVD 처리 공정에 있어서의 웨이퍼 로드 및 웨이퍼 언로드 시에는 전술한 것 같은 현상이 발생한다. 즉 반응실 개방시 반응실 내의 온도 강하가 일어나고 또한 웨이퍼 로드시 실온인 웨이퍼(200) 및 보트(217)가 노 내부에 삽입되면 반응관 벽면 등에 온도 강하가 일어난다. 그 때문에 반응관 벽면 등에 부착된 퇴적막이 반응관 등의 열팽창율과의 차이에 의한 스트레스로 박리해 파티클 로 되어 비산한다. 비산한 파티클이 웨이퍼(200)에 부착한다. 또한 웨이퍼 언로드 시에도 웨이퍼 로드 시와 마찬가지로 노체의 온도변화에 의한 스트레스로 막이 박리하고 파티클이 발생하여 웨이퍼(200)에 부착된다.
그러나 제1 실시예에서는 웨이퍼 로드/ 언로드시 비산한 파티클이 웨이퍼(200)에 부착되는 것을 방지하기 위하여 많은 양의 불활성 가스, 예를 들면 N2 가스를 가스 도입측으로부터 배기측을 향해 노 내부에 흐르도록 하고 있다.
웨이퍼 로드시 가스 공급관(232){가스도입라인(240)}으로부터 MFC(231)에 의해 제어된 대량의 Ｎ2 가스가 내부 반응관(204) 내에 도입된다. 도입된 Ｎ2 가스는 내부 반응관(204)내를 상승하여 윗쪽에서 내부 반응관(204)과 외부 반응관(205)과 사이에 형성된 통상 공간(210)을 통과하여 주배기 배관(1A)으로부터 분기된 부배기 배관(4A){HFV 라인(266)}으로 배출된다. 언로드시에도 마찬가지로 대량의 Ｎ2 가스가 내부 반응관(204) 내에 도입되어 부배기 배관(4A)으로 배출된다. 이에 따라 도입측에서 배기측으로 향하는 많은 양의 반응가스의 기류가 노 내부에 형성되어, 웨이퍼 로드시/ 언로드시 노 내부에 발생하는 파티클이 이 기류와 함께 노 밖으로 배출된다.
이 경우 HFV 라인(266)에 있어서의 배기유량은 기판에 대한 강압 CVD 처리시의 주배기라인(263)에 있어서의 배기유량보다 크게 하는 것이 바람직하고, 또한 HFV(266)로부터의 배기는 진공배기가 아닌 진공상태에 있는 노 내부 압력, 즉 기판에 대한 강압 CVD 처리 시의 압력보다 큰 압력 하에서의 배기가 바람직하며, 400Pa 이상이 보다 바람직하고 대기압배기(101,325Pa)가 한층 바람직하다. 이는 터보 분자 펌프(246A) 등의 진공펌프(246)에 의해 감압하에서 배기하면 N2 분자가 가스 흐름속에서 성글게 존재해 N2 분자의 평균 자유공정이 크기 때문에 비록 N2 가스의 흐름을 빠르게 하더라도 파티클을 분자류(流)로서 유효하게 배출하는 것은 곤란하다. 열에 의해 브라운 운동하고 있는 파티클은 N2 분자에 부딪치지 않고 중력 낙하해버리는 확률이 높기 때문이다. 이 점에서 대기압 배기인 경우 가스 유속은 예를 들면 10㎝/분 정도로 늦어지지만 N2 분자는 치밀하게 가스류 속에 존재하여 파티클과 용이하게 충돌하기 때문에 파티클을 배출하는 것은 용이하다. 마치 노 내부에 도입측에서 배기측으로 향하는 Ｎ2 가스의 바람이 불어 그 바람과 함께 파티클이 노 밖으로 날려 버리는 것처럼 되기 때문이다.
이처럼 기판 처리시의 압력보다 큰 압력하에서의 배기에 의해 파티클을 노 밖으로 유효하게 배출할 수 있고 이에 의해 누적 막두께의 증가에 따르는 파티클 증가를 억제하고 웨이퍼 로드/ 언로드시의 웨이퍼 표면에 대한 파티클의 부착을 방지할 수 있다. 또한 노구부 개구가 열려 대기가 노 내부에 유입하는 웨이퍼 로드, 웨이퍼 언로드시에 N2 가스와 같은 불활성 가스를 도입하여 노 내부에 불활성 가스의 흐름을 만들기 때문에 노 내부를 불활성 가스 분위기로 할 수 있고 웨이퍼(200) 표면의 산화도 방지할 수 있다.
도 2는 웨이퍼에 대하여 SiN 성막을 할 경우에 있어서 웨이퍼 로드, 웨이퍼 언로드 시에 HFV 라인에 의한 배기를 할 경우(HFV 있음)와 웨이퍼 로드/웨이퍼 언로드 시에 HFV 라인에 의한 배기를 하지 않았을 경우(HFV 없음)에 파티클 개수가 어떻게 변화했는지를 비교한 설명도이다. 파티클수는 HFV 라인에 의한 배기를 하지 않았을 경우에는 350피스(peace)/웨이퍼를 초과하였으나 HFV 라인(266)에 의한 배기를 했을 경우 10개까지 격감하는 것을 알 수 있다. 이와 같이 노 내부에 막 크랙으로 인해 발생한 파티클을 배출하는 데에는 HFV 라인에 의한 400Pa 이상의 압력에서의 배기, 예를 들면 대기압 배기가 유효하다.
한편 도 2에 나타낸 HFV 라인에 의해 배기를 했을 경우와 배기하지 않았을 경우의 비교 실험에 있어서의 성막조건(HFV 라인이 있건 없건 동일) 및 웨이퍼 로드/웨이퍼 언로드 시의 불활성 가스 도입, 배기 조건(HFV 라인이 있을 경우만 해당)은 다음과 같다.
(1) 성막조건(HFV 라인이 있건 없건 동일)
막의 종류 SiN
반응가스 SiH2Cl2 30∼100sccm
반응가스 NH3 300∼900sccm
노 내부 온도(성막온도) 750℃
노 내부압력 10∼100Pa
(2) 웨이퍼 로드/웨이퍼 언로드 시의 불활성 가스 도입, 배기 조건(HFV 라인이 있을 경우만 해당)
N2 가스 도입량 20∼200L/min
N2 가스 배기유량 도입량과 거의 동일
배기 압력 40㎜H2O 이상 (400Pa이상)
카운트 대상이 되는 파티클의 직경 φ0.13㎛ 이상
전술한 것과 같이 제1 실시예에 의하면 배기측에 제2 배기라인(262)을 추가하여 파티클을 기판처리시 압력인 진공압력보다 큰 압력하에서 배출하도록 함으로써 웨이퍼상의 파티클 부착을 충분히 억제할 수 있다. 또한 동시에 웨이퍼 로드 시 및/또는 웨이퍼 언로드 시 노 내부를 N2 가스 분위기로 만들어 웨이퍼 표면의 산화를 유효하게 방지할 수 있다. 따라서 종래의 종형 CVD 장치에서 SiN 막을 성막한 경우에 문제가 되는 파티클의 증가나 웨이퍼 표면의 산화를 유효하게 억제할 수 있다.
전술한 제1 실시예에 있어서 노 내부에 흐르는 불활성 가스(N2 가스)의 유량은 많으면 많을수록 좋지만 경험상 반응가스 유량의 20배 이상, 바람직하게는 100배 이상으로 하는 것이 좋다. 또한 노 내부에 호르는 불활성 가스의 유량은 파티클의 중력에 거슬러 반응실(201) 밖으로 스무스하게 내보내기 위해 20L/min 이상, 바람직하게는 100L/min 이상인 것이 바람직하다. 이 때의 배기 압력은 전술한 것과 같이 40㎜H2O 이상(400Pa 이상), 예를 들면 대기압이 좋다. 또한 노 내부에 흐르는 불활성 가스의 유량은 파티클을 반응실 밖으로 스무스하게 내보냄과 동시에 가열되 어 있는 반응실 내의 열을 지나치게 뺏지 않도록 20∼200L/min , 바람직하게는 100∼200L/min 인 것이 좋다. 또한 노 내부에 흐르는 불활성 가스의 유량은 100∼150L/min 인 것이 보다 바람직하다. 노 내부에 흐르는 불활성 가스의 유량의 상한을 150L/min 으로 하면 설비비가 비싸지는 것을 억제할 수 있을 뿐 아니라 상온 불활성 가스의 도입에 의한 반응실 내 온도의 과도한 저하를 억제할 수 있기 때문이다. 이 경우 반응실(201)의 용적은 예를 들면 30L∼120L이다.
또한 사용하는 불활성 가스는 성막하는 막의 종류가 SiN이고 파티클 사이즈가 예를 들면 0.1㎛∼0.5㎛인 범위일 경우에는 가장 보편적으로 사용되고 있는 Ｎ2를 사용하는 것이 바람직하나, 성막하는 막의 종류가 달라 파티클의 사이즈가 0.5㎛ 이상이 되는 경우에는 N2보다 분자가 큰 He 가스나 Ar 가스 등 다른 가스를 사용하는 것이 바람직하다.
또한 제2 배기라인(262)의 배기유량은 가스도입라인(240)으로부터 도입되는 불활성 가스의 유량보다 크게 해도 무방하다. 이와 같이 제2 배기라인(262)의 배기유량이 불활성 가스의 유량을 상회하면 대기가 반응실(201) 내에 빨려 들어가기 때문에 웨이퍼(200)가 산화할 우려가 있다. 따라서 웨이퍼가 산화하면 좋지 않은 경우에는 제2 배기라인(262)의 배기유량은 불활성 가스의 유량과 거의 동등한 배기유량 또는 불활성 가스의 유량보다 약간 작은 배기유량으로 하는 것이 좋다. 그러나 웨이퍼(200)가 산화해도 무방할 경우에는 제2 배기라인(262)의 배기유량은 불활성 가스의 유량보다 크게 하는 것이 좋다. 그것은 대기와 함께 파티클을 반응실(201) 밖으로 보다 유효하게 배출할 수 있기 때문이다. 바람직한 배기유량 범위는 20L/min ∼200L/min 이다.
또한 도 6에 도시한 것과 같이 제2 배기라인(262)은 대기압에서 배기하는 건물 부대설비의 배기설비(270)에 연통되어 있는 것이 바람직하다. 일반적으로 반도체 제조 공장에서는 건물 부대설비에 배기유량이 큰 배기설비(270)가 설치되어 있다. 또한 반도체 제조 공장에서는 처리로가 복수대 설치되어 있다. 따라서 이들 복수 대의 처리로의 모든 제2 배기라인(262)을 배기설비(270)에 연결한다. 제2 배기라인(262)으로 건물 부대설비에 설치되어 있는 배기유량이 큰 배기설비를 사용해 배출함으로써 제1 배기라인(261)보다 배기유량이 큰 배기를 확실하고 용이하게 할 수 있다. 또한 건물 부대설비의 배기설비(270)에 연통하는 배기라인(262)에 소정의 배기유량을 확보하기 위하여 필요에 따라서 송풍조절기(blower)(269)를 삽입해도 된다.
또한 전술한 실시예에서는 웨이퍼 로드/ 언로드시에 한정하여 가스도입라인(240) 측으로부터 배기라인(260, 262)측으로 향하는 Ｎ2 가스의 대량 흐름을 노 내부에 형성하고 있다. 이는 반응실 개방시 전기간 동안 계속하여 가스도입라인(240)으로부터 반응실(201) 내에 불활성 가스를 도입하면서 제2 배기라인(262)에 의해 배기를 할 경우에 비하여 제2 배기라인(262)이 배열에 노출되는 기간이 짧기 때문에 배기라인을 구성하고 있는 Ｏ링 등 부재의 보호를 도모할 수 있기 때문이다. 또한 N2 가스의 소비량을 절감할 수 있기 때문이다. 그러나 그러한 제약이 없으 면 반응실 개방시 전기간 동안 흐르도록 해도 된다.
또한 전술한 제1 실시예에서는 웨이퍼 로드/웨이퍼 언로드 시에 있어서의 HFV 라인에 의한 배기를 반응실(201) 내에 있어서 웨이퍼(200)를 수평으로 다단으로 장전하는 보트(217)를 갖는 처리로에 적용하고 있다. 이는 반응실(201) 내를 제1 배기라인(261)보다 배기유량이 큰 제2 배기라인(262)으로 배기하기 때문에 웨이퍼(200)를 다단으로 장전하는 보트(217)를 수용할 수 있는 용적의 큰 반응실이라고 하더라도 파티클을 유효하게 배출할 수 있음으로써 보트(217)의 어느 단에 있어서도 기판에 파티클 부착을 적게 할 수 있기 때문이다. 그러나 본 발명은 이에 한정하지 않고 반응실 내에 있어서 웨이퍼를 1매 또는 2∼3매 정도 유지하는 기판처리장치의 처리로에도 적용할 수 있다. 이 경우에는 반응실의 용적은 그다지 크지 않다. 1매를 수용하는 반응실로부터 많은 매수의 기판을 수용하는 반응실의 용적범위는, 전술한 것과 같이 30L∼120L이다.
또한 실시예에서는 반응실(201) 내에 외부 반응관(205)과 내부 반응관(204)을 갖는 ２중 반응관으로 구성된 처리로에 적용하고 있다. ２중 반응관으로 구성된 처리로의 경우 내부 반응관(204)의 하부로부터 불활성 가스를 공급하면 불활성 가스는 내부 반응관(204) 내를 상승하여 외부 반응관(205)과 내부 반응관(204)의 사이에 형성되는 통상 공간(210)을 통해 배기된다. 따라서 내부 반응관(204) 내에서 발생한 파티클을 노 밖으로 배출하려면 중력을 거스르는 방향으로 파티클을 상승시켜 내부 반응관(204)을 지나도록 할 필요가 있어 파티클을 배출하기 어렵다. 그러나 실시예에 따르면 많은 유량의 불활성 가스에 의해 대기압 퍼지를 하기 때문에 이물질을 옮길 수 있는 분자, 원자의 수가 많고 이물질을 나르는 에너지가 큼으로써 파티클을 배출하기 어려운 ２중관 구조의 처리로의 경우라도 파티클을 용이하게 배출할 수 있다.
또한 HFV 라인에 의한 배기시의 불활성 가스의 공급에 대한 전술한 실시예에서는 보트 로드/보트 언로드시에 가스도입라인(240)보다 반응실(201) 내에 N2를 공급하면서 HFV 라인(266)으로 반응실(201) 내를 배기하는 방법에 대해서 설명했으나, 보트 로드/보트 언로드시에 이재(移載) 지역(보트 인출 위치)에 N2나 청정공기 등의 가스를 흐르도록 하면 가스도입라인(240)에서 반응실(201) 내에 N2를 공급하지 않더라도 HFV 라인(266)으로 반응실(201) 내를 배기하는 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
예를 들면 도 3에 도시한 것과 같이 반응실(201)에 로드록(load lock) 실이나 N2 퍼지 박스 등 예비실(271)을 연접한다. 예비실(271)은 N2 공급 라인(272)을 구비하고 N2 공급 라인(272)에 N2 가스 공급원(275)이 MFC(274) 및 차폐 밸브(273)를 개재하여 접속되고, MFC(274)에 의해 유량 제어된 Ｎ2 가스가 N2 공급 라인(272)으로부터 예비실(271) 내에 도입되어 배기라인(276)으로 배기되도록 하고 있다. 따라서 보트 로드/보트 언로드시 예비실(271)에 N2를 흘리면서 HFV 라인(266)으로 반응실(201) 내를 배기하도록 하면 가스도입라인(240)으로부터 반응실(201) 내에 N2를 공급하지 않더라도 예비실(271) 내의 Ｎ2가 반응실(201) 내에 흐르게 되어 동일한 효과를 얻을 수 있다. 이 경우 가스도입라인(240)과 예비실(271)로부터의 불활성 가스 도입을 병행해도 된다. 이 경우 불활성 가스의 총 유량이 약 20L/min ∼200L/min가 되도록 한다.
또한 이재 지역(보트 인출 위치)에 청정공기유닛 등을 설치하여 보트 로드/언로드시 이재 지역에 청정공기를 흘리면서 HFV 라인(266)으로 반응실(201) 내를 배기하도록 하면 가스도입라인(240)으로부터 반응실(201) 내에 N2를 공급하지 않더라도 이재 지역(보트 인출 위치)에 공급된 청정공기가 반응실(201) 내에 흐르게 됨으로써 동일한 효과를 얻을 수 있다.
한편 반응실(201)에 예비실(271)을 연접하면 Si 웨이퍼의 산화도 유효하게 방지할 수 있다. 즉 실시예에서는 웨이퍼 로드 공정 및/또는 웨이퍼 언로드 공정에서 많은 유량의 Ｎ2 가스를 노 내부에 흘리기 위해 노구부 개구로부터 대기를 흡입하면 웨이퍼 표면의 산화가 문제가 되는 경우가 있다. 예를 들면 전(前)공정에서 Si 웨이퍼에 바탕막인 ＷSi 막을 성막한 경우 Si 웨이퍼는 산화되기 쉽게 된다. 그러한 경우에는 처리실(201)에 예비실(271)로서 로드 록실 또는 N2 퍼지박스를 연접시켜 N2 가스 분위기에서 웨이퍼 로드를 함으로써 노구부 개구에서의 대기 흡입을 막아 웨이퍼 표면의 산화, 예를 들면 전공정에서 처리한 ＷSi 막(텅스텐 실리사이드 막)의 자연산화막의 증가를 유효하게 방지할 수 있다.
또한 실시예에서는 가스도입라인(240)이 반응가스용의 라인과 불활성 가스용의 라인을 하나의 공용가스공급라인으로 구성하는 있는 경우에 대해서 설명했다. 즉 도 4에 도시한 것 같이 가스도입라인(240)을 전용라인인 SiH2Cl2 라인(241a), N2 라인(242a), NH3 라인(243a)이 설치되도록 상류측에서 분기하고 하류측에서 합쳐 공용 라인으로 했다. 한편, SiH2Cl2 라인(241a)에는, SiH2Cl2 가스 공급원(241d)이 MFC(241c), 차폐 밸브(24lb)를 개재해 접속된다. N2 라인(242a)에는 N2가스 공급원(242d)가 MFC(242c), 차폐 밸브(242b)를 개재해 접속된다. NH3 라인(243a)에는 NH3 가스 공급원(243d)이 MFC(243c), 차폐 밸브(243b)를 개재해 접속된다.
한편 도 5에 도시한 것과 같이 반응가스용의 라인과 불활성 가스용의 라인을 분리하여 2개 이상의 가스공급라인으로 구성하여 불활성 가스를 불활성 가스용의 라인으로부터 도입하도록 해도 된다. 이 경우 도 5에 도시한 것과 같이 SiH2Cl2 라인(241), N2 라인(242), NH3 라인(243)으로 하여 각각 별개 독립적으로 설치하도록 해도 된다. 이와 같이 불활성 가스 N2를 불활성 가스 전용 라인으로 도입하면 반응가스용 라인의 배관 내벽에 흡착한 NH4Cl 막에 크랙를 발생시켜 파티클이 비산하는 경우는 없다.
이상 설명한 것과 같이 제1 실시예에 따르면 반응실에 웨이퍼 로드시 및/또는 웨이퍼 언로드시 HFV 라인을 사용하여 많은 유량의 Ｎ2 가스의 흐름을 노 내부에 형성함으로써 노 내부를 퍼지 하고 노 내부에서 발생한 파티클을 배출하도록 했기 때문에 웨이퍼에 대한 파티클 부착을 방지할 수 있다. 또한 불활성 가스의 도입 유량과 배기 유량을 거의 동등하게 설정함으로써 반응실에서의 웨이퍼 로드시 및/또는 웨이퍼 언로드시의 웨이퍼 표면의 산화도 유효하게 방지할 수 있다.
본 실시예가 특히 유효하게 되는 공정은 보트 언로드 공정보다 보트 로드 공정이다. 보트 로드시에는 보트 언로드시보다 반응 노 내부의 온도가 크게 변동한다(도 10 참조). 예를 들면 도 10의 CL 존(zone)을 주목하면, 보트 언로드시의 노 내부 온도변동 폭은 10℃ 정도인 것에 비해 보트 로드시의 노 내부 온도변동 폭은 80℃ 정도로서 보트 언로드시의 8배 정도인 것을 알 수 있다. 그 때문에 보트 언로드시보다도 보트 로드시가 벽면에 부착된 막에 가해지는 열 스트레스가 커서 막 크랙이 발생하기 쉽다. 즉 보트 로드시 막이 박리하기 쉬워 파티클이 발생하기 쉽다. 실시예는 그와 같이 노 내부 온도가 크게 변화하여 파티클이 발생하기 쉬운 보트 로드 공정에 있어서 특히 유효하다.
또한 본 실시예가 특히 유효하게 되는 반응관 및 보트의 재질은 다음과 같다. SiＣ는 SiN과 열팽창률이 비슷하므로 노 내부 온도가 변동하더라도 SiＣ와 SiN 사이의 응력차는 그리 발생하지 않는다. 따라서 반응관이나 보트의 재질을 SiＣ로 한 경우 노 내부 온도가 변동하더라도 파티클은 발생하기 어렵다. 이에 비하여 SiO2(석영)는 SiN와 열팽창률의 차가 큼으로써 노 내부 온도가 변동하면 SiO2과 SiN와의 사이의 응력차는 크게 된다. 따라서 반응관이나 보트의 재질을 SiO2로 하면 노 내부 온도가 변동하면 파티클이 발생하기 쉬워진다. 본 발명은 이처럼 온도변동에 따라 파티클이 발생하기 쉬운 부재와 성막의 조합, 즉 석영제의 반응관이나 보트를 사용해 SiN 막의 성막을 할 경우에 특히 유효하게 된다.
도 7은 제2 실시예에 의한 감압 CVD 처리로의 단면도이다. 제1 실시예와 다른 점은 가스도입라인(240)에 가열 기구(233)을 설치한 점이다. 한편 도 1을 사용해 설명한 부분과 동일한 부분은 설명을 생략한다.
가열 기구(233)는 예를 들면 가스 공급관(232)을 가열하여 내부를 흐르는 가스를 가열하는 히터 또는 열교환기 등으로 구성할 수 있다. 컨트롤러(120)는 제1 실시예에 의한 (1)∼(3)의 제어기능에 더하여 (4) N2 가스를 가열 제어하는 기능을 추가한다. (4)의 기능은 컨트롤러(120)와는 다른 별도의 컨트롤러를 설치해도 된다.
도 7에 도시한 것과 같이 보트 업하여 웨이퍼 로드 할 때, 노구 셔터(218)를 열고 노 내부 온도 또는 그 온도 전후에 예비 가열한 Ｎ2 가스를 검은 화살표로 도시한 것과 같이 노 내부에 많은 양을 도입시키고, 내부 반응관(204)의 상부 개구로부터 상승한 Ｎ2 가스를 통상 공간(210)을 통과시켜서 HFV 라인(266)으로 이끌어 노 내부를 대기압 퍼지 한다. 또한 보트 다운하여 웨이퍼 언로드할 때에도 마찬가지로 노 내부 온도 또는 그 온도 전후로 예비 가열한 Ｎ2 가스를 검은 화살표로 나타낸 것과 같이 노 내부에 많은 양으로 도입하면서 HFV 라인(266)으로 배기함으로써 노 내부를 대기압 퍼지 한다.
이와 같이 노 내부를 N2 가스로 퍼지할 때 N2 가스를 노 내부 온도 또는 그 온도 전후로 예비 가열하면 노 내부에 불활성 가스를 도입하더라도 노 내부의 온도강하를 방지할 수 있다. 따라서 노 내부를 이상(理想) 반응실 온도로 유지할 수 있어 웨이퍼 로드시에 노구 셔터(218)를 열거나 또는 웨이퍼 언로드시에 씰캡(219)이 노구부 개구를 개방하더라도 반응관 벽면 등의 온도저하를 막을 수 있다. 한편 제2 실시예에 있어서의 웨이퍼 로드/웨이퍼 언로드시의 퍼지 조건을 예시하면 다음과 같다. 성막조건은 제1 실시예와 동일하다.
N2 가스 도입량 20L/min∼150L/min
N2 가스 배기유량 도입량과 같다
배기 압력 400Pa이상
N2 가스 예비가열온도 600℃ 이하
이상과 같이 본 발명의 제1, 제2 실시예에 따르면 웨이퍼 로드 및/또는 웨이퍼 언로드시, 즉 반응로 개방시에 한정해 HFV 라인(266)을 사용하여 많은 유량의 Ｎ2 가스의 흐름을 형성함으로써 노 내부를 대기압 상태에서 퍼지하고 노 내부에서 발생한 파티클(92)을 충분히 배출할 수 있다. 또한 성막 후에는 보트(217)를 언로드하여 노구 셔터(218)가 닫혀지고, 반응로로부터 인출된 보트(217)에 보지한 웨이퍼(200)의 냉각처리가 이루어진다. 예를 들면 질화막에서는 성막온도는 780℃ 정도이나 냉각 처리 중에는 노 내부 온도는 보트 로드시의 온도(대기온도) 600℃∼780 ℃로 유지된다.
또한 제3 실시예는 노 내부에서 웨이퍼(200)를 성막처리한 후 보트(217)를 언로드하여 노구 셔터(218)를 닫고, 그 후 웨이퍼(200)의 냉각중 많은 양의 Ｎ2를 노 내부에 흐르도록 함으로써 이에 의해 더욱 효과적으로 파티클(92)을 배출할 수 있다. 구체적으로는 웨이퍼(200)를 냉각하는 동안 노의 온도를 예컨데 20℃/min 이상의 강온(降溫)비율로 400℃ 정도까지 급격히 내림으로써(강제냉각) 노 내부에 큰 온도강하를 부여하고 또한 많은 양의 Ｎ2를 노 내부에 흘린다(이하 강제 냉각 퍼지라고도 한다). 즉 웨이퍼(200)를 냉각하는 중 웨이퍼(200)를 수용하지 않는 상태의 노 내부 온도를 급격히 내림으로써 반응관 벽면에 퇴적하고 있는 SiN 막(90)에 열 스트레스를 가하여 강제적으로 균열을 발생시켜 막의 박리를 발생시킨다. 그리하여 많은 양의 N2를 노 내부에 흘려 HFV 라인(266)을 사용하여 배기한다. 이와 같이 하여 노 내부를 대기압 상태로 퍼지함으로써 파티클(92)을 유효하게 배출할 수 있다. 또한 가열 수단(202)의 온도를 제어함으로써 반응관 벽면에 퇴적한 SiN 막을 강제적으로 박리시켜 많은 양의 Ｎ2를 흘려 배기하지만 이 때 노구 셔터(218)는 닫힌 채로 있기 때문에 파티클(92)이 비산하여 보트(217)에 보지되어 있는 웨이퍼(200) 상에 부착할 염려는 없다.
따라서 제1, 제2 실시예에 제3 실시에를 더함으로써 효과적으로 파티클(92)을 배출할 수가 있다.
노 내부에 불활성 가스를 도입하면서 HFV 라인에서 배기하는 기간에 대해서 는 기판 처리 전에는 보트 로드시가 바람직하다. 또한 기판처리 후에 있어서는 제1, 제2 실시예에서 설명한 보트 언로드시가 바람직하다. 또한 보트 언로드시로부터 제3 실시예에서 설명한 강제 냉각 퍼지 공정이 종료할 때까지 연속적으로 흘리는 것이 좋다.
또한 배기유량에 대해서는 보트 로드/보트 언로드시 또는 강제 냉각 퍼지시의 HFV 라인에 의한 배기 유량이 웨이퍼 처리시 진공배기라인에 의한 배기유량보다 크다. 한편 보트 로드/보트 언로드시나 강제 냉각 퍼지시의 HFV 라인에 의한 배기유량은 보트 로드로부터 보트 언로드까지의 모든 처리 공정 가운데에서 가장 크다.
본 발명 방법에 따르면 기판을 장입하는 공정 및/또는 기판을 인출하는 공정에서, 기판을 처리하는 공정에서의 배기유량보다 큰 배기유량으로 반응실 내를 배기함으로써 파티클을 반응실로부터 유효하게 배출할 수 있고 파티클의 기판 부착을 방지할 수 있다.
또한 본 발명 장치에 따르면 반응실 내에 기판을 장입할 때 및/또는 상기 반응실로부터 기판을 꺼낼 때, 반응실 내의 배기를 하는 제1 배기라인보다 배기유량이 큰 제2 배기라인으로 배기를 하는 컨트롤러를 구비함으로써 파티클을 반응실로부터 유효하게 배출할 수 있고 파티클이 기판에 부착하는 것을 방지할 수 있다.

Claims (26)

  1. 적어도 1매의 기판을 반응실에 장입하는 공정과,
    상기 반응실 내에 반응가스를 도입하고 상기 반응실 내를 배기하여 상기 기판을 처리하는 공정과,
    상기 처리후의 기판을 상기 반응실로부터 인출하는 공정을 포함하며,
    상기 기판을 장입하는 공정 또는 기판을 인출하는 공정은 상기 기판을 처리하는 공정에서의 배기유량보다 큰 배기유량으로 상기 반응실 내를 배기하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판을 장입하는 공정 또는 기판을 인출하는 공정은, 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하는 동시에 상기 기판을 처리하는 공정에서의 배기유량보다 큰 배기유량으로 상기 반응실 내를 배기하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
  3. 적어도 1매의 기판을 반응실 내에 장입하는 공정과,
    상기 반응실 내에 반응가스를 도입하고 진공펌프에 연통(連通)한 제1 배기라인으로부터 상기 반응실 내를 배기하여 상기 기판을 처리하는 공정과,
    상기 처리후의 기판을 상기 반응실로부터 인출하는 공정을 포함하며,
    상기 기판을 장입하는 공정 또는 기판을 인출하는 공정은, 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 크게 되도록 설정된 제2 배기라인으로써 상기 기판을 처리하는 공정에서의 배기유량보다 큰 배기유량으로 상기 반응실 내를 배기하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기판을 장입하는 공정 또는 기판을 인출하는 공정은, 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제2 배기라인에 의하여, 상기 기판을 처리하는 공정에서의 배기유량보다 큰 배기유량으로 상기 반응실 내를 배기하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
  5. 적어도 1매의 기판을 반응실 내에 장입하는 공정과,
    상기 반응실 내에 반응가스를 도입하고 진공펌프에 연통(連通)한 제1 배기라인에 의하여 상기 반응실 내를 배기하여 상기 기판을 처리하는 공정과,
    상기 처리후의 기판을 상기 반응실로부터 인출하는 공정과,
    기판을 인출한 후 반응실 내를 불활성 가스로 퍼지하는 공정을 포함하며,
    상기 기판을 장입하는 공정 또는 기판을 인출하는 공정은 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 크게 되도록 설정된 제2 배기라인으로써 상기 반응실 내를 배기함과 동시에,
    상기 기판을 인출하는 공정부터 상기 반응실 내를 퍼지하는 공정이 종료할 때까지 연속적으로 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제2 배기라인으로써 상기 반응실 내를 배기하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제2 배기라인은 건물 부대설비의 배기설비에 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 반응실을 구성하는 반응관은 석영제이고,
    상기 기판을 처리하는 공정은 기판 위에 실리콘 질화막을 퇴적시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 불활성 가스의 유량은 20~200 L/min 인것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 적어도 1매의 기판을 반응실 내에 장입하는 공정과,
    상기 반응실 내에 반응가스를 도입하고 진공펌프에 연통(連通)한 제1 배기라인에 의하여 상기 반응실 내를 배기하여 상기 기판을 처리하는 공정과,
    상기 처리후의 기판을 상기 반응실로부터 인출하는 공정을 포함하며,
    상기 기판을 장입하는 공정 또는 기판을 인출하는 공정은, 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 크게 되도록 설정된 제2 배기라인으로써 상기 반응실 내를 배기하는 것이고,
    상기 제2 배기라인에 의한 배기유량은 상기 불활성 가스의 공급 유량보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
  12. 적어도 1매의 기판을 반응실 내에 장입하는 공정과,
    상기 반응실 내에 반응가스를 도입하고 진공펌프에 연통(連通)한 제1 배기라인에 의하여 상기 반응실 내를 배기하여 상기 기판을 처리하는 공정과,
    상기 처리후의 기판을 상기 반응실로부터 인출하는 공정을 포함하며,
    상기 기판을 장입하는 공정 또는 기판을 인출하는 공정은, 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 크게 되도록 설정된 제2 배기라인으로써 상기 반응실 내를 배기하고,
    상기 불활성 가스가 가열되어 상기 반응실 내에 도입되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
  13. 적어도 1매의 기판을 처리하는 반응실과,
    상기 반응실 내에 가스를 도입하는 적어도 하나의 가스공급라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 진공펌프에 의하여 수행하는 제1 배기라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 수행하는 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 크게 되도록 설정된 제2 배기라인과,
    상기 반응실 내에 기판을 장입할 때 또는 상기 반응실로부터의 기판을 인출할때, 상기 제2 배기라인에 의하여 상기 기판을 처리할 때의 배기유량보다 큰 배기유량으로 상기 반응실 내를 배기하도록 제어하는 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 적어도 1매의 기판을 처리하는 반응실과,
    상기 반응실 내에 가스를 도입하는 적어도 하나의 가스공급라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 진공펌프에 의하여 수행하는 제1 배기라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 수행하는 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 크게 되도록 설정된 제2 배기라인과,
    상기 반응실 내에 기판을 장입할 때 또는 상기 반응실로부터의 기판을 인출할 때, 상기 가스공급라인으로부터 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제2 배기라인에 의하여 상기 반응실 내를 배기하도록 제어하는 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 적어도 1매의 기판을 처리하는 반응실과,
    상기 반응실 내에 가스를 도입하는 적어도 하나의 가스공급라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 진공펌프에 의하여 수행하는 제1 배기라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 수행하는 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 크게 되도록 설정된 제2 배기라인과,
    상기 반응실 내에 기판을 장입할 때 또는 상기 반응실로부터의 기판을 인출할 때, 상기 제2 배기라인에 의하여 상기 반응실내를 배기하도록 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 기판을 인출할 때부터 기판을 인출한 후 수행하는 반응실 퍼지가 종료할 때까지 사이에, 연속적으로 상기 가스공급라인으로부터 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제2 배기라인에 의하여 상기 반응실 내를 배기하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제2 배기라인은 건물 부대설비의 배기설비에 연통하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제13항에 있어서, 상기 반응실 내에 있어서 기판을 수평하게 다단으로 지지하는 보지구를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 삭제
  19. 적어도 1매의 기판을 처리하는 반응실과,
    상기 반응실 내에 가스를 도입하는 적어도 하나의 가스공급라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 진공펌프에 의하여 수행하는 제1 배기라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 수행하는 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 크게 되도록 설정된 제2 배기라인과,
    상기 반응실 내에 기판을 장입할 때 또는 상기 반응실로부터의 기판을 인출할 때, 상기 제2 배기라인에 의하여 상기 반응실 내를 배기하도록 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
    상기 반응실에 상기 기판을 대기시켜 두는 예비실이 연접되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 적어도 1매의 기판을 처리하는 반응실과,
    상기 반응실 내에 가스를 도입하는 적어도 하나의 가스공급라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 진공펌프에 의해 수행하는 제1 배기라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 수행하는 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 크게 되도록 설정된 제2 배기라인과,
    상기 반응실 내에 기판을 장입할 때 또는 상기 반응실로부터의 기판을 인출할 때, 상기 가스공급라인에 의해 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제2 배기라인에 의하여 상기 반응실 내를 배기하도록 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
    상기 가스공급라인은 반응가스용 라인과 불활성 가스용 라인을 포함하고, 상기 불활성 가스는 상기 불활성 가스용 라인으로부터 도입되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  21. 제3항에 있어서, 상기 기판을 장입하는 공정 또는 기판을 인출하는 공정은, 상기 반응실 내를 대기압하에서 배기하는 것으로 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  22. 제13항에 있어서, 상기 반응실 내로의 기판 장입시 또는 상기 반응실으로부터 기판 인출시에, 상기 반응실 내를 대기압하에서 배기하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  23. 적어도 1매의 기판을 처리하는 반응실과,
    상기 반응실 내에 가스를 도입하는 적어도 하나의 가스공급라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 진공펌프에 의하여 수행하는 제1 배기라인과,
    상기 반응실 내의 배기를 수행하는 상기 제1 배기라인보다 배기유량이 크게 되도록 설정된 제2 배기라인과,
    상기 반응실 내에 기판을 장입할 때 또는 상기 반응실로부터 기판을 인출할 때, 상기 가스공급라인에 의하여 상기 반응실 내에 불활성 가스를 도입하면서 상기 제2 배기라인에 의하여 상기 반응실 내를 배기하도록 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 반응실 내로의 기판 장입시 또는 반응실으로부터의 기판 인출시에 있어서 상기 제2 배기라인에 의한 배기유량이 상기 불활성 가스의 공급유량보다 크게 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  24. 제4항에 있어서, 상기 제2 배기라인에 의한 배기유량은 상기 불활성 가스의 공급 유량과 실질적으로 동등한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  25. 제14항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 반응실 내로의 기판 장입시 또는 상기 반응실으로부터의 기판 인출시에 있어서의 상기 제2 배기라인에 의한 배기유량이 상기 불활성 가스의 공급유량과 실질적으로 동등하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  26. 제1항에 있어서, 상기 기판을 장입하는 공정 또는 기판을 인출하는 공정은, 상기 반응실 내를 대기압하에서 배기하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
KR1020067008316A 2003-11-20 2004-11-19 반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치 KR100802990B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00391194 2003-11-20
JP2003391194 2003-11-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060070578A KR20060070578A (ko) 2006-06-23
KR100802990B1 true KR100802990B1 (ko) 2008-02-14

Family

ID=34616368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067008316A KR100802990B1 (ko) 2003-11-20 2004-11-19 반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7494941B2 (ko)
JP (2) JP4320323B2 (ko)
KR (1) KR100802990B1 (ko)
CN (1) CN1868042A (ko)
TW (1) TW200527513A (ko)
WO (1) WO2005050725A1 (ko)

Families Citing this family (326)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100765681B1 (ko) * 2003-09-19 2007-10-12 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP5028957B2 (ja) * 2005-12-28 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
US7795157B2 (en) 2006-08-04 2010-09-14 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Substrate treatment device and manufacturing method of semiconductor device
JP4838083B2 (ja) * 2006-09-20 2011-12-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4464979B2 (ja) * 2007-03-05 2010-05-19 東京エレクトロン株式会社 処理システム、処理方法、及び、プログラム
JP2009138210A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Sony Corp 成膜装置および成膜方法ならびに発光装置の製造方法
JP4531833B2 (ja) * 2007-12-05 2010-08-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びクリーニング方法
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
EP2251452B1 (en) 2009-05-13 2018-07-18 SiO2 Medical Products, Inc. Pecvd apparatus for vessel coating
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US9545360B2 (en) 2009-05-13 2017-01-17 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US7985188B2 (en) 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP2011066106A (ja) * 2009-09-16 2011-03-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP2013074133A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 設備管理システム
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
EP2776603B1 (en) 2011-11-11 2019-03-06 SiO2 Medical Products, Inc. PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
CN103137412B (zh) * 2011-11-30 2016-09-28 中国科学院微电子研究所 模块化离子注入机控制系统
CN103377902B (zh) * 2012-04-28 2016-05-04 无锡华润上华科技有限公司 热氧化晶圆生成氧化层的方法
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9664626B2 (en) 2012-11-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
WO2014078666A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
KR102211950B1 (ko) 2012-11-30 2021-02-04 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 의료용 주사기 카트리지 등의 pecvd 증착 균일성 제어
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
CN105392916B (zh) 2013-03-11 2019-03-08 Sio2医药产品公司 涂布包装材料
EP2971227B1 (en) 2013-03-15 2017-11-15 Si02 Medical Products, Inc. Coating method.
FI125222B (en) * 2013-03-22 2015-07-15 Beneq Oy Apparatus for processing two or more substrates in a batch process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6213487B2 (ja) 2014-03-24 2017-10-18 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置の運転方法、記憶媒体及び縦型熱処理装置
WO2015148471A1 (en) 2014-03-28 2015-10-01 Sio2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10375901B2 (en) 2014-12-09 2019-08-13 Mtd Products Inc Blower/vacuum
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
CA3204930A1 (en) 2015-08-18 2017-02-23 Sio2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate
CN106467980B (zh) * 2015-08-21 2019-01-29 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种大型垂直式hvpe反应室的装配辅助装置
JP6391171B2 (ja) * 2015-09-07 2018-09-19 東芝メモリ株式会社 半導体製造システムおよびその運転方法
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
JP6559618B2 (ja) * 2016-06-23 2019-08-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
KR102613349B1 (ko) * 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
JP6911705B2 (ja) * 2017-10-27 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜装置の運転方法
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
JP6485536B1 (ja) 2017-12-28 2019-03-20 株式会社Sumco エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US20190330740A1 (en) * 2018-04-30 2019-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP2024041539A (ja) 2022-09-14 2024-03-27 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、クリーニング方法、半導体装置の製造方法及びプログラム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100733A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Nec Kyushu Ltd 半導体の製造方法及び製造装置
JP2000306904A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法及びその装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0252424A (ja) 1988-08-17 1990-02-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JP3856397B2 (ja) 1994-07-08 2006-12-13 株式会社日立国際電気 半導体製造装置のウェーハ処理方法及び半導体製造装置
TW332311B (en) * 1996-03-08 1998-05-21 Nat Denki Kk The substrate treatment apparatus
JP3270730B2 (ja) 1997-03-21 2002-04-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
JPH11319545A (ja) * 1997-12-15 1999-11-24 Canon Inc プラズマ処理方法及び基体の処理方法
TW430866B (en) * 1998-11-26 2001-04-21 Tokyo Electron Ltd Thermal treatment apparatus
US6383300B1 (en) * 1998-11-27 2002-05-07 Tokyo Electron Ltd. Heat treatment apparatus and cleaning method of the same
JP2000269303A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JP2001077099A (ja) 1999-09-01 2001-03-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
JP3676983B2 (ja) * 2000-03-29 2005-07-27 株式会社日立国際電気 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
JP3619119B2 (ja) * 2000-05-15 2005-02-09 キヤノン株式会社 真空処理方法
JP4633269B2 (ja) * 2001-01-15 2011-02-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR20020080954A (ko) * 2001-04-18 2002-10-26 주성엔지니어링(주) 냉벽 화학기상증착 방법 및 장치
JP2003100731A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100733A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Nec Kyushu Ltd 半導体の製造方法及び製造装置
JP2000306904A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200527513A (en) 2005-08-16
US7494941B2 (en) 2009-02-24
CN1868042A (zh) 2006-11-22
KR20060070578A (ko) 2006-06-23
TWI313890B (ko) 2009-08-21
JP2009044191A (ja) 2009-02-26
JP4320323B2 (ja) 2009-08-26
WO2005050725A1 (ja) 2005-06-02
JP4832494B2 (ja) 2011-12-07
JPWO2005050725A1 (ja) 2007-12-06
US20070032045A1 (en) 2007-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100802990B1 (ko) 반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치
JP5452043B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP3140068B2 (ja) クリーニング方法
JP4361932B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2011066106A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US8025739B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2004006639A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3118737B2 (ja) 被処理体の処理方法
JP3374256B2 (ja) 熱処理装置及びそのクリーニング方法
JPH02226721A (ja) 処理方法
JP2003100731A (ja) 半導体装置の製造方法
JP4362965B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
JP2007234937A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130118

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140117

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150119

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160104

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170103

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180119

Year of fee payment: 11