JP2000100733A - 半導体の製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体の製造方法及び製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応炉内の反応副生成物を排除し、半導体の
性能を向上する。 【解決手段】 反応炉２内を減圧状態にし、ウエハ１に
熱処理を施してウエハ１に成膜する。成膜完了後、反応
炉２に不活性ガスを注入して、実質的な常圧に戻した
後、反応炉２内外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２Ｏとなる
ように、反応炉２内のガスを排気しながらウエハ１を出
炉する。ただし、排気速度が小さいと反応副生成物を十
分排除することができず、排気速度が大きいとガスの流
れが乱れて反応副生成物を効率よく排除することができ
ないため、反応炉２内外の圧力差が１０〜５０ｍｍＨ２
Ｏとなるように、反応炉２内のガスを排気することが望
ましい。
性能を向上する。 【解決手段】 反応炉２内を減圧状態にし、ウエハ１に
熱処理を施してウエハ１に成膜する。成膜完了後、反応
炉２に不活性ガスを注入して、実質的な常圧に戻した
後、反応炉２内外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２Ｏとなる
ように、反応炉２内のガスを排気しながらウエハ１を出
炉する。ただし、排気速度が小さいと反応副生成物を十
分排除することができず、排気速度が大きいとガスの流
れが乱れて反応副生成物を効率よく排除することができ
ないため、反応炉２内外の圧力差が１０〜５０ｍｍＨ２
Ｏとなるように、反応炉２内のガスを排気することが望
ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造方法
及び製造装置に関し、特に、半導体の製造時に発生する
反応副生成物の半導体ウエハへの付着を防止することが
できる半導体の製造方法及び製造装置に関する。
及び製造装置に関し、特に、半導体の製造時に発生する
反応副生成物の半導体ウエハへの付着を防止することが
できる半導体の製造方法及び製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造装置は、半導体ウエハ（以
下、単にウエハとも言う）に熱処理を施し、成膜するた
めの反応炉と、熱処理を行うために反応炉内を所定の温
度に暖めるヒータと、反応炉中にガスを注入するガス導
入管と、反応炉中のガスを排出するための排気管と、複
数のウエハを搭載して反応炉内に出入りするボートと、
を備えている。
下、単にウエハとも言う）に熱処理を施し、成膜するた
めの反応炉と、熱処理を行うために反応炉内を所定の温
度に暖めるヒータと、反応炉中にガスを注入するガス導
入管と、反応炉中のガスを排出するための排気管と、複
数のウエハを搭載して反応炉内に出入りするボートと、
を備えている。
【０００３】従来の半導体の製造方法は、複数のウエハ
を搭載したボートを反応炉内に入炉した後、ガス導入管
よりガスを注入し、ヒータによって所定温度下でウエハ
に熱処理を施し、ウエハ上に膜を形成する。なお、熱処
理中は、反応炉内が所定の圧力となるように、反応炉内
のガスが排気管より排出されている。
を搭載したボートを反応炉内に入炉した後、ガス導入管
よりガスを注入し、ヒータによって所定温度下でウエハ
に熱処理を施し、ウエハ上に膜を形成する。なお、熱処
理中は、反応炉内が所定の圧力となるように、反応炉内
のガスが排気管より排出されている。
【０００４】以上のように、熱処理中にガスを排出する
場合、ガスを１箇所から排出すると、反応炉内のガスの
流れに偏りが生じ、ウエハに形成される膜が不均一にな
るという問題があった。
場合、ガスを１箇所から排出すると、反応炉内のガスの
流れに偏りが生じ、ウエハに形成される膜が不均一にな
るという問題があった。
【０００５】このような問題を解決するために、特開平
４−３３７６３０号公報に開示されている技術では、反
応炉の外周部に複数の穴を均等に設け、この複数の穴か
ら均一にガスが排出されるようにしている。排出された
ガスは、一旦排気予備室を通って排気管より排出され
る。
４−３３７６３０号公報に開示されている技術では、反
応炉の外周部に複数の穴を均等に設け、この複数の穴か
ら均一にガスが排出されるようにしている。排出された
ガスは、一旦排気予備室を通って排気管より排出され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにウエハ
（半導体ウエハ）に熱処理を施すと反応副生成物が発生
し、この反応副生成物は反応炉内に堆積したり、排気管
の内部に付着したりする。そして、ウエハを反応炉に入
出する際には、この反応副生成物が気化、熱拡散して反
応炉内に拡散する。
（半導体ウエハ）に熱処理を施すと反応副生成物が発生
し、この反応副生成物は反応炉内に堆積したり、排気管
の内部に付着したりする。そして、ウエハを反応炉に入
出する際には、この反応副生成物が気化、熱拡散して反
応炉内に拡散する。
【０００７】しかし、従来の半導体の製造方法では、ボ
ートの入出炉時の排気に関しては、特別な配慮は何らな
されていないので、ボートの入出炉時に反応炉内に拡散
した反応副生成物が、ウエハに付着して半導体の性能不
良を引き起こす場合があるという問題がある。
ートの入出炉時の排気に関しては、特別な配慮は何らな
されていないので、ボートの入出炉時に反応炉内に拡散
した反応副生成物が、ウエハに付着して半導体の性能不
良を引き起こす場合があるという問題がある。
【０００８】従って、本発明は、半導体製造装置内のガ
スを効率よく排出し、製造された半導体の性能を向上す
る半導体の製造方法及び製造装置を提供することを目的
とする。
スを効率よく排出し、製造された半導体の性能を向上す
る半導体の製造方法及び製造装置を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、本発明の第１の観点にかかる半導体の製造方法
は、反応炉内で減圧状態下で半導体ウエハに熱処理を施
して、該半導体ウエハ上に成膜する方法において、成膜
完了後、前記反応炉に不活性ガスを注入して、実質的な
常圧に戻した後、前記反応炉内外の圧力差が所定の値と
なるように、該反応炉内のガスを排気しながら前記半導
体ウエハを出炉することにより、反応副生成物が該半導
体ウエハに付着するのを防止することを特徴とする。
めに、本発明の第１の観点にかかる半導体の製造方法
は、反応炉内で減圧状態下で半導体ウエハに熱処理を施
して、該半導体ウエハ上に成膜する方法において、成膜
完了後、前記反応炉に不活性ガスを注入して、実質的な
常圧に戻した後、前記反応炉内外の圧力差が所定の値と
なるように、該反応炉内のガスを排気しながら前記半導
体ウエハを出炉することにより、反応副生成物が該半導
体ウエハに付着するのを防止することを特徴とする。
【００１０】この発明によれば、膜を形成した半導体ウ
エハを反応炉から出炉する際、反応炉内外の圧力差が所
定の圧力差になるようにガスを排出する。このガス排出
により、反応炉内やガス排出管内に堆積又は付着してい
る反応副生成物が気化、熱拡散等によって炉内に拡散
し、半導体ウエハに付着するのを防止することができ
る。従って、半導体ウエハに良好な膜を形成することが
でき、半導体装置の性能を向上することができる。
エハを反応炉から出炉する際、反応炉内外の圧力差が所
定の圧力差になるようにガスを排出する。このガス排出
により、反応炉内やガス排出管内に堆積又は付着してい
る反応副生成物が気化、熱拡散等によって炉内に拡散
し、半導体ウエハに付着するのを防止することができ
る。従って、半導体ウエハに良好な膜を形成することが
でき、半導体装置の性能を向上することができる。
【００１１】前記半導体ウエハ上に成膜する方法におい
て、前記半導体ウエハの出炉時に、前記反応炉内外の圧
力差が５〜７５ｍｍＨ２Ｏとなるように、該反応炉内の
ガスを排気することが望ましい。
て、前記半導体ウエハの出炉時に、前記反応炉内外の圧
力差が５〜７５ｍｍＨ２Ｏとなるように、該反応炉内の
ガスを排気することが望ましい。
【００１２】ただし、排気速度が小さいと前記反応副生
成物及び前記不要な物質を十分排除することができず、
排気速度が大きいとガスの流れが乱れて該反応副生成物
及び該不要な物質を効率よく排除することができない。
このため、さらに望ましくは該反応炉内外の圧力差が１
０〜５０ｍｍＨ２Ｏとなるように、該反応炉内のガスを
排気する。
成物及び前記不要な物質を十分排除することができず、
排気速度が大きいとガスの流れが乱れて該反応副生成物
及び該不要な物質を効率よく排除することができない。
このため、さらに望ましくは該反応炉内外の圧力差が１
０〜５０ｍｍＨ２Ｏとなるように、該反応炉内のガスを
排気する。
【００１３】前記半導体ウエハ上に成膜する方法におい
て、成膜するために該半導体ウエハを入炉する際、前記
反応炉内外の圧力差が所定の値となるように、該反応炉
内のガスを排気しながら該半導体ウエハを入炉すること
により、不要な物質が該半導体ウエハに付着するのを防
止してもよい。
て、成膜するために該半導体ウエハを入炉する際、前記
反応炉内外の圧力差が所定の値となるように、該反応炉
内のガスを排気しながら該半導体ウエハを入炉すること
により、不要な物質が該半導体ウエハに付着するのを防
止してもよい。
【００１４】ただし、排気速度が小さいと前記反応副生
成物及び前記不要な物質を十分排除することができず、
排気速度が大きいとガスの流れが乱れて該反応副生成物
及び該不要な物質を効率よく排除することができない。
このため、前記反応炉内外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２
Ｏとなるように、該反応炉内のガスを排気することが望
ましい。
成物及び前記不要な物質を十分排除することができず、
排気速度が大きいとガスの流れが乱れて該反応副生成物
及び該不要な物質を効率よく排除することができない。
このため、前記反応炉内外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２
Ｏとなるように、該反応炉内のガスを排気することが望
ましい。
【００１５】本発明の第２の観点にかかる半導体の製造
装置は、複数の半導体ウエハを、反応炉内へ入炉する入
炉手段と、前記半導体ウエハの入炉完了後、前記反応炉
内のガスを炉外へ排出する第１のガス排出手段と、前記
第１のガス排出手段が前記反応炉内のガスを排出後、前
記半導体ウエハに膜を形成するための反応ガスを、該反
応炉内へ導入するガス導入手段と、前記ガス導入手段に
よって導入された反応ガスから、前記半導体ウエハに成
膜完了後、前記反応炉内へ不活性ガスを導入し、該反応
炉内を常圧にする圧力復帰手段と、前記圧力復帰手段に
よって前記反応炉内が常圧に復帰した後、前記半導体ウ
エハを出炉する出炉手段と、前記出炉手段が前記半導体
ウエハを出炉する際、前記反応炉内外の圧力差が所定の
圧力差となるように該反応炉内のガスを排出し、不要な
物質が該半導体ウエハに付着するのを防止する第２のガ
ス排出手段と、を備えることを特徴とする。
装置は、複数の半導体ウエハを、反応炉内へ入炉する入
炉手段と、前記半導体ウエハの入炉完了後、前記反応炉
内のガスを炉外へ排出する第１のガス排出手段と、前記
第１のガス排出手段が前記反応炉内のガスを排出後、前
記半導体ウエハに膜を形成するための反応ガスを、該反
応炉内へ導入するガス導入手段と、前記ガス導入手段に
よって導入された反応ガスから、前記半導体ウエハに成
膜完了後、前記反応炉内へ不活性ガスを導入し、該反応
炉内を常圧にする圧力復帰手段と、前記圧力復帰手段に
よって前記反応炉内が常圧に復帰した後、前記半導体ウ
エハを出炉する出炉手段と、前記出炉手段が前記半導体
ウエハを出炉する際、前記反応炉内外の圧力差が所定の
圧力差となるように該反応炉内のガスを排出し、不要な
物質が該半導体ウエハに付着するのを防止する第２のガ
ス排出手段と、を備えることを特徴とする。
【００１６】この発明によっても、膜を形成した半導体
ウエハを反応炉から出炉する際、反応炉内外の圧力差が
所定の圧力差になるようにガスを排出する。このガス排
出により、反応炉内やガス排出管内に堆積又は付着して
いる反応副生成物が気化、熱拡散等によって炉内に拡散
し、半導体ウエハに付着するのを防止することができ
る。従って、半導体ウエハに良好な膜を形成することが
でき、半導体装置の性能を向上することができる。
ウエハを反応炉から出炉する際、反応炉内外の圧力差が
所定の圧力差になるようにガスを排出する。このガス排
出により、反応炉内やガス排出管内に堆積又は付着して
いる反応副生成物が気化、熱拡散等によって炉内に拡散
し、半導体ウエハに付着するのを防止することができ
る。従って、半導体ウエハに良好な膜を形成することが
でき、半導体装置の性能を向上することができる。
【００１７】前記第２のガス排出手段は、前記反応炉内
外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２Ｏとなるように、該反応
炉内のガスを排出する手段を備えることが望ましい。
外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２Ｏとなるように、該反応
炉内のガスを排出する手段を備えることが望ましい。
【００１８】ただし、排気速度が小さいと前記不要な物
質を十分排除することができず、排気速度が大きいとガ
スの流れが乱れて該不要な物質を効率よく排除すること
ができないため、さらに望ましくは前記反応炉内外の圧
力差が１０〜５０ｍｍＨ２Ｏとなるように、該反応炉内
のガスを排気する手段を備える。
質を十分排除することができず、排気速度が大きいとガ
スの流れが乱れて該不要な物質を効率よく排除すること
ができないため、さらに望ましくは前記反応炉内外の圧
力差が１０〜５０ｍｍＨ２Ｏとなるように、該反応炉内
のガスを排気する手段を備える。
【００１９】前記入炉手段は、前記半導体ウエハを入炉
する際、前記反応炉内外の圧力差が所定の圧力差となる
ように、該反応炉内のガスを排出し、不要な物質が該半
導体ウエハに付着するのを防止する第３のガス排出手段
をさらに備えてもよい。
する際、前記反応炉内外の圧力差が所定の圧力差となる
ように、該反応炉内のガスを排出し、不要な物質が該半
導体ウエハに付着するのを防止する第３のガス排出手段
をさらに備えてもよい。
【００２０】ただし、排気速度が小さいと前記反応副生
成物及び前記不要な物質を十分排除することができず、
排気速度が大きいとガスの流れが乱れて該反応副生成物
及び該不要な物質を効率よく排除することができない。
このため、前記反応炉内外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２
Ｏとなるように、該反応炉内のガスを排気することが望
ましい。
成物及び前記不要な物質を十分排除することができず、
排気速度が大きいとガスの流れが乱れて該反応副生成物
及び該不要な物質を効率よく排除することができない。
このため、前記反応炉内外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２
Ｏとなるように、該反応炉内のガスを排気することが望
ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態にかか
る半導体の製造方法について説明する。
る半導体の製造方法について説明する。
【００２２】半導体製造装置は、例えば、図１に示すよ
うに、反応炉２と、ヒータ３と、ガス導入管４と、ボー
ト５と、Ｏリング６と、排気管１４と、プロセス制御部
１５と、を備えている。
うに、反応炉２と、ヒータ３と、ガス導入管４と、ボー
ト５と、Ｏリング６と、排気管１４と、プロセス制御部
１５と、を備えている。
【００２３】反応炉２は、ウエハ（半導体ウエハ）１に
熱処理を施して、ウエハ１に膜を形成するためのもので
ある。
熱処理を施して、ウエハ１に膜を形成するためのもので
ある。
【００２４】ヒータ３は、反応炉２内を、膜を形成する
のに適切な所定の温度にするためのものである。
のに適切な所定の温度にするためのものである。
【００２５】ガス導入管４は、ガス供給装置（図示せ
ず）に接続され、ウエハ１上に形成される膜の原料とな
る反応ガス（ソースガス）を反応炉２内に導入するため
のものである。
ず）に接続され、ウエハ１上に形成される膜の原料とな
る反応ガス（ソースガス）を反応炉２内に導入するため
のものである。
【００２６】ボート５は、駆動部（図示せず）によって
昇降し、複数のウエハ１を搭載して、これらのウエハ１
を入出炉するためのものである。
昇降し、複数のウエハ１を搭載して、これらのウエハ１
を入出炉するためのものである。
【００２７】Ｏリング６は、ヒータ３や排気管１４等を
反応炉２に接続するためのものである。
反応炉２に接続するためのものである。
【００２８】排気管１４は、その途中にトラップ７を備
えている。トラップ７は、反応炉２内から排出されたガ
ス中の物質を除去するためのものである。さらに、排気
管１４は、図１に示すように、サブ配管１２とメイン配
管１３とに分かれている。メイン配管１３は、ポンプ１
１に接続され、その途中にメインバルブ１０が取り付け
られている。このメイン配管１３は、ウエハ１を熱処理
しているときの排気で使用される。サブ配管１２は、図
１に示すように、メインバルブ１０をまたぐようにして
メイン配管１３に取り付けられている。このサブ配管１
２には、その途中にサブバルブ８とハンドバルブ９が取
り付けられており、ボート５の入出炉時の排気で使用さ
れる。
えている。トラップ７は、反応炉２内から排出されたガ
ス中の物質を除去するためのものである。さらに、排気
管１４は、図１に示すように、サブ配管１２とメイン配
管１３とに分かれている。メイン配管１３は、ポンプ１
１に接続され、その途中にメインバルブ１０が取り付け
られている。このメイン配管１３は、ウエハ１を熱処理
しているときの排気で使用される。サブ配管１２は、図
１に示すように、メインバルブ１０をまたぐようにして
メイン配管１３に取り付けられている。このサブ配管１
２には、その途中にサブバルブ８とハンドバルブ９が取
り付けられており、ボート５の入出炉時の排気で使用さ
れる。
【００２９】プロセス制御部１５は、コンピュータ等か
ら構成され、反応炉２内の圧力や温度等を設定し、半導
体製造装置を構成する上記の各部分の動作を制御する。
ら構成され、反応炉２内の圧力や温度等を設定し、半導
体製造装置を構成する上記の各部分の動作を制御する。
【００３０】次に、以上のような構成の半導体製造装置
を使用した半導体の製造方法について説明する。
を使用した半導体の製造方法について説明する。
【００３１】図２は、プロセス制御部１５が制御する半
導体製造処理を示したフローチャートである。
導体製造処理を示したフローチャートである。
【００３２】初めに、プロセス制御部１５は、駆動部を
制御してウエハ１を搭載したボート５を反応炉２内に入
炉する（ステップ１００）。
制御してウエハ１を搭載したボート５を反応炉２内に入
炉する（ステップ１００）。
【００３３】プロセス制御部１５は、メインバルブ１０
を開けてポンプ１１を作動させ、反応炉２内のガスを排
気する（ステップ１０１）。
を開けてポンプ１１を作動させ、反応炉２内のガスを排
気する（ステップ１０１）。
【００３４】プロセス制御部１５は、反応炉２内の圧力
が所定の値まで低下した後、ヒータ３を作動させて、反
応炉２内の温度を所定の温度まで暖め、ガス導入管４よ
り反応ガスを反応炉２内へ導入する（ステップ１０
２）。なお、プロセス制御部１５は、反応炉２内に設置
された圧力測定器（図示せず）により、反応炉２内の圧
力を監視している。また、プロセス制御部１５は、反応
ガスを導入中も反応炉２内を所定圧力に保つために排気
を行う。この排気により、反応炉２内には常に新しい反
応ガスが供給される。
が所定の値まで低下した後、ヒータ３を作動させて、反
応炉２内の温度を所定の温度まで暖め、ガス導入管４よ
り反応ガスを反応炉２内へ導入する（ステップ１０
２）。なお、プロセス制御部１５は、反応炉２内に設置
された圧力測定器（図示せず）により、反応炉２内の圧
力を監視している。また、プロセス制御部１５は、反応
ガスを導入中も反応炉２内を所定圧力に保つために排気
を行う。この排気により、反応炉２内には常に新しい反
応ガスが供給される。
【００３５】プロセス制御部１５は、ウエハ１上に膜が
形成された後、ヒータ３を停止してガス導入管４より反
応炉２内へＮ２（窒素）等の不活性ガスを導入し、常圧
に復帰させる（ステップ１０３）。
形成された後、ヒータ３を停止してガス導入管４より反
応炉２内へＮ２（窒素）等の不活性ガスを導入し、常圧
に復帰させる（ステップ１０３）。
【００３６】プロセス制御部１５は、サブバルブ８を開
けハンドバルブ９を調節して、反応炉２内のガスを排気
しながら、駆動部を制御してウエハ１を搭載したボート
５を出炉し（ステップ１０４）、半導体製造処理を終了
する。
けハンドバルブ９を調節して、反応炉２内のガスを排気
しながら、駆動部を制御してウエハ１を搭載したボート
５を出炉し（ステップ１０４）、半導体製造処理を終了
する。
【００３７】以降続けて処理するウエハ１がある場合、
プロセス制御部１５は、上記の処理を繰り返す。
プロセス制御部１５は、上記の処理を繰り返す。
【００３８】次に、上記したプロセス制御部１５の制御
下で行われる半導体製造装置の動作について説明する。
下で行われる半導体製造装置の動作について説明する。
【００３９】初めに、複数のウエハ１を搭載したボート
５を反応炉２内へ入炉する。
５を反応炉２内へ入炉する。
【００４０】ボート５の反応炉２への入炉が完了する
と、メインバルブ１０が開けられて、反応炉２内のガス
がポンプ１１によって排気される。
と、メインバルブ１０が開けられて、反応炉２内のガス
がポンプ１１によって排気される。
【００４１】反応炉２内が所定の圧力まで低下した後、
ヒータ３によって反応炉２内が所定の温度に暖められ
る。そして、ガス導入管４から反応ガスを反応炉２内へ
導入し、この反応ガスに対応した膜を、ウエハ１上に形
成する。この反応ガスによって形成される膜は、例え
ば、シリコン窒化膜、ポリシリコン膜である。なお、成
膜中においても、反応炉２内の圧力が所定の圧力を維持
するように、反応炉２内のガスはポンプ１１によって排
気されている。
ヒータ３によって反応炉２内が所定の温度に暖められ
る。そして、ガス導入管４から反応ガスを反応炉２内へ
導入し、この反応ガスに対応した膜を、ウエハ１上に形
成する。この反応ガスによって形成される膜は、例え
ば、シリコン窒化膜、ポリシリコン膜である。なお、成
膜中においても、反応炉２内の圧力が所定の圧力を維持
するように、反応炉２内のガスはポンプ１１によって排
気されている。
【００４２】成膜が終了した後、ヒータ３を停止し、メ
インバルブ１０が閉められ、ガス導入管４よりＮ２（窒
素）ガスを反応炉２内に導入し、反応炉２内を常圧に復
帰させる。
インバルブ１０が閉められ、ガス導入管４よりＮ２（窒
素）ガスを反応炉２内に導入し、反応炉２内を常圧に復
帰させる。
【００４３】反応炉２内が常圧に復帰した後、膜が積層
されたウエハ１を搭載したボート５を出炉する。反応炉
２内の底には、成膜中にできた反応副生成物が堆積し、
また、Ｏリング６やトラップ７の低温部分にも反応副生
成物が付着している。そして、ボート５を出炉する際、
これらの反応副生成物が反応炉２中で気化したり熱拡散
したりして、ウエハ１に付着するおそれがある。ウエハ
１にこのような反応複製生物が付着すると、半導体装置
の性能が低下する原因になる。従って、サブバルブ８を
開けてハンドバルブ９によって排気量を調節し、反応炉
２内のガスを排出することによって、気化、熱拡散した
反応副生成物がウエハ１に付着することを防止する。た
だし、排気速度が小さすぎると（圧力差が小さすぎる
と）、反応炉２内の反応副生成物を十分に排除すること
ができない。また、排気速度が大きすぎると（圧力差が
大きすぎると）、反応炉２内に乱流等が発生してガスの
流れが乱れ、反応副生成物を効率よく排除することがで
きないと共に、かえって反応副生成物をウエハ１に付着
してしまう。従って、反応炉２内外の圧力差は、５〜７
５ｍｍＨ２Ｏ（１ｍｍＨ２Ｏ≒９．８Ｐａ）である。望
ましくは、１０〜５０ｍｍＨ２Ｏ程度になるように排気
を行う。
されたウエハ１を搭載したボート５を出炉する。反応炉
２内の底には、成膜中にできた反応副生成物が堆積し、
また、Ｏリング６やトラップ７の低温部分にも反応副生
成物が付着している。そして、ボート５を出炉する際、
これらの反応副生成物が反応炉２中で気化したり熱拡散
したりして、ウエハ１に付着するおそれがある。ウエハ
１にこのような反応複製生物が付着すると、半導体装置
の性能が低下する原因になる。従って、サブバルブ８を
開けてハンドバルブ９によって排気量を調節し、反応炉
２内のガスを排出することによって、気化、熱拡散した
反応副生成物がウエハ１に付着することを防止する。た
だし、排気速度が小さすぎると（圧力差が小さすぎる
と）、反応炉２内の反応副生成物を十分に排除すること
ができない。また、排気速度が大きすぎると（圧力差が
大きすぎると）、反応炉２内に乱流等が発生してガスの
流れが乱れ、反応副生成物を効率よく排除することがで
きないと共に、かえって反応副生成物をウエハ１に付着
してしまう。従って、反応炉２内外の圧力差は、５〜７
５ｍｍＨ２Ｏ（１ｍｍＨ２Ｏ≒９．８Ｐａ）である。望
ましくは、１０〜５０ｍｍＨ２Ｏ程度になるように排気
を行う。
【００４４】このような圧力差を実現するため、半導体
製造装置の反応炉２内とその外部には圧力測定器（図示
せず）等を設置し、この圧力測定器の測定結果を基にし
て、ハンドバルブ９を調節する。また、ハンドバルブ９
の調節は、プロセス制御部１５によって圧力測定器の測
定結果に基づいて行われる。
製造装置の反応炉２内とその外部には圧力測定器（図示
せず）等を設置し、この圧力測定器の測定結果を基にし
て、ハンドバルブ９を調節する。また、ハンドバルブ９
の調節は、プロセス制御部１５によって圧力測定器の測
定結果に基づいて行われる。
【００４５】図３は、シリコン窒化膜を成膜した場合
に、反応炉２内に発生する反応副生成物の粒子（パーテ
ィクル）数の推移を示した図である。図中で、実線はボ
ート５を出炉する際に、排気について何ら特別な考慮を
していなかった従来の処理方法を、破線はボート５を出
炉する際に、反応炉２内外の圧力差を考慮して排気する
処理方法をそれぞれ示している。
に、反応炉２内に発生する反応副生成物の粒子（パーテ
ィクル）数の推移を示した図である。図中で、実線はボ
ート５を出炉する際に、排気について何ら特別な考慮を
していなかった従来の処理方法を、破線はボート５を出
炉する際に、反応炉２内外の圧力差を考慮して排気する
処理方法をそれぞれ示している。
【００４６】図３に示すように、従来の処理方法では、
成膜を重ねるにつれて反応副生成物が増加するため、そ
の反応副生成物の気化、熱拡散によって生じる反応炉２
内の粒子数が増加していた。しかし、本発明にかかる処
理方法では、図３から明らかなように、反応副生成物の
気化、熱拡散によって生じる粒子数の増加が抑えられて
いる。
成膜を重ねるにつれて反応副生成物が増加するため、そ
の反応副生成物の気化、熱拡散によって生じる反応炉２
内の粒子数が増加していた。しかし、本発明にかかる処
理方法では、図３から明らかなように、反応副生成物の
気化、熱拡散によって生じる粒子数の増加が抑えられて
いる。
【００４７】従って、上記のようにして、ボート５を反
応炉２から出炉する際に、反応炉２内外に所定の圧力差
が生じるように、反応炉２内のガスを排出することによ
って、反応炉２内に発生する反応副生成物（粒子）の発
生を抑えることができる。
応炉２から出炉する際に、反応炉２内外に所定の圧力差
が生じるように、反応炉２内のガスを排出することによ
って、反応炉２内に発生する反応副生成物（粒子）の発
生を抑えることができる。
【００４８】また、ボート５を反応炉２から出炉する際
の排気は、図４に示すように、工場用力排気管１６にサ
ブ配管１２を接続し、排気切替バルブ１７を開け、ダン
パ１８を調節することによって、排気するようにしても
よい。この場合においても、反応炉２内外の圧力差が所
定の圧力差となるように、排気が調節される。
の排気は、図４に示すように、工場用力排気管１６にサ
ブ配管１２を接続し、排気切替バルブ１７を開け、ダン
パ１８を調節することによって、排気するようにしても
よい。この場合においても、反応炉２内外の圧力差が所
定の圧力差となるように、排気が調節される。
【００４９】さらに、ボート５を反応炉２へ入炉する際
にも、サブ配管１２を使用して、上記と同様に反応炉２
内のガスを排出することによって、反応炉２内に残って
いる反応副生成物（粒子）が、ウエハ１に付着すること
を防止することができる。従って、ボート５の入炉時、
出炉時の両方で排気を行うことによって、ウエハ１への
反応副生成物の付着防止効果を一層強めることができ
る。
にも、サブ配管１２を使用して、上記と同様に反応炉２
内のガスを排出することによって、反応炉２内に残って
いる反応副生成物（粒子）が、ウエハ１に付着すること
を防止することができる。従って、ボート５の入炉時、
出炉時の両方で排気を行うことによって、ウエハ１への
反応副生成物の付着防止効果を一層強めることができ
る。
【００５０】なお、以上で示した半導体製造装置が行う
動作の内、例えば、メインバルブ１０やサブバルブ８等
の操作やウエハ１の入出炉動作等は、半導体製造装置の
使用者が行ってもよい。
動作の内、例えば、メインバルブ１０やサブバルブ８等
の操作やウエハ１の入出炉動作等は、半導体製造装置の
使用者が行ってもよい。
【００５１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ボート入出炉時に反応炉内に発生する反応副
生成物を効率よく反応炉外へ排出することができる。従
って、製造された半導体の性能を向上することができ
る。
によれば、ボート入出炉時に反応炉内に発生する反応副
生成物を効率よく反応炉外へ排出することができる。従
って、製造された半導体の性能を向上することができ
る。
【図１】半導体の製造装置を示す図である。
【図２】プロセス制御部が制御する半導体製造処理を示
すフローチャートを示す図である。
すフローチャートを示す図である。
【図３】反応炉内に発生する反応副生成物（粒子）数の
増加を示す図である。
増加を示す図である。
【図４】半導体の他の製造装置を示す図である。
１ ウエハ ２ 反応炉 ３ ヒータ ４ ガス導入管 ５ ボート ６ Ｏリング ７ トラップ ８ サブバルブ ９ ハンドバルブ １０ メインバルブ １１ ポンプ １２ サブ配管 １３ メイン配管 １４ 排気管 １５ プロセス制御部 １６ 工場用力排気管 １７ 排気切替バルブ １８ ダンパ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年８月１６日（１９９９．８．１
６）
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項５】前記半導体ウエハ上に成膜する方法におい
て、成膜するために該半導体ウエハを入炉する際、前記
反応炉内の圧力が該反応炉外の圧力よりも所定の値だけ
低くなるように、該反応炉内のガスを排気しながら該半
導体ウエハを入炉することにより、不要な物質が該半導
体ウエハに付着するのを防止することを特徴とする請求
項１に記載の半導体の製造方法。
て、成膜するために該半導体ウエハを入炉する際、前記
反応炉内の圧力が該反応炉外の圧力よりも所定の値だけ
低くなるように、該反応炉内のガスを排気しながら該半
導体ウエハを入炉することにより、不要な物質が該半導
体ウエハに付着するのを防止することを特徴とする請求
項１に記載の半導体の製造方法。
【請求項６】反応炉と、 複数の半導体ウエハを、前記反応炉内へ入炉する入炉手
段と、 前記入炉手段による半導体ウエハの入炉完了後、前記反
応炉内のガスを炉外へ排出する第１のガス排出手段と、 前記第１のガス排出手段が前記反応炉内のガスを排出
し、該反応炉内の圧力が所定の圧力になった後、前記半
導体ウエハに膜を形成するための反応ガスを、該反応炉
内へ導入するガス導入手段と、 前記ガス導入手段によって導入された反応ガスにより、
前記半導体ウエハに膜を形成し、前記反応炉内へ不活性
ガスを導入し、該反応炉内を常圧にする圧力復帰手段
と、 前記圧力復帰手段によって前記反応炉内が常圧に復帰し
た後、前記半導体ウエハを出炉する出炉手段と、 前記出炉手段が前記半導体ウエハを出炉する際、前記反
応炉内外の圧力差が所定の圧力差となるように該反応炉
内のガスを排出し、不要な物質が該半導体ウエハに付着
するのを防止する第２のガス排出手段と、前記半導体ウエハの出炉時に、前記反応炉内の圧力が該
反応炉外の圧力よりも５〜７５ｍｍＨ２Ｏ低くなるよう
に、前記第２のガス排出手段を制御するプロセス制御部
と、 を備えることを特徴とする半導体の製造装置。
段と、 前記入炉手段による半導体ウエハの入炉完了後、前記反
応炉内のガスを炉外へ排出する第１のガス排出手段と、 前記第１のガス排出手段が前記反応炉内のガスを排出
し、該反応炉内の圧力が所定の圧力になった後、前記半
導体ウエハに膜を形成するための反応ガスを、該反応炉
内へ導入するガス導入手段と、 前記ガス導入手段によって導入された反応ガスにより、
前記半導体ウエハに膜を形成し、前記反応炉内へ不活性
ガスを導入し、該反応炉内を常圧にする圧力復帰手段
と、 前記圧力復帰手段によって前記反応炉内が常圧に復帰し
た後、前記半導体ウエハを出炉する出炉手段と、 前記出炉手段が前記半導体ウエハを出炉する際、前記反
応炉内外の圧力差が所定の圧力差となるように該反応炉
内のガスを排出し、不要な物質が該半導体ウエハに付着
するのを防止する第２のガス排出手段と、前記半導体ウエハの出炉時に、前記反応炉内の圧力が該
反応炉外の圧力よりも５〜７５ｍｍＨ２Ｏ低くなるよう
に、前記第２のガス排出手段を制御するプロセス制御部
と、 を備えることを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項８】前記入炉手段は、前記半導体ウエハを入炉
する際、前記反応炉内外の圧力差が所定の圧力差となる
ように、該反応炉内のガスを排出し、不要な物質が該半
導体ウエハに付着するのを防止する第３のガス排出手段
をさらに備え、 前記プロセス制御部は、前記半導体ウエハの入炉時に、
前記反応炉内の圧力が該反応炉外の圧力よりも所定の値
だけ低くなるように、前記第３のガス排出手段を制御す
る、 ことを特徴とする請求項６に記載の半導体の製造装置。
する際、前記反応炉内外の圧力差が所定の圧力差となる
ように、該反応炉内のガスを排出し、不要な物質が該半
導体ウエハに付着するのを防止する第３のガス排出手段
をさらに備え、 前記プロセス制御部は、前記半導体ウエハの入炉時に、
前記反応炉内の圧力が該反応炉外の圧力よりも所定の値
だけ低くなるように、前記第３のガス排出手段を制御す
る、 ことを特徴とする請求項６に記載の半導体の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、本発明の第１の観点にかかる半導体の製造方法
は、反応炉内で減圧状態下で半導体ウエハに処理を施し
て、該半導体ウエハ上に成膜する方法において、成膜完
了後、前記反応炉に不活性ガスを注入して、実質的な常
圧に戻した後、前記反応炉内の圧力が反応炉外の圧力よ
りも５〜７５ｍｍＨ２Ｏ低くなるように、該反応炉内の
ガスを排気しながら前記半導体ウエハを出炉することに
より、反応副生成物が該半導体ウエハに付着するのを防
止することを特徴とする。
めに、本発明の第１の観点にかかる半導体の製造方法
は、反応炉内で減圧状態下で半導体ウエハに処理を施し
て、該半導体ウエハ上に成膜する方法において、成膜完
了後、前記反応炉に不活性ガスを注入して、実質的な常
圧に戻した後、前記反応炉内の圧力が反応炉外の圧力よ
りも５〜７５ｍｍＨ２Ｏ低くなるように、該反応炉内の
ガスを排気しながら前記半導体ウエハを出炉することに
より、反応副生成物が該半導体ウエハに付着するのを防
止することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】前記反応炉の半導体ウエハの入出口から、
反応炉内にガスが流入するように、該反応炉内のガスを
排気しながら前記半導体ウエハを出炉してもよい。半導
体ウエハの出炉時に、反応炉内で気化した反応副生成物
が、前記半導体ウエハに付着することを防止するよう
に、該反応炉内のガスを排気しながら前記半導体ウエハ
を出炉してもよい。半導体ウエハの出炉時に、反応炉内
で発生したパーティクルが、前記半導体ウエハに付着す
ることを防止するように、該反応炉内のガスを排気しな
がら前記半導体ウエハを出炉してもよい。前記半導体ウ
エハ上に成膜する方法において、成膜するために該半導
体ウエハを入炉する際、前記反応炉内の圧力が該反応炉
外の圧力よりも所定の値だけ低くなるように、該反応炉
内のガスを排気しながら該半導体ウエハを入炉すること
により、不要な物質が該半導体ウエハに付着するのを防
止してもよい。
反応炉内にガスが流入するように、該反応炉内のガスを
排気しながら前記半導体ウエハを出炉してもよい。半導
体ウエハの出炉時に、反応炉内で気化した反応副生成物
が、前記半導体ウエハに付着することを防止するよう
に、該反応炉内のガスを排気しながら前記半導体ウエハ
を出炉してもよい。半導体ウエハの出炉時に、反応炉内
で発生したパーティクルが、前記半導体ウエハに付着す
ることを防止するように、該反応炉内のガスを排気しな
がら前記半導体ウエハを出炉してもよい。前記半導体ウ
エハ上に成膜する方法において、成膜するために該半導
体ウエハを入炉する際、前記反応炉内の圧力が該反応炉
外の圧力よりも所定の値だけ低くなるように、該反応炉
内のガスを排気しながら該半導体ウエハを入炉すること
により、不要な物質が該半導体ウエハに付着するのを防
止してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】本発明の第２の観点にかかる半導体の製造
装置は、反応炉と、複数の半導体ウエハを、前記反応炉
内へ入炉する入炉手段と、前記入炉手段による半導体ウ
エハの入炉完了後、前記反応炉内のガスを炉外へ排出す
る第１のガス排出手段と、前記第１のガス排出手段が前
記反応炉内のガスを排出し、該反応炉内の圧力が所定の
圧力になった後、前記半導体ウエハに膜を形成するため
の反応ガスを、該反応炉内へ導入するガス導入手段と、
前記ガス導入手段によって導入された反応ガスにより、
前記半導体ウエハに膜を形成し、前記反応炉内へ不活性
ガスを導入し、該反応炉内を常圧にする圧力復帰手段
と、前記圧力復帰手段によって前記反応炉内が常圧に復
帰した後、前記半導体ウエハを出炉する出炉手段と、前
記出炉手段が前記半導体ウエハを出炉する際、前記反応
炉内外の圧力差が所定の圧力差となるように該反応炉内
のガスを排出し、不要な物質が該半導体ウエハに付着す
るのを防止する第２のガス排出手段と、前記半導体ウエ
ハの出炉時に、前記反応炉内の圧力が該反応炉外の圧力
よりも５〜７５ｍｍＨ２Ｏ低くなるように、前記第２の
ガス排出手段を制御するプロセス制御部と、を備えるこ
とを特徴とする。
装置は、反応炉と、複数の半導体ウエハを、前記反応炉
内へ入炉する入炉手段と、前記入炉手段による半導体ウ
エハの入炉完了後、前記反応炉内のガスを炉外へ排出す
る第１のガス排出手段と、前記第１のガス排出手段が前
記反応炉内のガスを排出し、該反応炉内の圧力が所定の
圧力になった後、前記半導体ウエハに膜を形成するため
の反応ガスを、該反応炉内へ導入するガス導入手段と、
前記ガス導入手段によって導入された反応ガスにより、
前記半導体ウエハに膜を形成し、前記反応炉内へ不活性
ガスを導入し、該反応炉内を常圧にする圧力復帰手段
と、前記圧力復帰手段によって前記反応炉内が常圧に復
帰した後、前記半導体ウエハを出炉する出炉手段と、前
記出炉手段が前記半導体ウエハを出炉する際、前記反応
炉内外の圧力差が所定の圧力差となるように該反応炉内
のガスを排出し、不要な物質が該半導体ウエハに付着す
るのを防止する第２のガス排出手段と、前記半導体ウエ
ハの出炉時に、前記反応炉内の圧力が該反応炉外の圧力
よりも５〜７５ｍｍＨ２Ｏ低くなるように、前記第２の
ガス排出手段を制御するプロセス制御部と、を備えるこ
とを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】前記第２のガス排出手段は、前記反応炉に
接続された排気管を備え、前記第２のガス排出手段は、
前記半導体ウエハの出炉時に、前記排気管を介して反応
炉内のガスを排出することにより、前記反応炉内の圧力
を該反応炉外の圧力よりも低くしてもよい。前記入炉手
段は、前記半導体ウエハを入炉する際、前記反応炉内外
の圧力差が所定の圧力差となるように、該反応炉内のガ
スを排出し、不要な物質が該半導体ウエハに付着するの
を防止する第３のガス排出手段をさらに備え、前記プロ
セス制御部は、前記半導体ウエハの入炉時に、前記反応
炉内の圧力が該反応炉外の圧力よりも所定の値だけ低く
なるように、前記第３のガス排出手段を制御してもよ
い。
接続された排気管を備え、前記第２のガス排出手段は、
前記半導体ウエハの出炉時に、前記排気管を介して反応
炉内のガスを排出することにより、前記反応炉内の圧力
を該反応炉外の圧力よりも低くしてもよい。前記入炉手
段は、前記半導体ウエハを入炉する際、前記反応炉内外
の圧力差が所定の圧力差となるように、該反応炉内のガ
スを排出し、不要な物質が該半導体ウエハに付着するの
を防止する第３のガス排出手段をさらに備え、前記プロ
セス制御部は、前記半導体ウエハの入炉時に、前記反応
炉内の圧力が該反応炉外の圧力よりも所定の値だけ低く
なるように、前記第３のガス排出手段を制御してもよ
い。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】ただし、排気速度が小さいと前記反応副生
成物及び前記不要な物質を十分排除することができず、
排気速度が大きいとガスの流れが乱れて該反応副生成物
及び該不要な物質を効率よく排除することができない。
このため、前記反応炉内外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２
Ｏとなるように、該反応炉内のガスを排気することが望
ましい。本発明の第３の観点にかかる半導体の製造装置
は、下端に入出口を備えた反応炉と、前記反応炉に接続
された排気管と、前記排気管から前記反応炉内のガスを
排気することによって、該反応炉内に、前記入出口から
該反応炉の上部に至るガス流を形成し、前記反応炉内外
の圧力差を５〜７５ｍｍＨ２Ｏに維持しつつ、前記入出
口から半導体ウエハを搬出する入出手段と、を備えるこ
とを特徴とする。 ─────────────────────────────────────────────────────
成物及び前記不要な物質を十分排除することができず、
排気速度が大きいとガスの流れが乱れて該反応副生成物
及び該不要な物質を効率よく排除することができない。
このため、前記反応炉内外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２
Ｏとなるように、該反応炉内のガスを排気することが望
ましい。本発明の第３の観点にかかる半導体の製造装置
は、下端に入出口を備えた反応炉と、前記反応炉に接続
された排気管と、前記排気管から前記反応炉内のガスを
排気することによって、該反応炉内に、前記入出口から
該反応炉の上部に至るガス流を形成し、前記反応炉内外
の圧力差を５〜７５ｍｍＨ２Ｏに維持しつつ、前記入出
口から半導体ウエハを搬出する入出手段と、を備えるこ
とを特徴とする。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１２月１０日（１９９９．１２．
１０）
１０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】前記第２のガス排出手段は、前記反応炉に
接続された排気管を備え、前記第２のガス排出手段は、
前記半導体ウエハの出炉時に、前記排気管を介して反応
炉内のガスを排出することにより、前記反応炉内の圧力
を該反応炉外の圧力よりも低くしてもよい。前記プロセ
ス制御部は、前記半導体ウエハの入炉時に前記第２のガ
ス排出手段を制御し、前記反応炉内の圧力が該反応炉外
の圧力よりも所定の値だけ低くなるように該反応炉内の
ガスを排出することにより、不要な物質が該半導体ウエ
ハに付着するのを防止してもよい。
接続された排気管を備え、前記第２のガス排出手段は、
前記半導体ウエハの出炉時に、前記排気管を介して反応
炉内のガスを排出することにより、前記反応炉内の圧力
を該反応炉外の圧力よりも低くしてもよい。前記プロセ
ス制御部は、前記半導体ウエハの入炉時に前記第２のガ
ス排出手段を制御し、前記反応炉内の圧力が該反応炉外
の圧力よりも所定の値だけ低くなるように該反応炉内の
ガスを排出することにより、不要な物質が該半導体ウエ
ハに付着するのを防止してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】ただし、排気速度が小さいと前記反応副生
成物及び前記不要な物質を十分排除することができず、
排気速度が大きいとガスの流れが乱れて該反応副生成物
及び該不要な物質を効率よく排除することができない。
このため、前記反応炉内外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２
Ｏとなるように、該反応炉内のガスを排気することが望
ましい。
成物及び前記不要な物質を十分排除することができず、
排気速度が大きいとガスの流れが乱れて該反応副生成物
及び該不要な物質を効率よく排除することができない。
このため、前記反応炉内外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２
Ｏとなるように、該反応炉内のガスを排気することが望
ましい。
Claims (6)
- 【請求項１】反応炉内で減圧状態下で半導体ウエハに処
理を施して、該半導体ウエハ上に成膜する方法におい
て、 成膜完了後、前記反応炉に不活性ガスを注入して、実質
的な常圧に戻した後、前記反応炉内外の圧力差が所定の
値となるように、該反応炉内のガスを排気しながら前記
半導体ウエハを出炉することにより、反応副生成物が該
半導体ウエハに付着するのを防止することを特徴とする
半導体の製造方法。 - 【請求項２】前記半導体ウエハ上に成膜する方法におい
て、前記半導体ウエハの出炉時に、前記反応炉内外の圧
力差が５〜７５ｍｍＨ２Ｏとなるように、該反応炉内の
ガスを排気することを特徴とする請求項１に記載の半導
体の製造方法。 - 【請求項３】前記半導体ウエハ上に成膜する方法におい
て、成膜するために該半導体ウエハを入炉する際、前記
反応炉内外の圧力差が所定の値となるように、該反応炉
内のガスを排気しながら該半導体ウエハを入炉すること
により、不要な物質が該半導体ウエハに付着するのを防
止することを特徴とする請求項１に記載の半導体の製造
方法。 - 【請求項４】複数の半導体ウエハを、反応炉内へ入炉す
る入炉手段と、 前記入炉手段による半導体ウエハの入炉完了後、前記反
応炉内のガスを炉外へ排出する第１のガス排出手段と、 前記第１のガス排出手段が前記反応炉内のガスを排出
し、該反応炉内の圧力が所定の圧力になった後、前記半
導体ウエハに膜を形成するための反応ガスを、該反応炉
内へ導入するガス導入手段と、 前記ガス導入手段によって導入された反応ガスにより、
前記半導体ウエハに膜を形成し、前記反応炉内へ不活性
ガスを導入し、該反応炉内を常圧にする圧力復帰手段
と、 前記圧力復帰手段によって前記反応炉内が常圧に復帰し
た後、前記半導体ウエハを出炉する出炉手段と、 前記出炉手段が前記半導体ウエハを出炉する際、前記反
応炉内外の圧力差が所定の圧力差となるように該反応炉
内のガスを排出し、不要な物質が該半導体ウエハに付着
するのを防止する第２のガス排出手段と、を備えること
を特徴とする半導体の製造装置。 - 【請求項５】前記第２のガス排出手段は、前記反応炉内
外の圧力差が５〜７５ｍｍＨ２Ｏとなるように、該反応
炉内のガスを排出する手段を備えることを特徴とする請
求項４に記載の半導体の製造装置。 - 【請求項６】前記入炉手段は、前記半導体ウエハを入炉
する際、前記反応炉内外の圧力差が所定の圧力差となる
ように、該反応炉内のガスを排出し、不要な物質が該半
導体ウエハに付着するのを防止する第３のガス排出手段
をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の半導
体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10269863A JP3037280B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 半導体の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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