JP2001077099A - 基板処理方法 - Google Patents
基板処理方法Info
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- JP2001077099A JP2001077099A JP24763799A JP24763799A JP2001077099A JP 2001077099 A JP2001077099 A JP 2001077099A JP 24763799 A JP24763799 A JP 24763799A JP 24763799 A JP24763799 A JP 24763799A JP 2001077099 A JP2001077099 A JP 2001077099A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】予熱過程で発生したパーティクルを速やかに外
部へ除去し、パーティクルの被処理基板への付着を抑制
し、ウェーハの汚染を防止して製品の品質の向上、歩留
りの向上を図る。 【解決手段】反応室１内に少なくとも２枚の基板４を載
置し、少なくとも該基板の昇温工程では、前記反応室内
で不活性ガスが一端から他端へ１方向流れとなる様排気
し、前記反応室内のパーティクル数を低減させる。
部へ除去し、パーティクルの被処理基板への付着を抑制
し、ウェーハの汚染を防止して製品の品質の向上、歩留
りの向上を図る。 【解決手段】反応室１内に少なくとも２枚の基板４を載
置し、少なくとも該基板の昇温工程では、前記反応室内
で不活性ガスが一端から他端へ１方向流れとなる様排気
し、前記反応室内のパーティクル数を低減させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置、特
に被処理基板を複数枚ずつ処理し、半導体を製造する基
板処理方法に於けるパーティクル除去に関するものであ
る。
に被処理基板を複数枚ずつ処理し、半導体を製造する基
板処理方法に於けるパーティクル除去に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の反応室に於いて、ウェ
ーハ等被処理基板表面に多数の半導体素子を形成させる
為、被処理基板表面に成膜、エッチング等種々の処理が
行われる。
ーハ等被処理基板表面に多数の半導体素子を形成させる
為、被処理基板表面に成膜、エッチング等種々の処理が
行われる。
【０００３】斯かる処理中、パーティクルが被処理基板
に付着すると、被処理基板表面の薄膜に悪影響を与える
と共に半導体素子の断線、電気的特性の劣化等の要因と
もなる為、反応室内のパーティクルを除去させる手段が
考慮されている。
に付着すると、被処理基板表面の薄膜に悪影響を与える
と共に半導体素子の断線、電気的特性の劣化等の要因と
もなる為、反応室内のパーティクルを除去させる手段が
考慮されている。
【０００４】枚葉式半導体製造装置の反応室内では複数
枚の被処理基板が装入され、該被処理基板は基板支持台
に一枚ずつ支持され、予熱、成膜処理、アフタパージ、
真空引を経て、処理済基板として払出が行われる。
枚の被処理基板が装入され、該被処理基板は基板支持台
に一枚ずつ支持され、予熱、成膜処理、アフタパージ、
真空引を経て、処理済基板として払出が行われる。
【０００５】従来の基板処理方法では、被処理基板の装
入前に反応室内のパーティクルを完全に除去する様にし
ても、パーティクルによる汚染と見られる品質低下が見
られていた。
入前に反応室内のパーティクルを完全に除去する様にし
ても、パーティクルによる汚染と見られる品質低下が見
られていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、パーティ
クルが被処理基板装入後に発生すること、更に、被処理
基板装入時にパーティクルを反応室内に巻込むことを発
見した。特に、反応室内でのパーティクルの発生は、予
熱過程で被処理基板が昇温時に発生する熱応力による変
形、熱応力の瞬間的な解放に起因する飛跳ね現象等で、
被処理基板と基板支持台間に摩擦が発生し、この摩擦で
被処理基板の裏面が削取られパーティクルが発生するこ
とを究明した。
クルが被処理基板装入後に発生すること、更に、被処理
基板装入時にパーティクルを反応室内に巻込むことを発
見した。特に、反応室内でのパーティクルの発生は、予
熱過程で被処理基板が昇温時に発生する熱応力による変
形、熱応力の瞬間的な解放に起因する飛跳ね現象等で、
被処理基板と基板支持台間に摩擦が発生し、この摩擦で
被処理基板の裏面が削取られパーティクルが発生するこ
とを究明した。
【０００７】本発明は斯かる実情に鑑み、予熱過程で発
生したパーティクルを速やかに外部へ除去し、パーティ
クルの被処理基板への付着を抑制し、被処理基板のパー
ティクル汚染を防止して製品の品質の向上、歩留りの向
上を図るものである。
生したパーティクルを速やかに外部へ除去し、パーティ
クルの被処理基板への付着を抑制し、被処理基板のパー
ティクル汚染を防止して製品の品質の向上、歩留りの向
上を図るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室内に少
なくとも２枚の基板を載置し、少なくとも該基板の昇温
工程では、前記反応室内で不活性ガスが一端から他端へ
１方向流れとなる様排気する基板処理方法に係り、又搬
送室から反応室内への基板の搬入出中、前記反応室内で
不活性ガスが一端から他端へ１方向流れとなる様排気す
る基板処理方法に係るものである。
なくとも２枚の基板を載置し、少なくとも該基板の昇温
工程では、前記反応室内で不活性ガスが一端から他端へ
１方向流れとなる様排気する基板処理方法に係り、又搬
送室から反応室内への基板の搬入出中、前記反応室内で
不活性ガスが一端から他端へ１方向流れとなる様排気す
る基板処理方法に係るものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明者は、パーティクルの降下
時間とガスの流速に注目し、パーティクルが降下し被処
理基板に到達する迄にパーティクルをガス流と共に排気
することを発案し、更にパーティクルの降下速度は反応
室内の圧力に依存することが知られており、反応室内の
圧力を適当な値に選択することで、効果的にパーティク
ルを排出できることを確認した。
時間とガスの流速に注目し、パーティクルが降下し被処
理基板に到達する迄にパーティクルをガス流と共に排気
することを発案し、更にパーティクルの降下速度は反応
室内の圧力に依存することが知られており、反応室内の
圧力を適当な値に選択することで、効果的にパーティク
ルを排出できることを確認した。
【００１０】以下、図１〜図５を参照しつつ本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００１１】図中、１は偏平な直方体形状の反応室であ
り、該反応室１内には複数段（図示では２段）の支持部
２を有するウェーハ支持台３が設けられ、前記支持部２
はウェーハ４を載置可能となっている。
り、該反応室１内には複数段（図示では２段）の支持部
２を有するウェーハ支持台３が設けられ、前記支持部２
はウェーハ４を載置可能となっている。
【００１２】前記反応室１の上面周辺部にはガス導入ポ
ート５が接続され、該ガス導入ポート５と対角を成す前
記反応室１の下面周辺部には排気管６が接続されてい
る。該排気管６の配管途中には流量調整バルブ７が設け
られ、下流端には真空ポンプ８が設けられている。又、
前記反応室１の周囲には図示しない加熱装置が設けられ
ている。
ート５が接続され、該ガス導入ポート５と対角を成す前
記反応室１の下面周辺部には排気管６が接続されてい
る。該排気管６の配管途中には流量調整バルブ７が設け
られ、下流端には真空ポンプ８が設けられている。又、
前記反応室１の周囲には図示しない加熱装置が設けられ
ている。
【００１３】前記反応室１の一端にはゲートバルブ９を
介して偏平な直方体形状の搬送室１０が気密に連設さ
れ、該搬送室１０の内部には３節アームのウェーハ搬送
ロボット１１が設けられている。
介して偏平な直方体形状の搬送室１０が気密に連設さ
れ、該搬送室１０の内部には３節アームのウェーハ搬送
ロボット１１が設けられている。
【００１４】前記搬送室１０の上面周辺部にはガス導入
ポート１２が接続され、該ガス導入ポート１２と対角を
成す前記搬送室１０の下面周辺部には排気管１３が接続
され、該排気管１３の下流端には真空ポンプ１４が設け
られている。
ポート１２が接続され、該ガス導入ポート１２と対角を
成す前記搬送室１０の下面周辺部には排気管１３が接続
され、該排気管１３の下流端には真空ポンプ１４が設け
られている。
【００１５】以下、作動を説明する。
【００１６】前記ガス導入ポート１２より前記搬送室内
に不活性ガスを導入しつつ、前記真空ポンプ１４を作動
させ、前記排気管１３より排気し、前記搬送室１０内を
後述する反応室１内の圧力（以下、搬送圧力と称す）と
同圧に保持する。
に不活性ガスを導入しつつ、前記真空ポンプ１４を作動
させ、前記排気管１３より排気し、前記搬送室１０内を
後述する反応室１内の圧力（以下、搬送圧力と称す）と
同圧に保持する。
【００１７】前記ガス導入ポート５より前記反応室１内
に不活性ガス、例えば窒素ガスを所定流量で導入する。
前記真空ポンプ８を作動させ、前記流量調整バルブ７の
開度を調整しつつ、前記排気管６より排気し、前記反応
室１内に１方向への流れを形成させると共に前記反応室
１内の圧力を従来の予熱圧力より高い負圧である搬送圧
力に保持する。該搬送圧力はパーティクルが被処理基板
に降下する迄の時間が所定値以上となる圧力であり、降
下時間はパーティクルが不活性ガス流により前記反応室
１外に排出される時間以上となる。前記ウェーハ搬送ロ
ボット１１により前記ゲートバルブ９を通して前記支持
部２に前記ウェーハ４を載置する。被処理基板の搬入中
１方向流れで排気することで、パーティクルが効果的に
排出され、搬入中でのウェーハへのパーティクルの付着
を防止できる。
に不活性ガス、例えば窒素ガスを所定流量で導入する。
前記真空ポンプ８を作動させ、前記流量調整バルブ７の
開度を調整しつつ、前記排気管６より排気し、前記反応
室１内に１方向への流れを形成させると共に前記反応室
１内の圧力を従来の予熱圧力より高い負圧である搬送圧
力に保持する。該搬送圧力はパーティクルが被処理基板
に降下する迄の時間が所定値以上となる圧力であり、降
下時間はパーティクルが不活性ガス流により前記反応室
１外に排出される時間以上となる。前記ウェーハ搬送ロ
ボット１１により前記ゲートバルブ９を通して前記支持
部２に前記ウェーハ４を載置する。被処理基板の搬入中
１方向流れで排気することで、パーティクルが効果的に
排出され、搬入中でのウェーハへのパーティクルの付着
を防止できる。
【００１８】前記ゲートバルブ９を閉塞し、前記真空ポ
ンプ８により真空排気しつつ、加熱装置（図示せず）に
より前記反応室１内を所定温度に加熱し、該反応室１内
の加熱により前記ウェーハ４を所定の温度に予熱する。
前記真空引により、反応室内には１方向流れの排気が行
われる。
ンプ８により真空排気しつつ、加熱装置（図示せず）に
より前記反応室１内を所定温度に加熱し、該反応室１内
の加熱により前記ウェーハ４を所定の温度に予熱する。
前記真空引により、反応室内には１方向流れの排気が行
われる。
【００１９】前記反応室１内を所定の処理圧力である６
０Pa迄減圧させ、前記ガス導入ポート５より前記反応室
１内に反応ガスを導入する。前記ウェーハ４に成膜処理
が施される。尚、処理状態に於いても、反応室内には１
方向流れの排気が行われていることは言う迄もなく、特
に反応室内は減圧状態となっており、パーティクルの降
下速度は遅くなっており、予熱時にウェーハの熱変形に
起因したパーティクルが発生したとしても、パーティク
ルがウェーハに付着する迄に効果的に除去できる。
０Pa迄減圧させ、前記ガス導入ポート５より前記反応室
１内に反応ガスを導入する。前記ウェーハ４に成膜処理
が施される。尚、処理状態に於いても、反応室内には１
方向流れの排気が行われていることは言う迄もなく、特
に反応室内は減圧状態となっており、パーティクルの降
下速度は遅くなっており、予熱時にウェーハの熱変形に
起因したパーティクルが発生したとしても、パーティク
ルがウェーハに付着する迄に効果的に除去できる。
【００２０】上記成膜処理の条件として、Ｓｉ3 Ｎ4 膜
を成膜する場合の１例を挙げれば、基板温度７５０℃、
反応室圧力６０Pa、反応ガスＳｉＨ2 Ｃｌ2 が２０cc/m
in、ＮＨ3 が２００cc/minで成膜時間２〜３分で膜厚１
００オングストローム以下に成膜する。
を成膜する場合の１例を挙げれば、基板温度７５０℃、
反応室圧力６０Pa、反応ガスＳｉＨ2 Ｃｌ2 が２０cc/m
in、ＮＨ3 が２００cc/minで成膜時間２〜３分で膜厚１
００オングストローム以下に成膜する。
【００２１】成膜処理後アフタパージが行われ、アフタ
パージ工程では前記真空ポンプ８により反応室１内を排
気しつつ不活性ガスを導入し、残留する反応ガスを排出
し、更に前記真空ポンプ８により反応室１内を真空引す
る。真空引により、反応室内に残留する反応ガスを完全
に除去する。
パージ工程では前記真空ポンプ８により反応室１内を排
気しつつ不活性ガスを導入し、残留する反応ガスを排出
し、更に前記真空ポンプ８により反応室１内を真空引す
る。真空引により、反応室内に残留する反応ガスを完全
に除去する。
【００２２】その後、更に不活性ガスを導入し、反応室
内を前記搬送圧力とすると共に前記真空ポンプ１４によ
り搬送室内を搬送圧力に保持し、前記ゲートバルブ９を
開放する。前記ウェーハ搬送ロボット１１により、前記
ウェーハ４は前記反応室１外部へ搬出される。
内を前記搬送圧力とすると共に前記真空ポンプ１４によ
り搬送室内を搬送圧力に保持し、前記ゲートバルブ９を
開放する。前記ウェーハ搬送ロボット１１により、前記
ウェーハ４は前記反応室１外部へ搬出される。
【００２３】次に、圧力とパーティクルの降下速度につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２４】パーティクルの重力による降下速度は下記
数１により求められ、本発明者は反応室内でのパーティ
クルの降下も数１によることを実験により確認した。
数１により求められ、本発明者は反応室内でのパーティ
クルの降下も数１によることを実験により確認した。
【００２５】
【数１】Ｖ＝｛ｇ（ρp −ρg ）ｄp2 （１＋ｋme・λm
／ｄp ）｝／１８μ Ｖ ：降下速度 （m／s） ｇ ：重力加速度（m／s2 ） ρp ：粒子密度 （kg／m3 ) ρg ：気体密度 （kg／m3 ) ｄp ：粒子直径 （m ） ｋme：カニンガム補正係数 ｋme＝２．４６＋０．８２ｅｘｐ（−０．４４ｄp ／λ
m ） λm ：気体分子の平均自由行程（m ） μ ：気体の粘性係数 （Ｎ・s／m2 ）
／ｄp ）｝／１８μ Ｖ ：降下速度 （m／s） ｇ ：重力加速度（m／s2 ） ρp ：粒子密度 （kg／m3 ) ρg ：気体密度 （kg／m3 ) ｄp ：粒子直径 （m ） ｋme：カニンガム補正係数 ｋme＝２．４６＋０．８２ｅｘｐ（−０．４４ｄp ／λ
m ） λm ：気体分子の平均自由行程（m ） μ ：気体の粘性係数 （Ｎ・s／m2 ）
【００２６】上式を用いて反応室内のパーティクルの降
下速度と圧力との関係を求めると、パーティクルの降下
速度は圧力に依存し、図３に示す様になり、圧力が高く
なるに従い、パーティクルの降下速度が遅くなる。例え
ば、前記反応室１内の圧力が６６．５Paの時、粒子径が
０．３μm のパーティクルの降下速度は６．５×１０ 3
μm/sec となり、ウェーハの反応室の底面からの高さが
３０mmの場合、パーティクルの反応室の底面への降下時
間は約４．６秒となる。又、反応室内の圧力が１，３３
０Paに上昇すると、粒子径が０．３μm のパーティクル
の降下速度は２．５×１０3 μm/sec と遅くなり、パー
ティクルの反応室の底面への降下時間は約１２０秒と長
くなる。
下速度と圧力との関係を求めると、パーティクルの降下
速度は圧力に依存し、図３に示す様になり、圧力が高く
なるに従い、パーティクルの降下速度が遅くなる。例え
ば、前記反応室１内の圧力が６６．５Paの時、粒子径が
０．３μm のパーティクルの降下速度は６．５×１０ 3
μm/sec となり、ウェーハの反応室の底面からの高さが
３０mmの場合、パーティクルの反応室の底面への降下時
間は約４．６秒となる。又、反応室内の圧力が１，３３
０Paに上昇すると、粒子径が０．３μm のパーティクル
の降下速度は２．５×１０3 μm/sec と遅くなり、パー
ティクルの反応室の底面への降下時間は約１２０秒と長
くなる。
【００２７】又、ウェーハ予熱時に反応室内に５l/min
の窒素ガスが導入された場合には、成膜処理されたウェ
ーハ１枚当りに付着したパーティクル数と圧力との関係
は図４の様になり、又、ウェーハ予熱時の圧力が５００
Paの場合には、成膜処理されたウェーハ１枚当りに付着
したパーティクル数とウェーハ予熱時に反応室内に導入
された窒素ガス流量との関係は図５の様になることが確
認された。これらにより、圧力が高くなるに従い、又、
反応室内に導入する窒素ガス流量が増加するに従い、ウ
ェーハに付着するパーティクル数はいずれも低減する傾
向にあることが判明した。
の窒素ガスが導入された場合には、成膜処理されたウェ
ーハ１枚当りに付着したパーティクル数と圧力との関係
は図４の様になり、又、ウェーハ予熱時の圧力が５００
Paの場合には、成膜処理されたウェーハ１枚当りに付着
したパーティクル数とウェーハ予熱時に反応室内に導入
された窒素ガス流量との関係は図５の様になることが確
認された。これらにより、圧力が高くなるに従い、又、
反応室内に導入する窒素ガス流量が増加するに従い、ウ
ェーハに付着するパーティクル数はいずれも低減する傾
向にあることが判明した。
【００２８】圧力低下と共にパーティクルの降下速度は
遅くなるので、反応室の排気速度を適宜選択すること
で、パーティクルがウェーハ上に落下し付着する前にパ
ーティクルを外部へ排出することが可能となる。
遅くなるので、反応室の排気速度を適宜選択すること
で、パーティクルがウェーハ上に落下し付着する前にパ
ーティクルを外部へ排出することが可能となる。
【００２９】
【実施例】前記ウェーハ４予熱時の前記反応室１内の温
度を７８０℃、搬送時、及び予熱時の圧力を５００Pa、
窒素ガスの導入量を５l/min とした場合、大部分のパー
ティクルは前記ウェーハ４に落下し付着する前に窒素ガ
スと共に外部へ排出され、図４、図５に示す様に粒子径
が０．２μm 以上のパーティクルが１枚の前記ウェーハ
４に付着する数は１０個以下となる。
度を７８０℃、搬送時、及び予熱時の圧力を５００Pa、
窒素ガスの導入量を５l/min とした場合、大部分のパー
ティクルは前記ウェーハ４に落下し付着する前に窒素ガ
スと共に外部へ排出され、図４、図５に示す様に粒子径
が０．２μm 以上のパーティクルが１枚の前記ウェーハ
４に付着する数は１０個以下となる。
【００３０】尚、上記実施の形態に於いては、前記ウェ
ーハ４の予熱時のパーティクル除去方法について述べて
いるが、冷却時等他の処理工程中であっても実施可能で
あることは言う迄もない。
ーハ４の予熱時のパーティクル除去方法について述べて
いるが、冷却時等他の処理工程中であっても実施可能で
あることは言う迄もない。
【００３１】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応室
内に少なくとも２枚の基板を載置し、少なくとも該基板
の昇温工程では、前記反応室内で不活性ガスが一端から
他端へ１方向流れとなる様排気するので、予熱時、冷却
時の反応室内のパーティクルを効果的に除去できると共
に搬送室から反応室内への基板の搬入出中、前記反応室
内で不活性ガスが一端から他端へ１方向流れとなる様排
気するので、基板搬送時のパーティクルの除去も効果的
に行え、被処理基板へのパーティクルの付着量を低減で
き、製品の品質の向上、歩留りの向上を図ることが可能
となる。
内に少なくとも２枚の基板を載置し、少なくとも該基板
の昇温工程では、前記反応室内で不活性ガスが一端から
他端へ１方向流れとなる様排気するので、予熱時、冷却
時の反応室内のパーティクルを効果的に除去できると共
に搬送室から反応室内への基板の搬入出中、前記反応室
内で不活性ガスが一端から他端へ１方向流れとなる様排
気するので、基板搬送時のパーティクルの除去も効果的
に行え、被処理基板へのパーティクルの付着量を低減で
き、製品の品質の向上、歩留りの向上を図ることが可能
となる。
【図１】本発明の実施の形態の概略を示す説明図であ
る。
る。
【図２】同前平面図である。
【図３】圧力とパーティクル降下速度との関係を示す図
である。
である。
【図４】圧力とウェーハ１枚当りのパーティクル数との
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図５】窒素ガスの流量とウェーハ１枚当りのパーティ
クル数との関係を示す図である。
クル数との関係を示す図である。
１ 反応室 ４ ウェーハ ５ ガス導入ポート ６ 排気管 ７ 流量調整バルブ ８ 真空ポンプ ９ ゲートバルブ １０ 搬送室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 文秀 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 高野 智 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 井ノ口 泰啓 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA13 BC01 BC02 BC03 BC05 BC06 BD04 CA02 5F045 AB33 AD11 AE19 BB15 EB08 EB09 EB12 EE14 EE17 EF20 EG02 EG03 EG06 EN02 EN04
Claims (2)
- 【請求項１】 反応室内に少なくとも２枚の基板を載置
し、少なくとも該基板の昇温工程では、前記反応室内で
不活性ガスが一端から他端へ１方向流れとなる様排気す
ることを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２】 搬送室から反応室内への基板の搬入出
中、前記反応室内で不活性ガスが一端から他端へ１方向
流れとなる様排気する請求項１の基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24763799A JP2001077099A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24763799A JP2001077099A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077099A true JP2001077099A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17166472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24763799A Pending JP2001077099A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077099A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005050725A1 (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| CN114411247A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-04-29 | 深圳市纳设智能装备有限公司 | 一种外延反应设备 |
| CN114717653A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-07-08 | 深圳市纳设智能装备有限公司 | 一种镀膜设备 |
-
1999
- 1999-09-01 JP JP24763799A patent/JP2001077099A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005050725A1 (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| US7494941B2 (en) | 2003-11-20 | 2009-02-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of semiconductor device, and substrate processing apparatus |
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| CN114717653B (zh) * | 2021-12-24 | 2023-08-15 | 深圳市纳设智能装备有限公司 | 一种镀膜设备 |
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